晶体硅

产品名称：硅(Si)晶体基片 产品简介：化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。 技术参数：掺杂物质：掺B掺P类型：P N电阻率Ω.cm：10-3 ~ 4010-3 ~ 40EPD (cm-2 )：≤100≤100氧含量( /cm3 )：≤1.8 x1018≤1.8 x1018碳含量( /cm3 )：≤5x1016≤5x1016 常规规格:晶体方向：111、100、110 ± 0.5° 或 特殊的方向；常规尺寸:dia1"x 0.30 mm dia2"x0.5mm dia3"x0.5mm dia4"x0.6mm 表面粗糙度：Ra10A可提供热氧化SiO2层的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询！ 标准包装：1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品名称：硅锗(Si-Ge)晶体基片产品简介：Al2O3（Sapphire,又称白宝石，蓝宝石）有着很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀，它耐高温，导热好，硬度高，透红外，化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料，为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的需要，科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片，将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。技术参数：单晶: Si-Ge （ wt 2%）导电类型: P type电阻: 7-8 ohm-cm抛光情况：单面抛光 产品规格：常规晶向：100；常规尺寸：dia4″x0.5mm；注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列切割机旋转涂层机

总览一, ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体110晶向的ZnTe（碲化锌）晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应，也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲，拥有非常宽的频率分量，这些分量间的相互作用（主要是差频）将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的110晶向ZnTe实现光电探测。太太赫兹光脉冲会使ZnTe晶体产生双折射，因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在ZnTe晶体中直线传播时，可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片，偏振分光体，以及平衡光电二极管，我们可以完成对可见光的偏振状态的监控，从而得知太赫兹光脉冲的振幅，延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息（振幅和相位延迟）的能力，是时域太赫兹光谱仪最具吸引力的特性之一。ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体,ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体产品特点● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域● 抗损伤阈值高● 非线性系数大● CO2激光的SHG● 多种尺寸可选● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像应用领域红外光学 基板 用于真空沉积的晶体片 THz探测器 THz 发射器 光学限位器生产方法HPVB or HPVZMCAS #1315-11-3结构Cubic zincblende密度5.633 g/cm3Specific Heat0.16 J/gK例如（300 K）2.25 eVMax. 透射 (l =7-12 mm)60 %Max. specific resistivity109 Ohm´ cm折射率 (l =10.6 mm)2.7光电系数r41 (l =10.6 mm)4.0´ 10-12 m/VMax. IR-optic blank diameter/lengthÆ 38´ 20 mmMax. 单晶直径/长度:Æ 38´ 20 mm碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm碲化锌（ZnTe)晶体，是一种具有优异电光性能的II-VI族化合物半导体，自然条件下是闪锌矿（ZB）结构,室温下带隙宽度为2.3eV，其二阶非线性系数与电光系数均较大，辐射和探测THz电磁波的效率比其他电光晶体高，因此ZnTe晶体被认为是比较好的THz辐射源和探测器材料。ZnTe晶体110方向在 800nm附近激光脉冲作用下相位匹配*****,为ZnTe晶体作为太赫兹辐射产生和探测的常规使用方向。此外，ZnTe晶体还可以广泛应用于各种光电子器件中,如绿光发光二极管、电光探测器、太阳能电池等碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm,碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm产品特点应用于THz产生、探测和光学限幅器晶体纯度高 99.995%-99.999%表面质量优通用参数晶格结构立方闪锌矿密度5.633g/cm3比热0.16j/gK带隙（300K）2.25eV透过率（λ=7-12um)60%电阻率109 Ohm*cm折射率（λ=10.6um)2.7电光系数r41（λ=10.6um)4.0×10-12m/V电阻率(1) Low:103Ohm*cm(2) High:109Ohm*cm封装尺寸5*5*1nmØ 25.4mm二, GaSe（硒化镓）太赫兹晶体GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe（硒化镓）太赫兹晶体,GaSe（硒化镓）太赫兹晶体产品特点● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域● 抗损伤阈值高● 非线性系数大● CO2激光的SHG● 多种尺寸可选● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像三, CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜微波等离子体CVD金刚石圆片：掺硼盘（蓝色）、光学级金刚石、机械级、未抛光盘。CVD金刚石最重要的性能是无与伦比的硬度，高的导热系数（1800 W/mK，是铜的五倍）宽带光学透明度，极度化学惰性，不受任何酸或其他化学物质的影响。仅在非常高的温度下（T700°C，含氧环境下）石墨化，在惰性环境中为1500℃）CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜,CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜产品特点● 宽光谱透射范围● 高透射率产品应用● 太赫兹波传输窗片● X射线检测● 红外光学● 外延基片技术参数PropertyValueVickers hardness*10,000 kg/mm2Young's modulus*1050 GPaPoisson's ratio0.1Density3.515 g/cm3Atom density*1.77×1023 1/cm3Thermal expansion coefficient1.0*10-6/K @300KSound velocity*17,500 m/sFriction coefficient0.1Specific heat @ 20°C0.502 J/gKDebye temperature*1860 10KBandgap5.45 eVResistivity1013 - 1016 ohmmPropertyValueTransmission225nm to far IR , 70% @ 10µ mRefractive index2.38 @ 10µ m, 2.41 @ 500nmAbsorption coefficient0.10 cm-1 @ 10µ mBandgap5.45 eVTensile strength (0.5mm thick)Nucleation surface in tensionGrowth surface in tension600 MPa400 MPaLoss tangent (tan @140 GHz) 2.0×10-5Dielectric constant5.7PropertyValueDimensionsThicknessDiameter10 - 2000 µ mup to 100 mmSurface finishShapeflat, spherical (convex & concave)Roughness 5 nm*Flatness1 fringe/cm*Wedge0 – 1°*Antireflection Coatings (visible and infrared)Spec. Transmission at 10.6 µ m 98.6 %Wavefront distortion 4 fringes at 633 nm over 30 mm*MountingDiamond windows mounted e.g. in UHV flanges (bakeable at 250°C, vacuum tight 10-10 mbar l/s)*四, 太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）Terahertzlabs提供TPX和HRFZ-Si等不同太赫兹材料的THz透镜。我们拥有不同的标准尺寸以及不同的焦距EFL可供客户选择。同时我们也接受定制服务，我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。TPX是很硬的固体材料，可以用来加工成不同的光学元件，如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的，并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关，折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）,太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）产品特点● TPX，Tsurupica，HRSi材料可供选择● 不同标准尺寸1inch，2inch● 多种焦距可供客户选择● 高透射率，高平坦度● 宽谱透射范围0.02-5 THz● 高抗张强度● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源窗片● 中远红外气体探测● 科学实验室研究● THZ量子级联激光器波片● 中远红外滤波片技术参数TPX主要参数：密度（g/cm3）0.83抗张强度4100psi~28.3MPa拉伸模量280000psi~1930.5MPa抗拉伸模量（%）10绕曲强度6100psi~42.1MPa绕曲模量210000psi~1447.8MPa热偏温度（℃）100融化温度（°F/℃）464/240吸收率（ASTM-D1228）（%）＜0.01透水汽性（thk25μm，40C，90%RH）（g/m2*24h）110透气性（thk100μm）（cm3/m2*d*MPa）120000TPX透镜参数：材料TPX形状平凸、双凸最大直径（mm）100mm直径公差（mm）±0.25mm有效焦距公差（mm）±1%通光口径（mm）≥90%表面直径（双面抛光）80/50 Scr/Dig表面精度（mm）±0.01mm（和理想球面和平面的差）五, THz太赫兹TPX窗片我们提供由晶体和聚合物材料制成的太赫兹窗片。同时我们也接受定制服务，我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。TPX是很硬的固体材料，可以用来加工成不同的光学元件，如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的，并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关，折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。THz太赫兹TPX窗片,THz太赫兹TPX窗片通用参数产品特点：TPX，HRFZ Si，ZEONEX材料可供选择不同标准尺寸1inch，2inch接受客户定制服务产品应用：太赫兹时域系统太赫兹源窗片中远红外气体探测科学实验室研究THZ量子级联激光器波片中远红外滤波片技术参数： 1，晶体材料1.1 HRFZ Si窗片材料HRFZ-Si类型平面-平面可用尺寸, mmto 150直径或横切公差, mm+0.0 / -0.1厚度公差, mm+/-0.1通光孔径, %=90平行度, arc. min3表面质量 (双面抛光), scr/вig60/40表面精度, mm+/-0.01偏离理想平面涂层应要求提供AR涂层以下窗片可从库存中获得No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)1.0238.1 (1.5)1.0350.8 (2.0)1.0476.2 (3.0)1.05101.6 (4.0)1.0可根据要求定制尺寸 1.2 THz级石英晶体和THz级蓝宝石窗片材料THz级石英晶体 (z-cut) and THz 级蓝宝石窗片类型平面-平面尺寸公差, mm+/-0.1通光孔径, %=90平行度, arc. min5表面质量 (双面抛光), scr/dig80/50表面精度, mm+/-0.01 偏离理想平面涂层 （对于石英晶体)应要求提供AR涂层太赫兹级石英晶体窗片尺寸如下：No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)1.0, 2.0, and 3.0238.1 (1.5)1.0, 2.0, and 3.0350.8 (2.0)1.0, 2.0, and 3.0 其他尺寸和定制设计可根据要求制造。以下尺寸的太赫兹级石英晶体可用：对于沿Z轴生长的晶体Z-axis: X =100 mm, Y=150 mm and Z up to 35 mm对于沿X轴生长的晶体 X-axis: X up to 30 mm, Y=100 mm and Z=125 mm. 可根据要求提供太赫兹级蓝宝石窗片。不同尺寸的成品可现货供应或在一周内供应。 2. 聚合物2.1 TPX windows材料TPX类型平面-平面，楔形（楔形为6mrad）可用直径, mmto 300尺寸公差,1mm+ /-0.25通光孔径, %=90表面质量, scr/dig80/50 (双面抛光)表面粗糙度Rz 0.025 (TPX)表面精度, mm±0.01 偏离理想平面以下TPX窗片有现货供应：No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)2.0238.1 (1.5)3.0350.8 (2.0)3.5定制尺寸（最大厚度30 mm）可根据要求定制 2.2 ZEONEX 窗片材料ZEONEX类型平面-平面，楔形可用直径, mmto 120尺寸公差,1mm+ /-0.25通光孔径, %=90表面质量, scr/dig80/50 (双面抛光)表面粗糙度Rz 0.05表面精度, mm±0.01 偏离理想平面 ZEONEX窗户可根据要求制造。库存材料的最大厚度为33 mm。五, BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)德国BATOP公司供应TPX和硅两种材质的太赫兹透镜，尺寸一般为1英寸或2英寸，包括超半球形和椭圆形硅质太赫兹透镜，以及具有不同直径和焦距的非球面TPX太赫兹透镜。BATOP的TPX透镜可用于太赫兹波段中发射器和探测器之间的太赫兹光束引导，还有专用于PCA应用的TPX太赫兹透镜，能够实现太赫兹光束的准直和聚焦。 在代理Tydex太赫兹透镜和BATOP公司TPX透镜的基础上，筱晓上海光子也提供自主开发的太赫兹透镜和窗镜，包括太赫兹透镜和石英透镜，尺寸可以为1英寸至4英寸，为用户提供更大的定制自由度。BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm),BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)通用参数PCA专用TPX透镜特点：使用高透过率TPX（聚甲基戊烯）透镜，可以对太赫兹光束进行整形。搭配一个TPX透镜可以准直来来自超半球形基板透镜的发散太赫兹光束。搭配两个TPX透镜，可以实现清晰的THz聚焦。1英寸直径的TPX透镜可被容易地安装到具有超半球形硅透镜的PCA光导天线上。 PCA专用TPX透镜规格参数PCA专用TPX透镜分为3个型号，其通用参数一致 CTL-D25mm - 已安装的准直非球面TPX透镜，直径25.4 mm以上.. CTLF-D25mm - 用于光纤耦合PCA的安装准直非球面TPX透镜，直径25.4 mm以上.. FTL-f32.5mm - 聚焦平凸TPX透镜 PCA专用TPX透镜 通用参数透镜直径25.4 mm透镜厚度8.0 mm焦距32.5 mm通光孔径 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz吸收系数0.3 cm-1材质TPX（聚甲基戊烯）太赫兹透镜面形平凸（非球面）PCA兼容外壳 以下为BATOP聚焦平凸TPX透镜 标准品型号TPX透镜，直径1英寸和2英寸,其中TPX-D25.4-f10，专门用于空间高分辨率的应用1英寸直径TPX透镜，焦距F：10mm~32.5mm型号TPX-D25.4-f10 TPX-D25.4-f15TPX-D25.4-f25TPX-D25.4-f32.5透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距10 mm15.0 mm25.0 mm32.5 mm通光孔径 20 mm 23.4 mm 22.4 mm 22.0 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.640.590.380.3中心透镜厚度11.2 mm8.0 mm8.0 mm8.0 mm边缘厚度3.3 mm1.6 mm3.1 mm4.2 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格1英寸TPX透镜，焦距F：50mm~150mm型号 TPX-D25.4-f50 TPX-D25.4-f67 TPX-D25.4-f100 TPX-D25.4-f150透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距50.0 mm67 mm100 mm150 mm通光孔径 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.210.160.1070.072中心透镜厚度7.0 mm6.94 mm7.0 mm6.0 mm边缘厚度4.4 mm5.0 mm5.7 mm5.1 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格2英寸TPX透镜，焦距F：35mm~200mm型号TPX-D50-f35 TPX-D50.8-f65 TPX-D50.8-f100TPX-D50.8-f200透镜直径50.0 mm50.8 mm50.8 mm50.8 mm焦距35.0 mm65.0 mm100 mm200 mm通光孔径 47.0 mm 47.8 mm 47.8 mm 47.8 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.540.330.230.12中心透镜厚度18 mm13 mm10 mm8.3 mm边缘厚度3.0 mm4.1 mm4 mm5.0 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格 六, BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜对于发射器和探测器之间的太赫兹光束引导，我们提供不同直径和焦距的超半球和椭圆硅透镜以及非球面TPX透镜。BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜 , BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜通用参数标准型号1:HSL-12超半球形硅衬底透镜与GaAs PCA芯片相结合，确保THz辐射的大立体角Ω=1.25 sr。由于该透镜提供发散太赫兹光束，因此必须通过附加透镜进行准直。超半球硅透镜:&bull 直径：12 mm&bull 厚度：7.1 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻 ρ：10 kΩcm&bull 表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束收集角α73°发散角ß 17°虚拟焦距L 26.5 mm标准型号2:CSL-20-12准直硅透镜椭圆准直硅透镜设计用于连接0.6 mm厚的天线芯片。&bull 直径：20 mm&bull 厚度：13.8 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻ρ：10 kΩcm&bull 平面和椭圆形表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束直径为20mm的准直收集角α 54.6°标准型号3:FSL-D20-f50-聚焦硅透镜聚焦椭圆硅透镜，直径20 mm，焦距50 mm。&bull 直径：20 mm&bull 厚度：14 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻：10 kΩcm&bull 平面和椭圆形表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束焦距f 50 mm收集角α 52.7°收敛角ß 10°艾里盘直径at 300 GHz 3.6 mmat 1 THz 1.1 mmat 3 THz 0.36 mm

碘化铯闪烁晶体可分为Tl激活、Na激活和纯碘化铯三种，其化学式分别为CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI，它们均为无色透明的立方晶体。CsI(Tl)晶体的光输出可达NaI(Tl)晶体的85%，发光主峰位在550nm，能与硅光电二极管很好地匹配，从而使读出系统大为简化。它的衰减时间与入射粒子的电离本领有关，特别适宜于在强g本底下探测重带电粒子。碘化铯晶体没有解理面、较软且有一定的可塑性，所以晶体可以制成各种各样形状的探测器，同时能够承受猛烈的冲击、震动以及大的温度梯度不损坏。CsI(Na)的发光效率与NaI(Tl) 接近，发射光谱的主峰位在420nm，更容易与光电倍增管配合；温度效应好。特别适合于在高温环境和空间科学研究中使用。它的缺点是在低能(20keV)下发光效率很快下降，潮解作用比CsI(Tl)厉害。纯CsI晶体的潮解性比CsI(Tl)弱得多。其发射光谱中含有一个波长在305nm的快分量(10ns) 和波长在350-600nm附近的慢分量(100-4000ns) 。通过对慢分量的抑制，快/慢分量比可以达到4倍，总的光输出可达NaI:Tl 的4-5%。该晶体的应用有利于获得比较好的时间分辨率。

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料，使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒， 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外，上主轴可以在X或Y方向移动。产品数据概览：材料：硅晶体晶体拉动长度 350 mm晶体直径： 最长可达 25 mm最后真空度： 2.5 x 10-5 mbar 最大过压： 2 bar(g)发电机输出电压： 15 kW频率： 2.4 MHz (FZ-14M)上轴进料速度： 最高 30 mm/min上部旋转： 最高 30 rpm下轴 拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 3,000 mm宽度： 1,020 mm深度 1,640 mm面积（总）: 1,800 mm x 4,000 mm重量（总）： 约2,500 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。产品数据概览:材料：硅晶体晶体 1,100 mm晶体拉动长度： 长达100 mm (4″)晶体直径： 2.5 x 10-5 mbar极限真空度： 0.5 bar(g) 发电机 输出电压： 30 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 最高30 mm/min上部旋转： 最高35 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格 高度 6,280 mm宽度： 2,750 mm深度： 3,000 mm重量（总）： 约 4,900 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中，可以分别以高达3 bar和5 bar的超压产生氩气气体，用以培育大晶体。同时，上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中，上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择，例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。产品数据概览:材料：硅晶体晶体拉动长度： 2,700 mm晶体直径： 长达 200 mm (8")极限真空度： 2.5 x 10-5 mbar最大过压： FZ-30: 3.0 bar(g)FZ-35: 5.0 bar(g)发电机输出电压： 120 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 高达 30 mm/min上部旋转： 高达 30 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 11,550 mm宽度： 3,800 mm深度： 4,050 mm面积（总计）: 5,000 x 6,000 mm重量（总计）： 约14,000 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

产品型号：SKJ-50产品简介：SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的，然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。KMT可提供性能稳定，价格适中的SKJ 50 单晶生长炉，可生长多种氧化物高熔点晶体，晶体尺寸达 2-3" 。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：中频感应电源：25KW,频率 0.2 - 20 KHz 提拉速度:0.1-10mm/h 旋转速度:0-40 RPM 最高熔炼温度 : 2100oC 电源要求: 三相, AC 380V, 100A , 25KW 真空腔尺寸 : 50 cm dia. X 70 cm ，机械泵真空度可达 10-3 torr ， 扩散泵真空度（选配）可达 10-6 torr 欧陆温控仪可获得温度精度 +/-0.2 oC 电子秤 ( 下称重)在生长过程中可自动控制晶体的直径 水冷要求 水压：0.13-0.18MPa 水流量:60 L/minute 炉子尺寸: 炉体:88L× 125W× 285H cm 控制单元:68L× 54W× 170H cm 中频感应电源:110L× 50W× 150H cm 相关配件：提拉机构是永磁直流电机驱动 带水冷和机械泵的真空腔体. 控制拉速、转速、温度和电子秤的控制柜. 风冷的中频感应电源. 带水冷的感应线圈（铜管）可选配件：铱坩埚,控制晶体直径的电子秤具体信息请点击查看：

泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称：泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源（370A/B）-上限到3000V（371A）-上限到220W（370A/B）-上限到400A（371A）-1nA的测量分辨率-上限到3000W（371A）-上限到2mV的测量分辨率（370A/B）-波形对比-包络显示-波形平均-点光标（370A）-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘，方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式，调整和存储操作参数，包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件，它提供被测器件安全防护，以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001，中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪，可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室，用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪，泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注： 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器，公司货源广阔，绝大部分直接从国外引进，成色新，价格低，资金雄厚，库存充足，售前严格，售后快捷是我们的特点：致力于为客户提供更专业，方便，快捷的人性化服务是我们的宗旨；勇于创新，敢于探索是我们的优势；凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年！-鹏庆电子

激光晶体温控炉Temperature controller (TC-038D) & Oven 晶体需要控制其温度以保证位相匹配条件，我们开发研制了适用于超晶格样品的温控系统包括温控炉与控制器。炉体可放置晶体尺寸为(长宽高)50mm×10mm×2mm，温度调谐范围室温~200oC，温度调谐方便速度快。炉体设计为上开盖形式，方便实验中调节；温控炉与控制器为分体结构，更换灵活；底座采用铝合金材质可定制螺孔，方便与多维调节架的连接与装夹，牢固耐用。产品特色：PID控制自动调谐&可编程温度调谐范围：室温-200℃存储温度：-20℃-70℃最大功耗：24V/60W通讯接口：USBGUI程序尺寸：150（L）X 90（W）X 65（H）mm^3炉子选项：OV-30D（203g）,OV-50D (380g)TC-038D:约900gCE，RoHS/REACH认证PPLN chip holder 用来夹持非线性晶体尤其是PPLN/PPLT晶体的各种安装座，包括普通类型，飞秒类型。我们提供的OV-30D或者OV-50D安装座可以夹持1mm到40mm的普通类型晶体。飞秒类型PPLN晶体（极短的PPLN）将会安装在CD类型（约3g）huozhe fs 9605/9610/1410.

SKJ-M50-16金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备，可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下、在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性，本机可采用中频感应加热电源，以及石墨电阻加热两种加热方式；采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温，使结晶体按照一定的直径进行控制。 产品型号SKJ-M50-16金属晶体生长炉安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要特点属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。技术参数1、电源：208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW2、炉体容积：约100L3、炉管：石英管或刚玉管4、坩埚：高纯石墨坩埚5、加热元件：1800级硅钼棒6、温控系统：50段控温程序7、控温精度：±1℃8、工作温度：连续工作1600℃，短时间工作1700℃9、控温方式：自动程序控温10、生长方法：区熔法（样品固定不动，炉体向上移动）11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调12、快速移动：手动13、结晶转速：1rpm-50rpm14、真空系统：机械泵和扩散泵15、极限真空度：10-5torr标准配件1、电源控制系统一套2、机械控制系统一套可选配件Kathnal Super-1800级硅钼棒

NKT Photonics公司于2009年由世界大型的商业化微结构特种光纤供应商Crystal Fibre公司和业界前沿的窄线宽光纤激光器和连续谱白光光源制造商Koheras公司合并成立，隶属于丹麦有名的工业集团NKT Holding。近几年市场地位不断加强，收购Onefive，加快了NKT在快激光器领域的步伐。NKT 快激光器系列可提供从飞秒到皮秒的大范围脉冲长度，输出功率高达100W，提供固定或可调重复频率。NKT Photonics致力于研发、制造商用和工业级特种微结构光纤（光子晶体光纤）、高功率光纤放大器、连续谱白光激光器和窄线宽DFB光纤激光器。这些产品均已在众多领域得以应用，如：生物光子学、计量、光纤传感、相干通信、测试测量、高精度光谱学以及激光雷达等。利用光子晶体光纤技术制做的双包层光纤称为空气包层光纤，特点： 大模场面积单模光纤；可承受很高的峰值功率；高脉冲能量（单模时）；高泵浦数值孔径（0.6~0.7）；高的泵浦吸收效率（达30dB/m）；全硅结构（无聚合物，保证了良好的功率处理能力）；良好的温度特性；高可靠性。应用：高脉冲能量光纤放大器；光纤激光器；大模场面积，可以支持高功率水平；具有大数值孔径多模波导，可以有效收集反向散射光或者荧光。产品型号、参数：型号 纤芯直径[μm]内包层直径[μm]外包层直径[μm]涂覆层直径[μm]MFD[μm]纤芯NA@1μm泵浦吸收@976nm[dB/m]泵浦吸收@915nm[dB/m]泵NA@ 950nmDC-135-15-PM-Yb15 ± 1135 ± 5280±10345±2016 ± 10.055± 0.012.8~80.6 ± 0.05DC-200-40-PZ-Yb40 ± 2200 ± 5450±20540±3030 ± 2~0.03~10~30.55± 0.05DC-200-40-PZ-Si40 ± 2200 ± 5450±20540±3030 ± 2~0.03--0.55± 0.05aeroGAIN-ROD-PM55-Power55200 ± 101000±100NA45 ± 5-155 ± 0.5≥0.5aeroGAIN-ROD-PM85-Power85260± 101000±100NA65 ± 5-155 ± 0.5≥0.5

PHOTONIC CRYSTAL FIBER INTERFACING光子晶体光纤(PCF)连接头ALPhANOV是一个光学和激光技术中心，拥有光纤激光设计和熔接光纤组件的丰富经验。ALPhANOV与NKT Photonics合作，提供光子晶体光纤(PCF)的最终处理解决方案。例如光纤的准备，包括PCF接头、密封和PCF切割、端帽PCF 和 带模式适配器的PCF。ALPhANOV可以处理NKT Photonics的整个PCF产品线，范围从双覆层大模式面积光纤(例如DC-200/40-PZ-Yb和棒式光纤“rod-type fibers”)到被动PCF(例如空芯光纤和非线性光纤)。ALPhANOV公司的一个使命是帮助用户开发基于光学和激光的创新的产品。PCF的引入，经常会在性能、紧密度和可靠性方面有一些实质性的优势。通过与NKT Photonics的合作，ALPhANOV可以分享其与PCF使用者的经验，并帮助他们更快的得到创新的和高效的解决方案。 Photonics Crystal Fibers光子晶体光纤(PCF)HOLLOW-CORE FIBERS 空心光纤光子带隙(空芯)光纤在被微结构包围的空隙中传导光。光子晶体光纤(PCF)就是在石英中周期性排布空气孔形成的。光子带隙引导机制跟传统的全部内部反射引导原理是完全不同的。此新技术为无非线性影响和材料损伤的高功率传输提供了基础。 例如: HC-440 HC-532 HC-580 HC-800 HC-1060 HC-1550 HC-19-1550 HC-2000LARGE MODE AREA FIBERS大模式面积光纤大模式面积晶体光纤，涵盖了覆盖了用于衍射极限高功率传输的光纤，可以在一个大的波长范围内用于单模式操作——不停止的单模式操作。大模式面积使高功率能够在光纤中传输，而不会有材料损伤，或由光纤的非线性特性会导致的有害效应。例如: LMA-5 LMA-10 LMA-10-UV LMA-15 LMA-25 LMA-PM-5 LMA-PM-10 LMA-PM-15YTTERBIUM DOPED DOUBLE CLAD FIBERS掺镱双包层光纤 掺镱双包层光纤拥有最大的单模纤芯，可以放大到更大的功率水平，通知保证很好的模式质量和稳定性。例如: DC-135-14-PM-Yb DC-200/40-PZ-YbNONLINEAR FIBER非线性光纤优化用于超连续光谱产生和非线性波长转换，非线性光子晶体光纤可实现一种独特的定制色散图形和非常高的非线性系数的组合。例如: NL-PM-750 SC-5.0-1040 (PM)End-capping端帽SMALL END-CAPS小端帽用于所有的PCF光纤纯硅可选不同的直径和长度可选不同抛光角度小的端帽不仅可以保护光纤的微结构避免沾污和湿气，还可以在不改变N.A.的情况下降低输入和输出端的光束影响。S-end-cap S号端帽§ 端帽直径：125 μm§ 端帽长度：≤100 μm§ 抛光角度：0°§ 材料： 纯硅M-end-cap M号端帽§ 端帽直径：从125 μm 到 400 μm§ 端帽长度：≤400 μm§ 抛光角度：0°§ 材料： 纯硅L-end-cap L号端帽§ 端帽直径：从400 μm 到 1.5 mm§ 端帽长度： ≤1.5 mm§ 抛光角度：0°§ 材料： 纯硅端帽选配项目§ 抛光角度 (最大 12°) § 长度§ AR涂层* 特殊的端帽开发可与我们咨询5×5 MM END-CAPS 5×5 mm端帽用于高能量激光束用于LMA 或 DC 光纤锥形几何形状纯硅0°或 5°抛光角度，AR涂层这些端帽用于高能量系统。独特的几何形状可以可以实现光纤的紧密结合，从而提供了把他们容易的固定到支架上的可能性。规格§ 端帽直径: 5 mm§ 端帽长度: 5 mm§ 抛光角度: 5°或0°，AR@800-1300 nm§ 材料: 纯硅(其他AR涂层可与我们咨询)尺寸锥形端帽抛光0°，AR 涂层为800 nm - 1300 nm 锥形端帽抛光5° PCF connectors PCF接头FFC/PC connectorsFC/APC connectorsSMA connectorsSpecifications规格Standard end-cap diameterFiber clad diameterFiber clad diameter Fiber clad diameterStandard end-cap length100 μm100 μm100 μmPower limitations500 mW injection loss500 mW injection loss500 mW injection lossFerrule typeCeramicCeramicMetallicFerrule diameter2.5 mm2.5 mm3.2 mmPolished angle0°8°0-12°Options选配项On-demand end-cap lengthFrom 20 μm - 400 μmFrom 20 μm - 400 μmFrom 20 μm - 400 μmOn-demand end-cap diameterFrom fiber size to 400 μmFrom fiber size to 400 μmFrom fiber size to 400 μmPM alignmentFast or slow axisFast or slow axisFast or slow axisDimensions尺寸 SMA-1 connectorsSMA-2 connectorsSMA-6 connectorsSMA-AF connectorsSpecificationsStandard end-cap diameterFiber clad diameterFiber clad diameterFiber clad diameterFiber clad diameterStandard end-cap length100 μm100 μm100 μm100 μmPower limitations1 W injection loss2 W injection loss6 W injection loss200 W injection lossFerrule typeMetallicMetallicMetallicMetallicFerrule diameter3.2 mm3.2 mm3.2 mm3.2 mmPolished angle0-12° ±10-12° ±10-12° ±10-12° ±1OptionsOn-demand end-cap lengthFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmOn-demand end-cap diameterFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmPM alignmentFast or slow axis

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡（SHG，SFG）光学参量振荡和光学参量放大（OPG，OPA）差频振荡（DFG）脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡（GaSe晶体）极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟，于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲，他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为：在一个脉冲宽度时间内（或所期望的脉冲宽度时间内），他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配，τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配，我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1，800nm的SHG效应， BBO，LBO，KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限，在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中，同时也列出了在室温（20°C）时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体，则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度（或期望脉冲宽度）群延迟色散（GDD）对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度，所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时，折射率随波长的增加而降低，这将导致高频分量产生更低群速度，于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象，晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲，脉冲初始宽度为 0，其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子

Ppxx散装芯片关键词：PPLN晶体,PPLT晶体,PPMGOLN,非线性晶体_PPLN晶体,非线性晶体 基于准相位匹配（QPM），使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱（LN、LT：氧化镁：镁和适当的非线性频率转换计划）（DFG SFG，倍频、OPO，收购，联合，一个CAN，等），实现期望的输出波长（紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能（），两个频谱转换。频谱工程等）有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求，也具有挑战。Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification ???

基于非线性晶体光波导的波长转换器上海昊量光电设备有限公司推出一系列用于高效波长转换的基于非线性晶体光波导的波长转换器，其中非线性晶体包括PPLN（周期极化铌酸锂）、LN（铌酸锂）、PPLT（周期极化钽酸锂）、KTP（磷酸氧钛钾）、Mg:LN（掺镁铌酸锂），波长转换过程包括倍频、差频、和频等等，工作波长范围在350-5000nm可选。如果您的光源为光纤耦合输出，我们还提供光波导波长转换器模块，如下图所示，用户只需将模块的输入端和光源的输出端连接即可正常使用。基于非线性晶体光波导的波长转换器相比非线性晶体用于波长转换，晶体光波导具有很宽的波长转换带宽和独特的多波长同时转换能力，同时具有相对较高的转换效率。满足您的各种需求：高转换效率I类和Ⅱ类转换均可工作波长范围：350-4500nmParameterValuesCommentsMaterialLiNbO2 WaveguideTianium,Annealed proton Exchange,Reverse Proton Exchange WaveguidesInput Wavelength Range-Quasi-Phase Matching Wavelength (QPM)1550nm to 2128nmCan be specified Output Wavelength-SHG Wavelength775nm to 1064nmCan be specified Spectral Bandwidth0.2nm to 1nmCan be specified Conversion Efficiency25% per WFor APE&Ti waveguides100% per WFor RPE waveguideFiber-fiber Loss4dB@FundamentalFiber Optics ConnectorsFC/APCOther connector varieties also available Package14-pin Butterfly with TECUnpackaged devices available

产品目录? 晶体管图示仪（曲线追踪仪）? 半导体分立器件测试筛选系统。? 静态测试设备：包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数? 动态测试设备：包括 Tr， Trr , Qg , Rg , FRD , UIS , SC , Ci , RBSOA 等? 环境老化测试：包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等? 热特性测试：包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等? 测试范围：Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOSFET , DIODE , BJT , SCR等分立器件及功率器件。ST-SP2000_5 (Curve版)晶体管曲线追踪仪可测试 19大类27分类 的大中小功率分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极2000V / 50~1250A，分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能?产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）?产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。?可供选择的曲线Tel:d173h4295a2894

光折变晶体 SBNSBN晶体，又名铌酸锶钡，是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体，用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术，具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数：可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域：1. 光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. 用于电光器件和声光器件；4. 用于Pyroelectrical 探测器；更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数：晶体结构：立方：a = 5.6754 ?；生长方法：提拉法；密度：5.765 g/cm3 熔点：937.4 ℃热传导性：640掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺Ga类型：/；N；P；电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2； 产品规格：晶体方向: 111，100and110± 0.5o 标准尺寸:dia1"x 0.50 mm；dia2"x0.5mm；dia4"x0.5mm（110 Ra5A，不化抛）注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数：密度：5.765 g/cm3 ；熔点：937.4 ℃；热传导性：640；掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺In或Ga；类型：/；N；P； 电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2 4x103/cm2 4x103/cm2 常规尺寸：晶体方向: 111，100and110± 0.5° 或特殊的方向；标准抛光片尺寸:Ф1"x 0.3mm；Ф2"x0.5mm；（110 Ra5A，不化抛）注：也可根据客户需求提供特殊尺寸和方向的基片备注：1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂（MgO:ppln）晶体产品负责人：姓名：许工(Gary)电话：（微信同号）邮箱：MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体，英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um极化周期，并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值，同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比，可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行，在某些情况下，不需要控制温度。从室温到200摄氏度，与未掺杂的PPLN晶体相比，MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期，尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用，可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势：1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1）10年以上的生产经历2）世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1）1周内可以收到库存产品2）8周可以收到定制产品，半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品，有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电！二次谐波（SHG）MgO:PPLN晶体型号： 光学参量振荡/产生（OPO/OPG）MgO:PPLN晶体型号：差频（DFG）MgO:PPLN晶体型号：和频（SFG）MgO:PPLN晶体型号： 我们为更特别的应用提供掩膜版：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿； 产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

仪器简介：PPLN是一种高效的非线形晶体，获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制，并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉，以及温度控制器，尽量提高波长转换性能。改变晶体问题，也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统，光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合，可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构，在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化，使得它成为各行业应用的焦点，如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如，优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率，但使用连续激光器，转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体，在每个晶胞单元，由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移，便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场，可以逆转这种结构，重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm，反转时间仅需几个毫秒，之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中，我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转，以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上，可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用，利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调，晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数：part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点：周期性极化铌酸锂（PPLN）提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期，是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列，对目前最常用的非线形过程进行分类：倍频（SHG）， 和频（SFG），差频（DFG）和光学参量振荡/产生（OPO/OPG）。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅，灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜，并抛光到：&lambda /4 平坦度，± 5min平行度，高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验，提供带夹具的现货。

NdYAG激光晶体品牌：eksmaopticsNd:YAG激光棒和各种倍频非线性晶体倍频晶体LBO晶体具有高损伤阈值，低光束偏移和优异的倍频效率。是高功率高重复频率Q-Switch和锁模激光器倍频的最佳选择KTP晶体具有超高效率特别适合地平均功率和连续激光应用。该晶体对温度变化不敏感并能工作在极其锋利聚焦或高发散角激光光束环境大孔径的DKDP晶体在高能量Q-Switch激光器中有广泛应用 Nd:YAG激光晶体（标准激光棒）提供各种标准尺寸的Nd:YAG激光棒，包括AR增透膜，适合高能量高功率的脉冲激光应用speciFicAtiONs OF stANDArD Nd:YAG LAser rODsNd Doping Level 0.8% or 1.1%Orientation 111 crystalline directionSurface Quality 10-5 scratch & dig (MiL-PRF-13830B)Surface Flatness λ/10 at 633 nmParallelism 10 arcsecPerpendicularity 5 arcmin for plano/plano endsDiameter Tolerance +0/-0.05 mmLength Tolerance +1/-0.5 mmClear Aperture 90 % of full apertureChamfers 0.1 mm at 45 degCoating Both sides coated AR @ 1064 nm, R 0.2%, AOi = 0 degBarrel Grooving All dia 6.35, 8, 10, 12 mm rods with barrel grooving

产品名称：碲化镉(CdTe)晶体基片产品简介：碲化镉(CdTe)晶体基片广泛应用于X射线检测；红外光学；外延基片；蒸发源的晶体片等相关领域。技术参数：晶体结构立方 F43m a = 6.483?生长方法：PVT方法熔点(℃) 1047密度(g/cm3)5.851热容(J /g.k)0.210热膨胀系数(10-6/K)5.0热导率( W /m.kat 300K )6.3透过波长 (μm)0.85 ~ 29.9折射率2.72产品规格：常规晶向：100、001、110、111常规尺寸：5x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia1"x0.5mm注：也可提供多晶的，尺寸可按照客户要求加工，请发邮件确定信息。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

QCM-D石英晶体微天平 对AT切型剪切振动石英晶振进行快速阻抗频谱测量，频谱测量可获得诸多信息，可在响应幅值最大处获得谐振频率，峰高、半峰宽也可作为特征参数用来表征压电石英体表面粗糙度、膜粘弹性变化情况。本仪器通过快速频谱扫描技术，获得压电石英体的谐振频率（F） 和耗散因子 D （定义为石英晶体品质因子 Q的倒数，通过半高峰宽近似求得）。 JSK-T(I)型石英晶体微天平是本公司独自开发的多功能一体化QCM-D型质量传感检测仪器，工作频率可达200MHz，精确测量纳克级物质质量的传感技术。QCM仪器价格便宜，操作简单，可实现电化学、光化学、光电化学的现场联用动态监测分析。可广泛用于电活性聚合物表征、电池储能材料如Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、光电材料、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、细胞黏附行为、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。仪器特点 QCM-D石英晶体微天平基于快速阻抗频率谱测定技术，能够测定谐振频率、振幅、相位等参数，可用于常见压电石英晶体，例如基频5MHz、6MHz、8MHz、10MHz的石英晶体； 可进行奇数倍频测量，频率上限最高可达200MHz,优于目前常见QCM设备。可实现频率、相移、耗散因子等参数测量。根据需要预设参数、个性化定制。仪器模块化结构、数据显示储存一体、无需外接电脑、抗干扰能力强。l 石英晶体基频 5MHz,6MHz，8MHz，10MHz，33MHz，100MHz可任选。可3、5、7、9、11倍频激励，扫频范围200MHz以内。l 提供两套检测池、满足不同实验需求。可配置注射泵或蠕动泵、PID自动控制温度。技术参数l 本仪器使用商用镀金8MHzAT切石英晶体，稳定状态下液相中频率测定相邻数值波动可控制在±0.1Hz。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示，U盘储存数据，无需外接电脑。l 仪器常规石英晶片直径14 mm，能够非常灵敏地检测非常薄的吸附层的质量、耗散、分子的结构（构象）变化。并可计算其他参数，如：厚度、粘度、弹性模量，同时可以进行分子间反应的动力学分析。l 仪器检测的耗散灵敏度可达10-7, 质量灵敏度为4ng Hz-1 cm-2(基频10MHz) 0.4 pg Hz-1 mm-2(基频100MHz) 频率测定模式数据采集0.2s一组数据 ；（可定制相移角测定模式，数据采集速度可达10微秒，可用于快速瞬态测定）。

本公司研发团队开展石英晶体微天平化学生物传感分析研究已有三十余年，具有丰富的QCM应用研究经验，可根据客户需求提供个性化服务，解决客户QCM使用中出现的技术问题。该仪器融合多家著名高校相关领域研究成果，仪器模块化结构、便携式设计，可与电化学仪器光学仪器联用。仪器价格优惠、使用简单、性能稳定、检测结果可靠。石英晶体微天平（Quartz Crystal Microbalance，QCM）是一种非常灵敏的质量检测仪器。在一定条件下，石英晶体上沉积的质量变化和振动频率移动之间关系呈线性关系(Sauerbrey公式)，其测量灵敏度可达纳克级，可以测到单原子层的质量变化。本仪器采用10 MHz石英晶体，每Hz的频率变化相当于0.85 ng/cm2。石英晶体微天平作为纳克质量传感器具有结构简单、成本低、灵敏度高的优点，被广泛应用于化学、物理、生物、医学和表面科学等领域中，可实现电化学、光化学、光电化学的现场动态监测分析。可广泛用以进行气体、液体成分分析以及微质量的测量、薄膜厚度、液体粘度（血凝）检测等。例如：电活性聚合物表征、Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、DNA的杂交 、 细胞吸附 、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。 仪器特点l 仪器接触溶液的激励电极做工作电极与电化学仪器联用可构成EQCM测量技术。 l 仪器便携式设计、操作简单、方法选择、操作过程、步步提示。l 锂离子电池可作为电源、抗干扰能力强。l 仪器智能化模块化设计、结构可靠，可适应现场使用。l SD卡储存数据，方便后续数据处理。l 数据同时通过蓝牙无线传输到手机，可在手机上同步进行显示和储存。l 仪器可与其他分析仪器联用，如电化学仪器、光学仪器联用实现现场多信息传感分析。根据科研需要可进一步开发应用。 技术参数 l 使用晶体频率范围5MHz-20MHz，本仪器使用商用镀金10MHz AT切石英晶体。l 频率稳定性，空气中+1Hz/小时，液相中精确控制实验条件可达到相近的信号稳定性。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示。l 提供2G SD卡储存数据，每隔2秒储存一组实验数据。l 便携式QCM 配备直流供电电压范围9V-18V，建议使用12V，2A 直流稳压源。l 可配备12V 5400mAh 锂离子电池（12.6V，1A 充电器）。l 便携式仪器尺寸：150*97*40mm；仪器重量：500 g。

产品名称：锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片产品简介：锗酸铋（Bi4Ge3O12简称BGO）是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体，它不溶于水，在高能粒子或高能射线（x-射线、γ-射线）激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点，所以是一种优良的闪烁体，广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。技术参数： 基本性质晶向100晶体结构立方晶格常数a=10.518?生长方法提拉法熔点1050℃密度7.12g/cm3莫氏硬度5 Mohs透过范围350~5500nm电光系数 (x10-12m/V ) r41 1.03折射率 2.098@ 632.8nm激发光谱 305nm荧光光谱 480~510nm相对光输出 10~14% Nal (Tl)衰减时间 300ns临界能量 10.5Mev能量分辨率(511千电子伏特) 20% 产品规格：可按客户要求定制尺寸标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

产品名称：硫化镉(CdS)晶体基片产品简介：II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。技术参数：晶体名称CdS生长方法PVT结构六方晶系晶格常数(A)a=4.1367 c=6.7161密度 ( g/cm3)4.821熔点 (oC)1287热容 (J /g.k)0.3814 热膨胀系数(10-6/K)4.6 // a 2.5 // c导热系数( W /m.k at 300K )2.7透明波长 ( um)2.5 ~ 15 (71%)折射率1.708 (o) 1.723 (e)产品规格：尺寸：25x25x15 mm注：可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装