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硅晶片相关的论坛

  • 请问CaF晶片还是KBr晶片好

    现在要做显微红外,但需要晶片。有的文献用CaF晶片有的用的是KBr晶片。不知道哪个效果好,但是Kbr的价格要比CaF价钱便宜。请给建议吧?

  • [讨论]弄碎了标准溴化钾晶片,怎么办?

    做红外时没想到溴化钾晶片那么脆,旋螺丝时夹碎了。实验室老师说一片大晶片要5000元(大概原装的贵)[em53] !不知大家知道国产的多少钱?推荐一下国内好的产商及报价吧。自己还在郁闷,请大家帮忙

  • 太阳能晶片数片机

    JPPC-V1.0太阳能晶片数片机应用计算机影像处理技术,配合高分辨率工业摄像头和高品质光源,结合相适应的数学分析软件,快速、准确地对晶片进行计数。JPPC-V1.0太阳能晶片数片机由两部分组成,含计数软件的计算机和专业设计的含工业摄像头及光源的图像采集机台。各自相互独立,用USB口连接后即可进行工作JPPC-V1.0太阳能晶片数片机为全中文界面,操作界面非常友好直观,按下“开始”键后在进度条的指引下,2~3秒即可完成计数工作并显示晶片数量。对于外观差异较大的晶片可通过调整有关参数的设置以便达到计数的精准(校验密码后可进入参数设置界面)。 JPPC-V1.0太阳能晶片数片机工作时为一键式操作,十分方便现场人员的使用,且机台体积小,重量轻,机内无运动器件,无噪声,因此寿命长, 几乎不需维修,放在电脑桌上即可工作。晶片尺寸:125×125mm2或156×156 mm2测量片数:120片以内(厚度200±20µm/片)晶片种类:裸片、成品片均可(需出厂时设定)机器尺寸:440(L)×190(W)×160(H)mm3机器重量:约6kg计数时间:2~3秒 JPPC-V1.0系统的优势和好处! 无接触式测量 减少脆片率高精确度和充分性,计数准确快速计数,提高工作效率快捷和可靠的操作,有好的人机界面输出实时报告和统计数据适用于[color=bl

  • 半导体晶片温度控制中制冷原理说明

    半导体晶片温度控制是目前针对半导体行业所推出的控温设备,无锡冠亚半导体晶片温度控制采用全密闭循环系统进行制冷加热,制冷加热的温度不同,型号也是不同,同时,在选择的时候,也需要注意制冷原理。  半导体晶片温度控制制冷系统运行中是使用某种工质的状态转变,从较低温度的热源汲取必需的热量Q0,通过一个消费功W的积蓄过程,向较热带度的热源发出热量Qk。在这一过程中,由能量守恒取 Qk=Q0 + W。为了实现半导体晶片温度控制能量迁移,之初强制有使制冷剂能达到比低温环境介质更低的温度的过程,并连续不断地从被冷却物体汲取热量,在制冷技巧的界线内,实现这一过程有下述几种根基步骤:相变制冷:使用液体在低温下的蒸发过程或固体在低温下的消溶或升华过程向被冷却物体汲取热量。平常空调器都是这种制冷步骤。气体膨胀制冷:高压气体经绝热膨胀后可达到较低的温度,令低压气体复热可以制冷。气体涡流制冷:高压气体通过涡流管膨胀后可以分别为热、冷两股气流,使用凉气流的复热过程可以制冷。热电制冷:令直流电通过半导体热电堆,可以在一端发生冷效应,在另一端发生热效应。  半导体晶片温度控制在运行过程中,高温时没有导热介质蒸发出来,而且不需要加压的情况下就可以实现-80~190度、-70~220度、-88~170度、-55~250度、-30~300度连续控温。半导体晶片温度控制的原理和功能对使用人员来说有诸多优势: 因为只有膨胀腔体内的导热介质才和空气中的氧气接触(而且膨胀箱的温度在常温到60度之间),可以达到降低导热介质被氧化和吸收空气中水分的风险。  半导体晶片温度控制中制冷原理上如上所示,用户在操作半导体晶片温度控制的时候,需要注意其制冷的原理,在了解之后更好的运行半导体晶片温度控制。

  • 广州那里有溴化钾晶片卖啊?

    我们用的是 25×4 MM 的溴化钾红外专用晶片,被俺弄碎了好几个,http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/default/em09509.gif现在剩2-3个了,想买点备用。不知道广州哪里有代理商,供应商呢?价格又如何?

  • 【转帖】微小裂纹的多晶硅圆片的机械压力试验

    本文为本人接触国内某知名太阳能生产企业设备项目后,原文翻译的试验方法希望能给相关同行以帮助对带有微小裂纹的多晶硅圆片的机械压力试验摘要:显微裂纹检测和机械扭曲试验主要用于原切割晶圆来进行太阳能电池生产。关于机械力与裂纹长度之间的关系已经有答案了。小于临界压力时由于反复压力试验裂纹长度并没有显示。实验结果表明在相同长度下边缘裂纹比内部裂纹更具有危险性。断裂力取决于裂纹几何形状和其位置。一旦施加的压力超过它的临界压力,就无法加工成为晶片了。通常会在观察到微裂的地方发生断裂。关键词: 微裂,压力,硅太阳能电池[IMG]http://www.okyiqi.com/uploadfile/081222142757.jpg[/IMG]图片为国外某款微小力试验机的图片,图片上夹具为专用多晶规圆片扭曲夹具1. 简介在硅光电生产过程中最大的问题就是硅片的断裂。由于原硅材料是生产太阳能电池的主要成本,所以一个最自然的一个方法就是减小它的厚度,但是这样做的话会潜在地导致晶片变脆弱,而且会使它的屈服力变低。未受损害的晶片很坚固而且有韧性,但裂纹的存在会降低它的这种机械强度。裂纹主要来源有:材料缺陷,来自于晶锭本身或是在晶片生产过程中的压力(1),割锯晶片时的机械力或者在运输买卖过程中的机械力造成的缺陷。在太阳能电池生产过程中,对晶片进行加工时晶片会暴露在高温和机械力下,所以那些有裂纹,缺陷,以及有锯痕的晶片的机械强度会大大的降低。、(2)从经济方面考虑应当在发生断裂前尽早的检测出生产线上的脆弱的晶片。对此可以用多种裂纹检测系统(MCD)来进行检测。建立在光学检测系统上用来检测裂纹的红外线检测方法已经研制出来了。先检测出断裂的尺寸,然后在扭曲试验中对晶片施加机械力。以此来对原切割晶圆建立一种不同的机械力与裂纹之间的关系。2. 试验在这项研究中采用的是156*156mm, 厚度为200微米的多晶硅圆片。采用A,B两种商用MCD系统,让红外线穿过晶片,然后通过电荷藕荷摄像机来检测。晶片事先通过A和B 两种系统检测到有裂纹,然后把检测到有裂纹的晶片再次通过MCD系统A,并把晶片的图片保存下来。人工分析这些图片,在这次研究中使用了127种可以检测到有裂纹的硅片。一些有污垢的和存在不同类型的点缺陷的硅片也被采用到这次研究中。图1:上部是扭曲试验图像,下部是在扭曲试验中对晶片施加的主要的力分布。然后开始进行扭曲试验(图1),最大力为1.5N。在以前的实验中1.5N以下的断裂已经做过,所以误差实验对有裂纹的晶片断裂可以估计出来。通过这次实验,记录下最大的弯曲度,断裂力也记录下来。把断裂后的晶片拿来与MCD图像作对比以此来找出原来存大于晶片上的缺陷或者导致这种缺陷的情况。对于那些没有断裂的晶片再重复进行5次这样的实验,然后让晶片再通过MCD系统B然后比照前后图像以此来查看裂纹是否在压力实验中有所加大。然后通过对那些经过断裂压力未受损害的原切割晶片以及那些有断纹的晶片进行不同的力直至其断裂。在这次实验中发现所有的裂纹都是正常生产下造成的,通过实验晶片不会受到人为故意的损害。3. 实验结果&讨论3.1 原切割晶圆由于晶片通过MCD系统进行分析并在扭曲试验中检测,以不同方式进行试验发现了三种不同类型能影响晶片强度的裂纹。3.2 三种不同的裂纹在这次研究中发现的三种的裂纹1. 短裂纹2. 边缘裂纹3. 内部裂纹存在于一个小水晶体内部的短裂纹(小于1mm)通常是比较直,而且有特定的走向。横跨一个或多个水晶体长裂纹通常形状不规则,如图2。由于外部造成的裂纹例如在晶体表面进行冲击而形成的裂纹经常会有这种形状。对数据进行分析后,晶体边缘的裂纹,即边缘裂纹,和在晶体的整个内部表面上的裂纹,这种裂纹不与边缘接触,即内部裂纹,这两种类型的裂纹之间有很大的区别。在1.5N以内的压力试验中只有那些有可检测到有微小裂纹的晶体断裂。所有的断裂后的晶片被重组到一起后与通过微小裂纹检测时的图像进行对比。Figure 2: 箭头所指为来自晶片边缘的不规则的长裂纹(~30mm)。无一例外,裂痕会从检测到的裂纹那继续延伸。当裂纹是长裂纹时,断裂力通常很低,晶片会碎成2-4个小的晶片。对于有小裂纹的晶片来说,施加在的力后,晶片会破碎成几个大的或者很多小的碎片(如图3)。图3:左边:带有13.5mm的内部裂纹的晶片在压力为1.49N时断裂。 右边:带有24.8mm的边缘裂纹的晶片在压力为0.51N时断裂。 断裂延伸跟点阵纹理走向有关系,当断裂继续延伸时,裂纹一般会在比较弱的点阵方向(3)。裂纹通常垂直延伸。带有边缘裂纹的晶片在断裂时所受的力一般比内部裂纹晶片需力小。对于有锯形痕迹的晶片来说,当力达到1.5N时,不会断裂,但是有些情况下断裂会顺着锯痕延伸。4. 结论:通过实验发现一些还有裂纹的晶片仍然能够通过1.5N的弯曲试验。94%的有内部裂纹(小于10mm)的原切割圆晶片能通过压力试验。有边缘裂纹的晶片都不能通过此次试验,即使此边缘裂纹小于2mm。

  • 【分享】微小裂纹的多晶硅圆片的机械压力试验

    摘要:显微裂纹检测和机械扭曲试验主要用于原切割晶圆来进行太阳能电池生产。关于机械力与裂纹长度之间的关系已经有答案了。小于临界压力时由于反复压力试验裂纹长度并没有显示。实验结果表明在相同长度下边缘裂纹比内部裂纹更具有危险性。断裂力取决于裂纹几何形状和其位置。一旦施加的压力超过它的临界压力,就无法加工成为晶片了。通常会在观察到微裂的地方发生断裂。关键词: 微裂,压力,硅太阳能电池1. 简介在硅光电生产过程中最大的问题就是硅片的断裂。由于原硅材料是生产太阳能电池的主要成本,所以一个最自然的一个方法就是减小它的厚度,但是这样做的话会潜在地导致晶片变脆弱,而且会使它的屈服力变低。未受损害的晶片很坚固而且有韧性,但裂纹的存在会降低它的这种机械强度。裂纹主要来源有:材料缺陷,来自于晶锭本身或是在晶片生产过程中的压力(1),割锯晶片时的机械力或者在运输买卖过程中的机械力造成的缺陷。在太阳能电池生产过程中,对晶片进行加工时晶片会暴露在高温和机械力下,所以那些有裂纹,缺陷,以及有锯痕的晶片的机械强度会大大的降低。、(2)从经济方面考虑应当在发生断裂前尽早的检测出生产线上的脆弱的晶片。对此可以用多种裂纹检测系统(MCD)来进行检测。建立在光学检测系统上用来检测裂纹的红外线检测方法已经研制出来了。先检测出断裂的尺寸,然后在扭曲试验中对晶片施加机械力。以此来对原切割晶圆建立一种不同的机械力与裂纹之间的关系。2. 试验在这项研究中采用的是156*156mm, 厚度为200微米的多晶硅圆片。采用A,B两种商用MCD系统,让红外线穿过晶片,然后通过电荷藕荷摄像机来检测。晶片事先通过A和B 两种系统检测到有裂纹,然后把检测到有裂纹的晶片再次通过MCD系统A,并把晶片的图片保存下来。人工分析这些图片,在这次研究中使用了127种可以检测到有裂纹的硅片。一些有污垢的和存在不同类型的点缺陷的硅片也被采用到这次研究中。图1:上部是扭曲试验图像,下部是在扭曲试验中对晶片施加的主要的力分布。然后开始进行扭曲试验(图1),最大力为1.5N。在以前的实验中1.5N以下的断裂已经做过,所以误差实验对有裂纹的晶片断裂可以估计出来。通过这次实验,记录下最大的弯曲度,断裂力也记录下来。把断裂后的晶片拿来与MCD图像作对比以此来找出原来存大于晶片上的缺陷或者导致这种缺陷的情况。对于那些没有断裂的晶片再重复进行5次这样的实验,然后让晶片再通过MCD系统B然后比照前后图像以此来查看裂纹是否在压力实验中有所加大。然后通过对那些经过断裂压力未受损害的原切割晶片以及那些有断纹的晶片进行不同的力直至其断裂。在这次实验中发现所有的裂纹都是正常生产下造成的,通过实验晶片不会受到人为故意的损害。3. 实验结果&讨论3.1 原切割晶圆由于晶片通过MCD系统进行分析并在扭曲试验中检测,以不同方式进行试验发现了三种不同类型能影响晶片强度的裂纹。3.2 三种不同的裂纹在这次研究中发现的三种的裂纹1. 短裂纹2. 边缘裂纹3. 内部裂纹存在于一个小水晶体内部的短裂纹(小于1mm)通常是比较直,而且有特定的走向。横跨一个或多个水晶体长裂纹通常形状不规则,如图2。由于外部造成的裂纹例如在晶体表面进行冲击而形成的裂纹经常会有这种形状。对数据进行分析后,晶体边缘的裂纹,即边缘裂纹,和在晶体的整个内部表面上的裂纹,这种裂纹不与边缘接触,即内部裂纹,这两种类型的裂纹之间有很大的区别。在1.5N以内的压力试验中只有那些有可检测到有微小裂纹的晶体断裂。所有的断裂后的晶片被重组到一起后与通过微小裂纹检测时的图像进行对比。Figure 2: 箭头所指为来自晶片边缘的不规则的长裂纹(~30mm)。无一例外,裂痕会从检测到的裂纹那继续延伸。当裂纹是长裂纹时,断裂力通常很低,晶片会碎成2-4个小的晶片。对于有小裂纹的晶片来说,施加在的力后,晶片会破碎成几个大的或者很多小的碎片(如图3)。图3:左边:带有13.5mm的内部裂纹的晶片在压力为1.49N时断裂。 右边:带有24.8mm的边缘裂纹的晶片在压力为0.51N时断裂。 断裂延伸跟点阵纹理走向有关系,当断裂继续延伸时,裂纹一般会在比较弱的点阵方向(3)。裂纹通常垂直延伸。带有边缘裂纹的晶片在断裂时所受的力一般比内部裂纹晶片需力小。对于有锯形痕迹的晶片来说,当力达到1.5N时,不会断裂,但是有些情况下断裂会顺着锯痕延伸。4. 结论:通过实验发现一些还有裂纹的晶片仍然能够通过1.5N的弯曲试验。94%的有内部裂纹(小于10mm)的原切割圆晶片能通过压力试验。有边缘裂纹的晶片都不能通过此次试验,即使此边缘裂纹小于2mm。

  • 【求助】晶片电阻怎么测试?

    [size=3][font=SimSun][font=Times New Roman][/font][/font][/size]1. 晶片电阻整体混合测试[font=Times New Roman] [/font][font=SimSun]科学[/font]吗?2. [font=SimSun]整体测试铅含量[/font]500ppm,[font=SimSun]符合[/font]ROHS[font=SimSun]要求吗[/font]?3. [font=新細明體][size=3]如[/size][/font][font=SimSun]要拆分测试[/font],[font=SimSun]拆分成几个部份[/font]?[font=SimSun]怎么拆[/font]?

  • 台湾发明可快速筛检细菌的纳米晶片

    据台湾媒体报道,病菌检测是治疗许多疾病的基础,但检测时间往往费时。近日台湾大学今天发表重大突破新技术,以纳米科技研发的新型检验晶片,相较于传统技术,能使细菌筛检增快百倍。 此项研究的名称为"捕捉与侦测细菌双功能快速检验晶片",研究成果于11月15日刊登在知名国际期刊"自然通讯"(NatureCommunications)。该研究的负责人刘定宇说,就像每种乐器都有特定音色一样,每个分子都有特定的"分子拉曼光谱指纹",因此科学家可藉此光谱来区分细菌种类。"捕捉与侦测细菌双功能快速检验晶片"就是利用表面增强拉曼光谱为基础,晶片表层"万古霉素"可从血液中直接捕捉细菌,再由第2层"银纳米粒子阵列",放大细菌表面分子的拉曼光谱讯号。 "捕捉与侦测细菌双功能快速检验晶片"使用纳米科技新技术,具有超高敏感度,几秒钟内就能取得单只细胞光谱,刘定宇指出,过去要筛检败血症病人血液中细菌,需费时2至5天,如今这样的新技术,可在短短30分钟内就能筛检出败血症病人的血液中细菌,速度增快约百倍。 刘定宇还表示,此技术潜在效益可观,不仅能针对血液临床检体使用,也可推广至环境污染(水质检测)、食品药品微生物(大肠杆菌和塑化剂)甚至病毒、癌症筛检等检测。台湾大学医院创伤医学部主治医师韩吟宜认为,这项新技术相较于传统细菌培养方法,能缩短血液检验时间,增加检测准确率,盼能尽快在临床应用,进而提升疾病治愈率,减少抗生素滥用。

  • 没有清晰马尔文镜片的里面,但是却发现镜片的里面很花,是什么原因?

    今天刚换了一对新的马尔文镜片,换上去以后激光强度是81.6%,背景在50与20之间,但是过了一小会儿背景突然聚集在了一块,前面像正方形一样的聚在一起,后面尾巴部分还是正常背景,后来我发现镜片上有一点模糊,就洗了一下,洗好了后激光强度在81.8%,背景也处于50与20之间,可是不断地不断地我坐在电脑面前它的激光强度就慢慢降低,一直降到80.9%,其中还有上面说的聚集在一起的现象,我感到很懊恼,因为我知道镜片的里面不能清洗只能洗外面,发生这样的现象到底是什么原因呢,感觉好像每次对一次光之后它就会慢慢地降低,清洗样品池很干净了激光强度只在80.5%,然后会随着这个数字慢慢降低,后来取下样品池,发现镜片的里面好像有点磨损,有点花了的感觉,这到底是什么原因,是仪器的原因吗?

  • 【转帖】有关验光镜片箱检验的方法

    江苏省连云港市新浦光学仪器厂 赵绍秀  随着人们生活水平的提高,配镜的要求、环境也不断的提高和改进,配镜的必需品——验光镜片箱质量已纳入国家强检项目。下面介绍几种实用、简便的方法,可快速准确检测验光镜片光学指标,供大家参考。  首先,要确定所用自动焦度计是否完全符合《焦度计国家计量检定规程》,然后再对验光镜片作检测。   一、球镜片的检定,将仪器的棱镜度显示调到极坐标状态  1.顶焦度的检测  将被检镜片放在仪器的支承座上,轻轻地移动镜片,使棱镜度的示值为0或为最小,这时仪器的读数就是被检镜片的顶焦度。  2.光学中心位移的检定  在《验光镜片箱国家计量检定规程》中对验光镜片的光学中心和光学中心的检测作了明确的说明:光学中心位移是由镜圈几何中心的棱镜度表示。光学中心的检测是将镜片的几何中心位于仪器支承座的几何中心处,移动镜片,使垂直方向的棱镜度为0或为最小,水平方向的棱镜度为最大,这时仪器所测出水平方向的棱镜度,就是被检镜片的光学中心位移(《规程》中的棱镜度显示规定为垂直坐标状态)。  对镜片的光学中心位移进行检测是验光镜片的各项指标中最难的。因为验光镜片加圈的直径一般是38mm±0.2mm,或24mm,镜圈的几何中心点很难确定,仪器支承座的直径也只有几毫米,几何中心更难确定,如果仅靠肉眼来确定镜圈和仪器支承座的几何中心,误差是比较大的。  我们知道,自动焦度计可以直接测量出任何镜片(球镜片、棱镜片、柱镜片)上的任何一点的棱镜度。确定了仪器支承位和镜片的几何中心点,镜片的光学中心的测量也就迎刃而解了。

  • 以碳纳米管为基础的全晶片数字电路首次研制成功

    中国科技网讯 据物理学家组织网6月15日(北京时间)报道,最近,美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法,首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路,即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情况下,整个线路仍能工作。 碳纳米管(CNTs)超越了传统的硅技术,在能效方面有望比硅基线路提高10倍。第一个初级纳米管晶体管诞生于1998年,人们期望这将开启一个高能效、先进计算设备新时代,但受制于碳纳米管本身固有的缺点,这一愿景一直未能实现。 “作为未来的密集型高能效集成电路,碳纳米晶体管极具吸引力。然而当人们想把它们用在微电子领域时,却遭遇到巨大的障碍。最主要的就是它们的位置和电属性的变化。”IBM托马斯·瓦特森研究中心物理科学部主管苏布拉迪克·高华说。 在碳纳米管能变成一种有现实影响力的技术之前,至少还要克服两大障碍:第一,研究已证明,要造出具有“完美”直线型的纳米管是不可能的,而扭曲错位的纳米管会导致线路出错,以致功能紊乱;第二,迄今还没有一种技术能生产出完全一致的半导体纳米管,如果线路中出现了金属碳纳米管,会导致短路、漏电、脆弱易受干扰。 针对这两大难题,研究人员设计了一种独特的“缺陷-免疫”模式,生产出第一个全晶片级的数字逻辑装置,能不受碳纳米管线向错误和位置错误的影响。此外,他们还发明了一种能从线路中清除那些不必要元素的方法,从而解决了金属碳纳米管的问题。他们的设计方法有两个突出特点,首先是没有牺牲碳纳米管能效,其次还能与现有的制造方法和设施兼容,很容易实现商业化应用。 他们的研究最近还被作为国际电子设备大会(IEDM)的邀请论文,以及美国电器与电子工程师协会(IEEE)会报集成线路与系统计算机辅助设计方面的“主题论文”。 下一步,研究人员将尝试造出数字集成系统的基本组件:计算线路与序列存储,以及首个高度一体化的整体三维集成电路。(记者 常丽君) 总编辑圈点 在表兄弟石墨烯“出生”之前,碳纳米管一直是纳米材料界最炙手可热的宠儿。它在力学、导电、传热等方面独特而优异的性能,让科学家们对它充满各种奇思妙想,甚至认为它是制备科幻小说里“太空电梯”的理想材料。相比较那些仅停留在理论上的用途,碳纳米管在集成电路上的使用无疑要现实可行得多。如今,科学家们突破了碳纳米管在微电子领域应用的瓶颈,恐怕摩尔大叔是最欣慰的人之一——摩尔定律神奇的魔力还将会持续下去。 《科技日报》(2012-06-16 一版)

  • 采用瞬态平面热源法测量4H碳化硅晶片、紫铜和黄铜薄片的热导率

    采用瞬态平面热源法测量4H碳化硅晶片、紫铜和黄铜薄片的热导率

    [color=#990000]摘要:本文针对新一代高导热半导体材料4H碳化硅晶片,介绍了采用瞬态平面热源法(HOT DISK法)进行室温导热系数测试的整个过程和结果。为了保证测量的准确性,采用同样是高导热材料并具有公认导热系数的紫铜和黄铜薄片对测试方法进行了考核验证,证明了高导热碳化硅晶片的导热系数最终测试结果具有较可靠的参考价值。[/color][size=18px][color=#990000]一、概述[/color][/size]做为新一代半导体材料的4H碳化硅晶片,其显著特点之一是具有比银和铜相近甚至更高的导热系数,因此准确测量导热系数是进行热管理、热设计和保证产品质量的重要前提。如何实现高导热薄片材料的导热系数准确测量,特别是针对高导热碳化硅这种厚度小于1mm且透明的晶片,这方面的研究和文献报道极少。本研究的目的是采用成熟且简单的测试方法和设备实现高导热材料工程级别的初步测量,以对4H碳化硅晶片导热系数能有基本的了解。针对高导热碳化硅晶片,我们尝试采用瞬态平面热源法(HOT DISK法)及其测试仪器对导热系数进行测试。为了考核验证测试结果的准确性,我们首先对具有已知公认导热系数数据的薄板状紫铜和黄铜进行测试,同时摸索相应的测试参数,然后再对高导热碳化硅晶片进行测试。以下内容将详细介绍整个试验过程。[size=18px][color=#990000]二、样品[/color][/size]整个试验过程采用了4H碳化硅晶片(直径6英寸,厚度0.512mm)、紫铜和黄铜正方形薄板(边长100mm,厚度1.5mm),如图1所示。[align=center][color=#990000][img=4H碳化硅,690,242]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/02/202202121534201870_6615_3384_3.png!w690x242.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图1 样品:左为4H碳化硅、中为紫铜、右为黄铜[/color][/align][size=18px][color=#990000]三、测试方法验证试验[/color][/size]首先采用如图1所示的紫铜和黄铜薄板样品进行室温下的导热系数测试,测试温度为22℃。紫铜和黄铜薄板为市场上购置的常用紫铜和黄铜材料,公认的导热系数分别为386.4W/mK和108.9W/mK。验证试验如图2所示。[align=center][color=#990000][img=4H碳化硅,690,194]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/02/202202121534515608_4873_3384_3.png!w690x194.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2 紫铜和黄铜导热系数验证测试[/color][/align]经过三次重复性测量,得到的导热系数结果为:(1)紫铜导热系数为374.6W/mK,与上述公认值对比的相对误差为-3.1%。(2)黄铜导热系数为106.8W/mK,与上述公认值对比的相对误差为-1.9%。从测试结果可以看出,测量结果整体低于公认值,但相对误差较小,测试结果和测量精度完全可以接受,并由此可以确定出相应的测试参数。[size=18px][color=#990000]四、4H碳化硅晶片导热系数测试[/color][/size]经过上述验证试验,采用相同的测试参数对4H碳化硅晶片导热系数进行了测试,试验测试如图3所示。[align=center][color=#990000][img=4H碳化硅,690,561]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/02/202202121535033405_5843_3384_3.jpg!w690x561.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图3 4H碳化硅导热系数测试[/color][/align]经过三次重复性测量,得到的导热系数结果为:400.7W/mK。如果按照上述紫铜验证试验中得到的相对误差-3.1%进行推算,4H碳化硅晶片导热系数应该可以达到413.2W/mK。[size=18px][color=#990000]五、结论[/color][/size]通过上述试验测量得到了4H碳化硅晶片室温下的导热系数,但需要注意的是此测量采用了不一定精确的公认值进行验证,测量误差范围具体是多少并不清楚,只是误差不会太大,测量结果至少能给出一定的参考。同时,在采用瞬态平面热源法测试时,不同测试参数会得到完全不同结果,因此必须采用已知导热系数材料进行测试参数的选择和验证,并且已知导热系数范围能覆盖被测材料导热系数。[align=center]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/align]

  • 【求助】马尔文2000的镜片到底要多久清洗一次?

    我们制程控制那边的马尔文测试的是生产上的样品,所以测试频率超高,几乎没有停过。故而镜片很容易脏,但是工程师又交待我们不要经常清洗镜片,一般一周一次。但是现在我们一天不清洗,测试结果就不准确了,因为镜片里面会有黑黑的石墨粉(我们做石墨的)。真是矛盾啊![em0812]

  • 有清洗过光室石英端窗的镜片吗?

    有清洗过光室石英端窗的镜片吗?

    长时间不清洗镜片,镜片积尘或被氧化,模糊不清导致测试数据不准确;http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507291321_557780_2447919_3.png请问各位都是如何做的呢?

  • 红外涂膜制样——聚乙烯薄膜替代溴化钾晶片

    红外涂膜制样——聚乙烯薄膜替代溴化钾晶片

    裂解法制样,基本上都应该是将裂解液涂抹在溴化钾晶片上进行测定的,但溴化钾压片非常烦,首先是必须干燥处理,然后是仔细的研磨,然后才是压片,如果是好一点的压片机那还没什么,如果是手工压制,那真叫一个烦,不幸的是我碰上的就是手工压制的。 聚乙烯膜是可以代替溴化钾晶片的……. 请看下图: 图1是空气中扣空白后测定的聚乙烯膜的红外光谱图(仪器是BRUKER的TENSDR 27): http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605051121_592312_2534456_3.jpg 图2是用聚乙烯膜扣空白后测定的同一片聚乙烯膜的红外光谱图,由图2可见,如此获得的本底,比溴化钾更干净。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605051122_592313_2534456_3.jpg 图3是用此法测定的一个以乙丙橡胶为主体的混炼胶的裂解液红外谱图,如果是精细分析那不敢说,但用于一般的鉴定那绝对是没有问题的,有兴趣的大虾们不妨一试。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605051122_592314_2534456_3.jpg 操作方法: 取一小片洁净的聚乙烯膜,如果觉得不够薄,则拉伸之至尽量薄。固定在测定支架上,用此膜扣空白,取出,涂上裂解液,装回光路测定,搞定。

  • 关于色谱仪上的专用镜片的一些见解

    关于色谱仪上的专用镜片的一些见解

    [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2005/11/200511211052_10473_1178654_3.jpg[/img][~10472~]江苏省海安县汇虹光电仪器厂是专业从事光学玻璃冷加工的企业。主要产品;有色光学玻璃、无色光学玻璃、石英玻璃、隔热玻璃、透紫外光学玻璃、透红外光学玻璃、黄色截止型玻璃、橙色截止型玻璃、红色截止型玻璃等光学元件品种有:滤光片、滤色镜、物镜、目镜、偏振镜、柱面镜、反射镜、凹面镜、凸透镜各种光谱、色谱仪器专用镜片。以及各种硅光电池、硒光电池联系人:*小姐网站:[url=http://www.******.com.cn]www.******.com.cn[/url][url=http://www.*******.com]www.*******.com[/url]电话:*************

  • 【原创】PMMA显示屏保护镜片及外观装饰片

    晶辉有限公司是生产镜片工艺厂是一家生产显示屏保护镜片及外观装饰片的厂家。专业为DVD碟机、MP4播放机、手机、可视门铃、网络数字收音机、数字电视机顶盒、广告机、笔记本电脑、数码相框、液晶电视机、空调、热水器、抽油烟机、AV功放音响、组合音响、有源音箱等家用电器厂家配套生产。所生产的显示屏保护镜片、外观装饰片、绝缘片、塑胶配件使用的材料有:PC、PMMA亚克力、PET、ABS、PA尼龙、环氧树脂等塑胶板

  • [求助]急求教,10x生物显微镜物镜是否少一块镜片?

    我刚买了一个生物显微镜,刚收到,物镜是无限远平场消色差的,4个物镜分别是4X、10X、40X、100X OIL。检查发现其它3个物镜上下两头看都有镜片惟独10X那个只有靠玻片那头有镜片而靠转换盘这头没有,上切片观察各镜头图象又好象正常视野大小变化也合理。请问有问题吗?10X物镜是只有一端有镜片吗?急,在线等!请各位大侠帮忙。

  • 【讨论】JJG579—2010《验光镜片箱》该更名为什么好?

    偶然我看到了JJG579—2010《验光镜片箱》,因为我不从事光学计量(除分光光度计外),所以虽然据说该规程进行过两次修订了,一直是称为《验光镜片箱》,但我还是第一次看到《验光镜片箱》该名字。也许光学计量的老师们已经习以为常,但作为我这样的光学计量门外汉,看到该规程名字,真觉得不对劲!难道我们要检的是验光镜片的包装箱!! 当然,我们也不好称之为眼镜片组,因为一箱中就包括了很多组。我想要不,在没有更好的称谓之前,干脆就称为《验光镜片》的好了。实际上ISO9801:1997也就称为《眼科仪器 验光镜片》;GB17342—2009也是称为《眼科仪器 验光镜片》。 我能理解规程起草老师的良苦用心,是因为我们要说:“以下情况视为错片,如果验光镜片箱中出现一片及一片以上错片,则视为整箱不合格。”其实在称之为《验光镜片》的情况下,将上述的话说成:“以下情况视为错片,如果一箱验光镜片中出现一片及一片以上错片,则视为整箱不合格。”也可以说得过去,老师们说:是吗?

  • 【原创】强烈建议开办一个关于晶片清洗和抛光的新版

    我个人是薄膜设备的使用者,在每次使用之前都涉及晶片的抛光和清洗,而抛光和清洗对薄膜生长有着很重要的影响,所以很希望能在这里和更多的行业内朋友进行交流。而且我发现在本版也有很多同仁问及类似的问题,那何不让我开一个新版,大家在这里好好交流一番,互相学习,共同进步。如果新版缺少管理员,我愿毛遂自荐。只要能帮助大家,学到东西牺牲一点时间是值得的。愿版主成全。

  • MAXx光谱镜片问题

    MAXx光谱镜片问题

    http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/03/201203170811_355322_2165849_3.jpg斯派克MAXx光谱 昨天拧中间的镜片,没留意把底下的那个凸透镜也拧了,这个有什么危害吗?

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