硅晶片

参数：硅/二氧化硅（90纳米）晶圆（4英寸直径，N型）氧化物厚度：90纳米颜色：紫色晶片厚度：450微米电阻率：1-10欧姆厘米类型/掺杂剂：氮方向： 100 前表面：抛光背面：蚀刻Parameter:Silicon/Silicon Dioxide (90 nm) Wafers (4" Diameter, n-type)Oxide Thickness：90 nmColor：VioletWafer Tickness：450 μmResistivity：1-10 ohm-cmType/Dopant：NOrientation：100Front Surface：PolishedBack Surface：Etched

硅/二氧化硅晶片（5片）Wafers - Silicon/Silicon Dioxide Wafer常用石墨烯基底硅/二氧化硅（90纳米）晶片（4英寸直径，N型）氧化物厚度：90纳米颜色：紫色晶片厚度：450微米电阻率：1-10欧姆厘米类型/掺杂剂：氮方向： 100 前表面：抛光背面：蚀刻

太阳能电池硅片清洗花篮PFA四氟清洗花篮 ITO、FTO导电玻璃、硅片PFA清洗架、F4硅片花篮 品牌：瑞尼克型号：RNKHL加工定制：是 用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PFA，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片.目前的尺寸有，6寸25片、4寸25片，2寸25片的清洗花篮，单梁双梁提手，目前花篮形式有很多种，我公司也是可以定制方形，圆形晶片清洗花篮。

晶片切割工具包划线和切割是获得晶片最佳横断面的关键步骤，这套工具适合多种材料的基板和晶圆（硅，砷化镓,玻璃）。标配如下：l 笔式钻石刻刀一把l 直头钻石刻刀一把l 30度斜角钻石刻刀一把l 光纤镊一把)l 晶圆切割钳一把.l 钢尺一把l 钨线l 赠送30X45cm操作垫订购信息：货号产品描述规格7642晶片切割工具包套

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蓝宝石晶片(Sapphire Substrate Discs)蓝宝石晶片由高纯度透明蓝宝石（Al2O3单晶）经双面抛光制得。由于蓝宝石的光学穿透带很宽，从300nm-4500nm都有很好的透光性。晶片是薄膜研究和光学研究的很好基底（衬底）。蓝宝石晶片具有宽范围的抗化学腐蚀，表面可以抛光到微英寸级别。尺寸和厚度偏差±0.025mm，平整度0.0008mm或更高。 订购信息：货号产品描述规格TP-16005-1Sapphire Substrate Disc, ?0.5" x 0.020"片TP-16005-2Sapphire Substrate Disc, ?0.5" x 0.040" 片TP-16005-3Sapphire Substrate Disc, ?0.75" x 0.020" 片TP-16005-4Sapphire Substrate Disc, ?0.75" x 0.040" 片TP-16005-5Sapphire Substrate Disc, ?1" x 0.010" 片TP-16005-6Sapphire Substrate Disc, ?1" x 0.020" 片TP-16005-7Sapphire Substrate Disc, ?1" x 0.040" 片TP-16005-8Sapphire Substrate Disc, ?1" x 0.125" 片

1.晶片镊子晶片镊子主要用来拿取精细易脆的硅晶片、光盘、玻片等。Style 2WA: 6.5mm (0.25") B: 5.0mm (0.20") C: 2.5mm (0.10") D: 4.0mm (0.15"货号产品描述规格78410-2WEMS 2W 把 Style 2WFCPRTips are made of PEEK/CF30.These tips offer gently holding wafers.Replacement tips are available. A: 0.25&rdquo (6.6mm) B: 0.41&rdquo (2.0mm) C: 0.08&rdquo (2.0mm) D: 0.14&rdquo (3.5mm) E: 0.18&rdquo (4.5mm)货号产品描述规格78410-2WFCEMS 2WFCPR支78410-2WFRReplacement tips setSet 2.陶瓷镊子Ceramic Tweezers 陶瓷分传统陶瓷和高级陶瓷，传统陶瓷包括粘土、水泥和玻璃等 高级陶瓷包括纯的或部分改良的比如氧化铝或氧化锆陶瓷。陶瓷的一般特性：绝缘绝热、比金属和塑料更强的抵御高温和恶劣环境的能力，硬但很脆。EMS在制造精密工具的时候，选用的是高级陶瓷材料：氧化锆和氧化铝的混合物（ZTA），从而使陶瓷工具的韧性和强度都大大增强。陶瓷镊子非常适合有酸性液体（HF除外）的工作环境，比如SDM、焊接、高温等场合。Zirconia Toughened Alumina (ZTA):特性高强度和硬度的有机结合 表面硬度高，抗磨损 优异的抗热性能和高温稳定性 电力绝缘超强的抗腐蚀性能，几乎是惰性的 良好的抗弯抗断裂性能 低密度、高孔隙率 Style 8501 Straight, tips 1mm wide, serrated. Length: 5" (125mm)货号产品描述规格78126EMS Ceramic Tweezers 8501支 Style 8501 FGGStraight, tips 0.3mm wide, smooth, very fine. Length: 5" (125mm)货号产品描述规格78122EMS Ceramic Tweezers 8501 FGG支

基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm 4片将每个石墨烯膜连续转移到晶片上我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制该产品的石墨烯覆盖率约为98％石墨烯薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物每个石墨烯薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）由于没有A-B堆叠顺序。石墨烯薄膜彼此随机取向。薄层电阻：215-700Ω/平方硅/二氧化硅晶圆的特性：氧化层厚度：285nm颜色：紫罗兰色晶圆厚度：525微米电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米型号/掺杂剂：P /硼方向：100 前表面：抛光背面：蚀刻应用：石墨烯电子和晶体管导电涂料航空航天工业应用支持金属催化剂微执行器MEMS和NEMS化学和生物传感器基于石墨烯的多功能材料石墨烯研究

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

产品介绍 使用这些高质量无绒布的纸巾，可以快速、方便地清洁玻璃和塑料镜片。• 不含硅胶• 不会划伤玻璃或塑料镜片• 一包180张• 每张10.8 x 11.4厘米

基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯/CVD六方氮化硼异质结石墨烯/h-BN薄膜的性质：单层h-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm（p掺杂）SiO2/Si晶片上尺寸：1cmx1cm 4片装每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制该产品的覆盖率约为98％薄膜是连续的，有小孔和有机残留物高结晶质量石墨烯薄膜预先单层（超过95％），偶尔有少量多层（双层小于5％）薄层电阻：430-800Ω/平方石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通过CVD方法在铜箔上生长，然后转移到SiO2/Si晶片上。硅/二氧化硅晶圆的特性：氧化层厚度：285nm颜色：紫罗兰色晶圆厚度：525微米电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米 型号/掺杂剂：P /硼方向：100前表面：抛光背面：蚀刻

所属类别：? 晶体 ?铌酸锂晶体所属品牌：美国CTI公司美国Crystal Technology公司提供掺MgO铌酸锂晶片（MgO:LN）。 由于没有光折变损伤，具有高纯度与高损伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体能够承受的光强比一般的非掺杂纯铌酸锂晶体高几百倍。由于MgO的浓度对晶体的性能有很大的影响。因此，需要对MgO浓度进行严格的控制。应用：电光调制器、太赫兹生成、倍频产生蓝/绿光

基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm 4片将每个石墨烯膜连续转移到晶片上我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制该产品的石墨烯覆盖率约为98％石墨烯薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物每个石墨烯薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）由于没有A-B堆叠顺序。石墨烯薄膜彼此随机取向。薄层电阻：215-700Ω/平方硅/二氧化硅晶圆的特性：氧化层厚度：285nm颜色：紫罗兰色晶圆厚度：525微米电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米型号/掺杂剂：P /硼方向：100前表面：抛光背面：蚀刻应用：石墨烯电子和晶体管导电涂料航空航天工业应用支持金属催化剂微执行器MEMS和NEMS化学和生物传感器基于石墨烯的多功能材料石墨烯研究

基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm 8片将每个石墨烯膜连续转移到晶片上我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制该产品的石墨烯覆盖率约为98％石墨烯薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物每个石墨烯薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）由于没有A-B堆叠顺序。石墨烯薄膜彼此随机取向。薄层电阻：215-700Ω/平方硅/二氧化硅晶圆的特性：氧化层厚度：285nm颜色：紫罗兰色晶圆厚度：525微米电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米型号/掺杂剂：P /硼方向：100前表面：抛光背面：蚀刻应用：石墨烯电子和晶体管导电涂料航空航天工业应用支持金属催化剂微执行器MEMS和NEMS化学和生物传感器基于石墨烯的多功能材料石墨烯研究

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晶圆加持工具PEEK晶片夹，用于手持式检查晶圆的工具。PEEK晶片夹、硅片镊子可在260C温度下长期使用，在高温下能保持较高的强度，尺寸稳定性较好，线胀系数较小，同时耐滑动磨损和微动磨损、低摩擦系数等性能优异，用PEEK晶片夹夹取晶圆、硅片的时候，不会对晶圆、硅片的表面产生划痕，不会因摩擦而对晶圆、硅片产生残留物，从而提高了晶圆、硅片的表面洁净度。

窗口镜片,激光窗口镜片,镀膜窗口镜由孚光精仪进口，孚光精仪是中国领先的进口光学器件服务商！增透镀膜窗口镜片采用精准镀膜工艺，在某些波长上可以达到剩余反射率几乎为零的优质增透镀膜。镀膜窗口镜镀膜的波段可达190nm--10.6um. 激光窗口镜片采用了离子束溅射技术（Iom Beam Sputtering, IBS)或电子束蒸发技术进行镀膜，这些镀膜技术非常成熟，并且采用多层镀膜技术可以镀膜窗口镜适合高功率应用。激光窗口镜片,镀膜窗口镜镜技术参数 基片尺寸公差：+0/-0.1mm 基片波前畸变：基片表面质量：20/10 SD 镀膜粘附性和耐久性：Per MIL-C-675A 净孔径：90% 剩余反射率：R0.2% 激光损伤阈值：8J/cm2 for 10 ns pulses @1064nm射 The measured residual back reflection curve for AR coating (R0.2% @ 1030 nm)请根据如下格式填写您对激光窗口镜片,镀膜窗口镜的要求发送给我们： Substrate material基片材料 Shape形状RectangularRound Dimensions尺寸mm Thickness厚度mm Central wavelength中心波长nm Coating deposited on单面或双面镀膜One side onlyBoth sides Angle of incidence (AOI)入射角deg Surface figure L/4 L L/2 L/8 Surface quality20/1040/2060/40 Parallelism error10arcsec1arcmin3arcmin WedgeNo wedge30arcmin1deg2deg3deg Comments

晶片清洗培养皿，用于导电玻璃，硅片，晶片腐蚀性清洗，要求的是没有杂质溶出，本产品采用的是PFA材质，本底值低，化学耐受性好，耐受强酸强碱，低金属杂质析出，无污染实验样品和清洗的硅片，晶片等。PFA的产品可定制，欢迎选购。

蓝宝石晶片(Sapphire Substrate Discs)蓝宝石晶片由高纯度透明蓝宝石（Al2O3单晶）经双面抛光制得。由于蓝宝石的光学穿透带很宽，从300nm-4500nm都有很好的透光性。晶片是薄膜研究和光学研究的很好基底（衬底）。蓝宝石晶片具有宽范围的抗化学腐蚀，表面可以抛光到微英寸级别。尺寸和厚度偏差±0.025mm，平整度0.0008mm或更高。 订购信息：货号产品描述规格TP-16005-1Sapphire Substrate Disc, ?0.5" x 0.020"片TP-16005-2Sapphire Substrate Disc, ?0.5" x 0.040" 片TP-16005-3Sapphire Substrate Disc, ?0.75" x 0.020" 片TP-16005-4Sapphire Substrate Disc, ?0.75" x 0.040" 片TP-16005-5Sapphire Substrate Disc, ?1" x 0.010" 片TP-16005-6Sapphire Substrate Disc, ?1" x 0.020" 片TP-16005-7Sapphire Substrate Disc, ?1" x 0.040" 片TP-16005-8Sapphire Substrate Disc, ?1" x 0.125" 片

这些擦布适用于清洁各种光学镜片，如物镜、双筒镜、放大镜、眼镜以及光纤长丝。光学镜片擦镜纸长度×宽度 包装规格 包装规格 VWR目录号100×150 mm 25×25片 625VWRI111-5004 80×100 mm 1×500片 500VWRI111-5003 更多规格请与美同达联系

低群延迟色散镜片/分光镜波长：375nm-1100nm反射/透射比:50%-50%、30%-70%等 GDD = 0 ± 10 fs2低群延迟色散镜片标准尺寸：25.4 mm x 3.0 mm 不支持定制

我公司提供OPTOLITA公司生产的镜片，材料为BK7，FS，UV FS，LiF，MgF2,CaF2,BaF2,Al2O3,ZnS,Cu,Ge等。质量可靠，性价比高。

THz反射镜片

单镜片轻质眼镜，带透明聚碳酸酯镜片。? 防刮/防雾涂层? 模制护眉? 软鼻垫? 软橡胶边撑垫重量：25.5 gEN 166, EN 170 1 FT

天津欧捷科技代理销售斯派克产品配件耗材电极刷 80009001石英护套 48207006石英护套 48207013透明镜片 48303014

Femtosecond Laser Optics-飞秒激光光学镜片Besides our customer specific products we can offer you various standard products from stock.

超快非晶硅激光刻膜机配件是特别为太阳能产业光伏工业而设计的整套晶圆激光加工系统。可用于光伏电池激光加工,去除氮化硅膜氮化硅膜蚀刻,晶圆边缘隔离，有可以当作激光刻膜机,激光划片机使用。 提供如下四合一服务：SiNx/SiO2去除,去除二氧化硅,去除氮化硅 边缘隔离晶圆 背接触激光烧结和激光刻槽 激光打标 其中紫外飞秒激光用于SiNx/SiO2的选择性烧蚀或切除(氮化硅膜蚀刻),配备的紫外飞秒激光可以非常精密地剥蚀SiNx(去除氮化硅膜),同时在Si层的直接或热效应降低到最低，从而增加载流子寿命（少子寿命）,避免微裂纹。而配备的1064nm的纳秒激光工作非常稳定而快速，将用于晶片的快速激光边缘隔离，激光打标和激光烧结。 非晶硅激光刻膜机配备自动处理和扫描系统，支持5’’和6’’直径的硅晶片加工。同时配备机械视觉系统以随时调节激光束扫描,保持高度重复性和可靠性。配1级激光安装防护装置和灰尘消除系统，营造无尘加工环境，以保证飞秒激光的精密烧蚀和热效应影响的最小化。 非晶硅激光刻膜机配件特色 配备的激光器处理能力高达800个晶片/小时或350000px/s 加工量为425个晶片/小时,优化后可用于2.5MW/a产品的生产线 适用5' ’和6' ' 硅晶片 紫外飞秒激光和红外纳秒激光光源 机械视图系统可调节激光扫描场 精密激光光束定位 激光划线激光剥蚀激光熔化 为用户提供了无银敷金属技术生产太阳能电池 成功地装配到生产能力高达2.5MWp/a的生产线上。 使用飞秒激光对晶圆wafer的发射端进行介电层（SiNx)的选择性移除。SiNx厚度为50-90nm,覆盖发射端，必须精确移除而不伤害发射层。一种应用是消蚀SiNx层的同时，也产生bus bars和fingers开口，下一步,这些开口将被镍覆盖，这样就形成了高质量的前接触。它使用振镜扫描器控制激光束切割发射端，独具的机械视图功能能够探测晶圆位置。

常规单模光学整形镜片： 光束成形元件是衍射光学元件（DOE），用于将近高斯入射激光束转换成在特定工作平面中边缘清晰的圆形，矩形，正方形，直线或其它形状的均匀强度的斑点。均匀强度的斑点能够对表面进行相同的处理，此外，斑点的特征在于在处理区域和未处理区域之间形成清晰的边界。光束整形有以下几种： 焦点波束成形：混合元件（透镜）或模块，在特定工作距离（镜头的BFL或模块出口位置到TOP-HAT平面的距离）上给出TOP-HAT强度分布。 角度光束成形：光学元件（窗口），可以在无穷远或无像差镜头的焦距下产生TOP-HAT强度分布。M-Shaper：在扫描线上均匀曝光的光学元件（窗口）

防护口罩焊接高清防雾镜片，可以在生物实验中防止血液、飞沫等喷溅进入眼睛或者脸上，给您脸部全方位的保护。口罩材料为三层无纺布，口罩细菌过滤效率95%以上，达到医用外科口罩的过滤效率标准。镜片材质为聚酯材料，无味、无毒、透明。镜片采用PET材料制成，高清透明，并且经过先进的防雾处理，具有双面防雾、防静电、防眩晕的特点，能有效防止因温差、水蒸气引起的视线模糊，并且对眼睛没有丝毫刺激影响。产品为一次性使用，卫生、安全。

THz衍射镜片 在很多THZ应用中都要求对光束进行处理。目前常采用的的方法是抛物柱面镜和衍射光学元件。尽管衍射光学元件是最近才开始采用的，但是仍有不少人采用，因为它可以实现THZ波的空间分布的改变。 为了满足THZ波段的衍射需求，我们提供下列衍射光学元件（DOE）： - THz Fresnel 透镜 - THz 光束分配器 主要参数: 参数 Type of DOE THz Fresnel 透镜 THz beam divider 材料 HRFZ-Si HRFZ-Si 最大外型尺寸, mm 55 55 最大光学尺寸, mm 50 50 厚度, mm 1 1 工作波长范围, μm 60-250 60-250 衍射效率*, % 40 80 膜层 两面高透 两面高透*衍射效率是某个衍射级的衍射光和入射光的比例。我们的衍射元件可以实现最高达到96%的衍射效率。THz Fresnel 透镜 Fresnel透镜是最简单的衍射元件，用以聚焦单设THz波。该透镜不像其他衍射透镜一样会产生球差。 衍射透镜有两个焦距：一个主焦距，一个次焦距。主焦距I1/I的衍射效率是40%，次焦距I2/I的衍射效率3.6%,这个已经在实验中得到了证明。用自由电子激光器作光源，矩阵探测器来探测的实验已经证明了这一点。生产焦距从100mm甚至更长的透镜是有可能的，焦距的公差是5%。 我们可以用公式X=1.22*λ*F/D 来计算Airy disk的尺寸，这里λ是波长，F是焦距，D是光学直径。 THz 光束分配器 光束分配器可以把入射波改变成特定功率空间分布的几个电磁波。（+1和-1级）衍射效率为40(+/-2)%，其他的5%.衍射角可以从20度到80度。