硅晶片

前言频繁且经济有效的光谱表征对于开发具有竞争力的光学薄膜涂层非常重要。完全自动化且无人值守的光谱测量有助于降低每次分析的成本、提高分析效率，还有助于扩展质保程序。在生产过程中，满负荷运转的沉积室中常会涂覆大面积、通常呈圆形的衬底晶片。高效的光学表征工具必须能够在晶片被切割之前从用户指定的晶片表面的特征点获得准确且有意义的信息。

频繁且经济有效的光谱表征对于开发具有竞争力的光学薄膜涂层非常重要。完全自动化且无人值守的光谱测量有助于降低每次分析的成本、提高分析效率，还有助于扩展质保程序。在生产过程中，满负荷运转的沉积室中常会涂覆大面积、通常呈圆形的衬底晶片。高效的光学表征工具必须能够在晶片被切割之前从用户指定的晶片表面的特征 点获得准确且有意义的信息。专为 Cary 7000 全能型分光光度计 (UMS) 和全能型测量附件包 (UMA) 设计的安捷伦固体自动进样器可容纳直径达 200 mm (8"") 的样品，并提供 UV-Vis 和NIR 光谱范围内的角度绝对反射率和透射率数据。此前的研究已经证明，将 Cary 7000 UMS 与自动进样器相结合，能够对 32x 样品支架上的多个样品进行自动化、无人值守的分析，并对氧化锌锡 (ZTO) 涂层的线性能带隙梯度进行空间测绘。本研究使用配备自动进样器的 Cary 7000 UMS 对直径 200 mm 晶片上的涂层均匀性进行了自动化的角度分辨测绘。

我国对树脂镜片的抗划伤性能有明确的强制性规定，并对其定量检测方法作出了说明（参见国标QB2506-2001），ATAGO(爱拓)的树脂折射率阿贝折光仪、测试仪NAR-4T，（固液两用）高折射率阿贝折光仪NAR-1T SOLID、检测镜片透光率的程度，镜片折射率（数字型）阿贝折光仪DR-A1等仪器为在镜片折射率工艺中的提供应用解决方案。

控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。

半导体行业在产品的小型化及多功能化、提高生产效率、削减成本等方面的竞争日趋激烈。在图形细微化、晶片大口径化发展的同时，市场对品质保障的要求越来越高，研究开发及检测的速度也变得重要了起来。这篇文章中我们将为您介绍使用新型4K数码显微系统，改善半导体行业检测模式，大幅实现高端化、高效化的应用案例。

本文针对新一代高导热半导体材料4H碳化硅晶片，介绍了采用瞬态平面热源法（HOT DISK法）进行室温导热系数测试的整个过程和结果。为了保证测量的准确性，采用同样是高导热材料并具有公认导热系数的紫铜和黄铜薄片对测试方法进行了考核验证，证明了高导热碳化硅晶片的导热系数最终测试结果具有较可靠的参考价值。

控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。

控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。

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我国对树脂镜片的抗划伤性能有明确的强制性规定，并对其定量检测方法作出了说明（参见国标QB2506-2001“光学树脂眼镜片通用检测方法”），根据检测要求，我们可以通过简易的物理装置进行测试，使用 ATAGO(爱拓)的树脂折射率阿贝折光仪、测试仪NAR-4T，（固液两用）高折射率阿贝折光仪NAR-1T SOLID、检测镜片透光率的程度，镜片折射率（数字型）阿贝折光仪DR-A1，用(阿贝数)多波长系列折射仪DR-M2是可以直接测量（阿贝数）等仪器为在镜片折射率工艺中的提供应用解决方案。

本试验方案旨在利用复合式盐雾试验箱检测眼睛镜片的耐盐雾性能。试验前对设备进行检查，清洁并固定镜片。设定试验箱参数包括盐雾浓度、温度、湿度及试验时间。试验过程中定期观察镜片状态，试验结束后评估镜片外观、尺寸及光学性能变化，判断其耐盐雾性能是否符合要求。同时注意操作人员需熟悉设备操作与安全事项，试验中不得随意开门，结束后清理设备，准确记录分析结果为镜片质量改进提供依据。

采用研究型接触角测量仪对曲面镜片表面进行接触角测量，测试镜片防水膜表面的防水、防油污效果，接触角角度要求 110° 以上

采用研究型接触角测量仪对曲面镜片表面进行接触角测量，测试镜片防水膜表面的防水、防油污效果，接触角角度要求110° 以上

单晶硅、半导体晶片切割制造、半导体芯片、半导体封装 、引线柜架、集成电路、液晶显示器、导电玻璃、显像管、线路板、光通信、电脑元件 、电容器洁净产品及各种元器件冲洗、清洗等生产工艺。

近几年zeta电位的研究在理解和调整表面性能方面已经占据增进的重要地位。Zeta电位能灵敏指示表面电荷。表面电导率影响着zeta电位的数值测定。在日常应用如半导体领域里金属膜以及腐蚀现象及涂层整体质量控制等方面上，表面电导的分析有着重大意义。

在纳米晶片剂中，原料药一般会被纳米化成为粒径小于1μ m的药物颗粒。通过将原料药进行纳米化，可以达到增加溶解度和溶出度、增大对生物膜的黏附性、降低食物干扰等目的。例如，西罗莫司(Sirolimus)是一种新型高效的第三代免疫抑制剂，是目前为止发现的低毒性有巨大应用潜力的免疫抑制剂。但西罗莫司水溶性差、溶出度低，导致其难以被人体吸收、生物利用度不佳。而将其进行纳米化处理后，则能有效改善其溶解度低和药物生物利用度低等问题。而相对地，由于原料药会被纳米化成为粒径小于1μ m的颗粒，某些纳米晶片剂在传统溶出方法下会表现出很快的释放速度。而受到传统溶出方法的限制，其获得的体外释放度测试数据可能并不理想。本文将分享使用桨法和流池法对某纳米晶片剂进行体外释放度测试的案例，对比传统溶出方法（桨法）与更现代的溶出方法（流池法）在测定纳米晶片剂方面的差异。

硅合金是一种高光泽和高熔点的蓝色金属，其熔点为1414℃。硅是地壳中第二常见的元素，但自由态的硅元素很少在自然界中找到。由于其电阻性和相对高的热传导性能，硅被广泛应用。高纯硅被广泛应用于太阳能工业，例如被制成硅晶片，太阳能电池和硅基半导体。作为合金，硅铁合金占世界上硅制品的绝大多数，被用于钢铁工业。硅同样用于改善铝的硬度和抗磨性，使其可用于钢铁生产。 这篇文章的数据是为了证明Teledyne Leeman Labs Prodigy直流电弧光谱仪测定高纯硅合金中的痕量元素的能力。

硅合金是一种高光泽和高熔点的蓝色金属，其熔点为1414℃。硅是地壳中第二常见的元素，但自由态的硅元素很少在自然界中找到。由于其电阻性和相对高的热传导性能，硅被广泛应用。高纯硅被广泛应用于太阳能工业，例如被制成硅晶片，太阳能电池和硅基半导体。作为合金，硅铁合金占世界上硅制品的绝大多数，被用于钢铁工业。硅同样用于改善铝的硬度和抗磨性，使其可用于钢铁生产。 这篇文章的数据是为了证明Teledyne Leeman Labs Prodigy直流电弧光谱仪测定高纯硅合金中的痕量元素的能力。

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硅合金是一种高光泽和高熔点的蓝色金属，其熔点为1414℃。硅是地壳中第二常见的元素，但自由态的硅元素很少在自然界中找到。由于其电阻性和相对高的热传导性能，硅被广泛应用。高纯硅被广泛应用于太阳能工业，例如被制成硅晶片，太阳能电池和硅基半导体。作为合金，硅铁合金占世界上硅制品的绝大多数，被用于钢铁工业。硅同样用于改善铝的硬度和抗磨性，使其可用于钢铁生产。 这篇文章的数据是为了证明Teledyne Leeman Labs Prodigy直流电弧光谱仪测定高纯硅合金中的痕量元素的能力。

硅合金是一种高光泽和高熔点的蓝色金属，其熔点为1414℃。硅是地壳中第二常见的元素，但自由态的硅元素很少在自然界中找到。由于其电阻性和相对高的热传导性能，硅被广泛应用。高纯硅被广泛应用于太阳能工业，例如被制成硅晶片，太阳能电池和硅基半导体。作为合金，硅铁合金占世界上硅制品的绝大多数，被用于钢铁工业。硅同样用于改善铝的硬度和抗磨性，使其可用于钢铁生产。 这篇文章的数据是为了证明Teledyne Leeman Labs Prodigy直流电弧光谱仪测定高纯硅合金中的痕量元素的能力。

前 言通常情况下，最终用户不需要直接与集成电路（IC）中的微型电子零件打交道。这些微型电子一般用于电脑的主板、电子娱乐设备、手机和车载发动机控制单元等，性能非常可靠。然而，为了满足这种可靠性，电子零件往往要经过 500 多步的处理步骤，涵盖了硅晶片的构建、合成与衔接，以及晶片与活性聚合物的重铸，直至焊接到印刷电路板上。电子零件对于如此多的处理过程，必须最大程度的减少出错几率以保证生产的成本效率。而且这些电子零件必须符合各种可靠性标准。例如，手机中的电子零件必须能承受所谓的“跌落测试” ，即集成元件必须能经受住手机跌落时所产生的压力。对于移动电子设备中的某些相关零件，还必须满足某些特殊的要求，比如能够抵抗湿度和温度变化带来的影响。正是由于这些原因，材料的使用及生产过程显得尤为重要。特别是连接芯片与载体材料的高分子粘合剂，由于被连接的两部分（硅晶片和基体）的热机械性能（热膨胀系数、杨氏模量）差别很大，粘合剂就要承受相当大的压力。当然，粘合剂 的快速处理也是同等重要的，也就是说，保持各自的流变学性质与最适宜的固化行为二者必须同时保证。由于固化过程消耗时间较长，会影响到生产效率，所以，进行合理的优化是非常有必要的。理想工具－－热分析热分析方法为我们提供了理想的工具，特别是利用介电法（DEA）和动力学方法对测试数据进行分析。我们对此积累了丰富的研究经验。关于介电法对固化过程进行监测，Infinion集团使用的是DEA231/1 Epsilon，其数据采集时间可达55ms，这对研究快速固化体系是非常有利的。以下测试均使用 IDEX S065 梳形传感器测试。通过耐驰热动力学软件，将测试数据导入程序进行分析，可以预测其在不同温度程序下的固化行为。

随着我国半导体产业的快速发展，大型化、高速化、智能化、连续化将成为发展的必然趋势，这要求我们在生产前做好充分的准备。就比如硅晶片进行生产镀膜刻蚀之前，硅晶片上往往会有一些污染物的残留，这时，应使用相对应的清洗剂来对硅晶片进行清洗。那么， 如何选择合适的清洗剂呢？这就需要知道其硅晶片表面的污染物成分。而传统的检测技术大多都需要进行复杂的样品制备或对样品造成极大的破坏且检测时间较长。有没有一种技术，可以快速简便地进行检测，并尽量少地破坏样品呢？

N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP)，化学分子式为 C5H9NO，是一种化学性质稳定的水溶性有机溶剂，广泛应用于制药、石化、高分子科学，特别是半导体行业中。电子级 NMP 通常被半导体生产商用作晶片清洗剂和光刻胶剥离剂，以及用作和晶片表面直接接触的溶剂。这就要求 NMP 中金属（和非金属）污染物的含量尽可能地低。ICP-MS 是测定半导体工艺化学品中痕量金属杂质的首选技术。但对 ICP-MS 技术而言，测定 NMP 中的非金属杂质如硫、磷、硅和氯却是个挑战。这些元素较低的电离效率大大降低了分析信号的强度，与此同时，由 NMP基质中的 N、O 和 C 元素形成的多原子离子造成的高背景信号（计为背景等效浓度，BEC）使这一痕量检测更加雪上加霜。电感耦合等离子体串联质谱仪的高灵敏度和强大的消干扰能力使它特别适合于应对这一应用的挑战。本应用介绍了 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪 (ICP-MS/MS)在 MS/MS 模式下，测定 NMP 中的 S、P、Si 和 Cl。

已经使用晶片级铝纳米线栅图案化能力开发了适用于中波红外（MWIR）和长波红外（LWIR）应用的硅上的高对比度线栅偏振器。144nm间距的MWIR偏振器通常从3.5-5.5微米透射优于95%的通过偏振态，同时保持优于37dB的对比度。在7微米和15微米之间，宽带LWIR偏振器通常透射通过状态的55%和90%，并且具有优于40dB的对比度。窄带10.6微偏振器在通过状态下显示出约85%的透射率和45dB的对比度。使用各种FTIR光谱仪进行透射和反射测量，并将其与抗反射涂层晶片上的线栅偏振器（WGP）性能的RCWA建模进行比较。激光损伤阈值（LDT）测试是使用连续波CO2激光器对宽带LWIR产品进行的，并且在阻断状态下显示110kW/cm2的损伤阈值，在通过状态下显示10kW/cm2的损伤阈值。MWIR LDT测试使用具有7ns脉冲的在4微米下操作的OPO，并且显示在阻断状态下LDT为650W/cm2并且在通过状态下优于14kW/cm2。

实验一：清洗温度对晶片清洗后接触角的影响 实验步骤：晶片表面接触角大小是衡量晶片表面洁净程度的重要参考标准，晶片表面接触角小于10°时，则认为清洗合格。在晶片清洗的过程中，温度不仅直接影响油污和清洗剂性质，而且在超声清洗工艺中与空化强度有密切关系。因此，在清洗工艺中温度对晶片清洗效果有重要的影响。为了确定AFT101在AU清洗工艺中很好的清洗温度，降低能耗节约成本，本文针对AU工艺考查了AFT101不同温度参数对清洗后晶片平均表面接触角的影响。其中工艺温度分别为30°、40°、50°，60°和70°，时间为5min，浓度为5%，频率为40kHz，测试结果如图4.4所示。

电子级硫酸广泛应用于半导体、超大规模集成电路的装配和加工过程，主要用于硅晶片的清洗和蚀刻，可有效除去晶片上的杂质颗粒，无机残留物和碳沉积物。