硅产业

超快非晶硅激光刻膜机配件是特别为太阳能产业光伏工业而设计的整套晶圆激光加工系统。可用于光伏电池激光加工,去除氮化硅膜氮化硅膜蚀刻,晶圆边缘隔离，有可以当作激光刻膜机,激光划片机使用。 提供如下四合一服务：SiNx/SiO2去除,去除二氧化硅,去除氮化硅 边缘隔离晶圆 背接触激光烧结和激光刻槽 激光打标 其中紫外飞秒激光用于SiNx/SiO2的选择性烧蚀或切除(氮化硅膜蚀刻),配备的紫外飞秒激光可以非常精密地剥蚀SiNx(去除氮化硅膜),同时在Si层的直接或热效应降低到最低，从而增加载流子寿命（少子寿命）,避免微裂纹。而配备的1064nm的纳秒激光工作非常稳定而快速，将用于晶片的快速激光边缘隔离，激光打标和激光烧结。 非晶硅激光刻膜机配备自动处理和扫描系统，支持5’’和6’’直径的硅晶片加工。同时配备机械视觉系统以随时调节激光束扫描,保持高度重复性和可靠性。配1级激光安装防护装置和灰尘消除系统，营造无尘加工环境，以保证飞秒激光的精密烧蚀和热效应影响的最小化。 非晶硅激光刻膜机配件特色 配备的激光器处理能力高达800个晶片/小时或350000px/s 加工量为425个晶片/小时,优化后可用于2.5MW/a产品的生产线 适用5' ’和6' ' 硅晶片 紫外飞秒激光和红外纳秒激光光源 机械视图系统可调节激光扫描场 精密激光光束定位 激光划线激光剥蚀激光熔化 为用户提供了无银敷金属技术生产太阳能电池 成功地装配到生产能力高达2.5MWp/a的生产线上。 使用飞秒激光对晶圆wafer的发射端进行介电层（SiNx)的选择性移除。SiNx厚度为50-90nm,覆盖发射端，必须精确移除而不伤害发射层。一种应用是消蚀SiNx层的同时，也产生bus bars和fingers开口，下一步,这些开口将被镍覆盖，这样就形成了高质量的前接触。它使用振镜扫描器控制激光束切割发射端，独具的机械视图功能能够探测晶圆位置。

VWR 怎么样？WR是一家世界领先的旨在为实验室以及工厂提供卓越产品、服务和解决方案的供应商，总部位于美国宾西法尼亚州的拉德诺。2014年VWR全球销售额超过了43亿美元，帮助医药，生物科技，工业，教育，政府机构以及健康产业等不同行业的客户成就科学。 产品规格：货号产品描述包装(个)215-3261试剂瓶, 50 mL，透明，高硼硅玻璃3.310215-1592试剂瓶, 100 mL，透明，高硼硅玻璃3.310215-1593试剂瓶, 250 mL，透明，高硼硅玻璃3.310215-1594试剂瓶, 500 mL，透明，高硼硅玻璃3.310215-1595试剂瓶, 1,000 mL，透明，高硼硅玻璃3.310215-1596_U试剂瓶, 2,000 mL，透明，高硼硅玻璃3.310215-0057试剂瓶, 5 L，透明，高硼硅玻璃3.31215-0058试剂瓶, 10 L，透明，高硼硅玻璃3.31215-0059试剂瓶, 20 L，透明，高硼硅玻璃3.31215-3275试剂瓶, 50 Ml,棕色，高硼硅玻璃3.31215-2325试剂瓶, 100 mL,棕色，高硼硅玻璃3.31215-2326试剂瓶, 250 mL,棕色，高硼硅玻璃3.31215-2327试剂瓶, 500 mL,棕色，高硼硅玻璃3.31215-2328试剂瓶, 1,000 mL,棕色，高硼硅玻璃3.31215-2329试剂瓶, 2,000 mL,棕色，高硼硅玻璃3.31215-2330试剂瓶, 5 L,棕色，高硼硅玻璃3.31215-2337试剂瓶, 10 L,棕色，高硼硅玻璃3.31215-2338试剂瓶, 20 L,棕色，高硼硅玻璃3.31

内蒙古石墨烯材料研究院以内蒙古石墨烯产业为己任，注重产学研合作。在了解国际发展前沿技术的同时，将调研全国石墨烯技术需求，编制产业发路线图，为政府决策及企业发展提供技术参考。研究院为石墨烯企业提供技术咨询、技术改造、新产品开发等方面的技术服务。改造传统产业、扶持新兴产业，提升内蒙古石墨烯产业的自主创新能力与国际竞争能力。研究院将根据调研情况，凝练行业公共关键技术课题，组织实验室、企业共同进行课题攻关，充分发挥实验室的科研特长和企业的市场灵敏性，开发出具有技术与市场前瞻性的产品。公共技术服务产业人才培养为相关企业在石墨烯制备及应用技术创新方面的研究提供雄厚的人力资源和先进的技术设备。引进团队引进国内外相关领域的高水平团队，吸引、支持相关团队来研究院开展研究活动、创业探索。孵化企业鼓励引进具有高水平科研成果的相关团队创办企业。通过研究院的资金、运营团队和下游实体企业的支持，孵化石墨烯相关初创企业。培育产业初创企业运行一段时间后，积极帮助企业寻找下游用户，开拓市场，并通过各种政策如科技计划支持、税收政策优惠、科技金融贷款、创投公司融资等服务，支持初创企业进一步做大做强，从而达到培育产业的目标。服务模式共建研发中心：以我院科技力量作为技术支撑，共建企业研发中心，为企业服务共同承担国家和地方科技任务：以企业为主体或研究院为主体，共同承担国家创新基金，科技支撑以及地方科技攻关项目委托研究开发：由企业出题，承担全部的研发费用，知识产权归企业所有共同开发：由企业或研究所共同提出科技项目，双方共同投入，知识产权根据双方投入比例和前期技术积累而定技术转让和技术入股：将我院成熟的技术进行转让或以知识产权入股技术咨询和技术服务：以研究院的人力资源作投入，为企业提供技术咨询和技术服务石墨烯制备实验室石墨烯制备及表征石墨烯材料的宏量可控制备石墨烯薄膜大规模CVD制备及转片技术开发石墨烯储能实验室高性能石墨烯基超级电容器产品的开发新型高性能锂离子电池正极材料及高性能负极材料开发与石墨烯负极相匹配的高电压和高容量锂离子电池正极材料开发高性能石墨烯基储能锂离子电池材料的实用化研究石墨烯复合材料实验室石墨烯复合材料的开发石墨烯吸油材料的开发高性能石墨烯复合材料的开发 石墨烯分析测试中心石墨矿的分析测试石墨烯材料的分析检测石墨烯应用产品的检测石墨烯标准研究中心石墨烯材料标准研究石墨烯相关应用标准研究

四川蜀玻高硼硅泡酒瓶高硼硅泡酒瓶高硼硅泡

产品特点：MDM Linear, 1mlSKU: MDM Categories: 硅烷化试剂 / Standards, Linears Tags: Cyclics & Linears, Linears中文名称:八甲基三硅氧烷八甲基三硅氧烷是一种化学物质，化学试剂、精细化学品、医药中间体、材料中间体，又称聚（二甲基硅氧烷），甲基聚硅氧烷，分子式是C8H24O2SI3，Me3SiOSi(Me)2OSiMe3。英文名称:OctaMethyltrisiloxaneCAS:107-51-7特点● 结构：Me3SiOSi(Me)2OSiMe3● 配备最小毛细管气相GC纯度要求为98.0%

forte BPX90 – 90%氰丙聚硅亚苯基-硅氧烷? 独有的强极性柱，是分离芳香物、石化产品、杀虫剂、PCB 和FAMEs 异构体的理想之选；? 热稳定、键合相柱，主要通过极性分离；? 操作温度：80°C - 280°C；? 无直接替代产品。BPX90 – 90%氰丙聚硅亚苯基-硅氧烷订货信息：内径(mm)膜厚(μm)15m30m60m0.250.250545700545800545900.320.5054573054583054593

forte BPX608 – 35%苯基聚硅苯-硅氧烷? 特别适用于分离EPA 608 有机金属杀虫剂；? 操作温度：10°C - 360/370°C；? 等同产品：DB-608、HP-608、RTX-35、SPB-608、007-608 和ZB-35；? 完整的毛细管柱典型应用，请参照附录A 第140 页。BPX608 – 35%苯基聚硅苯-硅氧烷订货信息：内径 (mm)膜厚(μm)25m0.320.4054823

硅钼棒可用于管式炉、箱式炉的加热。 产品型号硅钼棒技术参数1、材料：MoSi22、工作温度：空气中1700℃，氮气中1600℃，氢气中1220℃-1500℃3、密度：5g/cm3-5.6g/cm34、维氏密度：570kg/mm25、孔隙率：7.4%6、吸水率：2%7、热延展性：4%8、适用范围：规格适用范围6×120mm×180mm×30mmKSL-1700X-A1、GSL-1600X-II/III6×125mm×200mm×30mm（1800℃）GSL-1800X6×125mm×200mm×30mmGSL-1700X6×160mm×200mm×30mmKSL-1700X-A26×220mm×200mm×30mmKSL-1700X-A36×280mm×220mm×30mmKSL-1700X-A4UΦ6mm/Φ12mm/热110mm×160mm×30mmGSL-1700X –S、KSL-1700X-S6×110mm×160mm×30mm（进口1800℃）GSL-1800X –S、KSL-1800X-S6×120mm×180mm×30mm（进口1800℃）KSL-1800X-A16×110mm×160mm×30mm（进口1900℃）GSL-1800X –S、KSL-1800X-S6×220mm×280mm×30mm（进口1900℃）KSL-1800X-A46×120mm×180mm×30mm（进口1900℃）KSL-1800X-A1 注意事项1、安装时，在放入硅钼棒前需在中间放入氧化铝塞，且氧化铝塞的宽度和长度应该适合棒的尺寸，以避免对棒造成损坏。2、在安装时一定不要撞击或施压。硅钼棒是非常脆的，如果氧化铝塞过宽，或者给棒施加大的压力都可能导致棒的脆裂。3、硅钼棒的电阻率随着温度的增加而增加。4、一般在正确使用的情况下，硅钼棒的电阻率不会因为老化而受影响，所以旧的硅钼棒与新的硅钼棒是可以一同使用的。

硅钼棒可用于管式炉、箱式炉的加热。 产品型号硅钼棒技术参数1、材料：MoSi22、工作温度：空气中1700℃，氮气中1600℃，氢气中1220℃-1500℃3、密度：5g/cm3-5.6g/cm34、维氏密度：570kg/mm25、孔隙率：7.4%6、吸水率：2%7、热延展性：4%8、适用范围：规格适用范围6×120mm×180mm×30mmKSL-1700X-A1、GSL-1600X-II/III6×125mm×200mm×30mm（1800℃）GSL-1800X6×125mm×200mm×30mmGSL-1700X6×160mm×200mm×30mmKSL-1700X-A26×220mm×200mm×30mmKSL-1700X-A36×280mm×220mm×30mmKSL-1700X-A4U?6mm/?12mm/热110mm×160mm×30mmGSL-1700X –S、KSL-1700X-S6×110mm×160mm×30mm（进口1800℃）GSL-1800X –S、KSL-1800X-S6×120mm×180mm×30mm（进口1800℃）KSL-1800X-A16×110mm×160mm×30mm（进口1900℃）GSL-1800X –S、KSL-1800X-S6×220mm×280mm×30mm（进口1900℃）KSL-1800X-A46×120mm×180mm×30mm（进口1900℃）KSL-1800X-A1 注意事项1、安装时，在放入硅钼棒前需在中间放入氧化铝塞，且氧化铝塞的宽度和长度应该适合棒的尺寸，以避免对棒造成损坏。2、在安装时一定不要撞击或施压。硅钼棒是非常脆的，如果氧化铝塞过宽，或者给棒施加大的压力都可能导致棒的脆裂。3、硅钼棒的电阻率随着温度的增加而增加。4、一般在正确使用的情况下，硅钼棒的电阻率不会因为老化而受影响，所以旧的硅钼棒与新的硅钼棒是可以一同使用的。

硅窗口纯Pure Silicon Windows纯硅膜的厚度有5nm, 9nm, 15nm, 35nm，利用溅射沉积纯硅，允许对含氮和/或碳的样品进行元素分析。单晶纯硅具有1-0-0取向，制作35 nm的薄膜，用于衍射研究和其它需要从单晶薄膜中获得均匀的背景应用。无孔硅薄膜轻微起皱，大约100微米间距有5微米或更少的偏转，这对于高分辨率成像来说通常是没有问题的。纳米多孔硅Nanoporous采用P30膜使多孔窗口更加多孔，孔径一般在10-60纳米范围。 l 纳米级别的厚度-成像窗口的厚度为5到35 nm，降低背景的干扰，以更高的对比度成像。5nm厚的无孔纯硅窗口比市面上最薄的非晶碳膜更薄。l 可等离子清洗-可以强力等离子清洗，去除有机污染，不像传统的碳膜l 场到场的均匀性-非多孔纯硅窗口比碳膜更薄，减少了场到场的可变性.(注：多孔窗口确实具有固有的结晶特征，但具有无背景纳米尺度的孔隙)。l 降低色彩模糊-与市面上最薄的无定形碳膜相比，5nm无孔纯硅窗口的色彩模糊减少一半。这种巨大的差异是由于电子通过硅窗口的薄膜的非弹性散射减少了两倍。反过来，减少的色彩模糊提供了一个潜在的成像分辨率的两倍提高。l 纳米尺寸孔-纯硅窗口可作为孔径为5~50 nm的多孔薄膜。孔隙允许简单和稳定的悬浮纳米材料进行成像，而不干涉背景。l 硅成分优点- 纯硅窗口的元素硅组分在高束流和高退火温度下显著提高了稳定性。纯硅成分还引入了最小的背景信号，使含有氮和/或碳的样品的元素分析可以通过EDX和EELS进行。l 孤立的多晶体硅-多孔纯硅窗口的多晶特性为x射线衍射研究提供了内部校准标准。孤立的晶体特征也为高分辨率尺寸测量提供了一个方便可靠的尺度，硅的晶格特征也很好。 l 亲水性-无孔和多孔纯硅窗口的亲水性可通过等离子体和/或臭氧处理来调节，从而使样品的制备变得更加容易，特别是在水溶液中的样品。l 高稳定性能-在高束流和高退火温度下(无孔600°C，纳米孔1000°C) 货号产品描述窗口尺寸膜厚度规格76042-70Single Crystal Pure Si TEM Window(8) 100μm, (1) 100x350μm35nm10/pk76042-71Non-Porous Pure Si TEM Window25μm sq.5nm10/pk76042-72Non-Porous Pure Si TEM Window(8) 50μm sq., (1) 50x100μm5nm10/pk76042-73Non-Porous Pure Si TEM Window(2) 50x1500μm5nm10/pk76042-74Non-Porous Pure Si TEM Window(8) 100 sq., (1) 100x350μm9nm10/pk76042-75Non-Porous Pure Si TEM Window(2) 100x1500μm9nm10/pk76042-76Non-Porous Pure Si TEM Window(8) 100 sq., (1) 100x350μm15nm10/pk76042-77Non-Porous Pure Si TEM Window(2) 100x1500μm15nm10/pk76042-78Nanoporous Pure Si TEM Window500μm sq.-10/pk76042-79Nanoporous Pure Si TEM Window(8) 100 sq., (1) 100x350μm-10/pk

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

BPX608 &ndash 35%苯基聚硅苯-硅氧烷 · 特别适用于分离EPA 608有机金属杀虫剂； · 操作温度：10° C - 360/370° C； · 等同产品：DB-608、HP-608、RTX-35、SPB-608、007-608和ZB-35。 BPX608 &ndash 35%苯基聚硅苯-硅氧烷 内径(mm) 膜厚(µ m) 25m 0.32 0.4 054823

leco 501-587 SAAR912 Platinized Silica 15g 铂硅

高功率皮秒激光器---新产品!——High power picosecond laser新产品! EdgeWave的最新产品是PX-系列和QX-系列超短脉冲INNOSLAB激光器，其平均功率分别为100瓦和400瓦，脉宽为10皮秒，它们的结构十分紧凑，尤其适合微加工应用。您可以在2011年慕尼黑国际应用激光、光电技术贸易博览会(LASER World of PHOTONICS 2011) EdgeWave的展台(Booth C 1.230)上看到这些产品。PX-系列高功率皮秒激光器 ——PX -Series High power picosecond laserPX-系列是基于INNOSLAB激光技术的皮秒振荡放大系统：- 光束质量： M2 1.5- 脉冲能量达 1000μJ- 脉宽 10ps- 峰值功率达 100MW- 脉冲重复频率达 20MHz- 平均功率达 400W- 波长 1064、 532、 355、266nm主要应用：- 光伏产业，如:硅晶园的划片、打孔和切割；薄膜太阳能电池和晶硅太阳能电池导电层和绝缘层的烧蚀- 印刷工业，如: 印刷轮雕版- 显示领域，如: 构造导电层，横向连续硅结晶- 电子行业，如: 印刷电路板的钻孔和切割- 汽车行业，如: 燃油喷射阀门的制造- 工具制造和机械工程，如: 三维快速成型综述:

高硅硼油液取样瓶高硅硼油液取样瓶热烈祝贺普洛帝全球分析仪器事业部推出第七代炫彩双激光窄光颗粒计数器的同时，升级配套专用的清洁瓶，清洁等级再上高度；高等级清洁度可达4um以上颗粒为0个！清洁度等级RCL不大于15个/100mL，技术超过同类企业。高硅硼油液取样瓶根据国际最新标准颗粒度专用取样瓶平均检出质量极限AOQL和清洁度等级RCL均达国际标准；高硅硼油液取样瓶可经过：ISO 3722、GB/T17484、NAS1638、ISO4406、SAE749D、ISO16232、GJB420A/B、GB/T14039、DL/T427和DL/T1096验证，完全符合ISO3722《液压传动· 取样容器清洗方法的鉴定》清洗专用器具的标准要求。高硅硼油液取样瓶耐高温高压，耐酸碱/有机试剂/浓硫酸+重铬酸钾配置的洗液浸泡，防漏外旋盖，瓶口O形防滴漏圈！高硅硼油液取样瓶瓶盖颜色还有蓝色、橙黄、粉红可供选择！ 优质材料，高硬度，高透明度！全自动设备生产，品质优良一致！ 可替代进口产品！高硅硼油液取样瓶适用于各种液体颗粒度测试的采样，又称清洁瓶、取样瓶、净化瓶、无菌瓶、洁净瓶、滤液瓶。颗粒计数器专用取样瓶是采用高精度超声波清洗机清洗、十万级洁净风风淋，烘干密封，紫外杀菌，清洁度验证等一整套工艺制作而成，取样瓶清洁度：NAS1638-00级，是颗粒计数器进行液体污染度测试的专用采样容器。高硅硼油液取样瓶可广泛用于液压元器件、液压系统、液压站、油缸、齿轮箱、变速箱、变压器、汽轮机组、反应釜、马达、发动机、泵、阀、轮毂、能器、过滤器、冷却器、加热器、油管、管接头、油箱、压力计、流量计、密封装置等等的油样抽样及手动取样。高硅硼油液取样瓶技术阐述：高硅硼油液取样瓶平均检出质量极限AOQL：0.5%高硅硼油液取样瓶清洁度等级RCL：15个/100mL高硅硼油液取样瓶验证标准:NAS1638或GJB380高硅硼油液取样瓶容积：220毫升、250毫升高硅硼油液取样瓶产地：西安高硅硼油液取样瓶品牌：普勒/PUll 请认准普勒/PULL商标，以防假冒！高硅硼油液取样瓶材质：玻璃/高硅硼高硅硼油液取样瓶耐温：150度高硅硼油液取样瓶耐压：0.1mpa高硅硼油液取样瓶洁净度：NAS 00~4级，可定制高硅硼油液取样瓶供应：现货供应高硅硼油液取样瓶最小起订量：12只高硅硼油液取样瓶检测方：普研检测高硅硼油液取样瓶可替代：各类进口颗粒计数器要求用取样瓶高硅硼油液取样瓶配套性：可配套全球各类油液污染取样、颗粒检测取样、清洁度分析取样、油液监测取样、油液分析取样、常规取样。高硅硼油液取样瓶配套仪器：颗粒计数器 颗粒计数仪 颗粒计数系统 油液颗粒度分析仪具体详情请电询普洛帝中国服务中心！本次活动解释权归普洛帝全球中国服务中心所有！普洛帝、Puluody、普勒、Pull、PLDMC为Puluody公司在中国大陆注册的商标！有关技术阐述、参数、服务为普洛帝测控独家拥有，普洛帝保留对经销商、用户的知情权！普洛帝为贵司提供：颗粒度取样瓶、颗粒计数器净化瓶、清洁无菌瓶、洁净瓶、颗粒滤液瓶、油液颗粒度检测仪、油液颗粒计数器、油液颗粒技术系统、油液粒子计数器、油液颗粒度分析仪，颗粒度检测仪、高硅硼油液取样瓶、颗粒计数器、油液激光颗粒计数器、颗粒计数系统、自动颗粒计数器、激光油液颗粒计数系统、实验室激光油液颗粒计数系统、实验室颗粒计数器、实验室油液颗粒度分析仪、实验室油液颗粒计数器、实验室激光油液检测仪、高硅硼油液取样瓶油污染度检测仪器/洁净度检测设备/油颗粒度仪专用取样瓶是符合NAS,ISO标准的专用取样瓶/净化瓶关键词:HIAC 8011 颗粒计数器、美国太平洋 HIAC ROYCO 8000A / HIAC 8011 / HIAC 8012 油污染度检测仪器 / 洁净度检测设备 / 油颗粒度仪(HIAC ROYCO 8000A Particle Counter)专用取样瓶、高硅硼油液取样瓶、PLD-0201油液颗粒度检测仪润滑油颗粒度分析仪 液压油清洁度检测仪，液压污染检测仪 双激光液压油颗粒度检测仪，油液污染检测专用取样瓶 HIAC 8011 颗粒计数器、HIAC PODS颗粒计数器、HIAC PM4000颗粒计数器、PALL HPCA-Kit-O污染度检测仪 、PALL HPCA-2污染度检测仪、PALL PIM400污染度检测仪 、PALL PCM400污染度监测仪、PALL PFC400污染度检测仪，油液颗颗粒度 污染度 清洁度仪器 颗粒度计数器 油液颗粒度分析仪、颗粒度计数器、颗粒度计数器、油液清洁度分析仪、油液颗粒度分析仪、油液颗粒度分析仪、油料微粒粒度分析仪、SBSS型实验室用颗粒计数系统、S40型现场用便携式颗粒计数系统、便携式白光油液颗粒计数仪、颗粒计数器/油品污染检测仪、微粒粒度分析、颗粒计数仪专用取样瓶 ，全面替代进口产品的颗粒度检测仪专用瓶、高硅硼油液取样瓶

定硫仪硅碳管内径为:30mm，外径40mm；KZDL系列分体硫长400mm，HDL系列一体硫长340mm； 耐高温:1200以上。DL-1型双管定硫仪硅碳管：内径：60mm，外径：70mm，长度：380mm。HDL－600型自动测硫仪硅碳管：内径：50mm，外径：60mm，长度：200mm。硅碳管调试时以 10欧 为最佳值。其阻值过大或过小，都将造成最大加热电流变小，其自然老化后，阻值将会变大。表现为升温时间变长或升不到设定温度：此时炉流模拟显示灯不能达到 9 或 10 灯亮位置。处理办法一般以更换为好，判定时可量其阻值情况。灰熔点测定仪硅碳管内径为70mm，外径80mm；长：500mm ； 耐温:1650℃以上。胶质层测定仪硅碳棒总长度:270mm,电阻值:6~8 Ω,使用部分长度:150mm,直径:8mm,冷端长度:60mm,直径:14mm 耐温:1200~1400℃ 煤炭活性测定仪硅碳管内径为40mm，外径50mm；长：640mm ； 耐温:1600℃以上。

高真空硅脂主要用于真空系统密封和润滑进出气端口（极限真空6.5×10-4Pa）。 产品型号高真空硅脂主要特点1、具有良好的热稳定性和可存储性。2、具有完美的电气绝缘性、密封性、润滑性。3、具有化学介质防腐蚀性。技术参数1、颜色：白色，半透明状2、渗透力：0.1mm3、使用温度：-40℃-200℃ 产品规格重量：90g

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仪器配件 硅碳管

BPX90 &ndash 90%氰丙聚硅亚苯基-硅氧烷 · 唯一的强极性柱，是分离芳香物、石化产品、杀虫剂、PCB和FAMEs异构体的理想之选； · 热稳定、键合相柱，主要通过极性分离； · 操作温度：80° C - 280° C； · 无直接替代产品。 forte BPX90&ndash 90%氰丙聚硅苯基-硅基烷 　 内径(mm) 膜厚(µ m) 15m 30m 60m 0.25 0.25 054570 054580 054590 0.32 0.5 054573 054583 054593

forte BPX50 – 50%苯基聚硅苯-硅氧烷? 低流失、中等极性，特别是用于EPA 方法和药物分析；? 操作温度： 0.1 – 1.0μm 膜厚 40°C - 360/370°C；? 相似固定相： DB-17、DB-17ms、DB-17HT、HP-17、AT-50、AT-50ms、RSL-300、RTX-50、PE-17、CC-17、007-17(MPS-50)、SP-2250、HP-50+、SPB-50、SPB-17 和ZB-50；? 完整的毛细管柱典型应用，请参照附录A 第140 页。BPX50 – 50%苯基聚硅苯-硅氧烷订货信息：内径(mm)膜厚(μm)10m15m30m60m0.10.1054740√——0.150.15√√054741—0.250.25√0547500547510547520.320.25√0547600547610547620.530.5√054770054771—1.0√√054772—√=这些规格我们同样提供，需要更详细信息请与我们联系。

硅钼棒配备美诚TM系列1700，以及TE0917陶瓷纤维马弗炉。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

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