品牌:Elionix型号:ELS-F125/F100/HS50关键词标签:电子束曝光,电子束直写简短描述:(40字):利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案,通过ELB设备曝光和显影,可用于加工sub-10nm的精细结构。一、简介ELS-F125是Elionix推出的世界上最早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点:l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl 高通量、均匀性好- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小,高通量而不影响分辨率,2 nm 电子束直径@ 1 nAl 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件二、主要功能l 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件,如光栅,光子晶体等NEMS结构,复杂精细结构光刻掩模板,压印模板l 技术能力型号ELS-F125ELS-F100ELS-HS50电子枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪加速电压125 kV, 75 kV, 25 kV100 kV, 50 kV, 25 kV50 kV, 20 kV最小束流直径Φ 1.7 nm (@ 125 kV)Φ 1.8 nm (@ 100 kV)Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA)最小线宽5 nm or less (@125 kV)6 nm or less (@100 kV)20 nm (@ 50 kV, 2 nA)电子束束流5 pA to 100 nA20 pA to 100 nA1 nA to 1 μA视场范围Max. 3,000 μm x 3,000 μmMax. 3,000 μm x 3,000 μmMax. 3,000 μm x 3,000 μmMin. 100 μm x 100 μmMin. 100 μm x 100 μmMin. 100 μm x 100 μm束流定位Max. 1,000,000 x 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 x 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 x 1,000,000 (20bit DAC)束流定位分辨率Min. 0.1 nmMin. 0.1 nmMin. 0.1 nm大样品尺寸8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask三、应用
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