探针材料

该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.导体材料电阻率测试仪GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要探针与试样压力分为小于0.3N及0.3 N¯ 0.8N两种。以下文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。但凡注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括订正的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。但凡不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T 1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法样品台和操针架样品台和探针架应符合GB/T152 中的规定。样品台上应具有旋转360"的装置。其误差不大于士5"，测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。

概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … 测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.

测量装置测量装置的典型电路叉图1，范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A-5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量准确度尚未评估。使用直排四探针测量装置、使直流电流通过试样上两外探件，测量两内操针之间的电位差，引人与试样几何形软有关的修正因子，计算出薄层电阻。覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

一、适用范围四端测试法是目前较先进之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BCD-310 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求二、1. 便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；2. 基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。3. 精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%4. 整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%5. 四位半显示读数；八量程自动或手动测试；6. 测量范围宽： 电阻：10-4Ω～105Ω ；方阻：10-4Ω/□～105Ω/□；7. 正反向电流源修正测量电阻误差8. 恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。

FT-541SJB自动双极板材料四探针低阻/接触电阻测试仪一.概述：用于双极板材料本体电阻率和双极板与炭纸之间的接触电阻的测量和分析.通过PC软件操作界面运行，四探针低阻测量和接触电阻分析，自动生成报表，自动获得压力变化下电阻，电阻率和电导率的变化图谱，样品厚度测量，自动运算.统计分析，二.参照标准：GB/T 20042.6-2011质子交换膜燃料电池 第6部分：双极板特性测试方法中四探针低阻测量和接触电阻测试方法及要求；三.参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□ 2.电阻率范围：10-6～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.PC软件界面：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率、电阻率、压强等.7.测试方式: 四探针测量（体电阻率）和四端法（接触电阻测量）8.压力范围：0-1000kg（0-4MPa）.9. 样品形状为正方形（镀金电极为5cm×5cm)，面积为25cm2（其他规格定制）10.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W11. 加压方式：自动12. 样品高度量程和精度：高度测量范围：0.001-10.001mm，测量分辨率0.001mm13.温湿度范围：常温-50度；湿度：20%-98%14.恒压时间：0-99.9S15.标配标准件：a.标准校准电阻1个；b.标准高度校准件1个16. 工作电源：220±10% 50HZ/60HZ17.标配外选购：

ChemInstruments 化仪 探针材料分析仪 PMA-2000美国ChemInstruments 公司研制的PMA-2000探头材料分析仪具有精心设计, 功能齐全及操作简便等特征,可用于测试分析各种材料的特性, 例如黏性高分子材料, 粘合剂及混合物. 测试传感器将记录探头插入, 停留及抽出时的试验数据。随附的EZ数据软件使数据管理变得更容易。 仪器特性：l 坚固的结构，能够承受生产环境使用 l 探头有效行程为9吋；l 速度选择范围为0.02 到 40 吋/分 (0.5 to 1016 cm/m) 1-64 厘米/分钟l 可选定所需数据测试点l 可同时进行拉伸及压缩性能测试；l 可用压力及行程测定插入试验l 可独立设定插入及抽回速度,并可调整停留时间及行程；l 可调测试长度为0.025-4英寸（增量为0.025）或0.05-10厘米（增量为0.05厘米）l 读数单位可选择克, 公斤, 盎司, 磅或牛顿l 自动反程归位装置，自动过载保护装置；l 标准10 磅 (4.5 Kg) 压力传感器l 工作温度范围32°-150°F（0°-70°C）l 包括 EZ-Lab 软件 (不含微机, 探头及夹具，可选购不同种类的探头及夹具)l 数据可下载至EZ数据软件进行完整的数据管理l 精确到称重传感器量程的±0.1%l 最多可拉动25磅（11千克）l 通用输入电压85-265伏交流电（50/60赫兹） 可选探针 数据采集系统 l 采样频率为400Hz，采集8个采样，取平均值，记录一个检测数据。每隔20毫秒生成一个一个检测数据。l 检测完成时生成一张数据图表， 同时显示测试的平均值，最-高和最-低值。l 用EZ数据软件通过USB接口导出到本地PCl 检测值可选克、千克、盎司、磅或牛顿为单位 EZ数据 使用我们的EZ数据管理软件，EZ数据兼容的远程设置，操作控制和提高数据收集都是可行的。此应用程序需要一台外部PC（请参阅有关EZ Data产品的更多信息）校准服务本设备提供校准服务。请与我们联系以获取更多信息。 称重传感器易于拆卸，以便进行年度校准。配件：基本要求：提供各种探针固定装置：杯形夹具环缝夹具90°剥离夹具探针定位夹具非必需：各种试板尺寸和材料定制尺寸的手压辊各种尺寸的样品带切割机测试板支架可选：其它的压力传感器：2、5和25磅PSTC和TLMI测试手册尺寸：高：23英寸（58厘米）宽：13英寸（33厘米）长：16英寸（41厘米）重量：30磅（14千克）方法：该设备可用于通用的测试方法。l PSTC: 101 (A, B, C, D, E, F), 4, 16l ASTM: D 2979, D 3330, D 6195Al TLMI: L-IA1, L-IA2, L-IA3l AFERA: 4001 P11l FINAT: FTM 1-6, 9, 10, 11

覆盖膜 导电高分子膜，高、低温电热膜 隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸 金属化标签、合金类箔膜 熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜 电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.采用四探针组合双电测量方法，液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出；选配：PC软件进行数据管理和处理.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.概述：采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，实验室；是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示，温度补偿功能，自动量程，自动测量电阻，电阻率，电导率数据。恒流源输出；选配：PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器，薄膜按键操作简单，中文或英文两种语言界面选择，电位差计和电流计或数字电压表，量程为1mV¯ 100mV,分辨率为0.1%，直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距，四探针应以等距离直线排列，探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R +R，)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F，见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样，选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3 N¯ 0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样，选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针，针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表，能指示阻值高达10°日的漏电阻，温度针0℃-40℃，小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果，甲醇、99.5%，干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针，针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差，硅片几何形状，表面粘污等会影响测试结果，R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.，见式(3).试剂优级纯，纯水，25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R，(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃，具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，到达热平衡时，试样温度为23 ℃±1℃.接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1测量范围电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□电 阻：1×10-5～2×105 Ω ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径：A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm， 方测试台直接测试方式180mm×180mm， 长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可

1.恒奥德仪器手持式四探针测试仪四探针检测仪 配件型号HAD-3 HAD-3型手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.HAD 标准。仪器成套组成：由HAD-3主机、选配的四探针探头等二分组成，也可加配测试台。仪器所有参数设定、能转换采用轻触按键输入；具有零位、满度自校能；手动/自动转换量程可选；测试结果由数字表头直接显示。本测试仪采用可充电电池供电，适合手持式变动场合操作使用！探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻行测量。配探头，也可测试电池片等箔上涂层电阻率方阻。详见《四探针探头特点与选型参考》点击入仪器具有测量度、灵敏度、稳定性好、智能化程度、结构紧凑、使用简便等特点。仪器适用于半导体材料厂、器件厂、科研单位、等院校对导体、半导体、类半导体材料的手持式导电性能的测试。 三、基本术参数1. 测量范围、分辨率电 阻： 0.010 ～ 50.00kΩ, 分辨率0.001 ～ 10 Ω电 阻 率： 0.010～ 20.00kΩ-cHAD， 分辨率0.001 ～ 10 Ω-cHAD方块电阻： 0.050～ 100.00kΩ/□ 分辨率0.001 ～ 10 Ω/□ 2. 可测材料尺寸手持方式不限材料尺寸，但加配测试台则由选配测试台决定如下：直 径：HADT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130HADHAD。HADT-C方测试台直接测试方式180HADHAD×180HADHAD。长()度：测试台直接测试方式 H≤100HADHAD。.测量方位: 轴向、径向均可. 量程划分及误差等 2.声波泥水界面计污泥水界面计声波泥水界面仪 型号DQF-QFWJ-100 测量原理传感器发出声波遇到泥层会反射，测出发射波和反射波之间的时间，就可以得出传感器到泥层的距离H；传感器到池子底面的距离是用户设置的L；这样就可以得到泥层的厚度D=L-H。参数:测量范围：0.5~10m准确度：±1.0%分辨率：1mm标 定：出厂标定，可现场校验 显 示：液晶显示 模拟输出：4～20mA、大负载750W继电器输出：报警继电器输出 继电器容量：AC230V、5A数字接口：可选RS485供电电源：AC220V±10%材 质：PC防护等：IP65作温度：-20~60℃材 质：316不锈钢、PVC连接方式：G1管螺纹 传感器线缆：10米（其他长度可在订货中说明） 防护等：IP68作温度：0~60℃环境湿度：相对湿度≤90%过程压力：0.6MPa 3.红外辐照计/红外辐照度计 型号:HAD-IR850 标 1、波长选择：本仪器有如下两种波长的红外探测器可供选择： （1）中心波长850nm； （2）中心波长940nm；2、测量范围：1uw/cm2~999.9k uw/cm2；3、测量度：5%；4、显示刷新率：1次／秒；5、供电电源：9V叠层电池；6、耗：＜20mW 7、作环境条件：温度0~40℃、湿度：＜90％；8、仪表尺寸：130mm×65mm×25mm 4.多能土壤腐蚀速度测量仪 型号 HAD-ZKW180 术特点】 采用五个相同材质电环组合联结成组合式电化学探头，有效地降低了测量腐蚀电流密度时土壤介质IR降的影响；其中辅助电（CE ）研究电（WE ）和 参比电（RE）的连接方式以（CE-WE-RE）表示，组合式电化学探头连接方式为（1-5，2-4 ，3 ）。研究电（WE ）和参比电（RE） 的面积为5cm2 ； 运用四电探针，采用相对较低的测量电压，准确测定土壤电阻率，避免压测量带来的读数困难和土壤电解成理化性能破坏； 采用标准铂电、硫酸铜电用于测量土壤氧化还原电位； 在探头聚四氟缘棒上固定度测温元件测量土壤温度； 运用预孔器方法，测量时对土壤原有结构的破坏很小且不用开挖； 前端采用锥形设计以保证探头和土壤间有良好的接触； 探头通过打磨可重复利用。 1 土壤腐蚀性评定 多能土壤腐蚀速度测量仪 应用域 Ø 输油、气埋地管线、城市埋地管线外腐蚀评价 Ø 混凝土腐蚀性评定 Ø 水溶液腐蚀介质腐蚀性评定 Ø 等等 多能土壤腐蚀速度测量仪 术标 Ø 仪器正常使用的环境条件： • 温度：0 ℃至40 ℃. • 相对湿度：≤80%RH Ø 土壤温度测量范围：零下10℃至100℃，误差：2 ℃ Ø 土壤氧化还原电位测量范围：±2000mV，误差：≤1% Ø 土壤电阻率测量范围：0至10KΩm，误差：≤2% 土壤化电阻测量范围：40Ω至300KΩ，误差：≤3% 土壤腐蚀速度测量范围：1 ×10-4至2 mm/a 蓄电池充电时间6小时，充电时可正常作。次充电后可持续作24小时 5.初粘性和持粘性测试仪/斜面滚法、胶粘带瞬间粘合力测试仪/初粘性测试仪 型号:CZYG 适用于压敏胶带等相关产品行初粘性测试试验，具A斜面滚法B斜槽滚法两种试验方法，转换方式简单易行。特点: 采用斜面滚法的测试原理，测试试样的瞬间粘附性能 按照家标准设计的测试钢，确保了测试数据的准性 测试倾斜角度可以按照用户的需求行自由调整 应用: 基础应用 胶粘制品 适用于各种胶粘类制品的初粘性测试，如压敏胶带、用贴剂、不干胶标签、保护膜等 作原理：采用A法斜面滚法和B法斜槽滚法 1. A法通过钢和压敏胶粘带试样粘性面之间以微小压力发生短暂接触时，胶粘带对钢的粘附作用来测试试样初粘性。将钢滚过平放在倾斜板上的胶粘带粘性面，根据规定长度的粘性面能够粘住的钢尺寸，评价其初粘性大小。 2. B法将规定大小的钢滚过倾斜槽，测量其在水平板上的胶粘带粘性面上滚动的距离来评价其初粘性的大小。 术参数:可调倾角： 0-60° 台面宽度： 120mm 试区宽度： 80mm 标准钢： 1/32-1英寸 药典46枚钢 外形尺寸： 14（B）×32（L）×18（H）cm 重 量： 13 kg 配置:主要由倾斜板、放器、支架、可调水平底座及钢盒等分构成 6.单体支柱测压仪 测压仪 型号HAD-40Z HAD-40Z单体支柱测压仪也称为外平衡仪表，用以检测单体液压支柱初撑力（作阻力）的增压式。 HAD-40Z单体支柱测压仪术参数： ⑴ 量程： 0 ～ 40MPa ；⑵ 显示方式：微表式；⑶ 度： 2.5%FS ；⑷ 作介质：含 2% 乳化液或乳化油；⑸ 重量： 1.3 ㎏；⑹ 每桶液体充液次数： 90 ～ 100 7.测力环/ 土用测力环 测力装置 应力环 型号:HAD-100KN 测力环与路面材料强度试验仪主机及相应附件配套使用，可做无侧限抗压强度、承载比、马歇尔稳定度、劈裂试验、回弹簧模量等试验。规格：150KN、100KN、60KN、30KN、7.5KN、2KN能简介：测力环结构合理、操作方便，适用于各种型号路面材料强度试验仪、承载比试验仪、电动应变无侧限压力仪、土基试验仪等公路仪器标准力值的试验。术参数：示值重复性相对误差不大于0.3% 示值回程相对误差不大于1.5% 示值长期稳定度（三个月）不大于0.3% 回零偏差不大于0.2个分度 灵敏度所不大于0.2个分度对应的力值8.智能化γ辐射仪/智能化伽玛辐射仪 型号 HAD-2000 仪器特点 灵敏度、能量响应范围宽、耗低、稳定性好、操作方便，中文显示被测石材的A、B、C类别，亦可显示计数率和吸收剂量率。 术标 1.测量模式 常规测量：每3s测量次，显示每秒的平均值； 定时测量：可自行选择10s、30s、60s、300s、600s中的 档测量，仪器显示每秒钟的平均值 2.测量范围：（0.01～100）μGy/h 3.能量阈：40keV 4.测量线性：放射性强度γ与计数率CPS的相关系数≥0.999 5.长期稳定性：≤6%（连续作8h） 6.准确度：＜20％ 7.灵敏度：1μGy/h（103nGy/h）的计数≥350s-1 8.电源：3节1号电池 9.耗：≤100mW 10.使用环境 温度：（0～40）℃ 湿度：≤90%（40℃） 11.外形尺寸及重量（含包装箱）：（350×200×250）㎜；6㎏ 仪器认证 中计量科学研究院检定并出具检定证书 9.活化仪/吸附管老化仪/老化仪 型号:HAD-TH-10 HAD-TH-10 型活化仪是在热解吸的基础上，为提作效率而研制设计的检 测配套件。其特点是具有立控温系统，不需外接其何控温设备，即可 立成 1 — 10 支吸附管的活化过程，自带流量计，显示直观，操作简单。 术参数： ◆ 电源：220VAC 50Hz ◆ 率：300VA ◆ 控温范围：室温~400℃ ◆ 控温度：±1℃ ◆ 定时范围：1分钟~99小时59分钟 ◆ 流量调节范围：0~1000ml/分钟 ◆ 次多活化数量：10支吸附管 ◆ 吸附管长度：110mm以上（却省） ◆ 外型尺寸：x宽x深 225 x 265 x 345 ◆ 净重：约7.5kg 10凝胶化时间测试仪/凝胶化时间检测仪/酚醛树脂凝胶化 型号：HAD-YGT-A 产品说明： 常温HAD-YGT-A型凝胶化时间测试仪术规范： ►温度：室温—230.0℃ 意调节 ►温度度：±0.5℃，四位LED显示 ►热盘尺寸：￠50×2.5 ｍｍ ►温度控制：欧姆龙固态继电器PID控制 ►时钟：0—999.9秒计时，带“启动/停止”和“归零”开关 ►温度和时间控制与热盘是二个并列的组合体（参考照片） ►外形尺寸（W×D×H）：342×170×190mm ►机体重量（㎏）：约18㎏ ►电 源：220V,50HZ,600W 本公司主营 不锈钢采水器，弯曲测量装置，鼓风干燥箱，色度计，化学试剂沸点测试仪，提取仪，线缆探测仪，溶解氧测定仪，活性炭测定仪，磁导率仪，比浊仪，暗适应仪，旋转仪，酸度计，硅酸根测定仪，过氧化值测定仪，腐蚀率仪，电阻率测定仪，耐压测定仪，污泥比组测试仪，粉体密度测试仪，机械杂质测定仪，运动粘度测试仪，过氧化值酸价测定仪，噪声源，土壤腐蚀率仪，直流电阻测试仪，厌氧消化装置，耐压测试仪，甲醛检测仪，硅酸根测试仪，PH酸度计，测振仪，消解仪，读数仪，空气微生物采样器，，双波长扫描仪，涂层测厚仪，土壤粉碎机，钢化玻璃表面平整度测试仪，腐蚀率仪，凝固点测试仪，水质检测仪，涂层测厚仪，土壤粉碎机，气体采样泵，自动结晶点测试仪，凝固点测试仪，干簧管测试仪，恒温水浴箱，汽油根转，气体采样泵，钢化玻璃测试仪，水质检测仪，PM2.5测试仪，牛奶体细胞检测仪，氦气浓度检测仪，土壤水分电导率测试仪，场强仪，采集箱，透色比测定仪，毛细吸水时间测定仪，氧化还原电位计 测振仪，二氧化碳检测仪，CO2分析仪，示波谱仪，黏泥含量测试仪，汽车启动电源，自动电位滴定仪，，干簧管测试仪，电导率仪，TOC水质分析仪，微电脑可塑性测定仪，风向站，自动点样仪，便携式总磷测试仪，腐蚀率仪，恒温水浴箱，余氯检测仪，自由膨胀率仪，离心杯，混凝土饱和蒸汽压装置，颗粒强度测试仪，斯计，自动涂膜机，，气象站，动觉方位仪，，气味采集器，雨量计，四合气体分析仪，乳化液浓度计，溶解氧仪，温度测量仪，薄层铺板器，温度记录仪，老化仪，噪音检测仪，恒温恒湿箱，分体电阻率测试仪，初粘性和持粘性测试仪，红外二氧化碳分析仪，氢灯，动觉方位仪，冷却风机，油脂酸价检测仪，粘数测定仪，菌落计数器，气象站，雨量计，凯氏定氮仪，荧光增白剂，啤酒泡沫检测仪，发气性测试仪，低频信号发生器，油液质量检测仪，计数器，漏电流测试仪，标准测力仪，毛细吸水时间测定仪，大气采样器，流速仪，继电器保护测试仪，体积电阻率测试仪，侧面光检测仪，照度计，体化蒸馏仪，涂布机，恒温加热器，老化仪，烟气分析仪 本产品价格仅为配件价格，由于检测参数不同对仪器的终要求也不同，所展示的价格并非产品终价格，如给您带来不便请谅解请您在购买前联系我们客服人员，我们会给你确认产品信息，术参数以及报价，我们会以优惠的价格，诚恳的态度为您服务，期待您的来电！ 以上参数资料与图片相对应

一、产品概述：探针台是一种用于微小电子元件和材料的测试设备，广泛应用于半导体、材料科学和微电子领域。它提供一个稳定的平台，用于精确定位和连接探针，以实现对样品的电气测试和分析。二、设备用途/原理：设备用途探针台主要用于测试集成电路、薄膜材料和微结构等的电气性能。常见应用包括半导体器件的参数测试、材料的电阻率测量和故障分析等。通过高精度的定位和可调节的探针，研究人员能够获取样品的详细电气特性。工作原理探针台的工作原理是通过机械系统将探针精确地定位到样品的特定接触点。设备通常配备高分辨率的光学系统，用于观察样品并调整探针的位置。当探针接触样品时，可以通过外部测试设备（如源测量单元）施加电流或电压，并测量相应的电压或电流反应。通过这种方式，研究人员可以获取样品的电气参数，分析其性能和特性。三、主要技术指标：1. 探针台主要应用于晶圆、芯片、器件、封装等半导体制程测试环节2. 样品尺寸：碎片~12英寸3. 自动化：手动、半自动、全自动4. 测试环境：高低温、磁场、真空5. 探针台类型：分析探针台、直流、射频、高压、毫米波、太赫兹、硅光测量、芯片测量、定制化等。

四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪光伏测试专用美国ResMap四点探针CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,THROUGHPUT高 * 数字方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67m&Omega -cm及Implant高电阻2K&Omega /□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可以装2~4个量测头,并且可以Recipe设定更换CDE　ResMap&ndash CDE　公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的。 主要特点： 测量范围广,精度高,稳定性好,功能齐全强大,软件好用,维修成本低,服务好,配件齐全...美国进口四探针电阻率测试仪(4PP)/方块电阻测试仪/太阳能光伏扩散薄层电阻测试仪（Four point probe(4PP)）设备名称: 四点探针电阻仪 (CDE ResMap)主机厂牌、型号与附件: CDE ResMap规格:1. Pin material: Tungsten Carbide.2. Pin compression force Typically 100 gm to 200 gm.3. 样品尺寸: 2吋至6吋晶圆 (表面须为平整的导电薄膜，半导体材料)设备用途: 导电薄膜的电阻值分布测量，半导体，光伏特点：1）针尖压力一致2）适用于各种基底材料3）友好的用户界面4）快速测量5）数据可存储 应用：1）方块电阻2）薄片电阻3）掺杂浓度4）金属层厚度5）P/N类型6）I/V测试

多功能四探针测试仪,数字式四探针测试仪FT-341双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-5～2×105Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×106Ω-cm3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.1%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原 FT-342双电测电四探针方阻电阻率测试仪本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。参数资料1.方块电阻范围：10-4～2×103Ω/□2.电阻率范围：10-5～2×104Ω-cm3.测试电流范围：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度：±0.2%读数5.电阻精度：≤0.3%6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式: 双电测量8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W9.整机不确定性误差: ≤4%（标准样片结果）10.选购功能: 选购1.pc软件；选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头： 探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；优秀与智慧之原

1：四探针测试仪 四探针检测仪 四探针测定仪/四探针电阻率测定仪 型号：HARTS-8HARTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.M 标准而的，于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了电子行、装配。具有能选择直观、测量取数快、度、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、等院校对半导体材料的电阻性能测试。　术　　标 ： 测量范围 电阻率：10-5～105 &Omega .cm(可扩展)； 方块电阻：10-4～106 &Omega /□(可扩展)； 电导率：10-5～105 s/cm； 电阻：10-5～105 &Omega ； 可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； 400mmX500mm(配S-2C型测试台)；恒流源 电流量程分为1&mu A、10&mu A、100&mu A、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　 分辨力：10&mu V； 输入阻抗：1000M&Omega ； 度：± 0.1% ； 显示：四位半红色发光管数字显示；性、量程自动显示；四探针探头基本标 间距：1± 0.01mm； 针间缘电阻：&ge 1000M&Omega ； 机械游移率：&le 0.3%； 探针：碳化钨或速钢Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿(总力)；四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)模拟电阻测量相对误差( 按JJG508-87行) 0.01&Omega 、0.1&Omega 、1&Omega 、10&Omega 、100&Omega 、1000&Omega 、10000&Omega &le 0.3%± 1字整机测量相对误差(用硅标样片：0.01-180&Omega .cm测试)&le ± 5%整机测量标准不确定度 &le 5%计算机通讯接口 并口，速并行采集数据，连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程档时）。连接电脑使用时带自动测量 能，自动选择适合样品测试电流量程；标准使用环境 温度：23± 2℃； 相对湿度：&le 65%； 无频干扰； 无强光直射；配置 四探针测试仪主机、探针台、四探针探头、 2：多种气体采样器/多种气体取样器/多种气体出样器（100ml） 型号：HAD/CZY-100产品介绍：主要用于检查空气中各种气体的含量。配合气体检测管使用。配套使用检测管的方法及优势：1、用砂片稍用力将检测管两端各划圈割印。2、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端，沿切割印掰断，用同样方法掰断另端。3、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端（防止漏气），插入所要检测标注的气体通道口上（稍用力插紧）。注意方向性，箭头方向代表气体流过方向。4、将所需检测的若干项的检测管，按以上方法均插好之后，接通电源，即可正常使用。5、调节所需检测气体对应的时间控制器，使其符合标（见附表）。6、检测结束，拔出检测管。7、手持检测管箭头朝下，并垂直于地面放在与目光基本不平的位置，观察管上颜色变化所刻度，既为被检测气体的浓度。 （1）双重优点：测量气体的检测管实际是将化学分析方法仪器化，是种定量、定性、定值的检测方式,具有化学分析和仪器分析的双重优点。（2）适应性好：检测管现有Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三种，从零点到几个PPM（10-6）到百分之几十，适用范围很大，为分析作提供了很大方便。（3）操作简便：为专业检验人员提供了很大的方便，操作人员按照使用说明书操作方法行测试即可。（4）使用安：使用时手动操作，无需要电源、热源，在有易燃易气体存在的场所能安使用。（5）分析速度快：由于操作方便，使得每次分析所需时间大为缩短，般仅需十几分钟即可得知结果，其分析速度是何化学分析和仪器方法不能比拟的。（6）测量度：在检测管含量标度的确定上模拟了现场分析条件，采用不同标准气标定，克服了化学分析中易带入的方法误差。同时减少了人为误差。 温馨提示：以上产品资料与图片顺序相对应。

PXB-S系列探针台 PXB-S系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜和体式显微镜●载物台可Z轴升降●载物台Theta可粗调360°, 微调±7 °●载物台XY移动分辨率为1um。●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●显微镜支架万向杆PXB-S系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试 ●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-M系列探针台 PXB-M系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台可Z轴升降●载物台Theta可粗调360°, 微调±7 °●载物台XY移动分辨率为1um●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降PXB-M系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD& TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-E系列探针台 PXB-E系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台气浮快速移动●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降●Platen 三阶抬杆， 微调移动行程为40mm，抬杆重复性精度为2umPXB-E系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析 ●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-BE系列探针台PXB-BE系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台气浮快速移动， 三档控制，X轴独立控制，Y轴独立控制，XY同步控制，XY同步控制●可选配高压高流测试环境●快速装片并可任意位置锁定功能●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降●Platen 二阶抬杆， 微调移动行程为60mm，抬杆重复性精度为1um●配置独立控制压力阀PXB-BE系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试PXB-BET系列探针台 PXB-BET系列高低温探针台主要特点●搭配高低温系统， 最大范围-65℃到300℃●可选直筒显微镜， 体式显微镜或金相显微镜●载物台气浮快速移动， 三档控制，X轴独立控制，Y轴独立控制，XY同步控制，XY同步控制●可选配高压高流测试环境●装片拉出装置， 定位锁住●稳定型显微镜桥架， 移动分辨率为2um， 显微镜气动升降●Platen 二阶抬杆， 一次性行程为6mm， 抬杆重复性精度为1um， 四点同步●配置独立控制气流阀PXB-BET系列高低温探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●Solar太阳能领域检测分析●LED 、OLED 、LCD领域检测分析●PCB领域检测分析●VESEL DFB,COC,硅光等光电器件测试 PXB-D系列探针台PXB-D系列探针台主要特点●可选配高温测试环境●可选直筒显微镜，体式显微镜 ●载物台气浮快速移动 ●可选配高压高流测试环境●platen上下结构，可正反面同时扎针 ●载物台双面镂空，可替换，一个镂空夹具，一个 载物台（两个吸附孔）●背置式直筒显微镜，zoom为0.58-7.5x ●Platen 微调行程为40mm，移动分辨率为1um， 四点同步PXB-D系列探针台应用领域●Failure analysis 集成电路失效分析●Wafer level reliability 晶元可靠性认证●Device characterization 元器件特性量测●Process modeling 塑性过程测试(材料特性分析) ●IC Process monitoring 制成监控●Package part probing IC封装阶段打线品质测试●ESD&TDR testing ESD和TDR测试●Microwave probing 微波量测(高频测试)●PCB领域检测分析 PXB-W系列探针台PXB-W系列探针台主要特点●可选配110Ghz，220Ghz等测试环境 ●搭配高低温系统，最大范围-65℃到300℃ ●可选直筒显微镜，体式显微镜或金相显微镜 ●载物台气浮快速移动，三档控制，X轴独立控制， Y轴独立控制，XY同步控制，XY同步控制 ●装片拉出装置，定位锁住 ●稳定型显微镜桥架，移动分辨率为2um，显微镜 气动升降 ●Platen 二阶抬杆，一次性行程为6mm，抬杆重复 性精度为1um，四点同步 ●配置独立控制气流阀PXB-W系列探针台应用领域●Microwave probing 微波量测(高频测试)PXB-PL系列探针台 PXB-PL系列探针台(定制型)针对PCB&LCD&OLED&MINI-LED研发的测试探针台主要客户：英业达，沪利，深南电路，美维，奥克斯，大金，龙腾光电，群策等PXB-VL系列探针台 PXB-VL系列探针台产品简介PXB- VL高低温真空探针台是我司自主研发的一款在极端环境下给样品加载电学信号的设备。可以实现器件及材料表征的IV/CV特性测试，射频测试 ，光电测试等。通过液氮或者压缩机制冷 ，可以在防辐射屏内营造一个稳定的测试环境。在特殊材料 ，半导体器件等研究方向具有广泛运用。一般用于相关单位实验室。 PXB-SA系列探针台PXB-SA系列探针台产品简介PXB-SA 系列探针台是一款在非真空条件下实现高低温环境的测试探针台。该产品采用气冷制冷 ，自动控温 ，设备配置非常丰富。自带屏蔽暗室 ，一方面可以屏蔽无线电磁干扰 ，另外一方面也可以保持氮气正压环境下样品在低温时无结霜。该产品多数用于相关单位实验室。PXB-SA系列探针台产品优势可搭配高低温温控系统,温度范围为-60-300℃可实现半自动测试微腔屏蔽

TeraSpike THz近场探针 微区探针(TeraSpike microprobe series)品牌：Protemics型号：TeraSpike TD-800-XTeraSpike是新一代的微探针，用于太赫兹频率范围内电场的光电导检测。基于客户的反馈和不断增长的应用驱动的需求，我们对近场探针进行了彻底的重新设计并且开发成功。新的探针是一款多用途表面近场电场探测器，适用于太赫兹波长范围内，具有前所未有的性能，可靠并且可适应。它可以完美地集成到太赫兹时域系统，在860 nm以下光激发，这是最高性价比的解决方案，将您的系统变成功能强大的高分辨率近场太赫兹系统。 。产品特点：市场上最小的THz探针专利设计空间分辨率可达3um探测频率范围：0-4THz适用于所有基于激光的THz系统安装可兼容标准的光机械组建典型激发光强度1-15mW（1-5uJ/cm2）集成过载保护电路应用：太赫兹研究：超材料，等离子体，石墨烯，波导高分辨率太赫兹近场成像 非接触式薄膜电阻半导体成像MMIC器件特性分析 无损检测芯片时域反射计（TDR）测量脉冲激发的THz超物质表面的近场图像测量激光刻蚀多晶硅晶圆的薄层导电率图像 基于飞秒激光的THz系统 THz探针典型参数TeraSpike TD-800-X-HR HRS Max. spatial resolution3 μm20 μmPC gap size1.5 μm2 μmDark current @ 1 V Bias 0.5 nA 0.5 nAPhotocurrent (*) 1 μA 0.6 μAExcitation wavelength700 .. 860 nmAvg. excitation power0.1 .. 4 mWConnection typeSMP元素路径: body p img当前已输入818个字符, 您还可以输入9182个字符。

低温探针台CPS-xxx-CF系列是一款成本低、稳定、可靠和方便的低温半导体测试甚至低温晶圆级别测试器件的低温探针台系统。内置振动隔离，智能热管理和工程热膨胀补偿使低温探针台系统非常适合于宽范围从纳米电子学应用（石墨烯的研究，分子电子学，量子计算等）以空间为基础的电子测试。规格：试样尺寸：25、50mm、100mm、150mm或200mm可选无冷闭式循环制冷机（S）：包括冷头、压缩机、制冷机和所需的氦气软管。 温度范围：标准10K～400K，4.2K到480k可供选择 温度精度：0.1k或更好 热探针臂和辐射屏蔽 卡盘和探针臂的温度监测辐射屏蔽和cryohead温度监测是可选的。 真空压力 窗口材料：熔融石英，定制的材料和涂料是可用的。 相机：数码相机从1像素到10像素。图像和视频采集软件以及尺寸测量能力

开尔文探针是一种非接触、非破坏性振动电容装置用于导电材料的功函或半导体或绝缘体材料表面的表面电势，表面功函由材料表面最顶部的1-3层原子或分子决定，因而开尔文探针是一种非常灵敏的表面分析技术，KP Technology公司目前可提供具有1-3 meV业界最高分辨率的测试系统。 特点 ● 最高的功函/表面电势分辨率：1-3meV（2mm探针） ● 与压电系统相比采用音圈驱动具有很高的驱动噪声抑制 ● 过零信号检测系统极大的提高了分辨率，信噪比性能无与伦比 ● 测试和扫描时探针尖与样品的高度调节功能可得到稳定的、可靠的和重复的结果 ● 探针参数全部采用数字控制系统参数 ● 2mm and 50μm探针 ● 功函分辨率1-3meV（2mm探针），5-10meV（50μm探针，光学防震台） ● 手动高度控制（25.4mm KP 平移） ● 跟踪系统自动控制样品和探针距离 ● 过零信号检测系统抑制寄生电容 软件性能 ● 数字控制所有开尔文探针参数 ● 简单的信号优化设置过程 ● 快速测量模式用于跟踪实时功函变化(1000points/min at ~20meV分辨率) 选件 ● 样品加热器 Sample Heater ● 可升级至扫描系统 ● 可升级至RHC系统 ● 表面光电压模块SPV020 and SPS030 ● 镀金探针

海底热流探针可用于超高精度的海床温度测量。若干个THP传感器挂在重力取样管的不同深度上，可以得到地热梯度值。 海底热流探针规格参数 测量参数 测量温度范围 : -2 to 至35° C 分辨率 : 0.5m° C （当温度为+6° C时） 精度 （线性、滞后性、重复性） : 3m° C （在0° C 和+25° C之间） 测量温度达到 +70° C时, 分辨率大约为9m° C 参考稳定性: 0.6 ppm/° C 海底热流探针记录参数 内置万年历时钟 采样率 : 1s 到99hrs 存储容量 : 采用数据压缩254 kb； 采样率为1小时，可存储3年，每小时0.1℃的温度变化信号 非易失存储器，如果电池损坏，可进行数据恢复。 通讯 : 电磁传输，通过数据笔和计算机串行端口连接。 物理规格参数 材质 : 钛和塑料. 探针尺寸: 长度130mm,直径5mm. 外壳尺寸:长度183mm,直径28mm. 在空气中的重量: 280 g. 海底热流探针应用实例: 1、深海沉积盆地地热评价 2、地质断层内或不稳定土地内流体温度监测 3、高精温度测量应用于深海环境研究 测量特点 特征测量范围-2+35℃ 分辨率0.5m℃ at 6℃ 最高可以超过+70℃因此分辨率在9m℃（毫摄氏度） 精确度 （线性, 滞后作用,重复性）3m℃（0~+25℃） 参考稳定性0.6ppm/℃ 海底热流探针记录特点 时间: 内置万年历时钟 采样率:1s~99 h可选 存储容量: 采用数据压缩254ko,若每小时每次可采3年可采集每小时0.1℃的温度变化信号 存储类型: 不会丢失，若电池损坏可以找回数据 个人电脑接口: 不需要外接设备可进行电磁传输，采用数据笔即可传输 电脑软件: 在WINDOWS下开发进行参数设置 电池容量: 锂电池若每小时采样一次至少可用3年，若每5秒采样一次至少可用21天 海底热流探针机械特性 最大深度: 6000m 管体材料: 钛 帽材料: Ketron THP传感器: 固定封套上有沟槽，可以用夹子固定 尺寸探针长度：130mm 探针直径：:5mm 封套长度：183mm 封套直径：28mm 重量0.280kg

探针材料：氮化硅；针尖形状：球形；微球材料：二氧化硅或者聚苯乙烯；微球直径：2微米至18微米；背面涂层：有；Microsphere probe悬臂参数：1 频率：力常数：长度：形状：2 频率：力常数：长度：形状：3 频率：力常数：长度：形状：为什么选择微球探针1 利用AFM检测细胞的力学性质主要受测量参数（针尖形状和加载速率）和检测位置的影响，而生物样品异质性强，如细胞核区和细胞质区刚度差别很大，球形探针和细胞接触面积大，大大减少了异质性造成的误差。另外研究发现锥形探针获得的细胞杨氏模量大大高于钝化针尖和球形探针，而钝化针尖和球形探针之间无显著差异。2 使用球形探针能够更准确地估算针尖与样品之间的接触面积，从而可以利用更加准确的模型对力曲线进行拟合。每种探针采用的相应的模型：锥形探针采用Sneddon模型，球形探针采用Hertz模型。3 球形探针与细胞之间的接触面积大，即使压入深入大时也能够避免对细胞的损伤，从而可以实现细胞膜下结构的力学性质检测。4 原子力显微镜的探针除了能够作为力学表征工具，还能够作为机械刺激工具研究细胞的力学响应性。而相比常规探针，较大的球形探针能够更好的模拟细胞所处微环境的机械刺激，因此也更适用于细胞力学响应性研究中

四探针测试仪FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准，本机配置232电脑接口及USB两种接口，本机采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确.本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购. 规格型号FT-331FT-332FT-333FT-334FT-335FT-3361.方块电阻范围10-5～2×105Ω/□10-4～2×103Ω/□10-3～2×105Ω/□10-3～2×103Ω/□10-2～2×105Ω/□10-2～2×103Ω/□2.电阻率范围10-6×106Ω-cm10-5×104Ω-cm10-4～2×106Ω-cm10-4～2×104-cm10-3～2×106Ω-cm10-3～2×104-cm3.测试电流范围0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA4.电流精度±0.1%读数±0.2%读数±0.2%读数±0.3%读数±0.3%读数±0.3%读数5.电阻精度≤0.3%≤0.3%≤0.3%≤0.5%≤0.5%≤0.5%6.显示读数液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率7.测试方式普通单电测量8.工作电源输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：30W 9.整机不确定性误差≤4%（标准样片结果）10.选购功能选购1.pc软件； 选购2.方形探头； 选购3.直线形探头； 选购4.测试平台11.测试探头探针间距选购：1mm；2mm；3mm三种规格 探针材质选购：碳化钨针 白钢针；镀金磷铜半球形针ROOKO/瑞柯品牌，来自瑞柯仪器公司，一个专注于改变人们生活方式和品质的企业. 专业与精致并重；与智慧之原 四探针测试仪四探针测试仪

手动探针台 测试探针台半导体领域探针台 在集成电路的研发、生产制造、实效分析过程中，经常要量测内部的电参数，由于制成的越来越低，没有办法用简单的万用表、示波器的表笔来探测信号。手动分析探针台能很好的帮助工程人员实现微小位置的电学参数测试。Advanced在中国推出手动分析探针台近10年历史，销售实绩800多台，并且以每年的销量稳居行业销量榜首。行业知名客户有：友达光电、华映光电、奇美光电、群创光电、飞兆半导体、德州仪器、华虹集成、华为、电子五所、航天808所、航天201所、中科院微电子所、苏州中科院纳米研究所、复旦大学、上海交通大学、西安电子科技大学、温州大学、福州大学、厦门大学等等……手动探针台 测试探针台手动探针台 测试探针台型号： PW-600/PW-800规格：chuck尺寸150mm（200mm）X,Y电动移动行程150mm（200mm）chuck粗调升降8mm，微调升降30mm可搭配MOTIC金相显微镜或者AEC实体显微镜针座摆放个数6～8颗显微镜X-Y-Z移动范围2“x2”x2“可搭配Probe card测试适用领域：6寸/8寸Wafer、IC测试之产品手动探针台 测试探针台型号： PW-400 规格：chuck尺寸100mmX,Y移动行程100mmchuck Z轴方向升降10mm（选项）搭配AEC实体显微镜针座摆放个数2～4颗适用领域：4寸Wafer，如晶圆厂、LED、学术单位等 RF高频探针台 手动探针台 测试探针台东、南、西、北测试臂搭配美国GGB高频测试头DC~10/40/50/67GHZ （GSG,GS,SG）Pitch 100～1500um探针材料：BeCu/Tungsten

室温真空探针台能够为半导体芯片的电学参数测试提供一个室温真空测试环境，通过外接不同的电学测量仪器，可完成集成电路的电压、电流、电阻以及IV曲线等参数检测，用于室温真空环境下的芯片、晶圆和器件的非破坏性电学测试。 PSV系列室温真空探针台是一款专门针对室温真空电测环境开发的探针台，能够对2寸、4寸晶圆片进行重复非破坏性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量和RF测量。特点&bull 真空腔极限真空度能够达到5E-4 mbar，通过真空泵连接KF25法兰抽真空。&bull 样品座可以放置4英寸的晶圆样品，探针臂的位移调节在真空腔外操作，可以在不破坏真空的情况下，切换样品上的不同器件进行测试。探针臂可在X-Y-Z-R范围内进行四维调节，能满足4英寸范围内全部位置的扎针测试。&bull 真空腔材质为铝制材料，能够有效减小外界的电磁干扰，提高测试的精准度和稳定性。&bull 直流探针臂采用三同轴接头，漏电性能好，使用4200实测漏电流小于100fA @1V。&bull 独特设计的柔性探针，将探针安装到铜制弹片上，避免扎针过程中力量过大导致样品或电极损坏。&bull 可选微波探针臂，频率可达到110GHz。型号分类：型号样品座尺寸PSV-22英寸PSV-44英寸参数和指标： 样品座样品座类型及材质：无氧铜接地样品座尺寸：2/4英寸可选配置：接地样品座、绝缘样品座、同轴样品座、三同轴样品座探针臂组件类型：直流探针臂数量：4个接头和线缆：三同轴接头漏电流：100fA@1V真空环境信号频率：直流~50MHz 交流匹配阻抗：50 Ω探针针尖直径：100μm铍铜探针位移行程：X-±35mm，Y-±12.5mm,Z-±6.5mm ，R-±10°读数精度：10μm光学系统显微镜放大倍数：10~180 倍分辨率：3μm视野范围：可到 22mm显微镜工作距离：90~100mm显微镜支架升级行程：65mm真空腔体材料：铝合金腔体容积：4/6L外形尺寸：800*800*600腔体入口尺寸：Ø 124mm可视窗口尺寸：50mm真空度：5E-4 torr真空抽口：KF25法兰真空腔体窗片：红外绝热材质防辐射屏窗片：石英材质充气阀接口：Ø 8 快拆接头预留接口：2个探针臂接口，2个电学接口减振支架（选件）尺寸（mm）：800×800×870；桌脚：有固定脚和滚轮可调换

超高真空低温四探针扫描探针显微镜美国RHK Technology 成立于1981 年。作为SPM 工业中的领军仪器制造商，RHK-Technology 始终保持着鲜明的特色：创新性、可靠性、产品设计的开放性与的客户支持。凭借着其优异的系统设计、精良的制造工艺、再加上与著名科学家的紧密合作，二十多年来RHK Technology 源源不断地向全科学家们输送着先进的、高精度的科学分析仪器。变温QuadraProbe UHV 4-探针SPM系统是RHK公司生产的多探针UHV SPM系统中的一种，该系统提供了多种分析功能、配备了多个超高真空室和相应的电子控制单元与软件，可以大地满足客户全面的研究应用需要。基本系统中提供了低温4探针扫描隧道显微镜（SPM），扫描电子显微镜（SEM），样品准备室和用于传输样品和针的快速进样室。其他的设备如扫描俄歇显微镜（SAM）也可选配以满足客户特别的研究需要。技术参数：- 样品温度：10K（LHe）； 80K（LN2）- 扫描范围：1.5μm（300K）；500nm （10K）- X，Y，Z粗进针：±1.5mm/step motion- 样品定位精度：±1.5mm- STM分辨率：四个探针均可实现HOPG的原子分辨- SEM分辨率：小于20nm- 针材料：钨或者铂、金等金属修饰的钨针。 主要特点：- 四个探针都能实现原子分辨；- 真正的样品和针低温操作（10K），得到佳的高分辨谱图；- 探针与样品立地传输与准备；- 所有探针具有先进的控制操作；- 用户可编程控制的开放性控制环境；- 制冷采用Bath Cryostat构造，大地减少了液氦的消耗；- 可升到非接触式AFM；- 样品台处配有可选择的超导磁体；- 通过光纤实现样品的光学激发。

Avantgarde 室温真空探针台能够为半导体芯片的电学参数测试提供一个室温真空测试环境，通过外接不同的电学测量仪器，可完成集成电路的电压、电流、电阻以及IV曲线等参数检测，用于室温真空环境下的芯片、晶圆和器件的非破坏性电学测试。PSV系列室温真空探针台是一款专门针对室温真空电测环境开发的探针台，能够对2寸、4寸晶圆片进行重复非破坏性的、标准的电学实验，外接不同的测试设备可以完成对器件的电学特性测量、参数测量、DC测量和RF测量。特点1.真空腔极限真空度能够达到5E-4 mbar，通过真空泵连接KF25法兰抽真空。2. 样品座可以放置最大4英寸的晶圆样品，探针臂的位移调节在真空腔外操作，可以在不破坏真空的情况下，切换样品上的不同器件进行测试。探针臂可在X-Y-Z-R范围内进行四维调节，能满足最大4英寸范围内全部位置的扎针测试。3.真空腔材质为铝制材料，能够有效减小外界的电磁干扰，提高测试的精准度和稳定性。4.直流探针臂采用三同轴接头，漏电性能好，使用4200实测漏电流小于100fA @1V。5.独特设计的柔性探针，将探针安装到铜制弹片上，避免扎针过程中力量过大导致样品或电极损坏。6.可选微波探针臂，最高频率可达到110GHz。

TeraSpike THz近场探针 微区探针(TeraSpike microprobe series)品牌：Protemics型号：TeraSpike TD-800-Z (纵向场微探针)TeraSpike是新一代的微探针，用于太赫兹频率范围内电场的光电导检测。基于客户的反馈和不断增长的应用驱动的需求，我们对近场探针进行了彻底的重新设计并且开发成功。新的探针是一款多用途表面近场电场探测器，适用于太赫兹波长范围内，具有前所未有的性能，可靠并且可适应。它可以完美地集成到太赫兹时域系统，在860 nm以下光激发，这是最高性价比的解决方案，将您的系统变成功能强大的高分辨率近场太赫兹系统。 。产品特点：市场上最小的THz探针专利设计空间分辨率可达3um探测频率范围：0-4THz适用于所有基于激光的THz系统安装可兼容标准的光机械组建典型激发光强度1-15mW（1-5uJ/cm2）集成过载保护电路应用：l 太赫兹研究：超材料，等离子体，石墨烯，波导l 高分辨率太赫兹近场成像 l 非接触式薄膜电阻半导体成像l MMIC器件特性分析 l 无损检测芯片l 时域反射计（TDR）测量脉冲激发的THz超物质表面的近场图像测量激光刻蚀多晶硅晶圆的薄层导电率图像 基于飞秒激光的THz系统 THz探针典型参数?TeraSpike TD-800-Z- A-500G Max. spatial resolution 8 μm PC gap size 5 μm Dark current @ 1 V Bias 0.4 nA Photocurrent (*) 0.5 μA Excitation wavelength 700 .. 860 nm Avg. excitation power 0.1 .. 4 mW Connection type SMP

四探针测试仪产品名称：四探针测试仪产品型号：HCTZ-2S品牌：北京华测 一、产品介绍HCTZ-2S四探针测试仪器是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。HCTZ-2S双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，采用两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。四探针软件测试系统是一个运行在计算机上拥有友好测试界面的用户程序，通过此测试程序辅助使用户简便地进行各项测试及获得测试数据并对测试数据进行统计分析。测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析。二、四探针测试探头1、使用几何尺寸十分精确的红宝石轴承，量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内运动，持久耐磨，测量精度高、重复性好。A.探头间距1.00㎜B.探针机械游率：±0.3%C.探针直径0.5㎜ D.探针材料：碳化钨，常温不生锈E探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。 2、手动测试架手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。 三、产品应用HCTZ-2S四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率，配备不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。四、产品特点 1.TVS瞬间抑制防护技术：光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理,对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到作用。华测的TVS瞬间抑制防护技术，将起到对控制系统的jue对防护。 2.本仪器的特点是主机配置三个数字表，在测量电阻率的同时，一块数字表适时监测全程的电流变化，及时掌控测量电流，一块显示2、3探针间的测量电压，另一块是显示当前1、4探针测量使用的电压，可以适当调整测量电压避免材料耐压不够而电压击穿被测材料。 3.主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护薄膜。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值，以及电流抗干扰的屏蔽。 4.探针采用碳化钨硬质合金，硬度高、常温不生锈，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配测量软件，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均匀度，给测量带来很大方便。软件平台5.HCTZ-800系统搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电流。6.仪器通过USB转RS232连接线与电脑连接，软件可对四探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据，特定数据存储格式，显示变化曲线，兼容性：适用于通用电脑7.测试系统的软件平台hcpro，采用labview系统开发，符合导体、半导体材料的各项测试需求，具备强大的稳定性和安全性，并具备断电资料的保存功能，图像资料可保存恢复。兼容XP、win7、win10系统。五、软件功能具有试验电压设置功能；可选择试验标准可选择是否自定义或自动试验截止条件：时间/电压/电流 语音提示:可选择是否语音提示功能。统计报告：可自定报表格式可生出PDF、CSV、XLS文件格式分析功能：可对测试的数据进行统计。zui大/最小值、平均值等。 六、技术参数测量范围电 阻：1×10-4~2×105Ω， 分辨率：1×10-5~1×102Ω电阻率：1×10-4~2×105Ω-cm， 分辨率：1×10-5~2×102Ω-cm方 阻：5×10-4~2×105Ω/□， 分辨率：5×10-5~1×102Ω/□数字电压表量程：20.00mV~2000mV误差：±0.1%读数±2字数控恒流源量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA,1A误差：±0.1%读数±2字四探针探头碳化钨探针：Ф0.5mm，直流探针间距1.0mm，探针压力：0~2kg可调薄膜方阻探针：Ф0.7mm，直流或方形探针间距2.0mm，探针压力：0~0.6kg可调 七、注意事项1、仪器操作前请您仔细阅读使用说明书，规范操作2、轻拿轻放，避免仪器震动，水平放置，垂直测量3、仪器不使用时请切断电源，连接线无需经常拔下，避免灰尘进入航空插引起短接等现象4、探针笔测试结束，套好护套，避免人为断针

扫描开尔文探针是一种非接触、非破坏性振动电容装置用于导电材料的功函或半导体或绝缘体材料表面的表面电势，表面功函由材料表面最顶部的1-3层原子或分子决定，因而开尔文探针是一种非常灵敏的表面分析技术，KP Technology公司目前可提供具有1-3 meV业界最高分辨率的测试系统 主要特点： ● 功函分辨率 3meV ● 扫描面积：5mm to 300mm（四种型号，每种型号扫描面积不同） ● 扫描分辨率：317.5nm ● 自动高度调节 应用领域： ● 有机和非有机半导体 ● 金属 ● 薄膜 ● 太阳能电池和有机光伏材料 ● 腐蚀 升级附件： ● 空气光发射系统 ● 表面光电压(QTH or LED) ● SPS表面光电压光谱(400-1000nm) ● 金或不锈钢探针，直径0.05mm to 20mm ● 相对湿度控制和氮气环境箱

高温四探针测试仪 HGTZ-800型号高温四探针测试仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料在高温、真空及气氛条件下测量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，配备10英寸触摸屏，软件可保存和打印数据，自动生成报表；本仪器可显示电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电 流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导 率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度,也可应用于产品检测以及新材料电学性能研究等用途。 HGTZ-800型号系列采用电子护系统，设备的安全性；选用热电偶保定温度的采集有效值、采用SPWM 电子升压技术，电压输出稳定性好。配备高精度电压、电流传感器以保证试验数据的有效性。 HGTZ-800型号系統搭配Labview系统开发的hcpro软件，具备弹性的自定义功能，可进行电压、电 流、温度、时间等设置，符合导体、半导体材料与其它新材料测试多样化的需求。高精度的输出与测量规格，保障检测结果的品质，适用于新材料数据的检测。例如：多晶硅材料、石墨烯材料、导电功能薄膜材料、半导体材料，也可做为科研院所新材料的耐电弧性材料的性能测试。针探针测试仪做了多项安全设计，测试过程中有过电压、过电流、超温等异常情况以保证测试过程的安全；资料保存机制：当遇到电脑异常瞬时断电可将资料保存于控制器中，不丢失试验数所新开启动后可恢复原有试验数据。 应用领域： █ 多晶硅材料█ 石墨烯材料 █ 石墨功能材料 █ 半导体材料 █ 导电功能薄膜材料 █ 锗类功能材料 █ 导电玻璃（ito）材料 █ 柔性透明导电薄膜 █ 其它导电材料等 系统功能： █ 电压、电流、温度实时显示 █ 自动升压功能 █ 循环自动测试 █ 升温速度可控 █ 自动试验报表 █ 过压、过流、超温报警 █ 软件自动升级 █ 试验电压、电流可调 █ 电极方便更换 █ 在线设备诊断 系统特点： 多功能真空加热炉，一体炉膛设计、可实现、高温、真空、气氛环境下进行测试 █ 采用铂材料作为导线、以减少信号衰减、提高测试精度， █ 可以测量半导体薄膜材、薄片材料的方块电阻、电阻率； █ 可实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能 █ 温度传感器、PID自动温度控制，使测量温度更准确； █ 仪器可自动计算试样的电阻率pv █ 10寸触摸屏设计，一体化设计机械结构，稳定、可靠； █ 程控电子升压技术，纹波低、TVS防护系统，保证仪器安 █ 99氧化铝陶瓷绝缘、碳化钨探针； █ huace pro 强大的控制分析软件。

这款四点探针系统是一款易于使用的工具，用于快速测量材料的薄层电阻，电阻率和电导率。 通过使用我们自己的源测量单元，我们能够创建一个低成本的系统，使测量范围更广泛。 探头采用弹簧加载接触，而不是尖锐的针头，防止损坏精密样品，如厚度在纳米左右的聚合物薄膜。 四点探针系统为您的研究提供以下益处：? 广泛的薄膜电阻测量范围，从10mΩ/□到10MΩ/□? 弹簧加载的探针保护易损的样品免受损坏? 体积小巧，可用于空间有限的繁忙实验室? 易操作的PC软件，用于薄膜电阻，电阻率和电导率的测量? 使用自动校正因子计算加快材料表征? 使用保存设置可轻松重复测量 特征：广泛的测量范围 - 四点探头能够提供10 nA-100 mA的电流，并且可以测量低至100μV-10 V的电压。广泛的薄层电阻测量范围，从10mΩ/□到10MΩ/□，可表征多种材料。 非破坏性测试 - 设计时考虑到了精密样品的测量，四点探头采用镀金弹簧接触圆头， 60克的恒定接触力，防止探针刺破脆弱的薄膜，同时仍能提供良好的电接触。 节省空间的设计 - 通过垂直堆叠组件，我们能够将四点探头的占地面积降至最低（总台面面积12 cm x 30 cm），甚至可以在缺乏货架空间的实验室中使用。 易于使用 - 只需插入系统，安装软件，即可开始使用！ 直观的界面和清洁的设计，简化了薄膜电阻的测量。 快速材料表征 - PC软件可执行薄膜电阻，电阻率和电导率所有必要的测量和计算，从而使材料表征变得毫不费力。 不要忘记保存您的实验数据 - 用于测量的设置会与数据一起保存，从而轻松查看实验的详细信息。 此外，这些设置文件可以通过相同的软件加载，加快重复测量和材料表征。 用更少的时间重复测量，您的研究成果可以显着增加应用示例：材料特性 - 电阻率是材料的固有特性，也是重要的电学特性。 它可以通过测量已知厚度的薄膜薄层的电阻来确定，这使得四点探针测量成为材料电特性的关键技术。 薄膜太阳能电池和发光二极管 - 薄膜器件（如钙钛矿太阳能电池或有机发光二极管）需要薄的导电电极，横向输送电荷以进行提取。 因此，需要低表面电阻材料来减少这个阶段的潜在损失。 当试图放大这些设备时，这变得更加重要，因为电荷在它们可被提取之前，不得不沿着电极方向行进。测量规格电压范围100μV至10 V当前范围10 nA到100 mA薄层电阻范围10mΩ/□至10MΩ/□测量精度 ±4%测量精度±0.5%

本仪器本仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，压强 配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。标准要求：该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。1.双电测四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：四探针测试结构当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加精准。

MPS-C-3X0磁体探针台系统是世界上第一个探针台，能够在被测试的器件上提供三维磁场控制。真正独特的专利设计使自旋电子器件的做晶圆级测试、纳米电子和许多其他材料和器件在所需磁场中准确的测试和测量。自旋流和自旋矩振荡器测试，磁模拟和识别复杂的多层结构的各向异性只是应用我们的MPS系统的几个案例。MPS系列磁体探针台特点：MPS系列磁体探针台是市场上唯一能提供在应用磁场中对任意两或三维定位的探针台，是自旋电子器件的特性和自旋电子学研究的一个最终的探针台解决方案。MPS系列磁探针台是唯一在市场上提供的晶圆级别的矢量磁场探测的探针台，特适合于在生产环境中自旋和磁电子器件测试。MPS系列磁体探针台完全可定制的，基于开源的LabVIEW的控制软件，很容易与最常见的测试和测量设备集成。高分辨率微定位器40、80、100和200tpi下探针的微米级定位螺钉。数据收集和/或分析与广泛的输出格式和选项可用。系统提供了三维霍尔探头，以提供无与伦比的稳定性和精度所施加的磁场通过闭环控制。可选项：升级为150mm或200mm晶圆。扩展磁场均匀性/稳定性。高分辨率显微镜。用于探测期间的域成像偏振显微镜。 升级射频探针 扩展温度范围探测 相机的广泛选择 晶片卡盘广泛的选择 对micropositioners广泛的选择，探针和探针尖端武器 超真空泵 受控环境测量........