缩短寿命

荧光和荧光寿命分子包含多个单能态S0、S1、S2… 和三重态T1… ，每个能态都包含多个精细的能级。正常情况下，大部分电子处在*低能态即基态S0 的*低能级上，当分子被光束照射，会吸收光子能量，电子被激发到更高的能态S1 或S2 上，在S2 能态上的电子只能存在很短暂的时间，便会通过内转换过程跃迁到S1 上，而S1 能态上的电子亦会在极短时间内跃迁到S1 的*低能级上，而这些电子会存在一段时间后通过震荡弛豫辐射跃迁到基态，这个过程会释放一个光子，即荧光。此外，亦会有电子跃迁至三重态T1 上，再由T1 跃迁至基态，我们称之为磷光。荧光特性研究荧光特性时，主要在以下几方面进行分析：激发光谱，发射光谱、荧光强度、偏振荧光、荧光发光量子产率、荧光寿命等。其中荧光寿命（Fluorescence Lifetime）是指荧光分子在激发态上存在的平均时间（纳秒量级）。荧光寿命测试荧光寿命一般在几纳秒至几百纳秒之间，如今主要有两类测试方法：时域测量和频域测量时间稳定性实验测试曲线：1 时域测量由一束窄脉冲将荧光分子激发至较高能态S1，接着测量荧光的发射几率随时间的变化。其中目前广泛应用的是时间相关单光子计数，即TCSPC(Time Correlated Single Photon Counting)时间相关单光子计数(TCSPC) 实现了从百ps-ns-us 的瞬态测试，此方法对数据的获取完全依赖快速探测器和高速电路。用统计的方法计算样品受激后发出的第一个( 也是*一的一个) 光子与激发光之间的时间差，也就是下图的START( 激发时刻) 与STOP( 发光时刻) 的时间差。由于对于Stop 信号的要求，所以TCSPC 一般需要高重复频率的光源作为激发源，其重复至少要在100KHz 以上，多数的光源都会达到MHz 量级；同时，在一般情况下还要对Stop 信号做数量上的控制，做到尽量满足在一个激发周期内，样品产生且只产生一个光子的有效荧光信号，避免光子对的出现。2 频域测量对连续激发光进行振幅调制后，分子发出的荧光强度也会受到振幅调制，两个调制信号之间存在与荧光寿命相关的相位差，因此可以测量该相位差计算荧光寿命。 左图为正弦调制激发光（绿色）频域显示，发射光信号（红色）相应的相位变化频域显示。右图为对应不同寿命的调制和相位的频域显示。TM- 调制寿命，TP- 相位寿命。[1]显微荧光寿命成像技术（FLIM）显微荧光寿命成像技术（Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy，FLIM）是一种在显微尺度下展现荧光寿命空间分布的技术，由于其不受样品浓度影响，具有其他荧光成像技术无法代替的优异性能，目前在生物医学工程、光电半导体材料等领域是一种重要的表征测量手段。FLIM 一般分为宽场FLIM 和激光扫描FLIM。宽场FLIM（Wide Field FLIM,WFM）该技术是用平行光照明并由物镜聚焦样品获得荧光信号，再由一宽场相机采集荧光成像。宽场FLIM 常用于快速获取大面积样品成像。时域或是频域寿命采集都可以应用在宽场成像FLIM 上。宽场FLIM 有更高帧率和低损伤的优势。2 激光扫描FLIM（Laser Scanning FLIM,LSM）激光扫描FLIM 是针对选定区域内的样品逐点获取其荧光衰减曲线，再经过拟合最终合成荧光寿命图像。相比宽场FLIM，其在空间分辨率、信噪比方面有更大的优势。扫描方式有两种：一种是固定样品，移动激光进行扫描，一种是固定激光，电动位移台带动样品移动进行扫描。显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM应用材料科学领域宽禁带半导体如GaN、SiC 等体系的少子寿命mapping 测量量子点如CdSe@ZnS 等用作荧光寿命成像显微镜探针钙钛矿电池/LED 薄膜的组分分析、缺陷检测铜铟镓硒CIGS，铜锌锡硫CZTS 薄膜太阳能电池的组分、缺陷检测镧系上转换纳米颗粒GaAs 或GaAsP 量子阱的载流子扩散研究生命科学领域细胞体自身荧光寿命分析自身荧光相对荧光标记的有效区分活细胞内水介质的PH 值测量局部氧气浓度测量具有相同频谱性质的不同荧光标记的区分活细胞内钙浓度测量时间分辨共振能量转移（FRET）：纳米级尺度上的远差测量，环境敏感的FRET 探针定量测量代谢成像：NAD(P)H 和FAD 胞质体的荧光寿命成像显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM应用案例1 用荧光分子对海拉细胞进行染色用荧光分子转子Bodipy-C12 对海拉细胞（宫颈癌细胞的一种） 进行染色。(a) 显微荧光寿命成像图，寿命范围1ns（蓝色）到2.5ns（红色）；(b) 荧光寿命直方图，脂肪滴的短寿命约在1.6ns 附近，细胞中其他位置寿命较长，在1.8ns 附近。用荧光分子转子的时间分辨测量*大的好处在于荧光寿命具备足够清晰的标签特性，且与荧光团的浓度无关。[2]2 金属修饰荧光金属修饰荧光：(a) 荧光寿命是荧光团到金表面距离的函数；(b) 用绿色荧光蛋白（GFP）标记乳腺腺癌细胞的细胞膜的共聚焦xz 横截面，垂直比例尺：5m；(c) b 图的FLIM 图，金表面附近的GFP 荧光寿命缩短。[2]3 钙钛矿太阳能电池下图研究中，展示了一种动态热风（DHA）制备工艺来控制全无机PSC 的薄膜形态和稳定性，该工艺不含有常规的有害反溶剂，可以在大气环境中制备。同时，钙钛矿掺有钡（Ba2+） 碱金属离子（BaI2:CsPbI2Br）。这种DHA 方法有助于形成均匀的晶粒并控制结晶，从而形成稳定的全无机PSC。从而在环境条件下形成完整的黑色相。经过DHA处理的钙钛矿光伏器件，在0.09cm小面积下，效率为14.85%，在1x1cm的大面积下，具有13.78%的*高效率。DHA方法制备的器件在300h后仍然保持初始效率的92%。4 MQWs 多量子阱研究在(a) 蓝宝石和(b) GaN 上生长的MQWs 的共焦PL mapping 图像。具有较小尺寸的发光团的最高密度是观察到在GaN 上生长的MQWs。在(c) 蓝宝石和(d)GaN 上生长的MQWs 的共焦TRPL mapping 图。仅对于在GaN 上生长的MQWs，强的PL 强度区域与较长PL 衰减时间的区域很好地匹配。在(e) 蓝宝石和(f)GaN 上生长的MQWs 在A 点和B 点测量的局部PL 衰减曲线，均标记在图中。对于在GaN 上生长的MQWs，点A 和B 之间的PL 衰减时间差更高。显微荧光寿命成像系统FLIM参数配置北京卓立汉光仪器有限公司提供的显微荧光寿命成像系统是基于显微和时间相关单光子计数技术，配合高精度位移台得到微观样品表面各空间分布点的荧光衰减曲线，再经过用数据拟合，得到样品表面发光寿命表征的影像。是光电半导体材料、荧光标记常用荧光分子等类似荧光寿命大多分布在纳秒、几十、几百纳秒尺度的物质的选择。参数指标：系统性能指标光谱扫描范围200-900nm最小时间分辨率16ps荧光寿命测量范围500ps-1μs@ 皮秒脉冲激光器空间分辨率≤1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器荧光寿命检测IRF≤2ns配置参数激发源及匹配光谱范围（光源参数基于50MHz 重复频率）375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW，荧光波段：400-850nm405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW，荧光波段：430-920nm450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW，荧光波段：485-950nm488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW，荧光波段：500-950nm510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW，荧光波段：535-950nm635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW，荧光波段：670-950nm660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW，荧光波段：690-950nm670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW，荧光波段：700-950nm科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），最小步进：50nm，重复定位精度：＜ 1μm光谱仪320mm 焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD 出口，配置三块68×68mm 大面积光栅，波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD（可扩展PLmapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm, 探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，最高量子效率值95%时间相关单光子计数器（TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps… … 33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFluo-FM 荧光寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统软件界面控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。自主开发的一套时间相关单光子计数（TCSPC）荧光寿命的拟合算法，可对荧光衰减曲线中最多包含4 个时间组分的荧光过程进行拟合，获得每个组分的荧光寿命，光子数比例，计算评价函数和残差。TCSPC 荧光寿命通常并非简单的指数衰减过程，而是与光源及探测器相关的仪器响应函数（IRF）与荧光衰减过程相互卷积的结果，因此适当的拟合方法和参数选择对获得正确可靠的荧光寿命非常重要。该软件可导入实际测量的IRF 对衰减曲线进行卷积计算和拟合。但是大多数情况下， IRF 很难正确的从实验获得，针对这种情况，软件提供了两种无需实验获取IRF 的拟合方法：1.通过算法对数据上升沿进行拟合，获得时间响应函数IRF，然后对整条衰减曲线进行卷积计算和拟合得到荧光寿命。2.对于衰减时间远长于仪器响应时间的，可对衰减曲线下降沿进行直接的指数拟合。该软件经过大量测试，可以很好的满足各种场合的用户需求。MicroLED 微盘的荧光强度像（3D 显示）：

荧光和荧光寿命分子包含多个单能态S0、S1、S2…和三重态T1…，每个能态都包含多个精细的能级。正常情况下，大部分电子处在*低能态即基态S0 的*低能级上，当分子被光束照射，会吸收光子能量，电子被激发到更高的能态S1 或S2 上，在S2 能态上的电子只能存在很短暂的时间，便会通过内转换过程跃迁到S1 上，而S1 能态上的电子亦会在极短时间内跃迁到S1 的*低能级上，而这些电子会存在一段时间后通过震荡弛豫辐射跃迁到基态，这个过程会释放一个光子，即荧光。此外，亦会有电子跃迁至三重态T1 上，再由T1 跃迁至基态，我们称之为磷光。荧光特性研究荧光特性时，主要在以下几方面进行分析：激发光谱，发射光谱、荧光强度、偏振荧光、荧光发光量子产率、荧光寿命等。其中荧光寿命（Fluorescence Lifetime）是指荧光分子在激发态上存在的平均时间（纳秒量级）。荧光寿命测试荧光寿命一般在几纳秒至几百纳秒之间，如今主要有两类测试方法：时域测量和频域测量时间稳定性实验测试曲线：1 时域测量由一束窄脉冲将荧光分子激发至较高能态S1，接着测量荧光的发射几率随时间的变化。其中目前广泛应用的是时间相关单光子计数，即TCSPC(Time Correlated Single Photon Counting)时间相关单光子计数(TCSPC) 实现了从百ps-ns-us 的瞬态测试，此方法对数据的获取完全依赖快速探测器和高速电路。用统计的方法计算样品受激后发出的*一个( 也是唯一的一个) 光子与激发光之间的时间差，也就是下图的START( 激发时刻) 与STOP( 发光时刻) 的时间差。由于对于Stop 信号的要求，所以TCSPC 一般需要高重复频率的光源作为激发源，其重复至少要在100KHz 以上，多数的光源都会达到MHz 量级；同时，在一般情况下还要对Stop 信号做数量上的控制，做到尽量满足在一个激发周期内，样品产生且只产生一个光子的有效荧光信号，避免光子对的出现。2 频域测量对连续激发光进行振幅调制后，分子发出的荧光强度也会受到振幅调制，两个调制信号之间存在与荧光寿命相关的相位差，因此可以测量该相位差计算荧光寿命。 左图为正弦调制激发光（绿色）频域显示，发射光信号（红色）相应的相位变化频域显示。右图为对应不同寿命的调制和相位的频域显示。TM- 调制寿命，TP- 相位寿命。[1]显微荧光寿命成像技术（FLIM）显微荧光寿命成像技术（Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy，FLIM）是一种在显微尺度下展现荧光寿命空间分布的技术，由于其不受样品浓度影响，具有其他荧光成像技术无法代替的优异性能，目前在生物医学工程、光电半导体材料等领域是一种重要的表征测量手段。FLIM 一般分为宽场FLIM 和激光扫描FLIM。宽场FLIM（Wide Field FLIM,WFM）该技术是用平行光照明并由物镜聚焦样品获得荧光信号，再由一宽场相机采集荧光成像。宽场FLIM 常用于快速获取大面积样品成像。时域或是频域寿命采集都可以应用在宽场成像FLIM 上。宽场FLIM 有更高帧率和低损伤的优势。2 激光扫描FLIM（Laser Scanning FLIM,LSM）激光扫描FLIM 是针对选定区域内的样品逐点获取其荧光衰减曲线，再经过拟合*终合成荧光寿命图像。相比宽场FLIM，其在空间分辨率、信噪比方面有更大的优势。扫描方式有两种：一种是固定样品，移动激光进行扫描，一种是固定激光，电动位移台带动样品移动进行扫描。FLIM 应用材料科学领域宽禁带半导体如GaN、SiC 等体系的少子寿命mapping 测量量子点如CdSe@ZnS 等用作荧光寿命成像显微镜探针钙钛矿电池/LED 薄膜的组分分析、缺陷检测铜铟镓硒CIGS，铜锌锡硫CZTS 薄膜太阳能电池的组分、缺陷检测镧系上转换纳米颗粒GaAs 或GaAsP 量子阱的载流子扩散研究生命科学领域细胞体自身荧光寿命分析自身荧光相对荧光标记的有效区分活细胞内水介质的PH 值测量局部氧气浓度测量具有相同频谱性质的不同荧光标记的区分活细胞内钙浓度测量时间分辨共振能量转移（FRET）：纳米级尺度上的远差测量，环境敏感的FRET 探针定量测量代谢成像：NAD(P)H 和FAD 胞质体的荧光寿命成像OmniFluo-FLIM系列显微荧光寿命成像系统应用案例1 用荧光分子对海拉细胞进行染色用荧光分子转子Bodipy-C12 对海拉细胞（宫颈癌细胞的一种） 进行染色。(a) 显微荧光寿命成像图，寿命范围1ns（蓝色）到2.5ns（红色）；(b) 荧光寿命直方图，脂肪滴的短寿命约在1.6ns 附近，细胞中其他位置寿命较长，在1.8ns 附近。用荧光分子转子的时间分辨测量*大的好处在于荧光寿命具备足够清晰的标签特性，且与荧光团的浓度无关。[2]2 金属修饰荧光金属修饰荧光：(a) 荧光寿命是荧光团到金表面距离的函数；(b) 用绿色荧光蛋白（GFP）标记乳腺腺癌细胞的细胞膜的共聚焦xz 横截面，垂直比例尺：5 m；(c) b 图的FLIM 图，金表面附近的GFP 荧光寿命缩短。[2]3 钙钛矿太阳能电池下图研究中，展示了一种动态热风（DHA）制备工艺来控制全无机PSC 的薄膜形态和稳定性，该工艺不含有常规的有害反溶剂，可以在大气环境中制备。同时，钙钛矿掺有钡（Ba2+） 碱金属离子（BaI2:CsPbI2Br）。这种DHA 方法有助于形成均匀的晶粒并控制结晶，从而形成稳定的全无机PSC。从而在环境条件下形成完整的黑色相。经过DHA处理的钙钛矿光伏器件，在0.09cm小面积下，效率为14.85%，在1x1cm的大面积下，具有13.78%的*高效率。DHA方法制备的器件在300h后仍然保持初始效率的92%。4 MQWs 多量子阱研究在(a) 蓝宝石和(b) GaN 上生长的MQWs 的共焦PL mapping 图像。具有较小尺寸的发光团的*高密度是观察到在GaN 上生长的MQWs。在(c) 蓝宝石和(d)GaN 上生长的MQWs 的共焦TRPL mapping 图。仅对于在GaN 上生长的MQWs，强的PL 强度区域与较长PL 衰减时间的区域很好地匹配。在(e) 蓝宝石和(f)GaN 上生长的MQWs 在A 点和B 点测量的局部PL 衰减曲线，均标记在图中。对于在GaN 上生长的MQWs，点A 和B 之间的PL 衰减时间差更高。OmniFluo-FLIM系列显微荧光寿命成像系统参数配置北京卓立汉光仪器有限公司提供的显微荧光寿命成像系统是基于显微和时间相关单光子计数技术，配合高精度位移台得到微观样品表面各空间分布点的荧光衰减曲线，再经过用数据拟合，得到样品表面发光寿命表征的影像。是光电半导体材料、荧光标记常用荧光分子等类似荧光寿命大多分布在纳秒、几十、几百纳秒尺度的物质的不二选择。参数指标：系统性能指标光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps荧光寿命测量范围500ps-1μs@ 皮秒脉冲激光器空间分辨率≤1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器荧光寿命检测IRF≤2ns配置参数激发源及匹配光谱范围（光源参数基于50MHz 重复频率）375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW，荧光波段：400-850nm405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW，荧光波段：430-920nm450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW，荧光波段：485-950nm488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW，荧光波段：500-950nm510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW，荧光波段：535-950nm635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW，荧光波段：670-950nm660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW，荧光波段：690-950nm670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW，荧光波段：700-950nm科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），*小步进：50nm，重复定位精度：＜ 1μm光谱仪320mm 焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD 出口，配置三块68×68mm 大面积光栅，波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD（可扩展PLmapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm, 探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，*高量子效率值95%时间相关单光子计数器（TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFluo-FM 荧光寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统 FLIM 软件界面控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。自主开发的一套时间相关单光子计数（TCSPC）荧光寿命的拟合算法，可对荧光衰减曲线中*多包含4 个时间组分的荧光过程进行拟合，获得每个组分的荧光寿命，光子数比例，计算评价函数和残差。TCSPC 荧光寿命通常并非简单的指数衰减过程，而是与光源及探测器相关的仪器响应函数（IRF）与荧光衰减过程相互卷积的结果，因此适当的拟合方法和参数选择对获得正确可靠的荧光寿命非常重要。该软件可导入实际测量的IRF 对衰减曲线进行卷积计算和拟合。但是大多数情况下， IRF 很难正确的从实验获得，针对这种情况，软件提供了两种无需实验获取IRF 的拟合方法：NO.1 通过算法对数据上升沿进行拟合，获得时间响应函数IRF，然后对整条衰减曲线进行卷积计算和拟合得到荧光寿命。NO.2对于衰减时间远长于仪器响应时间的，可对衰减曲线下降沿进行直接的指数拟合。该软件经过大量测试，可以很好的满足各种场合的用户需求。MicroLED 微盘的荧光强度像（3D 显示）：测试案例

SPM900 系列少子寿命成像测试仪原理说明非平衡少数载流子少数载流子的寿命是半导体材料的一个重要参数，也是评价半导体质量的一个指标。例如在光伏电池中，少子寿命决定了少子扩散长度， 决定了光吸收层、内建电场区域的厚度设计等重要的器件参数；载流子寿命也可以反映器件中杂质或者缺陷的影响，抑或是存在污染， 进行失效分析，对工艺过程进行优化。载流子的复合在一定温度下，处于热平衡状态的半导体材料，电子- 空穴对的产生和复合保持一种动态平衡，载流子浓度是一定的。然而，外界的作用会破坏这种热平衡，使其处于与热平衡相偏离的状态，随之改变的是载流子的浓度， 多于平衡值的载流子就是非平衡载流子。非平衡少数载流子也称也称少子，通常对于半导体器件的性能起到决定性的作用。当外界作用撤掉后，处于非平衡态的载流子会通过复合而产生衰减，直到载流子浓度恢复到之前的热平衡状态。载流子的复合方式可以分为三类：SRH 复合、辐射复合及俄歇复合（直接和间接）。(a) SRH 复合； (b) 辐射复合； (c) 直接俄歇复合；（d）间接俄歇复合少子寿命测试少子寿命的测量通常包括非平衡载流子的注入和检测两个方面，*常用的注入方法是光注入和电注入。对于间接带隙的半导体，常使用电注入或者微波光电导衰减的方法进行少子寿命测试，间接带隙半导体一般寿命较长， 为毫秒量级。而对于GaAs 这类的直接间隙半导体，复合的能量几乎全部以发光的形式放出，发光效率高，寿命较短（典型的寿命在10-8-10-9s），通常使用时间分辨光致发光光谱（TRPL）的方法来进行测试。激光扫描少子寿命成像测量仪SPM900当外界作用停止以后，少子的浓度（ΔC）随时间t 增长呈指数衰减的规律。由以下方程可知，少子的寿命为当少子浓度衰减到初始浓度1/e 时候所经历的时间。在辐射复合中，发光的强度与少子的浓度相关，因此可以通过检测发光的寿命来获得少子的寿命信息。当在显微镜上加载少子寿命测试模块，就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息，这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计，包含显微镜主体，激光光源，光子计数检测器，单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发，通过控制样品台的移动，可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。少子寿命成像测试应用外延ZnS 薄膜半导体本征带- 浅杂质复合半导体中施主- 受主对复合深能级复合III-V 族载流子杂质俘获过程研究非辐射中心的电子弛豫及复合机制研究半导体外延片缺陷和杂质检测测试软件控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。3D 显示功能少子寿命测试案例MicroLEDMicroLED 显示技术是指以自发光的微米量级的LED 为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED 阵列的显示技术， 在发光亮度、分辨率、对比度、稳定性、能量损耗等方面有很大优势，可以应用在AR/VR，可穿戴光电器件，柔性显示屏等领域。由于MicroLED 的尺寸在微米级别，因此需要在显微镜下进行检测。下图为使用少子寿命成像系统对直径为80 微米的MicroLED 微盘进行测试。单组分拟合，可以看到红圈中的污损位置，虽然影响发光强度，但对发光寿命没有影响钙钛矿测试钙钛矿属于直接带隙半导体材料，具有高光学吸收，高增益系数、高缺陷容忍度、带隙可调，制备成本低等优点，可以广泛应用在光子学与光电信息功能器件等领域，例如钙钛矿太阳能电池，钙钛矿量子点，钙钛矿LED 等材料的研究。对于钙钛矿中的载流子辐射复合的研究对于提供器件的光电转换性能有很大的帮助。以下示例为钙钛矿样品的少子辐射复合发光成像和寿命成像。图中可见此钙钛矿样品有两个寿命组分，且不同寿命组分的相对含量也可以从相对振幅成像图中很直观的看到。晶圆级大尺寸的少子寿命成像测试仪4、6、8 英寸晶圆样品测试，可在此基础上增加小行程电动位移台实现数百纳米至微米尺度的精细扫描显微尺度的少子寿命成像测试仪参数指标 系统性能指标：光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps寿命测量范围500ps-1ms（具体视激光器而定）小尺寸空间分辨率≤ 1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器大尺寸扫描可适用4 英寸、6 英寸、8 英寸样品配置参数：脉冲激光器375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW@50MHz405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW@50MHz450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW@50MHz488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW@50MHz510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW@50MHz635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW@50MHz660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW@50MHz670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW@50MHz其他皮秒或纳秒脉冲激光器具体视材料及激发波长而定科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门小尺寸扫描用电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），*小步进：50nm，重复定位精度＜ 1μm大尺寸扫描用电动位移台XY 轴行程200mm/250mm，单向定位精度≤ 30μm，水平负载：30Kg；光谱仪320mm焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD出口，配置三块68×68mm大面积光栅， 波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD( 可扩展PL mapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm,探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps… … 33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFlμo-FM 寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得发光衰减曲线，实时生成发光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的寿命成像数据，逐点进行多组分发光寿命拟合( 组分数小于等于4），对逐点拟合获得的发光强度、发光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统

仪器简介：LifeSpecII系列超快荧光寿命光谱仪专门为超快荧光寿命的测量而设计。在设计过程中，LifeSpecII系列超快荧光寿命光谱仪着重解决了传统光路的构架对待测超快信号的脉冲展宽效应，从而大幅度提高了荧光寿命测量的精度。 LifeSpecII系列超快荧光寿命光谱仪可以搭配不同的激发光源和探测器，以保证用户获得不同的荧光寿命测量范围。技术参数：主要技术指标： - 光学结构: 激发光路与发射光路垂直 - 工作原理: 时间相关单光子探测 - 寿命范围: ~5ps-50us - 光谱带宽: 1nm~40nm - 时间色散: 零（运用双减单色仪） - 光衰减器: 电脑控制连续可调衰减率 - 可选激发光源 皮秒脉冲半导体激光器 (多种波长可选) 皮秒脉冲LEDs (多种波长可选) 皮秒脉冲固体激光器 飞秒脉冲激光器 (可选配多种品牌和型号) - 可选探测器 蓝敏PMT 185~650nm 红敏PMT 185~870nm 带有微通道板PMT 200~850nm 近红外PMT 300nm-1400/1700nm主要特点：主要技术特点： - 荧光寿命测试范围5ps至ms范围（由激发光源与探测器决定） - 采用最先进的时间相关单光子计数技术（TCSPC）进行荧光寿命测量,具有最高的测量精度 - 采用大尺寸样品室，更便于对样品的操作 - 运用独特的光路设计,防止脉冲展宽并消除色散，使短寿命测试结果更加精准 - 光谱测量范围可覆盖紫外-可见-近红外 - 可以与多种高重复频率的飞秒或皮秒脉冲激光器配合使用,提高实验室已有设备的利用率 - 紧凑型一体化设计,占用空间更小 - 便于操作的荧光寿命分析软件 主要测量功能： - 荧光寿命/瞬态光谱测试 - 时间分辨荧光光谱 - 准稳态光谱测试 - 全自动时间分辨各项异性光谱测量（需要电动偏振器选件） - 温度扫描过程中的荧光寿命及时间分辨荧光光谱测量（需选择制冷机或TE制冷样品架选件）

美国sinton少子寿命测试仪WCT-120，Suns-VocSinton instruments 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120硅片少子寿命测试系统 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。 主要应用：分布监控和优化制造工艺 其它应用： 检测原始硅片的性能 测试过程硅片的重金属污染状况 评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏 用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。 主要特点： 只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120 常见问题：美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。 少子寿命测试仪性能参数：1. 测量原理：QSSPC（准稳态光电导）； 2. 少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；3. 测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；4. 电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；5. 注入范围：1013-1016cm-3；6. 感测器范围：直径40-mm；7. 测量样品规格：标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；8. 硅片厚度范围：10–2000 μm；9. 外界环境温度：20°C–25°C；10. 功率要求：测试仪： 40 W ， 电脑控制器：200W ，光源：60W；11. 通用电源电压：100–240 VAC 50/60 Hz； 晶体硅硅片、规定以及工艺过程中lifetime测试技术晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 少数载流子寿命（Minority carriers life time）： （1）基本概念： 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。 对n型半导体，其中非平衡少数载流子——空穴的寿命τ，也就是空穴的平均生存时间，1/τ就是单位时间内空穴的复合几率，Δp/τ称为非平衡空穴的复合率 (即n型半导体中单位时间、单位体积内、净复合消失的电子-空穴对的数目)；非平衡载流子空穴的浓度随时间的变化率为dΔp /dt =－Δp /τp, 如果τp与Δp 无关, 则Δp 有指数衰减规律：Δp = (Δp) exp( -t/τp ) 。 实验表明, 在小注入条件 (Δp。应当注意的是，只有在小注入时非平衡载流子寿命才为常数，净复合率才可表示为－Δp/τp；并且在小注入下稳定状态的寿命才等于瞬态的寿命。 （2）决定寿命的有关因素： 不同半导体中影响少数载流子寿命长短的因素，主要是载流子的复合机理（直接复合、间接复合、表面复合、Auger复合等）及其相关的问题。对于Si、Ge等间接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶不在Brillouin区的同一点，故导带电子与价带空穴的直接复合比较困难（需要有声子等的帮助才能实现——因为要满足载流子复合的动量守恒），则决定少数载流子寿命的主要因素是通过复合中心的间接复合过程。从而，半导体中有害杂质和缺陷所造成的复合中心（种类和数量）对于这些半导体少数载流子寿命的影响极大。所以，为了增长少数载流子寿命，就应该去除有害的杂质和缺陷；相反，若要减短少数载流子寿命，就可以加入一些能够产生复合中心的杂质或缺陷（例如掺入Au、Pt，或者采用高能粒子束轰击等）。对于GaAs等直接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶都在Brillouin区的同一点，故决定少数载流子寿命的主要因素就是导带电子与价带空穴的直接复合过程。因此，这种半导体的少数载流子寿命一般都比较短。当然，有害的杂质和缺陷将有更进一步促进复合、减短寿命的作用。 （3）少数载流子寿命对半导体器件的影响： 对于主要是依靠少数载流子输运（扩散为主）来工作的双极型半导体器件，少数载流子寿命是一个直接影响到器件性能的重要参量。这时，常常采用的一个相关参量就是少数载流子扩散长度L（等于扩散系数与寿命之乘积的平方根），L即表征少数载流子一边扩散、一边复合所能够走过的平均距离。少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。 对于BJT，为了保证少数载流子在基区的复合尽量少（以获得很大的电流放大系数），则必须把基区宽度缩短到少数载流子的扩散长度以下。因此，要求基区的少数载流子寿命越长越好。 　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 简介：少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了 少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子是因电子脱离的原子,多子因电子加入而形成的原子. 少子寿命Life Time即少子形成到少子与多子结合的时间.

双工位锁具全套寿命试验机 锁具锁芯开锁闭合寿命试验机专业生产测试锁具的插拔旋转测试 锁具疲劳实验机 锁具旋转测试仪锁具寿命测试机专为检测模拟锁具的锁芯开锁提手手柄使用寿命而设计，，可以适应多种锁具的检测，采用人性化的PLC+人机界面操作简单等优点。用户可以根据自己的需要和标准要求，直接在操作屏幕上面输入旋转角度等参数，达到设定次数后机器自动停机。一. 钥匙插拔扭转寿命测试机 钥匙插拔扭转寿命检测仪 钥匙扭转仪工位：二个工位； 四、 锁具疲劳检测设备、专业生产控制方式：触摸屏加PLC程序控制；五、 双工位锁具全套寿命试验机 锁具锁芯开锁闭合寿命试验机专业生产角度：0度到90度之内任意设定；六、 测试次数：0-999999内设定；七、 测试速度：0-60分每秒可调；八、 驱动电机：步进电机；九、 旋转空间：电机旋转中心到平台高度保证100mm以上十、 台面材质：纯铝氧化处理十一、 固定治具：可调式固定治具十二、 导轨：精密进口导轨十三、 工作电源：AC220V、50HZ钥匙插拔扭转寿命测试机 钥匙插拔扭转寿命检测仪 钥匙扭转仪本公司所有产品全为铝制品，所有铝都经氧化外表美观轻巧，经久耐用永不生锈。本公司所有产品全为铝制品，所有铝都经氧化外表美观轻巧，经久耐用永不生锈。来对了，找到真正的和有实力的生产厂家帮您省钱！我们销售的每台仪器设备都是经过严格的检查及出货，产品质量能够得到限度的保障，不会出现以次充好或者销售有瑕疵的产品，购买我们的机器追求的就是超高的性价比，您购买的不光是产品本身，还有针对产品提供的专业服务和质量保障。选择“达标仪器”品牌是您***对的选择！

仪器简介： HORIBA Scientific（Jobin Yvon光谱技术）荧光光谱仪器可提供全套稳态、瞬态和稳-瞬态以及各种偶联技术的解决方案。 荧光寿命测试系统-DeltaPro，其高性能以及简单实用的特点，对TCSPC系统有了新的定义。 DeltaHub---DeltaPro的核心部件，超短的死时间（10ns）配合高重复频率的激光光源和高速检测器可实现无损失的光子计数，到达到快速采集数据和准确的分析结果。 DeltaPro配置新型脉冲半导体光源作为荧光和磷光的激发光源。有两种系统配置可选：DeltaPro-NL 型，配置NanoLED光源，重复频率可达1MHz；DeltaPro-DD型，配置DeltaDiode光源，重复频率可达100MHz，极端测定速度的可选光源。 DeltaPro-NL 和DeltaPro-DD都可配置用于磷光测定的SpectraLED光源。与氙闪灯相比，SpectraLED具有多种波长可选，实用方便和无噪音的优点。 多种光源可选，软件直接控制，因此在DeltaPro系统上无需更换控制器，即可实现25ps~1s的寿命测定。当选择NanoLED 或 DeltaDiode激光二极管光源时，系统可以测定25ps~10µ s的寿命，当选择SpectraLED，系统可以测定1µ s~1s的寿命。可选附件： · 单色仪Monochromators · 手动或电动偏振器 · 自动光学部件 · 红外扩展 PPD 模块 (例如PPD-850C 或 PPD-900C) · NIR检测器（~1700nm） · 固体样品支架 · 更多光源见 技术参数： · 基于滤光片实现波长选择(可选单色仪) · PPD 光子检测模块（标配） · 可升级NIR 检测器（~1700nm） · 综合分析软件 · 标准液体样品架，加载温度传感器和搅拌装置 · 大尺寸样品仓，配置UV级光学部件 · F-link 即插即用型交互界面主要特点： · 采集速度快：1ms即可获得短寿命 · 灵敏度高：单光子计数技术 · 准确性好：计时电路无需校正 · 灵活性强：寿命响应范围25ps~1s · 模块化：根据需求选择升级 · 紧凑型：占地小 · 方便性：电脑通过USB2.0控制系统（无需PCI卡） · 性价比高

美国sinton少子寿命测试仪WCT-120，Suns-VocSinton instruments 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120硅片少子寿命测试系统 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。 主要应用：分布监控和优化制造工艺 其它应用： 检测原始硅片的性能 测试过程硅片的重金属污染状况 评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏 用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。 主要特点： 只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120 常见问题：美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。 少子寿命测试仪性能参数：1. 测量原理：QSSPC（准稳态光电导）； 2. 少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；3. 测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；4. 电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；5. 注入范围：1013-1016cm-3；6. 感测器范围：直径40-mm；7. 测量样品规格：标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；8. 硅片厚度范围：10–2000 μm；9. 外界环境温度：20°C–25°C；10. 功率要求：测试仪： 40 W ， 电脑控制器：200W ，光源：60W；11. 通用电源电压：100–240 VAC 50/60 Hz； 晶体硅硅片、规定以及工艺过程中lifetime测试技术晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 少数载流子寿命（Minority carriers life time）： （1）基本概念： 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。 对n型半导体，其中非平衡少数载流子——空穴的寿命τ，也就是空穴的平均生存时间，1/τ就是单位时间内空穴的复合几率，Δp/τ称为非平衡空穴的复合率 (即n型半导体中单位时间、单位体积内、净复合消失的电子-空穴对的数目)；非平衡载流子空穴的浓度随时间的变化率为dΔp /dt =－Δp /τp, 如果τp与Δp 无关, 则Δp 有指数衰减规律：Δp = (Δp) exp( -t/τp ) 。 实验表明, 在小注入条件 (Δp。应当注意的是，只有在小注入时非平衡载流子寿命才为常数，净复合率才可表示为－Δp/τp；并且在小注入下稳定状态的寿命才等于瞬态的寿命。 （2）决定寿命的有关因素： 不同半导体中影响少数载流子寿命长短的因素，主要是载流子的复合机理（直接复合、间接复合、表面复合、Auger复合等）及其相关的问题。对于Si、Ge等间接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶不在Brillouin区的同一点，故导带电子与价带空穴的直接复合比较困难（需要有声子等的帮助才能实现——因为要满足载流子复合的动量守恒），则决定少数载流子寿命的主要因素是通过复合中心的间接复合过程。从而，半导体中有害杂质和缺陷所造成的复合中心（种类和数量）对于这些半导体少数载流子寿命的影响极大。所以，为了增长少数载流子寿命，就应该去除有害的杂质和缺陷；相反，若要减短少数载流子寿命，就可以加入一些能够产生复合中心的杂质或缺陷（例如掺入Au、Pt，或者采用高能粒子束轰击等）。对于GaAs等直接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶都在Brillouin区的同一点，故决定少数载流子寿命的主要因素就是导带电子与价带空穴的直接复合过程。因此，这种半导体的少数载流子寿命一般都比较短。当然，有害的杂质和缺陷将有更进一步促进复合、减短寿命的作用。 （3）少数载流子寿命对半导体器件的影响： 对于主要是依靠少数载流子输运（扩散为主）来工作的双极型半导体器件，少数载流子寿命是一个直接影响到器件性能的重要参量。这时，常常采用的一个相关参量就是少数载流子扩散长度L（等于扩散系数与寿命之乘积的平方根），L即表征少数载流子一边扩散、一边复合所能够走过的平均距离。少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。 对于BJT，为了保证少数载流子在基区的复合尽量少（以获得很大的电流放大系数），则必须把基区宽度缩短到少数载流子的扩散长度以下。因此，要求基区的少数载流子寿命越长越好。 　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 简介：少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了 少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子是因电子脱离的原子,多子因电子加入而形成的原子. 少子寿命Life Time即少子形成到少子与多子结合的时间.

锁体寿命测试仪概述：锁体寿命测试仪专为检测模拟锁具的锁体而使用寿命而设计，可以适应多种锁具的检测，采用人性化的PLC+人机界面操作简单等优点。用户可以根据自己的需要和标准要求，直接在操作屏幕上面输入旋转角度寿命次数等参数，达到设定次数后机器自动停机。通过旋转锁体方条带动锁体机械部件运动。一、试验工位：2个锁体测试工位；二、专业生产控制方式：触摸屏加PLC程序控制；三、 测试zui大角度：0度到720度之内任意设定；四、 测试次数：0-999999内设定；五、 测试速度：0-60分每秒可调；六、 旋转空间：电机旋转中心到平台高度保证100mm以上 七、 台面材质：纯铝氧化处理八、 固定治具：可调式固定治具（根据客户产品订做） 九、工作电源：AC220V、50HZ 十、设备能测试寿命至10万次 Delta德尔塔仪器作为智能门锁专业检测设备供应商，所生产的智能门锁设备已经成功应用到多家专业测试机构和知名生产厂家，第三方检测机构例如：贵州省产品质量监督检验院、浙江省家具与五金研究所、广州质量监督检测研究院、广东产品质量监督检验研究院、杭州市质量技术监督检测院，知名企业例如：广东名门锁业、三环锁业、广东樱雪电器、力维智能锁业、深圳凯迪仕等生产厂家品质研发部，深受客户好评。 Delta德尔塔仪器专注于智能门锁符合标准的电气性能、防盗安全性能、耐久性检验、气候环境适应性、机械环境适应性、电磁兼容性、电气安全性、密钥量等等的检测设备的定制和研发。产品有：智能门锁耐用度试验机|智能门锁寿命耐久性试验机|智能门锁疲劳寿命试验机|锁芯耐用度试验机|智能门锁把手耐久试验机|智能门锁综合性能试验机|智能门锁老化试验机|智能门锁静压拉力试验机等仪器设备。

插头插座开关寿命试验机依据GB2099.1-2008、GB16915.1-2003及IEC60884-1等标准的相应条款设计，用于检测家用和类似用途的插头插座及开关产品的机械寿命试验。 主要技术参数：1.电 源：AC 220V±10%，50Hz，2.负载电流：最大负载电流不低于32A3.负载电压：AC50-290V可调4.负载连接方式：外接负载，6位输出控制。 5.工作模式 ：3个独立插头插座以及3个独立开关测试工位6.测试次数：0～99999次（各工位可独立设定）7.次数精度：±1次8.通电时间：0-99.9s可设定9.断点时间：0-99.9s可设定10.时间精度：±0.1s11.试验速度：通过通断电时间确定（最大40次/分钟）12.安全保护：各工位独立保护，包括过载、过流及机械多重保护13.各工位独立判断，失败时各工位独立声光报警并停止该工位，其它工位不影响，继续工作14.控制及操作：PLC智能控制，采用TFT液晶触摸屏+气动结构设备特征：本试验机与电源负载柜连接，可对插头插座进行电寿命、正常操作及分断容量等试验。 3可按客户要求增加部分夹具，对墙壁开关、跷板开关、拨板开关、倒板开关和自弹式按钮进行检测。设备满足标准：符合IEC60884-1:2006 20和 21节 Figure 16、 GB2099.1-2008、GB2099.3-2008第 20和 21节 图16，GB 16915.1-2014、IEC 60669-1:2007(Ed.3.2)，MOD 第18和19节 图12、图13、图14等标准要求。

荧光和荧光寿命分子包含多个单能态S0、S1、S2…和三重态T1…，每个能态都包含多个精细的能级。正常情况下，大部分电子处在*低能态即基态S0 的*低能级上，当分子被光束照射，会吸收光子能量，电子被激发到更高的能态S1 或S2 上，在S2 能态上的电子只能存在很短暂的时间，便会通过内转换过程跃迁到S1 上，而S1 能态上的电子亦会在极短时间内跃迁到S1 的*低能级上，而这些电子会存在一段时间后通过震荡弛豫辐射跃迁到基态，这个过程会释放一个光子，即荧光。此外，亦会有电子跃迁至三重态T1 上，再由T1 跃迁至基态，我们称之为磷光。荧光特性研究荧光特性时，主要在以下几方面进行分析：激发光谱，发射光谱、荧光强度、偏振荧光、荧光发光量子产率、荧光寿命等。其中荧光寿命（Fluorescence Lifetime）是指荧光分子在激发态上存在的平均时间（纳秒量级）。荧光寿命测试荧光寿命一般在几纳秒至几百纳秒之间，如今主要有两类测试方法：时域测量和频域测量时间稳定性实验测试曲线：1 时域测量由一束窄脉冲将荧光分子激发至较高能态S1，接着测量荧光的发射几率随时间的变化。其中目前广泛应用的是时间相关单光子计数，即TCSPC(Time Correlated Single Photon Counting)时间相关单光子计数(TCSPC) 实现了从百ps-ns-us 的瞬态测试，此方法对数据的获取完全依赖快速探测器和高速电路。用统计的方法计算样品受激后发出的*一个( 也是唯一的一个) 光子与激发光之间的时间差，也就是下图的START( 激发时刻) 与STOP( 发光时刻) 的时间差。由于对于Stop 信号的要求，所以TCSPC 一般需要高重复频率的光源作为激发源，其重复至少要在100KHz 以上，多数的光源都会达到MHz 量级；同时，在一般情况下还要对Stop 信号做数量上的控制，做到尽量满足在一个激发周期内，样品产生且只产生一个光子的有效荧光信号，避免光子对的出现。2 频域测量对连续激发光进行振幅调制后，分子发出的荧光强度也会受到振幅调制，两个调制信号之间存在与荧光寿命相关的相位差，因此可以测量该相位差计算荧光寿命。 左图为正弦调制激发光（绿色）频域显示，发射光信号（红色）相应的相位变化频域显示。右图为对应不同寿命的调制和相位的频域显示。TM- 调制寿命，TP- 相位寿命。[1]显微荧光寿命成像技术（FLIM）显微荧光寿命成像技术（Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy，FLIM）是一种在显微尺度下展现荧光寿命空间分布的技术，由于其不受样品浓度影响，具有其他荧光成像技术无法代替的优异性能，目前在生物医学工程、光电半导体材料等领域是一种重要的表征测量手段。FLIM 一般分为宽场FLIM 和激光扫描FLIM。宽场FLIM（Wide Field FLIM,WFM）该技术是用平行光照明并由物镜聚焦样品获得荧光信号，再由一宽场相机采集荧光成像。宽场FLIM 常用于快速获取大面积样品成像。时域或是频域寿命采集都可以应用在宽场成像FLIM 上。宽场FLIM 有更高帧率和低损伤的优势。2 激光扫描FLIM（Laser Scanning FLIM,LSM）激光扫描FLIM 是针对选定区域内的样品逐点获取其荧光衰减曲线，再经过拟合*终合成荧光寿命图像。相比宽场FLIM，其在空间分辨率、信噪比方面有更大的优势。扫描方式有两种：一种是固定样品，移动激光进行扫描，一种是固定激光，电动位移台带动样品移动进行扫描。FLIM 应用材料科学领域宽禁带半导体如GaN、SiC 等体系的少子寿命mapping 测量量子点如CdSe@ZnS 等用作荧光寿命成像显微镜探针钙钛矿电池/LED 薄膜的组分分析、缺陷检测铜铟镓硒CIGS，铜锌锡硫CZTS 薄膜太阳能电池的组分、缺陷检测镧系上转换纳米颗粒GaAs 或GaAsP 量子阱的载流子扩散研究生命科学领域细胞体自身荧光寿命分析自身荧光相对荧光标记的有效区分活细胞内水介质的PH 值测量局部氧气浓度测量具有相同频谱性质的不同荧光标记的区分活细胞内钙浓度测量时间分辨共振能量转移（FRET）：纳米级尺度上的远差测量，环境敏感的FRET 探针定量测量代谢成像：NAD(P)H 和FAD 胞质体的荧光寿命成像OmniFluo-FLIM系列显微荧光寿命成像系统应用案例1 用荧光分子对海拉细胞进行染色用荧光分子转子Bodipy-C12 对海拉细胞（宫颈癌细胞的一种） 进行染色。(a) 显微荧光寿命成像图，寿命范围1ns（蓝色）到2.5ns（红色）；(b) 荧光寿命直方图，脂肪滴的短寿命约在1.6ns 附近，细胞中其他位置寿命较长，在1.8ns 附近。用荧光分子转子的时间分辨测量*大的好处在于荧光寿命具备足够清晰的标签特性，且与荧光团的浓度无关。[2]2 金属修饰荧光金属修饰荧光：(a) 荧光寿命是荧光团到金表面距离的函数；(b) 用绿色荧光蛋白（GFP）标记乳腺腺癌细胞的细胞膜的共聚焦xz 横截面，垂直比例尺：5 m；(c) b 图的FLIM 图，金表面附近的GFP 荧光寿命缩短。[2]3 钙钛矿太阳能电池下图研究中，展示了一种动态热风（DHA）制备工艺来控制全无机PSC 的薄膜形态和稳定性，该工艺不含有常规的有害反溶剂，可以在大气环境中制备。同时，钙钛矿掺有钡（Ba2+） 碱金属离子（BaI2:CsPbI2Br）。这种DHA 方法有助于形成均匀的晶粒并控制结晶，从而形成稳定的全无机PSC。从而在环境条件下形成完整的黑色相。经过DHA处理的钙钛矿光伏器件，在0.09cm小面积下，效率为14.85%，在1x1cm的大面积下，具有13.78%的*高效率。DHA方法制备的器件在300h后仍然保持初始效率的92%。4 MQWs 多量子阱研究在(a) 蓝宝石和(b) GaN 上生长的MQWs 的共焦PL mapping 图像。具有较小尺寸的发光团的*高密度是观察到在GaN 上生长的MQWs。在(c) 蓝宝石和(d)GaN 上生长的MQWs 的共焦TRPL mapping 图。仅对于在GaN 上生长的MQWs，强的PL 强度区域与较长PL 衰减时间的区域很好地匹配。在(e) 蓝宝石和(f)GaN 上生长的MQWs 在A 点和B 点测量的局部PL 衰减曲线，均标记在图中。对于在GaN 上生长的MQWs，点A 和B 之间的PL 衰减时间差更高。OmniFluo-FLIM系列显微荧光寿命成像系统参数配置北京卓立汉光仪器有限公司提供的显微荧光寿命成像系统是基于显微和时间相关单光子计数技术，配合高精度位移台得到微观样品表面各空间分布点的荧光衰减曲线，再经过用数据拟合，得到样品表面发光寿命表征的影像。是光电半导体材料、荧光标记常用荧光分子等类似荧光寿命大多分布在纳秒、几十、几百纳秒尺度的物质的不二选择。参数指标：系统性能指标光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps荧光寿命测量范围500ps-1μs@ 皮秒脉冲激光器空间分辨率≤1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器荧光寿命检测IRF≤2ns配置参数激发源及匹配光谱范围（光源参数基于50MHz 重复频率）375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW，荧光波段：400-850nm405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW，荧光波段：430-920nm450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW，荧光波段：485-950nm488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW，荧光波段：500-950nm510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW，荧光波段：535-950nm635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW，荧光波段：670-950nm660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW，荧光波段：690-950nm670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW，荧光波段：700-950nm科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），*小步进：50nm，重复定位精度：＜ 1μm光谱仪320mm 焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD 出口，配置三块68×68mm 大面积光栅，波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD（可扩展PLmapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm, 探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，*高量子效率值95%时间相关单光子计数器（TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFluo-FM 荧光寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统 FLIM 软件界面控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。自主开发的一套时间相关单光子计数（TCSPC）荧光寿命的拟合算法，可对荧光衰减曲线中*多包含4 个时间组分的荧光过程进行拟合，获得每个组分的荧光寿命，光子数比例，计算评价函数和残差。TCSPC 荧光寿命通常并非简单的指数衰减过程，而是与光源及探测器相关的仪器响应函数（IRF）与荧光衰减过程相互卷积的结果，因此适当的拟合方法和参数选择对获得正确可靠的荧光寿命非常重要。该软件可导入实际测量的IRF 对衰减曲线进行卷积计算和拟合。但是大多数情况下， IRF 很难正确的从实验获得，针对这种情况，软件提供了两种无需实验获取IRF 的拟合方法：NO.1 通过算法对数据上升沿进行拟合，获得时间响应函数IRF，然后对整条衰减曲线进行卷积计算和拟合得到荧光寿命。NO.2对于衰减时间远长于仪器响应时间的，可对衰减曲线下降沿进行直接的指数拟合。该软件经过大量测试，可以很好的满足各种场合的用户需求。MicroLED 微盘的荧光强度像（3D 显示）：测试案例

设备针对机械锁体、电子锁体、紧急逃生锁寿命测试而设计，设备测试功能全面，覆盖锁体类型广。可以针对不同等级设置开关门负载，并选择相应的测试程序，设备自动执行相应产品的寿命测试。设备采用全新优化设计，使用更方便。

1总体要求： 1.1满足标准：智能电子锁寿命耐久性测试装置完全满足GA 374-2001 电子防盗锁，GA 701-2007 指纹防盗锁通用技术条件，GB 21556-2008 锁具安全通用技术条件，JG/T 394-2012，IEC 62692 数字门锁系统标准，UL294门禁系统，、UL1037，BHMA A156.25，BHMA A156.13，BHMA A156.36等相关标准试验要求。1.2智能电子锁寿命耐久性测试装置用于对电子防盗锁等产品进行 APP 临时密匙开门、指纹开门、钥匙开门、蓝牙开门、密码开门，磁卡开门等模拟用途行为测试。2.配置要求：智能电子锁寿命耐久性测试装置采用当前先进的 DELTA六轴机器人作为驱动模拟，还原实际开锁场景，机械手臂整个结构为空间关节型，具有多个自由度，能对被测电子 锁实现精确定位。机械手臂采用硬铝合金材料制成，为空心管件结构，这样既可保证 手臂有较高的刚度，也可降低手臂的重量，减小电机的负载。控制系统由 PLC 设定与 控制伺服电机的动作时序，并兼有计时、计数功能，由机械手臂的感应开关来检测各个工作点的状态，并判断试样电子锁具的好坏，从而作出相应的处理。 3.技术要求3.1测试工位：可根据客户要求测试一把或多把电子锁。 3.2系统测试驱动：工作方式采用六轴机器人操作，灵动自由，触手可及，可配合传感器、深度学习，进行电子锁三维动作的检测作业。六轴机器人最da负载：≤6Kg；最da工作半径（臂长）：700 mm；重复定位精度：±0.02 mms；节拍周期：25/305/25，安装方式：正装，壁装，倒装；运动范围：J1~J6：±170°，±110°，±136°,±185°，±120°，±360°s ；各轴最da速度J1~J6：±384°，±240°，±336°,±441°，±450°，±720s；手腕容许最da惯性力矩0.3 kg?m，0.3 kg?m，0.1 kg?s ；手臂末端I/O输入：6，输出： 900 mm，基座面板I/O输入：6，输出：5s(可扩展) ，额定电压220 V a.c. 50/60 Hz额定功率1.5 kW 。3.2测试指纹膜：用于代替手指解锁指纹，硅胶材质，标配不少于3套不同指纹膜（模拟用户指纹），指纹膜寿命周期约为3000次（耗材）。3.7电子智能锁安装夹具：钢制烤漆，固定底盘上下左右可调节，能实现门锁的顺、逆时针旋转开启，安装试样时位置调整方便。 3.8测试次数：0～99999999次可预设。3.9测试频率：0～20次/min。3.10控制及操作：PLC智能程序+TFT液晶触摸屏操作（配工控机控制）。3.11设备电源：AC220V 50/60 Hz。4.设备技术特点： 4.1利用伺服电机作为传动动力源；4.2采用 DELTA 六轴机器人多维度运转，可真实的模拟人的手臂、手指动作；4.3利用高弹性硅胶指纹膜代替手指解锁指纹，指纹范围广泛，更具真实模拟效应；4.4将各种类别的防盗电子锁、智能电子锁、指纹锁等产品均可在一套系统上分别进行实验； 4.5系统可 24h 全天候对试样进行测试，无需人工值守，极大的提高检测效率；4.6具有断电保护功能，上电后不需人工干预可继续试验；4.7可对开关实验进行次数记录和时间记录；4.8具有实验次数预置和实验时间预置功能；4.9具有实验完成和出错报警功能；4.10一次性投入，后期维护费用低，终身免费软件升级，降低了实验的检测成本；4.11 设备主要部件，如驱动电机、触摸屏、PLC、变频器、力值传感器、数据采集卡等关键部件均应采用国际知名品牌，以提高设备的档次及可靠性， 满足有关试 验等的要求；4.12设备电压、电流，温度，力值、频率等各项技术参数精度要求符合 CTL-251B 的要求；4.13. 售后服务：设备具有完善的售后服务，整机质保一年；能提供快捷优质的技术服务及备用零件、易耗品的供应；提供电话咨询及远程技术指导服务， 免费进行软件的升级服务。

本熔断器负载寿命测试台符合QC/T420汽车用熔断器、QC/T413汽车电气设备基本技术条件中等有关条款的标准要求。主要供专业生产汽车用熔断器的厂家进行产品瞬时熔断特性试验或长时间电流过载熔断特性负载试验，还同时具有熔断器电压降测量、熔断后泄漏电流测量等功能，可对产品在线出厂前检测或实验室试验用，是熔断器生产厂家产品性能检测所必备的设备。主要技术参数：1、使用电源：控制电源：AC220V±10%/50Hz。 试验用电源：AC380V±10%/50Hz。2、检测产品工位数：3位(但同一时间只能检测1个样品)。3、电流量程： 10A/100A/1000A三档选择。 0～100A分辩率为0.01A；100A～1000A分辩率为1A。4、电压降量程：0～1.999V，分辩率1mV。5、泄漏电流量程：0～1.999mA，分辩率0.001mV。6、输出电压：DC10～40V可调。7、各个电流量程之间手动转换。8、数显瞬时熔断时间：0～200ms，分辨率为1ms，精度0.5%。9、数显长时熔断时间：0～99h99m99s，分辨率为10ms，精度0.5%。10、数显电压值：量程0～40.00V，精度0.5%。11、数显电流值：量程0～1000A，精度0.5%。12、瞬时动作连续试验时间不得大于1min。设备结构：本熔断器负载试验柜由三大部份组成，即高精度直流稳压源、产品操作台及负载试验柜。1、高精度直流稳压源该电源采用直流逆变方式和开关电源供电原理工作，外型尺寸约：宽（650mm）×深（650mm）×高（1550mm）。箱体采用铁板压制喷涂处理，台底下部有4个支承轮子，可方便移动。2、产品操作台采用低电压大电流输出原理，利用直流电源输出的大电流，对被检产品通电并通过高精度电流感应器检测电流大小及通断情况(熔断时间)，检测其通电流及动作时间关系特性。本检测台可通过转换开关达到检测瞬时熔断特性或长时间电流过载熔断特性二种测试功能。采用控制台式结构，外型尺寸约：宽（700mm）×深（750mm）×高（1550mm），台面高约700mm，台板材料为PVC塑料板，上铺绿色绝缘胶板，台板上有安装夹具用的联接导电铜排，可同时安装3套夹具(但同一时间只能检测1个样品)。箱体采用铁板压制喷涂处理，台底下部有4个支承轮子。3、负载试验柜本负载柜采用柜式结构，外观尺寸约为：1000×750×1750mm(宽×深×高)，柜体用冷扎板压制而成并经严格的喷涂处理，柜下方有四个万向轮子方便移动。柜体内部有电阻片组、内涵式风道、抽气风机、交流接触器、继电器、电流转换控制线路等零部件。面板有漏电保护开关、电流量程选择开关等。设备满足标准：本熔断器负载寿命测试台符合QC/T420汽车用熔断器、QC/T413汽车电气设备基本技术条件中等有关条款的标准要求。

一、设备概述：1、电子智能门锁模拟门寿命试验机是试验机其中一类用来试验或验证电子智能门锁产品在特定的环境模拟下能否适于使用、有效完成其功能的时间、有效使用次数、及检测出其老化疲劳值的试验机（也就是检测出验证电子智能门锁产品的极限“保质期”）；2、“电子智能门锁模拟门寿命试验机”具有高科技性、专业性、独特性.3、实现品质部完善电子智能门锁使用寿命型式测试检测；4、实现检测、研发中心完善电子智能门锁新产品设计阶段验证使用寿命测试。二、主要技术参数：1、整机外形尺寸：长（1100mm - 1400mm），宽（1100mm - 1400mm），高（2100mm - 2500mm）；2、模拟门的门框尺寸：长（2000mm - 2400mm），宽（1000mm - 1300mm），注：2100mm * 1100mm（欧洲标准） 3、模拟门重：100KG 4、支持可调（配砝码）模拟门的可调门重（100KG - 200KG）；5、zui大模拟门重时，模拟门垂直变形值≤5mm；6、工作环境温湿度：温度在-10℃～40℃之间，湿度≤85%RH；7、设备整机工作电压：220VAC；8、设备整机额定功耗：≤800W；9、供气输入标准气压：0.25-0.6MPa；10、测试工位：单工位；11、模拟门开门方向：右内开；12、方便实现门锁的顺、逆时针旋转开启；13、测试步骤支持zui大编程步数：≥30步；14、支持指纹（半导体、光学）开锁验证；15、支持密码开锁验证；16、支持刷卡（标准卡、异形卡）开锁验证；17、支持机械钥匙开锁验证；18、支持3组不同开锁密码验证输入；19、支持两组验证方式（指纹、密码、刷卡）组合验证开锁；20、支持密码键盘位数：≤12位；21、支持输入密码位数：≥6位，≤32位；22、支持前面板滑盖推拉动作；23、测试工作频率（指纹、密码、刷卡、机械钥匙）：5 - 15次/分钟；24、每个测试工位通过电机控驱动XY轴方向两条进口丝杆行走；25、按压密码，按压指纹，靠近卡片通过气缸输出对应动作；26、支持寿命测试zui大值：50万次；27、执手开门扭力、扭矩（KN）：0-44NM；28、钥匙开门扭力、扭矩（KN）：0-10NM；29、斜舌侧向力（关门）：每工位可各自带10N、25N、50N及120N载荷(欧州标准)；30、开启门的距离为到200±5mm，采用气缸作用力在把手上的推开门的开门方式；31、支持更换不同测试夹具，支持的测试不同型号的产品；32、系统采用电阻屏输入，屏幕尺寸≥7英寸，分辨率不小于1024*600；33、支持屏显当前测试数；34、支持上提把手动作；35、可适配不同高度门锁，活动部件可上下左右移动，适配不同结构门锁；36、采用电镀的夹具表面处理；三、试验规程：1、锁测试流程：①旋钮旋转打出方舌；②靠卡；③下压把手；④模拟门移动开门，松开把手并移动模拟门关门；2、指纹锁测试流程：①上提外把手打出方舌；②门内保险钮打出保险舌；③拉滑盖上电；④按压指纹；⑤下压把手；⑥移动模拟门开门；⑦把手复位,移动模拟门关门；3、密码锁测试流程：①、上提外把手打出方舌；②、门内保险钮打出保险舌；③、拉滑盖上电；④、按压密码；⑤、下压把手；⑥、移动模拟门开门；⑦、把手复位，移动模拟门关门；4、指纹锁（卡）+密码测试流程(组合方式可以置换)：①、上提外把手打出方舌；②、门内保险钮打出保险舌；③、拉滑盖上电或按指纹窗按键或同时多个按键上电；④、按压,移动模拟门关门指纹；⑤、按密码；⑥、下压把手；⑦、移动模拟门开门；⑧、把手复位；5、钥匙等其它开锁功能，均可通用在以上的几种模式中进行测试。可模拟真实开关门，冲击、振动

一、产品用途：智能门锁执手寿命试验机主要针对智能门锁执手/把手操作的疲劳寿命进行模拟测试，人性化的设计，PLC、步进电机、滚珠丝杆、位移编码器等配件构成。以相关的行程、速度、计数的情况下，来检测产品的疲劳情况，从而提高产品品质。二、 设备技术特点：1、设备结构上采用加厚40*40铝型材组装而成，框架稳固可靠，结构美观大体，配备脚轮脚杯，方便移动定位。 设备Z轴可上下移动平台，准确高效定位。配合多个SMC精密导杆气缸完成一系列动作，气缸力源的大小可通过精密高压阀控制。 2、设备控制软件上，采用触摸屏显示器输入控制，以PLC进行编程，工况显示清楚了然，可设置调节每个工况的相应参数，如测试速度，测试时间，延时时间等等。三、智能门锁执手寿命试验机主要技术参数：测试工位：单工位；计数功能：0—99999999八位计数，可设定；速度范围：10～30次/min，可设定；传动方式：采用电动与气动综合；控制软件：PLC加触摸屏控制；夹具：依客户产品设计wan能夹具；电源：220V/50HZ；重量：约80KG Delta德尔塔仪器作为智能门锁专业检测设备供应商，所生产的智能门锁设备已经成功应用到多家专业测试机构和知名生产厂家，第三方检测机构例如：贵州省产品质量监督检验院、浙江省家具与五金研究所、广州质量监督检测研究院、广东产品质量监督检验研究院、杭州市质量技术监督检测院，知名企业例如：广东名门锁业、三环锁业、广东樱雪电器、力维智能锁业、深圳凯迪仕等生产厂家品质研发部，深受客户好评。 Delta德尔塔仪器专注于智能门锁符合标准的电气性能、防盗安全性能、耐久性检验、气候环境适应性、机械环境适应性、电磁兼容性、电气安全性、密钥量等等的检测设备的定制和研发。产品有：智能门锁耐用度试验机|智能门锁寿命耐久性试验机|智能门锁疲劳寿命试验机|锁芯耐用度试验机|智能门锁把手耐久试验机|智能门锁综合性能试验机|智能门锁老化试验机|智能门锁静压拉力试验机等仪器设备。

一、PCT高压加速寿命老化试验箱产品简介：PCT 高温高压加速老化试验箱(又称“PCT试验箱”):是由一个圆形的压力容器及水加热系统组成。主要用于测试产品在高温、高湿及高压的气候环境下的贮存、运输和使用时的性能试验，用于对电工、电子产品、元器件、零部件、IC 半导体、磁性材料、高分子材料、金属材料、EVA 材料、连接器、光伏组件及其材料在模拟高温、高湿及压力的气候条件下，对产品的物理以及其它相关性能进行测试，测试后通过检定来判断产品的性能是否能够达到要求,以便供产品的设计、改进检定及出厂检验使用。二、PCT高压加速寿命老化试验箱技术参数：1、外形尺寸：1920*1920*950mm2、内箱尺寸：φ400*475mm3、温度范围：+105℃～+132℃4、温度波动度：土0.5℃5、温度均匀度：±2℃6、安全压力容量:4kg/cm₂ =1个环境大气压+3kg/cm₂ 7、循环方式：水蒸气自然对流循环8、测时间设置：0～999Hr9、加压时间：0.00kg/cm₂ ～2.00kg/cm₂ 约45分钟10、升温时间：由常温升至+132℃约35分钟内非线性空载11、温度变化速率：空气温度平均变化速率,而非产品温度变化速率三、PCT高压加速寿命老化试验箱产品特点：1.圆型内箱，不锈钢圆型试验内箱结构，符合工业安全容器标准可防止试验中结露滴水设计。2.圆幅内衬，不锈钢圆幅型内衬设计，可避免蒸气潜热直接冲击试品。3.精密设计，气密性良好，耗水量少，每次加水可连续200H4.自动门禁，圆型门自动温度与压力检知安全门禁锁定控制，高压蒸煮老化试验机，安全门把设计，箱内有大于常压时测试们会被反压保护5.箱内压力愈大时，PACKING会有反压会使其与箱体更紧密结合，高压蒸煮老化试验机与传统挤压式完全不同，可延长PACK-ING寿命。6.实验开始前之真空动作可将原来箱内之空气抽出并吸入过滤蕊过滤之新空气(PARTICAL1MICORN)。以确保箱内之纯净度7.临界点LIMIT方式自动安全保护，异常原因与故障指示灯显示，PCT试验箱可以加速试验，缩短试验时间

设备概述：锁体旋钮开关寿命测试仪适用于智能门锁的防盗保险销寿命模拟测试。锁体旋钮开关寿命测试仪技术参数：１试验工位：2工位 同时运行 2次数0-999999次可设定3试验速度5-60次/分可调4开启测试角度0-999995停留时间1～999sec(可 设) 6控制方式：触摸屏PLC 7体积W550×D450×H500mm8重量30kg9电源AC220V,50Hz 3A设备特点：1.采用液晶触摸屏+PLC作扭曲程序控制，中文界面，操作简便； 2.采用步进马达驱动，定位精确，扭矩输出平稳，低噪声；3.平台设计有前后左右上下移动调节平台，能方便快捷进行装夹定位，提高测试效率。 Delta德尔塔仪器作为智能门锁专业检测设备供应商，所生产的智能门锁设备已经成功应用到多家专业测试机构和知名生产厂家，第三方检测机构例如：贵州省产品质量监督检验院、浙江省家具与五金研究所、广州质量监督检测研究院、广东产品质量监督检验研究院、杭州市质量技术监督检测院，知名企业例如：广东名门锁业、三环锁业、广东樱雪电器、力维智能锁业、深圳凯迪仕等生产厂家品质研发部，深受客户好评。 Delta德尔塔仪器专注于智能门锁符合标准的电气性能、防盗安全性能、耐久性检验、气候环境适应性、机械环境适应性、电磁兼容性、电气安全性、密钥量等等的检测设备的定制和研发。产品有：智能门锁耐用度试验机|智能门锁寿命耐久性试验机|智能门锁疲劳寿命试验机|锁芯耐用度试验机|智能门锁把手耐久试验机|智能门锁综合性能试验机|智能门锁老化试验机|智能门锁静压拉力试验机等仪器设备。

设备结合 EN 179 逃生锁，EN 1125 推杆锁测试要求，配置 2 个测试门， 测试门 A 用于 EN 179 逃生锁寿命测试，门锁样品通过锁块安装于测试门上，根据产品等级配置不同的测试门重，设置锁舌负载以及关门力。可以依照加载锁舌负载，通过操作执手开启锁舌，并推把手开门，再在规定的关门力作用下关门。当样品出现开启力，关门力过大等故障时，设备自动停止运行。采用步进电机驱动把手操作 。 测试门 A、B 结合双开门，用于测试 EN 1125 推杆锁,可以根据产品等级配置不同的测试门重，设置锁舌负载以及关门力。可以加载锁舌负载情况下，通过操作推杆开启逃生锁，再在规定的关门力作用下关门。兼容单门逃生推杆寿命测试及双门（活动扇+非活动扇）组合逃生推杆寿命测试。 满足标准EN 179, EN 1125标准测试要求。

一、产品说明： 新升级键盘、金属弹片、按键打击寿命试验机以触膜屏为终端控制平台，依PLC进行编程设计并搭配高精度电机进行垂直上升、下降运动；可实现高速度、高精度下键盘、金属弹片、按键产品的寿命测试。 主要用于电脑键盘、Notebook、手机、金属弹片、PDA之按键及各种按钮、开关之耐久寿命试验。可同时测试数个产品（每个均可多点测试）另每个按键可设定不同压力及不同高低。二、主要规格参数：1、动作行程：10mm（固定）2、测头：弹簧式3、夹具夹持能力：500*250mm4、测头安装范围：450*250mm5、试验次数：99999999次（大可设置8位数）6、试验速度：10～400次/分钟7、工件高低调整范围：100mm8、测头高低调整:10mm9、两支测头小间隔… X方向10mm Y方向12mm10、测头固定杆：标准附件6条11、荷重测头：标准附件20支(弹簧式 ）12、外观尺寸：640*400*1120mm 13、电压：AC220V?14、重量：65Kg三、主要特点:1.每分钟可达400次的高速运作，较同类产品速度提高了一倍之多，从而大大的缩短了新产品的投产周期；2.7英寸超大触摸屏，PLC系统控制；3.测头高低及力量大小可调；4.两支测头X.Y方向间隔小，不仅适用于普通计算机键盘、手提电脑键盘也适用于手机、摇控器等产品的检测；5.噪音小；6.运行平稳、无振动； 四、产品结构图:五、测试样品:六、触摸屏界面图:七、仪器组合:

设备概述：户外锁具寿命耐久试验机主要针对户外用机械门锁的插拔旋转钥匙/执手操作的疲劳寿命进行模拟测试，本机采用人性化的设计，PLC+触摸屏操作、步进电机、位移编码器等配件构成。以相关的行程、速度、计数的情况下，来检测产品的疲劳情况，从而提高产品品质。 符合标准：本设备满足GB21556《锁具通用安全技术条件》试验标准。户外锁具寿命耐久试验机主要技术参数：试验工位：一工位； 速度范围：5～10次/min（可设定）；把手试验角度：0---360度（可设定）；钥匙试验角度：0---360度（可设定）；锁具打开行程：0---100mm(可设定）；把手动作：闭环步进电机（z大扭力5.4N.m）；钥匙动作：闭环步进电机 (z大扭力5.4N.m)；夹具：U型卡槽夹具，内衬橡胶缓冲垫片；夹具调节：导轨前后，上下移动调节；锁具固定：锁具固定在滑槽内，可以上下滑动调节固定；保护功能：光电开关感应；停机功能：实验次数到达设定次数停机；试验计数：0-999999（可任意设定）；控制功能：PLC+7寸触摸屏，（智能控制）；机台尺寸：约1200mm×600mm×1200mm(LxWxH)；设备电源:单相 AC220V,50Hz。

设备概述：门锁寿命耐久性试验机满足EN 12209标准。门锁样品通过锁块安装于测试门上，根据产品等级配置不同的测试门重，设置锁舌负载以及最da关门力。可以依照加载锁舌负载，通过操作执手或锁芯开启锁舌，再在规定的关门力作用下关门。当样品出现开启力，关门力过大等故障时，设备自动停止运行。采用步进电机驱动，可以切换为把手操作模式或钥匙操作模式，满足新标准EN 12209标准测试要求。符合标准：本设备满足EN 12209: 2016, EN 14846, EN179锁具测试要求。主要技术参数:1. 测试台框架：槽钢靠墙安装，两门并开；2. 测试门：铝合金框架门，钢板加固；3. 标准门尺寸：2.1m x 1.1m；4. 测试门重：100kg或200 kg，10kg增量可调；5. 把手操作：气缸控制，角度可调；6. 钥匙操作：伺服电机控制，角度可调；7. 把手操作力矩：小于5 N.m；8. 锁舌负载：0, 10N, 25N, 50N, 120N,可调；9. 关门力：0～50N, 可调；10. 触摸屏：寿命次数设定，断电保持计数显示；11. 气动元件：SMC；12. PLC:松下。

一、设备概述：电子门锁寿命耐久试验机完全满足GA 374-2001（电子防盗锁），GA 701-2007 （指纹防盗锁通用技术条件）、GB 21556－2008（锁具安全通用技术条件）标准中第5.9.13 b 使用寿命试验，适用于各类指纹锁、电子密码锁等智能门锁，能对各种智能电子门锁进行多功能测试。采用PLC+触摸屏控制，自动化程度高，样品门锁快速安装，自动测试，测试完成后自动报警停机，是各个质检部门和生产厂家的必用试验设备。二、主要技术参数：1. 本设备能同时装夹和测试1～2把门锁；2. 门框采用100mmX50mmX3mm的方管制作并方便拆卸，可安装锁扣板，安装位置可安装3个螺钉，而且上下调节350mm。（外形尺寸:长(1800mm-2300mm)X宽1320mmX高2500mm）；3．试验门高2100mmmX宽1100mmm，门重按标准100KG设计，且可加载砝码至总门重200Kg，砝码另计；4. 门重100Kg至200Kg时，试验门平面垂直的变形不能超过5mm；5. 能实现门锁的顺、逆时针旋转开启，调整方便；6. 开启执手的角度任意调节，可上提及下压，采用0.4KW的伺服电机作为驱动装置；7. 扭力可作出调整，调整为0～25最da扭矩可达5KN；8. 电机位置可上下调节，左右微调；9. 每工位独立操作，配置1套系统，配备电子锁的功能，(即增加旋钮开启方舌功能及使用卡或指纹作为开门装置)，每工位独立在PLC及触摸屏；10. 每工位可各自带10N、25N、50N及120N载荷(欧州标准)，负载位置为离门边25.4MM（更改为50mm，可左右微调）水平为执手的中心线。采用钢丝绳拉的方式，上下可实现微调节；11. 密码键盘可以自行设定，适用各种不同行距及列距及非标键盘12.最多可设定2组密码，密码最多可设22位（位数不限），采用循环测试；12. 具有同时按多个按键启动锁的键盘功能。密码锁的测试能记录单个按键接压的次数及密码组测试的次数；13. 可实现光学指纹头、电容式指纹头的测试,指纹的按压位置可实现循环变位(能适应由于设置具有解决残留指纹功能的指纹锁的测试)；14. 高精度的安全保护装置，遇故障停机保护功能。三、试验操作程序：1．电子锁测试流程（酒店门锁）：①、旋钮旋转打出打出方舌②、靠卡③、下压把手④、模拟门移动开门，松开把手并移动模拟门关门 2．指纹锁测试流程：①、上提外把手打出方舌②、门内保险钮打出保险舌③、拉滑盖上电④、按压指纹⑤、下压把手⑥、移动模拟门开门⑦、把手复位,移动模拟门关门3．密码锁测试流程：①、上提外把手打出方舌②、门内保险钮打出保险舌③、拉滑盖上电④、按压指纹⑤、下压把手⑥、移动模拟门开门⑦、把手复位,移动模拟门关门4. 密码锁测试流程：?①、上提外把手打出方舌②、门内保险钮打出保险舌③、拉滑盖上电④、按压密码⑤、下压把手⑥、移动模拟门开门⑦、把手复位，移动模拟门关门 5. 指纹锁（卡）+密码测试流程(组合方式可以置换)：?①、上提外把手打出方舌②、门内保险钮打出保险舌③、拉滑盖上电或按指纹窗按键或同时多个按键上电④、按压,移动模拟门关门指纹⑤、按密码⑥、下压把手⑦、移动模拟门开门⑧、把手复位6. 钥匙、遥控、手机等其它开锁功能，均可通用在以上的几种模式中进行测试。

清晰的对比即时产生寿命成像 STELLARIS 8 FALCON STELLARIS 8 FALCON（FAst Lifetime CONtrast，快速寿命对比）是功能成像的未来发展方向。 利用荧光寿命成像的强大性能来研究细胞生理学并探索活细胞动力学。 STELLARIS 8 FALCON 是一款完全整合的荧光寿命成像 (FLIM) 解决方案，以视频速率进行荧光寿命成像来研究活细胞的快速动力学。STELLARIS 8 FALCON 为您的成像增加了一个新的对比维度，实现生物传感以及跟踪蛋白质之间的相互作用。 现在，荧光寿命成像信息可用于STELLARIS 8 系统的所有模块。您现在可以： 通过 FLIM-FRET（荧光共振能量转移）跟踪分子间的快速相互作用。 使用生物传感器检测代谢状态和微环境的变化 通过寿命对比区分多个荧光团 经过简单的培训即可获得荧光寿命成像数据猫眼组织切片。 同时进行的光谱（灰色）和 FLIM（彩色）共聚焦成像显示了寿命对比情况。 使用 STELLARIS 8 FALCON 和 LAS X 软件采集和显示。通过 FLIM-FRET 跟踪分子间相互作用现代科研工作研究分子间如何进行相互作用来完成重要任务。 FLIM-FRET 是探索这种相互作用的金标准。STELLARIS 8 FALCON 为 FLIM 仪器设定了新的速度标准它能在高度动态的细胞事件中完成荧光共振能量转移 (FRET)实验。 您可以在日常实验中采集和分析 FRET 数据。HeLa 细胞中的笼锁cAMP（环磷酸腺苷），表达 EPAC mT2-dVenus FRET 传感器。 EPAC对紫外线介导的cAMP（环磷酸腺苷）解笼锁的反应（中心区域）。 视频采集速度4帧/秒。 图像大小： 256 x256 像素。 颜色条的尺度（寿命）：ns。 由荷兰阿姆斯特丹癌症研究所的Kees Jalink和Bram van den Broek提供。用生物传感器监测细微而快速的变化生物传感器是代谢活动、信号传导机制、酸碱度和微环境变化的强大报告元件。STELLARIS 8 FALCON 可提供荧光寿命中包含的信息，即使在膜电位动力学这类高速事件中也不例外。 这些信息是 STELLARIS 8 系统提供的光谱荧光强度成像和TauSense模式的有力补充。用凝血酶活化肽刺激后的钙振荡。 单个细胞中的响应被记录为寿命变化。 视频以4 pfs速率拍摄。 图像大小： 256 x 256个像素。 颜色条的尺度（寿命）：ns。 由荷兰阿姆斯特丹癌症研究所的Kees Jalink和Bram van den Broek提供。 更可靠、更灵敏的代谢成像自发荧光 在传统成像中可能是一个问题。 STELLARIS 8 FALCON 可将其转化为有价值的信息。 您现在可以将自发荧光转化为代谢状态、细胞分化和癌症发展的报告元件。此外，STELLARIS 8 FALCON 能够对活组织进行成像对比，而荧光标记通常是非特异性的，或者会破坏生理条件。非生理条件下哺乳动物细胞的自发荧光 （酸碱度为 8.5）。 信号与内源性 NAD/NADH 的变化相关。 氧化应激的发展表现为荧光寿命随时间缩短。 原始图像大小： 512 x 512 像素。 颜色条的尺度（寿命）：ns。超越光谱选项的荧光基团分离荧光标记是区分细胞内结构的标准方法。 光谱分离方法非常强大，但有时当发射光谱太接近时，这个方法就会受到限制。使用 STELLARIS 8 FALCON，您可以充分利用荧光寿命成像的潜力，使用指数拟合、谱图拟合和新的 FLIM 相量分离分析功能来分离多个荧光探针。交互式图像： 通过寿命对比加以区分的细胞骨架结构。 波形蛋白用Alexa Fluor 555（绿色）免疫标记，微管蛋白用Alexa Fluor 546（蓝色）免疫标记。 荧光基团的光谱非常相似，但它们可通过荧光寿命信息区分。 图像大小： 512 x 512 像素。使用 STELLARIS 8 FALCON 进行快速寿命成像STELLARIS 8 FALCON 显微镜克服了FLIM的速度限制，可快速提供寿命数据。使用 STELLARIS 8 FALCON 快速荧光寿命对比成像， 您能够以适当的速度跟踪细胞的动态过程。 这是因为采用了一种新的时间测量方法，即采用 TCSPC（时间相关单光子计数）技术和智能的数据处理和分析算法。STELLARIS 8 FALCON 可完全整合到 LAS X 采集与分析软件中。 它既可以同时记录4个光谱通道，又可先后记录多达10个通道的荧光寿命成像。 使用 STELLARIS 8 FALCON，您能够在 3D 层扫、延时序列乃至大型拼接成像方式中获得荧光寿命信息。一体化的多模态成像STELLARIS 8 FALCON 使 FLIM 与其他模态的结合变得十分简单。 一直以来，研究人员都不得不处理复杂的布线和繁琐的文件传输工作。 使用 STELLARIS 8 FALCON，您可以将寿命信息整合到标准的共聚焦工作流程中。使用 LAS X NAVIGATOR，您可以将观察区域扩大10,000 倍，更快地识别感兴趣的区域，以全新的方式研究样本。轻松采集复杂样本。 高分辨率小鼠胚胎成像，由包含1.9亿像素的722张图像拼接而成。 通过四个特有荧光寿命拟合的FLIM数据，彩色编码。 采集时间： 1小时23分。 分析时间： 1小时通过相量简单确定寿命使用 STELLARIS 8 FALCON 的 FLIM 相量图进行分析，可显示寿命分量的 2D 图。 通过 FLIM 相量分析，您可以跟踪微环境变化，选择多路信号的组分来确定 FRET 效率。即使您将显微镜当作一种辅助技术，您也可以找到重要的内容，并立即开始成像。 Alexa555-鬼笔环肽和 H2B-mCherry 标记的细胞。 使用 FLIM phasors 执行组分离。 相量图清晰地显示了两种寿命分布。 样本提供方： 德国康斯坦茨大学生物系 Martin St?ckl 博士。 只需点击一下即可获得您需要的结果使用 LAS X 软件，只需点击一下即可获得荧光寿命成像，方法与常规光谱成像相同。更专业的功能可作为工作流程提供，为您实现方便的自动化工作。一键式设计，让您能够专注于科学研究： 由 LAS X 软件控制的 STELLARIS 8 FALCON

磷酸铁锂电池与铅酸电池对比优势：1、体积小、重量轻（14.4KG），有单独的电池保护和电池包 VS 体积大而重（34.4KG），没有电池保护盒，没有电池保护板2、充电时间短，4-6小时可充满，型号不同充电时间不一样 VS 充电时间8-10小时型号不同充电时间不一样3、受温度影响小，在-20~+55℃正常使用 VS 受温度影响大，夏天天热续航长，冬天则短，0℃以下电解液凝固无法使用4、使用寿命长，一般寿命在5-8年 VS 用寿命短，平均在1.5-2.5年就要更换5、锂电池在铅酸电池基础上续航增加20% 安全性：锂电池：电芯为汽车动力使用的磷酸铁锂电池，完全符合国标安全规范自带充放电保护和电池均衡装置，杜绝电池过充燃烧爆炸等安全隐患符合国标，通过国家电池安全检车机构权威检测环保铅酸电池：含铅、锑等重金属，对环境造成严重污染，使用与维护易发生泄漏，内部硫酸外溢造成设备腐蚀及人员伤害事故；磷酸铁锂电池：锂电池材料不含任何重金属与稀有金属、无毒，无论在生产还是使用中均无污染。符合欧洲RoHS规定，为绿色环保电池锂电池。

奥美拉唑溶出检测使用寿命偏短问题解决 适用柱型号：Zafex Acutfex YS-C8供试品溶液： 组分名称 保留时间 峰高 峰面积 理论塔板数 拖尾因子 （min） （mV） （mV*s）奥美拉唑 19.809 40.70 1122594 11686 0.96理论板数按奥美拉唑峰计算不低于2000 奥美拉唑高效液相色谱条件：色谱柱：Acutfex YS-C8 250*4.6mm 5μm流动相：0.01mol/L磷酸氢二钠溶液（用磷酸调节PH至7.6）-乙腈（75：25）检测波长：302nm流速: 1.0ml/min柱温：30℃进样量：20ul仪器：SHIMADZU LC2030plus 奥美拉唑溶出检测使用寿命偏短问题解决 适用柱型号：Zafex Acutfex YS-C8 相关介绍 特点：通用ODS-C18色谱柱 通用型的、耐受高比例水相的十八烷基反相色谱柱填料。其填料是在超高纯度球形硅胶上键合通用性的十八烷基官能团，并进行严格的亲水性端基封尾修饰所得。无论是对碱性化合物还是酸性化合物吸附都较小，使得化合物在色谱柱上具有理想的峰型。 采用标准封端技术，平衡亲水疏水，通用型C18柱；适用于绝大多数反相条件下化合物分析，贡献超高的理论塔板数；偏低的碳载量，出峰快 适用于酸性、中性化合物的分离分析。案例：测定菊花药材色谱柱：Acutfex YS-C18，5μm，4.6×250 mm；流动相：0.1%磷酸水溶液（用磷酸调节pH值至7.0）-乙腈流速：1.0 mL/min；检测波长：348nm；温度：30℃；进样量：10 μL对复杂基质样品具有良好的分离效果 奥美拉唑溶出检测使用寿命偏短问题解决 适用柱型号：Zafex Acutfex YS-C8 完全符合2020年版中国药典测试要求 欢迎老师您来咨询！喆分欢迎您来询价！！ 联系人：刁经理 （微信同步）

充电接口插拔寿命试验机，用于测试a）机械锁止装置部分寿命试验；b）分断能力；c）正常操作（使用寿命）；执行标准： GB/T 20234.1-2023 标准机械锁止装置部分寿命试验对应条款 6.3.4.4 b）和条款 7.15.1.2；分断能力对应条款 6.3.11 和条款 7.22；正常操作（使用寿命）对应条款 6.3.12 和条款 7.23；GB/T 11918.1-2014 标准第 20 章。主要技术参数：1、测试项目： a）机械锁止装置部分寿命试验；b）分断能力；c）正常操作（使用寿命）；2、执行标准： GB/T 20234.1-2023 标准机械锁止装置部分寿命试验对应条款 6.3.4.4 b）和条款 7.15.1.2；分断能力对应条款 6.3.11 和条款 7.22；正常操作（使用寿命）对应条款 6.3.12 和条款 7.23；GB/T 11918.1-2014 标准第 20 章；3、控制系统：配置西门子、三菱、欧姆龙等知名品牌 PLC 模块，并配置 7 英寸及以上彩色液晶触摸控制屏；4、运行方式：手动或程控运行；5、具备模拟充电接口正常操作功能，既能够结合充电接口插拔操作、机械锁止装置和电子锁止装置解锁/闭锁操作，也可单独进行测试，具备可编程设置试验速度、试验时间和试验次数；6、动力系统：采用电动方式实现充电接口插拔操作；7、夹具要求：X/Y/Z 三维可调，适配国标、美标、欧标交/直流充电接口夹具或通用夹具；8、自动翻转：具备充电枪夹持处自动翻转机构，可 90º 翻转，并且翻转保持时间在（0～600）s 范围内可任意设定；9、试验次数：（0～999999）次范围内可任意数值预设，计数到达设定值时能自动停机；10、分断能力接通时间：（1～999.9）s 可设定；11、插拔速率：每分钟 7.5 个行程，行程可调节；12、试验行程：在（0～150）mm 范围内任意可调；13、试验速度：在（0～1000）mm/s 范围内任意设定可调节；14、力值显示：可显示最大插入力、最大拔出力及当前力值，力值范围（0～500）N，示值误差≤±0.5%F.S.,分辨力≤0.1N；15、锁止装置：具备锁止装置自动按压功能，模拟正常操作工况；16、电子锁止装置用开关电源：（0～24）VDC 可调，电源正负极性可编程控制实现电子锁解锁/闭锁功能；17、溶液槽盒：具备三种测试液体槽；18、浸液要求：浸泡液体次数，浸泡时间，凉干时间，插拔次数，循环次数可设置；19、试验工位：1 个工位。

项目概述：● 电子智能门锁模拟门寿命试验机是试验机其中一类用来试验或验证电子智能门锁产品在特定的环境模拟下能否适于使用、有效完成其功能的时间、有效使用次数、及检测出其老化疲劳值的试验机（也就是检测出验证电子智能门锁产品的极限“保质期”）；● 电子智能门锁模拟门寿命测试机”具有高科技性、专业性、独特性.● 实现品质部完善电子智能门锁使用寿命型式测试检测；● 实现研发部完善电子智能门锁新产品设计阶段验证使用寿命测试；1、整机外形尺寸：长（1100mm - 1400mm），宽（1100mm - 1400mm），高（2100mm - 2500mm）；2、模拟门的门框尺寸：长（2000mm - 2400mm），宽（1000mm - 1300mm），注：2100mm * 1100mm（欧洲标准） 3、模拟门重：100KG 4、支持可调（配砝码）模拟门的可调门重（100KG - 200KG）；5、模拟门重时，模拟门垂直变形值≤5mm；6、工作环境温湿度：温度在-10℃～40℃之间，湿度≤85%RH；7、设备整机工作电压：220VAC；8、设备整机额定功耗：≤800W；9、供气输入标准气压：0.25-0.6MPa；10、测试工位：单工位；11、模拟门开门方向：右内开；12、方便实现门锁的顺、逆时针旋转开启；13、测试步骤支持编程步数：≥15步；14、支持指纹（半导体、光学）开锁验证；15、支持密码开锁验证；16、支持刷卡（标准卡、异形卡）开锁验证；17、支持机械钥匙开锁验证；18、支持2组不同开锁密码验证输入；19、支持两组验证方式（指纹、密码、刷卡）组合验证开锁；20、支持密码键盘位数：≤12位；21、支持输入密码位数：≥8位，≤32位；22、支持前面板滑盖推拉动作；23、测试工作频率（指纹、密码、刷卡、机械钥匙）：5 - 15次/分钟；24、每个测试工位通过电机控驱动XY轴方向两条进口丝杆行走；25、按压密码，按压指纹，靠近卡片通过气缸输出对应动作；26、支持寿命测试值：25万次 - 50万次；27、执手开门扭力、扭矩（KN）：0-44NM；28、钥匙开门扭力、扭矩（KN）：0-2NM；29、斜舌侧向力（关门）：每工位可各自带10N、25N、50N及120N载荷(欧州标准)；30、开启门的距离为到200±5mm，采用气缸作用力在把手上的推开门的开门方式；31、支持更换不同测试夹具，zhichiceshi不同型号的产品；32、系统采用电阻屏输入，屏幕尺寸≥7英寸，分辨率不小于1024*600；33、支持屏显当前测试数；34、支持上提把手动作；35、采用烤漆的整机表面处理；36、采用电镀的夹具表面处理；1、酒店锁测试流程：①、旋钮旋转打出打出方舌；②、靠卡；③、下压把手；④、模拟门移动开门，松开把手并移动模拟门关门； 2、指纹锁测试流程：①、上提外把手打出方舌；②、门内保险钮打出保险舌；③、拉滑盖上电；④、按压指纹；⑤、下压把手；⑥、移动模拟门开门；⑦、把手复位,移动模拟门关门；3、密码锁测试流程：①、上提外把手打出方舌；②、门内保险钮打出保险舌；③、拉滑盖上电；④、按压密码；⑤、下压把手；⑥、移动模拟门开门；⑦、把手复位，移动模拟门关门； 4、指纹锁（卡）+密码测试流程(组合方式可以置换)：①、上提外把手打出方舌；②、门内保险钮打出保险舌；③、拉滑盖上电或按指纹窗按键或同时多个按键上电；④、按压,移动模拟门关门指纹；⑤、按密码；⑥、下压把手；⑦、移动模拟门开门；⑧、把手复位；5、钥匙、遥控、手机等其它开锁功能，均可通用在以上的几种模式中进行测试。

DeltaHub——DeltaFlex的关键部件 超短的死时间（10ns）：配合高重复频率的激光光源和高速检测器，可实现无损失的光子计数，达到快速采集数据和准确的分析结果。 超快寿命测试技术：真正实现了荧光寿命动力学测试，采集时间低至1ms（全球同类产品中 快），支持1ms-10,000min无间断寿命动态监测。新型脉冲半导体光源 DeltaFlex配置新型脉冲半导体光源作为荧光和磷光的激发光源（四大类型，百种可选），即插即用，无需校准，而且终身免维护。 其中DeltaDiode光源的重复频率可达100MHz，是超快寿命测试的 选择光源，同时可配置用于磷光测定的SpectraLED光源。与氙闪灯相比，SpectraLED具有265-1275nm宽波长的覆盖范围，以及实用方便、测试速度更快和信号无拖尾的优点。科研级模块化设计 在DeltaFlex系统上无需更换控制器和检测器，即可实现11个数量级（25ps-1s）范围内的荧光寿命测试。系统采用科研级模块化设计，配合全新的F-Link技术，可自动识别各类部件，软件直接接入、附件即插即用，能够无限满足升级需求。尤其是其中采用了行业优先的寿命拟合软件，没有费用开放数十种主流专业拟合功能，可单独于仪器操作。 多种光谱仪可选，配合像差校正光栅，覆盖200-1600nm宽光谱范围，完美实现时间分辨发射谱功能，支持100条发射波长动态连续监测，软件自动获得衰减相关光谱参数。 荧光寿命技术是科研中强有力的工具，可广阔用于物理、化学、材料、信息、生物和医学等领域。主要应用：FRET(Forster共振能量转移)Stern-Volmer猝灭稀土发光时间分辨和磷光各向异性分子互作，蛋白结构变化太阳能材料单线态氧测试光物理技术参数：基于滤光片或单色仪实现波长选择皮秒超快集成化PPD光子检测模块（标配）可升级NIR检测器（~1700nm）综合分析受命拟合软件，开放数十种拟合功能标准液体样品架，加载温度传感器和搅拌装置大尺寸样品仓，配置高效UV级光学部件F-Link即插即用型交互界面主要特点：超宽寿命测试范围25ps-1s 超快测试时间（低至1ms），完美实现动态反应分析超微量样品测试，低至1μL综合分析软件，5指数寿命拟合高稳定性设计，使用维护简单高度自动化，一键测量分析大尺寸样品仓设计，强劲的附件兼容能力高性能荧光、磷光寿命测试功能

QJPLA-5按键寿命测试机应用于开关类的按键寿命次数试验，任意控制和设定；1、规格型号：QJPLA-5 八工位2、测试速度：1-360次/分 （速度任意可调）3、测试压力 ：50g、100g、200g、300g砝码4、上下测试行程：10mm5、测试台尺寸：80*80mm6、测试行程：50mm（可调）7、导电测试功能：按键不导电时自动停机8、冲击运动方式： 上下压缩机构采直线轴承运动，定位精准9、计数器次数： 可设8位数--99999999次自动停机10、测试杆固定装置可调范围：0-150mm11、电压:220V 50HZ按键寿命测试机公司承诺：1.购机前，我们专门派技术人员为您设计合适的流程和方案2.购机后，将免费指派技术人员为您调试安装3.整机保修一年，产品终身维护4.常年供应设备的易损件及耗品确保仪器能长期使用