一,InGaAs盖革模式雪崩光电二极管(内置TEC制冷型) 0.9-1.7umInGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波近红外单 光子检测的专用器件,可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。InGaAs盖革模式雪崩光电二极管(内置TEC制冷型) 0.9-1.7um ,InGaAs盖革模式雪崩光电二极管(内置TEC制冷型) 0.9-1.7um产品特点● 光谱响应范围0.9~1.7μm ● 高探测效率、低暗计数率 ● 6 pin TO8产品应用● 弱光探测 ● 量子保密通信 ● 生物医疗技术参数线性模式参数产品型号IGA-APD-GM104-TEC参数符号单位测试条件最小典型最大反向击穿电压VBRV22℃±3℃ ,ID =10μA608090响应度ReA/W22℃±3℃,λ =1550nm ,M =10.80.85暗电流IDnA22℃±3℃,M =100.10.3电容CpF22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz0.25击穿电压温度系数ηV/K-40℃ ~80℃,ID =10μA0.15盖革模式参数参数单位测试条件最小典型最大单光子探测效率 PDE%-45℃ ,λ =1550nm ,0.1ph/pulse,泊松分布单光子源20暗计数率 DCR kHz-45℃,1ns门宽,2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20% 20*后脉冲概率 APP-45℃,1ns门宽,2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%1× 10-3时间抖动Tjps-45℃,1ns 门宽,2MHz门控重频,PDE=20%100* 可提供不同等级规格产品室温IV曲线DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)温度系数电容电压封装外形、尺寸及引脚定义 TO8 (尾纤封装)二,铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm总览InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波近红外单 光子检测的专用器件,可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm,铟镓砷InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) 0.9-1.7μm产品特点● 光谱响应范围0.9~1.7μm ● 高探测效率、低暗计数率 ● 3 pin TO46产品应用● 弱光探测● 量子保密通信 ● 生物医疗技术参数线性模式参数产品型号IGA-APD-GM104-R参数符号单位测试条件最小典型最大反向击穿电压VBRV22℃±3℃ ,ID =10μA608090响应度ReA/W22℃±3℃ ,λ =1550nm ,M =10.80.85暗电流IDnA22℃±3℃ ,M =100.10.3电容CpF22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz0.25击穿电压温度 系数ηV/K-40℃ ~80℃,ID =10μA0.15盖革模式参数参数单位测试条件最小典型最大单光子探测效 率PDE%-45℃ ,λ =1550nm, 0.1ph/pulse泊松分布单光子源20暗计数率DCRkHz-45℃ ,1ns门宽, 2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20% 20*后脉冲概率 APP-45℃ ,1ns门宽, 2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20% 1× 10-3时间抖动Tjps-45℃ ,1ns 门 宽 ,2MHz门控重频,PDE=20%100* 可提供不同等级规格产品TO46 (尾纤封装)
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