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请问下，武汉周围哪里有球差透射电子显微镜可以预约，因为文章要求3周内返修比较紧，又恰逢过年，仅有5个样品。。

问题：电子行业使用氢氟酸蚀刻工艺产生含氟废水，通过氯化钙处理后，产生含氟污泥，该污泥主要含氟化钙，众多行业鉴别均为一般固废，是否可以定为一般工业固废。回复：《国家危险废物名录》规定，铜板蚀刻过程中产生的废水处理污泥，属于危险废物，代码398-051-22。对不明确是否具有危险特性的固体废物，应当按照国家规定的危险废物鉴别标准和鉴别方法予以认定。经鉴别不具有危险特性的，不属于危险废物。

低温扫描电子显微镜可以观察不同含水量样品的细胞超微结构吗

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各位大虾好！兄弟有一事请各位大虾指教：我们有一个项目，相关文章用高分辨电子显微镜做的一些实验有很好的效果，兄弟也想做一下，但不知道高分辨电子显微镜的内涵、或者是具体定义是什么，请各位大虾赐教，谢谢！北京、武汉、广州、上海、济南，这些城市或周边城市中那个单位有比较好的高分辨电子显微镜对外开放，请各位大虾指引一二，不胜感激。高分辨电子显微镜的性能指标是什么？如购买一台大约需要多少钱（这样兄弟一了解某个实验室该仪器的价格大约就能知道其性能了）？有劳各位大虾了！兄弟十分感激！！！

我是美国CEM微波炉的用户,我使用的设备是MARS5.作为生产电子电器零配件的产生,我想请教一下,样品中汞的测试方法为何?

2013年03月06日 09:19 新浪科技 http://i0.sinaimg.cn/IT/2013/0306/U7917P2DT20130306092006.jpg　　艺术概念图，展示了范艾伦辐射带。范艾伦辐射带是一个甜甜圈形区域，含有“致命电子”，环绕我们的星球。这一辐射带经常因为太阳风暴和其他空间天气事件膨胀，对卫星通讯、GPS卫星以及宇航员构成严重威胁 http://i2.sinaimg.cn/IT/2013/0306/U7917P2DT20130306092022.jpg　　范艾伦辐射带的剖面图，两个范艾伦探测器从中穿过。范艾伦辐射带是环绕地球的甜甜圈形区域，含有高能粒子，主要是电子和离子 http://i0.sinaimg.cn/IT/2013/0306/U7917P2DT20130306092033.jpg　　范艾伦探测器获取的高能电子数据，揭示了3个不连续的能量通道。白色椭圆框圈起的部分就是第三个辐射带和第二个辐射带。2012年10月1日，第三个辐射带因日冕物质喷射被彻底歼灭 http://i3.sinaimg.cn/IT/2013/0306/U7917P2DT20130306092041.jpg　　2012年8月31日，太阳表面喷射出一个巨大的日珥，将粒子喷向地球同时形成一个奔向地球的冲击波。这一事件可能是第三个辐射带的形成原因 http://i3.sinaimg.cn/IT/2013/0306/U7917P2DT20130306092054.jpg　　范艾伦辐射带对卫星、宇航员和地球上的技术系统构成威胁，进一步加深对辐射带的了解至关重要，因为现代社会对基于太空的技术的依赖程度越来越高　　新浪科技讯 北京时间3月6日消息，据国外媒体报道，美国宇航局的太空探测器在地球周围发现第三个此前未知的范艾伦辐射带，这一发现有助于科学家了解太阳如何以及何时对地球带来危害。范艾伦辐射带是一个甜甜圈形区域，含有“致命电子”，环绕我们的星球。这一辐射带经常因为太阳风暴和其他空间天气事件膨胀，对卫星通讯、GPS卫星以及宇航员构成严重威胁。　　发现第三辐射带　　科学家一直认为地球周围只有两个范艾伦辐射带，但两个探测器(2012年夏季发射的范艾伦探测器)搭载的仪器发现的粒子显示存在第三个短暂的辐射带。科学家观测到这个第三个辐射带的形成，一共持续了4周时间，最后被来自太阳的一场强烈的行星际冲击波歼灭。　　美国新罕布什尔州大学的哈兰-斯宾塞表示：“在对辐射带进行了数十年的研究之后，我们发现了一个全新的辐射带。借助于范艾伦探测器的观测仪器，我们就如同拥有一双眼睛，看到这个引人注目的现象。我们期待着这项任务的其他发现，以便确定出现这种极端辐射带的频率以及可能出现的动力学现象。”斯宾塞是操控范艾伦探测器的研究小组成员。　　范艾伦辐射带是太空时代的第一项重大发现。美国宇航局的“先驱者3”号和“探索者4”号探测器(都在1958年发射升空，携带詹姆斯-范艾伦研制的仪器)传回的数据揭示地球周围存在两个截然不同的高能电子环形区域。在最初发现范艾伦辐射带时，科学家认为它们是相对比较稳定的结构，但随后进行的观测显示它们实际上非常活跃，不断发生变化同时充满神秘色彩。　　2012年8月30日，宇航局发射了辐射带风暴探测器——随后更名为“范艾伦探测器”——进一步研究辐射带。范艾伦辐射带对卫星、宇航员和地球上的技术系统构成威胁，进一步加深对辐射带的了解至关重要，因为现代社会对基于太空的技术的依赖程度越来越高。加深对辐射带形成和数量的认知同样有助于科学家了解太阳风暴如何以及何时对地球带来危害。　　带有一定偶然性　　第三个范艾伦辐射带的发现带有一定偶然性，因为发现辐射带的仪器——范艾伦探测器搭载的相对论电子质子望远镜(以下简称REPT)打开的时间早于原定计划。宇航局在一份声明中表示：“这是一个幸运的决定。在REPT打开前不久，太阳活动释放的能量奔向地球，导致辐射带膨胀。”正如所预料的一样，REPT 9月传回地球的数据仍显示只存在两个范艾伦辐射带。　　但就在几天之后，外环似乎压缩成一个强烈而紧凑的电子带，第三个不太紧凑的电子带形成，辐射带从两环变成三环。范艾伦探测器项目科学家什里-卡耐卡尔表示：“到了REPT打开后的第五天，我们观测到第三个辐射带。最初，我们还怀疑仪器出了问题。我们进行了全面检查，但并没有发现任何问题。观测结果显示第三个辐射带一共存在了4周时间。”　　美国科罗拉多州大学玻尔得分校的丹-贝克指出：“这一发现太怪异了。我当时认为一定是仪器出了故障。然而，另一个探测器得出了相同的发现。这促使我们得出发现第三个辐射带的结论。”贝克所在的实验室设计和制造了REPT。　　新罕布什尔州大学的天体物理学家斯宾塞表示这是一个“尤利卡时刻”。他说：“带着惊奇，我们看着外侧的辐射带快速消失。不过，这个辐射带并没有完全消失，内缘仍残留着少量泛着银色的高能电子，我们将它称之为‘存储环’。在随后几天外侧电子带变形时，这个带距离存储环所在位置更远，形成一个短暂的三带结构。教科书就在我们眼前被改写。”　　探测器功不可没　　在9月的第三周，距离地球最远的中部“存储环”开始消失。最后，来自太阳的一场强烈的行星际冲击波彻底歼灭了“存储环”以及外侧带的其他部分。科学家指出外侧的范艾伦辐射带极为不稳定，不时会出现带电粒子膨胀，导致它们逃逸，具体程度取决于空间天气。在此之前，科学家从未观测到这个三带结构，甚至没有在理论上提出存在这种结构。　　在“存储环”和外侧辐射带消失后几个月，范艾伦辐射区变形为原来的两带结构。贝克教授表示：“我们对这种现象的出现频率一无所知。这种现象可能非常频繁，但我们没有相应的仪器进行观测。利用高解析度观测仪器观测到外侧带的时空和能量活动还是第一次。此前对外侧辐射带进行的观测所呈现的景象比较模糊。在发射后第二天打开REPT时，一场强烈的电子加速活动已在进行当中，我们清晰地看到新辐射带以及这个辐射带与外带之间新形成的缝隙。”　　两个范艾伦探测器一模一样，负责对辐射带进行观测，对种类繁多的能量和粒子进行编目，追踪穿过辐射区的磁波。这两个探测器沿着椭圆形轨道环绕地球运行，能够在穿过辐射区时从两个辐射带的心脏地带向地球传送观测数据。范艾伦探测器搭载了5台仪器，允许科学家获取辐射带的数据，细节达到空前程度。　　两个探测器传回的数据有助于科学家进一步了解空间天气如何影响近地现象。加深对辐射带形成和数量的认知同样有助于科学家了解太阳风暴如何以及何时对地球带来危害。斯宾塞表示：“我们观测到的现象非常引人注目，允许我们在一定程度上改进辐射带动力学理论并加以验证，进而提高我们预测它们行为的能力。这对于了解空间天气非常重要，能够提高在危险太空区域活动的宇航员和航天器的安全性。”在2月28日《科学》杂志刊登的一篇论文中，科学家详述了他们的研究发现。(孝文)

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时间:2010-9-21 来源:中国有色金属科技信息网 编辑: cnitdc 点击: 1次 近日，日本物质材料研究机构的研究人员开发出一种新型电子源，有望使电子显微镜的识别和测定能力得到飞跃式提高。据介绍，开发出这种新型电子源的是日本物质材料机构的两名华人科学家，一次元材料组组长唐捷和研究员张涵（音译）。为了大幅度提高电子显微镜的性能，他们重点进行了新型电子源的开发，同时在电子放射方法方面也进行了创新。　　目前，电子显微镜普遍使用金属元素钨作为电子源，而化合物六硼化镧（LaB6）作为电子源虽然在性能上超过钨，但其硬度超过钨一倍以上，如果没有合适的加工方法很难实现应用。此次研究人员使用了一种叫化学气相堆积法的方法，首先制成了单结晶的六硼化镧纳米线，然后使用电界蒸发的方式除去了纳米线表面的不纯物质，从而成功开发出了新型电子源。与以往通过高温加热热源，使之放射出热电子的方式相比，新型电子源采用的是以极高的亮度放射出超细电子束的电界放射方式。　　在电子显微镜技术领域，日本过去一直领先世界，透过式电子显微镜和扫描式电子显微镜也一直是日本重要的技术出口产品，但目前在该领域日本已经被美国和德国超越。研究人员称，前段时间日本已经开发出新型高性能镜头，如果配上此次开发成功的六硼化镧单结晶纳米线电界放射型电子源，将有望使日本重新夺回透过式电子显微镜世界领先地位。（据科技日报） 算新闻还是旧闻啊?小日本有戏不？

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1. 光学显微镜以可见光为介质，电子显微镜以电子束为介质，由于电子束波长远较可见光小，故电子显微镜分辨率远比光学显微镜高。光学显微镜放大倍率最高只有约 1500倍，扫描式显微镜可放大到10000倍以上。 2. 根据de Broglie波动理论，电子的波长仅与加速电压有关： λe＝h / mv＝ h / (2qmV)1/2＝12.2 / (V)1/2 (?) 在 10 KV 的加速电压之下，电子的波长仅为0.12?，远低于可见光的4000 - 7000?， 所以电子显微镜分辨率自然比光学显微镜优越许多，但是扫描式电子显微镜的电子束直径大多在50-100?之间，电子与原子核的弹性散射 (Elastic Scattering) 与非弹 性散射 (Inelastic Scattering) 的反应体积又会比原有的电子束直径增大，因此一般穿透式电子显微镜的分辨率比扫描式电子显微镜高。 3. 扫描式显微镜有一重要特色是具有超大的景深(depth of field)，约为光学显微 镜的300倍，使得扫描式显微镜比光学显微镜更适合观察表面起伏程度较大的样品。 4. 扫描式电子显微镜，其系统设计由上而下，由电子枪 发射电子 束，经过一组磁透镜聚焦 (聚焦后，用遮蔽孔径 选择电子束的尺寸后，通过一组控制电子束的扫描线圈，再透过物镜 聚焦，打在样品上，在样品的上侧装有讯号接收器，用以择取二次电子或背向散射电子成像。 5. 电子枪的必要特性是亮度要高、电子能量散布 要小，目前常用的种类计有三种，钨(W)灯丝、六硼化镧(LaB6)灯丝、场发射 (Field Emission)，不同的灯丝在电子源大小、电流量、电流稳定度及电子源寿命等均有差异。 6. 热游离方式电子枪有钨(W)灯丝及六硼化镧(LaB6)灯丝两种，它是利用高温使电子具有足够的能量去克服电子枪材料的功函数(work function)能障而逃离。对发射电流密度有重大影响的变量是温度和功函数，但因操作电子枪时均希望能以最低的温度来操作，以减少材料的挥发，所以在操作温度不提高的状况下，就需采用低功函数的材料来提高发射电流密度。 7. 价钱最便宜使用最普遍的是钨灯丝，以热游离 (Thermionization) 式来发射电子,电子能量散布为 2 eV，钨的功函数约为4.5eV，钨灯丝系一直径约100μm，弯曲成V形的细线，操作温度约2700K，电流密度为1.75A/cm2，在使用中灯丝的直径随着钨丝的蒸发变小，使用寿命约为40~80小时。 8. 六硼化镧(LaB6)灯丝的功函数为2.4eV，较钨丝为低，因此同样的电流密度，使用LaB6只要在1500K即可达到，而且亮度更高，因此使用寿命便比钨丝高出许多，电子能量散布为 1 eV，比钨丝要好。但因LaB6在加热时活性很强，所以必须在较好的真空环境下操作，因此仪器的购置费用较高。 9. 场发射式电子枪则比钨灯丝和六硼化镧灯丝的亮度又分别高出 10 - 100 倍，同 时电子能量散布仅为 0.2 - 0.3 eV，所以目前市售的高分辨率扫描式电子显微镜都采用场发射式电子枪，其分辨率可高达 1nm 以下。 10. 场发射电子枪可细分成三种:冷场发射式,热场发射式,及萧基发射式 11. 当在真空中的金属表面受到108V/cm大小的电子加速电场时，会有可观数量的电 子发射出来，此过程叫做场发射，其原理是高电场使电子的电位障碍产生Schottky效应，亦即使能障宽度变窄，高度变低，因此电子可直接"穿隧"通过此狭窄能障并离开 阴极。场发射电子系从很尖锐的阴极尖端所发射出来，因此可得极细而又具高电流密 度的电子束，其亮度可达热游离电子枪的数百倍，或甚至千倍。 12. 场发射电子枪所选用的阴极材料必需是高强度材料，以能承受高电场所加诸在阴 极尖端的高机械应力，钨即因高强度而成为较佳的阴极材料。场发射枪通常以上下一组阳极来产生吸取电子、聚焦、及加速电子等功能。利用阳极的特殊外形所产生的静电场，能对电子产生聚焦效果，所以不再需要韦氏罩或栅极。第一(上)阳极主要是改变场发射的拔出电压,以控制针尖场发射的电流强度，而第二 (下)阳极主要是决定加速电压，以将电子加速至所需要的能量。 13. 要从极细的钨针尖场发射电子，金属表面必需完全干净，无任何外来材料的原子 或分子在其表面，即使只有一个外来原子落在表面亦会降低电子的场发射，所以场发 射电子枪必需保持超高真空度，来防止钨阴极表面累积原子。由于超高真空设备价格 极为高昂，所以一般除非需要高分辨率SEM，否则较少采用场发射电子枪。 14. 冷场发射式最大的优点为电子束直径最小，亮度最高，因此影像分辨率最优。能 量散布最小，故能改善在低电压操作的效果。为避免针尖被外来气体吸附，而降低场发射电流，并使发射电流不稳定，冷场发射式电子枪必需在10-10 torr的真空度下操作，虽然如此，还是需要定时短暂加热针尖至2500K(此过程叫做flashing)，以去除 所吸附的气体原子。它的另一缺点是发射的总电流最小。 15. 热场发式电子枪是在1800K温度下操作，避免了大部份的气体分子吸附在针尖表面，所以免除了针尖flashing的需要。热式能维持较佳的发射电流稳定度，并能在较 差的真空度下(10-9 torr)操作。虽然亮度与冷式相类似，但其电子能量散布却比冷 式大3~5倍，影像分辨率较差，通常较不常使用。 16. 萧基发射式的操作温度为1800K，它系在钨(100)单晶上镀ZrO覆盖层，ZrO将功函 数从纯钨的4.5eV降至2.8eV，而外加高电场更使电位障壁变窄变低，使得电子很容易以热能的方式跳过能障(并非穿隧效应)，逃出针尖表面，所需真空度约10-8~10-9torr 。其发射电流稳定度佳，而且发射的总电流也大。而其电子能量散布很小，仅稍逊于冷场发射式电子枪。其电子源直径比冷式大，所以影像分辨率也比冷场发射式稍差一点。 17. 场发射放大倍率由25倍到650000倍，在使用加速电压15kV时，分辨率可达到1nm，加速电压1kV时，分辨率可达到2.2nm。一般钨丝型的扫描式电子显微镜仪器上的放大倍率可到200000倍，实际操作时，大部份均在20000倍时影像便不清楚了，但如果样品的表面形貌及导电度合适，最大倍率650000倍是可以达成的。 18. 由于对真空的要求较高，有些仪器在电子枪及磁透镜部份配备了3组离子泵(ion pump)，在样品室中，配置了2组扩散泵(diffusion pump)，在机体外，以1组机械泵负责粗抽，所以有6组大小不同的真空泵来达成超高真空的要求，另外在样品另有以液态氮冷却的冷阱(cold trap)，协助保持样品室的真空度。 19. 平时操作，若要将样品室真空亦保持在10-8pa(10-10torr)，则抽真空的时间将变长而降低仪器的便利性，更增加仪器购置成本，因此一些仪器设计了阶段式真空( step vacuum)，亦即使电子枪、磁透镜及样品室的真空度依序降低，并分成三个部份来读取真空计读数，如此可将样品保持在真空度10-5pa的环境下即可操作。平时待机或更换样品时，为防止电子枪污染，皆使用真空阀(gun valve)将电子枪及磁透镜部份与样品室隔离，实际观察时再打开使电子束通过而打击到样品。 20. 场发射式电子枪的电子产生率与真空度有密切的关系，其使用寿命也随真空度变差而急剧缩短，因此在样品制备上必须非常注意水气，或固定用的碳胶或银胶是否烤干，以免在观察的过程中，真空陡然变差而影响灯丝寿命，甚至系统当机。

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SJ 3195-1989 电子材料功函数的测试方法标 准 号： SJ 3195-1989发布单位： 机械电子部起草单位： 机械电子部电子标准化研究所发布日期： 1989-02-10实施日期： 1989-03-01

一本英、日、汉环境科学词典，汇集环境科学词汇50000余条，正文后附有日文索引部分，国际环境机构名称，化学元素表和计量单位换算表。[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=132866]英日汉环境科学词汇 -电子图书（pdg格式）[/url]

加州提案扩大RoHS对电子电器物品管制范围美国加州众议院于2006年5月31日表决通过A.B.2202修正案，扩大加州含铅、镉、汞、六价铬等重金属之电子物品管制范围。该法案虽获得许多环保团体的支持，却在参议院拨款委员会(Senate of Appropriations Committee)胎死腹中。加州众议院议员Saldana于2006年12月4日重新提出与A.B.2202相当类似的AB 48法案，修正现行加州RoHS法案之管制范围，由「特定电子物品」(covered electronic devices)扩大到与欧盟RoHS指令一致。本法案预计于2007年1月3日至2007年4月7日之会期展开相关法制作业程序。2003年通过之「电子废弃物回收法」中规定，违反欧盟RoHS指令中四项重金属含量而在欧盟禁止销售的特定电子产品亦无法在加州贩卖，特定电子产品的定义仅包含超过4英吋(以对角线量测)之屏幕及显示器之电子产品。AB 48法案则将管制范围扩大至包含：(a)使用电流或电磁之设备，或产生、转换、量测电流或电磁之设备；(b)2002/96/EC(WEEE指令) Article 2所定义的设备；(c)交流电压低于1,000伏特、直流电压低于1,500伏特的设备；(d)RoHS指令Article 2.1所定义的设备。AB 48法案排除以电线安装于电力系统或机械系统，且无法轻易分离之固定安装电子设备(易携带之插电电子设备不在上述定义范围)。此外，AB 48法案亦豁免：(a)RoHS指令未提及之电子设备或零件；(b)为符合消费者健康、安全要求而含有特定物质之电子设备；(c)回收再生之电子产品；(d)用以延长产品使用寿命之维修零件。该法案同时规定若一开始为RoHS指令的排外项目但随后将禁止销售的电子产品，不应在法令生效之初即禁止贩卖，应待欧盟禁令正式实施24个月后才禁止在加州销售。资料来源：美国EIATRACK网站

2011年8月22日，韩国向WTO秘书处通报了修订《电子电气和汽车资源回收法案》的草案（G/TBT/N/KOR/321）。该评议时间截至2011年10月22日，预计于2013年1月1日生效。相应的修改包括：若电子电气或汽车中的有害物质（6类）的含量超过了相应的标准，则将强制采取通报和/或监管措施；对于改良的推荐物质或构造的强制通报；对于废弃电子电气回收管理系统的改进；澄清汽车制造商/进口商的回收义务。

我们在使用电子分析天平的过程中势必会遇到电子天平的维修和保养，遇到这样的问题，我们该如何处理呢？现在就简单的介绍一下天平的维修和保养。电子天平维修：维修工作只能由接受过培训的专业人员来做，若由非专业人员维修，则会给用户带来风险。电子天平清洗：1.将天平的电源断开，并拔掉天平上的数据连线；不得让液体渗入天平内部；禁止使用任何具有腐蚀性的清洁剂(溶剂类等)。● 可用沾有中性清洁剂(肥皂水)的湿布来擦洗天平● 然后用柔软的干布擦干天平2.取下秤盘进行清洁● 取秤盘时要注意连同屏蔽环、秤盘支架一同取下，可避免损坏称量系统。3.清洁不锈钢表面所有不锈钢零件需经常进行清洁。取下不锈钢称盘进行彻底清洁。使用湿布或海绵对天平或秤的不锈钢零件进行清洁。您可使用任何市场上现有的适于清洁不锈钢制品的清洁剂。先擦拭不锈钢表面，然后对不锈钢称盘进行彻底清洁，确认残留物已清除，再用湿布或海绵将天平或秤上的不锈钢零件擦拭一遍，然后让天平或秤风干，如需要，可适当在清洁过的表面涂上适合的油作为附加保护。不要使用含碱(腐蚀性)、乙酸、盐酸、硫磺酸或柠檬酸的清洁剂对不锈钢进行清洁。溶剂只能用于不锈钢零件。4.安全检查如果电子天平已不能再保证安全工作时，请立即切断电源，并采取安全措施，保证不再被另外使用。电源适配器不能安全工作的情况如下：电源适配器出现人眼可见的破损情况；电源适配器不能工作；电源适配器长期存放在恶劣的环境中。在这种情况下，则需要专业人员按照维修文件所述的内容及要求进行维修。

2011年3月15日消息，瑞士化学品管理局（Keml）在经过一项调查后发现，市场上有超过五分之一的电子产品和玩具的铅含量超标。调查对商店中销售的电子玩具及产品进行了检测和分析，结果发现，79个被检测的电子玩具中有17种以上的产品的铅含量超标；29个被检测的电子产品中有8个以上产品铅含量超标；21个被检测的灯具中有2个以上的产品铅含量超过规定标准。被检测产品的不合格率达到22%。据悉，瑞典已向警方报告了这些铅含量超标的进口企业名单。此次调查是欧盟大型项目的一部分，旨在测试RoHS指令是否实施到位。该项目的结果将在2011年年底发布。按照RoHS指令规定，电子和电子产品中的铅、汞、六价铬、阻燃剂PBDE和PBB含量不得超过0.1%(1000ppm)，其中，镉含量不得超过0.01%(100ppm)。

[color=blue][b]低能电子显微镜术及其应用[/b][/color](蔡群 董树忠)低能电子显微术是新发展起来的一种显微探测技术．它的特点是利用低能(1—30eV)电子的弹性背散射使表面实空间实时成像，具有高的横向(15nm)和纵向(原子级)分辨率，且易与低能电子衍射及其他电子显微术相结合．近年来它已有效地应用于金属和半导体表面的形貌观测、表面相变、吸附、反应和生长过程的研究。1 引言在众多的表面探测技术中，实空间成像电子显微术是一种应用十分广泛的分析手段，最近十几年来发展尤为迅速，这其中包括扫描隧道显微术(STM)、透射电子显微术(TEM)、扫描电子显微术(SEM)、扫描俄歇电子显微术(SAM)以及反射电子显微术(REM)等，此外还有最新发展起来的低能电子显微术(Low energy electron microscopy，LEEM)。 迄今为止，显微术被用来观测表面形貌、功函数、晶体结构和取向，甚至化学成分分布等，与传统的电子显微镜相似，LEEM利用电子透镜成像，但它具有突出的优点：一是表面由低能量的弹性背散射电子成像．其典型能量为l—30eV；二是将晶体最表面结构进行实空间实时(非扫描)成像，并能进行表面动态过程观测，例如表面相交过程、生长过程等，其成像范围一般为10μm左右；三是样品制备无需进行减薄等特殊处理．而且LEEM具有较高的分辩能力，其横向分辨率已达15nm，纵向分辨率达到原子级．I—EEM系统很易与低能电子衍射(LEED)及其他电子显微术相结合[1]，在很宽的温度范围内进行样品制备和各种原位观测，并可进行样品表面局域成像，将表面结构形貌与局域LEED图样联系起来．

扫描电子显微镜谱图见附件，ZrO2、HfO2、Y2O3、Al2O3含量怎么计算啊

[color=#000000]2024年1月19日，共进微电子和西安电子科技大学共建的"传感器与汽车电子封测关键技术联合实验室"正式揭牌，该实验室旨在促进封测领域的科研合作，推动封测技术的创新和产业的发展。同时，西安电子科技大学博士生导师、封装系首任主任田文超教授也将担任共进微电子首席科学家。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/7ff7f1af-29dd-4938-aa17-88df826232d5.jpg[/img][/align][color=#000000]封装测试在传感器和汽车电子芯片性能和可靠性方面扮演着至关重要的角色。联合实验室将在传感器与汽车电子芯片的相关结构设计、材料研究、应力、热、电磁仿真和可靠性验证等方面展开合作。此外，联合实验室还将成为为学生提供实习和培训机会的平台，促进人才培养和技术交流。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/0fca96d4-7c95-4995-9cb2-eef52f3add87.jpg[/img][/align][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/caa213d9-12e0-4f7c-997a-33bfa04b4255.jpg[/img][/align][color=#000000]共进微电子总经理张文燕表示：“共进微电子一直致力于封测技术的研发与创新，而西安电子科技大学在封装领域具有丰富的研究经验和优秀的学术背景。通过合作，我们期待能够取得更多突破性的研究成果，并将其应用于实际生产中。”[/color][color=#000000]西安电子科技大学田文超教授也表示：“西安电子科技大学的封装专业是2009年国家首批电子封装技术本科专业，同时也是全国唯一的电子封装类国家级特色专业。通过与共进微电子建立联合实验室，我们将充分发挥双方的优势，推动封装技术的创新，促进企业技术进步和生产力提升。”[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/af30f51c-a30b-4d68-9b89-1f09dbf408cc.jpg[/img][/align][color=#000000]未来，共进微电子将充分利用联合实验室的优势，夯实并增强共进微电子在传感器与汽车电子芯片的封装能力，为客户提供高质量的封测一体化服务！[/color][color=#f79646][b]| [/b][/color][b][color=#000000]关于共进微电子[/color][/b][color=#000000]上海共进微电子技术有限公司，简称“共进微电子”，成立于2021年12月。共进微电子由上交所主板上市公司共进股份（603118）、探针智能感知基金（国家新兴产业创业投资引导基金参股）以及一流的技术和管理团队创立，专注于智能传感器领域的先进封装测试业务。专注于智能传感器及汽车电子芯片领域的先进封装测试业务。[/color][color=#000000]共进微电子拥有上海研发销售中心和苏州太仓生产基地。已建设1.8万平米先进的研发中心和生产基地，生产基地包含百级、千级和万级无尘室，建设传感器及汽车电子芯片的封装测试量产生产线。[/color][color=#000000]共进微电子拥有完整的封装产线，涵盖从晶圆研磨、切割到前段工艺的固晶、引线键合、点胶、贴盖、回流焊，以及后段工艺的注塑成型、打标、切单。提供多种产品封装类型，包括LGA、QFN、Fan-out、SIP和2.5D/3D等。测试能力包括晶圆测试、CSP测试和成品级测试能力。共进微电子封装测试产品包括惯性、压力、电磁、环境、声学、光学、射频和微流控等传感器和汽车电子芯片。[/color][color=#000000]公司以满足客户需求为宗旨，制定完整的封装测试方案、流程及品质管控，为客户提供一站式解决方案，打造集研发、工程、批量生产于一体的专业综合封装测试服务平台。共进微电子致力于建设全球知名的规模大、种类齐全、技术先进的传感器及汽车电子芯片封装测试产业基地和领军企业，填补国内相关领域在批量封装、校准和测试领域的空白，突破产业链瓶颈。[/color][来源：MEMS][align=right][/align]

科技日报 2012年03月17日 星期六 本报讯 日本京都大学化学研究所的一个研究小组对电子显微镜进行了改进，使其对碳、氮等含有有机结晶的分子的观察倍率达到2500万倍，能够清晰地观察到以前无法确认的分子。 电子显微镜使用电子束照射物体，通过透过物体的电子束强弱和形状在计算机上变换成为图像，电子束越细微地震动就越能形成高倍率和鲜明的图像。但有机结晶容易被电子束破坏，迄今为止电子显微镜观察有机结晶的界限是600万倍。研究小组使用一半的电子束宽度，同时开发出使其更为细微震动的技术，从而不会破坏分子结构，达到高倍率显微观察效果。该研究发表在美国《科学》杂志上。 研究小组负责人仓田称：“这是迄今为止首次清晰地观测到有机结晶的结构。今后将对其进行详细解析。”（陈超）

以下内容来自网络，原文发表在2012年。序号11、 电子显微镜的类型和型号：透射电子显微镜Hitachi-75002、 所在单位和地址：重庆医科大学生命科学研究院，校本部图书馆四楼3、 联系电话：023 684858384、 相关资料（如网址）：http://sky.cqmu.edu.cn/web/read.php?wid=525、 是否对外服务：是6、 其他：330元/例（含样品制备、切片、观察及4张照片）序号21、电子显微镜的类型和型号：扫描电子显微镜S-3000N2、所在单位和地址：重庆医科大学生命科学研究院，校本部图书馆四楼3、联系电话：023 684858384、相关资料（如网址）：http://sky.cqmu.edu.cn/web/read.php?wid=535、是否对外服务：是6、其他信息：380元/例（含样品制备、喷金、观察及4张照片）序号31、 电子显微镜的类型和型号：透射电子显微镜 日立 H-7500（leica Uc6）2、 所在单位和地址：新乡医学院 实验楼A座 东配楼1楼南3、 联系电话：0373-30290154、 相关资料：切片刀是LEICA UC65、 是否对外服务：是6、 其他：150元/例,听说要涨到380元/例了。序号41、 电子显微镜的类型和型号：透射电镜一台（JEM-1010）2、 所在单位和地址：南京医科大学五台校区 1号楼149室 电镜室3、 联系电话：025-868620295、 是否对外服务：是6、 其他信息：检测项目：1.各种活体取材的组织样品的超薄切片及超微结构观察及超微病理学分析，包括实验动物和病人的组织样品。2.培养细胞的超薄切片及超微结构观察。3.细菌、病毒的超薄切片及超微结构观察。4.纳米材料的微细结构观察。5.材料科学中各种材料的微细结构观察。

[align=left]01、光学显微镜以可见光为介质，电子显微镜以电子束为介质，由于电子束波长远较可见光小，故电子显微镜分辨率远比光学显微镜高。光学显微镜放大倍率最高只有约1500倍，扫描式显微镜可放大到10000倍以上。[/align]02、根据de Broglie波动理论，电子的波长仅与加速电压有关：λe＝h / mv＝ h / (2qmV)1/2＝12.2 / (V)1/2 (Å )在 10 KV 的加速电压之下，电子的波长仅为0.12Å ，远低于可见光的4000 - 7000Å ，所以电子显微镜分辨率自然比光学显微镜优越许多，但是扫描式电子显微镜的电子束直径大多在50-100Å 之间，电子与原子核的弹性散射 (Elastic Scattering) 与非弹性散射 (Inelastic Scattering) 的反应体积又会比原有的电子束直径增大，因此一般穿透式电子显微镜的分辨率比扫描式电子显微镜高。03、扫描式显微镜有一重要特色是具有超大的景深(depth of field)，约为光学显微镜的300倍，使得扫描式显微镜比光学显微镜更适合观察表面起伏程度较大的样品。04、扫描式电子显微镜，其系统设计由上而下，由电子枪 (Electron Gun) 发射电子束，经过一组磁透镜聚焦 (Condenser Lens) 聚焦后，用遮蔽孔径 (Condenser Aperture) 选择电子束的尺寸(Beam Size)后，通过一组控制电子束的扫描线圈，再透过物镜 (Objective Lens) 聚焦，打在样品上，在样品的上侧装有讯号接收器，用以择取二次电子 (Secondary Electron) 或背向散射电子 (Backscattered Electron) 成像。05、电子枪的必要特性是亮度要高、电子能量散布 (Energy Spread) 要小，目前常用的种类计有三种，钨(W)灯丝、六硼化镧(LaB6)灯丝、场发射 (Field Emission)，不同的灯丝在电子源大小、电流量、电流稳定度及电子源寿命等均有差异。06、热游离方式电子枪有钨(W)灯丝及六硼化镧(LaB6)灯丝两种，它是利用高温使电子具有足够的能量去克服电子枪材料的功函数(work function)能障而逃离。对发射电流密度有重大影响的变量是温度和功函数，但因操作电子枪时均希望能以最低的温度来操作，以减少材料的挥发，所以在操作温度不提高的状况下，就需采用低功函数的材料来提高发射电流密度。07、价钱最便宜使用最普遍的是钨灯丝，以热游离 (Thermionization) 式来发射电子，电子能量散布为 2 eV，钨的功函数约为4.5eV，钨灯丝系一直径约100μm，弯曲成V形的细线，操作温度约2700K，电流密度为1.75A/cm2，在使用中灯丝的直径随着钨丝的蒸发变小，使用寿命约为40~80小时。08、六硼化镧(LaB6)灯丝的功函数为2.4eV，较钨丝为低，因此同样的电流密度，使用LaB6只要在1500K即可达到，而且亮度更高，因此使用寿命便比钨丝高出许多，电子能量散布为 1 eV，比钨丝要好。但因LaB6在加热时活性很强，所以必须在较好的真空环境下操作，因此仪器的购置费用较高。09、场发射式电子枪则比钨灯丝和六硼化镧灯丝的亮度又分别高出 10 - 100 倍，同时电子能量散布仅为 0.2 - 0.3 eV，所以目前市售的高分辨率扫描式电子显微镜都采用场发射式电子枪，其分辨率可高达 1nm 以下。10、场发射电子枪可细分成三种:冷场发射式(cold field emission , FE)，热场发射式(thermal field emission ,TF)，及肖基发射式(Schottky emission ,SE)11、当在真空中的金属表面受到108V/cm大小的电子加速电场时，会有可观数量的电子发射出来，此过程叫做场发射，其原理是高电场使电子的电位障碍产生Schottky效应，亦即使能障宽度变窄，高度变低，因此电子可直接"穿隧"通过此狭窄能障并离开阴极。场发射电子系从很尖锐的阴极尖端所发射出来，因此可得极细而又具高电流密度的电子束，其亮度可达热游离电子枪的数百倍，或甚至千倍。12、场发射电子枪所选用的阴极材料必需是高强度材料，以能承受高电场所加诸在阴极尖端的高机械应力，钨即因高强度而成为较佳的阴极材料。场发射枪通常以上下一组阳极来产生吸取电子、聚焦、及加速电子等功能。利用阳极的特殊外形所产生的静电场，能对电子产生聚焦效果，所以不再需要韦氏罩或栅极。第一(上)阳极主要是改变场发射的拔出电压(extraction voltage)，以控制针尖场发射的电流强度，而第二(下)阳极主要是决定加速电压，以将电子加速至所需要的能量。13、要从极细的钨针尖场发射电子，金属表面必需完全干净，无任何外来材料的原子或分子在其表面，即使只有一个外来原子落在表面亦会降低电子的场发射，所以场发射电子枪必需保持超高真空度，来防止钨阴极表面累积原子。由于超高真空设备价格极为高昂，所以一般除非需要高分辨率SEM，否则较少采用场发射电子枪。14、冷场发射式最大的优点为电子束直径最小，亮度最高，因此影像分辨率最优。能量散布最小，故能改善在低电压操作的效果。为避免针尖被外来气体吸附，而降低场发射电流，并使发射电流不稳定，冷场发射式电子枪必需在10-10 torr的真空度下操作，虽然如此，还是需要定时短暂加热针尖至2500K(此过程叫做flashing)，以去除所吸附的气体原子。它的另一缺点是发射的总电流最小。15、热场发式电子枪是在1800K温度下操作，避免了大部份的气体分子吸附在针尖表面，所以免除了针尖flashing的需要。热式能维持较佳的发射电流稳定度，并能在较差的真空度下(10-9 torr)操作。虽然亮度与冷式相类似，但其电子能量散布却比冷式大3~5倍，影像分辨率较差，通常较不常使用。16、肖基发射式的操作温度为1800K，它系在钨(100)单晶上镀ZrO覆盖层，ZrO将功函数从纯钨的4.5eV降至2.8eV，而外加高电场更使电位障壁变窄变低，使得电子很容易以热能的方式跳过能障(并非穿隧效应)，逃出针尖表面，所需真空度约10-8~10-9torr。其发射电流稳定度佳，而且发射的总电流也大。而其电子能量散布很小，仅稍逊于冷场发射式电子枪。其电子源直径比冷式大，所以影像分辨率也比冷场发射式稍差一点。17、场发射放大倍率由25倍到650000倍，在使用加速电压15kV时，分辨率可达到1nm，加速电压1kV时，分辨率可达到2.2nm。一般钨丝型的扫描式电子显微镜仪器上的放大倍率可到200000倍，实际操作时，大部份均在20000倍时影像便不清楚了，但如果样品的表面形貌及导电度合适，最大倍率650000倍是可以达成的。18、由于对真空的要求较高，有些仪器在电子枪及磁透镜部份配备了3组离子泵(ion pump)，在样品室中，配置了2组扩散泵(diffusion pump)，在机体外，以1组机械泵负责粗抽，所以有6组大小不同的真空泵来达成超高真空的要求，另外在样品另有以液态氮冷却的冷阱(cold trap)，协助保持样品室的真空度。19、平时操作，若要将样品室真空亦保持在10-8pa(10-10torr)，则抽真空的时间将变长而降低仪器的便利性，更增加仪器购置成本，因此一些仪器设计了阶段式真空(step vacuum)，亦即使电子枪、磁透镜及样品室的真空度依序降低，并分成三个部份来读取真空计读数，如此可将样品保持在真空度10-5pa的环境下即可操作。平时待机或更换样品时，为防止电子枪污染，皆使用真空阀(gun valve)将电子枪及磁透镜部份与样品室隔离，实际观察时再打开使电子束通过而打击到样品。20、场发射式电子枪的电子产生率与真空度有密切的关系，其使用寿命也随真空度变差而急剧缩短，因此在样品制备上必须非常注意水气，或固定用的碳胶或银胶是否烤干，以免在观察的过程中，真空陡然变差而影响灯丝寿命，甚至系统当机。21、在电子显微镜中须考虑到的像差(aberration)包括:衍射像差(diffraction aberration)、球面像差(spherical aberration)、散光像差(astigmatism)及波长散布像差(即色散像差，chromatic aberration)。22、面像差为物镜中主要缺陷，不易校正，因偏离透镜光轴之电子束偏折较大，其成像点较沿轴电子束成像之高斯成像平面(Gauss image plane)距透镜为近。23、散光像差由透镜磁场不对称而来，使电子束在二互相垂直平面之聚焦落在不同点上。散光像差一般用散光像差补偿器(stigmator)产生与散光像差大小相同、方向相反的像差校正，目前电子显微镜其聚光镜及物镜各有一组散光像差补偿器。24、光圈衍射像差(Aperture diffraction):由于电子束通过小光圈电子束产生衍射现象，使用大光圈可以改善。25、色散像差(Chromatic aberration):因通过透镜电子束能量差异，使得电子束聚焦后并不在同一点上。26、电子束和样品作用体积(interaction volume)，作用体积约有数个微米(μm)深，其深度大过宽度而形状类似梨子。此形状乃源于弹性和非弹性碰撞的结果。低原子量的材料，非弹性碰撞较可能，电子较易穿进材料内部，较少向边侧碰撞，而形成梨子的颈部，当穿透的电子丧失能量变成较低能量时，弹性碰撞较可能，结果电子行进方向偏向侧边而形成较大的梨形区域。27、在固定电子能量时，作用体积和原子序成反比，乃因弹性碰撞之截面积和原子序成正比，以致电子较易偏离原来途径而不能深入样品。28、电子束能量越大，弹性碰撞截面积越小，电子行走路径倾向直线而可深入样品，作用体积变大。29、电子束和样品的作用有两类，一为弹性碰撞，几乎没有损失能量，另一为非弹性碰撞，入射电子束会将部份能量传给样品，而产生二次电子、背向散射电子、俄歇电子、X光、长波电磁放射、电子-空位对等。这些信号可供SEM运用者有二次电子、背向散射电子、X光、阴极发光、吸收电子及电子束引起电流(EBIC)等。30、二次电子(Secondary Electrons)：电子束和样品作用，可将传导能带(conduction band)的电子击出，此即为二次电子，其能量约 50eV。由于是低能量电子，所以只有在距离样品表面约50~500?深度范围内所产生之二次电子，才有机会逃离样品表面而被侦测到。由于二次电子产生的数量，会受到样品表面起伏状况影响，所以二次电子影像可以观察出样品表面之形貌特征。31、背向散射电子(Backscattered Electrons)：入射电子与样品子发生弹性碰撞，而逃离样品表面的高能量电子，其动能等于或略小于入射电子的能量。背向散射电子产生的数量，会因样品元素种类不同而有差异，样品中平均原子序越高的区域，释放出来的背向散射电子越多，背向散射电子影像也就越亮，因此背向散射电子影像有时又称为原子序对比影像。由于背向散射电子产生于距样品表面约5000?的深度范围内，由于入射电子进入样品内部较深，电子束已被散射开来，因此背向散射电子影像分辨率不及二次电子影像。32、X光：入射电子和样品进行非弹性碰撞可产生连续X光和特征X光，前者系入射电子减速所放出的连续光谱，形成背景决定最少分析之量，后者系特定能阶间之能量差，可藉以分析成分元素。33、电子束引致电流(Electron-beam induced Current , EBIC)：当一个p-n接面(Junction )经电子束照射后，会产生过多的电子-空位对，这些载子扩散时被p-n接面的电场收集，外加线路时即会产生电流。34、阴极发光(Cathodoluminescence)：当电子束产生之电子-空位对再结合时，会放出各种波长电磁波，此为阴极发光(CL)，不同材料发出不同颜色之光。35、样品电流(Specimen Current)：电子束射到样品上时，一部份产生二次电子及背向散射电子，另一部份则留在样品里，当样品接地时即产生样品电流。36、电子侦测器有两种，一种是闪烁计数器侦测器(Scintillator)，常用于侦测能量较低的二次电子，另一种是固态侦测器(solid state detector)，则用于侦测能量较高的反射电子。37、影响电子显微镜影像品质的因素:A. 电子枪的种类:使用场发射、LaB6或钨丝的电子枪。B. 电磁透镜的完美度。C. 电磁透镜的型式: In-lens ,semi in-lens, off-lensD. 样品室的洁净度: 避免粉尘、水气、油气等污染。E. 操作条件: 加速电压、工作电流、仪器调整、样品处理、真空度。F. 环境因素: 振动、磁场、噪音、接地。38、如何做好SEM的影像，一般由样品的种类和所要的结果来决定观察条件，调整适当的加速电压、工作距离 (WD)、适当的样品倾斜，选择适当的侦测器、调整合适的电子束电流。39、一般来说，加速电压提高，电子束波长越短，理论上，只考虑电子束直径的大小，加速电压愈大，可得到愈小的聚焦电子束，因而提高分辨率，然而提高加速电压却有一些不可忽视的缺点：A. 无法看到样品表面的微细结构。B. 会出现不寻常的边缘效应。C. 电荷累积的可能性增高。D. 样品损伤的可能性增高。因此适当的加速电压调整，才可获得最清晰的影像。40、适当的工作距离的选择，可以得到最好的影像。较短的工作距离，电子讯号接收较佳，可以得到较高的分辨率，但是景深缩短。较长的工作距离，分辨率较差，但是影像景深较长，表面起伏较大的样品可得到较均匀清晰的影像。41、SEM样品若为金属或导电性良好，则表面不需任何处理，可直接观察。若为非导体，则需镀上一层金属膜或碳膜协助样品导电，膜层应均匀无明显特征，以避免干扰样品表面。金属膜较碳膜容易镀，适用于SEM影像观察，通常为Au或Au-Pd合金或Pt。而碳膜较适于X光微区分析，主要是因为碳的原子序低，可以减少X光吸收。42、SEM样品制备一般原则为: A. 显露出所欲分析的位置。 B. 表面导电性良好，需能排除电荷。 C. 不得有松动的粉末或碎屑(以避免抽真空时粉末飞扬污染镜柱体)。 D. 需耐热，不得有熔融蒸发的现象。 E. 不能含液状或胶状物质，以免挥发。 F. 非导体表面需镀金(影像观察)或镀碳(成份分析)。43、镀导电膜的选择，在放大倍率低于1000倍时，可以镀一层较厚的Au，以提高导电度。 放大倍率低于10000倍时，可以镀一层Au来增加导电度。放大倍率低于100000倍时，可以镀一层Pt或Au-Pd合金，在超过100000时，以镀一层超薄的Pt或Cr膜较佳。44、电子束与样品作用，当内层电子被击出后，外层电子掉入原子内层电子轨道而放出X光，不同原子序，不同能阶电子所产生的X光各不相同，称为特征X光，分析特征X光，可分析样品元素成份。45、分析特征X光的方式，可分析特征X光的能量分布，称为EDS，或分析特征X光的波长，称为WDS。X光能谱的分辨率，在EDS中约有100~200eV的分辨率，在WDS中则有5~ 10eV的分辨率。由于EDS的分辨率较WDS差，因此在能谱的解析上，较易产生重迭的情形。46、由于电子束与样品作用的作用体积(interaction volume)的关系，特征X光的产生和作用体积的大小有关，因此在平面的样品中，EDS或WDS的空间分辨率，受限于作用体积的大小。

为应对RoHS的要求,所有电子元件都必须导入环保.当在实际的测试过程中有时确实难以判定,具本如下:1.常用整流二极管1N4001,用ICP检测本体部分时发现其Pb含量有4万多ppm.按常规应判定为非环保产品,但投诉厂商后才发觉并非如此.原因如下 因1N4001内部的晶粒与外部引线是仍使用高温焊片焊接的,其焊片的含铅量在85%左右为RoHS免除对象.而剪取本体样品时难免会极少数焊片入内导致结果偏大.2.SMD电容体积小剪样时也只能里外一齐剪,经ICP检测其Pb含量有三千多PPM.那么这三千多PPM的Pb到底是哪个部位的真的很难区别.而这SMD电容又是否为环保产品呢? 如此类问题,一直困扰着我.如果哪一天本体真的是Pb超标了,而我却误以为是焊片的影响,那不被老板抄了才怪!还请各位指教此类情况应如何处理!

实验室的注意有说不能讲含有单电子的物质放入核磁管中测试，那一些含有2价Fe的金属有机化合物可以做核磁表征吗？

《分析化学试验》　武汉大学第五版　高等教育出版社　电子书