产品名称:氮化镓(GaN)薄膜产品简介:氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。 技术参数: 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. 0001±1° N型注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。产品定位C轴0001±1°传导类型N型;半绝缘型;P型电阻率R0.05 Ohm-cm;半绝缘型R106 Ohm-cm位错密度1x108 Cm-2表面处理(镓面)AS Grown有效值1nm可用表面积90%标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
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