海关退证

图旺汽化过氧化氢消毒机 TW-V500（海关适用）性能特点1.原理：低温加热气化，灭菌剂无损耗，正常温湿度即可灭菌工作2.喷雾口可万向旋转，适用各种苛刻环境要求3.平均输出：0.5μm粒径4.使用过氧化氢浓度：7.5%-35%5.气体粒径大小：小于2微米，肉眼不可见，需提供粒径检测报告6.每立方米使用不超过6ml/立方米，避免湿度过大或凝液风险，无凝液产生7.灭菌剂1L灭菌200立方米8.消毒无残留，完全分解水汽和氧气，消毒后浓度低于1ppm的安全值9.PLC人机界面触摸屏准确控制，自动灭菌10.无材料腐蚀影响，需提供材料兼容性检测报告、不锈钢、镀锌材料腐蚀11.设备主体材料L304,表面光滑平整、易于清洁，耐磨、耐消毒液消毒12.记录灭菌主要参数，支持导出打印输出；触摸屏内数据为原始数据不可删 除或是更改，只可导出，不可导入，数据存储有120M以上13.设备具备1分钟延时启动，或是远程遥控启停功能，保证使用安全14.灭菌时间1-3个小时完成15.可增配移动小车、移动电源、分解配件16.无接触液位控制，并带液位不足报警提示 技术参数电源：220V/50HZ功率：580W显示屏：4.3寸液晶触摸屏工作模式：10秒加载、连续工作操作模式：无线遥控启动+延时启动液位监测：液位偏小，提示无法启动噪声：≤65dB(A)H2O2适用浓度：7.5%-35%(分析级以上) H2O2储液量：3L H2O2用量：5-14ml/m3 消毒水平：消亡率≥99.99%灭菌水平：10-6消毒时间：≥30min(自主设定)灭菌时间：≥60min(自主设定)汽化流量：≥403/h整机净重：18KG外形尺寸：500×265×370mm机壳材料：L304温度：50-500℃相对湿度：≤85%大气压强：60KPA-107KPA 可选配置 分解功能：过氧化锰分解装置UPS电源：三小时工作时长移动方式：可移动小车

高真空退火炉 产品介绍 目前高温退火炉加热大都为管式炉或马弗炉，原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温速度慢，效率低下，也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热高速冷却时，具有良好的温度分布。可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却，用石英管保护加热式样，无气氛污染。可在高真空，高出纯度气体中加热。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力.同电阻炉和其他炉相比，红外线反射退火炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现温度控制操作！ 设备优势 高速加热与冷却方式 高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 温度高精度控制 过红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以控制样品的温度。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。 不同环境下的加热与冷却 加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 反射炉温度控制装置 高速升温时，配套的快速反应的高真空退火炉控制装置，本控制装置采用可编程温度控制器。高性能设计，响应速度快。 可选配 进口干泵：抽速≥120L/min，极限真空度≤4pa，噪音小于52db； 进口全量程真空规：刀口法兰接口，真空测量范围5X10-7Pa到1atm 为了高速加热、设备采用PID温度控制，同时采用移相触发技术保证试验温度。 根据设备上的温度控制器输入参数，您也可以简单输入温度程序设定和外部信号。另外还可以在电脑上显示热中的温度数据。 自适应热电偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型 可设定32个程序、256个步骤的程序。 30A、60A、120A内置了SCR电路，所以范围很广。 设备配置 序号 项目 数量 品牌 备注 1 炉体 1 华测 温度至1200℃ 2 加热源 1 GE 3 温度控制器 1 华测 4 电热偶 1 omega 5 温控表 1 欧姆龙 6 稳压电源 1 华测 可定制 7 制冷水机 1 同飞 制冷功率 8 分子泵 1 莱宝 CF法兰，抽速≥40L/s，极限真空度优于-0.8Mpa； 更多应用 1.电子材料 半导体用硅化合化的PRA（加热后急速冷却） 热源薄膜形成激活离子注入后硅化物的形成 2.陶瓷与无机材料 陶瓷基板退火炉 玻璃基板退火炉。 陶瓷张力、挠曲试验退火炉。 3.钢铁和金属材料 薄钢板加热过程的数值模拟。 炉焊接模拟 高真空热处理（1000℃以下） 大气气体熔化过程 压力下耐火钢和合金的热循环试验炉 4.复合材料 耐热性评价炉 无机复合材料热循环试验炉 5.其它 高温拉伸压缩试验炉。 分段分区控制炉 温度梯度炉 炉气分析 超导陶瓷退火炉

1. 产品概述VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉,适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备。2. 设备用途/原理VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉，适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备，高温度 2000℃，升温速率可达 100℃/min。石墨电阻加热，工艺腔室洁净。自动装片，Cassette toCassette。SEMI S2/S6 认证。3. 设备特点晶圆尺寸 4/6 英寸兼容，适用材料 碳化硅、氮化铝，适用工艺 注入后激活、Ar 退火、Ar/H2 退火、沟槽平滑，适用域 科研、化合物半导体。

真空快速退火炉AS-OneAS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1500 ℃，最快升温速率200℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。 应用：• RTA（快速热退火）• RTO（快速热氧化）• 欧姆接触退火• 植入退火• 石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD• 硒化，硫化• 结晶和致密化 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试； 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选） AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ； AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2个K型热电偶；6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；8、工艺气体气路配质量流量计；9、配置真空泵及真空规；

AS-One系统有两种型号： AS-One 100 系统或AS-One 150 系统该快速退火炉是专门为满足大学、研究实验室和小规模生产的需求而研制的，高可靠且性价比高。该工艺室采用贝壳式设计，可完全进入底板，方便装载和卸载基板，并允许实际清洁腔体快速数字PID温度控制器在整个温度范围内提供精确和可重复的热控制。特征：基本尺寸：Up to 直径100 mm (4-inch) for AS-One 100 Up to 直径150 mm (6-inch) for AS-One 150 Small substrates using susceptors工艺腔体运用不锈钢冷腔室壁技术温度范围标准配置：最高达到1250°C高温配置：最高达到1450°C温度控制标准配置：热电偶和高温计用来测量温度快速数字PID温度控制器在可获得精确的和可重复的热控制真空和气体最多可达5路带MFC的工艺气体，一路清洁气体电脑控制全PC电脑控制，每个配方最多100步骤全数据记录与处理历史的人机界面设计选项：石墨托盘/碳化硅涂层托盘/粗真空泵和涡轮泵/快速冷却系统/其他套件应用： ● 快速热退火 ● 快速热氧化 ● 扩散/接触时退火 ● 化合物退火 ● 结晶或致密化我公司专业销售Annealsys产品，并提供Annealsys产品的售前售后服务，如您对Annealsys产品感兴趣，欢迎前来咨询！

快速退火炉RTP-3-04系列采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸样品）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到**的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。产品特点可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。可远程操作：提供远程监控模块。压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。快速控温与高真空：升温速率可达150℃/s，真空度可达到10-3Pa。程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1.5%。全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。产品应用金属电极合金化硬质合金薄膜去应力退火石墨烯生长器件退火材料再结晶、晶化热氧化、热氮化ITO膜致密化薄膜CVD生长搭载电学测试模块变温电阻测量等离子注入/接触退火太阳能电池片键合低介电材料热处理芯片晶圆热处理键合炉其他热工艺需求

高压氧气氛退火炉 产品简介德国SciDre公司推出的高压氧气氛退火炉温度可达850°C，压力可达150个大气压。可用于高压晶体生长的料棒前处理。也可用于含氧晶体的高温退火处理。炉体直径15mm，长度200mm，温度均匀。温度、压力可定制更高。应用领域可用于高压晶体生长的料棒前处理。也可用于含氧晶体的高温退火处理。应用案例高压氧气氛退火装置在钙钛矿化合物Nd1-xSrxNiO3材料制备中的应用进展由于平面四边形配位的低价镍氧化物具有跟铜酸盐超导体类似的电子数和轨道杂化特点，因此，自铜氧化物中发现超导电性以来，低价镍氧化物也一直是广大研究人员的研究热点材料之一。尤其，2019年科学家在SrTiO3衬底上生长的Nd1-xSrxNiO2薄膜中观察到了高达15 K的超导电性，这一报道再次引发了人们对无限层RNiO2（R=Nd，La）化合物的兴趣。优质RNiO2相样品的获得对于从实验上研究其物理机理是至关重要的前提条件。目前已报道的RNiO2相的制备方法是通过向Nd1-xSrxNiO3中加入还原剂进而还原得到Nd1-xSrxNiO2。然而，从NiO中得到Nd1-xSrxNiO3相需要将Ni2+提升至Ni3+x，因此其制备过程中必须要采用高压氧气氛。近期，美国阿贡实验室Bi-Xia Wang等人采用溶胶-凝胶和高压退火结合技术合成了钙钛矿化合物Nd1-xSrxNiO3 (x = 0, 0.1 and 0.2)，文献中所使用的高压退火工艺条件为：烧结温度1000°C， 氧压150-160bar。相关成果已发表在Phys. Rev. Materials（DOI: 10.1103/physrevmaterials.4.084409）。在该项研究中，作者使用的高压退火装置即为德国SciDre公司推出的高压氧气氛退火炉，该设备可实现1100°C高温，160bar高压，也可根据用户需求定制更高的温度和压力。同时，该设备也具备多种安全防护机制，可有效保证设备安全运行，是高压晶体生长的料棒前处理和含氧晶体高温退火处理的利器。 德国SciDre 高压氧气氛退火炉装置 参考文献Bi-Xia Wang, Hong Zheng, E. Krivyakina, O. Chmaissem, Pietro Papa Lopes, J. W. Lynn, Leighanne C. Gallington, Y. Ren, S. Rosenkranz, J. F. Mitchell, and D. Phelan, Phys. Rev. Materials, 4, 084409 – Published 21 August 2020.更多应用案例，请您致电 010-85120277/78/79/80 或 写信至 info@qd-china.com 获取。发表文章1. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1-xSrxNiO2 and Nd1-xSrxNiO3 . Phys. Rev. Materials, 4, 084409 – Published 21 August 2020.用户单位美国阿贡实验室

产品介绍YRTP快速退火炉是一款多功能的真空气氛烧结炉，既可以用于材料的快速升降温退火，也可用于化学气相沉积（CVD）法，在镍或铜箔上制备石墨烯的制备，稍加调整，一机多用，被广泛的应用各研究院所。加热系统采用环形红外短波加热器，最快升温速率可达300℃/S，测温采用精准的S型贵金属热电偶直接测量式样表面，使加热工件（式样)的温区更加均匀准确，控制界面采用大尺寸触摸屏，傻瓜智能式操作，可预设置十条温度曲线。控制数学模型采用先进的PID自学习模糊双闭环控制模式，使控温精度在快速升温的恒温状态仍能保持在±3℃，经过长期多次的各种试样试验验证，已被应用于半导体器件研发及生产等领域，广泛满足离子注入后的快速退火，欧姆接触快速合金，硅化物合金退火，氧化物生长，铜铟镓硒光伏应用中的硒沉积及其它快速热处理工艺的要求。技术参数产品型号YRTP-1100炉体结构双层壳体结构，高精度移动平台额定温度（℃）1100使用温度（℃）≤1000温场均匀性（℃）±3℃温度状态工艺时间（S)2~100（100~1000℃）最快升温速（℃/S）200降温速率（℃/S）1~200（通氮气，速率更快）温度控制模式智能模糊全闭环PID控制操作方式触摸屏控制超高温状态检测软件检测出温度信息出现高温异常时，切断主回路触摸屏尺寸7"LED最大功率（kW）15额定电压AC380~400V，50HZ（60Hz定制）传感器类型S型单铂铑反应腔室内径尺寸Φ100X200式样有效空间4"真空系统选配预留真空抽口KF16进出气接口Φ6卡套尺寸重量长1000×深600×高600mm；净重：约50kg可根据客户要求定制！

退火炉产品概述 414退火炉可在校准过程中对铂电阻温度计进行加热、退火和冷却。其*高温度达到1000℃，可适用于所有类型的铂电阻温度计。在炉体内部配有程序控制器，工作过程中可以达到任意指定的温度范围内。退火炉产品参数

GLO炉的特点是真空气密炉罐及周围对称分布的加热丝。加热丝是嵌在陶瓷纤维保温材料里。铁铬铝合金加热丝是Kanthal APM。GLO炉常配有真空泵系统，可在热处理前抽出炉膛内的氧气。为了保证尽可能低的氧含量，抽真空后会再用氮气冲刷。这个过程会循环几次，使炉罐内有个纯净的气氛环境。真空的建立是优先于氮气气氛。真空辅助设备会快速形成一个洁净的气氛环境，仅消耗少量的氮气。在氧气的含量尽可能被降低后，通入惰性气体至微正压，热处理工艺启动。在气氛环境下，GLO退火炉的最高温度可达1100°C。如有需要，炉门可以作为一个独立的加热区。气体通入GLO炉罐内，经炉门的辐射层预热，由前向后扩散。GLO炉后壁有个废气排放口，用于排出样品在热处理工艺时释放出来的废气。GLO炉可手动控制或选择自动控制。炉子可选尺寸5L、10L、40L、75L、120L、260L、400L、550L、600L、850、950、和1300L。炉罐是采用耐高温钢合金(1.4841)制造而成，也可以根据客户需求采用其他材料。当配置了合适的安全装置后，该炉型可在反应气氛下工作（如氢气）。如果炉子需要通氢气，必须选择自动操作系统及所有的安全装置。氢气安全装置包括了用于紧急情况下的氮气冲刷罐。所有装置符合SIL2标准。炉子采取紧凑型节省空间设计。可选装排胶工序包用于排胶或热解。尾气燃烧装置用于处理尾气。由于排出的废气经过加热，所以不会产生冷凝。GLO炉可以安装快速冷却系统。炉罐可以采用外部空气进行冷却，或者采用冷却的惰性气体直接通入炉罐内冷却。GLO退火炉有两种款式可选：垂直型VGLO炉垂直装载样品，设计紧凑节省空间移动型GLO炉采用可移动、节省空间的外观，适用于不同应用。应用实例退火、淬火、灼烧、硬化、热分解、回火、烧结前的热力排胶标准参数标配手动控制系统炉腔由1.4841（相当于314）不锈钢制成带气密性硅胶密封的水冷门（必须在客户现场提供水冷）炉口配有热辐射隔热屏障标配一路手动控制系统：惰性气氛、空气或混合气。气氛控制精确，纯度高过温保护（推荐保护贵重样品或无人值守的操作）选项(订购时详细标注要求)真空系统：预抽真空泵、罗茨泵或涡轮分子泵一系列具有数字通讯选项的精密数字控制器，多段编程器和数据记录，以及数字通讯接口 氢气浓度大于4%的反应气体设备如果现场没有水冷系统，我们可提供冷水机

TD-PGL-100型高精度热退磁炉是苏州冠德能源科技有限公司自主研发的一款容量大、低干扰磁场、温度特性优良的热退磁炉，可用于岩石样品及磁性材料的热退磁处理，开展古地磁和磁性地层学研究，具有容量大、全自动温度调节的特点。

红外退火炉采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，极大程度上改善了电阻式加热的弊病，同时可实现样品快速升温和退火。可广泛应用于强诱导体薄膜的结晶化退火、注入离子后的扩散退火、半导体材料的烧成与退火条件研究、快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)、电极合金化、碳纳米管等外延生长、单晶基板热处理等功能中，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。型号红外退火炉IRLA-1200快速退火炉LRTP-1200石墨烯退火炉GRTP-1200产品图片 温度范围RT-1150℃RT-1200℃控温精度±0.1℃≤0.1℃±0.1℃最大升温速率45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)100℃/s（真空，惰性气体）45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)，降到室温20min左右腔体冷却水冷方式、独立冷却源寸底冷却自然冷却氮气吹扫自然冷却测试气氛真空及氩气、氮气等惰性气体样品大小20 x 20 x 2，单位mm（最大）4英寸30 x 30x 4,单位mm处理材料类型薄膜、粉体、块体、液体温度传感器石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶额定功率4x(1KW-110V/根）18x(1KW-110V/根）4x(1KW-110V/根）温度程序模式温度-时间设置，最高256步，32个程序，循环、保温等功能模糊PID逻辑控温，手动/自动开始，USB485连接工艺气路MFC控制，1路(惰性气体)MFC控制，最多4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气)4路(可选氮气、氩气等)外观尺寸420X320X220，单位mm450×625×535，单位mm420X220X320,单位mm质量20.5kg--20.5kg 应用案例：●快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化 ●强诱导体薄膜的结晶化退火 ●注入离子后的扩散退火 ● SiAu, SiAl, SiMo合金化 ●太阳能电池片键合 ●半导体材料的烧成与退火条件研究 ●低介电材料热处 ●晶体化，致密化 ●电极合金化 ●晶向化和坚化 ●石墨烯等气相沉积 ●碳纳米管等外延生长 ●单晶基板热处理 ●去除有机残留和光刻胶残留，降低残余应力 ●电阻烧结

RTP快速退火炉是一种先进的半导体材料处理设备，其核心功能是通过快速加热和冷却的方式对材料进行高温处理。以下是关于RTP快速退火炉的详细产品介绍： 工作原理RTP快速退火炉的工作原理基于高温加热和快速冷却的过程。首先，将待处理的材料放置在炉腔中，并通过加热元件（如电阻丝、电热棒等）迅速将材料加热至设定的温度范围，通常为400~1300℃。在加热过程中，炉腔内的温度会被精确控制在恒定的数值范围内，以确保材料能够达到所需的退火温度。随后，通过冷却介质（如氮气、水等）将炉腔内的温度迅速降低至室温，从而避免材料再次发生晶粒长大和相变。 主要特点1. **快速加热和冷却**：RTP快速退火炉能够在极短的时间内完成加热和冷却过程，显著提高生产效率。2. **高温精度**：该设备具有高精度的温度控制系统，能够精确控制样品的温度，实现高质量的热处理。3. **均匀加热**：RTP快速退火炉采用先进的加热技术，确保样品在炉腔内均匀受热，避免温度不均匀导致的材料性能不一致。4. **多功能性**：该设备适用于各种材料的处理，包括硅、氮化物、氧化物等，满足不同工艺需求。5. **节能环保**：RTP快速退火炉通常采用节能设计，具有较低的能耗和环保性能。 应用领域RTP快速退火炉广泛应用于半导体制造、电子、光电、材料科学等领域。具体应用场景包括：* MOS器件的源、漏、栅接触改性* 电阻器、电容器的结构、电性能改良* 掺杂、扩散等工艺步骤的快速实现* 低介电常数介质材料的退火等 选择建议在选择RTP快速退火炉时，需要考虑以下因素：1. **温度范围和控制精度**：根据工艺需求确定所需的最高温度和温度控制精度。2. **加热速率和冷却速率**：考虑加热和冷却速率是否满足工艺要求，以确保快速热处理的实现。3. **样品尺寸和数量**：根据样品尺寸和数量选择适合的炉腔尺寸和容量。4. **控制系统和软件**：选择具有稳定可靠的温度控制系统和易于操作的软件界面的设备。5. **能源消耗和环保要求**：考虑设备的能耗情况和环保性能，选择节能环保的设备。6. **品牌和服务**：选择知名度高、信誉良好的厂家和品牌，确保产品质量和售后服务的可靠性。 结论RTP快速退火炉作为半导体制造过程中不可或缺的设备，其高效、节能和环保的特点使得它在现代半导体工业中得到了广泛应用。随着技术的不断发展，RTP快速退火炉的性能也将不断优化，为半导体产业的进步提供有力支持。

真空快速退火炉AS-OneAS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1500 ℃，最快升温速率200℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。应用：• RTA（快速热退火）• RTO（快速热氧化）• 欧姆接触退火• 植入退火• 石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD• 硒化，硫化• 结晶和致密化产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；产品标准配置及规格参数：1、样品最大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选） AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ； AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2个K型热电偶；6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；8、工艺气体气路配质量流量计；9、配置真空泵及真空规；

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：• 快速热退火• 植入退火• 欧姆接触退火• 快速热氧化（RTO）• 快速热氮化（RTN）• 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点： 1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

退火和淬火炉T max 1300℃· 坚固的内腔特别为热处理应用设计, 如对金属进行热处理· 双层箱体结构且背部通风，炉外表面温度低· 炉壳和炉门边采用不锈钢材质· 平行导向门,可避免操作者与高温面接触, 方便在高温状态下打开· 标准配置包括炉底座(KM 50/13-KM 90/13)· 炉腔采用多层耐火砖结构和特殊绝热设计, 低热损失, 低能耗· 三面加热(左, 右和底部), 内腔温度分布均匀· 加热元件安装在陶瓷管上，腔内自由辐射加热(KM 50/13-KM 90/13)· 底部加热元件被碳硅板覆盖，机械强度高，热传导效果好· 后墙设有排气口附件工具Thermconcept专为退火炉提供丰富的配件, 用于保护气气氛下的退火和硬化及空气气氛下的淬火处理淬火和退火盒· 保护气氛下硬化处理, 最高温度1300℃· 适合处理高速钢和高铬合金钢· 多用途淬火和退火盒, 用于保护气氛· 可消除工件的氧化或脱碳· 操作容易, 效率高· 适用于所有的箱式炉退火罩· 用于保护气氛下硬化和冷却, 最高温度1200℃· 可用于非氧化退火然后淬火处理· 保护气氛也可以是合成气体, 氮气和其它气氛(如氩气和氦气)· 体积小巧, 节省保护气氛· 可选配控制器, 精确测量退火罩内温度硬化盒系统· 用于硬化、碳化和氮化, 最高温度1100℃· 硬化盒可用于所有退火和淬火炉· 可选配保护气气氛下的退火空气气氛下淬火处理· 操作容易, 过程可靠附件和工具· 淬火箔和硬化盒, 用于无氧化钢退火和淬火，最高温度1200℃· 硬化油, 用于温度在50-150℃· 用于清洁, 去油和防腐蚀的工具· 颗粒渗碳剂，氮化粉和退火化合物· 保护气氛蒸馏瓶和硬化盒· 装料装置· 耐热手套· 装卸料工具如铲子, 拉钩, 装料盘· 硬度检测工具 德国Thermconcept公司总部设在德国不莱梅, 拥有丰富的研发、设计和生产的各种马弗炉和加热炉系统的经验，加热炉的温度范围从50℃到2000℃，能够满足绝大多数用户的应用需求。Thermconcept马弗炉和加热炉能够在全世界范围满足客户的需求, 原因是： 技术先进Thermconcept马弗炉和加热炉由世界知名供应商提供的最好材料制成。因而能够保证*实验效果、运行可靠以及长使用寿命。 实用设计Thermconcept马弗炉和加热炉设计和生产均严格遵循国际标准, 我们的目标是提供技术先进的和高性价比的产品。 定制解决方案Thermconcept提供定制实用可靠的加热炉服务，满足您具体的应用需求。 专业服务Thermconcept专业的技术人员会为您提供全方位的专业服务。Themconcept马弗炉和加热炉将会是您实验室的可靠伙伴！ 更多产品请登陆德祥官网：德祥热线：联系我们(终端用户)联系我们(经销商)邮箱：

用于对γ、β或X射线测量的热释光探测器进行老化、退火处理，消除新探测器不稳定、测量, 后探测器残留本底和低温峰，减少衰退的影响，特别是批量探测器的老化和筛选，可提高热释, 光测量的一致性和精密度，提高热释光测量的工作效率。

螣芯科技RTP快速退火炉RTP-150真空快速退火炉产品特点u 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷u 灯管功率PID控温，可准确控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性u 采用平行气路进气方式，气体的进入口设置在Wafer表面，避免退火过程中冷点产生，保证产品良好的温度均匀性u 大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理u 标配三组工艺气体u 可测单晶片样品的尺寸为6英寸（150mm）u 采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全 RTP行业应用u 氧化物、氮化物生长u 硅化物合金退火u 砷化镓工艺u 欧姆接触快速合金u 氧化回流其他快速热处理工艺RTP-150RL产品尺寸6寸晶圆或者支持150×150mm产品腔体材质镀金铝制腔体腔体门锁方式自动门锁，保证制程安全温度范围室温~800℃ 升温速度150℃/s可编程（此温度为不含载盘的升温速度）20℃/s（SiC载盘）温度均匀度±5℃≤500℃±1%＞500℃ 温度控制重复性±1℃恒温持续时间可依据要求编程温控方式快速PID温控控温区域多组控温区域，保证恒温区温度稳定性降温速度约200℃/min（1000~400℃）不可编程腔体设计可配置大气常压腔体或者真空腔体真空泵风冷式干泵腔体冷却方式水冷腔体，独立水冷源控制冷却冷水机配置优先选螣芯科技配置的冷水机，或者使用厂务用水衬底冷却方式氮气吹扫工艺气体MFC控制，常规两路气体（N2 / GN2）一路工艺气体、一路氮气吹扫气体控制方式工业电脑+PC control温度校准TC Wafer及温度校准工具（选配）Wafer托盘SiC（选配）

英国TE公司成立于1991年，是一家世界知名真空加热部件及加热设备供应商，专注于提供真空环境下的全方位加热解决方案，产品涉及真空加热台，真空高温炉等设备。目前客户遍及世界知名科研院所及知名企业。英国TE公司2000C系列真空高温炉可在高真空或保护气体下工作，最高温度可达3000℃，加热区为石墨材料或者钨加热区，最高真空度可达5*10-8mbar，操作简单，性能稳定，仪器自带报警功能能够保证操作的安全性，同时可提供各种不同配置的仪器与定制模块，以满足客户不同的需求，适用于各类实验室应用及小规模生产。产品特色： 1、最高温度：真空环境下可达2100℃，保护气氛环境下可达2600℃（钨）甚至更高3000℃（石墨）； 2、极高的温度均匀性：小于2%； 3、操作简单，几乎全自动操作，底部泵浦，底部抽运，顶部进料； 4、高真空度：最高达5*10-8mbar； 5、采用石墨或钨材料进行加热； 6、升温快：大于100℃/min； 7、真空腔压力自动控制； 8、气体压力控制精度高：＜0.5bar9、自动报警系统，可实时显示工作状态； 10、自动抽运以清除氧气（有氧气的情况下，500℃以上会损坏加热台）； 11、极高的安全性：电子锁锁死系统可保证操作的安全性； 12、采用四轮机械设计，移动方便； 13、采用钨进行加热时退火气体可以为氢气。技术参数： 1、温度：标准仪器温度为2100℃，2600℃、3000摄氏度可选 2、真空度参数： 2*10-7MPa(采用Edwards RV 8机械泵) 5*10-11 MPa (采用扩散泵) 5*10-12 MPa (采用Edwards Turbopump EXT75DX涡轮泵) 3、真空接口：ISO63或者KF25标准接口 4、加热速度：大于100℃/min，请参考下图： 5、压力控制精度：＜0.5bar 6、分类与尺寸： 分类加热区尺寸(mm)炉膛尺寸（mm） 中型坩埚真空高温炉Φ60.5*75Φ305*500大尺寸坩埚真空高温炉Φ150*75Φ380*500超大尺寸坩埚炉Φ180*140Φ420*520整体加热退火炉Φ100*50Φ420*317小型真空平炉Φ100*50Φ420*317中型真空平炉Φ150*150Φ420*317大尺寸真空平炉Φ200*200Φ420*317设备组成：　 1、炉体及真空室 2、温度控制系统 3、真空加热台 4、泵浦控制系统 5、真空泵（真空机械泵、真空扩散泵或真空涡轮泵） 6、安全预警控制系统 7、LED报警灯 8、水冷系统 9、电子锁自动锁死系统 10、气体质量流量控制系统 辅助配置： 1、去离子水 2、惰性气体

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。 拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：&bull 快速热退火&bull 植入退火&bull 欧姆接触退火&bull 快速热氧化（RTO）&bull 快速热氮化（RTN）&bull 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数：1、样品最大尺寸：3-inch； 2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

卧式6寸两管退火炉供大规模集成电路、MEMS 生产线用做6"硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺，完成4寸wafer 的相应工艺。一、设备结构:1、操作方式:左(右)手操作方式2、硅片尺寸:圆形6寸片3、工艺布局:满足客户工艺要求4、自动化程度:工控机控制系统自动控制工艺流程5、送取片方式:手动进出舟。6、外形:主机1台，主机架为卧式两管。二、主要技术参数:1、加热炉管有效口径:满足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。2、工作温度范围: 上管:600~1400℃ 下管:200~500℃3、恒温区长度及精度:600mm， 上管:800-1400℃.±0.2℃/24h 下管:200-500℃.±0.2℃/24h4、控制方式:由工控机统一管理工艺5、气路设置:每管两路气体:氮气100L/min.氩气100L/min。均采用MFC自动控制流量大小。

1. 产品概述半导体激光退火机是用于半导体制造过程中的一种设备。退火是一种热处理过程，通过加热半导体材料来改变其性质，以实现所需的特性，如电导率、晶体结构和应力缓解。半导体激光退火机利用高能激光束来对半导体基片进行精确和控制的加热和修改。2. 设备特点主要功能：快速热退火，快速热氧化，快速热氮化，扩散，化合物半导体退火，离子注入后退火，电极合金化等；样片尺寸：8inch，向下兼容，支持不规整样品退火；退火温度范围：室温~1200 ℃；室温到1000度，最快升温速率120 ℃/second；全程热电偶测温，不使用高温计，无需额外校准；退火温度的重复性、准确性 ± 1 ℃；两路工艺气体，MFC流量计控制，流量为0-5NLM；可通入氮气、氧气，可以分别通入或者通入混合气体；可选择真空退火模式，真空度可达10^-6hpa；配置前级泵，抽速3L/s,极限压力4*10-2pa；SPS SIMATIC 软件控制工艺过程，可编程序不少于50个，且每个程序可编程步骤不少于50步。

设备规格1.全自动操作模式；2.Robot取放片；3.适应于6英寸-8英寸Wafer；4..冷却方式包括水冷和氮气吹扫；5.MFC控制，3-5路制程气体 6.SEMI认证。工艺应用:快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；高温退火；高温扩散。金属合金；热氧化处理；

全自动双腔快速退火炉RTP-DTS-8，晶圆快速退火炉产品特点：兼容6-8英寸WAFER；全自动双腔设计，产能提升； 最高温度可达1250℃；超高温场均匀性； 稳定的温度重现性；满足SIC量产化制程需求。行业应用：其他快速热处理工艺；砷化镓工艺；氧化物、氮化物生长；欧姆接触快速合金；硅化物合金退火；氧化回流技术参数最大产品尺寸6-8寸Cassette or smlf2个温度范围室温~1250℃最高升温速度≤30℃/s（载盘）温度均匀度±3℃≤600℃ ±0.5%＞600℃温度控制重复性±1℃腔体数量双腔

退火炉简介：TNHL-01-800型退火炉适合小批量生产或试验需求的热处理炉。设备具备一定自动化水平，具有保温良好、控温精确、性价比高等特点。用户可根据热处理的工艺要求最多设置5条升温曲线，每条升温曲线又可设置10个升温段，使操作灵活简单。可控硅移相触发电路使加热系统升温平稳、输出稳定，并且提高了设备的可靠性。 主要技术参数：额定温度：800℃升温速度：平均5℃/min炉膛尺寸：300mm×500mm×300mm外形尺寸：690mm×1010mm×1560mm额定功率：12Kw额定电压：220V额定电流：55A 额定频率：50Hz 额定平率：50Hz 本产品是根据用户需求精心研制的，适合小批量生产或试验需求的热处理炉。设备具备一定自动化水平，具有保温良好、控温精确、性价比高等特点。用户可根据热处理的工艺要求最多设置5条升温曲线，每条升温曲线又可设置10个升温段，使操作灵活简单。可控硅移相触发电路使加热系统升温平稳、输出稳定，并且提高了设备的可靠性

3英寸、4英寸、6英寸、8英寸真空快速退火炉系统。应用：RTA（快速热退火）； RTO（快速热氧化）；注入退火；扩散；化合物半导体退火；渗氮；渗硅； 结晶化与致密化； 特点：适用于2英寸~8英寸晶圆，高可靠性和低拥有成本。不锈钢冷壁腔体技术； 高工艺重复性，超清洁无污染环境、 高冷却速率低记忆效果。 可实现高达10-6 mbar的高真空环境。 高温计和热电偶控制，高速数字PID温度控制器，边缘高温计视点保障了化合物半导体和小样品的基座的加强温度控制。 使用特点：温度范围：RT to 1000°C；斜坡速率：最高200°C/s；气体混合功能：使用质量流量控制器控制；真空范围：大气压～10-6 Torr，可配置分子泵；本系统提供全电脑控制，应用控制软件兼容window系统。

仪器简介： 英国TE公司成立于1991年，是一家世界知名真空加热部件及加热设备供应商，专注于提供真空环境下的全方位加热解决方案，产品涉及真空加热台，真空高温炉等设备。目前客户遍及世界知名科研院所及知名企业。英国TE公司2000C系列真空高温炉可在高真空或保护气体下工作，最高温度可达3000℃，加热区为石墨材料或者钨加热区，最高真空度可达5*10-8mbar，操作简单，性能稳定，仪器自带报警功能能够保证操作的安全性，同时可提供各种不同配置的仪器与定制模块，以满足客户不同的需求，适用于各类实验室应用及小规模生产。产品特色： 1、最高温度：真空环境下可达2100℃，保护气氛环境下可达2600℃（钨）甚至更高3000℃（石墨）； 2、极高的温度均匀性：小于2%； 3、操作简单，几乎全自动操作，底部泵浦，底部抽运，顶部进料； 4、高真空度：最高达5*10-8mbar； 5、采用石墨或钨材料进行加热； 6、升温快：大于100℃/min； 7、真空腔压力自动控制； 8、气体压力控制精度高：＜0.5bar9、自动报警系统，可实时显示工作状态； 10、自动抽运以清除氧气（有氧气的情况下，500℃以上会损坏加热台）； 11、极高的安全性：电子锁锁死系统可保证操作的安全性； 12、采用四轮机械设计，移动方便； 13、采用钨进行加热时退火气体可以为氢气。技术参数： 1、温度：标准仪器温度为2100℃，2600℃、3000摄氏度可选 2、真空度参数： 2*10-7MPa(采用Edwards RV 8机械泵) 5*10-11 MPa (采用扩散泵) 5*10-12 MPa (采用Edwards Turbopump EXT75DX涡轮泵) 3、真空接口：ISO63或者KF25标准接口 4、加热速度：大于100℃/min，请参考下图： 5、压力控制精度：＜0.5bar 6、分类与尺寸：分类加热区尺寸(mm)炉膛尺寸（mm） 中型坩埚真空高温炉Φ60.5*75Φ305*500大尺寸坩埚真空高温炉Φ150*75Φ380*500超大尺寸坩埚炉Φ180*140Φ420*520整体加热退火炉Φ100*50Φ420*317小型真空平炉Φ100*50Φ420*317中型真空平炉Φ150*150Φ420*317大尺寸真空平炉Φ200*200Φ420*317设备组成：　 1、炉体及真空室 2、温度控制系统 3、真空加热台 4、泵浦控制系统 5、真空泵（真空机械泵、真空扩散泵或真空涡轮泵） 6、安全预警控制系统 7、LED报警灯 8、水冷系统 9、电子锁自动锁死系统 10、气体质量流量控制系统 辅助配置： 1、去离子水 2、惰性气体

V型热释光远红外*密退火炉产品特征:高性能、高精度、高可靠、智能化具有四位超大高亮的字符显示专 业PID算法升温带有手动、自动切换具有冷 却窗口可直接对退火后的探测器进行冷 却技术参数:温度范围：0～400℃连续可设加热器件：远红外加热管升温时间：室温至设定值约1小时TLD冷 却：风冷和铜质散热板主要重量：约15kg

井式真空光亮退火炉主要用于各种机械零件的真空退火，应力消除被广泛应用于各种金属，合金，水晶材质，光亮退火，真空脱气等等。不同的配置，可通入保护气氛进行氮化，渗碳热处理。 　　城池井式真空退火炉使用预抽真空气氛保护工件产品，操作者首先炉抽空到一定程度的真空炉中充满高纯度的氮气或氨分解保护加热，气氛，从而达到少无氧化加热，亮脱碳的目的。由于使用的搅拌风扇，炉具有高的温度均匀性。长期使用的机械部件，硅，铜，铜线等材质均可达到非氧化光亮退火效果。　　井式真空退火炉外壳为井式炉体结构，真空罐体采用进口高品质不锈钢制造，X光探伤绝无漏气。井式真空退火全部自动控制均有安全保护设计，当炉盖开启时自动切断控制电源，炉盖紧闭时才能开始加热，确保操作人员安全。

1. 产品概述THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统。2. 设备用途/原理THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统，高精度温度场控制技术，先进的颗粒控制技术，可靠的氢气工艺能力技术，高产能。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料硅。适用工艺 低压合金、金属 / 非金属退火、薄片退火。适用域 新兴应用、集成电路、先进封装。退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。