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光子器件
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光子器件相关的方案
偏振微腔中寻求佳单光子源
单光子源是未来量子信息器件的基础单元。先进的实现方法要求单光子源必须同时具有高效以及不可分辨性。为了优化固态单光子源,中国科技技术大学的潘建伟院士以及陆朝阳教授团队,展示了从椭圆微柱器件发出的无背景(双干涉激发)且具有不可分辨性的性单光子源。实验中的光学测量,是基于德国attocube公司的无液氦闭循环低温恒温器attoDRY2100以及共聚焦显微镜attoCFM I进行的。通过测量,课题组展示了前沿的椭圆微柱器件发出的性单光子源具有60%的效率,并且不可分辨性高达0.975。该单光子源次实现了20个光子的量子光学实验,寻求实现量子霸权。
关于光纤分布式振动传感的研究 - 筱晓光子实验分析⑩
筱晓光子的光纤分布式传感系统,是将光纤本身作为传感器件,反馈光纤在不同位置的振动,温度,应力等变量,并实现精确定位的系统。目前这种分布式传感技术已经应用在长距离天然气、石油传输泄露监控,桥梁等大型建筑的安全监测,以及大面积的安保系统中。
光子晶体的显微光谱角度分辨
光子晶体样品的显微角分辨谱光子晶体是指具有光子带隙(PhotonicBand-Gap,简称为PBG)特性的人造周期性电介质结构,有时也称为PBG光子晶体结构。光子晶体具有能带特性,其不同方向的光学性质不同,呈现各向异性。研究光子晶体材料的光谱性质必须使用角分辨设备。 复享显微共焦角分辨光谱仪是微纳光子结构研究领域的重大突破,它能够针对微小样品进行角度分辨光谱测量,是研究微纳光学结构、光子晶体纳米纤维的利器。复享为您提供两种规格的配置,一种介于商用显微镜,另一种基于定制显微镜。使用定制显微镜,可以达到更加宽泛的光谱范围,该设备是目前在显微角分辨光谱测量领域唯一的成熟商业化设备。
扫描电镜在光子晶体研究方面的应用
光子晶体(photonic crystal)的概念起源于 1987 年,由科学家 S.John 和 E.Yablonovitch 提出并定义。光子晶体是一种由不同折射率的介质周期性排列而形成的人工微结构。介电系数在空间上的周期性变化伴随着空间折射率的周期性变化,当介电系数的变化足够大且其变化周期与光波长同步时,光波会产生带状结构,即光子能带结构(photonic band structures)。频率落在光子能带中的电磁波或光是禁止传播的,于是这些频率的光会被反射出来,成为人们观察到的颜色。被禁止的频率区间就被称为光子频率带隙(photonic band gap),也叫光禁带,人工合成的具有光禁带的物质被称为光子晶体,它的颜色通常被称为光子晶体的结构色(structure color)。
利用高品质量子点单光子源构建量子计算原型机
中国科学技术大学潘建伟教授及其同事陆朝阳等在量子计算机研究方面取得了里程碑式的突破,相关研究结果被国际权威学术期刊《自然光子学》接收。在光学体系,我国科学家团队次实现利用高品质量子点单光子源构建了量子计算原型机,并且演示了其超越经典电子计算机(ENIAC)与晶体管计算机(TRADIC)的计算能力,向真正的“量子计算霸权”时代迈出了重要的一步。
小鼠肠道组织切片“全息”成像--拉曼光谱多光子成像
采用RMS1000共聚焦显微拉曼光谱仪的多光子显微成像技术,可以对小鼠肠道切片样本进行成像。RMS1000配备一个外部飞秒激光器和TCSPC,用于先进的光谱和时间分辨的多光子成像技术,如2PEF和SHG,增强了拉曼成像的核心能力。
C波段EDFA光纤放大器系统技术方案 - 筱晓光子
EDFA采用掺铒离子光纤作为增益介质,在泵浦光作用下产生粒子数反转,在信号光诱导下实现受激辐射放大。铒离子有三个能级,在未受任何光激励的情况下,处在最低能级E1上,当用泵浦光源的激光不断激发光纤时,处于基态的粒子获得能量就会向高能级跃迁。如由E1跃迁至E3,由于粒子在E3 这个高能级上是不稳定的,它将迅速以无辐射跃迁过程落到亚稳态E2 上。在该能级上,相对来讲粒子有较长的存活寿命,此时,由于泵浦光源不断的激发,则E2能级上的粒子数就不断的增加,而E1能级上的粒子数就减少,这样,在掺铒光纤中实现了粒子数反转分布,就具备了实现光放大的条件。当输入信号光子能量E=hf正好等于E2和E1 的能级差时,即E2-E1=hf,则亚稳态上的粒子将以受激辐射的形式跃迁到基态E1上,并辐射处和输入信号中的光子一样的全同光子,从而大大加大了光子数量,使得输入光信号在掺铒光纤中变为一个强的输出光信号,实现 了对光信号的直接放大。
L波段EDFA掺铒光纤放大器系统技术方案 - 筱晓光子
EDFA采用掺铒离子光纤作为增益介质,在泵浦光作用下产生粒子数反转,在信号光诱导下实现受激辐射放大。铒离子有三个能级,在未受任何光激励的情况下,处在最低能级E1上,当用泵浦光源的激光不断激发光纤时,处于基态的粒子获得能量就会向高能级跃迁。如由E1跃迁至E3,由于粒子在E3 这个高能级上是不稳定的,它将迅速以无辐射跃迁过程落到亚稳态E2 上。在该能级上,相对来讲粒子有较长的存活寿命,此时,由于泵浦光源不断的激发,则E2能级上的粒子数就不断的增加,而E1能级上的粒子数就减少,这样,在掺铒光纤中实现了粒子数反转分布,就具备了实现光放大的条件。当输入信号光子能量E=hf正好等于E2和E1 的能级差时,即E2-E1=hf,则亚稳态上的粒子将以受激辐射的形式跃迁到基态E1上,并辐射处和输入信号中的光子一样的全同光子,从而大大加大了光子数量,使得输入光信号在掺铒光纤中变为一个强的输出光信号,实现 了对光信号的直接放大。
飞纳台式扫描电镜为光子晶体光纤发展开辟新路
光子晶体光纤的生产中对光纤小孔的尺寸控制尤其重要,其严重影响着该光纤的性能。利用飞纳台式扫描电镜和其孔径统计分析测量系统可在生产流程中快速识别光纤中的孔洞,在低倍和高倍下孔洞边缘均可以识别准确清晰,并直接给出孔洞的面积,长轴,短轴,长宽比,平均直径等参数,为得到高质量的光子晶体光纤提供有力保障。
应用分享-2DSPC单光子计数相机用于日光下矿石远程脉冲拉曼测量
单光子门控远程拉曼测试系统以中智科仪的门控相机和单光子计数技术为核心,完全去除探测器噪声,让个位数的光子信号也能明显的出现在拉曼谱线上,同时拉曼谱线强度是光子数量,直观了表达了信号的强度。
通过激光直写技术制造光子设备:SEM如何作出贡献
光子设备被广泛应用于自然科学中,用于制造,操作和探测光。在未来,制造先进的光子设备将是一种挑战,并需要灵活性和可调谐性。因为它们需要先进的三维光刻技术, 制造这些设备并非易事。激光直写技术(DLW)是一种有趣的方式,它的目标是运用液态晶体光刻胶作为感光材料。
利用低温强磁场光学显微镜(attoCFM)表征二维晶体材料单光子发射性质
建伟院士课题组利用attocube公司的低温强磁场光学显微镜(attoCFM)研究发现了二维晶体材料单层二硒化钨(WSe2)中存在的由于缺陷态引起的单光子发射现象。先,通过低温磁场下对微米尺寸单层样品的光致发光谱精细扫描成像可以发现样品某些位置存在超窄发光光谱。超快激光光致发光谱的测量研究证实了该处发光点为单光子发射。随着低温强磁场下(改变磁场,改变入射光左旋与右旋性质等实验技术)进一步对光致发光谱的表征发现在零磁场下样品存在0.71meV的能量差并且该材料中存在超大激子g参数。经过分析,该单光子发射很可能是由中性激子被缺陷态束缚在二维晶体中引起的。
极化成像在纳米光子学的应用
采用极化直接观察纳米光子特征Rotating plate polarimeter consisting of a quarter-wave plate (QWP) and linear polarizer (LP) • Polarization is different for every emission angle• Correction for the mirror to go from detector to sample plane
采用化疗可咯和多模光学成像方法研究光子激发诱导线粒体损伤
采用LaVision公司独有的,快门宽度最小可达50皮秒的增强型CCD相机,通过化疗可咯和多模光学成像方法对光子激发诱导线粒体损伤机理进行了研究。
电致发光器件评价之滨松解决方案
上转换发光是指材料分子吸收两个或两个以上低能光子而辐射一个高能光子的发光现象。目前研究的重点是能够将近红外光(波长较长,低能)转换成可见光(波长较短,高能)的上转换材料——例如稀土上转换材料。事实上,稀土离子的上转换发光几乎覆盖了可见光的各个波段,其在近红外量子计数器、激光器、三维立体显示、荧光粉、医学成像及生物传感器等方面己经获得了广泛的应用。
中红外激光器光纤耦合解决方案 - 筱晓光子AOL实验室⑫
高功率台式DFB-QCL量子级联激光器是上海筱晓光子开发的可调谐连续光激光器,波长为5.26um,它最大能输出100mW的空间光,能够满足气体传感分析测试、中红外测试光源等条件。通过在激光器前面板精确打孔,并搭配笼式结构的方式,我们可以将中红外激光耦合进光纤,方便后续实验的开展。笼式结构内装有一片中红外透镜和光纤适配器。通过调节透镜的位置和光纤适配器的角度,我们可以将空间光的耦合效率达到最大。
氦质谱检漏仪电子元件检漏
电子元器件又称电子元件是各类机械设备,仪器仪表的重要组成部分。常见的电子元器件类型包含:电阻、电容器、机电元件、连接器、半导体器件、光电器件、传感器、集成电路等等。上海伯东 Pfeiffer 氦质谱检漏仪现已大量应用于电子元器件生产企业,本文主要介绍电子元器件领域光子型探测器和光探测器的检漏方法。
卓立汉光产品在光通信行业中的应用-光有源器件
光通信器件分为光有源器件和光无源器件,本文就光有源器件的分类、封装类型、结构和电性能做出简要介绍,并对对光有源器件生产过程中,卓立汉光可提供的工装方案、设备改进等方面做说明。 光无源器件的相关文章,请参照:卓立汉光产品在光通信行业中的应用——光无源器件篇。
恒温恒湿试验箱对五金器件的测试方案
恒温恒湿试验箱在恒定的潮湿环境下,对五金器件的影响是显著的。首先,恒定的湿度环境可能会导致五金器件产生氧化反应。这是因为,在潮湿的环境中,五金器件的表面会吸附水分,从而形成一层水膜。这层水膜会与五金器件的表面发生化学反应,导致氧化。氧化反应会导致五金器件的表面出现锈蚀现象,从而影响其质量和性能。其次,恒定的湿度环境还会对五金器件的机械性能产生影响。在潮湿的环境中,五金器件可能会吸收水分,导致其尺寸和形状发生变化。这种变化可能会影响五金器件的机械性能,如硬度、韧性和耐磨性等
氦质谱检漏仪光无源器件检漏
光无源器件是不含光能源的光功能器件的总称. 光无源器件在光路中都要消耗能量, 插入损耗是其主要性能指标. 光无源器件有光纤连接器, 光开关, 光衰减器. 光纤耦合器, 波分复用器, 光调制器, 光滤波器, 光隔离器, 光环行器等. 它们在光路中分别实现连接, 能量衰减, 反向隔离, 分路或合路, 信号调制, 滤波等功能. 本文主要介绍上海伯东 Pfeiffer 氦质谱检漏仪在无源器件中的检漏应用.
inTEST 热流仪功率器件高低温冲击测试
某功率器件制造商为了保证其功率器件能够在不同的温度环境下能正常运行, 采用伯东inTEST 高低温测试机 ATS-545-M 对功率器件进行测试.
inTEST 热流仪半导体元器件高低温测试
半导体器件 semiconductor device, 是导电性介于良导电体与绝缘体之间, 利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件, 可用来产生, 控制, 接收, 变换, 放大信号和进行能量转换.
高低温试验箱对火箭元器件做可靠性检测方案
在所有可靠性测试中,温度和湿度是影响航天火箭元器件和元器件最严重的气候环境,是火箭环境适应性设计和验证的基础和依据。其中,火箭多个系统存在电子元器件,实践表明,火箭电子元器件的质量和可靠性是影响航天运载火箭高可靠性的关键因素之一。实现元器件的高可靠性是航天事业发展的需要。为了适应国防现代化,火箭设备和系统的复杂性不断提高,使用的元器件数量也在增加。根据可靠性理论,构成系统的元器件越多,元器件的可靠性就越低。
电子计步器件的高低温湿热试验方案
计步器件是一种计量工具,用以计算热量或能量消耗,在GBT2423.3-2016标准下,也有对电子计步器件的生活环境测试方法,下面我们就来看看这其中的高低温湿热试验箱的测试标准是怎样的。 电子计步器件的高低温湿热实验,需要使用有关实验设备去完成,高低温湿热试验箱内便是其中一种,该设备能做持续高温、超低温、湿热试验,符合实际电子计步器件的环境试验规定。
电子元器件整机外罩水蒸气透过率测试方法
电子元器件对周围水蒸气含量要求严格,因此用于其外壳的整机外罩应具有很高的阻湿性,防止电子元器件出现老化等质量问题。本文利用Labthink兰光自主研发制造的C390H水蒸气透过率测试系统对整机外罩样品进行水蒸气透过率测试,通过详细介绍设备测试方法、测试原理及试验过程,为相关电子器件生产企业严控外壳阻湿性提供有效的监控方案。
上海伯东 inTEST ATS-710E 用于功率器件测试
国内某知名企业应用于MOSFETMOS管、场效应管、TO封装等器件的高低温冲击测试,要求温度范围-50℃~150℃,且要求对单独器件进行高低温测试,经上海伯东推荐采用美国inTEST高低温测试机ATS-710E搭配测试机进行系列测试。
可程式恒温恒湿试验箱可为电子元器件做哪些方面的试验
可程式恒温恒湿试验箱用以电子器件电气元器件等样品纤维材料的物态变化,测验其原材料承担温湿度性能及其在热涨冷缩里的化学反应或物理学损害,能够确定产品品质,从高精密IC到重型机械设备元器件,无疑是各个领域产品检测不可缺少的环境试验箱。 在电子元器件与整个设备安装设备前,应尽可能清除初期无效的元器件,对元器件进行分类。依据世界各国筛分工作经验,根据合理筛分,可让电子器件总设备故障率减少1-2个量级。因而,不论是军用产品或是民用产品,挑选全是确保稳定性的重要途径。可程式恒温恒湿试验箱是电子元件自然环境可靠性测试的不二之选。
电子元器件检测实验室专业测试仪器设备解决方案
在电子电路中,除了接触最多的电子元器件( 例如电阻,电感,电容,二极管,三极管,集成电路等) 以外,还有其他常用电子元器件,如电声器件,开关及接插件等。电子元器件的检测是家电维修的一项基本功,安防行业很多工程维护维修技术也实际是来自于家电的维护维修技术,或是借鉴或同质。如何准确有效地检测元器件的相关参数,判断元器件的是否正常,不是一件千篇一律的事,必须根据不同的元器件采用不同的方法,从而判断元器件的正常与否。Delta德尔塔仪器专业为电子元器件的检测提供整套测试仪器,我们可以各类电子、电器制造厂商提供一下检验测试项目的专业仪器设备:集成电路测试:成品测试、老化筛选、失效分析等;破坏性物理分析:外部目检、X射线检查、粒子噪声(PIND)试验、密封性试验、内部气体成分分析、内部目检、内引线键合强度、扫描电镜、芯片剪切强度;可靠性寿命和老化筛选:老化筛选试验、稳态寿命试验、加速寿命试验、可靠性强化试验;环境试验:正弦振动、随机振动、机械冲击、碰撞(或连续冲击)、恒定加速度、跌落、出点动态监测、温度-振动-湿热三应力试验、高低温低气压、温度循环、热冲击、耐湿、高压蒸煮、盐雾或循环盐雾、霉菌、淋雨、气体腐蚀、沙尘、热真空、强加速稳态湿热(HAST);物理性试验:物理尺寸、耐溶剂性、引出端强度、可焊性、耐焊接热、封盖扭矩、镀层厚度、阻燃性试验。电子元器件测试仪器应用测试产品类型:半导体集成电路、混合集成电路、微波电路及组件、半导体分立器件、真空电子器件、光电子器件、通用元件、机电元件及组件、特种元件、外壳、电子功能材料及专用设备等。诸如安规继电器、电动器热保护器、压缩机用电动机热保护器、压力敏感电自动控制器、定时器和定时开关、电动水阀、温度敏感控制器、热断路器、电动用起动继电器、湿度敏感控制器、安规电容器、陶瓷电容器、贴片电容、交流电动机电容器、微波炉电容器、电磁炉用高压电容器、小型熔断器、电磁发热线圈盘、高压变压器、高压熔断器等元器件进行各项指标合格性测试。
电子元器件高低温循环测试方法
高低温循环测试(又名高低温循环试验、高低温试验等)主要是针对于电工、电子产品,以及其原器件,及其它材料在高温、低温的环境下贮存、运输、使用时的适应性试验。
GaN MOS-HEMT器件异质结界面的无损深度分析
GaN因其宽禁带(3.4~6.2 eV)、高电子迁移率(2.8×107 cm/s)、高临界击穿场强(≥5 MV/CM)和高热导率(1.3 W/(cm∙K))等物理特性而在微波射频、高功率电子器件等领域应用广泛,其中GaN 基HEMT器件更是成为了半导体器件领域的研究热点。
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