光刻设备

EVG610单面/双面光刻机 一、 简介 EVG公司成立于1980年，公司总部和制造厂位于奥地利，在美国、日本和台湾设有分公司，并在其他各地设有销售代理及售后服务部，产品和服务遍及世界各地。EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商，其丰富的产品系列包括：涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件，SOI基片制造，3D封装，纳米压印，化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG610是一款非常灵活的、适用于研发和小批量试产的对准系统，可处理200mm之内的各种规格的晶片。EVG610支持各种标准的光刻工艺，例如：真空、软、硬接触和接近曝光；也支持其他特殊的应用，如键合对准、纳米压印光刻、微接触印刷等。EVG610系统中的工具更换非常简便快捷，每次更换都可在几分钟之内完成，而不需要专门的工程人员和培训，非常适合大学、研究所的科研实验和小批量生产。 二、应用范围EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、微波器件及微电子机械系统（MEMS）、硅片凸点、化合物半导体等领域，涵盖了微纳电子领域微米或亚微米级线条器件的图形光刻应用。 三、主要特点u 支持背面对准光刻和键合对准工艺u 自动的微米计控制曝光间距u 自动契型补偿系统u 优异的全局光强均匀度u 免维护单独气浮工作台u 最小化的占地面积u Windows图形化用户界面u 完善的多用户管理（用户权限、界面语言、菜单和工艺控制） 四、技术参数设备咨询电话：欢迎您的来电咨询！

魔技纳米UV-Smart桌面级无掩膜直写光刻设备专为实验室科研需求和小批量生产设计。其小巧紧凑的设计使其适用于实验室环境，并具有高直写速度、高分辨率和高对准精度等特点。采用集成化设计和全自动控制，操作简便，适合快速加工、建模或小批量生产。广泛应用于微流控、半导体、生物技术和微电子等领域。如需了解更多产品信息，欢迎查询我司官网 魔技纳米科技或来电咨询。 [企业介绍]魔技纳米科技创立于2017年，是一家高精度微纳三维装备制造与服务提供商、国家高新技术企业、省专精特新企业。主要业务为高端激光微纳三维直写光刻设备的研发、生产、销售及技术服务等。研发团队拥有十余年微纳三维制造技术经验，在光学、电气、机械、软件、材料等方面，拥有完整的自主开发能力，可以为多行业应用场景提供专业的一体化解决方案。企业推出了高精度纳米级3D打印设备、超快激光加工中心、无掩膜直写光刻设备三大系列及多款光刻胶产品，其中自主研发的商用纳米级三维激光直写系统，可实现70纳米精度的三维结构加工。凭借高精度、高速度、大幅面和长时稳定性等技术优势，实现了科研探索到商业化应用的跨越，有力推动了微纳三维制造在生物医疗、光电通信、新材料、微纳器件、航空航天等领域的规模化工业生产。

魔技纳米UV-Ultra高性能无掩膜直写光刻设备UV-Ultra是一款专为高端和工业级应用而设计的高性能无掩膜直写光刻设备。它采用先进的超高速加工方式，采用自研算法和高性能硬件，实现更高的对准、拼接和套刻精度。具备高直写速度和高分辨率，适用于快速、精准的加工需求。MN-UV-Ultra采用集成化设计和全自动控制，操作简便，适用于高达12英寸的基材。广泛应用于微流控、半导体、生物技术和微电子等领域。如需了解更多产品信息，欢迎查询我司官网 魔技纳米科技或来电咨询。 企业介绍 魔技纳米科技创立于2017年，是一家高精度微纳三维装备制造与服务提供商、国家高新技术企业、省专精特新企业。主要业务为高端激光微纳三维直写光刻设备的研发、生产、销售及技术服务等。研发团队拥有十余年微纳三维制造技术经验，在光学、电气、机械、软件、材料等方面，拥有完整的自主开发能力，可以为多行业应用场景提供专业的一体化解决方案。企业推出了高精度纳米级3D打印设备、超快激光加工中心、无掩膜直写光刻设备三大系列及多款光刻胶产品，其中自主研发的商用纳米级三维激光直写系统，可实现70纳米精度的三维结构加工。凭借高精度、高速度、大幅面和长时稳定性等技术优势，实现了科研探索到商业化应用的跨越，有力推动了微纳三维制造在生物医疗、光电通信、新材料、微纳器件、航空航天等领域的规模化工业生产。

研发型Desktop纳米压印光刻设备UniPrinterUniPrinter是一种专门为大学、科研院所和企业产品研发所设计，操作简单、功能强大的台面型纳米压印光刻设备。可实现4英寸以下基底面积上高精度（优于10nm * ）、高深宽比（优于10比1 * ）纳米结构压印，适合用作紫外纳米压印光刻工艺开发，器件原型快速验证，纳米压印材料测试等研发。它沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系，在UniPrinter上开发的工艺可以无障碍转移到天仁微纳其它量产设备上进行生产。UniPrinter纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED等应用领域的研发。主要功能● 沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系，开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产● 直径100mm以下面积高精度、高深宽比纳米压印● 设备内自动复制柔性复合工作模具● 自动压印、自动曝光固化、自动脱模，工艺过程无需人工干预● 标配高功率紫外LED面光源（365nm，光强300mW/cm2 ），完美支持各种纳米压印材料● 随机提供全套纳米压印工艺与材料，包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构等工艺流程，帮助客户零门槛达到高质量的纳米压印水平设备照片相关参数兼容基底尺寸直径≤100mm支持基底材料硅片、玻璃、石英、塑料、金属等纳米压印技术适合高精度、高深宽比纳米结构压印压印精度优于10纳米*结构深宽比优于10比1*残余层控制可小于10nm*紫外固化光源紫外LED（365nm）面光源，光强300mW/cm2自动压印支持自动脱模支持自动工作模具复制支持上下片方式手动上下片如想了解更多产品信息，可通过仪器信息网和我们取得联系 400-860-5168转6144

Super Lithography 3D 纳米光刻系统提供纳米级高精度的无掩膜光刻和纳米级3D 微纳结构打印，配合定制的软件系统，可以智能完成高精度无掩膜光刻的制造和其它纳米级 3D 器件的激光直写光刻。

详细咨询来电：双面光刻机+EVG610/620光刻机+接触式光刻对准EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备，可以是半自动也可以配置为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备；既可以用作研发设备，也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升，进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时，大幅提高了产能。EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS、）硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体等，涵盖了微电子领域微米或亚微米级线条的芯片的光刻应用。1. 高分辨率的顶部和底部显微镜2. 双面光刻和键合对准工艺3. 自动的微米计控制曝光间距4. 自动契型补偿系统5. 优异的全局光强均匀度6. 快速更换不同规格尺寸的硅片7. 高度自动化系统8. Windows图形化用户界面9. 可选配Nanoalign技术包以达到更高的工艺能力10. 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选11. 光刻工艺模拟软件可选12. 三花篮上料台，可选五花篮台

1.基本概述MS6-CA手动光刻机，作为一种手动操作的光刻设备，通过手调旋钮来改变其X轴、Y轴和角度（如theta角）以完成对准。虽然其对准精度相对较低，但在某些特定的应用场景下，如小批量生产、研发实验或教学演示中，仍然具有一定的应用价值。2.主要特点手动操作：MS6-CA光刻机采用手动调节方式，用户可以通过旋钮直接控制设备的移动和定位，无需复杂的程序控制。灵活性高：由于采用手动操作，用户可以根据实际需要灵活调整对准精度和曝光参数，适用于多种不同的应用场景。成本较低：与全自动或半自动光刻机相比，MS6-CA手动光刻机的制造成本和维护成本相对较低，适合预算有限或需求量不大的用户。3.性能指标虽然具体的性能指标可能因产品型号和生产厂家而异，但一般来说，MS6-CA手动光刻机的性能指标可能包括以下几个方面：支持基片尺寸范围：根据设备设计，MS6-CA可能支持多种不同尺寸的基片。分辨率：光刻机的分辨率决定了其能够制造的电路图形的小尺寸。MS6-CA的分辨率可能受到其物镜设计和曝光方式等因素的限制。对准精度：由于MS6-CA是手动操作的光刻机，其对准精度可能相对较低，但仍能满足一定精度的加工需求。曝光方式：MS6-CA可能采用接触式、接近式或投影式等不同的曝光方式，具体取决于设备的设计和应用需求。4.应用场景MS6-CA手动光刻机主要适用于以下场景：小批量生产：在芯片制造、微电子器件生产等域，对于小批量或试制阶段的产品，MS6-CA手动光刻机可以提供灵活且成本较低的解决方案。研发实验：在科研机构或高校实验室中，MS6-CA手动光刻机可用于研发实验和教学演示，帮助学生和研究人员了解光刻工艺的基本原理和操作技巧。特殊应用：在某些特殊应用场景下，如需要处理非标准基片或进行特殊工艺的实验中，MS6-CA手动光刻机也可能发挥重要作用。

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 产地：韩国ECOPIA公司，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

全自动紫外纳米压印光刻设备GL300 MLAGL300 MLA是天仁微纳最新型专门为晶圆级光学加工（WLO-Wafer Level Optics）开发的全自动紫外纳米压印光刻设备，可在200/300 mm基底面积上平行复制生产聚合物光学器件。该设备支持cassette to cassette自动上下片、自动复制柔性复合工作模具，工作模具自动更换。整个工艺过程在密闭洁净环境中进行，以保证压印结果质量。内置的高精度自动点胶系统、APC（主动模具基底平行控制）技术、以及自动脱模功能都保证了大面积晶圆级光学生产的精度、均匀性（TTV）与良率。同时，自动模具基底对位系统还可实现晶圆之间对位堆叠工艺（WLS-Wafer Level Stacking）。GL300 MLA纳米压印设备适用于DOE、匀光片（Diffuser）、微透镜阵列、菲涅尔透镜等产品的研发和量产。主要功能● 全自动200/300mm晶圆级光学加工（WLO）生产线● APC主动模具基底平行控制技术，确保大面积晶圆压印TTV均匀性● Cassette to cassette自动上下片，光学巡边预对位● 设备内自动复制柔性复合工作模具，同时支持自动更换工作模具，适合连续生产● 内置高精度自动点胶功能● 自动对位、自动压印、自动曝光固化、自动脱模，工艺过程在密闭洁净环境中自动进行，以保证压印质量● 标配高功率紫外LED面光源（365nm，光强1000mW/cm2 ），水冷冷却，特殊功率以及特殊、混合波长光源可订制，完美支持各种商用纳米压印材料● 随机提供全套纳米压印工艺与材料，包括标准示范WLO等工艺流程，帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平设备照片相关参数兼容基底尺寸200mm、300mm特殊尺寸可定制支持基底材料硅片、玻璃、石英、塑料、金属等上下片方式Cassette to cassette全自动上下片晶圆预对位光学巡边预对位纳米压印技术APC主动平行控制技术，适合大面积WLO、WLS等工艺压印精度可小于10纳米*结构深宽比优于10比1*TTV控制微米级精度（200 /300 mm晶圆）紫外固化光源紫外LED（365nm）面光源，光强1000mW/cm2，水冷冷却（2000mW/cm2类型光源可选配）设备内部环境控制标配，外部环境Class 100，内部环境可达Class 10*自动压印支持自动脱模支持自动工作模具复制支持自动工作模具更换支持模具基底对位功能支持如想了解更多产品信息，可通过仪器信息网和我们取得联系 400-860-5168转6144

高精度紫外纳米压印光刻设备200mmGL8 CLIV Gen2GL8 CLIV Gen2是天仁微纳新型全幅高精度紫外纳米压印设备，标配天仁微纳CLIV（Contact Litho in Vacuum）压印技术，可实现200mm基底面积上高精度（优于10nm ）、高深宽比（优于10比1 ）纳米结构复制量产。GL8 CLIV Gen2 & GL12 CLIV Gen2 2inch/100/150/200mm & 2inch/100/150/200/300mm是天仁微纳新型全幅高精度紫外纳米压印设备，可实现200/300mm基底面积上高精度（优于10nm ）、高深宽比（优于10比1 ）纳米结构复制量产。该设备支持自动复制柔性复合工作模具，工作模具具有精度高，寿命长等特点，可以显著降低大面积纳米压印工艺中模具使用成本。保证了大面积纳米压印过程中结构精度与高深宽比结构的完整填充，同时保证了大面积结构压印均匀性。GL8/12 CLIV纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的量产。主要功能● 经过量产验证的200mm大面积、高精度、高深宽比纳米压印● CLIV技术，确保压印结构精度与结构填充完整性● 设备内自动复制柔性复合工作模具，降低大面积纳米压印模具使用成本● 自动对位、自动压印、自动曝光固化、自动脱模，工艺过程无需人工干预● 标配高功率紫外LED面光源（365nm，光强1000mW/cm2 ），水冷冷却，特殊功率以及特殊、混合波长光源可订制，完美支持各种商用纳米压印材料● 标配设备内部洁净环境与除静电装置● 随机提供全套纳米压印工艺与材料，包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构等工艺流程，帮助客户零门槛达到高质量的纳米压印水平设备照片相关参数兼容基底尺寸2inch、100mm、150mm、200mm特殊尺寸可定制支持基底材料硅片、玻璃、石英、塑料、金属等上下片方式手动上下片晶圆预对位机械夹持预对位，可选装光学巡边预对位纳米压印技术CLIV技术，适合高精度、高深宽比纳米结构压印压印精度优于10纳米*结构深宽比优于10比1*残余层控制可小于10nm*紫外固化光源紫外LED（365nm）面光源，光强1000mW/cm2，水冷冷却（2000mW/cm2类型光源可选配）设备内部环境控制标配，外部环境class 100，内部环境优于Class 10*自动压印支持自动脱模支持自动工作模具复制支持模具基底对位功能自动对位（选配）如想了解更多产品信息，可通过仪器信息网和我们取得联系 400-860-5168转6144

1. 产品概述ACA无掩膜光刻机系列是科研版的无掩膜版紫外光刻机，其基于空间光调制技术，实现了数字掩膜光刻，灵活性使其成为科学研究。设备搭载长寿命、高功率的紫外光源，设备稳定，上手简单。其的原位光绘和交互式套刻指引功能，让光刻和套刻更加容易和精准。ACA系列设备为科研工作提供了强大的支持，助力科学研究域的发展和创新。2. 特色参数特征尺寸0.8μm6英寸光刻面积高精度步进光刻无掩膜光刻机3. 应用案例微流道芯片二维材料电光学掩膜版MEMS器件灰度光刻4. 公司简介：托托科技（苏州）有限公司是一家注于显微光学加工和显微光学检测域的公司，在基于数字微镜器件的无掩膜光刻技术域中进行了数年的深入研究和技术积累，其研制和生产的无掩膜紫外光刻机一经问世，就受到了诸多客户的青睐，在科研和工业域都有广泛的应用。例如，在微纳加工域，可以用于制作MEMS器件、微流控芯片、微型传感器等；在光电子域，可以用于制作光栅、衍射光学元件等。 托托科技致力于设备底层技术的研究和积累，不断寻求技术的突破，努力为客户带来更好的设备和更好的使用体验，帮助客户创造更高的价值。

基于双光子灰度光刻原理无掩模微纳3D打印- 适合于制造微光学衍射以及折射元件Quantum X新型超高速无掩模光刻技术的核心是Nanoscribe独家专利的双光子灰度光刻技术（2GL® ）。该技术将灰度光刻的卓越性能与双光子聚合的精确性和灵活性完美结合，使其同时具备高速打印，完全设计自由度和超高精度的特点。从而满足了高端复杂增材制造对于优异形状精度和光滑表面的极高要求。这种具有创新性的增材制造工艺大大缩短了企业的设计迭代，打印样品结构既可以用作技术验证原型，也可以用作工业生产上的加工模具。Nanoscribe双光子灰度光刻微纳打印系统技术要点这项技术的关键是在高速扫描下使激光功率调制和动态聚焦定位达到精准同步，这种智能方法能够轻松控制每个扫描平面的体素大小，并在不影响速度的情况下，使得样品精密部件能具有出色的形状精度和超光滑表面。该技术将灰度光刻的卓越性能与双光子聚合的精确性和灵活性*结合，使其同时具备高速打印，完全设计自由度和超高精度的特点。从而满足了高端复杂增材制造对于优异形状精度和光滑表面的极高要求。技术参数产地：德国全进口打印技术：双光子灰度光刻 （2GL)三维横向特征尺度：160nm最佳分辨率：400nm最小表面粗糙度：≤10nm激光扫描速度：≤250mm/s关键特性 高速的2.5维微纳制造 光学质量表面和极好的形状精度 亚微米级别加工满足设计自由 超快调整控制打印体素大小，优化打印过程 自动化的打印流程，例如校正、打印和实时 监控 广泛的基板-树脂组合选择 按任务顺序连续进行打印 可触摸屏和远程电脑操控纳糯三维科技（上海）有限公司作为德国Nanoscribe独资子公司扩大了亚太地区业务范围，同时也加强了售后服务支持。

请联系：张先生一、设备简介纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。电子束光刻系统（EBL）又称电子束直写（EBD）或电子束曝光系统。 日本CRESTEC是世界上制造电子束光刻设备的厂商之一，其制造的电子束光刻机具有电子束稳定，电子束定位精度高以及拼接套刻精度高等特点，赢得了科研机构以及半导体公司的青睐。二、设备特点CRESTEC CABL系列采用恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。三、设备参数型号CABL-UH（130kV）系列CABL-AP（50kV）系列电子发射枪／加速电压范围TFE（ZrO／W）／25～130kVTFE（ZrO／W）／5～50kV加速电压130 kV，110 kV，90 kV50kV，30kV电子束直径1.6nm2.0nm (研发) /3.0nm (量产) 最小线宽＜10nm＜10/20nm扫描方式矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)高级光刻功能场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻写场的尺寸30μm² ，60μm² ，120μm² ，300μm² ，600μm² , 1000μm² 30μm² - 1000μm² （50kV) (研发) 30μm² - 1500μm² （50kV) (量产)加工晶圆尺寸4/6/8寸，其他尺寸和形状的工件都可以用我们的柔性装置进行安装4/6/8寸CAD软件专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)操作系统WindowsWindows

一、产品概述：Nikon NSR 2205i14E 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，NSR 2205i14E 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2205i14E 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.35µ mN.A.0.63曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon NSR 2205i14E步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.35µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线，广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon SF120/130 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，NSR 2205i14E 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.28µ mN.A.0.62曝光光源365nm倍率4:1大曝光现场25mm*33mm对准精度LSA：40nmFIA：45nm四、设备特点Nikon SF120/130步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.28µ m主要用于6寸、8寸及12寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon EX14C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon EX14C非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon Nikon EX14C成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.25µ mN.A.0.6曝光光源248nm倍率5:1大曝光现场 22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon EX14C步进式光刻机光源波长248nm分辨率优于0.25µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon EX12B 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，Nikon EX12B 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.3µ mN.A.0.55曝光光源248nm倍率5:1大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon EX12B步进式光刻机光源波长248nm分辨率优于0.3µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线

一、产品概述：Nikon NSR 2205i12D 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2205i12D 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i12D 成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2205i12D 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标： 曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场 分辨率0.4µ mN.A.0.63 22mm*22mm对准精度LSA：60nmFIA：70nm四、设备特点Nikon NSR 2205i12D步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.4µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 2205i11D步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2205i11D非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2205i11D成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2205i11D能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.4µ mN.A.0.63曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：75nmFIA：80nm四、设备特点Nikon NSR 2205i11D步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.4µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述： Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2005i10C非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2005i10C成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2005i10C能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.45µ mN.A.0.57曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场20mm*20mm对准精度LSA：100nmFIA：110nm四、设备特点Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.45µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 1755/1505i7A/B步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 1755/1505i7A/B非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 1755/1505i7A/B成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 1755/1505i7A/B能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.6µ mN.A.0.6曝光光源365nm倍率5:1 大曝光现场15mm*15mm17.5mm*17.5mm对准精度140nm四、设备特点Nikon NSR 1755/1505i7A/B步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.6µ m主要用于2寸、4寸、6寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 2005i8A步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2005i8A非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2005i8A成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2005i8A能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.5µ mN.A.0.6曝光光源365nm倍率5:1 大曝光现场20mm*20mm对准精度LSA：120nmFIA：130nm四、设备特点 Nikon NSR 2005i8A步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.5µ m主要用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2005i9C非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2005i9C成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2005i9C能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.45µ mN.A.0.57曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场20mm*20mm对准精度LSA：120nmFIA：130nm四、设备特点Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.45µ m用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 10 nm标准写场大小5000 μm□小/大写场大小小 1000 μm□ 大 5000 μm□扫描频率大 400 MHz发射间距小 1.0nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 射束调整功能&bull 曝光文件功能&bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点：电子枪ZrO/W热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm□ 小/大写场大小小 100 μm大（选项）3000 μm扫描频率大 400 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 束流调整功能&bull 曝光文件功能 &bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米别的精细结构，因此在纳米科技域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有高的制造精度，能够满足微纳加工域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm小/大写场大小小 100 μm 大（选项）3000 μm扫描频率大 100 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm搬送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms束流调整功能曝光文件功能图案数据转换功能帐户管理功能Python脚本

EVGLithography 光刻设备 EVG的发明，例如1985年世界上第一个底面对准系统，开创了顶面和双面光刻，对准晶圆键合和纳米压印光刻技术并树立了行业标准。 EVG通过不断开发新一代掩模对准器产品来增强这些核心光刻技术，从而在这些领域做出了贡献。 EVG的掩模对准系统可容纳尺寸多达300 mm的晶圆和基板，尺寸，形状和厚度各不相同，旨在为高级应用提供复杂的解决方案，并具有高度的自动化程度，并为研发提供充分的灵活性。 EVG的掩模对准器和工艺能力已经过现场验证，并已安装在全球的生产设施中，以支持众多应用，包括先进封装，化合物半导体，功率器件，LED，传感器和MEMS制造。

1.产品概述：利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间 选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到 硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻 技术。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了 所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光 刻设备品质的关键指标。激光直写设备具备很 高的灵活性，且可以达到较高的精度，但由于 是逐行扫描，曝光效率较低。托托科技的无掩 模版光刻设备基于空间光调制器（DMD/DLP） 的技术，实现了高速、高精度、高灵活性的紫外光刻。2.产品参数：光源：375 nm、385 nm、405 nm 激光器线宽：0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm 光刻效率：可达到3000mm2/min@5μmXY行程：55~205mm样品尺寸：最小3mm*3mm 最大8 inch应用领域：生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、*进芯片封装、光通讯芯片光刻

一、产品概述：Canon FPA3000 EX4 是一款高性能的步进式光刻机，专为半导体制造业设计，适用于生产高精度的集成电路。该设备以其卓越的成像能力和高生产效率而闻名。二、设备用途/原理：Canon FPA3000 EX4 步进式光刻机主要用于半导体制造、微机电系统和光电器件的生产。其工作原理包括使用高强度光源照射涂有光刻胶的硅晶圆，通过光学系统将掩模上的图案投影到晶圆表面，形成图案后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶。随后，图案被转移到晶圆材料上，通过刻蚀工艺完成最终图形的制作，最后去除残留光刻胶。该设备以其高分辨率和高效的曝光能力，确保了在先进制造领域的应用。三、特色参数：分辨率0.25µ mN.A.0.4~0.6曝光光源248nm倍率 5:1大曝光现场22mm*22 mm对准精度60nm四、设备特点1.高分辨率成像支持高达 300mm 的晶圆尺寸，能够实现精确的图案转移，满足先进半导体制程的需求。2.快速扫描速度采用高效的扫描技术，显著缩短生产周期，提高生产效率，适合大批量制造。3.先进的光学系统配备高性能光学元件，确保在复杂图形上的成像质量和清晰度。4.用户友好的操作界面设计简洁、直观，结合自动化功能，降低操作难度，提升用户体验。5.高可靠性与稳定性设备经过精心设计，适合长时间连续运行，降低维护需求和成本。6.灵活的应用能力能够适应多种制造需求，包括集成电路、MEMS 和光电器件等。7.环境适应性强设计考虑到不同的生产环境，确保在各种条件下均能稳定运行。

1. 产品概述Canon FPA5000 ES4扫描式光刻机，光源波长248nm，分辨率优于0.13µ m，用于6寸、8寸及12寸生产线，广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等域。2. 设备特点主要技术指标，分辨率0.13µ m，N.A.0.5-0.8，曝光光源248nm，倍率4:1，最大曝光现场26mm*33mm，对准精度25nm。半导体器件制造中最重要的步骤是光刻，其中电路图形通过精密半导体光刻设备（通常称为步进机或扫描仪）从掩模转移到晶圆或面板。佳能开发了一系列半导体光刻设备，旨在满足除传统半导体晶圆加工之外的广泛应用的技术要求。半导体芯片（也称为集成电路，Integrated Circuit, IC）生产主要分为 IC 设计、 IC 制造、 IC 封测三大环节。 IC 设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定，并根据设计图制作掩模以供后续光刻步骤使用。 IC 制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上，并实现目标芯片功能，包括化学机械研磨、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入等步骤。 IC 封测完成对芯片的封装和性能、功能测试，是产品交付前的最后工序。