光刻技术

基于双光子灰度光刻原理无掩模微纳3D打印- 适合于制造微光学衍射以及折射元件Quantum X新型超高速无掩模光刻技术的核心是Nanoscribe独家专利的双光子灰度光刻技术（2GL® ）。该技术将灰度光刻的卓越性能与双光子聚合的精确性和灵活性完美结合，使其同时具备高速打印，完全设计自由度和超高精度的特点。从而满足了高端复杂增材制造对于优异形状精度和光滑表面的极高要求。这种具有创新性的增材制造工艺大大缩短了企业的设计迭代，打印样品结构既可以用作技术验证原型，也可以用作工业生产上的加工模具。Nanoscribe双光子灰度光刻微纳打印系统技术要点这项技术的关键是在高速扫描下使激光功率调制和动态聚焦定位达到精准同步，这种智能方法能够轻松控制每个扫描平面的体素大小，并在不影响速度的情况下，使得样品精密部件能具有出色的形状精度和超光滑表面。该技术将灰度光刻的卓越性能与双光子聚合的精确性和灵活性*结合，使其同时具备高速打印，完全设计自由度和超高精度的特点。从而满足了高端复杂增材制造对于优异形状精度和光滑表面的极高要求。技术参数产地：德国全进口打印技术：双光子灰度光刻 （2GL)三维横向特征尺度：160nm最佳分辨率：400nm最小表面粗糙度：≤10nm激光扫描速度：≤250mm/s关键特性 高速的2.5维微纳制造 光学质量表面和极好的形状精度 亚微米级别加工满足设计自由 超快调整控制打印体素大小，优化打印过程 自动化的打印流程，例如校正、打印和实时 监控 广泛的基板-树脂组合选择 按任务顺序连续进行打印 可触摸屏和远程电脑操控纳糯三维科技（上海）有限公司作为德国Nanoscribe独资子公司扩大了亚太地区业务范围，同时也加强了售后服务支持。

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产品简介：PMT-2光刻胶激光颗粒计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。 产品优势：应用：创新性油水双系型、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；标准：民用标准和军用标准分离。在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；检测标准：满足中国药典2015&2020版、美国药典、欧洲药典、英国药典、GB8368等标准；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501-2；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.1-0.5um、0.065-0.2um；特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：10000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。

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PMT-2化学品液体颗粒计数器液体粒子计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、硫酸铜、光刻胶、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。化学品液体颗粒计数器液体粒子计数器产品优势：应用：创新性油水双系型、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；标准：民用标准和军用标准分离。在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。化学品液体颗粒计数器液体粒子计数器应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；检测标准：满足中国药典2015&2020版、美国药典、欧洲药典、英国药典、GB8368等标准；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.03-3000um；（传感器可选型）特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：1000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。

详细咨询来电：双面光刻机+EVG610/620光刻机+接触式光刻对准EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备，可以是半自动也可以配置为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备；既可以用作研发设备，也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升，进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时，大幅提高了产能。EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS、）硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体等，涵盖了微电子领域微米或亚微米级线条的芯片的光刻应用。1. 高分辨率的顶部和底部显微镜2. 双面光刻和键合对准工艺3. 自动的微米计控制曝光间距4. 自动契型补偿系统5. 优异的全局光强均匀度6. 快速更换不同规格尺寸的硅片7. 高度自动化系统8. Windows图形化用户界面9. 可选配Nanoalign技术包以达到更高的工艺能力10. 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选11. 光刻工艺模拟软件可选12. 三花篮上料台，可选五花篮台

光刻胶（resist） 概 述 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC)，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板显示器(LED,LCD,OLED)，太阳能光伏(Solar PV)等领域。 德国ALLRESIST公司是从事光刻用电子化学品研发、生产和销售的专业公司，有丰富的经验和悠久的传统。可以为您提供各种标准工艺所用的紫外光刻胶，电子束光刻胶（抗蚀剂）以及相关工艺中所需要的配套试剂。 北京汇德信科技有限公司作为德国ALLRESIST的国内独家代理经销商，为国内用户提供高品质的光刻胶以及配套服务。 产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 我们每个月20号左右都会向德国厂商下订单，产品将于第二个月中旬到货，您可以根据实际情况，合理安排采购时间。具体的订购情况，请联系我们的销售人员。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 产地：韩国ECOPIA公司，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

URE-2000系列紫外单面光刻机 .URE-2000/A8紫外光刻机 主要产品技术特征及指标： • 曝光面积：200mmx200mm • 分辨力：2um • 对准精度：2um • 掩模尺寸:5英寸、礫寸、9英寸 • 样片尺寸:碟寸、礫寸、8英寸 • wafer chuc棲面：防止光反射涂层 • 掩模样片整体运动范围:X : 10mm Y:10mm • 掩模相对于样片运动行程:X: 5mm Y: 5mm : 6。； • 汞灯功率：100QW （直流） • 曝光能最密度：2 15mW/cm2 • 光源能■控制:光源恒功率（每日测嵐光强，微调recipe（参考356nm波长）； • 曝光峰值波长365 nm • 曝光方式:定时（倒计时方式0.1s—9999.9s） • 光刻版夹具兼容性 • 具有盲曝粗对准功能.产品型号曝光面积光刻分辨力汞灯功率照明不均匀性URE-2000B lOOmmXIOOmm0.8 pm （胶厚2 pm的正胶）1000W13iE （德国欧司朗）刼础2.5%（＜D100mm 范围）URE-2000/35 lOOmmXIOOmm 翎力:1 pm （胶厚2 pm的正胶）350WM流 （徳国欧司朗）3%（饥00mm范围URE-2000/35A 150mmX150mm 1-1.2 pm （胶厚2卩m的正胶）350W进口颤 高陵国欧司朗）6%（0150mm 范围）URE-2000/30 lOOmmxlOOmm(磔寸）潮力:￡1 pm （瞄 1.5|jm 的 IEK）談麟电源 （35OW1：^CD 3%（＜P100mm 范围）URE-2000/25 lOOmmXIOOmm 彻力:1.2 pm （胶厚2 pm的正胶）赦嶙 电源350W 直流，进口3%（＜P100mm 范围）URE-2000/17（台式）lOOmmXIOOmm 彻力:1.5 pm （胶厚2呻的正胶）200瀕口颤（德国欧司朗）5%（0100mm 范围） URE?2000系列双面光刻机URE-2000S/A8型奴面光刻机 主要产品技术特征及指标: • 采用专利技术一积木错位蝇眼透镜消衍射技术和线条陡直增强技术，曝光图形质量好，光刻分辩力高. • 采用国内首创的CCD囲像底面对准，单曝光头正面曝光实现双面对准功能. • 采用新颖的高精度，多自由度掩模一样片精密对准工件台结梅掩模与样片对准过程直观，套刻对准速度快，精度高样片的采 用推拉茹准平板，真空吸附式,操作方便。 • 采用1000W长寿命型汞灯光源，曝光能量高，聚光角度小，光源稳定，持久。 • 支持真空接触曝光，硬接触曝光，压力接触曝光，接近式曝光四种曝光功能。 • 配备循环水冷却系统，照明面温度恒定。 • 具有纳米压印接口功能. • 曝光面积:8英寸；对准精度：M±2 nm （双面，片厚0.8mm） /0.8皿（单面）. • 掩模尺寸：礫寸、5英寸' 7英寸、9英寸. • 光刻分辨力:1pm. • 曝光方式:定时（倒计时方式0.1S-9999.9S任意设定）和定剂量. • 最大胶厚：500 pm （SU8胶,用户提供检测条件）? • 汞灯功率:1000W （直流，进口直流高压汞灯德国欧司朗）. • 照明不均匀性：5% （ 0200mm范围）. 产品型号曝光面积光刻分辨力汞灯功率照明不均匀性URE-2000S/A 6詞1pmlooovmnw^Hj^r （德国欧司朗）2% （OlOOmm 范围）3% （＜P150mm 范围URE-2000S/B篠寸1pmlooovmnMMj^r （德国欧司朗）2% （（plOOmm 范围）URE-2000S/25A l|jm 350W进口直流高压汞灯 （德国欧司朗） 3% （（PlOOmm 范围）5% （0150 mm范围）URE-2000S/25B 磔寸 1pm 350W进口直流高压汞灯 （德国欧司朗）3% （（PlOOmm 范围）URE-2000S/35L（A）6知 1pm 紫外LED进口灯源 1.5% （（PlOOmm 范围） 3%（0150 mm范围）URE-2000S/35L（B）僥寸1pm紫外LED进口灯源1.5% （0100mm 范围） URE-2000S/25S 4钢6知 1pm 350瀕口直流高压汞灯 （德国瞄朗）3% （0100mm 范围）5% （（P150 mm范围） 投影光刻机 .TYG-2000S系列投影光刻机 主要产品技术特粧及指标： • 软件界面友好、科学、直观.可对当前曝光区域，待曝光区域，曝光参数等信息提供实时的图形化• • 通过选 配背面对准模块,可实现双面对准曝光,将该机型升级为具有双面对准曝光功能步进投影光刻机。 • 配置焦面检 测自动控制系统,焦面位置设定后,曝光过程中自动实时完成焦面调整。 • 采用冷光膜与i线照明系统，曝光波长为365nm ,曝光面为冷光，曝光图形方、陡、直. • 支持真空接触曝光，硬接触曝光，压力接触曝光，接近式曝光四种曝光功能. • 采用夸利技术-积木错位蝇眼透镜实现高均匀照明不均匀优于2%。 • 采用先进的离轴对准系统，对准过程自动完成,对各种不同大小的基片， （含碎片）对准十分适用. • 对准精度：±0.5卩m. • 照明均匀性：2%。 • 曝光面积：3mmx3 mm ~ 50mmx50mm. • 调焦台运动灵敏度：1 jim. • 掩模尺寸：3英寸、4英寸、5英寸. • 调焦台运动行程：5mm. • 光刻分辨力：。.3卩m ~ 5 ym. • 检焦：CCD检测，检测精度0.5 pm. .光源：350施形汞灯， • 汞灯功率：1000W （直流，进口直流高圧汞灯德国欧司朗）. 产品型号曝光面积光刻分辨力汞灯功率照明不均匀性TYG-2000/A 0.8pm - 1pm350W2%TYG-2000/T1 0mm x 10mm1pm350W进口直流高压汞灯 (德国欧司郎)+2%TYG-2000/T2 20mmx20mm 2pm350W进口颤mMT （德国欧司朗）±2%TYG-2OOO/T3 50mm x 50mm5pm350味晰汞灯 （曝光谱线：i线）±2%DS-2000系列无掩模光刻机 产品型号技术特征技术参数DS-2000/14G 型采用DMD作为数字掩模，像素数1024x768或1920x1080或 25601600三种选配.采用缩小投影光刻物镜成像，分辨力 lum0采用专利技术一一积木错位蝇眼透镜实 现均明。采用进口精密光栅、进口电机、进口导 轨、进口丝杠实现精确工件定位和曝光 拼接，可适应lOOmmlOOmm基片。 采用CCD检焦系统实现整场调平、自动 逐场调焦或自动选场调焦曝光。具备对准功能。光源：350W球形汞灯（曝光谱线：i线）或紫 外LED 照明不均匀性：2% 物镜倍率： 7.6倍（或14倍与选择的DMD像素尺寸有 关）；曝光场面积：lmmx0.7mm （或 1.9mmxl.8mm ,或2.5mmxl.6mm ,与选 择的DMD像素数有关）；光刻分辨力： 1 p m 工件台运动范围： X :100mm、 Y : 100mm 工件台运动定位精度：0.5pm 调 焦台运动灵敏度：lpm 对准精度：2卩m 调 焦台运动行程：6mm 检焦：CCD检测，检 测精度2微米；转动台行程：±6。以上；直写速 度：40mm2/min 基片尺寸；外径: 1mm—100mm ,厚度：0.1mm--5mm。DS?2000/14K型采用DMD作为数字掩模，像素数1024x768.采用14倍缩小投影光刻物镜成像。 采用专利技术一一积木错位蝇眼透镜实 现均明。具备对准功能。采用进口精密光栅、进口电机、进口导 轨、进口丝杠实现精确工件定位和曝光 拼接，可适应lOOmmlOOmm基片。 采用CCD检焦系统实现整场调平、自动 逐场调焦或自动选场调焦曝光。光源：350W球形汞灯（曝光谱线：i线）或紫 外LED 照明不均匀性：2% 物镜倍率：14 倍；曝光场面积：lmmx0.75mm 光刻分辨 力：1 pm 工件台运动范围：X : 100mm、 Y :100mm 工件台运动定位精度：0.65卩 m 调焦台运动灵敏度：lum 对准精度：2pm 调焦台运动行程：6mm 检焦：CCD检测,检测精度2微米；转动台行 程：±6°以上；基片尺寸；外径： 1mm—100mm ,厚度：0.1mm--5mm。

1. 产品概述ACA无掩膜光刻机系列是科研版的无掩膜版紫外光刻机，其基于空间光调制技术，实现了数字掩膜光刻，灵活性使其成为科学研究。设备搭载长寿命、高功率的紫外光源，设备稳定，上手简单。其的原位光绘和交互式套刻指引功能，让光刻和套刻更加容易和精准。ACA系列设备为科研工作提供了强大的支持，助力科学研究域的发展和创新。2. 特色参数特征尺寸0.8μm6英寸光刻面积高精度步进光刻无掩膜光刻机3. 应用案例微流道芯片二维材料电光学掩膜版MEMS器件灰度光刻4. 公司简介：托托科技（苏州）有限公司是一家注于显微光学加工和显微光学检测域的公司，在基于数字微镜器件的无掩膜光刻技术域中进行了数年的深入研究和技术积累，其研制和生产的无掩膜紫外光刻机一经问世，就受到了诸多客户的青睐，在科研和工业域都有广泛的应用。例如，在微纳加工域，可以用于制作MEMS器件、微流控芯片、微型传感器等；在光电子域，可以用于制作光栅、衍射光学元件等。 托托科技致力于设备底层技术的研究和积累，不断寻求技术的突破，努力为客户带来更好的设备和更好的使用体验，帮助客户创造更高的价值。

硅科智能BMA系列半自动光刻机，是现阶段国内市面有上较高性价比的，一款先进的掩膜光刻系统；采用集成化设计,半自动控制,可靠性高,操作简便,不仅具有掩膜曝光系统灵活性,而且还具有高刻写效率,写场范围大,操作成本低,多种光学校准补偿等特点,从成本、性能上均可以取代传统微纳加工工艺中传统光刻机的功能。BMA光刻机简介：1、光刻机组成：高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件箱等组成。2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐3.半开放系统可配合用户进行定制需求设计开发4.支持2-6寸及碎片5.CCD及显微镜对准系统6.支持文件格式：PNG,GDSII等7.采用现代光刻工艺中应用最为广泛的接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。8.工件台为光刻机的一个关键，由掩模样片整体运动台（XY）、掩模样片相对运动台（XY）、转动台、样片调平机构、样片调焦机构、承片台、掩模夹、抽拉掩模台组成。9.应用领域：微电子,微光电,微流控,传感器,新材料,器件制备等。

请联系：张先生一、设备简介纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。电子束光刻系统（EBL）又称电子束直写（EBD）或电子束曝光系统。 日本CRESTEC是世界上制造电子束光刻设备的厂商之一，其制造的电子束光刻机具有电子束稳定，电子束定位精度高以及拼接套刻精度高等特点，赢得了科研机构以及半导体公司的青睐。二、设备特点CRESTEC CABL系列采用恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。三、设备参数型号CABL-UH（130kV）系列CABL-AP（50kV）系列电子发射枪／加速电压范围TFE（ZrO／W）／25～130kVTFE（ZrO／W）／5～50kV加速电压130 kV，110 kV，90 kV50kV，30kV电子束直径1.6nm2.0nm (研发) /3.0nm (量产) 最小线宽＜10nm＜10/20nm扫描方式矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)高级光刻功能场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻写场的尺寸30μm² ，60μm² ，120μm² ，300μm² ，600μm² , 1000μm² 30μm² - 1000μm² （50kV) (研发) 30μm² - 1500μm² （50kV) (量产)加工晶圆尺寸4/6/8寸，其他尺寸和形状的工件都可以用我们的柔性装置进行安装4/6/8寸CAD软件专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)操作系统WindowsWindows

电子束光刻系统 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm 产品介绍产品介绍纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技 术制作中是zui好的方法之一。为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 系列zui小线宽可达8nm，zui小束斑直径2nm，套刻 精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

EVGLithography 光刻设备 EVG的发明，例如1985年世界上第一个底面对准系统，开创了顶面和双面光刻，对准晶圆键合和纳米压印光刻技术并树立了行业标准。 EVG通过不断开发新一代掩模对准器产品来增强这些核心光刻技术，从而在这些领域做出了贡献。 EVG的掩模对准系统可容纳尺寸多达300 mm的晶圆和基板，尺寸，形状和厚度各不相同，旨在为高级应用提供复杂的解决方案，并具有高度的自动化程度，并为研发提供充分的灵活性。 EVG的掩模对准器和工艺能力已经过现场验证，并已安装在全球的生产设施中，以支持众多应用，包括先进封装，化合物半导体，功率器件，LED，传感器和MEMS制造。

1.基本概述MS6-CA手动光刻机，作为一种手动操作的光刻设备，通过手调旋钮来改变其X轴、Y轴和角度（如theta角）以完成对准。虽然其对准精度相对较低，但在某些特定的应用场景下，如小批量生产、研发实验或教学演示中，仍然具有一定的应用价值。2.主要特点手动操作：MS6-CA光刻机采用手动调节方式，用户可以通过旋钮直接控制设备的移动和定位，无需复杂的程序控制。灵活性高：由于采用手动操作，用户可以根据实际需要灵活调整对准精度和曝光参数，适用于多种不同的应用场景。成本较低：与全自动或半自动光刻机相比，MS6-CA手动光刻机的制造成本和维护成本相对较低，适合预算有限或需求量不大的用户。3.性能指标虽然具体的性能指标可能因产品型号和生产厂家而异，但一般来说，MS6-CA手动光刻机的性能指标可能包括以下几个方面：支持基片尺寸范围：根据设备设计，MS6-CA可能支持多种不同尺寸的基片。分辨率：光刻机的分辨率决定了其能够制造的电路图形的小尺寸。MS6-CA的分辨率可能受到其物镜设计和曝光方式等因素的限制。对准精度：由于MS6-CA是手动操作的光刻机，其对准精度可能相对较低，但仍能满足一定精度的加工需求。曝光方式：MS6-CA可能采用接触式、接近式或投影式等不同的曝光方式，具体取决于设备的设计和应用需求。4.应用场景MS6-CA手动光刻机主要适用于以下场景：小批量生产：在芯片制造、微电子器件生产等域，对于小批量或试制阶段的产品，MS6-CA手动光刻机可以提供灵活且成本较低的解决方案。研发实验：在科研机构或高校实验室中，MS6-CA手动光刻机可用于研发实验和教学演示，帮助学生和研究人员了解光刻工艺的基本原理和操作技巧。特殊应用：在某些特殊应用场景下，如需要处理非标准基片或进行特殊工艺的实验中，MS6-CA手动光刻机也可能发挥重要作用。

光刻胶检测系统,光刻胶测试系统用于检测光刻胶的光谱灵敏度(波长特性)。这是一种光谱系统，它将连续的光(大约240纳米宽)照射到一种光敏材料上，例如光阻剂。标准配置两种光源。一种是能照射强线谱光的深紫外光灯，另一种是能照射连续谱光的氙灯。规格波长范围:波长波段一次照射约240nm辐照有:高度方向:89mm(5-13步)波长方向80mm(约240nm)辐照时间:0.01-1200s辐照步骤:1-13步

DMD无掩膜光刻机产品负责人：姓名：郭工(Barry)电话：（微信同号）邮箱：DMD无掩膜光刻机SMART PRINT UV是一种基于DMD投影技术的无掩模光刻设备，可兼容多种电阻和基片。SMART PRINT UV可以生产任何微米分辨率的二维形状，而不需要硬掩模。基于改进后的标准投影技术，投影出具有微米分辨率的图像，无掩膜光刻机SmartPrint无需任何进一步步骤，就能直接从数字掩模光刻出您要的图。无掩膜光刻机SmartPrint主要应用是微流体，生物技术和微电子等领域光刻表面微纳图案。DMD无掩膜光刻机主要特性：兼容i、h、g线光刻胶SmartPrint-UV配备了385 nm LED源，以兼容标准i, h和g线光刻胶，如SU8或AZ1500系列适用于各种各样的基材我们的物镜范围经过精心选择，具有较长的工作距离(高达3厘米)，使SP-UV成为一种非接触式技术，因此兼容非标准基材(非平的，灵活的，厚的)。可调直写范围和分辨率——用户可获得四种不同的直写分辨率 直写分辨率1.5um 兼容任何尺寸的样品，最大5平方英寸 对齐方式直观——反馈相机与第二束590nm准直光源叠加使用DMD无掩膜光刻机体积小，性价比高DMD无掩膜光刻机应用领域：DMD无掩膜光刻机指标参数：

一、产品概述：Nikon EX14C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon EX14C非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon Nikon EX14C成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.25µ mN.A.0.6曝光光源248nm倍率5:1大曝光现场 22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon EX14C步进式光刻机光源波长248nm分辨率优于0.25µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon EX12B 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，Nikon EX12B 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.3µ mN.A.0.55曝光光源248nm倍率5:1大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon EX12B步进式光刻机光源波长248nm分辨率优于0.3µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线

一、产品概述：Nikon NSR 2005i8A步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2005i8A非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2005i8A成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2005i8A能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.5µ mN.A.0.6曝光光源365nm倍率5:1 大曝光现场20mm*20mm对准精度LSA：120nmFIA：130nm四、设备特点 Nikon NSR 2005i8A步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.5µ m主要用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 1755/1505i7A/B步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 1755/1505i7A/B非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 1755/1505i7A/B成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 1755/1505i7A/B能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.6µ mN.A.0.6曝光光源365nm倍率5:1 大曝光现场15mm*15mm17.5mm*17.5mm对准精度140nm四、设备特点Nikon NSR 1755/1505i7A/B步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.6µ m主要用于2寸、4寸、6寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2005i9C非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2005i9C成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2005i9C能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.45µ mN.A.0.57曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场20mm*20mm对准精度LSA：120nmFIA：130nm四、设备特点Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.45µ m用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon SF120/130 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，NSR 2205i14E 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.28µ mN.A.0.62曝光光源365nm倍率4:1大曝光现场25mm*33mm对准精度LSA：40nmFIA：45nm四、设备特点Nikon SF120/130步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.28µ m主要用于6寸、8寸及12寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等