光伏器件

有机太阳能电池是一种有潜力的绿色光电转换技术，有机太阳能电池的伏安特性曲线是获取器件各个光伏参数的重要手段和方式，因此准确的制备和测量是研究学者和工程师必须面对的问题。本参赛作品以北京理工大学分析测试

光电转换器件是光电光谱仪接收系统的核心部分，主要是利用光电效应将不同波长的辐射能转化成光电流的信号。光电转换器件主要有两大类：一类是光电发射器件，例如光电管与光电倍增管，当辐射作用于器件中的光敏材料上，使发射的电子进入真空或气体中，并产生电流，这种效应称光电效应；另一类是半导体光电器件，包括固体成像器件，当辐射能作用于器件中光敏材料时，所产生的电子通常不脱离光敏材料，而是依靠吸收光子后所产生的电子—空穴对在半导体材料中自由运动的光电导（即吸收光子后半导体的电阻减小，而电导增加）产生电流的，这种效应称内光电效应。光电转换元件种类很多，但在光电光谱仪中的光电转换元件要求在紫外至可见光谱区域（160-800nm）很宽的波长范围内有很高的灵敏度和信噪比，很宽的线性响应范围，以及快的响应时间。目前可应用于光电光谱仪的光电转换元件有以下两类：即光电倍增管及固体成像器件。[b]光电倍增管[/b] 外光电效应所释放的电子打在物体上能释放出更多的电子的现象称为二次电子倍增。光电倍增管就是根据二次电子倍增现象制造的。它由一个光阴极、多个打拿极和一个阳极所组成(见下图)，每一个电极保持比前一个电极高得多的电压（如100V）。当入射光照射到光阴极而释放出电子时，电子在高真空中被电场加速，打到第一打拿极上。一个入射电子的能量给予打拿极中的多个电子，从而每一个入射电子平均使打拿极表面发射几个电子。二次发射的电子又被加速打到第二打拿极上，电子数目再度被二次发射过程倍增，如此逐级进一步倍增，直到电子聚集到管子阳极为止。通常光电倍增管约有十二个打拿极，电子放大系数（或称增益）可达10[sup]8[/sup]，特别适合于对微弱光强的测量，普遍为光电直读光谱仪所采用。光电倍增管的窗口可分为侧窗式和端窗式两种[b]1.光电倍增管的基本特性[/b]1.1 灵敏度和工作光谱区 光电倍增管的灵敏度和工作光谱区主要取决于光电倍增管阴极和打拿极的光电发射材料。当入射到阴极表面的光子能量足以使电子脱离该表面时才发生电子的光电发射，即1/2mv[sup]2[/sup]=hn-ф,( hn为光子能量，ф为电子的表面功函数，1/2mv[sup]2[/sup]为电子动能)。当hnф时，不会有表面光电发射，而当hn=ф时，才有可能发生光电发射，这时所对应的光的波长λ=C/n称为这种材料表面的阈波长。随着入射光子波长的减小，产生光电子发射的效率将增大，但光电倍增管窗材料对光的吸收也随之增大。显然，光电倍增管的短波响应的极限主要取决于窗材料，而长波响应的极限主要取决于阴极和打拿极材料的性能。一般用于可见-红外光谱区的光电倍增管用玻璃窗，而用于紫外光谱区的用石英窗。光阴极一般选用表面功函数低的碱金属材料，如红外谱区选用银-氧-铯阴极，可见光谱区用锑-铯阴极或铋-银-氧-铯阴极，而紫外谱区则采用多碱光电阴极或锑-碲阴极。光电倍增管的灵敏度S是指在1lm的光通量照射下所输出的光电流强度，即S=i/F，单位为µ A/lm。显然，灵敏度随入射光的波长而变化，这种灵敏度称为光谱灵敏度，而描述光谱灵敏度随波长而变化的曲线称为光谱响应曲线(见右图)，由此可确定光电倍增管的工作光谱区和最灵敏波长。例如我们常用的R427光电倍增管，其曲线偏码为250S，光谱响应范围为160-320nm，峰值波长200nm，光阴极材料Cs-Te，窗口材料为熔炼石英，典型电流放大率3.3×10[sup]6[/sup]。1.2 暗电流与线性响应范围光电倍增管在全暗条件下工作时，阳极所收集到的电流称为暗电流。对某种波长的入射光，光电倍增管输出的光电流为： i= KI[sub]i[/sub]+i[sub]0 [/sub]，式中，I[sub]i[/sub]对应于产生光电流i的入射光强度，k为比例系数，i[sub]0[/sub]为暗电流。由此可见，在一定的范围内，光电流与入射光强度呈线性关系，即为光电倍增管的线性响应范围。当入射光强度过大时，输出的光电流随光强的增大而趋向于饱和（见上图）。线性响应范围的大小与光阴极的材料有关。暗电流的来源主要是由于极间的欧姆漏阻、阴极或其他部件的热电子发射以及残余气体的离子发射、场致发射和玻璃闪烁等引起。当光电倍增管在很低电压下工作时，玻璃芯柱和管座绝缘不良引起的欧姆漏阻是暗电流的主要成分，暗电流随工作电压的升高成正比增加；当工作电压较高时，暗电流主要来源于热电子发射，由于光电阴极和倍增极材料的电子溢出功很低，甚至在室温也可能有热电子发射，这种热电子发射随电压升高暗电流成指数倍增；当工作电压较高时，光电倍增管内的残余气体可被光电离，产生带正电荷的分子离子，当与阴极或打拿极碰撞时可产生二次电子，引起很大的输出噪声脉冲，另外高压时在强电场作用下也可产生场致发射电子引起噪声，另外当电子偏离正常轨迹打到玻壳上会出现闪烁现象引起暗电流脉冲，这一些暗电流均随工作电压升高而急剧增加，使光电倍增管工作不稳定，因此为了减少暗电流，对光电倍增管的最高工作电压均加以限制。

各位大神：小女子是质量负责人，化学类专业出生，但是直读光谱没有做过，之前CNAS评审，因为没有进行光谱标准物质的期间核查就开了不符合项，然后就要求整改。我们的检测人员就不知道怎么进行光谱标准物质期间核查，请指教！小女子就只知道进行实验室简比对或者能力验证可以代替期间核查，有没有具体的作业指导书可以教教我！另外我们的标块有很多，是不是每一块都需要进行期间核查？因为上过好几次内审员课，老师都说有证标准物质可以不用期间核查，有新的标准物质进行期间核查的话就用新的了，不要用老的！

PSD和四象限光电接收器件在光位置检测上有何区别？

红外光谱的期间核查主要涉及哪些内容？指点一二。目前用的是布鲁克的TENSOR 27

各位大侠，有谁对光学器件及光路设计有了解，想请教个问题：离轴抛物镜以及角立方反射镜的原理及光路调节！

光谱仪内部的电器件如何准备

固体光图像传感器的器件技术的开展现状与趋向　　1、固体光摄像器件—理想的星载光图像传感器　　固体光电子图像传感器技术包括可见光硅图像传感器和短波、中波和长波红外焦平面阵列技术。由于图像传感器器件的不时开展，目前的固体图像传感器从可见光和近红外波段的CCD器件开展到了短波、中波和长波红外焦平面阵列。与星载反束光导摄像管相比起来，由于固体图像传感用具有一系列优点，十分适用于用作空间星载图像传感器，如：　　(1)体积小，重量轻;　　(2)无图像扭曲;　　(3)光响应工作波段宽，可见光硅CCD和CMOS图像传感器的光谱响应可从紫外区延伸到红外区，而红外焦平面的光谱响应波段掩盖了从1mm～14mm和远红外更宽的电磁波谱区;　　(4)高分辨率，可在焦平面上集成数十万、百万乃至千万像元的大格式阵列、完成大视场空间传感器;　　(5)同焦平面信号处置，像CCD、CMOS和各种红外焦平面阵列器件，由于微型加工技术的开展，可采用混合式或单片集成方式把焦平面上光电转换的焦平面探测器阵列与信号处置电路集成微小的集成电路块，完成同焦平面信号处置;　　(6)采用电子自扫描或注视工作形式工作，简化和完整取消机械扫描，完成系统小型化和微型化;　　(7)低功耗工作，数伏电压下即可工作;　　(8)低本钱;　　(9)牢靠性高。　　总之，小型化的小体积、轻重量、低功耗、低价钱和高性能、高牢靠性的固体空间光图像传感器为空间系统的设计和应用提供了极大的灵敏性。　　2、可见光固体图像传感器　　可见光固体图像传感器已使成像技术完成了小型、低功耗、低本钱和便携式应用、使成像系统技术了发作了反动性的变化。虽然迄今为止已开展了多种固体摄像器件，但是CCD器件和已在快速开展的CMOS图像传感器却占领了整个该范畴的95%的份额，CMOS是继CCD之后的后起之秀。　　(1)图像传感器件　　CCD图像传感器件技术已开展了三十多年，早已是成熟和提高应用到各种军用和民用系统的器件，在红外焦平典型面阵列技术适用化之前很长一段时间极受军用注重，目前仍在可见光波段普遍采用。　　①像元集成度：摄像阵列像元的几是摄像系统分辨率性能的关键性要素，目前的CCD器件已可依据系统应用目的请求同芯片集成或多芯片拼接，或多器件组合成恣意像素数的器件。　　· 线阵：常用单芯片像元集成度为512、1024、2048、4096、5000、7450和8000等;多芯片像元集成是用二个或多个单线阵芯片组合起来构成数万像元的专长线阵列，常用作星载或机载多光谱传感器;　　· 时间延迟与积分(TDI)阵列：常用的单芯片是2048×96、2048×144和4096×96的阵列;多芯片是用多个单芯片拼合起来，常用作星载或机载推帚式扫描传感器，加拿大的DLSA公司制造的这种传感器在全球很有名;　　· 面阵列：大格式阵列像元集成度为1024×1024、2048×2048、4096×4096 少数如科学研讨和天文应用方面阵列达7000×9000、8192×8192和9126×9126元，最大的9126×9126元阵列是美国Farchild Imaging公司研制的;　　②像元尺寸：CCD的像元尺寸不能太小，过小将影响曝光性能，目前的大格式阵列像元尺寸已小达7.0mm×7.0µm;　　③灵活度，通常为几个Lux~Lux-1，加上加强器处于微光工作形式时为Lux-3;采取冷却时为Lux-5~Lux-7;　　④分辨率：大型阵列通常的电视分辨线为1000×1000TV线，依据系统请求可更高，光学尺寸通常为2/3、1/2、1/3、1/4in.，目前最小已做到1/7in.。　　(2)CMOS图像传感器件　　由于CMOS图像传感器件与CCD相比功耗更低，可完成极高帧速工作和低本钱化，.本钱仅为CCD的1/4，因此开展极快，可能最终在某些范畴取代CCD。　　① 像元集成度：由于器件技术的停顿，目前的像元集成度常用的为几十万到100万像素，如512×480和1280×1000，已能制出4096×4096和6144×6144元的阵列;　　② 像元尺寸：由于制造技术的不时改良，像元尺寸已可小达3.3mm×3.3mm;　　③ 高灵活度：在近红外光谱区(900nm)光电转换效率高达50%;　　④ 宽动态范围：CMOS的动态范围通常为60dB以上，已到达170dB;DALSA CMOS-1M28/1M751024×1024元摄像机的动态范围也高达1,000,000:1。　　⑤ 高帧速和超高帧速：随着CMOS图像传感器技术的开展，2003年中不时报道了高帧速和超高帧速CMOS图像传感器，美、日公司在高帧速工作方面获得了显著的停顿.。DALSA和红湖公司的CMOS图像传感器帧速居然高达100000frame/s。　　⑥ 功耗：CMOS最明显的特性是低功耗，目前高帧速工作时仅为50mW。　　(3)趋向　　CMOS图像传感器是目前和将来该范畴正在开展中的主流技术。CCD主要是在应用上想方法，依据不同的应用目的和系统设计计划组合应用。由于CCD图像传感器技术极为成熟， 预期最终CMOS图像传感器难以取代CCD图像传感器，将是二者长期共存的场面。但是， CMOS图像传感用具有本钱低、集成度高、低功耗的突出优点，假如再处理了影响性能和图像质量的噪声问题，CMOS就将成为极佳选择。　　3、红外焦平面阵列　　红外焦平面阵列技术的开展已惹起了商界和军界军火商的极大关注。红外焦平面阵列技术对军事配备更新换代的深远影响正在改动现代战场作战的特性和概念。　　刚完毕的伊拉克倒“萨”战争再次显现了在现代战争

【题名】：新型pH敏感器件——pH光极【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-FXSY198606021.htm

点击链接查看更多：[url]https://www.woyaoce.cn/service/info-34334.html[/url]站运维痛点：1.电站安全管理问题，缺乏有效的安全监督，从业人员安全意识淡薄；2.新兴产业，专业人才紧缺；3.运维产业缺乏统一标准、技术和规范；4. 缺乏有效的检测手段，电站运维期间产出的电量难以评价。NOA|挪亚服务优势：一家集检验、检测和认证为一体的综合性服务机构；一支业务能力、服务意识超强的技术团队；相关行业标准、技术规范；光伏电站全生命周期服务，先进的检测设备和手段。服务内容：电气设备维护、光伏电站的组件运维、光伏电站支架运维、汇流箱运维、光伏逆变器运维、光伏电站房内设施的运维、光伏电站电缆运维。[font=宋体][size=18px][color=#333333][/color][/size][/font]

[url=http://www.huaketiancheng.com/][b][font=宋体]ICP光谱仪[/font][/b][/url][font=宋体]的光电转换器件是光电光谱仪接收系统的核心部分，也是[b]光谱仪检测分析[/b]的准要部件。主要是利用光电效应将不同波长的辐射能转化成光电流的信号。光电转换器件主要有两大类：一类是光电发射器件，例如光电管与光电倍增管，当辐射作用于器件中的光敏材料上，使发射的电子进入真空或气体中，并产生电流，这种效应称光电效应；另一类是半导体光电器件，包括固体成像器件，当辐射能作用于器件中光敏材料时，所产生的电子通常不脱离光敏材料，而是依靠吸收光子后所产生的电子[/font][font=&]-[/font][font=宋体]空穴对在半导体材料中自由运动的光电导（即吸收光子后半导体的电阻减小，而电导增加）产生电流的，这种效应称内光电效应。[/font][font=宋体]光电转换元件种类很多，但在光电光谱仪中的光电转换元件要求在紫外至可见光谱区域（[/font][font=&]160-800nm[/font][font=宋体]）很宽的波长范围内有很高的灵敏度和信噪比，很宽的线性响应范围，以及快的响应时间。[/font][font=宋体]目前可应用于光电光谱仪的光电转换元件有以下两类：即光电倍增管及固体成像器件。[b][font=宋体] 光电倍增管[/font][/b][font=&] [/font][font=宋体]外光电效应所释放的电子打在物体上能释放出更多的电子的现象称为二次电子倍增。光电倍增管就是根据二次电子倍增现象制造的。它由一个光阴极、多个打拿极和一个阳极所组成，见图，每一个电极保持比前一个电极高得多的电压（如[/font][font=&]100V[/font][font=宋体]）。当入射光照射到光阴极而释放出电子时，电子在高真空中被电场加速，打到第一打拿极上。一个入射电子的能量给予打拿极中的多个电子，从而每一个入射电子平均使打拿极表面发射几个电子。二次发射的电子又被加速打到第二打拿极上，电子数目再度被二次发射过程倍增，如此逐级进一步倍增，直到电子聚集到管子阳极为止。通常光电倍增管约有十二个打拿极，电子放大系数（或称增益）可达[/font][font=&]10[sup]8[/sup][/font][font=宋体]，特别适合于对微弱光强的测量，普遍为光电直读光谱仪所采用。[/font][font=&][size=14px] [/size][/font][font=宋体][size=14px]光电倍增管的窗口可分为侧窗式和端窗式两种[/size][/font][b][font=宋体] [/font][/b][font=宋体] 光电倍增管的基本特性[/font][font=&]1)[size=9px] [/size][/font][font=宋体]灵敏度和工作光谱区[/font][font=&] [/font][font=宋体]光电倍增管的灵敏度和工作光谱区主要取决于光电倍增管阴极和打拿极的光电发射材料。当入射到阴极表面的光子能量足以使电子脱离该表面时才发生电子的光电发射，即[/font][font=&]1/2mv[sup]2[/sup]=h[/font][font=Symbol]n[/font][font=&]-[/font][font=宋体]ф,([/font][font=&] h[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体]为光子能量，ф为电子的表面功函数，[/font][font=&]1/2mv[sup]2[/sup][/font][font=宋体]为电子动能[/font][font=&])[/font][font=宋体]。当[/font][font=&]h[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体][/font][font=宋体]ф时，不会有[/font][font=宋体]表面光电发射，而当[/font][font=&]h[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体]=[/font][font=宋体]ф时，才有可能发生光电发射，这时所对应的光的波长λ=C/[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体]称为这种材料表面的阈波长。随着入射光子波长的减小，产生光电子发射的效率将增大，但光电倍增管窗材料对光的吸收也随之增大。显然，光电倍增管的短波响应的极限主要取决于窗材料，而长波响应的极限主要取决于阴极和打拿极材料的性能。一般用于可见-红外光谱区的光电倍增管用玻璃窗，而用于紫外光谱区的用石英窗。光阴极一般选用表面功函数低的碱金属材料，如红外谱区选用银-氧-铯阴极，可见光谱区用锑-铯阴极或铋-银-氧-铯阴极，而紫外谱区则采用多碱光电阴极或梯-碲阴极。[/font][font=宋体]光电倍增管的灵敏度S是指在1lm的光通量照射下所输出的光电流强度，即S=i/F，单位为[/font][font=宋体]μ[/font][font=宋体]A/lm[/font][font=宋体]。显然，灵敏度随入射光的波长而变化，这种灵敏度称为光谱灵敏度，而描述光谱灵敏度随波长而变化的曲线称为光谱响应曲线(见[/font][font=宋体]右[/font][font=宋体]图)，由此可确定光电倍增管的工作光谱区和最灵敏波长。例如我们常用的R427光电倍增管，其曲线偏码为250S，光谱响应范围为160-320nm，峰值波长200nm，光阴极材料Cs-Te，窗口材料为熔炼石英，典型电流放大率3.3×10[sup]6[/sup]。[/font][font=宋体]2)[font=&] [/font][/font][font=宋体]暗电流与线性响应范围[/font][size=14px][font=宋体]光电倍增管在全暗条件下工作时，阳极所收集到的电流称为暗电流。对某种波长的入射光，光电倍增管输出的光电流为： i= KI[sub]i[/sub]+i[sub]0 [/sub]，式中，I[sub]i[/sub]对应于产生光电流i的入射光强度，k为比例系数，i[sub]0[/sub]为暗电流。由此可见，在一定的范围内，光电流与入射光强度呈线性关系，即为光电倍增管的线性响应范围。当入射光强度过大时，输出的光电流随光强的增大而趋向于饱和（见右图）。线性响应范围的大小与光阴极的材料有关。[/font][/size][font=宋体]暗电流的来源主要是由于极间的欧姆漏阻、阴极或其他部件的热电子发射以及残余气体的离子发射、场致发射和玻璃闪烁等引起。[/font][font=宋体]当光电倍增管在很低电压下工作时，玻璃芯柱和管座绝缘不良引起的欧姆漏阻是暗电流的主要成分，暗电流随工作电压的升高成正比增加；当工作电压较高时，暗电流主要来源于热电子发射，由于光电阴极和倍增极材料的电子溢出功很低，甚至在室温也可能有热电子发射，这种热电子发射随电压升高暗电流成指数倍增；当工作电压较高时，光电倍增管内的残余气体可被光电离，产生带正电荷的分子离子，当与阴极或[/font][font=宋体]打拿极碰撞时可产生二次电子，引起很大的输出噪声脉冲，[/font][font=宋体]另外高压时在强电场作用下也可产生场致发射电子引起[/font][font=宋体]噪声，[/font][font=宋体]另外当电子偏离正常轨迹打到玻壳上会出现闪烁现象引起暗电流脉冲，这一些暗电流均随工作电压升高而急剧增加，使光电倍增管工作不稳定，因此为了减少暗电流，对光电倍增管的最高工作电压均加以限制。[/font][font=宋体]3)[font=&] [/font][/font][font=宋体]噪声和信噪比[/font][size=14px][font=宋体]在入射光强度不变的情况下，暗电流和信号电流两者的统计起伏叫做噪声。这是由光子和电子的量子性质而带来的统计起伏以及负载电阻在光电流经过时其电子的热骚动引起的。输出光电流强度与噪声电流强度之比值，称为信噪比。显然，降低噪声，提高信噪比，将能检测到更微弱的入射光强度，从而大大有利于降低相应元素的检出限。[/font][/size][font=宋体]4)[font=&] [/font][/font][font=宋体]工作电压和工作温度[/font][font=宋体]光电倍增管的工作电压对光电流的强度有很大的影响，尤其是光阴极与第一打拿极间的电压差对增益（放大倍数）、噪声的影响更大。因此，要求电压的波动不得超过0.05%，应采用高性能的稳压电源供电，但工作电压不许超过最大值（一般为-900v-1000v），否则会引起自发放电而损坏管子，工作环境要求恒温和低温，以减小噪声。[/font][font=宋体]5)[font=&] [/font][/font][font=宋体]疲劳和老化[/font][font=宋体]在入射光强度过大或照射时间过长时，光电倍增管会出现光电流衰减、灵敏度骤降的疲劳现象，这是由于过大的光电流使电极升温而使光电发射材料蒸发过多所引起。在停歇一段时间后还可全部或部分得到恢复。光电倍增管由于疲劳效应而灵敏度逐步下降，称为老化，最后不能工作而损坏。过强的入射光会加速光电倍增管的老化损坏，因此，不能在工作状态下（光电倍增管加上高压时）打开光电直读光谱仪的外罩，在日光照射下，光电倍增管很快便损坏。[/font][font=宋体] 光电测量原理[/font][font=宋体]光电检测的原理一般是通过光电接受元件将待测谱线的光强转换为光电流，而光电流由积分电容累积，其电压与入射光的光强成正比，测量积分电容器上的电压，便获得相应的谱线强度的信息。不同的仪器其检测装置具有不同的类型，但其测量原理是一样的。其光电检测系统主要有以下四个部分组成：[/font][font=&]1.[/font][font=宋体]光电转换装置，[/font][font=&]2.[/font][font=宋体]积分放大电路及其开关逻辑检测，[/font][font=&]3.A/D[/font][font=宋体]转换电路，[/font][font=&]4.[/font][font=宋体]计算机系统。[/font][/font]

实验室在期间核查中，要查块状光谱样品的失效与否，本人认为液体与屑状样品存在蒸发，腐蚀而造成的标样失效的问题，块状样品不存在这样的问题，有一套国标的有效期是15年，那么做期间核查，用光谱仪核查能说明这套标样有问题？是仪器出了错，还是标样出了问题？

最近遇到一个问题，发现折光仪和旋光仪期间核查规程没做，请各位大佬说说怎么做？

光谱块状样品期间核查的方案与答案，就是样本啦，俺想要一份光谱块状期间核查一定是要做的，那就做啦，可是怎样做才能过关啦，请帮助一下[em09512][em09512][em09512]

问:我们正在搞实验室认可谁能告诉我如何做光谱仪期间核查呀?

[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=32867]直读光谱仪的期间核查[/url]

最近公司在进行评审，我负责的直读光谱仪好像没有期间核查过，现在得抓紧时间来做这个期间核查，但是不知道怎么做，求各位前辈能够指点一二，小妹万分感谢!不知道做期间核查要用什么材料来做的，请教中。。。。。。

我们单位最近在做实验室认可，需要对直读光谱仪做期间核查。检定时检定的项目主要是重复性和稳定性，但是期间核查不是这样做的。还有不知道该怎么计算光谱仪的不确定度。我是新人，请多指教，谢谢！

[color=#DC143C][size=3]一段时间没登录仪器网了现在发现很多资料都找不到了，以前找资料很方面的啊，特别是向书一类的资源好像没有了，不知道是为什么回到主题，谁有《有机电致发光材料与器件导论 》电子版比如PDF格式或者超星图书，能共享一下吗，或者好心发到我的邮箱sugar1989220@163.com,非常感谢了[/size][/color]

[b]职位名称：[/b]华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室-有机聚合物太阳电池材料与器件 [b]职位描述/要求：[/b]导师：马於光（ygma@scut.edu.cn）、苏仕建（mssjsu@scut.edu.cn）、陈江山(msjschen@scut.edu.cn) 1） 已取得或将于近期取得博士学位，35周岁以下； 2） 具有新型高效有机发光材料（含钙钛矿）开发、有机电致发光器件设计与制备、有机电致发光材料及器件中的光物理及器件物理机制研究、有机激发态研究（含自旋光电子器件）等研究背景； 3） 热爱科研、勤奋努力，有良好的团队协作精神和沟通协调能力，须全时工作，不得兼职； 4） 良好的英文阅读、写作、及交流能力，在重要学术刊物上发表至少1篇学术论文； 5） 能独立开展相关课题的研究，协助指导研究生，配合完成项目申报。 [b]公司介绍：[/b] 仪器信息网仪器直聘栏目针对高校科研院所的免费职位发布平台，汇集了全国数十所高校科研院所的招聘信息。发布信息请联系010-51654077...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/59920]查看全部[/url]

如果一个有机分子它的荧光发射很弱(PL quench)期望它有比较好的光伏效应可是短期内不可能把它做成光伏器件去测试那么如何预测这个分子会不会有比较好的电荷分离，也即光伏效应阿？谢谢

如果一种有机分子它的荧光发射很弱(PL quench)期望它有比较好的光伏效应可是短期内不可能把它做成光伏器件去测试那么如何预测这个分子会不会有比较好的电荷分离，也即光伏效应阿？谢谢

如果一个有机分子它的荧光发射很弱(PL quench)期望它有比较好的光伏效应可是短期内不可能把它做成光伏器件去测试那么如何预测这个分子会不会有比较好的电荷分离，也即光伏效应阿？谢谢

逆变器又称电源调整器，根据逆变器在光伏发电系统中的用途可分为独立型电源用和并网用二种。根据波形调制方式又可分为方波逆变器、阶梯波逆变器、正弦波逆变器和组合式三相逆变器。对于用于并网系统的逆变器，根据有无变压器又可分为变压器型逆变器和无变压器型逆变器。 西门子是全球电子电气工程领域的领先企业，主要业务集中在工业、能源、医疗、基础设施与城市四大业务领域。工业业务领域能够提供全球独一无二的自动化技术、工业控制和驱动技术以及工业软件，能够满足生产企业的所有需求。同时，还能针对客户特有的市场和需求，提供专门的综合定制服务，以使客户获益最大化。 近日，由西门子研发的全新智能型Sinamics S120产品系列集成首次通过该光伏逆变器测试。目前西门子在中国国内采取与系统集成商合作的方式，由西门子提供光伏逆变器的核心元器件，集成商提供整体逆变器的模式推动中国市场的销售。这种商业模式可以大大降低产品价格，并更好地适应中国市场的需求。 根据国家能源局、国家电网公司对光伏电站并网发电的要求，并网发电的光伏逆变器必须具备低电压穿越功能。而国网电科院国家能源太阳能发电研发（实验）中心是在国内唯一具有低电压穿越技术认证资格的机构。因此，光伏逆变器具备低电压穿越能力成为“金太阳认证”后光伏项目招投标的又一道门槛。 两家系统集成商（北京辰源和北京昆兰）均采用了西门子大型传动部的Sinamics S120光伏逆变单元、控制单元及软件作为核心部件。这些核心部件出色的控制技术不仅可以提高系统效率，而且有效地抑制了网侧谐波，让变频器具备完美的低电压穿越能力，从而能够保障系统高效、可靠地并网运行。

[color=#DC143C]一段时间没登录仪器网了现在发现很多资料都找不到了，以前找资料很方面的啊，特别是向书一类的资源好像没有了，不知道是为什么回到主题，谁有《有机电致发光材料与器件导论 》电子版比如PDF格式或者超星图书，能共享一下吗，或者好心发到我的邮箱sugar1989220@163.com,非常感谢了[/color]

[b]职位名称：[/b]华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室-有机聚合物太阳电池材料与器件[b]职位描述/要求：[/b]一、招聘条件 1.遵纪守法，无违纪违规行为。热爱高等教育事业，身心健康，具有良好的品行和职业道德。 2.获得博士学位不超过3年的博士，或通过博士学位论文答辩的应届博士。年龄在35周岁以下。 二、招聘方向 方向1：有机聚合物太阳电池材料与器件（5-10名）： 导师：曹镛(yongcao@scut.edu.cn）、黄飞（msfhuang@scut.edu.cn）、何志才（zhicaihe@scut.edu.cn）、段春晖(duanchunhui@scut.edu.cn）、彭小彬（chxbpeng@scut.edu.cn）、朱旭辉(xuhuizhu@scut.edu.cn) 1） 已取得或将于近期取得博士学位，35周岁以下。 2） 有机合成、高分子化学与物理、有机/高分子光电材料、光电器件与物理、表界面科学与技术、等研究背景。 3） 热爱科研、勤奋努力，有良好的团队协作精神和沟通协调能力，须全时工作，不得兼职。 4） 良好的英文阅读、写作、及交流能力，在重要学术刊物上发表至少1篇学术论文。 5） 能独立开展相关课题的研究，协助指导研究生，配合完成项目申报。 [b]公司介绍：[/b] 仪器信息网仪器直聘栏目针对高校科研院所的免费职位发布平台，汇集了全国数十所高校科研院所的招聘信息。发布信息请联系010-51654077...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/58795]查看全部[/url]