光电器件

光谱仪内部的电器件如何准备

有机太阳能电池是一种有潜力的绿色光电转换技术，有机太阳能电池的伏安特性曲线是获取器件各个光伏参数的重要手段和方式，因此准确的制备和测量是研究学者和工程师必须面对的问题。本参赛作品以北京理工大学分析测试

整理了电器件中布线的相关要求，不知道还有没有考虑不全的地方，欢迎大家补充~（1）不同性质的电线（信号线，直流电源线，交流电源线）应分开布置，并保持一定的距离。（2）与接线端子相连的电线电缆，剥线长度按规定执行，剥线时线芯不应有损伤，断股现象。（3）电线穿过金属隔板的孔和口时，必须加以防护，如缠绕管等。（4）线束绑扎时应紧固整齐、横平竖直、外观美观。（5）每根线缆两端必须有牢固的线号，线号管或线号标牌子电缆上应不易移动、视看方便，线标按图纸要求执行。（6）扎点整齐，紧固并保持一定间距，使导线固定在紧致的线束内，扎点不能在导线接头处。（7）每根线的放置基本与线束轴线平行，无交叉。（8）电线和各接线端子连接时，要留一定的弧度，以利于解体和重新连接。（9）导线连接原则上应通过端子，视具体情况采用压接、焊接等方式，电线与连接端采用螺纹式接线座链接时，接线柱对电线电缆的最低保持力应符合工艺文件的规定，接线端子压接后，必须进行抗拉强度测试。（10）对外有一定干扰或自身需防止干扰信号，在布线时需采用屏蔽线。（11）多芯电缆应有10%或至少两根备用绝缘线芯。连接器中应留有相应数量的备用接点。

快速温度变化试验箱中的电气部分是整个无锡冠亚快速温度变化试验箱中比较重要的部分，如果电气部分不设置好的话，快速温度变化试验箱整个运行都会受到影响的，那么，快速温度变化试验箱的电源的话改怎么设定比较好呢？　　快速温度变化试验箱的电气如何安装、调试呢？需要参考以下方法来配电，注意电源的容量，不要多台设备仪器用一处电源，以免产生电压不稳，影响快速温度变化试验箱机器的性能，甚至引起快速温度变化试验箱故障停机。　　依照快速温度变化试验箱的进线电源配线，国内电压分为是220V50HZ和380V50HZ。快速温度变化试验箱选用适合的电源线，不能太细，以免引起回路。如无锡冠亚恒温制冷技术有限公司的快速温度变化试验箱电源和电压有所变动，不要超过额定电压的5%，稳定的电压会有利高低温试验箱的使用。　　不能在快速温度变化试验箱机箱上随意开测试孔或者安装电源插座，因为快速温度变化试验箱在出厂前会按照机器的尺寸和要求要设计功率和电压，再加入其它负载可能负荷过重引起跳闸现象。安装快速温度变化试验箱时要注意线路，不能对配线损伤。　　同时，快速温度变化试验箱的元器件是比较重要的，建议品牌的选择上尽量选择有保障的快速温度变化试验箱元器件为好。

电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。

今天和大家分享一个电子行业标准系列,全部和电气、电子元器件有关的，放在资料中心，点击本人图形右边的 [查看该用户在资料中心上传的资料] 就可找到.SJ-T 207.4-1999设计文件管理制度 第四部分 设计文件的编号.pdfSJ-T 207.6-2001设计文件管理制度 第 6 部分 项目代号.pdfSJ-T 207.7-2001设计文件管理制度 第 7 部分 电气简图的编制.pdfSJ-T 207.8-2001设计文件管理制度 第 8 部分：图样编制.pdfSJ-T 10149-1991电子元器件图形库 半导体分立器件图形.pdfSJ-T 10150-1991电子元器件图形库 电阻器、电容器、电感器图形.pdfSJ-T 10151-1991电子产品设计文件的标准化检查.pdfSJ-T 10224-1991电子元器件图形库 标准结构件图形.pdfSJ-T 10225-1991电子元器件图形库 机电元件图形.pdfSJ-T 10629.4-1995计算机辅助设计设计文件管理制度 设计文件的签署.pdfSJ-T 10629.5-1995计算机辅助设计设计文件管理制度 设计文件的管理.pdf

光电转换器件是光电光谱仪接收系统的核心部分，主要是利用光电效应将不同波长的辐射能转化成光电流的信号。光电转换器件主要有两大类：一类是光电发射器件，例如光电管与光电倍增管，当辐射作用于器件中的光敏材料上，使发射的电子进入真空或气体中，并产生电流，这种效应称光电效应；另一类是半导体光电器件，包括固体成像器件，当辐射能作用于器件中光敏材料时，所产生的电子通常不脱离光敏材料，而是依靠吸收光子后所产生的电子—空穴对在半导体材料中自由运动的光电导（即吸收光子后半导体的电阻减小，而电导增加）产生电流的，这种效应称内光电效应。光电转换元件种类很多，但在光电光谱仪中的光电转换元件要求在紫外至可见光谱区域（160-800nm）很宽的波长范围内有很高的灵敏度和信噪比，很宽的线性响应范围，以及快的响应时间。目前可应用于光电光谱仪的光电转换元件有以下两类：即光电倍增管及固体成像器件。[b]光电倍增管[/b] 外光电效应所释放的电子打在物体上能释放出更多的电子的现象称为二次电子倍增。光电倍增管就是根据二次电子倍增现象制造的。它由一个光阴极、多个打拿极和一个阳极所组成(见下图)，每一个电极保持比前一个电极高得多的电压（如100V）。当入射光照射到光阴极而释放出电子时，电子在高真空中被电场加速，打到第一打拿极上。一个入射电子的能量给予打拿极中的多个电子，从而每一个入射电子平均使打拿极表面发射几个电子。二次发射的电子又被加速打到第二打拿极上，电子数目再度被二次发射过程倍增，如此逐级进一步倍增，直到电子聚集到管子阳极为止。通常光电倍增管约有十二个打拿极，电子放大系数（或称增益）可达10[sup]8[/sup]，特别适合于对微弱光强的测量，普遍为光电直读光谱仪所采用。光电倍增管的窗口可分为侧窗式和端窗式两种[b]1.光电倍增管的基本特性[/b]1.1 灵敏度和工作光谱区 光电倍增管的灵敏度和工作光谱区主要取决于光电倍增管阴极和打拿极的光电发射材料。当入射到阴极表面的光子能量足以使电子脱离该表面时才发生电子的光电发射，即1/2mv[sup]2[/sup]=hn-ф,( hn为光子能量，ф为电子的表面功函数，1/2mv[sup]2[/sup]为电子动能)。当hnф时，不会有表面光电发射，而当hn=ф时，才有可能发生光电发射，这时所对应的光的波长λ=C/n称为这种材料表面的阈波长。随着入射光子波长的减小，产生光电子发射的效率将增大，但光电倍增管窗材料对光的吸收也随之增大。显然，光电倍增管的短波响应的极限主要取决于窗材料，而长波响应的极限主要取决于阴极和打拿极材料的性能。一般用于可见-红外光谱区的光电倍增管用玻璃窗，而用于紫外光谱区的用石英窗。光阴极一般选用表面功函数低的碱金属材料，如红外谱区选用银-氧-铯阴极，可见光谱区用锑-铯阴极或铋-银-氧-铯阴极，而紫外谱区则采用多碱光电阴极或锑-碲阴极。光电倍增管的灵敏度S是指在1lm的光通量照射下所输出的光电流强度，即S=i/F，单位为µ A/lm。显然，灵敏度随入射光的波长而变化，这种灵敏度称为光谱灵敏度，而描述光谱灵敏度随波长而变化的曲线称为光谱响应曲线(见右图)，由此可确定光电倍增管的工作光谱区和最灵敏波长。例如我们常用的R427光电倍增管，其曲线偏码为250S，光谱响应范围为160-320nm，峰值波长200nm，光阴极材料Cs-Te，窗口材料为熔炼石英，典型电流放大率3.3×10[sup]6[/sup]。1.2 暗电流与线性响应范围光电倍增管在全暗条件下工作时，阳极所收集到的电流称为暗电流。对某种波长的入射光，光电倍增管输出的光电流为： i= KI[sub]i[/sub]+i[sub]0 [/sub]，式中，I[sub]i[/sub]对应于产生光电流i的入射光强度，k为比例系数，i[sub]0[/sub]为暗电流。由此可见，在一定的范围内，光电流与入射光强度呈线性关系，即为光电倍增管的线性响应范围。当入射光强度过大时，输出的光电流随光强的增大而趋向于饱和（见上图）。线性响应范围的大小与光阴极的材料有关。暗电流的来源主要是由于极间的欧姆漏阻、阴极或其他部件的热电子发射以及残余气体的离子发射、场致发射和玻璃闪烁等引起。当光电倍增管在很低电压下工作时，玻璃芯柱和管座绝缘不良引起的欧姆漏阻是暗电流的主要成分，暗电流随工作电压的升高成正比增加；当工作电压较高时，暗电流主要来源于热电子发射，由于光电阴极和倍增极材料的电子溢出功很低，甚至在室温也可能有热电子发射，这种热电子发射随电压升高暗电流成指数倍增；当工作电压较高时，光电倍增管内的残余气体可被光电离，产生带正电荷的分子离子，当与阴极或打拿极碰撞时可产生二次电子，引起很大的输出噪声脉冲，另外高压时在强电场作用下也可产生场致发射电子引起噪声，另外当电子偏离正常轨迹打到玻壳上会出现闪烁现象引起暗电流脉冲，这一些暗电流均随工作电压升高而急剧增加，使光电倍增管工作不稳定，因此为了减少暗电流，对光电倍增管的最高工作电压均加以限制。

[b]职位名称：[/b]华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室-发光材料设计[b]职位描述/要求：[/b]合作导师：唐本忠（tangbenz@ust.hk）、吴水珠（shzhwu@scut.edu.cn） 、赵祖金（mszjzhao@scut.edu.cn）、秦安军（msqinaj@scut.edu.cn）、胡蓉蓉（msrrhu@scut.edu.cn）、王志明（wangzhiming@scut.edu.cn） 要求： 1) 熟悉有机光电功能材料、聚集诱导发光或光电器件等领域相关基础理论知识和实验技能；有较强有机合成功底或OLED器件制备研究背景者优先 2) 或者具有生物、医学、物理等领域的相关基础知识和实验技能，有较强的化学生物学背景者优先； 3) 具有光学（荧光、光声）性质的分子或纳米材料的设计与制备及其在生物检测、生物成像、疾病诊断与治疗等方面的应用； 4) 中英文写作能力较好，发表SCI论文2篇以上； 5) 遵守科研学术道德，身心健康，有团队精神和责任心，执行力强。[b]公司介绍：[/b] 仪器信息网仪器直聘栏目针对高校科研院所的免费职位发布平台，汇集了全国数十所高校科研院所的招聘信息。发布信息请联系010-51654077...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/59923]查看全部[/url]

在新型抵押控制电器中，接近开关、温度继电器、固态继电器和光继电器都是常用新型电子式无触点低压电器。其中，固态继电器是近年来最受欢迎的一种新型电子继电器，因为SSR具有开关速度快、工作频率高、质量轻、使用寿命长、噪声低、工作频率高、动作可靠的优势，所以受到了制造业的好评。在固态继电器中的电子元件当中，光耦合器、光敏晶体管、晶体管、晶闸管、双向晶闸管都起到了至关重要的作用。经过多年的科研耕耘和研究，库顿电子发行新型电子式无触点低压电器产品有电子式稳压器和DETSC低压动态无功补偿装置。库顿固态继电器可以解决新型抵押控制电器存在的低压断路器进线方向和断流容量的问题，也可以解决新型电力稳压器的触发驱动问题和晶闸管阻挡问题。触电低压电器的生产制造商一直面临着这样一个问题：因为在制造过程中机械磨损、触点的电损耗、触电分合时的颤动产生电弧等原因，触电低压电器非常容易损坏，从而导致开关动作松动不可靠。业界高新技术企业对微电子技术和电力电子技术进行了不断革新和研发，生产商越来越多地选用电子元器件来组成各种新型低压控制电器。固态继电器对无触点电器的作用是，无触点电器也具有接触器、启动器、开关、控制台（其中大部分是控制台）。固态继电器能够显著提高低压电器的使用寿命，大大降低了电器的维护成本，减少了维修的工作量，为生产制造提供了便利。KYR是单相调压模块，采用移相控制输出，由于其具备多种应用的性能，是最广泛使用的工业调压模块。直流控制信号0-5VDC、 0-10VDC或4-20mA，4-20mA输入时可不接外接电源，输出电流为25A、40A、60A、80A@175-530VAC。● 单相调压模块● 负载电流: 25A, 40A, 60A，80A@175-530VAC● SCR输出用于恶劣的工业环境● 直流控制: 0-5VDC/4-20mA, 0-10VDC/4-20mA● 电压/功率输出范围0-100%● LED指示适用于：高低温箱，塑料机械，孵化机，注油机，空调，照明，喷泉控制器。

[b]职位名称：[/b]华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室-有机聚合物太阳电池材料与器件[b]职位描述/要求：[/b]一、招聘条件 1.遵纪守法，无违纪违规行为。热爱高等教育事业，身心健康，具有良好的品行和职业道德。 2.获得博士学位不超过3年的博士，或通过博士学位论文答辩的应届博士。年龄在35周岁以下。 二、招聘方向 方向1：有机聚合物太阳电池材料与器件（5-10名）： 导师：曹镛(yongcao@scut.edu.cn）、黄飞（msfhuang@scut.edu.cn）、何志才（zhicaihe@scut.edu.cn）、段春晖(duanchunhui@scut.edu.cn）、彭小彬（chxbpeng@scut.edu.cn）、朱旭辉(xuhuizhu@scut.edu.cn) 1） 已取得或将于近期取得博士学位，35周岁以下。 2） 有机合成、高分子化学与物理、有机/高分子光电材料、光电器件与物理、表界面科学与技术、等研究背景。 3） 热爱科研、勤奋努力，有良好的团队协作精神和沟通协调能力，须全时工作，不得兼职。 4） 良好的英文阅读、写作、及交流能力，在重要学术刊物上发表至少1篇学术论文。 5） 能独立开展相关课题的研究，协助指导研究生，配合完成项目申报。 [b]公司介绍：[/b] 仪器信息网仪器直聘栏目针对高校科研院所的免费职位发布平台，汇集了全国数十所高校科研院所的招聘信息。发布信息请联系010-51654077...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/58795]查看全部[/url]

[b]职位名称：[/b]华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室博士后-有机聚合物太阳电池材料与器件[b]职位描述/要求：[/b]导师：曹镛(yongcao@scut.edu.cn）、黄飞（msfhuang@scut.edu.cn）、何志才（zhicaihe@scut.edu.cn）、段春晖(duanchunhui@scut.edu.cn）、彭小彬（chxbpeng@scut.edu.cn）、朱旭辉(xuhuizhu@scut.edu.cn) 1） 已取得或将于近期取得博士学位，35周岁以下。 2） 有机合成、高分子化学与物理、有机/高分子光电材料、光电器件与物理、表界面科学与技术、等研究背景。 3） 热爱科研、勤奋努力，有良好的团队协作精神和沟通协调能力，须全时工作，不得兼职。 4） 良好的英文阅读、写作、及交流能力，在重要学术刊物上发表至少1篇学术论文。 5） 能独立开展相关课题的研究，协助指导研究生，配合完成项目申报。[b]公司介绍：[/b] 仪器信息网仪器直聘栏目针对高校科研院所的免费职位发布平台，汇集了全国数十所高校科研院所的招聘信息。发布信息请联系010-51654077...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/59919]查看全部[/url]

PSD和四象限光电接收器件在光位置检测上有何区别？

各位大侠，有谁对光学器件及光路设计有了解，想请教个问题：离轴抛物镜以及角立方反射镜的原理及光路调节！

早期在交流电路中常采用空气阻尼型时间继电器 ,它是利用空气通过小孔节流的原理来获得延时动作的。它由电磁系统、延时机构和触点三部分组成。凡是继电器感测元件得到动作信号后，其执行元件（触头）要延迟一 定时间才动作的继电器称为时间继电器 　　目前最常用的为大规模集成电路型成的时间继电器，它是利用阻容原理来实现延时动作。在交流电路中往往采用变压器来降压，集成电路做为核心器件，其输出采用小型电磁继电器，使得产品的性能及可靠性比早期的空气阻尼型时间继电器要好的多，产品的定时精度及可控性也提高很多。 　　随着单片机的普及，目前各厂家相继采用单片机为时间继电器的核心器件，而且产品的可控性及定时精度完全可以由软件来调整，所以未来的时间继电器将会完全由单片机来取代。

[url=http://www.huaketiancheng.com/][b][font=宋体]ICP光谱仪[/font][/b][/url][font=宋体]的光电转换器件是光电光谱仪接收系统的核心部分，也是[b]光谱仪检测分析[/b]的准要部件。主要是利用光电效应将不同波长的辐射能转化成光电流的信号。光电转换器件主要有两大类：一类是光电发射器件，例如光电管与光电倍增管，当辐射作用于器件中的光敏材料上，使发射的电子进入真空或气体中，并产生电流，这种效应称光电效应；另一类是半导体光电器件，包括固体成像器件，当辐射能作用于器件中光敏材料时，所产生的电子通常不脱离光敏材料，而是依靠吸收光子后所产生的电子[/font][font=&]-[/font][font=宋体]空穴对在半导体材料中自由运动的光电导（即吸收光子后半导体的电阻减小，而电导增加）产生电流的，这种效应称内光电效应。[/font][font=宋体]光电转换元件种类很多，但在光电光谱仪中的光电转换元件要求在紫外至可见光谱区域（[/font][font=&]160-800nm[/font][font=宋体]）很宽的波长范围内有很高的灵敏度和信噪比，很宽的线性响应范围，以及快的响应时间。[/font][font=宋体]目前可应用于光电光谱仪的光电转换元件有以下两类：即光电倍增管及固体成像器件。[b][font=宋体] 光电倍增管[/font][/b][font=&] [/font][font=宋体]外光电效应所释放的电子打在物体上能释放出更多的电子的现象称为二次电子倍增。光电倍增管就是根据二次电子倍增现象制造的。它由一个光阴极、多个打拿极和一个阳极所组成，见图，每一个电极保持比前一个电极高得多的电压（如[/font][font=&]100V[/font][font=宋体]）。当入射光照射到光阴极而释放出电子时，电子在高真空中被电场加速，打到第一打拿极上。一个入射电子的能量给予打拿极中的多个电子，从而每一个入射电子平均使打拿极表面发射几个电子。二次发射的电子又被加速打到第二打拿极上，电子数目再度被二次发射过程倍增，如此逐级进一步倍增，直到电子聚集到管子阳极为止。通常光电倍增管约有十二个打拿极，电子放大系数（或称增益）可达[/font][font=&]10[sup]8[/sup][/font][font=宋体]，特别适合于对微弱光强的测量，普遍为光电直读光谱仪所采用。[/font][font=&][size=14px] [/size][/font][font=宋体][size=14px]光电倍增管的窗口可分为侧窗式和端窗式两种[/size][/font][b][font=宋体] [/font][/b][font=宋体] 光电倍增管的基本特性[/font][font=&]1)[size=9px] [/size][/font][font=宋体]灵敏度和工作光谱区[/font][font=&] [/font][font=宋体]光电倍增管的灵敏度和工作光谱区主要取决于光电倍增管阴极和打拿极的光电发射材料。当入射到阴极表面的光子能量足以使电子脱离该表面时才发生电子的光电发射，即[/font][font=&]1/2mv[sup]2[/sup]=h[/font][font=Symbol]n[/font][font=&]-[/font][font=宋体]ф,([/font][font=&] h[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体]为光子能量，ф为电子的表面功函数，[/font][font=&]1/2mv[sup]2[/sup][/font][font=宋体]为电子动能[/font][font=&])[/font][font=宋体]。当[/font][font=&]h[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体][/font][font=宋体]ф时，不会有[/font][font=宋体]表面光电发射，而当[/font][font=&]h[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体]=[/font][font=宋体]ф时，才有可能发生光电发射，这时所对应的光的波长λ=C/[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体]称为这种材料表面的阈波长。随着入射光子波长的减小，产生光电子发射的效率将增大，但光电倍增管窗材料对光的吸收也随之增大。显然，光电倍增管的短波响应的极限主要取决于窗材料，而长波响应的极限主要取决于阴极和打拿极材料的性能。一般用于可见-红外光谱区的光电倍增管用玻璃窗，而用于紫外光谱区的用石英窗。光阴极一般选用表面功函数低的碱金属材料，如红外谱区选用银-氧-铯阴极，可见光谱区用锑-铯阴极或铋-银-氧-铯阴极，而紫外谱区则采用多碱光电阴极或梯-碲阴极。[/font][font=宋体]光电倍增管的灵敏度S是指在1lm的光通量照射下所输出的光电流强度，即S=i/F，单位为[/font][font=宋体]μ[/font][font=宋体]A/lm[/font][font=宋体]。显然，灵敏度随入射光的波长而变化，这种灵敏度称为光谱灵敏度，而描述光谱灵敏度随波长而变化的曲线称为光谱响应曲线(见[/font][font=宋体]右[/font][font=宋体]图)，由此可确定光电倍增管的工作光谱区和最灵敏波长。例如我们常用的R427光电倍增管，其曲线偏码为250S，光谱响应范围为160-320nm，峰值波长200nm，光阴极材料Cs-Te，窗口材料为熔炼石英，典型电流放大率3.3×10[sup]6[/sup]。[/font][font=宋体]2)[font=&] [/font][/font][font=宋体]暗电流与线性响应范围[/font][size=14px][font=宋体]光电倍增管在全暗条件下工作时，阳极所收集到的电流称为暗电流。对某种波长的入射光，光电倍增管输出的光电流为： i= KI[sub]i[/sub]+i[sub]0 [/sub]，式中，I[sub]i[/sub]对应于产生光电流i的入射光强度，k为比例系数，i[sub]0[/sub]为暗电流。由此可见，在一定的范围内，光电流与入射光强度呈线性关系，即为光电倍增管的线性响应范围。当入射光强度过大时，输出的光电流随光强的增大而趋向于饱和（见右图）。线性响应范围的大小与光阴极的材料有关。[/font][/size][font=宋体]暗电流的来源主要是由于极间的欧姆漏阻、阴极或其他部件的热电子发射以及残余气体的离子发射、场致发射和玻璃闪烁等引起。[/font][font=宋体]当光电倍增管在很低电压下工作时，玻璃芯柱和管座绝缘不良引起的欧姆漏阻是暗电流的主要成分，暗电流随工作电压的升高成正比增加；当工作电压较高时，暗电流主要来源于热电子发射，由于光电阴极和倍增极材料的电子溢出功很低，甚至在室温也可能有热电子发射，这种热电子发射随电压升高暗电流成指数倍增；当工作电压较高时，光电倍增管内的残余气体可被光电离，产生带正电荷的分子离子，当与阴极或[/font][font=宋体]打拿极碰撞时可产生二次电子，引起很大的输出噪声脉冲，[/font][font=宋体]另外高压时在强电场作用下也可产生场致发射电子引起[/font][font=宋体]噪声，[/font][font=宋体]另外当电子偏离正常轨迹打到玻壳上会出现闪烁现象引起暗电流脉冲，这一些暗电流均随工作电压升高而急剧增加，使光电倍增管工作不稳定，因此为了减少暗电流，对光电倍增管的最高工作电压均加以限制。[/font][font=宋体]3)[font=&] [/font][/font][font=宋体]噪声和信噪比[/font][size=14px][font=宋体]在入射光强度不变的情况下，暗电流和信号电流两者的统计起伏叫做噪声。这是由光子和电子的量子性质而带来的统计起伏以及负载电阻在光电流经过时其电子的热骚动引起的。输出光电流强度与噪声电流强度之比值，称为信噪比。显然，降低噪声，提高信噪比，将能检测到更微弱的入射光强度，从而大大有利于降低相应元素的检出限。[/font][/size][font=宋体]4)[font=&] [/font][/font][font=宋体]工作电压和工作温度[/font][font=宋体]光电倍增管的工作电压对光电流的强度有很大的影响，尤其是光阴极与第一打拿极间的电压差对增益（放大倍数）、噪声的影响更大。因此，要求电压的波动不得超过0.05%，应采用高性能的稳压电源供电，但工作电压不许超过最大值（一般为-900v-1000v），否则会引起自发放电而损坏管子，工作环境要求恒温和低温，以减小噪声。[/font][font=宋体]5)[font=&] [/font][/font][font=宋体]疲劳和老化[/font][font=宋体]在入射光强度过大或照射时间过长时，光电倍增管会出现光电流衰减、灵敏度骤降的疲劳现象，这是由于过大的光电流使电极升温而使光电发射材料蒸发过多所引起。在停歇一段时间后还可全部或部分得到恢复。光电倍增管由于疲劳效应而灵敏度逐步下降，称为老化，最后不能工作而损坏。过强的入射光会加速光电倍增管的老化损坏，因此，不能在工作状态下（光电倍增管加上高压时）打开光电直读光谱仪的外罩，在日光照射下，光电倍增管很快便损坏。[/font][font=宋体] 光电测量原理[/font][font=宋体]光电检测的原理一般是通过光电接受元件将待测谱线的光强转换为光电流，而光电流由积分电容累积，其电压与入射光的光强成正比，测量积分电容器上的电压，便获得相应的谱线强度的信息。不同的仪器其检测装置具有不同的类型，但其测量原理是一样的。其光电检测系统主要有以下四个部分组成：[/font][font=&]1.[/font][font=宋体]光电转换装置，[/font][font=&]2.[/font][font=宋体]积分放大电路及其开关逻辑检测，[/font][font=&]3.A/D[/font][font=宋体]转换电路，[/font][font=&]4.[/font][font=宋体]计算机系统。[/font][/font]

各位大神：小女子是质量负责人，化学类专业出生，但是直读光谱没有做过，之前CNAS评审，因为没有进行光谱标准物质的期间核查就开了不符合项，然后就要求整改。我们的检测人员就不知道怎么进行光谱标准物质期间核查，请指教！小女子就只知道进行实验室简比对或者能力验证可以代替期间核查，有没有具体的作业指导书可以教教我！另外我们的标块有很多，是不是每一块都需要进行期间核查？因为上过好几次内审员课，老师都说有证标准物质可以不用期间核查，有新的标准物质进行期间核查的话就用新的了，不要用老的！

引言　　时间继电器是一种延时功能由电子线路来实现的控制器。根据控制场合可选择使用如：通电延时型A;断电延时型F;星三角延时型Y;带瞬动输出的通电延时型C;间隔延时型G;往复延时型R;断开延时信号型K等规格以满足所需控制场合。在上述延时类型应用中，在许多场合都需要用断电延时型继电器进行控制。例如需要控制一台电机，要求在按下停止按钮需要延时一段时间后，电机再重新启动工作，则就需用到断电延时继电器来实现以上功能。所谓断电延时继电器，是当时间继电器线圈通电时，各延时触头瞬时动作，而线圈断电以后触头呈延时置位工作状态，当所设延时到达后，延时触头又恢复为初始状态。断电延时型因其工作状态(在延时过程中不需外接工作电源)以及控制触点在断电延时过程中吸合触点(常开触点变为接通状态应保持接通状态;常闭触点变为断开状态，应呈保持断开状态)转换特殊性(与常规通电延时型时间继电器触点工作状态正好相反)来满足其控制要求。断电延时型时间继电器由最早分离器件构成(延时精度低、延时时间短);现用相应可编程定时集成电路或CMOS计数分频集成来完成延时，与之相比，具有延时精度高，延时时间长的特点。以此满足断电长延时的控制场合。　　典型电路　　断电延时继电器整体构成包括断电延时继电器电源部分(经降压、整流、滤波)以提供断电延时继电器内置瞬动电磁继电器和2绕组闭锁型R复位线圈工作);二次电源部分(供断电后延时部分与2绕组闭锁型S置位线圈工作);延时工作部分(可编程定时集成或CMOS计数分频集成);驱动部分;执行继电器部分组成(图1)。http://www.cnelc.com/tech/UploadFiles/200903/200903030827599948.jpg图1 控制框图http://www.cnelc.com/tech/UploadFiles/200903/200903030828123670.jpg图2 分立器件原理图　　由V2 P沟道场效应管、V3、V4三极管以及继电器为主要器件构成的断电延时型继电器示于图2。如下：端加入工作电源后，C1~C5都按其回路完成充电过程(充电时间应参照产品规定的时间)。同时内部2绕组闭锁继电器R复位线圈得电工作(虚框内转换触点4与6由电源接通转为断开状态，4与8接通)，相应外部触点进行转换端接通，呈延时工作状态)。　　端工作电源呈断电时，则相应继电器进入延时工作状态。对V2 P沟道场效应管而言，随着C4经R6、RP2的放电，致使其源极S电压不断降低(在通电状态时，因UGS较小，ID为零，V2为截止工作状态)，根据场效应管相应转移特性(漏极电流ID与栅源电压VGS间的关系曲线)当VGS电压达到VGS(Th)(开启电压)时，V2导通。随着V2导通，则漏电流ID经R4产生相应电压降，使V3三极管导通工作，最终致使V4也导通。当V4导通后，C5电容器上的储能将使2绕组闭锁继电器置位线圈通电工作，使延时触点又恢复原始状态，从而完成了断电延时工作。　　该电路的缺点是延时参数不易于设定，通常要对RP2调整(控制C4放电回路)、RP1调整(确定V2栅极电压)，并对C4、C3电容容量参数进行计算，再加上器件的离散性使延时误差较大，调整也不方便，现在基本上很少使用。　　集成CD4060构成的延时电路示于图3。该电路核心延时由CD4060构成，延时设定由RP1与配置的C3来设定。内部2绕组闭锁继电器采用DC24V(采用较高工作电压的继电器，可降低其驱动电流，使驱动部分较为简单)。端加入工作电源，V1三极管工作，使其R复位线圈吸合工作，内部触点回至原始状态。C2、C4完成充电工作。http://www.cnelc.com/tech/UploadFiles/200903/200903030828379006.jpg图3 CD4060集成原理图　　端工作电源断电时，则进入相应的断电延时工作状态。IC○12引脚因C1放电在R3产生一个电平经R4加至○12引脚清零引脚清零，使其延时开始，延时时间经Q4~Q14(根据需求延时时间)来驱动V2工作，待延时到达后经VD7使其振荡停止。根据延时情况，对C2电容可进行相应的增大或减小(通过并联来完成C2的容量的增大或减小)C4电容来完成S置位线圈的工作。　　该线路特点是延时设定方便，延时精度高，产品调整简便，目前使用较为广泛。　　集成IC4541构成的延时电路示于图4。http://www.cnelc.com/tech/UploadFiles/200903/200903030828589551.jpg图4 IC4541集成原理图　　该电路核心部分由IC4541构成，延时设定由RP2、C*设定，A-B端根据需求接相应高、低电平(设定端)内部2绕组闭锁继电器采用DC12V(因继电器工作电压与IC4060组成延时电器要低，则为保证其驱动则分别由V6、V7、V1、V3构成)。其中C2为二次储能器件，可根据延时的长短予以调整，C4为完成S置位线圈工作。　　总之采用由相应集成电路来完成延时的断电延时继电器，通常在选择集成上应考虑功耗低，闭锁继电器选择工作电压较高的继电器，从而使继电器在断电延时过程中的电能耗最小，以保证延时精确并可靠的工作。　　工作时序图(图5)中延时t为在工作电源断开后，延时分断触点延时时间;如在延时过程中加入复位信号，则延时结束。　　使用器件　　因断电延时继电器控制触电触点转换要求，通常采用双稳态极化电磁继电器(又称为2绕组闭锁型继电器)来完成和满足其触点转换要求。其内部线圈以及触点见图 所示。该继电器内部拥有置位线圈S和复位线圈R，是一种可以保持置位状态或复位状态的闭锁结构继电器。当置位线圈S中有电流流过时，由内部铁芯、磁体、衔铁组成线圈和工作气隙组成磁路内产生磁通，并在工作气隙内建立起磁场，产生电磁吸力，吸引衔铁。在线圈中的电流达到一定值(即动作值)时，产生的电磁吸力足以克服磁体吸力和接触簧片产生的阻力时，驱动衔铁组动作，衔铁组两端推动卡推动接触簧片，使动合触点组闭合和动断触点组断开，从而完成触点转换，并保持置位状态。当断电延时结束后，此时复位线圈R有电流流过(置位线圈已无电流)，工作状态于置位线圈工作相同，在最终使闭合的动合触点断开、断开的动断触点又重新闭合。在此使用时应注意置位线圈S与复位线圈R的极性。　　鉴于断电延时继电器的应用场合，通常在选用内部闭锁型继电器时，应参考下列条件为选择标准：功耗低、灵敏度高、大负载、高绝缘耐压、耐振动与冲击;只有如此才能保证断电延时工作可靠。尤其在耐震动和抗冲击方面，因其自身内部结构特殊性，所以与之相配套的断电延时型继电器在安装使用时，应注意其方面，以避免闭锁型继电器触点因振动或冲击造成触点误转换。　　在继电器工作电压选择上，如同功耗的继电器，原则上选择线圈的工作电压较高的电磁继电器，这样可以减小加至置位线圈S和复位线圈R电流动作值，从而保证了电磁继电器在延时后加至复位线圈的动作电流满足其额定所需动作值，也充分保证了触点工作的可靠转换。　　在有些断电延时时间继电器中，内部执行继电器也有采用1绕组闭锁型继电器，该继电器拥有一个线圈(S、R)并用)，是一种可根据外加电压极性切换并保持置位或复位状态的闭锁继电器。但因自身工作线圈外加电压极性必须切换，则使控制线路较为复杂，目前基本上很少使用。通常采用2绕组闭锁型继电器，使内部控制线路简单，且工作可靠。　　控制线路分析　　用于电机制动电路示于图7。http://www.cnelc.com/tech/UploadFi

检测器——光电转换器件光电转换器件是光电光谱仪接收系统的核心部 分，主要是利用光电效应将不同波长的辐射能转化成光电流的信号。光电转换器件主要有两大类：一类是光电发射器件，例如光电管与光电倍 增管，当辐射作用于器件中的光敏材料上，使发射的电子进入真空或气体中，并产生电流，这种效应称光电效应；另一类是半导体光电器件， 包括固体成像器件，当辐射能作用于器件中光敏材料时，所产生的电子通常不脱离光敏材料，而是依靠吸收光子后所产生的电子—空穴对在半 导体材料中自由运动的光电导（即吸收光子后半导体的电阻减小，而电导增加）产生电流的，这种效应称内光电效应。光电转换元件种类很多，但在光电光谱仪中的 光电转换元件要求在紫外至可见光谱区域（160-800nm）很宽的波长范围内有很高的灵敏度和信噪比，很宽的线性响应范围，以及快的响应时间。目前可应用于光电光谱仪的光电转换元件有以 下两类：即光电倍增管及固体成像器件。

固体光图像传感器的器件技术的开展现状与趋向　　1、固体光摄像器件—理想的星载光图像传感器　　固体光电子图像传感器技术包括可见光硅图像传感器和短波、中波和长波红外焦平面阵列技术。由于图像传感器器件的不时开展，目前的固体图像传感器从可见光和近红外波段的CCD器件开展到了短波、中波和长波红外焦平面阵列。与星载反束光导摄像管相比起来，由于固体图像传感用具有一系列优点，十分适用于用作空间星载图像传感器，如：　　(1)体积小，重量轻;　　(2)无图像扭曲;　　(3)光响应工作波段宽，可见光硅CCD和CMOS图像传感器的光谱响应可从紫外区延伸到红外区，而红外焦平面的光谱响应波段掩盖了从1mm～14mm和远红外更宽的电磁波谱区;　　(4)高分辨率，可在焦平面上集成数十万、百万乃至千万像元的大格式阵列、完成大视场空间传感器;　　(5)同焦平面信号处置，像CCD、CMOS和各种红外焦平面阵列器件，由于微型加工技术的开展，可采用混合式或单片集成方式把焦平面上光电转换的焦平面探测器阵列与信号处置电路集成微小的集成电路块，完成同焦平面信号处置;　　(6)采用电子自扫描或注视工作形式工作，简化和完整取消机械扫描，完成系统小型化和微型化;　　(7)低功耗工作，数伏电压下即可工作;　　(8)低本钱;　　(9)牢靠性高。　　总之，小型化的小体积、轻重量、低功耗、低价钱和高性能、高牢靠性的固体空间光图像传感器为空间系统的设计和应用提供了极大的灵敏性。　　2、可见光固体图像传感器　　可见光固体图像传感器已使成像技术完成了小型、低功耗、低本钱和便携式应用、使成像系统技术了发作了反动性的变化。虽然迄今为止已开展了多种固体摄像器件，但是CCD器件和已在快速开展的CMOS图像传感器却占领了整个该范畴的95%的份额，CMOS是继CCD之后的后起之秀。　　(1)图像传感器件　　CCD图像传感器件技术已开展了三十多年，早已是成熟和提高应用到各种军用和民用系统的器件，在红外焦平典型面阵列技术适用化之前很长一段时间极受军用注重，目前仍在可见光波段普遍采用。　　①像元集成度：摄像阵列像元的几是摄像系统分辨率性能的关键性要素，目前的CCD器件已可依据系统应用目的请求同芯片集成或多芯片拼接，或多器件组合成恣意像素数的器件。　　· 线阵：常用单芯片像元集成度为512、1024、2048、4096、5000、7450和8000等;多芯片像元集成是用二个或多个单线阵芯片组合起来构成数万像元的专长线阵列，常用作星载或机载多光谱传感器;　　· 时间延迟与积分(TDI)阵列：常用的单芯片是2048×96、2048×144和4096×96的阵列;多芯片是用多个单芯片拼合起来，常用作星载或机载推帚式扫描传感器，加拿大的DLSA公司制造的这种传感器在全球很有名;　　· 面阵列：大格式阵列像元集成度为1024×1024、2048×2048、4096×4096 少数如科学研讨和天文应用方面阵列达7000×9000、8192×8192和9126×9126元，最大的9126×9126元阵列是美国Farchild Imaging公司研制的;　　②像元尺寸：CCD的像元尺寸不能太小，过小将影响曝光性能，目前的大格式阵列像元尺寸已小达7.0mm×7.0µm;　　③灵活度，通常为几个Lux~Lux-1，加上加强器处于微光工作形式时为Lux-3;采取冷却时为Lux-5~Lux-7;　　④分辨率：大型阵列通常的电视分辨线为1000×1000TV线，依据系统请求可更高，光学尺寸通常为2/3、1/2、1/3、1/4in.，目前最小已做到1/7in.。　　(2)CMOS图像传感器件　　由于CMOS图像传感器件与CCD相比功耗更低，可完成极高帧速工作和低本钱化，.本钱仅为CCD的1/4，因此开展极快，可能最终在某些范畴取代CCD。　　① 像元集成度：由于器件技术的停顿，目前的像元集成度常用的为几十万到100万像素，如512×480和1280×1000，已能制出4096×4096和6144×6144元的阵列;　　② 像元尺寸：由于制造技术的不时改良，像元尺寸已可小达3.3mm×3.3mm;　　③ 高灵活度：在近红外光谱区(900nm)光电转换效率高达50%;　　④ 宽动态范围：CMOS的动态范围通常为60dB以上，已到达170dB;DALSA CMOS-1M28/1M751024×1024元摄像机的动态范围也高达1,000,000:1。　　⑤ 高帧速和超高帧速：随着CMOS图像传感器技术的开展，2003年中不时报道了高帧速和超高帧速CMOS图像传感器，美、日公司在高帧速工作方面获得了显著的停顿.。DALSA和红湖公司的CMOS图像传感器帧速居然高达100000frame/s。　　⑥ 功耗：CMOS最明显的特性是低功耗，目前高帧速工作时仅为50mW。　　(3)趋向　　CMOS图像传感器是目前和将来该范畴正在开展中的主流技术。CCD主要是在应用上想方法，依据不同的应用目的和系统设计计划组合应用。由于CCD图像传感器技术极为成熟， 预期最终CMOS图像传感器难以取代CCD图像传感器，将是二者长期共存的场面。但是， CMOS图像传感用具有本钱低、集成度高、低功耗的突出优点，假如再处理了影响性能和图像质量的噪声问题，CMOS就将成为极佳选择。　　3、红外焦平面阵列　　红外焦平面阵列技术的开展已惹起了商界和军界军火商的极大关注。红外焦平面阵列技术对军事配备更新换代的深远影响正在改动现代战场作战的特性和概念。　　刚完毕的伊拉克倒“萨”战争再次显现了在现代战争

【题名】：新型pH敏感器件——pH光极【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-FXSY198606021.htm

各位大侠，我们是电气行业的检测实验室，马上就要现场评审了，很多资料和标准都不会做呀，哪位能提供一份电气检测实验室的期间核查计和记录及核查作业指导书，新项目申请及评审的记录呀，供我参考下呀，谢谢各位了！

数字技术和相关专业的不断发展，继电保护技术也有了很大发展，如静态继电器在电力系统中的应用，其中数字式时间继电器作为基础元件，已广泛应用于各种继电保护及自动控制回路中，使被控制设备或电路的动作获得所需延时，并用以实现主保护与后备保护的选择性配合。时间继电器：(1)交流频率50Hz，额定控制电源电压AC380V及以下(2)直流额定控制电源电压DC220V及以下(3)自动控制电路中作时间控制元件，按预定的时间接通或断开电路标准：JB/T 9568特点：(1)本系列产品主要由整流稳压器、振荡/分频/计数器、电子开关、电位器及执行继电器等组成的 “元器件组合”部件和外壳等部件组成(2)本系列产品延时整定机构操作方便，并有合适的操作力。电位器旋转时手感平滑，并有适当强 度和旋转力矩。表示整定时间的刻度盘清晰、易读 数字继电器： 数字式时间继电器用于继电保护，首先用于替换电磁型和晶体管型时间继电器。它可缩短过流保护的级差，减少维护量，提高保护的动作正确率。保护了主系统及主设备的安全稳定运行。由于它具有精度高、稳定性好、整定方便、直观、改变定值无需进行校验、整定范围宽等特点，深受用户的欢迎。由此数字式时间继电器在电力系统中得到广泛应用。 但近几年，数字式时间继电器在电力系统中多次出现误动，给用户造成很大的损失。误动的原因如系统环境差、使用维护问题、产品质量问题、器件损坏、抗干扰性能差等等原因，但最难处理的问题是数字式时间继电器抗干扰性能差，本文在此针对数字式时间继电器抗干扰性能方面，提出了自己的看法，供参考。 1提高抗干扰能力方法 1.1干扰的主要来源 在电力系统运行中的继电器受到干扰主要是电磁干扰，来源有以下几种 (1)直流低压回路断开电感性负载(如接触器、中间继电器等)或电磁型电流、电压继电器触点抖动时，常会产生快速瞬变脉冲组电波; (2)高压变电所临近高压电器设备操作时产生的感应干扰; (3)移动电话、携带式步话机和相邻或附近设备发生的调频电磁波及电弧放电时产生的高频电磁辐射; (4)设备中脉冲电路、时钟回路、开关电源、收发讯机等通过空间传播的电磁能量; (5)带电荷的操作人员触及到设备的导电部件时产生放电。 1.2电磁干扰的传播方式 电磁干扰的传播方式主要有两种形式，即传导和辐射。传导是通过导线以电流或电压的形式作用在继电器上。辐射是通过空间以电磁场的形式作用于继电器上。对于数字式时间继电器主要的传导路径为电源线。因此抑制传导干扰的主要部分在数字式时间继电器的电源部分。 1.3提高抗干扰的措施 根据电磁干扰的来源和干扰方式及数字式时间继电器的工作特点，对数字式时间继电器提高抗干扰能力采用的措施主要从以下方面进行解决。 (1)电源输入端增加EMI滤波器。EMI滤波器是一种低通滤波器，由无源元件构成的多端口网络。它不仅能衰减由传导传播干扰方式引起的干扰，同时也对辐射干扰方式的干扰有显著的抑制作用。这样的滤波器对于低频(20—100kHz)特别有效。再通过选用合适的铁氧体材料铁芯，它的抑制频率范围可增大到400MHz。 由于数字式时间继电器的体积小，受结构的限制，成型的EMI滤波器一般体积较大，不适用。 而继电器工作频率不高，设计及工艺相对要求不高，同时也可降低成本，因此在电路里直接设计出EMI滤波器是非常可行的。 配件经严格筛选，可选到接近理想状态，但实际上存在偏差。 滤波器中介质电容、电感均可改变，适当变化期间的耦合，对于线路开关、接触器、执行机构，触点抖动产生的瞬变干扰能起到充分的抑制作用。 (2)数字电路抗干扰一般措施 ①时钟频率应在工作允许的条件下选用最低的;②必须对电源线，控制线去耦以防止外部干扰进入;③每个集成电路的电源与地之间要加去耦电容。要求电容的高频性能好;④在速度不快的信号线上加去耦电容。 (3)合理设计印刷电路板①印刷板上的电源与地线要呈“井”字形布线，以均衡电流，降低线路电阻;②布线时高、低压线分开，交、直流分开;③输入、输出线不要紧靠时钟发生器、电源线等电磁热线，不要紧靠复位线、控制线等脆弱信号线;④相邻板间交叉布线;⑤尽量减少电源线走线的有效包围面积，这样可以减少电磁耦合;⑥相邻层布线应互相垂直;⑦走线不要有分支，以防导致反射和产生谐波;⑧正确接入旁路电容。数字电路在工作时，电流突变较大，会产生很强噪声信号，应按图4在电源线上正确接入旁路电容;⑨接地点集中。 (4)合理配线①输入电源线与地线应尽量短;②板与板间的连线或接插件连线应尽量短。且线与线间分开;③配线时，电源线与触点引出线应分开;④正、负电源线应互相绞合，以降低共模干扰。 (5)采用新工艺①采用贴装技术采用表面贴装装封技术，可以显著减少由于器件的引线较长而产生的杂散寄生电容、电感，简化了屏蔽的设计，所以在很大程度上减少了电磁干扰和射频干扰。②采用多层线路板从2层印制电路板改为4层印制电路板，可大大改善发射和抗扰度性能。

低压电器元器件种类很多，常见的有继电器、断路器和接触器等，低压成套设备如配电箱、动力箱和电能计量箱等，有家用和类似用途的电器和工业用电器，考核的湿热试验可归纳为恒定湿热试验和交变湿热试验两种。下面为您讲解恒定湿热试验箱在低压电器行业的应用及原因： 对于样品来说受潮主要是由于吸附、吸收和扩散起作用时，用恒定湿热试验箱试验来考核电介质材料在潮湿大气条件中能否保持所需的电气性能。用于考核污染等级2使用环境的产品，这类使用环境一般情况仅有非导电性污染，偶然由于凝露造成短暂的导电性，由于使用环境中凝露作用不是很大，所以选用恒定湿热试验即恒定湿热试验箱。家用和类似用途的电器一般用于污染等级2的环境，因些这类电器实考核中标准规定用恒定湿热试验。

摘要： 此国际电气符号可以让您在将来的设计中更加地得心应手。关键词： 国际 电气符号如果是初次接触外方提供的图纸，你可能会被图纸上的各种元件编号搞得不知所云，其实这些编号是有标准的，无论是TOSHIBA 还是GE 设计的图纸，同样的一个元器件，其编号是不变的，如87 就是代表差动继电器，51 就是代表过流继电器。这些编号实际上是遵循IEEE Std C37.2－1996 标准，这种编号系统已用于各种接线图、手册和说明书中。参照右边的表格，你可以很容易地查到每个编号所代表的元件和功能，让你轻松成为读图高手！

希尔格POLVAC E980C直读光谱仪电气部件详解【简介】POLVAC E980C直读光谱仪是以微处理器作为基本控制及数据处理系统的高性能发射光谱仪。光谱仪和附加的光源部分设计为全部在计算机的控制下运行。E980 ==== POLVAC光谱仪，采用的是0,75米光栅，据有20个固定通道，可用于黑色金属及有色金属的材料分析。本文较详细的叙述了该光谱仪电气系统主要部件的功能说明，以及电器接插件的接线说明，是一个具有一定专业技术含量和参考价值的纯技术资料，希望对维修直读光谱仪的专业技术人员给予辅助参考，对非专业技术人员了解直读光谱仪硬件知识给予帮助。注：本文叙述的电气系统主要部件功能及接线详细说明，均是以实物结合电路图进行编辑整理出来的，绝非引用厂家技术资料，特此说明。【电气系统主要部件功能及接线详细说明】【一】、SP180 CPU 微处理板 （AX1311-1 ）1、 CPU I/O（50针）—→P1（50针）隔离板（X1313-1）2、 TX/RX （10 针）—→P8（10针）信号传输板（AX1320-1）【二】、ADC 模/数，数/模转换板 （AX1312-1）1、 A/D （10针）—→P10（20针）信号传输板（AX1320-1）2、 D/A （10 针）—→P9（10针）信号传输板（AX1320-1）【三】、ISOLATION PCB [font

最近遇到一个问题，发现折光仪和旋光仪期间核查规程没做，请各位大佬说说怎么做？

电气系统在QSN750光谱仪真空系统中的设计与应用