纳米电子束

品牌： GATAN名称型号：Gatan SmartEMIC 电子束感应电流测量系统制造商： GATAN公司经销商：欧波同有限公司 产品综合介绍： 产品功能介绍EBIC分析系统，可以实时软件控制全自动采集电子束感生电流（EBIC）信号，获得EBIC图像信息，还可以获得IV曲线信息，最终可以测试PN结位置，宽度，少子扩散长度，材料或器件的失效点定位，广泛应用于电子半导体领域。品牌介绍美国GATAN公司成立于1964年并于70年代末进入中国市场。GATAN公司以其产品的高性能及技术的先进性在全球电镜界享有极高声誉。作为世界领先的设计和制造用于增强和拓展电子显微镜功能的附件厂商，其产品涵盖了从样品制备到成像、分析等所有步骤的需求。产品应用范围包括材料科学、生命科学、地球物理学、电子学，能源科学等领域， 客户范围涵盖全球的科研院所，高校，各类检测机构及大型工业企业实验室，并且在国际科学研究领域得到了广泛认同。经销商介绍 欧波同有限公司是中国领先的微纳米技术服务供应商，是一家以外资企业作为投资背景的高新技术企业，总部位于香港，分别在北京、上海、辽宁、山东等地设有分公司和办事处。作为蔡司电子显微镜、GATAN扫描电子显微镜制样设备及附属分析设备在中国地区最重要的战略合作伙伴，公司秉承“打造国内最具影响力的仪器销售品牌”的经营理念，与蔡司，GATAN品牌强强联合，正在为数以万计的中国用户提供高品质的产品与国际尖端技术服务。产品系统特点：高性能、地噪声EBIC系统，进行定量EBIC测量。界面友好的智能分析软件运行于DigitalMicrograph软件平台。用于SEM的SmartEBIC 系统包括：?计算机控制的、充电电池供电的EBIC放大器?高级EBIC样品座(ASH)，并配有可调节的钨探针以进行台式接触。配以适当的Gatan适配器还可以通过空气锁来装载试样*? 与SEM样品台接口?链接插座及4个BNC型的电缆链接，低噪声这空馈通，适于EBIC和电子束流的测量?具有Fireware技术的DigiScan II数字电子束控制系统。它包括两个模拟输入，可同时采集摄影质量的图像，并可灵活控制像素强度、每点驻留时间、扫描旋转等。对于某些SEM，它还可以通过软件通讯SEM的操作参数。?配有先进的SmartEBIC应用插件的Digital Micrography软件，以进行定量测量、线性轮廓的实时和后处理分析 产品主要技术参数： SmartEBIC可以对EBIC信号进行自动控制采集和定量分析: 扫描控制系统: 1、1-, 2- or 4-比特数据采集提供了超大的动态范围 2、从 16 x 1 至 8000 x 8000 像素扫描分辨率 3、电子束停留时间，在0.5毫秒/像素到300毫秒/像素之间可调4、自动调节图像显示大小，使得EBIC实验过程变得更方便*5、配置Digi-Scan控制器，实时软件控制全自动采集，可以在EBIC信号的采集时就对信号进行定量分析，无需附加的后处理，*6、不仅获得EBIC图像信息，还可以获得IV曲线信息。噪音控制: 1. 特别设计的EBIC附属样品台2. 同轴绕线方式3. 可重复使用的铅酸电池 (15小时续航时间)4. 可以改变放大器的增益，从而最优化数据采集的信噪比和带宽5. 两种可选的一阶RC滤波器 ，低通或高通滤波6. 低漂移放大模式7. 在与PC通讯的时间以外，系统的微处理器会自动切换到睡眠状态8. 丰富的图像处理工具。包含锐化工具、平滑工具和傅立叶变换工具等。 9. 可以适配与Lock-in技术（本系统并不提供，这样的配置系统将不会对EBIC信号定量分析）追踪:通过软件实现。在12bit（1.22mV）采集分辨率模时为+/-5V。自动化:即使在放大器参数设定欠佳的条件下，系统也能自动优化图像的显示大小，从而提供更方便的图像浏览可以对放大器的偏移/增益进行自动设置软件:流程式一维扩散长度测量广泛的面扫/线扫描分析工具，包括数学分析工具，滤波应用等广泛的图像显示方案选项，包括二次电子图像与EBIC图像的叠加编程语言可助您为自己的实验编写定制化软件 产品主要应用领域： 测试PN结位置，宽度，少子扩散长度金属材料材料或器件的失效点定位测试半导体材料的位错密度IV特性测试应用实例：应用一：测试PN结位置，宽度，少子扩散长度应用二：材料或器件的失效点定位

电子束光刻机（多功能超高精度电子束光刻机P21）依托垄断性专利技术，百及纳米推出国际领先的超高精度大面积写场电子束光刻机 P21 系列。 百及纳米首次开发了新一代电子束光刻机的电子束闭环控制新原理。百及超高精度电子束光刻机 P21 是第一款新一代电子束光刻机的代表，在著名电子束光刻机制造商德国 Raith 公司的成熟机型上 升级而成。该系列主要包括 P21-2，P21-4 和 P21-6 三个型号，区别主要在于样品尺寸（2，4，6 英寸晶圆）及扩展使用功能。P21 不仅完整地保留了原电子束光刻机的整体功能，且集多项国际领先的关 键指标于一身，包括： &bull 国际上首次开发的新颖电子束闭环控制系统，能够实现电子束的原位检测与校正 &bull 国际领先的写场拼接精度≤2 nm &bull 电子束光刻的长期稳定性。精确校正电子束的空间漂移，将其位置稳定性提高到≤10 nm/h； 有利于通过提高电子束光刻时间实现大尺寸图形的曝光需求。 百及纳米的 P21 系列以常规电子束光刻机为载体，通过独家专利技术对其进行功能及性能指标的大幅提升。P21 光刻机组件均为德国原装制造，以高品质、高性能满足客户的科研高端需求，实现新 一代超高精度电子束光刻功能。

百及纳米ParcanNano 探针电子束光刻机P-SPL21 简介： 公司以全球首家专利的针尖技术为核心竞争力，技术源自于德国伊尔默瑙工业大学，致力于主动式针尖技术在微纳米结构制备和表征方面的研发，及其相关设备的产业化。 公司研制一套基于扫描针尖低能电子场发射的原理、采用压阻式微纳米针尖和多维纳米定位与测量技术、在半导体器件材料表面制造尺寸小于5纳米线宽结构的高性能微纳加工系统。可在大气环境下，高经济效益、快速直写5纳米以下结构和制备纳米级器件。该系统的闭环回路可实现使用同一扫描探针对纳米结构的成像、定位、检测和操纵。 技术特点：。场发射低能电子束。大幅降低电子束背底散射。几乎消除电子束临近效应。光刻5纳米以下单线宽结构。光刻结构间距小于2纳米。接近原子级分辨的套刻精度。线写速度高达 300 μm/s。大气环境下可实现正负光刻。正光刻流程无需显影步骤。无需调制电子束聚光。大范围分步重复工艺。Mix & Match 混合光刻模式。针尖曝光与结构成像实时进行。真空原位观测光刻图案 功能指标

基于改装SEM纳米图形电子束曝光机NPGS V9.2仪器简介：在过去的几年中，半导体器件和IC生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为了 追求晶片更高的运算速度与更高的效能，三十多年 来，半导体产业遵循著摩尔定律 （Moore’s Law）：每十八个月单一晶片上电晶体的数量倍增，持续地朝微小化努力 。为继续摩尔定律 ，在此期间，与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展，科学家提出各种解决方案如：图形曝光（光刻）技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术等。其中，图形曝光技术（微影术）是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。 电子束曝光系统（electron beam lithography, EBL）是一种利用电子束在工件面上扫描直接产生图形的装置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近，美国JC Nabity Lithography Systems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置（Nanometer Pattern Generation System纳米图形发生系统，简称NPGS，又称电子束微影系统）。电子束曝光技术具有可直接刻画精细图案的优点，且高能电子束的波长短（ 1 nm），可避免绕射效应的困扰，是实验室制作微小纳米电子元件非常好的选择。相对于购买昂贵的专用电子束曝光机台，以既有的SEM等为基础，外加电子束控制系统，透过电脑介面控制电子显微镜中电子束之矢量扫描，以进行 直接刻画图案，在造价方面可大幅节省 ，且兼具原SEM 的观测功能，在功能与价格方面均具有优势。由于其具有高分辨率以及低成本等特点，在北美研究机构中，JC Nabity的NPGS是非常热销的配套于扫描电镜的电子束微影曝光系统，而且它的应用在世界各地越来越广泛。 NPGS的技术目标是提供一个功能强大的多样化简易操作系统，结合使用市面上已有的扫描电镜、扫描透射电镜或聚焦离子束装置，用来实现艺术级的电子束或离子束平版印刷技术。NPGS能成功满足这个目的，得到了当前众多用户的强烈推荐和一致肯定。 应用简述 基于改装SEM纳米图形电子束曝光机NPGS V9.2能够制备出具有高深宽比的微细结构纳米线条，从而为微电子领域如高精度掩模制作、微机电器件制造、新型IC研发等相关的微/纳加工技术提供了新的方法。NPGS系统作为制作纳米尺度的微小结构与电子元件的技术平台，以此为基础可与各种制程技术与应用结合。应用范围和领域取决于客户的现有资源，例如： NPGS电子束曝光系统可与等离子应用技术做非常有效的整合，进行 各项等离子制程应用的开发研究，简述如下： (一) 半导体元件制程 等离子制程已广泛应用于当前半导体元件制程，可视为电子束微影曝光技术的下游工程。例如： (1) 等离子刻蚀（plasma etching） (2) 等离子气相薄膜沉积（plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD） (3) 溅镀（sputtering） (二) 微机电元件制程（Semiconductor Processing） 微机电元件在制程上与传统半导体元件制作有其差异性。就等离子相关制程而言，深刻蚀（deep etching）是主要的应用，其目标往往是完成深宽比达到102 等级的深沟刻蚀或晶圆穿透刻蚀。而为达成高深宽比，深刻蚀采用二种气体等离子交替的过程。刻蚀完成后可轻易 以氧等离子去除侧壁覆盖之高分子。在微机电元件制作上，深刻蚀可与电子束微影曝光技术密切 结合。电子束微影曝光技术在图案设计上之自由度 十分符合复杂多变化的微机电元件构图。一旦完成图案定义，将转由深刻蚀技术将图案转移到晶圆基板。技术参数：型号：NPGS V9.2最细线宽（μm）：根据SEM 最小束斑（μm）：根据SEM 扫描场：可调 加速电压：根据SEM，一般为0-40kV 速度：5MHzA. 硬件： 微影控制介面卡：NPGS PCIe-516A High Speed Lithography Board，high resolution (0.25%) 控制电脑：DELL或类似品牌主流配置电脑工作站皮可安培计：KEITHLEY 6485 Picoammeter B. 软件： 微影控制软件 NPGS V9.2 for Windows10图案设计软件 QCAD for Windows主要特点：技术描述： 为满足纳米级电子束曝光要求，JC Nabity出品的NPGS系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路，并采用PC机控制。PC机通过图形发生器和数模转换电路去驱动SEM等仪器的扫描线圈，从而使电子束偏转并控制束闸的通断。通过NPGS可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台，还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件也可以新建或导入多种通用格式的曝光图形。 (一) 电子源（Electron Source） 曝照所需电子束是由既有的SEM、STEM或FIB产生的电子束（离子束）提供。 (二) 电子束扫描控制（Beam Scanning Control） 电子射出后，受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动，并受中轴周围磁透镜（magnetic lens）作用形成聚焦电子束而对样本表面进行 扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描（raster scan）与矢量扫描（vector scan）。 循序扫描是控制电子束在既定的扫描范围内进行 逐点逐行 的扫描，扫描的点距与行 距由程式控制，而当扫描到有微影图案的区域时，电子束开启进行 曝光，而当扫描到无图案区域时，电子束被阻断；矢量扫描则是直接将电子束移动到扫描范围内有图案的区域后开启电子束进行 曝光，所需时间较少。 扫描过程中，电子束的开启与阻断是由电子束阻断器（beam blanker）所控制。电子束阻断器通常安装在磁透镜组上方，其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。 (三) 阻剂（光阻） 阻剂（resist）是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。高能电子束的照射会改变阻剂材料 的特性，再经过显影（development）后，曝照（负阻剂）或未曝照（正阻剂）的区域将会留 在基材表面，显出所设计的微影图案，而后续的制程将可进一步将此图案转移到阻剂以下的基材中。 PMMA（poly-methyl methacrylate）是电子束微影中非常常用的正阻剂，是由单体甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）经聚合反应而成。用在电子阻剂的PMMA 通常分子量在数万至数十万之间，受电子束照射的区域PMMA 分子量将变成数百至数千，在显影时低分子量与高分子量PMMA 溶解度 的对比非常大。 负阻剂方面，多半由聚合物的单体构成。在电子束曝照的过程中会产生聚合反应形成长链或交叉链结（crosslinking）聚合物，所产生的聚合物较不 易 被显影液溶解因而在显影后会留 在基板表面形成微影图案。目前常用的负阻剂为化学倍增式阻剂（chemically amplified resist），经电子束曝照后产生氢离子催化链结反应，具有高解析度 、高感度 ，且抗蚀刻性高。 (四) 基本工序 电子束微影曝光技术的基本工序与光微影曝光技术相似，从上阻、曝照到显影，各步骤的参数（如温度 、时间等等）均有赖于使用者视需要进行 校对与调整。

电子束光刻系统 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm 产品介绍产品介绍纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技 术制作中是zui好的方法之一。为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 系列zui小线宽可达8nm，zui小束斑直径2nm，套刻 精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)电子束直写系统 、 电子束曝光系统纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。 技术参数：1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

RAITH电子束曝光设备资料一、基本信息:品牌名称：RAITH主要设备：电子束曝光及成像系统、图形发射器。主要用途：在化合物半导体等领域加工线宽8-350纳米图形或掩膜板加工。 二、设备及应用:(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: eLine Plus是一款集成了纳米操纵设备，如纳米探针、用于聚焦电子束诱导过程的气体注入系统等各种多功能选件的电子束光刻设备，广泛应用于学校和各大科研机构，采用30kV Gemini电子束技术，应用于4英寸以下基板的纳米级光刻、纳米工程、纳米操纵、纳米探测、纳米轮廓仪、聚焦电子束诱导和成像分析等。 HSQ胶上制作亚5nm线条(三). 专业型电子束光刻设备Raith150 Two: Raith150 Two是一款高分辨电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻，可实现亚5nm的曝光结构。 HSQ胶上制作亚4.5nm线条及PMMA胶上制作精细的11nm线条(四). 专业型电子束光刻设备Voyager: Voyager是一款高性价比采用创新的eWrite体系结构的电子束光刻设备，采用50kV eWrite 电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的高速直写，适合衍射光学元件、防伪元件的加工及化合物半导体器件的高速加工。 HSQ胶上制作亚7nm线条(五). 专业型电子束光刻设备EBPG5150/5200: EBPG5150/5200是一款高自动化的电子束光刻设备，采用100kV EBPG 电子束技术，应用于8英寸以下基板（5150可曝光面积6英寸、5200可曝光面积8英寸）的高深宽比纳米结构曝光、高速电子束直写，适合防伪标识的加工及化合物半导体器件的高速加工。 制作GaAs T型器件及在化合物半导体上的应用(六). 纳米加工和纳米光刻升级配件Elphy: Elphy系列光刻升级配件可以将现有的SEM、SEM-FIB、HIM等聚焦离子束电子束系统升级为纳米光刻和纳米加工设备。

1.产品概述：eLINE Plus -专为多种原位纳米加工技术的最宽带宽应用而设计，超越了经典的电子束光刻(EBL)。2.产品优势：世界上专业EBL系统中最小的波束尺寸（ 1.6 nm）EBL抗蚀剂的线宽小于5nm使用电子束诱导沉积（EBID）技术演示了亚7纳米线新的eLINE Plus被设计为最通用的多重技术纳米光刻系统，用于所有科学学科的广泛应用ELINEPlus公司的先进光刻基础设施使超高分辨率和大面积纳米制造成为可能，并统一了电子束光刻、纳米工程和超高分辨率成像的世界。专业和无损的EBL：保证优越的系统规格和世界上最小的光束尺寸与全球应用支持基础设施相结合，使eLINE Plus成为努力有效地建立纳米制造新前沿的学术机构的理想解决方案。3. 产品参数：最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA图像发生器扫描频率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距为0.5nm通用样品架可承载散片，4inch以下的衬底，4inch专用晶圆专用样品架，6inch专用晶圆专用样品架，多样品专用样品架拼接精度：100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma套刻精度：100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma束电流稳定性＜0.2%/h 束位置稳定性＜120nm/8h

纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 超高分辨率的电子束光刻技术参数：加速电压：最高130keV单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力

请联系：张先生一、设备简介纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。电子束光刻系统（EBL）又称电子束直写（EBD）或电子束曝光系统。 日本CRESTEC是世界上制造电子束光刻设备的厂商之一，其制造的电子束光刻机具有电子束稳定，电子束定位精度高以及拼接套刻精度高等特点，赢得了科研机构以及半导体公司的青睐。二、设备特点CRESTEC CABL系列采用恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。三、设备参数型号CABL-UH（130kV）系列CABL-AP（50kV）系列电子发射枪／加速电压范围TFE（ZrO／W）／25～130kVTFE（ZrO／W）／5～50kV加速电压130 kV，110 kV，90 kV50kV，30kV电子束直径1.6nm2.0nm (研发) /3.0nm (量产) 最小线宽＜10nm＜10/20nm扫描方式矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)高级光刻功能场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻写场的尺寸30μm² ，60μm² ，120μm² ，300μm² ，600μm² , 1000μm² 30μm² - 1000μm² （50kV) (研发) 30μm² - 1500μm² （50kV) (量产)加工晶圆尺寸4/6/8寸，其他尺寸和形状的工件都可以用我们的柔性装置进行安装4/6/8寸CAD软件专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)操作系统WindowsWindows

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 10 nm标准写场大小5000 μm□小/大写场大小小 1000 μm□ 大 5000 μm□扫描频率大 400 MHz发射间距小 1.0nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 射束调整功能&bull 曝光文件功能&bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米别的精细结构，因此在纳米科技域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有高的制造精度，能够满足微纳加工域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm小/大写场大小小 100 μm 大（选项）3000 μm扫描频率大 100 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm搬送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms束流调整功能曝光文件功能图案数据转换功能帐户管理功能Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点：电子枪ZrO/W热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm□ 小/大写场大小小 100 μm大（选项）3000 μm扫描频率大 400 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 束流调整功能&bull 曝光文件功能 &bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。电子束光刻最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 技术参数： 1.最小线宽：小10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)7.描电镜分辨率：小于 2nm

纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 超高分辨率的电子束光刻技术参数：加速电压：最高130keV单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：zui高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力

广泛使用的eLINE系统是大学和研究中心寻求通过单一多功能电子束光刻(EBL)系统访问纳米制造应用宽带的最佳系统。eLINE 的先进光刻基础设施支持超高分辨率电子束光刻和大面积纳米加工。此外，eLINE 的多功能性结合了电子束光刻，纳米工程，超高分辨率和大面积SEM成像的世界，包括用于计量和过程控制的专用功能。 eLINE 提供以下智能构建基块和概念:&bull 先进的30 kV TFE电子光柱技术&bull 创新独特的无针迹书写策略&bull 晶圆级自动计量和过程控制的专用功能&bull 激光干涉仪平台&bull 多探测器概念&bull 多端口真空室&bull 开放和可升级的平台概念&bull Raith NanoSuite：全面集成所有模块的全面软件界面

超高分辨率电子束光刻EBLUltrahigh Resolution EB Lithography 纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。超高分辨率的电子束光刻加速电压：最高130keV单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力

产品详情 德国Allresist 正电子束光刻胶 AR-P 610系列用于纳米光刻的 AR - P617电子束电阻共聚物抗蚀剂系列用于生产集成电路和掩模 描述-电子束，深紫外光(248nm)-高分辨率，高对比度-对玻璃、硅和金属有很强的附着力-比PMMA敏感3-4倍-敏感性可以通过软烤调整-用于平面化和多层工艺-温度稳定，可达240℃-以甲基丙烯酸甲酯为基础的共聚物甲基丙烯酸，安全溶剂1-甲氧基-2-丙醇 属性 I 属性 II工艺条件该图显示了AR-P 610系列电阻的典型工艺步骤。所有规范都是指导原则必须适应自身具体情况的价值观。For 进一步 信息 processing, ? “Detailed 电子束电阻的处理说明"。For 建议 废水 处理 和 general 安全 instructions, ? ”General 产品 信息 Allresist 电子束 resists”. Processing instructions 抗蚀剂的敏感性随软烤温度的升高而增加，这是因为抗蚀剂的形成更加强烈下的甲基丙烯酸酐的分离 水 ( 图剂量 与 softbake temperature).AR-P 617,因此，在200℃回火比在180℃回火大约敏感20%。剂量可以是对两层AR-P 617系统进行相应的调整，对于两层系统具有重要意义。在这种情况下,首先，底层在200℃下干燥，然后在180℃与上层膜一起回火。由于差异化的过程，较低的层次被开发人员更快地攻击，并明显削弱结构形成(起飞)。这些起飞结构也可以由双层系统PMMA/共聚物。首先在190℃下对ar - p617进行涂层回火处理，然后对其进行PMMA抗AR-P 679.03纺丝涂膜，150℃烘干。曝光后，两层都是一步显影，如AR 600-56处理瓶塞AR 600-60并冲洗。 剥离结构为ar - p617两层侧切结构， 采用PMMA/共聚物经过AR 600-50的开发 开发后的PMMA/共聚物双层体系底部:AR-P 617.06, 400纳米厚，200℃回火 底部:AR-P 617.06, 400纳米厚，在190℃回火 顶部:AR-P 617.06, 500纳米厚，180℃回火 顶部:AR-P 679.06, 180纳米厚，150℃回火 由甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸组成的共聚物与纯PMMA产品相比，在热载荷作用下能形成6环。在这种情况下，两个甲基丙烯酸基团必须相邻排列在聚合物链上(见大的结构式左)，这在统计学上发生足够高混合比例为2:1时的频率(见右上方分子式)。在这个温度下反应是可能的，因为在反应过程中产生的水是非常好的离开组织。 The 6-ring形成分裂比脂肪链更容易在与电子辐照 remainder 导致 copolymer. 的灵敏度越高一旦调整，灵敏度将保持不变。逆开环反应是不可能的。 由于其优异的涂层性能，使其成为可能存在的水平出拓扑 wafer 发展之前在这个例子中，200纳米高氧化层结构采用AR-P 617.08涂层的薄膜厚度为780纳米。曝光后(20kv)和开发(AR 600- 50,2分钟)，晶圆片结构被完全平面的抗蚀剂线覆盖。

日本Elionix 超高精密电子束光刻系统 ELS-F150ELS-F150 Ultra High Precision Electron Beam Lithography System World's highest acceleration voltage electron beam lithography system 世界上加速电压最高的电子束光刻系统 The ELS-F150 is the world's first 150 kV electron beam lithography system. Expanding upon the ELSF125 base system, the ELS-F150 enables single digit nanoscale device fabrication for advanced research. ELS-F150是世界上第一个150千伏电子束光刻系统。在ELS-F125基础上展开系统，ELS-F150支持单位纳米级用于高级研究的设备制造。 Main Applications:主要应用领域- Quantum dots for quantum computing-量子点用于量子计算- Resolution and edge roughness testing for EUV resist EvaluationEUV抗蚀剂的分辨率和边缘粗糙度测试评估 - 10 nm master fabrication and material evaluation for nanoimprint lithography 10nm母版制作和材料评估纳米压印光刻 - T-gate pattern on thick resist for HEMT devices- HEMT器件厚抗蚀胶上的T-型栅极图案 - Nano gap patterning for bionano sensors- 用于生物传感器的纳米间隙模式 - Fresnel Zone Plate (FZP) for X-ray gratings- x射线光栅的菲涅耳带板(FZP) Key Product Features 关键产品特性 - 4 nm linewidth guaranteed at 150 kV- 4纳米线宽保证在150千伏- 1.5 nm beam diameter and minimum proximity effect at 150 kV- -1.5纳米束直径和最小接近效应在150千伏- Wider process margin than 125 kV makes it easier to fabricate advanced nanodevices- -比125千伏更宽的工艺裕度使制造先进的纳米器件更容易- Single cassette auto-loader as default, supports up to 6 slot multi-cassette auto-loader (option)-默认单盒自动加载，最多支持6槽多盒自动加载(可选) High Throughput and Uniformity高通量和均匀性 - Superior fine line writing:-卓越的细线条书写: 3 nm line width at 50 nm pitch using commercially available resist3nm线宽，50 nm间距，使用商用抗蚀剂 User-friendly Interface友好的用户界面 [CAD and SEM interfaces on Windows]CAD和SEM界面在Windows上 - Easy pattern design function- -简单的图案设计功能 - Easy control of beam condition- -易于控制电子束的条件 Specification规格

品牌：Elionix型号：ELS-F125/F100/HS50电子束曝光，电子束直写，电子束光刻用途：利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案，通过ELB设备曝光和显影，可用于加工sub-10nm的精细结构。一、简介ELS-F125是Elionix推出的世界上最早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl 高通量、均匀性好- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，高通量而不影响分辨率，2 nm 电子束直径@ 1 nAl 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件二、主要功能l 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板l 技术能力型号ELS-F125ELS-F100ELS-HS50电子枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪加速电压125 kV, 75 kV, 25 kV100 kV, 50 kV, 25 kV50 kV, 20 kV最小束流直径Φ 1.7 nm (@ 125 kV)Φ 1.8 nm (@ 100 kV)Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA)最小线宽5 nm or less (@125 kV)6 nm or less (@100 kV)20 nm (@ 50 kV, 2 nA)电子束束流5 pA to 100 nA20 pA to 100 nA1 nA to 1 μA视场范围Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μm束流定位Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)束流定位分辨率Min. 0.1 nmMin. 0.1 nmMin. 0.1 nm大样品尺寸8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask三、应用

品牌：Elionix型号：ELS-F125/F100/HS50关键词标签：电子束曝光，电子束直写简短描述：（40字）：利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案，通过ELB设备曝光和显影，可用于加工sub-10nm的精细结构。一、简介ELS-F125是Elionix推出的世界上最早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl 高通量、均匀性好- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，高通量而不影响分辨率，2 nm 电子束直径@ 1 nAl 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件二、主要功能l 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板l 技术能力型号ELS-F125ELS-F100ELS-HS50电子枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪加速电压125 kV, 75 kV, 25 kV100 kV, 50 kV, 25 kV50 kV, 20 kV最小束流直径Φ 1.7 nm (@ 125 kV)Φ 1.8 nm (@ 100 kV)Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA)最小线宽5 nm or less (@125 kV)6 nm or less (@100 kV)20 nm (@ 50 kV, 2 nA)电子束束流5 pA to 100 nA20 pA to 100 nA1 nA to 1 μA视场范围Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μm束流定位Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)束流定位分辨率Min. 0.1 nmMin. 0.1 nmMin. 0.1 nm大样品尺寸8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask三、应用

Nano analytik公司成立于2010年4月，技术源自德国伊尔梅瑙科技大学，公司的核心竞争力在于传感器、微系统和控制技术，公司宗旨是让纳米分析技术简单化，在保证科研严谨性的同时提高科研效率。Nano analytik研发了一款基于新型扫描探针的高性能光刻系统。可在大气环境下，高经济效益、快速直写10纳米以下结构和制备纳米级器件。该系统的闭环回路可实现使用同一扫描探针对纳米结构的成像、定位、检测和操纵。扫描针尖电子束光刻机（SPL）技术特点：场发射低能电子束大幅降低电子束背底散射几乎消除电子束临近效应无需调制电子束聚光10 nm 以下光刻精度接近原子级分辨的套刻精度线写速度高达 300 μm/s大气环境下可实现正负光刻正光刻流程无需显影步骤大范围分步重复工艺Mix & Match 混合光刻模式闭环系统：光刻成像同一针尖反复交替进行多针尖并联阵列提高效率产品规格光刻模式正光刻、负光刻工作环境大气、真空最小线宽5 nm （验收指标）直写速度300 μm/s套刻精度 7 nm拼接精度 10 nm最大光刻区域200 μm x 200 μm最大样品尺寸直径：150 mm （6 英寸）占用空间80 cm x 100 cm x 190 cm探针扫描头配置工作模式顶部XYZ扫描头扫描范围（XYZ） 10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm定位精度（XYZ）0.01 nm；0.01 nm；0.01 nm传感器压阻闭环传感输入/输出频道3样品台配置工作模式底部XY定位器运动范围（XY）18 mm × 18 mm 可扩展 150 mm × 150 mm最大运动速度20 mm/s运动精度7 nm运动重复性80 nm （每运动100 μm）AFM功能参数样品/探针接近自动（无需激光对准）探针调谐自动悬臂梁激发模式双材料热机械激发检测原理压阻读数扫描模式接触式，非接触式探针移动范围20 mm × 20 mm × 10 mm精度 10 nm重复性± 25 nmAFM成像范围10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm本底噪声0.01 nm rms 垂直方向横向精度99.7% 闭环扫描扫描速度0.01 线/秒 至 10 线/秒实时图像显示二维、三维形貌,相位,频移,振幅电子配置分辨率 振幅/相位16-bit反馈控制平台实时FPGA带宽8 MHz计算机接口USB, 以太网可选传感器调节0-4 V可编程电桥软件实时修正线, 面, 多项式轮廓线测量YES粗糙度测量YES对比度/亮度/色彩调节YES3D 图像YES线平均YES图像输出bmp, png, jpg格式原始数据输出txt格式图像后续处理软件Gwyddion, WSxM

日本Elionix 微细加式电子束曝光电子束直写机ELS-F125/F100/HS50 ELS-F125是Elionix推出的世界上首台加速电压达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125) ELS-F125具有以下优点： l 。超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应小化 @125 kV 2. 大通量、均匀性好- 宽视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，大通量而不影响分辨率，2 nm电子束直径@1 nA 3. 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件 二、主要功能 2.1 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板 2.2 技术能力 三、应用

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：最高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力 光束直径：1.6nm①最小线宽：7 nm（在130kV时）加速电压：130 kV，110 kV或90 kV载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。 采用其独有的技术使其具有极高的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。 Stitching accuracy50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ) Overlay accuracy50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ)Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。 主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子枪2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。 电子束光刻 最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 技术参数： 1.最小线宽：小于 10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)7.描电镜分辨率：小于 2nm 超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：最高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力 光束直径：1.6nm①最小线宽：7 nm（在130kV时）加速电压：130 kV，110 kV或90 kV载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）我的特色?Vacc：最大130kV（25-130kV，5kV步进）?单级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸?无放电电子枪?光束直径： 1.6nm?细线能力：7nm?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像?使用双热控制器实现超稳定的写入能力I规格电子发射器/加速电压TFE（ZrO / W）Z25?130kV最小光束直径/最小线宽1.6nm / 7.0nm扫描方式矢量扫描（x，y）（标准）矢量扫描（r，6），光栅扫描，点扫描（可选）高级光刻功能（可选）场尺寸调制光刻，轴向对称图案光刻字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（标准）1200pmZi，2400pmZi（可选）20,000 x20,000点，60,000 x 60，OO点，96,000 x 96，OO点，像素数240,000x 240，OO点© 矢量扫描（标准）10,000xl0,000dot @ R3Ster扫描（可选）最小地址大小10nm @ 600pmZfield，2nm @ 120pmZfield（标准）0.0012nm@600pmZfield（可选）尺寸为4、6、8英寸的工件（其他尺寸和其他形状的工件可以通过我们的灵活装置安装）■拼接业纭苏• 50nm（3u）@ 600pmZ，20nm（2a）@ 60pmZ重叠精度50nm（3o）@ 600pmZCAD软件专用CAD（标准），GDS n转换（可选），DXF转换（可选）操作系统Windows

德Zeiss电子束直写仪SEM 型号：Zeiss Sigma SEM 主要功能：利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（最小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等前沿领域。技术指标：肖特基热场发射电子源加速电压：100V～30kV放大倍率：12X～1000,000XSEM分辨率：1nm@30kV,1.5nm (15kV),2.8nm（1kV）电子束曝光：10nm（20kV）场拼接精度：100nm扫描频率：6MHz图形格式：GDSII

产品详情德Zeiss Sigma SEM 电子束直写仪型号：Zeiss Sigma SEM 主要功能：利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（最小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等前沿领域。 技术指标：肖特基热场发射电子源加速电压：100V～30kV放大倍率：12X～1000,000XSEM分辨率：1nm@30kV,1.5nm (15kV),2.8nm（1kV）电子束曝光：10nm（20kV）场拼接精度：100nm扫描频率：6MHz图形格式：GDSII

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：最高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力 准确度低于10 nm。您可以根据自己的需要选择90kV，HOkV或130kV。光束直径：1.6nm①最小线宽：7 nm（在130kV时）加速电压：130 kV，110 kV或90 kV载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）我的特色?Vacc：最大130kV（25-130kV，5kV步进）?单级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸?无放电电子枪?光束直径： 1.6nm?细线能力：7nm?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像?使用双热控制器实现超稳定的写入能力I规格

DB500聚焦离子束电子束双束显微镜是一款先进的分析和加工工具，它结合了电子束显微镜和离子束显微镜的技术优势，为用户提供了一个多功能的平台。该设备特别适用于材料科学、半导体器件分析、纳米技术以及生物学等领域的研究和开发。DB500双束显微镜的主要特点包括：1. 高分辨率成像：利用电子束和离子束的双重扫描，DB500能够提供纳米级的表面和断面成像，帮助用户深入观察样品的微观结构。2. 精确的样品加工：离子束的加入使得DB500在样品制备方面具有更高的精确度和灵活性，能够进行精确的切割、铣削和沉积等操作。3. 多功能集成：DB500集成了多种分析技术，如能谱分析(EDS)、电子背散射衍射(EBSD)等，为用户提供全面的材料分析解决方案。4. 易于操作：该设备采用直观的用户界面和自动化软件，使得操作更加简便，即使是初学者也能快速上手。5. 高性能的真空系统：DB500配备了先进的真空系统，确保了在高真空环境下进行稳定的成像和加工。DB500聚焦离子束电子束双束显微镜是科研和工业领域中不可或缺的高端分析仪器，它能够帮助用户在纳米尺度上进行精确的观察和操作，推动科学研究和技术创新。当然，以下是对DB500产品介绍的进一步扩展：6. **卓越的稳定性与耐用性**：DB500在设计和制造过程中，采用了高品质的材料和精密的制造工艺，确保了其卓越的稳定性和耐用性。无论是在长时间连续工作还是高负荷使用下，都能保持出色的性能表现，满足用户对高精度、高效率的需求。7. **灵活的样品兼容性**：为了满足不同领域的研究需求，DB500支持多种类型的样品，包括固体材料、薄膜、生物样品等。其灵活的样品台设计和可调节的样品环境，使得用户能够轻松应对各种复杂的样品处理和分析任务。8. **实时图像处理与分析**：DB500配备了先进的图像处理和分析软件，能够实时捕获、处理和分析成像数据。用户可以根据需要选择不同的图像处理算法，进行自动或半自动的图像分析，提高研究效率和准确性。9. **安全可靠的防护系统**：在保障用户安全方面，DB500采用了多重安全防护措施，包括紧急停机按钮、辐射屏蔽装置和智能警报系统等。这些措施能够确保在设备运行过程中，用户的人身安全得到最大程度的保障。10. **全面的售后服务**：金山办公及其合作伙伴致力于为DB500用户提供全面的售后服务。这包括专业的技术支持、定期的设备维护、用户培训和升级服务等。无论用户在使用过程中遇到任何问题，都能得到及时、有效的解决，确保设备的持续稳定运行。综上所述，DB500聚焦离子束电子束双束显微镜是一款集高精度、高效率、多功能和易于操作为一体的先进分析仪器。它的出现为材料科学、半导体器件分析、纳米技术以及生物学等领域的研究和开发提供了强有力的支持，推动了科学技术的不断进步和发展。