二维半导体

半导体晶圆拉曼光谱测试系统R1——应力、组分、载流子浓度 面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统主要功能：&bull 光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化，该现象称为拉曼散射。&bull 拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关&bull 广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析。仪器架构：性能参数： 拉曼激发和收集模块激光波长532 nm激光功率100 mW自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 100x，半复消色差物镜&bull 空间分辨率2微米拉曼频移范围80-9000 cm-1样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片光谱仪和探测器光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，接面阵探测器。&bull 分辨率2.0 cm-1。软件控制软件&bull 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高和半高宽等进行拟合。&bull 可自动拟合并计算应力、晶化率、载流子浓度等信息，样品数据库可定制。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应力检测—GaN晶圆片利用拉曼光谱568 cm-1位置的特征峰位移动，可以检测GaN晶圆表面应力分布。类似方法还可应用于表征Si/SiC/GaAs等多种半导体。载流子浓度检测——SiC晶圆片组分检测——结晶硅薄膜晶化率测试结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比，是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率𝛸 𝛸 𝑐 𝑐 可通过拟合拉曼光谱分峰后定量计算。多层复杂晶圆质量检测——AlGaN/GaNHEMT&bull 氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。&bull 晶圆片包含Si/AlGaN/GaN多层薄膜结构。&bull 拉曼光谱可给出多层结构的指纹峰，并对其应力、组分、载流子浓度等进行分析。AlGaN/GaN晶圆，直径6英寸面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统仪器订购样品委托测试

面向半导体晶圆检测的光谱测试系统 荧光测试荧光光谱的峰值波长、光谱半宽、积分光强、峰强度、荧光寿命与电子/空穴多种形式的辐射复合相关，杂质或缺陷浓度、组分等密切相关膜厚&反射率&翘曲度通过白光干涉技术测量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翘曲度荧光光谱系统特点面向半导体晶圆检测的光谱测试系统光路结构示意图自动扫描台：兼容2寸、4寸、8寸晶圆可升级紫外测量模块、翘曲度测量模块侧面收集模组：用于AlGaN样品（发光波段200-380 nm），因为AlGaN轻重空穴带反转使其荧光发光角度为侧面出光，因此需要特殊设计的侧面收光模块。翘曲度测量模块翘曲度测量模块集成在显微镜模组中，利用晶圆表面反射回的375nm激光，利用离焦量补偿实现表面高度的测量，对晶圆片的高度扫描后获得晶圆形貌，从而计算翘曲度的数值。该模块不仅可以测量晶圆的形貌和翘曲度，同时还可以起到激光自动对焦的作用，使得晶圆片大范围移动时，用于激发荧光的激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。物镜5xNA=0.2820xNA=0.40100xNA=0.8离焦量z分辨率 1 μm 0.5 μm 0.06 μm激光光斑尺寸（焦点处）~2 μm~2 μm~1 μm测量时间（刷新频率） 20 ms(50 Hz），可调节最高100 Hz紫外测量模块紫外测量模块的功能主要由集成在显微镜模组中的5x紫外物镜和侧面收集模块实现。可选择213nm或266nm的激光进行激发，聚焦光斑约10微米，可选择通过该物镜收集正面发射的荧光，通过单色仪入口1进行收集和测量。针对AlGaN的发光波段（200-380nm），尤其是Al组分较大（70%）的AlGaN由于轻重空穴带反转，其荧光发光角度为侧面出光，因此设置侧面收集模组，将侧面发出的荧光通过一个单独倾斜60度角的物镜收集后，通过光纤传入单色仪入口2进行收集和测量。可通过翘曲度模块对晶圆片形貌进行测量后，再进行紫外荧光测量时，根据记录的形貌高度，Z轴移动实现晶圆片高度方向的离焦量补偿，使得晶圆片大范围移动时，激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。软件界面晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应用案例6英寸AlGaN晶圆测试随着AlGaN中Al所占比例的增加，可看到发光峰位出现了蓝移，当Al的含量占到70%的时候，峰位已经蓝移至238nm。对AlGaN晶圆进行Al组分比例面扫描，可以看到晶圆中Al的组分分布情况。MicroLED微区PL荧光光谱MappingMicroLED微盘，直径40微米。图（A）：荧光PL Mapping图像，成像区域45×45微米；图（B）：图（A）所示红线，m0-m11点，典型荧光光谱。MicroLED微盘的荧光强度3D成像 2英寸绿光InGaN晶圆荧光光谱测试从InGaN的峰强分布来看，在晶圆上峰强分布非常不均匀，最强发光大约位于P2点附近，而有些位置几乎不发光。发光峰位在500-530nm之间，分布也很不均匀。波长在510nm（P2位置）发光最强。波长越靠近530nm（P1位置），发光越弱。2英寸绿光InGaN晶圆荧光寿命测试从以上荧光寿命成像得到，绿光InGaN荧光寿命在4ns-12ns之间。沿着P1-P3白线，荧光寿命减小。从晶圆上分布看，荧光寿命与荧光强度成像的趋势大致相符，而且峰位有明显关联。即沿着峰位蓝移方向（蓝移至500nm），荧光发光强度增强而且寿命增加，说明辐射复合占据主要比例。而沿着峰位红移的方向（蓝移至530nm），发光强度减弱，同时寿命减小，说明非辐射复合占据主要比例。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统性能参数：荧光激发和收集模块激光波长213/266/375 nm激光功率213nm激光器，峰值功率＞2.5kw@1KHZ，266nm激光器，输出功率2-12mw可调自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米 显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 近紫外物镜，100X/20X，用于375nm激光器,波长范围355-700 nm&bull 紫外物镜, 5X,用于213 nm/266nm的紫外激发, 200-700 nm 样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。 样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片 光谱仪探测器 光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，可接面阵探测器。&bull 光谱分辨率：优于0.2nm@1200g/mm 可升级模块翘曲度测量模块重复测量外延片统计结果的翘曲度偏差±5um紫外测量模块5X紫外物镜，波长范围200-700 nm。应用于213 nm、266nm的紫外激发和侧面收集实现AlGaN紫外荧光的测量膜厚测试模块重复测量外延片Mapping统计结果的膜厚偏差±0.1um荧光寿命测试模块荧光寿命测试精度8 ps，测试范围50 ps-1 ms软件控制软件可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高、半高宽等进行拟合。&bull 可计算荧光寿命、薄膜厚度、翘曲度等。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统仪器订购样品委托测试

SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例

产品概要：FS-Pro 半导体参数测试系统是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV) 测试、电容电压(CV)测试、脉冲式 IV 测试、高速时域信号采集以及低频噪声测试能力。一套设备可完成半导体器件的全部低频特性表征，其强大而全面的测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发评估进程，可无缝地与 9812 噪声测试系统集成，其快速 DC 测试能力进一步提升了 9812 系列产品的噪声测试效率。基本信息：软件功能：FS-Pro 系列内置 LabExpress 测量软件具有强大的测试和分析功能，该软件提供友好的图形化用户使用界面和灵活的设定，具有下列主要功能 :1、完整支持直流，脉冲，瞬态，电容和噪声测试功能2、内置的常见器件测试预设可大大提高测试设置效率，帮助新手操作者快速完成测试3、强大的自定义设定功能可以灵活编辑电信号4、内置强大数据处理能力可测试后直接展开器件特性分析5、多种数据保存方式，导出数据可供用户后续分析研究也可直接导入建模软件 BSIMProPlus 和 MeQLab 进行模型提取和特性分析6、LabExpress 专业版支持对主流半自动探针台和矩阵开关设备的控制，支持晶圆映射、并行测试实现自动测试功能，进一步提升测试效率IV电流电压测试CV电容电压测试1/f噪声测试 IVT测试采用工业通用的 PXI 模块化硬件结构，配合自主开发的测试软件 LabExpress，FS-Pro 在半导体工业产线测试与科研应用方面都具有优秀的性能表现，可广泛应用于各种半导体器件、 LED 材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。LabExpress 为用户提供了丰富的测试预设和强大的测试功能，可实现非常友好的用户即插即用体验； 该系统还可支持多通道并行测试，进一步提升测试效率。技术优势：1、同时具备高速高精度直流测试和脉冲测试能力2、量程范围宽、测试速度快3、支持小于1us采样时间的高速时域信号采集4、高达10万点的数据量可以精细描绘信号随时间变化特性5、低频噪声(1/f noise,flicker noise)测试能力特别是RTN(随机电报噪声)测试能力与对准能力6、使用方式简单灵活，无需编程即可实现自由的波形发生或电压同步与跟随7、支持并行测试，内置功能强大的测试软件和算法，支持多通道并行测试成倍提升测试效率8、系统架构，PXI标准机箱，可扩展架构,支持通过多机箱扩展SMU卡数量应用方向：被半导体工业界和众多知名大学及科研机构采用作为标准测试仪器。

产品简介:FS-Pro系列是业内的人工智能驱动的一体化半导体参数测试系统，单台设备具备IV, CV 与 1/f noise 测试能力，内建的AI算法加速技术全面提升测试效率。业界低频噪声测试黄金系统9812DX和 FS-Pro 的融合使两个产品不但功能更加完整，性能也都有大幅提升。FS-Pro可广泛应用于半导体典型器件、LED材料、二维器件、金属材料、新型先进材料与器件测试。FS-Pro可支持达上百个通道。内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现，FS-Pro不仅被多家全球先进的设计公司和半导体代工厂，IDM和设计公司采用，在学术界也受到广泛认可，已被数十所大学及研究机构所采用。 张先生 产品优势一体化: 集成IV测试、CV测试、低频噪音(1/f noise)于单台仪器中，无需换线和更新连接即可完成全部低频参数化表征。超快速：FS-Pro系列较传统半导体参数测试系统，其测试速度高达10倍，业界首创AI测试加速卡，体验强大速度提升，同时保持测试精度。模块化架构：PXI模块化架构，可轻松扩展支持生产测试（如 WAT），辅以其高速和完整特性，可以大幅加速量产测试。操作便捷：内置测量控制软件LabExpress™ ，拥有直观的用户图形界面，仅需点击几下鼠标就可以完成强大的器件特性分析功能。可选工业级测试软件FastLab, 支持自动探针台，第三方仪器和SRAM，可靠性测试等工业测试需求。宽量程：高达200V，1A（脉冲3A），0.1fA的灵敏度。建模仿真：可选内置器件建模与仿真软件（BSIMProPlus/MeQLab/NanoSpice），形成测试，建模仿真系统。产品应用可应用于半导体典型器件、LED材料、二维器件、金属材料、新型先进材料与器件测试。FS-Pro可支持达上百个通道。内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能，实现即插即用体验。IV电流电压测试。CV电容电压测试。1/f noise低频噪音测试。Pulse脉冲生成。高采样率的IV-T模式。 产品指标IV电流电压测试高精度参数测量 ，电压200V, 分辨率0.1fA，电流测量精度30fA，直流电流1A，脉冲电流3A。高采样率的IV-T模式FS-Pro的SMU的I-T采样率指标，最小设定1e-6s（1us），数据存储达10万个点，目前在业界已经验证。CV电容电压测试内建CV频率范围10Hz~10kHz，最小可测电容20fF，直流偏置电压200V。外置LCR提供高精度（10fF@2MHz，内建直流偏置40V）和高带宽（8MHz）两个选项，同时软件支持第三方工业主流LCR，如E4980A，428x系列等。1/f noise低频噪音测试 带宽：0.001Hz-100KHz 噪音分辨率： 2e-28A2/Hz 测量速度： 10秒钟/偏置（f0.5Hz）DUT最小阻抗：500欧姆 DUT直流偏置和电流：200V, 1A Pulse脉冲生成功能 电压范围±200V, 最小脉宽50us，最小分辨率100nV张先生 FS-Pro支持与MPI、Cascade厂家的半自动,全自动探针台连用,已于国内外大型半导体厂、科研院所等有着广泛的合作。

二维材料堆叠技术是包括二维材料的制备、转移、堆叠、转角等一系列操作在内的纳米加工技术。二维材料在单一尺度上可达原子级别的特性使得研究人员可以像乐高积木一样按照意愿将不同性能的二维材料进行自由组装，从而获得具有优异特性新型人工结构。 主要用于二维材料的于转移堆叠制备出优异特性新型人工结构。如二维材料叠加纳米线，二维材料叠加光学微腔，二维材料半导体器件等。LDTS-A01型二维材料转移叠加平台由样品台、 转移模块、成像模块、 转角模块、 水平调节模块五部分构成， 具有极高的稳定性与转移精度（水平精度＜1um， 垂直精度＜0.05um， 旋转角度

DMM-660C研究型半导体检测显微镜一、DMM-660C研究型半导体检测显微镜的特点和用途: DMM-660系列研究型大平台金相显微镜配有大移动范围的载物台、落射照明器、平场消色差物镜、大视野目镜，图像清晰、衬度好，同时配有偏光装置，是金属学、矿物学、精密工程学、电子学等研究的理想仪器。适用于学校、科研、工厂等部门使用。 DMM-660C研究型大平台正置金相显微镜是将精锐的光学显微镜技术、先进的光电转换技术、尖端的计算机成像技术完美地结合在一起而开发研制成功的一项高科技产品。既可人工观察金相图像,又可以在计算机上很方便地适时观察金相图像，并以随时捕捉下来,从而对金相图谱进行分析,评级等,还可以保存或打印出高像素金相照片。二、DMM-660C研究型半导体检测显微镜的技术参数:组件及规格目镜大视野WF10X(Φ18mm)WF20X(Φ8.5mm)平场分划10X(0.10mm/格值)物镜平场消色差 （无盖玻片）放大倍数/数值孔径工作距离PL5X/0.1218.3PLL10X/0.258.9PLL20X/0.408.7PLL40X/0.60（弹簧）3.7PL50X/0.70（弹簧）2.02PL80X/0.80（弹簧）0.96放大倍数光学放大倍数:50X、100X、200X、400X、500X、800X、1000X、1600X 电脑放大倍数：200X-3200X目镜筒三目镜转轴式，倾斜30度，包括检偏振片仪器主体粗调、微调手轮，微调格值为0.002MM（底座及支架）偏光装置可插入式起偏振片,垂直照明装置,能进行一般金相分析、微粒分析测试，还能对不透明物体进行分析、观察。载物台尺寸：274 X 274mm有快速移动装置，移动范围：203 X203mm调焦机构同轴粗微动调焦机构, 调焦范围25mm 微动格值2μm照明系统落射照明 6V 20W ，卤素灯，亮度可调带起偏振片滤片组转盘式蓝、黄、绿、磨砂滤色片组转换器 滚珠内定位内弯,五孔转换CK-300电脑摄像系统1X摄影接口，标准C接口300万数字成像系统，最高分辨率：2048X1536，最新升级数字摄像模块，采用USB供电，功耗小，连接简单：USB2.0 图像质量好 ,色彩还原性好 ,图像稳定，可进行图像大小调节,色彩调节,增益调节,曝光设置,自动曝光等调节。三、仪器的组成部分 1、大平金相显微镜主机DMM-660　2、电脑适配镜　 3、CK-300彩色数字摄像器　 　　　 四、选购部分：1、DS-3000二维图像测量分析软件 2、计算机

半导体激光二极管新势力光电供应半导体激光二极管，激光波长445-1850nm，功率150mW-10W，封装形式可选，包括：C-mount、D-mount、Q-mount、TO3、TO3 with TEC、TO18、9mm、9mm SMA, HHL free space, Laser bar package, 9mm fiber coupled、HHL fiber coupled、Butterfly fiber coupled。此外，我们也供应激光二极管阵列，激光波长660-1064nm，功率10-40W，封装形式可选。针对特殊波长及应用，我们提供定制服务。光纤耦合半导体激光器：New Diode Arrays (other wavelengths available upon request)ModelWavelength(nm)Output Power(W)Emitter Size(μm)Available Packages: C-mount, D-mount, Q-mount, TO3, TO3 with TEC, TO18, 9mm, 9mm SMA, HHL free space, Laser bar package,9mm fiber coupled, HHL fiber coupled, Butterfly fiber coupled LDX-4119-660660±510100×19LDX-4119-670670±510100×19LDX-4119-680680±312150×19LDX-4119-690680±312150×19LDX-4219-730730±520150×19LDX-4224-750750±520100×24LDX-4219-760760±520150×19LDX-4319-795795±530150×19LDX-4424-10641064±1040100×24LDX-4419-10641064±1040150×19ModelWavelength(nm)Output Power(mW)Emitter Size(μm)Available Packages: C-mount, D-mount, Q-mount, TO3, TO3 with TEC, TO18, 9mm, 9mm SMA, HHL free space, Laser bar package,9mm fiber coupled, HHL fiber coupled, Butterfly fiber coupled LDX-3102-445445±10100020LDX-2106-622622±315060LDX-2205-627627±325050LDX-2310-627627±3350100LDX-2205-630630±325050LDX-2410-630630±3400100LDX-2306-635635±330060LDX-2410-635635±3400100LDX-2615-635635±3600150LDX-2205-645645±325050LDX-2410-645645±3400100LDX-2205-650650±525050LDX-2410-650650±5400100LDX-3115-650650±51000150LDX-2305-660660±330050LDX-2610-660660±3600100LDX-3115-660660±31000150LDX-2305-665665±330050LDX-2610-665665±3600100LDX-2710-665665±3700100LDX-3115-665665±31000150LDX-3230-665665±31600300LDX-2405-680680±340050LDX-2710-680680±3750100LDX-3115-680680±31000150LDX-3230-680680±31800300LDX-2405-690690±340050LDX-2710-690690±3750100LDX-3115-690690±31100150LDX-3215-730730±32000150LDX-3110-750750±51500100LDX-3215-760760±52000150LDX-3105-780780±3120050LDX-3210-780780±32000100LDX-3315-780780±33000150LDX-3315-792792±53000150LDX-3105-808808±3120050LDX-3210-808808±32000100LDX-3415-808808±34000150LDX-3740-808808±37000400LDX-3765-808808±37000650LDX-4103-808808±3100001150LDX-3110-830830±51600100LDX-3105-860860±10100050LDX-3110-860860±101600100LDX-3215-860860±102500150LDX-3320-860860±103300200LDX-3425-860860±104200250LDX-3530-860860±105000300LDX-3535-860860±105800350LDX-3640-860860±106600400LDX-3210-885885±102500100LDX-3515-885885±105000150LDX-3210-900900±52000100LDX-3310-915915±103000100LDX-3515-915915±105000150LDX-3310-940940±103000100LDX-3315-940940±105000150LDX-3105-980980±10150050LDX-3310-980980±103000100LDX-3515-980980±105000150LDX-3105-10641064±10150050LDX-3310-10641064±103000100LDX-3515-10641064±105000150LDX-3105-11201120±20120050LDX-3210-11201120±202500100LDX-3415-11201120±204000150LDX-3105-12101210±20120050LDX-3210-12101210±202000100LDX-3315-12101210±203000150LDX-3315-13501350±201500150LDX-3509-14701470±20500095LDX-3715-14701470±207000150LDX-3820-14701470±208000200LDX-3925-14701470±209000250LDX-3110-15501550±201200100LDX-3210-15501550±202000100LDX-3209-15501550±20250095LDX-3309-15501550±20350095LDX-3518-15501550±205000180LDX-2815-16201620±20800150LDX-3110-18501850±301000100相关商品 光纤耦合激光二极管 皮秒半导体激光器 微片激光器 半导体激光器

总览光子晶体面发射激光器（PCSEL）是新一代高功率半导体激光器，他们利用二维光栅结构线性和正交地散射光。这使得 PCSEL 成为唯1一种反馈在平面内而光发射在平面外的激光器，从激光器的顶面发出。具有单模操作、极低发散角，高功率输出，高光束质量等优势。目前在激光雷达、空间通讯、传感和激光加工等领域有着重要的应用前景。平面外、正交、表面发射为激光器提供了巨大的成本优势，因为它使它们易于封装并集成到 PCB 和电子组件中。我们的 2D 光栅结构（光子晶体）启用并稳定平面外发射，从而产生反馈和单模发射。与同等的 EEL 或 VCSEL 相比，PCSEL 结构在数据速率、波长和功率性能方面具有优势。我们提供的的 PCSEL 成本低、产量高结构坚固，波长范围广且功率高。我们的 PCSEL 具有 EEL 和VCSEL的速度性能，而它们的测试和封装成本是EEL的 50%，并且它们提供的功率是 VCSEL 的10倍以上。 与FP,DFB等半导体激光器相比PCSEL 是唯1使用面内反馈和面外表面发射的激光器。与 VCSEL 一样，测试和封装仍然更便宜，但与同等尺寸的 EEL 或 VCSEL 相比，PCSEL 结构在数据速率、波长和功率性能方面具有优势。高亮度或双调制光束扫描 PCSEL半导体激光二极管,高亮度或双调制光束扫描 PCSEL半导体激光二极管通用参数提供样品可根据材料转让协议 (MTA) 提供以下研发样品。 请使用电子邮件（info@microphotons.com）进行咨询高亮度PCSEL二极管根据 MTA 合同，我们将提供激光面积为 500μmΦ 的研发样品，可实现 10W 级（或更高）输出功率（脉冲操作）和窄光束发散角（~0.1°，FWHM）。我们还可以为 PCSEL 提供更大的面积，以实现更高的输出和更窄的发散。 请与我们联系。一, 高亮度PCSEL二极管规格表（研发样品）外观Φ5.6mm CAN封装特点室内温度脉冲操作（典型宽度：20ns，持续时间：1kHz）(ns~数百ns的脉宽都适用)项目值操作电流15A输出功率10W发射区0.5mmΦ波长(10mW时)峰值940nmFWHM0.1nm以下发散角(10mW时)FWHMx0.15°以下y0.15°以下1/e2x0.20°以下y0.20°以下二,光束扫描 PCSEL根据 MTA 合同，我们可以提供具有基于双调制 PCSEL 技术的光束扫描功能的研发样品。 关于阵列结构的布置以及发射什么样的光束，我们将与您协商。

TC WAFER 晶圆测温系统 半导体晶圆温度测温TC-Wafer是将高精度温度传感器镶嵌在晶圆表面，对晶圆表面的温度进行实时测量。通过晶圆的测温点了解特定位置晶圆的真实温度，以及晶圆整体的温度分布，同还可以监控半导体设备控温过程中晶圆发生的温度变化，获得升温、降温以及恒温过程期间的温度温度数据，从而了解半导体设备的温度均匀度。- 传输通道数量可定制 - 优异的软件功能，可用图形及颜色显示温度分布状况 - 数据可储存调用 - 可提供温度曲线图，方便直观的看到温度变化趋势- 真空环境下，温度传感器保持高精度和良好的稳定性TC-Wafer晶圆温度测量系统应用于许多行业，包括快速热处理 (RTP)、快速热退火 (RTA)、曝光后烘烤 (PEB)、化学气相沉积 (CVD)、物理气相沉积 (PVD)、ION 等应用注入、太阳能电池和许多其他热驱动工艺。智测电子具有高精度温度测量与控制技术和经验，支持产品定制智测电子TC-WAFER晶圆测温系统是专为高低温晶圆探针台设计的，测量精度可达到mk级别，确保了测量结果的准确性和可靠性。系统不仅能够实现对晶圆特定位置温度真实值的多区测量，还能够精准描绘晶圆整体的温度分布情况，让您对晶圆温度变化一目了然，以便及时采取相应的措施。同时，智测电子TC-WAFER晶圆测温系统还具备监控半导体设备控温过程中晶圆发生的温度变化的功能，确保了制造过程的稳定性。特别适用于半导体制造厂Fab、PVD/CVD 部门、RTP部门等场合，让您能够实时了解晶圆的温度情况，提高生产效率，降低不良品率。

NKT Photonics（原ALS.GmbH）的PILAS半导体二极管皮秒脉冲激光器脉宽可低至20ps（FWHM），波长范围覆盖375nm~1060nm，峰值功率范围从25mW 至高于1000mW （具体参数取决于所用的LD）。电触发信号和光脉冲之前的抖动约3ps 。特殊波长和参数可根据客户要求定制。PILAS半导体二极管皮秒脉冲激光器适用于工业和科研应用。有过10种不同标准波长可供选择。NKT Photonics(原ALS.GmbH)的PILAS半导体二极管皮秒脉冲激光器脉宽可低至20ps（FWHM），波长范围覆盖375nm~1060nm，峰值功率范围从25mW 至高于1000mW （具体参数取决于所用的LD）。电触发信号和光脉冲之前的抖动约3ps 。特殊波长和参数可根据客户要求定制。PILAS半导体二极管皮秒脉冲激光器适用于工业和科研应用。有过10种不同标准波长可供选择。产品特性：波长范围为375至1060nm脉冲宽度小于60 ps重频连续可调40MHz或者80 MHz低时间抖动（3 ps rms）外部触发无需对齐，免维护运行应用：光纤测试探测器测试荧光成像半导体检查时间分辨光谱学

XGL-2A半导体泵浦激光原理实验产品用途：XGL-2A半导体泵浦激光原理实验装置主要适用于大学近代物理教学中非线性光学实验，实验系统采用波长为808nm的半导体泵浦源，激光晶体为Nd:YVO4，以及KTP倍频晶体等，学生可以自己动手，通过调整激光器光路，观察倍频现象，并测量倍频效率、相位匹配角等参数，从而进一步了解和掌握激光原理及激光技术。实验内容1、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器的基本概念2、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器的主要参数测量（阈值、斜率效率等）3、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器的倍频原理和实验4、 LD泵浦Nd:YVO4固体激光器光斑尺寸的测量5、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器远场发散角的测量包装：木箱XGL-2A半导体泵浦激光原理实验规格参数及成套性：名 称规 格数量主 机XGL-2A半导体泵浦激光器主机1套光 源SD808-1000G3泵浦光源组件：半导体激光器（LD），波长808nm，输出功率500mW；含激光器调整架准直激光器: GY-11 氦氖激光器（含电源）：波长632.8nm，功率≥1.5mW,单模TEM00，全保护安全高压插头，腔长250mm，带支架。1套晶体组件激光晶体：Nd:YVO4晶体，通光口径3x3x1mm，S2:AR1064nm；倍频晶体：KTP晶体，通光口径2x2mm,AR@532nm&1064nm；1套光学组件532nm输出境：通光口径φ20，AR@532nm&HR@1064nm；汇聚物镜：10X显微物镜；含调整架1套机械/调整组件泵浦光源调整架（二维可调）、汇聚物镜调整架（三维可调）、晶体调整架（二维可调）、输出境调整架（二维可调）刀口部件、光阑部件精密光学导轨：尺寸1000*80mm专用硬铝合金型材，带刻度，分辨精度1mm，配套滑座1套探测器组件激光功率指示仪：测量波长532nm、633nm、650nm，测量范围：0-200mW ，显示分辨率：0.001μW1套其 他十字改锥、实验讲义、使用说明书1套

量子电子元件Thorlabs的量子电子部门Covega在磷化铟和铌酸锂技术研发上处于世界领先地位。通过此次收购，Thorlabs非常荣幸地增加了一条光功率放大器（BOA）、半导体光放大器（SOA），超辐射发光二极管（SLD）、法布里－珀罗激光器（FPL），以及电信封装的电光调制器产品线。此外，Thorlabs现在提供两种新的激光二极管/TEC控制器：一种用于14管脚的蝶形封装，另一种用于双列直插式（DIL）封装。增益芯片 光学放大器 超辐射发光二极管 TQE Fabry-Perot激光器 单频率激光器 光学调制器 增益芯片通过收购Covega，Thorlabs 量子电子学部门的产品线中增加了一个单角面增益芯片产品线（SAF）。这些芯片有安装在Submount、热沉或附件上的多种选择。半蝶式增益芯片 SAF增益芯片，&lambda c = 1220纳米 SAF增益芯片，&lambda c = 1320纳米 SAF增益芯片，&lambda c = 1450纳米 SAF增益芯片，&lambda = 1550或者1590纳米 SAF增益芯片，&lambda c = 1650纳米 光学放大器Thorlabs Quantum Electronics（TQE）在InP和铌酸锂技术研发上处于世界领先地位。Thorlabs很高兴能够提供光学放大器产品线，其中包括半导体光学放大器（SOA）、增压光学放大器（BOA）和我们的战略合作伙伴Picoluz研发的稀土掺杂光纤放大器。在输入光偏振态未知或者波动的应用中必需使用偏振无关型放大器（例如SOA）。对于偏振态已知的应用，偏振相关型BOA比相应的SOA产品具有更高的增益、噪声、带宽和饱和功率。台式光学放大器 高速光学快门/开关 锥形放大器 铥掺杂光纤放大器 1050纳米增强型光放大器 O带光学放大器 C带光学放大器 L带光学放大器 超辐射发光二极管（SLD）Thorlabs提供有中心波长在1280、1310、1325或1550纳米的宽带发射的超辐射发光二极管。对于要求特殊带宽、波长和功率的应用，我们提供了精心挑选的SLDs。这些SLDs都单独标注了特性，方便用户选择最适合其应用的SLD。台式超辐射发光光源 可扩展的宽带SLD光源 带宽100n纳米 带宽100纳米 Fabry-Perot激光器TQE提供多种安装在子安装座、TO头和大面积激光器上的Fabry-Perot激光芯片。O波段法布里激光器 C波段法布里激光器 L和U波段法布里-珀罗激光器 1.94-2微米法布里-珀罗激光器 宽发射域激光器 高功率单频激光器 Related Products 概述规格图Documents & Drawings Feedback Tag Cloud 特性可定制1550纳米到1620纳米中心波长（相关细节请联系技术支持）中心波长公差：± 0.5纳米包含性能数据和个体工作参数集成的隔离器可以最小化有害的反馈1.5米的单模或保偏光纤，带有FC/APC接头 应用种子激光器激光通信计量非线性倍频用于LIDAR/远程传感系统的激光光源 接下来，Thorlabs将扩展单频激光器产品，以涵盖那些中心输出波长为1064、1310和2000纳米的激光器。 这些单频激光器的光谱特性可以和DFB激光器相提并论，但它们具有更窄的线宽和更高的输出功率。该单频、外控半导体激光器应用了专利的稳频技术，为紧凑的14引脚蝶形封装。这些激光器能兼容任何标准的14引脚激光器二极管安装座，包括Thorlabs的LM14S214引脚蝶形安装座。该单频激光器包含一个集成的热电制冷器、热敏电阻和隔离器，输出尾纤为单模或保偏输出光纤。关于电流和温度控制，SFL系列能兼标准激光二极管驱动器和温度控制器，包括ITC4001和LDC1300B，LDC1300B包含14引脚的蝶形激光二极管安装座。请注意：与DFB激光器不同，SFL系列不是无条件的单频。SFL系列激光器设计能够在一些工作电流和温度范围内提供高功率、单频工作，而在其他一些电流和温度组合条件下表现出多模的工作特性。为了帮助用户选择合适工作条件的激光器，我们随每个激光器提供了一份数据表，其中包含了特定激光器的工作特性和单频区域。 SFL1550S/SFL1550PSFL1620S/SFL1620P MinTypicalMaxMinTypicalMaxWavelength (nm)1549.515501550.51619.516201620.5Power (mW)2540-2540-Linewidth (kHz)-50100-50100电光调制器Thorlabs有自由空间振幅和相位调制器以及基于光纤的强度和相位调制器。自由空间电光调制器 相位和强度调制器 模拟调制器 相位调制器

二维视觉显微应变测量系统是一看基于单目二维DIC技术的非接触式应变仪，通过高精度的体式显微镜或金相显微镜，配合原位加载台或冷热台，可实现微米级微观试样加载过程的图像采集，系统软件完成对图像的计算，并实时输出测量的变形结果。应用领域：测量微小试样的二维应变，适用于生物材料、半导体材料、电子产品、碳纤维材料和零件的抗拉、抗压、抗弯、受热变形等领域。产品优势：非接触式测量；全场测量；配置水平激光自动对焦模组，拍摄过程无需反复调焦；不受温度限制，可实现高低温状态下测量，可测量范围-190℃至600℃；不受应变范围限制，可测量应变范围：0.005%-2000%；不受试样形状限制，板状、棒状、片状、线状、薄膜；不受应变方向限制，可同时实现多个方向的变形和应变测量技术参数：

台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH用于超刻蚀二维材料与样品表面处理的等离子体刻蚀系统，诺奖团队都在用！石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前维纳加工中常用的蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology 推出了台式超二维材料等离子软刻蚀系统 - nanoETCH。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，此外还可对石墨基材等进行表面处理。

尾纤半导体激光器 新势力光电供应尾纤半导体激光器，基于Cobolt THCure(高温固化)专利技术，将光纤固化于高性能的半导体激光器。该系列尾纤半导体激光器具有结构紧凑、性能稳定的特点，广泛应用于OEM系统集成和科学研究。针对光纤类型、接头形式、光纤长度，可以提供定制服务。此外，新势力光电供应Cobolt公司的单纵模激光器、单频激光器、尾纤激光器。Cobolt单纵模激光器：Cobolt单频激光器：Cobolt尾纤激光器：ModelFiber Pigtailed Diode Laser ModulesFiber type1m SM/PM fiber, fiber type 3mm jacketingN.A.0.09Output connectorFC/APC non-collimated (customizations available for OEM)Wavelength [nm]640660Wavelength precision± 5nmMax. power [mW] out of fiber75Spatial modeTEM00, M2=1.1Mode field diameter (MFD)4.5&mu mNoice, 250Hz-2MHz (rms) 0.2%Power stability over 8 hours 0.5%Spectral linewidth (FWHM) 1.2nmPolarization ratio 1:100ModulationDigital modulation　bandwidthDC-150MHzextinction ratio10,000:1rise/fall time2.5nsAnalogue modulation　bandwidthDC-2MHzextinction ratio10,000:1rise/fall time200nsRemote ON-OFF　frequencyDC-500KHzextinction ratio1:infrise/fall time 500nsMaximum base plate temperature50℃Total system power consumption10WCommunicationRS-232 and USBModel number structureWavel-06-03-pwr-100 (CDRH: Control box with key-switch included)Wavel-06-03-pwr-200 (OEM: Auto-start mode)Warranty12 monthsOptions and AccessoriesControl box with key-switch for CDRH operation相关商品 半导体激光器 单频激光器 单纵模激光器 尾纤激光器

总览光子晶体面发射激光器（PCSEL）是新一代高功率半导体激光器，他们利用二维光栅结构线性和正交地散射光。这使得 PCSEL 成为唯1一种反馈在平面内而光发射在平面外的激光器，从激光器的顶面发出。具有单模操作、极低发散角，高功率输出，高光束质量等优势。目前在激光雷达、空间通讯、传感和激光加工等领域有着重要的应用前景。平面外、正交、表面发射为激光器提供了巨大的成本优势，因为它使它们易于封装并集成到 PCB 和电子组件中。我们的 2D 光栅结构（光子晶体）启用并稳定平面外发射，从而产生反馈和单模发射。与同等的 EEL 或 VCSEL 相比，PCSEL 结构在数据速率、波长和功率性能方面具有优势。我们提供的的 PCSEL 成本低、产量高结构坚固，波长范围广且功率高。我们的 PCSEL 具有 EEL 和VCSEL的速度性能，而它们的测试和封装成本是EEL的 50%，并且它们提供的功率是 VCSEL 的10倍以上。 与FP,DFB等半导体激光器相比PCSEL 是唯1使用面内反馈和面外表面发射的激光器。与 VCSEL 一样，测试和封装仍然更便宜，但与同等尺寸的 EEL 或 VCSEL 相比，PCSEL 结构在数据速率、波长和功率性能方面具有优势。940nm 高亮度 PCSEL二极管 可达10W,940nm 高亮度 PCSEL二极管 可达10W通用参数提供样品可根据材料转让协议 (MTA) 提供以下研发样品。 请使用电子邮件进行咨询高亮度PCSEL二极管根据 MTA 合同，我们将提供激光面积为 500μmΦ 的研发样品，可实现 10W 级（或更高）输出功率（脉冲操作）和窄光束发散角（~0.1°，FWHM）。我们还可以为 PCSEL 提供更大的面积，以实现更高的输出和更窄的发散。 请与我们联系。一, 高亮度PCSEL二极管规格表（研发样品）外观Φ5.6mm CAN封装特点室内温度脉冲操作（典型宽度：20ns，持续时间：1kHz）(ns~数百ns的脉宽都适用)项目值操作电流15A输出功率10W发射区0.5mmΦ波长(10mW时)峰值940nmFWHM0.1nm以下发散角(10mW时)FWHMx0.15°以下y0.15°以下1/e2x0.20°以下y0.20°以下二,光束扫描 PCSEL根据 MTA 合同，我们可以提供具有基于双调制 PCSEL 技术的光束扫描功能的研发样品。 关于阵列结构的布置以及发射什么样的光束，我们将与您协商。

面向半导体晶圆检测的光谱测试系统 荧光测试荧光光谱的峰值波长、光谱半宽、积分光强、峰强度、荧光寿命与电子/空穴多种形式的辐射复合相关，杂质或缺陷浓度、组分等密切相关膜厚&反射率&翘曲度通过白光干涉技术测量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翘曲度荧光光谱系统特点面向半导体晶圆检测的光谱测试系统光路结构示意图自动扫描台：兼容2寸、4寸、8寸晶圆可升级紫外测量模块、翘曲度测量模块侧面收集模组：用于AlGaN样品（发光波段200-380 nm），因为AlGaN轻重空穴带反转使其荧光发光角度为侧面出光，因此需要特殊设计的侧面收光模块。翘曲度测量模块翘曲度测量模块集成在显微镜模组中，利用晶圆表面反射回的375nm激光，利用离焦量补偿实现表面高度的测量，对晶圆片的高度扫描后获得晶圆形貌，从而计算翘曲度的数值。该模块不仅可以测量晶圆的形貌和翘曲度，同时还可以起到激光自动对焦的作用，使得晶圆片大范围移动时，用于激发荧光的激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。物镜5xNA=0.2820xNA=0.40100xNA=0.8离焦量z分辨率 1 μm 0.5 μm 0.06 μm激光光斑尺寸（焦点处）~2 μm~2 μm~1 μm测量时间（刷新频率） 20 ms(50 Hz），可调节最高100 Hz紫外测量模块紫外测量模块的功能主要由集成在显微镜模组中的5x紫外物镜和侧面收集模块实现。可选择213nm或266nm的激光进行激发，聚焦光斑约10微米，可选择通过该物镜收集正面发射的荧光，通过单色仪入口1进行收集和测量。针对AlGaN的发光波段（200-380nm），尤其是Al组分较大（70%）的AlGaN由于轻重空穴带反转，其荧光发光角度为侧面出光，因此设置侧面收集模组，将侧面发出的荧光通过一个单独倾斜60度角的物镜收集后，通过光纤传入单色仪入口2进行收集和测量。可通过翘曲度模块对晶圆片形貌进行测量后，再进行紫外荧光测量时，根据记录的形貌高度，Z轴移动实现晶圆片高度方向的离焦量补偿，使得晶圆片大范围移动时，激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。软件界面晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应用案例6英寸AlGaN晶圆测试随着AlGaN中Al所占比例的增加，可看到发光峰位出现了蓝移，当Al的含量占到70%的时候，峰位已经蓝移至238nm。对AlGaN晶圆进行Al组分比例面扫描，可以看到晶圆中Al的组分分布情况。MicroLED微区PL荧光光谱MappingMicroLED微盘，直径40微米。图（A）：荧光PL Mapping图像，成像区域45×45微米；图（B）：图（A）所示红线，m0-m11点，典型荧光光谱。MicroLED微盘的荧光强度3D成像 2英寸绿光InGaN晶圆荧光光谱测试从InGaN的峰强分布来看，在晶圆上峰强分布非常不均匀，最强发光大约位于P2点附近，而有些位置几乎不发光。发光峰位在500-530nm之间，分布也很不均匀。波长在510nm（P2位置）发光最强。波长越靠近530nm（P1位置），发光越弱。2英寸绿光InGaN晶圆荧光寿命测试从以上荧光寿命成像得到，绿光InGaN荧光寿命在4ns-12ns之间。沿着P1-P3白线，荧光寿命减小。从晶圆上分布看，荧光寿命与荧光强度成像的趋势大致相符，而且峰位有明显关联。即沿着峰位蓝移方向（蓝移至500nm），荧光发光强度增强而且寿命增加，说明辐射复合占据主要比例。而沿着峰位红移的方向（蓝移至530nm），发光强度减弱，同时寿命减小，说明非辐射复合占据主要比例。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统性能参数：荧光激发和收集模块激光波长213/266/375 nm激光功率213nm激光器，峰值功率＞2.5kw@1KHZ，266nm激光器，输出功率2-12mw可调自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米 显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 近紫外物镜，100X/20X，用于375nm激光器,波长范围355-700 nm&bull 紫外物镜, 5X,用于213 nm/266nm的紫外激发, 200-700 nm 样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。 样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片 光谱仪探测器 光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，可接面阵探测器。&bull 光谱分辨率：优于0.2nm@1200g/mm 可升级模块翘曲度测量模块重复测量外延片统计结果的翘曲度偏差±5um紫外测量模块5X紫外物镜，波长范围200-700 nm。应用于213 nm、266nm的紫外激发和侧面收集实现AlGaN紫外荧光的测量膜厚测试模块重复测量外延片Mapping统计结果的膜厚偏差±0.1um荧光寿命测试模块荧光寿命测试精度8 ps，测试范围50 ps-1 ms软件控制软件可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高、半高宽等进行拟合。&bull 可计算荧光寿命、薄膜厚度、翘曲度等。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统仪器订购样品委托测试

高电压大电流功率半导体器件测试系统解决方案 为应对各行各业对功率器件的测试需求，武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的功率半导体器件测试系统，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。系统采用模块化集成的设计结构，为用户后续灵活添加或升级测量模块提供了极大便捷和优性价比，提高测试效率以及产线UPH。 功率半导体器件测试系统支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在从测量设置和执行到结果分析和数据管理的整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。 功率半导体器件测试系统主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA漏电流；集电极-发射极，Z大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；Z高支持 3500V(可扩展至10kV)电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率Z高支持1MHz，可灵活选配。 系统优势/Feature PART 01 IGBT等大功率器件由于其功率特点极易产生大量热量，施加应力时间长，温度迅速上升，严重时会使器件损坏，且不符合器件工作特性。普赛斯高压模块建立的时间小于5ms，在测试过程中能够减少待测物加电时间的发热。 PART 02 高压下漏电流的测试能力，测试覆盖率优于国际品牌。市面上绝大多数器件的规格书显示，小模块在高温测试时漏电流一般大于5mA，而车规级三相半桥高温下漏电大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3规格书为例：3300V，125℃测试条件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普赛斯静态系统高压模块测试几乎可以W美应对所有类型器件的漏电流测试需求。PART 03 此外，VCE(sat)测试是表征 IGBT 导通功耗的主要参数，对开关功耗也有一定的影响。需要使用高速窄脉冲电流源，脉冲上升沿速度要足够快时才能减小器件发热，同时设备需要有同步采样电压功能。 IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确。下图为 1000A 波形： PART 04 快速灵活的客制化夹具解决方案：强大的测试夹具解决方案对于保证操作人员安全和支持各种功率器件封装类型极为重要。不论器件的大小或形状如何，普赛斯均可以快速响应用户需求，提供灵活的客制化夹具方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试。 结束语 功率半导体器件测试系统作为J端产品，以往在国际市场上只被少数企业掌握。全球半导体产业的发展以及先进半导体制造设备保有国出口管制的升级，对国产设备厂家来说既是挑战也是机遇。未来，武汉普赛斯将充分发挥自身的技术和创新优势，持续推动J端产品落地应用，真正做到以技术创造更多价值

NS-XY25-01是一款高精度二维纳米定位平台，提供集成的XY两维运动控制。闭环行程可达25x25μm，闭环分辨率 0.1/0.1nm。典型应用&bull 光学对准 &bull 显微成像&bull 半导体加工 &bull 表面检测&bull 高密度存储

产品简介“半导体恒温箱”是专门为高低温环境提供高精度和高稳定度的温控产品。平台采用半导体TEC作为控温器件，半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无污染、既可制冷又可加热等特点，是可持续发展的绿色产品。产品智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。产品配置完善、性能稳定、性价比高，在国内外同类产品中处于先进地位。非常适合对温度的精度和稳定度要求高的各类厂家、公司、大学、科研机构、个人等。应用方向 实验、科研温度控制高低温实验等液体 控温（特殊定制）非标定制 产品选型表 产品尺寸图

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

该测试方案可适用于多数半导体器件的测试，以五种器件为例：场效应晶体管式传感器、电阻型二极管式传感器、电阻式存储器、生物器件脉冲式和电容测试。其他要求为系统漏电小于10-13（100fA）。测试需求整体可以归纳为微纳传感器件的IV、脉冲IV 和CV测试，漏电需求为100fA。整体系统组成为微纳器件测试探针台和半导体参数分析仪。可测器件器件1：场效应晶体管式传感器器件2：电阻型二极管式传感器器件3：电阻式存储器器件4：脉冲式（输入脉冲电压，测量电流值）器件5：电容测试欢迎与我司联系了解详情，可按需定制系统。

半导体参数分析仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。产品特点：30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高，全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；典型应用：纳米、柔性等材料特性分析；二极管；MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；第三代半导体材料/器件；有机OFET器件；LED、OLED、光电器件；半导体电阻式等传感器；EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；电阻率系数和霍尔效应测量；太阳能电池；非易失性存储设备；失效分析；系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成：低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试 也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

美墨尔特 Memmert 半导体制冷的低温培养箱I半导体制冷的低温培养箱IPPeco加热-制冷技术采用新 一代Peltier温控模块，实现日臻完善的升温-制冷。Memmert的 IPPeco低温培养箱不仅能保护环境，与传统的压缩机制冷技术 相比能节约90%的能耗。Memmert的IPPeco低温培养箱结构紧 凑，精确度高，低振动，低噪音，非常环保；它只有在加热和 制冷的过程中需要能耗，加热和制冷功能可以精确地控制。产品型号：IPP系列：30/55IPPeco系列：110/260/400/750/1060/1400/2200 0 °C ~ +70 °C安静-无振动：事实上，没有任何压缩机可以节约空间并且带给实验室一个安静的环境。半导 体制冷的培养箱IPPeco几乎没有振动，它还可以应用在昆虫学的试验。如果湿度是必须要的，那么我们Memmert另外一种半导体技术的HPPeco（恒温恒湿 箱）将会满足您的要求。内部不存在冷凝水：由于封闭的半导体制冷系统，与外界没有空气交换。制冷过程中物理上无法避免的冷 凝水出现在箱体外部的制冷元件上，而不是在箱体内部。另外，强制的空气对流确保 快速的能量传递，使得箱体内温度分布最优化。结合了加热-制冷的半导体技术：半导体系统在接近室温的温度下工作时特别经济。不同于压缩机系统，它只有在加热 和制冷的时候需要能量。加热和制冷功能可以精确地调节。

快速检测，快速行动微电子和半导体检查系统 DM3 XL检测速度在微电子和半导体行业的检查、过程控制或缺陷和故障分析中至关重要。您发现缺陷的速度越快，您可以做出更快的反应。大视野——视野增加30％DM3 XL检测系统视野开阔，可让您的团队更快地发现缺陷并提高合格率。利用独特的宏观物镜增加的30％视野。 视野更大，效率更高看到更多意味着更快地工作。为了快速扫描6英寸以下的大型组件，DM3 XL提供了独特的微距物镜。放大倍数为0.7倍，它可以立即捕获35.7毫米的视场-比其他常规扫描物镜大30％。有了宏观目标，缺陷就没有机会了：提高产量可靠地检测到晶圆边缘或中心的显影不足检测不均匀的径向膜厚度 LED适用于所有对比方法DM3 XL将LED照明用于所有对比方法。LED照明提供恒定的色温，并提供所有强度级别的真实彩色成像。 在所有强度级别上逼真的彩色成像免调整无需更换灯泡-无需停机可重复的结果由于使用寿命长且功耗低，LED还具有巨大的成本节省潜力。 光学高性能使用DM3 XL，您可以以可承受的价格享受卓越的光学效果。用倾斜照明检查侧面，边缘或碎片：从不同角度照亮样品，这是可视化地形图的简便有效方法。通过深入的暗场对比度检测样品下层中的微小划痕或小颗粒。灵敏度和分辨率的急剧提高会让您震惊。 各种样品–可变台插入无论您要检查哪种样品大小和样品类型，都可以从各种载物台中进行选择：载物台尺寸：150毫米x 150毫米舞台插件：金属插件，晶圆支架或掩模支架快速粗台或精台定位 舒适直观地工作彩色编码膜片助手（CCDA）简化了分辨率，对比度和景深的基本设置，有助于加快工作速度并减少操作错误。简单直观的功能使您的团队可以更快地提供可靠的结果。借助易于触及的控件，可在切换对比度或照明时将手放在显微镜上，将眼睛放在样品上用右手轻松操作光强度控制器使用可变的ErgoTubes和聚焦旋钮将显微镜调整到不同的身高

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在半导体制造行业中，PFA接头T-BOX二级防漏箱设计的重要性不言而喻。为了进一步提升设备的可靠性和稳定性，我们需要深入探讨这一设计的优化和改进。　　首先，我们需要考虑的是PFA接头的材料选择。PFA是一种全氟烷氧基聚合物，具有出色的耐腐蚀性和耐高温性，是半导体制造设备配件的理想材料。然而，随着技术的进步和工艺的发展，我们需要寻找性能更优越、成本更低廉的替代材料，以满足更高的生产需求。　　其次，T-BOX二级防漏箱设计需要更加精细和严密。现有的设计虽然已经在一定程度上实现了防漏功能，但在某些极端条件下仍可能出现泄漏。因此，我们需要通过改进设计、优化结构，提高T-BOX的密封性和耐用性。例如，可以采用更先进的密封技术，如焊接密封、压紧密封等，以确保接头在各种工况下都能保持良好的密封性能。　　此外，我们还需要关注PFA接头T-BOX的维护和保养。设备在使用过程中难免会出现磨损和老化，因此定期的检查和保养至关重要。我们可以制定详细的维护和保养计划，对PFA接头T-BOX进行定期检查和更换，以延长其使用寿命并确保设备的正常运行。　　总之，半导体制造设备配件PFA接头T-BOX二级防漏箱设计的优化和改进是一个持续的过程。我们需要不断探索新的材料、技术和方法，以提高设备的性能和可靠性，为半导体制造行业的发展贡献力量。

半导体激光模块 新势力光电供应半导体激光模块，波长：405nm、445nm、635nm/638nm、650nm。该系列半导体激光器具有效率高、可靠性好、结构紧凑、寿命长、免维护的特点，广泛应用于：生物医疗、数据存储、材料检测、科学研究、OEM系统集成。ModelLDM-405LDM-445LDM-635/638LDM-650Wavelength405± 5nm445± 5nm635± 5nm650± 5nmSpatial modeNear TEM00Near TEM00MultimodeMultimodeOutput power10, 20, ..., 200mW100, 200, 500, 1000mW200, 500, 800mW250, 500, 900mWHigher power could be available upon requestOperation modeCW or ModulationBeam diameter (1/e2)4.0mm2x4mm4.0mm5.0mmBeam divergence0.5mrad3x0.5mrad2mrad1.5 or 3mradPower stability3% per 4 hrs3% per 4 hrs3% per 2 hrs3% per 2 hrsWarm up time2minsOperating temp.20-30℃Storage temp.10-50℃Lifetime10000 hours10000 hours5000 hours5000 hours相关商品半导体激光二极管 光纤耦合激光二极管 皮秒半导体激光器 DPSS激光器

石墨烯/二维材料电学性质非接触快速测量系统西班牙Das Nano公司成立于2012年，是一家提供高安全别打印设备，太赫兹无损检测设备以及个人身份安全验证设备的高科技公司。ONYX是其在全球范围内推出的一款针对石墨烯、半导体薄膜和其他二维材料大面积太赫兹无损表征的测量设备。ONYX采用先进的脉冲太赫兹时域光谱技术，实现了从科研及到工业的大面积石墨烯及二维材料的无损和高分辨，快速的电学性质测量，为石墨烯和二维材料科研和产业化研究提供了强大的支持。与传统四探针测量法相比，ONYX无损测量样品质量空间分布与拉曼，AFM，SEM相比，ONYX能够快速表征超大面积样品背景介绍太赫兹辐射( T射线)通常指的是频率在0. 1～10THz、波长在30μm-3mm之间的电磁波，其波段在微波和红外之间，属于远红外和亚毫米波范畴。该频段是宏观经典理论向微观量子理论的过度区，也是电子学向光子学的过渡区。在20世纪80年代中期以前，由于缺乏有效的产生方法和探测手段，科学家对于该波段电磁辐射性质的了解和研究非常有限，在相当长的一段时期,很少有人问津。电磁波谱中的这一波段(如下图) ，以至于形成远红外和亚毫米波空白区,也就是太赫兹空白区（THz gap）。太赫兹波段显著的特点是能够穿透大多数介电材料（如塑料、陶瓷、药品、缘体、纺织品或木材），这为无损检测（NDT）开辟了一个可能的新。同时，许多材料在太赫兹频率上呈现出可识别的频率指纹特性，使得太赫兹波段能够实现对许多材料的定性和定量研究。太赫兹波的这两个特性结合在一起，使其成为一种全新的材料研究手段。而且其光子能量低，不会引起电离，可以做到真正的无损检测。 ONYX工作原理 ONYX是一套实现石墨烯、半导体薄膜和其他二维材料全面积无损表征的测量系统，能够满足测试面积从科研（mm2）到晶元（cm2）以及工业（m2）的不同要求。与其他大面积样品的测量方法（如四探针法）相比，ONYX能够直观得到样品导电性能的空间分布。与拉曼、扫描电镜和透射电镜等微观方法相比，微米的空间分辨率能够实现对大面积样品的快速表征。ONYX采用先进的脉冲太赫兹时域光谱THz-TDS技术，产生皮秒量的短脉太赫兹冲辐射。穿透性强的太赫兹辐射穿透进样品达到各个界面，均会产生一个小反射波可以被探测器捕获，获得太赫兹脉冲的电场强度的时域波形。对太赫兹时域波形进行傅里叶变换,就可以得到太赫兹脉冲的频谱。分别测量通过试样前后(或直接从试样激发的)太赫兹脉冲波形,并对其频谱进行分析和处理,就可获得被测样品介电常数，吸收吸收以及载流子浓度等物理信息。再利用步进电机完成其扫描成像，得到其二维的电学测量结果。ONYX主要参数及特点样品大小: 10x10mm-200x200mm 全面的电导率和电阻率分析样品100%全覆盖测量高分辨率：50μm完全非接触无损无需样品制备载流子迁移率, 散射时间, 浓度分析 可定制样品测量面积(m2量)超快测量速度： 12cm2/min软件功能丰富，界面友好全自动操作图1 太赫兹光谱范围及信噪比ONYX主要功能→ 直流电导率（σDC）→ 载流子迁移率, μdrift→ 直流电阻率, RDC→ 载流子浓度, Ns→ 载流子散射时间，τsc→ 表面均匀性ONYX应用方向石墨烯材料：→ 单层/多层石墨烯 → 石墨烯溶液→ 掺杂石墨烯→ 石墨烯粉末→ 氧化石墨烯→ SiC外延石墨烯其他二维材料： → PEDOT→ Carbon Nanotubes→ ITO→ NbC→ IZO→ ALD-ZnO石墨烯光伏薄膜材料半导体薄膜电子器件PEDOT钨纳米线GaN颗粒Ag 纳米线ONYX测试数据1. 10x10mm CVD制备的石墨烯在不同分辨率下的电导率结果 2.10 x10mm CVD制备的石墨烯不同电学参数测量结果 3.利用ONYX测量ALD沉积在硅基底上的TiN电导率测量结果 应用案例■ 全球《石墨烯电学测量方法标准化指导手册》近期，欧洲计量创新与研究计划（EMPIR）的项目 “GRACE-石墨烯电学特性测量的新方法”发布了全球关于石墨烯电学特性测量方法的标准化指导手册。“GRACE-石墨烯电学特性测量新方法”项目是由英国实验室(NPL)主导，与意大利计量研究所、西班牙Das-nano 公司等合作，旨在开发石墨烯电学特性的新型测量方法，以及未来石墨烯电学测量的标准化制定。 图一 石墨烯电学测量方法标准化指导手册(发送邮件至info@qd-china.com获取完整版资料) 石墨烯由于其特优异的电学特性，在未来有望成为大规模应用于电子工业及能源领域的新材料。但是，目前受限于：1）如何制备大面积高质量石墨烯，且具有均匀和可重复的电气和电子性能；2）无论是作为科研用的实验样品还是在生产线中的批量化生产，对其电学性质的准确且可重复的表征方法目前尚不完善，缺乏正确实施此类测量方法的指导手册及测量标准。针对目前面临的问题和挑战，EMPIR 的“石墨烯电学特性测量新方法”项目对现有测量方法进行了总结和规范指导，更重要的是开发了石墨烯电学特性的快速高通量，非接触测量的新方法，并用现有技术对其进行了验证，取得了很好的一致性。 西班牙Das-Nano公司参与了“GRACE-石墨烯电学特性测量新方法”项目中基于THz-TDS的全新非接触测量方法的开发及测量标准的制定。基于该技术，Das-Nano推出了一款可以实现大面积（8英寸wafer）石墨烯和其他二维材料的100%全区域无损非接触快速电学测量系统-ONYX。ONYX采用一体化的反射式太赫兹时域光谱技术（THz-TDS）弥补了传统接触测量方法（如四探针法- Four-probe Method，范德堡法-Van Der Pauw和电阻层析成像法-Electrical Resistance Tomography）及显微方法（原子力显微镜-AFM, 共聚焦拉曼-Raman，扫描电子显微镜-SEM以及透射电子显微镜-TEM）之间的不足和空白。ONYX可以快速测量从0.5 mm2到~m2的石墨烯及其他二维材料的电学特性，为科研和工业化提供了一种颠覆性的检测手段[1,2]。更多详细信息请点击：欧洲计量创新与研究计划（EMPIR）发布全球《石墨烯电学测量方法标准化指导手册》参考文献：[1] Cultrera, A., Serazio, D., Zurutuza, A. et al. Mapping the conductivity of graphene with Electrical Resistance Tomography. Sci Rep 9, 10655 (2019).[2] Melios, C., Huang, N., Callegaro, L. et al. Towards standardisation of contact and contactless electrical measurements of CVD graphene at the macro-, micro- and nano-scale. Sci Rep 10, 3223 (2020). ONYX发表文章1. P Bogild et al. Mapping the electrical properties of large-area graphene. 2D Mater. 4 (2017) 042003.2. S Fernández et al. Advanced Graphene-Based Transparent Conductive Electrodes for Photovoltaic Applications. Micromachines 2019, 10, 402.3. David M. A. Mackenzie et al. Quality assessment of terahertz time-domain spectroscopy transmission and reflection modes for graphene conductivity mapping. OPTICS EXPRESS 9220, Vol. 26, No. 7, 2 Apr 2018. 4. A Cultrera et al. Mapping the conductivity of graphene with Electrical Resistance Tomography. Scientific Reports , (2019) 9:10655.ONYX用户单位重要客户合作伙伴参与项目