等离子刻蚀

总部位于德国柏林科技园区的SENTECH仪器公司，已成为光伏生产设备世界市场之 一.我们是一家快速发展的中型公司，拥有60多名员工，他们是我们有价值的资产我们団 队的每个成员都为公司的成功做出贡献，我们总是在寻找与我们志同道合的新工作伙伴，我 们诚挚期待您的加入。 等离子刻蚀设备ICP-RIE等离子刻蚀机SI500产品介绍高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子； 能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻: 蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度: 范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子；刻蚀（硅，III-V族半导体，MEMS）可: 采用低温工艺和室温下的气体切换工艺: 来实现。 特点*低损伤刻蚀 ?高速刻蚀*自主研发的ICP等离子源*动态温度控制 RIE等离子刻蚀机Etchlab 200产品介绍：经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200具备 低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接 放置样片。EtchLab 200允许通过载片 器，实现多片工艺样品的快速装载，也可 以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小， 模块化和灵活性等设计特点. 特点*低成本效益高*升级扩展性*SENTECH控制软件RIE等离子刻蚀机SI 591产品介绍SI 591特别适用于采用氟基和氣基 :气体的工艺，可以通过预真空室和电 :脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。特点工艺灵活性*占地面积小且模块化程度高*SENTECH控制软件

美国Trion Technology等离子刻蚀、等离子刻蚀机反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商，Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积小、成本低而著称，且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备，到简单的实验室研发用系统，尽在Trion等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper 等离子刻蚀机- 低损伤去胶系统新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。等离子刻蚀机刻蚀速率高达6微米/分 高产量等离子损伤低 自动匹配单元适用于100mm 到300mm 基片 设备占地面积小价格具竞争性 等离子刻蚀刻蚀/沉积　Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统包含：等离子刻蚀机、等离子去胶机、RIE等离子刻蚀机、微波等离子去胶机、plasma stripper

Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3” 3x4” 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触，从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而隔绝外部湿气，防止反应室内可能发生的腐蚀。

ICP-RIE等离子刻蚀机SI 500 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不 于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。SI 500： ICP等离子刻蚀机 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C: 等温ICP等离子刻蚀机 带传送腔和预真空室 衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 RUE: RIE等离子刻蚀机 背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案 电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTSA SI 500-300: ICP等离子刻蚀机 带预真空室 适用于300mm晶片

1 产品概述: 高密度等离子刻蚀装置是一种先进的微纳加工设备，它利用高密度等离子体对材料表面进行精细加工。该装置通过特定的气体供给系统、等离子体激发器、反应室、真空系统、加热系统和控制系统等组成部分，实现高密度等离子体的产生和精确控制，从而对材料表面进行高效的刻蚀处理。高密度等离子刻蚀装置具有多种型号和规格，如ICP刻蚀机、ULHITETM NE-7800H等，它们各自具有独特的技术特点和应用领域。2 设备用途：高密度等离子刻蚀装置在多个领域具有广泛的应用，主要包括：半导体制造：在半导体芯片制造过程中，高密度等离子刻蚀装置用于制备多层膜、输送掩模、清除残留物等关键工艺步骤。它能够精确控制刻蚀深度和形状，提高芯片的制造精度和性能。光学器件制造：在光学器件制造中，高密度等离子刻蚀装置用于加工光学薄膜、微透镜阵列等精密结构。其高精度的刻蚀能力能够满足光学器件对表面粗糙度和形状精度的严格要求。生物芯片制造：生物芯片是一种集成了大量生物信息的高密度微阵列芯片，高密度等离子刻蚀装置在生物芯片的制造过程中发挥着重要作用。它可用于加工微通道、微孔等结构，为生物样品的分离、检测和分析提供有力支持。3 设备特点高密度等离子刻蚀装置具有以下几个显著特点：高精度：高密度等离子刻蚀装置能够实现微米甚至纳米级别的刻蚀精度，满足高精度加工的需求。高效率：该装置采用高密度等离子体进行刻蚀，具有较高的刻蚀速率和加工效率，能够缩短生产周期并降低成本。低损伤：高密度等离子刻蚀过程中产生的热量和机械应力较小，对材料表面的损伤较小，有利于保持材料的原有性能。多功能性：高密度等离子刻蚀装置适用于多种材料的加工，包括金属、半导体、氧化物和高分子材料等，具有广泛的应用范围。 4 技术参数和特点：&bull 有磁场ICP（ISM）方式-可产生低圧・ 高密度plasma、为不挥发性材料加工的用设备。&bull 可提供对应从常温到高温（400º C）的层积膜整体刻蚀、硬掩膜去除的刻蚀解决方案。&bull 通过从腔体到排气line、DRP为止的均匀加热来防止沉积物。&bull 该设备采用可降低养护清洗并抑制partical产生的构造和材料及加热机构，是在不挥发性材料的刻蚀方面拥有丰富经验的量产装置。&bull 实现了长期的再现性、安定性

RIE等离子刻蚀机Etchlab 200 低成本效益高RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。 Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。Etchlab 200 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口 选配椭偏仪接口 带预真空室Etchlab 200 带预真空室的RIE刻蚀机 适用于4英寸到8英寸的晶片 小片或碎片的载片器 氯基刻蚀气体 更大的真空泵组 Etchlab 200-300 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于300mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

电容耦合等离子体刻蚀（CCP）设备1. 产品概述：CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中，等离子体中会包含大量的活性粒子，与表面原子产生化学反应，生成可挥发产物后，随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode® Avior® A 在性价比和空间利用率上优点突出，可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。单腔室电容耦合等离子体（CCP）机适用于光刻胶残胶去除（打底膜）、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆2. 系统特性单腔室电容耦合等离子体（CCP）机台适用于光刻胶残胶去除（打底膜）、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆

产品详情Sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统 高产量等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于到200 mm晶片的高产量工艺。 研发三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。 SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。 用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。 高产量的多腔系统ICP-RIE等离子刻蚀腔体可与两个片盒站组合用于200mm晶片的高产量并行工艺。 用于研发的多腔系统ICP-RIE，RIE，PECVD和ICPECVD等腔体可与预真空室，片盒站等组合使用，以满足研发的特殊要求。

Plasma Etcher等离子刻蚀机NPC-4000（M）等离子刻蚀机概述：NANO-MASTER 等离子刻蚀和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。 NPC-4000（M）等离子刻蚀机产品特点紧凑型立式系统手动上下载片不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持5个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-4000（M）等离子刻蚀机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-4000（M）等离子刻蚀机 Features：Stand Alone SystemManual wafer Load/UnloadStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 5 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-4000（M）等离子刻蚀机 Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH用于超刻蚀二维材料与样品表面处理的等离子体刻蚀系统，诺奖团队都在用！石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前维纳加工中常用的蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology 推出了台式超二维材料等离子软刻蚀系统 - nanoETCH。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，此外还可对石墨基材等进行表面处理。

低成本效益高RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性 根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。

Plasma Etcher等离子刻蚀机NPC-3000等离子刻蚀机概述：NANO-MASTER 等离子灰化和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。 NPC-3000等离子刻蚀机产品特点台式系不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持4个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀 带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁 NPC-3000等离子刻蚀机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-3000等离子刻蚀机Features：Table Top or Stand Alone SystemStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 4 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFullySafety InterlockedNPC-3000等离子刻蚀机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

Plasma Etcher等离子刻蚀机NPC-3500（M）等离子刻蚀机概述：NANO-MASTER 等离子灰化和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。 NPC-3500（M）等离子刻蚀机产品特点紧凑型立式系统不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持4个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀 带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁 NPC-3000（M）等离子刻蚀机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-3000（M）等离子刻蚀机Features：Stand Alone SystemStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 4 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-3500（M）等离子刻蚀机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

RIE等离子刻蚀机SI 591 工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 591 compact 占地面积小的RIE等离子刻蚀 预真空室 卤素和氟基气体 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

产品详情SENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机 SI 591特别适用于采用氟基和氯基气体的工艺，可以通过预真空室和电脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。 工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺 占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。 SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。 位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。 SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 591 compact 可配置为至多6端口传输结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体手动预真空室置片或片盒装载用于研发和高产量的多腔系统SENTECH控制软件 SI 591 cluster可配置为至多6端口传输结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体手动预真空室置片或片盒装载用于研发和高产量的多腔系统SENTECH控制软件

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

产品详情德国Sentech等离子刻蚀机ICP-RIE SI 500 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。 自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。 动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 SI 500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 IRE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS SI 500-300ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片

1. 产品概述PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场域。高刻蚀速率和高选择性低损伤刻蚀和高可重复性加工单晶圆装载锁定或可与多达5个工艺模块集群He背面冷却，以实现佳温度控制宽温度范围电，-150°C至400°C与所有大尺寸为200毫米的晶圆兼容晶圆尺寸之间的快速转换原位腔室清洁和终点控制功能2. 特色参数PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场域。晶圆尺寸：大可达200mmICP源尺寸可选：65mm和300mm温度范围：从-150°C到400°C集群：多达5个模块，包括 ALD、PECVD、离子束刻蚀和离子束沉积等技术

德国Sentech 集成多腔等离子刻蚀和沉积机 高产量等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于到200 mm晶片的高产量工艺。 研发三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。 SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。 用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。 高产量的多腔系统ICP-RIE等离子刻蚀腔体可与两个片盒站组合用于200mm晶片的高产量并行工艺。 用于研发的多腔系统ICP-RIE，RIE，PECVD和ICPECVD等腔体可与预真空室，片盒站等组合使用，以满足研发的特殊要求。

ICP-RIE感应耦合等离子刻蚀 SI 500SI 500是高刻蚀速率、低损伤刻蚀设备，特别针对III-V半导体和微光学应用 主要特点: 高速率刻蚀 低损伤 高深宽比 高一致性 平板三螺旋天线式PTSA等离子源(P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna 远程控制 应用领域：III-V半导体化合物，微光学，微系统 SENTECH高级等离子设备操作软件 穿墙式安装方式 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统 系统配置: PTSA ICP等离子源 (13.56 MHz, 1200 W)，集成自动匹配网络。 RF偏置(13.56 MHz, 600 W) 循环进气，集成到PTSA源内 高速率真空泵系统，独立气流压强控制

Plasma Etcher等离子刻蚀机NPC-4000（A）全自动等离子刻蚀机概述：NANO-MASTER 等离子刻蚀和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。 NPC-4000（A）全自动等离子刻蚀机产品特点紧凑型立式系统自动上下载片带Load Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持8个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-4000（A）全自动等离子刻蚀机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-4000（A）全自动等离子刻蚀机Features：Stand Alone SystemAuto wafer Load/Unload with load lockStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 8 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-4000（A）全自动等离子刻蚀机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

Plasma Etcher等离子刻蚀机NPC-3500（A）全自动等离子刻蚀机概述：NANO-MASTER 等离子刻蚀和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。 NPC-3500（A）全自动等离子刻蚀机产品特点紧凑型立式系统自动上下载片带Load Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持5个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-3500（A）全自动等离子刻蚀机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-3500（A）全自动等离子刻蚀机Features：Stand Alone SystemAuto wafer Load/Unload with load lockStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 5 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-3500（A）全自动等离子刻蚀机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

台式小型机，PLC人机自动控制，简单易用，适用于实验室及小批量工业生产中材料表面清洗、蚀刻、活化等工艺。提供三种功能配置：1. 常规的等离子清洗和等离子刻蚀2. 反应离子刻蚀（RIE）3. 可转换结构（包含可以进行各向同性和各向异性的等离子工艺）可拆卸的托盘构造。等离子刻蚀机技术参数：设备型号：PE-100腔体尺寸：长方形腔体，长度305 x深度368 x高度305mm；腔体材质：T-6铝合金一体成型；腔体容积：34升；射频电源：13.56MHz；0~300W自动调节；工作压力范围：1-2000 mT；气体流量控制：0-50cc/min带精密针阀；皮拉尼真空计： 0-1Torr；

等离子刻蚀机VP-RS15真空腔体不锈钢材质，功率500W，射频频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于晶圆去胶、煤灰化、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、石墨烯、纤维、硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA刻蚀处理。

德国Sentech 集成多腔等离子刻蚀和沉积机 高产量等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于到200 mm晶片的高产量工艺。 研发三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。 SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。 用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。

8英寸电感耦合等离子体-深硅刻蚀（ICP-DSE）设备1. 详细介绍Pishow® D 系列深刻蚀设备，是针对8英寸~6英寸产线或科研深硅刻蚀工艺的用设备，拥有自主开发的优化设计，保证了优异的刻蚀精度控制和损伤控制。提供Si Bosch工艺的解决方案。该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可帮助不同客户实现产能升。2. 系统特性Pishow® D 系列是采用深硅刻蚀技术的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备提供Bosch解决方案，实现对Si的高深宽比刻蚀优化的气柜设计，缩短进气距离，短工艺切换时间小于1.0Pishow® D 系列可选择8~4英寸晶圆，提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式

产品详情Oxford System 100 等离子刻蚀与沉积设备 该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，详情如下。主要特点 可处理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）预制和试生产的能力 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-150 ° C至700° C 用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制 选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备工艺一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子： 低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术 用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等） GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，比如HBLED和其它功率器件的刻蚀 高品质，高速率SiO2沉积，应用于光子器件 金属（Nb, W）刻蚀

日本Ulvac干法等离子刻蚀装置NE-550Z装置外观功能NE-550Z是高真空load-lock式干法等离子刻蚀装置，适用于半导体材料、金属材料等的精细刻蚀装置发展历史-安定性好NE装置发展简史.装置运行历史长，安全稳定性值得信赖.NE-550系统特徵一览装置优势性能-1-省空间占地面积：占地面积小，含操作维护空间3700x700mm装置优势性能-2-C室可减配/适应不同需求搬运方式：装置集成化设计，搬运省时便捷装置优势性能-3-ISM等离子体性能装置优势性能-4-压片方式 (ESC)Substrate Chuck System and Shield(ESC)?基板与电极接触更好?基板冷却更均匀?基板工艺面全覆盖?简化流程效率更高?耗材少故障率低装置优势性能-4-压片方式(机械式)Substrate Chuck System and Shield (Mechanical chuck)适用于Φ230mm 托盘装置优势性能-5-等离子体覆盖面积广Star 电极可以扩大放电范围，在 干法cleaning时，增加清洗范围， 增强清洁效果。装置优势性能-6-基板尺寸兼容好基板兼容性：可通过更换ESC电极，兼容各尺寸基板装置优势性能-7-操作方便操作：ULVAC onboard! PLC control+PC interface.装置优势性能-8-对话界面简洁对话界面：english通用版、简洁易识别。装置所有机构界面上都有显示，也可以操格。装置优势性能-9-工艺菜单编辑简单工艺莱单编辑界面：english版，操作简单易识别。装置优势性能-10-log 功能数据Log:PC保存，可以导出Excel格式，便于分析装置优势性能-11-综合性能对比Dry Etch System for Institute and other small batch production equipment装置施设参数设施要求：点击查看详细

Pishow® A 系列8英寸电感耦合等离子体刻蚀（ICP）设备 1. 详细介绍ICP是一种加工微纳结构的等离子刻蚀技术。具有刻蚀快、选择比高、各项异性高、刻蚀损伤小、均匀性好、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点。目被广泛应用于Si、SiO2、SiNx、金属、III-V族化合物等材料的刻蚀。可应用于大规模集成电路、MEMS、光波导、光电子器件等域中各种微结构的制作。2. 系统特性拥有多种材料刻蚀解决方案，包括硅基材料、金属、III-V和其他化合物半导体可提供高低温（-10℃至+150℃）工艺模式可提供ALE解决方案，实现对刻蚀速率和均匀性的高精度控制具备Bosch工艺能力，可提供高深宽比硅深槽或深孔刻蚀解决方案适用于8英寸晶圆，并可向下兼容，提供单腔式和多腔式等多种腔室搭配方式

LAUDA Semistat 温度控制系统，通过对静电卡盘 (ESC，E-chuck) 的动态温度控制，为等离子刻蚀应用提供稳定的温度控制。LAUDA Semistat 基于 Peltier 元件传热理论设计，与传统压缩机系统相比，可以节省高达90%的能耗。体积小，占地空间少，可选择安装在地板下的夹层中，节省洁净室空间。LAUDA Semistat 可以快速和精准地将过程温度控制在 ±0.1 K，从而提高晶圆间均质性。产品特点：无压缩机和制冷剂的低能耗系统，运行安静、振动小带清洁干燥空气 (CDA) 吹扫接口，可防止冷凝水产生结构紧凑，重量轻，占地面积小，非常适合安装于地板之下导热液体用量极少无需过滤器或 DI 组件水冷型典型应用：在半导体生产中，等离子蚀刻是工艺链的核心部分，有干法蚀刻和湿法蚀刻之分。在干法蚀刻中，半导体板（晶片）在真空蚀刻室中进行等离子处理。等离子体中的离子轰击晶片，从而使材料脱离。例如，硅晶片上的氧化层可以用这种方法去除，然后涂上掺杂层（添加了外来原子，因此具有一定的导电性）。等离子体的温度会影响蚀刻的速度和效率。如果温度过低，等离子体就不够活跃，无法有效地烧蚀材料。如果温度过高，材料可能会被过度烧蚀，导致误差和损坏。因此，在半导体生产中，对等离子体温度进行最精确的控制非常重要，因为晶片的加工范围在微米和纳米之间。即使温度发生微小变化，也会导致蚀刻结构的尺寸和形状发生显著变化。LAUDA Semistat 可以为干法蚀刻这一敏感工艺提供专门的温度控制解决方案。产品参数：工作温度范围 -20℃ ... 90 °C温度稳定性 0.1 °C加热器功率最小 6 kW最小填充容量 1.25 L最大填充容量 1.6 L外形尺寸（宽 x 深 x 高） 116 x 300 x 560 mm重量 25 kg 冷却功率输出根据不同的工艺温度和冷却水流量同系列其他型号