材料与器件

仪器信息网讯 光电材料是目前半导体行业的研究热点之一，其包含了较多的研究方向，主要有有机光电材料和无机光电材料两方面。有机光电材料中目前热门的是有机太阳能电池，而无机光电材料中则是钙钛矿太阳能电池。前者由于设计性高，质量轻，可大面积制造等优点一直受到科研人员的广泛青睐，近年来发展也非常迅速。后者因其优异的光电转换效率可媲美硅基太阳能电池，所以一直是《Nature》、《Science》等世界顶级期刊中的常客。仪器信息网将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议，会议分设光电材料与器件研究与应用、第三代半导体研究与检测技术、传感器与半导体产业配套材料研究与检测技术三个专场。邀请半导体领域相关研究、应用与检测专家、知名仪器企业技术代表，以线上分享报告、在线与网友交流互动形式，为同行搭建公益学习互动平台，增进学术交流。为回馈线上参会网的支持，增进会议线上交流互动，会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节，欢迎大家报名参会。同时，只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》（独家首发）一本，报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期，还有部分赞助厂商将抽取幸运观众，邮寄企业周边产品。（兑奖方式见文末）本次会议免费参会，报名链接：https://insevent.instrument.com.cn/t/5ia或扫描二维码报名光电材料与器件研究与应用专场会议日程：时间报告题目演讲嘉宾专场1：光电材料与器件研究与应用（12月20日）9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond苏思伟（Waters -TA部门 TA仪器热分析高级技术专家）10:30牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用王汉霄 (牛津仪器科技（上海）有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)直播抽奖：神秘奖品+红包13:30半导体材料发展与机遇慕容素娟（大话芯片 总编）14:00GaN光电器件现有应用及未来发展方向张星星（江西兆驰半导体有限公司 芯片研发经理）14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技（中国）有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静（北京理工大学 特别副研究员）15:30低维钙钛矿发光材料与器件张晓宇（吉林大学 副教授）直播抽奖：神秘奖品+红包嘉宾介绍:北京大学教授 肖立新肖立新，日本东京大学博士毕业，现为北京大学物理学院教授，博士生导师。英国皇家化学学会会士，中国材料学会太阳能分会秘书长、 国际信息显示学会(SID) 中国北区执委会学术副主席。研究方向：有机光电子学，长期从事光电功能材料及器件方面的研究，如有机发光材料及其器件，光伏材料及其器件物理等。研究成果：主持过多次国家自然科学基金，承担973项目子课题。已发表论文150余篇及申请专利共30余件，SCI他引4500余次，入选2020全球前2%顶尖科学家“年度影响力”榜单。编著《钙钛矿太阳能电池》（第一、二版），译著《有机电致发光-从材料到器件》，参与编著《锂离子电池》。2015年度教育部自然科学一等奖（第一完成人，高效有机蓝光材料及其介观结构发光器件研究）。【摘要】铅基钙钛矿的毒性阻碍了其在光电子学中的广泛应用。由于载流子寿命长和稳定性好，无铅钙钛矿Cs2AgBiBr6被认为是一种很有前途的候选者[1-2]。然而，相对较大的1.98 eV带隙限制了其在可见光区的吸收。鉴于此，我们掺铁将Cs2AgBiBr6的吸收扩展到具有中波段的近红外区域 (≈1350 nm)的研究成果[5]。Fe2+被选为掺杂剂以合金化成Cs2AgBiBr6单晶，并导致吸收范围扩大至≈1350 nm，这是无铅钙钛矿中记录的最长近红外(NIR)响应。大约1%的Fe离子合金化到Cs2AgBiBr6晶格中，导致晶格收缩。正如三次谐波生成结果所证实的那样，Fe掺杂不会缩小其本征带隙，而是会在Cs2AgBiBr6的原始带隙内引入一个新的中间带，以强烈吸收近红外光。此外，在近红外照射下，在Fe掺杂的Cs2AgBiBr6晶体中产生了大量的光生载流子。这项工作为扩展用于近红外电探测器和中间带光伏器件的无铅钙钛矿的光学响应提供了一种新方法。TA仪器热分析高级技术专家 苏思伟北京航空航天大学材料科学与工程学院硕士，现任美国TA仪器热分析高级应用专家。负责中国南方区的热分析应用技术支持，教授热分析技术培训课程几十场，长期从事各类材料的热分析、力学性能表征及失效分析等工作。以第一作者身份发表在《Matter》的仿生材料研究被《每日科学》等多家国际媒体报道。牛津仪器科技（上海）有限公司应用科学家 王汉霄2021年获英国曼彻斯特大学博士学位，随后加入牛津仪器纳米分析部，负责EDS、EBSD、OmniProbe和WDS技术推广及应用支持。博士期间主要通过HRDIC-EBSD-ECCI联用技术研究金属材料在亚微米尺度的塑性变形行为。【摘要】 报告主要围绕半导体行业材料的力学及热性能评估展开。材料的玻璃化转变、热分解温度、热膨胀系数、吸湿性、模量等参数，决定了材料的稳定性和最终使用性能，报告将介绍如何使用热分析和力学表征设备得到这些重要相关参数。南京工业大学先进材料研究院教授 王琳南京工业大学先进材料研究院教授、博士生导师、国家海外高层次青年人才引进计划入选者。2009年在武汉大学获得学士学位， 2013年在香港科技大学获得博士学位，2014年起在瑞士日内瓦大学从事博士后工作，2017年被南京工业大学聘请为教授和博士生导师。主要研究新型低维纳米材料的生长制备、量子输运、光电特性和存储器件，探讨和发现不同种类材料中的微观电子行为及器件性能。目前已发表学术论文近50篇，以第一作者/通讯作者身份在Nature Communications, Physical Review Letters, Advanced Materials, Nano Today等发表论文20余篇。曾荣获国际先进材料学会IAAM奖章（International Association of Advanced Materials）、欧洲材料学会青年科学家奖 （Young Scientist Award）、国家青年千人、江苏特聘教授、江苏省“六大人才高峰”高层次人才A类、首届国家级江北新区“十大杰出青年”、中国青少年科技创新奖等荣誉，担任国际先进材料协会会员、欧洲先进材料大会科学顾问委员、柔性电子材料与器件工信部重点实验室学术委员会委员、中国激光杂志社青年编委、江苏省青年联合会委员、江苏省青年科技工作者协会会员等社会兼职。【摘要】 二维材料由于极限超薄厚度、超强量子效应、匹配硅基工艺等，近年来受到学术界的广泛关注。我们聚焦二维材料在异质界面工程的独特优势，利用多维界面生长新型二维材料，利用界面组合产生新奇发光特性，利用界面器件设计优越光电性能，具体包括：（1）界面生长新材料：利用一步滴涂法制备二维碘化铅纳米薄片，并利用碘化铅和有机分子形成的固气界面，实现了多种杂化钙钛矿的灵活制备和异质组装；利用杂化钙钛矿同时具有晶向明确的无机骨架和易于自组装的有机配体，实现了三维和二维钙钛矿之间的室温定向自组装，展现了独特的界面应变效应和发光特性。（2）界面衍生新物性：通过将手性和非手性钙钛矿纳米片组合成范德华异质结，实现了非手性钙钛矿圆偏振光特性的产生、调控和提升；通过研究单层WSe2与其他二维材料组成异质结构的变温荧光光谱，发现了巨大层间剪切热形变的新奇热力学特性和作用机制.（3）界面设计新器件：基于二维半导体和杂化钙钛矿的异质界面工程，制备了基于二维材料的中红外发光二极管、具有优异光电探测性能的微纳光电器件和基于极简结构的超低功耗存储器和整流存储一体化器件.大话芯片总编 慕容素娟大话芯片总编。先后出版书籍《芯人物》一册和二册、《中国智慧家庭产业创新启示录》。曾就职于华为公司；后跨界进入媒体领域，先后在《中国电子报》、《集微网》等行业媒体，专注半导体全产业链10余年。【摘要】 半导体材料的发展历程，全球半导体材料的产业格局，中国半导体材料的发展机遇江西兆驰半导体有限公司芯片研发经理 张星星毕业于北京科技大学，材料物理化学系硕士。目前担任江西兆驰半导体有限公司研发中心经理，一直从事和负责氮化镓材料及相关发光器件的光电特征研究和高亮度高效率蓝光以及白光半导体发光二极管的产品技术研发工作，在正装、倒装、垂直、Mini/Micro RGB等芯片领域有着丰富的研发经验【摘要】 GaN材料可应用于分立器件，包含光电器件、功率器件等，在光电器件领域有着广泛的应用，主要是LED发光二极管，应用于家用和商用照明、植物照明、车灯、紫外消毒、背光显示等领域，Mini和Micro显示作为LED的未来发展之路，拥有独立的三原色芯片，发光像素单元为自发光微米量级的LED，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点, 在显示方面与 LCD、OLED相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势 。安捷伦科技（中国）有限公司原子光谱应用工程师 应钰毕业于东华大学应用化学专业，有超过4年国际顶级高纯电子材料行业从业经验，主要从事电子化学品的分析工作，掌握不同类型电子化学品的分析难点，以及复杂问题的解决；加入安捷伦后，作为原子光谱应用工程师，重点专注于半导体高纯材料的无机元素分析，材料类型涵盖半导体产业链的各个环节，包括高纯度的湿化学品，硅材料以及其他种类的高纯金属材料，擅长分析过程中污染控制，干扰去除，以及降低仪器背景等环节，对于低浓度的超痕量分析测试积累了丰富的实战经验。北京理工大学特别副研究员 魏静北京理工大学，预聘副研究员，2012年于电子科技大学集成电路设计与集成系统专业获得学士学位，2017年于北京大学微电子与固体电子专业获得博士学位。2019年7月加入北京理工大学材料学院材料物理与化学系。主要从事新能源材料与器件、钙钛矿光电材料与器件等研究。以第一作者身份在Nat.Commun., Adv. Mater., Adv. Energy Mater. Nano Energy等杂志发表论文15篇，其中ESI高被引论文2篇，ESI热点论文3篇，总被引次数超过600。研究领域：新型能源材料与器件；钙钛矿光电材料与器件；微纳加工。【摘要】 钙钛矿太阳能电池（PSCs）的光电转换效率已经超过25%，但寿命依然低于工业所需的20年，严重限制了其商业应用。目前报道的多数钙钛矿电池在水分、光照、热或其他因素的干扰下都会严重失效。聚合物在钙钛矿器件中可起到界面修饰、水氧隔离等作用。本工作系统研究了钙钛矿薄膜的退化机理，采用聚合物矩阵策略，设计并优化了钙钛矿光伏器件的电子传输层，通过开发新型紫外惰性电子传输材料及低温介孔结构，来提高PSCs在潮湿环境或光照下的工作稳定性。制备了ITO/UV惰性ETL/ Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45/Sprio-MeOTAD/Au结构的太阳能电池，其光电转换效率达到22%，光稳定性得到明显改善。优化后的器件在AM1.5G（氙灯）持续光照，最大功率点电压下工作120小时后，依然保持95%以上的初始性能。在进一步的工作中，需要深入研究PSCs的复杂降解机理，在此基础上开发更具针对性的薄膜改性方法和新型器件结构。吉林大学副教授 张晓宇聚焦低维发光材料与器件，发表SCI论文80余篇，其中14篇入选ESI高被引论文，SCI他引6300余次，单篇最高他引600余次，H因子36。【摘要】 Perovskite light-emitting materials have become a very hot topic in research in recent years, mainly due to their high color purity and high electroluminescence efficiency. To address the shortcomings of low efficiency and poor stability of perovskite nanocrystal light-emitting diodes (LEDs), we have focused on the nucleation, growth, and defect formation mechanisms of perovskite nanocrystals, and the carrier transport mechanisms of corresponding LEDs. We have obtained high performance perovskite nanocrystal luminescent materials by solvent engineering, surface passivation, construction of quasi-core-shell structure and doping, and improved the performance and stability of LEDs by combining structural design, interface engineering, ligand optimization, crystallization control and other solutions.兑奖方式：1） 直播间抽奖中奖后，凭借中奖截图凭证联系直播助手领奖；2） 分享朋友圈兑奖，凭借朋友圈点赞截图，联系直播助手领取《2021年度科学仪器行业发展报告》扫码加直播助手微信

热电技术可实现热能与电能直接相互转换，具有纯固态、无噪音、无运动部件等优点，在诸如深空探测等领域已实现重要应用。当前热电技术规模化应用瓶颈在于转换效率偏低，中国科学院宁波材料技术与工程研究所光电热功能材料与器件团队聚焦热电性能优化、器件设计制备以及系统集成应用研究，并取得了一系列进展。针对当前唯一实现商用化的Bi2Te3热电材料，该团队利用大数据优选具备纳米活性的笼状物材料进行第二相掺杂，实现了电声差异散射，进一步设计缺陷工程掺杂提升功率因子，解决了该类体系中电-热强烈耦合的共性问题，制备了工业级（40mm）高性能样品（热电器件效率较商业产品提升约75%）。相关成果以High-Performance Industrial-Grade p-Type (Bi,Sb)2Te3 Thermoelectric Enabled by a Stepwise Optimization Strategy为题，发表在《先进材料》（Advanced Materials 2023, e2300338）上。针对中温区典型材料SnTe和GeTe，该研究提出了中熵工程的优化方案，设计了适当的固溶元素和固溶浓度精确调控体系的结构熵，提升了材料功率因子并降低晶格热导率，实现了电-热输运的部分解耦。得益于电声输运性能协同优化，SnTe峰值ZT达到1.5@800K，平均ZT达到0.8（300-800K），为该体系当前报道最高值；GeTe峰值ZT达2.12@650K，均值ZT高达1.43（300-773K）。相关成果分别以High-Performance Thermoelectric Material and Module Driven by Medium-Entropy Engineering in SnTe和Enhanced Thermoelectric Performance in GeTe by Synergy of Midgap state and Band Convergence为题，发表在《先进功能材料》（Advanced Functional Materials 2022, 32, 2205458/2023, 33, 2212421）上。针对中高温区类金刚石银基/铜基材料，该团队对于令人困惑的热导率异常问题进行了理论澄清。研究通过探讨原子轨道、晶体场、局域四面体畸变等因素对电子结构的影响发现，在银基材料（AgBX2）中存在阴离子与两种阳离子成键强度的错配，由此引起强烈的非简谐性晶格振动，导致银基材料晶格热导率较铜基材料（CuBX2）低50%-80%。相关成果以Mismatched atomic bonds and ultralow thermal conductivity in Ag-based ternary chalcopyrites为题，发表在《物理评论B》（Physical Review B 2023, 107, 115202）上。研究工作得到国家自然科学基金、中国科学院青年创新促进会、浙江省高水平人才专项支持计划、浙江省自然科学基金和浙江省重点研发计划的支持。图1.（a）ZT值对比及工业级样品实物图；（b）器件示意图及最大转换效率对比图2.（a）同时实现高载流子迁移率和低晶格热导率；（b）共振能级和能带收敛示意图图3.（a）CuInTe2/AgInTe2电子态密度以及各元素轨道分波电子态密度；（b）两种材料的晶格热导率计算与实验对比

近红外有机发光二极管（NIR-OLEDs）在生物成像、防伪、传感器、远程医疗、显微摄影、夜视显示等方面颇具实际应用价值，已成为有机电致发光器件的重要发展方向之一，而热活化延迟荧光（TADF）材料可以实现100%激子利用率，其量子效率可媲美基于贵重金属的磷光材料，具有应用潜力。受能隙定律的影响，近红外发光材料的基态（S0）和第一单态激发态（S1）势能面接近，近红外发光材料普遍存在严重的非辐射失活现象，在聚集态中表现得尤为严重。非掺杂器件在面板显示和一般照明应用中具有良好的重复性、高稳定性和低成本等优点以及商业化潜力。鉴于TADF材料具有强的分子内电荷转移（ICT）特征，在非掺杂条件下可较易获得深红色甚至近红外发射，因此亟需开发出光亮的NIR-TADF非掺杂材料。　　近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员葛子义和副研究员李伟等开发了一种在非掺杂条件下即可实现高效率的NIR-TADF，基于该材料的NIR-OLED最大外量子效率为9.44%，发光峰位于711nm，是目前已报道的基于TADF材料的NIR-OLED最高效率之一。科研团队探究了TADF材料的材料结构、发光特性与聚集态之间的关系。一般认为，非晶态薄膜的无序程度高于有序排列的单晶，薄膜中光团的光致发光量子产率（PLQYs）普遍高于晶体态。已知TADF分子的非辐射淬灭主要受Dexter能量传递（DET）机制主导下的分子间电子交换作用。DET过程的短程特性，在高浓度下会发生激子湮灭，故分子填充模式的微小变化可能对光电子性能产生影响，甚至决定光团的光物理性能。因此，研究团队设计了T-β-IQD单晶来深入探究材料在结晶态和未掺杂态下的高发光量子产率的机理。x射线晶体学分析表明，T-β-IQD具有面对面的堆积结构，且相邻有较大的层间滑动，TIQD晶体呈“头尾”排列。根据Kasha激子模型，T-β-IQD的二聚体跃迁偶极子与对应偶极子对齐方向的夹角（θ）分别为24.92°，为J型聚集体形式，可以提高辐射衰减率。在T-β-IQD晶体中，同时存在分子内和分子间CNH-C和C-Hπ协同作用（图1）。这种适度的分子内C-Hπ相互作用可以锁住β-TPA供体上的分子内叔丁基苯单元和萘，高度限制它们在结晶态下的旋转。同时，在晶体和共轭骨架中没有观察到明显的π-π堆积接触，这降低了浓度淬灭效应（ACQ）。根据DET机制，T-β-IQD晶体的邻腈核之间的远距离（8.50）有望抑制延迟荧光（DF）和三态激射灭（图2）。此外，在TIQD晶体中，相邻的IQD段之间形成了距离为3.35的强分子间π-π相互作用，表明相对于T-β-IQD晶体，分子间的堆积更为紧密，且具有严重的非辐射衰变。分子动力学（MD）模拟表明，T-β-IQD的受体面与二聚体对齐方向的夹角（θ）为27.5°，T-β-IQD在非晶态下倾向于以J-聚集体形式堆积。T-β-IQD的吡咯核间距为4.1。T-β-IQD的平面受体之间距离较大，避免了浓度猝灭效应。T-β-IQD分子的平面受体片段呈现角度错位排列，未观察到明显的共面堆叠，这将有助于抑制非掺杂薄膜中的ACQ效应。　　在稀释THF溶液中，T-β-IQD几乎不发射，而当水分数（fw）增加到60%时，PL强度迅速增加，表现出明显的聚集诱导发光（AIE）特征（图2）。T-β-IQD在固体状态下表现出几乎与浓度无关的特性。这种独特的优点可以归结于它的RIR原理的AIE效应、具有C-Hπ和CNH-C分子间相互作用的J聚集性质以及晶体态的大中心到中心距离，这提高了非掺杂薄膜和基于材料的发射效率。　　相关研究成果以Highly Efficient Near-Infrared Thermally Activated Delayed Fluorescent Emitters in Non-Doped Electroluminescent Devices为题，作为热点文章发表在《德国应用化学》上。研究工作得到国家杰出青年科学基金、国家重点研发计划、国家自然科学基金、宁波市科技创新2025重大专项等的支持。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准）碳化硅(SiC)碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下，标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石（Al2O3） 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体，主要应用于制作LED灯的关键材料，也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶，又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中，对此，我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是，CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

近期，华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室通过教育部验收。来自教育部科技司、中科院上海微系统所、复旦大学、南京大学等单位的领导和专家参加了验收会议。华东师范大学副校长朱自强出席验收会并作为实验室负责人进行了汇总报告。科技处处长孙真荣、副处长陈瑜婷、信息学院院长褚君浩、副院长杨平雄等出席了验收会。 　　验收会上，朱自强就实验室在平台构建、科研成果、队伍建设、人才培养、学术交流及今后工作打算等方面向专家组进行了汇总报告。段纯刚教授、唐政教授、郁可教授、胡志高教授分别就理论、材料、器件、学科交叉等方面的研究工作和成果进行了具体汇报，并针对专家组的提问进行了答辩。验收专家组还现场考察了实验室环境和设备运行情况，并与实验室骨干成员进行了座谈。 　　以吴培亨院士为组长的专家组一致认为，实验室主要研究凝聚态物质中的电荷和自旋极化现象，以发现极化规律和新物理效应、探索量子调控手段及新型功能器件为目的，是当前国际上重要的前沿交叉研究领域之一，实验室研究方向明确，在信息科学技术和材料科学研究领域中具有鲜明的特色 建设期间，实验室承担了多项国家和地方的重大科研项目，在磁电效应新规律、高居里温度稀磁半导体理论方法及实验手段和铁电单晶及氧化物半导体微结构制备等方面取得了若干创新性研究成果 实验室建立了高水平理论研究、尖端材料制备手段、光/电/磁相结合先进表征技术等具有特色的研究平台 形成了以中青年研究人员为主要骨干的多学科背景的创新团队。依托单位高度重视实验室的建设，全面完成了建设计划任务书的要求，同意通过验收。同时，专家组建议实验室力争承担更多的国家重大科研任务，进一步加强技术支撑人才队伍的建设。

仪器信息网整理2021年半导体领域材料与器件精彩报告回放，内容涉及半导体材料、器件、表征、应用等内容，供相关科研人士学习使用。报告题目：《氮化镓半导体电力电子器件相关进展分享与讨论》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115820.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：西安电子科技大学副教授 赵胜雷)报告题目：《半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的定量透射电子显微学研究》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115535.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：华中科技大学/武汉光电国家研究中心 李露颖)报告题目：《半导体深紫外发光与红外探测器件研究》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115819.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：华中科技大学副研究员 吴峰)报告题目：《二维半导体材料的集成电路应用探索》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115811.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：复旦大学研究员 包文中)报告题目：《半导体仿真技术在宽禁带半导体器件领域中的应用》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115821.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：河北工业大学教授 张紫辉)报告题目：《分子束外延氮化物半导体材料及器件》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115823.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：南京大学教授 王科)报告题目：《氧化物半导体气体传感器》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115817.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：吉林大学教授 刘凤敏)报告题目：《半导体离子传感器及新型可大规模集成无参比电极半导体离子传感器》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115816.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：复旦大学教授 吴东平)报告题目：《先进气体传感技术及其应用》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115815.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：重庆大学研究员 曾文)报告题目：《高效率全无机CsPbBr3钙钛矿太阳电池》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115814.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：暨南大学教授 唐群委)报告题目：《非铅钙钛矿材料的能隙调控》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115812.html 视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：北京大学教授 肖立新)报告题目：《共聚焦拉曼和PL在第三代半导体材料中的应用》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115613.html报告人：天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室副教授 徐宗伟报告题目：《二维半导体及异质结的生长与光电性能调控》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_114781.html视频选自“石墨烯检测技术及应用进展”主题网络会议(报告人：江南大学教授 肖少庆)

值此武汉重启一周年之际，2021年4月8日至11日，由中国稀土学会光电材料与器件专业委员会、中国计量大学主办，武汉理工大学、华中科技大学、武汉大学、硅酸盐建筑材料国家重点实验室、湖北省特种玻璃工程技术研究中心联合承办的第二届全国光电材料与器件学术研讨会在武汉成功召开。光电产业是关系到国计民生的新兴产业，光电材料是整个光电产业的基础与先导，在信息、能源、环境等领域有重要应用；本次会议邀请了知名专家和学者，共同探讨光电材料与器件领域所面临的关键性挑战问题和研究方向，将对光电材料与器件的发展起到积极的作用。　天美仪拓实验室设备（上海）有限公司（以下简称天美公司）应邀作为赞助商之一，全程参加了此次会议。会议期间，众多专业老师莅临天美公司展台咨询爱丁堡稳态瞬态荧光光谱仪。会议期间，天美公司还受邀作了会议报告，会议报告对爱丁堡荧光光谱技术在光电材料与器件领域中的应用作了相应的介绍。通过本次报告不但加深了新老用户对荧光光谱技术的了解与应用，会后也有老师前来进一步咨询相关问题。 通过为期两天的会议，加深了天美公司与用户的感情，增强彼此的了解。天美公司作为知名供应商，会不断开发荧光技术在光电材料与器件领域中的应用，推动荧光光谱技术在更广泛的科研领域中得到应用，更好地帮助研究者解决科研中的实际问题。

半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。针对于此，仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。以下为本次大会中相关仪器技术类报告合集：报告合集报告：半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond报告人：Waters -TA部门TA仪器热分析高级技术专家 苏思伟【摘要】 报告主要围绕半导体行业材料的力学及热性能评估展开。材料的玻璃化转变、热分解温度、热膨胀系数、吸湿性、模量等参数，决定了材料的稳定性和最终使用性能，报告将介绍如何使用热分析和力学表征设备得到这些重要相关参数。报告：牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用报告人：牛津仪器科技（上海）有限公司 应用科学家 王汉霄报告：如何利用牛津原子力显微镜评价化合物半导体质量报告人：牛津仪器科技（上海）有限公司 高级应用科学家 刘志文【摘要】 近几年，由于化合物半导体行业的飞速发展，其衬底以及外延薄膜质量评价越来越受到关注。如何评价高质量衬底和外延薄膜对工艺优化至关重要。原子力显微镜（AFM）是评价衬底和薄膜质量不可或缺的技术手段。在本次讲座中，主要用AFM从表面结构，力学性质和电学性质全面评价衬底和薄膜质量，涉及材料生长机制、表面不均匀性、缺陷类型、粗糙度、表面污染、力学性质、导电、表面电势、高压击穿等，从而实现对衬底和薄膜质量的全面评估。报告：海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用报告人：海洋光学 资深技术&应用专家 卢坤俊【摘要】 介绍海洋光学公司及工业客户合作模式，并分享海洋光学微型光谱仪在半导体膜厚测量， PECVD过程监控，Plasma Etching终点指示以及 Plasma Cleaning过程监控中的原理及应用。报告：布鲁克新一代能谱仪及其在半导体样品上的应用 报告人：布鲁克（北京）科技有限公司 应用工程师 陈剑锋【摘要】 随着目前工业和自动化控制的发展，促使人们在半导体行业上不断突破到更微观的结构，能谱和电子显微镜因为在纳米尺度上的分析能力和直观的结果解读使之在半导体行业以及相应的材料，结构，性能的研究，测试，表征等方面的依赖性也变得越来越高，布鲁克纳米分析部门推出第七代能谱配合EBSD和同轴TKD等技术继续在分析测试，失效分析，产品工艺改进和品质控制等领域助力新能源行业的发展，本期报告我们将主要介绍布鲁克新一代能谱仪特点应用，让新老客户对我们的产品及应用有一个更好的了解和认知。报告：聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟报告人：天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授【摘要】 聚焦离子束、飞秒激光微纳加工，由于其精度高、直写成型和灵活性高等优势，成为重要的微纳制造技术。随着纳米功能器件制造需求和制造难度的不断增加，对基于聚焦离子束和飞秒激光制造技术提出了许多新的挑战。报告结合加工工艺优化、光谱表征以及原子尺度模拟等研究手段，分享两种先进制造技术在制备微纳光学功能器件、原子尺度点缺陷色心、宽禁带半导体功能结构中的应用。报告：雷尼绍拉曼光谱技术的发展及其在半导体材料分析中的应用报告人：雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司 光谱产品部应用经理 王志芳【摘要】 半导体材料和器件的性能及稳定性往往与材料本身的性质联系在一起，包括材料应力、缺陷、杂质、载流子浓度还有温度响应等等。拉曼光谱检测可以获得以上半导体材料的性质，并且拉曼光谱还具有速度快、无需制样、无损伤等表征优势，可以同时获得静态及动态变化中的结构信息，已经成为半导体材料表征和器件测试的一个重要手段。本次报告主要介绍雷尼绍拉曼技术在半导体领域的应用方向和相关案例，同时分享适用于半导体领域的拉曼技术的发展和应用。本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia或扫描二维码报名

仪器信息网联合电子工业出版社于四、五月将启动“半导体主题月”活动。活动同期，仪器信息网与电子工业出版社特组织三场“半导体材料、器件研究与检测技术系列讲座”,旨在邀请领域内专家围绕相关论坛主题分享精彩报告，依托成熟的网络会议平台，为半导体产业从事研发、教学、生产的工作人员提供一个突破时间地域限制的免费学习、交流平台，让大家足不出户便能聆听到精彩的报告。半导体光电器件是指把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。即利用半导体的光电效应(或热电效应)制成的器件。光电器件主要有，利用半导体光敏特性工作的光电导器件，利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。近年来，一方面新能源、低碳等理念和产业的发展，光电池技术不断突破已成为行业热点；另一方面，光电子功能材料和器件是光电子技术的基础，对光电子产业的发展起着决定性的作用，大力发展光电子材料与器件，是国家战略高技术发展之必须，与信息、能源、国防安全等国家重大需求息息相关。针对于此，在4月18日上午，将在仪器信息网3i讲堂平台召开第二场报告讲座：光电材料、器件研究与检测技术。点击图片直达会议页面一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、举办时间2023年4月11-26日，每周一期三、会议日程光电材料、器件研究与检测技术报告时间报告题目报告嘉宾单位职称10:00-10:40热活化延迟荧光发光电化学池器件张保华广州大学教授10:40-11:20硅光传感技术与工艺杨妍中国科学院微电子研究所研究员三、报告嘉宾四、参会指南1、点击会议页面链接报名；会议页面：https://insevent.instrument.com.cn/t/RUs2、报名并审核通过后，将以短信形式向报名手机号发送在线听会链接；3、本次会议不收取任何注册或报名费用；4、会议联系人：3i讲堂—材料小周（ 邮箱：zhouhh@instrument.com.cn；微信二维码如下，可加入会议交流群）会议联系人微信二维码五、下周预告4月26日：传感器/MEMS研究与检测技术术报告时间报告题目报告嘉宾单位职称14:00-14:40MEMS无线智能温振传感器及应用王建国苏州捷研芯电子科技有限公司副总经理14:40-15:20氧化物半导体气体传感器（拟）刘凤敏吉林大学教授

在科研的路途中，固然山高水深，寒暑风雨，但只要初心如磐，奋楫笃行，终能让梦想照进现实。中国科学院半导体所研究员，博士生导师，中国科学院大学材料科学与光电技术学院量子光电子学首席教授牛智川，就是在这样的风雨兼程中，实现了半导体材料的突破。锑化物材料的突破半导体是一种材料，是现代科技不可或缺的技术。半导体技术发展一代材料体系、形成一代器件技术。本世纪初，锑化物半导体材料，即GaSb基晶格匹配异质结、量子阱、超晶格体系获得业界高度重视，其破隙型窄带隙能带构型和材料组分适于能带工程设计调控和先进的III－V族半导体工艺，为突破传统红外半导体长期瓶颈提供全新路径。近年来GaSb单晶、衬底与外延材料技术的突破，极大地促进了中波红外激光器、中长波红外探测器的技术跨越，其应用价值得到确认，2009年起西方实施锑化物半导体出口管控。“只有将科技掌握在自己的手中，才能真正的安心，放心。”近些年来，中国的科研工作者经历了太多这样的波折，所以，面对封锁，牛智川教授没有抱怨，更没有放弃，他知道，这是中国制造必然要走的一步。锑化物材料属于多元素化合物体系，相比于其他材料，锑化物量子阱超晶格等低维材料的能带结构最为复杂，器件台面、腔面表面氧化性质悬殊，实现高光电效率激光发光和探测器的能带设计优化、外延材料质量调控、器件高稳定性的工艺结构优化方法、高可靠性大功率输出热场等综合表征与优化等，都是该器件技术的核心科学难题。作为长期从事半导体低维材料物理与量子光电子器件技术研究的探索者，牛智川教授率先在我国开拓锑化物半导体外延材料与红外光电器件技术方向。他带领团队针对锑化物多元复杂材料能带设计及外延生长技术的挑战难题，聚焦中波红外量子阱激光器波长拓展效率提升、长波红外超晶格探测器暗电流抑制效率优化等关键科学问题和应用发展需求，历经20年攻关，成绩斐然。他，不仅发明GaSb基二元AlSb／AlAs／AlSb／GaSb超晶格数字合金，克服锑化物四元、五元合金组分精确控制和组分互溶，提升光学质量和发光效率；发明As／Sb、Ga／In双交叉外延技术，提升超晶格质量和载流子寿命；创新外延技术，解决应力平衡、缺陷界面调控、表面颗粒抑制难题；锑化物量子阱材料用于2－4微米中波红外激光器，激光单管／巴条／模组的室温连续功率分别达到2.6瓦／18.4瓦／172瓦的国际最高记录（超越禁运指标），超晶格材料用于中长波红外探测器，实现了单色、双色焦平面探测器，国际首次报道＞14微米甚长波焦平面成像芯片。这些成果标志着中国的单晶、衬底与外延材料及器件技术成功突破封锁，2023年7月，我国发布锑化物材料管制法规，自此，国内的锑化物半导体技术实现了跨越式的升级。乘风破浪的探索从零开始，一路披荆斩棘，屡获突破，到现在，整个锑化物半导体红外光电产业链逐渐完善和发展，牛智川教授依靠的就是开拓创新，砥砺前行。众所周知，科研是永无止境的，半导体领域的探索更是如此，InAs／GaAs量子点量子光源、InGaAsSb量子阱大功率与单模激光器的问世，就是牛智川教授持续深耕探索的见证。InAs／GaAs基量子点量子光源。面向量子光源核心器件基础研究前沿和量子信息系统重要需求，围绕半导体量子点生长密度和均匀性控制技术挑战，研究发展亚单层InAs循环、束流梯度分布外延新技术，揭示液滴法生长量子环机理，突破量子点相干发光效率、单光子发光速率和全同性瓶颈，实现三项全优性能单光子源，实现量子点单光子量子态存储（Nat. Comm.），发展量子点拓扑角态激光（Light），为构建全固态量子网络提供半导体量子光源器件解决方案。InGaAs（Sb）量子阱激光器。面向中短波红外激光重大需求，围绕量子阱应变临界束缚、拓展波长、提升功效难度难题，发明锑化物数字合金势垒结构，研制成功1.9－3.6微米高功率和单模激光器，其中2.0微米激光器的室温连续功率国际领先突破卡脖子（禁运）条例，发光效率和单模性能超越国际同行。花会沿路盛开，牛智川教授的科研之路也会如此。一个有坚定信念的探索者，总是能够从容的面对荆棘，能以智慧扛起身负的责任和使命。作为中国的半导体人，牛智川教授始终对中国的半导体充满了期待，他认为，中国的半导体处于黄金发展时期，但任何产业的发展都不会一蹴而就，半导体的探索是一场接力赛，“只要有更多的人投入到半导体领域，中国的半导体技术，才会不断突破，产业才会实现可持续发展。”他这样说，也在这样做。作为博士生导师，牛智川教授十分关注学生的成长，毕竟，知识需要传承，科技需要接力，所以，他对学生的学业和科研要求严格，同时，对于学生遇到的问题，也给予指导和引导。目前，他已培养百余位硕士博士学位高级科技人才，这些人才走向了各自的工作岗位，继续助力中国半导体事业的发展。而牛智川教授本人，则继续以国家需求为目标，通过承担国家重点任务立足锑化物半导体领域，在基础研究成果之上，联合国内产学研用各方面力量，发起成立锑化物半导体技术创新与产业发展联盟，通过联盟方式针对各方需求，为国内各装备行业及高科技企业开发多功能高性能光电芯片，推动长期受限于国外技术封锁的红外高端光电芯片的自主可控全链条技术进步，实现从部分性能的超越领跑和满足各类需求的全链条解决方案。当前，半导体技术的代际更替已经进入了微电子与光电子技术的并重发展时代，锑化物窄带隙半导体呈现出第四代半导体光电芯片技术发展的重大潜力。未来，牛智川教授将以锑化物半导体光电材料与芯片为中心，面向智能化信息技术新时代广泛需求，建设完整的技术创新与产业制造链条，并以这样的方式，提升中国半导体的整体竞争和研发能力。在这个喧嚣的时代里，牛智川教授始终踏踏实实，创新探索。不被繁华迷惑，不被名利捆绑，心里，眼里，始终是中国的半导体，或许，正是这份坚定，这份执着，让他在这个领域硕果累累。这就是牛智川，这就是中国的半导体人。个人简介牛智川，中国科学院半导体所二级研究员，博导，中国科学院大学材料科学与光电技术学院量子光电子学首席教授。入选中科院“BR计划”，“国家杰出青年科学基金”、“新世纪百千万人才工程国家级人选（首批）”、“国务院政府特殊津贴”等。先后主持了国家863计划，国家973重大科学研究计划，国家重点基础研发计划等项目，在国际顶尖学术期刊发表了400多篇论文，曾获得北京市自然科学二等奖，中国电子学会自然科学一等奖，湖北省科技进步一等奖等。近年来积极推动引领新型锑化物半导体材料与红外光电器件成果转化，推动了相关制造与装备技术进步。

10月23日，科技部高新司在京组织召开纳米材料与器件技术及产业战略研讨会，新材料技术领域专家组成员，以及相关企业、高校、研究院所的30余位专家出席了会议。科技部高技术中心陈志敏副主任、高新司和高技术中心相关处室同志参加会议。 　　研讨会上，来自相关高效和科研院所的专家代表，分别就纳米加工、表征技术与设备及标准化，纳米器件的设计、功能化应用及信息应用技术等问题进行了汇报，并针对纳米技术在航空航天、能源转换与储能、生物医用、环境保护、节能减排、基础产业等领域的应用进行了专题报告。 　　与会专家围绕纳米材料和器件技术及产业发展进行了深入研讨，并就如何加强“十二五”期间我部纳米技术和产业推进工作，提出了宝贵的意见和建议。

7月5日上午，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与苏州大学联合共建的功能纳米材料与器件重点实验室揭牌成立。 　　功能纳米材料与器件重点实验室以苏州纳米所和苏州大学现有的重点实验室为基础，瞄准国家重大需求，开展高水平功能纳米材料与器件的基础研究和应用基础研究，围绕&ldquo 功能纳米材料的设计与可控制备&rdquo 、&ldquo 功能纳米材料与器件的界面调控&rdquo 、&ldquo 功能纳米器件与应用&rdquo 三大研究方向展开合作研究，为解决纳米战略新兴产业的核心技术问题提供科学依据。同时凝聚和培养相关领域科学发展所需的高层次人才，开展高层次国内外科技合作与交流，提升我国在功能纳米材料与器件领域的国际影响力。 　　苏州工业园区科技发展局副局长徐健表示，联合实验室的成立对于形成一加一大于二的合作优势，扩大交流机制，迈向国家重点实验室的发展目标，加速推进园区纳米技术及相关产业发展，具有重要而深远的意义。 　　中科院院士李述汤代表联合实验室作了情况汇报，详细介绍了实验室概况、研究水平与贡献、队伍建设与人才培养、开放交流与运行管理和实验室发展规划的基本情况。 　　苏州大学副校长袁银男希望联合实验室能够为高校与科研机构之间的合作树立新的标杆，为纳米技术人才培养注入新的活力，成为纳米科技合作研究、教育和创新方面的先行者与领导者，并最终建设成为国家重点实验室。 　　苏州纳米所所长杨辉回顾了苏州纳米所自成立以来与苏州大学在纳米技术研究领域的合作历程，期待双方以共建联合实验室为契机，进一步加强合作，共同为构筑纳米技术产业生态圈做出积极贡献。 揭牌仪式现场

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 近年来，钙钛矿太阳能电池因其高的转换效率、简单的制备工艺和低廉的制造成本受到了全球学术界和产业界的广泛关注，发展迅速。钙钛矿太阳能电池实际应用的重要瓶颈和关键问题在于如何实现低成本、大面积、高效率器件及解决稳定性的难题。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 在中国科学院战略性先导科技专项和国家自然科学基金委的支持下，中科院化学研究所分子纳米结构与纳米技术重点实验室研究员胡劲松课题组科研人员在这一领域开展了相关研究，并于近期与相关合作者一起取得了系列新进展。他们开发了一种风刀涂布方法，实现了大面积钙钛矿薄膜、电子传输层（ETL）和空穴传输层（HTL）的高质量涂布，在全程不需旋涂和反溶剂的情况下，获得了转换效率（PCE）可达20%以上的电池器件（图1），为高效率钙钛矿光伏器件的低成本规模化制备提供了一种思路。相关工作发表于Joule& nbsp (DOI:10.1016/j.joule.2018.10.025)上。在HTL方面，开发了新型低成本、易制备的二维共轭有机小分子空穴传输材料OMe-TATPyr代替spiro-OMeTAD，实现了平均20%的PCE（Angew. Chem. Int. Ed.& nbsp 2018,& nbsp 57, 10959）。在ETL方面，研究人员发现在无ETL时透明电极与钙钛矿薄膜间的费米能级差距减小，接触界面能带弯曲减弱，因此对光生电子的抽取及光生空穴的排斥作用同时减弱，使得电子在界面的转移效率急剧下降，导致载流子复合严重，器件PCE降低。这一新的理解提高了对钙钛矿光伏器件结构与异质结界面的认识，阐释了无ETL器件PCE低的原因。据此，他们提出通过延长载流子寿命来解决无ETL钙钛矿光伏器件转换效率低的新方案。发现当载流子寿命接近微秒时，无ETL器件的PCE可以接近传统p-i-n结构器件，并且获得了PCE为19.52%的无ETL钙钛矿光伏器件（图2）。这些结果有助于解决钙钛矿器件对传统器件结构的依赖问题，也为钙钛矿光伏技术的低成本规模化制备提供了多样化的选择。相关工作发表于Chem上（Chem, 2018, 4, 2405-2417）。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 　　钙钛矿电池的稳定性是其应用的瓶颈和关键。研究人员在钙钛矿层与HTL间引入高迁移率疏水共轭高分子界面层，一方面改善空穴的提取效率，另一方面可以有效阻隔湿气与传输层中添加剂对钙钛矿层的侵蚀，从而显著提高了钙钛矿太阳能电池的空气稳定性和光电转换效率（Solar RRL,& nbsp DOI: 10.1002/solr.201800232，inside cover；Nano Res.,& nbsp 2018, 11,185-194）。相比于有机无机复合钙钛矿材料，纯无机钙钛矿材料表现出更优异的热稳定性。其中，立方相CsPbI3具有合适的带隙而备受关注，但其立方相室温下是热力学不稳定相，因此理解立方相CsPbI3在合成与器件制备过程中的相不稳定性机制，进而制备室温下相稳定的光伏相CsPbI3，对于其在光伏和光电领域中的应用具有重要意义。研究人员近期首次从原子尺度上观测到了极性溶剂会诱导立方相CsPbI3纳米晶晶格发生畸变，进而相变失稳，从实验和原理上解释了极性溶剂对立方相CsPbI3纳米晶稳定性的影响，揭示了极性溶剂诱导立方相CsPbI3纳米立方体相变的机制及其多级次自组装成单晶纳米线和微米线的机制（图3）。这一研究结果对理解立方相CsPbI3相不稳定机制提供了新的认识，并为立方相CsPbI3的制备及保存使用过程中的溶剂选择提供了指导。相关工作发表于J. Am. Chem. Soc.,& nbsp 2018,& nbsp 140, 11705–11715，并入选当期封面。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 在此基础上，研究人员发展了一种方法，通过高介电常数质子性溶剂控制CsPbI3钙钛矿前驱体结晶时的表面能，在不引入有机配体或进行金属/卤素掺杂的情况下，利用一步溶液沉积和低温退火工艺，获得了在室温下稳定的新光伏相-正交相g-CsPbI3薄膜。通过XRD精修确定了其晶胞参数，研究了薄膜的形成机制和能带结构，并构建了基于g-CsPbI3薄膜的平面异质结太阳能电池，获得了11.3%的PCE（图4），这是目前为止报道的全无机纯CsPbI3钙钛矿太阳能电池的最高效率。由于所得g-CsPbI3薄膜在室温下的热力学稳定性，电池表现出显著改善的长达数月的空气稳定性。该研究首次报道了室温下热力学稳定的新型正交光伏相g-CsPbI3薄膜及其高效率电池器件，为解决全无机CsPbI3钙钛矿光伏相室温下结构不稳定问题提供了全新的视角和思路。紧接上述极性溶剂对立方相CsPbI3纳米晶稳定性影响的工作，相关研究结果以全文形式发表于J. Am. Chem. Soc., 2018, 140, 11716–11725。 /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/f0d4fd56-3c93-4498-8a6b-2116edd0aad2.jpg" title=" 1.png" alt=" 1.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 图1.& nbsp 全程风刀涂布制备高效率钙钛矿太阳能电池 /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/ffccfd44-cbfd-433a-8ac8-ba29e66f6683.jpg" title=" 2.png" alt=" 2.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 图2.& nbsp 高效率无电子传输层钙钛矿太阳能电池 /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/94a0fedd-8d1f-40c2-9b2f-95eea8b72344.jpg" title=" 3.png" alt=" 3.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 图3.& nbsp 极性溶剂诱导立方相CsPbI3纳米晶的晶格畸变及其多级次自组装 /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201812/uepic/ae415cdf-6e56-4dc1-832d-ba11459b3873.jpg" title=" 4.png" alt=" 4.png" / /p p style=" text-indent: 2em text-align: left " 图4.& nbsp 室温热力学稳定的正交光伏相g-CsPbI3薄膜及全无机钙钛矿太阳能电池 /p

p 　　中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，组织2天的专业学术交流。本次网络会议旨在利用互联网技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。梅特勒-托利多倾情参与了本次会议。 /p p 　　 strong 梅特勒-托利多报告嘉宾介绍 /strong ： /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/16f020ca-a9a8-4472-b084-368a4208d1d8.jpg" title=" 李.jpg" alt=" 李.jpg" / /p p 　　李玉琪，华东理工大学硕士学历，梅特勒-托利多分析仪器产品专家，进入分析仪器行业5年，具有丰富的理论和实战经验，主要负责电位滴定仪产品线的市场推广工作。 /p p 　　 strong 报告题目：梅特勒-托利多公司半导体行业检测方案 /strong /p p 　　 strong 报告摘要： /strong /p p 　　梅特勒-托利多是历史悠久的精密仪器及衡器制造商与服务供应商，产品适用于实验室、制造业和零售服务业。针对半导体行业推出的高精度、自动化检测方案，有效控制各项工艺平稳运行，助力半导体行业先进制程发展。 /p p style=" text-align: center " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 131px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/02c18638-7d96-429b-8d32-96b7a44915f6.jpg" title=" 1920_420_20200914.jpg" alt=" 1920_420_20200914.jpg" width=" 600" height=" 131" border=" 0" vspace=" 0" / /a /p p br/ /p p br/ /p

半导体材料与器件是现代自动化、微电子学、计算机、通讯等设备仪器研制生产的基础材料及核心部件，具有专门的生产设备、工艺和方法，在现代各方面得到大量的研究和应用。作为现代信息技术产业的基础，半导体产业已成为社会发展和国民经济的基础性、战略性和先导性产业，是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分；伴随着全球科技逐渐进步，全球范围内半导体产业规模基本都保持着持续扩张态势。为加速国内半导体材料及器件发展，促进国内半导体材料与器件领域的人员互动交流，推动我国半导体行业的高质量发展。仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、会议时间2022年12月20日-12月22日三、会议形式线上直播，直播平台：仪器信息网3i讲堂平台本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia （内容更新中）或扫描二维码报名四、会议日程1.专场安排第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议时间专场名称12月20日全天光电材料与器件12月21日全天第三代半导体材料与器件12月22日上午传感器与MEMS12月22日下午半导体产业配套材料2.详细日程（以会议官网最终日程为准）时间报告题目演讲嘉宾专场1：光电材料与器件（12月20日）9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00待定待定10:30待定待定 (牛津仪器科技（上海）有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)11:30午休午休音乐14:00GaN光电器件现有应用及未来发展方向张星星（江西兆驰半导体有限公司 芯片研发经理）14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技（中国）有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静（北京理工大学 特别副研究员）专场2：第三代半导体材料与器件（12月21日）9:00氮化镓增强型功率器件进展黄火林(大连理工大学 教授)9:30Epitaxial growth of thick GaN layers on Si substrates and the physics of carbon impurity杨学林(北京大学 正高级工程师)10:00待定待定(牛津仪器科技（上海）有限公司)10:30GaN电力电子器件研究进展赵胜雷(西安电子科技大学 副教授)14:00GaN功率器件及功率集成电路技术魏进(北京大学 研究员)14:30待定待定（布鲁克电子显微纳米分析仪器部）15:00聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授）15:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究王涛（北京大学 高级工程师）专场3：传感器与MEMS（12月22日上午）9:30硅纳米线场效应传感器的制备及其生物检测研究魏千惠（有研工程技术研究院有限公司 科研主管）10:00待定待定10:30智能传感技术在电力设备中的应用/待定周渠（西南大学 教授）专场4：半导体产业配套材料（12月22日下午）14:00半导体行业用水概述孙秀敏（工业和信息化部电子第五研究所 副部长/高级工程师）14:30待定待定（威立雅水处理技术（上海）有限公司）15:00集成电路用水标准体系解读和检测方法介绍李春华（上海市计量测试技术研究院 集成电路产业中心主任/高工）五、参会方式1. 本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia（内容更新中）或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后，直播前一天助教会统一审核，审核通过后，会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后，会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接，输入报名手机号，即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑：15733280108，kangpcinstrument.com.cn2. 会议赞助周女士，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn仪器信息网电子工业出版社2022年12月6日附：往届会议回顾1）第二届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网： https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd20212）第一届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网： https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020

p 　　当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候，中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时，中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时，或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时，中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时，或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够，甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中，中国半导体材料人就更不能不在意了! /p p 　　半导体材料作为半导体行业的最下游，从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料，中国和国际先进水平差距巨大。但是，中国也有了较为全面的产业基础，以及庞大的半导体材料研究队伍，尤其在先进半导体材料研究方面，近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面，中国市场强劲牵引下，也呈现快速发展的态势。 /p p 　　国务院密集出台各项政策，支持中国半导体产业发展，鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期，国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展，中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，促进和推动半导体行业的发展。 /p p style=" text-align: center " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 131px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/9f731a67-f7d5-4279-8621-449b4be61484.jpg" title=" 1920_420_20200914.jpg" alt=" 1920_420_20200914.jpg" width=" 600" height=" 131" border=" 0" vspace=" 0" / /a /p p 　　会议日程： /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" width=" 484" style=" border-collapse: collapse border: none " align=" center" tbody tr style=" height:18px" class=" firstRow" td width=" 484" nowrap=" " colspan=" 3" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center text-indent:28px line-height:150%" strong span style=" line-height:150%" 10 /span /strong strong span style=" line-height:150% font-family:宋体" 月 /span /strong strong span style=" line-height:150%" 15 /span /strong strong span style=" line-height:150% font-family:宋体" 日半导体材料研发、应用及分析检测技术（上） /span /strong strong /strong /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 报告时间 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 报告题目 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 报告人 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 09:00--09:30 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 钙钛矿纳米材料与 /span span style=" line-height:150%" SPP /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 激光器 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院半导体研究所研究员 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 王智杰 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 09:30--10:00 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 赛默飞世尔科技应用专家 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 钟新林 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 10:00--10:30 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" PerkinElmer /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 在半导体制程中的检测方案 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司技术专家 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 华瑞 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 10:30--11:00 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 半导体材料生产与工艺质量监控的先进技术进展 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 布鲁克（北京）科技有限公司应用经理 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 黄鹤 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 11:00--11:30 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 梅特勒 /span span style=" line-height:150%" - /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 托利多公司半导体行业检测方案 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 梅特勒 /span span style=" line-height:150%" - /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 托利多产品专员 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 李玉琪 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 11:30--12:00 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" InP /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 基光子集成材料与器件及标准代工平台 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院半导体研究所研究员 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 赵玲娟 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 12:00--13:30 /span /p /td td width=" 361" nowrap=" " colspan=" 2" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 午休 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 13:30--14:00 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span 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51) font-family: & quot Hiragino Sans GB& quot , & quot Microsoft Yahei& quot , arial, Ë Î Ì å , & quot Helvetica Neue& quot , Helvetica, STHeiTi, sans-serif background-color: rgb(255, 255, 255) " 席善斌 /span /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 16:00--16:30 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 硅基 /span span style=" line-height:150%" III-V /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 族光电器件及其缺陷的表征 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 樊士钊 /span /p /td /tr /tbody /table p 　　 strong 报名链接（点击下方链接皆即可报名） /strong : /p p span 　　 /span a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/ /a /p p 　　扫码下方 strong 二维码 /strong 加入 strong 半导体材料与器件交流群 /strong 与同行互动交流，共同探讨半导体产业问题，并可免费获取群内不定期放送的半导体行业资料包。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/ccb53645-8c55-48a5-83b3-fc6ba779390c.jpg" title=" 半导体材料与器件技术交流群iCSMD2020.jpg" alt=" 半导体材料与器件技术交流群iCSMD2020.jpg" / /p p style=" text-align: center " strong 半导体材料与器件技术交流群iCSMD2020 /strong /p p 　　 /p p br/ /p

半导体材料与器件是现代自动化、微电子学、计算机、通讯等设备仪器研制生产的基础材料及核心部件，具有专门的生产设备、工艺和方法，在现代各方面得到大量的研究和应用。仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题，邀请半导体领域相关研究、应用与检测专家、知名仪器企业技术代表，以线上分享报告、在线与网友交流互动形式，为同行搭建公益学习互动平台，增进学术交流。为回馈线上参会网的支持，增进会议线上交流互动，会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节，欢迎大家报名参会。同时，只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》（独家首发）一本，（兑奖方式见文末）报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期，还有部分赞助厂商将抽取幸运观众，邮寄企业周边产品。一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、会议时间2022年12月20日-12月22日三、会议形式线上直播，直播平台：仪器信息网 3i讲堂平台本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia或扫描二维码报名四、会议日程1.专场安排第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议时间专场名称12月20日全天光电材料与器件研究与应用12月21日全天第三代半导体研究与检测技术12月22日上午传感器与、半导体产业配套材料研究与检测技术2.详细日程（以会议官网最终日程为准）时间报告题目演讲嘉宾专场1：光电材料与器件研究与应用（12月20日）9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond苏思伟（Waters -TA部门 TA仪器热分析高级技术专家）10:30牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用王汉霄 (牛津仪器科技（上海）有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)直播抽奖：5张30元京东卡11:30午休午休音乐14:00半导体材料发展与机遇慕容素娟（大话芯片 总编）14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技（中国）有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静（北京理工大学 特别副研究员）15:30低维钙钛矿发光材料与器件张晓宇（吉林大学 副教授）直播抽奖：5张30元京东卡专场2：第三代半导体研究与检测技术（12月21日）9:30氮化镓增强型功率器件进展黄火林(大连理工大学 教授)10:00如何利用牛津原子力显微镜评价化合物半导体质量刘志文 (牛津仪器科技（上海）有限公司)10:30Epitaxial growth of thick GaN layers on Si substrates and the physics of carbon impurity杨学林(北京大学 正高级工程师)11:00海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用卢坤俊(海洋光学 资深技术&应用专家)11:30GaN电力电子器件研究进展赵胜雷(西安电子科技大学 副教授)直播抽奖：5张30元京东卡12:00午休午休音乐14:00GaN功率器件及功率集成电路技术魏进(北京大学 研究员)14:30布鲁克新一代能谱仪及其在半导体样品上的应用陈剑锋（布鲁克（北京）科技有限公司 应用工程师）15:00聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授）15:30雷尼绍拉曼光谱技术的发展及其在半导体材料分析中的应用王志芳（雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司 光谱产品部应用经理）16:00GaN半导体器件的仿真设计与制备研究张紫辉（河北工业大学 教授）16:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究王涛（北京大学 高级工程师）直播抽奖：5张30元京东卡专场3：传感器与MEMS研究与应用（12月22日上午）9:30硅纳米线场效应传感器的制备及其生物检测研究魏千惠（有研工程技术研究院有限公司 科研主管）10:00智能传感技术在电力设备中的应用/待定周渠（西南大学 教授）10:30半导体行业用水概述孙秀敏（工业和信息化部电子第五研究所 副部长/高级工程师）11:00水纯度对半导体研究与应用的重要性沈熹（威立雅水处理技术（上海）有限公司）威立雅赞助周边奖品抽奖11:30集成电路用水标准体系解读和检测方法介绍李春华（上海市计量测试技术研究院 集成电路产业中心主任/高工）直播抽奖：5张30元京东卡五、参会方式1. 本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia 或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后，直播前一天助教会统一审核，审核通过后，会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后，会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接，输入报名手机号，即可参会。六、兑奖方式：1） 直播间抽奖中奖后，凭借中奖截图凭证联系直播助手领奖；2） 分享朋友圈兑奖，凭借朋友圈点赞截图，联系主持人（微信号：15733280108）领取《2021年度科学仪器行业发展报告》七、会议联系1. 会议内容康编辑：15733280108，kangpcinstrument.com.cn2. 会议赞助周女士，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn仪器信息网电子工业出版社2022年12月12日附：往届会议回顾1）第二届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网： https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd20212）第一届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网： https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020

“第一届光学材料与器件物理学国际学术会议亚洲论坛”于2020年12月10日-14日在重庆市召开。本次会议由重庆邮电大学理学院主办，中国科学技术大学发光材料实验室、重庆文理学院光电功能材料研究中心、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所和塞尔维亚贝尔格莱德大学维察核科学研究所等单位协办。此次会议吸引了来自20多个国家和地区的专家和学者参会；综合考虑到疫情的影响，国际专家学者们均采用线上连线的方式全程参与了此次会议。第一届光学材料与器件物理学国际学术会议亚洲论坛会议现场 国际专家学者线上报告本次会议旨在响应国家开展对外的“一带一路”国际科技合作战略，为进一步提升我国在发光与显示材料研发领域的创新水平和更广泛的对欧合作奠定坚实的基础。会议设有主题报告、邀请报告及墙报展等多个环节，议题涵盖新型稀土和过渡金属发光材料及器件应用、发光材料理论模拟与计算、发光材料产业化及装备技术及先进光功能材料及其他与光化学交叉的前沿学科等方面，全方位展示国内外发光材料的研究成果。天美公司携旗下爱丁堡仪器公司助力了此次会议。 天美公司会议现场展台与会期间，众多专家学者们莅临展台，了解爱丁堡仪器研发制造的分子光谱产品，并重点咨询爱丁堡稳态瞬态荧光光谱仪和激光闪光光解仪的相关特点及应用。天美公司作为国内主要的科学仪器供应商，将始终秉承助力科研领域，为广大用户提供更优质仪器和更专业的技术服务，为推动国内及国际发光产业的发展贡献一份力量。

2021年5月14日至16日，由光电材料器件网，中国光电产业平台，上海交大平湖光电研究院联合主办，中国光电产业平台，上海交通大学有机电子与信息显示国家重点实验室，北京中科材联光电技术发展中心，中南大学高性能复杂制造国家重点实验室共同承办的“第三届有机光电材料与器件发展研讨会”顺利召开，会议的主旨是为在全国有机光电材料与器件领域从事科研、教学、生产和应用的科技工作者提供一个探讨学术、促进交流的平台，聚焦国内外科技进展，探讨急需解决的科学问题以及未来发展方向。　天美仪拓实验室设备（上海）有限公司（以下简称天美公司）应邀作为赞助商之一，全程参加了此次会议。会议期间，天美公司对于用户提出的需求进行相关的解答，也会进一步急用户之所急，进一步的开发出符合用户需求的产品。通过为其两天的会议，天美公司与客户进行了深入的交流，更加深了彼此的相互了解。天美公司作为知名供应商，将在有机光电材料与器件表征应用上，作出进一步的技术升级，服务广大客户，让广大客户得到满意的科研结果，助力其科研发展。

半导体产业作为现代信息技术产业的基础，已成为社会发展和国民经济的基础性、战略性和先导性产业，是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分。当前，全球半导体科技和产业的竞争愈演愈烈，各国围绕提升半导体领域竞争力，相继出台了一系列政策举措。半导体行业归根结底属于设备类行业，行业内素有“一代设备，一代工艺，一代产品”的说法。SEMI在SEMICON Japan 2022上发布了《2022年度总半导体设备预测报告》。报告指出，原设备制造商的半导体制造设备全球总销售额预计将在2022年创下1085亿美元的新高，连续三年创纪录，较2021创下的1025亿美元行业纪录增长5.9％。基于此，仪器信息网联合电子工业出版社于四、五月将启动“半导体主题月”活动。活动同期，仪器信息网与电子工业出版社特组织三场“半导体材料、器件研究与检测技术系列讲座”,旨在邀请领域内专家围绕相关论坛主题分享精彩报告，依托成熟的网络会议平台，为半导体产业从事研发、教学、生产的工作人员提供一个突破时间地域限制的免费学习、交流平台，让大家足不出户便能聆听到精彩的报告。点击图片直达会议页面一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、举办时间2023年4月11-26日，每周一期三、会议日程半导体材料、器件研究与检测技术报告时间报告题目报告嘉宾单位职称4月11日：第三代半导体材料器件研究与检测技术14:00-14:40车规级功率器件标准AQG324深入解读邓二平合肥工业大学教授14:40-15:20碳化硅功率器件可靠性测试与研究进展田鸿昌陕西半导体先导技术中心有限公司副总经理/高级工程师4月18日：光电材料、器件研究与检测技术10:00-10:40热活化延迟荧光发光电化学池器件张保华广州大学教授10:40-11:20待定杨妍中国科学院微电子研究所研究员4月26日：传感器/MEMS研究与检测技术14:00-14:40MEMS无线智能温振传感器及应用王建国苏州捷研芯电子科技有限公司副总经理14:40-15:20待定刘凤敏吉林大学教授三、报告嘉宾四、参会指南1、点击会议页面链接报名；会议页面：https://insevent.instrument.com.cn/t/RUs2、报名并审核通过后，将以短信形式向报名手机号发送在线听会链接；3、本次会议不收取任何注册或报名费用；4、会议联系人：3i讲堂—材料小周（ 邮箱：zhouhh@instrument.com.cn；微信二维码如下，可加入会议交流群）会议联系人微信二维码

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 2020年12月6日-7日，下一代电子信息材料与器件高峰论坛暨第三届低维材料应用与标准研讨会（LDMAS2020）在无锡召开。会议由全国纳米技术标准化技术委员会和东南大学共同主办，全国纳米技术标准化技术委员会低维纳米结构与性能工作组和东南大学电子科学与工程学院、物理学院等共同承办。会议邀请了院士、杰青等60余位专家学者、企业家做专题报告。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 7日下午，大会安排了电子信息材料与器件分论坛，吸引了相关领域与会者的热烈关注。以下为部分精彩报告摘要。 /span br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 267px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/08ba07f5-e573-4935-b891-688fe90c5121.jpg" title=" 崔义.JPG" alt=" 崔义.JPG" width=" 400" height=" 267" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告人：中科院苏州纳米所崔义 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告题目：基于真空互联技术的表界面科学研究 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 在苏州建设的纳米真空互联实验站（Nano-X）是世界上首个按国家重大科技基础设施标准在建的集材料生长、器件加工、测试分析为一体的纳米领域大科学装置。据崔义介绍，表面催化线站自建成以来，在二维材料的原位生长以及小分子动态插层和金属氧化物模型体系开展了一系列相关工作。整个纳米真空互联实验站的材料制备及分析测试平台全面对外开放，吸引不同领域的科学家和专业人员在同一平台上，交叉融合，相互碰撞，协同创新。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " & nbsp img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 267px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/b04b74ad-4f4b-4365-bcdd-844ebc2bd3df.jpg" title=" 赵静.JPG" alt=" 赵静.JPG" width=" 400" height=" 267" border=" 0" vspace=" 0" / /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告人：北京理工大学赵静 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告题目：Flexible Electronic Devices Based on Molybdenum Disulfide /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 二维材料独特的高表体比、优异的电机械性能、良好的柔韧性和高透明度等特性为其在柔性电子学的广泛应用提供了可能。赵静团队以化学气相沉积方法生长的大面积单层二硫化钼为基础，研究了其柔性场效应晶体管在不同湿度、应变等条件下性能的变化。在此基础上，通过改变晶体管部分结构还可以实现信号的存储。为最终获得集传感、信号传输、存储于一体的多功能人造电子皮肤提供了基础。 /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " & nbsp img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 267px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/a0b752a7-5fa6-43e5-b1e4-ad02317fe194.jpg" title=" 何道伟.JPG" alt=" 何道伟.JPG" width=" 400" height=" 267" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告人：南京大学何道伟 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告题目：二维有机半导体电子器件 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 传统液相或真空沉积的OFETs中，由于界面缺陷与陷阱，有机薄膜必须达到一定的厚度才能进行有效的电荷传输。何道伟团队利用界面调控技术，实现了单分子层二维有机薄膜晶体管，器件表现出包括超过30 cm sup 2 /sup /Vs 的本征空穴迁移率、电阻低于100 W· cm 的欧姆接触、及150 K下载流子仍保持金属性传导的特性。相对于传统的OFET，二维有机器件一方面有利于实现低接触电阻、低功耗等高性能器件，另一方面有利于研究有机半导体器件物理特性。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " & nbsp img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 267px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/453a4489-3bda-42ec-96c4-b837f310bc24.jpg" title=" L54A8100.JPG" alt=" L54A8100.JPG" width=" 400" height=" 267" border=" 0" vspace=" 0" / /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告人：河南大学蔡国发 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告题目：电致变色纳米材料与柔性多功能器件 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 电致变色是指器件的光学属性在外加电场的作用下发生稳定、可逆颜色变化的现象，在智能窗、防炫目后视镜、低能耗显示身等重要光电器件领域具有广泛应用。然而，现阶段电致变色器件依然面临着光学调制范围小、变色速度慢、循环稳定差等问题。基于此，蔡国发团队通过等级多孔化和自支撑新策略，研制了光学调制范围高达 97.7%的电致变色纳米材料，是目前光学调制范围的最高纪录；发展了湿法制备大面积电致变色薄膜新技术，率先实现了大尺寸高性能电致变色器件的构建；建立了集显示、储能、变色和传感等功能于一体的多功能器件新体系，并实现了大尺寸柔性制备，将传统电致变色器件的可能应用拓展到可穿戴智能光电器件等多个领域。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 267px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/71487980-b71a-4c53-9472-59a06c75e224.jpg" title=" 曹潇潇.JPG" alt=" 曹潇潇.JPG" width=" 400" height=" 267" border=" 0" vspace=" 0" / /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告人：赛默飞世尔科技曹潇潇 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告题目：Thermo Fisher Scientific Semiconductor Solution Introduction /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 随着中国成为先进逻辑、存储制造和先进芯片设计的领导者，对工具的需求变得越来越重要，这些工具可以加速工艺开发速度，在上市时间和自动化方面提供高投资回报率。报告中，来自赛默飞世尔的曹潇潇分享了赛默飞世尔领先的分析工作流程，以加速半导体行业客户的研发和关键生产过程。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " & nbsp img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 267px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/55e46c08-081d-4e02-8161-55dec8e49278.jpg" title=" 李晟曼.JPG" alt=" 李晟曼.JPG" width=" 400" height=" 267" border=" 0" vspace=" 0" / /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告人：湖南大学李晟曼 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告题目：基于超薄氧化铟锡的高性能低功耗电子器件 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 氧化物半导体具有宽禁带、合适的迁移率、低温制备等特点，常用在薄膜晶体管的沟道层中。近年来许多研究工作表明，氧化物半导体可以克服短沟道效应并实现高性能晶体管，同时表现出极低的静态功耗，可制备超低功耗电子器件，为开发下一代半导体提供了思路。据介绍，氧化铟锡(ITO) 是一种高电导，锡掺杂的兼并半导体，相对介电常数比铟镓锌氧化物(IGZO)或氧化锌(ZnO) 低，在实现低功耗超短沟晶体管方面具有更大潜力，结合超薄的器件结构和极好的界面质量，可实现基于氧化铟锡的低功耗高性能电子器件。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 267px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/8eeba707-2369-4135-938d-9ede28fd4965.jpg" title=" 刘衍朋.JPG" alt=" 刘衍朋.JPG" width=" 400" height=" 267" border=" 0" vspace=" 0" / /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告人：南京航空航天大学刘衍朋 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告题目：异质结中转角对赝磁场的调控 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 赝磁场可诱导出零磁场朗道量子化行为和谷霍尔效应等，引起研究人员越来越多的关注。但目前赝磁场的研究仅局限于褶皱、气泡等微纳米级局部区域，大 span style=" text-indent: 2em " 面积、平面型的可控制备依然是低维量子领域的一大难题。为此，刘衍朋团队前瞻性地将六方晶格的石墨烯人为铺设到正交晶格的磷烯薄片上面，借助界面晶格失配实现诱导石墨烯的晶格扭曲形变，在实验上观测到超晶格的形成。进一步借助扫描隧道能谱证实了在较大晶格失配下石墨烯中可产生周期性波动的垂直赝磁场，而赝磁场的振幅和空间分布可通过石墨烯和磷烯间的相对转角来调节。为观测零磁场朗道量子行为和逆向指导谷电子学器件的设计铺平了道路。 /span /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " & nbsp img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 267px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/690d210a-8d34-4472-9d9e-29a81fc1ee10.jpg" title=" 刘宏微.JPG" alt=" 刘宏微.JPG" width=" 400" height=" 267" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告人：南京师范大学刘宏微 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告题目：低维材料中光与物质的相互作用 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 低维材料具有许多新奇的物理现象，是研制新型光电子器件的理想材料体系。然而，如何理解这些新奇物理现象背后的物理机制并有针对性的制备高效、实用的光电子器件仍然是一个巨大的挑战。刘宏微课题组利用太赫兹光谱定性研究低维材料的载流子动力学并定量标定低维材料的光电性能，为设计、优化基于低维材料的光电器件提供精准的理论指导。进一步的，利用低维材料中丰富的太赫兹波与物质的相互作用，设计基于低维材料的可灵活调控太赫兹光场的光电器件。这类太赫兹光场调控器件可推动太赫兹波的应用，如检测角膜厚度、含水量及航空碳纤维复合材料的纤维含量、孔洞率，为医疗健康、航空安全的发展提供了技术支持。 /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " & nbsp img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 267px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/c428493c-c196-4188-a41e-defeb2048f18.jpg" title=" 1D6A7678.JPG" alt=" 1D6A7678.JPG" width=" 400" height=" 267" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告人：江南大学肖少庆 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告题目：二维半导体生长与光电性能调控 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 二维原子晶体超晶格允许集成高度不同的二维层状材料而不受晶格匹配的限制，因此具有可大范围调节的电子性质，从而提供了远超现有材料的独特功能和技术应用。然而，二维原子晶体超晶格的可控制备仍具有挑战性。为此，肖少庆团队开发了一种基于温和等离子体插层的新概念解决方案，利用自主发明的温和等离子体的平行电场将O2+离子插入到TMDs的层间，进而构造出人工原子晶体分子超晶格结构。由此产生的层间间隙膨胀可以有效地隔离TMDs单层，并赋予同质超晶格如 MoS sub 2 /sub [O sub 2 /sub ]x和异质超晶格如MoS sub 2 /sub [O sub 2 /sub ]x/WS sub 2 /sub [O sub 2 /sub ]x 一些奇异的性能，例如前者的荧光增强 100 倍，后者的光电流增强100倍。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 267px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/3c517f49-796b-4ed9-83df-d97a6866189c.jpg" title=" 1D6A7720.JPG" alt=" 1D6A7720.JPG" width=" 400" height=" 267" border=" 0" vspace=" 0" / /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告人：清华大学符汪洋 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 报告题目：石墨烯生物芯片和新冠检测 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 石墨烯是人们发现的第一种由单层原子构成的低维材料。它导电性强、可弯折、耐腐蚀，有丰富的物理特性和广泛的应用前景。目前，符汪洋课题组致力于石墨烯和其它二维（2D）晶体的生物化学传感研究，希望寻找到从其独特的性能中受益的新方法。符汪洋教授从新材料、新原理、新器件等角度介绍石墨烯场生物芯片研究的新近进展，特别是这种二维材料在快速、痕量新冠检测中的应用前景。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " LDMAS2020会期两天，大会以低维材料应用与标准为主题，围绕新型半导体材料在下一代电子信息器件中的应用，共同探讨如何提前规划布局、如何政产研融合推进、如何参与和主导国内外相关标准等重要议题，从政、产、学、研多维视角的深入研讨，以期共同推动我国低维电子信息材料与器件的发展、规划及相关标准的制定。伴随着分论坛的结束，大会圆满闭幕。 /p

近年来，我国光电产业快速发展，规模占全球总量29%，居全球第一。作为21世纪全球最具活力与潜力的产业，光电产业是我国战略性新兴产业的重要组成部分，也是我国向新型工业化转型的重要基石。光电技术水平和产业能力已成为衡量一个国家综合实力和国际竞争力的重要标志。而光电器件作为产业发展的核心，是保障产业链供应链安全稳定的关键，广泛应用于智能终端、汽车电子、5G通信、物联网以及航空航天、能源交通、军事装备等现代化工业的各个领域.4月14-15日，首届台州光电功能材料与器件应用高峰论坛成功举办。本次会议由中国光学工程学会和台州市人民政府主办，由中国光学工程学会、台州市科协、黄岩区人民政府共同承办。会议邀请了，中国光学工程学会名誉常务理事，中国科学院半导体研究所研究员陈良惠院士；中国光学工程学会副理事长，东南大学教授崔铁军院士；中国科学院紫金山天文台研究员史生才院士；德国科学院穆勒院士（线上）出席本次，同时还邀请了上海理工大学、中国科学院半导体所、苏州大学、上海光机所等30余位专家、本土企业30家到会深入交流，与会人员400余人。助力台州光电产业转型升级，会议期间安排大会主旨报告、新动能发展论坛、企业一对一对接、专家走访产业园区等活动，并成立了中国光学工程学会台州工作站，通过加强专家人才库的利用、技术平台资源信息共享、高端学术资源交流、产学研合作项目落地及产业化等方面的合作，将工作站打造成中国光学工程学会推进和服务地方科技经济融合发展的典范、企业提档升级的咨询智库、政产学研用金促进的重要平台，发挥学会在团结引领科技工作者、服务地方技术经济融合和产业转型升级等方面的作用。（与会嘉宾合影）为了更好地发挥工作站的作用，中国光学工程学会台州工作站为黄岩区政府成立了由院士领衔的专家战略咨询委员会。4月14日下午举办了中国光学工程学会台州工作站院士专家战略咨询委员会成立大会暨台州市光电产业发展战略咨询会，由来自光学领域25位学会院士专家担任的委员会顾问代表在会议上与台州市20余家光电企业进行了深度交流，其中5家企业已达成初步合作意向，其中崔铁军院士团队牵手黄岩精一新材料的关键技术攻关,切实解决企业技术需求的难题，助力台州光电产业“强链、补链、延链”，共同构建光电产业发展生态，推动产业高质量发展。（台州市光电产业发展战略咨询会）4月15日上午9：00，大会开幕式在黄岩区委常委、组织部部长谢伟正的主持下拉开序幕，谢部长热烈欢迎和衷心的感谢行业顶尖专家来到台州黄岩研讨对接，共享前沿信息、分析发展趋势、探寻合作共赢，并对与会的重要嘉宾进行了介绍。（开幕式主持人 黄岩区委常委、组织部部长谢伟正）首先，台州市政协副主席林虹女士在致辞中表示光电产业作为台州经济的新兴增长点，台州市政府为光电产业发展提供了有力的资源支撑和保障，光电产业正在步入高质量发展的快车道。台州致力打造全球一流临港产业带，谋划建设新能源城、新材料城、新医药健康城、未来汽车城和精密制造城，着力培育万亿级工业体量，比以往任何时期都更加渴望创新、渴求人才。（台州市政协副主席林虹女士致辞）随后，黄岩区委副书记、区长徐礼辉在致辞中表示，近年来，黄岩引进培育了一批光电行业龙头企业，在柔性OLED、太阳能电池和光伏发电等细分领域形成了集群发展的良好态势，积累了一批光电领域的优秀企业家、科技人才和资本。可以说，发展光电产业，黄岩既有产业基础、也有资源优势，更有广阔空间和光明未来。希望各位院士专家多来黄岩指导科技创新、开展成果转化、合作投资兴业；各位企业家继续加强沟通交流、深化产学研合作，与黄岩区委、区政府共创光电产业高质量发展的美好明天。（黄岩区委副书记、区长徐礼辉先生致辞）最后，中国科学院院士、东南大学教授崔铁军先生为大会开幕致辞。崔院士代表大会组委会和中国光学工程学会向与会的各位嘉宾表示热烈的欢迎和衷心的感谢。崔院士指出，当今世界正经历百年未有之大变局，新一轮科技革命和产业变革深入发展，面对产业大升级、行业大融合的态势，加快光电器件及关键配套材料和设备产业发展，提升产业链供应链现代化水平，对于促进我国战略新兴产业发展，推动经济体系优化升级、实现国民经济高质量发展具有非常重要的意义。中国光学工程学会积极响应国家号召，助力地方科技创新发展、产业转型升级、经济提质增效。（中国科学院崔铁军院士致辞）德国科学院穆勒院士通过线上视频的形式进行开幕致辞，对大会的召开表示祝贺。（德国科学院穆勒院士线上致辞）开幕式上，中国光学工程学会台州工作站揭牌仪式、中国光学工程学会台州市黄岩区光电产业发展咨询委员会聘任仪式举行，陈良惠院士、崔铁军院士、史生才院士等专家受聘为台州市光电产业发展咨询委员会首批顾问。中国光学工程学会台州工作站第一批意向入孵项目签约：《化合物半导体光电探测器》、《基于相位调制的超快时间分辨技术与光电功能材料表征》、《光流微瓶谐振腔及传感应用》、《光电功能透明陶瓷研发及应用》、《空间卫星激光通信光端机》。在热烈简短的大会开幕式之后，进入大会主旨报告环节，由上海理工大学张大伟教授主持。（张大伟教授主持大会报告）中国科学院崔铁军院士作了题为《信息超材料及应用》的报告。中国科学院史生才院士作了题为《超导与黑洞成像》的报告。中国科学院上海光学精密机械研究所陈卫标作了题为《小型全固态激光器技术进展》的报告。浙江工业大学姚建华作了题为《浙江省激光制造与增材制造技术发展现状及展望》的报告。苏州大学宋瑛林作了题为《基于相位调制的超快时间分辨技术与光电功能材料表征》的报告。中国科学院半导体研究所宋国峰作了题为《化合物半导体光电探测器研发》的报告。现场400多位参会代表从各位行业巨擘的精彩报告中受益匪浅，大会报告得到与会嘉宾的一致好评和高度赞誉。4月15日下午召开光电产业新动能发展论坛，14位行业大咖做专业报告，内容涵盖先进光学、光学元件、激光、红外、太赫兹、光谱成像、视觉感知等领域，这些报告非常有代表性，集中展现了本领域的最新进展和优秀成果。邀请专家包括中国科学院苏州生物医学工程技术研究所熊大曦教授、上海理工大学张大伟教授、东南大学程强教授、宁波大学戴世勋教授、浙江大学郝翔教授、上海大学张小贝教授、中国科学院微电子研究所光电技术研发中心董登峰教授、中国科学院光电技术研究所侯溪教授、福建师范大学林枭教授、宁波工业互联网研究院葛宗涛教授、上海理工大学林辉教授、华南师范大学刘飞龙教授、中国科学院沈阳自动化研究所罗海波教授、南京理工大学李宁博士。本届会议在活动丰富度、交流质量、会场环境等方面深受与会专家、代表的好评，并且体现出很强的交叉融合的特点，交流报告专业性强、信息量大、内容翔实有体系，充分展示了国内外的最新技术动态和发展趋势。首届台州光电功能材料与器件应用高峰论坛的成功召开，吸引了全球光电产业技术、人才及相关资源集聚台州，为进一步加强产学研合作与交流有着深远意义。

p style=" text-align: center " strong 关于召开“中国新能源材料与器件第一届学术会议”第一轮通知 /strong /p p 　　各相关单位： /p p 　　新能源材料是新能源产业发展的基础，有色金属是新能源材料的重要组成部分。特别是钴、镍、锂、铟、锗、镓、硒、碲、锆、铪和稀土等，都是支撑新能源产业发展不可缺少的功能材料。为了进一步深化产业布局、结构调整与学科发展,由中国有色金属学会、国家自然科学基金委员会工程与材料科学部、中南大学联合主办，中南大学冶金与环境学院、中国有色金属学会半导体材料学术委员会、北方中冶(北京)工程咨询有限公司承办的“中国新能源材料与器件第一届学术会议”定于2017年9月20-22 日在湖南省长沙市召开。 /p p 　　本次会议将邀请协会(学会)领导、院士、行业知名专家学者及企业代表，就国家相关政策和技术发展做专题报告。会议将对行业科技发展目标和任务进行全面深入的探讨,总结国内外近期开发的先进生产工艺和关键技术，并结合典型工程实例进行总结归纳和对比分析，指导我国新能源材料与器件产业升级，对保证行业可持续发展、提高企业核心竞争力具有指导和参考意义,希望各单位领导和技术人员踊跃参加。 /p p style=" text-align: right " 　　中国有色金属学会 /p p style=" text-align: right " 国家自然科学基金委员会工程与材料科学部 /p p style=" text-align: right " 中南大学 /p p style=" text-align: right " 　　2016年11月 /p p 　　 strong 附件一：会议基本情况 /strong /p p 　 strong 　一、会议时间、地点 /strong /p p 　　会议定于2017 年9 月20-22 日在湖南省长沙市召开。 /p p 　　 strong 二、征文内容 /strong /p p 　　大会拟设七个分会场并面向全国征文，具体内容如下： /p p 　　1. 锂离子电池及材料：锂离子电池正极材料、负极材料、电解液、隔膜、铝箔、铜箔、铝塑膜等原辅材料，锂离子动力电池与电源系统 /p p 　　2. 新型储能材料与器件：锂硫电池、钠/钾/镁/铝离子电池、金属空气电池、超级电容器等 /p p 　　3. 硅基太阳电池及材料：太阳级硅材料、硅太阳电池、光伏发电系统与工程等 /p p 　　4. 薄膜太阳电池及材料：铜铟镓硒、铜锌锡硫、碲化镉、钙钛矿、染料敏化、有机等薄膜太阳电池 /p p 　　5. 其他能源转换/储存材料与器件：光(电)催化制氢、降解及CO2还原，镍氢电池、燃料电池、液流电池等 /p p 　　6. 新能源战略资源提取与循环： Li、Ni、Co 等资源提取与加工，以及废旧二次电池和太阳电池材料的清洁回收与循环利用 /p p 　　7. 新能源材料与器件的微纳加工、表征、检测与设计等。 /p p 　　 strong 三、征文时间 /strong /p p 　　来稿截止日期在2017 年8 月底以前(将论文发送E-mail 到：ysgc@china-mcc.com)出版日期在2017年9月上旬(详情登录：中冶有色技术网)。 /p p 　　 strong 四、征文说明 /strong /p p 　　1. 论文不收取版面费，没有被录用的稿件不退回 /p p 　　2. 有相关主题内容的企业组织本单位3-5 篇论文 /p p 　　3. 国外公司及专家在投稿时，务必附上是否与会的函 /p p 　　4、被录用论文的第一作者及与会代表每人可获得一本论文集 /p p 　　5. 被录用论文中，推荐一批优秀论文到《中国有色金属学报》发表。 /p p 　　 strong 五、参会对象 /strong /p p 　　国家政府职能部门领导、行业专家、高等院校、科研院所专业技术、人员 行业主管领导、科研人员和管理人员 学会、协会的委员和相关负责人 新技术、新工艺、新设备的研发单位和设备代表等。 /p p 　　 strong 六、关于会议说明及会议提醒 /strong /p p 　　1. 会议由北方中冶(北京)工程咨询有限公司负责全面组织、招商、酒店协调、费用收取、发票开具等会务工作 /p p 　　2. 会议代表注册费2500 元/人，在校学生凭学生证收取1000元/人，注册费包括会务、论文审稿、论文集出版、专家演讲资料费、考察费用 /p p 　　3. 食宿安排：会议统一安排住宿，宿费自理 会议统一安排用餐 /p p 　　4. 会场设置多媒体设备，请做学术交流的领导和代表准备好PPT 讲稿，提前一周交给会务组，以便会议交流 /p p 　　5. 为推动中国新能源材料与器件的发展及推广应用，欢迎国内外有关公司及机构支持、赞助本次会议。我们将以在会议文集上刊登广告、提供小型展位等多种形式宣传支持、赞助单位，为支持、赞助单位提供扩大市场、拓展业务的良机。 /p p 　　 strong 七、组委会联系方式 /strong /p p 　　1. 会务联系 /p p 　　联系人：许飞手机：13439831435 /p p 　　电话：010-68807312 传真：010-88796961 /p p 　　邮箱：ysgc@china-mcc.com /p p 　　2. 中国有色金属学会 /p p 　　地址：北京市复兴路乙12 号 /p p 　　联系人：高焕芝手机：13811402047 /p p 　　电话：010-63971450& nbsp /p p 　　3. 中南大学冶金与环境学院 /p p 　　地址：湖南省长沙市岳麓区 /p p 　　联系人：赖延清手机：13975808172 /p p 　　电话：0731-88876454 /p p 　　邮箱：13975808172@126.com /p p 　　 strong 附件二：会议组织机构 /strong /p p 　　 strong 一、主办单位 /strong /p p 　　中国有色金属学会 /p p 　　国家自然科学基金委员会工程与材料科学部 /p p 　　中南大学 /p p 　　 strong 二、承办单位 /strong /p p 　　中南大学冶金与环境学院 /p p 　　中国有色金属学会半导体材料学术委员会 /p p 　　北方中冶(北京)工程咨询有限公司 /p p 　　 strong 三、协办单位 /strong /p p 　　难冶有色金属资源高效利用国家工程实验室 /p p 　　粉末冶金国家重点实验室 /p p 　　半导体材料国家工程研究中心 /p p 　　先进储能材料国家工程研究中心 /p p 　　先进电池材料教育部工程研究中心 /p p 　　湖南省先进电池材料及电池产业技术创新战略联盟 /p p 　　 strong 四、支持单位 /strong /p p 　　《中国有色金属学报》编辑部 /p p 　　国防科学技术大学 /p p 　　湖南大学 /p p 　　湘潭大学 /p p 　　长沙理工大学 /p p 　　江西理工大学 /p p 　　新能源行业的若干骨干企业 /p p 　　 strong 五、学术委员会 /strong /p p 　　(1)主任 /p p 　　贾明星 中国有色金属学会理事长 /p p 　　刘业翔 中南大学中国工程院院士 /p p 　　屠海令 北京有色金属研究总院中国工程院院士 /p p 　　郭学益 中南大学副校长 /p p 　　(2)副主任 /p p 　　张洪国 中国有色金属学会副理事长兼秘书长 /p p 　　张英杰 昆明理工大学党委书记 /p p 　　杨斌 江西理工大学校长 /p p 　　周旗钢 北京有色金属研究总院副院长 /p p 　　李劼 中南大学校长助理兼研究生院院长 /p p 　　柴立元 中南大学冶金与环境学院院长 /p p 　　(3)执行副主任 /p p 　　张宝 中南大学冶金与环境学院党委书记 /p p 　　赖延清 中南大学冶金与环境学院副院长 /p p 　　(4)委员(按姓氏拼音排序) /p p 　　陈召勇 长沙理工大学材料科学与工程学院教授 /p p 　　邓良平 西安隆基硅材料股份有限公司研发总监 /p p 　　胡国荣 中南大学冶金与环境学院教授 /p p 　　纪效波 中南大学化学化工学院教授 /p p 　　李建忠 北京当升材料科技股份有限公司总经理 /p p 　　李林波 西安建筑科技大学冶金工程学院副院长 /p p 　　李庆余 广西师范大学化学化工学院教授 /p p 　　李新海 中南大学冶金与环境学院教授 /p p 　　李运姣 中南大学冶金与环境学院教授 /p p 　　梁叔全 中南大学材料科学与工程学院院长 /p p 　　梁彤祥 江西理工大学材料科学与工程学院院长 /p p 　　刘刚 青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司总经理 /p p 　　刘晋 中南大学冶金与环境学院教授 /p p 　　马文会 昆明理工大学冶金与能源工程学院院长 /p p 　　潘安强 中南大学材料科学与工程学院教授 /p p 　　潘军 中南大学粉末冶金研究院教授 /p p 　　孙立贤 桂林电子科技大学材料科学与工程学院院长 /p p 　　唐有根 中南大学化学化工学院教授 /p p 　　田庆华 中南大学冶金与环境学院副院长 /p p 　　万烨 洛阳中硅高科技有限公司副总经理 /p p 　　王双印 湖南大学化学化工学院副院长 /p p 　　王习东 北京大学工学院能源与资源工程系主任 /p p 　　王先友 湘潭大学电化学能源储存与转换湖南省重点实验室主任 /p p 　　王志兴 中南大学冶金与环境学院教授/副院长 /p p 　　韦伟峰 中南大学粉末冶金研究院教授 /p p 　　谢凯 国防科学技术大学航天科学与工程学院教授 /p p 　　邢鹏飞 东北大学冶金学院新能源科学与工程系主任 /p p 　　胥福顺 昆明冶金研究院院长 /p p 　　徐盛明 清华大学核能新能源技术研究院/江西理工大学教授/副校长 /p p 　　徐志峰 江西理工大学冶金与化学工程学院院长 /p p 　　闫忠强 先进储能材料国家工程研究中心主任 /p p 　　严大洲 多晶硅制备技术国家工程实验室主任 /p p 　　阳军亮 中南大学物理与电子学院教授 /p p 　　袁永波 中南大学物理与电子学院教授 /p p 　　张立峰 北京科技大学冶金生态与工程学院院长 /p p 　　钟胜奎 苏州大学沙钢钢铁学院副院长 /p p 　　钟盛文 江西理工大学动力电池及其材料省重点实验室主任 /p p 　　周向阳 中南大学冶金与环境学院教授 /p p 　　 strong 六、组织委员会 /strong /p p 　　(1)主任 /p p 　　金锐 张宝 /p p 　　(2)副主任 /p p 　　高焕芝 赖延清 张果虎 /p p 　　(3)委员 /p p 　　纪效波 韦伟峰 潘安强 袁永波 郭华军 阳军亮 潘军 张治安 田庆华 肖清华 易耀华 魏国生 李建国 杜科 杨娟 郑俊超 王接喜 蒋良兴 刘芳洋 杨英 贾明 方钊 田忠良 彭忠东 曹彦冰 陈斌 刘浩 周欣 赵丽 许飞 白宇 /p p & nbsp & nbsp strong 附： /strong img src=" /admincms/ueditor1/dialogs/attachment/fileTypeImages/icon_pdf.gif" style=" line-height: 16px " / a href=" http://img1.17img.cn/17img/files/201707/ueattachment/33124c96-25e1-4e5b-ae88-bede5d7c592b.pdf" style=" line-height: 16px " 会议通知文件.pdf /a /p

为进一步加强半导体分析检测技术高技能人才队伍建设,使科技人员适应科学技术的发展，掌握该技术领域的新技能，新方法，开拓视野，提高科学实验技能和实验仪器的使用效能，“半导体材料与器件分析检测技术”培训班将于近期在上海举办。本次培训由中国科学院人事局资助、中国科学院上海硅酸盐研究所主办、上海无机非金属材料分析测试专业平台和上海材料与制造大型仪器区域中心协办。附件1：培训日程安排.docx附件2：报名回执.docx

近期，安光所孟钢研究员团队在无机钙钛矿三溴化铅铯(CsPbBr3)材料的制备和光电探测研究方面取得新进展，相关研究成果分别以《基于热压CsPbBr3块材的高性能平面型光电探测器》和《用于超灵敏弱光光电探测器的高质量CsPbBr3单晶的成核控制生长》为题分别发表于美国化学会(ACS)出版的Journal of Physical Chemistry Letters和英国皇家化学学会(RSC)出版的Journal of Materials Chemistry C上。 　　CsPbBr3材料因其优异的环境稳定性和光电特性是一种极有应用前景的新型光电材料。团队王时茂副研究员和博士生赵啸等人采用简单高效的粉末热压方法制备了形状规则、尺寸可控的CsPbBr3多晶块材(图1)。此外，研究团队还将溶液精炼策略引入CsPbBr3单晶的逆温度结晶生长过程中，获得了高质量的CsPbBr3单晶(图2)。基于CsPbBr3热压块材/单晶的光电探测器件表现出了超快的光响应，并且基于CsPbBr3单晶的光电探测器表现出了2.25 nW cm−2的极低检测限，表明其在弱光探测方面具有巨大潜力。本研究为制备高质量CsPbBr3材料提供了新的思路，并且有望应用于包括太阳电池、辐射探测器等在内的多种光电器件。 　　本研究获得国家自然科学基金、中科院百人计划、先进激光技术安徽省实验室主任基金等项目的资助。图1. 粉末热压制备CsPbBr3块材及其光电探测性能图2. 溶液精炼辅助逆温度结晶生长的高质量CsPbBr3单晶及其光电探测性能

“学术简讯”栏目旨在帮助光谱技术使用者时时掌握新发表的科学研究前沿资讯。我们将每周给您推送新增学术论文：包括但不限于主流期刊Nature index、ACS、RSC、Wiley、Elsevier等。帮助您了解全球范围用户使用 HORIBA 光谱技术的新动态，为您的科学研究提供新思路，激发学术灵感。如您对本栏目有任何建议，欢迎留言。本周我们推荐5篇前沿学术成果，针对材料、光电器件、有机化学、高压拉曼、光学材料领域，涉及拉曼、荧光、OSD技术。材料光电器件有机化学高压拉曼光学材料更多光学光谱文献，欢迎访问Wikispectra 文献库。

半导体行业是一个资金密集型、技术密集型的行业，其生产工艺复杂，设备精密度要求高，整体流程涉及到成百上千道工序。随着半导体制造工艺越来越高，其制造难度及品质管控也在呈指数级增长。因此，半导体行业呈现出来材料纯度要求高、制造精度要求高，制作过程复杂等特点。而这也对材料、器件的分析检测技术都提出了极高的要求。基于此，仪器信息网2023年10月18-20举办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件和材料分析、可靠性测试、失效分析、缺陷检测和量测等热点分析检测技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。为答谢广大用户，本次大会每个专场都设有一轮抽奖送专业图书活动。一、主办单位：仪器信息网&电子工业出版社二、会议时间：2023年10月18-20日三、会议日程1.专场安排第四届“半导体材料器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会时间专场名称10月18日全天半导体材料分析技术新进展10月19日可靠性测试和失效分析技术可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）10月20日上午缺陷检测与量测技术2.详细日程（含拟邀请）时间报告题目演讲嘉宾专场1：半导体材料分析技术新进展（10月18日）专场主持人：汪正（中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员）9:30等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正（中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员）10:00有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳（中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师）10:30牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚（牛津仪器科技（上海）有限公司 应用工程师）11:00透射电子显微镜在氮化物半导体结构解析中的应用王涛（北京大学 高级工程师）11:30集成电路材料国产化面临的性能检测需求桂娟（上海集成电路材料研究院 工程师）午休14:00离子色谱在高纯材料分析中的应用李青（中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员）14:30拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师）15:00半导体—离子色谱检测解决方案王一臣（青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理）15:30宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授）16:00专业图书介绍及抽奖送书主持人：王天跃（电子工业出版社电子信息分社 编辑）专场2：可靠性测试和失效分析技术（10月19日上午）9:30碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究田鸿昌（中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人）10:00集成电路激光试验测试技术研究马英起（中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师）10:30失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕（北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理）11:00半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析贾铁锁（甬江实验室微谱（浙江）技术服务有限公司 失效分析工程师）11:30专业图书介绍及抽奖送书主持人：王天跃（电子工业出版社电子信息分社 编辑）专场3：可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）（10月19日下午）专场主持人：吕宏峰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）14:00高端集成电路5A分析评价技术师谦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）14:30光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）15:00集成电路振动、冲击试验评价邓传锦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）15:30光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝（工业和信息化部电子第五研究所 部门主任/高级工程师）16:00半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬（工业和信息化部电子第五研究所 工程师）16:30电子制造中的可靠性工程邹雅冰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师/工艺总师）17:00集成电路静电放电失效分析与评价何胜宗（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）17:30专业图书介绍及抽奖送书主持人：王天跃（电子工业出版社电子信息分社 编辑）专场4：缺陷检测与量测技术（10月20日上午）9:30半导体芯片量检测技术及装备杨树明（西安交通大学 教授）10:00国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书（中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员）10:30面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓（同济大学 副教授）11:00专业图书介绍及抽奖送书主持人：王天跃（电子工业出版社电子信息分社 编辑）四、会议形式仪器信息网3i讲堂直播平台五、参会方式1. 本次会议免费参会，参会报名请点击：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后，直播前一天助教会统一审核，审核通过后，会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后，会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接，输入报名手机号，即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑：15733280108，kangpc@instrument.com.cn2. 会议赞助周经理，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn刘经理，15718850776，liuyw@instrument.com.cn仪器信息网2023年10月17日

仪器信息网讯 2023年10月18-20日，仪器信息网联合电子工业出版社主办的第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会成功召开！本次大会共邀请到24位来自科研院所、第三方检测、工业和仪器企业的专家分享了精彩内容。会议共吸引约1100位行业从业人员报名，出席人数更是创历年新高！回顾本次大会，在内容上打破此前以材料为主题的专场划分，聚焦半导体材料分析、可靠性测试和失效分析、缺陷检测和量测等检测技术，直播间里报告专家与听众充分交流，会议也收到“内容质量高”，“收获很大”等良好反馈。同时，仪器信息网也在线征集和听取了听众们对于会议内容更多的需求与期待，以保证下一届会议更好地帮助到网友们的工作。应广大网友强烈要求，现将征得本人同意的报告视频整理如下。点击“回放”即可进入视频播放页面。半导体材料分析技术新进展等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正（中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员）回放有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳（中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师）回放牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚（牛津仪器科技（上海）有限公司 应用工程师）回放透射电子显微镜在氮化物半导体结构解析中的应用王涛（北京大学 高级工程师）无集成电路材料国产化面临的性能检测需求桂娟（上海集成电路材料研究院 工程师）无离子色谱在高纯材料分析中的应用李青（中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员）回放拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师）回放半导体—离子色谱检测解决方案王一臣（青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理）回放宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授）回放可靠性测试和失效分析技术碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究田鸿昌（中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人）回放集成电路激光试验测试技术研究马英起（中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师）无失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕（北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理）回放半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析贾铁锁（甬江实验室微谱（浙江）技术服务有限公司 失效分析工程师）无可靠性测试和失效分析技术（赛宝实验室专场）高端集成电路5A分析评价技术师谦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）无光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）无集成电路振动、冲击试验评价邓传锦（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）无光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝（工业和信息化部电子第五研究所 部门主任/高级工程师）无半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬（工业和信息化部电子第五研究所 工程师）无电子制造中的可靠性工程邹雅冰（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师/工艺总师）无集成电路静电放电失效分析与评价何胜宗（工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师）无缺陷检测与量测技术半导体芯片量检测技术及装备杨树明（西安交通大学 教授）无国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书（中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员）回放面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓（同济大学 副教授）无

朱良漪，原机械部国家仪表总局副局长、中国仪器仪表学会分析仪器分会名誉理事长，是仪器仪表和自动化控制领域最早的开拓者，影响中国仪器仪表和自动化控制行业发展的奠基人。为纪念朱良漪先生矢志不渝推动我国分析仪器事业发展的精神，以及激发企业及广大科技工作者积极投身于分析仪器的创新工作中，由中国仪器仪表学会设置、中国仪器仪表学会分析仪器分会承办执行了“朱良漪分析仪器创新奖”，共分为“创新成果奖”和“青年创新奖”两个奖项。　　“朱良漪分析仪器创新奖”的设立不只是对朱老的怀念与敬意，更是对分析仪器创新精神的坚守与传承。自2017年举办至今，“朱良漪分析仪器创新奖”已成功颁发四届，先后有12项分析仪器创新成果、14位青年创新科学家获奖。　　2021年度朱良漪分析仪器创新奖已经完成评审，最终获奖结果即将揭晓公布。在此之前，中国仪器仪表学会分析仪器分会与仪器信息网将联合走访 “朱良漪分析仪器创新奖” 往届获得者，倾听了解他们在获奖之后的新成就与新感受。西北工业大学 查钢强教授　　2019年，西北工业大学查钢强教授荣获该年度“朱良漪分析仪器创新奖”之“青年创新奖”。 而据了解，查钢强教授研发了4英寸碲锌镉晶体生产技术，开发了针对大尺寸碲锌镉晶体特性的多项生产及加工工艺技术，在此基础上研制的碲锌镉探测器采用了自行研制的ASIC电路，提高了探测器的兼容性和稳定性。其研制的碲锌镉探测器，解决了目前国内市场上固体探测器的缺陷，打破了国际垄断，填补了国内碲锌镉探测器的空白，并产生了一定的经济效益。　　借此机会，中国仪器仪表学会分析仪器分会与仪器信息网共同采访了查钢强教授。　　Q：首先请您介绍一下目前的主要研究方向与研究成果?　　查钢强：我是从2001年开始进入这一研究领域，师从介万奇教授，从事碲锌镉半导体材料与器件的相关研究。2007年我博士毕业后留校任教，一直聚焦这个研究领域，直到现在。　　我本人主要从事半导体材料物理与器件的基础研究，重点是化合物半导体碲锌镉辐射探测材料与器件的基础研究和应用开发，在低成本碲锌镉材料制备、晶体加工处理与质量评价、缺陷调控与性能表征、器件设计与制备等方面开展了一系列的研究。曾主持国家自然科学基金、工信部民机科研项目、装发军用电子元器件项目等10余项科研项目，发表SCI学术论文100余篇，申请国家发明专利20余项，获得了国家技术发明二等奖及陕西省科学技术一等奖，2021年非常荣幸地获得了国家万人计划青年拔尖人才荣誉称号。　　Q：自2019年获奖后，您又取得了哪些新的科研成就?　　查钢强：获奖后，我在新型碲锌镉探辐射探测与成像器件领域持续深耕，开发出基于碲锌镉探测器的全身双能X射线骨密度仪和便携式伽马相机。　　该研究揭示了碲锌镉晶体中深能级缺陷的浓度、电离能、俘获截面、缺陷类型，以及其对光子计数X射线探测器的影响规律。揭示了大剂量X射线下碲锌镉探测器的载流子浓度分布、内电场分布以及载流子的输运行为，以及光子计数探测器极化效应的本质。揭示了探测器电极结构对电荷串扰效应的影响规律，并开发出复杂电极结构的器件制备工艺，设计开发出高密度小像素碲锌镉X射线光子计数探测器。　　基于多能X射线在物质中的衰减理论，开发出多能谱成像算法。通过矫正补偿由电子不完全收集、散射、堆积等引起的能区信号串扰问题，结合X射线K边缘过滤技术和非线矫正方法，实现了多能谱成像和高精度物质分解。设计开发出基于碲锌镉光子计数探测器的双能X射线全身骨密度仪，通过弓形扫描，具备进行生物体内骨骼、脂肪、肌肉等组织的深度、密度、体积等参数快速采集和显微成像能力，实现CdZnTe光子计数探测器的实际应用。　　Q：“十四五”开局，对于您的科研创新提出了哪些新的机遇与挑战?　　查钢强：针对国外巨头对新型高端医疗器械研发的投入和行业布局的垄断，以及我们国家社会发展和人民群众对高性能高端医疗器械的迫切需求，对我们从事相关核心关键部件的科研团队来说，既是机遇，也是挑战。　　下一步的工作目标是，一方面继续优化我们的碲锌镉探测，尤其是在相关成像算法和系统集成方面 另一方面，积极加强与整机厂商的联合，开发出基于核心探测器的高端医疗器械，并进行工程化和产业化。　　Q：您对于分会的工作有什么意见或建议?需要哪些后续的支持与合作?　　查钢强：希望分会积极梳理相关企业的需求和行业发展的趋势，推动共性技术的研讨交流和相关专业人才的推荐。　　Q：作为“朱良漪青年创新奖”获得者，请对行业和同行给予一些建议与祝福?　　查钢强：我建议仪器行业从业者加强应用技术开发和交流合作，希望咱们国产仪器行业尽快自立自强。

为了促进材料、器件、生物检测领域的交叉融合，推动新型生物检测技术、体外诊断技术的探索、完善、成熟，依托中国生物检测监测产业技术创新战略联盟、北京市科技新星群体、诚邀国内相关领域著名学者，由中国生物检测监测产业技术创新战略联盟、北京市科委人事教育处(待首肯)、北京市科委人才交流中心(待首肯)、北京科技大学、军事医学科学院微生物流行病研究所、病原微生物生物安全国家重点实验室、中国科学院理化技术研究所、仪器信息网、我要测网联合发起并主办《第二届新材料、新器件与生物检测协同创新论坛》暨2016年中国生物检测监测产业技术创新战略联盟产业创新论坛、2016年北京市科技新星大师讲堂与协同创新论坛将于6月4日在北京举行。　　会议特色：　　设置了大师讲堂、产业对话、科技创新等学术交流环节，并将举行中国生物检测监测联盟《2016年指向性课题》启动仪式　　会议模式：　　会议倡导“Open access conference”的会议模式以推动自由、开放的学术交流，倡导“Open access technological platform”的技术平台共享模式以促进生物检测监测联盟、新星与国内同行之间的实质性合作。　　Open access conference会议模式——在限定参会人员总数的前提下，不收取会务费，为与会人员免费提供会场、会议材料、餐饮，经费来源于课题会务费与企业赞助。　　Open access technological platform技术平台共享模式——在衍生知识产权平等共享的前提下，将技术平台对联盟成员、新星群体以及国内同行全面开放，推动领域交叉、协同创新。目前开放技术平台：2015届科技新星周蕾课题组的“新材料、新器件的生物应用探索与评价平台”。　　会议通知：　　论坛时间、地点：　　2016年6月4日(8:30-17:50)，北京，北京悦宏国际酒店一层宴会厅　　签到时间：6月3日 12:00-18:00，6月4日 7:00-12:00　　论坛内容：(按报告顺序排名)　　[1]大师讲堂：谭蔚泓院士、张学记教授 　　[2]科技创新：林金明(清华大学)、郭维(中科院理化技术所，2015新星)、赵美萍(北京大学)、鞠熀先(南京大学，丁霖 代)、郭少军(北京大学)、庞代文(武汉大学，林毅 代)、崔华(中国科学技术大学)、叶邦策(华东理工大学，左鹏 代)、应迭伦(华东理工大学) 　　[3]产业对话：周蕾(军事医学科学院，2015年新星)、万宇平(勤邦生物)、董海峰(北京科技大学)、周文强(深圳三相) 　　组织方式：　　[1]免费参会、免费餐饮，参会名额限定160个 　　[2]填写参会回执发送至ammszhoulei@163.com，获取参会编号，按照编号注册参会 　　[3]限额参会，报名后请尽量准时参加，以免名额浪费。　　交通路线：　　北京悦宏国际酒店地址：北京海淀区复兴路65号乙(万寿路西街西口)　　自驾或出租车：四环五棵松桥下向东上复兴路，复兴路与西翠路交叉口向北上西翠路，西翠路与万寿路西街交叉口向东上万寿路西街，直行200米路南。　　地铁：地铁1号线五棵松站B1口出，沿复兴路向东800米至西翠路，沿西翠路向北300米至万寿路西街，沿万寿路西街向东200米路南。全程步行10-15分钟。