半导体晶片

面向半导体晶圆检测的光谱测试系统 荧光测试荧光光谱的峰值波长、光谱半宽、积分光强、峰强度、荧光寿命与电子/空穴多种形式的辐射复合相关，杂质或缺陷浓度、组分等密切相关膜厚&反射率&翘曲度通过白光干涉技术测量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翘曲度荧光光谱系统特点面向半导体晶圆检测的光谱测试系统光路结构示意图自动扫描台：兼容2寸、4寸、8寸晶圆可升级紫外测量模块、翘曲度测量模块侧面收集模组：用于AlGaN样品（发光波段200-380 nm），因为AlGaN轻重空穴带反转使其荧光发光角度为侧面出光，因此需要特殊设计的侧面收光模块。翘曲度测量模块翘曲度测量模块集成在显微镜模组中，利用晶圆表面反射回的375nm激光，利用离焦量补偿实现表面高度的测量，对晶圆片的高度扫描后获得晶圆形貌，从而计算翘曲度的数值。该模块不仅可以测量晶圆的形貌和翘曲度，同时还可以起到激光自动对焦的作用，使得晶圆片大范围移动时，用于激发荧光的激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。物镜5xNA=0.2820xNA=0.40100xNA=0.8离焦量z分辨率 1 μm 0.5 μm 0.06 μm激光光斑尺寸（焦点处）~2 μm~2 μm~1 μm测量时间（刷新频率） 20 ms(50 Hz），可调节最高100 Hz紫外测量模块紫外测量模块的功能主要由集成在显微镜模组中的5x紫外物镜和侧面收集模块实现。可选择213nm或266nm的激光进行激发，聚焦光斑约10微米，可选择通过该物镜收集正面发射的荧光，通过单色仪入口1进行收集和测量。针对AlGaN的发光波段（200-380nm），尤其是Al组分较大（70%）的AlGaN由于轻重空穴带反转，其荧光发光角度为侧面出光，因此设置侧面收集模组，将侧面发出的荧光通过一个单独倾斜60度角的物镜收集后，通过光纤传入单色仪入口2进行收集和测量。可通过翘曲度模块对晶圆片形貌进行测量后，再进行紫外荧光测量时，根据记录的形貌高度，Z轴移动实现晶圆片高度方向的离焦量补偿，使得晶圆片大范围移动时，激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。软件界面晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应用案例6英寸AlGaN晶圆测试随着AlGaN中Al所占比例的增加，可看到发光峰位出现了蓝移，当Al的含量占到70%的时候，峰位已经蓝移至238nm。对AlGaN晶圆进行Al组分比例面扫描，可以看到晶圆中Al的组分分布情况。MicroLED微区PL荧光光谱MappingMicroLED微盘，直径40微米。图（A）：荧光PL Mapping图像，成像区域45×45微米；图（B）：图（A）所示红线，m0-m11点，典型荧光光谱。MicroLED微盘的荧光强度3D成像 2英寸绿光InGaN晶圆荧光光谱测试从InGaN的峰强分布来看，在晶圆上峰强分布非常不均匀，最强发光大约位于P2点附近，而有些位置几乎不发光。发光峰位在500-530nm之间，分布也很不均匀。波长在510nm（P2位置）发光最强。波长越靠近530nm（P1位置），发光越弱。2英寸绿光InGaN晶圆荧光寿命测试从以上荧光寿命成像得到，绿光InGaN荧光寿命在4ns-12ns之间。沿着P1-P3白线，荧光寿命减小。从晶圆上分布看，荧光寿命与荧光强度成像的趋势大致相符，而且峰位有明显关联。即沿着峰位蓝移方向（蓝移至500nm），荧光发光强度增强而且寿命增加，说明辐射复合占据主要比例。而沿着峰位红移的方向（蓝移至530nm），发光强度减弱，同时寿命减小，说明非辐射复合占据主要比例。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统性能参数：荧光激发和收集模块激光波长213/266/375 nm激光功率213nm激光器，峰值功率＞2.5kw@1KHZ，266nm激光器，输出功率2-12mw可调自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米 显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 近紫外物镜，100X/20X，用于375nm激光器,波长范围355-700 nm&bull 紫外物镜, 5X,用于213 nm/266nm的紫外激发, 200-700 nm 样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。 样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片 光谱仪探测器 光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，可接面阵探测器。&bull 光谱分辨率：优于0.2nm@1200g/mm 可升级模块翘曲度测量模块重复测量外延片统计结果的翘曲度偏差±5um紫外测量模块5X紫外物镜，波长范围200-700 nm。应用于213 nm、266nm的紫外激发和侧面收集实现AlGaN紫外荧光的测量膜厚测试模块重复测量外延片Mapping统计结果的膜厚偏差±0.1um荧光寿命测试模块荧光寿命测试精度8 ps，测试范围50 ps-1 ms软件控制软件可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高、半高宽等进行拟合。&bull 可计算荧光寿命、薄膜厚度、翘曲度等。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统仪器订购样品委托测试

半导体晶圆拉曼光谱测试系统R1——应力、组分、载流子浓度 面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统主要功能：&bull 光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化，该现象称为拉曼散射。&bull 拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关&bull 广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析。仪器架构：性能参数： 拉曼激发和收集模块激光波长532 nm激光功率100 mW自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 100x，半复消色差物镜&bull 空间分辨率2微米拉曼频移范围80-9000 cm-1样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片光谱仪和探测器光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，接面阵探测器。&bull 分辨率2.0 cm-1。软件控制软件&bull 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高和半高宽等进行拟合。&bull 可自动拟合并计算应力、晶化率、载流子浓度等信息，样品数据库可定制。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应力检测—GaN晶圆片利用拉曼光谱568 cm-1位置的特征峰位移动，可以检测GaN晶圆表面应力分布。类似方法还可应用于表征Si/SiC/GaAs等多种半导体。载流子浓度检测——SiC晶圆片组分检测——结晶硅薄膜晶化率测试结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比，是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率𝛸 𝛸 𝑐 𝑐 可通过拟合拉曼光谱分峰后定量计算。多层复杂晶圆质量检测——AlGaN/GaNHEMT&bull 氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。&bull 晶圆片包含Si/AlGaN/GaN多层薄膜结构。&bull 拉曼光谱可给出多层结构的指纹峰，并对其应力、组分、载流子浓度等进行分析。AlGaN/GaN晶圆，直径6英寸面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统仪器订购样品委托测试

型号：LB-8600产品介绍LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试，IC半导体封装测试、TO封装测试，IGBT功率模块封装测试，光电子元器件封装测试，汽车领域，航天航空领域，军工产品测试，研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍：1.设备整体结构采用五轴定位控制系统，X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计，全方位保护措施，左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动，让操作更加简单、方便并更加人性化。2.高可达200KG的坚固机身设计，Y轴测试力值100KG，Z轴测试力值20KG3.智能工位自动更换系统，减少手工更换模块的繁琐性，同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法，使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统，当设备空闲状况下，照明灯光自动熄灭，人员操作时，LED照明灯开启设备软件：1.中英文软件界面，三级操作权限，各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N，可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线，测试数据实时保存与导出功能，测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据大值、小值、平均值及CPK计算。传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％测试传感器量程自动切换。测试精度：多点位线性精度校正，并用标准法码进行重复性测试，保证传感器测试数据准确性。软件参数设置：根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台：真空360度自由旋转测试平台，适应于各种材料测试需求，只需要更换相应的治具或压板，即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号：LB-8600外型尺寸：680*580*710(含左右摇杆)设备重量：95KG电源供应：110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气：4.5-6Bar真空输出：500mm Hg控制电脑：联想PC软件运行：Windows7/Windows10显微镜：标配双目连续变倍显微镜（选配三目显微镜）传感器更换方式：自动切换平台治具：360度旋转，平台可共用各种测试治具XY轴有效行程：100*100mmZ轴有效行程：80mmXY轴分辩率：±1um Z轴分辩率±1um传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％

1. 产品概述：英思特晶片清洗机是用于晶片清洗的专业设备，旨在去除晶片表面的各类杂质，如颗粒、有机物、金属离子等，以满足半导体制造等领域对晶片高洁净度的严格要求。它通常由设备主体、清洗槽（可能有多种不同功能的清洗槽，如化学清洗槽、纯水冲洗槽等）、漂洗槽、干燥系统、电气控制系统等多个部分构成，通过一系列精心设计的清洗工艺步骤，实现对晶片的高效、彻底清洁。 2. 设备应用： 半导体制造：半导体芯片生产过程中，晶片清洗是关键环节。该清洗机广泛应用于半导体晶圆制造，如在光刻、刻蚀、镀膜等工艺前，对晶圆进行清洗，确保晶圆表面洁净度，提升芯片性能、良率和可靠性，例如去除晶圆表面微小颗粒和金属杂质，防止其在后续工艺中导致芯片缺陷或性能下降 145。 光伏产业：用于光伏电池生产中硅片的清洗，通过有效清洗硅片表面污染物，提高硅片光电转换效率，保障太阳能电池的性能和质量 3. 设备特点：1、设备主体、电气控制部分、化学工艺槽等；并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2、设备主体使用德国进口瓷白10mm PP板材，坚固耐用，双层防漏，SUS304+阻燃PVC德国进口板（不锈钢板）组合而成，防止外壳锈蚀。3、设备安装左右对开透明PVC门，分隔与保护人员安全，边缘处设备密封条，安全门进风处装有过滤网；模组化设计，腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成，杜绝机台的渗漏危险。4、位于设备下部，所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明；药液管路采用PFA管，纯水管路采用PFA管，化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过用管道排放。5、电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在设备后部单独电器控制柜，电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠；所有可能与酸雾接触的电气及线路均PFA防腐隔绝处理，电气柜CDA/N2充气保护其中的电器控制元件。6、机台部配备有PP纯水枪和PP氮各二只分置于两侧，水枪滴漏活水设计，方便操作员手工清洗槽体或工件。 4. 产品参数（以部分为例）：以下参数仅供参考，实际参数可能因定制化需求和设备型号而有所不同。 清洗槽数量和类型：例如有多个不同功能清洗槽，如化学清洗槽、纯水冲洗槽等，数量可能为 3 - 5 个或更多。 适用晶片尺寸：如 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸等，或可兼容多种尺寸。 温度控制范围：根据不同清洗工艺要求，温度控制范围可能在一定区间内可调，如 30 - 150℃。 清洗时间：每个清洗步骤的时间可根据工艺设定，例如 1 - 30 分钟不等。 溶液循环系统：具备高效的溶液循环和过滤系统，以保证清洗溶液的清洁度和有效性。 设备外形尺寸：如长度 2 - 5 米、宽度 1 - 2 米、高度 1.5 - 2.5 米。 电源要求：通常为三相交流电，如电压 380V，频率 50Hz，整机额定电功率根据设备配置而定，可能在 10 - 50kW 之间。 其他参数：还可能包括纯水流量、压缩空气压力和流量、排废管道尺寸等相关参数。

氮化镓晶片生产厂家苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产销售2英寸及4英寸蓝宝石氮化镓衬底片，衬底结构GaN-On-Sapphire。GaN氮化镓外延厚度有4.5um和20um两种。2英寸蓝宝石衬底厚度为430um，4英寸蓝宝石衬底厚度为650um。掺杂类型分为N型非掺杂，N型硅掺杂及镁掺杂。蓝宝石氮化镓晶片包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。蓝宝石氮化镓衬底晶片尺寸：2 inch 50.8mm±1mm蓝宝石衬底厚度：430um衬底结构：GaN-On-Sapphire掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/P型镁掺杂氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um晶向：C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°位错密度：≤5x108cm-2包装方式：晶圆盒或Cassette盒抛光要求：单抛/双抛氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于极稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。

本机是一款全自动晶片刷洗机，全程封闭环境采用机械手自动操作，具备刷洗甩干功能，适用于各种半导体衬底材料抛光后的刷洗，可有效减少晶片表面颗粒污染。功能齐全具备刷洗甩干功能，全程封闭环境机械手操作，风险小，避免二次污染操作简便PLC触摸屏控制，机械手自动完成cassette to cassette的全自动晶片刷洗工作兼容性好可兼容2、4、6英寸晶片占地面积小尽量减少洁净间的占地面积性能参数项目TWB-200晶圆尺寸兼容2、4、6inch全自动上下片系统有上料平台2个下料平台2个清洗工位2个晶片固定真空吸附刷洗PVA刷，可上下左右移动干燥方式高速甩干控制系统PLC触摸屏

碳化硅晶片生产厂家碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。苏州恒迈瑞公司目前用于衬底的碳化硅晶片以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：钒厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5° 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：非掺杂厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5°

PMT-2半导体化学品液体颗粒计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。 产品优势：应用：创新性、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.1-0.5um、0.1-1.0um；特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：1000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。

1 产品概述： 化合物半导体沉积系统是一类专门用于制备化合物半导体材料的设备，这些材料通常由两种或多种元素组成，如GaAs、GaN和SiC等。这些材料因其独特的高功率、高频率等特性，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中占据重要地位。2 设备用途：化合物半导体沉积系统的主要用途包括：晶圆制备：通过外延生长技术，在衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，用于制造高性能的半导体器件。芯片设计与制造：支持化合物半导体器件的设计与制造过程，包括射频功率放大器、高压开关器件等。光电器件：用于制造太阳电池、半导体照明、激光器和探测器等光电器件。微波射频：在移动通信、导航设备、雷达电子对抗以及空间通信等系统中，化合物半导体沉积系统用于制造射频功率放大器等核心组件。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：高精度与均匀性： 沉积均匀性：能够实现晶圆级的高沉积均匀性，确保薄膜厚度和质量的一致性。 精确控制：通过调节沉积参数，如温度、压力、气体流量等，可以精确控制薄膜的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度。多功能性： 多种沉积方法：支持化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等多种沉积方法，满足不同材料和器件的制备需求。 多种薄膜材料：能够沉积金属薄膜、非金属薄膜、多组分合金薄膜以及陶瓷或化合物层等多种薄膜材料。高温与低温兼容性： 高温沉积：部分设备能够在高温下工作，确保薄膜的结晶质量和纯度。 低温辅助：采用等离子或激光辅助技术，可以降低沉积温度，保护基体材料不受高温损伤。高效与自动化： 高吞吐量：通过优化设计和自动化控制，提高生产效率，降低生产成本。 自动装载与卸载：部分设备配备自动卫星装载系统，实现样品的自动装载与卸载，提高操作便捷性。4 设备参数：用于在 150/200 mm 衬底（Si/Sapphire/SiC）上进行高级 GaN 应用 间歇式反应器的成本优势与单晶圆反应器独特的轴对称晶圆上均匀性相结合，在以下方面：o Wafer Bow （威化弓）o 层厚、材料成分、掺杂剂浓度o 组件产量暖吊顶通过晶圆提供最低的热通量o 由于垂直温度梯度最小，晶圆曲率最小o 允许使用标准厚度的硅晶片通过客户特定的衬底腔设计优化晶圆温度配置8x150 毫米5x200 毫米

半导体TEC温控仪产品介绍本系列的“半导体制冷控制器”是专门为驱动半导体制冷片(热电制冷片)而设计的高性能温度控制系统(风冷)，其特点是高精度和高稳定度。输出负载为半导体制冷片(热电制冷片)。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代新电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到好的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1℃、0.01℃、0.005℃、0.001℃ 工作温度可任意设置(常规在-40℃～100℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 触摸屏控制接口 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：W×L×H＝450×300×133mm 接受定制：可根据客户需要定制温控电源，定制夹具平台等 同时提供各种温控模块产品选择产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等产品选型型号参数 TLTP-TEC0510 TLTP-TEC1210 TLTP-TEC2410 TLTP-TEC2420 TLTP-TEC3610 TLTP-TEC4810输入电压（VAC） AC220V±15%输出电压（V） 1~5V(可调节) 3.6~12V(可调节) 7.2~24V(可调节) 7.2~24V(可调节) 10.8~32V(可调节) 15~45V(可调节)输出电流（A） -10A~10A -10A~10A -10A~10A -20A~20A -10A~10A -10A~10A通道数 1到60通道可选控温精度 ±0.1℃或±0.01℃或±0.005℃或±0.001℃控温范围 -40℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）模块体积 450×300×133mm或450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

• 带目镜观察的小巧显微镜单元。适于检测金属表面、半导体、液晶基板、树脂等。• 多种显微镜镜体通常用作适用于专业器械的OEM(原厂委制)产品，如那些利用YAG(近红外、可见、近紫外或紫外)激光*对半导体晶片进行检测和修补的设备。*不保证激光系统产品的性能和安全性。• 应用：切割、修整、校正、给半导体电路做标记/薄膜(绝缘膜)清洁与加工、液晶彩色滤光器的修复(校正错误)。还可用作光学观察剖面图以便探针分析半导体故障。• 可用于红外光学系统*。应用：晶体硅的内部观察；红外光谱特征分析。*需要红外光源和红外摄像机。• 支持BF(亮视场)、DF(暗视场)、偏振光及微分干涉对比(DIC)的型号(产品)可用。• 带有孔径光阑的柯勒照明是表面照明光学系统上的标准配件。• 内倾转塔和超长工作距离的物镜确保了显微镜下的高可操作性。

NS3500 Solar 半导体晶圆质量检测系统NS-3500 Solar 是一种可靠的三维(3D)测量高速共焦激光扫描显微镜(CLSM)。通过快速光学扫描模块和信号处理算法实现实时共焦显微图像。在测量和检测微观三维结构，可以为半导体晶片，FPD产品，MEMS设备，玻璃基板，材料表面等提供各种解决方案。 Features & Benefits（性能及优势）：高分辨无损伤光学3D测量 自动倾斜补偿实时共焦成像 简单的数据分析模式多种光学变焦 双Z扫描大范围拼接 半透明基材的特征检测实时CCD明场和共聚焦成像 无样品准备自动聚焦 Application field（应用领域）：NS-3500是测量低维材料的有前途的解决方案。可测量微米和亚微米结构的高度，宽度，角度，面积和体积，例如-半导体:IC图形，凹凸高度，线圈高度，缺陷检测，CMP工艺- FPD产品:触摸屏屏幕检测，ITO图案，LCD柱间距高度- MEMS器件:结构三维轮廓，表面粗糙度，MEMS图形-玻璃表面:薄膜太阳能电池，太阳能电池纹理，激光图案-材料研究:模具表面检测，粗糙度，裂纹分析Specifications(规格）:ModelMicroscope NS-3500 Solar备注物镜倍率10x20x50x100x观察/ 测量范围 水平 (H): μm1400700280140垂直 (V): μm1050525210105工作范围: mm16.53.10.540.3数值孔径(N.A.)0.300.460.800.95光学变焦x1 to x6总放大倍率178x to 26700x观察/测量光学系统 Pinhole共聚焦光学系统高度测量测量扫描范围 400 um注 1显示分辨率0.001 μm重复率 σ0.010 μm注 2帧记忆像素1024x1024, 1024x768, 1024x384, 1024x192, 1024x96单色图像12 bit彩色图像8-bit for RGB each高度测量16 bit帧速率表面扫描20 Hz to 160 Hz线扫描~8 kHz激光共焦测量光源波长 405nm输出~2mW激光等级Class 3b激光接收元件PMT (光电倍增管)光学观察光源灯10W LED光学观察照相机成像元件1/2” 彩色图像 CCD 传感器记录分辨率640x480自动调整增益, 快门速度, White balance数据处理单元 PC电源电源电压100 to 240 VAC, 50/60 Hz电流消耗500 VA max.重量显微镜Approx. ~50 kg(Measuring head unit : ~12 kg)控制器~8 kg隔振系统气浮光学平台隔振系统Option 注1:精细扫描由压电执行器（PZT）执行。注2 :以100×/ 0.95物镜对标准样品（步长1μm）进行100次测量。

产品名称：半导体制冷片温度控制半导体激光器温度控制产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱等产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

简介：BD-50，金相显微镜，高级生物显微镜，半导体芯片检测，晶元，化学粉末检测

碳化硅衬底晶片生产商 4H-N碳化硅衬底片厂家苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产供应碳化硅衬底晶片，产品主要有2英寸到6英寸，类型分为导电型4H-N 掺杂氮和半绝缘型4H-SI型掺杂钒以及非掺杂4H-SI型。产品等级分为超低微管密度级碳化硅衬底晶片，产品级碳化硅衬底片，研究级碳化硅衬底晶片，测试级碳化硅晶片，欢迎有需求的客户咨询。碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能对比，主要特性包括：（1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍；（2）热导率高，超过硅材料的3倍；（3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗辐照和化学稳定性好；（5）与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。

正业半导体芯片焊点无损检测 正业科技多年聚焦检测领域，专注X光检测创新技术解决方案，技术成熟，经验丰富，针对这一行业痛点和国内知名半导体公司已开展合作，开发全新的自动检测解决方案，替代进口单机设备。 要实现自动检测，对检测的效率及自动识别的能力及算法提出更高的技术要求，经过项目组的努力，目前已经取得突破性进展，半导体芯片缺陷自动检测技术的识别功能及关键检测指标已得到客户的认可，即将推出自动检测设备，未来将为更多的半导体客户解决检测的难题，助力行业发展！ 目前半导体芯片缺陷类型：有线脱焊、塌线、跪线、弧度低、断颈、平颈、多die、弧度高、多余线、重复焊线、无线脱焊、颈部受损、胶水厚、线尾长、球厚/球大/球畸形等。 ▲良品及部分缺陷类型

非接触式可靠性MApping测量系统COREMA-WT提供无损全晶圆电阻率表征，具有极高的精度，分辨率和测量速度。它基于德国弗赖堡Fraunhofer应用固态物理研究所开发的非接触电容技术。对于确定晶片横向均匀性的制造工艺步骤的详细但快速的生产兼容控制是有价值的。有效地支持探索性流程优化。晶片上方和下方的电容金属电极通过快速且精确的xy平移定位。他们在所需的测量点定义了本地样品和空气电容器。将充电电压步骤施加到RC电路并记录动态电荷再分配。从初始和最终电荷值和弛豫时间获得电阻率。由于基于第一原理的评估仅使用相对单元并且因为所有几何参数抵消，所以以绝对单位获得电阻率值而不涉及任何仪器校准因子。可以使用标准测试方法文档（DIN50447）。单个测量只需要几分之一秒。因此，在非常可接受的时间内获得完整的晶片形貌。例如，记录和评估在数据点之间具有1.4mm步长的100mm直径的晶片形貌图大约需要20分钟。该系统通常由供应商和客户用于半绝缘晶片的常规生产控制和质量评估。电阻率测量范围为1E6至1E9Ωcm的标准系统优先用于GaAs和InP。对于SiC和GaN，可提供具有1E5至1E12Ωcm扩展范围的系统。完整的测量过程，包括数据评估和专业演示，由基于MicrosoftWindows的用户友好型软件支持和控制。软件界面包括设置所需的测量程序，在线监控测量过程，显示地形数据和详细的统计评估。提供各种地形显示，包括灰度，彩色编码以及伪3D表示，提供令人信服的，以客户为导向的产品质量以及评估和规范验证。SemiMap分析系统：其他半导体测量系统超高半导体电阻率测量产品名称：SemiMapAnalyticalSystems产品编号：COREMA-WT制造商：SemiMapScientificInstrumentsGmbH介绍：测量范围1x1061x109Ohm*cm探头尺寸1mm直径重复性优于1％边缘排除2.5mm电阻率评估时间270ms@1E7Ohm*cm，包括1mm步进转换时间晶圆评估时间为20毫米晶圆和1.4毫米x1.4毫米步长20分钟温度校正基于卡盘的电阻率温度测量归一化到指定的温度

半导体TEC温控驱动模块产品介绍本系列的“半导体制冷控制器”是专门为驱动半导体制冷片(热电制冷片)而设计的高性能温度控制系统(风冷)，其特点是高精度和高稳定度。输出负载为半导体制冷片(热电制冷片)。半导体制冷是利用帕尔帖效应原理工作的，具有高精度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-20℃～120℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 触摸屏控制接口 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：W×L×H＝90×50×35mm 接受定制：可根据客户需要定制温控电源，定制夹具平台等 同时提供各种温控模块产品选择产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等产品选型型号参数 TLTM-TEC0505 TLTM-TEC0510 TLTM-TEC0805 TLTM-TEC0810 TLTM-TEC1205 TLTM-TEC1210输入电压（VDAC） 5±15% 5±15% 12±15% 12±15% 15±15% 15±15%输出电压（V） 1~5V(可调节) 1~5V(可调节) 5~8V(可调节) 5~8V(可调节) 5~12V(可调节) 5~12V(可调节)输出电流（A） 0~5A 0~10A 0~5A 0~10A 0~5A 0~10A通道数 1通道或2通道控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -20℃~120℃温度传感器 NTC（25℃-10K）模块体积 90*50*35或150*100*35mm远程接口 RS232或RS485显示 真彩触摸屏3.5寸、4.3寸、5.7寸、7寸可选

应用材料范围：硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。 MDPmap 单晶和多晶片的少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测， 具有可视化测试的高分辨率● 测试速度: 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率● 寿命测试范围: 20ns到几ms● 玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污（Fe）● 测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品● 灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合● 可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备，使用时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率: 无需时常校准的电阻率面扫描 应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试 氧化物钝化CZ-Si的寿命 生长的多晶硅的寿命图 a. 铁浓度图 b. 反射图 c. 硼氧相对浓度图 d.电阻率图配置选项● 光斑尺寸可调● 电阻率测试（晶圆片）● 参考晶圆● 方块电阻● 背景光/偏置光选项● 反射率测试(MDP)● 用于光伏的LBIC● BiasMDP● Si晶圆片中的内外铁浓度分布图● 集成的加热台● 多种可选的激发光源

上海伯东 inTEST-Temptronic thermostream 高速温度测试机应用于半导体芯片温度测试上海伯东客户某国际半导体厂商选用 inTEST-Temptronic ATS-710-M 高速温度测试机用于半导体芯片的温度冲击和温度循环测试，inTEST-Temptronic ATS-710-M 提供循环测试温度：-80°C 至 +225°C，每秒可快速升温/降温 18 °C，成功完成芯片的温度循环测试，疲劳失效测试。上海伯东作为 inTEST 中国地区总代理，全权负责其新品销售和售后维修服务。inTEST-Temptronic ATS-710-M 提供 2 种检测模式 Air Mode 和 DUT Mode，温度显示精度：±1°C (通过美国国家标准与技术研究院 NIST 校准)上海伯东客户现场图片：鉴于信息保密，更详细的 inTEST 半导体芯片温度测试应用案例，欢迎拨打客服热线：021-5046-3511！上海伯东主营真空品牌:德国 Pfeiffer 真空设备 美国 Polycold 深冷泵 美国 KRI 考夫曼离子源 美国 HVA 真空闸阀:美国 inTEST-Temptronic高速温度循环试验机 日本 NS 离子蚀刻机等。上海伯东版权所有，翻拷必究！

产品简介WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图；采用白光干涉测量技术对 Wafer 表面进行非接触式扫描同时建立表面 3D 层析图像，显示 2D 剖面图和 3D 立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关 3D 参数；基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；红外传感器发出的探测光在 Wafer 不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量 Bonding Wafer 的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。产品应用WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C 电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS 器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。产品优势 1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。 5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。应用案例1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

全自动磁场探针台-半导体磁性芯片测试可提供管理员、设备工程师、操作员三种用户权限、工艺配方可编辑,创建、删除、修改等操作由用户自定义、用户可以选择报警处理方式，并且可以对历史报警进行查询、系统自动记录工艺过程中的重要参数,并且可以生成可参考的记录、具备数据管理功能,可自动提取回线信息,如翻转磁场、翻转电压等、磁阻、RV特性测量功能。全自动磁场探针台-半导体磁性芯片测试具备脉冲幅值自动标定功能 SOT-MRAM器件翻转概率、误码率、循环特性测测量功能,可进行VCMA测试、系统具备翻转动态测量功能。全自动磁场探针台-半导体磁性芯片测试适用磁存储、磁传感等磁性芯片。 全自动磁场探针台-半导体磁性芯片测试样品兼容性高:最大12吋；精度:2 μm；样品台:X:200 mm/sY:200 mm/s Z轴全行程37mm,角度调整范围士5，满足高达150°C测试需求具备机械臂品圆转移组件具备空中对针与探卡支持功能，可自动清针。

ESI prepFAST CARBON 超纯化学品在线稀释系统（半导体有机应用）prepFAST CARBON可检测和识别半导体行业使用的超纯化学品中的有机污染物，测量范围可达到ppt。如果这些有机污染物未被发现，会对半导体的生产和性能产生负面影响。监测和控制有机污染物的重要性工艺化学品中的有机污染会导致硅片变化引起的无数问题，包括：润湿性/疏水性的变化；晶片的非故意掺杂；栅极氧化物降解；晶片拓扑结构的变化；表面雾度；pH值变化 有机污染物分析仪无机和有机化学品中目标有机污染物的定量分析非靶向化合物的定性和半定量适用于所有半导体级溶剂和化学品ppt范围检测超高质量分辨率TOF-MS和QTOF-MS探测器选项高通量全自动化系统准确测定和化合物鉴定自动挖掘自动校准自动小瓶和瓶子开盖易用性 条形码扫描无需色谱分离易于使用的软件，内置动态库选项

中图仪器WD4000半导体无图晶圆Wafer厚度测量系统自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。WD4000半导体无图晶圆Wafer厚度测量系统通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。WD4000系统采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数；采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体无图晶圆Wafer厚度测量系统集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。 （3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。 （2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格 品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

WD4000半导体晶圆表面形貌参数测量仪通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。能实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。WD4000半导体晶圆表面形貌参数测量仪采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体晶圆表面形貌参数测量仪集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量 通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

中图仪器WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量 WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧 （1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

一, 1.3µ m SOA（半导体光学放大器）模块SOA（半导体光放大器）是放大光信号的半导体元件。 在半导体激光器的两个面上都进行了抗反射处理，以消除谐振器结构。 当光从半导体外部进入时，光被受激发射放大。SOA用于放大光信号。 SOA安装在用于数据中心之间通信的光收发器模块中，以放大用于以太网通信的1.3 um波长的光信号，以补偿传输损耗。SOA模块具有15 dB或更高的高光学增益，以及7 dB或更低的低噪声系数。 偏振相关增益也为1.5 dB或更小，这使得信号放大几乎没有问题。 该模块是6针紧凑型封装，带有隔离器和TEC（热电冷却器），可以安装在CFP / CFP2上。1.3µ m SOA（半导体光学放大器）模块,1.3µ m SOA（半导体光学放大器）模块产品特点● 光学增益：≧15dB● 偏振相关增益(PDG)：≦1.5dB● 内置光隔离器（(input side）● 低功耗1.0W typ.(TC=75℃) 产品应用● 数据通信100GBASE-ER4● 前置放大器技术参数光电参数参数符号测试条件最小值典型值最大值单位光学增益GIF=120mA, *1, *2, *315dB偏振相关增益PDG IF=120mA, *1, *2, *31.5dB正向电流IF100150mA正向电压VFIF=120mA2.0V波长范围λIF=120mA12941311nm饱和功率PSIF=120mA *47dBm噪声系数NFIF=120mA, *1, *2, *3，*57dBTEC电流ICG=(BOL), TC=75℃0.6ATEC电压VCG=(BOL), TC=75℃2.2v热敏电阻RthTSOA=25℃, B=3435±105K9.51010.5KΩ*1：光输入信号条件：连续波(CW)*2：光输入信号为以下4个波长范围。对每个波长范围的特性进行测量，光输入信号的波长范围如下：λ 0 ： 1294.5～1296.6nm λ 2 ： 1303.5～1305.7nmλ 1 ： 1299.0～1301.1nm λ 3 ： 1308.0～1310.2nm*3： 光输入信号功率(Pin)=-25dBm*4：饱和功率在1310nm单波长条件下测量值*5：没有偏振调节绝对最大值参数符号数值单位SOA正向电流IF150mASOA反向电压VR2V操作温度TC-5 to +75℃存储温度Tstg-40 to +85℃TEC电流IC1.0ATEC电压VC2.5V注意：超过绝对最大值可能导致损坏特征曲线二, C/O波段 SOA 非线性半导体光放大器 1550nm 14dBm / 1310nm 7dBmL波段 SOA非线性半导体光放大器是一种偏振不敏感光学放大器，具有先进的外延晶片生长和光电封装技术，可在宽光谱带宽上实现高输出饱和功率、低噪声系数和大增益。L波段 SOA非线性半导体光放大器 1610nm 13dBm,L波段 SOA非线性半导体光放大器 1610nm 13dBm通用参数产品特点：宽带光高输出功率低偏振灵敏度多量子阱或体结构产品应用：助推光光放大器 电信与数据通信损失补偿型号指南:PL-SOA-☆-A8▽-W□□□□-XX☆ ：Output PowerA: 13dbmB: 20dbm▽: Bandwidth1: 60-70nm2: 30-40nm□□□□：Wavelength680: 680nm850: 850nm*****1550: 1550nm1650: 1650nmXX: Fiber and Connector TypeSASA=(SMF-28E+ FC/APC)+(SMF-28E+ FC/APC)SPSP=(SMF-28E+ FC/PC)+(SMF-28E+ FC/PC)PAPA=(PM Fiber+ FC/APC)+(PM Fiber+ FC/APC)PPPP=(PM Fiber+ FC/PC)+(PM Fiber+ FC/PC)PAPA=(PM Fiber+ FC/APC)+(PM Fiber+ FC/APC)技术参数特征宽带光高输出功率低偏振灵敏度多量子阱或体结构应用助推光光放大器电信与数据通信损失补偿电/光学特性（Tsub=25°C，CW，）参数符号PL-SOA-A-A81-W1610-PAPA最小典型最大工作电流IOP-120 mA150 mA正向电压VF-1.2V2.0V中心波长λC1600nm1610nm1620nm信号增益 （@ Pin = -20 dBm）G15dB--3dB带宽BW40nm--ASE波纹（RMS)δG--0.5dB饱和输出功率 (@ -3 dB)PSAT7dBm--偏振相关增益PDG--1.5dB噪声系数NF--7dB热敏电阻（@ 25℃）RTH9.5KΩ10KΩ10.5KΩTEC电压VTEC2.3VTEC电流ITEC0.9A 绝对最大值参数参数符号PL-SOA-A-A81-W1610-PAPA最小最大最大操作电流（CW)IOP max200mA反向电压VR2V芯片操作温度(CW）TSOA25℃30℃外壳温度(CW）TC0℃70℃TEC 电压VTEC-4.0VTEC电流ITEC-1.8A存储温度TSTG-40℃85℃存储湿度5%RH85%RH 典型特征曲线ASE 光谱图SOA放大器光谱图（Pin=0dBm，I=200mA）

产品详情美国TEK Keithley 泰克半导体参数分析仪4200A-SCS使用 4200A-SCS 加快半导体设备、材料和工艺开发的探索、可靠性和故障分析研究。 业内领先性能参数分析仪，提供同步电流-电压 (I-V)、电容-电压 (C-V) 和超快脉冲 I-V 测量。 直流电流-电压(I-V)范围：10 aA - 1A，0.2 μV - 210 V电容-电压：(C-V) 范围，1 kHz - 10 MHz，± 30V 直流偏置脉冲 ：I-V范围：±40 V (80 V p-p)，±800 mA，200 MSa/s，5 ns 采样率 参数查看，快速清晰。 大胆发现从未如此容易。 4200A-SCS 参数分析仪可将检定和测试设置的复杂程度降低高达 50%，提供清晰且不折不扣的测量和分析功能。 另外，嵌入式测量专业知识（业界首创）可提供测试指南并让您对结果充满信心。 特点 内置测量视频采用英语、中文、日语和韩语 使用数百个用户可修改应用测试开始您的测试 自动实时参数提取、数据绘图、算数函数 测量、 切换、 重复。 4200A-CVIV 多通道切换模块自动在 I-V 和 C-V 测量之间切换，无需重新布线或抬起探头端部。 与竞争产品不同，四通道 4200A-CVIV 显示器提供本地可视查看，可快速完成测试设置，并在出现意想不到的结果时轻松排除故障。 特点 无需重新布线即可将 C-V 测量移动到任何设备终端 用户可配置低电流功能 个性化输出通道名称 查看实时测试状态 检定、 自定义、 最大化。 简单地说，4200A-SCS 可以完全自定义且全面升级，您可以对半导体设备、新材料、有源/无源组件、晶片级可靠性、故障分析、电化学或几乎任何类型的样本执行电气检定和评估。 特点 NBTI/PBTI 测试 随机电报噪声 非易失内存设备 稳压器应用测试带分析探测器和低温控制器的集成解决方案。4200A-SCS 参数分析仪支持许多手动和半自动晶片探测器和低温控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories. 特点 “点击”测试定序 “手动”探测器模式测试探测器功能 假探测器模式无需移除命令即可实现调试 降低成本并保护您的投资 保障计划以按需服务事件的一小部分成本提供快速、高质量的服务。 只需点击一下或拨打一个电话即可获得维修服务，在此过程中，无需报价或填写采购单，也不会有审批延误。

电子半导体行业净化瓶专 有 技术：清洁工艺-高频超声原位冲洗清洁（CIP系统）；灭菌工艺-超高低温紫外复合灭菌（UHTU系统）；烘干工艺-千万级真空清洁密封融合烘干（TMVSD系统）；检测工艺-采用颗粒计数器批次抽样监测、在线逐一检测（PC&OPC系统；包装工艺-结合的无菌包装厂商产品确保每一个独立产品的安全（SVP系统）。制 造 工艺：高质量的原位清洗（CIP）有助于维持卓越和一致的产品质量，避免因生产受污染及原料浪费所带来的风险与费用。超高温灭菌处理是一种科技灭菌的高温处理技术。UHT英文全称为Ultra High Temperature，意即超高温。细菌等微生物在很短的时间内（2至10秒）被137至140摄氏度的高温杀死。监 测 工艺：逐一检测批次抽检法是目前最为重苛刻的监督检测方法，生产中每一个产品需通过跟踪检测，再从成品中进行批次抽检，达到合格率。目前为PULUODY/普洛帝特有监测手段。产 品 应用：高纯水、电子纯试剂、光刻胶、硅晶片洗液、电子级清洗剂、液晶液、电路板洗液等等的取样。适合各类水液或油液的不溶性微粒检测。执 行 标准：GB 50073-2001洁净厂房设计规范JIS B9925-1997 液体中の粒子の大きさ及び数を測定する光散乱式自動粒子計数器JIS?K0554-1995超純水中の微粒子測定方法ISO 3722Fluid sample containers -- Qualifying and controlling cleaning methodsISO14644-1Cleanrooms and associated controlled environments—Part1:Classification of air cleanlinessGB/T 17484流体样品容器 鉴定和控制清洗方法可根据要求，进行各种粒径的清洗订制。技 术 参数：订制要求：各种粒径、颗粒数量、容积的订制粒径范围：0.1μm；0.3μm；0.5μm；1.0μm；2.0μm；5.0μm；取样容积：100ml、120ml、150ml、220ml、250ml、300ml、500ml、1000ml瓶体材质：PP、PE、PEFT、PEEK、PFAD、高硅硼等平均检出质量极限AOQL：0.5%洁净等级：RCL＜15个/100mL等级评判：CLASS 1 ~ 9级电子级PP瓶：编号容量ml口内径×瓶直径×高（mm）数量86-8011-PP-01广口100φ25×φ47×981箱（5个/袋×2袋）86-8011-PP-02广口250φ32×φ62×1301箱（5个/袋×2袋）86-8011-PP-03广口500φ42×φ76×1621箱（2个/袋×5袋）86-8011-PP-04广口1000φ48×φ92×1981箱（1个/袋×5袋）86-8011-PPS-01细口100φ47×φ16×1001箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPS-02细口250φ62×φ16×1331箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPS-03细口500φ76×φ20×1671箱（2个/袋×5袋）电子级PFA瓶：编号容量口内径×瓶直径×高×盖外径（mm）数量86-8011-PFA-01细口100φ16.7×φ47×94×301箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-02细口250φ16.7×φ60×133×301箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-03细口500φ26.7×φ77×158×401箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-05广口100φ26.7×φ47×94×401箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-06广口250φ33.8×φ60×133×501箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-07广口500φ43.6×φ77×158×601箱（1个/袋×5袋）86-8011-PFA-08广口1000φ43.6×φ94×200×601箱（1个/袋×5袋）电子级玻璃瓶：编号容量瓶直径×高（mm）数量86-8011-HSG-0150φ38×681箱（10个/袋×8袋）86-8011-HSG-02110φ48×871箱（10个/袋×5袋）86-8011-HSG-03200φ58×1151箱（5个/袋×10袋）86-8011-HSG-04250φ65×1271箱（3个/袋×10袋）86-8011-HSG-05500φ84×1551箱（2个/袋×12袋）电子级PP无菌瓶：编号容量ml口内径×瓶直径×高（mm）数量86-8011-PPST-01细口100φ47×φ16×1001箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-02细口250φ62×φ16×1331箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-03细口500φ76×φ20×1671箱（2个/袋×5袋）86-8011-PPST-04广口100φ25×φ47×981箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-05广口250φ32×φ62×1301箱（5个/袋×2袋）86-8011-PPST-06广口500φ42×φ76×1621箱（2个/袋×5袋）选型实例： 型号 等级 包装 数量86-8011-PFA-07 CLASS 2 2包 1只选型规格：86-8011-PFA-07-CLASS 2-2-1