半导体光源

半导体加热和空气加热究竟哪个好些？LED（冷光源）和卤钨灯各有什么优缺点？有些厂商说LED是冷光源，对样品不会产生影响，光强度比卤素灯强，价格低，寿命长，光强度不会衰减，可是为什么大多数生化还是用的卤素灯的多？

研究太阳电池、光电性质时强大的分析方法！[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=55571]基于半导体光源的光活性体系动态测试系统[/url]

半导体激光器又称激光二极管（LaserDiode，LD），是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。此外，半导体激光器采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低。目前，半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域，过去常用的其他激光器，已逐渐被半导体激光器所取代。此外，半导体激光器品种繁多，既有波长较长的红外、红光，也有波长较短的绿光、蓝光，可以利用这些优势拓展激光粒度仪的测量范围， 提高测量精度。早期的半导体激光器激光性能受温度影响大，光束的发散角也大( 一般在几度到 20 度之间 )，所以在方向性、单色性和相干性等方面的性能并不理想。但随着科学技术的迅速发展，目前半导体激光器的的性能已经达到很高水平，光束质量也有了很大提高，因此世界上大多数品牌的激光粒度仪都使用半导体激光器做为光源，半导体激光器用作激光粒度仪的光源时，在控制电路上须采取恒流和恒温措施，以保证输出功率的稳定。

[font=&]半导体激光器又称激光二极管（LaserDiode，LD），是二十世纪八十年代半导体物理发展[/font][font=&]的最新成果之一。[/font][font=&]半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。此外，半导体激[/font][font=&]光器采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低。目前，半导体激光[/font][font=&]器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域，过去常用的其他激光器，已逐渐被[/font][font=&]半导体激光器所取代。此外，半导体激光器品种繁多，既有波长较长的红外、红光，也有波[/font][font=&]长较短的绿光、蓝光，可以利用这些优势拓展激光粒度仪的测量范围， 提高测量精度。[/font][font=&]早期的半导体激光器激光性能受温度影响大，光束的发散角也大( 一般在几度到 20 度之[/font][font=&]间 )，所以在方向性、单色性和相干性等方面的性能并不理想。但随着科学技术的迅速发展，[/font][font=&]目前半导体激光器的的性能已经达到很高水平，光束质量也有了很大提高，因此世界上大多[/font][font=&]数品牌的激光粒度仪都使用半导体激光器做为光源，半导体激光器用作激光粒度仪的光源时，[/font][font=&]在控制电路上须采取恒流和恒温措施，以保证输出功率的稳定。[/font]

[size=3]中国国家半导体光电产品检测实验室落户广东江门[/size] 中新社江门6月4日电 记者4日从江门出入境检验检疫局获悉,日前,中国国家质检总局下发文件,正式批准江门市筹建“国家半导体光电产品检测重点实验室”。　　为支持江门市发展新兴产业,推动绿色(半导体)光源产业上规模、上层次,江门出入境检验检疫局申报的“国家半导体光电产品检测重点实验室”项目,日前得到国家质检总局正式批准筹建。　　据江门出入境检验检疫局介绍,近年来,由于节能环保等“低碳”要求,包括LED(发光二极管)照明在内的半导体光电产业的技术创新和产业发展突飞猛进。世界发达国家高度重视LED测试方法及标准研究,争相建立相关的标准体系,而在中国国内还基本处于空白。

中国科技网讯 以往的研究表明，二维碳薄片石墨烯拥有一个通用的光吸收系数。而据物理学家组织网近日报道，现在，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室的科学家首次证实，所有的二维半导体也同样普遍适用于一个类似的简单吸光规律。他们利用超薄半导体砷化铟薄膜进行的实验发现，所有的二维半导体，包括受太阳能薄膜和光电器件行业青睐的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，都有一个通用的吸收光子的量子单位，他们称之为“AQ”。相关研究论文发表在美国《国家科学院学报》上。 从太阳能电池到光电传感器再到激光器和各类成像设备，许多当今的半导体技术都是基于光的吸收发展起来的。吸光性对于量子阱中的纳米尺度结构来说尤为关键。量子阱是由带隙宽度不同的两种薄层材料交替生长在一起形成的具有量子限制效应的微结构，其中的电荷载流子的运动被限制在一个二维平面上，能带结构呈阶梯状分布。 “我们使用无需支撑的厚度可减至3纳米的砷化铟薄膜作为模型材料系统，来准确地探测二维半导体薄膜的厚度和电子能带结构对光吸收性能的影响。”论文的通信作者、劳伦斯伯克利国家实验室材料科学部的科学家兼加州大学伯克利分校电气工程和计算机科学教授阿里·贾维说，“我们发现，这些材料的阶梯式光吸收比与材料的厚度和能带结构无关。” 他们将超薄的砷化铟膜印在由氟化钙制作的光学透明衬底上，砷化铟膜吸收光，氟化钙衬底不吸光。贾维说：“这样我们就能够根据材料的能带结构和厚度来研究厚度范围在3纳米到19纳米之间的薄膜的吸光性能。” 借助伯克利实验室先进光源的傅立叶变换红外分光镜，贾维团队在室温下测出了从一个能带跃迁到下一个能带时的光吸收率。他们观察到，随着砷化铟薄膜能带的阶梯式跃迁，AQ值也以大约1.7%的系数相应地逐级递增或者递减。 “这种吸光规律对于所有的二维半导体来说似乎是普遍适用的。”论文另一个通信作者、电气工程师伊莱·雅布洛诺维奇说，“我们的研究结果加深了对于强量子限制效应下的电子—光子相互作用的基本认识，也为了解如何使二维半导体拓展出新奇的光子和光电应用提供了独特视角。”（陈丹） 《科技日报》（2013-8-5 二版）

半导体恒温系统在选择的时候除了看必要的品牌，其性价比也是我们需要重视的，无锡冠亚半导体恒温系统是集合公司制冷加热控温人才研发出来的，用户在选择半导体恒温系统的时候，需要注意性价比的选择。　　现在，可以说各类的工业生产大多都需要半导体恒温系统来提供专业制冷，一台高效的半导体恒温系统对于各种工业生产都能够提供较大的帮助，那么，到底什么样的半导体恒温系统性价比比较高呢?这可能是不少企业都非常想了解的一个关键性问题？　　半导体恒温系统的不少技术人员认为，在选择半导体恒温系统的时候，一定要注意几个相关的因素。 一台半导体激光器自动温度控制 半导体恒温系统使用费用是否省钱，我们是看它的综合总花费来看：如购买价格，耗电量，维护费，故障检修费等。半导体恒温系统组耗电量都是不同，有的比较省电，有的又比较耗电，所以在选型的时候，一般都会比较是否有耗电大的可能。　　无锡冠亚的半导体恒温系统以科技为中心，应用国际先进技术，不断推陈出新，紧随市场步伐，满足市场需求，坚持从产品的设计、元器件的采购、筛选，到生产工艺流程、包装运输等都严格 ISO9001-2008 国际质量认证要求规范化管理，力求产品精益求精、价格合理、服务满意周到。　　另外，在选择半导体恒温系统的时候，还要考虑到以上因素相关联的一些问题，比如，选择半导体恒温系统还要考虑是否适合用该行业，那么显而易见的是需要半导体恒温系统组的进行多方面了解，除了用电量外，还需要了解维护费用的高低、故障检修的时间设定等等。　　半导体恒温系统的选择，想必大家也心中有数，性价比对于半导体恒温系统来说也是比较重要的，所以我们选择也是很重要的。

半导体气体传感器是利用半导体气敏元件作为敏感元件的气体传感器，是最常见的气体传感器，广泛应用于家庭和工厂的可燃气体泄露检测装置，适用于甲烷、液化气、氢气等的检测。　　分类　　对于半导体气体传感器，按照半导体与气体的相互作用是在其表面还是在其内部，可分为表面控制型和体控制型两种；按照半导体变化的物理性质，又可分为电阻型和非电阻型两种。电阻型半导体气体传感器是利用半导体接触气体时其阻值的改变来检测气体的成分或浓度；而非电阻型半导体气体传感器则是根据对气体的吸附和反应，使半导体的某些特性发生变化对气体进行直接或间接检测。

请各位大虾指教。我们准备购买激光粒度分布仪，是湿法的，不知哪家好一些。能达到性能优，灵敏度高，稳定性好，操作简单，寿命长，对环境要求不苛刻。激光源是半导体的好还是氦-氖的好？

第四届中国国际半导体照明论坛暨展览会（2007上海） 展出时间： 2007-8-22 至 2007-8-24 周　　期： 1年/届 展会对象： 商家 展会区域： 国内展会 展会地区： 上海/黄浦区 具体地址： 中国• 上海新国际博览中心 展出行业： 参展范围： 1. 太阳能半导体照明发展现状及前景 全球发展现状及巨大商机（世界银行） 全球太阳能LED产业及市场趋势（台湾光电科技工业促进会） 江苏可再生能源规模化发展（江苏省科技厅） 国际太阳能半导体照明产业崛起中国“深圳力量”（深圳市科技和信息局） 扬州太阳能半导体照明产业异军突起（扬州市人民政府、扬州经济开发区管委会） 2. 太阳能半导体照明关键技术与发展前景探讨 照明级白光LED的技术现状与最新发展 （清华大学、南昌大学等） 太阳电池技术现状与最新发展 （中山大学太阳能系统研究所） 主 办 方： 国家半导体照明工程协调领导小组办公室上海市科学技术委员会深圳市科技和信息局/国家新材料行业生产力促进中心/国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA） 承 办 方： 国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）/上海半导体照明工程技术研究中心上海科技会展有限公司深圳会展中心 协 办 方： 中国照明学会（CIES）中国照明电器协会（CALI）中国光学学会（COS）美国国际光学工程师协会（SPIE）日本光产业技术振兴协会（OITDA）韩国光产业协会（KAPID）台湾光电科技工业协进会（PIDA）上海市光电子行业协会(SOTA)香港光电协会（HKOEA） 展会说明： 会议背景绿色能源的太阳能与绿色光源半导体照明相结合，将达到节能、环保、安全、长寿等优异效果。我国有着丰富的太阳能资源，目前却有约1800万人没有电力供应。当今全球能源短缺形势之下，巨大的市场需求不仅是在中国，海内外对太阳能半导体照明的研发和应用都处于热涨之中。如何提高LED和太阳电池的性能，降低成本，优化太阳能LED照明系统设计，抓住投资机遇，不断开拓经济实惠的新应用，将是本次会展的主要内容。参会对象1. 与太阳能和LED相关的研发、制造、设计人员；2. 太阳能半导体照明产品应用、经销和流通等领域的人员；3. 工程项目业主单位及相关设计单位人员；4. 光学、电学、热学等研究机构和测试单位人员；5. 投融资机构人员。

高精度半导体恒温箱是半导体行业常用的设备之一，作为比较常用的设备，其保养也是相当重要，那么无锡冠亚高精度半导体恒温箱的保养有哪些要点呢？怎么进行保养比较好呢？　　高精度半导体恒温箱由蒸发器出来的状态为气体的冷媒；经收缩机绝热收缩后期，变成高温高压状态，被收缩后的气体冷媒，在冷凝器中，等压冷却冷凝，经冷凝后转变成液态冷媒，再经节流阀膨胀到低压，变成气液混合物。此中低温低压下的液态冷媒，在蒸发器中摄取被冷物资的热量，从头变成气态冷媒，气态冷媒经管道从头进来收缩机，开头新的轮回，这便是高精度半导体恒温箱轮回的四个过程。　　高精度半导体恒温箱密封部位调养，鉴于装配式高精度半导体恒温箱是由若干块保温板拼而成，因而板之间存在必需的间隙，施工中这类间隙会用密封胶密封，为了避免空气和水份进来，因而在利用中对一些密封无效的部位实时修理.　　高精度半导体恒温箱地面调养，通常小型装配式高精度半导体恒温箱的地面利用保温板，利用高精度半导体恒温箱时应为了避免地面存有大量的冰和水，假如有冰，处理时切不可利用硬物敲打，损害地面。　　高精度半导体恒温箱装配完结或长久停用后再次利用，降温的速率要适宜:每日操纵在8-10℃为宜，在0℃时应保留一段时间。　　高精度半导体恒温箱库板调养，留意利用中应留意硬物对库体的碰撞和刮划，鉴于不妨变成库板的凹下和锈蚀，严重的会使库体片面保温功能下降。　　高精度半导体恒温箱的保养是离不开我们操作人员的细心操作，所以，我们在日常操作中也要善待我们的设备，不要太过粗暴。

荏原株式会社宣布，已开发出2种环保型无汞臭氧监测仪。该公司开发、设计、制造和维护正确使用臭氧所需的臭氧监测仪，以及结合了预处理系统和臭氧监测仪的臭氧浓度测量设备，以便在各种条件下进行精确测量。 它被用于许多领域，例如供水和污水处理设施的先进处理工艺以及半导体工厂的制造工艺。 为了应对社会对环境的日益关注，新开发的产品组的特点是采用UV-LED作为光源，在实现无汞使用的同时，实现高精度测量。第一类新产品是EG-3100系列，这是一款用于水和污水处理设施的高精度臭氧监测仪，它不含汞，并采用公司独特的发光校正技术，实现了与低压汞灯相同的精度。 除了提供涵盖水净化过程中臭氧处理中所有气体测量点的产品阵容外，该公司还实现了高精度和高分辨率，因此可以应用于研发应用。第二种是EG-690，这是一款用于半导体制造工艺的在线臭氧监测仪，与EG-3100系列一样，不含汞，并达到与低压汞灯产品相同的精度。 此外，它具有占地面积小的特点，可以在线安装在半导体制造工艺（生产线）的臭氧气体管道中，适用于设备嵌入。EG-3100 系列和 EG-690 的订单计划于 2024 年 4 月开始。[来源：仪器信息网译] 未经授权不得转载[align=right][/align]

中国科技网讯 据物理学家组织网5月9日（北京时间）报道，美国加州大学河滨分校伯恩斯工程学院的研究人员开发出一种新技术，可借助石墨烯实现大功率半导体设备的大幅降温，解决在交通信号灯和电动汽车中使用的半导体材料散热问题。相关研究报告5月8日发表在《自然·通讯》杂志上。 自上世纪90年代以来，半导体材料氮化镓（GaN）就被用于强光的制造，并因为高效和可耐高电压工作而被用于无线设备中。然而就像所有大功率操作设备一样，氮化镓晶体管会散发出相当多的热量，需要对其快速而有效的移除。科学家已尝试过倒焊芯片和复合基底等多种热量管理途径，但效果都不理想。如何为这些设备降温仍困扰着学界，氮化镓电子工业的市场份额和应用范围也因为难以散热而受到限制。 基于纳米设备实验室开发的新技术，将使这一情况得到改善。研究小组由电子工程学教授亚历山大·巴兰金领导，他们在进行微拉曼光谱温度测量时发现，通过引入由多层石墨烯制成的交替散热通道，能使在高功率运转情况下的氮化镓晶体管中的热点降低20℃，并将相关设备的寿命延长10倍。 巴兰金表示，这代表了热量管理领域的变革性进展。与金属或半导体薄膜不同，多层石墨烯即使在自身厚度仅为数纳米时，也能保持良好的热力性质，这使它们成为了制造侧面导热片和连接线的极佳备选。研究人员在氮化镓晶体管上设计并构建了石墨烯“被子”，使其能从热点处移除和传导热量。计算机模拟则显示，采用热阻更强的基底能使石墨烯“被子”更好地在氮化镓设备上发挥作用。（记者 张巍巍） 总编辑圈点 大功率LED光源寿命是高压钠灯的4倍以上，耗电仅为白炽灯的十分之一，因此正越来越多地用在景观照明、交通信号灯等领域，但是散热问题一直阻碍着它的迅速普及。一般情况下，LED光源工作时所产生的热量占其消耗总功率的70%左右，热量若无法导出，将会影响产品生命周期、发光效率。热点降低20℃，寿命延长10倍。文中提到的降温新方法着实振奋人心，可以想见，一旦技术成熟并投入使用，城市的夜晚将更加绚烂夺目。 《科技日报》（2012-05-10 一版）

半导体系统专用高精度控制电源应用在国内半导体行业中，无锡冠亚的半导体系统专用高精度控制电源中每个配件都是很重要的，其中，关于水泵是比较重要，我们也需要对其有一定的认识。　　半导体系统专用高精度控制电源是一类广泛应用于国内工业生产领域的专业制冷设备，在半导体系统专用高精度控制电源中，水泵的运行是否正常对于保证低温半导体系统专用高精度控制电源设备的正常运转是非常重要的，定期对低温半导体系统专用高精度控制电源的水泵进行检测是非常关键的，那么，怎样合理的评估和检测低温半导体系统专用高精度控制电源水泵的情况好呢?　　半导体系统专用高精度控制电源水泵的情况在较大程度上影响着低温半导体系统专用高精度控制电源设备的整体运行。在半导体系统专用高精度控制电源工作的时候，水泵在运行中，应注意检查各个仪表工作是否正常、稳定，特别注意电流表是否超过电动机额定电流，电流过大，过小应立即停机检查。　　另外，半导体系统专用高精度控制电源设备的水泵相关工作系统能够较好的反映半导体系统专用高精度控制电源设备的工作状态。比如，水泵流量是否正常，检查出水管水流情况，根据水池水位变化，估计水泵运行时间，及时与调度联系。同时，还要检查水泵填料压板是否发热，滴水是否正常，每班不得少于八次。　　半导体系统专用高精度控制电源的水泵性能是很关键的，需要我们认真对待，认真保养，只有每个配件的性能都可以的话，半导体系统专用高精度控制电源才能更好的使用。

半导体热沉恒温台是半导体行业进行控温的设备之一，如果降温效果不好的话，就会影响无锡冠亚半导体热沉恒温台的使用，那么有哪些因素影响半导体热沉恒温台的降温效果呢？　　这种情况的发生和半导体热沉恒温台冷量损失大有关。由于半导体热沉恒温台设备、管路的隔热厚度不够或隔热层受到损坏，导致半导体热沉恒温台冷量损失增大，影响降温效果。在半导体热沉恒温台运行中，一旦发现隔热层外表面有湿润或结霜的部位，就说明半导体热沉恒温台隔热材料的厚度不够或已经受潮，这时要及时增加或更换半导体热沉恒温台隔热材料。此外，半导体热沉恒温台蒸发器水箱盖不严密，空气处理室或密封门封条损坏，送风管道及房间门窗泄漏等。都会使冷量损失增大，要及时采取应对措施。　　每一台半导体热沉恒温台安装的时候，在蒸发器以及管道上都会包一层保温棉，以防冷量损失。如果半导体热沉恒温台机组在制冷速度慢的情况下，企业先要检查管道隔热层的厚度是否不够，或者隔热层是否有损坏。一定要记得包保温棉，并且保证厚度足够!　　检查半导体热沉恒温台 制冷系统中是否存在空气。在安装半导体热沉恒温台时，不管是机组内部，还是水泵，或者是管道，不可以存在有空气，哪怕只有一点点空气，那半导体热沉恒温台是无法正常运行的。此外，水泵的内部有一层膜，安装前一定要记得全部撕掉。不然，水没有办法流通或者流通很慢，直接影响半导体热沉恒温台 运行。  　　检查半导体热沉恒温台压缩机的运动部件是否有磨损，或者是间隙增大，导致输气量下降。压缩机是半导体热沉恒温台 的心脏，压缩机一旦出现问题，半导体热沉恒温台无法运转。因此，压缩机的定期检查及保养工作不可忽略。　　半导体热沉恒温台压缩机效率差也是一方面原因。半导体热沉恒温台在长期运行中，运动部件的磨损、配合间隙增大或密封不严，都会使压缩机实际输气量下降，制冷量减小。要检查制冷压缩机。如果维修不好要及时更换。系统内有空气也会导致这一情况的发生。这时排气压力、温度升高，耗电量增加，制冷量下降。  　　半导体热沉恒温台的降温效果和各个因素息息相关，在运行无锡冠亚半导体热沉恒温台的时候尽量避免这些故障为好。

半导体元器件控温设备中，每个配件都有着不同的作用，由于作用不同，无锡冠亚的半导体元器件控温的阀件和控制器的作用也是不同的。　　半导体元器件控温的水泵，是用于加速水流动的工具，以达到加强水在换热器中换热的效果。半导体元器件控温的水流开关用作管道内流体流量的控制或断流保护，当流体流量到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的压力控制器用作压力控制和压力保护之用，机组有低压和高压控制器，用来控制系统的压力的工作范围，当系统压力到调定值时，开关自动切断（或接通）电路。　　半导体元器件控温的压差控制器用作压力差的控制，当压力差到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的温度控制器用作机组的控制或保护，当温度到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。在我们的产品上，温度的控制常用到，用水箱温度来控制机组的开停机情况。还有些象防冻都需要用到温度控制器。　　半导体元器件控温视液镜用于指示制冷装置中液体管路的制冷剂的状况、制冷剂中的含水量、回油管路中来自油分离器的润滑油的流动状况，有的视液镜带有一指示器，它通过改变其颜色来指出制冷剂中的含水量。（绿色表示干燥，黄色表示潮湿）。因温度变化而引起水的体积变化，膨胀水箱用来贮存这部分膨胀水，对系统起稳压定压的作用，能给系统补偿部分水。　　半导体元器件控温是一项比较新的设备，性能上面要求高一点才能使得半导体元器件控温的运行更加稳定。

1．什么是导体、绝缘体、半导体？ 容易导电的物质叫导体，如：金属、石墨、人体、大地以及各种酸、碱、盐的水溶液等都是导体。 不容易导电的物质叫做绝缘体，如：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等都是绝缘体。 所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等。半导体大体上可以分为两类，即本征半导体和杂质半导体。本征半导体是指纯净的半导体，这里的纯净包括两个意思，一是指半导体材料中只含有一种元素的原子；二是指原子与原子之间的排列是有一定规律的。本征半导体的特点是导电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化。杂质半导体是指人为地在本征半导体中掺入微量其他元素（称杂质）所形成的半导体。杂质半导体有两类：N型半导体和P型半导体。2．半导体材料的特征有哪些？ （1） 导电能力介于导体和绝缘体之间。 （2） 当其纯度较高时，电导率的温度系数为正值，随温度升高电导率增大；金属导体则相反，电导率的温度系数为负值。 （3） 有两种载流子参加导电，具有两种导电类型：一种是电子，另一种是空穴。同一种半导体材料，既可形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。 （4） 晶体的各向异性。

半导体晶片温度控制是目前针对半导体行业所推出的控温设备，无锡冠亚半导体晶片温度控制采用全密闭循环系统进行制冷加热，制冷加热的温度不同，型号也是不同，同时，在选择的时候，也需要注意制冷原理。　　半导体晶片温度控制制冷系统运行中是使用某种工质的状态转变，从较低温度的热源汲取必需的热量Q0，通过一个消费功W的积蓄过程，向较热带度的热源发出热量Qk。在这一过程中，由能量守恒取 Qk=Q0 + W。为了实现半导体晶片温度控制能量迁移，之初强制有使制冷剂能达到比低温环境介质更低的温度的过程，并连续不断地从被冷却物体汲取热量，在制冷技巧的界线内，实现这一过程有下述几种根基步骤:相变制冷:使用液体在低温下的蒸发过程或固体在低温下的消溶或升华过程向被冷却物体汲取热量。平常空调器都是这种制冷步骤。气体膨胀制冷:高压气体经绝热膨胀后可达到较低的温度，令低压气体复热可以制冷。气体涡流制冷:高压气体通过涡流管膨胀后可以分别为热、冷两股气流，使用凉气流的复热过程可以制冷。热电制冷:令直流电通过半导体热电堆，可以在一端发生冷效应，在另一端发生热效应。　　半导体晶片温度控制在运行过程中，高温时没有导热介质蒸发出来，而且不需要加压的情况下就可以实现-80～190度、-70～220度、-88～170度、-55～250度、-30～300度连续控温。半导体晶片温度控制的原理和功能对使用人员来说有诸多优势： 因为只有膨胀腔体内的导热介质才和空气中的氧气接触（而且膨胀箱的温度在常温到60度之间），可以达到降低导热介质被氧化和吸收空气中水分的风险。　　半导体晶片温度控制中制冷原理上如上所示，用户在操作半导体晶片温度控制的时候，需要注意其制冷的原理，在了解之后更好的运行半导体晶片温度控制。

半导体制冷温度控制系统是无锡冠亚针对半导体行业推出的新型设备，用户在选择半导体制冷温度控制系统的时候，需要考虑半导体制冷温度控制系统主要的性能，设计以及其他，才能更好的选择半导体制冷温度控制系统。　　半导体制冷温度控制系统的选用应当依照冷负荷以及准备用于哪方面来思忖。对于低负荷运行工况时间较长的制冷系统，适合选择多机头活塞式压缩机组或螺杆式压缩机组，便于调理和节能，也就是我们常说的双机头半导体制冷温度控制系统，可随着负荷的变化，半导体制冷温度控制系统组自动确定开机的数量，保证开启的压缩机处于工作状态，从而有效节约电能。　　选用半导体制冷温度控制系统时，优先考虑性能系数值较高的机组。依照以往资料统计，正常半导体制冷温度控制系统组整年下运行时间约占分运行时间的1/4以下。因此，在选用半导体制冷温度控制系统组时应优先考虑效率曲线比较平坦的半导体制冷温度控制系统型号。同时，在设计选用时应考虑半导体制冷温度控制系统组负荷的调节范围，半导体制冷温度控制系统组部分负荷性能优良，可根据工厂实际情况选用半导体制冷温度控制系统。　　选用半导体制冷温度控制系统时，应当留意该型号半导体制冷温度控制系统的正常工作范畴，主要是电机的电流限值是表面工况下的轴功率的电流值。　　半导体制冷温度控制系统在选择上无非就是性能、品牌以及价格，在选择合适的半导体制冷温度控制系统的时候，尽量选择高性能的半导体制冷温度控制系统，这样运行更加稳定。

半导体开尔文测试原理

半导体（材料及技术）的发展非常迅猛，如“光伏”太阳能电池，LED半导体照明灯，高光率节能三基色荧光灯等，国家大力提倡节能减排，保护环境，这也是人类长远规划的目的，试着开设“半导体”子版看看人气如何，请版主审查。

请问如何获得各种半导体的带宽及能带位置,有无手册可查询?

一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

摘要：通过对氧化物半导体样品的特性测试和分析，首先用可见-紫外光分光光度方法测量了掺杂不同杂质的二氧化钛的的透射（或吸收）谱，并利用这些谱确定样品的光学禁带宽度。随后又用热激活方法测量数种不同氧化物半导体的阻-温特性关系，即研究了温度变化对掺杂Nb2O5的二氧化钛电阻性能的影响，并进一步利用这些关系推导出样品的激活能。在实验过程中，我们还进行了二氧化钛镀膜样品的制作和氧化锌压片样品的制备并为其镀上电极。1 引言 纳米材料是20世纪80年代末、90年代初才逐步发展起来的一类新型材料。这一概念形成后，引起世人的密切关注，它所具有的独特性质，使人们充分意识到它的广阔发展前景。随着纳米氧化物材料制备技术的不断发展和成熟，人们已经可以方便地制备出不同粒径、不同组分、不同结构的各种类型的纳米氧化物。这些研究成果为我们进一步研究纳米氧化物材料的微观结构、特殊性质奠定了坚实的基础。2000年美国政府启动了纳米科技发展计划，我国也将纳米材料和纳米技术列为科技发展的优势领域，近年来，纳米材料的开发和应用已成为各国科技工作者的研究热点，纳米材料在涂料中的应用也是研究热点之一。纳米二氧化钛是其中最重要的一类无机功能材料之一。它除了具有一般纳米粒子所特有的特性外，还具有高光催化效应、强紫外线屏蔽能力以及能产生奇特颜色效应等许多特殊性能，广泛应用在生产和生活的各个方面，其制备及应用研究受到世界各国的高度重视。1）氧化钛用于电极基体。一般需将金属氧化物电极附载于某种具有电催化活性的基体表面。由于钛具有良好的导电性和耐蚀性，因此目前大多采用高耐蚀性的钛作为电极的基体。2）抗菌性。在阳光，尤其是紫外光的照射下，在水和空气中，纳米氧化物能自行分解出自由移动的带负电的电子，同时留下带正电的空穴。这种空穴可以激活空气中的氧变为活性氧，具有极强的化学活性，能与多种有机物发生氧化反应（包括细菌内的有机物），从而把大多数病毒和病菌杀死。3）涂料。紫外线能量很高，足以破坏高分子之间的化学键，可直接导致涂料老化。实验研究证明，纳米TiO2对波长在400nm～750nm的可见光具有透过作用，能够屏蔽日光中的紫外线。将经过处理的纳米氧化物用于涂料中，可有效保护涂料中的有机分子免受紫外线的侵害，长久保持良好的性能。2 原理概述 二氧化钛由于具有高活性、安全无毒、化学性质稳定及成本低等优点,被广泛应用于环境保护、太阳能转化、化妆品、纺织、涂料、橡胶等领域。在一些领域二氧化钛大规模的生产应用受到二氧化钛量子效率低和禁带宽度宽对太阳能利用率低的缺陷的限制。 根据定义，半导体具有由价带所构成的带隙，价带由一系列填满电子的轨道所构成，而导带是由一系列未填充电子的轨道所构成。当半导体近表面在受到能量大于其带隙能量的光辐射时，价带中的电子会受到激发跃迁到导带。一个半导体必须要具有合适的禁带宽度和导带电位，首先是禁带宽度必须位于光源的能量范围之内，当受到光照时，才能吸收光能形成禁带激发，导致产生光氧化还原反应所必须的电子空穴对。　　大多数氧化物电极都是半导体材料，因而具有许多半导体的性质。同金属电极相比，氧化物半导体中载流子的密度是较低的常数。因此要提高它们的导电性，首先要提高氧化物半导体中载流子的数目。电催化氧化要求阳极具有良好的导电性，而钛表面的钝化膜导电性极差，由于该膜的成分主要是TiO 2，它属n型半导体，禁带宽度为3.0eV。在众多半导体中，它的禁带宽度是较宽的，也就是说它的载流子难于激发出来，这就是其导电性不好的原因。掺杂离子可降低TiO2的禁带宽度，由于杂质离子半径与Ti不同，所以可造成TiO 2晶体发生扭曲，甚至造成缺陷。这些扭曲和缺陷使TiO2的能级发生分裂，在规整的能级中形成新的缺陷能级，使得价带中电子很容易进入一些缺陷能级中。因而载流子密度升高，导电性提高。同时有些掺杂杂质作为施主加入形成施主能级，这些能级中的电子很容易受激发进入导带，大大提高地载流子密度，使半导体导电性大幅提高。受上述理论分析的启发，人们在制备钛氧化物电极时都要寻找合适的掺杂物去提高TiO 2氧化物的导电性。 我们在上述理论的基础上，在实验中对已经掺杂杂质的TiO2样品进行测试与分析，得到其禁带宽度与不同掺杂浓度，不同掺杂离子的关系，以及其阻温特性。

图解半导体制程概论来自：《电子技术应用》博客 作者：光子http://blog.chinaaet.com/detail/17334.html介绍：基本介绍了所有的电子元器件的工作原理和工作特性。对电路的理解非常有帮助。 【半导体】具有处于如铜或铁等容易导电的【导体】、与如橡胶或玻璃等不导电的【绝缘体】中间的电阻系数、该电阻比会受到下列的因素而变化。如： 杂质的添加·温度 光的照射·原子结合的缺陷 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9058894285301.jpg █ 半导体的材料 硅(Si)与锗(Ge)为众所周知的半导体材料.这些无素属于元素周期素中的第IV族,其最外壳(最外层的轨道)具有四个电子.半导体除以硅与锗的单一元素构成之处,也广泛使用两种以上之元素的化合物半导体. ●硅、锗半导体 （Si、Ge Semiconductor) 单结晶的硅、其各个原子与所邻接的原子共价电子（共有结合、共有化）且排列得井井有条。利用如此的单结晶，就可产生微观性的量子力学效果，而构成半导体器件。 ●化合物半导体 (Compound Semiconductor) 除硅（Si)之外，第III族与第V族的元素化合物，或者与第IV族元素组成的化合物也可用于半导体材料。 例如，GaAs（砷化镓）、 Gap（磷化砷）、 AlGaAs（砷化镓铝）、 GaN（氮化镓） SiC（碳化硅） SiGe（锗化硅）等均是由2个以上元素所构成的半导体。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059051067700.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059206133119.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059290682905.jpg █ 本征半导体与自由电子及空穴 我们将第IV族（最外层轨道有四个电子）的元素（Si、Ge等），以及和第IV族等价的化合物（GaAs、GaN等），且掺杂极少杂质的半导体的结晶，称之为本征半导体（intrinsic semiconductor）。 ●本征半导体（intrinsic semiconductor） 当温度十分低的时候，在其原子的最外侧的轨道上的电子（束缚电子（bound electrons）用于结合所邻接的原子，因此在本征半导体内几乎没有自由载子，所以本征半导体具有高电阻比。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059490838355.jpg ●自由电子（free electrons） 束缚电子若以热或光加以激发时就成为自由电子，其可在结晶内自由移动。 ●空穴（hole） 在束缚电子成为自由电子后而缺少电子的地方，就有电子从邻接的Si原子移动过来，同时在邻接的Si原子新发生缺少电子的地方，就会有电子从其所邻接的Si原子移动过来。在这种情况下，其与自由电子相异，即以逐次移动在一个邻接原子间。缺少电子地方的移动，刚好同肯有正电荷的粒子以反方向作移动的动作，并且产生具有正电荷载子（空穴）的效力。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059632324179.jpg █ 添加掺杂物质的逆流地导体与电子及空穴 将第V族的元素（最外层的轨道有五个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会形成1个自由电子且成为N型半导体。 将第Ⅲ族的元素（最外层的轨道有三个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会产生缺少一个电子的地方且成为P型半导体。 ●N型半导体（N type Semiconductor） N型半导体中，自由电子电成为电流的主流（多数载了），并将产生自由电子的原子，称为“施体（donor）“。施体将带正电而成为固定电荷。不过也会存在极少的空穴（少数载子）。 作为N型掺杂物质使用的元素有：P 磷；As 砷；sb 锑 ●P型半导体（P type Semiconductor） 在P型半导体中，空穴成为电流的主流（多数载子），并将产生空穴的原子，称为“受体（acceptor）”。受体将带负电而成为固定电荷。不过也会存在极少的自由电子（少数载子）。 作为P型掺杂物质使用的元素有：B 硼；in 锌 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059887851531.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059983012447.jpg █ 漂移电流及扩散电流 流动于半导体体中的电流有两种：漂移电流与扩散电流。MOS型半导体中漂移电流起着很重要的作用，而双极型半导体中扩散电流的作用很重要。 ●漂移电流（drift current） 与电阻体（哭）相同，由于外加电压所产生的电场，因电子和空穴的电性相吸引而流动所产生的电流。场效应管（FET）内流动的电流称为漂移电流。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060152592260.jpg ●扩散电流（diffusion current） 将P型半导体与N型半导体接合且加电压。如电子从N型半导体注入到P型半导体，而空穴从P型半导体注入到N型半导体，即电子和空穴因热运动而平均地从密度浓密的注入处移动到密度稀薄的地方。以这样的结构所流动的电流称为扩散电流。在双极性（双载子）晶体管或PN接合二极管，扩散电流为主体。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060288624919.jpg █ PN接合和势垒 在接合前，由于P型半导体存在与受体（负离子化原子）同数的空穴，而N型半导体存在与施体（正离子化原子）同数的电子，并在电性上成为电中性。将这样的P型半导体和N型半导体接合就会产生势垒。 ●接合前为中性状态 接合前，在P型半导体存在着与受体（负离子化原子）同数的空穴，而N型半导体即存在着与施体（正离子化原子）同数的电子，并在电性上成为电中性。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060451806881.jpg ●空乏层与势垒（depletion layer＆potential barrier） 将P型与N型半导体接合时，由于P型与N型范围的空穴及电子就相互开始向对方散。因此在接合处附近，电子和空穴再接合后就仅剩下不能移动的受体与施体。该层称为“空乏层”。由于该空乏层会在PN接合部会产生能差，故将该能差称为“势垒”。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9062912097902.jpg █ PN接合面的电压及电流特性 如外加电压到PN接合处，使电流按照外加电压的方向（正负极）流通或不流通。这是二极管基本特性。 ●外加正相电压到PN接合面 从外部在减弱扩散电位的方向（正极在P型而负极在N型）外加电压时，PN接合面的势垒就被破坏了，空穴流从P型半导体注入N型半导体，电子流则从N型半导体注入P型半导体，而扩散电流得以继续流动。电流流动的方向就称为“正向”。 http://files.china

小弟是刚入门半导体材料行业，对于材料的物理测试不是很清楚！？ 不知道那位大虾能否指导下关于少数寿命，电阻率，PB含量的测试？有没有关于方法与资料？？那个公司的仪器比较好？

半导体恒温器中配件比较多，除了压缩机、换热器、蒸发器、膨胀阀等主要配件之外，储液器、油气分离器、干燥过滤器等也是比较重要的，那么，这三种配件在半导体恒温器众的作用有哪些呢？　　油气分离器安装在压缩机和冷凝器之间，压缩机的排气是制冷剂和润滑油的混合气体，通过油分离器的较大的腔体减速，雾状的油就会聚集在冲击的表面上，当聚集成较大的油滴后，流向油分离器的底部，并通过回油装置返回压缩机。　　半导体恒温器的过滤器的作用是为了防止制冷剂里含有水分或由于不可减少的元素等原因使系统里进入水分，当从冷凝器出来的高温液体进入膨胀阀后，液体的温度会大幅度的下降，一般都在零度以下，这时如果系统里含有水分的话，由于膨胀阀通过的截面很小，就会易出现冰堵的现象，影响系统的正常的运行。　　制冷系统中的高压储液器（也称储液筒）是装在冷凝器和膨胀阀之间的，它的功能可归纳为以几个方面，储存冷凝器的凝液，避免凝液在冷凝器中积存过多而使传热面积变小，影响冷凝器的传热效果，在蒸发负荷增大时，供应量也增大，由储液器的存液补给；负荷变小时，需要液量也变小，多余的液体储存在储液罐里。因为出液管是插在液面下，故可防止高压侧的蒸汽和不凝性的气体进入低压侧。同时，储液器也起到过滤和消音的作用，储液器的形式有多种，有单向和双向之分；有一出口和两出口之分；有立式和卧式之分。　　半导体恒温器是目前半导体行业制冷加热控温要求中使用比较多的设备，性能的要求不言而喻，所以，建议向专业厂家购买。