中性等离子体

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）应用领域各级疾控中心理化所/科,职业卫生技术服务机构理化分析；职业病监测理化分析；职业病诊断-职业医学检验疾控中心理化分析。电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）◇ 高效进样系统：分体式炬管，自准直装配，直观简单。◇ 稳定的ICP离子源：自激式全固态射频电源，采用频率匹配调谐，调谐速率高，可直接分析有机样品，无运动部件，稳定可靠；平衡驱动，无需屏蔽炬即可获得离子动能平衡。◇ 可靠的双锥接口设计：高效率传输待分析离子，保持分析物组份的代表性，专门离子接口设计大幅度提升灵敏度；提手是换锥接口，稳固可靠，操作便利。◇ 复合离子传输系统：前后两次离轴，良好消除中性粒子干扰；采用复合电场多极杆导引技术、复合透镜偏轴离子传输技术，在消除光子和中性粒子干扰之外大幅度的提升离子传输效率。◇ 高速动态碰撞反应池：分布式碰撞/反应气扩散方式，大大提高碰撞效率，提升灵敏度；采用离子动能歧视技术，结合喷碰撞和动态反应两种模式的优点；高效碰撞模式，可直接稀释到测试血液样品。◇ 四极杆质量分析器：纯钼四极杆，超高稳定性；抗温湿度变化的RF电源，确保在普通实验室条件下也有良好的稳定性。◇ 高灵敏电子倍增器：专有的数字/模拟双模式检测器，具有9~10个数量级的动态范围。电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）◇ 自主研发的国产ICP-MS替代进口产品，完全满足疾控客户水、食品、土壤、环境等检测需求，成为各级疾控中心理化采购热点；◇ 满足ICP-OES替代方法，检出限可到ppq，四级杆质量分析器，全数字频率调谐射频发生器。

仪器简介：Hiden EQP是一台结合质量和能量分析的仪器（Mass and Energy Analyser for Plasma Diagnostics），用于分析等离子过程中阴、阳离子、中性粒子以及自由基。技术参数：应用： 蚀刻 / 沉积作用研究 离子植入 / 激光烧蚀 残余气体分析 / 泄漏检测 等离子体电感耦合，即在操作中遵从电极设定条件 通过视口、接地电极和驱动电极进行分析主要特点： 软件控制的离子汲取光学系统，以使等离子体扰动最小 45°静电扇区分析器，扫描能量增量 0.05 eV / 0.25eV FWHM 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 带差式泵的三级过滤四极杆，质量数范围至2500amu 高灵敏度 / 稳定的脉冲离子计数检测器，有7个数量级的动态范围 可调谐的离子源，用于电子附着选件的表观电势质谱分析 Penning规和互锁装置可提供过压保护 信号选通分辨率1μs，用于研究脉冲等离子体或能量、质量分布随时间的变化 1000eV 选配, 漂浮电压可选至10keV, Faraday 杯用于高密度等离子体 Mu-Metal, Radio-metal 屏蔽可选,高压操作可选 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，控制软件MASsoft

PSM是一台差式泵质谱仪（In-Line Plasma Analysers for Neutrals, Radicals and Ion Analysis），分析等离子过程中的二次离子和中性粒子。 差式泵歧管，通过法兰与过程反应室连接 电子附着选件，具有可调谐的离子源，用于表观电势MS Penning规和互锁装置可提供过压保护 信号选通分辨率1μs，用于研究脉冲等离子体或能量、质量分布VS时间 标准分析中性粒子、自由基，+ve / -ve 离子分析可选 灵敏度高 / 极稳定的3级过滤四极杆 质量数范围： 0 ~ 2500amu 脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 能量分析选件，标准 ±100eV（1000eV可选 ） Mu-Metal, Radio-metal屏蔽可选， 高压操作可选 通过RS232、RS485或Ethernet LAN ，软件MASsoft 控制

PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比，等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案，同时不会降低薄膜质量。高质量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉积，而CVD需要650℃至850℃的温度生产类似质量的镀膜。PE-CVD使用电能产生辉光放电(等离子体)，其中能量转移到气体混合物中。这将气体混合物转化成反应性自由基、离子、中性原子和分子，以及其他高活性物质。在PE-CVD中，气相和表面反应受到等离子体性质的强烈控制。代替热活化，气体混合物的电子碰撞电离驱动气相反应，能够在比常规CVD工艺低得多的温度下进行沉积。 对于PE-CVD，沉积速率通常不是基片温度的强函数，表面活化能通常很小。然而，薄膜性质，例如，组成、应力和形态，通常是基片温度的强函数。等离子体增强CVD的优点PE-CVD镀膜的一些理想性能包括，良好的粘附性、低针孔密度、良好的保形性，以及平面和三维表面上的均匀性。 PE-CVD的实用性和灵活性在于，其能够在从硅片到汽车部件的各种基材上沉积高质量的镀膜。此外，等离子体增强CVD系统比常规CVD提供更低的拥有成本。丹顿真空公司专门从事等离子增强CVD (PE-CVD)，沉积类金刚石(DLC)镀膜。DLC镀膜是一类无定形碳膜，表现出与金刚石相似的性能，例如，硬度、抗刮擦性和高导热性。此外，DLC镀膜由于其生物相容性、红外透明性和电绝缘性能，在商业方面极具价值。丹顿公司已经开发专有的能力，扩展DLC的特性范围，包括抗指纹和疏水性。我们的 Voyager PE-CVD解决方案提供低温溅射，具有高度均匀性

Agilent 7900 ICP-MS（电感耦合等离子体质谱）是一款灵活的单四极杆 ICP 质谱仪，可提供非常出色的基质耐受性、有效的氦碰撞模式、超低的检测限和宽广的动态范围。因此，无论样品类型如何，您都可以确信始终报告准确的数据，即使在痕量分析中也是如此。7900 ICP-MS 为要求苛刻的商业和工业应用提供了超高的性能，并具有研究和高级分析（例如形态分析）所需的灵活性。高灵敏度和瞬时信号的快速采集是单纳米颗粒 (spICP-MS)、单细胞分析和激光剥蚀所必需的，让您能够在竞争中脱颖而出。（一）产品特点：超稳定的（低 CeO/Ce）等离子体可提供出色的基质耐受能力超高基质进样系统 (UHMI) 使您能够运行总溶解固体量 (TDS) 高达 25% 的样品氦 (He) 池气体模式能够可靠地控制多原子干扰，从而改善准确度离轴透镜可在整个质量范围内提供高灵敏度和低检测限宽动态范围检测器使您可以在同一次样品运行中分析常量和痕量元素快速积分（驻留时间 0.1 ms）支持分析快速瞬态信号，例如单纳米颗粒 (spICP-MS)ICP-MS MassHunter 方法向导可帮助您自动构建方法配置灵活，可轻松连接至可选附件和外围设备，适用于高级应用（二）工作原理：1.什么是电感耦合等离子体质谱 (ICP-MS)？ICP-MS 是一种用于测量金属和其他元素浓度的分析技术。样品通常以液体形式引入，但 ICP-MS 也可用于测定固体材料以及气体中的元素浓度。ICP-MS 由高温离子源（等离子体）、质谱仪（通常是四极杆质量过滤器）和检测器组成。等离子体处于大气压下，质谱仪和检测器位于真空室中，因此 ICP-MS 还需要一个接口和离子透镜传递离子通过系统。2.电感耦合等离子体质谱 (ICP-MS) 的原理是什么？将液体样品泵入雾化器形成气溶胶，再随气流进入等离子体。等离子体是一种高温电火花，可蒸发样品材料，然后使元素原子化和离子化。离子通过一个接口进入真空室，再通过离子透镜和碰撞/反应池 (CRC) 与光子、中性粒子、干扰离子分离。分析物离子由四极杆质量过滤器分选，每个质量都被传递到检测器进行计数。3.电感耦合等离子体质谱 (ICP-MS) 的用途是什么？ICP-MS 用于从食品安全、环境监测及药物检测到半导体制造、地球化学分析和生命科学研究领域等几乎所有行业的多元素分析。ICP-MS 测定每个样品约需要 3 分钟，因此在高通量实验室中尤为有用。ICP-MS 几乎可以定量从 ppt 级到百分级浓度的每种元素（并测定其同位素组成），还可以连接到色谱系统进行形态分析。华侨仪器为您提供详细的日化实验室解决方案，更多相关产品信息，欢迎来电咨询！

产品应用等离子体火炬（亦称等离子体发生器或等离子体加热系统）就是依据这一原理研制的专门设备。等离子体火炬通过电弧来产生高温气体，可在氧化、还原或惰性环境下工作，可以为气化、裂解、反应、熔融和冶炼等各种功能的工业炉提供热源。微波等离子体炬就是以微波为激发能量的开放式等离子体技术。产品特点1、微波激发开放式等离子体火炬产品平台，用于等离子状态下，气固液态材料的反应2、支持多种气氛条件的等离子体，3、支持混气和送样4、支持等离子体强度调节5、智能化控制系统，工艺可控技术参数（一）、微波系统1.微波功率：额定功率1000W / 2450MHz，无级非脉冲式连续微波功率输出2.微波等离子体激发腔设计：①中央聚焦强电磁场密度微波腔②内置微波调配系统（二）、功能系统1.等离子体系统：①开放式石英管等离子体反应系统②等离子体强度和主焰高度可调2.温度控制：①温度范围：1000℃，；②采用红外测温方式（700～1700℃），支持选配光学测温系统；3.气氛控制：①支持多种气氛条件的等离子体，②支持混气和流量控制，支持流动送样③支持选配尾气收集系统（三）、控制系统①采用PLC自动化控制：功率、强度、流量、时间可控②支持选配内腔视频系统，进行动态观察（四）、安全系统1.腔体多重联锁结构，开门断电，保护操作人员2.开口采用λ/4高阻抗微波抗流抑制结构，保证操作人员的健康安全，微波泄漏量：5mW/cm2 （优于国标）（五）、整机说明1.设备供电：220Vac / 50Hz，整机能耗：1500W2.设备供水：水冷系统3.外观尺寸：主体约：1400×1600×700mm（宽×高×深）4.设备重量：80kg5.公司产品通过ISO9001质量认证体系　整机质保一年

低温等离子体源--基于压电变压器直接放电，同时在元件的输出端直接产生冷等离子，等离子通过电离空气或气体来形成。性能特点◆ 专为敏感基材设计◆ 手持操作◆ 高效激发冷等离子体◆ 直接放电，低输入电压、高输出电压◆ 等离子功率密度高◆ 产生温度50 ℃冷等离子体◆ 不需外部气体供应◆ 设计精巧◆ 使用简单◆ 运行可靠◆ 最佳效率◆ 可变喷嘴◆ 免维护可实行的应用&bull 活化表面能实验室科学、医学技术、精密机械、微观力学、光学、 装配技术、电子技术、模型制作&bull 增强润湿性&bull 改善粘结力&bull 印刷和胶粘喷墨印刷、移印、微隙填充、自动化流程的润湿操作、点胶、胶粘&bull 杀菌和消毒微生物学技术、医疗技术、食品装、微流体技术可用于以下工序预处理&bull 胶粘 &bull 印刷 &bull 印染 &bull 铸造 &bull 层压 &bull 发泡 &bull 涂层 &bull 清洗 &bull 键合 &bull 密封应用材料广泛&bull 合成纤维 &bull 天然织物 &bull 金属 &bull 塑料&bull 复合材料 &bull 玻璃钢 &bull 玻璃 &bull 木材&bull 电子组件 &bull 铝合金 &bull 陶瓷 &bull 粉末技术参数名称技术参数单位电源连接110-240V/50-60Hz 15VDCV功率需求Max.30W 规格书Hand-held device with power supply unit,Integrated ventilator重量170g等离子体温度50℃标准的处理距离2-10mm标准的处理宽度5-20mm

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理 　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成 在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等） 未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

等离子体监控系统PlasCalc 等离子体监测控制仪，实现200nm-1100nm波段内的等离子体测量，通过高级过程控制系统及精密数据存取算法，只需3ms就可以获得测量结果。特点 1、光学分辨率1.0nm(FWHM)2、光谱范围 200-1100nm3、快速的建模及存储实验方法Recipe编辑器Recipe编辑器有助于简单快捷的配置、构建及存储实验方法。对一些困难的等离子体工序诸如膜沉积测量、等离子体蚀刻监测、表面洁度监测、等离子体室控制及异常污染、排放监测等，能够快速简单的构建模块过程控制。多种工具用于等离子体诊断随PlasCalc配置的操作软件，集成的程式编辑器能够容易实现多种数学算法功能。可选的波长发生器（可以单独购买）用于类型确认，而波长编辑器可以用于优化信噪比。双窗口界面用于显示实际光谱及所有过程控制信息。PlasCalc 配置说明光谱范围:200-1100 nm光学分辨率:1.0 nm (FWHM)D/A 转换:14 bit数字I/O:8 x TTL模拟输出:4 x [0-10V]接口:USB 1.1功耗:12 VDC @ 1.25 A

1. 产品概述RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料、电材料等难蚀材料的加工。3. 设备特点龙卷风线圈电，它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺，通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制，电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。

1. 产品概述RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料和电材料的加工。3. 设备特点龙卷风线圈电，它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺，通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制，电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。

日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。 主要应用领域： 1、制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）；2、制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒；3、形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂）；4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。 技术原理：1、在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上；2、真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体；3、通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。 材料适用性：APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 设备特点： 1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）。3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 系统参数： 1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm

Aurora Z10冷等离子体种子处理仪统提供“Activated Air”活性气体，就像雷击周围的空气一样，可以改善种子健康，提高整体植物产量。冷等离子体种子活化过程的核心优势是提高发芽的一致性和发芽率以及幼苗的生长速度，这反过来又提高了种植者的产量和产量。该系统是移动的，需要外部电源和互联网连接。系统通过云连接，远程机器监控易于掌控整个活化过程。特点：&minus CEA的先进种子健康系统，冷等离子体促进种子健康和作物产量&minus 仅使用空气和电力，不添加化学物质&minus 低工作功耗（200W）&minus 专为垂直农场和温室设计规格：样品仓：10L处理量：2升（1公斤）的种子10.4英寸触摸显示屏远程监控控制超低功耗小于200w重量：143Kg

等离子体热处理炉为德国生产，具有等离子清洗、表面处理、材料表面修饰、材料热处理的功能。 仪器特点及基本参数：具有等离子体清洗、表面修饰、表面处理、表面活化的功能；具有真空能力(10-5mbar)；芯片倒装凸点(Bump)；凸点焊接；键合；功率器件焊接；样品尺寸：170X200mm，或300x300mm；温度：650摄氏度；24支红外灯加热；2路MFC气路；

1. 产品概述RIE-400iP是用于ø 4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。3. 设备特点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统，排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测，干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计，TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。

1、 设备组成：高压电源、气体控制系统、紫外诱变消毒系统、等离子体发生系统、交互式触摸LCD、自动控制系统、环境参数监控系统、照明系统。2、 设备使用器皿：专用的加样器、标准的90mm的玻璃培养皿3、 控制系统：工作温湿度监测显示、气体流量监测显示、参数设置、模式设置、启动/停止、软件版本升级、设备自检、环境消毒、照明控制。4、 等离子体观察窗尺寸：220mm x 150mm5、 安全防护等级：IP536、 诱变时间设定范围：0 – 3600s7、 报警：工作异常、设备部件异常会报警8、 提醒：正常启动、消毒结束、诱变结束会铃声提醒9、 自动控制诱变距离：0 – 25mm10、 气体流量自动控制范围：10 – 16 slpm11、 设备尺寸：465mm(H) x 420mm(W) x 465mm(D)12、 工作气体：99.999%高纯氮气13、 整机功率：300W（MAX）14、 电源：220VAC±10% 50Hz15、 等离子体最大功率：10W16、 氮气接口：6mm双卡套快速接口17、 工作温度：-10℃ - 40℃18、 工作湿度：≤ 70%

1. 产品概述高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。3. 设备特点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统。排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电升降机构。晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计。TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。

1. 产品概述高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。3. 设备特点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统，排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电升降机构，晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计，TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物 　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。 用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理 可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件 通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知 金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

1. 产品概述Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统。2. 设备用途/原理Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统，填孔能力以及高沉积速率，温度场和 ICP 电磁场设计保证了低温高致密的膜质表现，优化机台结构，缩小占地面积，友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料氧化硅。适用工艺浅沟槽隔离、金属间介质层、钝化层。适用域 新兴应用、集成电路。等离子体化学气相沉积(plasmachemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。按产生等离子体的方法，分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体CVD等。

一、产品简介：常压室温等离子体(ARTP)同传统的低压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪(ARTP　Mutagenesis Breeding Machine)。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。二、应用领域原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等）及植物细胞。 截止到2022年10月21日，中文文献411篇，英文文献169篇，专利269篇，学位论文176篇，共计1025篇。三、产品参数分类技术参数整机功率300W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm样品处理系统单样品处理冷却系统外接制冷系统等离子体射流温度≤37℃四、应用案例案例一：放线菌抗生素产量显著提高突变率、正突变率分别为30%、21%，获得一株阿维菌素B1a产量提高23%。（常压室温等离子体对微生物的作用机理及其应用基础研究[D].王立言.清华大学 2009）等离子体诱变前后阿维链霉菌的形态变化（注：W为野生菌株；G1-8为典型突变菌株）案例二：藻类正突变率高、突变库表型丰富总突变率和正突变率在特异增长率上分别达到45%和25%，并且突变库中表型丰富。（PLOS ONE，2013,8（10）：1-12）案例三：应用ARTP诱变大肠杆菌，提高苏氨酸产量获得一株苏氨酸高产菌株，摇瓶产酸达到50.6 g/L，与出发菌相比，提高了99.6%，经50次传代，遗传性稳定。（现代食品科技，2013，29(8)：1888-1892） a1 a2出发菌株与1905#突变菌的菌体形态

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8/12英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

北京中海时代科技公司提供等离子plasma表面处理设备，致力于压电低温等离子体表面清洗处理、表面活化改性领域多年，等离子表面处理技术已被广泛应用到工业、医疗、科研等行业。我们为您提供可靠的等离子表面处理解决方案。性能特点 手持操作 专为敏感基材设计 等离子功率密度高 高效激发冷等离子体 产生温度 50 °C冷等离子体

安捷伦Agilent电感耦合等离子体质谱仪7800ICP-MS/7850ICP-MS/7900ICP-MS Agilent 7900 ICP-MS 是一款灵活的单四极杆电感耦合等离子体质谱仪，可提供出色的基质耐受性、有效的氦碰撞模式、超低的检测限和宽广的动态范围。7900 ICP-MS 灵敏度高且能够快速采集瞬时信号，可满足单纳米颗粒 (spICP-MS)、单细胞分析和激光剥蚀的要求。此外，其具有研究和高级分析（例如形态分析）所需的灵活性。 特性1、具有稳定的（低 CeO/Ce）等离子体可提供的基质耐受能力2、具有基质进样系统 (UHMI) 使您能够运行总溶解固体量 (TDS) 高达 25% 的样品。3、氦 (He) 池气体模式能够可靠地控制多原子干扰，从而改善准确度。4、离轴透镜可在整个质量范围内提供高灵敏度和低检测限。5、宽动态范围检测器使您可以在同一次样品运行中分析常量和痕量元素。6、快速积分（驻留时间 0.1 ms）支持分析快速瞬态信号，例如单纳米颗粒 (spICP-MS)。7、ICP-MS MassHunter 方法向导可帮助您自动构建方法。8、配置灵活，可轻松连接至可选附件和外围设备，适用于高级应用。什么是电感耦合等离子体质谱 (ICP-MS)？ICP-MS 是一种用于测量金属和其他元素浓度的分析技术。样品通常以液体形式引入，但 ICP-MS 也可用于测定固体材料以及气体中的元素浓度。ICP-MS 由高温离子源（等离子体）、质谱仪（通常是四极杆质量过滤器）和检测器组成。等离子体处于大气压下，质谱仪和检测器位于真空室中，因此 ICP-MS 还需要一个接口和离子透镜传递离子通过系统。 电感耦合等离子体质谱 (ICP-MS) 的用途是什么？ICP-MS 用于从食品安全、环境监测及药物检测到半导体制造、地球化学分析和生命科学研究领域等几乎所有行业的多元素分析。ICP-MS 测定每个样品约需要 3 分钟，因此在高通量实验室中尤为有用。ICP-MS 几乎可以定量从 ppt 级到百分级浓度的每种元素（并测定其同位素组成），还可以连接到色谱系统进行形态分析。 电感耦合等离子体质谱 (ICP-MS) 的原理是什么？将液体样品泵入雾化器形成气溶胶，再随气流进入等离子体。等离子体是一种高温电火花，可蒸发样品材料，然后使元素原子化和离子化。离子通过一个接口进入真空室，再通过离子透镜和碰撞/反应池 (CRC) 与光子、中性粒子、干扰离子分离。分析物离子由四极杆质量过滤器分选，每个质量都被传递到检测器进行计数。

电容耦合等离子体刻蚀（CCP）设备1. 产品概述：CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中，等离子体中会包含大量的活性粒子，与表面原子产生化学反应，生成可挥发产物后，随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode® Avior® A 在性价比和空间利用率上优点突出，可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。单腔室电容耦合等离子体（CCP）机适用于光刻胶残胶去除（打底膜）、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆2. 系统特性单腔室电容耦合等离子体（CCP）机台适用于光刻胶残胶去除（打底膜）、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆

泽攸科技 等离子体修饰系统，利用卓聚自创的三温区管式炉，通过氧气辅助化学气相沉积技术，在蓝宝石衬底上外延生长了大尺寸、高质量的单层二硫化钼薄膜。在生长过程中引入氧气，不仅能够有效的阻止三氧化钼源中毒，降低形核密度，而且还能减小硫空位密度，从而实现了大尺寸单晶单层二硫化钼的生长。利用等离子体修饰系统，在自限生长的前提下，目前已实现了两英寸晶圆级高质量单层二硫化钼的外延生长（百分百覆盖度，成膜均匀），并通过改进转移设备，实现了晶圆级薄膜的零污染且衬底无损转移。单层二硫化钼薄膜均匀覆盖在整个蓝宝石衬底上，而且没有缝隙，没有重叠层。 薄膜由晶粒尺寸为 1 微米，相对取向为 60 o的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 o晶界。等离子体修饰系统产品优势1. 有效避免固态源中毒；2.成膜均匀性好；3.成膜面积大；4.快速、生长速度可控。 图：两英寸单层二硫化钼的取向外延生长以上就是东莞市卓聚科技有限公司提供的等离子体修饰系统的介绍，了解更多直接咨询：原文： 随着微电子、纳米科技和人工智能等领域的进一步发展，精密定位不仅在实验室用途广泛，工业界的应用也越来越多。该团队在以往研究基础上，发展出一系列具有自主知识产权的超精密定位产品，填补了国产空白。一个火柴盒大小、外壳包覆金属的小方块，通过电压控制能够实现纳米级别的精密位移，可以用于对精密度要求超.高的科学实验、精密制造和半导体工业等领域。日前，在松山湖材料实验室高.端科研设备产业化团队的实验室内，团队负责人许智展示了该团队拥有核心技术的压电驱动纳米位移台。安徽泽攸科技有限公司为您提供压电旋转纳米位移台RF-5950A的参数、价格、型号、原理等信息，压电旋转纳米位移台RF-5950A产地为安徽、品牌为泽攸科技，型号为旋转纳米位移台，价格为面议，更多相关信息可来电咨询，公司客服电话7*24小时为您服务

1. 产品概述RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø 350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蚀刻，SiN和SiO2的蚀刻，电介质和金属的蚀刻，用于HBLED的PSS（图案化蓝宝石衬底）加工。3. 设备特点大加工范围：ø 350 mm (ø 3" x 12, ø 4" x 8, ø 12" x 1)。先进的ICP源HSTC&trade （Hyper Symmetrical Tornado Coil）能有效地提供均匀的高密度等离子体，并在大面积上具有优异的蚀刻均匀性。对称的疏散设计与TMP相结合，形成了高效的流动。优化的气体歧管，提供工艺气体的均匀性。可选的光学/干涉式端点检测系统可实现对多个工艺运行的精确蚀刻深度控制。

1. 产品概述高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的用系统，可以在小的洁净室空间内安装。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。3. 设备特点 新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统，排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测,干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计,TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。