新型电子器件

微型电子器件插件采用特制夹具将微型电子器件、太阳能电池以及其他晶片状材料固定在样品杯中，使其免遭到破坏。测试后，样品可以完好无损的取下，重新回到制备环节中去，或者参与其他损耗检测。微型电子器件插件与金像样品杯结合使用，可以直接将样品固定于插件上。不需要在背面粘附样品或者样品表面接触，通过倾斜的夹钳将样品牢固的固定在插件上，16 个夹钳均匀施力，不会造成样品的损坏。X-断面观测插件适合于涂层以及多层半导体器件等断口、断面的观测。与传统的耗时又费钱的树脂镶嵌相比，这种办法简单而快速，且不需要螺丝等其它工具来固定样品。X-断面观测插件与金像样品杯结合使用。借助X-断面观测插件，样品固定在特制夹具中，无需其他辅助工具，可以迅速而简便的对样品的位置进行调整。X-断面观测插件保留样品断面的原始状态，无需抛光，使得观测完毕后样品可重新使用或进行其它检测。

检测器电子器件升级套件通过升级可将检测器寿命至少延长20%。订货信息：所适用的ICP-MS型号部件编号2005年4月之前生产的ELAN 9000/6x00/DRC*W1013195*需要硬件工程师负责安装，但需缴纳安装费

美国PE珀金埃尔默 W1013195检测器电子器件套件检测器电子器件升级套件检测器寿命至少提高20％。ICP-MS模型部件编号2005年4月之前制造的ELAN 9000/6x00/DRCs* W1013195* 需要安装服务，但不包括在内。请联系吴女士：13336089003

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Active Bond® 4026玻璃浆料说明书1. 适用范围：96%氧化铝的封接2. 主要性质：(1) 以罐装浆料形态提供，颜色为浅蓝色；(2) 热膨胀系数：~ 80×10-7 / ℃；(3) 封接温度：560±5 ℃；(4) 本产品为绿色环保型产品，不含铅、六价铬、镉、汞、多溴联苯（PBB）、多溴二苯醚（PBDE）、邻苯二甲酸酯（DEHP）、邻苯二甲酸苄酯（BBP）、邻苯二甲酸二丁酯（DBP）、邻苯二甲酸二异丁酯（DIBP）等RoHS标准所限制的有毒有害物质。(5) 在本公司内部测试条件下，其粘接96%氧化铝陶瓷的剪切强度为15~20MPa。粘接强度与施工过程、条件、材料种类、状态以及测试条件有关，本数据仅供参考。3. 存储和使用注意事项：(1) 常温避光密封储存，保存期1个月；或2~8℃冷藏，避光密封储存，保存期6个月。(2) 使用前静置于室内或保温箱内1~2小时，使其温度恢复到室温或合适的施工温度。产品的温度越低，其黏度越大（这是各类浆料共性）。(3) 浆料具有触变性，久置后可能呈凝酪状，经搅拌或刮涂时恢复流动性。(4) 可用少量酒精调节本品的黏度和流动性。(5) 久置后可能出现轻微分层现象，可用刮板或小勺搅拌均匀后使用，不影响封接效果。(6) 不可高速搅拌，不可使用超声波分散，不可使用真空除气。(7) 开封后未用完部分需拧紧瓶盖，冷藏，并在一周内用完。 4. 推荐烧结/封接工艺：参考工艺温度曲线如图 1所示，用户可根据实际需求调整工艺参数。（1）环境：在大气环境下进行封接，气温不超过40℃。无需真空或保护气氛。（玻璃焊料对气氛敏感，在其他气氛中使用需先经验证）（2）准备：将所需的玻璃浆料涂覆于氧化铝陶瓷片表面；（3）烘干：在80~120℃保温5分钟以使得浆料中的溶剂初步挥发。（4）合片：将粘有玻璃的氧化铝片合在一起，加压重量~5g/cm2或根据实际调节。（5）加热：加热速度≤40℃/min，将产品加热至560±5℃。根据产品的尺寸和形式进行一定的调整，以保证加热的均匀性。加热过程中应保持空气流通以利于排胶，封闭环境可能导致胶质焦化、发黑、冒烟，降低封接强度。（6）烧结/封接：温度达到560℃后立即降温。在560℃停留时间越短越好。封接温度过高或保温时间过长，可能在焊缝中形成无法消除的气泡。封接温度过低或保温时间过短可能导致玻璃流动性和强度不足。（7）冷却：从封接温度冷却到100℃左右，冷却速度不超过20℃/min，随后在空气中自然冷却或随炉冷却到室温。封接需缓慢冷却，烧结制品可适当加快冷却速度。 图 1推荐工艺温度曲线5. 关于排胶（Burn-off）的说明本产品在一般情况下无需排胶，有机物在加热过程中即可自然分解和挥发。但产品的性质可能根据具体的施工情况有所不同。在一些情况下（如加热速度过快、封接面积过大、排气间隙太小等），可能导致有机物在加热过程中来不及挥发。因此，确有需要时（如出现碳化、焦化、鼓泡、龟裂、渣化等问题），可在400℃排胶10min。

新型的testo 570 电子歧管仪(电子压力表组)产品参数：存储温度-20 ~ +60 °C操作温度-15 ~ +50 °C电池寿命约 40 小时(不带背光显示)重量1200 g (不含电池) 尺寸280 x 135 x 75 mm压力介质CFC,HFC,N,H2O,CO2压力 低压(LP)50/50 barrel高压(HP)过载(PL/HP)52/52 barrel精度(22°C 时)满量程的 ± 0.5 % (± 1 数值)分辨率0.01 bar / 0.1 psi接口3 x 7/16" - UNF + 1 X 5/8" - UNF温度 量程-50 ~ + 150°C精度(22°C 时) ± 0.5°C (± 1 数位) 分辨率0.1 °C / 0,1 °F探头接口3个NTC温度通道真空度 量程-1 bar ~ 0 bar精度(22°C 时)满量程的 1%分辨率1mbar / 1hPa / 0.5 Torr / 0.5 in H2O / 0.02 in Hg / 100 Pa / 500 Micron仪器内置制冷剂40种测量数据存档现场打印红外打印机储存容量长达72小时的连续监测可选软件EasyKool 专业制冷软件新型的testo 570 电子歧管仪(电子压力表组)

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testo 557 新型电子歧管仪 (电子压力表组)产品参数：存储温度-20 ~ +60 °C操作温度-15 ~ +50 °C电池寿命约 150 小时(不带背光显示)重量1200 g (不含电池) 尺寸280 x 135 x 75 mm压力介质CFC,HFC,N,H2O,CO2压力 低压(LP)50/50 barrel高压(HP)过载(PL/HP)52/52 barrel精度(22°C 时)满量程的 ± 0.5 % (± 1 数值)分辨率0.01 bar / 0.1 psi接口3 x 7/16" - UNF + 1 X 5/8" - UNF温度 量程-50 ~ + 150°C精度(22°C 时) ± 0.5°C (± 1 数位) 分辨率0.1 °C / 0,1 °F探头接口2个NTC温度通道真空度 量程-1 bar ~ 0 bar精度(22°C 时)满量程的 1%分辨率1mbar / 1hPa / 0.5 Torr / 0.5 in H2O / 0.02 in Hg / 100 Pa / 500 Micron仪器内置制冷剂40种testo 557 新型电子歧管仪 (电子压力表组)

改进型SimulScan双级检测器改进型双级检测器与前一代产品相比具有更好的稳定性和更长的使用寿命。2005年4月以后生产的ELAN仪器配有可兼容这种检测器的适当电子器件，不需要进行改装。2005年4 月之前生产的ELAN 仪器需要对检测器电子器件（W1013195）进行一次性升级。在一台未配备升级后电子器件的仪器内使用这种检测器将会提高噪音水平并缩短使用寿命。

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无锡吉致电子25年研发生产——碳化硅晶圆抛光液/硅衬底SIC抛光液/半导体抛光液/CMP化学机械抛光液/硅衬底抛光液/slurry抛光液产品简介：为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆表面去除率和平坦化性能，提供了非常好的表面光洁度吉致电子碳化硅晶圆Slurry抛光液使用方法：1.可根据抛光操作条件用去离子水进行5-20倍稀释。2.稀释后，粗抛时调节PH11左右，精抛时调节PH9.5左右。pH调节可以用10%的盐酸、醋酸、柠檬酸、KOH或氨水在充分搅拌下慢慢加入。3.循环抛光可以用原液。吉致电子碳化硅晶圆Slurry抛光液储存方法：1.贮存时应避免曝晒，贮存温度为5-35℃2.低于0℃以上储存，防止结冰，在无度以下因产生不可再分散结块而失效。 3.避免敞口长期与空气接触。吉致电子碳化硅晶圆Slurry抛光液价格：吉致电子的碳化硅晶圆抛光液生产技术是引进国外生产技术和设备，特殊化学配方制备而成。吉致电子抛光液品质可以媲美进口同类产品。本土化生产使得吉致电子CMP抛光液产品交货周期快，品质好，抛光液价格亲民。

红外显微镜配件专门为微电子研发和制造而设计的显微镜，它是一款科研级显微热成像仪，在微米尺度给出电子器件和芯片的温度分布，能够非接触式地测量电子器件的温度分布，查找热点hotspots。红外显微镜配件对于分析和诊断半导体器件热表现非常有用，可用于探测热点和缺陷 电子元件和电路板故障诊断 测量结温 甄别芯片键合缺陷 测量热阻封装 确立热设计规则等领域，可以有效地检测微尺度半导体电路的热问题和MEMS器件的热问题。就MEMS的研发而言：空间温度分布和热响应时间这两个参数对于微反应器,微型热交换器,微驱动器,微传感器之类的MEMS器件非常重要。到目前为止，还有非接触式的办法测量MEMS器件的温度，红外成像显微镜能够给出20微米空间分辨率的热分布图像，是迄今为止测量MEMS器件热分布的有力工具。红外显微镜配件光学载物台：坚固而耐用，具有隔离振动的功能；聚焦位移台：用于相机的精密聚焦和定位；X-Y位移台：用于快速而精密地把测量区域定位到相机的视场中； 热控制台： 具有加热和制冷功能，用于精密器件的温度控制；红外显微镜配件应用*半导体IC裸芯片热检测 *探测集成电路的热点（hotspots）和短路故障*探测并找到元件和电路板上缺陷 *测量半导体结点温度（结温）*辨别固晶/焊线/点胶缺陷*测量封装热阻 *确立热设计规则 *激光二极管性能和失效分析*MEMS热成像分析*光纤光学热成像检测*半导体气体传感器的热分析*测量微交换器的热传输效率 *微反应器的热成像测量*微激励器的温度测量*生物标本温度分析 *材料的热性能检测*红外显微镜热流体分析 热分析软件红外显微镜配件分析软件。 这种软件能够帮助您非常容易而快速地获得温度信息，同时，它可以产生实时的（real time）带状图、拍摄并回放图像序列以及在图像上选择任何大小形状的区域，从而为您提供不同视角和建设性的数据分析手段。

我们提供的优质进口LiNbO3 晶体,铌酸锂晶体,铌酸锂是声光级和光学级的高质量LiNbO3晶体。 采用Czochralsky 方法生长，沿着Z轴极化的晶体棒长度可达100mm，我们也可提供其他方向的铌酸锂晶体,铌酸锂晶体棒，用于SAW衬底和 压电传感器/piezotransducers。透光范围：350-5500nm长度公差：+0/-0,1mm孔径公差：+0/-0,1mm切割角定位精度：30arcmin表面质量：S/D10-5平整度：L/8@633nm平行度：20arcsec垂直度：5arcmin激光损伤阈值：250MW/cm2 for 10ns pulses @ 1064 nmLiNbO3晶体,铌酸锂晶体广泛地用作1微米以上激光倍频器和OPO光学参量振荡器，以及准相位匹配器件。LiNbO3晶体和铌酸锂晶体也是光电子器件的最为优秀材料之一。人们利用铌酸锂独特的电光，光弹，压电和非线性特性，以及良好的机械和光学稳定性，宽广的透光范围，制造了许多光电子器件。 领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！LiNbO3晶体,铌酸锂晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学材料器件和仪器供应商！所销售的LiNbO3晶体,铌酸锂晶体,铌酸锂系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们已经为上海光机所, 中科院物理所,南开大学,中国工程物理研究院等诸多单位提供大量的激光晶体和非线性光学晶体。

检测器电子器件升级套件检测器寿命至少提高20％。ICP-MS模型 部件编号2005年4月之前制造的ELAN 9000/6x00/DRCs* W1013195* 需要安装服务，但不包括在内。离子光学部件珀金埃尔默在行业内DUJIA提供单离子透镜及独特的SwiftMount&trade II卡套型透镜架。本品因采用完全即插即用式设计而无需使用工具。离子透镜说明 ICP-MS模型 部件编号卡套型离子透镜升级套件2005年4月之前生产的ELAN W1017871II系列离子透镜 1998年1月以后生产的ELAN 9000/6x00/DRCWE018034离子透镜 1998年1月之前生产的ELAN 6000WE014777II系列透镜拆除工具 1998年1月至2005年4月之间生产的ELAN 9000/6X00/DRCW1010620中子挡板说明 ICP-MS模型 部件编号卡套型透镜的中子挡板 2005年4月以后生产的ELAN 9000/DRCW1013361II系列中子挡板 1998年1月至2005年4月之间生产的ELAN 9000/6X00/DRCWE029011用于Elan的真空泵液本品适用于粗抽空泵。泵型号 部件编号Leybold N8122004Varian N8122308用于NexION的真空泵液仅适用于NexION ICP-MS。1升Fomblin GV80液体（全氟聚醚）。每台泵需要添加1升。说明 部件编号NexION真空泵液 N8145003高真空硅油脂用于润滑真空系统的O型圈。说明 部件编号高真空硅油脂 09905147II系列中子挡板II系列离子透镜质谱仪硬件SimulScan双级检测器双级检测器是NexION ICP-MS SimulScan&trade 系统的组成部分。该分立倍增极电子倍增器可同时测定高浓度和低浓度分析物。这可大幅度减少珍贵或数量有限的样品用量，不必进行耗时的样品稀释并使您能快速鉴定未知样品。ICP-MS模型 部件编号NexION 350/1000/2000* N8145027NexION 300/350** N8145000*需要安装服务，但不包括在内。 **与2016年3月1日之后发售的NexION 350不兼容原创型SimulScan双级检测器原创型双级检测器是 E L A N SimulScan&trade 系统的组成部分。这种电子倍增器可同时测定高浓度和低浓度分析物。这可大幅度减少珍贵或数量有限的样品的用量，不必进行耗时的样品稀释并使您能快速鉴定未知样品。ICP-MS模型 部件编号2005年4月之前制造的ELAN 9000/6x00/DRCs* N8125001改进型SimulScan双级检测器2005年4月以后生产的ELAN仪器配有可兼容这种检测器的适当电子器件，不需要进行改装。2005年4月之前生产的ELAN仪器需要对检测器电子器件（W1013195）进行一次性升级。在一台未配备升级后电子器件的仪器内使用这种检测器将会提高噪音水平并缩短使用寿命。ICP-MS模型 部件编号ELAN 9000/6x00/DRCs* N8125050产品编号：N8145027 产品编号：N8145000

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空心阴极灯品牌型号 ： KY-PE 四针商品分类 ： 机械电子，电子器件，8539 白炽灯炮、放电灯管；弧光灯专门为铂金埃尔默仪（PE)器设计，灵敏度高，稳定性好的特性。具有长寿命（大部分元素都可达到5000mAh,低熔点元素可达3000mAh）、低噪声（发射强度波动噪声＜0.1%）、低漂移的特性（预热30min 后在30min内≤1%），分析线背景≤1%

TK 公司的 THz 功率/能量计是一款最新的带 USB 接口的绝对功率/能量计，具有噪声的连续 FFT 显示和 功率级的动态数字显示功能。该系统包括两部分： 功率计探头和支持单元 特点： 2 测量自由空间光束功率2 可在计算机上显示率 2 软件控制下，使用电子薄膜加热实现全自动绝对校准2 频率相关窗口降低纠错率2 准确性高于 10%2 NEP 典型值为：5μW/Hz1/22 能量测量，典型的 NEJ 约为 1μJ2 宽带光谱：30GHz到 3THz 以上2 感应区域大约Φ30mm 支持单元：2 支持单元基于 National Instruments USB-6211 数据采集模块。2 附带的电子器件可增加校准时的薄膜加热功能和放大从探头的扩音压力传感器输出的信号。2 写入 LabVIEW 的软件应用了锁定放大器，可以显示微波功率。

电感式传感器induSENSOR-EDS的元件由耐压不锈钢外壳保护，电感式传感器induSENSOR-EDS的电子器件和信号调节器完全集成在一个传感器凸缘内。电感式传感器induSENSOR-EDS特点 使用铝壳保护induSENSOR-EDS电感传感器，铝壳集成到活塞杆，穿过活塞杆时与传感器杆无接触无磨损。 LVDT传感器安装了自由移动的柱塞。 非接触式测量完全不会造成磨损。 LVDT传感器主要用于测量车辆和机器的运动，位移和位置。电感式传感器induSENSOR-EDS规格 测量范围 (mm): 100 | 160 | 200 | 220 | 250 | 260 | 300 | 370 | 400 | 630 最大线性 0.3mm 最高分辨率0.05mm耐高压耐油和免维护

多孔不锈钢主要应用于石油化工、冶金、航空航天、生物制药、气流分布、能源、食品、环保、稳流等行业，如催化剂过滤、药液提纯、气体除尘、牛奶果汁净化浓缩等。此外，多孔不锈钢还常被用作陶瓷、分子筛、高分子等功能材料的载体。产品描述:　　我公司使用了多种生产技术，开发生产出了新型多孔不锈钢材料。　　外径：5mm—100mm　　长度：10mm—1500mm　　孔径：0.2um—50um　　形状：管式、片式　　可根据用户要求定制各种规格的多孔不锈钢滤芯。我公司可按客户要求定制、研发各种多孔金属材料、器件与设备。新型多孔不锈钢材料特点：1、机械强度高、韧性好2、耐压性高，易于连接和密封3、稳定性好，抗热震性强4、孔径可控5、使用寿命长，经济效益高

低价超声波清洗器配件具有模拟计时器，温度控制器，篮框和艾滋，低价超声波清洗器提供高效清洁清洗，不锈钢制造，温度可高达80摄氏度，0-20分钟计时时间，40KHz的超声波频率。 低价超声波清洗器配件特色用于清洗去除实验仪器上的赃物，油类，试剂，蜡等杂物不锈钢设计制造模拟控制器，计时器，温度和输出控制温度范围从室温到80摄氏度频率40KHZ最大清洗时间20分钟 超声波清洗器应用喷枪/气刷,档案纸，航空、汽车元器件，书法笔，计算机绘图笔，牙科和医疗器具，燃料注射器，地质矿石样品，珠宝，实验室玻璃容器，微电子器件，电路板等等。孚光精仪是全球领先的进口精密科学仪器领导品牌服务商，拥有包括超声波清洗器在内的齐全精密科学仪器品类，具有全球领先的制造工艺和质量控制体系。我们国外工厂拥有超过3000种仪器的大型现代化仓库，可在下单后12小时内从国外直接空运发货，我们位于天津保税区的进口公司众邦企业（天津)国际贸易公司为客户提供全球零延误的进口通关服务。更多关于超声波清洗器应用,超声波清洗器价格,超声波清洗器特色等诸多信息，孚光精仪会在第一时间更新并呈现出来，了解更多内容请关注孚光精仪官方网站方便获取！

硅片TTV厚度测试仪配件是采用红外干涉技术的测量仪，能够精确给出衬底厚度和厚度变化 （TTV)，也能实时给出超薄晶圆的厚度（掩膜过程中的晶圆），非常适合晶圆的研磨、蚀刻、沉淀等应用。 硅片厚度测量仪配件采用的这种红外干涉技术具有独特优势，诸 多材料例如，Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英以及其他聚合物在红外光束下都是透明的，非常容易测量，标准的测量空间分辨率可达50微米，更小的测量点也可以做到。硅片厚度测量仪配件采用非接触式测量方法，对晶圆的厚度和表面形貌进行测量，可广泛用于：MEMS， 晶圆，电子器件，膜厚，激光打标雕刻等工序或器件的测量，专业为掩膜，划线的晶圆，粘到蓝宝石或玻璃衬底上的晶圆等各种晶圆的厚度测量而设计，同时，硅片厚度测试仪还适合50-300mm 直径的晶圆的表面形貌测量。硅片厚度测试仪配件具有探针系统配件，使用该探针系统后，硅片TTV厚度测试仪可以高精度地测量图案化晶圆,带保护膜的晶圆, 键合晶圆和带凸点晶圆（植球晶圆），wafers with patterns, wafer tapes,wafer bump or bonded wafers 。 硅片TTV厚度测试仪配件直接而精确地测量晶圆衬底厚度和厚度变化TTV，同时该硅片厚度测量仪能够测量晶圆薄膜厚度，硅膜厚度（membrane thickness) 和凸点厚度（wafer pump height).，沟槽深度 （trench depth)。

这个系列的GaN功率器件,GaN MFET采用全球领先的半导体制造技术，具有全球最高的转换效率,最低的导通损耗,最高的工作频率, 并适合高温800摄氏度以上的应用。GaN功率器件,GaN MFET采用全球领先的GaN-on-Si晶圆无金工艺结合凹栅 工艺制造技术，非常方便集成为独立完整的GaN功率核心器件、器件驱动、保护电路和周边无源器件在内的直接面对终端应用的功能性模块。

该高功率高效倍频模块在765nm和805nm范围内实现了超过5瓦的光功率，并具有70%以上的转换效率（其他波长也可用），可用于量子技术装置、遥感雷达和生物光子学应用。 高功率高效倍频模块高达5W的激光暑促在以前是难以达到的。这个紧凑的高功率高效倍频模块能够高能效的产生几个瓦的光功率，具有卓越的输出光束质量和高光学稳定性，为功率为几瓦的高性能激光发射的现场或车载应用奠定基础。高功率高效倍频模块无论输入功率是什么水平都能够高效实现这种转换，并具有优良的光学质量。几百兆赫兹的快速可调性和一个强大而积极的稳定方案，为该模块提供了良好的稳定性。虽然这种高功率高效倍频模块作为一个独立的设备提供，我们也可以为全集成机架提供完整的激光系统，包括一个高性能种子激光器和一个放大级倍频单元，以及专用的超低噪声电子器件，组成一个开箱即用的解决方案。 高功率高效倍频模块参数 中心波长：765-805nm 最大输出功率：5W 转换效率：70%功率稳定性：1%@2小时 可接受光谱范围：15nm 线宽：25KHz @ ECDL种子激光器 偏振：线偏振，消光比30dB光束质量：TEM00，M21.1

产品货号/Catalogue Number：MPGL04001MPGL04GK2MPGP02001MPGP04001主要功能：去除直径大于0.22µ m的颗粒物以及所有细菌等。产水适用于分析测试，与一些常规精密实验，如AA, HPLC, IC, ICP以及TOC分析，电子器件与光学镜片冲洗等等。技术指标：颗粒物(0.22µ m) 1/ml细菌 0.1cfu/ml订购信息：目录编号说明数量/包装MPGP04001Millipak Express 40， 0.22 µ m，非无菌1MPGP02001Millipak Express 20，0.22 µ m，非无菌1MPGL04001Millipak 40 过滤器，0.22 µ m，非无菌1MPGL04GK2Millipak-40 Filter Unit 0.22 µ m NPT,无菌2更换周期：一年耗材价格：产品价格、型号选择，请联系默克官方服务热线