肖特基场发射

最近要进一台肖特基。请问高手热场发射和肖特基有什么区别？

请问哪里可以购买到场发射电子枪，或者，肖特基发射电子枪？

朋友们，在TEM机台的Manual里看到：场发射电子枪可分为Cold FEG、Thermally-assisted Cold FEG和肖特基FEG，Cold FEG和Thermally-assisted Cold FEG的针尖尖端比较尖锐，直接施加萃取电压就可以发射电子，而肖特基FEG的针尖尖端就比较broad，需要在它的表面涂覆ZrO2来降低W的功函数。但是在网络上的一些帖子中看到：场发射电子枪分为热场电子枪和冷场电子枪，热场电子枪表面涂覆ZrO2来降低W的功函数，并且还需要提供1200K的高温。（网络上的帖子看的是安徽大学林中清教授的电子枪解析）所以关于Thermally-assisted Cold FEG、肖特基FEG、热场电子枪，就比较迷惑：（1）如果假设Manual和网络帖子都对的话，那么Thermally-assisted Cold FEG和热场电子枪应该不是同一个概念，而肖特基FEG和热场电子枪是同一概念，不知道这样的理解是否正确？（2）Thermally-assisted Cold FEG如果比较接近冷场电子枪的话，它的结构又是怎样的呢？

实验室有一台fei热场肖特基sem，为什么换上新的灯丝后，总发射电流不能升高到理论值。现在只有40uA左右，理论上会大于80uA。请高手支招，谢谢。

扫描式电子显微镜的系统在设计上，主要是电子枪 (Electron Gun) 发射电子束组成，经过一组磁透镜聚焦 (Condenser Lens) 聚焦后,用遮蔽孔径 (Condenser Aperture) 选择电子束的尺寸(Beam Size)后,通过一组控制电子束的扫描线圈,再透过物镜 (Objective Lens) 聚焦,打在样品上,在样品的上侧装有讯号接收器,用以择取二次电子 (Secondary Electron) 或背向散射电子 (Backscattered Electron) 成像。[align=center][img]http://www.gdkjfw.com/bdimages/upload1/20181106/1541469521405510.jpg[/img][/align]场发射电子枪分别比钨丝和六硼化镧丝亮10至100倍，电子能量分散仅为0.2-0.3eV，因此使用目前可用的高分辨率扫描电子显微镜。场发射型电子枪具有高达1nm或更小的分辨率。目前，有两种场发射电子枪：冷场发射（FE），热场发射（TF）。当真空中的金属表面经受108V / cm的电子加速电场时，发射相当大量的电子。该过程称为场发射。原理是高电场引起电子潜在无序的肖特基效应，即使屏障的宽度较窄且高度较低，因此电子可以直接“扫过”狭窄的能量屏障并离开阴极。场发射电子从尖锐的阴极尖端发射，因此它们可以非常薄并且高电流密度的电子束可以达到电子枪的热量的数百倍甚至数千倍。选择用于场发射电子枪的阴极材料必须是高强度材料，以承受在高电位置施加到阴极尖端的高机械应力。由于高强度，钨是优选的阴极材料。场发射枪通常是下一个。阳极用于产生拾取电子、，聚焦、和加速电子的功能。由阳极的特殊形状产生的静电场可以聚焦在电子上，因此不再需要Weiss盖或栅极。第一个（顶部）阳极主要目的是改变场发射的提取电压以控制尖端场发射的电流强度，而第二个（下部）阳极主要决定加速电压以将电子加速到所需的能量。为了从非常细的钨尖端场发射电子，金属表面必须完全清洁，其表面上没有任何外来物质原子或分子，即使只有一个外来原子落在表面上，它也会减少电子场发射，所以场发射电子枪必须保持超高真空，以防止原子在钨阴极表面积聚。由于超高真空设备的极高价格，除非需要高分辨率SEM，否则通常较少使用场发射电子枪。冷场发射型的最大优点是电子束直径最小，亮度最高，因此图像分辨率最佳。能量分散最小，因此可以改善低电压操作的效果。为了避免针尖被外来气体吸附，场发射电流减小。并且发射电流不稳定，冷场发射型电子枪必须在10-10托的真空下工作。但是，必须定期将尖端加热到2500K（这个过程称为闪蒸）以除去吸附的气体原子。另一个缺点是发射的总电流最小。热场电子枪在1800K下操作，这避免了大部分气体分子吸附在针尖表面上，因此消除了对针尖闪烁的需要。热模式可以保持更好的发射电流稳定性并且可能很差。在真空（10-9托）下操作。尽管亮度类似于冷型，但其电子能量分布比冷型大3~5倍，并且图像分辨率差，通常较少使用。

本人看资料时看到说有热场的灯丝，名字叫肖特基。不知何故有这名字？这种灯丝又有何种优点？谢谢。。。

请教场发射TEM与非场发射高分辨TEM的优缺点？

[font=宋体]高灵敏度零偏置肖特基检测器致力于现如今高性能微波射频设备与系统需求设计。[/font][url=http://www.leadwaytk.com/article/4836.html]HEROTEK[/url][font=宋体][font=宋体]检测器致力于超宽频和毫米波通信应用中的功率测量，研究雷达探测性能，调整脉冲数据信息，[/font][font=Calibri]AM[/font][font=宋体]噪声测量，监视系统和脉冲[/font][font=Calibri]RF[/font][font=宋体]检测等领域需求设计。[/font][/font][font=宋体][font=宋体]与同类别产品应用中的接触力二极管相比较，[/font][font=Calibri]HEROTEK DZR265AA[/font][font=宋体]高灵敏度零偏置肖特基检测器具备更广阔的高动态范围、更高的耐超高温稳定性与更精密的平方律性能。[/font][font=Calibri]DZR265AA[/font][font=宋体]高灵敏度零偏置肖特基检测器不仅广泛应用于高精密检测设备、控制器、开关电源电路、信号检测和导弹制导技术，还能做为微波功率检测器。[/font][/font][font=宋体]特征[/font][font=宋体]?不需要偏差值[/font][font=宋体][font=宋体]?适配输入，实现高效的[/font][font=Calibri]VSWR[/font][/font][font=宋体][font=宋体]?相比传统适配零偏检测器灵敏度[/font][font=Calibri]3dB[/font][font=宋体]（[/font][font=Calibri]1.0mV/[/font][font=宋体]μ[/font][font=Calibri]W[/font][font=宋体]）[/font][/font][font=宋体][font=宋体]?极其宽的高动态范围，[/font][font=Calibri]10[/font][font=宋体]μ[/font][font=Calibri]V[/font][font=宋体]至[/font][font=Calibri]5V[/font][font=宋体]（输入功率为[/font][font=Calibri]-50dBm[/font][font=宋体]至[/font][font=Calibri]+20dBm[/font][font=宋体]）[/font][/font][font=宋体]?频率响应极其平整[/font][font=宋体]应用领域[/font][font=宋体]?雷达设备[/font][font=宋体]?传感器监测[/font][font=宋体]?电源装置信号检测[/font][font=宋体]?导弹发射系统[/font][font=宋体]?实验测试[/font][font=Calibri]HEROTEK[/font][font=宋体]是美国老牌的射频微波元器件生产商，[/font][font=Calibri]HEROTEK[/font][font=宋体]产品频率覆盖[/font][font=Calibri]DC-75GHz,[/font][font=宋体]产品线涵盖检波器、放大器、限幅器、[/font][font=Calibri]PIN[/font][font=宋体]开关、信号发生器等。[/font][font=宋体]深圳市立维创展科技有限公司，授权代理销售[/font][font=Calibri]HEROTEK[/font][font=宋体]产品，产品包括检波器、放大器、限幅器、[/font][font=Calibri]PIN[/font][font=宋体]开关、信号发生器等，[/font][font=Calibri]HEROTEK[/font][font=宋体]产品满足出色的性能，高可靠性和快速交付，欢迎咨询。[/font][font=宋体]详情了解[/font][font=Calibri]HEROTEK[/font][font=宋体]产品请点击：[/font][url=http://www.leadwaytk.com/brand/47.html][font=Calibri]http://www.leadwaytk.com/brand/47.html[/font][/url]

各位老师，本人现在学习场发射TEM，说明书上经常提到将“电子束居中”的操作，但是因为，所用场发射透射没有人眼可看到的荧光屏，全是通过相机成像，这时光线非常亮，白茫茫一片，不像普通TEM那样，电子束在荧光屏上形成一个明显的园斑，请问场发射TEM怎么判断电子束已经汇聚成最小，并居中了？？谢谢！

[align=left][font=宋体][font=宋体]CoolSiC? 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)，在各种负载条件下都表现出更高的效率。[/font][/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]特征描述[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]极低的[/font] [font=宋体]VF：1.25V[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]同类产品中极其优秀的品质因数[/font] [font=宋体](Qc x VF)[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]无反向恢复电荷[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]与温度无关的开关行为[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]高[/font] [font=宋体]dv/dt 稳定性[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]优化热性能[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]优势[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]提高各种负载条件下的配置总线效率[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]增加系统功率密度[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]降低冷却要求，提高系统可靠性[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]支持超快速开关轻松有效匹配[/font] [font=宋体]CoolMOS? 7 系列产品[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]优秀的性价比[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]销售各种电子元器件，需要请联系[/font][/font][/align]

大家好！一般来说，场发射TEM不建议作磁性样品，怕影响极靴，但不知道有没有一个对磁性量化的限制，比如说磁性到了怎么样程度就不能做了，再此以下则可以做。 或者有什么其他好的方法实现磁性材料的tem观察，我们做的是纳米磁性颗粒，电镜是tacnai F30.谢谢！

加入目标物后，发射峰增强，固定发射波长反扫激发波长，为什么加入目标物后的激发峰也更强？

问一下上海市哪里有检测场发射性能的地方，高校或机构？我要检测电泳沉积碳纳米管薄膜的场发射性能，包括电压-电流曲线、阀值电压、发光点密度等等。检测仪器大致是一个真空二极管结构。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns(纳秒)以下。 　 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--1.0V）、反向恢复时间很短（2-10ns纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！ 　前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 　肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V），通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 　 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 　 快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=27][color=#0000ff]开关电源[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=32975][color=#0000ff]电源模块V-60[/color][/url] 、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=38][color=#0000ff]整流器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=4862][color=#0000ff]硅整流[/color][/url] 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受 很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 2．检测方法 1）测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=456][color=#0000ff]发生器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=48158][color=#0000ff]SP1641B/1642B发生器[/color][/url] 经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=293][color=#0000ff]示波器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=18771][color=#0000ff]示波表190[/color][/url] 观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知，当IRM 为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。 2）常规检测方法 在业余条件下，利用[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277][color=#0000ff]万用表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373][color=#0000ff]绝缘万用表UT531[/color][/url] 能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=283][color=#0000ff]兆欧表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=14870][color=#0000ff]指针式兆欧表MIS-4A[/color][/url] ，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，IF=5A，IFSM=50A，VRM=700V。将万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项： 1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。 2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。 3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。更多技术论文请详见：[url=http://www.midiqi.com/][color=#810081]买电器网[/color][/url]（MIDIQI.COM） [url=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp][color=#810081]知识库[/color][/url]

在热场发射电镜中，Extracted CURRENT会随着灯丝的使用一点点增加吗？另外Extracted CURRENT是否会收到灯丝的影响？

大束科技发明并提供了一种发射针结构、热场发射电子源及电子显微镜，涉及电子显微镜技术领域，解决了氧化锆等低逸出功材料团易从发射针上脱落，影响电子源寿命的技术问题。该发射针结构位于电子源中发射电子，其包括针本体和低逸出功材料团，针本体的周壁上设置有容纳部，低逸出功材料团在烧结过程中形成有嵌入容纳部内的结合部位，且结合部位与容纳部的配合结构将低逸出功材料团夹固于针本体上。本发明的发射针结构能够将低逸出功材料团更为牢固的固定在针本体上，既能够增加储备氧化锆的数量，也能够增强低逸出功材料团与针本体结合的强度，防止低逸出功材料团脱落，延长了热场发射电子源的使用寿命。大束科技成立于2018年，是一家以自主技术驱动的电子显微镜核心配件研发制造商及配套服务商。 目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场，此外，还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务，以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源（电子显微镜灯丝）、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。大束科技致力于成为电子显微镜行业上游配件的研发制造供应商；未来将在满足本土市场的同时，进军国际高端电子显微镜市场。

本人最近做了桑色素-锌离子的荧光，发现了一个奇怪的现象：当用410nm作激发波长照射时，发射峰位于476nm，当用407nm照射时，发射峰位于471nm，我于是将激发波长改为380nm，结果居然出现了436nm的发射峰，又改为360nm为激发波长，扫描发射光谱时出现了414nm的峰。请交各位大侠：这是什么原因？根据荧光的理论，这些所谓发射峰都不是改物质的发射峰，那么这些“发射峰”又是什么峰呢？

第一台场发射扫描电镜是那一年哪个公司造的啊？参数性能怎么样啊？貌似场发射枪上个世纪80年代就用在扫描电镜了。怎么场发射扫描还是近代应用的。。糊涂了有点。

我使用液相的荧光检测器扫描氟喹诺酮药物的激发光谱和发射光谱。可是，在我扫描发射光谱的时候，比如250－400nm的范围时，那个固定的发射波长是在大于410nm的范围内随便选取的吗？有没有什么规则？？

[b][font=宋体]问题描述：物质的紫外最大吸收波长是否可以作为荧光激发波长？荧光激发波长与荧光发射波长之间存在什么样的关系，发射波长又要如何选择呢？[/font][font=宋体]解答：[/font][/b][font=宋体]（[/font]1[font=宋体]）荧光产生的原理在前文中已有介绍，需要注意的是电子跃迁时吸收或发射的能量并不是任意的，而是受到电子能级的制约，只能吸收或发射一定波长范围内的光。含有共轭双键体系的有机化合物，容易吸收激发光，其激发波长大多处于近紫外区或可见光区，发射波长多处于可见光区。由于荧光涉及光的吸收和发射两个过程，因此任何荧光物质都有两种特征光谱，即激发光谱和发射光谱。[/font][font=宋体]（[/font]2[font=宋体]）光的发射波长和激发波长之间的差值叫斯托克斯（[/font]stokes[font=宋体]）位移，斯托克斯位移越大，其激发光谱和发射光谱的重叠就越少，就有利于提高其分辨率。分子的第一激发态与基态的能差是一定的，因而荧光波长不随激发光波长的改变而发生变化。分子激发过程中吸收的能量一般高于荧光辐射释放的能量，二者之差以热的形式损耗，因此荧光波长比激发光波长要长，其差通常为[/font]50~70nm[font=宋体]，当有机化合物分子内可以形成氢键时，则增至[/font]150~250nm[font=宋体]。荧光的强度受许多因素的制约，如激发光源能量、吸收强度、量子效率等。量子效率也称量子收率，是指荧光物体分子发射的光量子数与吸收的光量子数之比。其大小是由分子结构决定的，而与激发光源的能量无关。[/font][font=宋体]（[/font]3[font=宋体]）荧光属于光致发光，需选择合适的激发光波长以利于检测。激发波长可通过荧光化合物的激发光谱来确定。激发光谱的具体检测办法是通过扫描激发单色器，使不同波长的入射光激发荧光化合物，产生的荧光通过固定波长的发射单色器，由光检测元件检测。最终得到荧光强度对激发波长的关系曲线就是激发光谱。在激发光谱曲线的最大波长处，处于激发态的分子数目最多，即所吸收的光能量也最多，能产生最强的荧光。因此大多数物质的紫外最大吸收波长可以作为激发波长，激发波长的选择并不影响发射波长的选择，理论上激发光谱和发射光谱有一个镜像关系。很多人误以为，激发波长和发射波长是一一对应的，其实不然，激发光谱的强弱只代表该物质在所选择的激发波长下被激发的比率，其发射光谱还是原来形状的光谱，只是在强弱上改变。我们选择最大激发波长是为了获得高激发率的物质形态，间接提高灵敏度，选择最大发射波长是为了直接提高灵敏度。[/font][font='微软雅黑','sans-serif'][color=black][back=white]领取更多《实战宝典》请进：[url]http://instrument-vip.mikecrm.com/2bbmrpI[/url][/back][/color][/font][font='微软雅黑','sans-serif'][color=black][back=white] [/back][/color][/font]

PE Ls55:激发波长对荧光发射波长有影响吗？

我是个菜鸟，对于这个很不明白，我们学校有透射电镜和场发射透射电镜，查资料上都是HRTEM，不明白场发射的是不是就是高分辨率的。

[align=left]公司介绍：[/align][align=left]中科百测成立于2013年，在被誉为中国硅谷的中关村科技园内建立了最初的透射电镜实验室，为附近清华、北大、化学所客户提供了透射测试服务。公司一直秉承“诚信、认真、负责、高效”的理念，践行服务至上的服务理念，注重发展专业技术，坚守初心。公司发展至今，成立了一支技术过硬的专业服务团队，在全国建立了北京、深圳，开封检测中心，拥有大型仪器30多台，服务客户10000以上，服务对象遍及中国各个高校、研究所以及公司研发部门。[/align][align=left]招聘背景：[/align][align=left] 最近公司新购置一台FEI Tecnai G2F30场发射透射电镜，目前已经安装调试好，有资深应用工程师培训，急需一名场发射电镜操作工程师。[/align][align=left]岗位要求:[/align][align=left]硕士以上学历，材料学专业，男生，晶体学基础扎实，如果是金属材料专业更佳。有场发射透射电镜操作和维护经历更佳。态度端正，认真负责，服从公司特殊时期安排，可以吃苦耐劳，具有奋斗激情。[/align][align=left]薪资报酬:[/align][align=left]工资分为基本工资和绩效工资；年薪20万起，五险一金，每年一次体检，租房补助，团建活动，股权激励。[/align][align=left] [/align][align=left] [/align][align=left]工作地址：北京市海淀区中关村北二条13号[/align][align=left]联系方式：魏佳星 13381083565 微信 x18210253965 邮箱test@zkbaice.com[/align]

做硫化铜和硫化银量子点胶体溶液的荧光时，按照文献给的激发波长测试，发射波长与文献一致，但是当改变激发波长时，发现发射波长也随之移动，请问这是正常现在吗？发射波长不是应该固定的吗？请高手指教，谢谢

场发射扫描电镜和场发射环境扫描电镜设备有什么区别是多了什么功能吗？这两台设备都能测卤族元素中的氯吗？ 检出限各是多少？ 这两台设备都配备能谱仪吗？谢谢

场发射透射电镜与高分辨率透射电镜有什么区别? 是不是场发射电镜的照片更清晰?急盼各位老师指点!!!!!!!!

单位有台HRTEM，JEM2100的，六硼化镧灯丝现在准备买一台JEM2100F，就是场发射超高分辨透射电镜，大家都说这个好，发文章也是更倾向于用这个，可是究竟好在哪里呢，目前我只是很浅显的知道，2100F，是把灯丝换成了场发射，分辨率会提高，除此之外还有什么优点呢，更深层次的优势大家都进来说说。还有配上STEM配件，又有哪些特殊用途呢？

想了解一下ZrO/W场发射枪的工作原理，以及各个电极（吸出极，抑制极，聚焦极）的作用，如何设置最佳参数。最好能图文并茂。另外，哪位专家能不能介绍一下各种类型场枪比较详细的工作原理，推荐教材也行。谢谢！