半导体照明产业

1月24日，由中国电子技术标准化研究所、工业和信息化部半导体照明技术标准化工作组等联合主办的2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣传贯彻大会在广东省江门市召开，标志着我国LED产业发展进入一个新的历史时期。 　　工业和信息化部于2005年成立了半导体照明技术标准工作组。经过多年的努力，工作组在半导体照明材料、芯片技术、封装产品检验和测试方法上取得了突破性进展，并相继主持制定了9项行业标准。本次大会发布了这9项标准：《半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《半导体发光二极管测试方法》、《氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《半导体发光二极管用荧光粉》、《功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《半导体发光二极管芯片测试方法》、《半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《半导体发光二极管产品系列型谱》以及《LED照明名词术语》等。会上，有关专家分别对9项电子行业标准进行了详细讲解。 　　9项行业标准的发布与实施对规范半导体照明行业市场、完善现行制度、鼓励先进企业跨地区自由竞争、推动技术创新具有重要意义。同时有利于引导企业有序、按照标准进入市场，有利于推动我国半导体照明产业健康良性发展。 　　工业和信息化部、广东省、江门市等相关部门负责同志以及工业和信息化部半导体照明技术标准工作组成员单位、国内外半导体照明产业上下游厂商、研究机构的代表近400人出席了大会。

近日，LED行业龙头企业东莞勤上光电股份有限公司的勤上半导体照明实验室，经东莞市科技局组织专家进行现场考察论证和评审后，成功获评东莞市半导体照明重点实验室，并获100万专项资助资金。 　　“此次获评东莞市半导体照明重点实验室，既是对我们的技术、研发实力充分肯定，也给我们带来了更多的信心和动力”。据勤上光电相关负责人介绍，勤上半导体照明实验室主要从事光电产品的质量检测、质量与可靠性分析研究、环境适应性研究、评估等。主要围绕半导体照明应用领域，进行从材料到器件、从器件到整机、从整机到系统的安全、性能、电磁兼容、环境适应性、可靠性、寿命、节能、环保等项目的测试认证和综合质量研究分析，服务于企业的科研、生产、销售、维护、回收、报废等整个产品生命周期。其提供的检测科研服务以依托勤上光电产品为主，涵盖部分重要供应商及合作伙伴的产品的研发及试验服务能力，为配套厂家或同行提供独立公正的研发及试验服务，提供技术合作。 　　勤上半导体照明实验室还积极与清华大学、信息产业部电子第五研究所、西北工业大学、中央美院等相关高校院所科展开合作，在LED路灯配光、LED散热、LED综合环境适应性、LED系统可靠性、LED封装、LED光衰等学术领域合作广泛，取得较为突出的应用成果，获得了良好的社会效益和经济效益。同时，该室验室积极与国内外相关机构和部门合作，开展了部分国内及国际认证的现场试验和目击试验，也受到国内外业界同行的充分好评。

半导体照明产品应用示范工程项目共吸引94家照明生产企业参与角逐，28家企业最终入围。其中联盟18家成员单位表现亮眼，最终入围。 2010年8月30日，国家发展改革委办公厅、住房城乡建设部办公厅及交通运输部办公厅联合发布了《关于组织申报半导体照明产品应用示范工程项目的通知》。拟在在不同气候条件的地区，选择20个半导体室内照明应用项目、15个半导体路灯应用项目和15个半导体隧道灯应用项目开展示范。11月10日，由中国电子进出口总公司代理的半导体照明（LED）产品应用示范工程产品入围招标项目在美泉宫饭店开标，吸引了来自全国各地的共94家照明生产企业参与角逐。28家企业最终入围。 　　其中，国家半导体照明工程研发及产业联盟成员单位表现亮眼，北京朗波尔光电股份有限公司、宁波燎原灯具股份有限公司、江苏史福特光电股份有限公司、西安立明电子科技有限责任公司、浙江生辉照明有限公司、浙江求是信息电子有限公司、上海三思电子工程有限公司、飞利浦（中国）投资有限公司、东莞勤上光电股份有限公司、山西光宇半导体照明有限公司、深圳市斯派克光电科技有限公司、浙江晶日照明科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、浙江名芯半导体科技有限公司、浪潮集团有限公司、四川格兰德科技有限公司、惠州雷士光电科技有限公司、惠州元晖光电有限公司等18家成员单位最终入围。

记者日前获悉，由东莞电子科技大学电子信息工程研究院组织建设的“国家半导体照明产品检测与国际认证公共服务平台”日前获得国家财政部批准，并将获得相应的专项资金支持，该平台将在1～2年时间建成，预计每年可为东莞及珠三角上千家企业提供服务，为企业节约产品检测与认证开支千万元以上。 　　电研院负责人介绍，该平台将围绕半导体照明检测认证工作，主要提供半导体照明技术研发、产品检测、产品认证、国际标准信息发布、专业人才培训等相关服务。平台将建设电磁兼容、电气安全、能效检测、性能与环境可靠性、光生物安全等5个检测认证实验室，产品认证服务能力覆盖世界80%以上国家或地区。 　　据了解，该平台建成后，将成为国内权威的专业从事半导体照明产品技术研发、产品检测认证为一体的综合性服务平台，可推动区域半导体照明企业缩短产品研发与生产周期，增强产品品质，提升企业获得国内外市场准入条件的效率，促进区域半导体照明产业的健康持续发展。

p 　　半导体照明作为战略性新兴产业，是我国发展低碳经济、调整产业结构及绿色发展的重要途径之一。“十二五”期间，在863计划新材料技术领域，支持了“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目。近日，863计划新材料技术领域办公室在北京组织专家对该项目进行了验收。 /p p 　　“高效半导体照明关键材料技术研发(一期)、(二期)”项目开展了Si和蓝宝石衬底上高光效低成本的LED外延和产业化关键技术、芯片及封装应用技术等方面的研究，研制出高质量SiC和GaN衬底、深紫外LED器件、高效白光OLED器件和灯具、高质量GaN外延材料、高功率LED薄膜倒装器件等成果，获得了拥有自主知识产权的高品质白光照明产品，实现了高纯金属有机化合物(MO)源、荧光粉、硅胶等关键材料的国产化，以及LED在植物生长、医疗等领域的应用。 /p p 　　“十三五”期间，为加快推动材料领域科技创新和产业化发展，科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》，在新材料技术发展方面，重点发展战略性电子材料、先进结构与复合材料、新型功能与智能材料，满足战略性新兴产业的发展需求。在战略性电子材料发展方向中对第三代半导体材料与半导体照明技术进行了系统布局，重点研究内容包括：大尺寸、高质量第三代半导体衬底和薄膜材料外延生长调控规律，高效全光谱光源核心材料、器件和灯具全技术链绿色制造技术，超越照明和可见光通讯关键技术、系统集成和应用示范，高性能射频器件、电力电子器件及其模块设计、工艺技术及应用示范，核心装备制造技术等。 /p

近日,国家质检总局发文批复,同意在常州市筹建国家半导体照明产品质量监督检验中心。 　　该中心选址在常州武进高新区,占地面积50亩,项目计划总投资7800万元,筹建工作将在18个月内完成。 　　建成后的国家中心将成为具有国内领先水平的专业检验机构,对于常州打造国家级半导体照明产业园区,发展半导体照明产业提供强有力的技术支撑,进而在提升我国半导体照明及背光应用产品质量检验、科研、标准制修订和技术服务能力等方面发挥促进作用。

本报讯 日前，国家半导体照明产品质量监督检验中心启用暨江苏省半导体照明产品标准化技术委员会授牌仪式在常州武进高新区举行。 　　在武进高新区设立的国家半导体照明产品质量监督检验中心，是中国继厦门之后的第二个国家级半导体照明产品检测中心。该中心占地43亩，项目一期总投资1.49亿元，开工建设2万平方米、共5层中心实验大楼，拥有各类国际一流照明产品检测设备100多台，设备总额3500万元，能够满足各类照明产品安全性能、寿命与可靠性、光学分布、光学特性等方面的检测。 　　目前，LED检测中心大楼已顺利通过了国家计量认证、授权、国家实验室认可“三合一”现场评审，并正式投入运行阶段。今后，国家半导体照明产品质量监督检验中心将为中国的LED企业提供服务，将对产品进行检验分析测试，为企业提供关键技术攻关、产品研发产品认证、专业人才培养等服务。

7月25日，国家半导体照明产品质量监督检验中心启用暨江苏省半导体照明产品标准化技术委员会授牌仪式在武进高新区举行。 　　在武进高新区设立的国家半导体照明产品质量监督检验中心，是继厦门之后的第二个国家级半导体照明产品检测中心，于2010年1月由国家质监局批准筹建。该中心拥有各类国际一流照明产品检测设备100多台，设备总额3500万元人民币，能够满足各类照明产品安全性能、寿命与可靠性、光学分布、光学特性、电磁兼容、能效识别、能效限定等方面的检测。 　　目前，LED检测中心大楼已顺利通过了国家计量认证、授权、国家实验室认可“三合一”现场评审，并正式投入运行阶段。今后，国家导体照明产品质量监督检验中心将为中国的LED企业提供服务，将对产品进行检验分析测试，为企业提供关键技术攻关、产品研发产品认证、专业人才培养等服务。

p 为加强产业上下游联动，着力推进我市新一代半导体产业发展，8月24日，2020年长沙市科技活动周系列活动之一“长沙市新一代半导体产业发展论坛”在岳麓科创港举行。 /p p 集成电路是半导体产业的核心。今年4月，长沙比亚迪半导体有限公司开工建设，总投资10亿元的8英寸晶圆生产线项目建成达产后，预计年营业收入可达8亿元；7月，长沙三安半导体项目开工，投资160亿元，建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元& #8230 & #8230 /p p 据长沙市集成电路联盟理事长曾云教授介绍，长沙的集成电路产业发展具备较好的基础，涵盖设计、制造、封测、装备、材料、服务平台等产业链各环节。近两年长沙多个集成电路与新一代半导体产业大项目陆续启动，将助推产业跨越式发展。 /p p 作为科技发展的保障和工业生产的支撑，半导体产业应用在照明、通信、医疗和工程机械等国计民生的方方面面。湖南大学特聘教授王俊建议，长沙新一代半导体产业化发展可借鉴外地先进经验，建设开放式研究院和公共服务平台，解决半导体发展中的共性关键技术；新一代半导体市场已逐渐打开，但国产技术有待提高，可通过立项方式集中力量组织技术攻关，增强上下游产业联动；半导体产业化过程中加强专业人才培养和人才柔性引进。 /p p 近年来，长沙在第三代半导体产业发展上精准布局，依托国防科技大学、中南大学、湖南大学等国家级创新平台，扶持壮大了中国电科48所、国科微电子和景嘉微电子等半导体与集成电路企业，引进了湖南三安碳化硅研发及产业化项目、泰科天润碳化硅芯片项目等半导体重大项目，初步形成了衬底材料、外延、芯片、器件封装与制造装备等类型较为齐全的“新一代半导体与集成电路”产业链，在全国新一代半导体产业发展中走在了前列，千亿级的新兴产业呼之欲出。 /p p 今年7月2日，长沙创新性地提出“三智一芯”产业发展布局，瞄准智能装备、智能汽车、智能终端和功率芯片，长沙市新一代半导体及集成电路产业迎来新一轮高速发展。目前，长沙市政府正着手与湖南大学、岳麓山国家大学科技城管委会共建湖南大学长沙半导体技术与应用创新研究院，立足搭建半导体领域内国际一流的科技协同创新平台，服务长沙地方经济和社会发展。 /p p 在未来的三到五年中，长沙将从打造产业发展的良好生态、加大创新平台的建设力度、推动科技成果的转移转化等三方面，致力于发展“三智一芯”产业，助力我市“半导体材料-器件-芯片-装备”产业集群实现千亿级的跨越式发展。 /p

8月8日，潍坊半导体照明产品检测中心检测设备(一期)采购中标结果公告发布，此次仪器采购成交金额达930万人民币。详细公告如下： 潍坊半导体照明产品检测中心检测设备(一期)采购中标结果公告 　　一、采购人名称:潍坊高新区光电产业园服务办公室 地址:潍坊高新区玉清东街13159号高新大厦 　　联系方式:0536-2999080 　　二、采购代理机构名称: 山东省鲁成招标有限公司 地址:潍坊市胜利东街1982号 　　联系方式:0536-8875351 　　三、政府采购计划编号：ZC1106022 　　四、公告日期： 2011年6月1日 　　五、开标日期： 2011年8月6日 　　六、中标情况： 包号 拟中标人 中标价（元） 包一 山东诺锐自动化科技有限公司 194,500.00 包二 杭州远方光电信息股份有限公司 598,000.00 包三 杭州远方光电信息股份有限公司 1,615,600.00 包四 待定 / 包五 待定 / 包六 青岛至诚卓越科技设备有限公司 789,000.00 包七 流标 / 包八 流标 / 包九 济南慧通达电子有限公司 135,600.00 包十 巨贸仪器（北京）有限公司 1,686,000.00 包十一 苏州苏试试验仪器有限公司 1,120,000.00 包十二 待定 / 包十三 流标 / 包十四 待定 / 包十五 济南慧通达电子有限公司 252,100.00 包十六 流标 / 包十七 流标 / 包十八 流标 / 包十九 流标 / 包二十 电计贸易（上海）有限公司 2,910,000.00 　　七、评标委员会成员名单： 郑玉亭 解立明 赵光海 赵克家 杨精林 黄杰 徐永贵 　　任忠祥 刘冰 林峰 程祥 侯和坤(分组评审) 　　八、采购项目联系人： 张维敏 联系电话： 0536-8875351 　　2011年8月8日

第三代半导体产业是集成电路领域的重要组成部分，可广泛用于新能源汽车、智能电网、轨道交通、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域。山东省工信厅近日出台《山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划》，支持济南、青岛、淄博、潍坊、济宁等市先行先试，促进晶体材料—芯片及器件制造—模块及系统应用全产业链集聚发展，打造空间集聚、功能关联的百亿级国家第三代半导体产业高地。发挥国家集成电路设计济南产业化基地、青岛崂山微电子产业园、中德生态园集成电路产业基地、淄博齐鲁智能微系统创新产业基地、济宁省级信息技术产业基地等集聚优势，山东提出构建“5+N”区域布局：济南打造基于SiC基功率半导体器件生产集聚区，建成国内领先的第三代半导体产业基地；青岛以发展第三代半导体材料、芯片及器件设计、制造、封测为重点；济宁发展上游SiC、GaN衬底、外延材料生产制造产业，中游发展第三代半导体分立器件、功率器件及功能芯片产业，延链发展下游芯片封装测试产业，打造第三代半导体产业生产制造基地；潍坊布局第三代半导体材料、器件的研发；淄博围绕工业控制、新能源汽车、光伏发电、储能等领域重点加快车用、充电桩用、新能源用芯片制造的产业化，促进SiC模块封装规模化；其他市依托本地产业发展基础和特色，突出差异化发展，加强同重点市的协调联动。符合条件的产业链重点项目优先纳入山东省新旧动能转换重大项目库，充分利用好新旧动能转换政策进行重点扶持；围绕SiC、GaN等晶体材料、功率器件和模块、照明与显示器件和下游应用等产业链关键环节，培育壮大细分行业领军企业。围绕半导体照明、激光器、电力电子器件、高频宽带等具有市场潜力的领域，山东将组织开展第三代半导体产品应用试点示范，加快市场渗透，提升国产化率，推动上中游产品在下游应用的快速验证，形成以用兴业的良性循环。据介绍，山东现拥有第三代半导体企业20余家，2020年实现主营业务收入38.7亿元，已逐步形成了衬底材料、外延材料、芯片设计、器件制造与封测等较为完整的产业链。其中山东天岳是我国最大的SiC单晶材料供应商，浪潮华光在外延材料生长、芯片制备及器件封装具有完备的产业基础，为我省发展第三代半导体产业奠定了坚实基础。目前，山东SiC、GaN等外延及芯片生产线正处于起步阶段。

日前，在2023中关村论坛“北京（国际）第三代半导体创新发展论坛”上，科学技术部党组成员、副部长相里斌表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域有巨大市场。  “总体上看，‘十三五’期间已经基本解决我国第三代半导体产品和相关装备的‘有无’问题，‘十四五’期间将重点解决‘能用、好用’以及可持续创新能力的问题。”相里斌表示，科技部将聚焦关键核心技术和重大应用方向，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈。  经过多年努力，全球第三代半导体产业正进入快速增长期。国际半导体照明联盟主席、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导委员会主任曹健林表示：“以第三代半导体为代表的宽禁带半导体，广泛应用于符合‘双碳’目标的新能源、交通制造产业升级以及光电应用场景，已成为推动诸多产业创新升级的重要引擎。”曹健林分析认为，我国发展第三代半导体已经具备技术突破和产业协同发展的基础。与半导体相关的精密制造水平和配套能力快速提升，为相关装备国产化打下坚实基础。  中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇举例说，基于第三代半导体材料和器件将引领高端电力装备的颠覆性创新应用，推动传统电网向半导体电网发展。  新一代信息技术与工业化深度融合加快，为集成电路产业发展创造巨大空间。如北京市顺义区已初步形成从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，集聚了泰科天润、国联万众、瑞能半导体等产业链上下游企业20余家。论坛上，国联万众碳化硅功率芯片二期等6个产业项目签约，预计总投资近18亿元。  第三代半导体产业也面临不少“成长中的烦恼”。比如，原始创新和面向应用的基础研究能力较弱，关键装备和原材料依然高度依赖进口，产业链、供应链安全依然存在风险，缺乏开放、链条完整、装备条件先进的第三代半导体研发中试平台，产业生态尚未建立等。  为此，第三代半导体产业技术创新战略联盟等联合发布倡议，聚焦重点市场需求，在新能源汽车、光伏储能、新型显示等领域推广应用基于第三代半导体材料的“绿色芯”“健康芯”；聚焦产业链协同创新，共同组建创新联合体，强化公共技术服务能力和标准化能力建设，形成产学研紧密合作、上下游链条打通、大中小企业共生发展的协同创新局面。  第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲认为，一方面需要推动示范应用，打通产业链条，提高产品竞争力和产业引领力；另一方面需要集聚创新要素，积极推动国际科技交流与合作，重点加强与具备成熟技术的中小企业和研发团队的深度合作。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，为扶持第三代半导体产业发展和加速第三代半导体研发进度，相关部门也不断推出相关政策推动产业发展。第三代半导体正在成为市场焦点。发布时间发布部门政策名称政策内容全文链接2016年8月国务院“十三五”国家科技创新规划发展微电子和光电子技术，重点加强极低功耗芯片、新型传感器、第三代半导体芯片和硅基光电子、混合光电子、微波光电子等技术与器件的研发。“十三五”国家科技创新规划2016年9月科技部、发改委、外交部、商务部推进“一带一路”建设科技创新合作专项规划开展第三代半导体等先进材料制造技术合作研发。《推进“一带一路”建设科技创新合作专项规划》2016年11月国务院“十三五”国家战略性新兴产业发展规划加快制定宽禁带半导体等标准“十三五”国家战略性新兴产业发展规划的通知2016年12月国家能源局能源技术创新“十三五”规划研究Ⅲ-Ⅴ族光伏材料的制备技术P020170113571241558665.pdf2016年12月工信部、发改委信息产业发展指南加紧布局超越“摩尔定律”相关领域，推动特色工艺生产线建设和第三代化合物半导体产品开发信息产业发展指南2016年12月工信部、发改委、科技部、财政部新材料产业发展指南以宽禁带半导体材料等市场潜力巨大、产业化条件完备的新材料品种，组织开展应用示范。 宽禁带半导体材料等为重点，突破材料及器件的技术关和市场关，完善原辅料配套体系，提高材料成品率和性能稳定性，实现产业化和规模应用。新材料产业发展指南2017年2月发改委战略性新兴产业重点产品和服务指导目录将化合物半导体材料，蓝宝石和碳化硅等衬底材料列入《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》2016版2017年4月科技部“十三五”材料领域科技创新专项规划大力发展第三代半导体材料、新型显示技术等新材料； 战略性电子材料技术以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心； 要求第三代半导体材料与半导体照明、新型显示两大核心方向整体达到国际先进水平，部分关键技术达到国际领先水平《“十三五”材料领域科技创新专项规划》2017年5月科技部、交通运输部“十三五”交通领域科技创新专项规划开展IGBT、碳化硅、氮化镓等电力电子器件技术研发及产品开发和零部件、系统的软硬件测试技术研究与测试评价技术规范体系研究； 突破以宽禁带半导体为基础的电驱动控制器技术，实现规模产业化。“十三五”交通领域科技创新专项规划的通知2019年10月发改委产业结构调整指导目录（2019年本）实现直径 125mm 以上直拉或直径 50mm 以上 水平生长化合物半导体材料生产《产业结构调整指导目录（2019年本）》2019年11月工信部重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）重点新材料：碳化硅外延片、碳化硅单晶衬底、化镓单晶衬底、功率器件用氮化镓外延片《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》2019年12月中共中央、国务院中共中央 国务院印发《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》面向第三代半导体等八大领域，加快培育布局一批未来产业中共中央 国务院印发《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》2020年8月国务院新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策集成电路线宽小于0.5微米（含）的化合物集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用生产性原材料、消耗品，免征进口关税。新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策2020年12月发改委、商务部鼓励外商投资产业目录（2020年版）支持引进：化合物半导体材料（砷化镓、磷 化镓、磷化铟、氮化镓）；碳化硅、氮化硅超细粉体；高纯 超细氧化铝微粉；低温烧结氧化锆（ZrO2）粉 体；高纯氮化铝（AlN）粉体等鼓励外商投资产业目录（2020年版）2021年3月全国人大中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要实现绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等特色工艺突破,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要本次盘点共涉及15项政策，不完全盘点仅供参考。从这些政策可以看出，我国对第三代半导体支持力度很大，第三代半导体被纳入了“十三五”和“十四五”规划，从产业调整、科研投入、税收优惠、海外投资、一带一路等方面都有所支持，相关政策更是触达了第三代半导体材料、制造、器件、应用等产业链的各个方面。政策发布部门也涉及中共中央、全国人大、国务院、发改委、科技部、工信部、能源部、交通部、商务部、财政部等。在一些列政策的支持下，我国第三代半导体产业持续向前推进，2019年，我国第三代半导体整体产值超过7600亿元。其中，光电子（主要为半导体照明）为7548亿元，电力电子和微波射频产值约为60亿元。其中，SiC、GaN电力电子产值规模近24亿元，同比增长超过80%；GaN微波射频产值规模近38亿元，同比增长近75%。目前我国第三代半导体产业得到快速发展，已基本形成了涵盖上游衬底、外延片，中游器件设计、器件制造及模块，下游应用等环节的产业链布局。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

半导体是许多工业整机设备的核心，普遍应用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要由四个组成部分组成：集成电路(约占81%)，光电器件(约占10%)，分立器件(约占6%)，传感器(约占3%)，因此通常将半导体和集成电路等价。集成电路按照产品种类又主要分为四大类：微处理器(约占18%)，存储器(约占23%)，逻辑器件(约占27%)，模拟器件(约占13%)。半导体产业链分上中下三层：上游是基础支撑产业链，包括了材料、耗材、设备、辅助制造、EDA等，中游是核心制造产业链，芯片设计公司、芯片制造公司和封装测试公司，下游是终端应用产业链。据中国半导体行业测算，2020年我国集成电路销售收入达到8848亿元，平均增长率达到20%，为同期全球产业增速的3倍。半导体产业链面对复杂的产业链和巨大的市场规模，整合资源、加强行业交流显得尤为重要。由此，自发或政府组织建立了众多的半导体行业的社会组织（协会、学会、联盟、标准委员会等）。通过各种行业组织，成员之间可以更容易整合资源并加群交流，提高了行业整合效率，也有利于产业进步升级。为此，仪器信息网特对半导体产业链上的社会组织进行整理盘点，涉及半导体材料、设备、光刻工艺、封测、光电子器件、分立元器件等。（信息搜集自网络，仅供参考）从组织形式分类来看，本次盘点涉及的社会组织主要分为四类，包括行业协会、行业学会、产业联盟和标准化技术委员会。行业协会是指介于政府、企业之间，商品生产者与经营者之间，并为其服务、咨询、沟通、监督、公正、自律、协调的社会中介组织。行业协会是一种民间性组织，它不属于政府的管理机构系列，而是政府与企业的桥梁和纽带。行业学会是指各行业为研究某一行业及学科的人组成的学术团体、学术组织，包括各行业的各类学会。产业联盟是指出于确保合作各方的市场优势，寻求新的规模、标准、机能或定位，应对共同的竞争者或将业务推向新领域等目的，各有关企业和相关机构等成员单位之间结成的互相协作和资源整合的一种合作模式。标准化技术委员会是由国务院标准化主管部门根据工作需要，依法在一定专业领域内建立的从事标准化工作的技术工作机构。由生产、科研、教学、检验、用户等方面的专家、技术人员和管理人员组成。其主要任务是起草标准、审定标准。组织形式名称行业协会SEMI中国半导体行业协会中国电子专用设备工业协会中国电子信息行业联合会中国电子信息技术产业协会中国电子电路行业协会中国电子企业协会中国工业气体行业协会中国电子气生产与利用百人会中国电子材料行业协会半导体材料分会中国光学光电子行业协会光电器件分会中国光学光电子行业协会发光二极管显示应用分会中国光伏行业协会行业学会中国物理学会半导体物理专业委员会中国光学学会光刻技术专业委员会中国有色金属学会半导体材料学术委员会中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会中国电子学会真空电子学分会中国电子学会半导体与集成技术分会中国电子学会电子材料学分会中国电子学会电子制造与封装技术分会中国机械工程学会微纳制造技术分会中国光学工程学会微纳光电子集成技术专家委员会中国感光学会辐射固化专业委员会中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会中国真空学会电子材料与器件专业委员会中国真空学会显示技术专业委员会中国微米纳米技术学会微纳米制造及装备分会产业联盟第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）中国集成电路创新联盟集成电路材料产业技术创新联盟中国集成电路知识产权联盟全国印刷电子产业技术创新联盟中国电子化工新材料产业联盟国家半导体照明工程研发及产业联盟中国半导体照明/LED产业与应用联盟中国OLED产业联盟标准化技术委员会全国半导体设备和材料标准化技术委员会全国半导体器件标准化技术委员会全国集成电路标准化技术委员会（筹建中）全国平板显示器件标准化技术委员会中国电子技术标准化研究院中国电子工业标准化技术协会全国印制电路标准化技术委员会SEMISEMI (国际半导体产业协会) 是全球性的产业协会，致力于促进微电子、平面显示器及太阳能光电等产业供应链的整体发展。会员涵括上述产业供应链中的制造、设备、材料与服务公司，是改善人类生活质量的核心驱动力。自1970年至今，SEMI不断致力于协助会员公司快速取得市场信息、提高获利率、创造新市场、克服技术挑战。SEMI投入世界各大主要科技领域，在全球有14个办公室, 包括中国台湾(新竹)、中国大陆(上海、北京)、 日本(东京) 、韩国(首尔) 、新加坡、印度(邦加罗尔)、比利时(布鲁塞尔)、德国(柏林)、法国(格勒诺布尔) 、俄国(莫斯科), 和美国(圣荷西、奥斯汀、华盛顿)。其主要活动包含举办会议与展览、推动国际标准、公共政策、市场研究以及倡导产业环境、健康与安全(EHS)等议题。中国半导体行业协会中国半导体行业协会成立于1990年11月17日，是由全国半导体界从事集成电路、半导体分立器件、半导体材料和设备的生产、设计、科研、开发、经营、应用、教学的单位、专家及其它相关的支撑企、事业单位自愿结成的行业性的全国性的非营利性的社会组织。其下设有集成电路、半导体分立器件、半导体封装、集成电路设计、半导体支撑业和MEMS分会。中国电子专用设备工业协会中国电子专用设备工业协会（CEPEA）成立于1987年7月，是经中华人民共和国民政部批准登记注册取得社团法人资格的全国性工业行业协会。中国电子专用设备工业协会的登记管理机关是中华人民共和国民政部，党建领导机关是中国共产党中央国家机关工作委员会。电子专用设备行业是从事电子产品生产装备的研究、开发、生产的行业，到2019年12月25日止，中国电子专用设备工业协会共有183家会员单位（协会目前不设个人会员）。第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）2015年9月9日，在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半导体相关的科研机构、大专院校、龙头企业自愿发起筹建的“第三代半导体产业技术创新战略联盟”在北京国际会议中心举行了成立大会。中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，近年来，我国该领域取得长足发展，但还缺少一个全国性的宽禁带半导体学会组织。为进一步推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强交流与协同创新，作为全国MOCVD会议的主办单位，中国有色金属学会经研究批准，决定依托广东省科学院成立中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会。该专委会筹备工作得到了科技部、工信部、国家基金委以及业界的积极响应和大力支持，本专业委员会顾问由16位院士及康义理事长组成，专业委员会委员为64位，基本覆盖了我国宽禁带半导体领域相关高校科研院所、及主要企业的专业带头人。

近日，山西省政府发布《关于促进半导体产业高质量发展引导集成电路产业健康发展的指导意见》（以下简称“《指导意见》”）。《指导意见》指出，近年来山西省委、省政府高度重视半导体及集成电路产业发展，将半导体产业作为省十四个战略性新兴产业之一，高点谋划、高位推进，打造了中国电科(山西)电子信息创新产业园、忻州半导体产业园、长治光电产业园、晋城光机电产业园等半导体产业集聚区，培育了一批骨干企业，在砷化镓、碳化硅等化合物半导体材料，碳化硅单晶生长炉等半导体装备，短波红外探测器、深紫外LED、LED照明及显示模组等半导体器件方面形成了比较优势，产业规模从无到有，影响力逐步扩大，形成了良好发展态势。当前，半导体及集成电路产业正进入重大调整变革期。新形势下，山西省半导体及集成电路产业发展既面临较大的挑战，也迎来了难得的机遇。应充分发挥该省的比较优势，营造良好发展环境，补齐短板、精准发力，走出一条具有山西特色的半导体及集成电路产业发展之路。《指导意见》提出的主要任务和发展重点包括：（一）积极培育设计产业。深化我省与京津冀、长三角、粤港澳大湾区等地区的开放合作和产业承接，形成协同联动发展、互惠互利共赢新格局.依托山西省北京大学科技创新基地、山西－大湾区创新中心等“科创飞地”，积极引进一批具有全国影响力、竞争力的设计企业.大力发展半导体及集成电路设计服务外包.重点支持射频芯片、传感器芯片等专用器件的开发设计.支持星载激光功率放大器等新技术的研发与应用。（二）发展壮大制造产业。深入推进声表面波滤波器、微波功率放大器、短波红外探测器、深紫外LED、LED显示及照明、航空级MEMS传感器、锑化物光电芯片等重点领域的研制生产.重点面向５G通信、航空航天、物联网、新能源汽车等新兴产业领域，布局建设高性能射频器件、功率器件、光电器件等生产线，打造差异化竞争优势。(三)延伸发展封测产业。适应半导体设计与制造工艺节点的演进升级需求，大力引进国内龙头封装测试企业落地山西，提高产业集中度.结合我省产业优势，突破MiniLED封装、MicroLED封装等技术，完善专用芯片及光电器件封测技术，重点发展公共卫生防控深紫外固态半导体光源、背光源封测等产业，扩大LED产品量产规模。(四)做大做强材料产业。发挥我省资源和能源优势，紧跟市场需求，引进技术领先的知名企业，发展大硅片晶圆等第一代半导体材料产业，聚焦低缺陷砷化镓晶体材料、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料、氮化镓材料等第二/三代半导体材料，扩展封装材料、靶材、高纯试剂、电磁屏蔽材料等半导体产业相关新材料，前瞻布局新一代半导体材料研发，探索铝矾土、镓等原材料与半导体材料产业一体化发展思路，打造具有世界影响力的半导体材料产业新高地。(五)加快发展半导体装备。加强半导体制造企业和装备企业的协作，引进国家级团队、国内龙头企业与我省企业共建研发中心，增强产业配套能力.重点发展面向高端光刻机的深紫外和极紫外激光器等新装备.积极开展大尺寸高纯半绝缘４H－SiC单晶设备、电子级金刚石生长设备、半导体先进封装关键工艺设备、高精度无损检测关键设备、MOCVD核心设备等的研制，支撑我省半导体产业高速发展。(六)促进产业融合发展。鼓励和支持龙头企业向产业链上下游延伸，积极促进设计、制造、封测、材料等环节紧密合作.推动泛半导体产业全产业链融合发展，以晋中、吕梁、长治为重点，整合提升硅片等光伏制造产业链和配套体系，打造光伏制造全产业链生态体系.支持企业通过数据共享、核心技术攻关、产品应用等方式开展强强合作，推动半导体及集成电路产业与我省信创、大数据融合创新、软件业等产业协同发展，构建融通发展的大信息产业生态。为支持产业发展，《指导意见》提出要有序引导产业健康发展，包括强化项目建设指导、强化人才保障、强化资金落实等；保障措施包括加强组织领导、优化政策环境、加快市场应用、加快园区和重大项目建设等。

山东省工业和信息化厅近日起草了《山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划（征求意见稿）》（下称《征求意见稿》）并征求公开意见，公开征求意见时间为11月15日至11月19日。 《征求意见稿》提出，到2025年，碳化硅、氮化镓等关键材料国产化率实现大幅提高，芯片设计能力达到国际先进水平，全产业链基本实现自主可控，打造百亿级国家第三代半导体产业高地；建成较大规模先进特色工艺制程生产线，推动形成要素完备的第三代半导体产业聚集区，带动模块及系统应用方面相关产业产值突破300亿元；建成国际先进的第三代半导体产业基地，带动形成基于第三代半导体的电力电子、微波电子、大功率半导体照明生产、应用系统为核心的产业集群；突破核心关键技术，建设第三代半导体国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站、院士工作站，搭建国际先进的第三代半导体公共研发、检测和服务平台。 集成电路产业是全面建设社会主义现代化国家的重要支撑，是保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是当前和今后一段时期大国竞争博弈的焦点。第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、抗辐射能力强等优点，是集成电路领域的新型组成部分，可广泛用于新能源汽车、智能电网、轨道交通、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，具有广阔的应用前景，已经成为全球半导体产业新的战略竞争高地。从国际看，随着全球贸易摩擦持续和以美国为主导的逆全球化浪潮加剧，半导体作为信息产业的基石，一直是各国贸易战的焦点。近年来，美、欧、日等加速抢占全球第三代半导体市场,已形成三足鼎立之势。美国在碳化硅（SiC）领域全球独大,其碳化硅衬底及外延较为发达，拥有科锐(Cree)、道康宁等知名企业。欧洲在碳化硅电力电子市场具有强大话语权,具备完善的第三代半导体产业链，其强势领域集中在器件环节，拥有德国英飞凌、爱思强、瑞士意法半导体、ABB等知名半导体制造商。日本是模块和半导体制造设备开发的绝对领先者,其氮化镓衬底产业较为发达，主要有罗姆、三菱电机、新日铁、东芝等国际一流企业。韩国通过SK集团收购美国的道康宁公司，完善其国内第三代半导体产业链，追赶美、欧、日发展步伐。从国内看，目前国内汽车、高铁、电网、国防科研等应用领域的功率半导体基本依靠进口，高端芯片器件禁运、采购成本高、供货周期不稳定等问题突出。5G、人工智能、新能源、智能制造等发展提速，对半导体需求猛增，产业的关注度日益增高，国产化替代成为发展趋势，迎来了第三代半导体材料产业的发展机遇，近几年持续保持迅速扩张的势头，国内第三代半导体在器件开发、产能建设、制备技术、应用推广等领域取得了一定的进展，初步形成了技术和产业体系。区域布局方面，我国第三代半导体产业初步在京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等区域实现聚集。国家大力发展“新基建”也为第三代半导体产业的发展带来了新的机遇。2020年，国务院发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8号），突出强调了关键核心技术攻关新型举国体制，同时也强调了构建全链条覆盖的关键核心技术研发布局，我国第三代半导体产业将迎来蓬勃发展期。经过多年发展，山东省第三代半导体产业形成了一定的产业基础，极具发展潜力，拥有第三代半导体企业20余家，2020年实现主营业务收入30余亿元，主要呈现创新能力稳步提升、产业链条逐步完善、融合应用日益深入等特点：1.以山东大学为代表的高校和研究院所承担了“973”、“863”等重大工程，科技支撑计划、“核高基”等国家重大项目，拥有第三代半导体材料和器件等多项高水平原创性成果积累，成功制备了世界首枚硅基氮化镓（GaN）垂直结构金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），掌握了最新一代垂直结构功率器件制备的核心技术，填补了国内在第三代半导体垂直结构功率器件方面的空白；完成了氧化镓（Ga2O3）单晶衬底制备、加工、外延的核心技术积累，处于国内领先，国际先进水平。山东天岳已经全面攻克碳化硅晶体生产、衬底加工核心技术，碳化硅衬底产品性能达到国际先进水平。我省建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、新一代半导体材料集成攻关平台、晶体材料国家重点实验室等国家级科研平台，山东大学、青岛科技大学等高校微电子学院的半导体相关专业积极推动教学创新和校企合作，为我省开展第三代半导体研发工作提供了良好的人才储备和条件保障。2.山东在第三代半导体领域已经逐步形成了衬底材料、外延材料、芯片设计、器件制造与封测等较为完整的产业链，山东天岳是我国最大的碳化硅单晶材料供应商，为发展第三代半导体产业奠定了坚实基础，逐步完善的产业链使山东省在第三代半导体产业实现“弯道超车”成为可能。 3.山东省在轨道交通牵引变流器、变频逆变、家用电器、新能源汽车、光伏发电等领域拥有一定实力的企业，在汽车电子和家用电器方面，产业融合度不断加深。随着济南比亚迪半导体有限公司、芯恩（青岛）集成电路有限公司、青岛惠科微电子有限公司的功率半导体芯片器件产线的建设和投产，将对第三代半导体材料的需求形成新的牵引。产业布局：加快构建“4+N”区域布局按照“政府引导、龙头带动、园区孵化、集群推进”的总体思路，发挥国家集成电路设计济南产业化基地、青岛崂山微电子产业园、中德生态园集成电路产业基地、济宁省级信息技术产业基地等集聚优势，加大龙头企业支持力度，加快构建“4+N”区域布局。 济南。实施高性能集成电路突破计划，优化升级国家集成电路设计产业化基地，依托山东天岳碳化硅衬底材料技术优势，结合济南比亚迪半导体芯片等上下游配套项目建设，打造基于硅基和碳化硅基功率半导体器件生产集聚区，建成国际先进的碳化硅半导体产业基地。 青岛。立足本地整机（系统）市场应用优势，建设好芯恩、惠科等集成电路重大项目，以发展模拟及数模混合集成电路、智能传感器、半导体功率器件、光电子芯片和器件、第三代半导体为主线，通过抓龙头、补短板、促融合、育生态，实现产业规模快速扩张、支撑能力显着增强，加快培育自主可控产业生态。 济宁。重点做大单晶硅、晶圆片、外延片等上游半导体材料，强链发展中游半导体分立器件、功率器件及功能芯片产业。加强同省内外高校合作，面向国内外引进吸收先进第三代半导体应用加工技术，提升产业发展位次。 潍坊。做好浪潮华光氮化镓材料与器件产业化项目建设，优化项目建设环境，全力以赴提供优质服务、跟踪服务、精准服务，努力为项目推进创造良好条件。 其他市。依托本地产业发展基础和特色，突出差异化发展，加强同重点市的协调联动，支持做好项目招引，逐步做大产业规模。 四大重点任务： （一）坚持全产业链发展，提升产业竞争能级 以技术和产品发展相对成熟的碳化硅晶体材料为切入点，迅速做大碳化硅半导体产业规模。聚焦材料、外延、芯片、封装和应用等第三代半导体产业链重点环节，加强产学研联合,以合资、合作方式培育和吸引高水平企业，促进产业集聚和产业链协同,打造第三代半导体电力电子、微波电子和半导体照明等第三代半导体产业发展高地。 1.提升材料制备能力。加速推进大尺寸GaN、SiC等单晶体材料生长及量产技术，突破GaN、SiC材料大直径、低应力和低位错缺陷等关键技术，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC衬底单晶材料产业化能力。突破超硬晶体材料切割和抛光等关键核心技术，提升4-8英寸GaN、SiC衬底材料精密加工能力。加大对薄膜材料外延生长技术的支持力度，补足第三代半导体外延材料生长环节。推动氧化镓（Ga2O3）等新一代超宽禁带半导体材料的研发与产业化。 2.发展器件设计。大力扶持基于第三代半导体GaN、SiC的高压大功率、微型发光二极管、毫米波、太赫兹等高端器件设计产业，围绕SiC功率器件的新能源汽车应用和GaN功率器件的消费类快充市场，促进产学研合作以及成果转化，引导器件设计企业上规模、上水平，提升设计产业集聚度，大力发展第三代半导体仿真设计软件自主品牌产品，建设具有全球竞争力的器件设计和软件开发集聚区。 3.布局器件制造。推进基于GaN、SiC的垂直型SBD(肖特基二极管)、HEMT（高电子迁移率晶体管）、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(大功率绝缘栅双极型晶体管)、Micro-LED（微型发光二极管）、高端传感器、MEMS(微机电系统)，以及激光器等器件和模块的研发制造，支持科研院所微纳加工平台建设。大力推动晶圆生产线建设项目，优先发展特色工艺制程器件制造，在关键电力电子器件方面形成系列产品，综合性能达到国际先进水平，SiC二极管、晶体管及其模块产品和GaN器件产品、激光芯片及其器件产品具有国际竞争力。 4.健全封测产业。积极发展高端封装测试，引进先进封测生产线和技术研发中心，大力发展晶圆级、系统级先进封装技术以及先进晶圆级测试技术。大力支持科研院所在第三代半导体相关的电气性能、散热设计、可靠性、封装材料等方面的研发工作，发展基于第三代半导体的功率和电源管理芯片、射频芯片、显示芯片等产品的封测产业。 5.开发技术装备。布局“生长、切片、抛光、外延”等核心技术装备，通过关键设备牵引，实现分段工艺局部成套，拓展解决整线成套设备国产化，并实现整线集成。提升氧化炉、沉积设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入机、清洗机、化学研磨设备的生产能力以及设备的精度和稳定性。突破核心共性关键技术，形成一流的工艺和产业应用技术，掌握核心装备制造技术，打造第三代半导体材料装备领军企业。研究开发碳化硅单晶智能化生长装备并实现产业化，突破碳化硅晶体可控生长环境精准检测与控制技术、基于大数据分析的数字孪生及人工智能模拟技术,形成智能化碳化硅晶体生长装备成套关键技术。 （二）推动科技服务新基建，优化产业发展环境 1.建设公共技术平台。整合省内优势中坚力量，谋划建设第三代半导体关键技术研究公共技术平台，搭建国际先进的涵盖第三代半导体晶体生长技术、器件物理研究、微纳器件设计与加工技术、芯片封装与测试等核心技术实体研发创新中心，提升研发水平和效率。建设国际先进的第三代半导体研发、检测和服务公共平台，开展芯片和器件关键技术攻关，研发具有自主知识产权的新材料、新工艺、新器件。深入开展核心关键技术研究、应用验证、测试等，引入高温离子注入系统、化学机械抛光系统、等离子刻蚀机等关键工艺设备，以及大型分析检测测试设备，为产业协同发展提供服务支撑。 2.搭建成果转化平台。鼓励产学研深度合作，聚焦第三代半导体单晶材料生长技术，器件设计与制备技术，封装与测试技术等领域，加快推进高校及研究院所科技成果与产业的对接，以共建联合实验室等形式落实成果转移转化，实现我省在半导体核心技术领域的弯道超车；建设省级第三代半导体重点实验室、工程技术中心等，加快推进申请国家级第三代半导体实验室，引入高端研发人才，对接先进科研成果，加速成果产业化进程。 3.发展产业孵化平台。支持地市、高校联合国内外研发机构和重点企业，按照新型研发机构模式成立第三代半导体产业研究院，逐步建成国际先进、国内一流的第三代半导体科技孵化器，带动产业链上下游协同发展。 （三）培育优势主体，拉动产业整体规模1.壮大龙头企业。加大对重点企业的关注和扶持力度,实行一企一策,协调解决企业发展关键制约点。优先将符合条件的产业链重点项目纳入山东省新旧动能转换重大项目库,充分利用好新旧动能转换政策,进行重点扶持；围绕SiC、GaN等晶体材料、功率器件和模块、照明与显示器件和下游应用等产业链关键环节，培育壮大细分行业领军企业，逐步扶持企业上市。 2.融通产业环节。强化需求牵引的作用，从应用端需求入手，加强从材料、芯片、器件到模块应用产业链上下游的深度合作。加强省内省外行业对接合作，精准招引、实施补链、延链、强链项目。沿链分批打造规模大、技术强、品牌响的“领航型”企业，培育细分领域的“瞪羚”“独角兽”企业，促进产业链上下游、大中小企业紧密配套、融通发展，有效提升产业链供应链的稳定性和竞争力。 （四）推进下游应用，拓宽产业发展路径 1.大力支持碳化硅功率模块的研发与产业化。加快实现碳化硅模块量产，并提升碳化硅芯片及模块在电气性能、散热设计、可靠性、封装材料等方面的性能，降低生产成本。突破第三代半导体器件在充电桩、电动汽车、家电等领域的应用关键技术，扫清产业规模扩大的技术壁垒。扩大应用规模，支持省内碳化硅模块生产企业扩大产能，形成碳化硅模块产业集聚，打造模组开发应用产业化的新高地。 2. 加快国产化第三代半导体产品应用推广。引导省内芯片制造、封装测试企业与第三代半导体材料企业对接，联合开展研发攻关，实现关键材料本地覆盖。组织开展省内国产第三代半导体应用试点示范，在衬底、芯片加工、模组应用等产业链环节对企业提出国产化比例考核要求。该《征求意见稿》体现了贯彻落实《山东省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》的指示精神，引导山东省第三代半导体产业高质量发展。对于仪器行业而言，山东省百亿级国家第三代半导体产业集群的建设势必带来大量的采购订单，尤其是《征求意见稿》中多次提到了设备国产替代的概念，因此势必对于国产仪器的采购有所倾斜，对于国产仪器厂商而言更是值得期待。

h3 style=" text-indent: 2em " 产业链——应用单一构造复杂 /h3 p style=" text-indent: 2em " 一般来说，为保证半导体芯片的品质和高可靠性，在封装前需要引入清洗工序，半导体的清洗也是半导体生产环节中十分重要的一环。 /p p 半导体清洗需要通过半导体清洗设备来实现，一般半导体清洗设备由气路系统、管路系统、控制系统、照明系统等组成，其也主要应用于半导体的生产。 /p p img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img3.qianzhan.com/news/202008/19/20200819-bfe5c8da5baa21fb.png" / /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img3.qianzhan.com/news/202008/19/20200819-f7b5a8d45c2c2201.png" / /p h3 style=" text-indent: 2em " 产业政策——围绕半导体设备开展 /h3 p style=" text-indent: 2em " 我国对于半导体清洗设备的相关政策基本上围绕促进半导体设备技术发展与应用开展。如《中国制造2025》提出要形成集成电路专业制造设备的供货能力 《我国集成电路产业“十三五”发展规划建议》规划到2020年，我国半导体关键装备要进入国际采购体系等。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img3.qianzhan.com/news/202008/19/20200819-3890fe3b65891396.png" / /p h3 style=" text-indent: 2em " 技术工艺——主要分为湿法和干法 /h3 p style=" text-indent: 2em " 半导体清洗工艺主要分为湿法和干法。其中湿法包括溶液浸泡法、机械刷洗法等，干法则包括等离子清洗、气相清洗等。根据半导体清洗工艺与适用场景的不同，半导体清洗设备也发展出了许多不同的种类，如单晶圆清洗设备、超声波清洗设备等等。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img3.qianzhan.com/news/202008/19/20200819-44cff3070dd9586a.png" / /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img3.qianzhan.com/news/202008/19/20200819-65526584d6553dd6.png" / /p h3 style=" text-indent: 2em " 企业竞争——迪恩士独占鳌头 /h3 p style=" text-indent: 2em " 全球半导体清洗设备行业的龙头企业主要是迪恩士(Dainippon Screen)、东京电子(TEL)、韩国SEMES、泛林半导体等等。其中，迪恩士占据了全球半导体清洗设备45.1%的市场份额，东京电子、SEMES和泛林半导体分别占据约25.3%、14.8%和12.5%。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img3.qianzhan.com/news/202008/19/20200819-241ba3b84b410e6c.png" / /p h3 style=" text-indent: 2em " 市场容量——市场容量不断增长 /h3 p style=" text-indent: 2em " 据SEMI数据披露，2015-2019年全球半导体清洗设备市场容量不断增长。2019年，全球半导体设备市场容量约为32.8亿美元，较2018年增长了5.81%。预计到2020年，全球半导体设备市场容量将达到36亿美元。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img3.qianzhan.com/news/202008/19/20200819-0652d8facca469a2.png" / /p h3 style=" text-indent: 2em " 国产化分析——国产化率不断提升 /h3 p style=" text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 近年来，我国半导体清洗设备产业迅速发展，国产化率不断提升。从2019年中国半导体清洗设备招标采购份额来看，我国半导体清洗设备的国产化率已经超过了20%。这个数值远远超过了其他大部分半导体设备的国产化率。 /span /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img3.qianzhan.com/news/202008/19/20200819-c023e618d36c36ef.png" / /p p style=" text-indent: 2em " 与此同时，我国半导体清洗设备产业也涌现出了一批优秀的龙头企业，如盛美半导体、北方华创、沈阳芯源等等，其中盛美半导体的半导体清洗设备制造技术最为靠前，其所占市场份额也远超其他国内企业。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img3.qianzhan.com/news/202008/19/20200819-b2493ac6dc065bfe.png" / img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img3.qianzhan.com/news/202008/19/20200819-38c011d5d49e20ba.png" / /p p style=" text-indent: 2em " 以上数据来源于前瞻产业研究院《中国半导体产业战略规划和企业战略咨询报告》，同时前瞻产业研究院提供产业大数据、产业规划、产业申报、产业园区规划、产业招商引资等解决方案。 /p

近日，西安炬光科技股份有限公司（以下简称“炬光科技”）在合肥高新区投资的泛半导体制程光子应用解决方案产业基地项目取得《建筑工程施工许可证》，现场同步开工建设。据了解，该项目位于合肥高新区创新大道与柏堰湾路交口东北角，占地面积约39.8亩，计划投资5亿元，建设总建筑面积约7.9万平方米的3栋生产厂房及配套设施。炬光科技表示，将利用其在泛半导体应用领域积累的技术优势和丰富的产品开发经验，在合肥布局固体激光剥离LLO、Mini/Micro LED激光线光斑Reflow、半导体集成电路晶圆退火等公司现有的泛半导体业务以及太阳能电池应用、平板显示固体激光退火SLA、半导体集成电路制程等正在开发的新业务。据公开资料显示，炬光科技成立于2007年，主要从事光子行业上游的高功率半导体激光元器件和原材料、激光光学元器件的研发、生产和销售，重点布局汽车应用、泛半导体制程、医疗健康三大应用方向，向不同客户提供上游核心元器件和中游光子应用解决方案。其中，在泛半导体制程方面，炬光科技布局芯片制程、芯片先进封装激光辅助键合、新型显示三大领域，在新型显示领域已完成Mini LED Repair激光系统的产品迭代开发，同时推进面向客户需求的Micro LED巨量转移激光系统的设计，进入产品开发阶段。发展战略方面，炬光科技形成了以中国为总部、国际化经营的业务布局及发展战略。目前公司在国际化运营方面已经具有经验。截至2023年年底，公司境外资产4.27亿元，占总资产的16.23%。近年来，炬光科技凭借丰富的国际化运营经验，先后成功收购多个国际企业业务。具体包括，2017年，炬光科技成功并购LIMO GmbH，后者是一家位于德国多特蒙德的全球领先微光学和光束整形解决方案制造商；2022年，以3.5亿元人民币收购韩国显示面板及光刻掩膜检测和激光修复技术的设备提供商——COWIN 100%股权。今年，炬光科技又发布了两项重大收购。1月份，炬光科技完成对瑞士微纳光学元器件企业SUSS MicroOptics SA 100%股权的收购，快速提升公司在汽车投影照明领域的发展速度；5月份，宣布拟5000万欧元收购ams OSRAM被动光学元件资产，加速进入汽车照明、消费电子、内窥镜等领域。

5月25日至30日，以“开放合作、共享未来”为主题的2023中关村论坛在北京举办。期间，北京（国际）第三代半导体创新发展论坛在中关村国家自主创新示范区展示中心举行。科学技术部党组成员、副部长相里斌在开幕致辞中表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域有巨大的市场。科技部一直高度重视第三代半导体的技术创新和产业发展，从“十五”期间开始给予了长期持续支持，建立了从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链创新能力。下一步还将与各地方沟通协作，加强统筹谋划和技术布局，加强人才培养，加强国际合作，推动产业链各环节有机衔接，强化以企业为主体、产学研用协同的创新生态。北京市委常委、副市长靳伟指出，北京市委市政府高度重视第三代半导体科技与产业发展。在前期成果基础上，北京市将进一步围绕建设国际科技创新中心战略定位，以打造世界领先科技园区为指引，面向国家发展战略需求，加强第三代半导体核心关键技术攻关、产业生态建设、应用场景拓展，推动在京形成第三代半导体技术高地与高水平产业集群。科学技术部原副部长、国际半导体照明联盟主席曹健林表示，2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下，全球半导体产业进入下行周期。但在新能源汽车、光伏、储能等需求带动下，国际第三代半导体产业增长超预期，整个产业进入高速成长期。纵观全球科技发展大势，科学研究范式正在发生深刻变革，协同创新、合作创新、开放创新已成为不可阻挡的大势所趋。中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇表示，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体材料为代表的半导体新材料快速崛起，未来10年将对国际半导体产业发展产生至关重要的影响。半导体产业的全球化属性是不可改变的。创新对半导体行业尤为重要，加强技术研究和原始创新，实现关键核心技术突破，以创新驱动产业高质量发展，同时要坚持加强全球产业链供应链的协作，仍是半导体产业发展的重要路径。在产业推介环节，北京市顺义区委副书记、区长崔小浩做了“北京第三代半导体产业发展推介”，提出要立足北京顺义领先的区位优势，进一步夯实基础、创新模式、优化政策、完善生态、提升配套，加快建设北京第三代半导体核心承载地。在论坛上，第三代半导体产业技术创新战略联盟联合中关村科技园区顺义园、武汉东湖新技术开发区面向产业界及各地方政府共同发布了《推动第三代半导体应用，践行“双碳”战略倡议》，促进第三代半导体器件应用，助力“双碳”战略实施，发挥我国大市场优势，以应用促发展，加快迭代研发，促进技术、标准、人才、专利全生态系统的完善。在项目签约环节，北京市顺义区人民政府与北京国联万众半导体科技有限公司、北京特思迪半导体设备有限公司、清控华创（北京）能源互联网技术研究院有限公司、北京晶格领域半导体有限公司、北京铭镓半导体有限公司、北京漠石科技有限公司等在会上进行一系列项目签约，总投资额近18亿元，标志着顺义区第三代半导体产业已瞄准从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，产业集群效应初步显现。在特邀报告环节，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，中科院北京纳米能源与系统研究所所长、中国科学院外籍院士、欧洲科学院院士王中林等国内外专家通过方式做了精彩的特邀报告，分析了第三代半导体技术及产业国内外最新进展及未来发展趋势。论坛还举行了“先进半导体产业教育发展研究院”启动仪式，吹响我国半导体人力资源水平提升的号角。据悉，当日共有来自国内外知名企业、研究机构的院士专家、业内重点企业代表等约500人出席论坛

近年来池州半导体产业蓬勃发展，对计量检测工作提出了新要求。记者从池州市计量所了解到，安徽省半导体产业计量测试中心已获池州市发改委立项，目前筹建工作正稳步推进。该项目建成后，将破解我市半导体设备“测不了、测不全、测不准”问题，助力半导体产业高质量发展。（安徽省半导体产业集聚发展基地，图片来源：池州市传媒中心）“半导体产业作为池州市八大新兴产业之首，目前产业集群化规模化效益日益显现，产业竞争力逐步提升，全产业链体系进一步完善。”据该所负责人介绍，池州半导体产业着力构建以池州经开区为核心，以江南新兴产业集中区、池州高新区、青阳经开区为支撑的“一核三弧”空间布局，形成从IC设计、晶圆制造、封测测试、材料装备到终端应用的全产业链体系，分立器件、封装测试居全省前列，半导体涂层再生、光伏芯片模组等领域特色明显。2022年池州市半导体产业基地规上在统企业56家，产业链上下游企业110家，基地产值178.1亿元，同比增长31.6%。以IC设计、分立器件制造、封装测试为基础，以新型显示、5G应用等终端产业为拓展的“3+2”特色发展格局基本形成。然而，随着半导体产业快速发展，越来越多的计量测试问题不断浮出水面，产业研发和生产所需要的测量仪器、检测设备计量测试需求得不到正常有效的满足，给产品的研发、升级带来困扰。由部分龙头企业单独解决“测得出、测得快、测得准”的问题既不经济也不现实。池州市计量所对产业中游的分立器件、芯片封装测试、传感器以及下游新型显示、5G应用等企业在用的计量器具检测能力严重不足。企业在量值溯源时只能寻求第三方检测机构的服务，测试时效性、经济性都得不到良好保障。目前半导体产业计量测试中心在我省还属空白，建设半导体产业计量测试中心成为半导体产业基地以及越来越多企业的共同期盼。池州市委市政府高度重视半导体产业计量测试工作。去年9月，池州市出台了《池州市贯彻落实计量发展规划（2021-2035年）实施方案》，提出“围绕半导体等新兴产业开展产业计量能力提升工程，重点开展半导体产业计量研究工作，筹建安徽省半导体产业计量测试中心。”同年12月30日，安徽省半导体产业计量测试中心获市发改委立项，由市财政解决490万元资金，首批200万元目前已顺利到位。“该中心获市发改委立项后，市市场监管局立即启动筹建工作，成立了工作专班，并赴马鞍山、芜湖等地学习先进经验。”市计量所负责人介绍，企业需求前期调研工作已完成，共发放需求调查表30余份，对企业现有和潜在的计量需求进行认真分析后，总结出电磁、微观长度、成分分析、小力值等四大类共性需求。目前，正根据申报书需要，联合科研合作单位对半导体企业的科研需求进行再调研，建设“接地气”、能真正解决企业实际工作需要的科研项目，预计5月底完成申报书撰写。然后由市政府发函至安徽省市场监督管理局申请安徽省半导体产业计量测试中心批筹。池州市计量所负责人表示，作为国家法定计量检定机构，池州市计量所将按照市委市政府的部署要求，认真谋划建设好安徽省半导体产业计量测试中心，让计量测试成为产业创新发展的重要驱动力和关键创新力量。

2023年上半年国民经济运行情况新闻发布会指出,上半年半导体相关行业制造业增长较快,半导体器件专用设备制造业增长30.9%。业内人士认为,国内半导体设备市场的整体实力及国产化率的持续增长,标志着国内半导体产业链不断完善。不过,企业仍需加大研发力度,走高端路线。超纯水作为半导体产业链重要一环,在半导体国产化迈向高端的进程中发挥重要作用。以高频科技为代表的本土超纯水企业,不断增强研发创新能力,充分发挥超纯水对产业链的支撑作用,为行业发展带去“芯”动力。突破品质与成本边界是产业链发展关键点对国内半导体产业而言,能否提升良率、降低成本是发展的关键点。其中,良率是衡量半导体制造质量的重要指标,直接影响到芯片量产成本及企业收益与利润。对于尖端晶圆厂而言,1%的良率提高可能意味着每年1.1亿美元的净利润。此外,不断上涨的成本日益成为半导体发展的重要制约因素。概而言之,对于半导体企业而言,只有把良率提上来、成本降下去,发展才更具可持续性。超纯水在半导体企业提升良率、降低成本过程中发挥着重要作用。众所周知,清洗是半导体制程的重要环节,也是影响半导体器件良率的最重要因素之一。而芯片清洗需要用到超纯水,这是因为超纯水不导电,在清洗元器件时不会对产品的表面造成损伤,从而造成不可逆的影响。而如果水质不达标,比如微粒子、TOC(总有机碳)或气泡中的某一指标稍有差池,就会使半导体元件生产的合格率下降。换言之,具有更高纯度的超纯水是保障芯片良率和高效生产的基石之一。此外,先进的水资源利用方案可以助力半导体企业低成本可持续发展战略实施。半导体是水资源密集型行业,耗水量巨大,且会随着制程的日益先进而大幅增加用水量。在产能4万片每月的200mm晶圆厂中,一天用水量约为8000-10000 吨,其中70%是用来生成超纯水。而来到16nm、7nm工艺后,同样产能为4万片的12英寸晶圆厂,每天用水量大概是20000吨。根据台积电公布的年报显示,台积电一年的耗水量在160亿吨左右。其耗水量差不多达到半个三峡大坝的总蓄水量。因此,打造先进的水循环再生方案,提升水资源利用率,是半导体企业降本增效、实现可持续发展的必由之路。深耕纯度与水循环技术,高频科技助力本土芯片产业发展作为立足于超纯工艺能力的工业级技术服务商,高频科技通过提供领先的超纯水与循环再生解决方案及装备,助力半导体企业提升良品率和水资源利用效率,实现高效可持续发展,赋能本土半导体产业提速发展。面对硼、硅等特殊物质去除这一让行业头疼的难题,高频科技通过工艺创新以及终端材料的优化,实现了ppt级别的深度去除。并凭借过硬的技术把控力和工程实践经验,针对有机物(TOC)、颗粒物、细菌、金属和阴离子等影响良率的主要杂质,已经实现领先于行业的技术成果,产水水质接近绝对纯度,电导率无限接近18.24MΩ•厘米的理论极限值,其纯度可达99.9999999999%,满足高端半导体行业用水需求,助力芯片良率提升,获得客户认可和行业广泛关注。高频科技还通过打造先进的水循环系统,帮助半导体企业提升工业用水效能,降低用水成本。高频科技依托自有优秀半导体水系统专家,在确保超纯水水质纯度稳定达标的基础之上,研发交付了超过30种可选回用水工艺技术,包括砂滤及炭滤器反洗水回用、砂滤及炭滤器正冲水回用、反渗透浓缩水回用、EDI和UF浓缩水回用、反渗透冲洗水回用、冷却塔排放水回用、低浓度有机废水回用等,已实现水制程回收率达75%-90%,致力于让每一滴超纯水都可以循环再利用,从而切实降低企业的用水成本,增强企业市场竞争力和可持续发展能力。半导体及集成电路产业是支撑经济社会发展的战略性产业,也是引领新一轮科技和产业革命的关键力量。近年来,在国家政策和市场需求驱动下,国内半导体产业链不断完备,相关产业规模稳定提升。超纯水作为芯片生产不可或缺的一环,在半导体生产链中的作用日益凸显。高频科技立足高端领先,不断深耕超纯水纯度,提升水资源可循环再利用技术,为半导体行业高质量、可持续发展带去助力。

今年1至7月份，池州经开区半导体产业稳中有进，“芯”光熠熠，省级半导体产业集聚发展基地实现产值约110亿元，同比增长约15.5%。高芯众科、钜芯半导体、硕呈电子等半导体核心企业产值增幅超过20%。　　近日，记者走进安徽高芯众科半导体有限公司，车间里等离子涂层机械手正在操作平台上有序高效地运转，一块块半导体核心零部件随之被披上“保护衣”。　　2015年，高芯众科在池州经开区落户成立，围绕半导体真空腔体零部件制造、精密特殊涂层生产建立生产线，进行研发、测试，经过多年在关键核心技术上全力攻坚，如今该公司现已在液晶面板和半导体设备核心零部件制造、精密涂层等技术领域实现100%国产化。　　技术创新是激发企业活力的源泉。“我们要打破国外技术垄断，做真正的国产替代。半导体核心零部件的国产化是条艰难而正确的道路，明确这一目标后，我们持续投入重金用于技术研发和创新，公司研发团队用了近十年时间，攻克了半导体核心零部件国产化道路上一批‘卡脖子’的技术难题。”高芯众科公司董事长辛长林告诉记者。　　如今，半导体及液晶面板高端核心设备约90%来自国外，国内面板及芯片生产商除了购买设备，后续还要投入大量运维费用。而高芯众科提供的电极新品制造、精密涂层及材料服务，可为国内液晶面板厂商节约不少生产成本。　　高芯众科作为能够生产下部电极的国产替代公司，很早就投身于半导体零部件的精密制造技术研发。目前，公司无需依赖进口就能提供先进制程的芯片制造用核心零部件，并能大大缩减这一零部件的交付期限。　　截至7月底，高芯众科销售收入已突破1亿元，是去年同期的一倍。“面对严峻的外部环境，公司产值仍实现迅猛增长，主要得益于我们产品的持续创新，能第一时间满足客户的需求。”辛长林说，未来，高芯众科将继续推进半导体核心零部件新品的研发，加强技术攻关，拓展零部件新品种类，争取利用产品的品质优势、价格优势把半导体设备核心零部件和核心材料推向国际市场。　　在核心企业加速发展、勇当“头雁”的同时，池州经开区强化上下游项目招引，延长半导体产业链条，以链式发展激活产业“聚变效应”。　　安徽同池科技有限公司作为车载显示赛道的一枚“新星”，是一家专业从事各类显示器件产品制造的高新技术企业。为满足新能源汽车对车载显示屏零部件的多样化需求，企业自2022年落户园区后，就将原先苏州本部最新研发的液晶显示触控模组项目转移到池州，目前企业设立的8条整屏生产线，已为国内外多家头部新能源汽车厂商提供整体服务方案。　　车间内，同池科技总经理姚秀振向记者介绍：“我们这款产品是一个4.1（寸）的模组，一天能生产5000（片），产值一天能达到25万元。公司上半年产值突破4000万元。”　　在显示器行业深耕20多年后，姚秀振和他的团队在池州经开区开启了“二次创业”。谈起企业的发展规划，他满怀信心：“随着产能不断释放，我们正积极拓展新客户，目前洽谈的有京东方、理想等企业。”姚秀振说，公司正重点攻关整机产品，从软件开发到制造成品，都由同池科技完成。　　核心企业引领，经开区半导体产业“磁吸”效应加速释放，产业链上下游配套企业加速汇聚。今年以来，该区不断创新招商模式，吸引越来越多的半导体领域优质企业来此扎根创业、投资兴业、共谋发展，丰芯半导体高端封测、康盈半导体、华讯科技存储芯片等一批半导体产业及关联项目签约落户。　　“接下来我们将继续坚持半导体首位产业、首位发展，做强封装测试和分立器件‘两张名片’，加快补齐产业链短板，加速布局车规级芯片新赛道，构建半导体产业特色发展格局，奋力打造省内一流的半导体产业基地。”池州经开区经济发展局副局长程华青表示。

济宁再添一国家级检测中心。11月24日，记者获悉，经过专家层层评审，国家半导体及显示产品质量监督检验中心落户济宁。该检验中心建成后，将成为我国半导体发光器件(LED)应用产品领域的“检测、科研、标准制修订、服务”基地。 　　“目前山东省内从事半导体照明的企业有120多家，已经形成了比较完整的产业链，但由于缺乏相关标准，导致市场发展较不规范，产品质量良莠不齐，急需通过产品质量监督来规范市场秩序。”济宁市质监局相关负责人表示，该监测中心建成后，将基本涵盖半导体照明、信息显示类产品的检测，不仅对当地支柱产业发展提供服务，还可承接国家、省、市的监督检验任务，对提升行业标准制定的话语权具有重要意义。

2011年11月18日，全球领先的检验、鉴定、测试和认证机构SGS通标标准技术服务有限公司(下简称SGS)和国家半导体光源产品质量监督检验中心(DQT)签订战略合作协议，携手推出华南地区首个集国内外认证、检测于一体的、完整的LED质量技术服务平台。 　　该平台将立足东莞、辐射广东，为华南地区客户提供专业、便捷的LED检测认证服务，有力推动中国LED行业的持续升级发展。SGS中国区消费电子事业部总监关俊超先生和国家半导体光源产品质量监督检验中心的谷历文主任出席了签字仪式并致辞。 　　 　　SGS和国家半导体光源产品质量监督检验中心(DQT)签订战略合作协议 　　作为中国LED产业的重要基地，东莞市的LED产业预计到2012年将达到250亿元规模。半导体照明(LED)已列为东莞市“十二五”规划八大战略性新兴产业之一。面对产业规模的不断扩张，如何提高技术创新、强化产品质量控制成为LED企业的转型升级之道。此次合作将为东莞及周边地区的LED企业在“家门口”提供世界级的品控和认证服务，帮助他们缩短检测周期，降低认证成本，在激烈的国际竞争中抢占先机。 　　“LED产业作为全球新兴产业，各国政府正纷纷加紧制定LED技术法规、标准，特别是欧美市场对LED产品的性能、安全和能效设置了更高的准入门槛，”SGS中国区消费电子事业部总监关俊超先生表示，“继SGS在厦门成功设立LED质检中心后，公司与国家半导体光源产品质量监督检验中心强强联手，再度拓宽服务能力，正是迎合了中国LED企业对于专业的‘一站式’检测认证服务的迫切需求。凭借全球化网络，SGS深谙各国LED法规、指令，可协助广东地区LED企业快速应对市场变化，打开国际市场的大门。” 　　“我们欣喜地看到东莞和整个广东省的LED产业链正日趋完善，但企业的整体技术实力和产品质量依然是制约行业发展的主要瓶颈，”国家半导体光源产品质量监督检验中心的谷历文主任表示，“通过战略合作，SGS逾百年的国际品牌和我们领先的检测技术实现优势互补，双方将共同助力广东地区的LED企业提高自主研发能力，推动广东LED产业的集聚发展。” 　　签字仪式结束后，SGS和国家半导体光源产品质量监督检验中心共同举办了LED照明产品技术研讨会，同与会的广东省LED企业代表就LED照明产品欧规安全、电磁兼容(EMC)测试要求解析以及LED照明产品检测技术分析等方面进行了深入的交流。据悉，双方今后还有望在音视频及消费类电子产品领域开展更多的检测认证合作项目。 　　国家半导体光源产品质量监督检验中心是我国华南地区的国家级LED检测实验室、广东省LED光源产品标准化技术委员会秘书处承担单位，近年还承担了广东省绿色照明示范城市标杆指数测试工作。中心面向我国LED行业、企业提供集标准研发、实验室检测、远程检测、产品认证、标准修制定、标准验证于一体的创新性、立体式检测技术服务。 　　作为公正客观的第三方检验、鉴定、测试和认证服务的领导者和创新者，SGS始终以提升人类健康、安全及环保为己任，致力于为各个供应链的可持续发展提供专业化解决方案。随着市场分工的不断细化与竞争的加剧，企业所面临的市场环境日趋复杂，SGS将为企业提供定制化认证服务，可持续发展报告验证、服务认证、风险管理、节能减排、降低碳排放以及培训服务，在提高企业生产效率的同时增强风险管理能力，确保企业的可持续发展。 　　自1991年在北京成立以来，SGS在中国取得了长足的发展，每年保持超过两位数的业务增长速度，服务网络遍及全国，目前其50多个分支机构几乎覆盖了所有的省会城市，服务能力覆盖农产、矿产、石化、工业、消费品、汽车、生命科学等多个行业的供应链上下游。扎根中国20年，作为政府必不可少的补充力量，SGS发挥了其公正、独立第三方机构的作用，切实帮助提升企业产品质量、优化管理流程，是近年来中国制造业迅速崛起的重要推手。凭借全球网络以及优秀的本土团队，SGS将秉承“永续发展之道”，持续致力于以专业服务推动经济、环境和社会的和谐共赢。

近日，经过专家层层评审，国家半导体及显示产品质量监督检验中心成功落户济宁高新区。该检验中心建成后，将成为我国半导体发光器件(LED)应用产品领域的“检测、科研、标准制修订、服务”基地。据了解，目前，山东省从事半导体照明的企业有120多家，已经形成了比较完整的产业链，但由于缺乏相关标准，导致市场发展不规范，产品质量良莠不齐，急需通过产品质量监督来规范市场秩序。国家半导体及显示产品质量监督检验中心建成后，将基本涵盖半导体照明、信息显示类产品的检测，不仅对当地光电信息产业发展提供服务，还可承接国家、省、市的监督检验任务，对提升行业标准制定的话语权具有重要意义。

p 康佳集团11月11日晚公告，为加快在半导体等战略新兴产业布局，康佳集团股份有限公司与南昌经济技术开发区管理委员会于近日签署了《合作框架协议》，合作框架协议的主要内容为本公司拟与南昌经开区管委会在南昌经开区管委会辖区内共同建设江西康佳半导体高科技产业园及共同设立配套股权投资基金。 /p p 据介绍，康佳集团负责在半导体产业园引进一批符合半导体产业园定位的半导体及相关产业链项目，并将该半导体产业园作为半导体企业孵化平台，积极引进半导体专业研发团队及半导体初创企业入驻。 /p p 半导体产业园项目建设期为10年，分两期建设，力争建设期内总投入达到300 亿元，其中一期项目总投入力争达到75 亿元，不低于50 亿元，上述投资将主要由半导体产业园的入园企业投资。 /p

2022年，新冠疫情、俄乌战争、通货膨胀、美元加息、逆全球化、半导体下行周期共振下，让这个超过5500亿美元的半导体市场面临着严峻挑战。根据世界半导体贸易组织 (WSTS) 的最新预估，今年全球半导体市场营收增幅或放缓至4.4%，并预计2023年，全球半导体市场将同比下降2.5%，达6230亿美元，降幅创下历史冰点——这意味着，明年芯片行业仍处于下行周期当中。SEMI在SEMICON Japan 2022上发布的《2022年度总半导体设备预测报告》指出，原设备制造商的半导体制造设备全球总销售额预计将在2022年创下1085亿美元的新高，连续三年创纪录，较2021创下的1025亿美元行业纪录增长5.9%。预计明年全球半导体制造设备市场总额将收缩至912亿美元，2024年将在前端和后端市场的推动下反弹。在辞旧迎新之际，仪器信息网特别整理了2022年半导体行业大事记，以飨读者！俄乌冲突导致氖气“断供”，电子气价格狂飙在芯片生产过程中，一部分看似不起眼的惰性气体不可或缺，其中包括氖气。俄罗斯和乌克兰均为氖气生产国。据市场调研公司TrendForce提供的数据，乌克兰供应全球将近70%的高纯氖气。2月24日，俄罗斯总统普京发表电视讲话，决定在顿巴斯地区发起特别军事行动。随着俄乌冲突升级，芯片生产所需的氖气、钯等多种原材料的国际供应被扰乱，进而导致全球芯片短缺状况进一步加剧。3月14日，由于俄乌关系持续紧张，乌克兰两家主要氖气供应商已经停止运营，全球约45%-54%的半导体级氖气由乌克兰Ingas和Cryoin两家公司供应。此后全球氖气价格进一步上涨。2022年10月6日，俄罗斯卫星通讯社宣称马里乌波尔氖气工厂计划恢复生产。半导体掀起反腐风暴，多位“大基金”高管落马2021年11月，大基金管理人“华芯投资”原副总裁高松涛被查。2022年7月17日，据中央纪监委驻国家开发银行纪检监察组消息，国家开发银行国开发展基金管理部原副主任、国家大基金管理公司原总裁路军涉嫌严重违纪违法，目前已正在接受中央纪委国家监委驻国家开发银行纪检监察组纪律审查和吉林省监委监察调查。2022年7月上旬，紫光集团前董事长赵伟国被有关部门从北京家中带走。据传，赵伟国身涉调查或与其个人所控公司和原紫光集团旗下公司之间利益输送相关，比如设备采购、装修工程等未经公开招投标的问题。2022年7月29日，财新报道指出，国家芯片大基金深圳子基金合伙人王文忠被查。2022年7月30日，中央纪委国家监委驻工业和信息化部纪检监察组、北京市监察委员会正式发布公告称，大基金总经理丁文武涉嫌严重违纪违法，经中央纪委国家监委指定管辖，目前正接受中央纪委国家监委驻工业和信息化部纪检监察组纪律审查、北京市监委监察调查。在此之前，丁文武曾任工信部电子信息司司长。丁文武的被查，是芯片行业人事动荡系列事件的高潮点。2022年8月9日，大基金管理人华芯投资三位管理层被查。拜登签署《芯片和科学法案》8月9日，美国总统拜登9日在白宫签署《芯片和科学法案》。该法案对美本土芯片产业提供巨额补贴，并要求任何接受美方补贴的公司必须在美国本土制造芯片。美国商务部公布的《科学与芯片法案》细节显示，其中包括超过520亿美元的半导体制造和研究资金，拜登政府已将其列为美国与北京竞争的当务之急。随后，华盛顿不断推动更严格的对华出口法规，涵盖了制造14纳米及以下芯片所需设备。相关举措意欲使中国半导体制造企业更难发展先进制程，中国半导体产业链进入“华为时刻”。美国挑起的这次芯片战争，限制了中国企业获取先进半导体设备的能力，推动并加剧了全球半导体产业供应链的分裂与混乱，为全球芯片产业链供应链带来严重冲击。半导体设备作为主要“卡脖子环节”迎来国产替代的黄金窗口期，国内半导体设备需求将助推国产替代进程。美国BIS对中国半导体发布新限制美国商务部7号发布了针对先进芯片和芯片制造设备对华出口新限制。美国高级政府官员表示，这些规则将要求美国芯片制造商获得商务部的许可，才能对华出口某些用于先进人工智能计算和超级计算的芯片。美国政府此前已经出台了对华芯片及设备的出口限制，最新举措将限制扩大到阻止使用美国技术的外国芯片的对华出口。除了对芯片和芯片设备出口的限制外，美国商务部正在增加对为部分中国芯片制造设施提供支持的美国公民、永久居民和公司的限制，并扩大对已列入美国商务部出口黑名单的28家中国超算实体的限制。10月13日晚21点，美国商务部工业和安全局（BIS）就其上周五对中国半导体的管理规则进行公开简报，题为“实施额外的出口管制：某些先进计算和半导体制造项目；超级计算机和半导体最终用途；实体清单修改”。欧盟公布《芯片法案》，将投入超430亿欧元2月8日，欧盟委员会公布了备受关注的欧盟芯片法案，计划投资超过430亿欧元（约合490 亿美元、3127亿元人民币）用于支持芯片生产、试点项目和新一代芯片工厂等，以提升欧盟在全球的芯片生产份额。具体来看，欧盟芯片法案计划投资的资金中，110亿欧元将用于加强现有的研究、开发和创新，以确保部署先进的半导体工具以及用于原型设计、测试的生产线等。此外，还将建立“芯片基金”，用于帮助初创企业获取融资；另设半导体股权投资基金，支持大中小企业市场扩张。芯片法案的目标是，到2030年将欧盟的芯片产能从目前占全球的10%提高到20%。台积电等晶圆代工厂赴美建厂2022年11月，台积电首批300名骨干员工的家属登上美国客机，直飞凤凰城芯片工厂的配套住宅区。两周后的12月初，又有大批精密设备运过去。台积电将在美国亚利桑那州设立3纳米先进制程的晶圆厂，投资规模约120亿美元，接近2020年拍板的5纳米工厂。台积电12月6日在美国亚利桑那州凤凰城新厂举行首批机台设备到厂活动，包括美国总统拜登在内的重要人物出席。台积电这次在美国开厂也被认为是美国有意在芯片制造领域“去台化”。此外，美国还邀请三星、英特尔、德州仪器、联电等公司在美建厂。美国拉拢组建Chip4联盟2022年3月，美国政府提议组建“芯片四方联盟” (Chip 4联盟) ，意图拉拢日本、韩国和中国台湾地区组成所谓的半导体“CHIP4（芯片四方联盟）”，以抑制中国大陆的半导体发展。2022年4月，美国商务部BIS发布美欧技术和贸易委员会(TTC) 供应工作公告，要求确保半导体关键供应链在盟国尤其是日韩的可靠性，重塑盟友导向的供应链。12月中旬，日本和荷兰已原则上同意加入美国的行列，加强对向中国出口先进芯片制造设备的限制。

各有关单位:半导体装备制造业是为我国集成电路和半导体器件行业提供工艺装备的战略性产业，是提升我国半导体产业制造能力的高端装备制造产业，也是国家支持的重大技术装备产业。为进一步推动我国半导体装备产业的发展，我协会定于8月19日～20日在重庆市举办“第九届（2021）中国半导体设备市场年会”。届时将邀请政府主管部门、国家重大专项(02专项)专家组、各兄弟协会、高校科研院所、全球顶尖知名半导体器件、半导体设备制造商和新闻媒体等出席。现将会议有关事项通知如下：一、组织机构主办单位：中国电子专用设备工业协会重庆市渝北区人民政府承办单位：中国电子专用设备工业协会半导体设备分会；重庆北碚区经济和信息化委员会；重庆市北碚区人民政府 重庆市北碚区经济和信息化委员会；西部（重庆）科学城北碚园区；重庆市蔡家智慧新城；上海微技术工业研究院；《微电子制造》编辑部；上海芯奥会务服务有限公司协办单位:华润微电子（重庆）有限公司重庆万国半导体科技有限公司 中微半导体设备（上海）股份有限公司北方华创科技集团股份有限公司盛美半导体设备（上海）股份有限公司《电子工业专用设备》杂志社支持单位：中国半导体行业协会、重庆市经济和信息化委员会、重庆市半导体行业协会、北京半导体行业协会、江苏省半导体行业协会、深圳半导体行业协会、广州市半导体协会 支持媒体：新华网、中国电子报、中国集成电路、微电子制造、中电网、电子工程专辑、半导体照明、半导体技术、电子产品世界、仪器信息网二、会议时间：8月19～20日（18日会议报到）三、会议地点：重庆金陵饭店（重庆市渝北区春华大道99号）四、会议内容：（1）高峰论坛1、2020年中国半导体设备行业经济运行分析和2021年发展展望2、国产集成电路晶圆制造装备现状和发展趋势3、国产集成电路先进封装设备现状和发展趋势4、半导体发光二极管制造装备现状和发展趋势5、太阳能电池制造装备现状和发展趋势（2）专题论坛1、极大规模集成电路关键设备的研发与应用最新进展2、3D TSV封装设备研发与量产和晶圆级封装(CSP)等新兴技术3、高亮度LED生产线设备的国产化新进展4、高转换效率、低成本、全自动太阳能电池关键工艺装备的产业化5、半导体制造装备核心技术、共性技术和关键部件的自主创新与产业化五、参会人员国家科技重大专项（02）、有关行业协会、产业联盟领导和专家；半导体制造装备和集成电路、LED、太阳能电池生产企业、科研院所及核心部件供应商负责人和工程技术人员；国内外知名半导体专家；投资机构分析家；新闻媒体等。六、其它事项（1）联系人：（上海）黄 刚、甘凤华、施玥如电话：021-38953725-8001 / 60345020传真：021-38953725-8006Email: hg@cepem.com.cn（2）联系人：（北京）金存忠 电话：010-68860519 E-mail:cepea@163.com 二〇二一年四月七日

近日，以“科技自立自强双创驱动发展”为主题的2022“科创中国”年度会议召开。会上，中国科协发布了2021年“科创中国”系列榜单。其中，“先导技术榜”面向生物医药、资源环境、电子信息、装备制造、先进材料、现代农林等六大领域，遴选出了100项具有广阔应用场景、高经济和社会效益的先导技术。中山大学微电子学院王钢教授领导的研发团队耗费十多年自主研发的“大尺寸氧化镓单晶薄膜异质外延生长技术及核心装备”既是广东省高校唯一入选的项目，也是广州地区唯一入选的项目。王钢团队的这项技术将在中国乃至全球新兴超宽禁带功率半导体材料领域形成产业化突破口，极大地推动中国氧化镓基功率电子器件的发展和产业化进程。中山大学微电子学院教授王钢本次研究成果登上国家级榜单，背后是王钢团队十余年磨一剑的坚韧。“每次推开一道门，都需要经过不断地探索，反复地试错，才能找到下一道门。”王钢对记者感叹道。实现并跑领跑，他们决定破题“氧化镓”2004年，在日本富士通量子器件公司担任研发工程师的王钢加入中山大学光电材料与技术国家重点实验室，并组建了自己的团队。在中山大学大学城校区光电材料与技术国家重点实验室的大楼里，王钢团队用18年时间将宽禁带半导体材料和器件实验室建设成型，宽禁带半导体材料和器件也成为这家国家重点实验室的重要研究方向之一。回国后的前8年，王钢团队主要聚焦支撑LED产业的氮化物半导体材料。“在氮化物领域，我们感觉长期处在跟跑状态，所以一直在思考有哪些新的材料可实现并跑甚至领跑。”王钢说道，最终他们把目光锁定在超宽禁带半导体材料上。禁带宽度的大小，决定了材料的导电能力。禁带越宽，导电性越低：如金属的禁带宽度为零，而绝缘体的禁带宽度则很宽。半导体在常温下的导电性能则介于导体与绝缘体之间。宽禁带、超宽禁带半导体材料的一大优点便是节能，比如LED照明应用宽禁带半导体材料技术，其相比传统的白炽灯照明，能效提升了数倍。氮化镓和碳化硅是第三代半导体晶圆材料的主流选择，其禁带宽度大概在3.4eV（电子伏特）左右，属于宽禁带半导体材料。氧化镓则是超宽禁带半导体材料，因为其禁带宽度大概在5eV。特殊的属性让氧化镓有着“击穿电场强度更强”“功率损耗更低”等优势。氧化镓可让人们使用更少的材料制造出具有更高耐压、更强功率处理能力的功率半导体器件，器件同时可以更薄、更轻。功率半导体器件是逆变装置里的核心器件，交流电和直流电的转换便是逆变。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切的需要具有更高转换效率的高压大功率半导体器件。氧化镓功率半导体器件在与氮化镓和碳化硅相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约高压器件工作时的电能损失。因为氧化镓的材料属性优势明显，王钢带领团队开始解决氧化镓半导体材料产业化的关键核心问题“仅从节能的角度来理解超宽禁带半导体材料不够全面，氧化镓功率半导体器件允许在更高的温度下操作，从而减少对庞大的冷却器件系统的需求。氧化镓在消费电子、5G通信、智能电网、轨道交通、雷达探测等领域有广阔的应用前景，氧化镓基器件被称为‘迄今为止最坚固耐用的晶体管’”。王钢告诉记者，随着科技发展，社会的数字化、智能化程度不断提升，被称为“第四代超宽禁带半导体材料”的氧化镓将会有更多的应用场景。氧化镓已经成为国际上超宽禁带半导体领域的研究热点，比如日本经济产业省便计划为致力于开发“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持。目前中国在氧化镓材料方向的研究正处于开拓阶段，仍然缺乏自主生产优质氧化镓材料的能力。从0到1 打造半导体制备核心设备半导体器件和电路在半导体材料晶圆的表层形成。而晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片。外延则是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶薄膜的过程。新单晶薄膜可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料。而第三代和第四代半导体器件几乎都做在外延层的单晶薄膜上，这层薄膜的质量、均匀度等参数直接决定着器件的各项电学性能。“就氧化镓半导体器件来说，主要发挥关键核心电学功能是这层透明氧化镓膜，这个膜只有几微米级（1米的一百万分之一）的厚度。衬体只是起支撑作用，以方便后期对这层薄膜进行加工。”王钢告诉记者。晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节氧化镓这种材料在自然界根本不存在，需要人工进行合成，氧和镓两种元素的反应需要在接近1000摄氏度的环境下进行。化学气相沉积（CVD）技术是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术。在典型的CVD工艺过程中，把一种或多种蒸汽源原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下发生化学反应并在衬底表面形成需要的薄膜。所以化学气相沉积（CVD）设备也就成为半导体器件制造当中的核心设备。化学气相沉积设备是半导体器件制造当中的核心设备当记者走进宽禁带半导体材料和器件实验室，一代代大型CVD设备映入眼帘。王钢说，这些都是从欧洲国家购买回来的CVD设备。当年谈判之艰辛、耗费之巨大，至今王钢记忆犹新。“2006年我们从英国买回这台长氮化物的机器，为了打折我们谈得很辛苦，但也花了我们将近1000万人民币。”王钢说。就氧化镓材料而言，目前国际主流的技术路线是在氧化镓单晶衬底上采用HVPE设备同质外延生长β相氧化镓单晶薄膜，但其单晶制备和薄膜生长技术及设备的相关知识产权完全掌握在日本手中。为了实现氧化镓外延材料及核心装备从0到1的突破，王钢带领团队开始研制大尺寸、高质量氧化镓半导体薄膜材料异质外延生长用MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备，同时研发氧化镓单晶薄膜材料的大尺寸异质外延生长工艺技术。王钢告诉记者，目前氧化镓单晶薄膜材料生长主要面临结晶质量问题。“理想的半导体材料，是由许多原子按照一定规律的周期性排布而形成。但在半导体材料的制备过程中，由于各种原因，原子排布的周期性常常会被打破，材料因此就会出现缺陷。”王钢说，他们的目标就是改进材料生长技术，努力降低材料中的缺陷密度。大尺寸同样是王钢团队面临的挑战。因为半导体行业不仅身处科研领域，也和应用市场密切关联，对成本和价格非常敏感。对于半导体材料而言，制备的尺寸越大越具有价格优势，同样产生的缺陷也会更多。“我们去波士顿开学术交流会议时，听到日本专家分享氧化镓的功率电子器件的原型。我认为我们同样有能力完成此事，还能走出不同的技术路径，于是我们回国之后立马着手研究，并以蓝宝石作为衬底进行异质外延尝试。”王钢说，在起初的两年时间里，他们都无法在蓝宝石衬底上长出薄膜材料。这种气闷难受的感觉一直让王钢难以忘怀，他也有过疑虑：这个研究方向是否真的能走向成功？焦虑迷茫中，王钢团队未曾放弃。依靠长期在氮化物半导体元器件的研究经验，他们在一台用于生产第二代半导体材料的旧式MOCVD设备上进行改造，并且对半导体设备反应腔室进行独特设计。十年来，团队不断调整着工艺、参数和设计方案，在近万次的失败中总结经验。最终他们实现氧化镓单晶薄膜材料外延生长MOCVD设备的自主研制，并且他们采用自主研制的MOCVD设备在蓝宝石、碳化硅及硅等大尺寸异质衬底上生长了结晶质量高，晶向一致性好的4-8英寸的ε相氧化镓单晶薄膜。多学科融合让“黑盒子”可视化王钢身上激荡着理想主义的情怀。他告诉记者，他这一辈子的目标是研发出更出色的国产设备，进而长出更加优质的半导体材料。在这项成果登上科创中国“先导技术榜”之前，网络上基本搜寻不到这项技术的任何信息。“做半导体的人应该用90%的精力去做落地的事情，我们也算是默默在做这件事。有些核心的技术甚至没有拿出去发表论文，所以在公众领域基本上没有知名度。”王钢告诉记者。王钢和其团队自主研发的国内首台氧化镓异质外延专用多片型MOCVD量产装备在十余年来对氧化镓材料技术的钻研中，王钢说自己又是幸运的，“针对一些非常前沿的技术，在国家尚未推出重点研发计划之前，需要不断有人去熬。其实我非常幸运，可以得到中山大学和光电材料与技术国家重点实验室探索性课题的一些资金的支持，同时仰仗产学研合作伙伴在MOCVD设备制造过程中硬件的投入，探索一些没有完全把握的事情。”王钢说。即便自主研发的MOCVD设备已是进展喜人，但是王钢团队还在努力让氧化镓MOCVD设备拥有更优质的性能从而走向大规模应用。

仪器信息网讯 8月29日，全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会第四届微光刻分委会年会暨第十三届微光刻技术交流会在青岛成功召开。会议期间，仪器信息网特别采访了中国科学院半导体研究所集成技术与工程研究中心高级工程师颜伟。据介绍，中国科学院半导体研究所集成技术与工程研究中心（简称：集成中心）是一个面向全国的半导体微纳加工平台，也是北京信息电子技术大型仪器区域中心的牵头单位、中国科学院知识创新工程基地纳米器件平台等。集成中心平台拥有1700平米的超净工艺线，拥有半导体测试、加工设备200余套，专业人员近四十名。集成中心除了提供常规的硅基和III-V族半导体的光电子、微电子、MEMS器件加工外，还提供灵活的服务模式。传统的Fab模式具有严格的流程标准，单条产线往往用途单一，作为一个实验性的平台，集成中心还可以满足一些前沿研究的需求，例如量子计算、低维材料等。颜伟指出，在微纳加工，特别是实验室微纳加工的生产线中的设备非常依赖于进口厂商。以电子束曝光设备为例，虽然很多国内科研院所也在研发，但实际上仍依赖于国外厂商，当前禁运情况严重。此外，当前半导体用的材料辅料也在逐步追赶国际先进水平，比如此前电子束曝光使用的光刻胶依赖进口，价格昂贵，但现在国产材料性能已经追上来了。颜伟表示，贸易战为我们敲响了警钟，打破了之前造不如买的理念，倒逼我们技术进步。贸易战以来，从设计、制造到封测，然后到软件全产业链，各个领域的国产替代都有突破。作为从业者，颜伟也强调，要冷静的认识到半导体技术是全人类智慧的结晶，不是美国一家搞出来的。从客观规律上讲，也不可能有任何一个国家能把半导体整个产业链从头到尾全覆盖一遍。我们还是要发挥自己的比较优势，积极拥抱全球化，寻求合作而不是寻求脱钩。此外，关于半导体的国产替代，既要反对盲目乐观，也要反对盲目悲观，半导体的国产突破是一场持久战。以下为现场采访视频：