半导体解决方案

8月11日，第十一届（2023年）中国电子专用设备工业协会半导体设备年会暨产业链合作论坛在无锡落下帷幕。参会专家指出，国产半导体设备已经取得突破性进展，海外设备进口和本土设备销售呈现“此消彼长”态势，上半年半导体相关行业制造业增长比较快，半导体器件专用设备制造业增加值增长30.9%。并预计2023年国产主要半导体设备制造商订单有望稳步增长。 中国电子专用设备工业协会理事长、北方华创董事长赵晋荣表示，10余年来中国半导体设备市场规模持续发展，尤其是近几年，中国本土设备取得了较大进步。数据来源：浙商证券研究所 虽然国产半导体设备在诸多领域实现了从0到1的突破，但是关键设备、零部件以及满足特殊工艺生产需求的国产半导设备依旧缺乏，良率、稳定性等还待进一步提升，在全球半导体设备市场的规模依旧偏小。 中国电子专用设备工业协会常务副秘书长金存忠指出，国产半导体设备进一步发展，还亟需解决光刻机等关键设备国产化率低等问题，目前国产制造商能够制造的主要是先进封装和LED领域的光刻机，而且光刻机的难点不仅在制造出来，还要保证设备的效率和良率。另外，关键零部件成本在设备进口成本占比较大等问题，有的厂商反馈零部件成本占比高达六成。　 作为半导体设备终端用户，半导体制造厂商尤为关注生产效率和良率，就需要设备厂商与产业链进一步合作，攻关克难。“没有95%以上的良率、没有把成本降下来，企业是不能生存的，而且生产的越多，亏损的越多。”中国电子专用设备工业协会副秘书长、积塔半导体(上海)有限公司总工程师李晋湘表示，建议半导体制造企业和设备企业、材料厂商等进一步深化合作，推动工艺持续进步，不仅攻克具有经济效益规模而难度小的设备，也要挑战量小而难度大的设备，并且加强半导体设备的配套软件开发，建立和完善培训系统，让国内工程师能够掌握和使用好本土设备。小编也在这里整理了半导体行业相关优质解决方案供大家参考：集成电路检测方案：1、等离子清洗 仪处理 TEM透射电镜样品清洗和活化2、4H-SiC中EPI厚度，载流子浓度检测方案 3、硅片表面中金属污染物检测方案 4、集成电路制造行业常用有机溶剂中金属杂质检测方案 光电器件解决方案：1、小束斑+特色SnapMap快照成像功能分析SnOx成分半导体器件 2、高分辨光学链路诊断仪OCI+精准测量多分支光链路损耗3、SiC外延片测试方案4、TMC STACIS主动隔振器在抬高的钢支架上的隔振应用传感器解决方案：1、TEC半导体制冷片：热释电系数测试中的正弦波温度控制解决方案更多解决方案 请点击 查 看 ══════════▼▼▼══════════行业应用栏目简介：(http://www.instrument.com.cn/application/ ) 【行业应用】是仪器信息网专业行业导购平台，汇聚了行业内国内外主流厂商的优质分析方法及相应的仪器设备。栏目建立了兼顾国家相关规定和用户习惯的专业分类，涉及食品、药品、环境、农/林/牧/渔、石化、汽车、建筑、医疗卫生等二十余个使用仪器相对集中的行业领域，目前，已经收录行业解决方案6万+篇。

8月8日，默克公司宣布与美光科技合作开发用于半导体工艺、能降低全球变暖趋势的气体解决方案。 据了解，经过一年的持续合作，美光科技目前正在测试默克研发部门提供的低GWP替代性蚀刻气体，以验证其制程性能，从而取代传统的高GWP材料。目标是在半导体制程中导入全新且更具永续性的气体解决方案。美光运营中心团队和采购 CVP John Whitman表示，公司的新目标是，在2030年减少42%的全球营运所造成的碳排放（相较于2020年），为此，公司采取了多项措施以实现净零碳排的运营承诺，包括投资先进的减排系统，优先使用全球暖化潜势较低的气体，外购节能设备，以可再生能源取代石化能源等。默克公司强调，两家公司皆致力于发掘有助实现永续发展目标的新材料，以取代现行应用于干蚀刻与光罩清洗制程的多种高暖化潜势的蚀刻气体。

近日，半导体行业领先的电气测试和测量供应商FormFactor，Inc.和专业高压大电流探针卡的领先供应商T.I.P.S.Messtechnik GmbH（T.I.P.S.）宣布，两家公司已加入MeasureOne合作伙伴关系，为大功率器件提供测试和测量解决方案。MeasureOne是FormFactor和一组选定的合作伙伴之间的承诺，旨在提供经性能验证的集成解决方案，以解决客户的测试和测量应用程序。功率半导体通常用于电动和混合动力电动汽车 （EV/HEV）。为满足市场需求，功率半导体制造商正在迅速采用碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 等材料，这些材料可在更高的电压、温度和频率下工作，同时提高效率和可靠性。据Yole电力＆无线和电池首席分析师米兰罗西纳博士（Milan Rosina）预测，2018-2024年，EV/HEV半导体功率器件市场复合年均增长率为21%，超过37亿美元。FormFactor 系统业务部副总裁兼总经理克劳斯迪特里希（Claus Dietrich）表示："FormFactor 已为业界领先的 200 mm 和 300 mm 大功率探头系统开发了专用应用层，以支持利用 T.I.P.S. 高压抗电探针卡的高功率半导体器件的独特测试要求。"这种优化的解决方案为客户提供了一种简单而安全的方法，用于进行半自动和全自动高功率设备特性测量。与专业高压和高电流探头卡的市场领导者合作，使我们能够优化我们的环境，提供能够解决客户最具挑战性的工程探头系统。Rainer Gaggl博士说：“我们的高压‘LuPo’探针卡采用专利的闪络抑制技术，可提高测试环境的击穿电压，防止在晶圆上进行高压测量时产生电弧和闪络。”，T.I.P.S.董事总经理：“FormFactor的高功率工程探头是我们高电压/高功率探头卡的天然合作伙伴。设备制造商真正受益于我们的合作带来的综合经验。”FormFactorFormFactor，Inc.是一家在整个集成电路生命周期（从计量和检验、特性描述、建模、可靠性和设计调试到鉴定和生产测试）中提供关键测试和测量技术的领先供应商。半导体公司依靠FormFactor的产品和服务，通过优化设备性能和提高产量知识来加速盈利。该公司通过其在亚洲、欧洲和北美的设施网络为客户提供服务。T.I.P.S.T.I.P.S.Messtechnik GmbH总部位于奥地利维拉赫，其专业团队在产品生命周期的各个阶段为全球客户提供支持，从研发和测试概念、工程和设计、生产，到全面的售后维护和支持。凭借成熟的工艺、深入的技术专长和最快的反应时间，该公司是微芯片测试接口硬件领域公认的领导者。

这两天，一条题为“特朗普以国家安全为由终止半导体巨头博通收购高通” 的新闻，在半导体行业圈引起了热议，因为这笔交易如果达成，将是半导体行业迄今最大的一笔收购。 为什么此行业会让美国总统特朗普都如此关注呢？就让小编给您简单分析一下，并带来我们为您准备的一大波干货吧。通俗地说，我们日常生活中的电视机、电脑及时刻不离手的手机中的核心单元都和半导体有极为密切的关联。 在《国家集成电路产业发展推进纲要》和国家集成电路产业投资资金的推动下，中国半导体市场已成为全球增长引擎。半导体之于集成电路，如同土地之于城市。世界各国都把集成电路产业作为战略性产业来对待，竞相投入大量的人力、物力和资金。所以，很多观点认为，如果特朗普不制止这项收购计划，博通收购高通后将一家独大，这将严重影响美国在该领域的技术进步速度，可能导致美国今后在移动通讯领域的国际竞争中处于下风。但是，对国家经济发展非常重要的半导体行业却面临一些技术难题，如单晶硅锭和晶圆的品质、清洗剂和刻蚀剂中的离子态杂质、金属杂质、有机物杂质等，会使生产良率受到影响，从而导致经济效益下降。 赛默飞可为半导体及相关行业的关键环节提供技术支撑及完整解决方案，如痕量金属元素及无机元素杂质检测方案、痕量离子态杂质检测方案、RoHS解决方案、环境安全解决方案，全方位满足分析需求。 在正举办的中国国际半导体设备和材料展（ SENICON CHINA）上，赛默飞推出了新品Thermo Scientifi-c™ iCAP™ TQs ICP MS。 电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）可以轻松实现高纯试剂（清洗剂和刻蚀剂）中痕量元素杂质实验室和在线分析、单晶硅锭和晶圆中痕量元素分析、wafer 表面痕量元素分析 及RoHS 指令中铅（Pb）、镉（Cd）、汞（Hg）、六价铬（Cr ( VI )）等重金属元素的测定。 而iCAP TQs ICP MS是信誉卓著的iCAP TQ ICP-MS的专用半导体版本。它提供了超高纯度化学品中快速、可靠和可重复的低水平污染物测量，以支持先进半导体生产过程的自动化在线监测和统计过程控制。在一个高性能解决方案中提供了新的超低检测水平和简单性。有了这个新系统，如今将化学分析从实验室移到工厂成为可能，并支持对化学浴进行在线控制，从而优化响应时间。 提问iCAP TQs ICP-MS功能如此强大，能解决哪些技术难题呢？01痕量金属及无机元素杂质检测方案 （1）VPD 溶液的分析气相分解- 电感耦合等离子体质谱联用（VPD-ICP-MS）法，具有业界所需的检测限和稳定性，测试结果快速可靠，广泛应用于硅晶片的测试，硅晶片的纯度一般要求在99.9999999%以上。纯度要求如此之高，这就到了ICP-MS 大显身手的时候了！VPD 样品中含有高含量的酸和硅基体，并且目标检测元素的含量通常也非常低，由于基体溶液会产生大量的多原子离子干扰（如表一所示），所以说VPD 溶液的测试是极具挑战性的。为了得到更加精确的结果，干扰的去除是非常必要的，比如使用串接式等ICP-MS，高分辨ICP-MS 和使用碰撞反应池等技术。 （2）半导体级异丙醇的分析异丙醇（IPA）用清洗硅片的溶剂时，会与硅片表面直接接触，因此，必须控制其痕量金属杂质浓度。采用灵敏高的ICP-MS 技术直接分析IPA 可为IPA 中超痕量分析物（ng ? L-1）提供有用的控制，并避免由样品制备引起的污染。ICAP TQs ICP-MS 结合了三重四极杆和冷等离子体技术，该高度灵活的方法实现了半导体行业分析所需的超痕量背景等效浓度（BEC）和检测限（LOD）。校正数据图 4 显示了 IPA 中 Li、P、K、Ti、As、Zr 和 Ta 的校正曲线。采用校正标准品在 ngL-1 级水平范围内测得的校正曲线呈现出优异的线性和灵敏度。通过三重四极杆模式和冷等离子体得到改善的干扰去除可实现更具挑战性分析物的低背景噪声。 02 RoHS 解决方案赛默飞为RoHS指令中的有害物质多溴联苯、多溴二苯醚阻燃剂、邻苯二甲酸酯和多环芳烃等有害物质的测定提供加速溶剂萃取（ASE）前处理、气相色谱（GC）、气相色谱- 质谱联用仪（GC-MS）和高效液相色谱仪（HPLC）等检测技术，并提供原子吸收光谱仪（AAS）、电感耦合等离子发射光谱仪（ICP-OES）、电感耦合等离子体- 质谱仪（ICP-MS）和离子色谱仪（IC）用于测定镉、铅和汞，分离并测定六价铬。具体详情可参考《RoHS 指令检测产品及技术——色谱质谱及光谱仪综合解决方案》或与我们联系。

SEMICON China 2021 将于2021年3月17-19日在上海新国际博览中心N1-N5、T1-T3和E7馆盛大举行。海内外半导体产业链的领军企业齐聚一堂，囊括当今世界上半导体制造领域主要的设备及材料厂商，共同探讨前沿技术，一同进步。01品牌联盟，首次联合参展阿美特克半导体品牌联盟，首次联合参展，届时将为大家现场分享完善的半导体行业先进技术解决方案。1时间：2021年3月17-19日2展馆： 上海新国际博览中心3展位： N5.5489阿美特克——电子仪器和机电设备的全球领导者，深耕半导体行业多年，深入渗透半导体产业链，涵盖过程控制与检测，精密运动控制、封装材料，超精密测量、材料阻隔性、温度测量，材料分析，老化测试以及力学测试等不同应用领域，覆盖半导体单晶硅片等基材制造，前道工艺、过程控制与检测以及后道工艺等。02展会现场直播还在为不能到现场而遗憾吗？阿美特克懂你！阿美特克线上云直播，2021年3月17-19日每天14：00开始，连续3天，每天半个小时，让你亲临现场！识别下方二维码，提前关注直播内容03网络研讨会想要了解更多怎么办？不用急！展会之后，我们有专业的工程师线上为大家详细讲解半导体行业解决方案！内容预告，请关注“阿美特克”微信公众号04现场下载资料礼包此次展会，我们准备充分，我们诚意满满，除了带来半导体行业解决方案，展会现场直接扫码还可以直接下载资料礼包噢干货满满~温馨提示：详情可以直接咨询现场工作人员~05展区位置

p 　　新型亚微米与纳米级XRM系统及新型microCT系统为失效分析提供了灵活选择,帮助客户加速技术发展,提高先进半导体封装的组装产量。 /p p 　　 strong 加州普莱斯顿与德国上科亨,2019年3月12日 /strong --蔡司发布了一套新型高分辨率3D X射线成像解决方案,用于包括2.5/3D与扩散型晶圆级封装在内的先进半导体封装的失效分析(FA)。蔡司X射线显微系统包括:通过亚微米级和纳米级高分辨率成像对封装产品进行失效分析的 a href=" https://www.instrument.com.cn/news/20190124/479353.shtml" target=" _blank" style=" color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline " strong span style=" color: rgb(0, 176, 240) " Xradia 600 Versa系列 /span /strong /a 和 Xradia 800 Ultra X射线显微镜(XRM),以及Xradia Context microCT。随着在现有产品基础上新设备的研发推出,现如今,蔡司可以为半导体行业提供一系列3D X射线成像技术辅助生产。 /p p 　　蔡司制程控制解决方案(PCS)部门与蔡司SMT部门总裁Raj Jammy博士介绍说:“在170年的历史中,蔡司始终致力于拓展科学研究的疆域,推动成像技术的发展,以实现新的工业应用和技术创新。在今天的半导体行业,封装尺寸与器件尺寸越做越小,因此我们比以往任何时候都更需要新型成像解决方案,用于快速排除故障,实现更高的封装产量。蔡司很荣幸宣布推出这一新型先进半导体封装3D X射线成像解决方案,为客户提供强大的高分辨率成像分析设备,以提高失效分析准确率。” /p p 　　 strong 先进封装技术需要新型缺陷检测与失效分析的方法 /strong /p p 　　随着半导体产业面临CMOS微缩极限的挑战,人们需要通过半导体封装技术弥合性能上的差距。为了继续生产更小巧、更快速、更低功耗的器件,半导体行业正在通过芯片的3D堆叠和其他新型封装方式尝试封装创新。这些创新催生了日益复杂的封装架构,带来了新的制造挑战,同时也增加了封装故障的风险。此外,由于发生故障的位置往往隐藏于复杂的三维结构之中,传统的故障位置确认方法难以满足高效分析的需求。行业需要新型技术来有效地筛选和确定产生故障的根本原因。 /p p 　　为满足这一需求,蔡司开发出全新3D X射线成像解决方案,提供亚微米与纳米级3D图像,显示出隐藏于完整的封装3D结构中的特性与缺陷。将样品置于系统,样品在光路中旋转,从不同角度捕捉一系列2D X射线投影图像,然后使用复杂的数学模型和算法重建3D模型。新型解决方案可以从任意角度观察3D模型虚拟切片,从而在进行物理失效分析(PFA)之前对缺陷进行三维可视化。蔡司亚微米和纳米级XRM解决方案相结合,为客户提供独特的故障分析工作流程,有助于显著提高失效分析成功率。蔡司的新型Xradia Context microCT采用基于投影的几何放大技术,在大视场中实现高衬度和高分辨率成像,而且也可以全面升级至Xradia Versa X射线显微镜。 /p p 　 strong 　新型成像解决方案详解 /strong /p p 　　 a href=" https://www.instrument.com.cn/news/20190124/479353.shtml" target=" _blank" style=" color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " strong Xradia 600 Versa /strong /span /a 系列是新一代3D XRM,能够在完整的已封装半导体器件中对已定位的缺陷进行无损成像。在结构化分析和失效分析应用中,新型解决方案在制程开发、良率提升和工艺分析等方面表现出色。Xradia 600 Versa系列以屡获殊荣且具有大工作距离高分辨率(RAAD)特性的Versa X射线显微镜为基础,提供优异的成像性能,实现大工作距离下的大样品的高分辨率成像,用于为封装、电路板和300毫米晶圆生产确定产生缺陷与故障的原因。利用该解决方案,可以轻松看到与封装级故障相关的缺陷,例如凸块或微型凸块中的裂纹、焊料润湿或硅通孔(TSV)空隙。在进行物理失效分析之前对缺陷进行3D可视化处理,有助于减少伪影,提供横纵方向的虚拟切片效果,从而提高失效分析成功率。新型解决方案的主要特性包括: /p p 　　◆最高空间分辨率0.5微米,最小体素40纳米 /p p 　　◆与Xradia 500 Versa系列相比, 工作效率提高了两倍,且在保证高分辨率的同时,在整个kV(电压)和功率范围内保持出色的X射线源焦点尺寸稳定性与热稳定性 /p p 　　◆更加简便易用,包括快速激活源 /p p 　　◆可靠性测试中可实现多个位点连续成像,并能观察封装结构内部亚微米结构变化 /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201903/uepic/fcb3b14e-afb6-4859-b117-ade3ce9e1694.jpg" title=" 1.jpg" alt=" 1.jpg" / /p p 　　 strong Xradia 800 Ultra /strong 将3D XRM提升至纳米级尺度,并在纳米尺寸下探索隐藏的特性,获得高空间分辨率图像的同时保持感兴趣区域的结构完整性。其应用包括超密间距覆晶与凸块连接的工艺分析、结构分析和缺陷分析,从而改进超密间距封装与后段制程(BEOL)互连的工艺改进。Xradia 800 Ultra能够对密间距铜柱微凸块中的金属间化合物所消耗焊料的结构和体积进行可视化。在成像过程中保留缺陷部位,有助于采用其他技术进行针对性的后期分析。还可以利用3D图像来表征盲孔组件(blind assemblies)的结构质量,例如晶圆对晶圆键合互连与直接混合键合等。该解决方案的主要特性包括: /p p 　　◆空间分辨率150纳米与50纳米(需要制备样品) /p p 　　◆选配皮秒激光样品制备工具,能够在一小时内提取完整体积(结构)样品(通常直径为100微米) /p p 　　◆兼容多种后续分析方法,包括透射电子显微镜(TEM)、能量色散X射线谱(EDS)、原子力显微镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)和纳米探针 /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201903/uepic/52ac92be-9189-4c80-bd09-b60d7bb9da1b.jpg" title=" 2.jpg" alt=" 2.jpg" / /p p 　　 strong Xradia Context microCT /strong 是一种基于Versa平台的新型亚微米分辨率3D X射线microCT系统。该解决方案用于封装产品在小工作距离和高通量下进行高分辨率成像。主要特性包括: /p p 　　◆在大视场下提供大样品的全视场成像(体积比Xradia Versa XRM系统大10倍) /p p 　　◆小像素尺寸的高像素密度探测器(六百万像素)即使在观察视野较大的情况下也能确保较高分辨率 /p p 　　◆X射线microCT拥有空间分辨率0.95微米,最小体素0.5微米 /p p 　　◆出色的图像质量与衬度 /p p 　　◆可升级为Xradia Versa,实现RaaD功能,对完整大样品进行高分辨率成像 /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201903/uepic/a444699e-2096-43cc-a3ed-3471855ecc79.jpg" title=" 3.jpg" alt=" 3.jpg" / /p p 　　上海新国际博览中心即将于3月20日至22日举办中国半导体展(SEMICON China),蔡司将在展会上展示最新显微镜产品和解决方案,包括新型Xradia 600 Versa系列、Xradia 800 Ultra和Xradia Context microCT系统。如有意了解详情,您可到N2展厅2619号展位参观蔡司展品。 /p p 　　 strong 关于蔡司 /strong /p p 　　蔡司是全球光学和光电领域的先锋。上个财年度,蔡司集团旗下四个部门的总收入超过58亿欧元,包括工业质量与研究、医疗技术、消费市场,以及半导体制造技术(截止:2018年9月30日)。 /p p 　　蔡司为客户开发、生产和分销用于工业测量与质量控制的创新解决方案,用于生命科学和材料研究的显微镜解决方案,以及用于眼科和显微外科诊断与治疗的医疗技术解决方案。在半导体行业,“蔡司”已成为世界优秀的光学光刻技术的代名词,该技术被芯片行业用于制造半导体元件。眼镜镜片、照相机镜片和双筒望远镜等引领行业潮流的蔡司产品正在全球市场热销。 /p p 　　凭借与数字化、医疗保健和智能生产等未来增长领域相结合的投资组合,以及强大的品牌,蔡司正在塑造光学和光电行业以外的未来。该公司在研发方面的重大、可持续投资为蔡司技术和市场成功保持领先地位和持续扩张奠定了基础。 /p p 　　蔡司拥有约30,000名员工,活跃于全球近50个国家,拥有约60家自有销售和服务公司、30多家生产基地和约25家开发基地。公司于1846年创办于耶拿(Jena),总部位于德国上科亨。卡尔· 蔡司基金会(Carl Zeiss Foundation)是德国最大的基金会之一,致力于促进科学发展,是控股公司卡尔· 蔡司股份公司的唯一所有者。 /p

2019年3月21日，上海——科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技（以下简称：赛默飞）亮相于上海举办的SEMICON CHINA 2019展会，现场发布展示了其最新一代的产品及半导体综合解决方案，新品致力于提高工厂及分析性实验室效率，进一步助力中国半导体事业的发展。赛默飞亮相SEMICON CHINA 2019展会现场自2014年6月《国家集成电路产业发展推进纲要》正式发布，中国的半导体行业拉开了高速发展的序幕。近年来，应用可编程芯片(FPGA)、人工智能云端以及边缘运算端芯片等一系列前沿技术的半导体新产品开发正如火如荼地进行——半导体产业的技术节点也在不断提高，实现更先进的制程工艺、更高的良率、更大的产能成为半导体行业迫切需要面对和解决的问题。赛默飞中国区总裁艾礼德（Tony Acciarito）表示：“新兴技术市场趋势以及政策支持正为中国半导体和电子科技产业带来了前所未有的机遇，秉持‘扎根中国、服务中国’的发展战略，我们期待利用自身在半导体行业的丰富经验及优势，携手本土合作伙伴，共同推动中国半导产业的发展和创新。”在此次SEMICON CHINA 2019上，赛默飞从多个维度综合展现了其在实验室方案、失效分析、环境分析以及生产支持方面的综合能力以及一体化解决方案。其中以Thermo Scientific™ Helios 5为代表的一众新品，也通过SEMICON CHINA 2019这个绝佳的平台第一次在中国与业界的朋友们见面。Thermo Scientific™ Helios 5赛默飞首发推出最新一代Thermo Scientific™ Helios 5，这款全新的先进的小型聚焦离子束扫描电子显微镜将用于纳米材料的表征和分析。Helios 5产品系列的发布解决了目前越来越多的半导体技术挑战，包括更小的几何形状，3D结构，新材料和大量的分析样品以提高产量和根本原因分析。随着半导体产业从7nm技术节点转向5nm技术节点，Helios 5 TEM和Atom Probe样品制备软件提高对最先进的原子级的结构和成分信息的获得能力。它可以在纳米尺度上实现最高质量的表面和3D信息，并且可以最精确地定位感兴趣的区域。赛默飞最新一代Thermo Scientific™ Helios 5Thermo Scientific™ ELITE™ 系统近几年来，半导体工业已经普遍接受使用ELITE (Enhanced Lock In Thermal Emission) 实现电性失效分析定位的工作。ELITE具有极佳的灵敏度，可以帮助传统EMMI / OBIRCH 检测的不足。ELITE 还可以作为非破坏性检测，对于封装后的元件，分析失效点深度的位置。除了先进制程和封装的需求，针对功率元件在车用电子的应用，ELITE还支持高电压的测试。工程师现场讲解及演示Thermo Scientific™ ELITE™ 系统Thermo Scientific™ Nicolet™ iG50 FT-IR 光谱仪赛默飞Nicolet旗下 iS50/iG50 系列硅片分析系统为硅片的研究或者大规模制造的质量控制提供了灵活强大的解决方案。 Nicolet iS50/iG50 系列硅片分析系统主要可以应用于氧、碳含量分析以及外延层 （EPI） 厚度测量。除此之外，iS50/iG50还可以应用于钝化层分析，例如：PSG、BSG、PBSG 中 PB 含量、Si中H的含量测定以及FSG。Thermo Scientific™ Nicolet™ iG50Thermo Scientific™ Nicolet™ iN10 光谱仪赛默飞Nicolet旗下 iN10是一种直观、创新、集成的一体化傅里叶变换显微红外光谱仪，具有安装简便、性能卓越、光谱质量高的特点。Nicolet iN10 显微红外光谱仪在半导体微电子领域主要应用于：固化胶的固化率测定、电子材料的分析与表征、显示材料的剖析与表征以及异物分析。Thermo Scientific™ Nicolet™ iN10Thermo Scientific™ iCAP™ TQs ICP-MS支持三重四极杆技术的 Thermo Scientific™ iCAP™ TQs ICP-MS 是一种高性能 ICP-MS，适用于在与半导体行业相关的多种挑战性基质中进行痕量元素超痕量定量检测。在不牺牲其作为灵敏、易用的工作台仪器所具备的检测能力的前提下，具有三重四极杆技术出色的干扰去除能力，可更好地对各种最具挑战性的基质中的元素杂质进行检测。由于 iCAP TQs ICP-MS 占地面积小，加上具有简化的工作流程并支持自动化方法开发而特别易于使用，使其成为用于确保关键生产工艺一致性和提高半导体硅片加工产量而进行在线质量控制的理想检查工具。Thermo Scientific™ iCAP™ TQs ICP-MSThermo Scientific™ NESLAB ThermoFlex 系列性能可靠的多用途制热/冷却恒温循环器，可为需要的小型实验室到大型工业过程，提供制热/冷却恒温循环的关键应用，最高可达24000瓦的制热/冷却恒温循环能力。本产品提供创新平台，可配置的设计，易于操作，以及卓越的性能。Thermo Scientific™ NESLAB ThermoFlexThermo Scientific™ Phenom™ ProXThermo Fisher Scientific 飞纳台式扫描电镜是半导体行业中高效的检测分析仪器。主要用于工业质量控制、缺陷分析和产品研发。可以选配 飞纳自动倾斜旋转样品杯或 U 中心样品杯观察半导体样品。通过倾斜旋转样品，能够展现独特的3D图像，分析样品上的隐藏特征，帮助用户把控产品质量。Thermo Scientific™ Phenom™ ProX展会现场，赛默飞展示了ELITE的实体机器并进行了DEMO演示，吸引了大批专业及相关人士的驻足了解问询。数量众多的同行以及访客在展台现场聆听了现场工程师讲解赛默飞在半导体行业的综合解决方案，并共同分享探讨了半导体行业内的前沿技术与最新市场动态。

近日，西安炬光科技股份有限公司（以下简称“炬光科技”）在合肥高新区投资的泛半导体制程光子应用解决方案产业基地项目取得《建筑工程施工许可证》，现场同步开工建设。据了解，该项目位于合肥高新区创新大道与柏堰湾路交口东北角，占地面积约39.8亩，计划投资5亿元，建设总建筑面积约7.9万平方米的3栋生产厂房及配套设施。炬光科技表示，将利用其在泛半导体应用领域积累的技术优势和丰富的产品开发经验，在合肥布局固体激光剥离LLO、Mini/Micro LED激光线光斑Reflow、半导体集成电路晶圆退火等公司现有的泛半导体业务以及太阳能电池应用、平板显示固体激光退火SLA、半导体集成电路制程等正在开发的新业务。据公开资料显示，炬光科技成立于2007年，主要从事光子行业上游的高功率半导体激光元器件和原材料、激光光学元器件的研发、生产和销售，重点布局汽车应用、泛半导体制程、医疗健康三大应用方向，向不同客户提供上游核心元器件和中游光子应用解决方案。其中，在泛半导体制程方面，炬光科技布局芯片制程、芯片先进封装激光辅助键合、新型显示三大领域，在新型显示领域已完成Mini LED Repair激光系统的产品迭代开发，同时推进面向客户需求的Micro LED巨量转移激光系统的设计，进入产品开发阶段。发展战略方面，炬光科技形成了以中国为总部、国际化经营的业务布局及发展战略。目前公司在国际化运营方面已经具有经验。截至2023年年底，公司境外资产4.27亿元，占总资产的16.23%。近年来，炬光科技凭借丰富的国际化运营经验，先后成功收购多个国际企业业务。具体包括，2017年，炬光科技成功并购LIMO GmbH，后者是一家位于德国多特蒙德的全球领先微光学和光束整形解决方案制造商；2022年，以3.5亿元人民币收购韩国显示面板及光刻掩膜检测和激光修复技术的设备提供商——COWIN 100%股权。今年，炬光科技又发布了两项重大收购。1月份，炬光科技完成对瑞士微纳光学元器件企业SUSS MicroOptics SA 100%股权的收购，快速提升公司在汽车投影照明领域的发展速度；5月份，宣布拟5000万欧元收购ams OSRAM被动光学元件资产，加速进入汽车照明、消费电子、内窥镜等领域。

2023年6月29日，半导体和电子行业年度盛会SEMICON China 2023在上海新国际博览中心隆重举行。展会现场，无锡日联科技股份有限公司（展位号：E7507）也携最新半导体相关技术解决方案亮相E7馆。展会期间，日联科技向仪器信息网展示了他们在半导体行业的解决方案。以下是现场视频：

上海，2021年3月8日— 以“跨界全球 心芯相联”为主题，SEMICON China 2021 将于2021年3月17-19日在上海新国际博览中心N1-N5、T1-T3和E7馆盛大举行。海内外半导体产业链的领军企业齐聚一堂，囊括当今世界上半导体制造领域主要的设备及材料厂商，共同探讨前沿技术，一同进步。 盛会期间，电子仪器与机电设备的全球领导者阿美特克携旗下众品牌联合参展，共同入驻 N5.5489 展位，带来高效的半导体行业解决方案，覆盖材料分析、超精密测量、材料阻隔性、温度测量、精密运动控制、封装材料、高纯气体分析等，应用涉及从单晶硅片等基材制造，前道工艺、后道工艺，到过程控制与检测等环节。 届时，我们有各品牌的行业专家与到访嘉宾进行学术交流和科研分享，无法亲临展台的客户可提前关注阿美特克微信公众号预约直播，3月17日和18日带你云端逛阿美特克展台。期间，来自阿美特克材料分析部门、超精密测量部门、过程与分析部门、精密运动控制部门、电力系统与仪表部门、测试测量与部门的13个子品牌负责人将为您带来阿美特克半导体行业解决方案介绍。 3月17日 14:00-15:00：CAMECA、NU INSTRUMENTS、GATAN & EDAX 3月18日 10:00-11:00，超精密测量 - 材料阻隔性 - 高纯气体分析 （ZYGO、TAYLOR HOBSON和TMC、MOCON、PROCESS INSTRUMENTS） 3月18日 14:00 -15:00：精密运动控制 - 老化测试 - 力学测试 （HAYDON KERK PITTMAN、PROGRAMMABLE POWER、STC、ATLAS）识别下方二维码，提前关注直播内容 欢迎大家莅临阿美特克展位N5.5489，现场签到领取精美礼品。 关于阿美特克阿美特克是电子仪器和机电设备的全球领导者，年销售额约为50亿美金。为材料分析、超精密测量、过程分析、测试测量与通讯、电力系统与仪器、仪表与专用控制、精密运动控制、电子元器件与封装、特种金属产品等领域提供技术解决方案。全球共有18,000多名员工，150多家工厂，在美国及其它30多个国家设立了100多个销售及服务中心。

3月17日， 一年一度的SEMICON China国际半导体展在上海新国际博览中心盛大开幕。北京中科科仪股份有限公司作为集成电路装备核心零部件领先供应商携多款产品参加了本次展会，向业内专家和广大客户展示了半导体设备国产化解决方案。01芯片制程关键工艺装备核心零部件——磁悬浮分子泵作为国内真空行业的领军者，中科科仪承担了国家科技部重大科学设备开发专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项中“磁浮分子泵系列产品开发与产业化”项目，经过技术攻关，2011年成功开发出我国第一台磁悬浮分子泵。目前，北京中科科仪股份有限公司磁悬浮分子泵经过技术迭代，产品稳定性、可靠性得到了大幅提升，已在高端镀膜、第三代半导体材料制备领域实现了批量销售，并在芯片制造核心工艺如刻蚀、离子注入设备中实现了长期无故障运行，为我国集成电路装备核心零部件国产化提供了有效解决方案。02芯片量测及缺陷检测设备——场发射枪扫描电子显微镜作为国内尖端科学仪器领军者，中科科仪自1975年开发出我国第一台电子扫描显微镜开始，累计在电子光学领域耕耘了四十多年，开发出多款扫描电子显微镜，是国内唯一一家规模产业化研制销售扫描电子显微镜的供应商，积累了深厚的技术功底和广泛的客户群体。中科科仪最新推出的肖特基场发射枪扫描电子显微镜，达到国际一流技术水平，具有完成自主知识产权。场发射枪扫描电子显微镜的推出，打破了国外技术垄断，解决了我国半导体等高端装备制造领域检测设备依赖进口的“卡脖子”问题，在芯片量测、缺陷检测、工艺研究等方面有着广泛的应用。本次SEMICON China国际半导体展近1100家展商参加，覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料供应商等全产业链，并组织了先进材料、先进制造、先进封装等多个技术论坛，是全球规模最大的半导体盛会，为国内外同行搭建了探讨前沿技术和行业发展趋势的交流平台，为中国半导体产业的持续健康发展做出了不可或缺的贡献。而中科科仪作为半导体设备供应商也凭借着自身多年来在真空和电子光学领域的技术积淀，以国家队、国家人的使命担当，以攻坚克难、敢为人先的气魄，不断突破关键核心技术，为我国科技自立自强做出应有的贡献！

4月9日，南京镭芯光电半导体产业基地投产仪式在南京江北新区研创园举办。据悉，南京镭芯光电有限公司致力于开发和制造最先进的半导体激光器件、应用于通讯、材料加工和激光雷达等领域。镭芯光电CEO卢波介绍，目前，项目一期投资已超4亿元，办公区域占地面积约1000平方米，在建实验室、厂房面积约4800平方米，项目达产后预计产能可达年产百万颗芯片。此次产业基地正式投产，致力于在高端半导体激光领域提供更多解决方案，填补国内高端光电子器件的空白。图片来源：南京江北新区产业技术研创园企查查显示，南京镭芯光电有限公司成立日期为2019年9月5日。南京江北新区产业技术研创园消息显示，镭芯光电从落户新区，到现在开工投产，仅用时18个月。该产业基地的正式投产，将助力南京江北新区成为国内光电芯片领域的开拓者和引领者，为新区光电子产业发展带来新的机遇。2019年10月21日，镭芯光电项目落户南京江北新区研创园签约仪式举行。据当时报道，该项目团队在光电芯片研究领域早有建树。同时报道称，镭芯光电聚焦半导体光电器件在工业、生物医药等方面的应用，计划用3-5年左右时间，规模化生产芯片、泵浦、光纤和其他相关产品，8-10年左右形成百亿级业务规模。10-15年进入全球光电子行业领先地位。此前，南京江北产业技术研创园发布了2020年度集成电路新锐企业奖，南京镭芯光电有限公司也位列其中。

半导体材料无机非金属离子和金属元素解决方案——光刻胶篇李小波 潘广文 近年来，随着物联网、人工智能、新能源汽车、消费类电子等领域的应用持续增长以及5G的到来，集成电路（integrated circuit）产业发展正迎来新的契机。集成电路制造过程中，光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，是半导体制造中最核心的工艺。涉及到的材料包括多种溶剂、酸、碱、高纯有机试剂、高纯气体等。在所有试剂中，光刻胶的技术要求最高。赛默飞凭借其在离子色谱和ICPMS的技术实力，不断开发光刻胶及光刻相关材料中痕量无机非金属离子和金属离子的检测方案，助力光刻胶产品国产化进程。从光刻胶溶剂、聚体、显影液等全产业链，帮助半导体客户建立起完整的质量控制体系。 光刻胶是什么？光刻胶又称抗刻蚀剂，是半导体行业的图形转移介质，由感光剂、聚合物、溶剂和添加剂等四种基本成分组成。将光刻胶旋涂在晶圆表面，利用光照反应后光刻胶溶解度不同而将掩膜版图形转移到晶圆表面，实现晶圆表面的微细图形化。根据光刻机的曝光波长不同，光刻胶种类也不同。 光刻相关材料光刻相关材料主要有溶剂、显影剂、清洗剂、刻蚀剂和去胶剂，这些材料被称为高纯湿电子化学品，是集成电路行业应用非常广泛的一类化学试剂。光刻胶常用溶剂有丙二醇甲醚/丙二醇甲醚醋酸酯（PGME/PGMEA）、甲醇、异丙醇、丙酮和N-甲基吡咯烷酮（NMP）等。常见的正胶显影剂有氢氧化钠和四甲基氢氧化铵等，对应的清洗剂是超纯水。 光刻胶及光刻相关材料中金属离子、非金属阴离子对集成电路的影响半导体材料拥有独特的电性能和物理性能，这些性能使得半导体器件和电路具有独特的功能。但半导体材料也容易被污染损害，细微的污染都可能改变半导体的性质。通常光刻胶、显影液和溶剂中无机非金属离子和金属杂质的限量控制在ppb级别，控制和监测光刻工艺中无机非金属离子和金属离子的含量，是集成电路产业链中非常重要的环节。 光刻胶及光刻相关材料中无机金属离子、非金属离子的测定方法国际半导体设备和材料产业协会（Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI）对光刻胶、光刻工艺中使用的显影剂、清洗剂、刻蚀剂和去胶剂等制定了严格的无机金属离子和非金属离子的限量要求和检测方法。离子色谱是测定无机非金属离子杂质（F-、Cl-、NO2- 、Br-、NO3- 、SO42-、PO43-、NH4+）最常用的方法。在SEMI标准中，首推用离子色谱测定无机非金属离子，用ICPMS测定金属元素。赛默飞凭借其离子色谱和ICPMS的领先技术，紧扣SEMI标准，为半导体客户提供简单、快速和准确的光刻胶和光刻相关材料中无机金属离子和非金属离子的检测方案，确保半导体产业的发展和升级顺利进行。针对光刻胶及光刻相关材料中痕量无机非金属离子和金属元素的分析，赛默飞离子色谱和ICPMS提供三大解决方案。 方案一 NMP、PGMEA、DMSO等有机溶剂中痕量无机金属和非金属离子的测定方案 光刻胶所用有机溶剂中无机非金属离子的限量要求低至ppb~ppm级别。赛默飞离子色谱提供有机溶剂直接进样的方式，通过谱睿技术在线去除有机基质，一针进样同时分析SEMI标准要求监控的无机非金属离子。整个分析过程无需配制任何淋洗液和再生液，方法高效稳定便捷，避免了试剂、环境、人员等因素可能引入的污染。ICS 6000高压离子色谱有机试剂阀切换流路图 滑动查看更多 光刻胶溶剂中ng/L级超痕量金属杂质的测定，要求将有机溶剂直接进样避免因样品制备过程引起的污染。由于 PGMEA 和 NMP具有高挥发性和高碳含量，其基质对ICPMS分析会引入严重的多原子离子干扰，并对等离子体带来高负载。iCAP TQs ICP-MS 中采用等离子体辅助加氧除碳，并结合冷等离子体、串联四级杆和碰撞反应技术，可有效去除干扰。变频阻抗式匹配的RF发生器设计，可轻松应对有机溶剂直接进样，并可实现冷焰和热焰模式的稳定切换。 冷焰TQ-NH3模式测定NMP中Mg热焰TQ-O2模式测定NMP中V NMP、PGMEA有机溶剂直接进样等离子体状态未加氧（左），加氧（右） 方案二 显影液中无机金属离子及非金属离子测定方案 光刻工艺中常用的正胶显影液是氢氧化钠和四甲基氢氧化铵，对于这两大碱性试剂赛默飞推出强大的在线中和技术，样品仅需稀释2倍或无需稀释直接进样，避免了样品前处理引入的误差和污染，对此类样品中阴离子的定量限达到10ppb以下。这一方法帮助多家高纯试剂客户解决了碱液检测的技术难题，将该领域的高纯试剂纯度提升到国际先进水平。中和器工作原理四甲基氢氧化铵TMAH是具有强碱性的有机物，作为显影液的TMAH常用浓度为2.38%, 为了避免样品处理中引入的污染，ICPMS通常采用直接进样方式测定。在高温下长时间进样碱性样品，会导致腐蚀石英炬管，引起测定空白值的提高。iCAP TQs使用最新设计的SiN陶瓷材料Plus Torch，耐强酸强碱，可一劳永逸地解决碱性样品中痕量金属离子的测定。新型等离子体炬管Plus Torch 方案三 光刻胶单体和聚体中卤素及金属离子测定方案 光刻胶单体和聚体不溶于水，虽溶于有机试剂但容易析出，常规方法难以去除基质影响。赛默飞推出CIC在线燃烧离子色谱-测定单体和聚体中的卤素，通过燃烧，光刻胶样品基质被完全消除，实现一次进样同时分析样品中的所有卤素含量。燃烧过程实时监控，测定结果准确稳定，满足光刻胶中痕量卤素的限量要求。图 CIC燃烧离子色谱仪SEMI P32标准使用原子吸收、ICP光谱和ICP质谱法来测定光刻胶中ppb级的Al Ca Cr 等10种金属杂质，样品前处理可采用溶剂溶解和干法灰化酸提取两种方法。溶剂溶解法是使用PGMEA等有机溶剂将样品稀释50-200倍，超声波振荡充分溶解后，直接进样测定。部分聚合物较难溶解于有机溶剂中，将采用500-800度干法灰化处理，并用硝酸溶解残留物提取。iCAP TQs采用在样品中添加内标工作曲线法测定，对于不同基质样品及处理方法的样品可提供准确的测定结果。 总结 针对集成电路用光刻胶及光刻相关材料，赛默飞离子色谱和ICPMS提供无机非金属离子和金属离子杂质检测的完整解决方案，为光刻胶及高纯试剂客户提供安全、便捷可控的全方位支持。“胶”相辉映，赛默飞在行动，助力集成电路产业发展，促进光刻胶国产化进程，欢迎来询！ 参考文献：1.SEMI F63-0521 GUIDE FOR ULTRAPURE WATER USED IN SEMICONDUCTOR PROCESSING2.SEMI P32-1104 TEST METHOD FOR DETERMINATION OF TRACE METALS IN PHOTORESIST3.SEMI C43-1110 SPECIFICATION FOR SODIUM HYDROXIDE, 50% SOLUTION4.SEMI C46-0812 GUIDE FOR 25% TETRAMETHYLAMMONIUM HYDROXIDE5.SEMI C72-0811 GUIDE FOR PROPYLENE-GLYCOL-MONO-METHYL-ETHER (PGME), PROPYLENE-GLYCOL-MONO-METHYL-ETHER-ACETATE (PGMEA) AND THE MIXTURE 70WT% PGME/30WT% PGMEA6.SEMI C33-0213 SPECIFICATIONS FOR n-METHYL 2-PYRROLIDONE7.SEMI C28-0618 SPECIFICATION AND GUIDE FOR HYDROFLUORIC ACID8.SEMI C35-0118 SPECIFICATION AND GUIDE FOR NITRIC ACID9.SEMI C36-1213 SPECIFICATIONS FOR PHOSPHORIC ACID10.SEMI C44-0618 SPECIFICATION AND GUIDE FOR SULFURIC ACID11.SEMI C41-0618 SPECIFICATION AND GUIDE FOR 2-PROPANOL12.EMI C27-0918 SPECIFICATION AND GUIDE FOR HYDROCHLORIC ACID13.SEMI C23-0714 SPECIFICATIONS FOR BUFFERED OXIDE ETCHANTS

随着半导体技术的进步，设备微型化和集成化程度不断提高，对制造环境的要求也越来越高。特别是在先进工艺节点（如7nm、5nm及更小节点）中，高TOC（总有机碳）水平可能导致晶圆表面污染，从而引发缺陷，影响最终产品的性能和良品率。因此，加强TOC监控已成为半导体制造过程中的重要环节。在半导体制作工艺中,80%以上的工序要经过化学处理，而每一道化学处理都离不开超纯水，用于半导体工艺的超纯水，根据美国ASTM D5127-2013（2018）标准，一级电子级别水的TOC通常要求低于5ppb，GB/T 11446.1-2013要求一级电子级水低于20ppb。同时，生产工艺过程中电镀液有机污染物的控制也很重要，不能超过一定的限值（3000-5000ppm）从而保证PCB（印制电路板）的品质。半导体行业TOC分析难点：超纯水中低TOC浓度的准确测定电镀液中高TOC浓度高盐样品的准确测定不同数量级浓度样品不能一次测定维护成本高、耗材贵德国耶拿解决方案：难点突破1：VITA流量管理系统氧化过程中会引起气体流速波动，德国耶拿采用VITA流量控制系统，集成式高性能气体控制盒确保稳定的气体流速，通过电子控制实时调整气体流量计数，有效的补偿流速波动。可以实现高达20ml的大体积进样，显著提高痕量分析范围内测定结果的精密度和灵敏度，检出限低至ppb级别。案例一：超水TOC测定对超纯水样品进行直接测定，SD为0.272 μg/L ,检出限为3SD=0.816 μg/L，远低于国家对一级电子水的限值要求，可以满足超纯水中低TOC含量的准确测定。难点突破2：可靠高效的样品消解系统+高聚焦NDIR检测器高能长效紫外消解系统，采用高能双波长紫外氧化254+185nm波长，更高能量，保证样品完全消解为 CO2。德国耶拿首创的高聚焦NDIR检测器，改变了传统光源需要通过管壁折射后到达检测器的设计，平行光源无机械移动、能量无损失、量程宽，测量范围0-30000mg/L，满足高TOC浓度高盐样品等多种类型样品的测试需求。案例二：电镀液中TOC测定对3个电镀液样品进行直接测定，同时电镀液2#和电镀液3#做100ppm和1000ppm的加标回收率实验，从实验结果可以看出，结果重复性佳，电镀液2#和电镀液3的加标回收率为103%和101%，说明仪器对于高浓度的电镀液能准确测定，耐盐性好。难点突破3：一个测试方法同时连接3条标准曲线为了解决不同梯度样品只能连接一条曲线，或是需要对样品进行稀释和富集的前处理繁琐工作，我们设计了一个测试方法可以同时连接低中高浓度的标准曲线的功能，仪器会自动匹配合适的曲线，使测试结果更加准确可靠；同时，我们也提供同个样品盘选择不同方法的功能，满足您测试的需求，大大减少前处理的时间。难点突破4：少耗材+开放性试剂高能长效紫外灯和高聚焦NDIR检测器，寿命长，低故障，低损耗，低维护。采用半导体物理制冷模块去除水分，无耗材；电路和液体完全分开，客户可以放心自己更换耗材，无需专业工程师上门。测试用到的试剂均为开放试剂，可以自行购买，成本低，经济实惠。综上，德国耶拿multi N/C 总有机碳分析仪是半导体行业品控好帮手，可以有效控制半导体生产过程中TOC水平，维持化学工艺的稳定性，降低因缺陷造成的返工和材料浪费，提高最终产品的性能和良品率。更多精彩敬请期待～

半导体制造工艺电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，碳化硅与氮化镓材料扮演关键性角色,有效降低能耗并提升动力转换效率。牛津通过原子层沉积(ALD)与原子层刻蚀(ALE)技术优化了器件工艺。ALD工艺出色的 AlN/Al2O3/SiO2 钝化薄膜有效降低器件中的阈值电压漂移。而ALE低损伤与原子等级的厚度精准控制更对纳米等级栅槽的形貌达成完美的诠释。 应用案例全自动刻蚀和沉积设备在 3D Sensor 批量生产中的应用原子层沉积（ALD）与原子层刻蚀（ALE）使碳化硅与氮化镓功率器件更高效 提供 MicroLED 芯片制造解决方案 虚拟实境 ARVR 光学衍射组件制造技术 筛选低阈值 FET，用于低功耗低温电子器件半导体结构与表征摩尔“定律”在过去 50 年间持续推动半导体行业向器件小型化趋势发展，对半导体材料、制造工艺和检测技术提出了更高要求。EDS 和 EBSD 技术已被广泛应用于半导体器件的微区结构表征工作，如异物分析、无损膜厚测量、晶粒尺寸分析、应变表征、位错类型及密度分析等。 应用案例研究淀积金属薄膜的晶粒尺寸及均匀性、织构分析化合物半导体外延层中晶体学缺陷的密度对半导体器件中的关键层进行高分辨率元素成像快速分析不同位置薄膜生长表面形貌，提供后续工艺调整方向检测刻蚀前后表面微结构以及表面粗糙度的变化检测半导体晶圆的应力分布GaN 晶体中的应力场 3D 拉曼成像多功能328mm焦长光谱仪，配置UV-NIR探测器，可通过拉曼或者光致发光的方法对晶圆进行应力，翘曲以及缺陷检测

芯片封装，就是把生产出来的集成电路裸片放到一块起承载作用的基板上，再把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。它可以起到保护芯片的作用，相当于是芯片的外壳，不仅能固定、密封芯片，还能增强其电热性能。因此，封装对半导体集成电路而言，非常重要。封装材料通常是环氧基化合物（环氧树脂模塑化合物、底部填充环氧树脂、银芯片粘接环氧树脂、圆顶封装环氧树脂等）。具有优异的热稳定性、尺寸稳定性以及良好户外性能的环氧树脂非常适合此类应用。通常，过程工程师将面临以下问题：a）特定化合物的工艺窗口是什么？b）如何控制这个过程？c）优化的固化条件是什么？d）如何缩短循环时间？珀金埃尔默可为半导体封装行业提供全面的热分析仪解决方案，帮您轻松面对这些问题。DSC 8000/8500TGA 8000STA 6000/8000TMA 4000DMA 8000差示扫描量热法（DSC）■ 表征封装材料的热性能 DSC数据提供了环氧树脂玻璃化转变温度、固化反应的起始温度、固化热量和工艺最终温度的信息。■ 优化制造工艺 玻璃化转变温度是衡量环氧化合物交联密度的良好指标。DSC可用于显示玻璃化转变温度，在给定温度下随固化时间的变化情况（左）。玻璃化转变温度与温度/时间关系曲线，可确定最佳工艺条件（右）。■ 测定焊料合金的熔点 含有3%（重量比）铜（Cu）、银（Ag）或铋（Bi）的锡合金的熔点差别明显热重分析法（TGA）■ 研究脱气性能和热稳定性 TGA结果显示两种材料具有不同的脱气性能。重量损失（脱气）程度越高，表明与引脚框架接触的环氧树脂密封剂的环氧—引脚框架分离概率越高。热机械分析（TMA）■ 测定热膨胀系数、玻璃化转变温度 环氧树脂的TMA曲线。高热膨胀系数可能导致电线过早断裂。不同热膨胀系数之间的拐点可以定义为玻璃化转变温度。动态力学分析（DMA）■ 测量热转变，如玻璃化转变温度、结晶或熔化 PCB的DMA结果■ 测量内应力 DMA结果显示透明模塑化合物的内应力热分析仪是半导体封装行业的重要工具。它们不仅在设计和开发阶段发挥了重要作用，而且还可用于进行故障分析和质量控制。许多标准方法都对热分析的使用进行了描述。珀金埃尔默提供全套热分析仪器和方案，帮助用户优化加工条件并选择合适的材料以满足性能要求，从而确保半导体企业能够生产出高品质的产品。想了解更多详情，请扫描二维码下载完整技术资料。

SEMICON China 2021将于2021年3月17-19日在上海新国际博览中心举办，珀金埃尔默公司作为半导体行业分析检测设备和技术的领先供应商之一，将携解决方案和多款仪器亮相。扫描下方二维码即可一站式下载半导体行业检测解决方案，报名“半导体行业检测技术研讨会”，参与珀金埃尔默展台抽奖。扫描上方二维码即可下载右侧资料➡半导体行业检测解决方案简介珀金埃尔默半导体行业无机元素与纳米颗粒检测方案在半导体器件和化学品制造的分析中，痕量元素杂质的控制对于性能具有至关重要的作用，甚至影响半导体产品的良品率。半导体制造商需要在整个制造过程中拥有检测超痕量污染物的能力，包括晶圆、超纯水、化学试剂、光刻胶、电子特气、封装材料等。半导体工艺的进步，对元素杂质和微粒污染物检测能力提出了更高的要求。珀金埃尔默提供的NexION® 5000 化学高分辨多重四极杆ICP-MS，热等离子体条件下可实现半导体必须元素低于1ppt（SEMI F63-0918) 的背景等效浓度。同时，该仪器可以升级，以满足SEMI S2和S8标准。NexION系列ICP-MS可设置低至10μs的信号读取时间，高精度测定抛光材料中悬浮金属纳米粒子的颗粒浓度、尺寸大小和分布信息，为光刻过程保驾护航。珀金埃尔默半导体行业有机物检测方案半导体行业中使用的有机化合物的纯度杂质影响到相关产品的质量。珀金埃尔默公司Clarus® SQ8气相色谱质谱联用仪具有准确的定性能力和优异的定量精度，是分析有机试剂纯度和杂质的主要分析设备。半导体行业使用的有机试剂也会产生相应的挥发性有机物，对生产和环境造成污染，包括AMC、VOCs等。珀金埃尔默公司热脱附仪与气相色谱质谱联用，可实现洁净室或生产区域内空气的在线或离线采集进样，并检测出低浓度（珀金埃尔默半导体行业材料组份检测方案针对半导体行业的IC封装、显示面板、光伏电池、光学薄膜等领域，珀金埃尔默公司凭借先进的傅里叶变换红外光谱仪、红外显微镜、紫外可见近红外分光光度计、差示扫描量热仪、热机械分析仪等产品，一如既往为客户提供全面的解决方案，可用于测定固化率、固化热、热膨胀系数、透光率、反射率、微观污染物、成分浓度等。半导体行业检测技术研讨会2021年3月17日（周三）下午13:30-16:50上海新国际博览中心N3馆M43会议室（上海市浦东新区龙阳路2345号）日程安排13:30-14:00签到14:00-14:10领导致词14:10-14:50湿电子化学品标准体系介绍和质量要求（主讲人：李春华 上海市计量测试技术研究院）14:50-15:30了解300mm大硅片（主讲人：陈微微 上海新昇半导体科技有限公司）15:30-15:40茶歇15:40-16:10珀金埃尔默在半导体行业的综合检测方案（主讲人：华瑞 博士 珀金埃尔默材料表征应用市场经理）16:10-16:40NexION® 5000在半导体级电子化学品分析中的应用及优势（主讲人：徐俊俊 珀金埃尔默资深技术支持）16:40-16:50互动抽奖环节珀金埃尔默展台期待您莅临展位参观仪器、现场交流，现场签到还可领取精美礼品！展位号：T3337

2018年3月14日-16日，TESCAN中国半导体事业部参展了SEMICON China2018，为半导体行业用户的综合微区分析带来了创新的解决方案。2018年3月14日至16日，由全球半导体设备与材料产业协会中国委员会主办的全球规模最大、规格最高的“国际半导体展SEMICON China2018”在上海新国际博览中心开幕，吸引了国内外1100多家展商参展。国务院参事、中国电子商会会长曲维枝到会致辞，市经济信息化委副主任傅新华出席开幕式并致辞，SIMI全球副总裁、中国区总裁居龙主持开幕式。TESCAN作为专注于微观形貌、结构和成分分析的科学仪器的全球供应商，提出了材料微分析综合解决方案，首创了包括扫描电子显微镜与拉曼光谱一体化技术、聚焦离子束双束扫描电镜与飞行时间二次离子质谱仪一体化技术以及超快速氙等离子聚焦离子束技术。此次，TESCAN中国半导体事业部参展了SEMICON China2018，为半导体行业用户的综合微区分析带来了创新的解决方案。TESCAN现场工作人员与参展观众深入交流就集成电路的失效分析、透射样品制备、电路编辑以及显示器、LED、封装测试等领域微分析的创新技术和应用，TESCAN现场工作人员与参展观众进行了深入的沟通与交流。TESCAN提出了集SEM、FIB、EDS、Raman、TOF-SIMS等多种微区分析手段于一体的综合解决方案能够为半导体行业用户提供更全面、更有价值的微区信息，在半导体H污染、3D膜层厚度分析、物质相鉴定以及材料表面应力分析等方向均有丰富应用。另外，值得一提的是TESCAN 首创的Xe等离子源超高速双束FIB系统，离子束流高达2μA，溅射速率相比传统的Ga离子源高达50倍以上，非常适合于半导体领域用户大尺寸材料去除的应用以及样品的三维重构分析，特别是应用于TSV的半导体封装技术，利用氙等离子双束FIB技术，可以轻松提高加工速度，大大节省用户的时间，TESCAN FERA3 氙等离子源双束FIB系统更是首次实现了FIB加工速度快于EBSD分析速度。TESCAN FERA3氙等离子超高速双束FIB系统展会同期，TESCAN也举办了丰富多彩的现场抽奖活动，吸引参会观众踊跃参与。如欲了解更多半导体领域微区分析综合解决方案，请阅读原文联系我们~TESCAN展台风采掠影如果您对扫描电镜感兴趣或有相关问题咨询欢迎关注"TESCAN公司"中国官网微信↓ 更多阅读，请关注微信“TESCAN公司”查看：荣耀之年，感动常在—TESCAN小蜜蜂们的年会Party！TESCAN学院丨2018年度扫描电镜高阶应用培训计划最新出炉！电镜学堂丨扫描电镜的基本操作 & 分辨率指标详解TESCAN RISE电镜-拉曼一体化系统又双叒叕获奖啦！So easy！四步恢复电镜使用状态，治愈你的“节后综合症”315专题丨真假钻石？揭露那些藏在“美丽”背后的陷进！

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近日，SEMICON China 2019在上海新国际博览中心成功召开，超过1000家来自全球的参展商参与了此次盛会，期间牛津仪器携全套半导体解决方案参展。 span style=" text-indent: 2em " & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp /span /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201903/uepic/6ee41059-a54b-497a-83ab-96c40ed2ffd9.jpg" title=" 1.jpg" alt=" 1.jpg" style=" text-indent: 2em width: 600px height: 292px " width=" 600" height=" 292" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong SEMICON China 2019 牛津仪器展位 /strong /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 本次参展牛津仪器带来了全套半导体材料纳米制造和分析工具解决方案，其中包括了半导体激光器应用的工艺解决方案、功率器件工艺的解决方案、MEMS& amp 传感器的工艺解决方案、生物医学器件的工艺解决方案、整块芯片微观区域成份表征、同一机台多个失效分析、通孔中的晶粒尺寸及微观结构差异表征、PN结中的掺杂元素表征、全新大样品全自动原子力显微镜Jupiter XR表征等多角度全方位的方案应用。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 其中Jupiter XR为牛津仪器3月份刚刚发布的新一代大样品全自动原子力显微镜，据牛津仪器相关负责人介绍，Jupiter XR可以对超过8寸的晶片进行全方位的测试，扫描范围最大可达100微米，扫描速度相比前代产品提高5-20倍，该仪器标配了牛津仪器Asylum Research光热激发blueDrive Tapping扫描模式，能够实现快速稳定成像，从而实现同一根探针连续扫描1000次，粗糙度偏差仅小于1%。“牛津仪器在半导体领域有着全面系统的解决方案。我们有半导体领域的制备设备、能谱检测设备以及快速扫描的全自动大样品原子力显微镜检测设备，具备一个整体综合的解决方案。除了半导体领域，还可以广泛应用于物理、化学、生物、地质等领域。”牛津仪器相关负责人告诉笔者。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 本次参展，牛津仪器还带来了一项重要的概念转型：从lab 到fab。牛津仪器脱胎于牛津大学，以往大部分客户是面向研发的，在学术界拥有卓著的口碑。从lab到Fab，则代表了牛津仪器对工业领域的高度重视。据牛津仪器相关负责人介绍，公司产品整体的性能和解决方案能力已经提升到一个新的台阶上，特别在半导体领域，产品线已经涵盖了制备设备、生产优化、质检分析、 粗糙度分析、失效分析等方方面面。因此公司在扎根科研市场的同时，将更多地从工业应用角度切入，把已有的经验、知识、新技术、拓展到工业大样品领域发展。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201903/uepic/ab65d539-4ddd-4888-84cd-176b1eea9aa8.jpg" title=" 2.jpg" alt=" 2.jpg" width=" 600" height=" 399" border=" 0" vspace=" 0" style=" width: 600px height: 399px " / /p p /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong 牛津仪器参展商合影 /strong /p

Luc Van de hove博士（imce总裁&首席执行官）与Sang-il Park博士（Park原子力显微镜公司总裁）有着先进计量学解决方案的创新型原子力显微镜公司Park以及全球领先的纳米电子研发与创新中心的imec，于2020年2月17日在比利时鲁汶的imec总部正式举行了签约仪式。这是合作双方在4年内签署的第二个联合开发项目（JDP），双方都致力于加大力度研发下一代的在线AFM计量解决方案。 新的JDP扩展了合作关系，以探索适用于晶圆半导体领域的AFM计量解决方案的新领域。第一个JDP成功探索出在线自动原子力显微镜在半导体研究中的强大性能，例如表面粗糙度，临界尺寸（CD）和侧壁粗糙度；而第二个JDP则适用于多个战略性发展，以应对不断缩小规模的当前计量挑战设备和3D组件堆叠的几何尺寸。 “与imec等领先的研究中心合作，对我们能够提供满足研究和工业市场需求的最佳技术解决方案至关重要。我很高兴再次与imec合作，进行此项探索。我也期待着进一步的合作卓有成效。”Park原子力显微镜公司首席执行官Sang-il Park博士评论道。 Kristof Paredis博士（imec研发经理）补充说：“Park公司在过去几年里取得了长足发展，这无疑对我们与Park的共同开发工作有很大帮助。我们刚签署的联合开发项目也展现了我们之间最真诚美好的合作关系。”。 在2015年签署首个JDP后，Park原子力显微镜公司正式加入了imec的工业联盟计划（IIAP），并成为IIAP的重要成员。从那时起，Park和imec中以研究员和工程师为主的跨学科团队夜以继日研发，旨在提高半导体行业的生产良率和器件性能。为了应对越来越精巧化的半导体器件的市场挑战，合作双方将重点放在新型JDP的实际问题解决应用程序上，创新的3D计量学功能将应运而生。微信公众号：帕克原子力显微镜ParkB站学习视频：ParkAFM

精彩亮相2023年9月6日，备受瞩目的第二十届北京分析测试学术报告会暨展览会(BCEIA 2023)在中国国际展览中心（北京顺义）盛大开幕。作为北京莱伯泰科仪器股份有限公司（以下简称莱伯泰科）的第十一次参展，莱伯泰科携带了2023年最新发布的质谱、光谱和全线产品，以及自动智能检测、半导体分析、核素分离等众多行业解决方案，闪耀亮相展会，集中展示了莱伯泰科在科学仪器领域最新的创新成果和实力。莱伯泰科展台展台合影BCEIA 2023莱伯泰科展台精彩亮点一览莱伯泰科发布首款无机元素智能在线分析系统在BCEIA期间，莱伯泰科举办了“智无边界 引领未来--智能自动化释放无限生产力”新品发布会，重磅推出MidiLab9000-E无机元素智能在线分析系统。这一新产品是对莱伯泰科无机元素分析全线产品的一次全新升华，将进一步提高实验效率，释放科研人员的双手。揭幕照片MidiLab9000-E无机元素智能在线分析系统LabMS 5000ICP-MS/MS斩获BCEIA金奖在本次展会期间，LabMS 5000 ICP-MS/MS凭借其创新的软硬件设计和在半导体行业的亮眼表现，从众多竞争对手中脱颖而出，一举斩获BCEIA金奖。LabMS 3000和LabMS 5000两款质谱的加持将进一步加速半导体行业中高端质谱的国产替代进程，为半导体行业客户提供更全面、高效的解决方案，巩固了莱伯泰科在国产高端ICP-MS研发制造领域的地位。BCEIA金奖证书和奖牌LabMS 5000 电感耦合等离子体串联质谱仪（ICP-MS/MS)全自动化核素共沉淀装置及核素萃取分离装置亮相凭借二十多年来在核环保领域的技术积累，莱伯泰科针对核素检测的特殊性，如样品的复杂性、多样性、超微量浓度等，开发了全自动化的共沉淀装置及核素萃取分离装置，结合自主开发的在线设置控制软件，实现了核素的快速分离和制样的集成化与自动化，将放射性核素的分离从传统的全手工、高度依赖操作熟练性、耗时长的化学分析过程中解放出来。Isotope-50C1沉淀装置及核素萃取分离装置分析仪器、前处理设备、耗材、实验室工程全线产品炫目亮相莱伯泰科携带了2023年最新发布的质谱、光谱和全线产品，闪耀亮相展会，集中展示了莱伯泰科在科学仪器领域最新的创新成果和实力。莱伯泰科展台一览莱伯泰科董事长胡克博士接受CCTV采访展会期间，莱伯泰科董事长胡克博士接受了央视记者的采访，分享了他对分析测试技术和实验室科学仪器发展的深刻见解。他还详细介绍了莱伯泰科近年来在自主研发重大仪器设备方面所做的创新项目和取得的重要成绩。莱伯泰科董事长胡克博士接受CCTV采访展台现场精彩回顾精彩瞬间莱伯泰科将持续坚守自主创新的发展理念，通过提供安全可靠的智能自动化实验室设备和解决方案，服务于多领域，不断探索分析化学领域的前沿，为中国科学技术的创新发展贡献最大力量。期待在BCEIA 2025再次相聚！

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 10月15日-16日，中国科学院半导体研究所、仪器信息网联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)，22位业内知名的国内外专家学者聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，进行为期两日的学术交流。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 会议期间，来自默克化工技术（上海）有限公司的高级应用专家李子超分享了电子级水在半导体行业中的应用及解决方案。 /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " script src=" https://p.bokecc.com/player?vid=B2A5F3FC42E9871E9C33DC5901307461& siteid=D9180EE599D5BD46& autoStart=false& width=600& height=350& playerid=621F7722C6B7BD4E& playertype=1" type=" text/javascript" /script /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 据介绍，纯水是实验室应用最广泛的试剂！水中含有大量的污染物，可大致分为有机物（腐殖质、核酸酶、三聚氰胺、PCB）、无机离子（Na sup + /sup /Ca sup 2+ /sup /Fe sup 3+ /sup /SO sub 4 /sub sup 2- /sup /Cl sup - /sup ）、颗粒＆胶体（硅胶体、泥沙、灰尘、管路剥落）、微生物和气体（CO sub 2 /sub 、O sub 2 /sub ），这些污染物的存在可能会导致实验的失败，浪费大量的时间、试剂和原材料。而纯化后的水等级可大致分为实验级纯化水、分析级纯化水和超纯水，其中超纯水还可分出更高一级的电子级水以满足一部分要求更高的仪器或生产工艺需求。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 李子超表示，国内纯水标准体系中GB/T11446规定的电子级水是工业用水的最高规格标准，主要用于电子和半导体工艺过程中。电子级水的高标准对采样、存储与运输、检测频次提出了更高要求，需要注意容器选择、容器清洗、防止污染、贮存与运输等问题，例行检查至少每年一次，当制水条件发生改变时也应进行例行检查。报告中，李子超还介绍了电子级水的水质检测方法、注意事项和检测仪器。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 电子级水在半导体行业主要应用于硅晶圆、湿电子化学品和溅射靶材中。在多晶硅生产中涉及的提纯工艺，多晶硅质量检测中的精密仪器和晶圆清洗都离不开电子级水。半导体对湿电子化学品的微量金属杂质、颗粒粒径和数量、阴离子杂质含量等方面有严格要求，且集成电路线宽越窄，所需标准越高，这对相应的电子级水提出了越来越高的要求。在靶材的生产过程中，靶材原材料纯化提纯过程中的检测和后期靶材的清洗也对电子级水提出了需求。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 报告最后，李子超介绍了Milli-Q的电子级水解决方案。电子级水的制备有一个完整的流程，首先自来水通过Milli-Q HX 70XX可以得到纯化水，进一步利用Super Q纯化可以得到超纯水，最后再利用IQ 7000+ Element纯化即可得到电子级水。值得注意的是，电子级水必须在洁净空间中进行取水，以避免环境干扰。 /p

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 10月15日-16日，中国科学院半导体研究所、仪器信息网联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)，22位业内知名的国内外专家学者聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，进行为期两日的学术交流。 br/ /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 梅特勒托利多是一家全球领先的精密仪器及衡器制造商，全球员工总计16,200名，营业额达30亿美元，市场组织遍布全球40多个国家。在中国，梅特勒托利多在上海、常州、成都都设立了制造基地及研发中心，并拥有了遍布全国的销售及服务网络。iCSMD 2020邀请了梅特勒-托利多的分析仪器产品专家李玉琪，分享梅特勒-托利多为六大类半导体用户提供的各种解决方案实例和应用。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " script src=" https://p.bokecc.com/player?vid=CABA4836C7A6484F9C33DC5901307461& siteid=D9180EE599D5BD46& autoStart=false& width=600& height=350& playerid=621F7722C6B7BD4E& playertype=1" type=" text/javascript" /script /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 据介绍，芯片制造过程中涉及到大量梅特勒-托利多的产品，其用户也可大致分为六类：一是晶圆代工厂，在材料入厂检和中间控制步骤中涉及到天平、滴定仪、KF水分仪、pH计等；二是硅片制造厂商需要使用天平、滴定仪等对研磨液和清洗液进行含量分析；三是电子特气类客户，利用天平和比较器对配器进行称量；四是湿电子化学品客户，通过天平、滴定仪、KF水分仪、密度计和pH计等对一些成分含量进行分析测试和密度测试等；五是光刻胶厂商，使用KF水分仪、热分析仪、DSC和TGA等测定水分和热稳定性等；六是封装材料厂商，需要天平、DSC和TGA等对点胶和材料热性能进行测试。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 李玉琪表示，半导体行业客户在实际仪器应用中面临着精度要求高、在线分析、庞大的数据管理、对接公司系统、安全要求高等痛点。针对这些痛点，梅特勒托利多推出了电位滴定仪，可应于湿电子化学品的含量分析、刻蚀液的分析以及光刻胶中显影液成分和水分含量分析。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 梅特勒-托利多的电位滴定仪具有OneClick一键滴定、LabX软件双通道操作模式、StatuslightTM状态指示灯和声音信号喇叭、Coverup自动揭盖装置、Smart sampleTM实现滴定样品高效安全的无线传输和Smart chemicalTM实现化学试剂对滴定仪对话等功能，成功解决了客户痛点。与此同时，在半导体行业应用中，梅特勒-托利多的电位滴定仪还拥有干扰因素少、智能型滴定过程、易于操作和可扩展性等优势。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 报告最后，李玉琪还介绍了梅特勒-托利多工业称重方案和分析仪表在半导体行业的应用。 /p p br/ /p

2023年6月29日，半导体和电子行业年度盛会SEMICON China 2023在上海新国际博览中心隆重举行。展会现场，Park Systems携原子力显微镜产品亮相E5馆，并向观众展示半导体解决方案。Park Systems展位展会期间，仪器信息网就参会感受、解决方案、行业发展趋势等话题采访了Park Systems中国区销售总裁张家荣先生。以下是现场采访视频：

Vocus ABC 监测仪TOFWERK半导体无尘室中的气态分子污染物（AMCs）对晶圆良率和效率至关重要。一般来说，无尘室中有多种常见污染源的可能，包括通风系统、泄漏、设备故障、清洁试剂和人为排放等。传统监测技术很难全面监测AMC所包含的各种不同种类化合物，且数据分析速率较慢。当晶圆制程向更小尺寸发展，即使痕量浓度（TOFWERK响应速度Vocus ABC监测仪采用实时化学电离飞行时间质谱法，结合专利技术的快速电压极性和试剂离子切换，支持同时多达六种试剂离子的化学电离模式。2秒周期内可对多种AMC进行光谱覆盖。图1展示了Vocus ABC 监测仪的快速响应速度。上插图显示了同时测定的MEK、PGME和PGMEA的浓度，而下图显示了用另一种试剂离子同步测量的甲苯。图1 图1. Vocus ABC监测仪在物种浓度变化时的整体响应时间。图中的x轴表示目标浓度，而Y轴是所选化合物的测量浓度。TOFWERK无碎片软电离AMC在软电离检测条件下几乎不产生离子碎片，从而实现了简化的解谱过程，高准确性的定量分析和未知物定性能力。丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA，108-65-6）、丙二醇甲醚（PGME，107-98-2）和甲乙酮（MEK，78-93-3）在电离过程中通常会产生相似度较高的碎片，用传统的CI质谱仪很难区分。本文图2展示了Vocus ABC监测仪的软电离无碎片分别检测的强大能力。图2. 顺序在ABC检测仪前引入或移除PGMEA、PGME和MEK源，ABC检测仪实现了对这些具有挑战性的化合物的分别检测。因无电离碎片，上述三种物种检测过程无相互干扰。TOFWERK线性响应Vocus ABC监测仪可实时准确地检测出单ppt级别的浓度，与传统技术相比，可实现更大浓度范围的污染检测和管控。表1列出了Vocus ABC监测仪对部分AMC物种的检测下限（LOD），图3和图4则列出了标定的线性度。表1 Vocus ABC对半导体制造相关AMC物种的LOD图3. 甲苯的检测线性范围TOFWERK重现性、准确性图4. 为了证明重现性、准确性和响应时间，MEK、PGME和甲苯的浓度梯度增加后归零，随后重复两次。左Y轴为检测信号，右Y轴为浓度。这3种AMC是经过标气（含12种化合物）稀释后测量的，整体VOC浓度约为1200 ppb。TOFWERK其他应用场景Vocus ABC监测仪适合半导体产业的各种应用场景，包括材料逸出、洁净室多通路监测、瞬时测漏和FOUP污染监控。点击对应链接可查看具体应用。图5是洁净室泄露监测实例，Vocus ABC检测仪全程检测了甲苯和氨气的泄漏过程。图6展示了ISO 5级无尘室中某材料逸出AMC的测量结果。图5. 在ISO 5级的精细化学洁净室中检测到的氨气和甲苯泄漏图6. 在ISO 5级无尘室中的材料脱气。材料用零气不间断冲洗，并经Vocus ABC监测仪直接检测。每个时间序列都同时使用3种不同的化学电离方式，从而光谱监测各种不同种类AMC。

安捷伦是第一个为半导体客户提供高端定制 ICP-MS 型号的厂商，也一直引领 ICP-MS 产品及应用在半导体行业的创新。低温等离子体、串接 ICP-MS......安捷伦与业界密切合作，推出了许多创新成果，以满足半导体行业不断变化的苛刻要求。经过几十年风雨磨砺，凭借不断创新和在高纯和高性能材料方面深厚的专业应用背景，安捷伦为全球半导体制造商提供强力支持的同时，也见证了半导体制程一路发展到 10nm,、7nm......本期向大家介绍，凝结了安捷伦在半导体高纯分析领域几十年的研发成果，并准备了《测量半导体制造中的无机杂质，ICP-MS 应用文集》，供您扫码下载。本期推荐阅读内容半导体行业中的 ICP-MS 和 ICP-MS/MS（第 2-3 页）当今的技术世界高度依赖集成电路 (IC)，其广泛存在于从制造机器人到智能灯泡、从移动电话到汽车和航空航天的各种设备中。硅基 IC 器件由数百万个封装在硅片芯片上的单个晶体管（或开关）制成。该器件由氧化物、多晶硅、氮化硅绝缘体和导电金属互连件的图案层构成。这些层通过“通孔”连接以形成提供所需计算或存储功能的 3D 结构。图 1. 硅片制造典型步骤的简化示意图IC 器件制造中的痕量金属半导体器件制造需要严格控制污染源。业内人士估计，污染造成了约 50% 的产量损失。晶圆衬底或制造过程中使用的化学品可能引入金属污染物，需严格控制。金属污染物之所以令人关注，是因为它们会通过降低介质击穿电压等原因而影响成品器件的电气性能。目前的“10 纳米”几何结构所包含的特征大小仅为 20 世纪 70 年代所制造电路的1/1000 左右。这种尺寸的减小和密度的增加需要同时改进对污染的控制。由此产生了对更高纯度化学品的需求，同时对 ICP-MS 性能也提出了更高的要求。半导体制造中的 ICP-MS当 ICP-MS 在 20 世纪 80 年代问世时，因其高灵敏度、低检测限和多元素检测能力，半导体制造商和化学品供应商对其非常感兴趣。随着“低温等离子体”在 HP 4500 上的开发，ICP-MS 的应用在 20 世纪 90 年代得到快速发展。低温等离子体使 ICP-MS 测定痕量 Na、K、Ca 和 Fe 成为可能，因此半导体制造商和化学品供应商不再需要使用石墨炉 AAS 测量这些元素。ICP-MS 制造商不断改进技术，最近推出了串联四极杆 ICP-MS (ICP-MS/MS)。自 2012 年推出以来，Agilent 8800 ICP-MS/MS 比单四极杆 ICP-MS 提供了更高的灵敏度、更低的背景和更出色的干扰物质控制。这使得监测更多数量的低浓度污染物元素成为可能，包括 Si、P、S 和 Cl 等难以分析的元素。随着 8900 ICP-MS/MS 的推出，安捷伦将继续支持半导体行业推动更小尺寸器件架构、更高产量和更高器件性能的发展。本期主要内容为：第 1 页，了解半导体行业的需求如何推动安捷伦 ICP-MS 的创新第 2–3 页，半导体行业中的 ICP-MS 和 ICP-MS/MS第 4–5 页，用于半导体制造的高纯度酸分析第 6 页，电子香烟中痕量金属的测定访问 www.agilent.com/zh-cn/products/icp-ms/icp-ms-systems，详细了解安捷伦 ICP-MS 系统。关注“安捷伦视界”公众号，获取更多资讯。

行业挑战超纯水（UPW）生产的一致性对微电子制造至关重要，并且有助于保护产品质量。除基本的超纯水监测以外，在如何对偏离趋势的结果迅速做出反应，并进行有效的故障排查和过程控制方面，微电子工厂也面临着挑战。其他关注领域包括，确保化学品纯度以改善工艺性能和批量生产，以及监测废水和回用水。微电子制造商在生产中会遇到各种有机污染物，并经历各种挑战，包括：给水和高纯工艺化学品中的低ppm级浓度最终抛光前的ppt级浓度回用水和废水应用中复杂的样品基质监测硅胶等有害颗粒物的关键需求解决方案凭借Sievers® 总有机碳TOC分析仪和超纯水（UPW）硼分析仪，Sievers分析仪能够提供适合微电子制造工艺每一个步骤的分析解决方案。鉴于其宽广的分析范围和应用的多功能性，Sievers TOC分析仪可用于超纯水、工艺化学品纯度、回用水和废水处理监测。由于在二氧化硅之前，硼先从树脂床中泄漏出来，因此Sievers超纯水硼分析仪可通过检测硼浓度升高，实现二氧化硅的控制和树脂床的管理。全面、灵活的监测选择有两种常用于监测低浓度微电子应用中TOC的检测技术：膜电导率（Membrane Conductometric）和直接电导率（Direct Conductometric）。Sievers的产品涵盖了这两种技术，此外还提供适合于更复杂基质（如工艺化学品和废水）的湿化学氧化法。我们可提供以下仪器和产品：Sievers M9e和M500e TOC分析仪采用Sievers膜电导率检测技术Sievers膜电导率技术消除了大多数超纯水系统中所存在的卤代有机物和胺引起的假阳性和假阴性Sievers CheckPointe TOC传感器采用直接电导率检测技术提供了一个适合于非关键超纯水监测点的经济型选择用于快速诊断和故障排查的工具Sievers InnovOx TOC分析仪采用非色散红外（NDIR）检测和超临界水氧化（SCWO）技术可以准确、可靠地检测浓酸、碱和纯化学品中的痕量有机物可以监测废水和高达30%的卤水应用需求及Sievers的解决方案Sievers分析仪的产品组合为微电子制造过程的每个步骤提供分析解决方案。给水、超纯水和回用水系统监测Sievers M9e在线和便携式TOC分析仪专为最复杂的水系统和应用而设计。该分析仪的分析范围为0.03 ppb至50 ppm，使用膜电导率技术，精确检测系统给水、反渗透产水和最终产水中的TOC浓度。使用可选配的Turbo模式，仅需4秒分析时间，Sievers M9e分析仪是适合于回用水检测的理想故障排查工具。Sievers M9e可实现：仪器与仪器之间的匹配在低TOC超纯水应用中低浓度检测的稳定性12个月校准稳定期先进的自动调零功能，适合超纯级的准确度和精度超纯水/抛光循环回路监测

美国耶鲁大学的科学家开发出一种新的半导体激光器，成功解决了长期困扰激光成像技术的&ldquo 光斑&rdquo 问题，有望显著提高下一代显微镜、激光投影仪、光刻录、全息摄影以及生物医学成像设备的成像质量。相关论文发表在1月19日出版的美国《国家科学院学报》上。 　　物理学家组织网1月20日报道称，全视场成像应用近几年来已经成为众多研究所关注的焦点，但光源问题却一直未能得到解决。这项由耶鲁大学多个实验室合作完成的项目成功破解了这一难题，为激光成像技术大范围的应用铺平了道路。 　　耶鲁大学物理学教授道格拉斯· 斯通说，这种混沌腔激光器是基础研究最终解决实际应用问题的一个典型范例。所有的基础性工作，都是由一个问题驱使的&mdash &mdash 如何让激光成像技术更好地在现实中获得应用。最终，在来自应用物理、电子学、生物医学工程以及放射诊断等多个学科的科学家努力下，这一问题得到了解决。 　　此前，科学家们发现激光在成像领域极具潜力。但&ldquo 光斑&rdquo 问题却一直困扰着人们：当传统激光器被用于成像时，由于高空间相干性，会产生大量随机的斑点或颗粒状的图案，严重影响成像效果。一种能够避免这种失真的方法是使用LED光源。但问题是，对高速成像而言，LED光源的亮度并不够。新开发出的电泵浦半导体激光器提供了一种不同的解决方案。它能发出十分强烈的光，但空间相干性却非常低。 　　论文作者、耶鲁大学应用物理学教授曹辉(音译)说，对于全视场成像，散斑对比度只有低于4%时才能达到可视要求。通过实验他们发现，普通激光器的散斑对比度高达50%，而新型激光器则只有3%。所以，新技术完全解决了全视场成像所面临的障碍。 　　论文合著者、放射诊断和生物医学助理教授迈克尔· 乔马说：&ldquo 激光斑点是目前将激光技术用于临床诊断最主要的障碍。开发这种无斑点激光器是一项极其有意义的工作，借助这一技术，未来我们将能开发出多种新的影像诊断方法。&rdquo

赋能创“芯” | 赛默飞电子气体气相色谱分析解决方案原创 飞飞 赛默飞色谱与质谱中国 关注我们，更多干货和惊喜好礼高丽电子气体是半导体工业中使用的一类特殊气体，广义上的电子气体是指具有电子级纯度的特种气体，广泛应用在包括集成电路、显示面板、半导体照明和光伏等泛半导体行业。电子气体按其门类可分为纯气、高纯气和半导体特殊材料气体三大类。其中，特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺，高纯气体则主要用作稀释气和运载气。按纯度等级和使用场合分类，可以分为电子级、LSI（大规模集成电路）级、VLSI（超大规模集成电路）级和ULSI（特大规模集成电路）级。按用途可分为大宗气体，包括氮气、氢气、氩气、氦气、氧气、二氧化碳等；电子特种气体，包括笑气、氨气、三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫、氯化氢、甲烷等气体。电子气体的使用对电子工业的发展至关重要，随着技术的进步，对电子气体纯度和洁净度的要求也越来越高，需要达到5N（99.9999%）以上的纯度，因为即使是痕量级杂质和污染物也会对最终器件质量和制造产量造成严重影响。赛默飞针对电子大宗气体、电子特气分析需求，推出高纯气分析解决方案。配置Trace1600系列气相色谱主机、脉冲放电氦离子检测器（PDD）、可安装色谱柱的大体积阀箱、带吹扫保护气阀的多阀多柱分析系统等，为用户提供数十种电子气体杂质的检测方案。01高纯氙中杂质分析氙气是一种天然稀有的惰性气体。由于具有较高的密度，低导热系数及可吸收X射线等特征，氙气被广泛的应用于电子电器，光电工业，医疗，电子芯片制造等行业。近年来随着氙气被应用于越来越多高端性产品的生产，行业对氙气纯度的要求也非常严格。赛默飞Trace GC-PDD系统可对高纯氙气中ppb及至ppm级浓度的氢气，氩气，氧气，氮气，一氧化碳，甲烷，二氧化碳，氧化亚氮，氪气，六氟化硫，六氟乙烷等杂质进行定性定量检测，其灵敏度完全符合GB/T 5828-2006的要求，同时具有优异的分离度和重现性。1.1仪器配置及色谱分析条件表1 气相色谱仪仪器配置及色谱分析条件（点击查看大图）1.2氙气中杂质分析色谱图如图1所示，标准气体中氢气，氩气，氧气，氮气，一氧化碳，甲烷，二氧化碳，氧化亚氮，氪气，六氟化硫，六氟乙烷等组分均得到良好的分离效果,氧气和氩气实现了基线分离（分离度大于1.5）。标气中浓度较大的氙气组分通过反吹放空，不进入检测器，从而避免了样品中氙气基质对目标组分的干扰。图1 高纯氙气中杂质典型色谱图（点击查看大图）1.3重现性表2分别列出了各个组分样品连续进样6次的峰面积重现性：各个组分的峰面积相对标准偏差（RSD）均低于1%；表3分别列出了各个组分样品连续进样6次的保留时间重现性：各个组分的保留时间重现性相对标准偏差(RSD)均低于0.01%。表2 各杂质连续6针进样峰面积重现性（点击查看大图）表3 各杂质连续6针进样保留时间重现性（点击查看大图）从测试结果可以发现，方案完全满足国标GB/T 5828-2006中对各杂质组分的检测要求。Trace GC-PDD系统在高纯氙气痕量杂质的分析中表现出优异的性能。反吹技术避免了氙气基质对系统的干扰，高分离效率色谱柱的使用实现了无需使用冷却装置即可分离氩气和氧气。02高纯氪中杂质高纯氪无色、无臭、无味、无毒、不可燃的单原子气体，化学上惰性。广泛应用于各类照明中，是良好的保护气和发光气。还应用于电真空、激光器、医疗卫生等领域。目前，高纯氪主要由大型空分设备从空气中提取，因其在空气中含量极少。因此售价高昂，被誉为“黄金气体”。由于高纯氪中杂质组分含量要求极低，脉冲放电氦离子化检测器（PDD）对痕量杂质组分有很高的灵敏度，被用于做高纯气体中痕量杂质的检测。针对以上检测需求，赛默飞采用Trace 1600系列气相主机、带有脉冲放电氦离子检测器（PDD）、多阀多柱分析系统，实现稀有气体高纯氪中痕量的氢气，氩气，氧气，氮气，一氧化碳，四氟化碳，甲烷，二氧化碳，氙等9种杂质含量的检测。方案分离效果好，检测限低，重复性好，完全满足标准GB/T 5829-2006 氪气的检测要求。2.1仪器配置及色谱分析条件表4 气相色谱仪仪器配置及色谱分析条件（点击查看大图）2.2氪气中痕量杂质分析色谱图按照2.1的色谱分析条件，对标气样品进样测定。如图2所示，以高纯氪为底的标准气体中痕量的氢气，氩气，氧气，氮气，一氧化碳，四氟化碳，甲烷，二氧化碳，氙各组分离效果理想,氧气和氩气实现了基线分离（分离度大于1.5）。标气中绝大部分的基质组分氪气通过阀切换被放空，不进入检测器，从而避免了基质组分氪气对痕量目标组分的干扰。图2 高纯氪气中痕量杂质典型色谱图（点击查看大图）2.3重复性连续进标气样品6针，考察高纯氪标气中各样品组分的峰面积重复性，其峰面积相对标准偏差（RSD）均低于2.33%，重复性结果见表5；表6是高纯氪标气中各个样品组分连续进样6次的保留时间重复性结果，其保留时间重复性相对标准偏差(RSD)均低于0.03%。表5 高纯氪标气中各杂质组分连续6针进样峰面积重复性结果（点击查看大图）表6 高纯氪标气中各杂质组分连续6针进样保留时间重复性结果（点击查看大图）从测试结果可以发现，方案完全满足国标GB/T 5829-2006中对各个杂质组分的检测要求。方案实现一次进样，完成高纯氪中多痕量杂质组分的检测，通过阀放空技术，有效避免了高纯氪基质对痕量杂质的干扰；优化的色谱柱分析系统实现了样品气中氩气和氧气的基线分离。03电子特气六氟化硫和三氟化氮中杂质分析赛默飞针对电子气体六氟化硫和三氟化氮中杂质检测的要求，配置 Trace 1610和大体积色谱阀箱、双通道设计、配置两个PDD检测器。一次进样实现六氟化硫和三氟化氮样品中H2, O2+Ar, N2, CH4, CO, CF4, CO2, SF6, N2O, SO2F2杂质组分分析，方案满足标准GB/T 21287和GB/T 18867的检测要求。3.1仪器配置及色谱分析条件表7 气相色谱仪仪器配置及色谱分析条件（点击查看大图）3.2六氟化硫和三氟化氮中杂质分析色谱图按照3.1的色谱分析条件，分别对六氟化硫标气和三氟化氮标气样品进样测定。F-PDD通道用于分析六氟化硫和三氟化氮样品中H2, O2+Ar, N2, CH4, CO, 杂质组分；B-PDD通道用于分析六氟化硫和三氟化氮样品中CF4, CO2, SF6, N2O, SO2F2杂质组分。六氟化硫中杂质组分典型色谱图见图3和图4；三氟化氮中杂质组分典型色谱图见图5和图6。图3 六氟化硫中杂质分析F-PDD通道色谱图（点击查看大图）图4 六氟化硫中杂质分析B-PDD通道色谱图（点击查看大图）图5 三氟化氮中杂质分析F-PDD通道色谱图（点击查看大图）图6 三氟化氮中杂质分析B-PDD通道色谱图（点击查看大图）滑动查看更多3.3重复性连续进标气样品6针，考察三氟化氮标气中各样品组分的峰面积重复性，其峰面积相对标准偏差（RSD）均低于2.88%，重复性结果见表8。表8 电子气体三氟化氮标气中各杂质组分连续6针进样峰面积重复性结果（点击查看大图）从测试结果可以发现，方案完全满足国标GB/T 21287和GB/T 18867中对各个杂质组分的检测要求。方案实现一次进样，双通道同时分析，完成电子气体六氟化硫和三氟化氮中杂质的检测。总 结赛默飞提供模块化气相色谱仪（Trace 1600系列）、模块化PDD检测器、搭载功能强大的大体积阀箱多阀多柱分析系统，为多种电子气体中痕量杂质分析提供高效的解决方案。实现一次进样，完成样品中痕量杂质组分的检测；方案通过阀放空技术，有效避免了高纯基质组分对痕量杂质的干扰；方案可提供填充柱分析系统或毛细柱分系统，优化的毛细柱分析系统实现了样品气中微量氩气和氧气的基线分离。此外，赛默飞在电子气体、高纯气分析领域，为广大用户提供更多完全定制化的解决方案，满足用户各不相同的检测需求。如需合作转载本文，请文末留言。

2022年3月1-3日，由科技部、中国科学院指导，中国微米纳米技术学会、中国国际科学技术合作协会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主办，苏州纳米科技发展有限公司承办的第十三届中国国际纳米技术产业博览会（CHInano 2023）在苏州国际博览中心举行。本届纳博会为期3天，聚焦第三代半导体、微纳制造、纳米新材料、纳米大健康等热门领域，众多厂商齐聚一堂，新技术、新产品、新成果集中亮相。展会期间，深圳市速普仪器有限公司(SuPro Instruments)展出了他们的薄膜应力仪。速普仪器与薄膜应力仪产品SuPro Instruments成立于2012年，位于深圳市南山高新科技园片区，公司致力于材料表面处理和真空薄膜领域提供敏捷+精益级制备、测量和控制仪器，帮助客户提高产品的研发和生产效率、品质和使用体验。据张小波介绍，本次纳博会速普仪器主推是的薄膜应力测量仪，主要是应用于MEMS、化合物半导体、microled等泛半导体市场。据了解，集成电路领域的薄膜应力产品目前仍以KLA的产品为主，市场规模是泛半导体市场的十倍。早期速普仪器为工业领域提纲应力测量解决方案，机缘巧合之下，下游半导体厂商寻找到速普仪器合作开发相关产品。而速普仪器也不负众望，成功通过了半年的验证期，最后成功进入其中，实现了泛半导体领域薄膜应力仪的国产突破。多年积累之下，速普仪器目前已占据相关市场30%的份额，打破了国外企业的市场垄断。目前相关产品已进入国内科研院所和一些重要的半导体企业。谈到未来的战略规划时候，张小波也表示未来速普仪器也将继续研发新产品，搭配其应力测量仪，为用户提供更完善的解决方案。