可弯曲无机半导体

半导体材料无机非金属离子和金属元素解决方案——光刻胶篇李小波 潘广文 近年来，随着物联网、人工智能、新能源汽车、消费类电子等领域的应用持续增长以及5G的到来，集成电路（integrated circuit）产业发展正迎来新的契机。集成电路制造过程中，光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，是半导体制造中最核心的工艺。涉及到的材料包括多种溶剂、酸、碱、高纯有机试剂、高纯气体等。在所有试剂中，光刻胶的技术要求最高。赛默飞凭借其在离子色谱和ICPMS的技术实力，不断开发光刻胶及光刻相关材料中痕量无机非金属离子和金属离子的检测方案，助力光刻胶产品国产化进程。从光刻胶溶剂、聚体、显影液等全产业链，帮助半导体客户建立起完整的质量控制体系。 光刻胶是什么？光刻胶又称抗刻蚀剂，是半导体行业的图形转移介质，由感光剂、聚合物、溶剂和添加剂等四种基本成分组成。将光刻胶旋涂在晶圆表面，利用光照反应后光刻胶溶解度不同而将掩膜版图形转移到晶圆表面，实现晶圆表面的微细图形化。根据光刻机的曝光波长不同，光刻胶种类也不同。 光刻相关材料光刻相关材料主要有溶剂、显影剂、清洗剂、刻蚀剂和去胶剂，这些材料被称为高纯湿电子化学品，是集成电路行业应用非常广泛的一类化学试剂。光刻胶常用溶剂有丙二醇甲醚/丙二醇甲醚醋酸酯（PGME/PGMEA）、甲醇、异丙醇、丙酮和N-甲基吡咯烷酮（NMP）等。常见的正胶显影剂有氢氧化钠和四甲基氢氧化铵等，对应的清洗剂是超纯水。 光刻胶及光刻相关材料中金属离子、非金属阴离子对集成电路的影响半导体材料拥有独特的电性能和物理性能，这些性能使得半导体器件和电路具有独特的功能。但半导体材料也容易被污染损害，细微的污染都可能改变半导体的性质。通常光刻胶、显影液和溶剂中无机非金属离子和金属杂质的限量控制在ppb级别，控制和监测光刻工艺中无机非金属离子和金属离子的含量，是集成电路产业链中非常重要的环节。 光刻胶及光刻相关材料中无机金属离子、非金属离子的测定方法国际半导体设备和材料产业协会（Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI）对光刻胶、光刻工艺中使用的显影剂、清洗剂、刻蚀剂和去胶剂等制定了严格的无机金属离子和非金属离子的限量要求和检测方法。离子色谱是测定无机非金属离子杂质（F-、Cl-、NO2- 、Br-、NO3- 、SO42-、PO43-、NH4+）最常用的方法。在SEMI标准中，首推用离子色谱测定无机非金属离子，用ICPMS测定金属元素。赛默飞凭借其离子色谱和ICPMS的领先技术，紧扣SEMI标准，为半导体客户提供简单、快速和准确的光刻胶和光刻相关材料中无机金属离子和非金属离子的检测方案，确保半导体产业的发展和升级顺利进行。针对光刻胶及光刻相关材料中痕量无机非金属离子和金属元素的分析，赛默飞离子色谱和ICPMS提供三大解决方案。 方案一 NMP、PGMEA、DMSO等有机溶剂中痕量无机金属和非金属离子的测定方案 光刻胶所用有机溶剂中无机非金属离子的限量要求低至ppb~ppm级别。赛默飞离子色谱提供有机溶剂直接进样的方式，通过谱睿技术在线去除有机基质，一针进样同时分析SEMI标准要求监控的无机非金属离子。整个分析过程无需配制任何淋洗液和再生液，方法高效稳定便捷，避免了试剂、环境、人员等因素可能引入的污染。ICS 6000高压离子色谱有机试剂阀切换流路图 滑动查看更多 光刻胶溶剂中ng/L级超痕量金属杂质的测定，要求将有机溶剂直接进样避免因样品制备过程引起的污染。由于 PGMEA 和 NMP具有高挥发性和高碳含量，其基质对ICPMS分析会引入严重的多原子离子干扰，并对等离子体带来高负载。iCAP TQs ICP-MS 中采用等离子体辅助加氧除碳，并结合冷等离子体、串联四级杆和碰撞反应技术，可有效去除干扰。变频阻抗式匹配的RF发生器设计，可轻松应对有机溶剂直接进样，并可实现冷焰和热焰模式的稳定切换。 冷焰TQ-NH3模式测定NMP中Mg热焰TQ-O2模式测定NMP中V NMP、PGMEA有机溶剂直接进样等离子体状态未加氧（左），加氧（右） 方案二 显影液中无机金属离子及非金属离子测定方案 光刻工艺中常用的正胶显影液是氢氧化钠和四甲基氢氧化铵，对于这两大碱性试剂赛默飞推出强大的在线中和技术，样品仅需稀释2倍或无需稀释直接进样，避免了样品前处理引入的误差和污染，对此类样品中阴离子的定量限达到10ppb以下。这一方法帮助多家高纯试剂客户解决了碱液检测的技术难题，将该领域的高纯试剂纯度提升到国际先进水平。中和器工作原理四甲基氢氧化铵TMAH是具有强碱性的有机物，作为显影液的TMAH常用浓度为2.38%, 为了避免样品处理中引入的污染，ICPMS通常采用直接进样方式测定。在高温下长时间进样碱性样品，会导致腐蚀石英炬管，引起测定空白值的提高。iCAP TQs使用最新设计的SiN陶瓷材料Plus Torch，耐强酸强碱，可一劳永逸地解决碱性样品中痕量金属离子的测定。新型等离子体炬管Plus Torch 方案三 光刻胶单体和聚体中卤素及金属离子测定方案 光刻胶单体和聚体不溶于水，虽溶于有机试剂但容易析出，常规方法难以去除基质影响。赛默飞推出CIC在线燃烧离子色谱-测定单体和聚体中的卤素，通过燃烧，光刻胶样品基质被完全消除，实现一次进样同时分析样品中的所有卤素含量。燃烧过程实时监控，测定结果准确稳定，满足光刻胶中痕量卤素的限量要求。图 CIC燃烧离子色谱仪SEMI P32标准使用原子吸收、ICP光谱和ICP质谱法来测定光刻胶中ppb级的Al Ca Cr 等10种金属杂质，样品前处理可采用溶剂溶解和干法灰化酸提取两种方法。溶剂溶解法是使用PGMEA等有机溶剂将样品稀释50-200倍，超声波振荡充分溶解后，直接进样测定。部分聚合物较难溶解于有机溶剂中，将采用500-800度干法灰化处理，并用硝酸溶解残留物提取。iCAP TQs采用在样品中添加内标工作曲线法测定，对于不同基质样品及处理方法的样品可提供准确的测定结果。 总结 针对集成电路用光刻胶及光刻相关材料，赛默飞离子色谱和ICPMS提供无机非金属离子和金属离子杂质检测的完整解决方案，为光刻胶及高纯试剂客户提供安全、便捷可控的全方位支持。“胶”相辉映，赛默飞在行动，助力集成电路产业发展，促进光刻胶国产化进程，欢迎来询！ 参考文献：1.SEMI F63-0521 GUIDE FOR ULTRAPURE WATER USED IN SEMICONDUCTOR PROCESSING2.SEMI P32-1104 TEST METHOD FOR DETERMINATION OF TRACE METALS IN PHOTORESIST3.SEMI C43-1110 SPECIFICATION FOR SODIUM HYDROXIDE, 50% SOLUTION4.SEMI C46-0812 GUIDE FOR 25% TETRAMETHYLAMMONIUM HYDROXIDE5.SEMI C72-0811 GUIDE FOR PROPYLENE-GLYCOL-MONO-METHYL-ETHER (PGME), PROPYLENE-GLYCOL-MONO-METHYL-ETHER-ACETATE (PGMEA) AND THE MIXTURE 70WT% PGME/30WT% PGMEA6.SEMI C33-0213 SPECIFICATIONS FOR n-METHYL 2-PYRROLIDONE7.SEMI C28-0618 SPECIFICATION AND GUIDE FOR HYDROFLUORIC ACID8.SEMI C35-0118 SPECIFICATION AND GUIDE FOR NITRIC ACID9.SEMI C36-1213 SPECIFICATIONS FOR PHOSPHORIC ACID10.SEMI C44-0618 SPECIFICATION AND GUIDE FOR SULFURIC ACID11.SEMI C41-0618 SPECIFICATION AND GUIDE FOR 2-PROPANOL12.EMI C27-0918 SPECIFICATION AND GUIDE FOR HYDROCHLORIC ACID13.SEMI C23-0714 SPECIFICATIONS FOR BUFFERED OXIDE ETCHANTS

先进半导体材料的发展，已经成为国家战略发展的重要内容。而无机杂质分析和质量控制是半导体制程中非常重要的一环。为了助推集成电路产业发展，作为半导体无机分析的领导者，安捷伦科技于 2020 年 1 月 9 日，在上海举办了“安捷伦半导体论坛无机元素分析论坛”。来自全国的集成电路产业超过 100 名代表参加了本次论坛。来自日本和台湾地区的半导体无机分析专家，高纯试剂供应商 QC 专家，以及半导体在线元素分析，高纯气体分析等解决方案的供应商，分享了在半导体无机分析最先进分析技术，最热门的客户需求，以及最前沿的解决方案，共同为大家带来一场集成电路无机杂质分析技术盛宴。图为：论坛现场首先，安捷伦大中华东大区整机销售总经理杨挺先生做了精彩的欢迎致辞。图为：安捷伦科技大中华东大区整机销售总经理杨挺ICP-MS 已经成为半导体制程中痕量元素分析的标准技术。面对半导体制程一路快速发展，痕量元素分析的要求也越来越高。作为半导体行业无机分析解决方案的领导者，自 20 世纪 80 年代后期以来，安捷伦与领先的半导体制造商和化学品供应商密切合作，开发一系列 ICP-MS 系统和应用。安捷伦 ICP-MS 半导体元素分析的创新之路安捷伦原子光谱研发总监 Matsuzaki 先生带来了《安捷伦 ICP-MS 半导体元素分析中的创新之路》的报告，回顾了半导体客户对于仪器稳定性和基体耐受性的核心需求，安捷伦从冷等离子体技术到世界上第一台串接 ICP-MS，实现的一次次技术提升，以及对未来 ICP-MS 技术发展的展望。图为：安捷伦原子光谱 R&D 总监 Toshifumi Matsuzaki 亚太地区半导体全新分析技术客户不断提升的需求，驱动着安捷伦不断技术创新。来自台湾巴斯夫无机事业部品质管理经理，负责巴斯夫全球实验室的技术支持的許卿恆先生，做了名为《亚太地区半导体全新分析技术》的报告，分享了半导体制程飞速发展中对检测技术革新最直接的感受，以及利用安捷伦 7900 ICP-MS\8900 ICP-MS/MS 实现越来越严格半导体无机杂质质控要求的故事。图为：台湾巴斯夫无机事业部 品质管理经理 許卿恆ICP-MS/MS 测定有机溶剂中氯的分析技巧来自安捷伦日本，有着超过 30 年半导体 ICP-MS 应用研发经验的安捷伦的高级应用科学家Mizobuchi 先生带来了半导体领域又一个无机杂质质控难题攻克的故事：《ICP-MS/MS 测定有机溶剂中氯的分析技巧》。图为：安捷伦日本 ICP-MS 高级应用科学家 Katsuo Mizobuchi单纳米颗粒 ICP-MS 分析的最新趋势随着半导体制程线宽越来越窄，可能一个纳米级别的不溶性颗粒，都有可能造成不合格产品。关注半导体行业多年的安捷伦半导体 ICP-MS 应用专家 Shimamura 先生做了名为《单纳米颗粒ICP-MS 分析的最新趋势》的报告，介绍了安捷伦强大的应用研发团队和客户开发了利用 ICP-MS 分析高纯试剂中单纳米颗粒的最近技术进展。图为：安捷伦日本 半导体行业 ICP-MS 应用专家 Shimamura Yoshinori半导体无机杂质在线分析最新成果除了 ICP-MS 最前沿的技术进展，本次半导体论坛，安捷伦合作伙伴也分享了最新应用。来自德国 PVA Tepla 公司，VDP 事业部的经理 Robert Beikler 博士分享了 VPD 分析中的全自动液体处理和超痕量测试解决方案。图为：德国 PVA Tepla 公司 VDP 事业部经理 Robert BeiklerIAS Inc. China 的陈登云先生，带来了气体在线分析解决方案《最新气体分析和单纳米颗粒 ICP-MS 新进样系统介绍》。图为：IAS Inc. China 技术总监 陈登云本次论坛，来自半导体无机杂质分析各领域的专家分享了精彩的报告。来自全国的集成电路产业链的参会代表与演讲嘉宾，对无机杂质分析领域最前沿而分析技术，以及最热门的解决方案做了充分的沟通和交流。关于安捷伦科技安捷伦是生命科学、诊断和应用化学市场领域的领导者。公司为全世界的实验室提供仪器、服务、消耗品、应用与专业知识，以帮助客户获得他们所寻求的深入见解。安捷伦的专业知识和深受信赖的合作能力，使得客户对解决方案满怀信心。推荐阅读：1. ICP-MS 期刊 | 半导体行业解决方案创新之路，附海量干货下载https://www.instrument.com.cn/netshow/SH100320/news_483925.htm2. 微米到纳米的变迁 | 安捷伦和半导体行业的“超纯”往事https://www.instrument.com.cn/netshow/SH100320/news_520378.htm关注“安捷伦视界”公众号，获取更多资讯。

摘 要：本文介绍使用鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机，配合三点弯曲夹具，根据《IPC-TM-650试验方法手册》第2.4.4节层压板的弯曲强度(室温下)，进行了层压板的三点弯曲试验的实例，试验结果表明，使用鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机能够完全对应层压板的弯曲试验。关键词：鲲鹏BOYI 2025电子万能材料试验机 层压板 PCB基板 弯曲试验 弯曲模量层压板是层压制品中的一种。层压制品是由两层或多层浸有树脂的纤维或织物经叠合、热压结合成的整体。层压制品可加工成各种绝缘和结构零部件，广泛应用在电机、变压器、高低压电器、电工仪表和电子设备中。随着电气工业的发展，高绝缘性。高强度、耐高温和适应各种使用环境的层压塑料制品相继出现。印制电路用的覆铜箔层压板也由于电子工业的需要迅速发展。层压制品的性能取决于基材和粘合剂以及成型工艺。按其组成、特性和耐热性，层压制品可分为有机基材层压板和无机基材层压板，本次应用选用电路板行业常用的PCB基板-环氧玻纤层压板作为样品进行试验，通过万能材料试验机可以进行层压板的各项力学试验，表征层压板的各项力学性能，从而做好层压板的质量控制。鲲鹏试验机配备的三点弯曲夹具具备较高的刚度，可以确保弯曲过程中受力分析的准确性，同时配备快速接头和可调支座，可以快速实现安装以及支座调整，另外配备的试样对中限位装置可以实现样品快速摆放及确保每次摆放的位置一致，确保结果的重现性。除夹具外，试验机主机的高精度以及超过1000Hz的采集频率，可以完整的记录弯曲过程中的所有特征数据，给用户提供准确可靠的试验数据，配合智能化的测试软件可以同时提供单试样、多试样、双坐标等各种测试曲线，让不同的用户均可以拥有良好的交互体验，为企业的研发、质量以及产品控制保驾护航。1.试验部分1.1仪器与夹具BOYI 2025-010 电子万能试验机三点弯曲夹具Smartest软件1.2分析条件试验温度：室温22℃左右载荷传感器：10kN（0.5级） 加载试验速率：0.76mm/min跨距：25.4mm压头及支座直径：10mm1.3样品及处理本次试验，选取的层压板尺寸为76.2mm×25.4mm×1.57mm，数量5个。图1 标准试样尺寸图2 试验样品2.试验介绍使用BOYI 2025-010电子万能试验机进行试验，将样品平放在下支座中，中间压头以0.76mm/min的速率进行试验。测量过程中的力以及位移数据，并生成弯曲试验曲线。 图3 测试系统图（主机、夹具）3.结果与结论3.1试验结果具体试验结果如下表1所示。表1.试验结果图4-试验曲线图5-试验后样品从上(表1)数据以及试验曲线可以看出，压头持续下压过程中，试样受力持续上升到最大力点，样品受力至断裂，软件可以记录整个过程中完整的试验曲线，可以获取最大力、应力、应变、位移行程等各项数据用于分析，试样破坏后，试验机监测断裂后自动停止设备，全部5个试样重现性良好，满足标准要求。从本次试验结果可以体现出鲲鹏BOYI 2025-010 电子万能试验机的高精度及高稳定性。4.结论上述试验结果表明，鲲鹏BOYI 2025-010 电子万能试验机配合三点弯曲夹具可以完全满足《IPC-TM-650试验方法手册》第2.4.4节层压板的弯曲强度(室温下)标准要求，高效高质完成试验。通过高精度高采样率的测试系统，可以获得层压板材料的各项力学数据，且稳定可靠，这对于塑料材料的技术发展非常重要，能够为企业的产品研发、品质管理，以及该行业的标准化、规范化提供数据支持与技术保障。

表面增强拉曼技术(Surface-enhanced Raman Spectroscopy，SERS)是无损、高灵敏、高特异性光谱技术，在反应监测、生物医学检测、环境监测等学科中颇具应用价值。近年来，半导体SERS基底的性能调控备受关注。然而，半导体SERS增强效果普遍较弱，难以应用于散射截面较小的无机物质的检测，因此研究人员致力于寻找可以提升半导体基底SERS性能的策略，从而提升半导体SERS基底对无机物质的响应性。 　　基于这一研究目标，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员赵志刚团队设计了一系列不同尺寸的氧化钼纳米晶和量子点，发现了小尺寸的量子点在晶格缺陷和尺寸效应的双重作用下SERS性能显著提升，提出了基于多重共振耦合电荷转移路径实现高效化学增强效应的SERS作用机制，并实现了对无机小分子联氨(N2H4)的低浓度检测。 　　如图1所示，量子点产生了明显的带隙变化和荧光发光现象，可以归结为尺寸限域效应和小尺寸半导体中产生多重缺陷能级的共同作用。如图2所示，量子点对多个探针分子产生了灵敏SERS响应，其中，对无机小分子联氨具有良好的SERS性能。研究通过进一步的表征得出量子点表面联氨分子的检测性能具有明显的尺寸依赖性，且在2 nm尺寸下的极限浓度为4*10-5 mol/L。如图3所示，研究分析不同尺寸下能带结构的变化，提出了2nm量子点高效SERS效应的机制为由于尺寸限域效应和晶格缺陷共同作用下能带结构中存在的多重共振耦合电荷转移路径。 　　该研究首次实现了半导体SERS基底对无机小分子直接、灵敏的检测，对拓宽半导体SERS基底的应用具有重要意义。相关研究成果以Quantum Effects Enter Semiconductor-Based SERS: Multiresonant MoO3xH2O Quantum Dots Enabling Direct, Sensitive SERS Detection of Small Inorganic Molecules为题，发表在Analytical Chemistry上。研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、中科院等的支持。图1.量子点能带结构和荧光发光效应表征图2.量子点的SERS性能表征谱图图3.量子点高效SERS性能作用机制示意

碳纳米管制成的可弯曲太赫兹扫描装置　　据美国电气与电子工程师协会(IEEE)网站14日报道，日本东京工业大学川野由纪夫(音译)和同事利用碳纳米管研发出首个可移动、可弯曲、可穿戴的太赫兹扫描仪，能对包括人体在内的三维卷曲物体进行成像检测。相关研究细节发表在《自然光学》杂志网络版上。　　太赫兹射线对应的频率范围在电磁光谱的红外和微波之间，能穿透几乎各种材料且不会造成损害，因此，太赫兹摄像头在非侵入性高分辨率成像领域运用潜力广泛，可检测暗藏的武器、识别爆炸物及检查机械部件缺损等。　　但传统太赫兹成像技术用不可弯曲的材料制成，只适用于检测平面样本，难以对大多数三维卷曲结构进行扫描，很多安检场所使用的太赫兹扫描仪需旋转360° 才能拍摄到人体各个角度，这使得安检系统体积过于庞大。　　川野和同事利用碳纳米管薄膜设计研制出的首个可弯曲太赫兹成像装置，能在室温下探测到频率在0.14到39太赫兹范围内的所有射线，并且可包裹起来方便携带。利用这种成像仪，他们成功检测出隐藏在多张纸下的纸屑和锗盘堆中的金属线圈，并找出塑料盒内潜藏的一块口香糖。他们还识别出塑料瓶内的金属杂质和注射器上的细微裂口。上述结果表明，新太赫兹扫描仪可用在工业企业中对非平面产品如塑料瓶和药品进行快速和多角度检测。　　另外，他们开发出可穿戴扫描仪并成功检测到人手发出的太赫兹射线。川野认为，不需外来太赫兹射线就能给一只手成像，是太赫兹扫描仪向医学运用迈出的重要一步，未来可用来检测癌细胞、汗腺和虫牙等各种健康问题，实时监控自身日常健康状况。　　川野表示，接下来他们会将这些新太赫兹成像仪和信号识别电路与无线通信装置一起集成到单个芯片上，从而开发出高速太赫兹监控系统。之后会启动实时医用监控设备的开发工作。

前言芯片封装的主要目的是为了保护芯片，使芯片免受苛刻环境和机械的影响，并让芯片电极和外界电路实现连通，如此才能实现其预先设计的功能。常用的一种封装技术是包封或密封，通常采用低温的聚合物来实现。例如，导电环氧银胶用于芯片和基板的粘接，环氧塑封料用于芯片的模塑封，以及底部填充胶用于倒装焊芯片与基板间的填充等。主要的封装材料、工艺方法及特性如图1所示。包封必须满足一定的机械、热以及化学特性要求，不然直接影响封装效果以及整个器件的可靠性。流动和粘附性是任何包封材料都必须优化实现的两个主要物理特性。在特定温度范围内的热膨胀系数（CTE）、超出可靠性测试范围（-65℃至150℃）的玻璃化转变温度（Tg）对封装的牢固性至关重要。对于包封，以下要求都是必须的：包封材料的CTE和焊料的CTE比较接近以确保两者之间的低应力；在可靠性测试中，玻璃转化温度（Tg）能保证尺寸的稳定性；在热循环中，弹性模量不会导致大的应力；断裂伸长率大于1%；封装材料必须有低的吸湿性。但是，这些特性在某种类型的环氧树脂里并不同时具备。因此，包封用的环氧树脂是多种环氧的混合物。表1列出了倒装焊底部填充胶的一些重要的特性。随着对半导体器件的性能要求越来越高，对封装材料的要求同步提高，尤其是在湿气的环境下，性能评估和热失效分析更是至关重要，而这些都可以通过热分析技术给予准确测量，并可进一步用于工艺的CAE模拟仿真，帮助准确评估封装质量的优劣与否。表1 倒装焊中底部填充胶的性能要求[1]图1. 主要封装材料、工艺方法及特性[2]热性能检测梅特勒托利多全套热分析技术为半导体封装材料的性能评估和热失效分析提供全面、创新的解决方案。差示扫描量热仪DSC可以精准评估封装材料的Tg、固化度、熔点和Cp，并且结合行业内具有优势的动力学模块（非模型动力学MFK）可以高精准评估环氧胶的固化反应速率，从而为Moldex 3D模拟环氧塑封料、底部填充胶的流动特性提供可靠的数据。如图2所示，在非模型动力学的应用下，环氧胶在180℃下所预测的固化速率与实际测试曲线所表现出的固化行为具有非常高的一致性。热重TGA或同步热分析仪TGA/DSC可以准确测量封装材料的热分解温度，如失重1%时的温度，以及应用热分解动力学可以评估焊料在一定温度下的焊接时间。热机械分析仪TMA可以精准测量封装材料的热膨胀、固化时的热收缩、以及CTE和Tg，动态机械分析仪DMA提供封装材料准确的弹性模量、剪切模量、泊松比、断裂伸长率等力学数据，进一步可为Moldex 3D模拟芯片封装材料的翘曲和收缩提供可靠数据来源。图2. DSC结合非模型动力学评估环氧胶的固化反应速率检测难点1、 凝胶时间凝胶时间是Moldex 3D模拟环氧塑封料、底部填充胶流动特性的非常重要的数据来源之一。目前，行业内有多种测试凝胶时间的方法和设备。比如利用拉丝原理的凝胶时间测试仪，另有国家标准GB 12007.7-89环氧树脂凝胶时间测定方法[3]，即利用标准柱塞在环氧树脂固化体系中往复运动受阻达到一个值而指示凝胶时间。但是，其对柱塞的形状和浮力要求较高，测试样品量也很大，仅适用于在试验温度下凝胶时间不小于5 min的环氧树脂固化体系，并且不适用于低于室温的树脂、高粘度树脂和有填料的体系。由此可见，现有测试方法都存在测试误差、硬件缺陷和测试范围有限等问题。梅特勒托利多创新性TMA/SDTA2+的DLTMA（动态载荷TMA）模式结合独家的负力技术可以准确测定凝胶时间。在常规TMA测试中，探针上施加的是恒定力，而在DLTMA模式中，探针上施加的是周期性力。如图3右上角插图所示，探针上施加的力随时间的变化关系，力在0.05N与-0.05N之间周期性变化，这里尤为关键的一点是，测试凝胶时间必须要使用负力，即不仅需要探针往下压，还需要探针能够自动向上抬起。图3所示案例为测试导电环氧银胶的凝胶时间，样品置于40μl铝坩埚内并事先固定在TMA石英支架平台上，采用直径为1.1 mm的平探针在恒定160℃条件下施加正负力交替变换测试。在未发生凝胶固化之前，探针不会被样品粘住，负力技术可使探针自由下压和抬起，测试的位移曲线表现出较大的位移变化。当发生交联固化，所施加的负力不足以将探针从样品中抬起，位移振幅突然减小为0，曲线成为一条直线。通过分析位移突变过程中的外推起始点即可得到凝胶时间。此外，固化后的环氧银胶片，可通过常规的TMA测试获得Tg以及玻璃化转变前后的CTE，如图3下方曲线所示。图3. 上图：TMA/SDTA2+的DLTMA模式结合负力技术准确测定凝胶时间. 下图：固化导电环氧银胶片的CTE和Tg测试.2、 弯曲弹性模量在热循环过程中，弹性模量不会导致过大的应力。封装材料在不同温度下的弹性模量可通过DMA直接测得。日本工业标准JIS C6481 5.17.2里要求使用弯曲模式对厚度小于0.5mm、跨距小于4mm、宽度为10mm的封装基板进行弯曲弹性模量测试。从DMA测试技巧角度来讲，如此小尺寸的样品应首选拉伸模式测试。弯曲模式在DMA中一共有三种，即三点弯曲、单悬臂和双悬臂，从样品的刚度及夹具的刚度和尺寸考虑，三点弯曲和双悬臂并不适合此类样品的测试。因此，单悬臂成为唯一的可能性，但考虑到单悬臂夹具尺寸和跨距小于4mm的要求，市面上大部分DMA难以满足此类测试。梅特勒托利多创新性DMA1另标配了单悬臂扩展夹具，可方便夹持小尺寸样品并能实现最小跨距为1mm的测试。图4为对厚度为40μm的基板分别进行x轴和y轴方向上的单悬臂测试，在跨距3.5mm、20Hz的频率下以10K/min的升温速率从25℃加热至350℃。从tan delta的出峰情况可以判断基板的Tg在241℃左右，以及在室温下的弯曲弹性模量高达12-13GPa。图4. DMA1单悬臂扩展夹具测试封装基板的弯曲弹性模量.3、 湿气对封装材料的影响湿气腐蚀是IC封装失效的主要原因，其降低了器件的性能和可靠性。保存在干燥环境下的封装环氧胶，完全固化后在高温和高湿气环境下也会吸湿发生水解，降低封装体的机械性能，无法有效保护内部的芯片。此外，焊球和底部填充环氧胶之间的粘附强度在湿气环境中放置一段时间后也会遭受破坏。水汽的吸收导致环氧胶的膨胀，并引起湿应力，这是引线连接失效的主要因素。通过湿热试验可以对封装材料的抗湿热老化性能进行系统的评估，进而对其进行改善，提升整体性能。通常是采用湿热老化箱进行处理，然后实施各项性能的评估。因此，亟需提供一种能够提高封装材料湿热老化测试效率的方法。梅特勒托利多TMA/SDTA2+和湿度发生器的联用方案，以及DMA1和湿度发生器的联用方案可以实现双85（85℃、85%RH）和60℃、90%RH的技术参数，这也是行业内此类湿度联用很难达到的技术指标。因此，可以原位在线环测封装材料在湿热条件下的尺寸稳定性和力学性能。图5. TMA/SDTA2+-湿度联用方案测试高填充环氧的尺寸变化.图5显示了TMA-湿度联用方案在不同湿热程序下高填充环氧的尺寸变化。湿热程序分别为20℃、60%RH、约350min，23℃、50%RH、约350min，30℃、30%RH、约350min，40℃、20%RH、约350min，60℃、10%RH、约350min，80℃、5%RH、约350min。可以看出，在60%的高湿环境下高填充环氧在350min内膨胀约0.016%，后续再降低湿度并升高温度，样品主要在温度的作用下发生较大的热膨胀。图6为DMA-湿度联用方案在双85的条件下评估PCB的机械性能的稳定性，测试时间为7天。可以看出，PCB在高湿热的环境下弹性模量有近似6%的变化，这与PCB的树脂材料发生吸湿后膨胀并引起湿应力是密不可分的，并且存在导致器件失效的风险。图6. DMA1-湿度联用方案测试PCB的弹性模量.4、 化学品质量对于封装结果的影响封装过程中会使用到各类的湿电子化学品，尤其是晶圆级封装等先进封装的工艺流程，对于清洗液、蚀刻液等材料的质量管控可以类比晶圆制造过程中的要求，同时针对不同工艺段的化学品浓度等配比都有所不同，因此如何控制使用的电子化学品质量对于封装工艺的效能有着重要的意义。下表展示了部分涉及到的化学品浓度检测的滴定检测方案，常规的酸碱滴定、氧化还原滴定可以基本满足对于单一品类化学品浓度的检测需求。指标电极滴定剂样品量85%H3PO4酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g96%H2SO4酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g70%HNO3酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g36%HCl酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.5~1g49%HF特殊耐HF酸碱电极1mol/L NaOH0.3~0.4gDHF（100：1）特殊耐HF酸碱电极1mol/L NaOH20-30g29%氨水酸碱玻璃电极1mol/L NaOH0.9~1.2gECP（acidity）酸碱玻璃电极1mol/L NaOH≈8g29%NH4OH酸碱玻璃电极1mol/L HCl0.5~1gCTS-100清洗液酸碱玻璃电极1mol/L NaOH≈1g表1. 部分化学品检测方法列表另一方面，对于刻蚀液等品类，常常会用到混酸等多种物质混配而成的化学品，以起到综合的反应效果，如何对于此类复杂的体系浓度进行检测，成为实际生产过程中比较大的挑战。梅特勒托利多自动电位滴定仪，针对不同的混合液制订不同的检测方案，如铝刻蚀液的硝酸/磷酸/醋酸混合液，在乙醇和丙二醇混合溶剂的作用下，采用非水酸碱电极针对不同酸液pKa的不同进行检测，得到以下图谱，一次滴定即可测定三种组分的含量。图7. 一种铝刻蚀液滴定曲线结论梅特勒托利多一直致力于帮助用户提高研发效率和质量控制，我们为半导体封装整个产业链提供完整专业的产品、应用解决方案和可靠服务。梅特勒托利多在半导体封装行业积累了大量经验和数据，希望我们的解决方案给半导体封装材料性能评估的工作者带来帮助。参考文献[1] Rao R. Tummala. 微系统封装基础. 15. 密封与包封基础 page 544-545.[2] Rao R. Tummala. 微系统封装基础. 18. 封装材料与工艺基础 page 641.[3] GB12007.7-89：环氧树脂凝胶时间测定方法.（梅特勒-托利多 供稿）

新华社东京7月29日电日本东京大学和奥地利约翰· 开普勒大学的联合研究小组最新宣布，他们研发出世界最薄最轻的有机发光二极管(OLED)，可随意弯曲，厚度仅为2微米(1毫米等于1000微米)。 　　据日本时事社等网站29日报道，研究小组在厚度仅为1.4微米的超薄PET塑料薄膜上，成功制造了总厚度2微米、每平方米重量仅为3克的有机发光二极管。它具有良好的柔韧性，任意弯曲都不会影响其通电性能。 　　研究小组此前还利用超薄高分子薄膜，成功开发出由碳分子材料组成的超薄有机太阳能电池和有机晶体管集成电子回路。此次新技术发明，可以使得有机发光二极管、有机太阳能电池和有机晶体管等元器件集成在同一个高分子薄膜上，比先前的同类电子设备更加轻薄实用。 　　有机发光二极管和有机太阳能电池是近些年材料研发领域的重点项目，并且已进入实用阶段。有机发光二极管显示设备具有省电、色彩再现好以及应答速度快等优点，被视为下一代显示材料，对其轻量化和超薄化的需求一直驱动着相关技术进步。

光在复杂介质中的传播是光学和相对论的经典课题。在爱因斯坦提出广义相对论不久，W. Gordon，I. E. Tamm和G. V. Skrotskii等将费马原理推广到弯曲时空。1960年，J. Plebanski指出弯曲时空度规的空间分量和时空混合分量分别等价于非均匀各向异性光学介质的折射率(介电常数与磁导率)和反对称非互易磁电耦合参数。上述结果已被广泛应用于引力场量子效应的实验室模拟。2006年，J. Pendry和U. Leonhart提出的变换光学反过来用坐标变换设计非均匀材料以实现光线控制，在电磁隐身衣、新型波导和天线等器件方面具有重要应用。然而，相对论电动力学和变换光学无法处理手性和非互易光学材料，也无法提供类似于坐标变换的几何方案来控制光的偏振。近日，中国科学院院士、中国科学院半导体研究所研究员常凯领导的合作团队针对以上问题提出广义变换光学理论，将光学介质从普通Cauchy连续统推广到具有内部自由度的广义连续统。在该理论中每一个几何点除具有坐标自由度外，还具有由局域标架代表的内部自由度，描述点粒子的旋转、拉伸和扭转，可以用来处理具有复杂本构关系的线性光学介质。研究团队发现具有局域旋转自由度的连续统可以描述实验室静止的非互易光学介质。非互易光学介质主要包括磁光介质(金属或稀薄等离子体、磁性绝缘体、稀磁或铁磁半导体)、磁电耦合介质(多铁材料、拓扑绝缘体及Weyl半金属)和时变介质。磁光介质介电常数与磁导率的反对称虚部和磁电耦合介质的磁电耦合参数带来电磁场不同分量之间的交叉耦合，产生非互易的偏振旋转，被广泛应用于隔离器和环形器等非互易电磁器件。基于广义变换光学理论，研究团队引入描述非互易光学介质的时变黎曼几何理论和基于标架旋转的等价黎曼-嘉当几何理论，利用时空挠率张量描述磁光和磁电耦合参数，统一解释了包含磁光、磁电耦合介质和具有局域旋转自由度的时变介质在内的一般线性非互易电磁介质。该工作一方面引入时空挠率的微观构造，将相对论协变电动力学推广到非黎曼时空；另一方面表明通过标架变换可以实现光偏振态的调控。将标架变换与坐标变换相结合，原则上可以同时实现对电磁场的光线和偏振态的调控，为未来新型光学和电磁器件设计提供了理论基础。该研究成果近日发表于《物理评论快报》(Phys. Rev. Lett. 130, 203801 (2023))。论文通讯作者为常凯和香港科技大学教授冯建雄。本工作得到国家自然科学基金委、科技部国家重点研发计划资助项目、香港大学教育资助委员会、中国科学院和半导体研究所人才项目的支持。

2020年12月25日，工信部发布《中华人民共和国工业和信息化部公告》，批准《霍尔元件 通用技术条件》等669项行业标准，批准《白云石标准样品》等76项行业标准样品，批准《高纯铝锭》等23项行业标准外文版，批准《75℃热稳定性试验仪校准规范》等94项行业计量技术规范。在669项标准中，多项标准涉及半导体行业（包括了半导体器件、半导体设备和半导体材料等方面）和多种化学品的检测。此外，94项行业计量技术规范涉及了热稳定性试验仪、便携式挥发性有机物泄漏检测仪、漆膜弯曲试验仪、漆膜附着力测定仪、直流辉光放电质谱仪、双联电解分析仪等多种分析检测仪器，相关标准如下：附件：23项行业标准外文版编号、名称、主要内容等一览表.doc94项行业计量技术规范编号、名称、主要内容等一览表.docx76项行业标准样品目录.docx669项行业标准编号、名称、主要内容等一览表.doc半导体相关标准（部分）标准号标准名称标准内容JB/T 9473-2020霍尔元件 通用技术条件本标准规定了霍尔元件的术语和定义、基本参数和符号、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于非集成的半导体霍尔元件。JB/T 9481-2020扩散硅力敏器件本标准规定了扩散硅力敏器件的术语与定义、分类与命名、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于半导体扩散硅力敏器件。HG/T 5736-2020高纯工业品过氧化氢本标准规定了高纯工业品过氧化氢的分型、要求、试验方法、检验规则、标志、标签、包装、运输和贮存。本标准适用于高纯工业品过氧化氢。该产品主要用于太阳能光伏行业、液晶显示器件和半导体行业制程的清洗或刻蚀，以及其他对高纯过氧化氢有需求的行业。XB/T 515-2020钪铝合金靶材本标准规定了钪铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则与标志、包装、运输、贮存及质量证明书。本标准适用于铸造法制得的钪铝合金靶材，主要用于半导体及光电等领域。QC/T 1136-2020电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法本标准规定了电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境适应性要求和试验方法。本标准适用于电动汽车用IGBT模块，其他半导体器件模块可参考使用。SJ/T 11761-2020200mm及以下晶圆用半导体设备装载端口规范本标准规定了晶圆承载器与晶圆制造/检测设备之间的机械端口要求，主要包括晶圆承载器在设备上的位置和方向。本标准适用于加工直径200 mm及以下晶圆的半导体设备装载端口。SJ/T 11762-2020半导体设备制造信息标识要求本标准规定了半导体设备制造信息标识的术语和定义、设计和原则、使用及相应的综合标签库。半导体设备制造信息标识包括半导体制造设备选择、安装、使用和维护时需要的各种类型的技术和商业信息。信息类型包括操作手册/指南、安装手册、维护手册、维护计划、备件/零部件清单、维修/故障排除手册、发行说明、培训手册等。SJ/T 11763-2020半导体制造设备人机界面规范本标准规定了半导体制造设备人机界面的术语和要求。本标准适用于半导体制造设备。SJ/T 10454-2020厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料本标准规定了厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料的技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存及运输，适用于与金、钯银导体浆料相匹配的厚膜混合集成电路多层布线用介质浆料。SJ/T 10455-2020厚膜混合集成电路用铜导体浆料本标准规定了厚膜混合集成电路用铜导体浆料的技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存及运输，适用于厚膜混合集成电路用铜导体浆料。化工检测相关标准（部分）标准号标准名称标准内容SH/T 1829-2020塑料 聚乙烯和聚丙烯树脂中微量元素含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 本标准规定了采用电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）测定聚乙烯和聚丙烯树脂中镁（0.10 mg/kg～50.00 mg/kg）、铝（0.20 mg/kg～100.00 mg/kg）、钙（0.40 mg/kg～130.00 mg/kg）、锌（0.50 mg/kg～200.00 mg/kg）、铬（0.10 mg/kg～3.00 mg/kg）、钛（0.10 mg/kg～6.00 mg/kg）等微量元素含量的方法。 本标准适用于粉末状、颗粒状聚乙烯和聚丙烯树脂。SH/T 1830-2020丙烯腈-丁二烯橡胶中壬基酚含量的测定 气相色谱-质谱法 本标准规定了采用气相色谱-质谱法测定丙烯腈-丁二烯生橡胶中壬基酚含量的方法。 本标准适用于丙烯腈-丁二烯生橡胶，壬基酚单组分含量最低检出限为1.4mg/kg。SH/T 1831-2020丙烯腈-丁二烯橡胶中游离丙烯腈含量的测定 顶空气相色谱法 本标准规定了采用顶空气相色谱法测定丙烯腈-丁二烯生橡胶中游离丙烯腈含量的方法。 本标准适用于丙烯腈-丁二烯生橡胶，游离丙烯腈含量最低检出限为1.8mg/kg。SH/T 1832-2020异戊二烯橡胶微观结构的测定 核磁共振氢谱法 本标准规定了采用核磁共振氢谱法测定异戊二烯橡胶（IR）中顺式1,4结构（cis-1,4）、反式1,4结构（trans-1,4）和3,4结构（3,4）含量的方法。 本标准适用于异戊二烯生橡胶。SH/T 1142-2020工业用裂解碳四 液态采样法 本标准规定了采取供分析用的工业用裂解碳四以及其他碳四液态烃类样品的设备和方法。 本标准适用于采取工业用裂解碳四及其他碳四液态烃类样品。SH/T 1482-2020工业用异丁烯纯度及烃类杂质的测定 气相色谱法 本标准规定了用气相色谱法测定工业用异丁烯纯度及烃类杂质的含量。 本标准适用于纯度大于98.00%（质量分数），丙烷、丙烯、异丁烷、正丁烷、反-2-丁烯、1-丁烯、顺-2-丁烯、丙炔、1,3-丁二烯、正戊烷、异戊烷等烃类杂质含量不小于0.0010%（质量分数）的工业用异丁烯测定。SH/T 1483-2020工业用碳四烯烃中微量含氧化合物的测定 气相色谱法 本标准规定了用气相色谱法测定工业用碳四烯烃中的微量含氧化合物含量。 本标准适用于工业用碳四烯烃中微量二甲醚、甲基叔丁基醚、甲醇和叔丁醇等含氧化合物的测定，其最低测定浓度为0.0001%（质量分数）。SH/T 1492-2020工业用1-丁烯纯度及烃类杂质的测定 气相色谱法 本标准规定了用气相色谱法测定工业用1-丁烯的纯度及其烃类杂质含量。 本标准适用于纯度不小于99.00% (质量分数)，丙烷、丙烯、异丁烷、正丁烷、乙炔、反-2-丁烯、异丁烯、顺-2-丁烯等烃类杂质含量不小于0.001%（质量分数），丙二烯、丙炔含量不小于2mL/m3，1,3-丁二烯含量不小于10 mL/m3或0.001%（质量分数）的工业用1-丁烯试样的测定。SH/T 1549-2020工业用轻质烯烃中水分的测定 在线分析仪使用导则本标准规定了测定轻质烯烃气体中微量水分的在线分析仪的工作原理、一般特征、分析程序和结果报告等要求的指南。本标准适用于工业用轻质烯烃中水分的测定。SH/T 1763-2020氢化丁腈生橡胶（HNBR）中残留不饱和度的测定 碘值法 本标准规定了用韦氏（Wijs）试剂测定氢化丁腈生橡胶（HNBR）残留不饱和度（即碘值）的方法。 本标准适用于氢化丁腈生橡胶。SH/T1814-2020乙烯-丙烯共聚物（EPM）和乙烯-丙烯-二烯烃三元共聚物（EPDM）中钒含量的测定 本标准规定了用分光光度法和电感耦合等离子体发射光谱法测定乙烯-丙烯共聚物（EPM）和乙烯-丙烯-二烯烃三元共聚物（EPDM）中钒含量的方法。 本标准适用于以齐格勒-纳塔型催化剂（铝-钒催化剂）生产的钒含量范围在0.5 µg/g～40 µg/g的乙丙橡胶。SH/T 3042-2020合成纤维厂供暖通风与空气调节设计规范 本标准规定了合成纤维(涤纶、锦纶、维纶、腈纶、氨纶)厂供暖、通风与空气调节设计的空气计算参数和设计要求。 本标准适用于新建、扩建和改建的合成纤维厂的生产厂房及辅助建筑物的供暖、通风与空气调节设计。SH/T 3523-2020石油化工铬镍不锈钢、铁镍合金、镍基合金及不锈钢复合钢焊接规范 本标准规定了铬镍不锈钢、铁镍合金、镍基合金、不锈钢复合钢的材料、焊接工艺评定、焊工考试、焊接工艺、焊接检验和焊后热处理要求。 本标准适用于石油化工、煤化工、天然气化工设备与管道的焊条电弧焊、钨极气体保护焊、熔化极气体保护焊和埋弧焊。SH/T 3545-2020石油化工管道工程无损检测标准本标准规定了石油化工金属管道射线检测、超声检测、磁粉检测、渗透检测、衍射时差法超声检测、相控阵超声检测和便携式荧光光谱检测的工艺要求及质量评定。本标准适用于下列管道无损检测的质量评定：1)公称厚度为2 mm～100 mm的金属管道对接焊接接头、支管连接焊接接头的射线检测与质量评定；2)公称厚度大于或等于6 mm、外径大于等于108 mm的碳钢和非奥氏体合金钢制管道对接焊接接头的超声检测与质量评定；3)铁磁性材料的表面和近表面缺陷磁粉检测与质量评定；4)表面开口缺陷的渗透检测与质量评定；5)公称厚度为16 mm～100mm、外径大于等于273 mm的碳钢和非奥氏体合金钢制管道对接焊接接头的衍射时差法超声检测与质量评定；6)公称厚度3.5 mm～60 mm、外径大于等于57 mm的碳钢和非奥氏体合金钢制管道对接焊接接头的相控阵超声检测与质量评定；奥氏体不锈钢管道对接焊接接头的相控阵超声检测与质量评定按附录M的规定进行；7)金属材料（包括熔敷金属）中金属元素的便携式荧光光谱检测。行业计量技术规范（部分）技术规范编号技术规范名称技术规范主要内容JJF（石化）030-202075℃热稳定性试验仪校准规范本校准规范适用于爆炸品分类用的75℃热稳定性试验装置的校准。其主要内容包括本规范的适用范围、引用的技术文件、计量特性、校准条件、校准项目和方法、校准结果的表示方法及不确定度评定示例等。JJF（石化）031-2020固体氧化性试验装置校准规范本规范适用于固体氧化性试验装置的校准，不适用于氧化性固体重量试验装置的校准。其主要内容包括本规范的适用范围、引用的技术文件、计量特性、校准条件、校准项目和方法、校准结果的表示方法及不确定度评定示例等。JJF（石化）032-2020易燃固体燃烧速率试验装置校准规范本校准规范适用于易燃固体燃烧速率试验装置的校准。其主要内容包括本规范的适用范围、引用的技术文件、计量特性、校准条件、校准项目和方法、校准结果的表示方法及不确定度评定示例等。JJF（石化）033-2020便携式挥发性有机物泄漏检测仪（氢火焰离子法）校准规范本规范适用于量程小于50000µmol/mol的便携式挥发性有机物（VOCs）泄漏检测仪（氢火焰离子法）的校准，其他相似原理和用途的仪器校准可参照本规范。其主要内容包含本规范的适用范围、引用的技术文件、计量性能、校准条件、校准方法、校准结果、校准时间间隔和不确定度评定示例等。JJF（石化）034-2020石油化工产品软化点试验仪（环球法）校准规范本规范适用于环球法测定软化点的软化点试验仪的校准。其主要内容包括本规范的适用范围、引用的技术文件、计量特性、校准条件、校准项目和方法、校准结果的表示方法及不确定度评定示例等。JJF（石化）035-2020漆膜弯曲试验仪（圆柱轴）校准规范本规范的校准适用于测试漆膜圆柱弯曲试验时用的漆膜弯曲试验仪。其主要内容包括本规范的适用范围、引用的技术文件、计量特性、校准条件、校准项目和方法、校准结果的表示方法及不确定度评定示例等。JJF（石化）036-2020漆膜附着力测定仪（划圈法）校准规范本规范的校准适用于测试漆膜划圈试验用的漆膜附着力试验仪。其主要内容包括本规范的适用范围、引用的技术文件、计量特性、校准条件、校准项目和方法、校准结果的表示方法及不确定度评定示例等。JJF（石化）037-2020橡胶门尼黏度计校准规范本规范规定了橡胶门尼黏度计的计量特性、校准条件、校准用设备及校准方法。本规范适用于橡胶门尼黏度计的校准。JJF（石化）038-2020硫化橡胶回弹性试验机校准规范本规范规定了硫化橡胶回弹性试验机的计量特性、校准条件、校准用设备及校准方法。本规范适用于硫化橡胶回弹性试验机的校准。JJF（石化）039-2020橡胶阿克隆磨耗试验机校准规范本规范适用于橡胶阿克隆磨耗试验机的校准。其主要内容包括本规范的适用范围、引用的技术文件、计量特性、校准条件、校准项目和方法、校准结果的表示方法及不确定评定示例等。JJF（石化）040-2020橡胶压缩应力松弛仪校准规范本规范适用于橡胶压缩应力松弛仪的校准。其主要内容包括本规范的适用范围、引用的技术文件、计量特性、校准条件、校准项目和方法、校准结果的表示方法及不确定评定示例等。

01背景介绍自石墨烯被发现以来，二维(two-dimensional, 2D)材料因其奇妙的特性吸引了大量的研究兴趣。特别是二维形式的材料由于更大的面体积比可以更有效的性能调节，通常表现出比块体材料更好的性能。迄今为止，已有许多具有优异性能的二维材料被报道和研究，如硅烯、磷烯、MoS2等，它们在电子、光电子、催化、热电等方面显示出应用潜力。在微电子革命中，宽带隙半导体占有关键地位。例如，2014年诺贝尔物理学奖材料氮化镓(GaN)已被广泛应用于大功率电子设备和蓝光LED中。此外，氧化锌(ZnO)也是一种广泛应用于透明电子领域的n型半导体，其直接宽频带隙可达3.4 eV。在透明电子的潜在应用中，n型半导体的有效质量通常较小，而p型半导体的有效质量通常较大。然而，人们发现立方纤锌矿(γ-CuI)中的块状碘化铜是一种有效质量小的p型半导体，具有较高的载流子迁移率，在与n型半导体耦合的应用中很有用。例如，γ-CuI由于其较大的Seebeck系数，在热电中具有潜在的应用。二维材料与块体材料相比，一般具有额外的突出性能，因此预期单层CuI可能比γ-CuI具有更好的性能。作为一种非层状I-VII族化合物，CuI存在α、β和γ三个不同的相。温度的变化会导致CuI的相变，即在温度超过643 K时，从立方的γ-相转变为六方的β-相，在温度超过673 K时，β-相进一步转变为立方的α-相。因此，不同的条件下，CuI的结构是很丰富的。超薄的二维γ-CuI纳米片已于2018年在实验上成功合成 [npj 2D Mater. Appl., 2018, 2, 1–7.]。然而，合成的CuI纳米片是非层状γ-CuI的膜状结构，由于尺寸的限制，单层CuI的结构可能与γ-CuI薄膜中的单层结构不同。因此，需要对单层CuI的结构和稳定性进行全面研究。在这项研究中，我们预测了单层CuI的稳定结构，并系统地开展电子、光学和热性质的研究。与γ-CuI相比，单层CuI中发现直接带隙较大，可实现超高的光传输。此外，预测了单层CuI的超低热导率，比大多数半导体低1 ~ 2个数量级。直接宽频带隙和超低热导率的单层CuI使其在透明和可穿戴电子产品方面有潜在应用。02成果掠影近日，湖南大学的徐金园（第一作者）、陈艾伶（第二作者）、余林凤（第三作者）、魏东海（第四作者）、秦光照（通讯作者），和郑州大学的秦真真、田骐琨（第五作者）、湘潭大学的王慧敏开展合作研究，基于第一性原理计算，预测了p型宽带隙半导体γ-CuI(碘化亚铜)的单层对应物的稳定结构，并结合声子玻尔兹曼方程研究了其传热特性。单层CuI的热导率仅为0.116 W m-1K-1，甚至能与空气的热导率(0.023 W m-1K-1)相当，大大低于γ-CuI (0.997 W m-1K-1)和其他典型半导体。此外，单层CuI具有3.57 eV的超宽直接带隙，比γ-CuI (2.95-3.1 eV)更大，具有更好的光学性能，在纳米/光电子领域有广阔的应用前景。单层CuI在电子、光学和热输运性能方面具有多功能优势，本研究报道的单层CuI极低的热导率和宽直接带隙将在透明电子和可穿戴电子领域有潜在的应用前景。研究成果以“The record low thermal conductivity of monolayer Cuprous Iodide (CuI) with direct wide bandgap”为题发表于《Nanoscale》期刊。03图文导读图1. 声子色散证实了CuI单层结构的稳定性。单层CuI(记为ML-CuI)几种可能的结构:(a)类石墨烯结构，(b)稳定的四原子层结构，(c)夹层结构。(d)稳定的γ相快体结构(记为γ-CuI)。(e-h)声子色散曲线对应于(a-d)所示的结构。给出了部分状态密度(pDOS)。通过测试二维材料的所有可能的结构模式，发现除了如图1(b)所示的弯曲夹层结构外，单层CuI都存在虚频。平面六边形蜂窝结构中的单层CuI，类似于石墨烯和三明治夹层结构，如图1(a,c)所示作为对比示例，其中声子色散中的虚频揭示了其结构的不稳定性[图1(e,f)]。因此，通过考察单层CuI在不同二维结构模式下的稳定性，成功发现单层CuI具有两个弯曲子层的稳定结构，表现出与硅烯相似的特征。优化后的单层CuI晶格常数为a꞊b꞊4.18 Å，与实验结果(4.19 Å)吻合较好。而在空间群为F3m的闪锌矿结构中，得到的优化晶格常数a=b=c=6.08 Å与文献的结果(5.99-6.03 Å)吻合较好。此外，LDA泛函优化得到的单层CuI和γ-CuI的晶格常数分别为4.01和5.87 Å，为此后续计算都基于更准确的PBE泛函。通过观察晶格振动的投影态密度，发现Cu和I原子在不同频率下的贡献几乎相等。此外，光学声子分支之间存在带隙[图1(g)]，这可能导致先前报道的光学声子模式散射减弱。相反，在γ-CuI中不存在声子频率带隙[图1(h)]。图2. 热导率及相关参数的收敛性测试。(a)原子间相互作用随原子距离的变化。(b)热导率对截断距离的收敛性。彩色椭圆标记收敛值。(c)热导率相对于Q点的收敛性。(d)单层CuI和γ-CuI的热导率随温度的函数关系。在稳定结构的基础上，比较研究了单层CuI和γ-CuI的热输运性质。基于原子间相互作用的分析验证了热导率的收敛性[图2(a)]。如图2(b)所示，热导率随着截止距离的增加而降低，其中出现了几个阶段。热导率的下降是由于更多的原子间相互作用和更多的声子-声子散射。注意，当截止距离大于6 Å时，热导率仍呈下降趋势，说明CuI单层中长程相互作用的影响显著。这种长程的相互作用通常存在于具有共振键的材料中，如磷烯和PbTe。通过收敛性测试，预测单层CuI在300 K时的热导率为0.116 W m-1K-1[图2(c)]，这是接近空气热导率的极低值。单层CuI的超低热导率远远低于大多数已知的半导体。此外，计算得到的γ-CuI的热导率为0.997 W m-1K-1，与Yang等的实验结果~0.55 W m-1K-1基本吻合，值得注意的是Yang等人的实验结果测量了多晶态γ-CuI。此外，单层CuI和γ-CuI的热导率随温度的变化完全符合1/T递减关系[图2(d)]。考虑到温度对热输运的影响，今后研究声子水动力效应对单层CuI热输运特性的影响，特别是在低温条件下，可能是很有意义的。图3. 单层CuI和γ-CuI在300 K的热输运特性。(a)群速度，(b)相空间，(c)声子弛豫时间，(d) Grüneisen参数，(e)尺寸相关热导率的模态分析。(f)平面外方向(ZA)、横向(TA)和纵向(LA)声子和光学声子分支对热导率的贡献百分比。超低导热率的潜在机制可能与重原子Cu和I有关，也可能与单层CuI的屈曲结构有关。声子群速度[图3(a)]和弛豫时间[图3(c)]都较小，而散射相空间[图3(b)]较大。总的来说，单层CuI (1.6055)的Grüneisen参数的绝对总值显著大于γ-CuI (0.4828)。即使在低频下Grüneisen参数没有显著差异[图3(d)]，单层CuI和γ-CuI的声子散射相空间却相差近一个数量级，如图3(b)所示。因此，低频声子弛豫时间的显著差异[图3(c)]在于不同的散射相空间。此外，单层CuI的声子平均自由程(MFP)低于γ-CuI，如图3(e)所示。因此，在单层CuI中产生了超低的热导率，这将有利于电源在可穿戴设备或物联网的应用，具有良好的热电性能。此外，详细分析发现，光学声子模式在单层CuI[图3(f)]中的较大贡献是由于相应频率处相空间相对较小，这是由图1(g)所示的光学声子分支之间的带隙造成的。图4. 单层CuI的电子结构。(a)单层CuI和(h)γ-CuI的电子能带结构，其中电子局部化函数(ELF)以插图形式表示。(b-d)单层CuI和(i)γ-CuI的轨道投影态密度(pDOS)。(e)透射系数，(f)吸收系数，(g)反射系数。在验证了CuI单层结构稳定的情况后，进一步研究其电子结构，如图4(a)所示。利用PBE泛函，预测了单层CuI的直接带隙，导带最小值(CBM)和价带最大值(VBM)都位于Gamma点。PBE预测其带隙为2.07 eV。我们利用HSE06进行了高精度计算，得到带隙为3.57 eV。如图4 (h)所示，单层CuI的带隙(3.57 eV)大于体γ-CuI的带隙(2.95 eV)，这与Mustonen, K.等报道的3.17 eV非常吻合，使单层CuI成为一种很有前景的直接宽频带隙半导体。此外，VBM主要由Cu-d轨道贡献，如图4(b-d)的pDOS所示。能带结构、pDOS和ELF揭示的电子特性的不同行为是单层CuI和γ-CuI不同热输运性质的原因。电子结构对光学性质也有重要影响。如图4(e-g)所示，在0 - 7ev的能量范围内，单层CuI的吸收系数[图4(f)]和折射系数[图4(g)]不断增大，说明单层CuI在该区域的吸收和折射能力增强。相应的，随着透射系数的减小，单层CuI的光子传输能力[图4(e)]也变弱。当光子能量大于7 eV时，CuI的吸收和折射系数开始显著减弱，最终在8 eV的能量阈值处达到一个平台。值得注意的是，与声子的吸收和传输能力相比，单层CuI对光子的反射效率较低，最高不超过2%。对于光子吸收，单层CuI的工作区域在5.0 - 7.5 eV的能量范围内，而可见光的光子能量在1.62 - 3.11 eV之间。显然，CuI的主要吸收光是紫外光，高达20%。

生物制药和集成电路无疑是我国当前最受瞩目的两个新兴技术产业，在国家《“十四五”发展规划纲要》中多次被提及，具有国家战略意义。同时两个产业也陆续被列到上海、江苏省、广东省等多个地方“十四五”发展规划当中。随着政策支持发力以及资金、人才的加持，两个产业也都进入了发展快车道。生物制药和半导体也是默克生命科学长期关注的重要领域市场。9月15日，默克生命科学将联合仪器信息网共同举办的默克超级品牌日活动，活动精心设计了多个环节，包括生物制药高层圆桌论坛、半导体行业热点技术分享，帮助相关领域用户一站式获取行业技术和法规内容。点击图片报名参加本次活动看点多多，快来pick你需要的那个！看点一：生物制药行业资深高管对话：行业法规现状与发展特邀无锡药明合联生物技术有限公司副总裁和生产负责人罗建军，三生制药集团质量、商务负责人 高级工程师李孟捷 ，两位均具有丰富的技术、法规研究和生产管理经验，与默克集团Milli-Q纯水业务中国区高管奉献一场精彩对话。看点二：上海集成电路材料研究院技术专家专业讲解演讲嘉宾罗文娇为清华大学分析化学博士，从事电子化学品研发与产业化、高纯化学品痕量杂质检测方法开发工作。具有丰富的有机-无机半导体纳米材料设计、表面分析、及其光催化性能在环境净化、清洁能源领域的应用经验。共参与3项国家自然基金重点、面上项目，发表SCI学术论文11篇。看点三：一万元 太诱惑还有一个让实验室的你无法拒绝参加的理由：默克Milli-Q超纯水设备直播间立减10000元！此外，参与直播有礼，100份礼品：小Q 腰枕、疫情套装豪华版、Liavs无线耳机、旅行便携包六件套、甜甜圈电源、联想Type-C电源线、小米双肩包、牛仔帆布袋、ACA便携榨汁机。活动报名：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/merck2022/

仪器信息网讯 今年是“十四五”开局之年，也是全面建设社会主义现代化国家新征程开启之年。作为解决“卡脖子”问题之一，芯片自主受到社会各界的极大关注。根据测算，2020年我国集成电路销售收入达到 8848 亿元，平均增长率达到 20%，为同期全球产业增速的3倍。技术创新上也不断取得突破，中国芯片产业发展面临机遇与挑战。为促进广东省半导体产业健康、快速发展，作为“第九届中国电子信息博览会”同期重大活动之一，“2021年粤港澳大湾区半导体产业未来前瞻分享会”2021年4月9日在深圳会展中心2号馆会议A区顺利召开。论坛现场广东省半导体行业协会常务副会长 吕建新 致辞会议开始后，由广东省半导体行业协会副会长吕建新致辞。致辞结束后，来自广东省科学院半导体研究所的首席科学家龚政做了题为《Micro-LED显示学术及产业成果报告》的演讲。报告人：广东省科学院半导体研究所首席科学家 龚政报告题目：Micro-LED显示学术及产业成果报告据介绍，Micro-LED每个LED尺寸通常为数十个微米，跟头发丝大小差不多，Microdisplay是以这些自发光的微米级LED为发光单元，组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的平板显示技术。龚政表示，Micro-LED显示技术具有高亮度和对比度、响应速度快、超高分辨率等技术优越性，但在学术研究中存在小尺寸Micro-LED的刻蚀损伤和效率、彩色化涉及到的光转换效率和光串扰、外延生长等问题，在产业界也面临诸如驱动、巨量转移、低缺陷密度、坏点检测与修复、芯片效率和发光一致性等技术问题。报告人：广东省科学院半导体所副所长 赵维报告题目：广东省半导体产业展望—后摩尔时代的思考据介绍，集成电路已诞生60余年，2020年全球半导体行业的营收约为4498亿美元。 一直以来，半导体产业的发展遵循摩尔定律，然而定律总有尽时—后摩尔时代来临，单个元器件大小越来越接近物理极限，进一步缩小以提高密度的技术难度越来越大，随着投入越来越高，能做的企业越来越少。赵维表示，2015年以后，集成电路的算力增长接近停滞，进入瓶颈期，后摩尔时代已悄然走来！与此同时，广东省将在代表未来发展趋势、国外尚未形成壁垒的领域有针对性地强长板、补短板，如基于先进封装的异构集成技术。报告人：广东省知识产权保护中心专家 陈栋报告题目：半导体产业专利快速预审一直以来，国家和广东省政府高度重视知识产权保护工作，针对于此，广东省知识产权中心于2008年挂牌成立。陈栋在报告中详细介绍了广东省知识产权保护中心和专利快速预审并表示，广东中心为公益单位，开展的专利快速预审业务为公益服务，不收取任何费用。陈栋的报告结束后，现场进行了广东省半导体产业知识产权维权援助工作站的挂牌仪式和第九届中国电子信息博览会创新奖的颁布。广东省半导体产业知识产权维权援助工作站第九届中国电子信息博览会创新奖报告人：深圳泰研半导体装备有限公司副总经理 方铭国报告题目：SIP封装的产业化趋势伴随着摩尔定律逐步失效，半导体性能要求越来越高，线宽线距越来越小，使得传统工艺难以应付。在此背景下实现线路微细化的先进封装制程应运而生，其中最具制程技术优势及产业吸引力者，当属系统级封装(SiP)，SiP的成品率比较高、成本低，芯片互联可通过基板的多层互联布线实现引脚再分布，模组化的芯片具有优越的性能指标，是一种必然的趋势。报告人：深圳市微源半导体股份有限公司董事长兼总经理 戴兴科报告题目：显示半导体的国产化之路谈到显示半导体的国产化之路，戴兴科认为，TFT/OLED/MiniLED显示屏的技术路线的迭代远未形成趋势，还需要长时间应用驱动更新；TFT未来市场可期，因为成熟度高，价格便宜实用，会新增许多应用场景，需求量持续，面板厂继续加大投资，挤占国际品牌市场；OLED会继续投资，主要集中在手机等中小尺寸屏，量会极速增长；MiniLED会开始放量，主要集中在超高清电视等大屏相关的应用上。同时，戴兴科表示，国内面板产业会稳固TFT,加大投资OLED，研发Mini/Micro等新型技术报告人：淮南经济技术开发区管理委员会副主任 姚保斌报告题目：投资福地 创享未来淮南位于安徽省中北部，地处淮河中游，是国家新型能源基地、华东工业粮仓、安徽省重要的工业城市和区域中心大城市，长三角经济协调会成员，中部“三基地一枢纽”建设的重点城市，淮河生态经济带的核心城市之一，有“楚风汉韵、能源之都”之称。下辖二县五区和一个国家级综合实验区。面积5532平方公里，市常住人口349万人，工业化率40%，城镇化率65%。在报告中，姚保斌详细介绍了淮南经济开发区的发展优势、政策体系等内容。

2021年4月26日，莱伯泰科发布2021年年报，2021年公司实现营业收入36,885.79万元、归母净利润6,941.31万元，分别同比增长5.81%、6.44%，主营业务毛利率48.19%。报告期内，公司因实施股权激励计划产生的股份支付费用为334.60万元，剔除股权激励费用影响后，扣非归母净利润较上年同期增长12.77%。报告期内，莱伯泰科整体经营状态良好，境内外生产稳定，除进一步巩固和提升原有核心产品的市场占有率、加快现有产品的升级换代、不断推出新的样品前处理仪器外，也加快了在分析测试仪器上的研发速度，在2021年5月正式发布了新产品电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS），并在半导体、医疗、传统领域实现了销售，进一步响应国家在重要仪器设备方面实现技术自主可控的目标。持续扩充分析测试仪器产品品类作为国内领先的科学仪器公司之一，莱伯泰科研发投入逐年增加，2021年研发投入3,138.24万元，同比提升6.95%，占收入比重8.51%，新增研发人员20人，截至2021年底研发团队101人，占公司总人数比例22.70%。除了在原有的样品前处理领域持续巩固龙头优势外，公司沿着质谱仪产品线持续扩充分析测试仪器品类。2021年上半年，莱伯泰科正式推出自主研发的电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS），全年完成了多个领域的产品销售，在半导体头部企业的芯片生产线端成功通过验证并实现销售，得到了客户认可。据了解，我国半导体行业所使用的ICP-MS长期由海外厂商供应，其中，安捷伦占据90%以上市场份额，公司产品成功进入半导体产业链并在生产线端通过验证，打开了我国科学仪器在半导体产业链的国产替代进程。下半年，莱伯泰科进一步在质谱仪产品线上加深研发，在报告期内新增两项在研项目。其中，电感耦合等离子体四极杆-飞行时间质谱仪（ICP-Q-TOF-MS），可实现单细胞多元素同时检测的基本功能，是针对细胞及元素水平的科学研究研发的高端分析仪器，国内尚无成熟的相关产品。该项目已做为北京市顺义区重大科技研发项目立项。另外一个项目电感耦合等离子体串联四极杆质谱仪(ICP-MS-MS)，主要是针对解决半导体等领域检测灵敏度更高、抗干扰能力更强、检出限更低的需求，ICP-MS在国内已经有近十年的发展经验，但是一直还主要停留在单四极杆的技术应用阶段。安捷伦公司自2012年推出8800 ICP-MS-MS串联四极杆质谱仪，极大地巩固了其在半导体行业的领导地位，成为极低检出限的无机元素分析的标杆。PE公司也于2020年推出了真正意义的三重四极杆NexION 5000型ICP-MS-MS，准备进军半导体等行业。莱伯泰科LabMS 3000质谱仪首次实现了国产ICP-MS在半导体行业芯片生产线上的应用，在此基础上，公司继续研发更高精度的ICP-MS-MS，引领国内无机元素痕量分析技术发展。全方位拓展分析仪器公司综合实力作为国内领先的科学仪器公司之一，莱伯泰科持续致力于完善公司的竞争优势。2021年，公司持续加大研发投入、拓展研发团队，成立了上海研发中心，并进一步提升销售能力，报告期内新增销售团队11人，采用横向区域化管理、纵向产品条线管理的销售体系，进一步细化销售目标。年报显示，2021年，莱伯泰科在医疗行业与疾病控制行业收入增加显著，分别较去年同期上涨了36.26%、40.38%，部分产品销售额提升明显，全自动电热消解仪/吹扫捕集仪/微波消解仪/超级微波消解系统分别同比增长38.58%/68.65%/62.07%/51.33%。此外，公司持续拓展新的产品应用领域，21年成立了核素团队、制药团队，专门为客户提供核素分离、核素萃取等定制化产品，并结合公司的ICP-MS质谱仪为客户提供一站式整体解决方案。针对制药企业在中药、生物药及化学药的研发与生产过程中的需求，结合现有产品进行定制化开发，按照客户需求有针对性的开发新产品。在半导体领域，除ICP-MS外，公司具备无机检测全产品线优势，未来能够进一步拓展市场份额。为匹配样品前处理仪器及分析测试仪器产品，莱伯泰科针对高端耗材和特色耗材亦有布局。2018年12月，莱伯泰科子公司CDS公司购买了美国大型多元化企业3M公司旗下的Empore品牌固相萃取产品生产设备及相关技术，进一步拓宽了公司的耗材产品范围。Empore于20世纪90年代初即开始为固相萃取用户提供高品质、高性能的耗材产品系列，以高分子材料作为固相萃取介质的结构材料，使约90%的固相萃取介质稳定结合在10%的高分子网状结构中，消除了堆填式固相萃取耗材中的沟流现象，提升了萃取效率，产品口碑优异。针对未来发展，公司表示，未来将继续加大推进中高端科学仪器的研发生产力度，推动公司产品技术革新，提升公司产品竞争力，打破高端仪器进口的局面，加快国产仪器进口替代的步伐。进一步强化在样品前处理、各类分析测试仪器等方面的市场地位，提升公司产品自动化、多样化分析技术实力。继续推动实验分析仪器从自动化、高通量、多功能向分析检测全流程自动和智能化发展，以丰富的产品种类、高效自动的产品特征、快速优质的售后服务获得客户认可，提高品牌知名度、提高市场占有率，实现收入持续增长。

6 Plus的&ldquo 弯曲门&rdquo 事件最近成了外界热议的话题，虽然苹果声称只有极个别的用户受到了影响，但这样的解释依然难掩悠悠之口。为了展示自己严格的品质测试流程，苹果日前向外界揭开了自己测试实验室的神秘面纱。 　　这已经不是苹果第一次采取这样的公关策略了：在2010年iPhone 4的&ldquo 天线门&rdquo 之后，苹果就曾允许部分记者进入自己的实验室。 　　而这一次，苹果全球营销副总裁Phil Schiller再次重申了苹果在官方声明当中的说法：苹果只接到了9起弯曲iPhone 6 Plus的报告，这和产品的总销量相比是九牛一毛。随后，他又再次介绍了iPhone 6的部件清单，包括一体式结果，高强度铝合金，&ldquo 业界最强韧的玻璃&rdquo ，不锈钢，还有钛合金嵌入物。 　　而他们之前并没有介绍过的，是约有1.5万部的iPhone 6和iPhone 6 Plus评测机型(各自)在发布之前接受了&ldquo 彻底的&rdquo 测试&mdash &mdash 这可谓是苹果的历史之最。大部分的测试都是在中国进行的，但许多设备也会在库比蒂诺总部接受测试。 　　数十名不同身高和体重的工程师在产品上市之前的几个月里会随身携带iPhone 6和iPhone 6 Plus的模型或者是仿制品，然后报告自己的体验，实验室则会根据这些报告来对测试规范进行调整。 　　苹果对于iPhone的测试主要包括： 　　坐立测试 　　首先是&ldquo 坐立测试&rdquo ，它的意思非常直白，就是苹果试图复制你的屁股坐到iPhone上头时情况。 　　苹果硬件工程高级副总裁Dan Riccio介绍道，对于那些担心手机会在口袋里被压弯的用户来说，这项测试和该问题是最息息相关的。坐立测试由3部分构成，第一部分会模拟普通用户坐到硬表面上，第二部分会模拟用户陷入柔软物体(比如沙发)当中的情形，而第三部分也是被称作&ldquo 最糟情况&rdquo 的测试，那就是用户把手机放在裤子后口袋，然后以某种角度坐到硬表面上。 　　Riccio说它们会&ldquo 上千次&rdquo 循环进行这些测试。 　　3点弯曲测试 　　Riccio说，这个测试可能&ldquo 和你们看到的视频关系最密切&rdquo 。测试会使用最高25千克的重力施加在手机的中心(正反面)，这实际上还不是手机真正能够承受的最大重力。在测试当中，手机在重压之下的确出现了弯曲，但当金属条抬起之后，机身的形状又恢复如常。 　　当被问及为什么这些手机在受压之后会复原，而那些用户的手机却产生了永久性的弯曲时，Riccio解释道，在某些情况下，如果用户施加的压力超过了变形的自然点，手机就可能会&ldquo 变不回来了&rdquo 。 　　压力点测试 　　在这项测试当中，一个重量为10千克的稳定压力点会被直接施加在手机的中心。 　　扭曲测试 　　苹果最后展示的是扭曲测试，在这项测试当中，记者看到一部iPhone 6，iPhone 6 Plus和MacBook Pro以各种角度从机身两端被扭曲，不过苹果不愿透露弯曲的角度究竟是多大。 　　以上就是苹果此次展示的所有测试手段，不过他们表示，实际的产品测试并不止于此。 　　虽然尺寸不同，但iPhone 6和iPhone 6 Plus所经历的测试都是相同的，因此有记者问Schiller是否有任何iPhone 6出现弯曲的报告。 　　他并没有直接回答这个问题，而是回应称公司会收到各种各样的产品问题投诉，但这些都是极其少见的。 　　在本次的展示当中，有人发现了苹果实验室里一个非常有趣的地方，那就是里头的电脑竟然还在使用Windows XP操作系统。我们都知道，该系统问世已经超过10年，且不再受到微软的支持。 　　看样子就连苹果都不想要升级自己的Windows版本，宁愿使用过时的系统也不愿通过较新的系统版本保护自己的内网。

半导体行业试剂篇——那些不可不提的酸 关注我们，更多干货和惊喜好礼在上篇文章中，我们主要介绍了半导体行业中关于芯片生产需要严格关注空气与纯水的质量。然而除了环境空气与超纯水，还有一部分是需要关注的就是化学试剂。在电子产品的生产过程中需要用到的试剂是电子级试剂，要求电性杂质含量极低，才可以控制产品最终的质量。而有些半导体材料中甚至会人为加入一些特定的成分，从而其电导性能才具有可控性，因此试剂中杂质离子的含量，就变得尤为重要。 那么涉及到半导体的试剂有哪些呢？他们的作用分别是什么呢？我们大致可以将其分为三类：酸（如氢氟酸、硝酸、硫酸等）、碱（氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵等）、溶剂（异丙醇、丙酮等），本篇主要给大家介绍酸。 半导体中常用的酸国际半导体设备与材料产业协会（semi）对这有各种明确的标准规定（见下表，单位为ppm，以最gao级别算）。那么对于这些高纯度的试剂中的杂质离子，我们怎么样去测试呢？测试过程中会遇到什么样的问题呢？今天我们首先针对不同种类的酸，且看赛默飞离子色谱为大家提出的一个个的解决方案！高纯试剂——氢氟酸、磷酸中的杂质利用这两种酸均为弱酸的特点，因此可采用同一方法——柱切换进行分析，相关标准分别为：semi c28 氢氟酸中的阴离子、gbt 31369-2015；semi c36 浓磷酸中的阴离子、gbt 28159-2011。氢氟酸（hf）、磷酸（h3po4）、乙酸（ch3cooh）均为弱酸，利用排斥柱donnan原理，弱酸及有机酸在排斥柱上有保留而无机阴离子没有保留的特点，我们采取柱切换的方式可以将以弱酸为基体的主成分切换掉，同时无机阴离子进入到浓缩柱中进行富集。再经过高容量色谱柱进行分离，可以准确测定氢氟酸与浓磷酸中无机阴离子含量，避免了高浓度基质的干扰，且检出限可达10ppb。 氢氟酸中常见阴离子谱图浓磷酸的离子排斥色谱图（1. 强酸离子；2. 磷酸根）浓磷酸中常见阴离子谱图高纯试剂——浓硝酸中阴离子弱酸的方案我们得到了解决，那么无机强酸中的阴离子怎么去解决呢？这又面临着新的挑战，硝酸是无机强酸，柱切换的方式已然不可用，那么这次挑战得到解决有赖于我们赛默飞特有的高容量色谱柱，高容量色谱柱可以保证即使在出现高基体的情况下，也不会导致色谱柱饱和且不会影响痕量离子的分离度，稀释50倍后，浓度差可达十万倍，进样分析谱图如下，检出限可达1ppm。 75%硝酸稀释50倍进样高纯试剂——浓硫酸中杂质阴离子恭喜飞飞又完成了一项挑战，解决了浓硝酸中痕量阴离子的问题，可是挑战还有哦，浓硫酸的问题又该如何解决呢？浓硫酸是二元强酸，且保留很强，那么赛默飞有那么多款色谱柱，总有一款适合你（浓硫酸），选择合适的高容量色谱柱，使得硫酸根离子既不会饱和色谱柱，也可以与待测离子有较好的分离度，也可以做到直接稀释进样哦。硫酸稀释后测试后谱图硫酸稀释后加标谱图（分别加标20、30、50ppb）高纯试剂——盐酸中杂质阴离子强酸体系中，还有一员大将——浓盐酸，高容量色谱柱依然是解决该方案的首要因素，可以很好分离高基体中的痕量物质，浓盐酸稀释200倍后可直接进样进行分析，谱图如下： 0.5% hcl及其加标谱图（50ppb） 这么多年以来，赛默飞离子色谱与半导体行业一起成长，为各大半导体企业及其供应链上下游行业提供稳定的技术支持与可靠的数据保证。下面附上可实现上述功能的离子色谱全明星阵容。thermo scientific™ dionex™ ics-6000 离子色谱仪thermo scientific™ dionex™ integrion 离子色谱仪thermo scientific™ dionex™ aquion™ rfic™ 离子色谱仪“码”上下载 填写表单即刻获取【赛默飞dionex离子色谱产品系列】 扫描下方二维码即可获取赛默飞全行业解决方案，或关注“赛默飞色谱与质谱中国”公众号，了解更多资讯+了解更多的产品及应用资讯，可至赛默飞色谱与质谱展台。https://www.instrument.com.cn/netshow/sh100244/

半导体硅晶片生产行业过程中，蚀刻晶片需要用一定浓度的碱液（NaOH和KOH)。这个浓度需要精确的和可重复的蚀刻过程测量和控制。 德国的Rhotec传感器适用于 - 硅晶片生产电子芯片 - 测量NaOH和KOH在[w/w% ] - 蚀刻液浓度的Rhotec自动控制 测量原理 在线Rhotec-E密度传感器/传送器精确测量液体的密度，可以在极端工艺条件状态下使用。当样品经过U型管，振荡频率发生变化并测量相应的振荡频率，温度探头PT1000作温度补偿，测出的振荡频率转换为密度并显示w/w%，v/v%，Brix(白利糖度)，萃取率%或其他可测量介质的密度。使用此装置可记录分析液体的密度变化，尤其溶解性物质和非溶解性物质的混合物，如有机和无机混合物。 技术参数： 测量范围 0~3 g/cm3 过程连接 3/8&rdquo 螺纹 精度 ± 0.0001 g/cm3 传感器连接 现场总路线DP 重现性 ± 0.00001 g/cm3 输入 2*digital（24VDC） 响应时间 &le 1s 输出 3*digital（24VDC） 2*analog(4~20mA) 温度传感器 Pt1000 可选 现场总线DP 温度范围 -25~125℃ 外壳防护等级 IP65 压力 最大50bar 电源 24VDC 接触样品的材质 哈氏合金C276，蒙乃尔合金400， 耐热铬镍铁合金825， 不锈钢1.4571，钽等 爆炸防护（可选） Ex Ⅱ 2G Eex d ⅡC T6 更多信息请联系400-628-2898或电邮 redmatrix@126.com

2021年9月23日，由芜湖市人民政府和SEMI中国共同主办的“化合物半导体制造技术论坛”在安徽省芜湖市成功举办，晶湛半导体应邀出席并发表题为“用于新型GaN功率器件的外延技术进展”的主旨演讲。在演讲中，晶湛半导体成功展示了一系列用于200V、650V和1200V功率半导体器件的高质量300mm GaN-on-Si HEMT外延片，并且具有优异的厚度均匀性和低晶圆翘曲，这为使用更复杂精密的300mm CMOS兼容工艺线进行氮化镓芯片制备铺平了道路。大尺寸Si衬底上GaN外延技术的突破，将GaN的卓越特性和CMOS兼容加工线的生产优势结合在一起，使GaN-on-Si功率器件具有优异的性能和可靠性。如今，基于GaN-on-Si HEMT技术平台的商用GaN功率器件已获得巨大的发展机遇，，GaN功率器件正在加速进入消费电子、工业电子、数据中心、能源、汽车和交通等广阔的功率芯片应用领域。在进一步降低芯片成本和进行复杂电路设计和集成的驱动下，更大的晶圆尺寸已经成为行业的发展方向。继2014年成功推出商用200mm GaN-on-Si HV HEMT外延片后，晶湛半导体已成功将其AlGaN/GaN HEMT外延工艺转移到300mm Si衬底上，同时保持了优异的厚度均匀性和50µm以内的低晶圆翘曲。垂直电压击穿测量表明，300mm尺寸的晶圆同样适合于200V、650V和1200V功率器件应用（图1）。图1：晶湛半导体300mm GaN-on-Si HEMT外延片系列（200V，650V，1200V击穿电压应用）厚度均匀性分布图和垂直击穿电压分布图（漏电流=1µA/mm2 @ RT）为解决GaN外延中的晶圆开裂/弯曲和高晶体缺陷等关键问题，晶湛半导体此次发布的300mm GaN-on-Si HEMT结构外延片采用了如图2（a）所示的外延结构。外延生长从AlN形核层开始，然后是应力弛豫缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层。如图2（b）所示，窄的XRD AlN（002）峰和良好的半高宽均匀性表明整个300mm晶圆的晶体质量较高。 图2：（a）晶湛半导体300mm GaN-on-Si HEMT外延结构示意图(b)AlN成核层XRD(002) FWHM分布图， Avg=743arcsec（Std=2%） 图3展示了从晶圆中心到晶圆边缘的9个位置处测得的AlGaN势垒层中的铝成分含量及2DEG载流子浓度。测量结果显示AlGaN势垒中铝成分的平均值为19.9%，标准差为0.68%（图3a），表明300mm晶圆具有均匀的2DEG电学特性。CV测试同样证实了这一点，测试结果显示平均电子浓度为7.2E12 cm^-2，标准偏差2%（图3b）。图3：晶湛半导体300mm AlGaN/GaN HEMT外延片中势垒层Al组分含量分布和2DEG浓度分布　晶湛半导体创始人兼CEO，程凯博士评论道：“基于我们优化的AlN成核层技术，我们能够在高达300mm的大尺寸硅衬底上生长无裂纹的GaN HEMT外延片，并且满足相应的漏电流要求。尽管在300mm大晶圆尺寸下，外延工艺、应力管理和缺陷控制方面都存在巨大挑战，我们仍在AlGaN/GaN HEMT外延片中实现了优异的结构质量和电性能。这必将鼓励大功率集成电路的发展，推动片上系统（SoC）的集成并进一步降低GaN功率器件的成本。

在晶圆制造前道过程的不同工艺阶段点，往往需要对wafer进行厚度（THK）、翘曲度（Warp）、膜厚、关键尺寸（CD）、套刻（Overlay）精度等量测，以及缺陷检测等；用于检测每一步工艺后wafer加工参数是否达到设计标准，以及缺陷阈值下限，从而进行工艺控制与良率管理。半导体前道量检测设备，要求精度高、效率高、重复性好，量检测设备一般会涉及光电探测、精密机械、电子与计算机技术，因此在半导体设备中，技术难度高。在wafer基材加工阶段，从第一代硅，第二代砷化镓到第三代也是现阶段热门的碳化硅、氮化镓衬底都是通过晶锭切片、研磨、抛光后获得，每片衬底在各工艺后及出厂前，都要对厚度、翘曲度、弯曲度、粗糙度等几何形貌参数进行系统量测，需要相应的几何形貌量测设备。下图为国内某头部碳化硅企业产品规范，无论是production wafer，research wafer，还是dummy wafer，出厂前均要对几何形貌参数进行量测，以保证同批、不同批次产品的一致性、稳定性，也能防止后序工艺由于wafer warpage过大，产生碎片、裂片的情况。中图仪器针对晶圆几何形貌量测需求，基于在精密光学测量多年的技术积累，历经数载，自研了WD4000系列无图晶圆几何量测系统，适用于线切、研磨、抛光工艺后，进行wafer厚度（THK）、整体厚度变化（TTV）、翘曲度（Warp）、弯曲度（Bow）等相关几何形貌数据测量，能够提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等几何形貌图及系列参数，有效监测wafer形貌分布变化，从而及时管控与调整生产设备的工艺参数，确保wafer生产稳定且高效。晶圆制造工艺环节复杂，前道制程所需要的量检测设备种类多、技术难度高, 因此也是所有半导体设备赛道中壁垒最高的环节。伴随半导体制程的演进，IC制造对于过程管控的要求越来越高，中图仪器持续投入开发半导体量检测设备，积极倾听客户需求，不断迭代技术，WD4000系列在诸多头部客户端都获得了良好反响!千淘万漉虽辛苦，吹尽狂沙始到金。图强铸器、精准制胜，中图仪器与中国半导体产业共同成长。

5月21日，粤港澳大湾区半导体装备及零部件产业技术创新联盟在季华实验室成立。中国集成电路零部件创新联盟、广东省真空学会、广东省集成电路行业协会、粤芯半导体等100余家单位参会，“粤港澳大湾区半导体装备及零部件产业高峰论坛”同步举行。半导体集成电路是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。加快推进集成电路产业发展，对转变经济发展方式、保障国家安全、提升综合国力具有重大战略意义。当前半导体集成电路产业是广东省重点发展的产业，而佛山是全国闻名的制造业强市，工业总产值全国排名第六、全省第一，并建有完善成熟的制造业工业体系，“珠江西岸先进装备制造产业带”建设、“佛山市创新驱动助力工程”建设等工作的深入推进已使佛山成为粤港澳大湾区集成电路战略布局的重要据点。季华实验室理事长、主任曹健林介绍，为助推产业发展，促进产学研用深度融合和科技成果产业化，粤港澳大湾区半导体装备及零部件产业技术创新联盟成立将以助力港大湾区半导体装备及零部件产业发展为主题，立足佛山、辐射全国，旨在集中展示半导体装备及零部件产业发展成果，打造大湾区半导体装备及零部件产业交流与贸易平台，推动佛山泛半导体零部件集聚区快速建立。“联盟目前有初创会员22家，主要是装备和零部件企业，我们希望以联盟成立为契机，团结省内企业，一起努力在半导体装备和零部件方面做出成绩，提升佛山半导体集成电路产业水平。”粤港澳大湾区半导体装备及零部件产业技术创新联盟秘书长胡琅说。广东省工业和信息化厅总工程师董业民表示，季华实验室发起成立粤港澳大湾区半导体装备及零部件产业技术创新联盟，对发挥佛山高端装备制造产业优势，整合粤港澳大湾区及国内外半导体装备创新资源，加强产业链上下游合作，推动技术创新和成果转化具有重要的促进作用。“希望联盟能够把握广东省集成电路巨大的应用市场优势和大湾区的区域优势，发挥公共服务和强大的纽带作用，加强行业交流合作，开展产学研协同创新，打造半导体装备及零部件服务新业态重点产业聚集，推动国产集成电路产业高质量的发展。”董业民说。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准）碳化硅(SiC)碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下，标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石（Al2O3） 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体，主要应用于制作LED灯的关键材料，也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶，又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中，对此，我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是，CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 柔性热电能量转换技术可将环境或人体温差转化成电能实现电子设备的自供电，在可穿戴等领域具有广阔的应用前景。传统无机热电材料具有优异的热电性能，但不具备柔性功能；而有机热电材料虽具有良好的柔性和弯曲性能，但热电性能极低。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 有机/无机复合热电材料可综合无机材料的热电高性能和有机材料的良好弯曲性能，成为近年来的研究热点。具有一维结构的碳纳米管或金属纳米线可以与有机材料的一维分子链形成紧密连接的导电网络，并沿链网络提供高导电通道，因此常被用于有机/无机复合热电材料的研究。但碳纳米管或金属纳米线极低的泽贝克系数导致复合材料的泽贝克系数难以提高。而无机热电材料虽然具有高泽贝克系数，但是其形状通常为片状或颗粒状，导致复合材料低的电输运性能。因此，如何选择匹配的有机/无机材料从而获得良好的电输运成为有机/无机复合热电材料研究的关键科学问题。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 最近，中国科学院上海硅酸盐研究所研究员史迅、陈立东、副研究员仇鹏飞、瞿三寅等与美国克莱姆森大学教授贺健合作，提出了一种维度匹配的热电复合材料设计新策略，即使用同样具有一维结构的无机半导体材料制备高性能PVDF/Ta4SiTe4有机/无机柔性热电复合薄膜，其原型器件在35.5K温差下归一化最大功率密度为目前已报道的柔性热电器件中的最高值。相关研究成果以Conformal organic–inorganic semiconductor composites for flexible thermoelectrics& nbsp 为题& nbsp ，发表于Energy & amp Environmental Science上。 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 有机材料聚偏氟乙烯（PVDF）具有一维链状结构，是一种具有优良柔性的绝缘体。基于维度匹配的设计思路，该团队选择了同样具有一维结构的Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 无机材料与PVDF进行复合制备有机/无机柔性复合薄膜。通过化学气相输运反应，得到Ta位掺杂0.5% Mo的Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 一维晶须。然后以N,N-二甲基甲酰胺（DMF）作为分散剂，通过滴涂的方法得到PVDF/Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 复合薄膜。扫描电镜发现Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 晶须均匀分散于PVDF基体之中构成网络状结构。透射电镜表明Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 晶须与PVDF形成紧密结合的两相界面。热电性能表征发现PVDF/50 wt% Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 具有优良电输运性能，在220 K功率因子高达1060 μWm sup -1 /sup K sup -2 /sup 。特别是，在相同的电导率下，PVDF/50 wt% Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 薄膜的泽贝克系数远高于基于碳纳米管或金属纳米线的有机/无机复合薄膜。Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 自身的半导体输运特性和一维结构共同产生了上述的优良电输运性能。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 在实现优良电输运性能的同时，维度匹配的PVDF和Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 所形成的有机/无机复合薄膜也具有良好的柔性。在直径9 mm的曲面上反复弯曲5000次，PVDF/50 wt% Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 薄膜电阻没有明显变化。研究团队初步制备了包含4个PVDF/50 wt% Ta sub 4 /sub SiTe sub 4 /sub 热电单偶的原型热电器件，在温差35.5K时，器件归一化最大功率密度达到0.13 Wm sup -1 /sup ，是现有报道的柔性热电器件的最大值。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 研究工作得到国家重点研发专项、国家自然科学基金、中科院青年创新促进会、上海市青年科技启明星项目等的资助和支持。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/EE/C9EE03776D#!divAbstract" target=" _self" style=" color: rgb(0, 112, 192) text-decoration: underline " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 文章链接 /strong /span /a /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202006/pic/6b411bc8-07d4-4c5e-b683-14cb4ba70432.jpg" / /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 图a) PVDF/Ta4SiTe4柔性复合薄膜示意图。b) PVDF/Ta4SiTe4复合薄膜与已报道的一维有机-无机复合薄膜热电性能对比。c)PVDF/Ta4SiTe4基原型热电器件与已报道的柔性热电器件的归一化最大功率密度对比。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202005/webinar/17b432cd-d148-45fa-bf58-e391bf686e5a.jpg!w1920x420.jpg" / /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 为促进全国各地高校、科研院所、企业等相关从业人员进行复合材料性能表征与检测技术交流， strong 仪器信息网将于2020年6月15日举办“复合材料性能表征与评价”主题网络研讨会 /strong ，邀请领域内杰出专家和业内人士围绕复合材料力学与物理性能、损伤与破坏、宏微观多尺度模拟、疲劳特性等方面带来精彩报告，并为参会人员搭建网络互动平台进行学术交流。 /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202006/pic/50354d2d-5cea-442b-80b6-44b14d98eaf9.jpg" / /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202006/pic/9432a056-9d8f-4709-aa7c-c26f5e53f32b.jpg" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong span style=" text-indent: 2em " 参会方式（手机电脑均可参会） /span /strong br/ /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 1、 a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/FHCL/" target=" _self" style=" color: rgb(0, 112, 192) text-decoration: underline " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " 官网报名 /span /a ，通过审核后您将收到通知；态度敷衍乱填将不予审核。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 2、会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接，输入报名手机号，即可参会。 /p

p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　当今时代，以人工智能、5G、移动通信、物联网、区块链等为代表的新一代信息技术突飞猛进，给社会生产方式和人们生活都带来了翻天覆地的变化，而这些新技术，离不开半导体行业和芯片科技的发展。6月15日，比亚迪发布公告宣称，比亚迪半导体将引入SK、小米、招银等多家战投合计8亿元投资。而在此前的5月底，红杉、中金等14位投资者，已向其注入19亿元投资。可见，半导体产业链正在引发越来越多的关注，新一轮的发展机遇扑面而来。 br/ /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　先进的半导体生产工艺离不开先进的材料检测表征手段。6月26-29日，半导体行业盛会SEMICON China 2020在上海新国际博览中心举行，全球最大的分析仪器制造商之一珀金埃尔默，携全面的半导体行业解决方案，以及最新的无机元素分析利器，业界首款化学高分辨多重四极杆ICP-MS NexION& reg 5000精彩亮相。展会现场，我们采访了珀金埃尔默应用市场高级产品经理朱敏，请他介绍珀金埃尔默在半导体行业检测中的布局及其先进的分析检测技术如何助力半导体行业发展。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 400px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202007/uepic/129ba450-d218-47aa-94bf-d589e8d8e64c.jpg" title=" 微信图图.jpg" alt=" 微信图图.jpg" width=" 600" height=" 400" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　半导体行业是电子信息产业的基础，更先进的芯片一直是行业的核心追求之一。在指甲盖大小的芯片上可能集合了近万米金属线和几千万甚至上亿根晶体管，这犹如在一粒沙上建造一座城市，对集成电路芯片生产工艺提出了很高的要求。在半导体器件制造过程中，对痕量元素杂质的控制会直接影响半导体产品的良品率。这要求对半导体制程中的晶圆、超纯水、化学试剂、光刻胶、电子特气等进行严格的无机元素检测。目前，根据最新的制程要求，SEMI(国际半导体设备和材料协会)Grade 5 标准，半导体用超纯水本底要求为小于1ppt水平，所有超纯化学品中关键无机元素离子小于10ppt，更有半导体生产企业依据其制程工艺，提出需达到5ppt甚至更低的水平。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 500px height: 500px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202007/uepic/90d4f3d1-7f76-405a-b132-5d2641cabe9b.jpg" title=" 5000.png" alt=" 5000.png" width=" 500" height=" 500" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center line-height: 1.5em " 　　NexION sup & reg /sup 5000 化学高分辨多重四极杆ICP-MS /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　珀金埃尔默为满足严苛的痕量元素、超痕量元素检测而开发的NexION 5000，具有业内独有的四组四极杆设计，结合碰撞反应池技术，可提供超低的背景等效浓度、优异的检出能力和基体耐受性，可实现高准确度和高可重现性的分析结果。其四组四极杆质谱平台和四路碰撞反应气，可以依据不同的应用需求，简单、灵活地进行选择，在性能上较现有的高分辨HR-ICP-MS、传统三重四极杆和单四极杆ICP-MS均有质的提升，可满足半导体行业越来越严苛的工艺质控要求。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　 strong 以化学品硫酸分析为例 /strong ，它在半导体晶片清洗、半导体晶片蚀刻方面应用广泛，但98%的硫酸粘度为27cP，未经稀释直接引入ICP-MS 进行分析会存在物理干扰，一般需要稀释10倍后再进行分析，因此，其要求的元素需要满足小于1ppt。这对于一些因硫酸基质带来的质谱干扰较大的元素如Ti、Zn的检测则非常困难。同时，硫酸的强腐蚀性，对ICP-MS仪器的长久稳定分析也提出了很高的要求。“而NexION 5000在检测化学品硫酸中的Ti和Zn含量时，可满足SEMI Grade 5所提出的 & lt 10ppt 要求，同时在热等离子体条件下展现很强的基体耐受性，其长时间运行性能也非常优秀。”朱敏介绍说。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　 strong 再例如被广泛地用于半导体器件生产中所有湿法工艺步骤的超纯水。 /strong 在这些步骤中，超纯水可能会吸收污染物并沉淀到硅表面。在SEMI F63-0918《半导体加工中超纯水使用指南》中，除B(50ppt)和Ni(3ppt)外，26种金属污染物的目标值应小于1ppt。NexION 5000通过各四极杆的不同质量分辨能力和工作模式，在等离子体更加强健的热等离子体条件下，结合碰撞反应池技术，可实现化学高分辨，获得终极干扰消除，26种关键金属元素的背景等效浓度小于0.5ppt，而对于硅、硫等非金属元素检出能力也非常突出。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　 strong 抛光材料中悬浮物纳米颗粒的尺寸分布特征 /strong ，以及大颗粒的辨别，是光刻过程中质量控制的重要方面，同时晶片清洗所使用的化学品中潜存的纳米颗粒，都会影响芯片质量。NexION系列 ICP-MS超快速的瞬时采集能力(达10,0000点每秒)，可快速扫描和分析识别纳米颗粒、获得颗粒浓度、大小和分布信息，协助工艺生产。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　朱敏表示， strong 集成电路行业金属杂质检测目前面临的主要挑战来自于两方面， /strong 一是对常见样品的分析能力，包括检出能力和该检出能力实现的难易程度与可靠性 另一方面就是一些新兴需求的解决方案，如在线化学品、纳米颗粒、气体元素杂质的直接进样分析等。以常见样品，如化学品硫酸为例，现有的技术手段存在单次样品分析时间过长、部分关键元素检出能力不强、部分元素稳定性不佳以及需要频繁清洗维护仪器等不足，珀金埃尔默NexION 5000很好地解决了这些问题。对于新兴的客户需求，珀金埃尔默也积极开发方案，如气体元素杂质的直接进样技术，目前该技术已在该领域多家龙头企业中得到了应用。 /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　 strong 多技术提供半导体全面解决方案 /strong /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　除痕量元素检测之外，半导体行业中使用的有机化合物的纯度和杂质的含量，以及这些有机化合物挥发到空气中形成的气态分子污染物(AMC)也会影响到产品质量。这对有机化合物的质量控制，以及实时空气中AMC的在线监控提出了更高要求。珀金埃尔默的气相色谱/质谱联用可高效高灵敏度地检测有机化合物的质量，并且还可以搭配热脱附仪，实现洁净室或生产区域内空气中AMC的在线或离线采集进样，并检测出空气中极低浓度(& lt ppb)的有机污染物。而对于芯片封装过程中广泛的材料表征需求，以及显示面板、光伏电池、光学薄膜等领域，珀金埃尔默可提供傅里叶变换红外光谱仪、红外显微镜、紫外可见近红外分光光度计、差示扫描量热仪、热机械分析仪等产品，用于测定固化率、固化热、热膨胀系数、透光率、反射率、微观污染物、成分浓度等，为客户提供全面的解决方案。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202007/uepic/54908695-dd8b-4a87-a2ad-ed55595caec5.jpg" title=" GC.png" alt=" GC.png" / /p p style=" text-align: center line-height: 1.5em " strong 珀金埃尔默气质联用仪及热脱附-气相色谱/质谱 /strong /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　化学分析与检测对集成电路生产非常重要，它们为确保芯片生产质量，改善良品率，提供敏锐的“眼睛”。前不久，业界就发生过因光刻胶中相关金属离子不达标从而引起几亿美金损失的惨痛教训。珀金埃尔默在半导体行业的检测方案囊括了无机元素与纳米颗粒检测、AMC及VOCs等有机物检测以及IC封装中材料检测等方面。“我们期待与用户一同，引进和开发更多有针对性的应用方案，用先进的技术和可靠的仪器为客户带来实实在在的帮助，助力中国半导体行业的发展。” /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　后记： /p p style=" text-align: justify line-height: 1.5em " 　　半导体作为新材料的重要组成部分，是世界各国为发展电子信息产业而关注的重中之重。机遇与挑战并存的中国半导体产业正在努力提升核心竞争力，向产业链上下游延伸。未来可期，让我们拭目以待。 /p p br/ /p

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 国家2030计划和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。由于第三代半导体材料更为优异，与国外差距相对较小，国家希望通过十四五规划，把三代半导体提升至战略高度，第三代半导体可能成为我国半导体产业发展弯道超车机会。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 目前我国第三代半导体市场和应用前景广阔。一方面，第三代半导体下游应用切中了“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁交主要领域，另一方面，第三代半导体产品主要使用成熟制程工艺，在美国持续升级对我国半导体产业技术封锁的大环境中，第三代半导体有望成为我国半导体产业突围先锋，相关产业链上下游企业将充分受益。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 半导体设备需求及订单向上拐点或已到来。2020年行业有望较快成长，新增需求源自5G商用推动全球存储扩产及中国大陆整体晶圆、封测产能扩张，以下第三代半导体设备公司有望受益。北方华创主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务。中微公司正处于市场地位快速提升的高成长阶段，同时其突出的技术及研发实力在本土企业中稀缺度很高。捷捷微电深耕功率半导体行业25年，是国产晶闸管第一大供应商。三安光电2014年5月成立起，正式涉足半导体产业，填补了我国二代、三代化合物半导体砷化镓/氮化镓市场的空白，同时布局新兴 Mini/ Micro-LED芯片产业。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 伴随着国内第三代半导体设备企业技术进步和消费市场前景刺激，第三代半导体产业链将迎弯道超车机会。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 0em " br/ /p p style=" text-align: justify text-indent: 0em " 原文： /p p style=" text-align: justify text-indent: 0em " 原文标题《第三代半导体产业链迎弯道超车机会 科技+消费仍是机构“心头好”》 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 大盘持续震荡考验市场信心，赚钱效应下滑背后机会也更趋于集中。而在结构性机会背后，券商对四季度的机会普遍看好科技 + 消费 。 具体而言，半导体、国防军工、新能源汽车等被频繁推荐。投资者可在震荡中逢低关注上述板块中的龙头标的。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 第三代半导体 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 产业链迎弯道超车机会 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 国家2030计划和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。与第一、二代半导体材料Si、GaAs不同，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等特性，可以实现更好的电子浓度和运动控制，特别是在苛刻条件下备受青睐，在5G、新能源汽车、消费电子、新一代显示、航空航天等领域有重要应用。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 截止目前，A股公司已有45家确有第三代半导体产业链业务，或已积累相关技术专利。华安证券分析师尹沿技指出，由于第三代半导体材料更为优异，与国外差距相对较小，国家希望通过十四五规划，把三代半导体提升至战略高度，第三代半导体可能成为我国半导体产业发展弯道超车机会。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 国海证券分析师吴吉森认为，一方面，第三代半导体下游应用切中了“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁交主要领域，另一方面，第三代半导体产品主要使用成熟制程工艺，在美国持续升级对我国半导体产业技术封锁的大环境中，第三代半导体有望成为我国半导体产业突围先锋，相关产业链上下游企业将充分受益。建议投资者关注北方华创、华峰测控、中微公司 器件领域重点关注斯达半导、捷捷微电、三安光电、闻泰科技、华润微，扬杰科技等。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 潜力股精选 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 北方华创(002371)进一步加码主业 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务。公司现有四大产业制造基地，营销服务体系覆盖全球主要国家和地区。海通证券指出，2018年中国大陆市场设备投资额创历史新高，达到128.2亿美元，成为全球第二大的投资区域，预计2020年中国大陆设备投资将增长至170.6亿美元，未来依然是全球设备投资的主要地区，中国集成电路装备产业也将迎来一个“黄金时代”。公司非公开发行募集资金约20亿元将投入“高端集成电路装备研发及产业化项目”和“高精密电子元器件产业化基地扩产项目”的建设，进一步加码在高端集成电路设备领域的布局。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 中微公司(688012)细分领域领军者 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司日益提升的国际竞争力和半导体设备产业需求复苏、本土晶圆厂扩产及技术成熟、5G产业发展为公司带来的新机遇。相比于成熟发展阶段的海外龙头，公司正处于市场地位快速提升的高成长阶段，同时其突出的技术及研发实力在本土企业中稀缺度很高。虽然估值存在较高溢价，但作为中国高端装备的“核心资产”，其投资价值仍值得关注。华泰证券指出，半导体设备需求及订单向上拐点或已到来，2020年行业有望较快成长，新增需求源自5G商用推动全球存储扩产及中国大陆整体晶圆、封测产能扩张，其中刻蚀、薄膜沉积设备受益程度较高，公司作为国产刻蚀设备领军者有望受益。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 捷捷微电(300623)业绩增长有基础 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司深耕功率半导体行业25年，是国产晶闸管第一大供应商。公司立足功率半导体，在晶闸管基础上不断拓展产品品类，公司有望随着功率半导体的国产化替代加深实现持续快速成长。开源证券指出，2019年中国的功率半导体市场达到 144.8亿美元，主要市场份额为英飞凌、安森美、德州仪器等海外企业占据。MOSFET和IGBT作为功率半导体分立器件的最主要品种，国产替代空间巨大。2019年MOSFET占公司整体营收的15%，公司通过定增项目加码MOSFET、IGBT、新型片式元件、光电混合集成电路封测等产能建设，为业绩增长打下基础。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 三安光电(600703)拐点有望到来 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司2014年5月成立三安集成，正式涉足半导体产业，填补了我国二代、三代化合物半导体砷化镓/氮化镓市场的空白，同时布局新兴 Mini/ Micro-LED芯片产业。公司即使在行业低谷，也依旧保持领先整个行业的利润率。申万宏源证券指出，三安集成业务与同期相比呈现积极变化，已取得国内重要客户的合格供应商认证，各个板块已全面开展合作，2019全年实现销售收入2.41亿元，同比增长40.67%。当前是公司利润率底部区间，行业供需改善拐点有望到来，长期看好公司LED新需求及化合物半导体的发展。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 国防军工 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 行业迈入价值成长阶段 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 二季度业绩明显回暖后，国防军工行业三季度业绩增长确定性依旧较高。可以看到，军工行业计划性更强、下游客户军方需求确定性更高、产业链相对封闭，科研生产的组织更加严密，受经济环境的影响相对较小。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 有行业分析师指出，军工板块逐步迈入价值成长阶段，基本面研究的重要性将越来越重要，标的股价走势与基本面关联度越来越高，自下而上选股将成为获得超额收益的关键。横向比较其它制造业，军工行业的优势在于长期成长确定性。比较而言，部分国家重点建设的装备、部分渗透率显著提升的产品、部分业务开拓能力强竞争优势突出的企业需求增速将显著领先于整个行业，选择这类高成长性的标的是核心策略。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 高景气叠加改革持续推进，国防军工行业基本面持续向上的确定性强。国海证券分析师苏立赞指出，建议关注景气度高、确定性强、业绩有望持续兑现的方向如主战装备上量、航空发动机、军工信息化等，以及具有较强改革预期的相关标的。具体来看，主战装备上量，一流军队建设需要大批先进武器装备的支撑，在装备补短板和型号上量的过程中，主战装备龙头及配套企业前景明确。建议关注中直股份、中航飞机、洪都航空、中航沈飞、中航机电等。航空发动机方面，随着新装和替换需求旺盛，预计未来十年国内军用航空发动机市场规模有望达数百亿美元。建议关注航发动力、航发科技、航发控制、华伍股份、钢研高纳等。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 潜力股精选 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 中直股份(600038)有资金注入预期 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司是直升机制造龙头，我国军用直升机总量仅为美国的1/6，直-20作为中型通用机型，参考“黑鹰”系列直升机在美军作为主力机型的装备比例，保守估计市场空间达680架。直-20有望加速列装，公司作为部件供应商将持续受益。开源证券指出，航空工业集团直升机板块仍有哈飞集团、昌飞集团的总装直升机整机与试飞业务、直升机运营及维修业务以及中航直升机设计研究所(602所)等资产在上市公司体外，资产质量相对优质。考虑到同类资产合并仍是大势所趋，未来公司体外资产的有望注入将带来上市公司盈利规模的提升和关联交易削减所致的盈利能力增强。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 中航机电(002013)平台优势明确 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司背靠航空工业集团，2012年以来经过多次资产重组和整合，成为航空工业集团旗下航空机电系统的专业化整合和产业化发展平台，航空机电产品是公司最主要的业务。华创证券指出，公司航空机电产品有望保持稳健增长趋势，随着更加聚焦航空机电主业以及不良资产的剥离，公司盈利能力预计将有所提高，毛利率或将有所改善，期间费用率预计保持平稳略有下降。同时公司目前作为航空工业集团下属航空机电系统专业化整合和产业化发展平台的地位明确，体外尚有武汉仪表、609所和610所等优质企事业单位资产，未来资产整合仍可预期，优质资产的注入将进一步提升公司的质量。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 航发动力(600893)受益庞大市场需求 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司是国内唯一军用航空发动机产品涵盖涡喷、涡扇、涡轴、涡桨、活塞全种类的企业，是三代主战机型发动机国内唯一供应商。全年业绩在紧密的生产交付节奏下仍将保持稳定较快增长。中信建投证券指出，我国军机正处于更新换代阶段，老旧机型换发与新机列装需求日益旺盛。大涵道比航发实行军民两用为未来发展趋势，公司现有技术或产品进军民用市场亦可期待，预计未来20年，我国民用市场航空发动机需求约为400亿美元。公司作为中国航空发动机集团整机上市平台，将直接受益于军民机庞大市场需求与政策资金红利，我们强烈看好公司未来发展前景。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 华伍股份(300095)业务快速增长 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司是军机和航空发动机产业链重要配套企业，受益于主战装备上量，军工任务饱满，相关业务快速增长。2020年上半年公司航空零部件业务收入同比增长109%，业务进入快速增长期。随着主机厂规模不断扩张，公司迎来重大发展机遇，且公司正推进飞机零部件产能建设，配套层次有望提升至飞机零部件。国海证券指出，军品方面，下游主机厂需求旺盛，公司订单饱满，军工业务有望加速放量。民品方面，公司工业制动器快速增长，特别是风电制动器高速增长，风电抢装过后仍有望保持较快增长 轨交制动器有望成为新的增长点。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 新能源汽车 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 市场数据持续向好 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 从之前中国汽车工业协会发布的8月我国汽车产销数据来看，8月新能源汽车产销量分别为10.6万辆和10.9万辆，同比分别增长17.7%和25.8%，新能源汽车产销量同比保持快速增长。可以看到，2020年上半年新能源汽车市场恢复表现低于行业总体水平。下半年随着更多新车型的投放、新能源汽车下乡活动以及地方政府对新能源汽车消费的支持，新能源汽车市场将持续向好。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 之前工信部修改双积分管理办法，明确2021-2023年新能源汽车积分比例要求分别为14%、16%、18%，并增加引导传统乘用车节能措施、完善新能源汽车积分灵活性措施、丰富了关联企业认定条件等，促进新能源及节能汽车的共同快速发展，利好节能技术领先、新能源发展较快的技术优势企业及相关供应链。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 看好产业链长期成长，布局细分行业龙头。西部证券分析师王冠桥指出，我国新能源汽车规划和规模领跑全球，带动国内产业链同步成长。核心零部件如热管理、减速器等领域，国内供应商有望打破海外固有配套格局。建议关注三花智控、先导智能、精锻科技。电池产业链逐渐复苏，龙头公司强者恒强，四大材料国产供应商有望充分受益，建议关注宁德时代、璞泰来。锂价格磨底，电池级碳酸锂基本逼近锂辉石生产成本，预计未来随着高成本的产能的不断出清和新能源汽车需求的持续增长，锂产品价格有望逐步回暖。看好锂行业龙头公司赣锋锂业。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 潜力股精选 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 三花智控(002050)盈利增长空间打开 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司是全球制冷部件的龙头企业，成立三十年来一直专注于生产和研发热冷转换、智能控制的环境热管理核心零部件。华金证券指出，2017年公司将三花汽零业务并表，开始布局新能源汽车热管理业务。公司汽零产品的客户质量优质，现在已相继成为特斯拉、沃尔沃、戴姆勒、比亚迪、吉利、蔚来汽车等新能源汽车厂商的一级供应商，现有的新能源订单业务也会集中在2020年开始放量。作为特斯拉供应商，公司盈利能力将直接受益于国产Model 3 销量的提升，而且随着Model Y车型的国产化进程加快，将继续开启公司的盈利增长空间。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 宁德时代(300750)竞争力进一步凸显 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司主营新能源汽车动力电池，2019年全球市占率达28%。凭借成本和产品优势，公司积极开拓国内外市场，未来市占率有望进一步提升。公司还积极布局储能产业链上下游，未来有望率先步入储能发展的快车道。随着新能源汽车竞争力提升，预计到2025年动力电池需求量约1013GWh。新时代证券指出，公司竞争力强，经营方面，相比LGC等国际厂商，公司营业利润率持续为正。客户方面，公司成功开拓了特斯拉、大众、奔驰、宝马等国际一流整车厂，反映出公司强大竞争力。随着动力电池不断降本，未来公司的竞争力进一步凸显。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 先导智能(300450)产品市占率第一 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司以薄膜电容器设备起家，2008年切入锂电设备市场，核心设备锂电池卷绕机国内市场份额达60%以上，稳居行业第一。2017年收购珠海泰坦新动力后，可提供前中后段整线生产设备，公司客户包括松下、索尼、三星 SDI、LG 化学、特斯拉、CATL、比亚迪等全球知名企业。申万宏源证券指出，公司拟定增25 亿元用于产能提升，宁德时代将全额认购，交易完成后CATL将持有公司7.29%股权，成为公司战略投资者。引入宁德时代将极大提高公司长期业绩的确定性，伴随CATL扩产公司业绩成长性再次被打开，锂电设备龙头蓄势待发。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 赣锋锂业(002460)深度绑定特斯拉等 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司从中游锂化合物制造起步，后进军上游锂资源，加速拓展下游锂电池生产，目前已形成垂直整合的业务模式。覆盖上游锂资源开发、中游锂盐深加工以及金属冶炼、下游锂电池制造及退休锂电池综合回收利用等多个方面。多个业务板块间通过发挥协同效应，提升资源利用率，公司营运效率及盈利能力。华安证券指出，目前公司氢氧化锂设计产能为3.1万吨，为满足近期市场对电池级氢氧化锂的需求，公司通过发挥自身柔性生产线优势，持续释放产能，2019 年氢氧化锂产能利用率高达99.39%。深度绑定特斯拉、德国宝马、大众等欧美终端车企，氢氧化锂销售未来可期。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/5f2ab726-e026-4904-b781-d5e14f7c5e80.jpg" title=" 半导体材料与器件.jpg" alt=" 半导体材料与器件.jpg" / /a /p

莱伯泰科（688056）2022年6月1日下午电话会议华创证券举行投资者关系活动，接待人员有董事长兼总经理，胡克董事会秘书兼财务总监，于浩证券事务代表，邹思佳。投资者关系活动中主要回复的问题有：问题 1：公司在锂电领域的发展规划是什么？答：公司无机样品前处理产品中的电热消解仪、微波消解系列产品以及电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）都可以在锂电行业的检测端应用。公司在锂电行业一直有销售，覆盖客户也比较广。随着锂电行业的需求变化，公司在销售策略上也有所调整，近期推出了锂电池元素分析解决方案，也是为将公司相关产品进行更好的推广。问题 2：公司的样品前处理仪器和分析测试仪器产品种类相对比较多，请问所配备的研发人员数量是否足够支持公司的研发进度规划？答：公司的样品前处理仪器和分析测试仪器产品种类虽然相对较多，不过这些年仪器本身的技术原理并没有发生太大变化，仪器的推陈出新主要是产品的应用方法在不断开发，所应用的行业领域在不断增加，或者是因使用的应用领域不同而在产品的具体设计和配置上有所变化，产品本身也更加自动化、智能化。公司在招募研发人员时，比较重视招收的人才的经验、技术等能力水平，针对研发人员的选择也是在精不在多。公司在秉持着高效、实用的人员配备的基础上，近年来也在持续扩充研发人员数量，为有需求的岗位、行业和公司发展增加相对应的专业人员。就目前公司的在研项目来看，研发进度都是符合预期的，这方面没有受到影响。问题 3：请问市场上 ICP-MS 产品的更新迭代情况如何？答：对 ICP-MS 产品来说，自多年前首台 ICP-MS 研制完成至今，仪器的原理并没有发生变化，这些年仪器的更新迭代主要体现在提升了稳定性、灵敏度等性能指标上，且会因使用的应用领域不同而在产品的具体设计和配置上有所变化，同时，产品的应用方法方面也在不断开发。实验室分析测试仪器的研发有所突破需要市场和客户的需求不断的提高，也需要结合多行业多专业的共同进步而实现。问题 4：请问 4、5 月份的疫情对公司的影响如何？公司都采取了哪些措施抵御疫情的影响？答：公司的生产活动目前主要是在北京进行，经过近几年应对疫情突发情况的经验积累，公司在上游采购方面会保持一定的原材料备货量，只要不是停产停工，生产经营就不会有问题；下游客户方面，只要当地防疫政策允许，会尽可能的保证发货量。同时，公司销售人员和维修人员都会采取线上沟通等方式尽可能完成和客户的对接，而且公司多年来布局在各地的销售和维修人员，可以通过不跨省市的方式，在当地完成相对应的工作。当然，疫情的发生对公司是存在一定影响的，不过相信公司每位员工都能克服困难，公司亦能平稳发展。问题 5：请问公司是如何进行人才储备的？答：从公司多年来的人员分布上可以看出，公司的本科、研究生以上学历的人才占比是比较合理的，而且公司的人员流动性小，人员结构一直比较稳定。公司能够保持这种优良的人员发展态势的主要原因是，首先，公司从招聘的角度会相对高标准严要求，为有需求的岗位、行业和公司发展增加相对应的专业人员；其次，公司会采取多种方式激励员工，除了有吸引力的工资及奖金配置外，还会根据不同岗位的工作情况给予一定的业绩奖励，同时会通过一些激励方式如股权激励的方式，绑定核心团队利益。问题 6：请问公司分析测试仪器方面的新产品研发进展情况如何？答：2021 年下半年，公司进一步在质谱仪产品线上加深研发，新增的两个在研项目都和电感耦合等离子体质谱仪相关。其中电感耦合等离子体四极杆-飞行时间质谱仪（ICP-Q-TOF-MS），可实现单细胞多元素同时检测的基本功能，是针对细胞及元素水平的科学研究研发的高端分析仪器，该项目已作为北京市顺义区重大科技研发项目立项；另外一个项目电感耦合等离子体串联四极杆质谱仪(ICP-MS-MS)，主要是针对解决半导体等领域检测灵敏度更高、抗干扰能力更强、检出限更低的需求，公司的 LabMS 3000 质谱仪首次实现了国产 ICP-MS 在半导体行业芯片生产线上的应用，在此基础上继续研发更高精度的 ICP-MS-MS，继续引领国内无机元素痕量分析技术发展。目前研发进展都符合预期。问题 7：公司样品前处理产品未来的重点布局领域有哪些？答：公司的样品前处理产品覆盖的行业领域非常广泛，应用场景目前主要以理化实验室的检测为主，现在公司正根据市场需求和应用需求拓展新的行业领域和应用场景。自去年开始公司陆续组建多个行业团队，相继成立了半导体、医药、核素等团队，打造从样品前处理仪器、分析测试仪器到实验室工程、耗材产品等整个产品线覆盖的全检测流程，实现一站式自动化解决方案。同时，公司也在持续进行升级换代、推出新产品，不断拓展其他应用领域。

精彩亮相2023年9月6日，备受瞩目的第二十届北京分析测试学术报告会暨展览会(BCEIA 2023)在中国国际展览中心（北京顺义）盛大开幕。作为北京莱伯泰科仪器股份有限公司（以下简称莱伯泰科）的第十一次参展，莱伯泰科携带了2023年最新发布的质谱、光谱和全线产品，以及自动智能检测、半导体分析、核素分离等众多行业解决方案，闪耀亮相展会，集中展示了莱伯泰科在科学仪器领域最新的创新成果和实力。莱伯泰科展台展台合影BCEIA 2023莱伯泰科展台精彩亮点一览莱伯泰科发布首款无机元素智能在线分析系统在BCEIA期间，莱伯泰科举办了“智无边界 引领未来--智能自动化释放无限生产力”新品发布会，重磅推出MidiLab9000-E无机元素智能在线分析系统。这一新产品是对莱伯泰科无机元素分析全线产品的一次全新升华，将进一步提高实验效率，释放科研人员的双手。揭幕照片MidiLab9000-E无机元素智能在线分析系统LabMS 5000ICP-MS/MS斩获BCEIA金奖在本次展会期间，LabMS 5000 ICP-MS/MS凭借其创新的软硬件设计和在半导体行业的亮眼表现，从众多竞争对手中脱颖而出，一举斩获BCEIA金奖。LabMS 3000和LabMS 5000两款质谱的加持将进一步加速半导体行业中高端质谱的国产替代进程，为半导体行业客户提供更全面、高效的解决方案，巩固了莱伯泰科在国产高端ICP-MS研发制造领域的地位。BCEIA金奖证书和奖牌LabMS 5000 电感耦合等离子体串联质谱仪（ICP-MS/MS)全自动化核素共沉淀装置及核素萃取分离装置亮相凭借二十多年来在核环保领域的技术积累，莱伯泰科针对核素检测的特殊性，如样品的复杂性、多样性、超微量浓度等，开发了全自动化的共沉淀装置及核素萃取分离装置，结合自主开发的在线设置控制软件，实现了核素的快速分离和制样的集成化与自动化，将放射性核素的分离从传统的全手工、高度依赖操作熟练性、耗时长的化学分析过程中解放出来。Isotope-50C1沉淀装置及核素萃取分离装置分析仪器、前处理设备、耗材、实验室工程全线产品炫目亮相莱伯泰科携带了2023年最新发布的质谱、光谱和全线产品，闪耀亮相展会，集中展示了莱伯泰科在科学仪器领域最新的创新成果和实力。莱伯泰科展台一览莱伯泰科董事长胡克博士接受CCTV采访展会期间，莱伯泰科董事长胡克博士接受了央视记者的采访，分享了他对分析测试技术和实验室科学仪器发展的深刻见解。他还详细介绍了莱伯泰科近年来在自主研发重大仪器设备方面所做的创新项目和取得的重要成绩。莱伯泰科董事长胡克博士接受CCTV采访展台现场精彩回顾精彩瞬间莱伯泰科将持续坚守自主创新的发展理念，通过提供安全可靠的智能自动化实验室设备和解决方案，服务于多领域，不断探索分析化学领域的前沿，为中国科学技术的创新发展贡献最大力量。期待在BCEIA 2025再次相聚！

p style=" text-indent: 0em " 集微网报道，武汉市东西湖区政府正式对外宣告了弘芯半导体的危机。 /p p style=" text-indent: 0em " 2020年7月30日，武汉市东西湖区人民政府官方发布《上半年东西湖区投资建设领域经济运行分析》报告，报告将武汉弘芯半导体（下称弘芯）制造项目列为东西湖区投资领域面临挑战的首个案例，明确提出弘芯项目“ strong 存在较大资金缺口，随时面临资金链断裂导致项目停滞的风险 /strong ”。 /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" http://s.laoyaoba.com/jwImg/news/2020/08/23/15981740908150.jpg" / /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " 弘芯项目施工图 /p p style=" text-indent: 0em " 该分析报告还指出，弘芯二期用地一直未完成土地调规和出让，且项目 strong 缺少土地、环评等支撑材料，无法上报国家发改委窗口指导 /strong ，导致国家半导体大基金、其他股权基金无法导入。 /p p 这是武汉官方首次提及弘芯当前的危机，但实际上，从2019年底因诉讼造成土地冻结之后，业内关于弘芯难以为继的猜测早已此起彼伏。 /p p 2017年11月，弘芯在武汉东西湖区正式成立，这个号称总投资1280亿元的神秘项目在中国半导体产业内名声大噪。在随后的2018年和2019年，弘芯毫无悬念的两度入选了湖北省重大项目，却又在2020年被移出。 /p p 然而，弘芯仍然被列入了武汉市重大项目。根据武汉市发改委发布的《武汉市2020年市级重大项目计划》，武汉弘芯半导体制造项目在先进制造项目中排名第一位，计划总投资1280亿元，截至2019年底已累计完成投资153亿元，预计2020年投资额为87亿元。 /p p 不过，并不能确定弘芯已经完成的153亿元投资包括哪些内容。根据公开信息，弘芯的注册资金为20亿元，但目前仅有持股10%的武汉临空港经济技术开发区工业发展投资集团有限公司（下称临空投公司）兑现了2亿元的投资承诺，大股东北京光量蓝图科技有限公司（下称北京光量）实缴资本为0。 /p p 2020年规划的87亿元投资对弘芯而言更是难以完成。因为早在2019年11月，弘芯巨大的资金缺口就已经开始显露。当时，弘芯由于拖欠分包商武汉环宇基础建设有限公司（下称环宇）的4100万元工程款而被后者告上法庭，弘芯公司账户被冻结，二期价值7530万元的土地也因此被查封。据悉，这块被查封的土地此前也已经被弘芯用于抵押贷款。 /p p 土地被查封后，弘芯的总包商武汉火炬建设集团有限公司（下称火炬）公开向弘芯发布致歉信，为拖欠环宇工程款一事揽责，并声明弘芯未曾拖欠火炬的工程进度款。 /p p 但武汉环宇总经理王立银在向集微网提供的公开投稿中指出， strong 弘芯与火炬签订的工程总包合同为17亿元 /strong strong ，目前完成的进度约为80%，即进度款应为12亿元左右 /strong 。然而，据火炬方面私下向环宇透露，弘芯目前已支付的工程进度款还不到5亿元，缺口超过7亿元。 /p p 王立银还透露， strong 弘芯还通过火炬凭借工程项目贷款2次以上，总金额超过7亿元 /strong 。这些贷款主要用于支付工程款，目前偿还情况不得而知。 /p p 需要指出，除了武汉环宇起诉弘芯追讨工程款之外，亚翔集成也公开表示弘芯拖欠工程款。亚翔集成在2020半年报中提到：“武汉弘芯项目自政府允许复工后，我司暂未收到相应的工程进度款。”根据亚翔集成公告，2019年5月9日，亚翔集成承揽弘芯洁净室及机电系统工程，工程合同总价6.88亿元，按照合同约定，预付款为20%，进度款占60%。 /p p 2019年底，弘芯洁净室项目完成进度为33.81%，机电系统工程完成进度为49.71%，按照合同约定计算，亚翔应确认收入2.98亿元，但实际确认金额只有2.5亿元， strong 弘芯在2019年底已欠亚翔集成约5000万工程款 /strong 。知情人士透露，今年亚翔集成未曾前往弘芯项目现场施工，剩下的工程还没有具体的开工计划。 /p p 不过，2019年12月，高调举行的“ASML光刻机入场仪式”掩盖了弘芯的资金困境。实际上，这台价值5.8亿元的刚刚入场就被用于抵押贷款。除了这台光刻机，目前弘芯厂区的设备寥寥无几。 /p p 据了解，弘芯原计划购置设备3560台套，但根据东西湖区统计局的分析报告，目前项目一期生产线仅有300余台套设备处于在订购和进厂阶段，产线规模大幅度缩水。 /p p 需要指出，即便只有少数设备进厂，弘芯也未能付清尾款。近日，台湾帆宣系统科技就因未收到尾款而将卖给弘芯的特气柜从厂区撤走。 /p p 同时，今年以来，弘芯要求部分已经收到offer的候选员工延迟入职，进入8月后，弘芯员工公积金缴纳比例也从12%降至8%。 /p p 目前，弘芯已入职员工约400-500名，但由于入厂的设备屈指可数，员工无法进行生产线实操。所以，弘芯员工目前的日常工作都是“读paper”、“写PPT”，部分员工需要进行“产线模拟”，由员工“饰演”机台。 /p p 弘芯规划中的14nm、7nm生产线已经遥不可及，但据员工介绍，“目前弘芯‘产线模拟’员工组已经开始强攻3nm了”。纸上谈兵的战场里，弘芯进度遥遥领先。 /p

6月27-29日，半导体行业盛会SEMICON China 2020在上海新国际博览中心举行，全球最大的分析仪器制造商之一珀金埃尔默，携全面的半导体行业解决方案，以及最新的无机元素分析利器，业界首款化学高分辨多重四极杆ICP-MS NexION® 5000精彩亮相。现场来往的专业观众不少都被这台具有超前性能优势的最新产品吸引驻足，与我们的技术人员交流了解。NexION® 5000精彩亮相在展会期间，珀金埃尔默应用市场高级产品经理受邀与27日下午的新技术发布会上发表主题演讲《珀金埃尔默化学高分辨多重四极杆ICP-MS助力半导体工业无机元素检测》。半导体行业是电子信息产业的基础，更先进的芯片一直是行业的核心追求之一。在指甲盖大小的芯片上可能集合了近万米金属线和几千万甚至上亿根晶体管，这犹如在一粒沙上建造一座城市，对集成电路芯片生产工艺提出了很高的要求。在半导体器件制造过程中，对痕量元素杂质的控制会直接影响半导体产品的良品率。这要求对半导体制程中的晶圆、超纯水、化学试剂、光刻胶、电子特气等进行严格的无机元素检测。目前，根据最新的制程要求，SEMI(国际半导体设备和材料协会)Grade 5 标准，半导体用超纯水本底要求为小于1ppt水平，所有超纯化学品中关键无机元素离子小于10ppt，更有半导体生产企业依据其制程工艺，提出需达到5ppt甚至更低的水平。珀金埃尔默为满足严苛的痕量元素、超痕量元素检测而开发的NexION 5000，具有业内独有的四组四极杆设计，结合碰撞反应池技术，可提供超低的背景等效浓度、优异的检出能力和基体耐受性，可实现高准确度和高可重现性的分析结果。其四组四极杆质谱平台和四路碰撞反应气，可以依据不同的应用需求，简单、灵活地进行选择，在性能上较现有的高分辨HR-ICP-MS、传统三重四极杆和单四极杆ICP-MS均有质的提升，可满足半导体行业越来越严苛的工艺质控要求。在报告之后，这位高级产品经理还受到了媒体的关注，并接受了中国集成电路和半导体行业观察的采访，请他介绍珀金埃尔默在半导体行业检测中的布局及其先进的分析检测技术如何助力半导体行业发展。　优质仪器 助您检测珀金埃尔默可提供傅里叶变换红外光谱仪、红外显微镜、紫外可见近红外分光光度计、差示扫描量热仪、热机械分析仪等产品，用于测定固化率、固化热、热膨胀系数、透光率、反射率、微观污染物、成分浓度等，为客户提供全面的解决方案。化学分析与检测对集成电路生产非常重要，它们为确保芯片生产质量，改善良品率，提供敏锐的“眼睛”。前不久，业界就发生过因光刻胶中相关金属离子不达标从而引起几亿美金损失的惨痛教训。珀金埃尔默在半导体行业的检测方案囊括了无机元素与纳米颗粒检测、AMC及VOCs等有机物检测以及IC封装中材料检测等方面，能有效地为企业规避上述风险。如同我司高级产品经理于采访中所言：“我们期待与用户一同，引进和开发更多有针对性的应用方案，用先进的技术和可靠的仪器为客户带来实实在在的帮助，助力中国半导体行业的发展”。

据“诺延资本 NY Capital”公众号报道，近日，上海微芸半导体科技有限公司（下称：微芸半导体）完成数千万元A轮融资，由诺延资本领投，临芯资本跟投。本轮融资将用于技术研发、设备及原材料采购、核心团队的搭建等。据公开资料显示，微芸半导体成立于2021年7月，是一家半导体设备制造商，专注于6寸、8寸的半导体刻蚀设备制造，应用于化合物半导体、mems、功率器件等领域，主营业务为半导体等离子设备的研发、生产及销售。

“ 我们将简短回顾AMC类别，AMC对洁净室环境和晶圆可能造成的负面影响，以及Vocus CI-TOF质谱仪在多个半导体应用场景下对多种AMC的监测案例”01—背景介绍越来越精密的半导体制程工艺和同步的高良率目标，不仅仅对晶圆加工设备和运行参数需要精益求精，对洁净室中可能存在的气态分子污染物（AMC）的监测和管控需求也越来越高。随着半导体制程趋近于摩尔极限：纳米（nm）级别的蚀刻尺寸和更高密度的晶体管密度，洁净室内空气中的各种‘杂’分子如果沉积到晶圆表面，都可能会影响到工艺效果。同时由于现代工艺的复杂性和众多步骤，这些影响都会不断传递并放大，最终体现在晶圆良率上。换个角度来说，AMC污染物的检测技术手段也需要跟上不断进步、追求极限的半导体制程工艺的步伐。根据文献报道和相关研究，为最大程度减少AMC对工艺良率的影响，洁净室内的重点AMC浓度需要控制在万亿分之一（pptV）的级别。在达到高灵敏度的同时，快速响应也是一个重要指标，从而提高样品测量通量，并在AMC浓度异常时尽早发出警报，从而避免或者减少对工艺和晶圆良率的负面影响。半导体生产车间内的AMC的来源分为外部和内部源。外部主要来自于供应给洁净室内部的空气净化和过滤系统。内部则可能来自于多个源头，包括工艺残余、FOUP污染、清洁溶剂使用、工作人员相关、洁净室内材料逸出等[1]。晶圆在洁净室内需要经历上百个制程，多个工艺设备以及时长不等的储存，这也意味在某个环节对某批次晶圆的污染也会不可避免的波及到下游工艺相关环节以及后续批次的晶圆。半导体业界对部分AMC的来源以及它们可能对晶圆产生的影响有大致了解和认知，但对其它AMC的存在和可能影响还是一知半解。现在市面上能够实时检测并出数，并能高灵敏度覆盖大部分目标AMCs的检测手段在半导体产业还没有常规使用或者缺失。Vocus CI-TOF质谱仪，借助于多年在大气监测科研领域的硬件开发和经验积累，在半导体洁净室这一方‘微环境’内的应用能全面胜任。本文中，我们将简短回顾AMC类别，AMC对洁净室环境和晶圆可能造成的负面影响，以及Vocus CI-TOF质谱仪在多个半导体应用场景下对不同AMC的监测案例。02—气态分子污染物（AMC）图1.基于半导体设备和系统线路图，不同制程节点要求下洁净室内AMC上限浓度一览。气态分子污染物（Airborne molecular contaminant，AMC），是对半导体制程良率可能产生负面影响的气态污染物的统称。2007年发布的ITRS半导体技术发展蓝图对AMC的基本种类进行了定义：酸类（MA）、碱类（MB）、可凝结物质（MC）和掺杂物质（MD）。十年后，蓝图的继任IRDS设备和系统线路图中，业界开始认识到需要关注的AMC物种远远不止上述种类。随着制程工艺节点越来越小，工艺复杂度和步骤不断增加的大前提下，洁净室内的AMC数目和类别也会持续增加。现行的AMC检测方法普遍受到仪器数据输出频率低或者物种覆盖范围较小的限制。例如常见的在线色谱质谱联用通常每30分钟才能出一组数据，而且耗材和维护人力成本较高。另一类常见的在线分析方式是光谱法，比如以光腔衰荡光谱（CRDS）为代表的激光吸收光谱技术。因激光光源限制，一台CRDS设备一般只能检测一种或者几种化合物，同时数据时间分辨率是分钟级别。这也是IRDS路线图中对各种类的AMC都推荐某几种设备组合的主要原因。Vocus CI-TOF质谱仪是AMC检测技术的强力补充。只需一台仪器，业主就可以覆盖AMC的几大主要种类，同时获得秒级响应和pptV级别的检测限。搭配的高分辨率TOF飞行时间质谱的全谱记录让Vocus CI-TOF具有数据回溯分析的功能，这在半导体需管控AMC种类不断扩充的前提下显得尤其重要。上述这些优点也使得Vocus CI-TOF质谱仪成为要求苛刻的洁净室AMC检测需求的解决方案首选，从而确保车间内空气质量保持稳定和‘低调’，不成为影响晶圆产率的因素之一。图2.Vocus CI-TOF与其他分析技术的参数对比酸类物质 (MAs)酸类物质，尤其是无机酸，对晶圆良率的负面影响是半导体从业者的痛点之一。酸会腐蚀晶圆表面的金属线或表面，形成颗粒物沉积到晶圆表面，损坏光刻掩模，以及弱化HEPA滤膜性能。HEPA滤膜材料劣化会导致过滤系统效率降低，也有一定几率会产生含硼化合物和其他影响到半导体工艺和晶圆良率的污染物。痕量酸类物质与晶圆良率的具体关系其实至今还没有系统性的研究，其原因可能在于快速精确检测pptV浓度有机/无机酸的检测设备在半导体行业还没有得到广泛使用。2017年度IRDS设备和系统线路图中列出的分析技术手段对于酸类物质的检测限是100 pptv或更差，而同一份线路图中也明确列出了在半导体工艺达到5 nm或者以下时，洁净室内的无机酸浓度总量建议控制在5pptV或更低。无机酸检测需求和现有技术手段的落差可以被Vocus CI-TOF质谱仪填平。在之前的《半导体晶圆运输盒AMC污染快速检测》一文中，较好的展示了Vocus CI-TOF针对各种痕量无机酸的检测能力。碱类物质(MBs)氨气、有机胺和酰胺等含氮分子在AMC中是相对特殊的存在。这些碱类分子会在空气通过简单的，也是最常见的酸碱成核机理，产生盐类为主的颗粒物，会有很大可能沉降到晶圆表面或者洁净室内各种外表面。更值得注意的是，氨气对铜等金属表面具有很强的吸附性，对金属参与的制程和仪器内外表面都会产生持续时间较长的污染。氨气一直是在AMC的监管清单之中，近年来，业界也不断发现各种有机胺和酰胺物质的存在在洁净室环境内对光刻和蚀刻等工艺施加的不良影响。为了更有效的减少MBs对制程和良率的负面作用，需要对洁净室空气中存在的多种碱类物质进行精确的长期监控，从而系统化理解它们的气态浓度与工艺效率之间的相互影响。Vocus CI-TOF前期实验结果清楚的显示了碱类物质在FOUP内表面的停留时间要长于酸类物质。换个角度来说，FOUP或者其他设备表面存在碱类物质污染的话，需要冲洗的时间或者清洁技术都可能需要更多的考量。前段提到的酸碱结合生成颗粒物的这一过程，也强调了需要在洁净室内同步观测酸类物质和碱类物质的重要性。Vocus CI-TOF可以秒级检测pptV痕量酸和碱分子的能力使其成为洁净室空气、FOUP和车间供气内MA和MBs测量的优选之一。 可凝结物质(MCs)和挥发性有机物 (VOCs)该AMC种类主要有塑化剂、有机磷酸盐、抗氧化剂、硅氧烷和其他VOCs。MC物种的可凝结特性意味着在酸碱成核反应之后，MC会凝结到细小颗粒物外表面，促进其生长，也就相应的增加了沉降几率和对晶圆表面的危害程度。同时MC也会以分子态或者单分子层凝结到晶圆或者设备部件表面。例如，丙二醇单甲醚乙酸酯PGMEA的水合产物之一，乙酸会对晶圆表面和光刻掩膜表面形成雾化污染。又如，含硅有机物沉积在光刻棱镜表面后会对整体光学系统的散射性能产生影响，这在EUV室等要求及其苛刻的环境中尤其值得重点关注[1]。03—半导体应用案例洁净室AMC实时监测除了生产安全和能耗之外，半导体洁净车间（也称无尘室）设计的另外一个目标是最大化产品产量和良率[4]。之前文献报道了良率和洁净室内空气质量的相关性研究。为了迎合这方面需求，洁净室一般根据每单位体积内的颗粒物数浓度和大小分布进行分级，对应的也会配套相应的空气清洁过滤系统。同样重要的是对洁净室内空气中的颗粒物和颗粒物前驱物进行实时监控，保证洁净室100%满足对应的ISO等级需求。洁净室内的污染来源一般有人员相关（比如呼出气体）、通风系统效能、车间内材料逸出、清洁溶剂使用、工艺或设备原材料泄漏等等。即便在最高等级的洁净室环境内，Vocus CI-TOF质谱仪也检出很多种物种。图3展示了Vocus CI-TOF在一间ISO6等级的洁净室内的空气检测结果，包含了多个AMC种类：无机酸、VOCs和含氟有机物（PFAS物种）等。图3.某间ISO 6等级的洁净室内Vocus CI-TOF采集到的谱图，多种类的AMC同时被Vocus CI-TOF检出。材料逸出洁净室内对晶圆良率影响最大的材料逸出源头，也是与晶圆相处时间最长的部分，是负责晶圆在不同厂区位置间运输和制程间存储的前开式晶圆传送盒，简称FOUP。现代半导体制程中，晶圆除了在不同原理的设备内部被加工之外，在厂区内的其余时间都在FOUP内度过。文献中已经报道过‘上批晶圆-FOUP-后批晶圆’为顺序的交叉污染[2][3]。同一批晶圆在产线上都有着专属的FOUP，不太可能出现FOUP交叉污染，但也不排除出现‘FOUP-晶圆-设备-下批晶圆-对应FOUP’的可能性。因为材料逸出的‘慢’属性，也意味着晶圆在污染FOUP内部时间越长，受到污染的可能性和程度都会相应提高。我们之前利用Vocus CI-TOF，对FOUP内的残余的MA和MB物质进行了长时间不间断的跟踪测量。结果表明，在连续冲洗10小时之后，FOUP内仍有痕量pptV浓度的酸类物质检出，这也充分证明了酸类物质的去除难度极大，以及Vocus CI-TOF在此类应用中的不可或缺性。上述的模拟FOUP逸出实验很好的验证了Vocus CI-TOF技术的快速响应、pptv级别的检测限和高精度、也展示了Vocus CI-TOF在FOUP相关应用上的巨大潜力。一个现成的应用是将Vocus CI-TOF 集成在FOUP清洗站内，实时提供每个FOUP的清洗状态，并相应调整清洗程序参数。另外一个应用是利用Vocus CI-TOF质谱仪不间断的实时检测并反馈各类工艺设备晶圆装载端口内的气体质量，从而将FOUP或者晶圆对制程设备产生交叉污染的可能性降到最低。TOFWERK推出的Vocus CI-TOF是针对半导体不同环境中，各种类AMCs实时、高灵敏度、高精度监控案例提出突破性解决方案。该仪器高水平的软硬件集成度、极低的操作运行和维护成本、以及未来大有用处的高移动性都可以解决现有市面上其他仪器的多个痛点，也为业主在提升整体良率、AMC事件预警、实时排查和后续案例分析和总结等需求，提供最佳的投入回报比。参考文献1. Den et al. 2020. Doi:10.1149/2162-8777/aba0802. Nguyenet al. 2013. Doi:10.1016/j.mee.2012.04.0083. Jeonget al. 2019. Doi:10.1109/ASMC.2019.87917944. Den et.al. 2005. Doi:10.1149/1.2147286

2024年3月20日至22日，备受瞩目的SEMICON China 2024在上海新国际博览中心隆重举行。作为全球规模最大、规格最高、最具影响力的展会，有1100家企业参展，覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料、光伏、显示等产业链，是半导体行业的开年盛会。展会期间，仪器信息网有幸采访到了PARK SYSTEMS 中国区销售总裁张家荣。在采访中，张总提到帕克公司此次重点推出了原子力显微镜结合白光干涉仪以及可转向原子力显微镜等创新产品。这些产品在解析度、速度和功能性等方面展现出显著优势。此外，面对中美科技战以及全球半导体市场的变化，帕克公司已经着手进行风险管控，计划将部分产品在台湾进行组装生产，并在中国寻找合适的地方评估落实部分国产化。最后，张总表示公司对未来半导体量测和晶圆缺陷检测设备市场的发展充满信心，十分看好其未来前景。以下是现场采访视频：仪器信息网：本次参会，贵公司带来了哪些半导体量测或缺陷检测等方面的解决方案或产品？其采用的主要原理或技术有哪些？有哪些创新？张老师：今年的半导体，我们的主推产品基本上就是原子力显微镜结合白光干涉仪，另外还有我们有可以转向的原子力显微镜，所以基本上这两个产品本身就是个创新，因为它除了原本原子力显微镜的功能之外，它可以带来不同的功能，例如说白光干涉仪先快速的检测缺陷，然后再用原子力显微镜去做更精密的扫描。然后另外一个可以转向的原子力显微镜是可以看到现在很多半导体科室结构的一些缺陷或者粗糙度，这就是我们帕克今年主要的两个主推的产品。 仪器信息网：相比于其他公司，Park的产品有哪些优势和特点？在与竞争对手的较量中，贵公司如何保持自己的差异化优势？张老师：帕克原子力显微镜在半导体原子力显微镜量测这一块一直保有的优势就是超高的解析度超低的杂讯。但是这只是我们的第一个优势，如果跟其他的原子力显微镜来比的话，我们这几年一直在精进的就是所谓的原子力显微镜的速度，相对于传统的原子力显微镜，我们这种半导体在线的显微镜在特殊的应用上可以达到100倍的增速，所以说这就是我们可以跟对手拉出差异化的地方。除了原子力显微镜速度的增加，我们在它的功能性也开始增加，传统原子力显微镜只能量所谓的表面形貌，但是我们现在结合了白光干涉仪或者是一些 AR的显微镜，我们可以在分析材料的特性，或者是我们甚至也可以加入了原子力显微镜跟电镜的结合，所以从深度上来看，我们增加了产能，从广度上来看我们增加了联用，所以由于我们增加了深度跟广度，所以我们可以在市场上跟其他竞争对手来比，维持绝对的优势。 仪器信息网：近年来，中美科技战愈演愈烈，特别是美日荷出口半导体设备的管制越来越严。面对全球市场的变化，贵公司有哪些长远的战略规划？张老师：中美半导体的科技竞争对我们的厂商来讲都是一个非常值得关注的议题，这几年我们已经开始做一个所谓的风险的控管，比较幸运的是，因为我们是韩国的品牌，并不是直接美国品牌，并没有在第一波冲击上受到影响，但是为了长远的打算，我们目前为止已经有开始把部分产品在台湾试着组装生产，也在中国找其他的地方来评估是否可以落实部分的一个国产化，所以说目前为止看整个趋势推动我们会有相对应的方法来减少竞争对我们公司带来的冲击 。 仪器信息网：根据您的观察和分析，您认为未来半导体量测和晶圆缺陷检测设备市场将呈现哪些趋势？张老师：半导体工艺的演进现在日新月异，然后因为现在的工艺比以前的工艺更加复杂，更加困难，所以说半导体的量测或者半导体的缺陷检测，已经从以前的比较附属的设备变成可能关键的设备，因为如果没有办法精准的量测跟找到缺陷，我们没办法把良率给拉上来，所以未来我非常看好量测跟缺陷检测的一个发展的市场。