金属配合物低维晶体

高质量二维晶体材料二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的二维晶体材料，并提供定制服务（如二维材料机械剥离技术培训，层数判定等性能检测培训等），以满足客户的不同需求。1、名称：硫化镓（GaS） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 2、名称：硒化铋（Bi2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体 3、名称：碲化铋（Bi2Te3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体 4、名称：二硒化钼（MoSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-10 mm 属性：半导体 5、名称：硫化锗（GeS）纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 6、名称：二碲化钼（MoTe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-10 mm 属性：半导体 7、名称：二硫化钼单晶（MoS2）-合成纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体 8、名称：二硫化钼单晶（MoS2）纯度：＞99% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体 9、名称：二硫化钨（WS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 10、名称：二硒化钨（WSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 11、名称：二硒化钒（VSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~7-10 mm 属性：半导体 12、名称：二碲化钨（WTe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：联系我们 属性：半金属 13、名称：硒化镓（GaSe） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 14、名称：大尺寸六边形氮化硼晶体（HBN） 纯度：＞99.99% 尺寸：1.0-1.5 mm鳞片 属性：绝缘体 15、名称：高定向热解石墨（HOPG） 纯度：＞99.995% 尺寸：可达12 x 12 x 2 mm 属性：金属 16、名称：天然石墨（NG） 纯度：＞99.995% 尺寸：~2 mm 属性：金属 17、名称：石墨烯（graphene） 纯度：＞99.995% 尺寸：＜60 μm 属性：金属 18、名称：二硒化铪（HfSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 19、名称：二硫化铪（HfS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 20、名称：硒化铟（In2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~7 mm 属性：半导体 21、定制二维异质结 22、转移二维晶体材料的高纯聚合物 23、名称：定制二维晶体材料样品盒 可定制 超过30多种 24、名称：1T-二硒化钛（1T-TiSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 25、名称：二硫化钛（TiS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半金属 26、名称：2H-二硫化钽（2H-TaS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体，具有电荷密度波 27、 名称：1T-二硫化钽（1T-TaS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体，具有电荷密度波 28、名称：二硒化钽（TaSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 29、名称：二硒化锡（SnSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 30、名称：二硫化锡（SnS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 31、名称：二硒化铼（ReSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm 属性：半导体 32、名称：二硫化铼（ReS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-8 mm 属性：半导体 33、名称：二硒化铂（PtSe2） 纯度：＞99.99% 尺寸：~2 mm 属性：半金属 34、名称：Pb3Sn4FeSb2S14 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 35、名称：硫锡铅矿（PbSnS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 36、名称：二硒化铌（2H-NbSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：超导体，具有电荷密度波 37、名称：二硫化铌（NbS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~4 mm 属性：超导体 38、名称：金云母（KMg3AlSi3O10(OH)2） 纯度：高 尺寸：25 x 25 x 0.15 mm 属性：绝缘体 39、名称：白云母（K2O-Al2O3-SiO2） 纯度：高 尺寸：25 x 25 x 0.15 mm 属性：绝缘体 40、名称：CaSO4-2H2O 纯度：高 尺寸：1-2 cm 属性：绝缘体 41、名称：黑磷（BP） 纯度：＞99.995% 尺寸：可达cm级别 属性：半导体（带隙~0.3eV）

二碲化钨晶体 WTe2(Tungsten Ditelluride) 晶体尺寸：10毫米电学性能：半金属，type II Weyl semimetal (WSM)晶体结构：斜方晶系 P晶胞参数：a = 0.348 nm, b = 0.625 nm, c = 1.405 nm, α = β = γ = 90°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%属性：半导体X-ray diffraction on a WTe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10 Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal WTe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal WTe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal WTe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 转移二维晶体材料的高纯聚合物

光子晶体光纤/微结构光纤(PCF）所属类别： ? 光纤/光纤器件 ? 其他特种光纤/光子晶体光纤 所属品牌： 产品简介 昊量光电提供各种定制型光子晶体光纤（PCF，微结构光纤）！ 光子晶体光纤(Photonic Crystal Fibers,PCF)又称为微结构光纤（Micro-Structured Fibers, MSF)，这种光线的横截面上有较复杂的折射率分布，通常含有不同排列形式的小孔，这些小孔的尺度与光波波长大致在同一量级且贯穿器件的整个长度，光波可以被限制在低折射率的光纤芯区传播。昊量光电提供各种光子晶体光纤。 关键词：光子晶体光纤，Photonic Crystal Fibers, PCF，微结构光纤，Micro-Structured Fibers， 结构光纤 光子晶体光纤(Photonic Crystal Fibers,PCF)又称为微结构光纤（Micro-Structured Fibers, MSF)，这种光线的横截面上有较复杂的折射率分布，通常含有不同排列形式的小孔，这些小孔的尺度与光波波长大致在同一量级且贯穿器件的整个长度，光波可以被限制在低折射率的光纤芯区传播。 光子晶体光纤（微结构光纤）按照其导光机理可以分为两大类：折射率导光型（IG-PCF)和带隙引导型（PCF）。 折射率引导型光子晶体光纤（微结构光纤，PCF）具有无截止单模特性 、大模场尺寸 /小模场尺寸和 色散可调特性等特性。广泛应用于色散控制 (色散平坦，零色散位移可以到800nm)，非线性光学 （高非线性，超连续谱产生），多芯光纤 ，有源光纤器件（双包层PCF有效束缚泵浦光）和光纤传感等领域。 空隙带隙型光子晶体光纤（微结构光纤，PCF） 具有易耦合，无菲涅尔反射，低弯曲损耗、低非线性和特殊波导色散等特点被广泛应用于高功率导光，光纤传感和气体光纤等方面。光子晶体光纤的发展为光纤传感 开拓了广阔的空间，尤其是在生物传感和气体传感方面为光纤传感技术带来新的发展。昊量光电提供各种光子晶体光纤及光子晶体光纤的定制化服务， 昊量可以提供的产品及服务：材料：石英或硫化物提供各种定制服务可提供各种套管，接头及相应光线器件各种解决方案设计及模拟 主要产品： 1，基于石英的各种有源及无源光纤： 保偏型光子晶体光纤，定制色散型光子晶体光纤，光子晶体光纤预制棒空气包层、双包层光子晶体光纤，LMA空心光纤，光子带隙光纤掺杂光子晶体光纤多心光子晶体光纤 2，基于硫化物的光子晶体光纤超高非线性光纤（50,000/W*km）中红外光子晶体光纤定制化服务 3,各种解决方案基础研究传感激光器光谱学 主要应用：高功率低损耗近红外激光传输脉冲整形脉冲压缩非线性光学光纤传感超连续激光产生可调谐光纤耦合器多波长激光器光纤耦合 指标参数： 常规产品： 相关产品 覆盖紫外波段超连续激光器(320~1750nm) FROG 超短脉冲测量仪 啁啾布拉格光栅

二硒化钨晶体 WSe2(Tungsten Diselenide)-P型晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体，P型晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a WSe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal WSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal WSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal WSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

[110]晶向的ZnTe碲化锌晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应，也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲，拥有非常宽的频率分量，这些分量间的相互作用（主要是差频）将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。 太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的晶向ZnTe实现光电探测。太赫兹光脉冲会使碲化锌晶体ZnTe产生双折射，因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在（ZnTe）碲化锌晶体中直线传播时，可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片，偏振分光体，以及平衡光电二极管，我们可以完成对可见光的偏振状态的监控，从而得知太赫兹光脉冲的振幅，延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息（振幅和相位延迟）的能力，是时域太赫兹光谱仪比较具有吸引力的特性之一。产品简介碲化锌晶体(ZnTe)是一种具有立方闪锌矿结构的电光晶体，通常被应用于THz波的产生以及探测。产品特点： — 应用于THz产生、探测和光学限幅器— 晶体纯度高 99.995%-99.999%— 表面质量优不同厚度碲化锌晶体ZnTe的TDS测试数据：产生端ZnTe晶体厚度为0.5mm，探测端晶体厚度分别为0.5mm，1mm，2mm碲化锌晶体参数规格：晶格结构：立方闪锌矿密度: 5.633 g/ cm3比热:0.16 J/gK带隙 (300 K)：2.25 eV最大透过率 (λ =7-12 μm):60 % 最大电阻率：109 Ohm*cm折射率 (λ =10.6 μm):2.7电光系数 r41 (λ =10.6 μm):4.0×10-12 m/V电阻率：a). low: 103 Ohm*cm b). high: 109 Ohm*cm最大 IR-optic blank 直径/长度： 38×20 mm最大单晶尺寸 直径/长度： 38×20 mm碲化锌晶体ZnTe产品：碲化锌晶体ZnTe棒、碲化锌晶体晶圆片、碲化锌晶体窗片和基底直径/边长：1-50 mm厚度/长度：0.1-150 mm晶向：(110), (100), (111)表面质量：As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830

THz晶体The application fields of zinc telluride are THz detectors THz emitters IR optics substrates crystal pieces for vapour deposition optical limiters.Basic propertiesZnTe TransmissionProductsZnTe rods, wafers, windows and substratesZnTe crystal pieces for vapour depositionZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1-xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线探测器,γ射线探测器的重要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大，结构紧凑，室温操作等优点。而现在工业和医疗方面产用的高纯Ge和Si的探测器，只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬X射线和γ射线的一种关键技术。天文学方面用CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源

二碲化铂晶体 PtTe2(Platina Ditelluride)晶体尺寸：2~3毫米电学性能：金属，顺磁性晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.4000 nm, c = 0.5192 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal PtTe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal PtTe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal PtTe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

二碲化钛晶体 TiTe2(Titanium Ditelluride)晶体尺寸：~8毫米电学性能：半金属晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.377 nm, c = 0.649 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% X-ray diffraction on a TiTe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 3, 4, 5 Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal TiTe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal TiTe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal TiTe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

我们提供世界上先进的键合晶体技术和优质的键合晶体。 我们采用独特的非粘合剂（光胶）的晶体粘结技术，基于晶体段边界的精密光学接触和扩散键合技术制造键合晶体，We use our own adhesive free bond technology based on precise optical contact of bonded surfaces and diffusion bonding across of solid state boundary of crystal segments.基于上述先进的技术，我们提供先进的键合晶体，这些键合晶体或复合晶体作为晶体微片,可用于微片激光（microchip laser)的制造和实验。我们设计制造YAG+ Nd:YAG键合晶体，YAG+Tm:YAG键合晶体，YAP+Tm:YAP键合晶体,YAG/Er:YAG键合晶体, YAG/Yb:YAG复合晶体，YAG/Yb:LuAG键合晶体等非掺杂段和掺杂段梯度键合的晶体微片.我们还提供被动Q开关V:YAG或Cr:YAG与上述增益激光材料键合的晶体微片。 We design predominantly diffusion bonded Nd:YAG, Tm:YAG, Er:YAG, Yb:YAG and Yb:LuAG rods consisting of undoped and doped segments with gradient doping. We also produce diffusion bonded gain material to passive Q-switch of V:YAG or Cr4+:YAG.Nd:YAG键合晶体棒我 们提供键合Nd:YAG晶体和Nd:YAG晶体棒，由掺杂Nd:YAG晶体和不掺杂Nd:YAG晶体组成。这种 Nd:YAG键合晶体棒有助于减小热透镜效应和其他热应力效应，特别适用于二极管轴向泵浦的谐振腔。例如：Nd:YAG复合晶体，5x(4+8)mm规 格，二极管轴向泵浦的效率超过29.5％。 微片激光器和晶体微片微片激光非常适用于无Q开关的准直的谐振腔。这种紧凑的晶体微片融合了制冷的非掺杂部件，Nd:YAG晶体工作物质和主动的可饱和的吸收器部分。镜片可以直接放在晶体正面，这种晶体微片结构可以有效地从Nd:YAG晶体和可饱和吸收部分消除热量。 这种键合晶体采用先进键合晶体技术,基于晶体段边界光学接触和扩散键合技术,是全球最佳的晶体微片和复合晶体.

二硒化钨晶体 WSe2(Tungsten Diselenide)-P型晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体，P型晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% X-ray diffraction on a WSe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal WSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal WSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). Raman spectrum of a single crystal WSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

ZGP晶体全名ZnGeP2晶体,中文名磷锗锌晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件材料和仪器供应商！所销售的ZGP晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。ZnGeP2晶体（简称ZGP晶体）中文名磷锗锌晶体具有非线性大、吸收低、热导率高等特点，ZGP晶体,磷锗锌晶体是 目前实现高功率中、远红外可调谐激光输出的最佳非线性材料之一。以二极管泵浦固体激光（DPL）泵浦ZGP晶体（或ZnGeP2晶体,磷锗锌），采用光参 量变换技术（OPO）可以实现宽调谐中、远红外激光输出，且具有工作稳定可靠、体积小、重量轻及全固化等优点，在核突防红外对抗和激光干扰、致盲等方面有 重要应用前景.ZnGeP2晶体（ZGP晶体,磷锗锌）用于激光频率的转换，可以用于如下领域 : ZnGeP2晶体或磷锗锌可用于光学参量振荡（OPO), 使用2微米激光泵浦实现2.5-12微米的调谐激光输出；ZGP晶体或磷锗锌用于 CO- and CO2 -激光谐波。ZGP晶体,磷锗锌对 CO, CO2 激光和其他中红外激光 (1 - 11 μm)进行差频或合频.这种频率转换产生 2-11 μm 激光具有多种应用：工业和人为大气排放的远程监测；远程识别和检测电力工程,化工，石油工业等排放到大气中的有毒混合气体和气体废物；ZGP晶体全名ZnGeP2晶体,中文名磷锗锌晶体,ZGP晶体是高功率中、远红外可调谐激光输出的最佳非线性材料.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

二硫化钨晶体 2H-WS2(Tungsten Disulfide)晶体结构：六边形晶体尺寸：~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.227 nm, α = β = 90, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% X-ray diffraction on a single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 2H-WS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal 2H-WS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal 2H-WS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

二硫化铌晶体 2H-NbS2(Niobium Disulfide)晶体尺寸：2毫米电学性能：金属，superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system.晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a single crystal 2H-NbS2 aligned along the (001) plane. XRD diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 2H-NbS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

二硫化钛晶体 TiS2(Tantalum Sulfide) 晶体结构：六边形晶体尺寸:~10毫米电学性能：半金属，逆磁性晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.340 nm, c = 0.570 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a TiS2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4Stoichiometric analysis of a single crystal TiS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal TiS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Raman spectrum of a single crystal TiS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：于CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。 GaSe（硒化镓晶体）的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe硒化钾晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno = 2.8340 ne = 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno = 2.8136 ne = 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365 GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

二硫化钨晶体 2H-WS2(Tungsten Disulfide)晶体结构：六边形晶体尺寸：~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.227 nm, α = β = 90, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Stoichiometric analysis of a single crystal 2H-WS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal 2H-WS2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 2H-WS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

二碲化钯晶体 PdTe2 (Palladium Ditelluride)晶体尺寸：2-3毫米电学性能：金属，半导体(Tc ~ 1.7K)晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.4035 nm, c = 0.5105 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal PdTe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal PdTe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). Raman spectrum of a single crystal PdTe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体产品简介 磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 （110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体，其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。 中文名：磷化镓外文名：Gallium phosphide分子式：GaP分子量：100.6968实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果GaP磷化镓晶体产品GaP 磷化镓晶体基本规格(a) Description 1 GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished. 2 GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished.. 3GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished.. 4GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished.. 5 GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished.. 6GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..(a)其他规格要求可以定制

硅酸铋(Bi)12SiO20，bso)晶体是一种高效率的光导材料，暗导率低，允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围：空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体，其孔径可达3英寸。铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe：LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能，是一种很有吸引力的光折变材料。Fe：LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长，尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶体操作方便，成本低，适合批量生产。SBN晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的，被Ce，Cr，Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体，采用改进的Stepanov法生长，线性尺寸可达40 mm。锗酸铋（Bi12GeO20，BGO）晶体是具有低暗电导率的高效光电导体，可以积累大量光致空间电荷。硅酸铋晶体主要特点： -高电光系数(r41=5pm/v)-高相位共轭效率-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。-可根据要求定制 BSO晶体主要应用： -空间光调制器-光开关-相位共轭混合器。 铌酸锂晶体主要特点：-高电光系数(r41=5pm/v)-高相位共轭效率-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。-可根据要求定制LiNbO3晶体的主要应用：-空间光调制器-光开关-全息记录-光波导 SBN晶体的主要特点：-Ce，Cr，Co，Fe纯掺杂-有效相位共轭-定制尺寸，掺杂水平，无极化，减反射涂层和没有电极晶体可根据要求 SBN晶体的主要应用：-光学信息记录-热释电探测器-自泵浦自共轭镜-光学相关器 BGO晶体的主要特点：-高电光系数(r41=3，5 pm/v)-低暗电导-大尺寸元件或晶片最多可达3“-可根据要求定制 BGO晶体的主要应用：-空间光调制器-光开关-光学相关器

二硒化钒晶体 VSe2 (Vanadium Diselenide)晶体尺寸：~8毫米电学性能：金属，电荷密度波（CDW）晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a Vanadium Diselenide single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4 Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal VSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal VSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal VSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

二碲化铌晶体 NbTe2(Niobium Selenide) 晶体尺寸：~8毫米电学性能：金属，半导体（TC ~ 0.7k）晶体结构：单斜晶系，C晶胞参数：a＝1.470 nm，b＝0.364，c＝0.935 nm，α＝γ＝90°，β＝108°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% X-ray diffraction on a NbTe2 single crystal aligned along the (101) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (h 0 l), with h = l = 1, 2, 3, 4Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal NbTe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal NbTe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal NbTe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体，属钙钛矿结构，其晶胞这样构成：K+离子占据立方体角顶位置，Nb5+占据体心位置，O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3，简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外，还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅，KN不潮解，耐一般酸碱，化学性质十分稳定。 铌酸钾晶体标准特性? - 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh（铑）, Fe（铁）, Mn（锰）, 和 Ni（镍）的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗 可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体，长波可至1000nm - 毫秒级的响应时间 应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 （和激光二极管）- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合 光折变光栅记录时间（photorefractive grating recording times）Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2 铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fe reduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rh reduced860nm1064nm0.5s50s 铌酸钾晶体吸收光谱 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

二碲化铪晶体 HfTe2(Hafnium Telluride)晶体尺寸：~10毫米电学性能：半金属晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.395 nm, c = 0.666 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995% X-ray diffraction on a HfTe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 6 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4, 5, 6Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal . X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. Stoichiometric analysis of a single crystal by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal . Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

Yb:KGW晶体和Yb:KGd(WO4)2晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供掺镱钨酸钆钾晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。 Yb:KGW晶体全名Yb:KGd(WO4)2晶体,中文名掺镱钨酸钆钾晶体,是半导体泵浦固体激光器的新型激光晶体。Yb:KGW晶体作为激光材料用于产生超短高功率脉冲，Yb:KGd(WO4)2晶体可用作超短脉冲放大器，Yb:KGd(WO4)2晶体和掺镱钨酸钆钾晶体是高功率碟片激光器的最好激光材料之一 。Yb:KGW晶体具有较宽的光谱发射带，可在1020-1060nm范围调谐波长，可产生短于70飞秒。Yb:KGd(WO4)2晶体具有较强的存储能力，980nm附近宽广的吸收光谱，小尺寸晶体高吸收泵浦辐射，这些特色使得掺镱钨酸钆钾晶体非常适合半导体激光泵浦。与Yb:YAG和Yb:Glass激光介质相比，Yb:KGW晶体,具有更大的吸收截面。Yb:KGd(WO4)2晶体,掺镱钨酸钆钾晶体特色Yb:KGW晶体具有较高的吸收系数@980nm,High absorption coefficient @ 980 nmYb:KGd(WO4)2晶体具有较高的受激发射横截面High stimulated emission cross section掺镱钨酸钆钾晶体具有较低的激光阈值Low laser thresholdYb:KGW晶体具有超低的量子缺陷 Extremely low quantum defectYb:KGd(WO4)2晶体具有超宽的激光输出范围1020-1060nm,Broad output at 1020-1060 nmYb:KGW晶体二极管泵浦较高的斜效率High slope efficiency with diode pumping (55%)Yb:KGd(WO4)2晶体具有较高的Yb掺杂浓度High Yb-doping concentrationYb:KGW晶体参数材料：Yb:KGW晶体或Yb:KYW晶体切割方向：b-cut: Nm-axis is parallel to input/output faces. Other orientation also available垂直度：+/-10arcmin平行度：+/-5arcsec平整度：Lambda/10光洁度：10-5Scr/Dig领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！Crystal materialYb:KGWYb:KYWShapeRectangularRoundDimensionsmmLength, thicknessmmYb-concentration%Coatings on S1:nmCoatings on S2:nmEnd surfacesRigth angle cutBrewster cutComments

Nd:YAG晶体(包括Nd:YAG激光棒和Nd:YAG晶体棒）是采用Czochralski法生长而成的掺钕钇铝石榴石晶体，在Nd:YAG晶体棒生长过程中使用了保护性的大气，精确控制退火，保证了Nd:YAG晶体棒良好的激光产生效率。我们标准的Nd:YAG晶体棒包括： I）Nd粒子掺杂浓度从0.3％到1.3％的Nd:YAG晶体棒和切片；II）Nd:YAG晶体棒直径从2mm到12mm长达160mmIV)Nd:YAG晶体棒按DIN和MIL标准的良好抛光，V）Nd:YAG晶体棒与布儒斯特角垂直或倾斜竖立VI）Nd:YAG晶体棒宽范围的增透，局部或高反镀膜VII）Nd:YAG晶体棒增透膜的R0.2％,抗损伤阈值大于15J/cm2 @10ns 脉宽键合Nd:YAG晶体棒我 们提供键合Nd:YAG晶体棒，由掺杂Nd:YAG晶体棒和不掺杂Nd:YAG晶体组成。这种键合Nd:YAG晶体棒有助于减小热透镜效应和其他热应力效 应，特别适用于二极管轴向泵浦的谐振腔。例如：Nd:YAG键合晶体，5x(4+8)mm规格，二极管轴向泵浦的效率超过29.5％。 微芯片激光非常适用于无Q开关的准直的谐振腔。这种紧凑的产品融合了制冷的非掺杂部件，Nd:YAG晶体工作物质和主动的可饱和的吸收器部分。绝缘镜片可以直接放在晶体正面，这种结构可以有效地从Nd:YAG晶体和可饱和吸收部分消除热量。我们提供的Nd:YAG晶体包括Nd:YAG晶体棒,是采用Czochralski法生长而成的掺钕钇铝石榴石晶体,保证了Nd:YAG晶体棒良好的激光产生效率.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！Nd:YAG晶体棒由孚光精仪进口，孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！提供的Nd:YAG晶体棒, 掺钕钇铝石榴石系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。

Yb:KYW晶体全名Yb:KY(WO4)2晶体,中文名是掺镱钨酸钇钾,Yb:KYW晶体是半导体泵浦固体激光器的新型激光晶体。Yb:KYW晶体作为激光材料用于产生超短高功率脉冲，Yb:KY(WO4)2晶体可用作超短脉冲放大器，Yb:KYW晶体是高功率碟片激光器的最好激光材料之一 。Yb:KYW晶体具有较宽的光谱发射带，可在1020-1060nm范围调谐波长，可产生短于70飞秒。Yb:KY(WO4)2晶体具有较强的存储能力，980nm附近宽广的吸收光谱，小尺寸晶体高吸收泵浦辐射，这些特色使得Yb:KY(WO4)2晶体和掺镱钨酸钇钾非常适合半导体激光泵浦。与Yb:YAG和Yb:Glass激光介质相比，Yb:KYW晶体和掺镱钨酸钇钾具有更大的吸收截面。Yb:KY(WO4)2晶体和掺镱钨酸钇钾晶体特点较高的吸收系数@980nm,High absorption coefficient @ 980 nm较高的受激发射横截面High stimulated emission cross section较低的激光阈值Low laser threshold超低的量子缺陷 Extremely low quantum defect超宽的激光输出范围1020-1060nm,Broad output at 1020-1060 nm二极管泵浦较高的斜效率High slope efficiency with diode pumping (55%)较高的Yb掺杂浓度High Yb-doping concentrationYb:KYW晶体参数材料：Yb:KGW晶体或Yb:KYW晶体切割方向：b-cut: Nm-axis is parallel to input/output faces. Other orientation also available垂直度：+/-10arcmin平行度：+/-5arcsec平整度：Lambda/10光洁度：10-5 Scr/Dig领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！Yb:KYW晶体和Yb:KY(WO4)2晶体问询服务：请填写如下要求，复制粘贴到Email 给我们，我们尽快给您报价。 Crystal materialYb:KGWYb:KYWShapeRectangularRoundDimensionsmmLength, thicknessmmYb-concentration%Coatings on S1:nmCoatings on S2:nmEnd surfacesRigth angle cutBrewster cutComments

Er:YAG晶体和掺铒钇铝石榴石晶体由孚光精仪进口提供,孚光精仪（Felles Photonic）是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Er:YAG晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。Er:YAG晶体中文名是掺铒钇铝石榴石晶 体, Er:YAG晶体具有很高的光学质量,较低的散射损耗，更高的激光输出，稳定的化学和机械特性， 非常适合硬组织去除应用。掺铒钇铝石榴石晶体具有600-800nm的泵浦范围，高掺杂的Er:YAG晶体发射2.94微米激光，低掺杂的掺铒钇铝石榴石 晶体发射1.6微米激光，广泛用在激光医疗，军用激光领域。由于铒和钇的离子半径相似，高掺杂的Er:YAG晶体可以生长。YAG晶体作为Er离子的基质，Er:YAG晶体可发出2.94μm波长的激光，如果低浓度掺杂，则为1.64μm。们可为您提供如下标准产品：I) 掺铒钇铝石榴石晶体Er掺杂浓度50 at.％ Er/Y (可按用户要求提供其他掺杂浓度的产品）；II)掺铒钇铝石榴石晶体棒直径2mm到7mm,棒长可达120mm III)掺铒钇铝石榴石晶体布儒斯特角垂直或倾斜竖直；|IV）Er:YAG晶体增透膜可达R〈0.3％；Er:YAG晶体,Er:YAP晶体比较晶体名称Er：YAP晶体Er：YAG晶体基质YAlO3 Y3Al5O12掺杂离子ErEr掺杂浓度1-50 at％ Er/Y1-50 at％ Er/Y激光波长1.66μm 2.73μm1.64μm 2.94μmEr:YAG晶体中文名是掺铒钇铝石榴石晶体,高掺杂的Er:YAG晶体发射2.94微米激光，低掺杂Er:YAG晶体发射1.64微米激光,广泛用在激光医疗,军用激光领域.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

Nd:KGW晶体,掺钕钨酸钾钆晶体由孚光精仪进口,孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Nd:KGW晶体,掺钕钨酸钾钆,钨酸钾钆系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。 Nd:KGW晶体,中文名掺钕钨酸钾钆，是一种激光发光阈值较低，具有超高效率的激光晶体材料, 非常适合激光测距的应用。Nd:KGW晶体所制作的激光的效率是Nd:YAG激光的3-5倍，Nd:KGW晶体是低泵浦能量（0.5-1J)产生激光的最好材料之一。Nd:KGW晶体,掺钕钨酸钾钆技术参数 直径：5mm长度：(a) 50 mm, (b)60mm光洁度：Lambda/8 at 632.8 nm端面平行度：30 arc-seconds垂直度：Less than 5 minutes of arc 镀膜：AR/AR coating at 1067 nm激光损伤阈值：300 MW/cm2晶向：(010)直径公差：+0/-0.1 mm长度公差：+/-1 mm领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

LIS晶体,硫铟锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的LilnS2晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们提供优质进口LilnS2晶体,LIS晶体,硫铟锂晶体，价格低，发货快，欢迎垂询。 LIS晶体透光光谱范围：0.35-12μmLilnS2晶体非线性系数：d31=8.35, d32=8.3 pm/V硫铟锂晶体对称性：斜方晶系，mm2的点群LIS晶体晶胞参数： a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ? LilnS2晶体SHG基频光范围：x-y, Type II, eoe：2.35 - 6.11μm x-z, Type I, ooe：1.78 - 8.22μm y-z, Type II, oeo：2.35 - 2.67μm y-z Type II, oeo， 5.59 - 6.11μm 总波长覆盖：1.617 - 8.71μm 硫铟锂晶体激光损伤阈值：~1GW/cm2 @1053 nm (t=10 ns)LIS晶体,热导率：Thermal conductivity k, WM/M°C LilnS2, kx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.3LilnS2晶体在0.2的远红外吸收边透明度级别：2.58 THz at 118 μmLIS晶体平整度：L/6 (L=546nm)LilnS2晶体光洁度：S/D:20/10LIS晶体应用：LilnS2晶体光学参量振荡器Optical parametric oscilator (OPO) 1 - 12 μm， with pump Ti: Sapphire laser硫铟锂晶体中红外激光2-12 μm的差频LilnS2晶体和LIS晶体是1-12微米OPO的有效材料。我们提供欧洲生产的优质LilnS2晶体,LIS晶体,硫铟锂晶体。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！