总览InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测,具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围(0.5 μm to 2.6 μm)等特点。铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm,铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm技术参数产品特性截止波长: 2.6μm低成本感光面积: φ3 mm低噪声高灵敏度高可靠性高速响应产品应用光功率计气体分析湿度计近红外光度法详细参数感光面积φ3mm像元个数1封装Metal封装类型TO-5制冷方式Non-cooled光谱响应范围0.9 to 2.6 μm峰值灵敏度波长(典型值)2.3 μm灵敏度 (典型值)1.3 A/W暗电流 (最大值)100000 nA截至频率(典型值)0.8MHz结电容(典型值)4000 pF噪声等效功率 (典型值)3×10-12 W/Hz1/2测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz.光谱响应外形尺寸(单位:mm)
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