单晶二维材料

高质量二维晶体材料二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的二维晶体材料，并提供定制服务（如二维材料机械剥离技术培训，层数判定等性能检测培训等），以满足客户的不同需求。1、名称：硫化镓（GaS） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 2、名称：硒化铋（Bi2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体 3、名称：碲化铋（Bi2Te3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体 4、名称：二硒化钼（MoSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-10 mm 属性：半导体 5、名称：硫化锗（GeS）纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 6、名称：二碲化钼（MoTe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-10 mm 属性：半导体 7、名称：二硫化钼单晶（MoS2）-合成纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体 8、名称：二硫化钼单晶（MoS2）纯度：＞99% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体 9、名称：二硫化钨（WS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 10、名称：二硒化钨（WSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 11、名称：二硒化钒（VSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~7-10 mm 属性：半导体 12、名称：二碲化钨（WTe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：联系我们 属性：半金属 13、名称：硒化镓（GaSe） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 14、名称：大尺寸六边形氮化硼晶体（HBN） 纯度：＞99.99% 尺寸：1.0-1.5 mm鳞片 属性：绝缘体 15、名称：高定向热解石墨（HOPG） 纯度：＞99.995% 尺寸：可达12 x 12 x 2 mm 属性：金属 16、名称：天然石墨（NG） 纯度：＞99.995% 尺寸：~2 mm 属性：金属 17、名称：石墨烯（graphene） 纯度：＞99.995% 尺寸：＜60 μm 属性：金属 18、名称：二硒化铪（HfSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 19、名称：二硫化铪（HfS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 20、名称：硒化铟（In2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~7 mm 属性：半导体 21、定制二维异质结 22、转移二维晶体材料的高纯聚合物 23、名称：定制二维晶体材料样品盒 可定制 超过30多种 24、名称：1T-二硒化钛（1T-TiSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 25、名称：二硫化钛（TiS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半金属 26、名称：2H-二硫化钽（2H-TaS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体，具有电荷密度波 27、 名称：1T-二硫化钽（1T-TaS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体，具有电荷密度波 28、名称：二硒化钽（TaSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 29、名称：二硒化锡（SnSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 30、名称：二硫化锡（SnS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 31、名称：二硒化铼（ReSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm 属性：半导体 32、名称：二硫化铼（ReS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-8 mm 属性：半导体 33、名称：二硒化铂（PtSe2） 纯度：＞99.99% 尺寸：~2 mm 属性：半金属 34、名称：Pb3Sn4FeSb2S14 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 35、名称：硫锡铅矿（PbSnS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 36、名称：二硒化铌（2H-NbSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：超导体，具有电荷密度波 37、名称：二硫化铌（NbS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~4 mm 属性：超导体 38、名称：金云母（KMg3AlSi3O10(OH)2） 纯度：高 尺寸：25 x 25 x 0.15 mm 属性：绝缘体 39、名称：白云母（K2O-Al2O3-SiO2） 纯度：高 尺寸：25 x 25 x 0.15 mm 属性：绝缘体 40、名称：CaSO4-2H2O 纯度：高 尺寸：1-2 cm 属性：绝缘体 41、名称：黑磷（BP） 纯度：＞99.995% 尺寸：可达cm级别 属性：半导体（带隙~0.3eV）

1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 名称：定制二维晶体材料样品盒 可定制 超过30多种

1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 转移二维晶体材料的高纯聚合物

1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 名称：二硫化钼单晶（MoS2）-合成纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体

简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料，巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。碲化铁铜单晶CuFeTe Crystals

1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 名称：二硫化钼单晶（MoS2）纯度：＞99% 尺寸：~10mm-20 mm 属性：半导体

热释放胶带，热剥离胶带，发泡胶。剥离温度为90℃~100℃，120℃，150℃，拍的时候，说明哪种温度，此销售的胶带为单面胶带。用于石墨烯膜、LED、碳纳米管、晶圆研磨定位、二维材料转移等领域。 主要型号：90~100°中粘125-135°中粘125-135°高粘150-160°中粘产 品 名 称：热释放胶带，热剥离胶带（国产胶带），发泡胶带剥 离 温 度：90~100℃/120℃/150℃结 构：两层结构，一层为热剥离胶层，厚度50微米。一层为保护膜，厚度10微米。厚的一层为带胶层，薄的一层为保护膜，使用的时候撕去保护膜即可。剥 离 原 理：热剥离胶带是由一种独特的粘合胶（热敏胶）制成，在常温下有一定的粘合力，可以起到定位的作用，能够满足各种精密加工要求，只要把温度加热到设定的温度，30-50秒钟，那么粘合力就会消失，能实现简单剥离，残留物较少，不污染被粘物。在电子产品生产过程中，能够实现简易自动化。主要使用在MLCC、MLCI、石墨烯膜转移、二维材料转移、纳米管转移、晶圆研磨定位、电路板安装、LED灯制作等定位上。尺 寸：约A4纸大小材 质：热敏胶 使用说明： 1.在一定的温度下有粘性，可以起到定位的作用，能够满足各种精密加工需要。可以用剪刀剪切，根据自己需要的尺寸，自己剪切即可。2.加工完毕后，只需要加热到设定温度，约几十秒到1分钟，粘性消失，实现简易剥离。用 途：用于转移石墨烯膜，碳纳米管，晶圆和研磨加工定位，LED、电路板安装，各种零部件定位以及环形压敏电阻定位、分切定位上。

产品名称：二维材料（MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2) 供应信息：一片2~2.5mm×2~2.5mm左右大小，厚度约为0.1mm.需要大的请致电说明。另外可以按照重量购买，每mg的价格一般为每片单价的2倍。一片块材一般可以用于剥离样品1~3次。 材料种类：黑磷（BP）人工合成块料二硫化钼（MoS2） 天然5x5mm块料； 天然10x10mm块料； 天然15x15mm块料 天然20x20mm块料二碲化钼（MoTe2）人工合成块料二硒化钼（MoSe2）人工合成块料二硫化钨（WS2）人工合成块料二硒化钨（WSe2）人工合成块料二碲化钨（WTe2）人工合成块料 常规尺寸：一片2~2.5mm×2~2.5mm左右大小 标准包装： 1000级超净室100级超净袋真空包装

1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 定制二维异质结

1． 企业介绍泰州巨纳新能源有限公司巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。 2． 产品简介巨纳石墨烯材料简介石墨烯薄膜材料（国家创新基金产品、江苏省科技支撑计划产品、江苏省高新技术产品）l 铜基单晶/多晶少层石墨烯l 二氧化硅/硅基石墨烯薄膜石墨烯粉体材料（江苏省高新技术产品）l 石墨烯粉体材料l 还原氧化石墨烯粉体高质量二维晶体材料简介二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 3． 优惠政策a. 一次性采购满1000元送泰州石墨烯研究检测平台检测现金券50元，多买多送；b. 检测现金券有效期2015年1月1日至2015年12月31日；c. 检测现金券可累积使用

*产品名称*品牌*产品规格*产品价格 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎9MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎6MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎3MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1/4MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎3Mpe 1L/瓶2200 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1Mpe 1L/瓶 2200 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1/4Mpe 1L/瓶 2200 Bio DIAMANT系列水基环保抛光液遵循欧洲严格的REACH标准，做到零有机物排放（VOC-Free）和生物友好，非常适合制样实验室使用，无需特殊的排放处理程序。M型单晶金刚石抛光液，精准的粒径分布，高效的抛光能力，轻松的色彩识别配套，可以配合全品类抛光织物使用，是制样实验室最适用的产品品种。 M型单晶高效型金刚石磨料悬浮液规格颜色粒度原料：单晶高效型金刚石磨料悬浮液9MMe型红色悬浮液9μm适合高硬度和超高硬度样品材质的试样的预抛光和初抛6MMe型黄色悬浮液6μm 适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的预抛光和初抛3MMe型绿色悬浮液3μm适合需要完美保边和保存夹杂物的制样要求，达成优秀的平整表面的初抛1MMe型蓝色悬浮液1μm适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的最终抛光0.25MMe型灰色悬浮液0.25μm适用于中硬度的最终抛光 P型多晶金刚石抛光液，优质的多晶结构配合高密度织物可以快速提高抛光效率，提升制样表面平整度，推荐配合高密度强支撑高平整度抛光布使用。P型单晶高效型金刚石磨料悬浮液原料：多晶快速分散型金刚石磨料适合高硬度和超高硬度样品材质的试样的预抛光和初抛适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的预抛光和初抛

300-900纳米铌酸锂单晶薄膜300-900纳米 铌酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸 3, 4, (6) 英寸切向X, Z, Y切等材料铌酸锂厚度300-900 纳米掺杂（可选）掺镁埋层材料二氧化硅 厚度1000-4000 纳米基底 材料硅、铌酸锂、石英、熔融石英等厚度400-500 微米电极层（可选）材料铂金，金，铬厚度100-400 纳米 位置在顶层器件层与埋层之间或埋层与基底之间 铌酸锂单晶薄膜二氧化硅 硅、铌酸锂、石英或熔融石英基底 铌酸锂单晶薄膜 金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅 铌酸锂单晶薄膜 金电极或铂金电极 铌酸锂基底 二氧化硅 掺镁铌酸锂单晶薄膜 铌酸锂基底 5-50 微米石英

Corning二维码冻存管，为生物样本的信息安全保驾护航！随着生命科学与医疗行业大数据时代的到来，生物样本的需求量激增，推动了生物样本库的建立和发展。传统贴标签的方法已经无法满足样品库对样品储存方便、快速、身份信息安全的要求。二维码储存管因此成为样本库储存样品的上好选择。为何选择康宁二维码储存管？热卖产品规格订购信息

RM YOUNG公司生产的85000二维超声风速仪具有非常宽的工作范围，而且体积尺寸小，容易安装，低功耗。传感器的输出既有模拟量输出，也有数字量输出。85000测量风基于四个变送器之间超声脉冲的传输时间， 因为空气的流动改变了传输的时间，因此通过计算传输的时间来计算风速的大小。通过相对风速沿着每个声音的路径来计算风向。测量的结果为模拟电压输出或者串口输出，串口输出为RS-232，RS-485。串口输出可以选择直接连接在RM Young公司的Wind Tracker显示器上，以及DataLogger, and ASCII串口通讯。通过一个简单的设置程序选择工作参数，所85000所有的设置都存储在传感器内部的非易失性存储上。传感器的结构材料采用抗紫外的热塑料、不锈钢，以及阳极电镀铝组成，具有非常强的恶劣环境抵抗能力。非常容易安装在标准的1英寸管上，一个带有方向缺口的套圈可以保证传感器的安装位置不会发生变化。 技术参数：风速范围：0~70 m/s (156 mph)分辨率：0.1 m/s阈值：0.01 m/s精度：0~30 m/s, ±2%30~70 m/s, ±3%风向风向范围：0~360°分辨率：0.1度精度： ±2o 其他路径柱：10cm高×10cm直径的圆采样路径：15CM内部采样率：160Hz采样输出率：4~32 Hz (可选择)输出格式：串行数据(RS-232，RS-485)格式：ASCII文本，RMYT，NMEASDI-12 (v1.3)模拟输出：风速：0~5000 mV风向：0~5000 mV 输出速率：1 Hz典型波特率：1200，4800，9600和38400电源：9~16 VDC，典型30 mA尺寸：34 cm高× 17 cm宽安装管尺寸：34mm直径的管子重量：0.7 kg (1.5lb) 产地：美国

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为7％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为5％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为9％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为8％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为4％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为5％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为9％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为6％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

二维GCxGC色谱柱 (为了增加极性)1、GCxGC色谱柱 固定相可选范围广，提供正交分离。2、GCxGC色谱柱 高的热稳定性，提高了系统的耐用性。3、GCxGC色谱柱 卓越的色谱柱惰性提高了对活性化合物分析的准确性。4、GCxGC色谱柱 0.15, 0.18和0.25 mm内径的色谱柱能适应不同的样品容量，分离速度和检器。5、GCxGC色谱柱 对于经济合理的方法开发，二维柱的长度在2米左右。固定相 长度 ID df 温度限度 货号 Rxi-1ms 2 m 0.15 mm 0.15 μm -60 to 330/350 °C 15114 2 m 0.18 mm 0.18 μm -60 to 330/350 °C 15120 2 m 0.25 mm 0.25 μm -60 to 330/350 °C 15127Rxi-5Sil MS 2 m 0.15 mm 0.15 μm -60 to 330/350 °C 15113 2 m 0.18 mm 0.18 μm -60 to 330/350 °C 15119 2 m 0.25 mm 0.25 μm -60 to 330/350 °C 15126Rxi-XLB 2 m 0.15 mm 0.15 μm 30 to 340/360 °C 15115 2 m 0.18 mm 0.18 μm 30 to 340/360 °C 15121 2 m 0.25 mm 0.25 μm 30 to 340/360 °C 15128Rxi-17Sil MS 2 m 0.15 mm 0.15 μm 40 to 340/360 °C 15110 2 m 0.18 mm 0.18 μm 40 to 340/360 °C 15116 2 m 0.25 mm 0.25 μm 40 to 340/360 °C 15123Rtx-200 2 m 0.15 mm 0.15 μm -20 to 320/340 °C 15111 2 m 0.18 mm 0.18 μm -20 to 320/340 °C 15117 2 m 0.25 mm 0.25 μm -20 to 320/340 °C 15124Stabilwax 2 m 0.15 mm 0.15 μm 40 to 250/260 °C 15112 2 m 0.18 mm 0.18 μm 40 to 250/260 °C 15118 2 m 0.25 mm 0.25 μm 40 to 250/260 °C 15125为您的应用选择最好的一维/二维柱连接，请使用我们的指南！

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为2％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为7％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为6％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为8％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为4％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。