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准瞬态二维温度场

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  • 背景介绍—瞬态吸收光谱和瞬态吸收成像的应用基于泵浦探测(Pump-Probe)原理的瞬态吸收光谱,在频率维度和时间维度上提供了丰富的光谱和动力学信息,过去的几十年应用于物理、化学、材料、能源、生物等广泛领域。当今,许多领域科学研究的范式和需求都在不断更新。尤其是随着钙钛矿光伏、二维材料、量子器件、高温超导等前沿领域的发展,科学家迫亟需在空间维度上揭示载流子等微观离子的迁移和演化规律,研究微纳米材料的物理态在空间分布上的异质性。瞬态吸收成像,可在空间和时间维度上研究微观粒子和能量的运动和演化,是研究微观粒子和能量的时空演化、阐释微观机制的重要工具。瞬态吸收成像,一般有两种实现方式,点扫描成像和宽场成像。相对点扫描成像,宽场成像模式具有速度快、通量高,成像质量更加细腻的特点。Omni-TAM900为北京卓立汉光仪器有限公司全新推出的一款宽场飞秒瞬态吸收成像系统。该系统集成像和动力学于一体,联合飞秒泵浦-探测技术和显微技术,通过自主知识产权的干涉放大技术增强图像信噪比,可获得高质量的成像效果并大幅度缩短测试时间。仪器基本功能和性能:仪器具有点泵浦-宽场探测,和宽场泵浦-宽场探测两种工作模式。分点泵浦模式可用于测量载流子迁移和热导率等;宽场泵浦模式可用于测量载流子分布和物理态的空间异质性等。仪器特点和创新高灵敏、高通量,可测量到单个纳米颗粒、单层石墨烯乃至单层分子晶体的瞬态吸收信号。仪器原理和实现方式Omni-TAM900宽场飞秒瞬态吸收成像系统原理如下图所示,经过飞秒激光器和光学参量放大器(OPA)之后出来的飞秒激光,通过显微镜的光学系统进入,并作为泵浦光源激发样品,而另一束经过空间调制的探测光在一定的时间延迟之后也经过显微系统到达样品,样品在激发态对探测光产生的吸收情况会被显微镜上的sCMOS 相机记录下来。通过调节光学延迟线(Optical Delay Line),得到样品在不同延迟时间下的sCMOS图像。Omni-TAM900 可以有两种成像模式(如下图所示): 聚焦泵浦光模式(点泵浦,宽场探测)和宽场泵浦光模式(宽场泵浦、宽场探测),前者主要用于研究载流子的迁移,后者用于检测载流子的空间分布状况。软件软件可进行同步采集,自动控制和处理,载流子的寿命、载流子的迁移速率、载流子的分布、动力学等信息均可以通过软件得到。应用方向及实测数据 Omni-TAM900宽场飞秒瞬态吸收成像系统是测量载流子时空演化的强大工具,可广泛应用于物理、材料及器件的前沿研究,比如:太阳能电池、低维材料、量子器件、超导材料、新型半导体、纳米催化、生物传感等,对纳米尺度和飞秒时空尺度中的超快的物理、化学及生物过程进行监测。 金属镀膜中的载流子迁移和热扩散10 nm厚金属薄膜上的超快热载流子和热扩散,采用仪器的点激发,宽场探测模式。半导体中的载流子迁移和热扩散同时监测Si基半导体中的载流子迁移和热扩散(可测量半导体材料的热导率),采用仪器的点激发,宽场探测模式。光伏材料中的载流子迁移和演化钙钛矿CsPbBr3载流子成像,迁移动力学及边缘态动力学研究。采用仪器的宽场激发,宽场探测模式催化材料中的热载流子分布和“热点”局部热电子密度高、寿命长,可能具有更高的催化活性。采用仪器的宽场激发,宽场探测模式。新型二维材料中的边缘物理态研究二维WS2中激子分布情况,激子寿命研究。可以看到,多层的边缘具有更高激子密度和更长激子寿命技术参数 光源飞秒激光 +OPA,激光波长范围取决于应用场景检测器sCMOS成像空间分辨率500 nm载流子迁移定位精度30nm时间分辨率500 fs (100 fs 激光脉冲条件下)时间延迟线0-4 ns/0-8 ns显微镜模块倒置显微镜,上方为开放空间,后期可兼容低温模块、探针台、电学调控、磁场等特殊实验场景。测量模式点泵浦 + 宽场探测(载流子迁移)宽场泵浦 + 宽场探测(载流子分布)仪器工作模式反射 / 散射已发表文献:J. Am. Chem. Soc. 2022, 144, 13928专利:202110510123.X(以上展示的所有实测数据均为本型号仪器测得,并已公开发表,更多细节请查阅以上文献)。更多参考文献:(为了方便用户参考研究前沿,如下列出一些国际上利用瞬态吸收成像方法的研究案例。这些数据并非用该型号仪器获得,但是卓立Omni-TAM900仪器可实现这些应用场景中的绝大多数功能。如有特殊需求,欢迎与卓立汉光联系。)Science 2017, 356, 59 (钙钛矿超长热载流子)Nat. Mater. 2020, 19, 617 (转角二维量子异质结)Science 2021, 371, 371 (超导材料电荷密度波)Science 2022, 377, 437 (立方砷化硼超高载流子)Nat. Mater. 2020 , 9, 56 (材料中的携能载流子)
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  • 闪烁体是一类吸收高能粒子或射线后能够发光(探测器灵敏波段)的材料,可分为有机和无机两大类,按其形态又可分为固体、液体和气体三种。 当闪烁体受到高能粒子或射线照射后能够发生能级跃迁,且产生的紫外可见光强度可被光电探测器探测到。当X射线与闪烁体作用时,一个X射线光子,可以产生多个光子,与紫外可见光不同,因为X射线的能量足以使物体电离,使电子脱离能级的束缚。能量越高的X射线光子,通过产生俄歇电子,康普顿散射等产生更多的电离电子(二次电子),二次电子热能化退至激发能级,通过荧光或磷光的方式发光。因此闪烁体对辐射具有能量分辨率。在医学上,闪烁体是核医学影像设备的核心部件,通过它可以快速诊断出人体各器官的病变大小和位置。闪烁体在行李安检、集装箱检查、大型工业设备无损探伤、石油测井、放射性探测、环境监测等领域也都发挥着不可替代的作用。闪烁体还是制造各类对撞机中电磁量能器的重要材料,它可捕捉核反应后产生的各种粒子的信息,是人类探索微观世界及宇宙演变的重要工具。稳态瞬态荧光-闪烁体综合性能表征系统可综合测试稳态瞬态光致发光以及X射线辐射发光。X射线辐射样品仓安装可控屏蔽快门,在辐射光源最大功率下关闭快门时,样品位置辐射剂量小于10uSv/h,辐射防护满足国标GBZ115-2023《低能射线装置放射防护标准》的要求。 该系统可根据用户需要搭建以下功能● 稳态荧光/瞬态荧光● 稳态X射线荧光/瞬态X射线荧光● X射线荧光成像● 显微荧光/显微荧光寿命成像● 温度相关光谱 X射线荧光成像瞬态X射线荧光寿命测试技术参数X射线荧光成像TYP 39分辨率卡的X射线图像。测试1mm厚的YAG(Ce)时,分辨率可以达到20pl/mm以上。
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  • OmniFluo990稳态瞬态光谱仪 OmniFluo900系列荧光光谱仪拥有稳态荧光和瞬态荧光光谱仪两大系列产品。本系统以高性能Omni-λ 系列单色/光谱仪、高亮度复色光源及多波长单色光源、高灵敏度单光子探测器和大容量样品室为主要核心部件,配合精心优化的激发与发射光路设计,显著地提高了荧光信号探测的灵敏度,纯水拉曼信噪比可达10,000:1 以上。OmniFluo900系列以模块化设计为原则,以我公司 15 年丰富的光谱系统设计、制造及品控经验为基础,搭配时间分辨率达到皮秒量级多通道扫描单光子计数器,可方便地实现荧光(PL)光谱、激光诱导荧光(LIF)光谱、电致发光(EL)光谱及荧光量子产率(QY)等多种稳态、瞬态测试功能。本系列荧光光谱仪,还可搭配牛津仪器(Oxford Instruments)公司的温控单元及滨松(Hamamatsu)公司的各类高灵敏度探测器,便捷地在不同波段范围内获取荧光信号的温度扫描光谱,从而有效地从根本上消除传统荧光分光光度计波长测量范围有限及光谱测试种类不足等各类缺陷。在红外波段测试的稳态和瞬态数据,以及时间分辨的光谱OmniFluo990稳态瞬态光谱仪参数指标型号OmniFluo990主要功能稳态、瞬态寿命测试水拉曼信噪比?≥10000:1寿命时间范围≥500ps-ns- -10s稳态测试激发光源Gloria75X-75W光谱仪发射光谱仪 Omni-λ3027i焦距(mm)320杂散光1*10-5光谱分辨率(nm)?0.08波长准确度(nm)?±0.2波长重复性(nm)?±0.1光栅配置1200g/mm BLZ@500nm600g/mm BLZ@750nm300g/mm BLZ@1250nm通用样品室SAC-FLS样品架③标配比色皿样品架、粉末、固体样品架遮光板配有自动遮光板,防止更换样品时探测器曝光探测器带制冷的红敏光电倍增管 CR131光谱范围④185-900nm暗计数≤100CPS(制冷至 -10℃)数据采集器DCS900PC主要性能指标计数率:100Mcps分辨率:16ps/128ps-1.024ns/2.048ns--33.55us;通道数:65535时间扫描:1.05us@64ps 2.2s@33.55输入信号:±触发沿,高阻/50Ω 阈值±2V可调控制软件新版ZolixScan控制、数据采集、分析软件稳态测试功能:激发扫描,发射扫描,同步扫描,三维扫描可选功能:偏置测试,温度控制扫描瞬态测试功能:动力学扫描,寿命扫描,时间分辨光谱扫描数据处理功能:量子产率计算,TRES Slicing,光谱校正标配计算机Intel i3 双核CPU、4G内存、显示器1920*1080分辨率标配操作系统Windows 10 Home Edition注? 水拉曼测试条件:激发波长350nm,扫描范围370-450nm,狭缝带宽5nm,积分时间1s注? 测试条件:1200g/mm 500nm闪耀光栅,435.84nm,狭缝高4mm,宽10注③ 可选旋转、磁搅拌、水浴样品架注④ 可选R928(200-900nm),R13456(185-980nm),H10330C-75(950-1700nm), R5509-73(300-1700nm)
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  • PhaseTech超快二维瞬态光谱仪 2DQuick Transient是我们2DQuick光谱仪的附加模块,能够进行飞秒到纳秒的瞬态吸收光谱。PhaseTech超快二维瞬态光谱仪 2DQuick Transient也可以仅用于瞬态吸收,不具有2D功能,可在未来升级为2D光谱。PhaseTech超快二维瞬态光谱仪主要特性:&bull 具有精确回射器的高质量延迟级&bull 对准摄像,实现高精度&bull 在单程和双程之间轻松切换&bull 设计紧凑&bull 斩波&bull 波片&bull shutterPhaseTech超快二维瞬态光谱仪主要应用:激发态动力学光化学质子与电子转移能量传递溶剂化动力学光生物学分子结构与动力学蛋白质结构&动力学实时动力学材料科学分子相互作用相干控制2DQuick Transient为2DQuick IR或2DQuick Visible的功能添加了另外三个额外的实验。所有五个实验之间的切换只需通过软件即可完成。实验提供了不同的补充信息,共同形成了动态系统的详细图像。可重新配置:可在单程和双程之间切换,在多个输入和输出之间。自定义支架使切换配置变得快捷方便。 对用户友好,强大的QuickControl软件允许您只需点击一个按钮即可更改实验。先进的三维建模意味着2DQuick结构紧凑,易于对齐。PT_2DQT_Datasheet-1.pdf
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  • 背景介绍—瞬态吸收光谱和瞬态吸收成像的应用基于泵浦探测(Pump-Probe)原理的瞬态吸收光谱,在频率维度和时间维度上提供了丰富的光谱和动力学信息,过去的几十年应用于物理、化学、材料、能源、生物等广泛领域。当今,许多领域科学研究的范式和需求都在不断更新。尤其是随着钙钛矿光伏、二维材料、量子器件、高温超导等前沿领域的发展,科学家迫亟需在空间维度上揭示载流子等微观离子的迁移和演化规律,研究微纳米材料的物理态在空间分布上的异质性。瞬态吸收成像,可在空间和时间维度上研究微观粒子和能量的运动和演化,是研究微观粒子和能量的时空演化、阐释微观机制的重要工具。瞬态吸收成像,一般有两种实现方式,点扫描成像和宽场成像。相对点扫描成像,宽场成像模式具有速度快、通量高,成像质量更加细腻的特点。Omni-TAM900为北京卓立汉光仪器有限公司全新推出的一款宽场飞秒瞬态吸收成像系统。该系统集成像和动力学于一体,联合飞秒泵浦-探测技术和显微技术,通过自主知识产权的干涉放大技术增强图像信噪比,可获得高质量的成像效果并大幅度缩短测试时间。仪器基本功能和性能:仪器具有点泵浦-宽场探测,和宽场泵浦-宽场探测两种工作模式。分点泵浦模式可用于测量载流子迁移和热导率等;宽场泵浦模式可用于测量载流子分布和物理态的空间异质性等。仪器特点和创新高灵敏、高通量,可测量到单个纳米颗粒、单层石墨烯乃至单层分子晶体的瞬态吸收信号。仪器原理和实现方式Omni-TAM900宽场飞秒瞬态吸收成像系统原理如下图所示,经过飞秒激光器和光学参量放大器(OPA)之后出来的飞秒激光,通过显微镜的光学系统进入,并作为泵浦光源激发样品,而另一束经过空间调制的探测光在一定的时间延迟之后也经过显微系统到达样品,样品在激发态对探测光产生的吸收情况会被显微镜上的sCMOS 相机记录下来。通过调节光学延迟线(Optical Delay Line),得到样品在不同延迟时间下的sCMOS图像。Omni-TAM900 可以有两种成像模式(如下图所示): 聚焦泵浦光模式(点泵浦,宽场探测)和宽场泵浦光模式(宽场泵浦、宽场探测),前者主要用于研究载流子的迁移,后者用于检测载流子的空间分布状况。软件软件可进行同步采集,自动控制和处理,载流子的寿命、载流子的迁移速率、载流子的分布、动力学等信息均可以通过软件得到。应用方向及实测数据Omni-TAM900宽场飞秒瞬态吸收成像系统是测量载流子时空演化的强大工具,可广泛应用于物理、材料及器件的前沿研究,比如:太阳能电池、低维材料、量子器件、超导材料、新型半导体、纳米催化、生物传感等,对纳米尺度和飞秒时空尺度中的超快的物理、化学及生物过程进行监测。金属镀膜中的载流子迁移和热扩散10 nm厚金属薄膜上的超快热载流子和热扩散,采用仪器的点激发,宽场探测模式。半导体中的载流子迁移和热扩散同时监测Si基半导体中的载流子迁移和热扩散(可测量半导体材料的热导率),采用仪器的点激发,宽场探测模式。光伏材料中的载流子迁移和演化钙钛矿CsPbBr3载流子成像,迁移动力学及边缘态动力学研究。采用仪器的宽场激发,宽场探测模式催化材料中的热载流子分布和“热点”局部热电子密度高、寿命长,可能具有更高的催化活性。采用仪器的宽场激发,宽场探测模式。新型二维材料中的边缘物理态研究二维WS2中激子分布情况,激子寿命研究。可以看到,多层的边缘具有更高激子密度和更长激子寿命 技术参数光源飞秒激光 +OPA,激光波长范围取决于应用场景检测器sCMOS成像空间分辨率500 nm载流子迁移定位精度30nm时间分辨率500 fs (100 fs 激光脉冲条件下)时间延迟线0-4 ns/0-8 ns显微镜模块倒置显微镜,上方为开放空间,后期可兼容低温模块、探针台、电学调控、磁场等特殊实验场景。测量模式点泵浦 + 宽场探测(载流子迁移)宽场泵浦 + 宽场探测(载流子分布)仪器工作模式反射 / 散射已发表文献:J. Am. Chem. Soc. 2022, 144, 13928专利:202110510123.X(以上展示的所有实测数据均为本型号仪器测得,并已公开发表,更多细节请查阅以上文献)。更多参考文献:(为了方便用户参考研究前沿,如下列出一些国际上利用瞬态吸收成像方法的研究案例。这些数据并非用该型号仪器获得,但是卓立Omni-TAM900仪器可实现这些应用场景中的绝大多数功能。如有特殊需求,欢迎与卓立汉光联系。)Science 2017, 356, 59 (钙钛矿超长热载流子)Nat. Mater. 2020, 19, 617 (转角二维量子异质结)Science 2021, 371, 371 (超导材料电荷密度波)Science 2022, 377, 437 (立方砷化硼超高载流子)Nat. Mater. 2020 , 9, 56 (材料中的携能载流子)
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  • 超快瞬态吸收光谱系统一体机TA-ONE系列一体式超快瞬态吸收光谱是基于我司的超快时间分辨光谱技术, 模块化结构和飞秒激光光源实现的一体化设计系统。该系列系统稳定性高,一体 化设计,无需复杂光路调节,并配备飞秒激光光源,性价比极高。能够适用于半 导体材料、太阳能电池材料、二维材料、光催化材料、光电检测材料等广泛的材 料研究领域。主要技术指标检测模式:透射、反射模式可切换 光谱检测系统:光谱仪配高速CMOS线阵传感器 光谱检测范围:可见光:480-940nm 时间窗口:8ns 仪器响应函数(IRF)时间:典型值500fs(1.5倍激光脉宽) 检测灵敏度: 0.3 mOD 激发光源:1030nm、515nm、343nm可软件控制切换 紫外拓展模块: 采用BBO晶体和蓝宝石拓展白光光谱探测范围至紫外区域 光谱探测范围:380-750nm 近红外拓展模块: 加配近红外光谱检测系统,包括近红外光谱仪、高速近红外 CMOS 传感器 光谱探测范围:1100-1650nm系统配有高稳定飞秒激光器:平均功率:20W中心波长:1030±5nm脉冲宽度:< 500fs重频:100K单脉冲能量:40μJ
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  • ●检测模式: 微区反射/适射模式、激光扫描成像模式、CMOS成像模式●光谱探测器: 高速线阵CMOS相机、PMT+锁相放大器、高速面阵CMOS相机●激光扫描成像:最高4096x4096像素点,最大成像范围约2mm(取决于物镜放大倍数)●CMOS成像:最高480x360像素点,最大成像范围约2mm(取决于物境放大倍数)●最高空间分辨率: ≤1um●零点前TA信号抖动: ≤0.2 mOD●成像波长范围: 400-800nm●高速光学延迟线:光学延迟线最快速度 400mm/s,精度 0.1 微米●检测时间窗口: 8 ns●显微镜:标配奥林巴斯IX73倒置显微镜,兼容多种品牌、型号显微镜,可根据用户需求定制●数据采集/分析软件系统1)2D/3D数据分析模式,数据点平均、多曲线动力学比较2)Chirp-oorrection,零点时间矫正3)单指数、多指数、幂指数等多种模式数据拟合程序4)连续预览模式,预览所有延迟时间下的成像图谱5)Average Mapping 成像图谱查看6)定点动力学曲线查看7)单一延迟时间的成像图谱查看8)成像图谱扣除背景 TA成像系统原理图 TA成像系统应用实例 单层二硫化钼测试条件:采集频率1KHz;探测尺寸:30X45um采集时间:1s/p 激发波长:515nm;探测波长:660nm成像数据:任意一点动力学可提取整体系统展示图超快瞬态吸收显微成像系统以及其他模块应用实例:微区检测单层WSe2-MoS2二维材料异质结检测实例单层WSe2-MoS2二维材料异质结
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  • 产品关键词:稳瞬态荧光光、稳态瞬态荧光光谱、TRPL、TRES、荧光寿命、电致瞬态、TREL、荧光光谱、瞬态荧光、荧光量子产率、PLQY、变温荧光、时间分辨光致荧光光谱、激发谱、发射谱、同步谱、瞬态磷光、磷光寿命、荧光磷光衰减寿命、超快光谱、动力学扫描、多发射谱扫描、多同步扫描▌ 产品简介光电一体化时间分辨光谱仪HiLight是东谱科技自主研发的业内首款光电一体化时间分辨光谱仪(又称光致/电致稳瞬态/时间分辨荧光光谱仪TRPL),该设备拥有光致和电致荧光光谱模块,可以对各类型的光致(荧光、磷光、延迟荧光等)和电致发光样品进行全面的稳、瞬态测试分析,可在200 nm 至5500 nm、宽波长、2.5 ns至1200 s宽时域范围上对微弱发光信号进行精准测量。基于其光电一体的独特优势,HiLight可同时用于材料与器件的研究,从而极大地拓展了传统荧光光谱仪的适用范围。基于模块化的设计理念,HiLight可以提供灵活的配置方案,以适应多样化的测试需求,可广泛应用于材料科学、分析科学、生物医药、食品科学、石油化工、地质学、考古、法医学等领域。▌ 产品特点□ 模块化设计,可选配置丰富灵活,易升级维护;□ 光电一体,同时适用于材料与器件; □ 宽时域时间分辨:2.5ns-1200s; □ 时间分辨率:最小305fs; □ 宽波长范围可选:200-5500nm; □ 多种光源、光栅、探测器可选; □ 全反射式光路设计,影像校准技术; □ 配置SpectraHub软件,功能丰富。▌ 产品功能荧光/磷光时间分辨发射谱吸收与透射电致荧光/磷光荧光磷光寿命量子产率上转换荧光时间分辨电致发光光谱变温荧光比较荧光电致发光响应时间低温荧光时间相关动力学多维光谱显微荧光▌ 规格参数光谱范围激发光谱标配:200nm-900nm,可选:200nm-2500nm发射光谱标配:200nm-900nm,可选:200nm-5500nm时间范围SPC动力学1 ms~10 hMCS10 ns~1200 sTCSPC50 ps~100 μs激发源稳态MCSTCSPC350W氙灯脉冲氙灯Mic-MLD微秒激光器Mic-MLED微秒LED光源Pina-PLD皮秒激光器Pina-PLED皮秒LED光源NanoQ-NLD纳秒激光器NanoQ-NLED纳秒LED光源皮秒白光光源纳秒OPO可调谐激光器电致发光部件SMU电压范围±15 V电流范围±40 mA电压设置分辨率10 mV电流设置分辨率10 μA电压测量分辨率1 mV电流测量分辨率1 μA瞬态电致发光驱动源输出电压范围-10V~+10V电压分辨率16 bits信号频率范围10 mHz~10 MHz驱动电压信号类型脉冲、正弦波、三角波、方波等水拉曼信噪比12,000:1;可选配优化信噪比▌ 产品应用□ 荧光粉□ 上转换材料□ TADF□ 光伏材料□ 荧光微球□ 有机发光材料□ 荧光探针□ 天然染料□ 镧族稀土元素□ 碳点□ 钙钛矿材料□ AIE□ 二维材料□ 室温磷光材料□ 稀土发光材料□ 量子点□ 纳米微球□ 量子棒□ 合成染料□ 各类电致发光器件▌ 产品型号型 号特 点光电一体化时间分辨光谱仪HiLight 990 模块化,可选配置功能;升级与拓展功能强稳瞬态荧光光谱仪HiLight HS15 一体机;稳态和瞬态荧光功能荧光寿命测量仪HiLight T30 寿命测量功能;可选滤光片分光瞬态电致发光光谱仪HiLight E60瞬态电致发光功能荧光光谱仪HiLight S20稳态和磷光功能
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  • 飞秒瞬态吸收光谱仪超快pump-probe 瞬态吸收系统TA100:该系统设计和飞秒激光相结合,用于检测 样品中的超快激发态或光生载流子电荷的动力学过程。TA100为“一站式”检测系 统,包括完整的pump-probe光学系统、光学和电子配件系统、光学延迟线和数据 采集计算机及相应软件系统。 检测模式:透射、反射模式可切换 光谱检测系统:光谱仪配高速CMOS线阵传感器 探测白光检测范围: 采用800nm飞秒激光:可见光:400-800nm;紫外拓展:350-700nm;近红外:850-1500nm采用1030nm飞秒激光:可见光:480-950nm;紫外拓展:380-750nm;近红外:1100-1650nm 延迟线时间窗口:8ns 光学延迟线最快速度:400mm/s,步进精度0.1微米 仪器响应函数(IRF)时间:典型值50fs-200fs(1.5倍激光脉宽) 检测灵敏度:0.1 mOD 数据采集软件系统:2D/3D数据采集模式,实现采集数据实时观测分析。 专业数据分析软件:动力学曲线拟合、时间零点矫正、均一化处理等多种强大功能。(可根据用户 需求添加自定义功能) 配备瞬态样品池2套,样品夹具(固体薄膜和溶液样品均可)1套 瞬态样品池专用微型磁搅拌器(选配) 全自动防样品光损伤二维电动移动台和配套软件(选配) 终身免费升级维护(不含硬件部件的更替)和专业技术支持 提供长期专业培训地点 可拓展微区检测模块(选配): 配备超消色差长焦物镜(480 - 1800 nm)、精密样品移动台和明场观测相机 可现实空间分辨率 1μm微区瞬态光谱检测
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  • 产品介绍:DZDR-S瞬态法导热系数测试仪是南京大展仪器生产的一款热分析仪器,采用瞬态热源法,具有测量速度快,测试广泛广,采用双向的控制系统,操作便捷,并且配有软件分析,可以直接出数据报告,采用全新的外形设计,简约小巧。测试方法:DZDR-S瞬态法导热系数测试仪采用的是瞬态平面热源技术(TPS),可用于各种不同类型、不同形态材料的热传导性能的测试。瞬态平面热源法是研究热传导性能方法中新型的一种,它使测量技术达到了一个新的水平。测试范围:DZDR-S瞬态法导热系数测试仪可测量块状固体、膏状固体、颗粒状固体、胶体、液体、粉末、涂层、薄膜、保温材料等不同材料。性能优势:1、测量方法。DZDR-S瞬态法导热系数测试仪采用非稳态法中的瞬态热源法,与其他测试方法相比,测量速度更快,准确性高。2、测量速度快。DZDR-S瞬态法导热系数测试仪能够在5~160s内测量出导热系数,提升实验的效率。3、多功能性。DZDR-S瞬态法导热系数测试仪适用于不同类型材料的导热系数测试,其中包括:液体、固体、金属、膏体、胶体、薄膜、粉末和复合材料等等,适用性广泛。4、易用性。DZDR-S瞬态法导热系数测试仪采用双向操作控制系统,仪器和计算机同时操作,彩色触摸屏操作,使得使用和操作设备变得简单和便捷。5、数据准确性。DZDR-S瞬态法导热系数测试仪拥有配套的分析软件,能够提供准确可靠的导热系数测试数据,可直接提供数据报告。6、重复性。DZDR-S瞬态法导热系数测试仪对样品实行无损检测,样品可以重复使用。技术参数:测试范围0.0001—300W/(m*K)测量温度范围室温—130℃(可拓展到-40~300℃)探头直径一号探头7.5mm;二号探头15mm;三号探头50mm精度±3%重复性误差≤3%测量时间5~160秒电源AC 220V整机功率<500w测试样品功率P 一号探头功率0;二号探头功率0样品规格一号探头所测样品(≥15*15*3.75mm)二号探头所测样品 (≥30*30*7.5mm)三号探头所测样品 (≥50*50*7.5mm)(选配,也可以定制其他规格)定制粉末测试容器一套
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  • 瞬态光电流/瞬态光电压测量系统(TPC/TPV),用于太阳能电池瞬态光电性能测量(载流子迁移率测量,瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS),对于光电器件微观机理研究提供了有力的测试工具;多功能一体化高性能瞬态测试平台,不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等,还可以对瞬态光电流谱TPC,瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析,全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用: * 无机半导体光电器件,有机半导体光电器件; * 有机太阳能电池OPV; * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell,钙钛矿LED; * 无机太阳能电池(例如:单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池); * 染料敏化太阳能电池DSSC;主要测量功能: * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强,迁移率(I-V测试 & I-V-L测试,空间电荷限制电流SCLC法) * 载流子密度,载流子动力学过程(瞬态光电流法 TPC) * 载流子寿命,载流子符合动力学过程(瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV) * 载流子迁移率(暗注入瞬态法 DIT,单载流子器件&OLED) * 串联电阻,几何电容,RC时间(电压脉冲法 Pulse Voltage) * 参杂密度,电容率,串联电阻,载流子迁移率(暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV) * 载流子迁移率,载流子密度(光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV) * 载流子复合过程,朗之万函数复合前因子(时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV) * 不同工作点的载流子强度,载流子迁移率(注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV) * 几何电容,电容率(MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV) * 陷阱强弱度,等效电路(阻抗谱测试 IS) * 迁移率,陷阱强弱度,电容,串联电阻(电容VS频率 C-f) * 内建电压,参杂浓度,注入势垒,几何电容(电容VS电压 C-V) * 陷阱分析(深能级瞬态谱DLTS) * 载流子传输时间分析(强度调制光电流谱 IMPS); * 载流子复合时间、收集效率等分析(强度调制光光电压谱IMVS); * 点亮电压(电流电压照度特性 I-V-L) * 发光寿命,载流子迁移率(瞬态电致发光法 TEL) *载流子迁移率(TEL瞬态电致发光,Photo-CELIV线性增压抽取载流子) *OLED/钙钛矿LED发光特性测量(发光器件测量);测量技术: 1)IV/IVL特性:IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法,通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系;*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等; 2)瞬态光电流(TPC):研究载流子动力学过程和载流子密度等; 3)瞬态光电压(TPV):研究载流子寿命和复合过程; 4) 双脉冲瞬态光电流(Double Transient Photocurrent):分析电荷载流子俘获动态过程; 5) 暗注入瞬态法(Dark Injection):对于单载流子器件和OLED,研究其载流子迁移率; 6) 电压脉冲法(Voltage Pulse):串联电阻、几何电容和RC效应分析; 7) 暗态线性增压载流子瞬态法(Dark-CELIV):参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量; 8) 光照线性增压载流子瞬态法(Photo-CELIV):提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility,及载流子浓度分析等; 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法(Delaytime-CELIV):复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等; 10)注入线性增压载流子瞬态法(Injection-CELIV):电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析; 11)MIS-CELIV:几何电容和相对介电常数分析; 12)阻抗谱测量(Impedance Spectroscopy):器件等效电路分析等; 13)电容频率测量法(C-f): 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量; 14)电容电压测量法(C-V):内建电压、参杂浓度和几何电容等测量; 15) 深能级瞬态谱(DLTS):陷阱分析; 16)强度调制光电流谱(IMPS):载流子传输时间分析; 17)强度调制光光电压谱(IMVS):载流子复合时间、收集效率等分析; 18)瞬态电致发光测试(Transient Electroluminescence):抽取OLED器件的载流子,磷光寿命测量; 另外,我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备: 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统; 2.太阳能电池测量系统(光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统,I-V曲线测量系统),太阳能电池测试仪; 3.太阳能电池I-V曲线测量系统; 4.I-V 数据采集系统; 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器; 6.太阳能电池分选机; 7.太阳能电池I-V测试仪; 8.分光辐射度计, 9.参考电池/标准电池, 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统; 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统; 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统; 13.太阳能电池少数载流子测量系统;
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  • 简介:瞬态光电流(TPC)/瞬态光电压(TPV)测量系统主要用于太阳能电池在稳态,瞬态以及交流条件下的光电性能测量(载流子迁移率测量Photo-CELIV,瞬态光电流测量TPC、瞬态光电性能测量TPV、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS以及阻抗IS,CV等量测)为光电器件微观机理研究提供了有力的测试平台;多功能一体化高性能瞬态测试平台,不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等,还可以对瞬态光电流谱TPC,瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析,全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。可量测器件类型: * 无机半导体光电器件,有机半导体光电器件; * 有机太阳能电池OPV; * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell,钙钛矿LED; * 无机太阳能电池(例如:单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池); * 染料敏化太阳能电池DSSC; 主要测量功能: * 最大功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强,迁移率(I-V测试 & I-V-L测试,空间电荷限制电流SCLC法) * 载流子浓度,载流子动力学过程(瞬态光电流法 TPC) * 载流子寿命,载流子符合动力学过程(瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV) * 载流子迁移率(暗注入瞬态法 DIT,单载流子器件&OLED) * 串联电阻,几何电容,RC时间(电压脉冲法 Pulse Voltage) * 参杂密度,电容率,串联电阻,载流子迁移率(暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV) * 载流子迁移率,载流子密度(光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV) * 载流子复合过程,朗之万函数复合前因子(时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV) * 不同工作点的载流子强度,载流子迁移率(注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV) * 几何电容,电容率(MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV) * 陷阱强弱度,等效电路(阻抗谱测试 IS) * 迁移率,陷阱强弱度,电容,串联电阻(电容VS频率 C-f) * 内建电压,参杂浓度,注入势垒,几何电容(电容VS电压 C-V) * 陷阱分析(深能级瞬态谱DLTS) * 载流子传输时间分析(强度调制光电流谱 IMPS); * 载流子复合时间、收集效率等分析(强度调制光光电压谱IMVS); * 点亮电压(电流电压照度特性 I-V-L) * 发光寿命,载流子迁移率(瞬态电致发光法 TEL) *载流子迁移率(TEL瞬态电致发光,Photo-CELIV线性增压抽取载流子) *OLED/钙钛矿LED发光特性测量(发光器件测量);测量技术: 1)IV/IVL特性:IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法,通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系;*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等; 2)瞬态光电流(TPC):研究载流子动力学过程和载流子密度等; 3)瞬态光电压(TPV):研究载流子寿命和复合过程; 4) 双脉冲瞬态光电流(Double Transient Photocurrent):分析电荷载流子俘获动态过程; 5) 暗注入瞬态法(Dark Injection):对于单载流子器件和OLED,研究其载流子迁移率; 6) 电压脉冲法(Voltage Pulse):串联电阻、几何电容和RC效应分析; 7) 暗态线性增压载流子瞬态法(Dark-CELIV):参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量; 8) 光照线性增压载流子瞬态法(Photo-CELIV):提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility,及载流子浓度分析等; 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法(Delaytime-CELIV):复合动态过程分析和Langevin复合因子分析等; 10)注入线性增压载流子瞬态法(Injection-CELIV):电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析; 11)MIS-CELIV:载流子迁移率量测 12)阻抗谱测量(Impedance Spectroscopy):器件等效电路分析等; 13)电容频率测量法(C-f): 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量; 14)电容电压测量法(C-V):内建电压、参杂浓度和几何电容等测量; 15) 深能级瞬态谱(DLTS):陷阱分析; 16)强度调制光电流谱(IMPS):载流子传输时间分析; 17)强度调制光光电压谱(IMVS):载流子复合时间、收集效率等分析; 18)瞬态电致发光测试(Transient Electroluminescence):抽取OLED器件的载流子,磷光寿命测量; 应用案例:1.第三代太阳能电池的表征2. Consistent Device Simulation Model Describing Perovskite Solar Cells in Steady-State, Transient and Frequency Domain
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  • 深能级瞬态谱仪(DLTS) 400-860-5168转5919
    一、产品概述:深能瞬态谱仪是一种高精度的测量设备,专门用于研究材料的瞬态光谱特性,尤其在化学和物理领域中应用广泛。该仪器能够快速获取材料在不同激发条件下的光谱响应,帮助科学家分析材料的电子结构和能态分布。二、设备用途/原理:设备用途深能瞬态谱仪主要用于材料科学、光电子学和生物医学等领域。它可用于研究半导体、纳米材料和光敏材料的光电特性,评估材料在光照下的行为,以及探索新型光电器件的性能。工作原理深能瞬态谱仪的工作原理基于激发光源对材料的瞬态激发过程。通过激发特定波长的光,仪器捕捉材料在激发后短时间内的光谱变化,分析材料的瞬态响应。利用时间分辨技术,设备能够提供材料的瞬态光谱信息,从而揭示其内部能量转移和电子跃迁等动态过程。三、主要技术指标: 1. 脉冲发生器电压范围 ±100v,解析度0.3mV2. 脉冲宽度 1us-1000s3. 电容测量的高频信号 1M Hz4. 电容补偿范围 1pF- 3300pF5. HF–频率: 1M Hz6. HF-信号: 100mV7. 电容测试范围 2pF,20pF,200pF,2000pF,自动或手动8. 电容测试灵敏度 0.01fF 9. 电流放大器大测试电流: 15mA10. 电流放大器电流分辨率 10pA11. 数字瞬态记录器大采样 64000点12. 数字瞬态记录器采样间隔 2us-4s13. 耦合方式 提供28种耦合方式,包括Boxcar和Lock-in方式.一次变温即可得到28组曲线和数据点14. 单个温度点测试参数序列 单温度点设置18种测试参数序列,无需重复变温即可得到不同测试参数
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  • 产品介绍:DZDR-S瞬态导热系数测定仪是南京大展检测仪器推出一款新导热仪,采用瞬态热源法,具备测量速度快、测试范围广,采用全新的外形设计,简约小巧,双向操作系统,操作便捷性高等优势。测试范围:DZDR-S瞬态导热系数测定仪可测量块状固体、膏状固体、颗粒状固体、胶体、液体、粉末、涂层、薄膜、保温材料等不同材料。测试方法:DZDR-S瞬态导热系数测定仪采用的是瞬态平面热源技术(TPS),可用于各种不同类型、不同形态材料的热传导性能的测试。瞬态平面热源法是研究热传导性能方法中新型的一种,它使测量技术达到了一个新的水平。性能优势:1.直接测量,测试时间5-160s左右可设置,能快速准确的测出导热系数,节约了大量的时间;2.不会和静态法一样受到接触热阻的影响;3.无须特别的样品制备,对样品形状并无特殊要求,块状固体只需相对平滑的样品表面并且满足长宽至少为探头直径的两倍即可;4.对样品实行无损检测,意味着样品可以重复使用;5.探头采用双螺旋线的结构进行设计,结合专属数学模型,利用核心算法对探头上采集的数据进行分析计算;6.样品台的结构设计巧妙,操作方便,适合放置不同厚度的样品,同时简洁美观;7.探头上的数据采集使用了数据采集芯片,该芯片的高分辨率,能使测试结果更加准确可靠;8.主机的控制系统使用了ARM微处理器,运算速度比传统的微处理器快,提高了系统的分析处理能力,计算结果更加准确。技术参数:测试范围0.0001—300W/(m*K)测量温度范围室温—130℃(可拓展到-40~300℃)探头直径一号探头7.5mm;二号探头15mm;三号探头50mm精度±3%重复性误差≤3%测量时间5~160秒电源AC 220V整机功率<500w测试样品功率P 一号探头功率0;二号探头功率0样品规格一号探头所测样品(≥15*15*3.75mm)二号探头所测样品 (≥30*30*7.5mm)三号探头所测样品 (≥50*50*7.5mm)(选配,也可以定制其他规格)定制粉末测试容器一套
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  • MDPpicts 温度依赖的光感应电流瞬态图谱检测Microwave Detected Photo Induced Current Transient Spectroscopy 微波探测的光感应电流瞬态图谱检测,非接触且无损伤,用于温度依赖的少数载流子寿命测量以及半导体的界面陷阱和体陷阱能级的电性能表征。 应用行业:半导体材料基础研究与开发 灵敏度:对电子缺陷表征的 灵敏度图1. 与温度有关的载流子发射瞬态 温度范围:液氮(77k)至500k。可选:液氦(4k)或更高温度衰变常数范围:20纳秒到几毫秒污染测定:测量基础的陷阱能级:陷阱的活化能和俘获截面,基于温度和注入的寿命测定重复性: 99.5%,测量时间: 60分钟。液氮消耗:2升/次弹性:可从不同波长(从365nm到1480nm)选择不同种类的材料可访问性:基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支持从Arrhenius斜率(图3)可以确定活化能。利用这种新型的商用MDPpicts设备,可以在20~500k范围内测量温度依赖性的光电导瞬态。在过去,Si, GaAs, InP, SiC和更多的半导体已经成功采用了这种方法进行研究。 图2. 不同ID的评价 图3.Arrhenius曲线图 图4. 不同温度的Cz-Si晶圆片的MD-PICTS图谱
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  • 产品关键词:稳瞬态荧光光谱、稳态瞬态荧光光谱、TRPL、TRES、荧光寿命、荧光光谱、瞬态荧光、荧光量子产率、PLQY、时间分辨光致荧光光谱、分光光度计、激发谱、发射谱、同步谱、瞬态磷光、磷光寿命、荧光磷光衰减寿命、动力学扫描▌ 产品简介稳瞬态荧光光谱仪 HiLight HS15,该设备采用一体式设计,包括稳态、瞬态等模块,工作波长200 nm 至5500 nm,时间范围2.5 ns至1200 s(时间分辨精度305fs)。适用于各类型的光致(荧光、磷光、延迟荧光等)进行全面的稳、瞬态测试分析,可广泛应用于材料科学、分析科学、生物医药、食品科学、石油化工、地质学、考古、法医学等领域。▌ 产品特点□ 一体式设计,具有高稳定性、高灵敏性优点;□ 宽时域时间分辨:2.5ns-1200s; □ 时间分辨率:最小305fs; □ 宽波长范围可选:200-5500nm; □ 多种光源、光栅、探测器可选; □ 全反射式光路设计,影像校准技术; □ 配置SpectraHub软件,功能丰富。▌ 产品功能荧光/磷光时间分辨发射谱吸收与透射变温荧光荧光磷光寿命量子产率上转换荧光多维光谱变温荧光▌ 规格参数光谱范围激发光谱标配:200nm-900nm,可选:200nm-2500nm发射光谱标配:200nm-900nm,可选:200nm-5500nm时间范围SPC动力学1 ms~10 hMCS10 ns~1200 sTCSPC50 ps~100 μs激发源稳态MCSTCSPC350W氙灯脉冲氙灯Mic-MLD微秒激光器Mic-MLED微秒LED光源Pina-PLD皮秒激光器Pina-PLED皮秒LED光源NanoQ-NLD纳秒激光器NanoQ-NLED纳秒LED光源皮秒白光光源纳秒OPO可调谐激光器水拉曼信噪比12,000:1;可选配优化信噪比▌ 产品应用□ 有机发光材料□ 荧光探针□ 天然染料□ 镧族稀土元素□ 碳点□ 钙钛矿材料□ AIE□ 二维材料□ 室温磷光材料□ 稀土发光材料□ 量子点□ 纳米微球□ 量子棒□ 合成染料□ 各类电致发光器件
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  • 飞秒瞬态吸收光谱仪 瞬态吸收光谱仪通过用“泵浦”脉冲激发分子系统,延迟后用探测脉冲获取系统信息的方式来研究分子特性。 我司瞬态吸收光谱仪能适应瞬态吸收测量广泛的范围。它具有多样的模块设计来允许选择“泵浦”和“探测”脉冲和在透射与反射二种操作模式上轻松地互换。Standalone and Lab ViewTM设计紧凑,占用珍贵的桌面空间小,具有良好的稳定性、自动化操作。泵浦源紧凑、无缝覆盖、宽广调谐。 特点&优势 1. 探测液体、固体以及薄膜中的瞬态吸收和模拟发射,分辨率可达100fs。 2. 全电脑控制 3. 宽波长范围瞬态谱的获得(200-1000nm) 4. 4ns时间窗口(-DP 选项),8ns(-DDP选项) 5. 瞬态吸收各向异性测量 6. 双光束规格(-U选项)提供超高信噪比表现 技术规格 激发 SHG THG Rainbow 20F 泵浦光谱范围 230-12,00nm 探测光源 连续白光 探测光谱范围 300-750nm;240-620nm and 380-1100nm optional 扫描范围 2ns,1fs resolution; (4ns,2fs optional) 时间分辨 <1.7 X pump pulsewidth 噪音级别 1.3 x 104OD typical 软件 Standalone and Lab ViewTM 尺寸 89L*64W*25H cm 重量 34Kg 输入参数 能量 >0.3mJ 脉冲宽度 30—150fs 光束直径 5---10mm (near TEM) 偏振 Linear,horizontal 重复率 0.3---3kHz 波长 750---850nm 光束高度 110nm 应用领域 1.三线态吸收2.分子动力学3.材料科学4.光催化5.激光晶体6.太阳能晶体
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  • 高精度和高性能的OLED(钙钛矿(Q)LED,QLED)瞬态响应测量。M6200OLED瞬态EL/PL测试系统是为测试OLED器件的瞬态电致发光、时间分辨光致发光等瞬态响应特性而设计的。瞬变电致发光测试系统采用电脉冲发生器作为激励源,时间分辨电致发光测试系统采用高速脉冲激光器。它是研究电荷迁移率、响应时间和载流子寿命等载流子动力学的有用工具。-TPD 瞬态电致发光测试 (TPD Tr-EL)-瞬态电致发光(Tr-EL)-时间分辨光致发光(TR-PL)-低温测量-光谱测量-长余辉测试
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  • 产品介绍:DZDR-S是南京大展检测仪器生产一款瞬态热源法导热仪,采用全新的外形设计,简约小巧,配备天平,具有测量速度快,操作简单。测试方法:瞬态平面热源技术(TPS)开发的导热系数测试仪,可用于各种不同类型、不同形态材料的热传导性能的测试。瞬态平面热源法是研究热传导性能方法中新型的一种,它使测量技术达到了一个全新的水平。性能优势:1.测试范围广泛,测试性能稳定;2.直接测量,测试时间5-160s左右可设置,能快速准确的测出导热系数,节约了大量的时间;3.不会和静态法一样受到接触热阻的影响;4.无须特别的样品制备,对样品形状并无特殊要求,块状固体只需相对平滑的样品表面并且满足长宽至少为探头直径的两倍即可;5.对样品实行无损检测,意味着样品可以重复使用;6.探头采用双螺旋线的结构进行设计,结合专属数学模型,利用核心算法对探头上采集的数据进行分析计算;7.样品台的结构设计巧妙,操作方便,适合放置不同厚度的样品,同时简洁美观;8.探头上的数据采集使用了进口的数据采集芯片,该芯片的高分辨率,能使测试结果更加准确可靠;9.主机的控制系统使用了ARM微处理器,运算速度比传统的微处理器快,提高了系统的分析处理能力,计算结果更加准确;10.仪器可用于块状固体、膏状固体、颗粒状固体、胶体、液体、粉末、涂层、薄膜、保温材料等热物性参数的测定;11.智能化的人机界面,彩色液晶屏显示,触摸屏控制,操作方便简洁;12.强大的数据处理能力。高度自动化的计算机数据通讯和报告处理系统。技术参数:测试范围0.0001—300W/(m*K)测量温度范围室温—130℃探头直径一号探头7.5mm;二号探头15mm;三号探头50mm精度±3%重复性误差≤3%测量时间5~160秒电源AC 220V整机功率<500w测试样品功率P 一号探头功率0;二号探头功率0样品规格一号探头所测样品(≥15*15*3.75mm)二号探头所测样品 (≥30*30*7.5mm)三号探头所测样品 (≥50*50*7.5mm)(选配,也可以定制其他规格)定制粉末测试容器一套
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  • 纳秒/微秒瞬态吸收光谱系统系统设计和飞秒-纳秒激光相结合,与超快瞬态吸收系统不同,纳秒 瞬态吸收系统采用电控延迟系统和独立超连续白光光源,用于检测样品在亚纳秒 到毫秒尺度的光诱导动力学演化过程。Micro-TA100系统配备独立的pump-probe 闪光光源,用于检测样品在微秒到秒尺度的光诱导动力学演化过程。检测模式:透射、反射模式可切换光谱检测系统:光谱仪配高速CMOS线阵传感器采用法国LEUKOS-DISCO(UV)超连续白光激光器白光光谱范围380 - 1800 nm 、重频2KHz、平均功率5mW采用双通道(采集和参比)光谱检测, 即两套数据采集和光谱探测系统,可有效去除探测白光的抖动噪音,实现较高的信造比和采集效率时间检测窗口范围: 450μs时间分辨率:1ns检测灵敏度:≤0.1mOD(可见和近红外)可在超快瞬态吸收光谱系统上拓展纳秒系统,共用检测器微秒瞬态吸收光谱拓展模块(选配):激发光源:滨松脉冲氙灯光源(脉宽2.9μs)氙灯平均功率60W ;波长范围:240-2000nm;重频范围:100到1Hz探测光源:滨松CW探测氙灯光源,平均功率35W,光谱范围: 240-2000nm光谱检测:光谱仪配高速CMOS线阵传感器,光谱范围一次采集(无需扫描单色仪) (与ns或飞秒系统共用光谱检测部件)光谱探测范围:可见光300-950nm;近红外850-1700nm检测时间窗口:~35μs-s时间分辨率(CMOS相机最小门宽决定):~35μs(可见光);~14μs(近红外)采用双通道采集和参比光谱检测, 即两套数据采集和光谱探测系统,可有效去除探测白光的抖动噪音,实现较高的信造比和采集效率数据采集软件系统:2D/3D数据采集模式,实现采集数据实时观测分析。专业数据分析软件:动力学曲线拟合、时间零点矫正、均一化处理等多种强大功能(可根据用户需求添加自定义功能)
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  • 荧光寿命/瞬态吸收分析系统 欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息!产品目录:紧凑型荧光寿命测量仪Quantaurus-Tau 紧凑单盒型荧光寿命测量系统用于操作简单而高精度地测量荧光寿命和光致发光谱。皮秒荧光寿命测量系统 采用二维光子计数法来测量多光谱荧光寿命的高灵敏度和高时间分辨率(5 ps)荧光寿命测量系统。近红外荧光寿命测量系统 具有亚纳秒到皮秒的时间分辨率的近红外(650—1700 nm)荧光寿命测量系统。紧凑型近红外光致发光寿命测量仪 紧凑型近红外光致发光寿命测量仪是专门为测量近红外波段(580—1400 nm)光致发光谱(PL Spectrum)和光致发光寿命(PL Life)而设计的。
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  • 瞬态吸收光谱仪 400-860-5168转2623
    瞬态吸收光谱仪通过用&ldquo 泵浦&rdquo 脉冲激发分子系统,延迟后用探测脉冲获取系统信息的方式来研究分子特性。我司瞬态吸收光谱仪能适应瞬态吸收测量最广泛的范围。它具有多样的模块设计来允许选择&ldquo 泵浦&rdquo 和&ldquo 探测&rdquo 脉冲和在透射与反射二种操作模式上轻松地互换。Standalone and Lab ViewTM设计紧凑,占用珍贵的桌面空间小,具有良好的稳定性、自动化操作。泵浦源紧凑、无缝覆盖、宽广调谐。特点&优势1. 探测液体、固体以及薄膜中的瞬态吸收和模拟发射,分辨率可达100fs。2. 全电脑控制3. 宽波长范围瞬态谱的获得(200-1000nm)4. 4ns时间窗口(-DP 选项),8ns(-DDP选项)5. 瞬态吸收各向异性测量6. 双光束规格(-U选项)提供超高信噪比表现激发 SHG THG Rainbow 20F泵浦光谱范围 230-12,00nm探测光源 连续白光探测光谱范围 300-750nm;240-620nm and 380-1100nm optional扫描范围 2ns,1fs resolution;(4ns,2fs optional)时间分辨 <1.7 X pump pulsewidth噪音级别 1.3 x 104OD typical软件 Standalone and Lab ViewTM尺寸 89L*64W*25H cm重量 34Kg输入参数能量 >0.3mJ脉冲宽度 30&mdash 150fs光束直径 5---10mm (near TEM)偏振 Linear,horizontal重复率 0.3---3kHz波长 750---850nm光束高度 110nm
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  • 产品介绍:瞬态平面热源技术(TPS)开发的导热系数测试仪,可用于各种不同类型、不同形态材料的热传导性能的测试。瞬态平面热源法是研究热传导性能方法中新型的一种,它使测量技术达到了一个全新的水平。性能优势:1.测试范围广泛,测试性能稳定,在国内同类仪器中,处于优先水平;2.直接测量,测试时间5-160s左右可设置,能快速准确的测出导热系数,节约了大量的时间;3.不会和静态法一样受到接触热阻的影响;4.无须特别的样品制备,对样品形状并无特殊要求,块状固体只需相对平滑的样品表面并且满足长宽至少为探头直径的两倍即可;5.对样品实行无损检测,意味着样品可以重复使用;6.探头采用双螺旋线的结构进行设计,结合专属数学模型,利用核心算法对探头上采集的数据进行分析计算;7.样品台的结构设计巧妙,操作方便,适合放置不同厚度的样品,同时简洁美观;8.探头上的数据采集使用了进口的数据采集芯片,该芯片的高分辨率,能使测试结果更加准确可靠;9.主机的控制系统使用了ARM微处理器,运算速度比传统的微处理器快,提高了系统的分析处理能力,计算结果更加准确;10.仪器可用于块状固体、膏状固体、颗粒状固体、胶体、液体、粉末、涂层、薄膜、保温材料等热物性参数的测定。技术参数:测试范围0.0001—300W/(m*K)测量温度范围室温—130℃探头直径一号探头7.5mm;二号探头15mm;三号探头50mm精度±3%重复性误差≤3%测量时间5~160秒电源AC 220V整机功率<500w测试样品功率P 一号探头功率0;二号探头功率0样品规格一号探头所测样品(≥15*15*3.75mm)二号探头所测样品 (≥30*30*7.5mm)三号探头所测样品 (≥50*50*7.5mm)(选配,也可以定制其他规格)定制粉末测试容器一套DZDR-S 瞬态热源法导热仪的操作方法:DZDR-S导热系数测试仪测试方法对比:
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  • 产品介绍:DZDR-S是南京大展检测仪器生产一款瞬态平面热源法导热仪,采用一体化的机型设计,小巧轻便,同时测量速度快,一键计算导热系数,准确度高等优势。测试范围:DZDR-S 瞬态平面热源法导热仪可用于块状固体、膏状固体、颗粒状固体、胶体、液体、粉末、涂层、薄膜、保温材料等热物性参数的测定。测试方法:瞬态平面热源技术(TPS)开发的导热系数测试仪,可用于各种不同类型、不同形态材料的热传导性能的测试。瞬态平面热源法是研究热传导性能方法中新型的一种,它使测量技术达到了一个新的水平。性能优势:1.直接测量,测试时间5-160s左右可设置,能快速准确的测出导热系数,节约了大量的时间; 2.不会和静态法一样受到接触热阻的影响;3.无须特别的样品制备,对样品形状并无特殊要求,块状固体只需相对平滑的样品表面并且满足长宽至少为探头直径的两倍即可;4对样品实行无损检测,意味着样品可以重复使用;5.探头采用双螺旋线的结构进行设计,结合属数学模型,利用核心算法对探头上采集的数据进行分析计算;6.样品台的结构设计巧妙,操作方便,适合放置不同厚度的样品,同时简洁美观;7.探头上的数据采集使用了进口的数据采集芯片,该芯片的高分辨率,能使测试结果更加准确可靠;8.主机的控制系统使用了ARM微处理器,运算速度比传统的微处理器快,提高了系统的分析处理能力,计算结果更加准确;9.仪器可用于块状固体、膏状固体、颗粒状固体、胶体、液体、粉末、涂层、薄膜、保温材料等热物性参数的测定;10.智能化的人机界面,彩色液晶屏显示,触摸屏控制,操作方便简洁。技术参数:测试范围0.0001—300W/(m*K)测量温度范围室温—130℃探头直径一号探头7.5mm;二号探头15mm;三号探头50mm精度±3%重复性误差≤3%测量时间5~160秒电源AC 220V整机功率<500w测试样品功率P 一号探头功率0;二号探头功率0样品规格一号探头所测样品(≥15*15*3.75mm)二号探头所测样品 (≥30*30*7.5mm)三号探头所测样品 (≥50*50*7.5mm)(选配,也可以定制其他规格)定制粉末测试容器一套
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  • 产品介绍: DZDR-S 导热系数测试仪是采用了瞬态平面热源法,仪器由南京大展检测仪器研发、生产,采用了一体化的机型设计,能够实现一键测量,同时进口芯片,测量速度快5~160s出结果,操作简单。测量范围: DZDR-S 瞬态平面热源法导热仪测试样品种类较多,包括:金属、陶瓷、合金、矿石、聚合物、复合材料、纸、泡沫和玻璃钢面板复合板材等。测试方法介绍: DZDR-S 瞬态平面热源法导热仪可用于各种不同类型、不同形态材料的热传导性能的测试。瞬态平面热源法是研究热传导性能方法中新型的一种,它使测量技术达到了一个全新的水平。在研究材料时能够快速准确的测量导热系数,为企业质量监控、材料生产以及实验室研究提供了极大的方便,可以选配有粉末测试容器、液体杯。优势特点:1、直接测量,测试时间5-160s左右可设置,能快速准确的测出导热系数,节约了大量的时间;2、主机的控制系统使用了ARM微处理器,运算速度比传统的微处理器快,提高了系统的分析处理能力,计算结果更加准确;3、探头上的数据采集使用了进口的数据采集芯片,该芯片的高分辨率,能使测试结果更加准确可靠;4、智能化的人机界面,彩色液晶屏显示,触摸屏控制,操作方便简洁;5、仪器可用于块状固体、膏状固体、颗粒状固体、胶体、液体、粉末、涂层、薄膜、保温材料等热物性参数的测定;5、强大的数据处理能力。高度自动化的计算机数据通讯和报告处理系统。测试步骤:技术参数:测试范围0.0001—300W/(m*K)测量温度范围室温—130℃探头直径一号探头7.5mm;二号探头15mm;三号探头50mm精度±3%重复性误差≤3%测量时间5~160秒电源AC 220V整机功率<500w测试样品功率P 一号探头功率0;二号探头功率0样品规格一号探头所测样品(≥15*15*3.75mm)二号探头所测样品 (≥30*30*7.5mm)三号探头所测样品 (≥50*50*7.5mm)(选配,也可以定制其他规格)定制粉末测试容器一套
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  • 深能级瞬态谱仪DLTS 400-860-5168转3281
    仪器简介: 美国高分辨深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段!测试功能:电容模式、定电容模式、电流模式、(双关联模式)、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS。 测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具有很高检测灵敏度的实验方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描,给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS谱,集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析,可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。 也可用于光伏太阳能电池领域中,分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位,确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。 感谢中国科学院宁波材料研究所,国家硅材料深加工产品质量监督检验中心 南昌大学 西安电子科技大学成为此设备的专业用户!! 此设备在全球用户众多,比欧洲设备性能价格比高,是研究材料深能级领域的理想工具!!使用闭循环液氦制冷机,从低温到高温只需要升温一次,就能完全得到所有频率的曲线,不同频率不再需要再做一次升降温, 这是其它设备所不具有的功能!Semetrol 的DLTS系统温度范围:25K - 700K,液氦制冷,性能价格比高系统配置:DLTS数据采集及分析软件 (DLTS, ODLTS, DDLTS)Semetrol型快速电容测试器自动电容零点界面数据采集卡及中断箱 ODLTS穿导件机柜安装硬件及电缆设备机柜GPIB 接口卡电脑是双核, 2GB 内存, 19”显示器. USB 接口, CD书写用于数据传输.可调节探针(2)闭环液氦制冷机 (25-700K)温度控制器 电容测试器指标:型号: Semetrol电容零点界面: Yes全自动电容补偿: Yes全自动范围设置: Yes响应时间: ~25μsec补偿范围: 256pF测试频率: 1MHz测试信号级别: 15, 30, 50, 100 mV电容范围: 2000pF灵敏度: 1fF电压范围: +100V to –100V (Boonton) +10V to –10V (数据采集卡)灵敏度: 1mV (电压小于 20V时), 10mV (电压大于 20V时) 0.3mV (数据采集卡)脉冲宽度: 15ms to 0.1sec (Boonton内置偏压) 5μs to 0.1sec (数据采集卡)脉冲幅度: 到 200V, slew rate 20V/ms (Boonton) 到 20V, slew rate of 20V/μs (数据采集卡)电流: 5mA 数据采集卡瞬时记录:采样速率: 可至 1μs. 一般使用 50μs 采样次数: 10,000.记录分辨率: 50ns暂时分辨率, 优于 50aF 电容分辨率过滤: 全自动检测及正弦噪音消除
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  • 超快瞬态吸收显微镜成像系统超快瞬态吸收显微镜成像系统UM100:该系统设计与显微镜和飞秒激光相 结合,用于检测微纳样品的光激发瞬态吸收光谱、动力学过程以及瞬态吸 收光谱成像。系统同时具备超快时间分辨(飞秒)和1um的空间分辨能力。 UM100为“一站式”检测系统,包括完整的pump-probe光学系统、光学和电子配件系统、光学延迟线和数据采集计算机以及相应软件系统兼容多种检测模式:微区反射/透视模式、激光扫描成像模式(透射) 光谱探测器:微区模式:可见/近红外光谱仪配高速CMOS检测器 激光扫描成像模式:PMT+锁相放大器(可加配多探测通道) 数据采集频率:微区模式10KHz、激光扫描成像模式达500KHz 光谱探测范围:380 - 1600 nm 高速光学延迟线:光学延迟线最快速度 400mm/s,精度 0.1 微米 检测时间窗口:8 ns 激光扫描成像分辨率:4096x4096像素点 激光扫描成像范围:具体范围需根据用户使用的镜头而定 空间分辨率:≤ 1um(具体范围需根据用户使用的镜头而定) 仪器时间响应函数 IRF:1.5 倍激光脉宽 检测灵敏度:≦0.2mOD 显微镜:兼容多种品牌、型号显微镜,可根据用户需求定制 数据采集软件:2D/3D数据采集模式,实现采集数据实时观测分析。 数据分析软件:动力学曲线拟合、时间零点矫正、均一化处理等多种强大功能。(可根据用户需求添加自定义功能) 终身免费升级维护(不含硬件部分的更替)和专业技术支持 提供长期专业培训地点
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  • 瞬态光电流/光电压测试系统用于太阳能电池瞬态光电性能测量(载流子迁移率测量,瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS),对于光电器件微观机理研究提供了有力的测试工具;多功能一体化高性能瞬态测试平台,不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等,还可以对瞬态光电流谱TPC,瞬态光电压谱TPV、调制光电流谱IMPS、瞬态光电压谱IMVS等进行测量分析,全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用: * 无机半导体光电器件,有机半导体光电器件; * 有机太阳能电池OPV; * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell,钙钛矿LED; * 无机太阳能电池(例如:单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池); * 染料敏化太阳能电池DSSC;主要测量功能 * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强,迁移率(I-V测试 & I-V-L测试,空间电荷限制电流SCLC法) * 载流子密度,载流子动力学过程(瞬态光电流法 TPC) * 载流子寿命,载流子符合动力学过程(瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV) * 载流子迁移率(暗注入瞬态法 DIT,单载流子器件&OLED) * 串联电阻,几何电容,RC时间(电压脉冲法 Pulse Voltage) * 参杂密度,电容率,串联电阻,载流子迁移率(暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV) * 载流子迁移率,载流子密度(光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV) * 载流子复合过程,朗之万函数复合前因子(时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV) * 不同工作点的载流子强度,载流子迁移率(注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV) * 几何电容,电容率(MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV) * 陷阱强弱度,等效电路(阻抗谱测试 IS) * 迁移率,陷阱强弱度,电容,串联电阻(电容VS频率 C-f) * 内建电压,参杂浓度,注入势垒,几何电容(电容VS电压 C-V) * 陷阱分析(深能级瞬态谱DLTS) * 载流子传输时间分析(强度调制光电流谱 IMPS); * 载流子复合时间、收集效率等分析(强度调制光光电压谱IMVS); * 点亮电压(电流电压照度特性 I-V-L) * 发光寿命,载流子迁移率(瞬态电致发光法 TEL) *载流子迁移率(TEL瞬态电致发光,Photo-CELIV线性增压抽取载流子) *OLED/钙钛矿LED发光特性测量(发光器件测量);测量技术: 1)IV/IVL特性:IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法,通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系;*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等; 2)瞬态光电流(TPC):研究载流子动力学过程和载流子密度等; 3)瞬态光电压(TPV):研究载流子寿命和复合过程; 4) 双脉冲瞬态光电流(Double Transient Photocurrent):分析电荷载流子俘获动态过程; 5) 暗注入瞬态法(Dark Injection):对于单载流子器件和OLED,研究其载流子迁移率; 6) 电压脉冲法(Voltage Pulse):串联电阻、几何电容和RC效应分析; 7) 暗态线性增压载流子瞬态法(Dark-CELIV):参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量; 8) 光照线性增压载流子瞬态法(Photo-CELIV):提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility,及载流子浓度分析等; 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法(Delaytime-CELIV):复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等; 10)注入线性增压载流子瞬态法(Injection-CELIV):电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析; 11)MIS-CELIV:几何电容和相对介电常数分析; 12)阻抗谱测量(Impedance Spectroscopy):器件等效电路分析等; 13)电容频率测量法(C-f): 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量; 14)电容电压测量法(C-V):内建电压、参杂浓度和几何电容等测量; 15) 深能级瞬态谱(DLTS):陷阱分析; 16)强度调制光电流谱(IMPS):载流子传输时间分析; 17)强度调制光光电压谱(IMVS):载流子复合时间、收集效率等分析; 18)瞬态电致发光测试(Transient Electroluminescence):抽取OLED器件的载流子,磷光寿命测量;另外,我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备: 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统; 2.太阳能电池测量系统(光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统,I-V曲线测量系统),太阳能电池测试仪; 3.太阳能电池I-V曲线测量系统; 4.I-V 数据采集系统; 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器; 6.太阳能电池分选机; 7.太阳能电池I-V测试仪; 8.分光辐射度计, 9.参考电池/标准电池, 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统; 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统; 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统; 13.太阳能电池少数载流子测量系统;
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  • 瞬态烟度计CPA1000 400-860-5168转3082
    瞬态烟度计CPA1000——用于实时连续测试车辆及发动机的PM/PN一、瞬态烟度计检测原理:CPA1000核心传感器的工作原理是:传感器的法拉第杯内带有电晕充电器,微粒在此法拉第杯内被充电并被传感器内部的喷射稀释器推动。二、瞬态烟度计主要性能:1 可同时测量粒子的质量浓度PM和数量PN;2 具备宽动态范围和高灵敏度;3 具备全面的传感器自我诊断功能;4 核心传感器内部配备有内部加热装置,以保证非冷凝的测试条件; 5 通过内部质量流量控制器自动进行零点检查及周期性流量检查;6 不需要昂贵的维护及消耗品;7 可检测颗粒物从几纳米到2.5微米;8 不需要复杂的取样系统; 9 连续性操作减少停机时间;10 核心传感器采用世界上响应最快的颗粒物传感器,以确保实时监测;11 大屏幕液晶触摸屏显示,带有模拟信号输出,方便集成到其它系统;三、瞬态烟度计技术参数:取样频率24-位, 100 Hz 取样频率,信噪比 SNR=100dB. 响应时间0.2s 可检测颗粒物大小范围最小 :几个 nm-23nm(取决于所选择的电压)最大:2.5um(取决于所测量的颗粒物大小分布)最大最小颗粒物浓度范围质量浓度[mg/m3]: 300 0.001 浓度 (*): 数量浓度[#/cm3]: 1.3*10e9 600 操作温度0℃ - +55℃ 取样温度达到 850℃(取样条件:样品入口 200℃)入口空气干燥且无颗粒物的压缩空气@3-10Bar(表压)空气消耗量正常模式 20L/min 移动模式 10L/min (采用 KINGLEVEL 空气供应单位单元)压缩空气或氮气应符合 ANSI/ISA-7.0.01-1996Class3 的空气质量标准功率要求直流 24V/20A 启动 500W 稳定 200W 取样入口加热:230vac,100w/m 尺寸及重量长 720x 宽 495x 高 240 重量:约 30kg 输出 4 通道模拟输出(4-20mA/ 0-10V) 、RS232 取样自动化输入/输出阀,用于在不测量时保护传感器免受污染;取样入口:柔性反静电塑料管,可加热到 200℃,长度 2m;四、瞬态烟度计应用领域:PEMS车载测试;发动机台架测试;DPF过滤效率研究及测试;大学及相关科研机构;
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  • 瞬态平面热源法导热系数测试系统——变温变真空多试样一、简介瞬态平面热源法作为一种绝对导热系数测量方法,在理论上可以达到很高测量精度。在被测试样尺寸和其它要素满足测试方法规定的边界条件时,导热系数的测量范围理论上可以没有限制。因此,对于均质材料,采用瞬态平面热源法不失为一种操作简便和测量精度高的有效方法,在温度不高范围内(-196℃~200℃),这种方法可以作为一种标准方法来使用,并与其它导热系数测试方法一起形成有效的补充和相互比对,甚至可以用于校准其它测试方法。瞬态平面热源法已具有国际标准测试方法,即ISO 22007-2:2008 Plastics-Determination of thermal conductivity and thermal diffusivity-Part 2: Transient plane heat source (Hot Disk) method。依阳公司生产的瞬态平面热源法导热系数测试系统是一种多功能测试设备,具有测试块状和分体材料以及薄膜材料的功能,同时还配备了真空腔装置、循环油浴温度控制系统、气体压强控制系统和多通道扫描开关装置,从而实现了在不同温度和气氛压力下对多个试样同时进行测量。二. 特点(1)变温测试采用冷热循环油浴增压泵流出的硅油作为加热介质流经装载有试样的真空腔体壁,真空腔体放置在厚实的隔热材料套中,使得被测试样可以精确的按照循环油浴温度进行恒温控制,充分利用了循环油浴±0.05℃的高精度温度控制功能,保证了试样温度的均匀性和稳定性。并且,可以通过计算机控制循环油浴的设定温度来自动实现不同温度下的试样热导率测量。试样温度变化范围取决于恒温油浴的温度变化范围,一般温度变化范围为-40℃至250℃。同时还可以配备低温制冷机系统,从而实现温度达到液氦温度区间的材料导热系数测试。 (2)变气压测试工程材料,特别是孔隙率较大的低密度材料,它们所处的气氛压强会严重影响材料的导热系数。同时,空气中的水份也会使得材料的导热系数发生改变。所以,为了准确测量材料的导热系数,所有导热系数测试方法都对被测试样的气氛环境有严格规定,通常要求是一个标准大气压下的高燥空气环境。另外,在宇航空间用工程材料中,距离地球表面不同高度时气氛压强的不同也会导致材料不同的导热系数。为了规范测试气氛环境和模拟出准确的所需气氛压强,导热系数测试系统配备了依阳公司独自研发的具有人工智能的高精度气氛压强控制系统,使得放置试样的真空腔内的气压精确恒定在所需的气压设定点上,实现了不同气体成分在不同气压下的实验环境模拟。试样环境气氛可以是空气和其他任何气体,气压控制范围为3Pa至1个标准大气压,气压的波动率全量程范围内都小于±1%。 (3)多试样同时测量瞬态平面热源法作为一种非稳态法,在理论上有很快的测试时间,但这里所谓的测试时间是指纯粹的通电测试时间,并不包括达到测试模型边界条件要求(被测试样温度均匀)所需要的时间。被测试样热导率越小,试样达到温度均匀所需要的时间越长。一般规定,两次测试的间隔时间至少是测量时间的36倍。如果测量低导热材料(热导率约为0.03 的隔热材料),通常的测试时间为180秒以上,那么重复性测试的时间间隔至少要108分钟。这就意味一个完整的测试过程至少需要近2个小时,而大部分时间是在等待试样温度达到稳定,这还不包括变温过程中温度控制时的恒温时间。由此可见,在测量较低热导率材料过程中,整个测试过程和测试效率并不是很高,与其它稳态法旗鼓相当。为了进一步提高瞬态平面热源法的测试效率,我们增加了一个程序控制的多通道扫描开关,即采用多探头多试样同时测量技术,充分利用试样温度稳定这段等待时间,既保证了每个独立试样的有效测试时间间隔,又能最大限度提高样品测试数量,提高测试效率。 (4)试样多样化安装为了满足固体、粉体和膏状等不同形式材料的导热系数测量,瞬态平面热源法导热系数测试系统配备了专门设计的试样容器。 (5)各向异性导热系数测量为了适用于多层材料、纤维增强塑料等各向异性样品的热传导性能的测试,瞬态平面热源法导热系数测试系统配备了专门设计的测试软件,可进行厚度和面内方向的导热系数测量。(6)薄膜材料导热系数测量瞬态平面热源法导热系数测试系统还可用于单层薄膜样品如织物、高聚物薄膜、陶瓷薄膜、纤维材料、纸和陶瓷上的溅射金属涂层等材料的导热系数测试。样品厚度范围为0.01~2 mm,导热系数测试范围0.005~10 W/mK 三. 技术指标(1)温度变化范围:-269℃~250℃(依据所用温度环境装置)。(2)气压控制范围:3Pa~个标准大气压,气体可以是空气、氮气等,波动率小于±1%。(3)通道数:4线制连接,共8个通道。手动切换和计算机程控切换,最多可同时测量8组试样。(4)试样形式和尺寸:最大试样尺寸为50mm×50mm×40mm。(5)试样形式:固体、粉体、膏状物、薄板和薄膜等。(6)导热系数测量范围:0.005~500W/mK。(7)导热系数测量精度:优于±5%。(8)导热系数测量重复性:优于±7%。(9)薄板试样测试:薄板厚度范围0.1~10mm,导热系数测量范围为10~500 W/mK。(10)薄膜试样测试:薄膜厚度范围为0.01~2 mm,导热系数测试范围0.005~10 W/mK。 四. 应用(1) 瞬态平面热源法薄板试样测试方法对于薄板或薄片状材料,瞬态平面热源法中有专门的测试模型用于导热系数测量,所测试的导热系数是试样整体的导热系数,而不是面内方向的导热系数。如下图所示,测量时先选择两块厚度一致的样品,精确测量样品厚度后,将两块薄板样品分别放置于探头的两边,然后用两块相同材质的绝热隔热材料压紧,使探头与样品之间没有空隙,以保证探头产生的所有热量均为样品所吸收。薄板样品的直径或边长一般应大于50mm。每片样品的厚度可以从0.2mm至8mm不等,这取决于探头半径。薄板试样测试方法与块状试样测试方法有些类似,主要的区别有两点:被测薄板试样的外侧要用绝缘低导热材料压紧,使得试样四周的热损失与探测器加热量相比非常小。在试样中的热流传递主要在薄板试样面内方向上进行,所以瞬态平面热源法薄板测试模型假设试样是无限大平板热传递模型。 (2) 瞬态平面热源法薄膜试样测试方法对于薄膜材料(电绝缘),瞬态平面热源法中采用了薄膜测试模型用于导热系数测量,所测试的导热系数是试样整体的导热系数,而不是面内方向的导热系数。测试时,探头被放置于两片样品和导热性能良好的背景材料之间。测量时,根据薄膜材料的接触热阻的数据计算得到样品的导热系数。如下图所示,测量时先选择两片厚度一致的薄膜样品,精确测量薄膜样品厚度后,将两块薄膜样品分别放置于探头的两边,然后用两块相同的不锈钢块压紧,使探头与样品之间没有空隙,以保证探头产生的所有热量均为样品所吸收。 需要注意的是,在瞬态平面热源法薄膜导热系数测量过程中,被测试样一般没有加载力或加载力很小,对于试样的加载也是为了让被测试样贴紧探头减少探头与被测试样之间的热阻。 (3)不同气压下的导热系数测量硬质聚氨酯泡沫塑料试样,环境温度25℃,每个气压点上至少进行十次重复性测量,采用HOTDISK 4921探头,加热功率0.01~0.006W,加热时间160秒和320秒。(4)不同温度导热硅脂导热系数测量导热硅脂试样,测试温度25~150℃,每个温度点上至少进行10次重复性测量,采用4921探头。
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