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正八面体晶体

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正八面体晶体相关的仪器

  • BaTiO3晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:钛酸钡(BaTiO3)晶体基片产品简介:钛酸钡(BaTiO3, BTO)是最早发现的钙钛矿型铁电体,然而钛酸钡单晶仍然是当今铁电体和凝聚态物理领域内的研究热点,因为它不仅是基础研究的理想材料,具有适宜基础研究的完整结构和复杂相变过程,而且具有优良的电光与光折变性能,现今又发现能够实现可逆的大场致应变,在高应变驱动器上展现出了强烈的应用前景,同时,通过工程化畴结构的调整,其具有优良的压电性能,这使得钛酸钡单晶同时成为非线性光学器件、压电和高应变领域内的一种优秀的无铅环保型单晶材料。技术参数:晶体结构:四方(4mm): 9oC T 130.5 oCa=3.99 ?, c= 4.04 ? ,生长方法:顶部籽晶溶液法(TSSG)熔点:1600 oC密度:6.02 g/cm3介电常数:ea = 3700, ec = 135 (自由状态)ea = 2400, e c = 60 (夹持状态)折射率: 515 nm 633 nm 800 nm no 2.4921 2.4160 2.3681ne 2.4247 2.3630 2.3235透射波长范围:0.45 ~ 6.30 mm电光系数:rT 13 =11.7 ±1.9 pm/V rT 33 =112 ±10 pm/VrT 42 =1920 ±180 pm/VSPPC 反射率(0度切 ):l = 515 nm, 50 - 70 %(最高达到77%) l = 633 nm, 50 - 80 %(最高达到86.8%)二波混频耦合常数:10 - 40 cm-1吸收损耗: l: 515 nm 633 nm 800 nma: 3.392cm-1 0.268cm-1 0.005cm-1产品规格:常规晶向:100、001晶向公差:±0.5度常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况:单抛或双抛,Ra5A可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋封装 相关产品:A-Z系列晶体列表等离子清洗机 基片包装盒系列金刚石线切割机旋转图层机
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  • 耗散型石英晶体微天平QSense Pro——见微知著**********仪器简介**********QCM-D技术的核心是石英晶体传感器,它由石英晶体夹在两片电极中间形成三明治结构。在电极两端加入一个交流电压,在传感器的共振频率处引发一个小的剪切振动,当交流电压关闭后,振动呈指数衰减,这个衰减被记录下来,得到共振频率(f)和耗散因子(D)两个参数。 对于薄层硬质薄膜,可以使用Sauerbrey关系和公式,根据传感器振动计算吸附层的质量。当沉积的薄膜松散和粘性时,能量通过薄膜上的摩擦被消耗,传感器的振动发生衰减,耗散因子提供了传感器上吸附的薄膜的结构信息。通过使用多个频率和耗散因子数据,使用粘弹性模型而非Sauerbrey关系,我们可以计算得到质量(mass)、厚度(thickness)、粘度(viscosity)和弹性(elasticity)。耗散型石英微晶体天平QSense Pro是迄今为止市场上最先进的,自动化程度最高的QCM分析仪器,这种优势使得它具有很高的工作效率和实验可重复性。而简易的程序编辑和高精度的溶液流量控制使得样品得到最有效率的使用。操作简单、技术多样化、多种修饰表面的传感器使得您可以使用QSense Pro创造出无限的可能。尽情享受实验的乐趣吧!**********产品优势**********● 全自动的启钥系统集成化的样品处理方式以及直观的软件操控使得仪器操作变得易于上手。预先编辑的实验程序使得仪器运行再也不需要人为监管。● 低至50μL的样品量QSense Pro能够进行精确的样品处理,从而使样品得到有效利用。● 便捷高效八通道传感器模块可以提前设置好八个同步实验,可减少动手时间,提高了实验效率。● 灵活的流量控制和极高的实验重现性独立工作的高精度注射泵保证了四个通道高度精确的独立流量控制。可编程控制样品混合如自动样品浓度梯度保证了实验极高的重现性。● 内置的温度控制试验温度可由软件控制在4到70℃之间。可根据实验需要配置预加热或预降温的样品架。● QCM-D技术与其他技术联用QSense Pro兼容QSense公司其他配件。通过加载单通道样品池,可以将您的QCM-D实验与椭偏仪、电化学或显微镜等技术联用。**********仪器原理**********QSense Pro是一种检测吸附在表面上的分子反应机制的实时分析仪器。当分子层在传感器表面质量发生变化或者结构发生改变时, Pro可以测量分子层的变化。在材料、蛋白质和表面活性剂等领域的研究中,QSense Pro设备起到了关键作用。 从快速仪器入门使用,到高质量数据分析,QSense Pro提供了一套完整的解决方案。仪器有八个流动模块,每一个模块都配备一个传感器,最多可以进行四个平行测试。多种可选模块,例如电化学QCM-D,可以进行联用测试。我们的产品提供包括硬件、软件、技术支持和让您可以快速开始研究所需的介绍、培训以及实验结果解析。QSense Pro 设备基于极其灵敏和快捷的技术,带耗散因子检测的石英晶体微天平(QCM-D)。该设备的核心是传感器在加载电压的作用下以特定频率下振荡。当传感器上的质量发生变化时,其振荡频率会随之变化(1)。断开电路会导致振荡衰减。衰减速率或者耗散因子与传感器上的分子层粘弹性有关(2)。通过测定频率和耗散,QCM-D可以分析吸附在传感器表面的分子层状态,包括质量、厚度和结构性质(粘弹性)。**********使用方法********************技术参数**********传感器数量8个(流动模式中最多4个平行测试)传感器上方体积~15μL最小样品体积~50μL工作温度4-70 °C,由软件控制,精确度±0.02 °C常规流速20-100 μL/min 最小分配/等分体积1 μL清洗所有与液体接触元件均可拆卸,并可在超声波浴中清洗传感器晶体5 MHz,直径14 mm,抛光,AT切割,金电极样品数量3*12样品架,样品管径13, 16或18mm;或3*24样品架,2mL微量管;或1*96微孔板+上述任意样品架频率范围1-70 MHz (对于5 MHz晶片,从7个频率到13个泛频,最高至65 MHz)最大时间分辨率,1个频率最高达每秒200个数据点液相中常规质量精度与最大质量精度~ 1.8 ng/cm2(18 pg/mm),~ 0.5 ng/cm2(5 pg/mm)液相中常规耗散因子精度与最大耗散因子精度~0.1*10-6,~0.04*10-6液相典型峰间噪音(RMS)~ 0.16 Hz (0.04 Hz)操作系统USB 2.0,Windows 7,Inter i5处理器(或相当),8GB或者更高内存,推荐分辨率1680*1050 pixels的22寸显示器输入/输出拟合的粘度、弹性、厚度以及动力学参数, Excel, BMP, JPG, WMF, GIF, PCX, PNG, TXT仪器尺寸70cm*67cm*57cm**********具体应用领域如下********** ● 生物材料表面分析 ● 生物传感器的研究 ● 蛋白质的相互作用 ● 膜表面的吸附/解析 ● 生物膜表面DNA的杂交 ● 酶的降解 ● 聚电解质单/多层膜的研究 ● 细胞在不同表面的吸附 ● 靶向药物的研究 ● 催化、腐蚀等研究 ● 高分子溶涨、结构改变、等特性的研究 ● 高分子材料的生物相容性等
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  • 本公司研发团队开展石英晶体微天平化学生物传感分析研究已有三十余年,具有丰富的QCM应用研究经验,可根据客户需求提供个性化服务,解决客户QCM使用中出现的技术问题。该仪器融合多家著名高校相关领域研究成果,仪器模块化结构、便携式设计,可与电化学仪器光学仪器联用。仪器价格优惠、使用简单、性能稳定、检测结果可靠。石英晶体微天平(Quartz Crystal Microbalance,QCM)是一种非常灵敏的质量检测仪器。在一定条件下,石英晶体上沉积的质量变化和振动频率移动之间关系呈线性关系(Sauerbrey公式),其测量灵敏度可达纳克级,可以测到单原子层的质量变化。本仪器采用10 MHz石英晶体,每Hz的频率变化相当于0.85 ng/cm2。石英晶体微天平作为纳克质量传感器具有结构简单、成本低、灵敏度高的优点,被广泛应用于化学、物理、生物、医学和表面科学等领域中,可实现电化学、光化学、光电化学的现场动态监测分析。可广泛用以进行气体、液体成分分析以及微质量的测量、薄膜厚度、液体粘度(血凝)检测等。例如:电活性聚合物表征、Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、DNA的杂交 、 细胞吸附 、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。 仪器特点l 仪器接触溶液的激励电极做工作电极与电化学仪器联用可构成EQCM测量技术。 l 仪器便携式设计、操作简单、方法选择、操作过程、步步提示。l 锂离子电池可作为电源、抗干扰能力强。l 仪器智能化模块化设计、结构可靠,可适应现场使用。l SD卡储存数据,方便后续数据处理。l 数据同时通过蓝牙无线传输到手机,可在手机上同步进行显示和储存。l 仪器可与其他分析仪器联用,如电化学仪器、光学仪器联用实现现场多信息传感分析。根据科研需要可进一步开发应用。 技术参数 l 使用晶体频率范围5MHz-20MHz,本仪器使用商用镀金10MHz AT切石英晶体。l 频率稳定性,空气中+1Hz/小时,液相中精确控制实验条件可达到相近的信号稳定性。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示。l 提供2G SD卡储存数据,每隔2秒储存一组实验数据。l 便携式QCM 配备直流供电电压范围9V-18V,建议使用12V,2A 直流稳压源。l 可配备12V 5400mAh 锂离子电池(12.6V,1A 充电器)。l 便携式仪器尺寸:150*97*40mm;仪器重量:500 g。
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  • 石英晶体微天平 400-860-5168转6094
    QCM-D石英晶体微天平 对AT切型剪切振动石英晶振进行快速阻抗频谱测量,频谱测量可获得诸多信息,可在响应幅值最大处获得谐振频率,峰高、半峰宽也可作为特征参数用来表征压电石英体表面粗糙度、膜粘弹性变化情况。本仪器通过快速频谱扫描技术,获得压电石英体的谐振频率(F) 和耗散因子 D (定义为石英晶体品质因子 Q的倒数,通过半高峰宽近似求得)。 JSK-T(I)型石英晶体微天平是本公司独自开发的多功能一体化QCM-D型质量传感检测仪器,工作频率可达200MHz,精确测量纳克级物质质量的传感技术。QCM仪器价格便宜,操作简单,可实现电化学、光化学、光电化学的现场联用动态监测分析。可广泛用于电活性聚合物表征、电池储能材料如Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、光电材料、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、细胞黏附行为、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。仪器特点 QCM-D石英晶体微天平基于快速阻抗频率谱测定技术,能够测定谐振频率、振幅、相位等参数,可用于常见压电石英晶体,例如基频5MHz、6MHz、8MHz、10MHz的石英晶体; 可进行奇数倍频测量,频率上限最高可达200MHz,优于目前常见QCM设备。可实现频率、相移、耗散因子等参数测量。根据需要预设参数、个性化定制。仪器模块化结构、数据显示储存一体、无需外接电脑、抗干扰能力强。l 石英晶体基频 5MHz,6MHz,8MHz,10MHz,33MHz,100MHz可任选。可3、5、7、9、11倍频激励,扫频范围200MHz以内。l 提供两套检测池、满足不同实验需求。可配置注射泵或蠕动泵、PID自动控制温度。技术参数l 本仪器使用商用镀金8MHzAT切石英晶体,稳定状态下液相中频率测定相邻数值波动可控制在±0.1Hz。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示,U盘储存数据,无需外接电脑。l 仪器常规石英晶片直径14 mm,能够非常灵敏地检测非常薄的吸附层的质量、耗散、分子的结构(构象)变化。并可计算其他参数,如:厚度、粘度、弹性模量,同时可以进行分子间反应的动力学分析。l 仪器检测的耗散灵敏度可达10-7, 质量灵敏度为4ng Hz-1 cm-2(基频10MHz) 0.4 pg Hz-1 mm-2(基频100MHz) 频率测定模式数据采集0.2s一组数据 ;(可定制相移角测定模式,数据采集速度可达10微秒,可用于快速瞬态测定)。
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  • 区熔晶体生长系统 400-860-5168转5919
    FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米(8英寸)的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸,可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中,晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高极限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染。在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中,可以分别以高达3 bar和5 bar的超压产生氩气气体,用以培育大晶体。同时,上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中,上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择,例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。产品数据概览:材料:硅晶体晶体拉动长度: 2,700 mm晶体直径: 长达 200 mm (8")极限真空度: 2.5 x 10-5 mbar最大过压: FZ-30: 3.0 bar(g)FZ-35: 5.0 bar(g)发电机输出电压: 120 kW频率: 2.4 MHz上轴进料速度: 高达 30 mm/min上部旋转: 高达 30 rpm下轴拉动速度: 最高 30 mm/min下部旋转: 最高 30 rpm尺寸规格高度: 11,550 mm宽度: 3,800 mm深度: 4,050 mm面积(总计): 5,000 x 6,000 mm重量(总计): 约14,000 kg区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。
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  • 区熔晶体生长系统 400-860-5168转5919
    FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料,使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒, 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外,上主轴可以在X或Y方向移动。产品数据概览:材料:硅晶体晶体拉动长度 350 mm晶体直径: 最长可达 25 mm最后真空度: 2.5 x 10-5 mbar 最大过压: 2 bar(g)发电机输出电压: 15 kW频率: 2.4 MHz (FZ-14M)上轴进料速度: 最高 30 mm/min上部旋转: 最高 30 rpm下轴 拉动速度: 最高 30 mm/min下部旋转: 最高 30 rpm尺寸规格高度: 3,000 mm宽度: 1,020 mm深度 1,640 mm面积(总): 1,800 mm x 4,000 mm重量(总): 约2,500 kg区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。
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  • QSensors——在芯片上实现你的梦想优质且种类繁多的QSensors系列芯片是瑞典百欧林引以为傲的产品,专为QSense耗散型石英晶体微天平(QCM-D)系统配置。除现有的一百多种标准芯片外,瑞典百欧林科技有限公司近期推出27款全新定制QCM-D涂层芯片,这些芯片可以被广泛地使用在科研领域,用以解决各种各样的技术难题。也许其中的一款就是您急切需要的,快来一探究竟吧!芯片表面应用方向环烯烃类聚合物(COP) 医用光学部件、食品药品包装材料醋酸乙烯酯(EVA)薄膜、电线电缆、LDPE改性剂、胶黏剂氟化乙烯丙烯共聚物 (FEP)航空线缆、电子设备传输线、聚四氟乙烯替代品聚碳酸酯(PC)医疗器材、电子电器、光学照明、奶瓶餐具等包装材料低密度聚乙烯(LDPE)食品和药品包装材料聚丙烯(PP)包装材料、医疗器械、纤维制品聚氨酯(PUR)涂料、粘合剂、合成皮革、弹性纤维、泡沫塑料聚醚砜树脂(PES)水处理膜、医疗器具、食品加工器件、涂料聚氯乙烯(PVC)工程塑料、电线电缆、包装膜、人造革、纤维氧化铈(CeO2)尾气吸附、催化剂、选矿药剂研究硅锗合金(SiGe)太阳能电池Cr22型双相不锈钢金属表界面吸附研究钛合金(Ti-6 Al-4 V)医疗器械、航太工业钛铁矿(Ilmenite)选矿药剂研究蒙脱石(Montmorillonite)选矿药剂研究碳化钨(WC)选矿药剂研究氧化锡(SnO2)选矿药剂研究叶蜡石(Pyrophyllite)选矿药剂研究水镁石(Mg(OH)2)选矿药剂研究勃姆石(AlO(OH))选矿药剂研究硫化铜(CuS)选矿药剂研究硫化铁(FeS)选矿药剂研究炭黑(Carbon Soot)选矿药剂研究辉锑矿(Sb2S3)选矿药剂研究天青石(SrSO4)选矿药剂研究黏土矿(Clay)选矿药剂研究您所购买的每一个QSensor芯片都经过严格的质量检验。凭借它,您可以确保QCM-D实验的正常运行,并获得可靠的结果。我们竭尽所能确保您得到优质的产品,从而提高您在科研和实验中的产出效率。 想在下一步科研实验中采用哪种表面?来探索我们的客户定制芯片,激发您科研上的灵感吧! 一百多种常规芯片列表以及更多芯片详情请点击链接查看,或者直接致电百欧林的工程师。
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  • 区熔晶体生长系统 400-860-5168转5919
    FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米(4英寸)的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸,可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中,晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高极限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染,同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。产品数据概览:材料:硅晶体晶体 1,100 mm晶体拉动长度: 长达100 mm (4″)晶体直径: 2.5 x 10-5 mbar极限真空度: 0.5 bar(g) 发电机 输出电压: 30 kW频率: 2.4 MHz上轴进料速度: 最高30 mm/min上部旋转: 最高35 rpm下轴拉动速度: 最高 30 mm/min下部旋转: 最高 30 rpm尺寸规格 高度 6,280 mm宽度: 2,750 mm深度: 3,000 mm重量(总): 约 4,900 kg区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。
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  • 激光晶体 400-860-5168转3512
    NdYAG激光晶体品牌:eksmaopticsNd:YAG激光棒和各种倍频非线性晶体倍频晶体LBO晶体具有高损伤阈值,低光束偏移和优异的倍频效率。是高功率高重复频率Q-Switch和锁模激光器倍频的最佳选择KTP晶体具有超高效率特别适合地平均功率和连续激光应用。该晶体对温度变化不敏感并能工作在极其锋利聚焦或高发散角激光光束环境大孔径的DKDP晶体在高能量Q-Switch激光器中有广泛应用 Nd:YAG激光晶体(标准激光棒)提供各种标准尺寸的Nd:YAG激光棒,包括AR增透膜,适合高能量高功率的脉冲激光应用speciFicAtiONs OF stANDArD Nd:YAG LAser rODsNd Doping Level 0.8% or 1.1%Orientation 111 crystalline directionSurface Quality 10-5 scratch & dig (MiL-PRF-13830B)Surface Flatness λ/10 at 633 nmParallelism 10 arcsecPerpendicularity 5 arcmin for plano/plano endsDiameter Tolerance +0/-0.05 mmLength Tolerance +1/-0.5 mmClear Aperture 90 % of full apertureChamfers 0.1 mm at 45 degCoating Both sides coated AR @ 1064 nm, R 0.2%, AOi = 0 degBarrel Grooving All dia 6.35, 8, 10, 12 mm rods with barrel grooving
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  • EKSMA 红外非线性晶体 400-860-5168转1446
    EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体,如LBO,beta BBO,KTP,KDP,DKDP,LiIO3,各种红外非线性晶体,AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等,我们提供标准尺寸和定向的晶体,并支持快速库存发货。同时,我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用,如激光谐波振荡,频率反转(SFG,DFG),光学参量振荡和放大(OPG,OPA),电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------红外非线性晶体AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2 由于极其独特的材料特性,红外光学非线性晶体ZnGeP2, AgGaSe2, AgGaS2, GaSe在中红外和远红外的应用方面赢得了人们极大的兴趣。这些红外非线性晶体拥有非常大的有效光学非线性,接收光谱和接收角度宽,透光范围广,对温度稳定性和振动控制没有苛刻要求,非常易于机械加工(GaSe除外)。 红外晶体ZnGeP2(ZGP)透光范围从074um至12um,其中有用的透过范围为1.9um至8.6um,以及9.6um到10.2um。ZGP晶体拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。ZGP晶体目前已经成功的应用于各种领域: 通过谐波与混频效应实现CO2和CO激光辐射到近红外的上转换脉冲式CO,CO2,DF化学激光器的高效倍频通过OPO实现钬,铥,铒激光波长像中红外的下转换 EKSMA光学提供抗高损伤BBAR镀膜,并且具备超低的吸收损耗,2.05-2.1um泵浦波长下,吸收系数为α 0.05 cm-1;2.5-8.2um范围吸收系数为:α0.03 cm-1红外晶体AgGaSe透光波段在0.73um到18um之间。而具有高应用价值的透过范围为0.9-16um,这个范围具有非常宽的相位匹配能力,对当前大多数可用的激光泵浦光源均可提供潜在的OPO应用。2.05um的Ho:YLF激光泵浦已获得2.5-12um的可调谐输出。而通过1.4-1.55um的泵浦,也获得了非关键相位匹配下的1.9-5.5um输出。AgGaSe2(AgGaSe)也同时早已被证明为脉冲式CO2激光的高效倍频晶体。 红外晶体AgGaS2(AGS)透光波段为0.53-12um。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中最小,但其透明波长短波边缘至550nm,因此可作为Nd:YAG激光器泵浦的OPO应用;同时也被大量应用于利用二极管,钛宝石,Nd:YAG,以及3-12um红外染料激光器进行的差频混频实验;还可以直接应用于红外对抗系统,以及CO2激光器的二倍频。而AgGaS(AGS)薄片晶体通过近红外波段脉冲差频效应在产生中红外超短脉冲方面也应用的非常普遍。 红外晶体 GaSe透光波长在0.65-18um。GaS3晶体已经成功的用于CO2激光的高效倍频;脉冲式CO、CO2和DF激光(λ = 2.36 μm)的二倍频;CO和CO2激光到可见光的上转换;Nd激光与燃料激光器或(F-)-central激光脉冲差频、混频产生红外脉冲;3.5-18um范围内的OPG。同时GaSe晶体薄片还广泛用于飞秒-太赫兹振荡。当然,由于材料结构(沿(001)平面解理)的特殊性,无法获得特定的相位匹配角度,也限制了其应用的领域
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  • EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体,如LBO,beta BBO,KTP,KDP,DKDP,LiIO3,各种红外非线性晶体,AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等,我们提供标准尺寸和定向的晶体,并支持快速库存发货。同时,我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用,如激光谐波振荡,频率反转(SFG,DFG),光学参量振荡和放大(OPG,OPA),电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡(SHG,SFG)光学参量振荡和光学参量放大(OPG,OPA)差频振荡(DFG)脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡(GaSe晶体)极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟,于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲,他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为:在一个脉冲宽度时间内(或所期望的脉冲宽度时间内),他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配,τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配,我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1,800nm的SHG效应, BBO,LBO,KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限,在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中,同时也列出了在室温(20°C)时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体,则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度(或期望脉冲宽度)群延迟色散(GDD)对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度,所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时,折射率随波长的增加而降低,这将导致高频分量产生更低群速度,于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象,晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲,脉冲初始宽度为 0,其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子
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  • X射线自动定向仪是根据市场对晶体角度测量越来越高的精度要求而推出的手动定向仪的升级产品,它是利用X射线衍射原理,设计制造的光,机,电三为一体精密仪器,能快速地测定天然和人造晶体(压晶体管、光学晶体、激光晶体、半导体晶体)的晶面,可与各种切割、研磨等加工设备配套使用。是精密加工制造晶体器件不可缺少的仪器,上述各种晶体的定向与切割。广泛适用于各种晶体材料加工行业和科研院校。 技术特点: 1. 采用进口PLC控制,自动化程度高、故障率极低、抗干扰能力强、系统稳定性好。 2. 全中文人机界面,7英寸TFT触摸屏,接口直观、操作简单。 3. 自动测角扫描方式,并采用进口高分辨率编码器,大大提高测量精度,规避了人工测量的读数误差,极大降低了操作者的劳动强度和操作难度。 4. 测量方式灵活,只需轻触触摸屏或踩脚踏开关,二者任选。 5. 自动标晶校对准确方便、自动扫描10次,取平均值。 6. 满足客户不同需求,设置单点、两点、四点测量模式。 7. 显示可在任一位置调零,便于显示晶体片角度偏差值。 8. 具有峰值放大的特殊积分器,采用高压模块器件,提高检测精度。 9. 模块化的电子线路,射线管高压电缆一体结构,使用维修简单。 10. 自动控制关闸设计,只在必要时打开,安全方便无隐患。 11. 可根据被测样品不同,定制各种样品台,保证测量精度和使用的方便性。 技术参数: 本技术参数根据中华人民共和国机械行业标准,JB/5482 —91 1)、使用条件: 1) 海拔不超过1000米 (超过1000.米、客户与制造厂协商解决) 2) 环境温度+5°~+35°C ; 3) 相对湿度不得大于75%,(如超过此湿度必须采取相应措施); 4) 单相交流220V,50HZ 5A,电源电压波动不大于±10%,容量不低0.5KW ; 5) 有良好的接地装置,接地电阻不应大于4Ω; 6) 供电线路中不得有电焊机,高频炉等设备引起的高频和电弧干扰。 2、技术指标: (1) X射线发生器部分 输入电源:单相交流220V、50HZ、0.5KW; X射线管:铜靶阳极接地,强迫风冷; X管电压:-30KVP,全压合闸; X管电流:0~5mA,连续可调; 功 率:总功率不大于0.5KW; 保 护:自动光闸、高压连锁、温度保护; 静态检测精度:≤±10″ (用标准石英片SIO2、1011面)(θ:13°20′)(2θ:26°40′) (2) 测 角 仪 部 分: 样品台转角度:θ,0~+55°; 计数器转角度:2θ,0°~+100°; 狭 缝:发散度为4′.5′.6′插入式; (3) 触 摸 屏: 角度最小读值:1″; 数字显示:度、分、秒。 角 度 调 整:数字显示可予置任何角度值。 (3)记录部分: 计 数 管:GJ5101盖革计数管工作电压0~1100V 。 强度显示;微安表显示被测晶体角强度值。 (4)外型尺寸:1150(长)×650(宽)×1500(高)。 (5)重 量:约200Kg。
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  • CHI400C系列时间分辨电化学石英晶体微天平(EQCM)是CH Instruments与武汉大学合作的产品(武汉大学专利)。石英晶体微天平(QCM)可进行极灵敏的质量测量。在适当的条件下,石英晶体上沉积的质量变化和振动频率移动之间关系呈简单的线性关系(Sauerbrey公式): Df = -2fo2 Dm / [A · sqrt(mr)] 式中是fo晶体的基本谐振频率,A是镀在晶体上金盘的面积,r是晶体的密度(=2.684g/cm3),m是晶体切变系数(= 2.947´ 1011 g/cm· s2)。对于我们的晶体(fo = 7.995MHz, A = 0.196 cm2),每赫兹的频率改变相当于1.34 ng。QCM和EQCM被广泛应用于金属沉积,高分子膜中离子传递,生物传感器,以及吸附解吸动力学的研究等等。 CHI400C系列电化学石英晶体微天平含石英晶体振荡器,频率计数器,快速数字信号发生器,高分辨高速数据采集系统,电位电流信号滤波器,信号增益,iR降补偿电路,以及恒电位仪/恒电流仪(440C)。电位范围为± 10V,电流范围为± 250mA。电流测量下限低于50pA。石英晶体微天平和恒电位仪/恒电流仪集成使得EQCM测量变得十分简单方便。CHI400C系列采用时间分辨的方式测量频率的改变。传统的方法是采用频率直接计数的方法,要得到1Hz的QCM分辨率,需要1秒的采样时间。要得到0.1Hz的QCM分辨率,需要10秒的采样时间。我们是将QCM的频率和一标准频率的差值作周期测量,从而大大缩短了采样时间,提高了时间分辨。我们可在毫秒级的时间里得到1Hz或0.1Hz或更好的频率分辨。当和循环伏安法结合时,可允许在0.5V/s的扫描速度下获得QCM的信号。这对需要较快速的测量(例如动力学测量)尤为重要。允许与QCM结合的电化学实验技术包括CV,LSV,CA,i-t,CP。 400C系列在测量QCM频率变化的同时,还能测量晶体谐振网络的电阻变化。 400C系列也是相当快速的仪器。信号发生器的更新速率为10MHz,数据采集速率为1MHz。循环伏安法的扫描速度为1000V/s时,电位增量仅0.1mV。又如交流伏安法的频率可达10KHz。仪器可工作于二,三,或四电极的方式。四电极对于大电流或低阻抗电解池(例如电池)十分重要,可消除由于电缆和接触电阻引起的测量误差。由于仪器集成了多种常用的电化学测量技术,使得仪器可用作通用电化学测量,也可单独用作石英晶体微天平的测量(不同时进行电化学测量)。 CHI400C系列EQCM还包括一个特殊设计的电解池,如图1(a)所示。电解池由三块圆形的聚四氟乙烯组成。直径为35mm,总高度为37mm。最上面的是盖子,用于安装参比电极和对极。中间的是用于放溶液的池体。石英晶体被固定于中间和底下的部件之间,通过橡胶圈密封,并用螺丝固定。石英晶体的直径为13.7mm,晶体两面的中间镀有5.1mm直径的金盘电极(其它电极材料需特殊定做)。新晶体的谐振频率是7.995 MHz。 硬件参数指标: 恒电位仪恒电流仪 (Model440C)电位范围: -10to10V电位上升时间: 2微秒槽压: ± 12V三电极或四电极设置电流范围: 250mA参比电极输入阻抗: 1´ 1012欧姆灵敏度: 1´ 10-12-0.1A/V共12档量程输入偏置电流: 50pA电流测量分辨率: 1pACV的最小电位增量: 0.1mV电位更新速率: 10MHz数据采集: 16位分辨@1MHz自动及手动iR降补偿 CV和LSV扫描速度: 0.000001-5000V/s电位扫描时电位增量: 0.1mV@1000V/sCA和CC脉冲宽度: 0.0001-1000secCA和CC阶跃次数: 320DPV和NPV脉冲宽度: 0.0001-10secSWV频率: 0.1-100kHzACV频率: 0.1-10kHzSHACV频率: 0.1-5kHz自动电位和电流零位调整电流测量低通滤波器,自动或手动设置,覆盖八个数量级的频率范围旋转电极控制输出: 0-10V(430C以上型号)电解池控制输出: 通氮,搅拌,敲击最大数据长度: 256K-1,384K点可选仪器尺寸: 37cm (宽) x 23cm (深) x 12cm (高)仪器重量: 3.3kg CHI400C系列仪器不同型号的比较: 功能400C410C420C430C440C循环伏安法(CV)lllll线性扫描伏安法(LSV)#lllll阶梯波伏安法(SCV)# llTafel图(TAFEL) ll计时电流法(CA)l lll计时电量法(CC)l lll差分脉冲伏安法(DPV)# llll常规脉冲伏安法(NPV)# llll差分常规脉冲伏安法(DNPV)# l方波伏安法(SWV)# lll交流(含相敏)伏安法(ACV)# ll二次谐波交流(相敏)伏安法(SHACV)# ll电流-时间曲线(i-t) ll差分脉冲电流检测(DPA) l双差分脉冲电流检测(DDPA) l三脉冲电流检测(TPA) l控制电位电解库仑法(BE)l lll流体力学调制伏安法(HMV) l扫描-阶跃混合方法(SSF) l多电位阶跃方法(STEP) l计时电位法(CP) l电流扫描计时电位法(CPCR) l多电流阶跃(ISTEP) l电位溶出分析(PSA) l开路电压-时间曲线(OCPT)lllll 恒电流仪 lRDE控制(0-10V输出) ll任意反应机理CV模拟器 ll预设反应机理CV模拟器lll 注: #:包括相应的极谱法和溶出伏安法.用于极谱法时需要特殊的静汞电极或敲击器. *:价格不包括计算机.仪器的保修期为一年.
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  • 碘化铯闪烁晶体可分为Tl激活、Na激活和纯碘化铯三种,其化学式分别为CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI,它们均为无色透明的立方晶体。CsI(Tl)晶体的光输出可达NaI(Tl)晶体的85%,发光主峰位在550nm,能与硅光电二极管很好地匹配,从而使读出系统大为简化。它的衰减时间与入射粒子的电离本领有关,特别适宜于在强g本底下探测重带电粒子。碘化铯晶体没有解理面、较软且有一定的可塑性,所以晶体可以制成各种各样形状的探测器,同时能够承受猛烈的冲击、震动以及大的温度梯度不损坏。CsI(Na)的发光效率与NaI(Tl) 接近,发射光谱的主峰位在420nm,更容易与光电倍增管配合;温度效应好。特别适合于在高温环境和空间科学研究中使用。它的缺点是在低能(20keV)下发光效率很快下降,潮解作用比CsI(Tl)厉害。纯CsI晶体的潮解性比CsI(Tl)弱得多。其发射光谱中含有一个波长在305nm的快分量(10ns) 和波长在350-600nm附近的慢分量(100-4000ns) 。通过对慢分量的抑制,快/慢分量比可以达到4倍,总的光输出可达NaI:Tl 的4-5%。该晶体的应用有利于获得比较好的时间分辨率。
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  • STX-620型晶体定向切割一体机,主要用于材料分析样品的精密切割,本系统由金刚石线切割机和X射线定向仪组合而成,金刚石线切割机的Y轴可通过程序控制平行进入定向仪,并带有360度水平旋转的载样台,满足晶体在定向仪中的位置要求,晶体定向后,再利用连接的Y轴进入回切割设备中,避免了二次装夹带来的切割角度误差,从而实现快速定向并切割。适用于脆性、容易解离晶体的精密切割。采用X射线晶体定向仪和金刚石线切割机进行连接组合,精准测量,无缝衔接切割。整体采用铝型材结构,美观轻便。产品名称STX-620型晶体定向切割一体机产品型号STX-620主要参数金刚石线切割机部分1、供电接口:国标带保险三极插座 AC220 50Hz 10A2、总功率:350W3、主体构成:铝合金框架4、金刚石线长度 :≤150m5、金刚石线直径 :φ0.25-0.45mm6、金刚石线张紧方式 :可调气动张紧7、张紧压力调节范围 :0.1-0.4Mpa8、主轴切割旋转方式 :往复式旋转9、主轴驱动电机 :交流变频+减速机 AC220V 300W10、主轴转速 :5m/s 可调11、Z轴工作台有效行程 :≤160mm(选配机以实物为准)12、Y轴工作台有效行程 :≤480mm13、Z、Y 轴进给精度 :0.01mm14、样品台 :电动三维转台,水平 0-360°15、角度台 :电动:±15°16、Y轴、Z 轴、R 轴驱动电机 :精密步进电机17、两导向轮内侧最大间距 :≤180mm18、切割最大工件直径和长度 :Φ150mmX150mm19、工作台中心承重 :≤10Kg20、控制方式 :PLC 编程器+4.3 寸触摸屏21、参数显示形式 :数字22、安全控制装置 :绕线筒超行程、 断线自停 急停开关23、产品规格:尺寸:640x700x1450mm重量:约170kgX射线晶体定向仪原子曲面分析系统V2.0一、功能概述:1. 此仪器一台多角度、多功能的晶体定向仪,用于:晶锭端面定向;2. 仪器支持多角度测量。3. 免校准、仪器手动上下被测材料。4. 仪器θ轴及2θ轴自动调节方式。5. X光焦点采取机械接触式顶针。6. HMI显示数据。7. 故障提示。二、被测晶体:序号项目内容(规格、参数)1材料单晶2形状晶棒3规格直径8英寸以下。4被测部位端面三、技术参数:序号项目内容(规格、参数)1工作台此仪器有一个工作位2测量方式手动上、下物料。3电源输入单相交流 220V,50Hz,电源电压波动不大于±10%。电源应备有单相三芯插座,接线应符合国家标准,即三芯左零、右火、上脚为地线。4X射线管铜靶,风扇冷却,阳极接地。5管 电 压最大管电压为 30KV、全压合闸。6管 电 流0-1mA、连续可调(超过1mA有可能损坏X光管)。7总耗电功率整机总耗电功率不大于1.2KW。8仪器精度±30”(以供方提供的石英标准片10ī1面测量)。9最小读数3”。10校 准免校准(断电后免校机)。11显示方式PLC 触摸屏操作及显示(度及度分秒两种)。12测量角度范围2θ角:0~+104°,θ角:0°~+52°。13保护Door interlock、EMO、高压连锁,温控保护。14测量空间φ300*300mm。15接收器接收器B。四、环境要求:序号项目内容(规格、参数)1电源单相交流 220V,50Hz,电源电压波动不大于±10%。2插座电源应备有单相三芯插座,接线应符合国家标准,即三芯左零、右火、上脚为地线。3环境温度环境温度+5~+35℃。建议恒温使用,最好安装在有空调的房间内使用(温度变化大,可能会影响测量精度)4环境湿度相对湿度不得大于 65%。5接地装置有良好的接地装置,接地电阻不应大于4Ω。6配水需求无7空气源需求无五、验收标准:序号项目内容(规格、参数)1精准检测以卖方提供的标准片石英片10ī1面测量以标准石英片 10ī1面对设备检测,仪器精度为±30",微安表下降±2个小格,最小读数为1"。2重复精度测量重复精度,98%以上在精度范围内。
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  • 高纯锗晶体 400-860-5168转3524
    高纯锗晶体(12N,13N) 1、晶体习性与几何描述: 该晶体使用直拉法在晶体(100)方向延伸。圆柱形表面(表面光洁度小于2.5 μm RMS)。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时,其当量直径为: D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货,我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求,提供定制服务。 2、纯度:残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关,请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器:同轴探测器适用于下列公式: Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 : 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀,内径8毫米的内孔半径, 适用公式变为: D = 晶体外表面 平面探测器:平面探测器(厚度小于2厘米)适用于以下公式: d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子(绝对值) 迁移:霍尔迁移 性能: P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级: P 型晶体 通过深能瞬态测量,Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标: P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明: 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%(7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度,红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等,得到p型锗;在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等,得到n型锗。交货期90天
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  • PPLN 晶体,非线性晶体 400-860-5168转3512
    Ppxx散装芯片关键词:PPLN晶体,PPLT晶体,PPMGOLN,非线性晶体_PPLN晶体,非线性晶体 基于准相位匹配(QPM),使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱(LN、LT:氧化镁:镁和适当的非线性频率转换计划)(DFG SFG,倍频、OPO,收购,联合,一个CAN,等),实现期望的输出波长(紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能(),两个频谱转换。频谱工程等)有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求,也具有挑战。Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification ???
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  • KTF 激光晶体 400-860-5168转2255
    SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业,SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持,以确保达到超高的质量标准。 主要特点:* 波长覆盖广: 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域:* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场KTF 激光晶体KTF晶体相对于TGG晶体拥有更低吸收系数和热光系数,该晶体非常适合用于高功率法拉第旋光器和光隔离器。KTF标准规格晶轴朝向100 standard111 available直径公差+ 0.000’’/-0.002’’倒角0.005’’±0.003 @ 45°滚光55 μinches垂直度within 10 arc minutes平行度60 arc-seconds or less端面面型Within λ/10 wave at 633 nm wavelength表面光洁度10-5透过波前误差less than 1/4 wave per inch oflength (measured at 633 nm)标准镀膜Anti-Reflection with R 0.25%TGG与KTF晶体特性对比组分TGG Tb3Ga5O12KTF KTb3F10晶格结构Cubic Cubic 透过光谱范围400-1500 nm 400-1500 nm 费尔德常数,1064nm39 396折射率,1064nm1.944 ~1.5密度(g/cc)7.2 5.86吸收,1064nm~0.16%/cm~0.02%/cm热光系数17.9 x 10(-6)K(-1)~1 x 10(-6)K(-1)非线性折射率~2 x 10(-19) m(2)/W~1x 10(-19) m(2)/W热导率(W/m.K)7.4 1.67热膨胀×10(-6)℃(-1)7.313.7
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  • 电化学石英晶体微天平EQCM是一款通过测量石英晶体的频率变化实现质量检测的高灵敏度设备。电化学石英晶体微天平EQCM作为高灵敏度的测试仪器, 它可以测量在传感器表面或附近吸附层ng级的“湿质量”。该设备的测量原理是基于石英晶体的阻抗分析,测量谐振频率和谐振电导曲线的峰宽。谐振电导曲线的峰宽或半峰宽与耗散因子(Q)直接相关。可以对多种不同类型表面的分子相互作用和分子吸附进行研究,应用范围包括蛋白质、脂质、聚电解质、高分子和细胞/细菌等与表面或与已吸附分子层之间的相互作用;可提供多个频率和耗散因子数据, 用于充分了解在传感器表面吸附的分子的状态。应用领域? 传感器开发? 蛋白质凝聚研究? 生物膜表面污垢表征? 细胞学表征? 双脂质层表征? 电池材料研发? 电聚合? 各类工业条件(真空、滴铸、油墨喷印)下的覆膜监控? 手套箱环境? ALD逐层沉积仪器参数频率测试范围1-61 MHz (基频为5 MHz时,可测试13级倍频)基频为3MHz时,可测试17阶倍频基频为5MHz时,可测试12阶倍频基频为10MHz时,可测试5阶倍频液体中倍频灵敏度1 Hz液体中耗散灵敏度~1x10-6质量灵敏度5ng cm-2每个倍频下测试参数倍频曲线、频率、频率变化、半峰宽、半峰宽变化、耗散因子、耗散因子变化、温度
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  • 对于普通的光学显微镜无法看到的物体,除了光学小伙伴们熟知的透射电子显微镜等仪器之外,还有其他方法,让体积更小的待测物更清晰可辨吗? 日本西格玛光机株式会社的新品——透镜成像型X射线成像单元,或许能帮到很多人。 一、工作原理 透镜成像型X射线成像单元应用了类似于早期CRT电视机的成像原理,它能将不可见的X光照射到特殊的基板上,转换为可见光,从而连接物镜、透镜、CCD等,将X成像变为可能。 ?? 阴极射线管CRT电视机 ?? 阴极射线管CRT原理图 二、产品结构 ?? 产品图 ?? 结构示意图 三、产品特性 1. 透镜成像型X射线成像单元可以将入射的X射线图像通过闪烁器的荧光发射转换成可见图像,并放大成像的系统。 2.通过将闪烁体(LuAG:Ce)和基板(无添加LuAG)进行固相扩散接合,制备了光学特性高的薄膜闪烁器(最薄可达5μm),同时实现了抑制接合界面产生的光的散射、反射。 3.具有200nm Line&Space的高空间分辨率。 4.因为没有使用对X射线耐受性弱的粘结层,所以对X射线有很高的耐久性。 5.因为基板部分会遮蔽X射线,所以可以减小后段镜头的X射线损伤。 四、相关参数 五、闪耀体Q&A 闪耀体是什么材质的?有什么特点? 闪烁陶瓷是一种广泛应用在医疗诊断用辐射探测器、工业无损探伤、核医学、高能物理等领域的新型功能陶瓷材料。 作为闪烁材料,必须具备:高的有效原子序数、高的光输出、快的衰减速度和优异的透光性。 稀上离子激活的Lu3Al5O12 (LuAG) 结构为立方石榴石结构,具有密度高(p=6.73g/cm3)和有效原子序数大(Zeff=62.9)等优点,并且具备优异的光学性能,良好的机械和热力学性能,能够容许高平均功率下工作。 能做闪耀体的LuAG 晶体有啥特性? 1.LuAG 晶体为石榴石结构,属立方晶系,Ia3d 空间群,晶胞参数为1.1914nm , 由一些共顶点的四面体和八面体相连而成。 2.每个八面体和6 个四面体相连,每个四面体和4个八面体相连, Lu归占据着这些由四面体和八面体构成的十二面体网格的中心。 闪耀体应用在哪些领域? 1. 在光电子器件、环境研究、阴极射线荧光粉、军事等方面具有重要的应用价值。 2. 对X射线吸收能力强,是理想的X射线探测材料。 3. 该晶体同时也是高能伽玛射线和带电粒子探测,紫外射线高空间分辨成像屏的一种理想选择。 六、是否可以定制? ?? 闪耀体可单独销售; ?? 可安装配置C口相机; ?? 物镜放大倍率2.5X-100X; ?? 提示:使用大型照相机时,请另外准备支撑系统。 ?? 定制服务 可以配合量子效率,制作所列型号参数以外的外径和厚度的闪耀体。 作为日本西格玛光机株式会社的一级代理商,光谱时代也将为您提供更多相关产品及服务
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  • 石英晶体微量天平 400-860-5168转1980
    仪器简介:QCM200是一种非常灵敏的质量检测仪器,其测量精度可达纳克级,比灵敏度在微克级的电子微天平高100倍,理论上可以测到的质量变化相当于单分子层或原子层的几分之一。主要特点:石英晶体微量天平QCM200系统主要由电子振荡电路、频率计数器和压电石英晶体3部分组成。 其工作原理是:利用了石英晶体谐振器的压电特性,将石英晶振电极表面质量变化转化为石英晶体振荡电路输出电信号的频率变化,进而通过计算机等其他辅助设备获得高精度的数据。QMC 所具有的高灵敏度和实时测量质量改变的特点使其在化学和生物医学研究领域的应用备受关注。QCM200是一种非常灵敏的质量检测仪器,其测量精度可达纳克级,比灵敏度在微克级的电子微天平高100倍,理论上可以测到的质量变化相当于单分子层或原子层的几分之一。系统主要由电子振荡电路、频率计数器和压电石英晶体3部分组成。 测量精度为±1.5ppm;最小测量为1ng;频率范围大于5MHz;RS232接口。利用了石英晶体谐振器的压电特性,将石英晶振电极表面质量变化转化为石英晶体振荡电路输出电信号的频率变化,进而通过计算机等其他辅助设备获得高精度的数据。QMC 所具有的高灵敏度和实时测量质量改变的特点使其在化学和生物医学研究领域的应用备受关注。应用选定的SRS QCM100/200文学引文免疫传感器吸附传感器水分测定仪颗粒显示器污染监测电价测量氢吸附在金属薄膜气泡的形成氧化还原和导电聚合物研究双层表征腐蚀研究表面氧化DNA和RNA杂交的研究抗原抗体反应蛋白质吸附检测病毒衣壳,细菌,哺乳动物细胞生物污染和防污生物膜和生物材料蛋白质相互作用自组装单分子膜(SAMs)的分子印迹聚合物(MIP)朗缪尔/ LB膜激光烧蚀,解吸和故障研究基于MEMS的纳米材料智能生物材料
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  • CdTe晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:碲化镉(CdTe)晶体基片产品简介:碲化镉(CdTe)晶体基片广泛应用于X射线检测;红外光学;外延基片;蒸发源的晶体片等相关领域。技术参数:晶体结构立方 F43m a = 6.483?生长方法:PVT方法熔点(℃) 1047密度(g/cm3)5.851热容(J /g.k)0.210热膨胀系数(10-6/K)5.0热导率( W /m.kat 300K )6.3透过波长 (μm)0.85 ~ 29.9折射率2.72产品规格:常规晶向:100、001、110、111常规尺寸:5x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia1"x0.5mm注:也可提供多晶的,尺寸可按照客户要求加工,请发邮件确定信息。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
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  • 产品名称:EKSMA光学晶体BBO产品型号:BBO产品介绍β-硼酸钡-BBO是一种非线性光学晶体,具有许多独特的特性:宽透明区、宽相位匹配范围、大非线性系数、高损伤阈值。由于其优良的性能,BBO晶体在不同的应用中具有许多优势,如具有fsec脉冲的NOPA、Nd:YAG和Nd:YLF激光器的谐波产生(高达五分之一)、飞秒钛宝石和染料激光器的倍频或三倍频、Type 1和Type 2相位匹配的OPO、Pockels电池的E/O开关等。性能特点l 宽透明度区域l 宽相位匹配范围l 大非线性系数l 高伤害阈值l 宽的热接收带宽l 高光学均匀性技术参数产地:立陶宛平坦度:λ/8@633 nm平行度:<20弧秒垂直度:5 arcmin角度公差:30 arcmin孔径公差:±0.1 mm表面质量:根据MIL-O-13830A进行10/5刮擦和挖掘净孔径:全孔径的90%化学式:BaB2O4晶体结构:三角形,3米光学对称性:负单轴(none)空间组:R3c密度:3.85 g/cm3莫氏硬度:5光学均匀性:&PartialD n=10-6 cm-1“0”透射率水平下的透明度区域:189–3500 nm1064 nm处的线性吸收系数:0.1%cm-1
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  • PPLN晶体 400-860-5168转1545
    仪器简介:PPLN是一种高效的非线形晶体,获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制,并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉,以及温度控制器,尽量提高波长转换性能。改变晶体问题,也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统,光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合,可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构,在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化,使得它成为各行业应用的焦点,如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如,优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率,但使用连续激光器,转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体,在每个晶胞单元,由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移,便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场,可以逆转这种结构,重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm,反转时间仅需几个毫秒,之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中,我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转,以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上,可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用,利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调,晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数:part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点:周期性极化铌酸锂(PPLN)提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期,是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列,对目前最常用的非线形过程进行分类:倍频(SHG), 和频(SFG),差频(DFG)和光学参量振荡/产生(OPO/OPG)。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅,灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜,并抛光到:&lambda /4 平坦度,± 5min平行度,高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验,提供带夹具的现货。
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  • AWSensor石英晶体微天平QCM-D西班牙AWSensors研发的石英晶体微天平(QCM),基于其高灵敏QCM-D专利技术,可精确检测频率与耗散,表征亚分子薄膜性质,有效分析物质表面吸附的分子层状态、质量、厚度和粘弹性等性质,可检测气体、液体,并在检测过程中无须对检测分子进行标记,适用于任何能形成薄膜的表面,如金属、高分子、化学改性表面等。石英晶体微天平广泛应用于生物、医学和表面科学等研究领域。此设备采用模块化轻量设计,有1通道和4通道可供选择,可集成温度控制模块和流量控制模块(通道均单独控制),具体配置可根据您的具体需求和预算来搭配。功能图解QCM传感器(Sensors)石英采用AT-cut切割工艺,电极材料多采用铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)等材质,与单元(Cell)之间采用专利快锁结构,结构简单但很皮实,便捷操作同时也保证了检测可重复性,它们的适配一览表如下,详细参数请参阅附件。产品特色高灵敏度——高频 QCM 传感器多种材质实时、无标记检测固-液、固-气界面材料分析多通道系统并行控制。模块化轻量设计,可定制,适应各种预算和不同用户需求系统操作界面友好,可集成温控、流量控制和恒电位仪控制 关于定制:如果您有特殊需求,例如极端温度控制、气氛控制、机器人进样或有限元分析模拟等,欢迎来电咨询合作。应用系统生物医学分析化学生物分析化学生物物理化学界面化学储能器(Energy Storage)电池研究与催化软物质物理等下为案例:使用HFF-QCM传感器(100MHz)进行甲萘威(carbaryl)检测的免疫测定循环。规格参数:AWSensors石英晶体微天平,其组成有:传感器(Sensors)、传感器锁定单元(Cell),控制主机(Base Control Unit,分1通道和4通道)、温度控制单元(可选)和流量控制单元(可选),并集成软件和稳压控制(用于电化学测量)。下图为该设备1通道的4种配置概览。 核心技术参数:流量控制参数此外,AWSensors研发了用于定量注入的两位六通阀,并集成脱泡装置,属于流量控制的Pro版本,更多信息,欢迎来电咨询。Q&A:Cell是怎么密封的?答:FFKM全氟橡胶O形圈或PDMS垫圈最少需要多少液体才能测?答:不同芯片不一样,例如QCM 14MM需要44uL,HFF-QCM芯片需要5.5uL。Batch和Flow的区别?答:Batch 都是静止测量,Flow都是流体测量
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  • 特征: 0.02赫兹的频率分辨率 阻抗扫描给予晶体震动的全谱 无需手动补偿并联电容 USB接口 集成的QCM和恒电位仪的数据采集 数据分析采用Gamry的灵活软件或者广泛使用的Echem Analyst™ 软件包。 包括电解池和五个晶片 应用: 聚合物吸附/脱附 电活性聚合物 锂离子的嵌入 离子和溶剂的传输 腐蚀研究 镀研究 欠电位沉积 抗体抗原相互作用 表面活性剂的吸附 自组装膜 纳米粒子吸附 表面涂层 快速数据采集及拟和非常高的数据采集速率。和更昂贵的其他分析仪比较,eQCM 10M 是更为经济的选择。 例如,可以在20毫秒以内获取20 kHz的晶片频谱。与其他一些QCM仪器 相比,它不依赖于锁相振荡器,所以它不需要手动取消并联电容。 晶片的频谱是建立在一个有规律函数的线性拟合, Pade近似方程,并且分别提供一系列的窜联共振频率和并联共振频率,fs和fp。凭借这两个参数,除了质量变化信息,还可以获得膜的粘弹性质的变化。同时也可以使用这两个参数来获得衰减因素,Qr,其可以很好的定义膜的特性,从一个僵化的膜到粘性膜的变化信息。软件GAMRY的谐振器软件控制QCM和Gamry电化学仪器。谐振器软件配备了全套物理电化学技术。 电化学技术 循环伏安 线性扫描伏安法 计时电流 计时电位 计时电量 控制电位库仑 重复计时电流 重复计时电位 多步骤的计时电流 频率数据和电位数据同时显示在数据采集图中。下面是在金电极上的铜膜的循环伏安中的QCM和电化学数据。采用GAMRY Echem analyst 的数据分析当你采用10 M Gamry的eQCM和Reference 600 TM的结合,就可以建成目前先进的电化学石英晶体微天平。数据可以通过Gamry 的强大Echem 电化学分析软件提供一个直观的感受,包括分析和报告文稿。显示标准的电流/电压曲线,频率数据图。其他绘图格式例如?m对电荷(库仑或摩尔)或Qr随时间变化的曲线也可以自由选择。线性拟合的?m与进入或进出膜的物质摩尔质量的变化曲线。 在Echem电化学分析软件中,电流/电压数据覆盖高频数据作为标准数据分析的一部分。我们给予您可以灵活安排任何方式的图表。 此外,采用Visual Basic® 编写的 Echem电化学分析应用程序,大幅度提高修改数据处理的能力。例如,如果你想计算聚合物薄膜中发生氧化还原反应的溶剂通量,你可以写一个自定义的脚本来计算显示通量与电位,时间,或充电的关系曲线。 谐振器甚至有能力记录晶体的整个相对阻抗谱到数据库,包括每个数据点(或每隔n个点)。这激动人心的功能,让你调查实验现象的更多细节。Echem电化学分析软件或任何其他光谱绘图或分析程序(如Mathcad或MATLAB)都可以打开结果而建立模型。 单机使用eQCM 10M系统也可以被用来作为一个独立的仪器来使用。如果你有兴趣研究质量的变化过程,如形成的自组装单层,细胞吸附,或蛋白质结合过程,你会发现eQCM 10M是一个方便的选择。数据分析可以通过GAMRY的强大和灵活的Echem电化学分析软件包完成。 腐蚀工程师对腐蚀过程中的质量的变化也会感兴趣和感觉该技术特别有用,因为金属晶片相关频率的变化可以直接获得物质增重或损失。你甚至可以自定义的数据分析脚本软件,根据质量损失随时间变化率的基础上自动计算出腐蚀速率。 系统信息eQCM 10M与Gamry谐振器软件,Gamry Echem分析师软件,快速启动指南,硬件操作手册(光盘版),软件操作手册(CD),一个eQCM电解池,AC电源适配器,一个USB接口电缆,一个BNC电缆, 一个恒电位仪接口电缆,5 个涂金层的石英晶片。 eQCM 10M提供为期两年的工厂保修服务。eQCM 10M通过连接到一台计算机与一个Gamry恒电位仪,至少含有PHE200™ 许可证的软件完成测量,然后通过Echem结合的QCM和电化学数据分析软件包完成数据的分析。这个 Gamry恒电位仪可以是型号Reference 3000™ ,Reference 600™ , Reference G750™ ,或者G 300™ 。分析软件与微软的Windows XP,Windows Vista® 或 7是兼容的。 相关配件 eQCM 电解池 5兆赫,直径为1.37厘米AT切的涂金层的晶片 5兆赫,直径为1.37厘米AT切的碳包覆晶片系统频率范围1-10 MHz频率分辨率0.02 Hz界面USB操作温度范围0 - 45 oC相对湿度最大90%,非凝结重量1 Kg尺寸75×115×80 mmAC 电源适配器100-264 V AC, 47-63 Hz石英晶体微天平12 V DC, 25 W
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  • Nd:YAG 激光晶体 400-860-5168转2255
    SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业,SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持,以确保达到超高的质量标准。 主要特点:* 波长覆盖广: 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域:* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Nd:YAG晶体 棒长度:3 mm -152.4 mm 棒直径:2 mm - 32 mm板条Max尺寸(mm): 7 x 26 x 250 Nd:YAG优点1、高增益变2、低出光阈值2、高效率4、好的热导率和热冲击特性5、好的机械特性6、可工作在连续、脉冲、调Q、锁模和腔倒空 Nd:YAG棒的标准规格Nd掺杂浓度0.2-1.4±0.1 @ % at透过波前畸变λ/4 per inch of rod length (λ=632 nm) standard λ/16 per inch of rod length Opto-Lase消光比25 dB minimumNd:YAG特性@25℃(1.0@%Nd)尺寸/机械规格直径公差+.000”/-.002”长度公差+.040”/-.000”棒端抛光面型λ/10端面平行度Within 10 arc seconds端面垂直度Within 5 arc minutes倒角0.005” ± 0.003” x 45°表面光洁度10-5 scratch-dig per MIL-O-13830A滚光55±5 microinches (other finishes available on request)标准镀膜(高反&部分反射)Anti-Reflection where R 0.25%Durability per MIL-C-48497Damage Threshold exceeds 10 J/cm2YAG的物理/化学特性 YAG的折射率(波长:um)
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  • Er:YAG 激光晶体 400-860-5168转2255
    SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业,SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持,以确保达到超高的质量标准。 主要特点:* 波长覆盖广: 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域:* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Er:YAG晶体 Er:YAG在600-800nm光谱范围均可被泵浦,广泛应用于医疗和牙科。Er:YAG优点:* 宽的泵浦带600-899nm;* 高的光学质量;* 可以输出长波,高的水吸收区;* 理想的硬组织切除工具 标准规格 材料参数基质Yttrium Aluminum Garnet(Y3Al5O12 )掺杂Erbium (Er -3)掺杂浓度50 Atomic % (~7x10 cm-3 )朝向[111] crystallographic directions(±5°)波前畸变1/2 wave per inch of length, as measured in a double pass interferometer operating @ 1micron尺寸/机械规格直径公差+.000”/-.002”长度公差+.040”/-.000”滚光55 ±5 micro-inch倒角0.005”±0.003”@ 45°±5° 端面标准规格面型Within λ/10 wave @ 633 nm wavelength平行度Within 30 seconds of arc垂直度Within 5 minutes of arc光洁度Scratch-dig 10-5 per MIL-O-13830A 端面减反膜规格反射率Less than 0.25% @ 2.94 microns附着力和耐用性Meets Mil-C-48497A standards脉冲损伤阈值Greater than 10 J/cm2Er:YAG特性激光能级4I11/2 -4 I13/2受激发射截面3×10-20cm2泵浦波长范围600-800nm
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  • SBN晶体 400-860-5168转2831
    光折变晶体 SBNSBN晶体,又名铌酸锶钡,是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体,用于电光,声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术,具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹,包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数:可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域:1. 光学信息记录,动态全息干涉,光学全息放大等;2. 高效相位共轭,自泵浦相位共轭镜,双相位共轭镜:3. 用于电光器件和声光器件;4. 用于Pyroelectrical 探测器;更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息,或直接来电咨询。
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  • 氮化镓(GaN)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。技术参数:制作方法:HVPE(氢化物气象外延法)传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R0.5 Ω.cm;R106Ω.cm表面粗糙度:0.5nm位错密度:5x106Ω.cm可用表面积:90%TTV:≤15umBow:≤20um 产品规格:晶体方向: 0001 常规尺寸:dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um;注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品: Thin Films A-ZCrystal wafer A-Z等离子清洗机基片包装盒系列切割机薄膜制备设备
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