针状晶体颗粒

京都电子KEM 自动电位滴定仪用针状电极连接线 64-00726-43(Old P/N:984290017)Connection Cable Pin 240cm针状电极连接线 64-00726-43货号: 64-00726-43连接器形状: 针状长度: 210cm京都电子(KEM)中国分公司 客服热线: 400-820-2557

京都电子KEM 自动电位滴定仪用针状电极连接线 64-00726-33(Old P/N:984290014)针状电极连接线 64-00726-33Connection Cable Pin 90cm货号: 64-00726-33连接器形状: 针状长度: 90cm京都电子(KEM)中国分公司 客服热线: 400-820-2557

穿刺电极 （长寿命针状玻璃电极）订货号：6.0226.100规格型号：LL Glass Spearhead electrode 用于所有类型穿刺测量（例如用于奶酪、肉、面团）免维护组合 pH 电极。电极存放在饱和氯化钾溶液 c（KCl）= sat. （6.2308.000），不适用于离子含量低的溶液。老化指示器提前显示需要更换电极。技术参数pH 范围1...11上部杆径（mm）12下部杆径（mm）6参比系统LL system指示电极形式Needle最大安装长度（mm）98最小浸没深度（mm）10标准电解质类型Gel测量单位pH测量范围1 ... 11电极插头Metrohm plug-in head G电极斜率 0.97电极杆材料Glass电极零点（mV）± 15电解质流量（μl/h）0电阻（kOhm）20短时温度范围（°C）0 ... 60磨口套管灵活的磨口套管薄膜玻璃类型定制薄膜电阻200 ... 500长时温度范围（°C）0 ... 40隔膜Twin pore

产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：于CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。 GaSe（硒化镓晶体）的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe硒化钾晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno = 2.8340 ne = 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno = 2.8136 ne = 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365 GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

LIS晶体,硫铟锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的LilnS2晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们提供优质进口LilnS2晶体,LIS晶体,硫铟锂晶体，价格低，发货快，欢迎垂询。 LIS晶体透光光谱范围：0.35-12μmLilnS2晶体非线性系数：d31=8.35, d32=8.3 pm/V硫铟锂晶体对称性：斜方晶系，mm2的点群LIS晶体晶胞参数： a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ? LilnS2晶体SHG基频光范围：x-y, Type II, eoe：2.35 - 6.11μm x-z, Type I, ooe：1.78 - 8.22μm y-z, Type II, oeo：2.35 - 2.67μm y-z Type II, oeo， 5.59 - 6.11μm 总波长覆盖：1.617 - 8.71μm 硫铟锂晶体激光损伤阈值：~1GW/cm2 @1053 nm (t=10 ns)LIS晶体,热导率：Thermal conductivity k, WM/M°C LilnS2, kx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.3LilnS2晶体在0.2的远红外吸收边透明度级别：2.58 THz at 118 μmLIS晶体平整度：L/6 (L=546nm)LilnS2晶体光洁度：S/D:20/10LIS晶体应用：LilnS2晶体光学参量振荡器Optical parametric oscilator (OPO) 1 - 12 μm， with pump Ti: Sapphire laser硫铟锂晶体中红外激光2-12 μm的差频LilnS2晶体和LIS晶体是1-12微米OPO的有效材料。我们提供欧洲生产的优质LilnS2晶体,LIS晶体,硫铟锂晶体。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们提供优质进口LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体，价格低，发货快，欢迎垂询。LISe晶体透光光谱范围：0.43-13μmLilnSe2晶体非线性系数：d31=10.6, d32=6.3 pm/V硒铟锂晶体对称性：斜方晶系，mm2的点群 LISe晶体晶胞参数：a=7.192, b=8.412, c=6.793 LilnSe2晶体SHG基频光范围： x-y, Type II, eoe：2.73 – 8.24μm x-z, Type I, ooe： 2.08 – 12.4μm y-z, Type II, oeo：2.73 – 3.07μm 　　　　　　　　y-z Type II, oeo， 7.66 – 8.24μm 总波长覆盖：2.08 – 12.4μm硒铟锂晶体激光损伤阈值：~0.5GW/cm2 @1053 nm (t=10 ns)LilnSe2晶体在0.2的远红外吸收边透明度级别：1.24 THz at 240 μm硒铟锂晶体平行度：30arcsecLISe晶体平整度：L/6 (L=546nm)LilnSe2晶体光洁度：S/D:20/10硒铟锂晶体应用：LISe晶体光学参量振荡器Optical parametric oscilator (OPO) 1 - 13 μm， with pump Ti: Sapphire laserLilnSe2晶体中红外激光2-13 μm的差频LISe晶体和硒铟锂晶体是1-13微米OPO的有效材料。我们提供欧洲生产的优质LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

优质进口CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Cesium iodide activated by thallium is a scintillation material with high absorption power. It can be used as an efficient gamma ray absorber. CsI:Tl is soluble in water, but is not hygroscopic in laboratory conditions. It has high resistance to mechanical and thermal shocks. CsI:Tl can be easily fabricated into wide a variety of shapes and geometries. It can also be fabricated into detection matrices.CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择：*标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们提供优质进口LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体，价格低，发货快，欢迎垂询。LISe晶体透光光谱范围：0.43-13μmLilnSe2晶体非线性系数：d31=10.6, d32=6.3 pm/V硒铟锂晶体对称性：斜方晶系，mm2的点群 LISe晶体晶胞参数：a=7.192, b=8.412, c=6.793 LilnSe2晶体SHG基频光范围： x-y, Type II, eoe：2.73 – 8.24μm x-z, Type I, ooe： 2.08 – 12.4μm y-z, Type II, oeo：2.73 – 3.07μm 　　　　　　　　y-z Type II, oeo， 7.66 – 8.24μm 总波长覆盖：2.08 – 12.4μm 硒铟锂晶体激光损伤阈值：~0.5GW/cm2 @1053 nm (t=10 ns)LilnSe2晶体在0.2的远红外吸收边透明度级别：1.24 THz at 240 μm硒铟锂晶体平行度：30arcsecLISe晶体平整度：L/6 (L=546nm)LilnSe2晶体光洁度：S/D:20/10硒铟锂晶体应用：LISe晶体光学参量振荡器Optical parametric oscilator (OPO) 1 - 13 μm， with pump Ti: Sapphire laserLilnSe2晶体中红外激光2-13 μm的差频LISe晶体和硒铟锂晶体是1-13微米OPO的有效材料。我们提供欧洲生产的优质LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

光折变晶体和Fe:Ti:Ce:LiNbO3晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的光折变晶体,BGO晶体,BTO晶体, Fe:Ti:Ce:LiNbO3晶体,LiTaO晶体,LiIO3晶体,LiNbO3晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们提供光折变晶体包括BGO晶体，BSO晶体, BTO晶体, Fe:Ti:Ce:LiNbO3晶体,LiTaO晶体,LiIO3晶体,LiNbO3晶体等进口光折变晶体。 光折变晶体由孚光精仪进口，包括Fe:Ti:Ce:LiNbO3晶体和LiTaO晶体等光折变晶体.

LiIO3晶体和碘酸锂晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的LiIO3晶体,碘酸锂晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们已经为上海光机所, 中科院物理所,南开大学,中国工程物理研究院等诸多单位提供大量的激光晶体和非线性光学晶体，并为广大科研用户提供订制晶体服务, 欢迎垂询购买。LiIO3晶体和碘酸锂晶体是单轴非线性晶体，具有高非线性系数和宽的透光范围。 LiIO3晶体和碘酸锂晶体常用于对中低功率Ti:S宝石,翠绿宝石,Cr:LiSrAlF6 和 Cr:LiCaAlF6 激光的变频，LiIO3晶体和碘酸锂晶体也用于Nd:YAG激光的二倍频和三倍频，以及自相关仪用于测量超快脉冲的宽度。LiIO3晶体和碘酸锂晶体是单轴非线性晶体,具有较高的非线性系数,LiIO3晶体常用于对中低功率Ti:S宝石,翠绿宝石激光的变频。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

优质进口BGO晶体或锗酸铋晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Bismuth germanate is an intrinsic scintillation material with high absorption power. Due to its high effective atomic number and high density, BGO is a very efficient gamma ray absorber with high photo-fraction, which results in a very good photo-peak to Compton ratio. BGO detectors are preferred for medium and high-energy gamma counting and high-energy physics experiments.BGO晶体或锗酸铋晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由BGO晶体或锗酸铋晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄BGO晶体或锗酸铋晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Calcium fluoride activated by europium is a light scintillator used in detection of charged particles and soft gamma rays up to several hundreds keV. CaF:Eu is typically used for the detection of beta rays due to its relatively small back scattering. It is not suitable for detection of high-energy gamma rays because it has a small photofraction. The material is not hygroscopic and is relatively chemically inert.Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

我们提供的优质进口LiNbO3 晶体,铌酸锂晶体,铌酸锂是声光级和光学级的高质量LiNbO3晶体。 采用Czochralsky 方法生长，沿着Z轴极化的晶体棒长度可达100mm，我们也可提供其他方向的铌酸锂晶体,铌酸锂晶体棒，用于SAW衬底和 压电传感器/piezotransducers。透光范围：350-5500nm长度公差：+0/-0,1mm孔径公差：+0/-0,1mm切割角定位精度：30arcmin表面质量：S/D10-5平整度：L/8@633nm平行度：20arcsec垂直度：5arcmin激光损伤阈值：250MW/cm2 for 10ns pulses @ 1064 nmLiNbO3晶体,铌酸锂晶体广泛地用作1微米以上激光倍频器和OPO光学参量振荡器，以及准相位匹配器件。LiNbO3晶体和铌酸锂晶体也是光电子器件的最为优秀材料之一。人们利用铌酸锂独特的电光，光弹，压电和非线性特性，以及良好的机械和光学稳定性，宽广的透光范围，制造了许多光电子器件。 领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！LiNbO3晶体,铌酸锂晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学材料器件和仪器供应商！所销售的LiNbO3晶体,铌酸锂晶体,铌酸锂系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们已经为上海光机所, 中科院物理所,南开大学,中国工程物理研究院等诸多单位提供大量的激光晶体和非线性光学晶体。

KDP晶体DKDP晶体ADP晶体磷酸二氢钾二氢磷酸钾 KDP晶体（KH2PO4）、DKDP晶体或D * KDP（KD2PO4）和ADP晶体（NH4H2PO4）广泛用作Nd:YAG和Nd:YLF激光器的二次、三次和四次谐波发生器。该晶体也被广泛用于电光应用，如Nd:YAG、Nd:YLF、钛:蓝宝石 Ti:Sapphire和翠绿宝石 Alexandrite激光器Q开关，以及用于普克尔盒和声-光应用。常用的电光晶体是DKDP，氘化 率超过98％。这些晶体通过水溶液法生长，并且可以长到非常大的尺寸，可用作低成本和大尺寸的非线性元件。对于1064nm 的Nd:YAG激光器的倍频（SHG）和 三倍频（THG），I型和II型相位匹配都可用于KDP和DKDP。对于Nd:YAG 激光器的四倍频（4HG，266 nm），通常建议使用KDP晶体。KDP磷酸二氢钾晶体（KH2 PO4）是一种水溶性晶体，因其非线性光学特性而闻名。KDP晶体用于生产各种脉冲激光器中的电光元件（普克尔盒）、波片、变频器（用于自相关仪和互相关仪的二次、三次和四次谐波发生，参量发生器和放大器等） DKDP晶体可以提供 94％， 96％和 98％的氘化水平。我们可根据客户的要求提供未抛光或者抛光的高品质KDP、ADP和DKDP晶体。形状可谓棒状、方形或其他形状。参数规格：KDPDKDPADP透明度范围，μm 0.174 - 1.570.2 - 2.10.18 - 1.53对称类42m42m42m 晶格参数，?A = B = 7.453 C = 6.975A = B = 7.469 C = 6.976A = B = 7.499 C = 7.549密度，g / cm 32.3382.3551.803莫氏硬度2.52.52.0折射率 407.8 nm：no = 1.52301 ne = 1.47898no = 1.5185 ne = 1.4772no = 1.53925 ne = 1.49123 在632.8nmno = 1.50737 ne = 1.46685no = 1.5044 ne = 1.4656（在623.4 nm处）no = 1.52195 ne = 1.47727 在1064nm no = 1.4938 ne = 1.4599no = 1.4948 ne = 1.4554no = 1.5071 ne = 1.4685非线性系数为1.064μm，pm / V.d 36 = 0.39 d 36 = 0.37d 36 = 0.47 光损伤阈值，MW / cm 2300 - 600（1064 nm，20 ns） 100（1064 nm，20 ns）500（1064 nm，60 ns）常温下KDP波长折射率曲线选型： 材料KDP/DKDP/ADP应用For example:SHG@1064 SFG@800+267-200 DFG@780-842-10600 OPO@355-460÷560+960÷1150 etc. Type & angles:Type =I/ II？Angles：Theta=？° , phi=？°镀膜For example:p-coating, ARC s1/s2 1064 R0.25% ARC s1/s2 1064 R0.25%+5320.5% BBAR s1/s2 1064 R1%+3÷105% etc.尺寸抛光面 更多晶体相关产品: 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

优质进口BGO晶体或锗酸铋晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Bismuth germanate is an intrinsic scintillation material with high absorption power. Due to its high effective atomic number and high density, BGO is a very efficient gamma ray absorber with high photo-fraction, which results in a very good photo-peak to Compton ratio. BGO detectors are preferred for medium and high-energy gamma counting and high-energy physics experiments.BGO晶体或锗酸铋晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由BGO晶体或锗酸铋晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄BGO晶体或锗酸铋晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口Ce:YAP晶体或YAP:Ce晶体作为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Ce:YAP晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： YAG:Ce成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm YAP:Ce晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用： 荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用： 荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

产品介绍： CdSe晶体非常适用于制作红外光学元件，偏振片，1/4、1/2波片，分束镜，基底，真空沉积靶材，DFM频率转换器。产品参数：结构 Wurtzite (Hexagonal)密度: 5.81 g/ cm3杨氏模量:5×1011 dyne/cm2热膨胀系数 (500 K):α 1=6.26×10-6/K α 3=4.28×10-6/K比热:0.49 J/gK 热导率 (at 25 °C):0.04 W/cmK最大透过率 (λ =2.5-15 μm):≥ 71 %吸收系数. (λ =10.6 μm):≤ 0.0015 cm-1 (including 2 surfaces)折射率 (λ =10.6 μm):2.4258 (no), 2.4437 (ne)电阻率a). low: 1 Ohm*cm b). high: about 10^11 Ohm*cm最大单晶尺寸:?40mm X L: 80 mm最大红外光学元件尺寸:?50mm X L:10 mm OR plate 50 mm X 15 mm X 12 mm硒化镉产品透过率曲线：直径/宽度1-50 mm厚度/长度0.1-150 mm晶向(0001), (10-10), (11-20)表面质量As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830CdSe 棒, 晶圆 和基片CdSe 晶体尺寸纯度99.995%, 99.999%颗粒尺寸0.01- 10 mm应用举例CdSe晶体应用于12.3um波片时，单片晶体的厚度：λ/2波片@12.3um：Order: 1 Half-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 2 Half-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 3 Half-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 4 Half-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 5 Half-wave plate thickness: 1.7877 [mm]Order: 6 Half-wave plate thickness: 2.1453 [mm]Order: 7 Half-wave plate thickness: 2.5029 [mm] Order: 8 Half-wave plate thickness: 2.8604 [mm]Order: 9 Half-wave plate thickness: 3.2180 [mm]Order: 10 Half-wave plate thickness: 3.5755 [mm]λ/2波片波片@12.3um：Order: 1 Quarter-wave plate thickness: 0.1787 [mm]Order: 2 Quarter-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 3 Quarter-wave plate thickness: 0.5363 [mm]Order: 4 Quarter-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 5 Quarter-wave plate thickness: 0.8938 [mm]Order: 6 Quarter-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 7 Quarter-wave plate thickness: 1.2514 [mm]Order: 8 Quarter-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 9 Quarter-wave plate thickness: 1.6090 [mm]Order: 10 Quarter-wave plate thickness: 1.7877 [mm] 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

优质进口Ce:YAG晶体或YAG:Ce晶体作为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Ce:YAG晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： YAG:Ce成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm YAP:Ce成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

产品特点：颗粒状活性铜（散装吸附剂）Granulated Activated Copper (Bulk Adsorbent)订货号：26136● 方便的形式从环境提取物中去除硫。● 酸化和活化- 准备启用。产品名称：颗粒状活性铜，30目活性铜有效去除环境提取物中的元素硫。我们的酸洗和活化材料可以直接从包装中使用。30目颗粒状材料消除了过滤提取物中细小铜颗粒的可能性。

提供各种非线性晶体（LBO，BBO，KDP，DKDP，KTP，LiIO3等），激光晶体（Nd：YAG，Yb：KGW，Yb：KYW，Nd：KGW，Ti：Sapphire等），拉曼晶体（KGW，Ba（NO3）2，调Ｑ晶体等） ，尺寸，掺杂浓度，镀膜，切割方向等参数完全按照用户的需求制作。使用户百分百的满意。

磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体产品简介 磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 （110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体，其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。 中文名：磷化镓外文名：Gallium phosphide分子式：GaP分子量：100.6968实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果GaP磷化镓晶体产品GaP 磷化镓晶体基本规格(a) Description 1 GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished. 2 GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished.. 3GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished.. 4GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished.. 5 GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished.. 6GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..(a)其他规格要求可以定制

[110]晶向的ZnTe碲化锌晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应，也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲，拥有非常宽的频率分量，这些分量间的相互作用（主要是差频）将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。 太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的晶向ZnTe实现光电探测。太赫兹光脉冲会使碲化锌晶体ZnTe产生双折射，因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在（ZnTe）碲化锌晶体中直线传播时，可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片，偏振分光体，以及平衡光电二极管，我们可以完成对可见光的偏振状态的监控，从而得知太赫兹光脉冲的振幅，延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息（振幅和相位延迟）的能力，是时域太赫兹光谱仪比较具有吸引力的特性之一。产品简介碲化锌晶体(ZnTe)是一种具有立方闪锌矿结构的电光晶体，通常被应用于THz波的产生以及探测。产品特点： — 应用于THz产生、探测和光学限幅器— 晶体纯度高 99.995%-99.999%— 表面质量优不同厚度碲化锌晶体ZnTe的TDS测试数据：产生端ZnTe晶体厚度为0.5mm，探测端晶体厚度分别为0.5mm，1mm，2mm碲化锌晶体参数规格：晶格结构：立方闪锌矿密度: 5.633 g/ cm3比热:0.16 J/gK带隙 (300 K)：2.25 eV最大透过率 (λ =7-12 μm):60 % 最大电阻率：109 Ohm*cm折射率 (λ =10.6 μm):2.7电光系数 r41 (λ =10.6 μm):4.0×10-12 m/V电阻率：a). low: 103 Ohm*cm b). high: 109 Ohm*cm最大 IR-optic blank 直径/长度： 38×20 mm最大单晶尺寸 直径/长度： 38×20 mm碲化锌晶体ZnTe产品：碲化锌晶体ZnTe棒、碲化锌晶体晶圆片、碲化锌晶体窗片和基底直径/边长：1-50 mm厚度/长度：0.1-150 mm晶向：(110), (100), (111)表面质量：As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830

ZnSe硒化锌晶体 通常硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失极低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的优秀材料选择。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。 硒化锌材料对热冲击具有很高的承受能力, 使它成为高功率CO2激光器系统中的优秀光学材料。硬度只是多光谱级ZnS的2/3, 材质较软易产生划痕, 而且材料折射率较大, 所以需要在其表面镀制高硬度减反射膜来加以保护并获得较高的透过率。在其常用光谱范围内, 散射很低。在用做高功率激光器件时, 需要严格控制材料的体吸收和内部结构缺陷, 并采用最小破坏程度的抛光技术和最高光学质量的镀膜工艺。广泛应用于激光,医学，天文学和红外夜视等领域中。 ZnSe硒化锌也可生成单晶材料，可应用于IR电光调制器等。 ZnSe硒化锌是红外光学、衬底、闪烁体和电光调制器等的材料优秀选择。 基本参数：结构：立方（锌矿）密度5.264 g/ cm3硬度105 kg/ mm2弯曲强度（4pt弯曲）7500 psi杨氏模数10.2 Mpsi泊松比0.28热膨胀系数7.1×10-6 / K比热0.339 J / gK导热系数0.16 W / cmKEg，295 K.2.67 eV介电常数8.976最大透射率（λ=2.5-15μm）≥70.5％吸收系数（λ=10.6μm）（1-2）×10-3 cm-1（包括2个表面）损伤阈值（λ=10.6μm）≥100kWt/ cm2热光系数（dn / dT）6.1（λ=10.6μm）折射率（λ=10.6μm）2.4电光系数r41（λ=10.6μm）2.2×10-12 m / V.γ-辐射耐受剂量 106 J / kgZnSe透射率产品类型ZnSe晶体棒、晶圆、窗片和镜片等直径/宽度1-50 mm厚度/长度0.1-150 mm径向(110), (111),(100)表面质量As-grown, as-cut, 80/50, 60/40, 40/20 per MIL-0-13830用于气相沉积的ZnSe镜片：CVD - ZnSe硒化锌窗片硒化锌透镜纯度99.99%, 99.999%粒度0.01- 10 mm更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

六方氮化硼晶体（20片装） hBN(Hexagonal Boron Nitride)-Crystal晶体尺寸：~1mm电学性能：绝缘体/半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.2502 nm, c = 0.6617 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：A级X-ray diffraction on a hexagonal boron nitride single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3 Raman spectrum of a single crystal hexagonal boron nitride (h-BN). Measurement was performed with a 785nm Raman system at room temperature.Device at left side: Fabrication of a high mobiltity bilayer graphene. This field effect transistor is fabricated using the polymer 2D_CL_PC ( click here ). The device is composed out of four 2D layers. The bilayer graphene is encapsulated between two hexagonal boron nitride crystals (h-BN). The fourth layer is a thin layer of graphite (HOPG) which is used as a backgate. Scale bar is 20μm. Device at right side: This device is similar to the one at the left side, here we added on the top hexagonal boron nitride layer a gold electrode in order to apply a top gate voltage to the hBN encapsulated bilayer graphene. Scale bar is 20μm

晶体抛光工具包起雾的窗片可通过红外光谱晶体抛光工具包而快速复原。该工具包可提供用于对氯化钠、溴化钾或碘化铯窗片进行重新抛光所需的各种部件，具体包括1个磨光盘、抛光用红铁粉、1块海绵、1个光学平整器、1块Selvyt布和1本用来说明再抛光步骤的小册子。晶体抛光工具包订货信息：产品描述部件编号晶体抛光工具包51001188晶体抛光工具包的替换部件产品描述部件编号Selvyt布（5件装）51001324玻璃磨盘51001325光学抛光器51001326清洁海绵（2块装）51001327装在锡罐中的抛光用红铁粉（56 g）51001328抛光器的玻璃板51001329

铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体，属钙钛矿结构，其晶胞这样构成：K+离子占据立方体角顶位置，Nb5+占据体心位置，O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3，简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外，还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅，KN不潮解，耐一般酸碱，化学性质十分稳定。 铌酸钾晶体标准特性? - 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh（铑）, Fe（铁）, Mn（锰）, 和 Ni（镍）的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗 可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体，长波可至1000nm - 毫秒级的响应时间 应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 （和激光二极管）- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合 光折变光栅记录时间（photorefractive grating recording times）Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2 铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fe reduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rh reduced860nm1064nm0.5s50s 铌酸钾晶体吸收光谱 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

颗粒状活化铜(散装吸附剂)1、颗粒状活化铜(散装吸附剂) 用于除去环境萃取物中硫的最方便的形态。2、颗粒状活化铜(散装吸附剂) 含酸并已活化—随时可用。活化铜可高效地从环境萃取物中移除元素硫。我们的酸洗活化材料打开包装即可使用。30目的颗粒材料排除了在过滤萃取物中存在优质铜颗粒的可能。名称 qty. 货号 颗粒状活化铜，30 mesh 1kg 26136