预切割晶片

MR200 晶圆划片机手动划线可精确切割结构化硅晶片的制造MR 200的设置可为结构化硅晶片切割提供高精度划线。MR 200是必不可少的工具，特别是对于半导体技术中的REM制备。MR 200还适用于少量芯片的单芯片化，例如在实验室中使用。设备基本设置为划线参数的调整提供了多种选择。高质量的变焦光学元件可将放大倍率从8倍无级调节到40倍。光学和机械学可以通过辅助模块进行扩展，以提高效率和操作舒适性。这包括用于连接相机的扩展套件，具有测量功能的图像处理系统,以及用于工作台位移的数字测量系统。将基板放在托盘上后，将显微镜聚焦在晶圆表面上。通过手动将工作台驱动到x和y方向，可以将划线调整为样本上的参考标记或结构。高质量的变焦显微镜可在样品表面的总览和细节显示之间进行快速切换。使用x / y十字架工作台的微调，可以非常精确地定位晶片。划线钻石的接触点可以调节。目镜的十字准线或监视器上的十字准线定义了划线钻石的接触点。划线钻石由脚踏开关（升高/降低）控制，因此可以用双手控制划线运动。如果定义了划线，则通过脚踏开关降低钻石。为了划片，手动移动整个托盘。相机图像在计算机屏幕上。视频图像可以保存。图片显示了光学元件的不同放大倍率，它们在目镜中显示为8x，16x，32x和40x。 特点：• 挤压型材的基本框架• 尺寸（B×T×H）：400×800×600mm• 重量：20kg• 电动划线（咨询：气动划线，以提高划线力）• 通过脚踏开关控制划线钻石（下降，抬起）• 可调节的划线能力（10 g… 120 g，其他可询价）• 划线槽宽度 5 μm… 10 μm（取决于划线力度和材料）• 下降速度可调• 划线钻石高度可调• 划线金刚石工作角度可调• 通过真空提取划线颗粒• 高质量的变焦显微镜，可无级调节放大倍率，范围为8×… 40ו 十字形目镜，用于根据边缘，结构和参考标记等精确调整划线• 在放大10倍时，光学分辨率更好10 μm• 涂有特氟隆涂层的真空晶片托盘，安装在x / y平台上，直径200 mm（可询问100 mm）• 通过千分尺螺丝微调晶片夹头的角度（10 μm，分辨率= 0.006°）• 托盘精确旋转90°，无需关闭真空• 可调节挡块，使卡盘旋转90°• 手动x / y平台，行程（200×200）mm，用于划刻运动和粗略定位• 25毫米测微头螺钉，可横向于划线方向精确定位• 10毫米测微螺钉，可在划线方向上精确定位• 带亮度控制和电源的LED环形灯• 最小样本尺寸约：（10×10）mm• 晶圆厚度：硅晶圆的所有标准厚度• 材料：硅，砷化镓（GaAs）（其他材料如有查询）• 视频系统（也带有图像处理软件）作为附件提供 光学高质量的变焦光学元件可将放大倍率从8倍调整为40倍。显微镜还提供许多附加功能附件。 产品参数：MR200 晶圆划片机管路中的气压75 mbar电源100-220 V交流电，60W晶圆托盘直径100mm200mm最佳范围X:±12,5mm, y:±6,5 mm/0,01mm ?:±2°切割长度200mm重量约16kg划切力度10g – 130g显微镜倍率Γ’=8… 40x设备尺寸高度：550mm，宽度：430mm，深度：700mm

天津瑞利光电科技有限公司优势经销瑞士LASAG镜片240191产品介绍聚焦镜片被广泛用于激光加工（切割、打孔、雕刻等）和各种激光系统中，激光光路的改变靠镜片的折射来实现。镜片的特点是能承受高的功率密度、膜层牢固、耐擦拭。激光头通过读取光束聚焦于信号面上，并正确跟踪扫描轨迹，同时将反射回来的光信号变成电信号，从而读出信息。使用过程中应注意清洁，减少光束传播通过镜片时所产生的功率损耗，聚焦光点位置的偏移动，镀膜层的过早损坏等所导致的镜片破坏。产品参数LASAG聚焦镜片适用于激光切割机型号商品号：240191尺寸：50mm天津瑞利光电科技有限公司是一家集研发、工程、销售、技术服务于一体的现代化企业，是国内自动化领域有竞争力的设备供应商。公司主要经营欧美和日韩 等国的机电一体化设备、高精度分析检测仪器、环境与新能源工业设备及电动工具等工控自动化产品。 凭借成熟的技术与商务团队， 公司在为客户带来 产品的同时还可提供自动化工程技术服务及成套解决方案。

脆材标准切割裂片机Standard Glass Filamentation System产品简介：采用红外皮秒激光器，保证完美光束质量，光斑细，切割精度高。IR picosecond laser is used to ensure the perfect beam quality, fine spot and high cutting precision.产品亮点：可兼容振镜和聚焦头两种裂片方式Compatible with both galvo and focusing head separation modes兼容多款国内外激光器型号Compatible with multiple domestic and overseas laser models可添加CCD定位等功能模块Optional customized CCD solutions实现无锥度切割，边缘光滑，残留、崩边小Realize taper free cutting, smooth edge, small residual and chipping性能参数：应用领域：光学玻璃、强化玻璃、素玻璃、毛玻璃、超薄玻璃、蓝宝石，手机面板、手表盖板、平板电脑面板、车载面板、摄像头保护镜片、玻璃存储光盘、 TFT-LCD、硅晶圆等脆性材料切割与裂片

1. 产品概述：英思特晶片清洗机是用于晶片清洗的专业设备，旨在去除晶片表面的各类杂质，如颗粒、有机物、金属离子等，以满足半导体制造等领域对晶片高洁净度的严格要求。它通常由设备主体、清洗槽（可能有多种不同功能的清洗槽，如化学清洗槽、纯水冲洗槽等）、漂洗槽、干燥系统、电气控制系统等多个部分构成，通过一系列精心设计的清洗工艺步骤，实现对晶片的高效、彻底清洁。 2. 设备应用： 半导体制造：半导体芯片生产过程中，晶片清洗是关键环节。该清洗机广泛应用于半导体晶圆制造，如在光刻、刻蚀、镀膜等工艺前，对晶圆进行清洗，确保晶圆表面洁净度，提升芯片性能、良率和可靠性，例如去除晶圆表面微小颗粒和金属杂质，防止其在后续工艺中导致芯片缺陷或性能下降 145。 光伏产业：用于光伏电池生产中硅片的清洗，通过有效清洗硅片表面污染物，提高硅片光电转换效率，保障太阳能电池的性能和质量 3. 设备特点：1、设备主体、电气控制部分、化学工艺槽等；并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2、设备主体使用德国进口瓷白10mm PP板材，坚固耐用，双层防漏，SUS304+阻燃PVC德国进口板（不锈钢板）组合而成，防止外壳锈蚀。3、设备安装左右对开透明PVC门，分隔与保护人员安全，边缘处设备密封条，安全门进风处装有过滤网；模组化设计，腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成，杜绝机台的渗漏危险。4、位于设备下部，所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明；药液管路采用PFA管，纯水管路采用PFA管，化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过用管道排放。5、电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在设备后部单独电器控制柜，电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠；所有可能与酸雾接触的电气及线路均PFA防腐隔绝处理，电气柜CDA/N2充气保护其中的电器控制元件。6、机台部配备有PP纯水枪和PP氮各二只分置于两侧，水枪滴漏活水设计，方便操作员手工清洗槽体或工件。 4. 产品参数（以部分为例）：以下参数仅供参考，实际参数可能因定制化需求和设备型号而有所不同。 清洗槽数量和类型：例如有多个不同功能清洗槽，如化学清洗槽、纯水冲洗槽等，数量可能为 3 - 5 个或更多。 适用晶片尺寸：如 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸等，或可兼容多种尺寸。 温度控制范围：根据不同清洗工艺要求，温度控制范围可能在一定区间内可调，如 30 - 150℃。 清洗时间：每个清洗步骤的时间可根据工艺设定，例如 1 - 30 分钟不等。 溶液循环系统：具备高效的溶液循环和过滤系统，以保证清洗溶液的清洁度和有效性。 设备外形尺寸：如长度 2 - 5 米、宽度 1 - 2 米、高度 1.5 - 2.5 米。 电源要求：通常为三相交流电，如电压 380V，频率 50Hz，整机额定电功率根据设备配置而定，可能在 10 - 50kW 之间。 其他参数：还可能包括纯水流量、压缩空气压力和流量、排废管道尺寸等相关参数。

一, 光束整形器-9HP一, 光束整形器-9HP将高斯型入射光束整形为平顶光束或环形光斑的高效光束整形器系列适用于高功率皮秒和飞秒激光器:紫外、可见光、近红外和中红外光束整形器-9HP,光束整形器-9HP产品应用3D打印(选择性激光熔化)显微机械加工钻探刻绘切割微焊接太阳能电池加工技术地球物理学研究中的激光加热有了这些特殊工具，就能灵活地操纵聚焦光束中的光强分布。凭借近100%的高效率和无旁瓣特征，光束整形器-9HP在微加工聚焦光斑方面表现佳: 平顶,逆高斯,环形技术参数适用于所有-9HP型号的光束整形器类型伽利略式望远镜，无内对焦TEM00，准直或低发散/聚敛，全发散角范围为±5 mrad输入光束全直径 16mm高斯光束的最佳2ω直径为4…6mm(1/e2)准直或低发散/会聚输出光束为操控衍射限制透镜聚焦区的焦斑光强分布进行了优化全直径 16mm聚焦光斑圆形可变轮廓:平顶、“逆高斯”、“环形”，具有相同的光束整形器传动装置在工作光谱带中 97%设备易于集成适合科学和工业应用的紧凑设计使用任何类型的衍射聚焦透镜的操作易于对齐到镜头的灵活范围是20…500mm，如有其他距离需求，可以与供应商讨论针对扫描光学系统进行了优化:镜面和多边扫描仪、F‐θ透镜外形尺寸直径44mm长度93mm固定方式入口处，M27x1外螺纹重量 220g特征光束整形器-9HP光谱带，nm设计λ，nm特征激光应用_ 1940 _HP1850 ‐ 20501940中红外_ 1550 _HP1450 ‐ 16501550近红外_ 1064 _HP1020 ‐ 11001064直径39mm长度104mmNd:YAG，光纤，其他近红外_TiS_HP750 ‐ 850800掺钛蓝宝石，近红外_ 532 _HP510 ‐ 550532二次谐波Nd:YAG，类似的激光器_ 355 _HP340 ‐ 370355三次谐波Nd:YAG，类似的激光器_ 266 _HP255 ‐ 275266四次谐波Nd:YAG，类似的激光器使用TEM00紫外激光器，λ=343 nm，脉冲持续时间500 fs，在F‐ϴ 透镜前使用光束整形器9_355，对210 nm光电材料薄膜进行刻划。沟槽视图，40µ m宽共焦显微镜，100倍二, 动态光学压电栈堆变形镜二, 动态光学压电栈堆变形镜动态光学压电栈堆变形镜是高平均功率激光器像差校正和光束整形的理想元件。我们的变形镜采用无热设计，能够在不使用主动冷却的情况下以高的平均功率工作。 非常适合高平均功率激光器( 1kW)激光束整形像差的快速校正在全功率模式下校正像差波前预补偿望远镜无线激光通信系统高次谐波产生和粒子加速动态光学压电栈堆变形镜,动态光学压电栈堆变形镜通用参数产品应用高平均功率激光器( 1kW)激光束整形像差的快速校正在全功率模式下校正像差波前预补偿望远镜无线激光通信系统高次谐波产生和粒子加速关键规格光学质量使斯太尔率 0，9高达11kHz的闭环控制任何大小、形状和入射角高致动器密度-描述数据清晰光圈大小25mm至200mm涂覆层金属或电介质反射率选项高达99.99% ,低GDD ,大带宽 ,双波长 ,高损伤阈值 ,任意入射角最大平均功率最高4kW，无需冷却三, 动态光学压电双晶片变形镜 通光孔径10-200mm 低GDD三, 动态光学压电双晶片变形镜 通光孔径10-200mm 低GDD动态光学压电双晶片变形镜是许多应用中校正光学像差的理想元件，如高功率激光器、眼科成像、显微镜和光学通信等方面。我们的变形镜可以采用与您的激光系统相同的金属或电介质涂层。同时，我们还支持高反射率、高损伤阈值、大带宽和低群延迟色散（GDD）。总之，这款产品拥有超高性价比。 Dynamic Optics piezoelectric bimorph deformable mirrors动态光学压电双晶片变形镜 通光孔径10-200mm 低GDD,动态光学压电双晶片变形镜 通光孔径10-200mm 低GDD技术参数产品应用像差的快速校正全功率模式下校正像差激光束整形波前预补偿望远镜无线激光通信系统高次谐波产生和粒子加速关键规格尺寸:高达200mm光学质量使斯太尔率 0，9高达1kHz的闭环控制轻松更换基片任何大小、形状和入射角技术参数描述数据通光孔径尺寸10mm至200mm涂层金属或电介质反射率选项高达99.99% ,低GDD ,大带宽 ,双波长 ,高损伤阈值 ,任意入射角, 低吸收最大平均功率最高1kW，无冷却执行器高达128DM尺寸，带嵌入式电子器件92mm直径(最大50mmDM清晰孔径)DM尺寸，带外部电子器件75mm(兼容3”镜架)通信外置电子USB嵌入式电子 , 以太网集成尖端倾斜台 圆形电介质涂层变形镜 方形介质涂层变形镜 - 电介质涂层变形镜-带有嵌入式电子器件 - 用于脉冲压缩的线性变形镜圆形金属涂层变形镜-大尺寸介质涂层变形镜-带嵌入式电子器件--大孔径变形镜

应用材料范围：硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。 MDPmap 单晶和多晶片的少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测， 具有可视化测试的高分辨率● 测试速度: 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率● 寿命测试范围: 20ns到几ms● 玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污（Fe）● 测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品● 灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合● 可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备，使用时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率: 无需时常校准的电阻率面扫描 应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试 氧化物钝化CZ-Si的寿命 生长的多晶硅的寿命图 a. 铁浓度图 b. 反射图 c. 硼氧相对浓度图 d.电阻率图配置选项● 光斑尺寸可调● 电阻率测试（晶圆片）● 参考晶圆● 方块电阻● 背景光/偏置光选项● 反射率测试(MDP)● 用于光伏的LBIC● BiasMDP● Si晶圆片中的内外铁浓度分布图● 集成的加热台● 多种可选的激发光源

L9570-01 隐形切割装置在隐形切割技术中，能穿透材料的特定波长的激光束被聚焦到材料内部点上。这种方式在焦点附近的定位范围内形成机械损伤层（应力层），实现了材料的“内部”切割。隐形切割技术的工作原理和传统的“外部”的刀片切割技术有着本质上的不同。究竟什么是隐形切割？隐形切割是一种创新型、高质量的切割技术，它利用激光通过内部处理来把半导体晶片切成小片。在半导体制造中，使用大晶片是一个趋势。但是晶片本身就非常薄，切割工艺涉及到一系列问题，比如一片晶片能够切割出多少芯片、或者怎样在不导致缺陷的情况下切割出复杂集成电路芯片等。由于最终的芯片产品在具有更多高级功能的同时变得越来越小，所以切割过程必须工作在越来越严格的条件下。隐形切割就是一种满足这种严苛条件的技术。隐形切割只是半导体制造工艺的一部分，但是这一部分的改变却可以给整个工艺造成巨大影响。随着最终半导体产品必须使用薄晶片，时代需要呼唤着更小、更高性能的半导体器件。说市场需求是推动隐形切割在半导体制造领域获得目前地位的推动力量，一点也不夸张。隐形切割的特性与普通切割技术相比，隐形切割具有如下独特之处：高速切割高质量（无碎片、无灰尘）低切口损失（提高了芯片收益率）完全干性的过程低运行费用图片显示了使用100um厚的硅晶片时隐形切割和刀片切割的实际效果。刀片切割中，切口损失和刀片宽度相当，还产生了无数碎屑。然而隐形切割几乎没有切口损失和碎屑，显示其是一种干净、高质量的切割。

4英寸氮化镓厚膜晶片尺寸： φ100±0.1mm厚度： 4μm、20μm电阻率（300K）: N型（非掺杂）＜0.5Ωcm2英寸氮化镓厚膜晶片尺寸： φ50.8±0.1mm厚度： 4μm、20μm电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.5Ωcm2英寸氮化铝厚膜晶片尺寸： φ50.8±0.1mm厚度： 4±1.5μm导电类型：Semi-Insulating2英寸氮化镓自支撑晶片尺寸： φ50.8±1mm厚度： 350±25μm电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ωcm10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片尺寸： 10.0×10.5mm2厚度： 350±25μm电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ωcm非极性/半极性氮化镓自支撑晶片尺寸： （5.0~10.0）×10.0/20.0mm2厚度： 350±25μm电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ωcm

本机是一款全自动晶片刷洗机，全程封闭环境采用机械手自动操作，具备刷洗甩干功能，适用于各种半导体衬底材料抛光后的刷洗，可有效减少晶片表面颗粒污染。功能齐全具备刷洗甩干功能，全程封闭环境机械手操作，风险小，避免二次污染操作简便PLC触摸屏控制，机械手自动完成cassette to cassette的全自动晶片刷洗工作兼容性好可兼容2、4、6英寸晶片占地面积小尽量减少洁净间的占地面积性能参数项目TWB-200晶圆尺寸兼容2、4、6inch全自动上下片系统有上料平台2个下料平台2个清洗工位2个晶片固定真空吸附刷洗PVA刷，可上下左右移动干燥方式高速甩干控制系统PLC触摸屏

LatticeAx 225晶圆划片切割机增加的高倍率成像可实现精确的压痕，从而以高精度切割样品。 LatticeAx ® 225 可在 5 分钟内提供 20 微米的精度和高质量的劈裂表面。底座与为压痕和切割而定制的工业平台相结合。成像包包括一个聚焦支架、一个带偏光镜的数字显微镜以及实时图像采集和显示软件。通过实时成像，凹痕相对于目标准确放置，使所有用户都可以简单快速地切割样品目标。225 接受各种尺寸、厚度和材料的样品。产品优势±20 微米切割精度准确且可重复的压痕和切割清洁和高品质的镜面切割面操作简单无需维护产品特征LatticeAx 120 基础 工具的所有功能 坚固的工作站平台，专为压痕和切割而设计带实时数字成像接口的 USB2 数字显微镜*具有精细聚焦控制的显微镜安装座 真空泵通过气动阀门开关固定样品。

LatticeAx 225晶圆划片切割机增加的高倍率成像可实现精确的压痕，从而以高精度切割样品。 LatticeAx ® 225 可在 5 分钟内提供 20 微米的精度和高质量的劈裂表面。底座与为压痕和切割而定制的工业平台相结合。成像包包括一个聚焦支架、一个带偏光镜的数字显微镜以及实时图像采集和显示软件。通过实时成像，凹痕相对于目标准确放置，使所有用户都可以简单快速地切割样品目标。225 接受各种尺寸、厚度和材料的样品。产品优势±20 微米切割精度准确且可重复的压痕和切割清洁和高品质的镜面切割面操作简单无需维护产品特征LatticeAx 120 基础 工具的所有功能 坚固的工作站平台，专为压痕和切割而设计带实时数字成像接口的 USB2 数字显微镜*具有精细聚焦控制的显微镜安装座真空泵通过气动阀门开关固定样品。

仪器简介：?用于捕集8吋和6吋硅晶片表面的挥发性成分（有机污染物）。(SW-8400)?用于捕集12吋硅晶片表面的挥发性成分（有机污染物）。(SW-12400)?捕集单面硅晶片挥发性气体，操作简便。?加热炉采用倒悬方式（参照下图），仅对晶片正面产生的气体进行捕集采样。?加热炉最高可加热到500℃。?加热炉封口采用O形环（聚亚胺材质）密封，无泄露。?一般采用PAT（内容积10ml，填充2.5g Tenax GR）捕集气体。也可选用其他厂家的相应捕集采样管进行采样。?配备冷却水循环装置。?配备防过热装置、联锁安全装置、急停按钮、漏水传感器（选配）等安全防范装置。技术参数：方式 ： 倒悬方式捕集硅晶片尺寸： 8"或6"，5"以下需添加扩充环（12400型，12"）O形环：封口部直径220mm（聚亚胺）石英加热炉： 透明石英材质加热炉加热方式： 顶板?底板独立加热方式加热炉使用温度： 常用400℃（最高可达500℃）加热炉冷却： 冷却水循环装置保温管： 内表面惰性化镀层处理吹扫气： 通常用氮气，最大使用流量500ml/min防过热装置： 电流15A，感应电流30mA急停按钮： 红色，蘑菇型安全装置： 联锁结构加压方式： 电机驱动设备尺寸： 1140(W)×1106(H)×750(D)mm电源： 单相AC200V、15A?AC100V、20A重量： 280　Kg标准附件：PAT（一级吸附管）： 2支（与其它公司捕集管不配套）PAT架： 1个（与其它公司捕集管不配套）PAT适配器： 1个（与其它公司捕集管配套使用）O形环： 2个冷却水循环装置： 1台（附标准配管）保温管： 1支气体配管： 1套（1/16"-1/8"）缆线： 1套工具： 1套操作说明书： 1册＊SW-12400型的技术规格请垂询。主要特点：?用于捕集8吋和6吋硅晶片表面的挥发性成分（有机污染物）。(SW-8400)?用于捕集12吋硅晶片表面的挥发性成分（有机污染物）。(SW-12400)?捕集单面硅晶片挥发性气体，操作简便。?加热炉采用倒悬方式（参照下图），仅对晶片正面产生的气体进行捕集采样。?加热炉最高可加热到500℃。?加热炉封口采用O形环（聚亚胺材质）密封，无泄露。?一般采用PAT（内容积10ml，填充2.5g Tenax GR）捕集气体。也可选用其他厂家的相应捕集采样管进行采样。?配备冷却水循环装置。?配备防过热装置、联锁安全装置、急停按钮、漏水传感器（选配）等安全防范装置。

PELCO LatticeAx 420 晶圆划片切割机是种应用于实验室的小型，快速，准确的切割解决方案。对于要求比手动切割更好的精度和质量，但又没有复杂自动切割工具的预算或时间的工程师来说，LatticeAx 420是一款不错的切割工具。产品优势1、定位微线压痕，实现高切割；2、样品处理提高；3、入门成本低，无服务成本；4、切割各种材料和样品尺寸；5、使用简单，符合人体工程学的设计。产品特征1、LatticeAx 120 基础工具的所有功能 ；2、目标的高精度定位 (±10 μm)；3、LatticeGear 定制：占地面积小，工业平台4、带有粗调和精细调焦控制的调焦座5、带彩色 CCD 相机的单目、齐焦、变焦镜头 (.58-7x mag)*6、步长为 5 μm 的压痕位置控制7、抛光尖金刚石压头8、5 分钟处理样品设置

PELCO® LatticeAx® 225精密晶圆划片裂片切割机，原为LatticeGear&trade 的产品，是LatticeAx® 120的升级版，它增加了高倍数成像功能的设备，使得压头定位更精准，从而提升划片的精度。适用于实验室的精密化工作。PELCO® LatticeAx 225可以提供20μm的定位精度，经过培训的使用者可以在大约5分钟内完成高质量的晶圆划片，可处理各种尺寸、厚度的样品和多种材料类型。它具备了手工划片的基本元素，同时解决了手工划片的精准性不高、可重复性差等缺点。LatticeAx采用了容易控制的“解理切割”，使得切割过程更为精准，减少了切割误差。它不需要划线，是在晶圆表面用金刚石压头压一条长度小于1mm、宽度约10um的浅压痕，然后沿着压痕进行解理，这样不仅可以最大程度地保存样品的原始结构，还可以避免晶圆在切割过程中产生的不必要损伤。采用晶面解理方式，能够得到更为理想的切口，断面更光滑，有利于后续的观察和使用。其成像组件包括聚焦支架、带偏光镜的数码显微镜,以及实时图像采集和显示软件。通过实时成像，可以使用户轻松实现压痕精准定位，让所有经过培训的用户都可以轻松快速地完成划片工作。LatticeAx 225可适用于各种尺寸、厚度和不同材料类型的样品。产品特点：划片精度±20微米坚固的工作站平台，专为划片和裂片而设计带有实时数字成像接口的USB2数字显微镜（不包括电脑和显示器）显微镜支架，带精细聚焦控制带气动阀门开关的真空泵，用于固定样品快速划片可重复性高

LB-8600自动推拉力测试机说明书：一、用途设备的主要用途为微电子引线键合后引线焊接强度测试、焊点与基板表面粘接力测试、晶片与框架表面粘接力测试。二、 设计依据：（设备标标准配置或根据客户提出的要求）1、引线与晶片电极及框架粘接度拉力测试。2、焊点与晶片电极粘接力推力测试 焊点与框架表面粘接力推力测试。3、晶片与支架表面粘接力推力测试。4、配备电脑可实时显示拉力曲线 5、采用旋转式三工位独立传感采集系统。6、设备平面可满足各种治具的灵活切换。三、工艺流程（设备主要部件工作原理） 四、设备原理说明1、晶片及金球推力测试：通过左右摇杆将测试头移动至所测试产品后上方，按测试后，Z 轴自动向下移动，当测试针头触至测试基板表面后，Z 向触信号启动，停止下降，Z 轴向上升至设定的剪切高度后停止。Y 轴按软件设定参数移动，在移动过程中 Y 轴以一段快速运行，当 Y 轴在移动过程中感应到设定触发力值时（即开始测试产品），速度会自动调整为二段速度测试，以保证测试数据的稳定性。2、拉力测试：通过左右摇杆将拉针移动至线弧中间，按测试后，Z 轴自动向上移动，当拉针触至设定触发力值时（即开始测试产品），速度会自动调整为二段速度测试，以保证测试数据的稳定性。3、测试功能：测试工位软件选择后，设备自动旋转至需要测试工位，无需手动更换测试模块。五、技术规格1、拉力测试精度：传感器量程 WP100G，测试精度±0.025%；2、金球推力测试精度：金球推力传感器量程 BS250G，测试精度±0.25%；3、晶片推力测试精度：晶片推力传感器量程 BS20KG，测试精度±0.25%；4、软件可开放选择：晶片推力测试、金球推力测试、拉力测试；5、X 工作台： 有效行程 85mm 分辩率 ±0.002mm6、Y 工作台： 有效行程 85mm 分辩率±0.002mm7、Z 工作台： 有效行程 75mm 分辩率± 0.001mm8、平台夹具：平台可共用各种夹具，夹具可 360 度旋转9、四轴运动平台，采用进口传动部件，确保机台高速、长久稳定运行10、双摇杆控制机器四向运动，操作简单快捷11、机器自带电脑，windows 操作系统，软件操作简单，显示屏可一次显示 10 组测试数据及力值分布曲线；并可实时导出、保存数据；12、外观尺寸：长 570mm*宽 400mm*高 670mm。13、电源：220V±5%14、功率：300W(max) 拉力测试示意图晶片推力示意图焊点推力示意图

氮化镓晶片生产厂家苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产销售2英寸及4英寸蓝宝石氮化镓衬底片，衬底结构GaN-On-Sapphire。GaN氮化镓外延厚度有4.5um和20um两种。2英寸蓝宝石衬底厚度为430um，4英寸蓝宝石衬底厚度为650um。掺杂类型分为N型非掺杂，N型硅掺杂及镁掺杂。蓝宝石氮化镓晶片包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。蓝宝石氮化镓衬底晶片尺寸：2 inch 50.8mm±1mm蓝宝石衬底厚度：430um衬底结构：GaN-On-Sapphire掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/P型镁掺杂氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um晶向：C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°位错密度：≤5x108cm-2包装方式：晶圆盒或Cassette盒抛光要求：单抛/双抛氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于极稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。

LCS-4000系列分析探针台配有激光切割系统带有集成激光切割系统的LCS-4000探针台为用户提供了半导体诊断切割，失效分析，修整，标记和顶层去除的最大灵活性。所有这些功能都可以在微观层面上进行，所有这些都在这一系统上进行，这提供了非常易于使用的高水平性能。集成的激光切割系统可用于通过激光烧蚀接触引线，牺牲层和其他材料来改变集成电路上的导体，而不会损坏设计内部构件。这种激光微调工艺允许选择性地去除层，例如去除顶层，并且可以有助于半导体失效分析或微调器件特性，例如电阻，电容或RF特性。MicroXact的激光切割系统还能够通过切断将故障组件连接到电路其余部分的金属线来隔离故障组件。预构建逻辑包括自动识别晶片上的故障器件并通过烧蚀从晶片上完全擦除这些器件。LCS-4000提供电动，半自动或全自动配置系统，可通过各种设计选项和附件轻松配置用于各种应用。设计用于同时进行DC和/或RF探测，同时激光微调引导或消除设备中的缺陷。完全电动系统允许用户独立远程定位样品台，压板和显微镜，同时系统完全包含在不透光的外壳中，以便系统安全，轻松地操作。标准配置包括独立的100 mm x 100 mm运动范围，适用于样品台和显微镜（可提供更大的范围）。多轴双操纵杆控制器可轻松操作所有运动组件，并可定制以包含各种附加功能。可以升级系统以包括晶片探测的半自动控制。位于工作站两侧的隔离直通端子可方便地连接到微定位器，可针对BNC，三轴或DC引脚连接进行定制。型号LCS-4000晶圆尺寸高达100mm（可提供更大尺寸）XY舞台行程高达100mm x 100mm（可提供更大的范围）XY舞台分辨率电动，有多种选择压板行程12.7mm或更多压板调整双粗和精控制平板平面150mm以下12.7μm

在检测过程中，针对于大壁厚（如200mm）的焊缝检测，往往对于检测设备有着更高层次的要求。为了更好的面对在检测时遇到的各种复杂情况及调整，基于A26 DLA 探头成功的应用实践基础上，Evident在近期发布了全新A36双晶64晶片线性探头。全新A36双晶64晶片线性探头的推出，将在大壁厚情形下，协助塑造更为优质的焊缝检测解决方案。

碳化硅晶片生产厂家碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。苏州恒迈瑞公司目前用于衬底的碳化硅晶片以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：钒厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5° 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：非掺杂厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5°

美国LatticeGear生产的LatticeAx 420 划片裂片机，划片切割机是性能的切割解决方案。LatticeAx 420可在5 分钟内提供 10-μm 的切割精度，使其成为重视速度和高精度同时需要适应各种样品尺寸、厚度和材料的实验室的理想选择。这款专用切割工作站的设计使任何用户都可以使用它来测量、对齐、微压痕、切割和检查处理过的样品。产品优势1、高精度定位微线压痕，在单个工具中实现高质量切割2、快速样品处理提高实验室生产力3、减少昂贵、高要求的样品制备工具的瓶颈4、入门成本低，无服务成本5、切割各种材料和样品尺寸6、使用简单，符合人体工程学的设计，占地面积小产品特征1、LatticeAx 120 基础工具的所有功能 2、目标的高精度定位 (±10 μm)3、LatticeGear 定制：占地面积小，工业平台4、带有粗调和精细调焦控制的调焦座5、带彩色 CCD 相机的单目、齐焦、变焦镜头 (.58-7x mag)*6、步长为 5 μm 的压痕位置控制7、抛光尖金刚石压头8、5 分钟处理样品设置9、用于切割时钟刻度盘，以进行压痕校准10、不包括电脑和显示器

迈锐探针台LCS-4000系列分析探针台配有激光切割系统配有集成激光切割系统的LCS-4000探针台为用户提供了半导体诊断切割，失效分析，修整，标记和顶层去除的最大灵活性。所有这些功能都可以在微观层面上进行，所有这些都在这一系统上进行，这提供了非常易于使用的高水平性能。集成的激光切割系统可用于通过激光烧蚀接触引线，牺牲层和其他材料来改变集成电路上的导体，而不会损坏设计内部构件。这种激光微调工艺允许选择性地去除层，例如去除顶层，并且可以有助于半导体失效分析或微调器件特性，例如电阻，电容或RF特性。MicroXact的激光切割系统还能够通过切断将故障组件连接到电路其余部分的金属线来隔离故障组件。预构建逻辑包括自动识别晶片上的故障器件并通过烧蚀从晶片上完全擦除这些器件。LCS-4000提供电动，半自动或全自动配置系统，可通过各种设计选项和附件轻松配置用于各种应用。设计用于同时进行DC和/或RF探测，同时激光微调引导或消除设备中的缺陷。完全电动系统允许用户独立远程定位样品台，压板和显微镜，同时系统完全包含在不透光的外壳中，以便系统安全，轻松地操作。标准配置包括独立的100 mm x 100 mm运动范围，适用于样品台和显微镜（可提供更大的范围）。多轴双操纵杆控制器可轻松操作所有运动组件，并可定制以包含各种附加功能。可以升级系统以包括晶片探测的半自动控制。位于工作站两侧的隔离直通端子可方便地连接到微定位器，可针对BNC，三轴或DC引脚连接进行定制。型号LCS-4000晶圆尺寸高达100mm（可提供更大尺寸）XY舞台行程高达100mm x 100mm（可提供更大的范围）XY舞台分辨率电动，有多种选择压板行程12.7mm或更多压板调整双粗和精控制平板平面150mm以下12.7μm强烈推荐用于需要低于0°C的测试或屏蔽的应用可用选项：加热或冷却卡盘，变焦镜或复合显微镜，各种屏蔽，用于直流和射频测量的卡盘选择等等型号SPS-2800SPS-2600晶圆尺寸高达200mm高达100mm电机类型步进电机XY舞台行程高达200mmx200mm高达125mmx125mmXY舞台分辨率电动，6.5μm重复性显微镜高品质立体声变焦，工作距离可达200mm，放大倍率范围为3.5X至180X馈通终端BNC，Triax或香蕉插头系统尺寸122厘米宽x122厘米深x 92厘米高78厘米宽x80厘米深x 58厘米高

双刀柱塞切割机主要由不同规格型号（类型分：台式或立式。切割方式分：单刀型、双刀型、三刀型）组成，它由电机、金刚石刀片、移动底座、自动控制装置、循环冷却水系统及安全保护装置组成。目的将不规则柱塞样品按需要的尺寸、规格、大小、按研究需要切割成标准的柱塞样品，两端平整光滑、无缺失。本公司提供手动型、自动型、水压驱动自动切割型设备。

蓝宝石精密切割裂片机Sapphire Material Cutting Machine产品简介：采用红外皮秒激光器，保证完美光束质量，光斑细，切割精度高。IR picosecond laser is used to ensure perfect beam quality, fine spot and high cutting precision产品亮点：可兼容振镜和聚焦头两种裂片方式Compatible with galvo and focusing head兼容多款国内外激光器型号，可添加CCD定位等功能模块Compatible with a variety of domestic and overseas laser modelsOptional customized CCD solution and other functional modules can be added高速XY运动平台，大程度提升加工速度High speed XY platform ensures stability under high speed processing可切割有油墨与镀膜蓝宝石Minimum ink offset when cutting Sapphire with deco实现无锥度切割，边缘光滑，崩边少Realize no taper cutting, smooth edge and minimized chipping性能参数：应用领域：0.3mm-5mm厚度光玻璃，手机盖板、手表盖板、玻璃logo的切割倒角工艺0.3mm-2mm sapphire, phone cover, watch cover, camera protective glass, optic protective cover filamentation and separation

VR镜片AOI检测设备，旨在解决AR/VR产品大口径镜片生产过程中出现一些外观的缺陷的全自动检测系统方案，（如：划伤、脏污、工艺道子、白雾道子、烟气、粘料、杂质、颗粒、黑点、白点、裂纹等等）。并且达到高效精确、洁净无尘和不损伤产品的效果。设备性能参数&bull 检测项目： VR镜片外观缺陷（划伤、颗粒、白点、黑点、杂质、变形/凹痕、气泡、脏污/指纹、崩角 、模印、弧线、流痕、喷射纹、缩痕、白雾道子、工艺道子、油污、成型粗糙、飞边等）&bull 支持OK/NG自动分选；&bull 检测精度：≥30μm；&bull UPH：≥600；&bull 漏检：≤0.5%；过检：≤5%；设备检测图像效果自动化控制VR镜片AOI检测设备使用PC实时运动控制系统,低通讯周期内精确实现镜片取放动作,全流程一键式启动,不同产品种类快速切换。软件算法：● 图像采集：多维度、全流程、自动化控制采集。● 图像处理：图像亮度、对比度、阈值处理，图像翻转，镜像，去背景，动态图像生成，ROI 处理● 图像分析：长宽、周长，面积，圆度，最大灰阶、最小灰阶等参数分析，定位分析，缺陷分析VR镜片全自动检测系统实现实现对VR镜片多项外观指标的高效精确检测，代替传统的人工视觉检测。

标乐 PetroThin™ 薄片切割系统PetroThin 薄片切割系统是一种精密易用的精密薄片切割机，用于再切割和减薄各种样品，如岩石和矿物、陶瓷、混凝土、骨骼和牙齿，以展现材料的特性结构。单轴设计确保样品边缘的平行性，无需在步骤之间从机器上移除玻璃载玻片。PetroThin 薄片切割系统是一种手动的4马力(3千瓦)切割机，采用用于切割岩石、混凝土、耐火材料等的10英寸(254毫米)连续边缘金刚石刀片，直径达3.75英寸(95毫米)。还包含有一个10-3533岩石夹具。提高切割精度与试样平行度 使用金刚石切割刀片和金刚石杯型磨轮，以省去操作间隔中途移除载玻片的步骤。 单轴设计无需在步骤之间移除载玻片，从而保证样品边缘的平行度。精确的切割定位控制 两个精密千分尺用于控制再切割和切薄片。 物料切除和磨削精度在±5μm以内。创新简便的真空系统 装有一个真空载玻片夹具，可以装载六种不同大小的载玻片。 通过内置泵获得真空，以确保载玻片在切割过程中不移位。 内置过滤系统可在使用过程中去除真空管路中的水分，每次关闭真空泵时过滤器都会自动排空。PetroThin - 薄片切割系统 规格电压/频率115VAC @ 60Hz, 220VAC @ 50Hz, 1 相电机功率1/3 Hp [250W]切割片直径8in [203mm]精度± 5μm切割片速度38-1450-160: 220rpm 38-1450-250: 2100rpm标准CE如需了解更多有关 SimpliVac的技术参数、附件及耗材信息欢迎咨询！ 关于标乐（Buehler） 标乐（Buehler）是材料制备、图像分析和硬度测试所用仪器、附件、耗材和相关技术的出色供应商。标乐（Buehler）产品涵盖众多行业，包括金属、汽车、航空航天、电子、医疗、能源等。 标乐公司与 ASM International（美国材料信息学会）、American Society for Testing and Materials（美国材料和测试协会）和 International Metallographic Society（国际金相学学会）等联盟机构保持着行业合作伙伴传统。标乐公司自 1946 年起便赞助 ASM Francis F. Lucas Metallographic Award 金相奖，并赞助了 International Metallographic Society（国际金相学学会）的 Pierre Jacquet Award 奖项，为材料科学的研究做出贡献。 标乐（Buehler）隶属于美国ITW集团（伊利诺伊工具公司），总部坐落在美国伊利诺伊州莱克布拉夫市。ITW是一家美国财富200强企业，在全球从事增值耗材、特种设备的工业产品制造并提供相关服务。 标乐公司于1936年建立，是最早为材料分析行业制造科学设备和材料的厂商。2011年标乐和威尔逊硬度计合并，提供了更全的材料制备和分析检测设备。标乐现已在9个国家成立办事处、在100多个国家设立销售网点并拥有超过45个标乐解决方案中心。- 标乐中国 -依工测试测量仪器（上海）有限公司标乐（Buehler）&威尔逊（Wilson）厂家

DeltaPetroCut地质切割机是一种手动的4马力(3千瓦)切割机，采用用于切割岩石、混凝土、耐火材料等的10英寸(254毫米)连续边缘金刚石刀片，直径达3.75英寸(95毫米)。还包含有一个10-3533岩石夹具。 专门为满足不规则外形的试样切割而设计，例如岩石、水泥及难熔材料等。经济型的桌面台式切割机，快速且稳定的手动切割质量采用直径254mm (10")的RimLock金刚石刀片，切割能力为95 x 76mm (3.75' x 3')切割室装备X-Y进给台和岩石夹具装配有独立电子调控的14W荧光灯管，较大的观察窗口以方便监控切割过程标准的工业机罩安全开关锁和紧急停止按钮前面板配有嵌入式按钮，稳固的底座为铸造铝合金 PetroCut 岩相切割机有岩石夹具装配，可夹持大多数形状怪异的岩石或矿物，其直径可达到3.75英寸(95毫米)

PELCO® LatticeAx® 120基础款晶圆切割机，可对样品表面的压痕进行精细调整，然后通过精确控制的三点劈裂，制作出高质量的样品截面。LatticeAx采用了容易控制的“解理切割”，使得切割过程更为精准，减少了切割误差。它不需要划线，是在晶圆表面用金刚石压头压一条长度小于1mm、宽度约10um的浅压痕，然后沿着压痕进行解理，这样不仅可以最大程度地保存样品的原始结构，还可以避免晶圆在切割过程中产生的不必要损伤。采用晶面解理方式，能够得到更为理想的切口，断面更光滑，有利于后续的观察和使用。它是一个紧凑的、通用的和强大的切割工具，可用于缩小尺寸和对各种基材进行横截面切割，包括硅、砷化镓、磷化铟、蓝宝石和玻璃。使用PELCO® LatticeAx® ，您可以按原样切割您的样品，无需额处理样品，可对多种多样的尺寸、形状、厚度、边缘质量的材料进行切割。设备包括：LatticeAx真空台，用于在压痕步骤中固定样品；一个精密、扁平的线性平台，用于精确设置压痕位置；一个预先安装的金刚石压头；以及一台带有连接软管的小型真空泵。应用场景：用于 SEM 分析的特定部位横截面在 FIB 或宽离子束之前进行目标定位缩小用于扫描电镜的样品高度使用非晶圆级平台进行切割，为其他分析工具创建统一的样品用于光子学分析的垂直镜像切割

LatticeAx 420是一款高效且精确的晶圆切割设备。作为LatticeAx系列的龙头产品，其集成了PELCO® LatticeAx® 基座和先进的视觉系统。配置粗细焦距控制的聚焦装置，具有4μm光学解析度的单筒、共焦、可变焦镜头（放大倍率0.58-7x），配色CCD摄像机。、实时图像捕捉展示软件以及X-Y移动台功能一应俱全。特别适用于快速又精确、能处理多样化样品的切割需求。LatticeAx 优化了手动划片的流程，最根本的区别体现在它使用高倍数字显微镜和精密定位旋钮来定位目标，精度更高且减少了用户差异所导致的误差，同时增加了可重复性，大大提升了工作效率。LatticeAx采用了容易控制的“解理切割”，使得切割过程更为精准，减少了切割误差。它不需要划线，是在晶圆表面用金刚石压头压一条长度小于1mm、宽度约10um的浅压痕，然后沿着压痕进行解理，这样不仅可以最大程度地保存样品的原始结构，还可以避免晶圆在切割过程中产生的不必要损伤。采用晶面解理方式，能够得到更为理想的切口，断面更光滑，有利于后续的观察和使用。LatticeAx 420具备以下核心优势：高精度：目标位置可进行精准调校（±10μm），5µ m步进的压痕位置控制，特别适用于需要高精度切割的场合。可重复：通过光学显微镜和精密定位旋钮实现高精度的重复性过程，降低用户对操作经验的依赖性。快速易学：通过简单的学习，操作人员就能在5分钟内完成样品切割。操作方便：设计符合人体工程学，操作简便直观，占地面积小，对操作环境要求较低。广泛应用：配备金刚石压头，可切割各种材质和样品尺寸，应对复杂多样的切割需求。

实贝HMDS晶片涂胶烘箱真空电子烤箱干燥箱 HMDS真空烘箱，HMDS涂胶烤箱，HMDS真空镀膜机HMDS预处理真空烘箱一、预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，而涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺显得更为必要，尤其在所刻线条比较细的时候，任何一个环节出现一点纰漏，都可能导致光刻的失败。在涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而晶片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，如果在晶片表面直接涂胶的话，会造成光刻胶和晶片的黏合性较差，甚至造成局部的间隙或气泡，涂胶厚度和均匀性都受到影响，进而会影响了光刻效果和显影，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和晶片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀，所以涂胶工艺中引入一种化学制剂HMDS(六甲基二硅氮甲烷，英文全名Hexamethyldisilazane)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到晶片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物，是一种表面活性剂，它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。二、产品结构与性能2.1产品结构：1．设备外壳采用优质冷轧钢板表面静电喷塑，内胆316L不锈钢材料制成；无缝不锈钢加热管,均匀分布在内胆外壁，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置；钢化、防弹双层玻璃观察窗,便于观察工作室内物品实验情况。2．箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内保持高真空度。3．温度微电脑PID控制,系统具有自动控温、定时、超温报警等,LCD液晶显示,触摸式按键,控温准确可靠。4．智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序、温度、真空度及每一程序时间。5．HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，使真空箱密封性能极好，确保HMDS气体无外漏顾虑。6．无发尘材料，适用百级光刻间净化环境使用。 2.2产品性能：1.由于是在经过数次的氮气置换再进行的HMDS处理，所以不会有尘埃的干扰，系统是将去水烘烤和HMDS处理放在同一道工艺，同一个容器中进行，晶片在容器里先经过100℃-200℃的去水烘烤，再接着进行HMDS处理，不需要从容器里传出而接触到大气，晶片吸收水分子的机会大大降低，所以有着更好的处理效果。2.由于它是以蒸汽的形式涂布到晶片表面上，所以有液态涂布不可比拟更好的均匀性。3.液态涂布是单片操作，而本系统一次可以处理多达4盒的晶片，效率高。4.用液态HMDS涂布单片所用的药液比用本系统处理4盒晶片所用药液还多，经实践证明，更加节省药液。5. HMDS是有毒化学药品，人吸入后会出现反胃、呕吐、腹痛、刺激胸部、呼吸道等，由于整个过程是在密闭的环境下完成的，所以不会有人接触到药液及其蒸汽，也就更加安全，它的尾气是直接由机械泵抽到尾气处理机，所以也不会对环境造成污染，更加环保和安全。三、技术参数：规格型号PVD-090-HMDSPVD-210-HMDS容积（L）90L210L控温范围RT+10～250℃温度分辨率0.1℃控温精度±0.5℃加热方式内腔体外侧加温隔板数量2PCS3PCS真空度133Pa（真空度范围100～100000pa）真空泵抽气速度4升／秒，型号DM4电源/功率AC220/50Hz，3KWAC380V/50Hz，4KW内胆尺寸W*D*H（mm）450*450*450560*640*600外形尺寸W*D*H（mm）650*640*12501220*930*1755连接管：316不锈钢波纹管，将真空泵与真空箱完全密封无缝连接备注：选配温度压力记录仪时，因工艺需要改变设备整个外箱结构，请参考实物图。外壳采用优质冷轧钢板粉末静电喷涂，内胆采用316L不锈钢，外箱尺寸为（W*D*H）mm：980x655x1600（含下箱柜高700），下箱柜空置。适用于增加各类选配功能。四、HMDS预处理系统的原理：HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。五、HMDS预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充入氮气，充到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表面生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。开箱温度可以由user自行设定来降低process时间，正常工艺在50分钟-90分钟(按产品所需而定烘烤时间),为正常工作周期不含降温时间（因降温时间为常规降温））。六、尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。七、产品操作控制系统配置:1. 标配DM4直联旋片式真空泵（外置）；需要使用干泵可选爱德华或安捷伦（选购）2. LCD液晶显示温度控制器,PLC触摸屏操作模块3. 固态继电器；加急停装置 其它选配：1．波纹管2米或3米（标配是1米）2．富士温控仪表（温度与PLC联动）3．三色灯 4.增加HMDS药液瓶5．低液位报警（带声光报警）6．HMDS管路加热功能7．开门报警 8.压力温度记录仪

BPI光谱仪的波长范围从350nm到710nm，分辨率优于10nm。透射光谱结果可用于质量控制目的，例如比较有色镜片，以及提供有关需要添加何种色调才能与另一镜片或客户提供的样品光谱相匹配的信息。该装置是一个独立的光谱仪，带有光源，也可以通过计算机的 USB 端口连接到 PC。附带的软件需要 Microsoft Windows 操作系统。测试结果可保存到集成数据库中，也可打印到任何兼容的打印机上。BPI光谱仪还可用于检测镜片的透射特性是否符合美国和欧洲的交通信号能见度规定。设备的显示屏可显示左侧列出的所有信息。PC软件显示传输曲线，并允许将一条曲线叠加在另一条曲线上。BPI 光谱仪可提供被测材料的可见光透射率 (Tv) 和 UVA 透射率信息，以及数字颜色特性。(L*、a* 和 b*）。这为数值颜色描述提供了一种方法。L*、a* 和 b* 是我们熟悉的 CIELAB 坐标。L* 是亮度（或明度），范围从 0（黑色）到 100（白色）。a* 值从大约 -80（绿色）到 +100（红色），而 b* 值从大约 -80（蓝色）到 +100（黄色）。长度6.75 英寸宽度6.25 英寸高度5 英寸重量8.5 磅电气110 伏交流电，50/60 赫兹，1 安