有机场效应晶体管

2011年04月29日 来源： 科技日报 作者： 刘霞　　本报讯（记者刘霞）据美国物理学家组织网4月28日（北京时间）报道，美国科学家使用自主设计的、精确的原子逐层排列技术，构造出了一个超薄的超导场效应晶体管，以洞悉绝缘材料变成高温超导体的环境细节。发表于当日出版的《自然》杂志上的该突破将使科学家能更好地理解高温超导性，加速无电阻电子设备的研发进程。　　普通绝缘材料铜酸盐在何种情况下从绝缘态跃迁到超导态？这种跃迁发生时，会发生什么？这些问题一直困扰着物理学家。探究这种跃迁的一种方法是，施加外电场来增加或减少该材料中的自由电子浓度，并观察其对材料负载电流能力的影响。但要想在铜酸盐超导体中做到这一点，还需要构建成分始终如一的超薄薄膜以及高达100亿伏/米的电场。　　美国能源部物理学家伊万·博若维奇领导的布鲁克海文薄膜研究小组之前曾使用分子束外延技术制造出这种超导薄膜，该技术在一次制造一个原子层时还能精确控制每层的厚度。他们最近证明，用分子束外延方法制造出的薄膜内，单层酮酸盐能展示出未衰减的高温超导性，他们用该方法制造出了超薄的超导场效应晶体管。　　作为所有现代电子设备基础的标准场效应晶体管内部，一个半导体材料将电流从设备一端的“源”电极运送至另一端的“耗”电极；一个薄的绝缘体则作为第三电极“门”电极负责控制场效应晶体管。当在绝缘体上施加特定的门电压时，该门电极会打开或关闭。但没有已知的绝缘体能对抗诱导该酮酸盐内部高温超导性所需的高电场，因此，标准场效应晶体管的设计并不适用于高温超导场效应晶体管。　　博若维奇团队用一种能导电的液体电解质来分离电荷。当朝电解液施加外电压时，电解质中的正电荷离子朝负电极移动，负电荷离子朝正电极移动，但当到达电极时，离子会突然停止移动，就像撞到“南墙”一样。电极“墙”负载的等量相反电荷之间的电场能超过100亿伏/米。　　新研制的超导场效应晶体管中，高温超导体化合物模型（镧-锶-铜-氧）的临界温度可达30开氏度左右，为其最大值的80%，是以前纪录的10倍。科学家可使用该晶体管来研究与高温超导性有关的物理学基本原理。　　超导场效应晶体管的应用范围很广泛。基于半导体的场效应晶体管能耗大，而超导体没有电阻也无能耗。另外，原子逐层排列制造出的超薄结构也使科学家能更好地使用外电场来控制超导性。　　博若维奇表示，这仅仅只是一个开始，高温超导体还有很多秘密有待探寻，随着其神秘“面纱”逐一揭开，将来能制造出超快节能的高温超导体。　　 总编辑圈点：　　辛亥革命爆发、乔治五世加冕、普利策逝世……这是历史书上的1911年。但同年，一个平常的4月天里，荷兰一所实验室内人类首次发现了超导体，于今恰好百年。这种进入超导态就会电阻趋0的材料，尚未露真容，却承载了一个世纪的无热损和强磁场之梦，直接涉及超导电性的诺奖就有4起，1987年临界温度的速提甚至成为了科技史之奇迹。于是，人们谈起那年4月的荷兰小城，会说：超导百年，对人类社会的影响，不亚于和它同年发生之事。

【题名】：集成场效应晶体管微型离子电极【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-ZYLZ198202014.htm

[font=&]【题名】： 离子敏感场效应晶体管传感器研究进展[/font][font=&]【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-MINI202006017.htm[/font]

[font=&]【题名】： 氯离子敏感场效应晶体管电极的研制（请帮忙尽可能给清晰图的文章，谢谢）[/font][font=&]【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-HNLG199301011.htm[/font]

这是荷兰Twente大学的P.Bergveld 教授近期的一篇综述报告。该文综述了离子敏感场效应晶体管从上个世纪开始研究到现在的总体情况，从原理到技术，从对过去的总结到未来30年的展望。总体上来说这是篇非常好的文章，希望大家喜欢！[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=25201]Thirty years of ISFETOLOGY：What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years[/url]

美国得克萨斯A&M大学物理学家杰罗·斯纳夫领导的一个国际科研小组在23日出版的《科学》杂志上宣布，他们研制出了首个能在高温下工作的自旋场效应晶体管（FET），该设备由电力控制，其功能基于电子的自旋，其中包含一个与门逻辑设备。新突破将给半导体纳米电子学和信息技术领域带来新气象。　　英国日立剑桥实验室、剑桥大学、诺丁汉大学、捷克科学院和查尔斯大学的研究人员首次将自旋—螺旋状态和异常霍尔效应结合在一起，制造出了这种自旋FET，其中包括一个与门逻辑设备，自旋FET的概念于1989年首次提出，这是科学家首次在其中实现与门逻辑设备。 　　晶体管发现60年来，其操作仍然基于与半导体内的电子操作和电子电荷探测同样的物理原理。随着晶体管的尺寸越来越小，小到已接近极限点，科学家们开始专注于建立新的物理操作规则，即使用电子基本的磁运动（自旋）代替电荷作为逻辑变量。20年来，科学家一直认为，在半导体内操作电子并探测到电子自旋（突破这一点将有助于研发出自旋晶体管）很难在实验室实现。现在，新研究使用最近在自旋操作和探测上发现的量子相对论现象证实，自旋晶体管这一概念可以成为现实。为了观察电子的操作并探测自旋，该研究团队特别设计了一个平板光子二极管（同一般使用的圆极化光源相反）并将其放置在晶体管隧道附近。通过在二极管上照射光线，研究人员朝晶体管内注射了光激发电子，而不是通常的自旋极化电子。接着朝其输入门电极施加电压，通过量子相对论效应来控制电子的自旋运动。这些效应同时负责在该设备内生成横向电压（代表输出信号），其取决于晶体管管道内运动电子的自旋方向。　　日立剑桥实验室的高级研究员约尔格·文德利希强调，观察到的输出电子信号在高温下也很强，并且线性依赖于入射光圆极化的程度。这个设备因此也表明，科学家实现了电力控制的固态偏振光计，该偏振光计可直接将光偏振转变成电压信号。他表示，未来医生可能会利用该设备探测手性分子的浓度，以测量病人的血糖浓度或酒中的糖分浓度。新设备在自旋电子学研究领域有广泛的应用，它可以作为一个有效工具来操作和探测半导体内的电子自旋而不会破坏自旋极化电流。　　文德利希承认，现在还不知道其基于自旋的设备能否替代目前信息处理设备中普遍使用的基于电子电荷的晶体管，然而新研究将科学家的关注点从理论猜测转移到研发出微电子设备模型上来。

有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题科技日报 2012年03月28日 星期三 本报讯（记者刘霞）据美国物理学家组织网3月27日（北京时间）报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多晶体管，从而提高电子设备的计算能力。 晶体管是电子设备的基本组成元件，在过去40年间，科学家们主要通过将更多晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力，但目前这条道路似乎已快走到尽头。业界认为，半导体工业正在快速接近晶体管小型化的物理极限。现代晶体管的主要问题是产生过多的热量。 最新研究表明，他们研制出的TFET性能可与目前的晶体管相媲美，而且能效也较以往有所提高，有望解决上述过热问题。 科学家们利用电子能“隧穿”过固体研制出了这种TFET。“隧穿”在人类层面犹如魔术，但在量子层面，它却是一种非常常见的行为。 圣母大学的电子工程学教授阿兰·肖宝夫解释道：“现今的晶体管就像一个拥有移动门的大坝，水流动的速度也就是电流的强度取决于门的高度。隧穿晶体管让我们拥有了一类新的门，电流能够流过而非翻过这道门，另外，我们也对门的厚度进行了调整以便能打开和关闭电流。” 宾州州立大学的电子工程系教授苏曼·达塔表示：“最新技术进展的关键在于，我们将用来建造半导体的材料正确地组合在一起。” 肖宝夫补充道，电子隧穿设备商业化的历史很长，量子力学隧穿的原理也已被用于数据存储设备中，借用最新技术，未来，一个USB闪存设备或许能拥有数十亿个TFET设备。 科学家们强调说，隧穿晶体管的另一个好处是，使用它们取代目前的晶体管技术并不需要对半导体工业进行很大的变革，现有的很多电路设计和电路制造基础设施都可以继续使用。 尽管TFET的能效与现有晶体管相比稍逊色，但是，去年12月宾州州立大学和今年3月圣母大学的科研团队发表的论文已经表明，隧穿晶体管在驱动电流方面已经取得了创纪录的进步，未来有望获得更大的进展。 达塔说：“如果我们在能效上取得更大成功，将是低能耗集成电路上的重大突破，这反过来会加大我们研制出能自我供能设备的可能性，自我供能设备同能量捕获设备结合在一起，有望使我们研制出更高效的健康检测设备、环境智能设备以及可移植医疗设备。” 总编辑圈点： 滚动的台球，碰到桌壁后总会反弹。而量子理论不排除“穿壁而过”的可能性——在基本粒子级的尺度下，“隧穿”的几率不能忽视。隧穿曾是晶体管电路设计者需要防范的现象，然而科学家最终利用它造出了新式晶体管。几年前就有计算机试用了这种新式硅片，它要求的电压更小，且在待机状态下不耗电。隧穿晶体管技术一旦投入商用，CPU的设计者就不必忧虑发热的老问题了。

中科院化学所刘云圻研究员研究组最近在有机场效应晶体管方面的研究取得进展，发表在JACS最新一期上。有机场效应晶体管可以有电子学应用和生物传感器应用等，下面给出这篇文章。希望各位能够感兴趣，如果有人愿意翻译我可以给积分和加精！[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=28773]1-Imino Nitroxide Pyrene for High Performance Organic Field-Effect Transistors with Low Operating Voltage[/url]

近日，美国科学家使用世界上最纤薄的材料——石墨烯研制出一种晶体管，新晶体管拥有创纪 录的开关性能，将开关频率提高了1000多倍，这使得其可以广泛应用于未来的电子设备和计算机中，使其功能更强，性能更优异。　　美国南安普敦大学纳米研究小组的扎卡里亚·摩卡塔德博士将石墨烯设置成二维的蜂巢结构，并由此研发出了该石墨烯场效应晶体管（GFETs），该晶体管拥有一个独特的管道结构，相关研究发表在《电子快报》杂志上。　　摩卡塔德表示，硅互补金属氧化物半导体（CMOS）的尺寸不断缩减，正在逼近其极限，因此需要找到合适的替代物，而在电子领域，石墨烯有望取代 硅，至少能同硅集成在一起使用，但石墨烯固有的物理特性使其很难切断电流。该纳米研究小组的主任希罗斯·米祖塔说：“全球有很多科学家在殚精竭虑地进行研 究，试图切断GFETs的管道，但目前的方法要么要求管道的宽度小于10纳米，要么需要在双层石墨烯层上垂直施加超高的电压，这使得通过这些方法得到的开 关频率都无法达到实际应用需要的标准。”　　摩卡塔德研究发现，通过在双层石墨烯纳米线中引入几何形状（比如弯管和边角等），可以有效地切断电流。米祖塔表示，摩卡塔德研制出的晶体管将开关频率提高了1000多倍。　　该校电子和计算机科学系主任哈维·鲁特表示：“这是一个重要的突破，其对下一代计算机、通讯和电子设备的研发具有重要意义，借此，我们可以超越 目前已有的CMOS技术，研发出更加高级的晶体管。将几何形状引入石墨烯管道内是一个新想法，该方法在让GFETs保持结构简单的同时获得卓越的性能，因 此，可以很容易实现商业化生产。”　　摩卡塔德现正在进行更进一步的研究，以了解致使电流在该石墨烯晶体管管道内停止流动的机制。

晶体管特性图示仪是一种可以检测晶体管的特性参数的电子测量仪器。晶体管特性图示仪操作简便，主要有六个旋钮，每个旋钮代表不同的功能作用。它们分别是用来测试调控电流开关、电压开关、峰值电压开关、功耗限制电阻、零电压、零电流开关。晶体管特性图示仪的工作原理大致是这样的：通过示波管的内刻度可直接读测半导体管的低频直流参数，通过摄影装置可记录所需的特性曲线；根据需要还可以测试隧道二极管、场效应管、VMOS管、达林顿管及可控硅等半导体材料制做的器件。晶体管特性图示仪可同时在示波器管荧光屏上显示两只同类型半导器件的特性曲线。晶体管特性图示仪的具体参数如下：集电极扫描电压0-500V 二端测试电压0-5KV、 集电极电流1μA-500mA/div 、具有脉冲阶梯信号。

晶体管毫伏表由输入保护电路、前置放大器、衰减放大器、放大器、表头指示放大电路、整流器、监视输出及电源组成。晶体管毫伏表输入保护电路用来保护该电路的场效应管。衰减控制器用来控制各档衰减的接通，使仪器在整个量程均能高精度地工作。整流器是将放大了的交流信号进行整流，整流后的直流电流再送到表头。 晶体管毫伏表的监视输出功能主要是来检测仪器本身的技术指标是否符合出厂时的要求，同时也可作放大器使用。

为了能方便地在本版讨论，请对您研究的传感器及其内容给予简单的介绍。首先，介绍一下本人从事的研究内容。我是做一维纳米场效应晶体管生物传感器的，以纳米线或纳米管为换能器。主要以微加工技术、纳米材料制备和电化学测量为基础。前两项是我的长项，电化学测量还没接触过。所以，还要请各位给予无私的帮助！

石墨烯--对于这个概念今天是第一次听说，但不闻则已，一鸣惊人下面我给大家简要介绍下石墨烯的主要应用前景哦2008年4月，权威的美国《科学》杂志发布，英国曼切斯特大学科学家开发出世界最小的晶体管。有业内人士认为，摩尔定律也许能借此延续下去。 众所周知，根据半导体业著名的摩尔定律，芯片的集成度每18个月至2年提高一倍，即加工线宽缩小一半。人们普遍认为，这一定律还能延续10年。提出该定律的摩尔本人也曾公开表示，10年之后，摩尔定律将很难继续有效，因为采用目前的工艺和硅基半导体材料来延长摩尔定律寿命的发展道路已逐渐接近终点。世界上最小的晶体管 硅材料的加工极限一般认为是10纳米线宽。受物理原理的制约，小于10纳米后不太可能生产出性能稳定、集成度更高的产品。然而英国科学家发明的新型晶体管将延长摩尔定律的寿命。该晶体管有望为研制新型超高速计算机芯片带来突破。值得一提的是世界最小晶体管的主要研制者也是于2004年开发出石墨烯的人，他们就是英国曼切斯特大学物理和天文学系的安德烈K海姆（Andre Geim）教授和科斯佳诺沃谢洛夫（Kostya Novoselov）研究员。正是因为开发出了石墨烯，他们获得了2008年诺贝尔物理奖的提名。由上述两人率领的英国科学家开发出的世界最小晶体管仅1个原子厚10个原子宽，所采用的材料是由单原子层构成的石墨烯。石墨烯作为新型半导体材料，近年来获得科学界的广泛关注。英国科学家采用标准的晶体管工艺，首先在单层石墨膜上用电子束刻出沟道。然后在所余下的被称为“岛”的中心部分封入电子，形成量子点。石墨烯晶体管栅极部分的结构为10多纳米的量子点夹着几纳米的绝缘介质。这种量子点往往被称为“电荷岛”。由于施加电压后会改变该量子点的导电性，这样一来量子点如同于标准的场效应晶体管一样，可记忆晶体管的逻辑状态。另据报导，英国曼切斯特大学安德烈海姆教授领导的科研团队，除了已开发出了10纳米级可实际运行的石墨烯晶体管外，他们尚未公布的最新研究成果还有，已研制出长宽均为1个分子的更小的石墨烯晶体管。该石墨烯晶体管实际上是由单原子组成的晶体管。神奇的半导体材料 石墨烯开发者之一的曼切斯特大学诺沃谢洛夫博士指出，石墨烯是研究领域的“金矿”，在很长一段时间内，研究人员将会陆续“开采”出新的研究成果。 那么石墨烯又为何物呢？石墨烯（Graphene）是一种从石墨材料中剥离出的单层碳原子薄膜，是由单层六角元胞碳原子组成的蜂窝状二维晶体。换言之，它是单原子层的石墨晶体薄膜，其晶格是由碳原子构成的二维蜂窝结构。这种石墨晶体薄膜的厚度只有0.335纳米，将其20万片薄膜叠加到一起，也只相当一根头发丝的厚度。该材料具有许多新奇的物理特性。石墨烯是一种零带隙半导体材料，具有远比硅高的载流子迁移率, 并且从理论上说，它的电子迁移率和空穴迁移率两者相等，因此其n型场效应晶体管和p型场效应晶体管是对称的。还有，因为其具有零禁带特性，即使在室温下载流子在石墨烯中的平均自由程和相干长度也可为微米级, 所以它是一种性能优异的半导体材料。此外，石墨烯还可用于制造复合材料、电池/超级电容、储氢材料、场发射材料以及超灵敏传感器等。因此科研人员争先恐后地投入到如何制备和表征其物理、化学、机械性能的研究。

据美国物理学家组织网4月19日(北京时间)报道，由美国匹兹堡大学领导的一个研究小组日前宣布，他们制造出了一种核心组件直径只有1.5纳米的超小型单电子晶体管。该装置是制造下一代低功耗、高密度超大规模集成电路理想的基本器件，具有极为广泛的应用价值。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。　　单电子晶体管是用一个或几个电子就能记录信号的晶体管，其尺度都处于纳米级别。随着集成电路技术的发展，电子元件的尺寸越来越小，由单电子晶体管组成的电路日益受到研究人员的青睐，其高灵敏度的特性和独特的电气性能使其成为未来随机存储器和高速处理器制造材料的有力竞争者。　　据研究人员介绍，这种新型单电子晶体管的核心组件是一个直径只有1.5纳米的库伦岛，另外还有一两个电子负责对信号进行记录。负责该项研究的匹兹堡大学文理学院物理学和天文学教授杰里米·利维称，该晶体管未来可用于研制具有超密存储功能的量子处理器。这种处理器将能轻松应对那些让目前全世界所有的计算机同时工作数年也计算不完的复杂问题。同时因其中央的库伦岛可以被当作人工原子，该晶体管还可用来制造自然界原本并不存在的新型超导材料。　　利维和其同事将这种超小型单电子晶体管命名为“SketchSET”。原因在于这项技术受到了一种名为蚀刻素描画板(Etch A Sketch)的启发，这种晶体管的制造原理也与其类似。在实验中，通过原子力显微镜，研究人员用一种极为尖锐的电导探针就能在钛酸锶晶体界面上用1.2纳米厚的一层铝酸镧“蚀刻”出所需的晶体管。　　据介绍，SketchSET是第一个完全由氧化物制成的单电子晶体管，并且其库伦岛内能容纳两个电子。经过库伦岛的电子数量可以是0、1或2，而不同数量的电子将决定其具有怎样的导电性能。　　利维表示，这种单电子晶体管对电荷极为敏感，且所使用的氧化物材料具有铁电效应，该晶体管还可制成固态存储器，即便没有外部电源，该晶体管存储器也不会丢失此前存储的信息。此外，这种晶体管对压力变化也极为敏感，根据这一特性可用其来制成纳米尺度的高灵敏度压力传感设备。　　1959年一个芯片上只能放一个晶体管，今天家用计算机微处理器上的晶体管数量已达11.7亿，是半导体材料支撑起了电子计算机时代。下一代计算机如何发展？无论是基于单电子晶体管的量子计算机，还是基于蛋白质技术的生物计算机，我们还是要从新材料上找答案。当前已经有多种单电子晶体管研制出来，也许这些方案将来都派不上用场，然而每次实验都会向成功迈进一步，最后开启计算机新时代的新材料一定会在这些实验中脱颖而出。

科技日报 2013年11月05日 星期二 科技日报讯 在基因组测序技术领域，科学家在不断追求速度更快、成本更低的方法和设备。据物理学家组织网10月30日报道，最近，美国伊利诺斯大学厄本那—香槟分校最近开发出了一种新奇的方法：把石墨烯纳米带（GNR）夹在两层有纳米孔（内径约1纳米）的固体膜中间，再让DNA分子穿过这种“三明治”设备，以此来感知辨认所通过的DNA碱基对。 研究人员设计的DNA感测器是一种以石墨烯为基础的场效应类晶体管设备，能探测DNA链的旋转和位置结构。实现这一点的关键是利用了石墨烯的电学性质，制成的GNR可以多方调节，改变它的边缘形状、载流子浓度、纳米孔位置等，由此来调节它的电导率和对外部电荷的灵敏度。 “在这一专业领域，当前主要的实验研究是模型模拟。”这里面临着许多难题和挑战，让-皮埃尔·莱伯顿教授介绍说，常用的密度泛函理论（DFT，一种物理学和化学中所用的量子力学模型方法，用于研究多物体系统的电子结构），仅限于固体系统中，而我们所处理的是一种固—液混合系统。此外，DFT还要对石墨烯纳米带假设一些过于简单和理想化的条件，比如GNR宽度要一致，边缘要规则，纳米孔还要位于石墨烯带的中心，没有电解液的静电穿透等。 “在我们的方法中，我们使用一种多轨道紧绑（TB）技术，比DFT处理的原子数量要大得多，而且考虑了GNR宽度不一，边缘不规则，以及纳米孔大小和位置不同等问题。”莱伯顿解释说。此外，他们用一种多尺度法处理了双混系统。 研究人员指出，其他领域也可能从这项研究中受益。比如开发新的小型生物电子设备，广泛用于个体化医疗。莱伯顿说：“从更广泛的意义上说，这是生物学与纳米电子学在分子水平上的互动。纳米电子设备带给我们控制生物信息的可能，利用生物处理海量信息的能力，开辟信息处理技术的新天地。”（常丽君）

新设计在开发实用光学晶体管方面迈出了重要一步2011年05月07日 来源： 科技日报 作者： 常丽君　　本报讯 据物理学家组织网5月5日报道，德国维尔斯特拉斯应用分析和随机研究所和马克思·波恩研究所的科学家携手，提出了一种新型全光晶体管的设计方案，即使用一束光脉冲控制另一束，形成完全由光控制的“光路”。最新设计解决了该领域目前面临的多道难题，相关论文发表在最近出版的《物理评论快报》上。 　　用光子取代电子来传导光，使传统电缆或线路“变身”为“光路”，最终用光子计算机替代电子计算机，是物理学家一直孜孜追求的目标。因为，与电子晶体管相比，光晶体管在转换速度、散热等诸多性能上拥有无可匹敌的优势。　　此类研究的关键是找到一个“开关”，将一束光的能量转移到另一束光上。要实现这一点，常规方法是改变光纤属性。而更好的方式是使用另一束脉冲——“控制脉冲”来实现“全光转换”，以此形成某种完全由光操控的“光路”。　　在最新研究中，科学家使用一束较弱的分散脉冲来控制另一束较强的信号脉冲，分散控制脉冲比信号脉冲弱7倍。这两束脉冲能在一个非线性介质中以不同频率、相同方向和几乎相同的速度传播。如果后发脉冲能赶上另一束脉冲，两束脉冲就会相互作用。　　从控制脉冲的角度而言，信号脉冲好比是宇宙白洞的边界，以它为边线，外面任何物质都无法进入，因此，科学家们设想，将信号脉冲和控制脉冲锁在这片“势力范围”内足够长的时间，直到控制脉冲改变信号脉冲的强度、频率、速度或形状等属性，控制脉冲就能像开关一样调控信号脉冲，实现其在晶体管中的功能。　　研究人员在论文中指出，如果后发脉冲被前面脉冲所产生的“边界线”所影响，信号脉冲就会和控制脉冲发生能量交换。无论“边界线”的拥有者是谁，只要两束脉冲的速度非常接近，都会发生能量转移。而且，信号脉冲还能被重复调控，设计出实际可行的路线。而实现该“全光电路”的关键，就是通过调节控制激光来多次调整信号脉冲的衰减或增益。　　研究人员还指出，全光晶体管还克服了光的级联能力和扇出的难题。因为强脉冲不会分散传播或破裂成多重脉冲，可输出强脉冲作为下一次转换的输入，由此实现转换路线的光级联。虽然目前全光晶体管还未得到演示，新设计在开发实用光学晶体管方面迈出了重要一步。（常丽君）

日本物质材料研究机构今天公布，他们与东京大学等共同开发出一种新型晶体管，可使电子器件的电力消耗控制在目前的百万分之一左右。新型晶体管不但能使电子产品大幅减少耗电量，还可让便携式通信工具充电次数减少，可能实现今后的计算机瞬间启动开机。　　晶体管是利用半导体的微小部件，利用电流的开关控制电子信号进行数据记录和演算，是计算机、电视、手机等电子机器的“大脑”。迄今为止，晶体管的工作原理是通过电子的移动控制动作，但因其漏电无法防止，大量电能无谓地耗损。而新型晶体管通过铜原子离子化实现移动和复元，并不依靠电子移动，可以把绝缘体做得较厚，漏电可以得到很好控制。由于移动的铜原子很少，仅有数十个，新型晶体管电力消耗仅为现在晶体管的百万分之一。　　随着智能手机等便携式通信工具智能化提高，其耗电量越来越大，须频繁充电才能保证正常使用。新型晶体管由于耗电量小，能大幅减少充电次数，市场前景非常看好。开发该技术的研究小组准备与企业合作，数年后实现该晶体管的市场化。　　该成果刊载于12月24日出版的《日本物理学会》杂志电子版。

JJG (电子) 04014-1988 晶体管特性图示仪[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=50932]JJG (电子) 04014-1988 晶体管特性图示仪[/url]

错误信息提示：通过功率晶体管的电流超出容限。晶体管电流超出容限后，晶体管会烧吗？打开等离子体舱门，靠近舱门能闻到轻微的线烧味。请问各位有没有遇到过这样的问题？是怎么解决的？

我公司有台7211分光光度计的稳压电源出现故障，给钨灯提供电压的电路部分没有输出电压，但是在推动晶体管发射极有电压，而与它相连的3DD15D晶体管基极却没有电压，从而使输出部分无电压。希望各位大侠帮我分析一下，或给我提供相关资料，我的EMAIL：6785045@sina.com.小弟万分感谢!!![em17]

[align=center][img=BLP05H6700XR功率晶体管Ampleon,199,170]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20240603/1717380641473459.png[/img][/align]　　BLP05H6700XR功率LDMOS 晶体管是由 [url=https://www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url] 公司生产的一款高性能产品，主要针对 HF 至 600 MHz 频段的广播、工业、航空航天和国防应用进行优化。该晶体管具有 700 W 的额定功率，并具备以下特点和优势：　　- 易于控制功率输出　　- 集成双面 ESD 保护，支持 C 类操作和完全关断　　- 卓越的耐用性，VSWR 高达 65 : 1　　- 高效率的功率传输　　- 优良的热稳定性　　- 专为宽带工作设计，覆盖 HF 至 600 MHz　　- 50 V 工作电压，便于宽带匹配　　- 提供直引线和鸥翼式引线两种封装形式　　- 符合 RoHS 标准[b]　　应用信息[/b]　　在脉冲 RF 信号条件下，晶体管的主要参数如下：　　频率 (f): 108 MHz　　漏源电压 (Vds): 50 V　　功率输出 (PL): 700 W　　功率增益 (Gp): 26 dB　　效率 (ηD): 75%　　应用领域包括工业、科学和医疗应用，广播发射机应用，以及航空航天和国防应用。该晶体管以其优异的性能和坚固的设计，确保在苛刻环境下的可靠性和效率。[b]相关推荐：[/b][url=https://www.ldteq.com/article/3471.html]0.4-1.0GHz UHF功率晶体管Ampleon[/url][color=#0070c0] [/color][url=https://www.ldteq.com/article/3474.html]1.4-2.2GHz L/S波段射频功率晶体管Ampleon[/url][url=https://www.ldteq.com/article/3478.html]2.3-2.7GHz S波段射频功率晶体管Ampleon[/url][url=https://www.ldteq.com/article/3483.html]3.3-5.0GHz S/C波段射频功率晶体管Ampleon[/url][url=https://www.ldteq.com/]立维创展[/url][size=14px][size=15px][color=#0070c0][/color][/size][size=15px][color=#333333]专业代理[url=https://www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url]产品，拥有价格优势，欢迎咨询。[/color][/size][/size]

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CGH40045FE射频功率晶体管是[url=https://www.leadwaytk.com/brand/35.html]CREE[/url]公司提供的一款性能优越的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。它操作在28伏的电压轨道上，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。该晶体管具有高效率、高增益和宽带性能，适用于线性和压缩放大器电路。[align=center][img=CGH40045FE射频功率晶体管CREE]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252054353284.png[/img][/align][b]　　以下是CGH40045FE射频功率晶体管的一些特征：[/b]　　1.工作频率高达4 GHz　　2.在2.0 GHz时具有16 dB的小信号增益，在4.0 GHz时为12 dB　　3.PSAT(饱和输出功率)为55 W　　4.工作电压28 V[b]　　应用：[/b]　　2路私人无线电：适用于私人通信设备中的发射和接收模块。　　宽带放大器：用于需要高频宽带放大器的应用，如电信基础设施等。　　蜂窝基础设施：可用于蜂窝网络基站和设备的射频传输模块。　　测试仪器：适用于各种测试仪器的射频信号放大模块。　　A类，AB类，线性放大器：适用于各种调制方式(如OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA)下的线性和压缩放大器设计。[b]产品选型：[/b][table=90%][tr][td=1,1,75][b]Order Number[/b][/td][td=1,1,171][b]Description[/b][/td][td=1,1,92][b]Init of Measure[/b][/td][td=1,1,152][b]Image[/b][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045F[/td][td=1,1,171]GaN HEMT[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152][img=image.png]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252188858765.png[/img][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045P[/td][td=1,1,171]GaN HEMT[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152][img=image.png]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252198984376.png[/img][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045F-AMP[/td][td=1,1,171]Test board with GaN HEMT installed[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152][img=image.png]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252207570347.png[/img][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045P-AMP[/td][td=1,1,171]Test board with GaN HEMT installed[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152] [/td][/tr][/table][font=微软雅黑][/font][url=https://www.leadwaytk.com/]深圳市立维创展科技[/url][font=宋体][size=14px]是[/size][/font][font=Calibri][size=14px][url=https://www.leadwaytk.com/brand/35.html]CREE[/url][/size][/font][font=宋体][size=14px]的经销商，拥有[/size][/font][font=Calibri][size=14px]CREE[/size][/font][font=宋体][size=14px]微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。[/size][/font]

生物电化学传感器是生物传感器中研究最早、种类最多的一个分支，它具有专一、高效、简便、快速的优点，已应用于生物、医学及工业分析等方面。按其工作原理，生物电化学传感器可分为三类：（一）代谢型：包括酶传感器、组织传感器与微生物传感器等；（二）亲和型：包括免疫传感器、受体传感器和生物素传感器；（三）仿生型：包括人工酶仿生传感器和脂质膜开关传感器等。微型酶传感器已能进入细胞进行在体检测与监控。利用生物活性与待测物起反应，把反应中发生的物理量和化学量的变化转变为电信号或光电信号的器件。主要有（1）酶传感器。把对被测底物具有选择性响应的酶层固定在离子选择电极表面而制成。待测底物是各种有机物，在酶的催化作用下，生成的催化产物被电极响应而检测。例如测定葡萄糖的酶传感器。（2）细菌或组织传感器。稳定性好，但选择性不如酶传感器。例如测定氨基酸的组织传感器。（3）免疫传感器。能检测抗原或抗体，例如利用碘离子选择电极可以测定乙型肝炎抗原。（4）场效应晶体管（FET）生物电化学传感器。把酶或其他子识别物质和离子功能纳米材料组装生物电化学传感器 目前市场上相类似的产品已经面试，特别值得介绍的是量子核磁共振分析仪。是一种新兴的快速、准确、无创波谱检测方法，特别适用于药品、保健品疗效对比和亚健康的检查，其检测项目主要有：心脑血管、骨密度、微量元素、血铅、风湿病、肺呼吸道、肾病、血糖、肠胃、肝胆、脑神经、妇科、前列腺、骨病、钙铁锌硒等30多种类检测项目以及上百条的检测报告。是健康行业的福音。

电阻 电阻在电路中用「R」加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻 五色环电阻（精密电阻） 2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色 有效数字 倍率 允许偏差（%）银色 / x0.01 ±10金色 / x0.1 ±5黑色 0 +0 /棕色 1 x10 ±1红色 2 x100 ±2橙色 3 x1000 /黄色 4 x10000 /绿色 5 x100000 ±0.5蓝色 6 x1000000 ±0.2紫色 7 x10000000 ±0.1灰色 8 x100000000 /白色 9 x1000000000 /电容 1、电容在电路中一般用「C」加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的组件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×10² PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF3、电容容量误差表符 号 F G J K L M允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。晶体二极管晶体二极管在电路中常用「D」加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为「P」、「N」来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下：型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000电流（A） 均为1稳压二极管稳压二极管在电路中常用「ZD」加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V电感电感在电路中常用「L」加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。 电感的基本单位为：亨（H） 换算单位有：1H=103mH=106uH。 变容二极管变容二极管是根据普通二极管内部 「PN结」 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。晶体三极管晶体三极管在电路中常用「Q」加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。名称 共发射极电路 共集电极电路（射极输出器） 共基极电路输入阻抗 中（几百欧～几千欧） 大（几十千欧以上） 小（几欧～几十欧）输出阻抗 中（几千欧～几十千欧） 小（几欧～几十欧） 大（几十千欧～几百千欧）电压放大倍数 大 小（小于1并接近于1） 大电流放大倍数 大（几十） 大（几十） 小（小于1并接近于1）功率放大倍数 大（约30～40分贝） 小（约10分贝） 中（约15～20分贝）频率特性 高频差 好 好续表应用 多级放大器中间级，低频放大 输入级、输出级或作阻抗匹配用 高频或宽频带电路及恒流源电路场效应晶体管放大器1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1是两种型号的表示符号：3、场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制组件，而晶体管是电流控制组件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

AC(alternating current) 交流(电) A／D(analog to digital) 模拟／数字转换 ADC(analog to digital convertor) 模拟／数字转换器 ADM(adaptive delta modulation) 自适应增量调制 ADPCM(adaptive differential pulse code modulation) 自适应差分脉冲编码调制 ALU(arithmetic logic unit) 算术逻辑单元 ASCII(American standard code for information interchange) 美国信息交换标准码 AV(audio visual) 声视，视听 BCD(binary coded decimal) 二进制编码的十进制数 BCR(bi-directional controlled rectifier)双向晶闸管 BCR(buffer courtier reset) 缓冲计数器 BZ(buzzer) 蜂鸣器，蜂音器 C(capacitance，capacitor) 电容量，电容器 CATV(cable television) 电缆电视 CCD(charge-coupled device) 电荷耦合器件 CCTV(closed-circuit television) 闭路电视 CMOS(complementary) 互补MOS CPU(central processing unit)中央处理单元 CS(control signal) 控制信号 D(diode) 二极管 DAST(direct analog store technology) 直接模拟存储技术 DC(direct current) 直流 DIP(dual in-line package) 双列直插封装 DP(dial pulse) 拨号脉冲 DRAM(dynamic random access memory) 动态随机存储器 DTL(diode-transistor logic) 二极管晶体管逻辑 DUT(device under test) 被测器件 DVM(digital voltmeter) 数字电压表 ECG(electrocardiograph) 心电图 ECL(emitter coupled logic) 射极耦合逻辑 EDI(electronic data interchange) 电子数据交换 EIA(Electronic Industries Association) 电子工业联合会 EOC(end of conversion) 转换结束 EPROM(erasable programmable read only memory) 可擦可编程只读存储器 EEPROM(electrically EPROM) 电可擦可编程只读存储器 ESD(electro-static discharge) 静电放电 FET(field-effect transistor) 场效应晶体管 FS(full scale) 满量程 F／V(frequency to voltage convertor) 频率／电压转换 FM(frequency modulation) 调频 FSK(frequency shift keying) 频移键控 FSM(field strength meter) 场强计 FST(fast switching shyster) 快速晶闸管 FT(fixed time) 固定时间 FU(fuse unit) 保险丝装置 FWD(forward) 正向的 GAL(generic array logic) 通用阵列逻辑 GND(ground) 接地，地线 GTO(Sate turn off thruster) 门极可关断晶体管 HART(highway addressable remote transducer) 可寻址远程传感器数据公路 HCMOS(high density COMS) 高密度互补金属氧化物半导体(器件) HF(high frequency) 高频 HTL(high threshold logic) 高阈值逻辑电路 HTS(heat temperature sensor) 热温度传感器 IC(integrated circuit) 集成电路 ID(international data) 国际数据 IGBT(insulated gate bipolar transistor) 绝缘栅双极型晶体管 IGFET(insulated gate field effect transistor) 绝缘栅场效应晶体管 I／O(input／output) 输入／输出 I／V(current to voltage convertor) 电流-电压变换器 IPM(incidental phase modulation) 附带的相位调制 IPM(intelligent power module) 智能功率模块 IR(infrared radiation) 红外辐射 IRQ(interrupt request) 中断请求 JFET(junction field effect transistor) 结型场效应晶体管 LAS(light activated switch)光敏开关 LASCS(light activated silicon controlled switch) 光控可控硅开关 LCD(liquid crystal display) 液晶显示器 LDR(light dependent resistor) 光敏电阻 LED(light emitting diode) 发光二极管 LRC(longitudinal redundancy check) 纵向冗余(码)校验 LSB(least significant bit) 最低有效位 LSI(1arge scale integration) 大规模集成电路 M(motor) 电动机 MCT(MOS controlled gyrator) 场控晶闸管 MIC(microphone) 话筒，微音器，麦克风 min(minute) 分 MOS(metal oxide semiconductor)金属氧化物半导体 MOSFET(metal oxide semiconductor FET) 金属氧化物半导体场效应晶体管 N(negative) 负 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor FET) N沟道MOSFET NTC(negative temperature coefficient) 负温度系数 OC(over current) 过电流 OCB(overload circuit breaker) 过载断路器 OCS(optical communication system) 光通讯系统 OR(type of logic circuit) 或逻辑电路 OV(over voltage) 过电压 P(pressure) 压力 FAM(pulse amplitude modulation) 脉冲幅度调制 PC(pulse code) 脉冲码 PCM(pulse code modulation) 脉冲编码调制 PDM(pulse duration modulation) 脉冲宽度调制 PF(power factor) 功率因数 PFM(pulse frequency modulation) 脉冲频率调制 PG(pulse generator) 脉冲发生器 PGM(programmable) 编程信号 PI(proportional-integral(controller)) 比例积分(控制器) PID(proportional-integral-differential(controller))比例积分微分(控制器) PIN(positive intrinsic-negative) 光电二极管 PIO(parallel input output) 并行输入输出 PLD(phase-locked detector) 同相检波 PLD(phase-locked discriminator) 锁相解调器 PLL(phase-locked loop) 锁相环路 PMOS(P-channel metal oxide semiconductor FET) P沟道MOSFET P-P(peak-to-peak) 峰--峰 PPM(pulse phase modulation) 脉冲相位洲制 PRD(piezoelectric radiation detector) 热电辐射控测器 PROM(programmable read only memory) 可编只读程存储器 PRT(platinum resistance thermometer) 铂电阻温度计 PRT(pulse recurrent time) 脉冲周期时间 PUT(programmable unijunction transistor) 可编程单结晶体管 PWM(pulse width modulation) 脉宽调制 R(resistance，resistor) 电阻，电阻器 RAM(random access memory) 随机存储器 RCT(reverse conducting thyristor) 逆导晶闸管 REF(reference) 参考，基准 REV(reverse) 反转 R/F(radio frequency) 射频 RGB(red／green／blue) 红绿蓝 ROM(read only memory) 只读存储器 RP(resistance potentiometer) 电位器 RST(reset) 复位信号 RT(resistor with inherent variability dependent) 热敏电阻 RTD(resistance temperature detector) 电阻温度传感器 RTL(resistor transistor logic) 电阻晶体管逻辑(电路) RV(resistor with inherent variability dependent on the voltage) 压敏电阻器 SA(switching assembly) 开关组件 SBS(silicon bi-directional switch) 硅双向开关，双向硅开关 SCR(silicon controlled rectifier) 可控硅整流器 SCS(safety control switch) 安全控制开关 SCS(silicon controlled switch) 可控硅开关 SCS(speed control system) 速度控制系统 SCS(supply control system) 电源控制系统 SG(spark gap) 放电器 SIT(static induction transformer) 静电感应晶体管 SITH(static induction thyristor) 静电感应晶闸管 SP(shift pulse) 移位脉冲 SPI(serial peripheral interface) 串行外围接口 SR(sample realy，saturable reactor) 取样继电器，饱和电抗器 SR(silicon rectifier) 硅整流器 SRAM(static random access memory) 静态随机存储器 SSR(solid-state relay) 固体继电器 SSR(switching select repeater) 中断器开关选择器 SSS(silicon symmetrical switch) 硅对称开关，双向可控硅 SSW(synchro-switch) 同步开关 ST(start) 启动 ST(starter) 启动器 STB(strobe) 闸门，选通脉冲 T(transistor) 晶体管，晶闸管 TACH(tachometer) 转速计，转速表 TP(temperature probe) 温度传感器 TRIAC(triodes AC switch) 三极管交流开关 TTL(transistor-transistor logic) 晶体管一晶体管逻辑 TV(television) 电视 UART(universal asynchronous receiver transmitter) 通用异步收发器 VCO(voltage controlled oscillator) 压控振荡器 VD(video decoders) 视频译码器 VDR(voltage dependent resistor) 压敏电阻 VF(video frequency) 视频 V／F(voltage-to-frequency) 电压／频率转换 V／I(voltage to current convertor) 电压-电流变换器 VM(voltmeter) 电压表 VS(vacuum switch) 电子开关 VT(visual telephone) 电视电话 VT(video terminal) 视频终端