有机场效应晶体管

用途：CS526 pH传感器采用具有先进水平的ISFET（场效应晶体管）技术，内置了一个镀银/氯化银-氯化钾参比系统。ISFET技术是当前最先进的pH值检测技术，能够有效降低极端pH条件下的酸性或碱性测量误差，这使得CS526 pH传感器可以在含有腐蚀性化学品、生物制剂的水体环境中正常工作，而这是传统的玻璃材料的pH探头所无法实现的。特点：采用创新性设计的ISFET技术，可用于极端pH环境下；全密封设计，易清洗，有效防止积垢、污染；比传统的玻璃制pH传感器更耐磨，适合于野外的长期观测；设计优良，制作精湛，环境适应性强；每个探头经过单独出厂测试；符合ISO900、CE标准；具备全温度补偿功能。技术规格：pH量程1~14 pH供电5 VDC耗电最大15 mA输出串行TTL逻辑，2400bps，8个数据位，无奇偶校验，1个停止位精度±0.2 pH（10~40℃）工作温度10~40℃24小时漂移0.15 pH（温度25℃时pH7的溶液15分钟后）承受水压0~700 kPa最大电缆长度100米传感器材质聚醚醚酮尺寸长度102毫米×直径16毫米重量318克（带3米电缆）产地：美国

Campbell Scientific Inc.最新推出的CS526 pH计采用具有先进水平的场效应晶体管技术（Ion-sensitive field-effect transistor，ISFET），内置了一个镀银/氯化银-氯化钾参比系统。ISFET技术是当前最先进的pH值检测技术，能够有效降低极端pH条件下的酸性或碱性测量误差，这使得CS525可以在含有腐蚀性化学品、生物制剂的水体环境中正常工作，而这是传统的玻璃材料的pH探头所无法实现的。 特点：　　◆ 采用创新性设计的ISFET技术，可用于极端pH环境下　　◆ 全密封设计，易清洗，有效防止积垢、污染　　◆ 比传统的玻璃制pH传感器更耐磨，适合于野外的长期观测　　◆ 设计优良，制作精湛，环境适应性强　　◆ 与Campbell的数据采集器有良好兼容性　　◆ 每个探头经过单独出厂测试　　◆ 符合ISO900、CE标准　　◆ 具备全温度补偿功能 技术参数：　　pH量程：0~14　　电压：+5VDC　　电流：15mA　　测量时间：200ms500ms　　输出：串行TTL，8 bit，2400 bps　　精度：±0.2pH（10~40℃时）　　工作温度：10~40℃　　允许液体压力：0~700kPa（0~101.5psi）　　最大电缆长度：100m　　材质：聚芳醚醚酮　　尺寸：长10.2cm，直径1.6cm　　重量：318g（含3.3m电缆） 产地：美国

这套电光Q开关系统由高压Q开关电源/时序控制器，高压脉冲输出模块和Q开关/普克尔盒组成。为了产生偏振光，也可以再增加一个高功率格兰偏振器。这套电光Q开关系统使用了先进的高压场效应晶体管电路，转换速度高达5ns，适合的工作频率最高达5KHz, 这套电光Q开关系统是一种多功能，高可靠性，操作简单的电光系统。在中科院上海光机所，复旦大学，南开大学，哈尔滨工业大学，山东大学等单位大量广泛使用。5048型电光Q开关系统使用高可靠性的Q开关电源可以在各种情况下工作,Q开关电源输出脉冲电压而不改变其波形。 电光Q开关系统配备了独特的FET高压输出Q开关电源开关，可以保证在输出各种电压的情况下保持其上升时间不变。而且，可以从电源的面板上手动调节高压转换模块的输出脉冲电压，非常方便地与半波电压和四分之一电压匹配。这套电光Q开关系统可以选配如下普克尔盒晶体材料：KD*P晶体：适合300-1100nm的激光 LiNbO3晶体：适合700-2500nm的激光 其中，对于KD*P晶体而言，如果激光光斑直径大于8mm，或峰值功率密度大于750MW/cm2(10ns 脉冲)，建议选择对KD*P工作面进行Sol Gel 增透镀膜。而LiNbO3Q开关建议用于高重复频率（100pps）和低峰值功率密度（250MW/cm2）的激光。 5048型电光Q开关系统构成：高压电源/时序控制器/Q开关电源，高压输出模块，各种连线和接头，LiNbO3 普克尔盒或 KD*P普克尔盒5048型电光Q开关系统参数：（说明：这套Q开关系统比较适合1064nm激光，其他波长的激光应用请与我们联系）主要特色： Q开关电源脉冲电压高达8KV 电光Q开关系统重复频率高达5KV 电光Q开关系统全固态，上升时间小于10ns 波长范围300-2500nm 可使用KD*P，CdTe，BBO, LiNbO3和其他Q开关材料Q开关电源可增加EMI/RFI抑制功能，以及外腔使用的高压驱动器等附件。电光Q开关系统符合欧洲CE标准，安全可靠电光Q开关系统 (含Q开关电源,普克尔盒）参数波长范围：LiNbO3: 700-2500nm KD*P: 300-1100nm光学透过率：LiNbO3: 99℅ KD*P: 98.5℅ (增透镀膜时)光学转换速度：5ns建议的峰值功率密度（无热点):LiNbO3开关: 最大 250MW/cm2 KD*P开关: 850MW/cm2 (10ns 脉宽)输出脉冲重复频率:1Hz-5KHz输出脉冲延迟:35微秒—1毫秒输出脉冲抖动:+/-0.2℅ of setting +1ns输出脉冲抖动（直接触发高压脉冲模块）:1ns电力要求：100-130V 或190-240V 50/60Hz AC高压电源/时序发生器尺寸：8x11x11英寸标准输出脉冲模块尺寸：2.5x3x6英寸领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

透明度：97%,外观（形状）：薄，覆盖率：95%，石墨烯层数：1，厚度（原理上）：0.345毫微米，场效应管电子AI203迁移率：2,000cm2/Vs,场效应管SIO2/SI的电子迁移率：4,000cm2/Vs,表面电阻：170欧姆平方米，晶粒尺寸：约10μm，SIO2/SI:干氧化物厚度：300毫微米（+/-5%),类型/搀杂剂：欠压复位、方向：100，电阻率：0.005 Ohm.cm,厚度：525+/-20μm，前端表面：单侧抛光，背面：蚀刻，粒子：10@0.3μm、应用：石墨烯研究、石墨烯晶体管和电子应用、石墨烯光电子学、等离子体和纳米光电，石墨烯探测器（测量光子通量或航天工业）生物传感器，生物电子学，航空工业（电子工业、热界面材料等）微电子机械系统，纳米电磁系统。

梅特勒 PH电极 分类 型号 订货号 说明 PH电极 InLab Pure 51343170 纯水电极(1-11pH,0-80℃),S7接头(需另配电缆ME52300004)，适合锅炉水、饮用水等纯水的pH测量 InLab Pure Pro 51343171 三合一超纯水电极(1-11pH,0-80℃),多针接头(需另配电缆ME52300009)，内置温度探头，适合锅炉水、注射用水、饮用水等超纯水的pH测量 InLab Power 51343110 粘稠样品pH电极(0-12pH,0-130℃),S7接头(需另配电缆ME52300004)，适合测量各种粘稠、悬浮、油性样品，如胶水、油漆、果酱、奶油、牛奶、土壤悬浮液、乳状液等 InLabPower Pro 51343111 三合一粘稠样品pH电极(0-12pH,0-130℃),多针接头(需另配电缆ME52300009)，内置温度探头，适合测量各种粘稠、悬浮、油性样品，如胶水、油漆、果酱、奶油、牛奶、土壤悬浮液、乳状液等 InLab Viscous 51343150 高粘稠样品pH电极(0-14pH,0-100℃), S7接头, 有Argenthal系统(需另配电缆ME52300004)，适合测量粘稠样品，如：各种膏霜类化妆品、洗发水、沐浴露、染发剂、奶酪、果酱、油漆涂料等 InLabViscous Pro 51343151 高粘稠样品pH电极(0-14pH,0-100℃), S7接头, 有Argenthal系统(需另配电缆ME52300004)，内置温度探头，适合测量粘稠样品，如：各种膏霜类化妆品、洗发水、沐浴露、染发剂、奶酪、果酱、油漆涂料等 InLab 490 51302305 离子敏场效应(ISFET)电极(0-14pH,0-60℃),(NTC 30k&Omega )，Mini-DIN接口及1.2m电 防水 PH电极 InLab 413 /IP67 52000379 三合一电极(0-14pH,0-80℃)BNC/Cinch接口(NTC 30k&Omega )，含1.2m电缆,有防水接头,有Argenthal系统(仅用于MP120,MP125,MI129) InLab413 SG IP67 51340288 pH电极,(0-14pH,0-80℃)，BNC/Cinch接口,含2m电缆(仅用于SG2、SG8、 SG23、SG68、SG78) InLab413 SG/10m IP67 51340289 pH电极(0-14pH,0-80℃)，BNC/Cinch接口,含10m电缆(仅用于SG2、SG8、SG23、SG68、SG78) InLab Solids Pro IP67 51343156 三合一固体/半固体样品pH电极(1-11pH,0-80℃), BNC/Cinch接口, 含1.8m电缆，有防水接头，内置温度探头，适合测量乳酪、肉类、鱼、土壤、固体培养基等固体样品(适用于SG2、SG8、SG23、SG68、SG78) LE438 SG IP67 12107006 pH电极, (0-14pH,0-80℃)，BNC/Cinch接口,含2m电缆(仅用于SG2、SG8、SG23、SG68、SG78) LE438 SG /10m IP67 12107007 pH电极(0-14pH,0-80℃)，BNC/Cinch接口,含10m电缆(仅用于SG2、SG8、SG23、SG68、SG78)

PINFET光接收模块 特点：GR-468-CORE Telcordia 合格高灵敏度高过载功率宽动态范围850,1310,1550nm工作密封包装--行业标准的14-pin DIP封装客户自定义MIL或者IEC筛选LDFR系列可选单电源选项 OSI的PINFET光接收模块为光接收系统提供了其所需的高灵敏度、宽动态范围的最佳解决方案。可应用于电信线路的终端设备或者中继器以及光学传感系统等。该接收模块采用高可靠性封装，满足Telcordia规范。“PINFET”(即P-本征-N，场效应晶体管)表示其是由一个PIN光电二极管和一个离散的高性能的跨阻放大器集成。光通过多模光纤尾纤耦合到探测器，允许与单模或者多模光纤系统进行良好的耦合。 规格@25℃LDSF系列LDPF系列LPDW系列LDFR系列mintypmaxmintypmaxmintypmaxmintypmax暗电流@-5V nA0.510.510.510.51最大光输入@-5V dBm灵敏度等级(dBm)+25dB灵敏度等级(dBm)+25dB-30灵敏度等级(dBm)+25dB温度过高时灵敏度降低额度 dB1111探测灵敏度 A/W0.65850nm0.50.601300nm0.900.900.850.901550nm0.950.950.900.95最大输出信号等级 Vpp2.52.50.83.0输出阻抗 ohms10101010负载阻抗 ohms1000100010001000供电 V4.55.54.55.54.55.54.755.25电源提供电流+5V mA25352535253520电源提供电流-5V mA101510151015光纤--MM紧套 μm50/125/245/90050/125/245/90050/125/245/90050/125/245/900 规格和限制@25℃ 最小带宽建议数据速率灵敏度dBm动态范围dB跨阻MHzMb/smaxtyptypKohmsLDPF系列(无AGC)LDPF 0004LDPF 0012LDPF 0024LDPF 0032LDPF 0065LDPF 0120LDPF 0250412243265120250617344590168350-54-51-48-47-43-40-35-56-53-50-49-45-42-37252525252525251100740340210804010LDPW系列(AGC)LDPW 0003LDPW 0012LDPW 0024LDPW 0036LDPW 0065LDPW 0110312243665110417345290155-54-50-48-46-41-38-56-52-50-48-43-4053494745403711003503402106030LDSF系列(无AGC)LDSF 0004LDSF 0012LDSF 0024LDSF 0032LDSF 0065LDSF 0120LDSF 0250412243265120250617344590168350-51-48-45-44-40-37-32-53 -50-47-46-42-39-34252525252525251100740340210804010最小带宽NEIP pW/SqRt Hz灵敏度dBm动态范围dB跨阻MHztypmaxtyptypKohmsLDFR系列(无AGC)LDFR 0850RLDFR 1550R550.300.25-52-54-54-5625 25940940

我们提供世界上先进的键合晶体技术和优质的键合晶体。 我们采用独特的非粘合剂（光胶）的晶体粘结技术，基于晶体段边界的精密光学接触和扩散键合技术制造键合晶体，We use our own adhesive free bond technology based on precise optical contact of bonded surfaces and diffusion bonding across of solid state boundary of crystal segments.基于上述先进的技术，我们提供先进的键合晶体，这些键合晶体或复合晶体作为晶体微片,可用于微片激光（microchip laser)的制造和实验。我们设计制造YAG+ Nd:YAG键合晶体，YAG+Tm:YAG键合晶体，YAP+Tm:YAP键合晶体,YAG/Er:YAG键合晶体, YAG/Yb:YAG复合晶体，YAG/Yb:LuAG键合晶体等非掺杂段和掺杂段梯度键合的晶体微片.我们还提供被动Q开关V:YAG或Cr:YAG与上述增益激光材料键合的晶体微片。 We design predominantly diffusion bonded Nd:YAG, Tm:YAG, Er:YAG, Yb:YAG and Yb:LuAG rods consisting of undoped and doped segments with gradient doping. We also produce diffusion bonded gain material to passive Q-switch of V:YAG or Cr4+:YAG.Nd:YAG键合晶体棒我 们提供键合Nd:YAG晶体和Nd:YAG晶体棒，由掺杂Nd:YAG晶体和不掺杂Nd:YAG晶体组成。这种 Nd:YAG键合晶体棒有助于减小热透镜效应和其他热应力效应，特别适用于二极管轴向泵浦的谐振腔。例如：Nd:YAG复合晶体，5x(4+8)mm规 格，二极管轴向泵浦的效率超过29.5％。 微片激光器和晶体微片微片激光非常适用于无Q开关的准直的谐振腔。这种紧凑的晶体微片融合了制冷的非掺杂部件，Nd:YAG晶体工作物质和主动的可饱和的吸收器部分。镜片可以直接放在晶体正面，这种晶体微片结构可以有效地从Nd:YAG晶体和可饱和吸收部分消除热量。 这种键合晶体采用先进键合晶体技术,基于晶体段边界光学接触和扩散键合技术,是全球最佳的晶体微片和复合晶体.

产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：于CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。 GaSe（硒化镓晶体）的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe硒化钾晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno = 2.8340 ne = 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno = 2.8136 ne = 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365 GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

Nd:YAG晶体(包括Nd:YAG激光棒和Nd:YAG晶体棒）是采用Czochralski法生长而成的掺钕钇铝石榴石晶体，在Nd:YAG晶体棒生长过程中使用了保护性的大气，精确控制退火，保证了Nd:YAG晶体棒良好的激光产生效率。我们标准的Nd:YAG晶体棒包括： I）Nd粒子掺杂浓度从0.3％到1.3％的Nd:YAG晶体棒和切片；II）Nd:YAG晶体棒直径从2mm到12mm长达160mmIV)Nd:YAG晶体棒按DIN和MIL标准的良好抛光，V）Nd:YAG晶体棒与布儒斯特角垂直或倾斜竖立VI）Nd:YAG晶体棒宽范围的增透，局部或高反镀膜VII）Nd:YAG晶体棒增透膜的R0.2％,抗损伤阈值大于15J/cm2 @10ns 脉宽键合Nd:YAG晶体棒我 们提供键合Nd:YAG晶体棒，由掺杂Nd:YAG晶体棒和不掺杂Nd:YAG晶体组成。这种键合Nd:YAG晶体棒有助于减小热透镜效应和其他热应力效 应，特别适用于二极管轴向泵浦的谐振腔。例如：Nd:YAG键合晶体，5x(4+8)mm规格，二极管轴向泵浦的效率超过29.5％。 微芯片激光非常适用于无Q开关的准直的谐振腔。这种紧凑的产品融合了制冷的非掺杂部件，Nd:YAG晶体工作物质和主动的可饱和的吸收器部分。绝缘镜片可以直接放在晶体正面，这种结构可以有效地从Nd:YAG晶体和可饱和吸收部分消除热量。我们提供的Nd:YAG晶体包括Nd:YAG晶体棒,是采用Czochralski法生长而成的掺钕钇铝石榴石晶体,保证了Nd:YAG晶体棒良好的激光产生效率.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！Nd:YAG晶体棒由孚光精仪进口，孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！提供的Nd:YAG晶体棒, 掺钕钇铝石榴石系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。

[110]晶向的ZnTe碲化锌晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应，也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲，拥有非常宽的频率分量，这些分量间的相互作用（主要是差频）将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。 太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的晶向ZnTe实现光电探测。太赫兹光脉冲会使碲化锌晶体ZnTe产生双折射，因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在（ZnTe）碲化锌晶体中直线传播时，可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片，偏振分光体，以及平衡光电二极管，我们可以完成对可见光的偏振状态的监控，从而得知太赫兹光脉冲的振幅，延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息（振幅和相位延迟）的能力，是时域太赫兹光谱仪比较具有吸引力的特性之一。产品简介碲化锌晶体(ZnTe)是一种具有立方闪锌矿结构的电光晶体，通常被应用于THz波的产生以及探测。产品特点： — 应用于THz产生、探测和光学限幅器— 晶体纯度高 99.995%-99.999%— 表面质量优不同厚度碲化锌晶体ZnTe的TDS测试数据：产生端ZnTe晶体厚度为0.5mm，探测端晶体厚度分别为0.5mm，1mm，2mm碲化锌晶体参数规格：晶格结构：立方闪锌矿密度: 5.633 g/ cm3比热:0.16 J/gK带隙 (300 K)：2.25 eV最大透过率 (λ =7-12 μm):60 % 最大电阻率：109 Ohm*cm折射率 (λ =10.6 μm):2.7电光系数 r41 (λ =10.6 μm):4.0×10-12 m/V电阻率：a). low: 103 Ohm*cm b). high: 109 Ohm*cm最大 IR-optic blank 直径/长度： 38×20 mm最大单晶尺寸 直径/长度： 38×20 mm碲化锌晶体ZnTe产品：碲化锌晶体ZnTe棒、碲化锌晶体晶圆片、碲化锌晶体窗片和基底直径/边长：1-50 mm厚度/长度：0.1-150 mm晶向：(110), (100), (111)表面质量：As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830

ZnS琉化锌晶体光学材料作为一个重要的二，六化合物半导体，硫化锌纳米材料已经引起了极大的关注，不仅因为其出色的物理特性，如能带隙宽，高折射率，高透光率在可见光范围内，而且其巨大的潜力应用光学，电子和光电子器件。硫化锌具有优良的荧光效应及电致发光功能，纳米硫化锌更具有独特的光电效应，在电学、磁学、光学、力学和催化等领域呈现出许多优异的性能，因此纳米硫化锌的研究引起了更多人的重视，尤其是1994年Bhargava报道了经表面钝化处理的纳米ZnS：Mn荧光粉在高温下不仅有高达18% 的外量子效率，其荧光寿命缩短了5个数量级，而且发光性能有了很大的变化，更为ZnS在材料中的应用开辟了一条新途径。可用于制白色的颜料及玻璃、发光粉、橡胶、塑料、发光油漆等。Zinc sulfide is commonly used for IR optics, substrates and as a source for evaporation. Basic propertiesStructure:Cubic (zincblende)Density: 4.08 g/ cm3Knoop Hardness:210 kg/ mm2Young’s Modulus:10.8 MpsiPoisson Ratio:0.27Coef. of Thermal Expansion:6.8×10-6/KSpecific Heat:0.469 J/gKThermal conductivity (at 25 °C):0.16 W/cmKMax. Transmittance (λ=7-12 μm):≥ 71 %Absorption Coef. (λ=10.6 μm):≤0.15 cm-1(including 2 surfaces)Thermo-Optic Coef. (dn/dT):4.7 (λ =10.6 μm)Refractive index (λ=10.6 μm):2.34Electrooptical coefficient r41 (λ=10.6 μm):2×10-12 m/VMax. crystal diameter/length:?38×30 mmZnS Transmission ProductsZnS rods, wafers and substratesDiameter/Width1-38 mmThickness/length0.1-150 mmOrientation(110)Surface qualityAs-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830ZnS crystal pieces for vapour deposition.Purity99.995%, 99.999%Particle size0.01- 10 mm 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体，属钙钛矿结构，其晶胞这样构成：K+离子占据立方体角顶位置，Nb5+占据体心位置，O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3，简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外，还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅，KN不潮解，耐一般酸碱，化学性质十分稳定。 铌酸钾晶体标准特性? - 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh（铑）, Fe（铁）, Mn（锰）, 和 Ni（镍）的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗 可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体，长波可至1000nm - 毫秒级的响应时间 应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 （和激光二极管）- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合 光折变光栅记录时间（photorefractive grating recording times）Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2 铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fe reduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rh reduced860nm1064nm0.5s50s 铌酸钾晶体吸收光谱 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

Nd:YLF晶体,掺钕氟化锂钇采用 Czochralsky 法生长，是全球效率最高的Nd:YLF晶体，具有不同掺杂浓度的Nd:YLF晶体棒或Nd:YLF晶体片，在中科院上海光机所，中国工程物理研究院等单位广泛使用。Nd:YLF晶体，又称为掺钕氟化锂钇, 是一种产生1047nm和1053nm波长激光的晶体. Nd:YLF晶体的主要优点是：超大荧光线宽，低热透镜效应,连续激光应用较低的激发光阈值,自然偏振等。因此，Nd:YLF晶体,掺钕氟化锂钇是连续激光，锁模激光的理想激光晶体材料。Nd:YLF晶体和掺钕氟化锂钇由孚光精仪进口，孚光精仪是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Nd:YLF晶体,掺钕氟化锂钇晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。 Nd:YLF晶体参数和规格材料：Nd:YLF掺杂浓度：0.5 - 1.5%直径公差：+/- 0.05 mm长度公差：+/- 0.5 mm or upon customer' s request平行度：

Nd:YLF晶体，又称为掺钕氟化锂钇, 是一种产生1047nm和1053nm波长激光的晶体. Nd:YLF晶体的主要优点是：超大荧光线宽，低热透镜效应,连续激光应用较低的激发光阈值,自然偏振等。因此，Nd:YLF晶体,掺钕氟化锂钇是连续激光，锁模激光的理想激光晶体材料。Nd:YLF晶体和掺钕氟化锂钇由孚光精仪进口，孚光精仪是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Nd:YLF晶体,掺钕氟化锂钇晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。 我们提供的Nd:YLF晶体,掺钕氟化锂钇采用 Czochralsky 法生长，可提供不同掺杂浓度的Nd:YLF晶体棒或Nd:YLF晶体片。Nd:YLF晶体，又称为掺钕氟化锂钇, 是一种产生1047nm和1053nm波长激光的晶体. Nd:YLF晶体的主要优点是：超大荧光线宽，低热透镜效应,连续激光应用较低的激发光阈值,自然偏振等。因此，Nd:YLF晶体,掺钕氟化锂钇是连续激光，锁模激光的理想激光晶体材料。Nd:YLF晶体参数和规格材料：Nd:YLF掺杂浓度：0.5 - 1.5%直径公差：+/- 0.05 mm长度公差：+/- 0.5 mm or upon customer' s request平行度：领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN Sillenite Oxides的相对较大的电光和法拉第效应使其可用于光纤电/磁场传感器。我们能够少量提供未掺杂的BSO和BGO晶体用于科学研究，并大量用于工业目的。随着2x2x2 - 25x25x25 mm3晶体，我们还提供带有ITO（氧化铟锡）涂层的孔径高达30x30 mm2，厚度为0.5 - 5 mm的晶体板。 锶钡铌酸盐（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一种优异的光学和光折变材料。名义上纯，由Ce，Cr，Co，Fe掺杂。不同组成的SBN晶体用于电光学，声光学和光折变非线性光学器件。一种新的生长技术提供了优异的光学质量单晶，没有生长条纹，夹杂物和其他不均匀性，以及高达80mm的确定横截面和线性尺寸。SBN晶体元件满足不同应用的要求。基于这种独特的晶体生长技术，可以使用大量高质量的SBN光学元件和光折变单元，Fe：LiNbO3（其他掺杂剂可用）。 铁掺杂铌酸锂晶体（Fe：LiNbO3）是一种常用的具有高电光（EO）系数，高光折变灵敏度和衍射效率的光折变材料。与BaTiO3系列光折变晶体相比，它具有易于操作和存储，成本低，尺寸利用率大等突出优点，使其更适用于批量制造和实用设备。因此，Fe：LiNbO3晶体将预测广泛的应用。MolTech提供具有不同Fe掺杂浓度，尺寸和光学处理要求的晶体。 光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi 12 SiO 20（BSO） Bi 12 GeO 20（BGO）Fe：LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23 三角形，3m4mm4mm晶格（胞）参数，?10.10 10.15-a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r 13 = 47，r 33 = 235r 13 = 67，r 33 = 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度，g / cm 39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C8909201255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数564085（e11）30（e33） 8803400暗电阻，欧姆厘米10 1410 14-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下---- 0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT---3×10 -4 K -1-居里温度---75℃56℃半波电压---240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体

产品简介 ZnGeP2（ZGP）单晶是用于频率转换产生中红外以及太赫兹波的高效的非线性光学材料。ZnGeP2晶体具有正的双折射，可以在0.75um-12.0um的波长范围进行相位匹配光学参量频率转换。其有用的传输范围位于从2.1至10.6微米，此范围内具有低至 0.04cm-1的吸收。ZnGeP2具有很大的非线性光学系数和相对高的激光损伤阈值。ZnGeP2晶体具有以下应用：经由与1.06毫米混频上转换CO2激光光到近红外范围 ：合频CO和CO2产生的激光辐射 高效的倍频CO，CO2脉冲激光（49％的倍频效率 1GW/cm2光强，2ns脉冲宽度，9.52毫米波长），在铒激光和钬激光激发下用于中红外波段OPO激光产生。ZnGeP2晶体的应用—— CO2激光器二次、三次和四次谐波产生—— 2um及光泵浦是的光参量产生—— 相干激发辐射太赫兹频段的光波 70um-1000um （0.3-4THz）详细参数透明度范围，微米0.75 - 12.0点群42m密度，g/cm34.12莫氏硬度5.5折射率：在2.00微米? ? = 3.1490 ? ? = 3.1889在4.00微米? ? = 3.1223 ? ? = 3.1608在6.00微米? ? = 3.1101 ? ? = 3.1480在8.00微米? ? = 3.0961 ? ? = 3.1350在10.00微米? ? = 3.0788 ? ? = 3.1183在12.00微米? ? = 3.0552 ? ? = 3.0949非线性系数，pm/ VD 36 = 68.9（10.6微米），D 36 = 75.0（9.6微米）光损伤阈值，MW /cm260（10.6微米，150纳秒）更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

优质进口CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Cesium iodide activated by thallium is a scintillation material with high absorption power. It can be used as an efficient gamma ray absorber. CsI:Tl is soluble in water, but is not hygroscopic in laboratory conditions. It has high resistance to mechanical and thermal shocks. CsI:Tl can be easily fabricated into wide a variety of shapes and geometries. It can also be fabricated into detection matrices.CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择：*标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

光折变晶体：BSO硅酸铋晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体Bi 12 SiO 20（BSO）Bi 12 GeO 20（BGO）Fe：LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23三角形，3m 4mm4mm晶格（胞）参数，?10.1010.15 -a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0 晶体 折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r 13 = 47，r 33 = 235r 13 = 67，r 33 = 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5 ---在600nm处为 - deg / mm25 24---密度，g / cm 39.159.24.645.4 5.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C890 9201255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数 564085（e11）30（e33）8803400 暗电阻，欧姆厘米10 1410 14 -- -吸收系数@0.44μm- -- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下--- -0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT- --3×10 -4 K -1 -居里温度--- 75℃56℃半波电压-- -240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。BSO硅酸铋晶体

优质进口BGO晶体或锗酸铋晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Bismuth germanate is an intrinsic scintillation material with high absorption power. Due to its high effective atomic number and high density, BGO is a very efficient gamma ray absorber with high photo-fraction, which results in a very good photo-peak to Compton ratio. BGO detectors are preferred for medium and high-energy gamma counting and high-energy physics experiments.BGO晶体或锗酸铋晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由BGO晶体或锗酸铋晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄BGO晶体或锗酸铋晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Calcium fluoride activated by europium is a light scintillator used in detection of charged particles and soft gamma rays up to several hundreds keV. CaF:Eu is typically used for the detection of beta rays due to its relatively small back scattering. It is not suitable for detection of high-energy gamma rays because it has a small photofraction. The material is not hygroscopic and is relatively chemically inert.Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口BGO晶体或锗酸铋晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Bismuth germanate is an intrinsic scintillation material with high absorption power. Due to its high effective atomic number and high density, BGO is a very efficient gamma ray absorber with high photo-fraction, which results in a very good photo-peak to Compton ratio. BGO detectors are preferred for medium and high-energy gamma counting and high-energy physics experiments.BGO晶体或锗酸铋晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由BGO晶体或锗酸铋晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄BGO晶体或锗酸铋晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用： 荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

光折变晶体：BGO锗酸铋晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN 光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi 12 SiO 20（BSO）Bi 12 GeO 20（BGO） Fe：LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23三角形，3m4mm 4mm晶格（胞）参数，?10.1010.15- a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r 13 = 47，r 33 = 235r 13 = 67，r 33 = 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度，g / cm 39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C890920 1255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数564085（e11）30（e33）8803400 暗电阻，欧姆厘米10 1410 14-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下----0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT---3×10 -4 K -1-居里温度---75℃56℃半波电压-- -240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。BGO锗酸铋晶体

KDP晶体DKDP晶体ADP晶体磷酸二氢钾二氢磷酸钾 KDP晶体（KH2PO4）、DKDP晶体或D * KDP（KD2PO4）和ADP晶体（NH4H2PO4）广泛用作Nd:YAG和Nd:YLF激光器的二次、三次和四次谐波发生器。该晶体也被广泛用于电光应用，如Nd:YAG、Nd:YLF、钛:蓝宝石 Ti:Sapphire和翠绿宝石 Alexandrite激光器Q开关，以及用于普克尔盒和声-光应用。常用的电光晶体是DKDP，氘化 率超过98％。这些晶体通过水溶液法生长，并且可以长到非常大的尺寸，可用作低成本和大尺寸的非线性元件。对于1064nm 的Nd:YAG激光器的倍频（SHG）和 三倍频（THG），I型和II型相位匹配都可用于KDP和DKDP。对于Nd:YAG 激光器的四倍频（4HG，266 nm），通常建议使用KDP晶体。KDP磷酸二氢钾晶体（KH2 PO4）是一种水溶性晶体，因其非线性光学特性而闻名。KDP晶体用于生产各种脉冲激光器中的电光元件（普克尔盒）、波片、变频器（用于自相关仪和互相关仪的二次、三次和四次谐波发生，参量发生器和放大器等） DKDP晶体可以提供 94％， 96％和 98％的氘化水平。我们可根据客户的要求提供未抛光或者抛光的高品质KDP、ADP和DKDP晶体。形状可谓棒状、方形或其他形状。参数规格：KDPDKDPADP透明度范围，μm 0.174 - 1.570.2 - 2.10.18 - 1.53对称类42m42m42m 晶格参数，?A = B = 7.453 C = 6.975A = B = 7.469 C = 6.976A = B = 7.499 C = 7.549密度，g / cm 32.3382.3551.803莫氏硬度2.52.52.0折射率 407.8 nm：no = 1.52301 ne = 1.47898no = 1.5185 ne = 1.4772no = 1.53925 ne = 1.49123 在632.8nmno = 1.50737 ne = 1.46685no = 1.5044 ne = 1.4656（在623.4 nm处）no = 1.52195 ne = 1.47727 在1064nm no = 1.4938 ne = 1.4599no = 1.4948 ne = 1.4554no = 1.5071 ne = 1.4685非线性系数为1.064μm，pm / V.d 36 = 0.39 d 36 = 0.37d 36 = 0.47 光损伤阈值，MW / cm 2300 - 600（1064 nm，20 ns） 100（1064 nm，20 ns）500（1064 nm，60 ns）常温下KDP波长折射率曲线选型： 材料KDP/DKDP/ADP应用For example:SHG@1064 SFG@800+267-200 DFG@780-842-10600 OPO@355-460÷560+960÷1150 etc. Type & angles:Type =I/ II？Angles：Theta=？° , phi=？°镀膜For example:p-coating, ARC s1/s2 1064 R0.25% ARC s1/s2 1064 R0.25%+5320.5% BBAR s1/s2 1064 R1%+3÷105% etc.尺寸抛光面 更多晶体相关产品: 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

优质进口Ce:YAP晶体或YAP:Ce晶体作为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Ce:YAP晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： YAG:Ce成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm YAP:Ce晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

产品介绍： CdSe晶体非常适用于制作红外光学元件，偏振片，1/4、1/2波片，分束镜，基底，真空沉积靶材，DFM频率转换器。产品参数：结构 Wurtzite (Hexagonal)密度: 5.81 g/ cm3杨氏模量:5×1011 dyne/cm2热膨胀系数 (500 K):α 1=6.26×10-6/K α 3=4.28×10-6/K比热:0.49 J/gK 热导率 (at 25 °C):0.04 W/cmK最大透过率 (λ =2.5-15 μm):≥ 71 %吸收系数. (λ =10.6 μm):≤ 0.0015 cm-1 (including 2 surfaces)折射率 (λ =10.6 μm):2.4258 (no), 2.4437 (ne)电阻率a). low: 1 Ohm*cm b). high: about 10^11 Ohm*cm最大单晶尺寸:?40mm X L: 80 mm最大红外光学元件尺寸:?50mm X L:10 mm OR plate 50 mm X 15 mm X 12 mm硒化镉产品透过率曲线：直径/宽度1-50 mm厚度/长度0.1-150 mm晶向(0001), (10-10), (11-20)表面质量As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830CdSe 棒, 晶圆 和基片CdSe 晶体尺寸纯度99.995%, 99.999%颗粒尺寸0.01- 10 mm应用举例CdSe晶体应用于12.3um波片时，单片晶体的厚度：λ/2波片@12.3um：Order: 1 Half-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 2 Half-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 3 Half-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 4 Half-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 5 Half-wave plate thickness: 1.7877 [mm]Order: 6 Half-wave plate thickness: 2.1453 [mm]Order: 7 Half-wave plate thickness: 2.5029 [mm] Order: 8 Half-wave plate thickness: 2.8604 [mm]Order: 9 Half-wave plate thickness: 3.2180 [mm]Order: 10 Half-wave plate thickness: 3.5755 [mm]λ/2波片波片@12.3um：Order: 1 Quarter-wave plate thickness: 0.1787 [mm]Order: 2 Quarter-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 3 Quarter-wave plate thickness: 0.5363 [mm]Order: 4 Quarter-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 5 Quarter-wave plate thickness: 0.8938 [mm]Order: 6 Quarter-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 7 Quarter-wave plate thickness: 1.2514 [mm]Order: 8 Quarter-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 9 Quarter-wave plate thickness: 1.6090 [mm]Order: 10 Quarter-wave plate thickness: 1.7877 [mm] 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用： 荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口Ce:YAG晶体或YAG:Ce晶体作为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Ce:YAG晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： YAG:Ce成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm YAP:Ce成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

ZGP晶体全名ZnGeP2晶体,中文名磷锗锌晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件材料和仪器供应商！所销售的ZGP晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。ZnGeP2晶体（简称ZGP晶体）中文名磷锗锌晶体具有非线性大、吸收低、热导率高等特点，ZGP晶体,磷锗锌晶体是 目前实现高功率中、远红外可调谐激光输出的最佳非线性材料之一。以二极管泵浦固体激光（DPL）泵浦ZGP晶体（或ZnGeP2晶体,磷锗锌），采用光参 量变换技术（OPO）可以实现宽调谐中、远红外激光输出，且具有工作稳定可靠、体积小、重量轻及全固化等优点，在核突防红外对抗和激光干扰、致盲等方面有 重要应用前景.ZnGeP2晶体（ZGP晶体,磷锗锌）用于激光频率的转换，可以用于如下领域 : ZnGeP2晶体或磷锗锌可用于光学参量振荡（OPO), 使用2微米激光泵浦实现2.5-12微米的调谐激光输出；ZGP晶体或磷锗锌用于 CO- and CO2 -激光谐波。ZGP晶体,磷锗锌对 CO, CO2 激光和其他中红外激光 (1 - 11 μm)进行差频或合频.这种频率转换产生 2-11 μm 激光具有多种应用：工业和人为大气排放的远程监测；远程识别和检测电力工程,化工，石油工业等排放到大气中的有毒混合气体和气体废物；ZGP晶体全名ZnGeP2晶体,中文名磷锗锌晶体,ZGP晶体是高功率中、远红外可调谐激光输出的最佳非线性材料.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！