岩土沉积

台式三维原子层沉积系统ALD原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的纳米技术，以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计， 使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500：1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。GEMStar XT 产品特点：■ 300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制■ 175℃ 温控150ml前驱体瓶，200℃ 控输运支管■ 可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积■ 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体■ 标准CF-40接口■ 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件■ 等离子体辅助ALD插件■ 多种配件可供选择GEMStar XT 产品型号：GEMStar -4 XT：■ 大4英寸/100 mm基片沉积■ 单路前驱体输运支管， 4路前驱体瓶接口■ 不可升为等离子体增强ALDGEMStar -6/8 XT：■ 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 可升为等离子体增强ALDGEMStar -8 XT-P：■ 大8英寸/200mm基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 装备高性能ICP等离子发生器13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷，高运行功率达300W。■ 标配３组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。GEMStar NanoCUBE：* 大100 mm 立方体样品 沉积* 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口* 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积丰富配件：多样品托盘：* 多样品夹具，样品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。* 多基片夹具，多同时容纳9片基片。 温控热托盘：* 可加热样品托盘，高温度500℃，可实现热盘-热壁复合加热方式。粉末沉积盘： 臭氧发生器： 真空进样器（Load Lock） 晶振测厚仪 前驱体瓶： 前驱体加热套：

1. 产品概述SENTECH SIPAR ICP沉积系统是为使用灵活的系统架构的各种沉积模式和工艺开发和设计的。该工具包括 ICP 等离子体源 PTSA、一个动态温控基板电和一个受控的真空系统。该系统将等离子体增强化学气相沉积 （PECVD） 和原子层沉积 （ALD） 结合在一个反应器中。2. 主要功能与优势SENTECH SIPAR ICP 沉积系统将原子层沉积 （ALD） 和电感耦合等离子体增强真空沉积 （ICPECVD） 技术结合在一个反应室中以顺序沉积方法进行。用户可以利用这两种工艺的优势来实现精确、保形和高质量的多层膜，同时对膜厚、均匀性、选择性和沉积速率有出色的控制。这在先进的有机电子学、微电子学、纳米技术和半导体器件研究中尤为重要。3. 灵活的系统架构该系统采用灵活的系统架构，为各种沉积模式和工艺而设计和开发。由均匀和保形沉积的原子层沉积的原子层沉积层和快速生长的 ICPECVD 薄膜组成的混合多层膜在有机器件技术、纳米技术以及半导体研究和工业中具有优势。4. 高性价比SENTECH SIPAR ICP的高效多层沉积能力和小尺寸使其具有很高的成本效益和多功能性。它非常适合用于有机设备技术、纳米技术和半导体研究的研发和学术机构。5. 灵活性和模块化SENTECH SIPAR ICP 沉积系统允许使用 ALD 和电感耦合等离子体增强化学气相沉积 （ICPECVD） 进行顺序沉积，而无需在不同反应室之间转移底物。由均匀和保形沉积的原子层沉积物原子层沉积层和快速生长的 ICPECVD 薄膜组成的混合多层膜在有机器件技术、纳米技术和半导体研究中具有优势。SENTECH SIPAR ICP沉积系统为生产、研发和大学使用提供了高效的多层沉积。更低的价格、更高的吞吐量和更小的占地面积使 SENTECH SIPAR ICP 沉积系统比集群解决方案更具优势。

由于LTPS TFT具有高电子迁移率，从而得到快速应答。虽然电耗比具有低漏泄电流的Oxide TFT大，但一直应用于消耗大部分电力的智能手机OLED显示领域。 但最近在提高移动和在穿戴设备的能效上有了新的技术，LTPO (Low Temperature Polycrystalline Oxide) TFT，此技术是电子高迁移率的LTPS TFT和低漏泄电流的Oxide TFT合成技术。在这个TFT中，Switching TFT 需要快速ON/OFF光线，使用了低漏泄电流的Oxide TFT。而Operating TFT需要通过调节光量进行快速画面切换，所以使用了具有高电子迁移率的LTPS TFT. 智能手表主要使用黑色背景，由于Switching的电耗比较高，采用LTPO TFT可降低约40%的电耗。因此，包括苹果在内的众多智能设备制造商正在应用或即将应用LTPO. 另外，由于这种低电耗的优势，最近三星和苹果等智能手机制造商正在积极开发，目标是将LTPO显示屏搭载到高端智能手机上。 Oxide TFT中使用的IGZO薄膜仍在以Sputtering方式沉积，但厚度和成分均匀度的问题，等离子体损伤导致物理电器特性降低以及溅射目标均匀度的问题。但是，当应用 ALD-IGZO时，可以在低温度工艺下控制原子单位的厚度和组成，因为工艺过程中没有等离子体损伤，因此可以实现高质量的薄膜沉积。 通过用Thermal ALD的方法控制ALD循环比例，可以获得目标IGZO的原子组成(In:Ga:Zn)的薄膜。因此，这种方式能够轻松的调节适合客户元件结构IGZO的组成。从而获得优于溅射方式的元件特性。 研发IGZO工艺用高生产率配置ALD系统，该系统采用新的技术，将多元系氧化物IGZO的组成比控制在个别应用领域元件所需的组合比。特别是 GD Series的应用，可在多个大面积基板上沉积ALD，有望在目前迅速应用IGZO薄膜的LTPO TFT s元件中提供质量竞争力和高生产率。

1.产品概述：NEXUS IBD是由VEECO研发的第三代NEXUS® 离子束沉积 （IBD），适用于硬偏置、引线、绝缘层和传感器堆栈沉积。2.产品原理：离子束辅助沉积的原理是在离子束的作用下，将气态或液态物质引导到材料表面，通过物理或化学反应，形成固态薄膜。 离子束辅助沉积具有沉积温度低、薄膜质量高、可控制性好等优点，因此在光电、电子、能源等领域得到广泛应用。3.产品优势：数据存储制造商可以借助 Veeco 的第三代 NEXUS® 离子束沉积 （IBD） 系统大幅提高 80Gb/in2 传感器的产量，并满足未来 TFMH 设备制造的需求。支持各种设备，从当的 CIP 到高 CPP 设备MRAM 应用以及 GMR 和 TMR 薄膜磁头的理想选择改进了所有准直沉积应用的 CD 控制通过沉积羽流的对称到达获得更锐利的起飞角度平台易于与 PVD、IBE 和其他技术集成

1 产品概述: 原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种先进的薄膜沉积技术，它通过化学反应将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面。这种技术属于化学气相沉积的一种，但其独特之处在于其自限制性和互补性，使得对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力。ALD广泛应用于力学、物理学、材料科学以及纳米技术等领域。2 设备用途：原子层沉积设备主要用于在各种基底上沉积高质量的薄膜，其应用范围包括但不限于：半导体领域：用于晶体管栅极电介质层（如高k材料）、光电元件的涂层、集成电路中的互连种子层、DRAM和MRAM中的电介质层，以及集成电路中嵌入电容器的电介质层等。纳米技术领域：用于制备中空纳米管、隧道势垒层、光电电池性能的提高、纳米孔道尺寸的控制、高宽比纳米图形、纳米晶体、纳米结构、中空纳米碗等复杂纳米结构。此外，还可用于纳米颗粒、纳米线等材料的涂层。其他领域：包括微电子、食品包装、光电、催化剂、储能技术、航天器外壳聚合物涂层等3 设备特点 高度可控性：沉积参数（如厚度、成份和结构）高度可控，能够精确控制薄膜的厚度至纳米级甚至亚纳米级。 优异的均匀性和一致性：所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，这对于提高器件性能至关重要。 广泛的适应性：设备能够适应不同尺寸和形状的基底，包括平面基底和复杂的三维结构。 高效性：通过优化工艺参数，可以实现高效的薄膜沉积，提高生产效率。 灵活性：可沉积多种类型的材料，包括金属氧化物（如ZnO、TiO2、Al2O3、SnO2）、金属（如Pt、Ir）等，满足不同应用需求。 4 技术参数和特点：卷筒纸宽度：大420mmALD镀膜厚度：大100nm动态沉积速率 （Al2O3）： 10 nm *m/min过程温度：高 250°C

1. 产品概述Savannah® 配备了高速气动脉冲阀，以实现我们独特的曝光模式&trade ，用于在超高宽宽比基板上沉积薄膜。这种经过验证的精密薄膜镀膜方法可用于在纵横比大于 2000：1 基板上沉积保形、均匀的薄膜。Savannah® 提供三种配置：S100、S200 和 S300。Savannah® 能够容纳不同尺寸的基材（S300 可达 300 毫米）。Savannah® 薄膜沉积系统配备了加热的驱体线，并可选择添加多达六条线。Savannah® 能够处理气体、液体或固体体。Veeco 是全球先的原子层沉积 （ALD） 系统供应商，为研究和工业提供全面的服务和多功能的交钥匙系统，这些系统易于访问、经济实惠且精确到原子尺度。薄膜沉积是我们的长。我们的 Savannah® 系列薄膜沉积工具就是这些能力的例证。Savannah® 已成为全球从事原子层沉积 （ALD） 的大学研究人员的选系统，他们正在寻找经济实惠且强大的平台。在过去十年中，我们已经交付了数百个这样的系统。Savannah® 对驱体的高效利用和节能特性大大降低了薄膜沉积系统的运行成本。2. 主要功能包括原位椭圆偏振仪原位质量控制自组装单层膜2循环时间综合臭氧低蒸气压沉积批处理手套箱集成

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜； 3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 2%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

1.产品概述：TFS 200 是一款适用于科学研究和企业研发的灵活的 ALD 平台。 TFS 200 是为多用户研究环境中将可能发生的交叉污染降至低而特别设计的。TFS 200 不仅可以在晶圆，平面物体上镀膜，还适用于粉末，颗粒，多孔的基底材料，或是有高深径比的3D物体内沉积高保形薄膜。 直接和远程等离子体沉积 (PEALD) 可作为 TFS 200 的标准选项。等离子体是电容性耦合(CCP)，这是当的工业标准。等离子体选件可为直径200毫米的基板（面朝上或面朝下）提供直接和远程等离子体增强沉积 (PEALD)2.设备用途/原理：设备用途原子层沉积（ALD）设备主要用于半导体制造、光电子、纳米技术和材料科学等领域。它广泛应用于制造高性能电子器件、光电材料、薄膜电池、传感器和催化剂等，能够在复杂结构上沉积均匀且高质量的薄膜。工作原理ALD 设备通过交替引入两种或多种气相前驱体和反应气体，以原子层的方式在基材表面沉积薄膜。每个前驱体分子在基材表面吸附并反应，形成一层薄膜，然后多余的前驱体和反应产物被清除，接着引入下一种气体。这个过程持续进行，直到达到所需的薄膜厚度。由于每一层的沉积都受到严格控制，ALD 技术能实现极薄膜层的精确沉积，通常在纳米级别，确保薄膜的均匀性和致密性。3.主要技术指标：循环周期小于2。在特定的条件下可以小于1。高深径比(HAR)选项适用于通孔和多孔的基底材料。可快速加热和冷却的冷壁真空反应腔。安装在真空反应腔的辅助接口可实现等离子体和在线诊断等。加载锁可用于快速更换基底材料并与其他设备集成。

芬兰PICOSUN公司是ALD技术发明人Tuomo Suntola创立的，与Picosun专家队伍被称为ALD的梦之队。Suntola于1974年发明ALD技术，因此获得半导体行业European SEMI 2004奖。PICOSUN公司凭借其杰出的生产型与科研型产品，于2022年6月加入美国应用材料公司。PICOSUN产品分为科研型与生产型。科研型产品有：标准型PICOSUN™ R-200 Standard，只有热法原子层沉积系统高级型PICOSUN™ R-200 Advanced，有热法原子层沉积系统与等离子体增强原子层沉积系统高级型ALD可以添加前沿的微波等离子体辅助增强模块Microwave Plasma, 这种微波等离子体增强原子层沉积系统在颗粒、薄膜致密性表现更好，同时有可能沉积具有挑战性的一些氮化物薄膜，如氮化硅等。请搜索我司网站联系我们！

1.产品概述：Beneq Transform在其多功能性和适应性方面建立了全新的ALD集群工具产品，以满足广泛的应用和细分市场的需求。Beneq Transform 配置多个 ALD 工艺模块，以满足特定的晶圆容量要求，或者在以后进行升，以响应不断增长的数量或新的 ALD 应用。2.产品优势：一个平台，多种配置：Beneq Transform在其多功能性和适应性方面建立了全新的ALD集群工具产品，以满足广泛的应用和细分市场的需求。Beneq Transform 配置多个 ALD 工艺模块，以满足特定的晶圆容量要求，或者在以后进行升，以响应不断增长的数量或新的 ALD 应用。热原子层沉积和等离子体原子层沉积合二为一。单晶圆或批量处理：泛的高性能氧化物和氮化物。大限度地增加灵活的批量生产选择。凭借其灵活的自动化平台和将热批量和等离子体增强的原子层沉积工艺模块结合在一个集成系统中的功能，Beneq Transform 在如何实现处理序列以满足的薄膜沉积要求方面提供了灵活性。为晶圆厂设计：行业标准的水平晶圆装载提供即插即用的集成。预热模块消除了等待时间，并将吞吐量提升到一个全新的水平。SEMI认证：符合 SEMI S2/S8 和 SECS/GEM 标准。定制支持可确保在生产中顺利过渡到原子层沉积。

多通道沉积物捕集器,沉积物采样器,沉积物取样器,沉积物活塞柱状取样器, 丹麦KC-Denmark公司生产的多通道沉积物捕集器 28.150 &ndash 双通道沉积物捕集器 28.200 &ndash 四通道沉积物捕集器 丹麦KC-Denmark公司生产的多通道沉积物捕集器阵列的结构可以确保它在工作时处于垂直状态。转向翼(选配)可以使得沉积物捕集器阵列跟水流方向处于正确的角度。整套沉积物捕集系统是可以随意配置的。所有的部件都可以拆卸。根据您的需要，主框架上面安装1，2，3或4个沉积物捕集管。 多通道沉积物捕集器由可拆卸的圆柱形捕集管(底部带配重铅块)组成。带万向接头的固定器和转向翼由AISI316不锈钢制成。捕集管由透明聚丙烯酸组成，纵横比为6。 标准配置：配备1, 2 或 4根 ø 80/ø 74 mm 和ø 110/ø 104 mm的捕集管 其他尺寸的捕集管也可以根据客户要求订做。 万向接头 - 28.104 转向翼 - 28.105 多通道沉积物捕集器订购信息 ø 80 / ø 72 mm 外径/内径 长度 重量 订购货号 多通道沉积物捕集器，1根捕集管，包括转向翼，采样量1.9升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 4,5 kg 28.050 多通道沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼，采样量3.8升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 4,8 kg 28.075 多通道沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量3.8升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 6,6 kg 28.100 多通道沉积物捕集器，3根捕集管，包括转向翼，采样量5.7升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 8,6 kg 28.150 多通道沉积物捕集器，4根捕集管，包括转向翼，采样量7.6升 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 8,8 kg 28.200 多通道沉积物捕集器附件和备用配件 捕集管 ø 80 / ø 72 mm 450 mm 1,5 kg 28.101 锌阳极 ø 50 x 10 mm 28.102 主支架 0,75 kg28.103 万向接头臂和捕集管固定环 0,6 kg 28.104 转向翼，用于28.075, 28.100 和 28.150 1,9 kg 28.105 多通道沉积物捕集器固定器 28.106 平衡臂，只用于28.100 28.107 蝶型螺母，用于固定捕集管 28.108 螺丝，M6 x 12, AISI 316不锈钢, 5个 28.109 ø 110 / ø 104 mm 外径/内径 长度 重量 订购货号 多通道沉积物捕集器，1根捕集管，包括转向翼，采样量8.5升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.290 多通道沉积物捕集器，2根捕集管，不包括转向翼，采样量17升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.295 沉积物捕集器，2根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量17,0升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.300 沉积物捕集器，3根捕集管，包括转向翼，采样量25,5升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.350 沉积物捕集器，4根捕集管，包括转向翼和平衡臂，采样量34升 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.400 多通道沉积物捕集器附件 捕集管 ø 110 / ø 104 mm 1000 mm 28.301 多通道沉积物捕集器备用部件 锌阳极 ø 50 x 10 mm 28.102

Kurt J. Lesker Company （KJLC） ALD150LE&trade 是我们但极其灵活的原子层沉积 （ALD） 系统，专为入门级到中级用户而设计。该ALD150LE&trade 配置为纯热原子层沉积，工艺室设计促进了均匀的母离子分散和输送。加热和温度控制进一步增强了系统性能。总体而言，该ALD150LE&trade 在紧凑的设计中提供了的灵活性和性能，而不会牺牲可维护性。该ALD150LE&trade 配置为纯热原子层沉积，我们的垂直流设计可实现分离、均匀的前驱体输送，同时降低背景杂质水平，从而提高薄膜质量。为避免不必要的材料在输送通道内积聚和颗粒形成，有两个独立的腔室入口可用于前驱体分离。例如，可以使用单独的入口来分离金属有机前体和共反应物，以防止在输送管线和阀门中沉积。两个独立的进样口，用于前驱体输送，可防止输送通道中不必要的积聚开放式装载室经过精心设计，可最大限度地减少由于密封脱气和渗透引起的背景杂质独立的基板加热器平台和外腔壳体，可实现出色的温度控制和均匀性304L不锈钢结构可访问、低维护的设计ALD150LE&trade 开路负载设计允许在样品引入过程中将基物（直径最大为 150 mm）直接放置在基板加热器台上。在随后的原子层沉积（ALD）处理过程中，集中式母离子输送和泵送建立了一个屏障，将下游腔室密封的杂质挡在反应区之外。弹性体腔密封件在下游的战略定位可使杂质（由于密封件释气和渗透）远离基材表面，从而提高 ALD 薄膜质量。特别是，这是在开放式负载室设计中获得高质量氮化物膜的一个重要特征。

1.产品概述：Beneq P800 门设计用于涂覆复杂形状的大零件或大批量的小零件。我们的客户将 P800 用于光学镀膜、半导体设备部件的防腐镀膜，以及在玻璃或金属板上使用 ALD 的各种应用。2.产品配置:大型零件需要大型原子层沉积工具。 Beneq P800 通常用于直径大于 600mm 的批量零件。大批量生产能力还可以降低较小零件的成本，使原子层沉积在许多应用域中具有商业可行性。根据每个客户的基材和应用选择和设计佳的工具设置和 ALD 工艺。P800 的设计使得在反应室和底物支架的不同设置之间切换变得容易。这种内置的多功能性意味着您可以使用相同的原子层沉积系统从研发顺利过渡到批量生产。Beneq 提供量身定制的应用开发以及试生产支持，因此您可以在建立自己的 ALD 制造能力之进行测试。用于厚膜堆叠 （ 1 μm） 的理想 ALD 工具。大批量的厚膜堆叠需要大量的驱体，并产生大量的残留物和副产物。我们设计的 P800 配备了高容量驱体源以及驱体灭活和过滤系统，以应对这些挑战。Beneq P800 是 35+ 年工业生产发展的结果，具有大批量 1μm 厚膜堆栈。3.产品优势：维护更简单、频率更低。 沉积厚膜堆叠的原子层沉积工具通常需要每月清洁一次。P800 的高容量泵管路过滤器使该工具即使在大批量生产中也能运行数月而无需维护。此外，更换 ALD 反应室通常需要一整天的时间，因为您需要先让它们冷却下来。P800 设计允许用户简单地拉出反应室和其他需要清洁的部件，从而将时间缩短到几分钟。避免因维护而造成不必要的停机时间。 Beneq P800 使用多个反应室，这些反应室在每次运行之间不断更换，因此您可以大限度地减少与维护相关的生产停机时间。Beneq 有的预热器。 我们可选的预热烤箱缩短了加热时间，并进一步提高了您的吞吐量。

沉积物测量仪SediMeter 沉积物测量仪SediMeter用于测量水底沉积物厚度的细微变化，分辨率达到0.1 mm。这可用于沉积物的的侵蚀和沉积研究。它也可用于测量水底附近的浊度，这与沉积物的浓度密切相关。 沉积物测量仪的传感器是一个直径20 mm的测量杆，内部安装了36个近红外光学后向散射探测器。这些探测器一个个紧密排列在一起，通过A/D转换器测量后向散射光。后向散射可用于计算近水床（河床、湖床、海床等）的浊度。浊度的测量是每间隔10 mm深度测量一次，而水床变化的测量精度则达到0.1 mm。 测量时将测量杆垂直插入沉积物中进行测量。由于采用的是近红外探测器，可以有效避免环境光的影响。 当后向散射探测器被埋入沉积物中时，这个探测器的信号就会达到100％。当后向散射探测器离沉积物表面较远时，信号是浊度的函数。此时可以很准确的探测水床的高度，即使轻微的波动（如0.1 mm的沉积或侵蚀）可以被探测到。 沉积物测量仪还配有温度传感器，精度达0.01℃。此外，还可选配压力和PAR传感器。 SediMeter采用的浊度单位为FBU，是福尔马肼浊度单位（FormazinTurbidity Units, FTU）的一种，类似于ISO7027标转的FNU（Formazin Nephelometric Units）。不同之处在于SediMeter的散射光测量角度是180度而不是80度，测量波长是靠近近红外的945 nm而不是860 nm。这种长波测量有助于降低环境光的影响。ISO标准和美国标准（NTU）采用的90度角测量在浊度很高时误差较大，而SediMeter要好的多。 功能监测水床沉积物的细微变化监测水床附近水体的浊度监测水温可选监测压力和可见光带数采可单机连续监测可建立监测网络进行大范围连续监测，一个网络最多可布设255台仪器应用领域水床的沉积和侵蚀水床附近浊度变化水利工程对水床的长期影响湖泊环境地球化学与富营养化研究近岸海域的沉积环境地球化学水体污染与沉积的长期监测

等离子沉积设备SI 500 D 高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。 SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 500 D ICPECVD等离子沉积设备 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从室温到350?°C 激光终点检测 备选电极偏置

电动水底沉积物取样器电动水底沉积物取样器P型主要用于浅水环境沉积物取样，是一款高频率的轻便手持式沉积物取样钻机，和传统柱状手持式沉积物取样器相比，本款电动水底沉积物取样器降低了沉积物取样过程中的压缩，使得沉积物能保持原始厚度和结构。操作时使用2块蓄电池即可满足全天的取样需求。P型取样器同样可以在取样管安装独特岩心爪，以便于更有效率的在沙土环境或者软沉积物环境取样。独特的设计使得取样管能在采样后较容易的从水中脱离。顶部的浮动排气和密封系统有助于实验人员收集非常柔软的沉积物样品，并且几乎无须损失任何样品。优势：机头潜入水下取样（水深20米）锂电池动力、操作简单、携带便携、柱状样品应用领域：水域沉积物调查、河道清淤调查、湿地环境调查技术参数：动力提供：2节12伏特小型蓄电池单次取样所需时间：20秒至1分钟单次充电可取样品数量：30次以上震动频率：5,000至6,000次/分取样管长度：1至2米取样管口径：76毫米取样管管壁厚度：1.3毫米主机重量：8千克【此款设备同时承接取样项目、设备租赁】

1. 灵活的沉积平台服务于广泛的应用Veeco 的单靶点 NEXUS PVDi 物理气相沉积（PVD）系统，为各类薄膜沉积应用提供了极大的灵活性和多功能性，使其在当今快速发展的技术环境中脱颖而出。无论是在半导体、光电子材料、显示技术还是其他高科技领域，NEXUS PVD 都能够满足客户的多样化需求。该系统的加工精度高达 200 毫米，不仅保证了沉积过程的精确控制，还使得它能够支持多种不同的工艺需求。NEXUS PVD 的先进工艺能力，结合无与伦比的均匀性，确保了每一层沉积膜的质量和性能都达到行业领先水平。这种优质的性能在提高整体工艺产量方面发挥了关键作用，用户能够以更高的良率实现高效生产。此外，NEXUS PVD 平台彰显了出色的吞吐量和正常运行时间，显著降低了设备的拥有成本。这意味着客户可以在保持高产量的同时，减少维护和运营成本，进一步提升投资回报率。2. NEXUS 平台还集成了 Veeco 多项技术包括离子束沉积、离子束蚀刻和原子层沉积（ALD），使得该系统具备处理多种沉积需求的能力。离子束沉积能够实现高质量薄膜的沉积，适合于对膜厚均匀性和膜缺陷有严格要求的应用；而离子束蚀刻技术则用于精细图案的刻制，更好地满足高精度集成电路制造的需要。原子层沉积技术则在沉积极薄膜方面表现卓越，适用于高技术含量的光电材料、传感器及其他前沿科技领域。Veeco 的 NEXUS PVDi 系统通过其顶尖的灵活性、可靠性和高效性，为广泛的薄膜沉积应用提供了卓越的解决方案，帮助客户在竞争激烈的市场中保持领先地位。无论是从技术创新还是经济效益来看，NEXUS PVDi 系统都为用户创造了巨大的增值潜力。

沉积物采样器,沉积物取样器,沉积物活塞柱状取样器, 13600型号的沉积物采样器可采集从软质底泥2m长的无扰动沉积物样品或4m长泥泞底质沉积物样品 详细介绍 沉积物采样器可以从软质底泥中采集器2m长的无扰动沉积物样品；或者从泥泞底质采集4m长的沉积物样品。 顶部安装一个316不锈钢制释放器(1)，Kullenberg原理。 最多可加载10块配重铅块(4)，28kg/块。 取样管(9)由AISI316不锈钢(ø 104/99mm)或透明PVC塑料(ø 110/99mm)制成。在释放器钩(1)的末端，加载1块重量30kg的释放配重(7)。 在取样挂底部安装了一个活塞(8)。活塞跟配重(1)由一根直径8mm的AISI316不锈钢缆(8)连接。操作取样管(9)时，将取样管释放至沉积物上方1m，此时释放配重(7)到达沉积物表面。连接活塞和配重的钢缆有1m的松弛长度，可以允许取样管自由落下，直到取样管进入沉积物后激活活塞。穿透深度可以通过调节配重(4)数量进行控制。沉积物样品回收以后，将取样管放置在支架上，用一个活塞杆将样品推出，进行切割。 沉积物采样器订购信息 产品介绍 尺寸 订购货号 (4)沉积物采样器，带5块配重铅块，主机总重270kg，不含取样管(取样管需订购时指定材质304不锈钢/316不锈钢/透明PVC) 不带取样管长度1.7m 13.600 (9)304不锈钢取样管(外径/内径x长) 104/99x2.2m 重量12kg 104/99x4.2m 重量23kg 13.702 13.704 (9)透明PVC取样管(外径/内径x长) 110/99x2.2m 重量6kg 110/99x4.2m 重量11kg 13.802 13.804 (10)取样管分离器，重量3kg 13.901 (11)防倒转绞盘，带钢缆，重量6kg 13.902 (12)活塞推杆，用于分离样品，重量10kg 13.903 2个不锈钢支架 13.904 (4)配重铅块，28kg/块(推荐配3块) 13.905 Kullenberg释放器，AISI 316不锈钢材质，不包括配重平台和缆线。重量8kg 13.620 Kullenberg释放器配重平台，包括不锈钢缆线 13.621 沉积物采样器产品介绍 材质 主框架(3) AISI 316不锈钢 Kullenberg释放器(1) AISI 316不锈钢 取样管(9) 选配： ø 104/ø 99mm，AISI 316不锈钢 ø 110/ø 99mm，透明PVC 活塞(8) 黄铜 活塞边 皮革 钢缆(2和6) AISI 316不锈钢 配重(4) 铅块，4-12块 采样管支架 不锈钢 沉积物活塞柱状取样器 柱状取样器 柱状采泥器 污泥采样器 柱状污泥采样器 活塞柱状取样器 活塞污泥取样器供应

1.产品概述： Beneq P1500 是我们大的原子层沉积系统，门用于涂覆大型板材和复杂零件。它还用于为较小组件的批次提供更高的吞吐量。我们的客户将 P1500 用于大直径基板上的光学镀膜、半导体设备部件的防腐镀膜，以及在玻璃或金属板上使用 ALD 的各种应用。2.产品配置:大型零件需要大型原子层沉积工具。 Beneq P1500 可容纳大 1300 × 2400 mm 的零件，并且可以在广域反射镜或透镜上沉积高质量、功能性的光学涂层。它还用于涂覆 300 至 1000 毫米尺寸范围的批量零件。可能的基材包括：第 4 代至第 6 代显示屏玻璃光伏玻璃板天文镜半导体腔室盖、衬垫和淋浴喷头印刷电路板可扩展性3.产品优势：提高较小基材批次的产量。 您目的涂料设备是否已满负荷生产？Beneq P1500 能够扩大批量生产的规模，并为您的工作流程增加额外的涂层容量。与较小的批量工具相比，P1500 可以提高您的涂层产量。此外，其大批量容量可以降低涂装较小零件的成本，使 ALD 在许多应用域中具有商业可行性。P1500 配备了高容量驱体源和驱体灭活和过滤系统，用于沉积厚度从纳米到微米不等的薄膜批次。Beneq P1500 是我们坚固可靠的 P 系列的新示例，它受益于 35+ 多年的工业 ALD 批量生产经验。P1500 可从室温加热到 400°C，轻松处理气态、液态和固体驱体，包括有毒、自燃和腐蚀性驱体材料。预热烤箱Beneq 有的预热器。 我们可选的预热烤箱缩短了加热时间，并进一步提高了您的吞吐量。

1 产品概述：化合物半导体沉积系统是一种高度专业化的设备，主要用于在特定衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜。这些薄膜在电子、光电、微波通信等领域具有广泛的应用。该系统通常集成了多种先进的沉积技术，如化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、原子层沉积（ALD）等，以满足不同材料和工艺的需求。2 设备用途： 化合物半导体沉积系统的主要用途包括：薄膜沉积：在硅、蓝宝石、碳化硅等衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，如氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等。器件制造：用于制造高频、高速、高功率的化合物半导体器件，如射频功率放大器、微波器件、LED等。材料研究：支持新材料的研究与开发，包括新型化合物半导体材料的探索与性能验证。工艺优化：通过精确控制沉积参数，优化薄膜的结晶质量、成分、厚度等，提高器件的性能和可靠性。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：1 高精度与可重复性：采用先进的沉积技术和精密的控制系统，确保薄膜的厚度、成分、结晶质量等关键参数具有高精度和可重复性。2 多工艺兼容性：支持多种沉积工艺，如CVD、PVD、ALD等，可根据具体材料和工艺需求进行选择和优化。3 高度自动化：系统集成度高，自动化程度高，能够实现从衬底预处理、沉积过程到后处理的全程自动化控制，提高生产效率和产品质量。4 广泛的材料适应性：可适用于多种化合物半导体材料的沉积，包括但不限于GaN、GaAs、InP等，满足不同应用领域的需求。5 高效能：沉积速率快，生产效率高，同时能够保持较低的能耗和成本。4 设备参数：1、可用反应器容量：42x2 英寸/11x4 英寸/6x6 英寸 2、最高的晶圆吞吐量和快速的循环时间3、通过提高均匀性和工艺稳定性实现最大生产量4、提高生产率

原子层沉积技术原子层沉积系统：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。原子层沉积系统应用：高介电薄膜疏水涂层钝化层 深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜微流控台阶涂层用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池ALD-4000原子层沉积系统特点：独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能 安全互锁设计，强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖最多7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀ALD-4000原子层沉积系统选配项：NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)臭氧发生器 等等客户定制选项 案例：6”晶圆片上的均匀性数据

1.产品概述：Beneq P400A 为以优化的批量大小涂覆不同类型的基材而设计 - 足够大以提供显着的容量，但又足够小以在批次和较短的循环时间内保持出色的均匀性。我们的客户将 P400A 用于光学镀膜和在玻璃或金属板上使用 ALD 的应用。2.产品配置:Beneq P400A 通常用于直径范围为 20 毫米至 300 毫米的基板批次。批量设置可针对特定零件、片材、晶圆或其他基板进行优化。扁平基板的总批量大小可达8米设计和设置让我们选择和设计佳的工具设置和原子层沉积工艺，以适应您的基材和应用。P400A 的多功能设计使其易于在反应室和底物支架的不同设置之间切换。这意味着您可以使用相同的原子层沉积系统从研发顺利过渡到批量生产。Beneq 提供量身定制的应用开发以及试生产支持，因此您可以在建立自己的 ALD 制造能力之进行测试。厚膜叠层用于厚膜堆叠（ 1 μm） 的理想 ALD 工具。 大批量的厚膜堆叠需要大量的驱体，同时会产生大量的残留物和副产品。为了应对这些挑战，P400A 配备了高容量驱体源以及驱体灭活和过滤系统。Beneq P400A 是 35+ 年工业生产发展的结果，拥有大批量 1μm 厚膜堆叠，。3.产品优势：Beneq P400A 的温度范围从室温到 550°C，可轻松处理气体、液体和固体驱体，包括有毒、自燃和腐蚀性驱体材料。维护更简单、频率更低。沉积厚膜堆叠的原子层沉积工具通常需要每月清洁一次。P400A 的高容量泵管路过滤器使该工具即使在大批量生产中也能运行数月而无需维护。由于需要冷却ALD 反应室，更换 ALD 反应室可能需要一整天的时间，但 P400A 将时间缩短到几分钟。它的设计使操作员只需拉出反应室和其他需要清洁的部件。避免因维护而造成不必要的停机时间。Beneq P400A 使用多个反应室，这些反应室在每次运行之间连续切换。这使您可以大限度地减少与维护相关的生产停机时间。Beneq 有的预热器。我们可选的预热烤箱可缩短加热时间，进一步提高您的吞吐量。

1 产品概述： 化合物半导体沉积系统是一类专门用于制备化合物半导体材料的设备，这些材料通常由两种或多种元素组成，如GaAs、GaN和SiC等。这些材料因其独特的高功率、高频率等特性，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中占据重要地位。2 设备用途：化合物半导体沉积系统的主要用途包括：晶圆制备：通过外延生长技术，在衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，用于制造高性能的半导体器件。芯片设计与制造：支持化合物半导体器件的设计与制造过程，包括射频功率放大器、高压开关器件等。光电器件：用于制造太阳电池、半导体照明、激光器和探测器等光电器件。微波射频：在移动通信、导航设备、雷达电子对抗以及空间通信等系统中，化合物半导体沉积系统用于制造射频功率放大器等核心组件。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：高精度与均匀性： 沉积均匀性：能够实现晶圆级的高沉积均匀性，确保薄膜厚度和质量的一致性。 精确控制：通过调节沉积参数，如温度、压力、气体流量等，可以精确控制薄膜的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度。多功能性： 多种沉积方法：支持化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等多种沉积方法，满足不同材料和器件的制备需求。 多种薄膜材料：能够沉积金属薄膜、非金属薄膜、多组分合金薄膜以及陶瓷或化合物层等多种薄膜材料。高温与低温兼容性： 高温沉积：部分设备能够在高温下工作，确保薄膜的结晶质量和纯度。 低温辅助：采用等离子或激光辅助技术，可以降低沉积温度，保护基体材料不受高温损伤。高效与自动化： 高吞吐量：通过优化设计和自动化控制，提高生产效率，降低生产成本。 自动装载与卸载：部分设备配备自动卫星装载系统，实现样品的自动装载与卸载，提高操作便捷性。4 设备参数：用于在 150/200 mm 衬底（Si/Sapphire/SiC）上进行高级 GaN 应用 间歇式反应器的成本优势与单晶圆反应器独特的轴对称晶圆上均匀性相结合，在以下方面：o Wafer Bow （威化弓）o 层厚、材料成分、掺杂剂浓度o 组件产量暖吊顶通过晶圆提供最低的热通量o 由于垂直温度梯度最小，晶圆曲率最小o 允许使用标准厚度的硅晶片通过客户特定的衬底腔设计优化晶圆温度配置8x150 毫米5x200 毫米

Phoenix – 批量生产原子层沉积1. 生产能力Phoenix® 系统经过精心设计，可在从中试生产到工业制造的任何制造环境中实现高吞吐量和长的正常运行时间。技术人员和研究人员依靠 Phoenix® 在平面和 3D 基板上实现可重复、高精度的薄膜沉积。Phoenix® 支持多达6条独立的驱体生产线，可根据您的薄膜需求提供固体、液体或气体工艺化学成分。紧凑的占地面积和创新的设计使Phoenix® 成为具有批量生产ALD要求的人们的实用选择。2. 主要功能包括对工艺参数（包括温度、流量和压力）进行精确的软件控制，即使在敏感的基材上也能实现无缺陷的涂层获得利的 ALD Shield&trade 蒸汽捕集器可防止沉积物积聚，并大限度地减少多余的工艺气体排放到环境中大型工艺室可容纳 GEN 2.5 衬底、多个晶圆盒和更大的 3D 物体拥有成本低，启动和运营成本低占地面积小，可节省宝贵的洁净室空间标准配方和 ALD 材料一应俱全来自技术团队和博士科学家的全球全面支持和服务符合 CE、FCC 和 CSA 标准，具有许多内置安全功能

请通过我们的联系我们！分子层沉积系统MLD (Molecular Layer Deposition)是一种高级的有机聚合物薄膜与有机无机杂化膜制备技术，可以实现每个循环沉积一个分子层，精确控制厚度，在科研和工业界有非常好的发展前景。分子层沉积系统MLD相对于传统的有机聚合物薄膜沉积工艺（旋涂，热蒸发）而言，薄膜厚度精确可控（控制循环数），厚度更均匀、阶梯覆盖率和保型性更好、重复性更可靠。分子层沉积系统MLD：通过将两种反应气体（或者蒸汽）以气体脉冲形式交替地引入反应器，依靠留在基底表面的吸附分子（如羟基或氨基）进行反应而生成薄膜。由于每次参与反应的反应物局限于化学吸附于基底表面的分子，这使得 MLD 具有自限制生长特征。分子层沉积系统MLD目前可沉积的薄膜有： 有机聚合物物薄膜：Polyimide聚酰亚胺（热解可得到碳膜），Polyurea聚脲，Polyamide（聚酰胺（尼龙66），Polyimide–amide聚酰亚胺-酰胺，Polyurethane聚氨酯，Polythiurea聚硫脲，Polyester聚酯，聚乙二醇（PEG）等。 有机无机杂化薄膜：Al、Ti、Zn、Fe 的有机-无机杂化膜… 设备沉积部分薄膜均匀性数据：材料基片大小均匀性Al-EG(HQ, alucone)6”﹤1%Ti-EG(HQ, Tincone)6”﹤1%Zn-EG(HQ, zincone)6”﹤1%聚酰胺(polyamide)6”﹤3%聚酰亚胺(Polyimide)6”﹤3%聚脲(polyurea)6”﹤3%分子层沉积系统MLD应用领域：MLD沉积的有机聚合物薄膜、有机无机杂化薄膜、有机无机纳米叠层薄膜，可以用于微电子，MEMS， 薄膜封装、生物芯片，润滑，耐磨，耐腐蚀，防静电，阻燃，耐高温 防潮，防水保护层，药片薄膜衣等领域。MLD可实现单层、亚单层、埃级别的精确厚度控制，在分子水平上控制薄膜的形成和生长，并对形貌无特殊要求，能够在平面、粒子、纤维、多孔以及复杂结构上沉积薄膜。Polyimide聚亚酰胺与Ta2O5纳米叠层的介电常数与纳米力学性能：介电常数随Ta2O5含量增加而增加。薄膜的柔软度、弹性、塑性随Polyimide聚酰亚胺的增加而增加分子层沉积系统MLD沉积聚酰亚胺，热解成炭膜Al2O3/TMA+EG纳米叠层防水层：作为气体阻挡层，比单纯的氧化铝薄膜要好，WVTR值可达0.021 g/(m2day)，而氧化铝本身值为0.037 g/(m2day)，测试条件：85 °C，相对湿度85%。PEG薄膜作为防污薄膜-用于生物芯片MLD沉积PEG薄膜，可以提供厚度精确可控，高质量，防污的薄膜，使生物芯片具有高的选择性、稳定、可产业化。技术参数：反应器尺寸：4-8 英寸反应器温度：室温~400 oC前驱体源：4-6 路液/固源，2-3 路气源 MLD可与气相色谱、固定床/高压反应釜联用MLD 可与红外光谱仪联用以上类型 MLD，均可配备实验全程控制与监测系统、尾气处理等

Kurt J. Lesker Company （KJLC） ALD150LX&trade 是一种原子层沉积 （ALD） 系统，专为高级研发 （R&D） 应用而设计。创新的ALD150LX设计功能，如我们的前驱体聚焦技术&trade ，以及我们超高纯度 （UHP） 工艺能力等进步技术，提供了灵活性和性能。该ALD150LX强调在研发层面启用和支持创新的技术，不仅作为一个独立的平台，而且在集群工具配置中提供与其他过程和分析模块的连接。® ® ALD150LX集群工具的连接性消除了关键过程和分析步骤之间不必要的大气暴露，从而保护敏感的表面、层及其界面。这种连接性包括集成额外的原子层沉积和分析模块，以及其他 KJLC 薄膜沉积技术，以实现业内多技术工艺和分析能力和支持。结合质量、灵活性和性能，以及多种技术处理和分析能力，使ALD150LX成为创新的设计。LD150LX工艺室可以配置为纯热或等离子体增强 ALD。金属和差速泵弹性体密封件的组合可防止大气成分（即 N2、O型2和 H2O）从进入底物所在的反应区，从而促进了UHP工艺环境。特别是，UHP条件降低了背景氧杂质的水平，从而限制了高质量非氧化物基材料及其界面在薄膜生长之前、期间和之后的暴露。在氧化膜生长过程中，氧杂质也是寄生性CVD的来源。我们垂直流设计可实现分离、均匀的前驱体输送，并促进前驱体利用率的提高以及服务间隔之间的平均时间延长。为避免不必要的材料在输送通道内积聚和颗粒形成，四个独立的腔室入口（不包括等离子体）可用于前驱体分离。例如，可以使用单独的入口来分离金属有机前体和共反应物，以防止在输送管线和阀门中沉积。等离子体增强原子层沉积 （PEALD） 配置可选金属和差速泵弹性体密封件的组合，可实现 UHP 工艺条件全层流和惰性气体扫除死区可保持反应器清洁，减少释气和虚拟泄漏用于原位椭圆偏振仪的分析端口（70° 入射角）（椭偏仪可选）四条独立的独立加热入口管路，用于前驱体输送，防止输送通道中不必要的积聚独立的基板加热器平台和外腔壳体，可实现出色的温度控制和均匀性304L不锈钢结构可访问、低维护的设计我们获得前驱体聚焦技术&trade （PFT&trade ） 将非活性帘式气体屏障与集中式前驱体输送和泵送相结合，以最大限度地减少与工艺室侧壁的相互作用，并将前驱体排除在腔室端口之外，从而提高前驱体利用率并延长维护间隔。用于椭圆仪集成的分析端口是ALD150LX的标准功能（椭偏仪可选）。基材（直径达 150 mm）通过水平装载口引入。一旦进入内部，垂直销升机构就用于通过拾取基板并将其直接放置在基板加热器级的表面上来完成转移。

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；电控系统；配气系统等部分组成。2.设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等域。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等3.产品配置：真空室结构:六边形侧开门真空室尺寸:φ350×370mm限真空度:≤6.6E-4Pa沉积源:1个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:大可放置4片20mmx25mm的基片，基片不加热，可自转，速度5～20转/分；占地面积（长x宽x高）:约1米x1米x1.9米电控描述:手动样品台：可放置基片，并可能具有旋转、加热等功能，以满足不同的工艺需求。例如，加热功能可以使样品达到一定温度，适应某些材料的沉积要求；旋转功能有助于提高薄膜的均匀性。控制系统：采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发速率、沉积时间等。多种材料沉积能力：可以沉积多种不同的薄膜材料，以满足不同的应用需求。良好的稳定性和可靠性：确保系统能够长时间稳定运行，保证薄膜沉积的重复性和一致性。可视化操作界面：可能具有直观的操作界面，方便用户进行操作和监控。不同型号的 SMART 蒸发薄膜沉积系统在具体参数和功能上可能会存在差异，例如真空度的高低、蒸发源的类型和功率、样品台的尺寸和可调节范围、膜厚监测的精度等。

1产品概述： 碳化硅沉积系统是一种专门用于生产碳化硅（SiC）材料的设备，它采用化学气相沉积（CVD）或其他相关技术，在特定条件下将碳和硅元素以气态形式引入反应室，并通过化学反应在基底上沉积形成碳化硅薄膜或晶体。该系统在半导体、光伏、新能源汽车等行业中具有广泛应用，是制备高性能碳化硅器件的关键设备之一。2设备用途： 半导体行业：用于制备碳化硅基功率器件，如MOSFET、肖特基二极管等，这些器件在电动汽车、光伏逆变器、轨道交通等领域具有重要应用。 光伏行业：在光伏逆变器中使用碳化硅功率器件可以提高太阳能转化效率，降低系统成本。 新能源汽车：碳化硅功率器件在电动汽车的电机控制器、电池管理系统等关键部件中发挥着重要作用，有助于提高车辆性能、降低能耗。3.设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：高精度与均匀性： 碳化硅沉积系统能够实现高精度的沉积控制，确保薄膜或晶体的厚度、成分和结构的均匀性。 这对于提高器件的性能和可靠性至关重要。多功能性： 系统支持多种沉积方法和工艺参数调整，以满足不同材料和器件的制备需求。 可以制备出具有不同电阻率、热导率等特性的碳化硅材料。高温与稳定性： 碳化硅沉积过程通常需要在高温条件下进行，系统需要具备稳定的高温控制能力和良好的热传导性能。 高温环境有助于促进化学反应的进行和碳化硅晶体的生长。4 设备参数： 运行4个系统，用于150/200 mm SiC工艺开发 由德国弗劳恩霍夫研究所（Fraunhofer Institute）提供支持的全面材料表征能力 通过碳化硅工艺演示/开发和培训为客户提供支持 150 mm和200 mm– 支持双晶圆尺寸 – 为您的未来投资提供保障 市场上高的晶圆产量/ m2

1. 产品概述AD-230LP是一种原子层沉积（ALD）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。2. 设备用途/原理氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。电子设备的闸门绝缘子。半导体、有机EL等的钝化膜。半导体激光器的反射面。在MEMS等3D结构上的沉积。石墨烯上的沉积。碳纳米管保护膜粉末涂层。3. 设备特点可以在原子层水平上实现均匀的层控制。可实现高纵横比结构的共形沉积。具有优良的平面内均匀性和再现性，实现了稳定的工艺。采用独特的反应室结构，优化了原料的气路和气体流，抑制了粒子。通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统，使反应室体积小化，缩短了气体吹扫时间，加快了一个循环的速度。

Anric Technologies是由哈佛大学的研究人员创立的，旨在解决台式ALD工具市场的空白，专门致力于为小样品和低预算设计和优化的。Anric 已经开发了几种新的薄膜工艺，包括最近获得专利的用于生长二氧化硅薄膜的混合ALD工艺。AT-410 设计灵感来自哈佛大学从事各种沉积工艺和设备应用时的观察。技术参数：基片尺寸：4英寸；加热温度：25℃~350℃；温度均匀性：±1℃；前体温度范围：从室温至150℃，±2℃；可选择加热套；前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源；PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏控制；模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现 氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟高纵横比沉积，具有良好的共形性曝光控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性；预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；简单便捷的系统维护及安全联锁；目前市面上占地小，可兼容各类洁净室要求的系统；可以为非标准样品而订制的夹具，如 SEM / TEM 短截线 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2)导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3)金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5)纳米结构 (All ALD Material)；6)生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)； 8)压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9)透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10)紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12)光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13)防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14)电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17)传感器 (SnO2, Ta2O5) 18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；