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锌单晶体

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锌单晶体相关的耗材

  • 碲化锌晶体 ZnTe
    THz晶体The application fields of zinc telluride are THz detectors THz emitters IR optics substrates crystal pieces for vapour deposition optical limiters.Basic propertiesZnTe TransmissionProductsZnTe rods, wafers, windows and substratesZnTe crystal pieces for vapour depositionZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1-xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线探测器,γ射线探测器的重要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大,结构紧凑,室温操作等优点。而现在工业和医疗方面产用的高纯Ge和Si的探测器,只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬X射线和γ射线的一种关键技术。天文学方面用CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源
  • 碲化锌晶体ZnTe
    [110]晶向的ZnTe碲化锌晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应,也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲,拥有非常宽的频率分量,这些分量间的相互作用(主要是差频)将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。 太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的晶向ZnTe实现光电探测。太赫兹光脉冲会使碲化锌晶体ZnTe产生双折射,因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在(ZnTe)碲化锌晶体中直线传播时,可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片,偏振分光体,以及平衡光电二极管,我们可以完成对可见光的偏振状态的监控,从而得知太赫兹光脉冲的振幅,延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息(振幅和相位延迟)的能力,是时域太赫兹光谱仪比较具有吸引力的特性之一。产品简介碲化锌晶体(ZnTe)是一种具有立方闪锌矿结构的电光晶体,通常被应用于THz波的产生以及探测。产品特点: — 应用于THz产生、探测和光学限幅器— 晶体纯度高 99.995%-99.999%— 表面质量优不同厚度碲化锌晶体ZnTe的TDS测试数据:产生端ZnTe晶体厚度为0.5mm,探测端晶体厚度分别为0.5mm,1mm,2mm碲化锌晶体参数规格:晶格结构:立方闪锌矿密度: 5.633 g/ cm3比热:0.16 J/gK带隙 (300 K):2.25 eV最大透过率 (λ =7-12 μm):60 % 最大电阻率:109 Ohm*cm折射率 (λ =10.6 μm):2.7电光系数 r41 (λ =10.6 μm):4.0×10-12 m/V电阻率:a). low: 103 Ohm*cm b). high: 109 Ohm*cm最大 IR-optic blank 直径/长度: 38×20 mm最大单晶尺寸 直径/长度: 38×20 mm碲化锌晶体ZnTe产品:碲化锌晶体ZnTe棒、碲化锌晶体晶圆片、碲化锌晶体窗片和基底直径/边长:1-50 mm厚度/长度:0.1-150 mm晶向:(110), (100), (111)表面质量:As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830
  • ZnSe硒化锌晶体
    ZnSe硒化锌晶体 通常硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失极低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的优秀材料选择。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。 硒化锌材料对热冲击具有很高的承受能力, 使它成为高功率CO2激光器系统中的优秀光学材料。硬度只是多光谱级ZnS的2/3, 材质较软易产生划痕, 而且材料折射率较大, 所以需要在其表面镀制高硬度减反射膜来加以保护并获得较高的透过率。在其常用光谱范围内, 散射很低。在用做高功率激光器件时, 需要严格控制材料的体吸收和内部结构缺陷, 并采用最小破坏程度的抛光技术和最高光学质量的镀膜工艺。广泛应用于激光,医学,天文学和红外夜视等领域中。 ZnSe硒化锌也可生成单晶材料,可应用于IR电光调制器等。 ZnSe硒化锌是红外光学、衬底、闪烁体和电光调制器等的材料优秀选择。 基本参数:结构:立方(锌矿)密度5.264 g/ cm3硬度105 kg/ mm2弯曲强度(4pt弯曲)7500 psi杨氏模数10.2 Mpsi泊松比0.28热膨胀系数7.1×10-6 / K比热0.339 J / gK导热系数0.16 W / cmKEg,295 K.2.67 eV介电常数8.976最大透射率(λ=2.5-15μm)≥70.5%吸收系数(λ=10.6μm)(1-2)×10-3 cm-1(包括2个表面)损伤阈值(λ=10.6μm)≥100kWt/ cm2热光系数(dn / dT)6.1(λ=10.6μm)折射率(λ=10.6μm)2.4电光系数r41(λ=10.6μm)2.2×10-12 m / V.γ-辐射耐受剂量 106 J / kgZnSe透射率产品类型ZnSe晶体棒、晶圆、窗片和镜片等直径/宽度1-50 mm厚度/长度0.1-150 mm径向(110), (111),(100)表面质量As-grown, as-cut, 80/50, 60/40, 40/20 per MIL-0-13830用于气相沉积的ZnSe镜片:CVD - ZnSe硒化锌窗片硒化锌透镜纯度99.99%, 99.999%粒度0.01- 10 mm更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体
  • Quest 红外单反ATR快速测定配件 +金刚石晶体
    Quest 红外单反ATR快速测定配件 成立于1971年的英国SPECAC公司至今已经拥有45年的制造历史了,是世界上最领先的红外紫外以及XRF等样品制备配件的生产厂家。Specac 公司也是最早上市并成功应用衰减全反射ATR配件的厂家,我们为全世界各个知名的红外分析仪厂家提供配件和技术支持和服务。产品涵盖了从固体,液体到气体,粉末等所有红外分析样品的专业配件,欧洲品质,经久耐用。特点:适用于固体,粉末以及液体坚固耐用的单晶片金刚石晶体极宽的分析范围从10,000到40波数杰出的光谱质量高光通量可更换的金刚石、ZnSe 及Ge 晶体选项可应用于不同品牌和型号的光谱仪,多种颜色可选,为实验环境提供更多色彩元素Quest ATR 红外附件是一款Specac最新设计的单反射ATR附件,适合于实验室红外光谱仪的中红外、远红外波段的固体,粉末,液体样品的直接分析。杰出的光路设计和耐久的单片金刚石,可以获得质量优异的红外谱图。您可直接放置固体样品以及粉末或者微量的液体进行直接的分析。快速,准确,方便。全方位测试标准配置的Quest ATR附件拥有一块坚固耐用的单晶片金刚石晶体,是坚硬样品的理想之选,可有效避免样品刮伤晶体。这种设计还使得Quest ATR附件适用于最宽的样品范围。直径1.8mm的金刚石样品区带来样品与晶体的有效接触,即使是最微量的样品量,分析也可以完成。Specac的Synopti-Focal Array高精度半球面镜子加工技术可以使得Quest ATR附件有极高的光通量,波段可以扩展到中红外和远红外。这些特征与在ATR晶体上的最佳入射角度一起保证了杰出的光谱品质。 宽范围多应用Quest ATR附件可选择四款易更换的晶体:高光通量的金刚石晶体用于中红外分析 (7800cm- 1 -400cm- 1 );扩展到远红外(10000cm- 1 - 40cm-1)的金刚石晶体;适合于一般油剂化合物的硒化锌ZnSe晶体及适合于高吸收的锗Ge晶体。我们设计了耐用的不锈钢工具箱用于存放这些ATR晶体以保证它们的稳定性。亲密接触功能强大的压力塔保证了样品载入的良好重复性。通过预设压力上限,样品载入操作变得更简单。当压力达到上限时,您可以听到提示音,保证样品与晶体的充分接触。我们为您提供平面及圆形的压头以满足不同形状的样品。两种不同的压头可以简单方便地切换及保存。针对不同厂家型号的光度计 Specac公司相信您实验室的所有仪器配件都应该能够快速、简单的切换。为了实现这个目的,我们开发了Benchmark™ 底座系统作为附件与仪器之间的载体,仅用手指就可以完成切换与安装。您可以将Benchmark™ 底座系统保存在样品室以满足其他适配的附件。为什么单晶片金刚石晶体如此重要?目前市面上的金刚石ATR附件主要分为两类:一种是固体单晶片金刚石,另外一种是由光学元素(如ZnSe)支撑的薄金刚石晶圆。单晶片金刚石ATR附件更加坚固耐用,特别适用于点样品载入及坚硬样品;并且可以适配宽透射金刚石窗片。相反,另一种金刚石ATR附件不适用于点样品载入,支撑的光学元素可能造成信号延迟,限制透射范围。在2000cm-1 - 2500cm-1范围更薄的晶体会导致信号吸收下降。订购信息Quest ATR 附件订购时请指明适配红外光谱仪厂家及型号GS10800-X Quest® ATR 金刚石GS10801-X Quest® ATR 高通量金刚石GS10802-X Quest® ATR ZnSe硒化锌GS10803-X Quest® ATR Ge锗X = 表盘颜色请选择适合您实验室的表盘颜色B = 黑色O = 橙色Y = 黄色P = 紫色 G = 绿色R = 红色A = 蓝色Quest® ATR 晶体单独购买GS10810 Quest® ATR 金刚石晶体 ,GS10811 Quest® ATR 高通量金刚石晶体GS10812 Quest® ATR ZnSe晶体 ,GS10813 Quest® ATR Ge晶体相关附件GS10820 Quest® ATR 不锈钢平压头,GS10821 Quest® ATR 不锈钢圆压头GS10825 Quest® ATR 外罩,GS10707 清洗波纹管(1副)
  • 钨芯记号笔 6-539-03
    产品及型号:编号品名颜 色RMB(含税)6-539-03D笔金色¥ 500.006-539-04D笔换芯&mdash ¥ 270.006-539-05D点笔银色¥ 400.006-539-06D点笔换芯&mdash ¥ 180.00特点 1. 从金属到塑料,用途广泛。 <D笔> 1. 笔芯是对微小的金刚石进行特殊加工而成的,可一直用尖锐的金刚石结晶面来写。 2. 不择方向,根据写时用力的大小可自由地改变线的粗细。 <D点笔> 1. 用特殊技术将单晶体金刚石安装在笔尖。用途 1. 玻璃器具、玻璃板、有色玻璃、光学镜头 2. 半导体集成电路的陶瓷组件 3. 衬底等半导体材料 4. 陶瓷器和陶瓷
  • ZnGeP2 晶体 ZGP晶体 太赫兹晶体
    产品简介 ZnGeP2(ZGP)单晶是用于频率转换产生中红外以及太赫兹波的高效的非线性光学材料。ZnGeP2晶体具有正的双折射,可以在0.75um-12.0um的波长范围进行相位匹配光学参量频率转换。其有用的传输范围位于从2.1至10.6微米,此范围内具有低至 0.04cm-1的吸收。ZnGeP2具有很大的非线性光学系数和相对高的激光损伤阈值。ZnGeP2晶体具有以下应用:经由与1.06毫米混频上转换CO2激光光到近红外范围 :合频CO和CO2产生的激光辐射 高效的倍频CO,CO2脉冲激光(49%的倍频效率 1GW/cm2光强,2ns脉冲宽度,9.52毫米波长),在铒激光和钬激光激发下用于中红外波段OPO激光产生。ZnGeP2晶体的应用—— CO2激光器二次、三次和四次谐波产生—— 2um及光泵浦是的光参量产生—— 相干激发辐射太赫兹频段的光波 70um-1000um (0.3-4THz)详细参数透明度范围,微米0.75 - 12.0点群42m密度,g/cm34.12莫氏硬度5.5折射率:在2.00微米? ? = 3.1490 ? ? = 3.1889在4.00微米? ? = 3.1223 ? ? = 3.1608在6.00微米? ? = 3.1101 ? ? = 3.1480在8.00微米? ? = 3.0961 ? ? = 3.1350在10.00微米? ? = 3.0788 ? ? = 3.1183在12.00微米? ? = 3.0552 ? ? = 3.0949非线性系数,pm/ VD 36 = 68.9(10.6微米),D 36 = 75.0(9.6微米)光损伤阈值,MW /cm260(10.6微米,150纳秒)更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体
  • 碲化铁铜单晶
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。碲化铁铜单晶CuFeTe Crystals
  • CdSe晶体 硒化镉晶体 中远红外波片
    产品介绍: CdSe晶体非常适用于制作红外光学元件,偏振片,1/4、1/2波片,分束镜,基底,真空沉积靶材,DFM频率转换器。产品参数:结构 Wurtzite (Hexagonal)密度: 5.81 g/ cm3杨氏模量:5×1011 dyne/cm2热膨胀系数 (500 K):α 1=6.26×10-6/K α 3=4.28×10-6/K比热:0.49 J/gK 热导率 (at 25 °C):0.04 W/cmK最大透过率 (λ =2.5-15 μm):≥ 71 %吸收系数. (λ =10.6 μm):≤ 0.0015 cm-1 (including 2 surfaces)折射率 (λ =10.6 μm):2.4258 (no), 2.4437 (ne)电阻率a). low: 1 Ohm*cm b). high: about 10^11 Ohm*cm最大单晶尺寸:?40mm X L: 80 mm最大红外光学元件尺寸:?50mm X L:10 mm OR plate 50 mm X 15 mm X 12 mm硒化镉产品透过率曲线:直径/宽度1-50 mm厚度/长度0.1-150 mm晶向(0001), (10-10), (11-20)表面质量As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830CdSe 棒, 晶圆 和基片CdSe 晶体尺寸纯度99.995%, 99.999%颗粒尺寸0.01- 10 mm应用举例CdSe晶体应用于12.3um波片时,单片晶体的厚度:λ/2波片@12.3um:Order: 1 Half-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 2 Half-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 3 Half-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 4 Half-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 5 Half-wave plate thickness: 1.7877 [mm]Order: 6 Half-wave plate thickness: 2.1453 [mm]Order: 7 Half-wave plate thickness: 2.5029 [mm] Order: 8 Half-wave plate thickness: 2.8604 [mm]Order: 9 Half-wave plate thickness: 3.2180 [mm]Order: 10 Half-wave plate thickness: 3.5755 [mm]λ/2波片波片@12.3um:Order: 1 Quarter-wave plate thickness: 0.1787 [mm]Order: 2 Quarter-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 3 Quarter-wave plate thickness: 0.5363 [mm]Order: 4 Quarter-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 5 Quarter-wave plate thickness: 0.8938 [mm]Order: 6 Quarter-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 7 Quarter-wave plate thickness: 1.2514 [mm]Order: 8 Quarter-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 9 Quarter-wave plate thickness: 1.6090 [mm]Order: 10 Quarter-wave plate thickness: 1.7877 [mm] 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体
  • Al2O3 晶体基片
    产品名称:三氧化二铝(Al2O3)晶体基片产品简介:Al2O3单晶(Sapphire,又称白宝石,蓝宝石)有着很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,并且防化学腐蚀,它耐高温,导热好,硬度高,透红外,化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料,为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的需要,科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片,将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。 技术参数: 晶体结构六方 a =4.758 ? c= 12.992 ?结晶方向(11-20 ) - a plane: 2.379 ? (1-102) - r plane: 1.740 ?(10-10) - m plane: 1.375 ? (0001) - c plane: 2.165 ? 单晶纯度 99.99% 熔点2040 oC 密度3.98 g/cm3 硬度9 ( mohs)热膨胀7.5 (x10-6/ oC) 热容0.10( cal / oC) 热导46.06 @ 0 oC 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )介电常数~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis正切损耗 2x10-5 at A axis , 5 x10-5 at C axis产品规格: C, A, M, R 公差:±0.5度dia3"x0.5mm, dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛或双抛,Ra5A 注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
  • ZnS琉化锌晶体光学材料
    ZnS琉化锌晶体光学材料作为一个重要的二,六化合物半导体,硫化锌纳米材料已经引起了极大的关注,不仅因为其出色的物理特性,如能带隙宽,高折射率,高透光率在可见光范围内,而且其巨大的潜力应用光学,电子和光电子器件。硫化锌具有优良的荧光效应及电致发光功能,纳米硫化锌更具有独特的光电效应,在电学、磁学、光学、力学和催化等领域呈现出许多优异的性能,因此纳米硫化锌的研究引起了更多人的重视,尤其是1994年Bhargava报道了经表面钝化处理的纳米ZnS:Mn荧光粉在高温下不仅有高达18% 的外量子效率,其荧光寿命缩短了5个数量级,而且发光性能有了很大的变化,更为ZnS在材料中的应用开辟了一条新途径。可用于制白色的颜料及玻璃、发光粉、橡胶、塑料、发光油漆等。Zinc sulfide is commonly used for IR optics, substrates and as a source for evaporation. Basic propertiesStructure:Cubic (zincblende)Density: 4.08 g/ cm3Knoop Hardness:210 kg/ mm2Young’s Modulus:10.8 MpsiPoisson Ratio:0.27Coef. of Thermal Expansion:6.8×10-6/KSpecific Heat:0.469 J/gKThermal conductivity (at 25 °C):0.16 W/cmKMax. Transmittance (λ=7-12 μm):≥ 71 %Absorption Coef. (λ=10.6 μm):≤0.15 cm-1(including 2 surfaces)Thermo-Optic Coef. (dn/dT):4.7 (λ =10.6 μm)Refractive index (λ=10.6 μm):2.34Electrooptical coefficient r41 (λ=10.6 μm):2×10-12 m/VMax. crystal diameter/length:?38×30 mmZnS Transmission ProductsZnS rods, wafers and substratesDiameter/Width1-38 mmThickness/length0.1-150 mmOrientation(110)Surface qualityAs-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830ZnS crystal pieces for vapour deposition.Purity99.995%, 99.999%Particle size0.01- 10 mm 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体
  • DX-100单晶定向仪
    产品简介:DX-100单晶定向仪为单工作台,可满足单晶晶体的定向测量。 产品型号DX-100单晶定向仪主要特点1、DX-100单晶定向仪分为上、下机体上机体也叫主机,可以放置在桌面上来使用。主要用于放置被测晶体及进行测量操作。尺寸:695(长)×600(宽)×470(高)mm;下机体也叫电气箱,可放置到距离主机近的地面上。主要用于放置较大的主要电气件。尺寸:650(长)×460(宽)×470(高)mm。2、设备工作台样式晶体要求:适用于尺寸小的样品。样品台描述:带有小托板,及弹簧推进式样品固定装置。 晶体要求:适用于稍微大一些的样品。样品台描述:带有小托板,及隔膜气泵吸附功能,可满足晶片及小晶块的吸附测量。并且设备出厂时会待有一个金属垫块,满足稍微大些的晶块测量。※※※ 因为是单工作台,所以只能任选其中一种。技术参数1、设备综合精度为±30″(以供方提供的标准石英片10ī1面测量)最小读数:10″。2、仪器配置:DX-100型X射线单晶定向仪由机台、管套及各种机械附件组成的机械部分;由稳压器、控制器、高压变压器、放大器、计数器、风冷电机、X射线管及各种指示仪表组成的电气部分构成。(1)X射线发生器部分: X射线管:铜靶,风扇冷却,阳极接地。 最大管电压:30KVP,全压合闸。 管电流:0—5mA 连续可调,使用2.0mA以上,有可能损坏X光管并加大辐射危害。(2)输入电源:单相交流220V,50Hz,整机总耗电功率不大于0.3 KW 。(3)角度测量范围: 2θ角:-5~+110° θ角:-5~+55°
  • 二硫化钼单晶(MoS2)-合成
    1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司:巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一,注册资本11000万元,有办公用房300多平方米,厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成,部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组,项目技术处于国际领先地位,在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验,创新意识强,公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。 名称:二硫化钼单晶(MoS2)-合成纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm-20 mm 属性:半导体
  • 光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体
    光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体光折变晶体:SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中,相干光彼此干涉时,可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应,在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器,4波混频,相位共轭,光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20(BSO)和Bi12GeO20(BGO)显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体,具有低暗电导率,允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器,动态实时全息记录设备,相位共轭波混合,光学相关器和光学激光系统,用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件,如光学调制器,开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导,集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射(通常到波导平面)。 BGO SBN Sillenite Oxides的相对较大的电光和法拉第效应使其可用于光纤电/磁场传感器。我们能够少量提供未掺杂的BSO和BGO晶体用于科学研究,并大量用于工业目的。随着2x2x2 - 25x25x25 mm3晶体,我们还提供带有ITO(氧化铟锡)涂层的孔径高达30x30 mm2,厚度为0.5 - 5 mm的晶体板。 锶钡铌酸盐(SrxBa(1-x)Nb2O6)SBN是一种优异的光学和光折变材料。名义上纯,由Ce,Cr,Co,Fe掺杂。不同组成的SBN晶体用于电光学,声光学和光折变非线性光学器件。一种新的生长技术提供了优异的光学质量单晶,没有生长条纹,夹杂物和其他不均匀性,以及高达80mm的确定横截面和线性尺寸。SBN晶体元件满足不同应用的要求。基于这种独特的晶体生长技术,可以使用大量高质量的SBN光学元件和光折变单元,Fe:LiNbO3(其他掺杂剂可用)。 铁掺杂铌酸锂晶体(Fe:LiNbO3)是一种常用的具有高电光(EO)系数,高光折变灵敏度和衍射效率的光折变材料。与BaTiO3系列光折变晶体相比,它具有易于操作和存储,成本低,尺寸利用率大等突出优点,使其更适用于批量制造和实用设备。因此,Fe:LiNbO3晶体将预测广泛的应用。MolTech提供具有不同Fe掺杂浓度,尺寸和光学处理要求的晶体。 光折变晶体:SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi 12 SiO 20(BSO) Bi 12 GeO 20(BGO)Fe:LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方,点组:23立方,点组:23 三角形,3m4mm4mm晶格(胞)参数,?10.10 10.15-a = 12.46,c = 3.946a = 12.43024,c = 3.91341透射范围,μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20(ne),2.29(no)n e = 2.33,n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35,n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41,pm / V53.5r22 = 6.8,r31 = 10,r33 = 32r 13 = 47,r 33 = 235r 13 = 67,r 33 = 1340光学活性,500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度,g / cm 39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点,C8909201255(Tc = 1140)1500±10°C1500±10°C介电常数564085(e11)30(e33) 8803400暗电阻,欧姆厘米10 1410 14-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下---- 0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT---3×10 -4 K -1-居里温度---75℃56℃半波电压---240伏48 V我们可提供棒或薄片,由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。光折变晶体:SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体
  • 二硫化钼单晶(MoS2)
    1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司:巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一,注册资本11000万元,有办公用房300多平方米,厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成,部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组,项目技术处于国际领先地位,在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验,创新意识强,公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。 名称:二硫化钼单晶(MoS2)纯度:>99% 尺寸:~10mm-20 mm 属性:半导体
  • 高质量二维晶体材料
    高质量二维晶体材料二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的二维晶体材料,并提供定制服务(如二维材料机械剥离技术培训,层数判定等性能检测培训等),以满足客户的不同需求。1、名称:硫化镓(GaS) 纯度:>99.995% 尺寸:可定制 属性:半导体 2、名称:硒化铋(Bi2Se3) 纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm 属性:拓扑绝缘体 3、名称:碲化铋(Bi2Te3) 纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm 属性:拓扑绝缘体 4、名称:二硒化钼(MoSe2) 纯度:>99.995% 尺寸:~6 mm-10 mm 属性:半导体 5、名称:硫化锗(GeS)纯度:>99.995% 尺寸:可定制 属性:半导体 6、名称:二碲化钼(MoTe2) 纯度:>99.995% 尺寸:~6 mm-10 mm 属性:半导体 7、名称:二硫化钼单晶(MoS2)-合成纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm-20 mm 属性:半导体 8、名称:二硫化钼单晶(MoS2)纯度:>99% 尺寸:~10 mm-20 mm 属性:半导体 9、名称:二硫化钨(WS2) 纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm 属性:半导体 10、名称:二硒化钨(WSe2) 纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm 属性:半导体 11、名称:二硒化钒(VSe2) 纯度:>99.995% 尺寸:~7-10 mm 属性:半导体 12、名称:二碲化钨(WTe2) 纯度:>99.995% 尺寸:联系我们 属性:半金属 13、名称:硒化镓(GaSe) 纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm 属性:半导体 14、名称:大尺寸六边形氮化硼晶体(HBN) 纯度:>99.99% 尺寸:1.0-1.5 mm鳞片 属性:绝缘体 15、名称:高定向热解石墨(HOPG) 纯度:>99.995% 尺寸:可达12 x 12 x 2 mm 属性:金属 16、名称:天然石墨(NG) 纯度:>99.995% 尺寸:~2 mm 属性:金属 17、名称:石墨烯(graphene) 纯度:>99.995% 尺寸:<60 μm 属性:金属 18、名称:二硒化铪(HfSe2) 纯度:>99.995% 尺寸:~8 mm 属性:半导体 19、名称:二硫化铪(HfS2) 纯度:>99.995% 尺寸:可定制 属性:半导体 20、名称:硒化铟(In2Se3) 纯度:>99.995% 尺寸:~7 mm 属性:半导体 21、定制二维异质结 22、转移二维晶体材料的高纯聚合物 23、名称:定制二维晶体材料样品盒 可定制 超过30多种 24、名称:1T-二硒化钛(1T-TiSe2) 纯度:>99.995% 尺寸:可定制 属性:半导体 25、名称:二硫化钛(TiS2) 纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm 属性:半金属 26、名称:2H-二硫化钽(2H-TaS2) 纯度:>99.995% 尺寸:可定制 属性:半导体,具有电荷密度波 27、 名称:1T-二硫化钽(1T-TaS2) 纯度:>99.995% 尺寸:可定制 属性:半导体,具有电荷密度波 28、名称:二硒化钽(TaSe2) 纯度:>99.995% 尺寸:~8 mm 属性:半导体 29、名称:二硒化锡(SnSe2) 纯度:>99.995% 尺寸:~8 mm 属性:半导体 30、名称:二硫化锡(SnS2) 纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm 属性:半导体 31、名称:二硒化铼(ReSe2) 纯度:>99.995% 尺寸:~6 mm 属性:半导体 32、名称:二硫化铼(ReS2) 纯度:>99.995% 尺寸:~6 mm-8 mm 属性:半导体 33、名称:二硒化铂(PtSe2) 纯度:>99.99% 尺寸:~2 mm 属性:半金属 34、名称:Pb3Sn4FeSb2S14 纯度:>99.995% 尺寸:~8 mm 属性:半导体 35、名称:硫锡铅矿(PbSnS2) 纯度:>99.995% 尺寸:~8 mm 属性:半导体 36、名称:二硒化铌(2H-NbSe2) 纯度:>99.995% 尺寸:~8 mm 属性:超导体,具有电荷密度波 37、名称:二硫化铌(NbS2) 纯度:>99.995% 尺寸:~4 mm 属性:超导体 38、名称:金云母(KMg3AlSi3O10(OH)2) 纯度:高 尺寸:25 x 25 x 0.15 mm 属性:绝缘体 39、名称:白云母(K2O-Al2O3-SiO2) 纯度:高 尺寸:25 x 25 x 0.15 mm 属性:绝缘体 40、名称:CaSO4-2H2O 纯度:高 尺寸:1-2 cm 属性:绝缘体 41、名称:黑磷(BP) 纯度:>99.995% 尺寸:可达cm级别 属性:半导体(带隙~0.3eV)
  • ZnGeP2 (ZGP) 红外非线性晶体
    ZnGeP2 (ZGP) 红外非线性晶体√ZnGeP2√GaSe √AgGaSe2√ZnTe√AgGaS2由于具有独特的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、 AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作为光学非线性晶体,在中红外和远红外应用方面已经赢得了人们极大的兴趣。它们的应用包括:? 中红外波段OPO? 近、中红外波段频率转换? CO2 激光倍频 ? THz生成红外非线性晶体 具有大的有效光学非线性,宽的光谱和角度接收范围,透光范围宽,对温度稳定性和振动控制没有苛刻的要求,可以进行良好的机械加工( GaSe除外)。其它晶体有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnSAgGaS2AgGaS2的透光波段为0.53至12 μm。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中是最小的,但是其边缘为550 nm短波长高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,也被大量应用于利用二极管、掺钛蓝宝石、Nd:YAG和红外燃料激光器进行的差频混频实验,直接红外对抗系统,以及CO2激光倍频。通过信号和飞秒OPO系统驻波的差频,硫镓银晶体薄片在中红外波段超短脉冲发生方面用的很普遍。 14 mm长镀增透膜和用于被Nd:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶体的透过光谱 AgGaS2晶体1型 OPO 和SHG调谐曲线ZnGeP2AgGaSe2GaSeZnGeP2晶体的透光波段为0.74至12 μm,其中有用的透光范围从1.9至10.6 μm。 ZnGeP2拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。它成功地应用于以下应用领域:? 通过与10.6 μm 波长混频的 CO2激光的上转换;? CO和 CO2 激光辐射的和频;? 脉冲式CO、CO2 和DF化学激光的高效倍频;饵和钬激光泵浦时的中红外OPO光的发生。Terahertzlabs 光 学 提 供 具 有 最 低 吸 收0.04 cm-1 @ 2.1 μm的ZnGeP2 晶体,更好的适应OPO或OPA应用,然后泵浦2.05-2.1 μm,镀增透膜。 ZnGeP2晶体1型OPO和SHG调谐曲线 ZnGeP2晶体在2 μm附近的吸收光谱 15 mm长镀增透膜ZnGeP2晶体OPO@2.1 μm 的透过光谱AgGaSe2晶体的透光波段在0.73至18 μm波段之间。其有用透光范围0.9-16 μm及宽的相匹配能力,在被多种当前常用激光泵浦时,能为OPO应用提供极具潜力的应用。在2.05 μm的Ho:YLF激光泵浦下,已经获得2.5-12 μm的波长,以及在1.4-1.55 μm激光泵浦下,获得1.9-5.5 μm的非临界相位匹配操作。脉冲式CO2激光的高效倍频已经得到证明。 AgGaSe2晶体1型OPO和SHG调谐曲线 18 mm长无镀膜AgGaSe2晶体的透过光谱 25 mm长镀增透膜的AgGaSe2晶体的透过光谱GaSe 晶 体 的 透 光 波 长 在 0 . 6 5 至18 μm之间. GaSe晶体已经成功的应用于以下方面:CO2 激光的高效倍频,脉冲式CO、CO2和DF化学 激光(λ = 2.36 μm)倍频,CO和CO2激光向可见光的上转换,通过钕和红外燃料激光器或(F-)-centre激光脉冲的差频混频产生红外脉冲,3.5–18 μm范围内 OPG光的发生,飞秒脉冲泵浦时0.2-5 THz范围的高效太赫兹发生。由于材料结构(沿(001)平面切开)限制了应用领域,为了得到特定相位匹配角的晶体切割是不可能的。 17 mm长无镀膜GaSe晶体的透过光谱 GaSe晶体Type 1 和Type 2 SHG调谐曲线 切割后的 GaSe晶体胶合在特殊环形支架上物理特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe晶体对称性四方四方四方六角立方闪锌矿点群42m42m42m62m43m晶格常数, ? a5.4655.99015.7573.7426.1037c10.77110.882310.30515.918-密度, g/cm34.1755.714.565.035.633光学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe透光范围,μm0.74-120.73-180.53-120.65-180.65-17折射率@1.06 μmno3.23242.70052.45082.90822.7779ne3.27862.67592.39662.56765.3 μm no3.11412.61402.39542.83402.6974ne3.15242.58232.34212.459910.6 μmno3.07252.59152.34662.81582.6818ne3.11192.55852.29242.4392吸收系数, cm-1 @1.06um3.00.020.090.25-2.5um0.030.010.010.05-5.0um0.020.010.010.05-7.5um0.02-0.020.05-10.0um0.4-0.060.05-11.0um0.8-0.060.05-非线性光学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe激光损失阈值, MW/cm260251028-@脉宽, ns1005020150-@波长, μm10.62.051.069.3-非线性, pm/V111433163-Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 μm, deg76556714-Walk-off角@5.3 μm, deg 0.570.570.670.853.4-热学特性晶体ZnGeP2AgGaSe2AgGaS2GaSeZnTe熔点, oC129885199812331295热膨胀系, 10-6/oK⊥17.5(a)23.4(c)12.59.08.0⊥9.1(b)18.0(d)---‖1.59(a)-6.4(c)-13.28.25-‖8.08(b)-16.0(d)---@ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K计算折射率的SELLMEIER方程:晶体A BCDEF表达式ZnGeP2no8.04091.686250.408241.2880611.05-n2=A+Bλ2/(λ2-C)+Dλ2(λ2-E)ne8.09291.86490.414680.84052452.05-AgGaSe2no6.85070.42970.158400.00125--n2=A+B/(λ2-C)-Dλ2ne 6.67920.45980.212200.00126--AgGaS2no3.39702.39820.093112.1640950.0-n2=A+B/(1-C/λ2)+D/(1-E/λ2)ne3.58731.95330.110662.33911030.7-GaSeno7.4430.4050.01860.00613.14852194n2=A+B/λ2+C/λ4+D/λ6+E/(1-F/λ2)ne5.760.3879-0.22880.12231.8551780ZnTeNo, ne9.920.425300.377662.6358056.5-n2=A+B/(λ2-C2)+D/(λ2/E2-1)可以根据客户要求提供的其它晶体有: CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnSZnTe / 碲化锌:碲化锌晶体在110方向被用于通过光整流过程来产生太赫兹。光整流效应是晶体的二阶非线性光学效应,也是一种特殊的差频效应。对于有一定带宽的飞秒激光脉冲,不同的频率分相互作用产生从0到几太赫兹的带宽。太赫兹脉冲的整流是通过碲化锌晶体另一个110方向内自由空间电光整流产生的。太赫兹脉冲和可见光脉冲在碲化锌晶体内直线传播时,太赫兹脉冲在碲化锌晶体内产生双折射,这一现象被线偏振可见光脉冲读出。当可见光脉冲和太赫兹脉冲同时在同一晶体内传播时,可见偏振光在太赫兹脉冲作用下产生旋光,用一个λ/4波片和一个分束偏振器以及一组平衡光电二极管,通过监控可见光脉冲从碲化锌晶体出射后的偏振旋转相对于太赫兹脉冲的一组延迟时间,就可以监测太赫兹脉冲的振幅轨迹。能够读出完整的电场、振幅和延迟,是时域太赫兹光谱的魅力之一。 碲化锌也被用于红外光学元件基板和真空沉积。我们可提供尺寸为?40x30 mm的光学元件。注意: 碲化锌含有微气泡,这并不影太赫兹的产生,然而,它们在晶体被照明时的投影下是可见的。我们不接受关于晶体内有气泡的投诉。如何订购:ZnGeP2 (ZGP) Crystals货号Size, mmθφ镀膜 标注 交货期TL-ZP-4017x5x15 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm3周TL-ZP-4027x5x20 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm3周 TL-ZP-4037x5x25 mm54°0°AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μmOPO @ 2.1- 3.5-5 μm6周AgGaS2 (AGS) Crystals货号Size, mmθφ镀膜标注含税单价交货期TAGS-401H5x5x1 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 19800 元1周TAGS-402H6x6x2 mm50°0°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 216450元联系我们TAGS-403H5x5x0.4 mm34°45°BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μmSHG @ 3-6 μm, Type 112300元1周 TAGS-801H8x8x0.4 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 126800元1周TAGS-802H8x8x1 mm39°45°BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μmDFG @ 1.2-2.4 μm - 2.4-11 μm, Type 123490元1周关于晶体选择列表仅供客户参考A-F系列G-H系列 L-N系列 P-Z系列Al2O3GaTeLaAlO3PbWO4AlGaNLiTaO3PbF2AuGaPLiNbO3PbSAgGa:ZnOLiFPIN-PMN-PTAlN 单晶GdScO3LSATPMN-PTBaF2 GaSbLaF3SrTiO3 (国产,进口,Ti面终止SrTiO3)BaTiO3GaAsLiAlO2SrLaAlO4BGOGraphite(普通;热解)LGS 硅酸镓镧SrLaGaO4BSOGaSeLiGaO2Si(?超薄Si片)Bi2Te3GGG (Gd3Ga5O12)LGT钽酸镓镧SiC?(4H,6H,3C)Bi2Se3GeMgAl2O4 SBNBi2Se2TeHg(1-x)Cd(x)TeMgF2SiO2(玻璃和单晶)Bi2Te2SeInPMgOSi-GeBP 黑磷InAsMoSe2TiO2(锐钛矿型,金红石型)CdSInSbMoS2TbScO3CsI (TI)KH2PO4MoTe2TGGCaCO3KTaO3MgO:LiNbO3TeO2Cu(单晶)KTa 1-X NbXO3NdCaAlO4WTe2CdSeKClNaClWS2Ce:Lu2SiO5KTN Nb:SrTiO3CaF2ZnTeDyScO3ZnSeFe:SrTiO3
  • 铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾
    铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体,属钙钛矿结构,其晶胞这样构成:K+离子占据立方体角顶位置,Nb5+占据体心位置,O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3,简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外,还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅,KN不潮解,耐一般酸碱,化学性质十分稳定。 铌酸钾晶体标准特性? - 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh(铑), Fe(铁), Mn(锰), 和 Ni(镍)的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗 可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体,长波可至1000nm - 毫秒级的响应时间 应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 (和激光二极管)- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合 光折变光栅记录时间(photorefractive grating recording times)Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2 铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fe reduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rh reduced860nm1064nm0.5s50s 铌酸钾晶体吸收光谱 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体
  • 硒化镓晶体 GaSe晶体 太赫兹晶体
    产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03,熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体,随着温度的降低,GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体,通常被应用于这些方面:于CO2激光器的二次谐波的产生,CO2激光器频率上转换至近红外或可见光,中红外波段的光学混频,以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。 GaSe(硒化镓晶体)的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注:GaSe硒化钾晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno = 2.8340 ne = 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno = 2.8136 ne = 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365 GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体
  • ZGP晶体
    ZGP晶体全名ZnGeP2晶体,中文名磷锗锌晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件材料和仪器供应商!所销售的ZGP晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜,并进行严格的质量控制后进口到国内,质量非常可靠。ZnGeP2晶体(简称ZGP晶体)中文名磷锗锌晶体具有非线性大、吸收低、热导率高等特点,ZGP晶体,磷锗锌晶体是 目前实现高功率中、远红外可调谐激光输出的最佳非线性材料之一。以二极管泵浦固体激光(DPL)泵浦ZGP晶体(或ZnGeP2晶体,磷锗锌),采用光参 量变换技术(OPO)可以实现宽调谐中、远红外激光输出,且具有工作稳定可靠、体积小、重量轻及全固化等优点,在核突防红外对抗和激光干扰、致盲等方面有 重要应用前景.ZnGeP2晶体(ZGP晶体,磷锗锌)用于激光频率的转换,可以用于如下领域 : ZnGeP2晶体或磷锗锌可用于光学参量振荡(OPO), 使用2微米激光泵浦实现2.5-12微米的调谐激光输出;ZGP晶体或磷锗锌用于 CO- and CO2 -激光谐波。ZGP晶体,磷锗锌对 CO, CO2 激光和其他中红外激光 (1 - 11 μm)进行差频或合频.这种频率转换产生 2-11 μm 激光具有多种应用:工业和人为大气排放的远程监测;远程识别和检测电力工程,化工,石油工业等排放到大气中的有毒混合气体和气体废物;ZGP晶体全名ZnGeP2晶体,中文名磷锗锌晶体,ZGP晶体是高功率中、远红外可调谐激光输出的最佳非线性材料.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!
  • BSO硅酸铋晶体
    光折变晶体:BSO硅酸铋晶体光折变晶体:SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中,相干光彼此干涉时,可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应,在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器,4波混频,相位共轭,光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20(BSO)和Bi12GeO20(BGO)显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体,具有低暗电导率,允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器,动态实时全息记录设备,相位共轭波混合,光学相关器和光学激光系统,用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件,如光学调制器,开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导,集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射(通常到波导平面)。 BGO SBN光折变晶体:SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体Bi 12 SiO 20(BSO)Bi 12 GeO 20(BGO)Fe:LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方,点组:23立方,点组:23三角形,3m 4mm4mm晶格(胞)参数,?10.1010.15 -a = 12.46,c = 3.946a = 12.43024,c = 3.91341透射范围,μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0 晶体 折射率在0.63μm2.542.552.20(ne),2.29(no)n e = 2.33,n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35,n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41,pm / V53.5r22 = 6.8,r31 = 10,r33 = 32r 13 = 47,r 33 = 235r 13 = 67,r 33 = 1340光学活性,500纳米处的deg / mm4241.5 ---在600nm处为 - deg / mm25 24---密度,g / cm 39.159.24.645.4 5.4莫氏硬度5555.55.5熔点,C890 9201255(Tc = 1140)1500±10°C1500±10°C介电常数 564085(e11)30(e33)8803400 暗电阻,欧姆厘米10 1410 14 -- -吸收系数@0.44μm- -- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下--- -0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT- --3×10 -4 K -1 -居里温度--- 75℃56℃半波电压-- -240伏48 V我们可提供棒或薄片,由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。BSO硅酸铋晶体
  • 磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体
    磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体产品简介 磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观:橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型,晶格常数5.447±0.06埃,化学键是以共价键为主的混合键,其离子键成分约为20%,300K时能隙为2.26eV,属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 (110)晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体,其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。 中文名:磷化镓外文名:Gallium phosphide分子式:GaP分子量:100.6968实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线,400um厚GaP晶体探测的结果GaP磷化镓晶体产品GaP 磷化镓晶体基本规格(a) Description 1 GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished. 2 GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished.. 3GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished.. 4GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished.. 5 GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished.. 6GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..(a)其他规格要求可以定制
  • THz晶体-ZGP/GaSe/AGS/KTP
    THz晶体-ZGP/GaSe/AGS/KTP 筱晓光子技术有限公司的德国合作方之一 MolTech公司生产和经销各类激光晶体,包括作为激光活性物质的晶体,光学器件晶体,各种单晶,非线性光学晶体!现在我公司把MolTech公司的部分用于THz产生的非线性晶体介绍给中国的科研界客户。 1、ZnGeP2 ZnGeP2(磷 镓银)单晶有着最大的光学非线性系数和极高的激光损伤阈值,是用于中红外和太赫兹波段非常高效的非线性光学材料。ZGP晶体具有正双折射效应,因此它可以 用于0.75-12μm波长范围的相位匹配频率转换。可以将1.06mm光与CO2激光混合,实现到近红外波段的上转换。 透过范围(μm)0.75 – 12.0点群42m密度(g/cm3)4.12摩氏硬度5.5反射系数 2.00 μmno = 3.1490 ne = 3.18894.00 μmno = 3.1223 ne = 3.16086.00 μmno = 3.1101 ne = 3.14808.00 μmno = 3.0961 ne = 3.135010.00 μm no = 3.0788 ne = 3.118312.00 μmno = 3.0552 ne = 3.0949非线性系数(pm/V)d36 = 68.9(10.6μm处),d36 = 75.0(9.6μm处)损伤阈值(MW/cm2)60 (10.6μm,150ns) 2、GaSe GaSe(硒化镓)具有非线性系数大,损伤阈值高和透过范围宽三重优势,是一种非常适合作中红外光二次谐波的非线性光学单晶。 GaSe可以用于CO2激光器的倍频,上转换CO和CO2激光射线到可见范围。 GaSe还可以用于太赫兹射线的产生透过范围(μm)0.62 – 20点群6m2密度(g/cm3)5.03晶格参数a = 3.74, c = 15.89 ?摩氏硬度2反射系数 5.3 μm 处no= 2.7233, ne= 2.396610.6 μm 处no= 2.6975, ne= 2.3745非线性系数(pm/V)d22 = 54离散角4.1°(5.3 μm)损伤阈值(MW/cm2)28 (9.3 μm, 150 ns) 0.5 (10.6 μm, in CW mode) 30 (1.064 μm, 10 ns) 3、AgGaS2 ( AGS) AGS (硫 镓银) 对于红外射线来讲,是一种非常高效的倍频晶体,尤其是10.6μm的CO2激光器, 虽然其非线性系数很低,但是它在550nm附近非常高的短波 透过率在YAG泵浦的OPO有广泛应用,还可应用于中红外波段的混频系统波长范围从4.0到18.3 μm, 通过差频实现红外波段光输出。透过范围(μm)0.47 - 13点群4m2密度(g/cm3)5.03晶格参数a = 5.757, c = 10.311 ?摩氏硬度3.0 - 3.5反射系数 5.3 μmno = 2.4521 ne = 2.39903.0 μmno = 2.4080 ne = 2.35455.3 μmno = 2.3945 ne = 2.340810.6 μmno = 2.3472 ne = 2.293412 μmno = 2.3266 ne = 2.271610.6 μm 处no= 2.6975, ne= 2.3745非线性系数(pm/V)d36 = 12.5离散角0.76° at 5.3 μm 4 KTiOPO4?(KTP) KTP(磷酸钛氧钾)是一种优质的非线性晶体,它光学质量高,透过范围宽,二次谐波转换效率是KDP的三倍以上,损伤阈值高,离散角小。KTP是倍频Nd:YAG激光器及其它掺钕激光器最合适也是应用最广泛的晶体。 应用:1、1.064μm光的二倍频发生器2、近红外波段的光参振荡器3、近红外波段的差频发生器
  • ZnGeP2晶体
    ZGP晶体全名ZnGeP2晶体,中文名磷锗锌晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件材料和仪器供应商!所销售的ZGP晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜,并进行严格的质量控制后进口到国内,质量非常可靠。 ZnGeP2晶体(简称ZGP晶体)中文名磷锗锌晶体具有非线性大、吸收低、热导率高等特点,ZGP晶体,磷锗锌晶体是 目前实现高功率中、远红外可调谐激光输出的最佳非线性材料之一。以二极管泵浦固体激光(DPL)泵浦ZGP晶体(或ZnGeP2晶体,磷锗锌),采用光参 量变换技术(OPO)可以实现宽调谐中、远红外激光输出,且具有工作稳定可靠、体积小、重量轻及全固化等优点,在核突防红外对抗和激光干扰、致盲等方面有 重要应用前景.ZnGeP2晶体(ZGP晶体,磷锗锌)用于激光频率的转换,可以用于如下领域 : ZnGeP2晶体或磷锗锌可用于光学参量振荡(OPO), 使用2微米激光泵浦实现2.5-12微米的调谐激光输出;ZGP晶体或磷锗锌用于 CO- and CO2 -激光谐波。ZGP晶体,磷锗锌对 CO, CO2 激光和其他中红外激光 (1 - 11 μm)进行差频或合频.这种频率转换产生 2-11 μm 激光具有多种应用:工业和人为大气排放的远程监测;远程识别和检测电力工程,化工,石油工业等排放到大气中的有毒混合气体和气体废物;ZGP晶体全名ZnGeP2晶体,中文名磷锗锌晶体,ZGP晶体是高功率中、远红外可调谐激光输出的最佳非线性材料.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!
  • KDP晶体DKDP晶体ADP晶体磷酸二氢钾
    KDP晶体DKDP晶体ADP晶体磷酸二氢钾二氢磷酸钾 KDP晶体(KH2PO4)、DKDP晶体或D * KDP(KD2PO4)和ADP晶体(NH4H2PO4)广泛用作Nd:YAG和Nd:YLF激光器的二次、三次和四次谐波发生器。该晶体也被广泛用于电光应用,如Nd:YAG、Nd:YLF、钛:蓝宝石 Ti:Sapphire和翠绿宝石 Alexandrite激光器Q开关,以及用于普克尔盒和声-光应用。常用的电光晶体是DKDP,氘化 率超过98%。这些晶体通过水溶液法生长,并且可以长到非常大的尺寸,可用作低成本和大尺寸的非线性元件。对于1064nm 的Nd:YAG激光器的倍频(SHG)和 三倍频(THG),I型和II型相位匹配都可用于KDP和DKDP。对于Nd:YAG 激光器的四倍频(4HG,266 nm),通常建议使用KDP晶体。KDP磷酸二氢钾晶体(KH2 PO4)是一种水溶性晶体,因其非线性光学特性而闻名。KDP晶体用于生产各种脉冲激光器中的电光元件(普克尔盒)、波片、变频器(用于自相关仪和互相关仪的二次、三次和四次谐波发生,参量发生器和放大器等) DKDP晶体可以提供 94%, 96%和 98%的氘化水平。我们可根据客户的要求提供未抛光或者抛光的高品质KDP、ADP和DKDP晶体。形状可谓棒状、方形或其他形状。参数规格:KDPDKDPADP透明度范围,μm 0.174 - 1.570.2 - 2.10.18 - 1.53对称类42m42m42m 晶格参数,?A = B = 7.453 C = 6.975A = B = 7.469 C = 6.976A = B = 7.499 C = 7.549密度,g / cm 32.3382.3551.803莫氏硬度2.52.52.0折射率 407.8 nm:no = 1.52301 ne = 1.47898no = 1.5185 ne = 1.4772no = 1.53925 ne = 1.49123 在632.8nmno = 1.50737 ne = 1.46685no = 1.5044 ne = 1.4656(在623.4 nm处)no = 1.52195 ne = 1.47727 在1064nm no = 1.4938 ne = 1.4599no = 1.4948 ne = 1.4554no = 1.5071 ne = 1.4685非线性系数为1.064μm,pm / V.d 36 = 0.39 d 36 = 0.37d 36 = 0.47 光损伤阈值,MW / cm 2300 - 600(1064 nm,20 ns) 100(1064 nm,20 ns)500(1064 nm,60 ns)常温下KDP波长折射率曲线选型: 材料KDP/DKDP/ADP应用For example:SHG@1064 SFG@800+267-200 DFG@780-842-10600 OPO@355-460÷560+960÷1150 etc. Type & angles:Type =I/ II?Angles:Theta=?° , phi=?°镀膜For example:p-coating, ARC s1/s2 1064 R0.25% ARC s1/s2 1064 R0.25%+5320.5% BBAR s1/s2 1064 R1%+3÷105% etc.尺寸抛光面 更多晶体相关产品: 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体
  • 玻璃碳器皿 GEK
    玻璃碳器皿 有需求请联系上海昭沅仪器设备有限公司! 021-35359028/29 玻璃碳,有时称之为&ldquo 玻璃质&rdquo 碳,能够被塑造成坩锅和钵,适用于全球实验室化学药品分析或配制氟磷酸盐及其他玻璃质物质。玻璃碳制成的坩锅同样适用于单晶体和超高纯净物质的培养。 玻璃碳还展示出卓越的生物学(即活体组织)兼容性,因此,也适用于生命科学研究和普通医学领域。玻璃碳坩锅具有广泛的应用领域,其中之一就是能够熔化贵金属。 其他相关产品: 玻璃碳蒸发皿: 玻璃碳烧杯:
  • 蛋白晶体吸液纸芯Liquid Wicks
    吸液纸芯Liquid Wicks 这种纸芯头部很尖、吸液性能强大,远远超过海绵头或者棉花头的吸液类产品。一般提供四种规格15, extra fine (XF), fine (F), and Medium (M).15号纸芯与MicroMounts的吸液孔完美配合,可以干净的吸取晶体上面多余的液体。Medium (M) and Fine (F)一般用于洁净Mounts。每盒300根,长度28mm,粗端可以与0.7mm的自动铅笔配合使用。货号产品名称规格60160-15Size 15 Liquid Wicks300根/包60160-XFSize Extra-Fine Liquid Wicks300根/包60160-FSize Fine Liquid Wicks300根/包60160-MSize Medium Liquid Wicks300根/包价格仅供参考,详情请致电010-52571502
  • Yb:CaF2晶体
    Yb:CaF2晶体是孚光精仪进口,孚光精仪(Felles Photonic Instruments) 公司是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商!所销售的掺镱氟化钙晶体系 高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜,并进行严格的质量控制后进口到国内,质量非常可靠。我们已经为上海光机所, 中科院物理所,南开大学,中国工程物理研究院等诸多单位提供大量的激光晶体和非线性光学晶体,并为广大科研用户提供订制晶体服务, 欢迎垂询购买。Yb:CaF2晶体,(Yb:CaF2),又称为掺镱氟化钙晶体,是一种新的激光晶体。Yb:CaF2晶体是一种非常特别的发光材料,其激光活性中心可能是一个复杂的六聚群,认为它是最有前途的激光材料,高功率掺镱氟材料组成和高能激光系统的材料,掺镱氟化钙晶体可以在多个方面与目前使用的掺镱氧化物晶体和玻璃的竞争。Yb:CaF2晶体在低温下和在飞秒脉冲激光和很高的峰值功率激光放大领域最近取得新的进展。 Yb:CaF2晶体又称为掺镱氟化钙晶体,是一种新的激光晶体,Yb:CaF2晶体也被认为是最有前途的激光材料.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!
  • 非线性晶体,激光晶体,拉曼晶体
    提供各种非线性晶体(LBO,BBO,KDP,DKDP,KTP,LiIO3等),激光晶体(Nd:YAG,Yb:KGW,Yb:KYW,Nd:KGW,Ti:Sapphire等),拉曼晶体(KGW,Ba(NO3)2,调Q晶体等) ,尺寸,掺杂浓度,镀膜,切割方向等参数完全按照用户的需求制作。使用户百分百的满意。
  • SBN晶体
    SBN晶体又名铌酸锶钡是一种非常优异的光折变晶体材料。我们提供欧洲生长的高纯度SBN晶体或Ce,Cr,Co,Fe掺杂的SBN晶体。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体,用于电光,声光和光折变等非线性光学研究。我们提供的SBN晶体采用新的晶体生长技术 (Stepanov Method), 提供出色的光学质量,晶体内部无生长条纹,包裹体和其他不均性现象。SBN晶体和铌酸锶钡元素满足不同的应用要求,基于这种生长技术,我们提供的SBN晶体具有尺寸大,品质高的特点。此外,我们还提供如下特殊掺杂的铌酸锶钡晶体:Ce, Cr, Co, Ni, La, Tm, Yb, Nd, Ce+La, Ce+Ti, Ce+Cr铌酸锶钡晶体应用: 1.SBN晶体用于双波混频:光学信息记录,动态全息干涉,光学全息放大等;2. 铌酸锶钡晶体用于四波混频:高效相位共轭,自泵浦相位共轭镜,双相位共轭镜:3. SBN晶体用于电光器件和声光器件;4. 铌酸锶钡晶体用于Pyroelectrical 探测器;5. SBN晶体晶体用于自倍频,自合频。SBN晶体和铌酸锶钡晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商!所销售的SBN晶体等光折变晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜,并进行严格的质量控制后进口到国内,质量非常可靠。SBN晶体和铌酸锶钡元素满足不同的应用要求,基于这种生长技术,我们提供的SBN晶体具有尺寸大,品质高的特点。此外,我们还提供如下特殊掺杂的铌酸锶钡晶体:Ce, Cr, Co, Ni, La, Tm, Yb, Nd, Ce+La, Ce+Ti, Ce+Cr铌酸锶钡晶体应用: 1.SBN晶体用于双波混频:光学信息记录,动态全息干涉,光学全息放大等;2. 铌酸锶钡晶体用于四波混频:高效相位共轭,自泵浦相位共轭镜,双相位共轭镜:3. SBN晶体用于电光器件和声光器件;4. 铌酸锶钡晶体用于Pyroelectrical 探测器;5. SBN晶体晶体用于自倍频,自合频。
  • Nd:YAG晶体
    Nd:YAG晶体(包括Nd:YAG激光棒和Nd:YAG晶体棒)是采用Czochralski法生长而成的掺钕钇铝石榴石晶体,在Nd:YAG晶体棒生长过程中使用了保护性的大气,精确控制退火,保证了Nd:YAG晶体棒良好的激光产生效率。我们标准的Nd:YAG晶体棒包括: I)Nd粒子掺杂浓度从0.3%到1.3%的Nd:YAG晶体棒和切片;II)Nd:YAG晶体棒直径从2mm到12mm长达160mmIV)Nd:YAG晶体棒按DIN和MIL标准的良好抛光,V)Nd:YAG晶体棒与布儒斯特角垂直或倾斜竖立VI)Nd:YAG晶体棒宽范围的增透,局部或高反镀膜VII)Nd:YAG晶体棒增透膜的R0.2%,抗损伤阈值大于15J/cm2 @10ns 脉宽键合Nd:YAG晶体棒我 们提供键合Nd:YAG晶体棒,由掺杂Nd:YAG晶体棒和不掺杂Nd:YAG晶体组成。这种键合Nd:YAG晶体棒有助于减小热透镜效应和其他热应力效 应,特别适用于二极管轴向泵浦的谐振腔。例如:Nd:YAG键合晶体,5x(4+8)mm规格,二极管轴向泵浦的效率超过29.5%。 微芯片激光非常适用于无Q开关的准直的谐振腔。这种紧凑的产品融合了制冷的非掺杂部件,Nd:YAG晶体工作物质和主动的可饱和的吸收器部分。绝缘镜片可以直接放在晶体正面,这种结构可以有效地从Nd:YAG晶体和可饱和吸收部分消除热量。我们提供的Nd:YAG晶体包括Nd:YAG晶体棒,是采用Czochralski法生长而成的掺钕钇铝石榴石晶体,保证了Nd:YAG晶体棒良好的激光产生效率.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!Nd:YAG晶体棒由孚光精仪进口,孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商!提供的Nd:YAG晶体棒, 掺钕钇铝石榴石系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜,并进行严格的质量控制后进口到国内,质量非常可靠,在中科院上海光机所,安徽光机所,中国工程物理研究院等单位成功使用。
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