锌单晶体

HPGe高纯锗晶体High Purity Germanium Single Crystal – P Type9N,10N,11N,12N,13N 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

P型、N型、11N/12N/13N/高纯锗晶体HPGe、高纯锗单晶 ?1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

Freiberg Instruments的单晶XRD定向仪 主要里程碑： ◆ 1961 - EFG GmbH公司由X-ray Ing.集团亚瑟布拉达切克和他的儿子汉斯布拉达切克创立。 ◆ 1969 - 研制了世界上首台基于集成电路的x射线检测计数装置，名为 COUNTIX 130。◆ 1989 - 开发 Omega-Scan 方法BOSCH 要求提供圆形石英毛坯的定向测量系统 - 振荡器产量从 50% 提高到 95%◆ 2005 - 将 Omega 转移到其他材料，如SiC、蓝宝石、GaN、GaAS、Si、Ni基高温合金 ◆ 2010 - 推出用于晶体取向测量的台式 X 射线衍射仪 ( DDCOM ) 全球售出 约 150台石英分选系统◆ 2015 - X 射线技术和 EFG GmbH 合并到 Freiberg Instruments GmbH 传承60年德国工匠精神-三代X射线工程师 产品优势： ◆ 采用Omega-scan扫描方法（专利技术） ◆ 测试速度快: 5s ◆ 测角精度高: 0.003 ◆ 兼具XRD定向功能以及Flat/Norch功能 ◆ 磨抛定向解决方案 ◆ 拥有晶锭粘接转移的专利技术（堆垛 stacking）专为SiC工业设计，被多家SiC衬底头部企业青睐，如：II-VI Advanced Materials, SiCrystal等，国外四分之三的碳化硅制造商依赖Freiberg Instruments公司的晶体取向测量技术，极大提高了生产效率，提升产品质量。 ◆ Mapping 面扫功能，摇摆曲线测定 ◆ 易于集成到工艺线中 ◆ MES和/或SECS/GEM接口 ◆ 倾斜的典型标准偏差（例如：Si 100）： 0.003 °，小于 0.001 ° Omega/Theta X射线衍射仪是一个全自动的垂直三轴衍射仪，用于使用Omega-Scan和Theta-Scan方法对各种晶体进行取向测定和摇摆曲线测量。大而宽敞的设计可以容纳长度达450毫米、重量达30公斤的样品和样品架。 所有的测量都是自动化的，可以从用户友好的软件界面上的访问。使用Omega扫描，可以在晶体旋转时（5秒）确定完整的晶格方向。Theta扫描更加灵活，但每次扫描只能得到一个取向成分。 倾斜角可以以非常高的精度确定；使用Theta扫描可以达到0.001°。对于所有其他晶体方向，精度取决于与表面垂直的角差。 该系统是模块化的，已经配备了许多不同的扩展，用于特殊的目的，如形状或平面的确定、绘图和不同的样品架。样品的倾斜是通过光学测量检测出来的，并可用于校正所产生的方向。 单晶衍射仪定向仪： ◆ 全自动完整的单晶体晶格取向测量 ◆ 使用欧米茄扫描法进行超快速的晶体取向测量 ◆ 自动摇动曲线测量功能 ◆ 衍射仪的角度分辨率：0.1角秒。 ◆ 样品尺寸可达450毫米 ◆ 适用于生产质量控制和研究 用户友好，成本效益高： ◆ 方便的样品处理，易于操作 ◆ 先进的、用户友好的软件 ◆ 能源消耗和运行成本低 ◆ 模块化设计，灵活性强 ◆ 各种升级选项 ◆ 根据用户的要求进行定制 选配功能： ◆ 自动Mapping面扫功能 ◆ Omega/Theta – 晶锭粘接转移的专利技术（堆垛 stacking） ◆ Omega/Theta - 摇摆曲线测量 ◆ Omega/Theta - 定制的样品台 ◆ 用于样品形状测量的激光扫描仪 ◆ 光学检测，用于平面和凹槽检测 ◆ 额外的样品旋转轴用于3D绘图 ◆ 二级通道切割准直器（分析器） ◆ 用于样品调整的设备

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地美国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

锗片、锗衬底 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径锗片、锗衬底 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 电阻率 0.02-0.04 ohm.cm 4、高纯度高纯锗HPGe晶体 说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。提供各种规格锗单晶、锗片（锗衬底），包含8英寸及以上的规格锗片

新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，新一代高性能激光浮区炉（型号：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能，将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度！应用领域可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作，跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：● 采用全新五束激光设计，确保熔区能量分布更加均匀 ● 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力● 采用了特的实时温度集成控制系统RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数： 加热控制加热类型5束激光激光功率2KW熔区温度2600℃ ~ 3000℃*温度稳定性+/-1℃晶体生长控制 晶体生长设计长度可达150mm*晶体生长设计直径可达8mm*晶体生长速度/转速可达 300mm/hr 100rpm样品腔可施加压力可达10bar样品腔气氛多种气路（O2/Ar/混合气等）可供选配晶体生长监控高清摄像头晶体生长控制PC控制*具体取决于材料及实验条件应用案例采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例： RubyDy2Ti2O7BaTiO3 Sr2RuO4 SmB6 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供用户单位东京大学日本国立材料研究所

技术特点▼l 能够测量小至1mm的晶体到或更大的样品l 各种样品架及输送夹具，用于线锯、抛光等l 侧晶方向标记选项l 无水冷却l 精度可达0.01°(视晶体质量而定)l 确定单晶的完全晶格取向l 使用Omega扫描方法的超高速晶体定位测量l 气冷式X射线管，无需水冷l 适合于研究和生产质量控制l 手动操作(没有自动化选项)晶体的方向是由反射位置决定的可测量材料的例子▼? 立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP ? 立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3 ? 正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4 ? 六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(蓝宝石)，GaPO4, La3Ga5SiO14 ? 斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3 ? 可根据客户的要求进一步选料 适合多种材料SDCOM的应用▼平面方向的标记和测量在晶圆片的注入和光刻过程中，需要平面或凹槽作为定位标记。切割过程中，晶片必须正确地对准晶圆片上易于切割的晶格面。因此，检查平面或缺口的位置至关重要。为了确定平面或缺口的位置，就需要测量平面内的部件。由于Omega扫描法可以在一次测量中确定完整的晶体方位，基于此，便可以直接识别在平面方向或检查方向的单位或缺口。DDCOM通过旋转转盘，可以将任何平面方向转换成用户指定的特定位置。在必须定义平面方向的情况下，这可以大大简化将标记应用到特定平面方向的过程。

产品型号：SKJ-50产品简介：SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的，然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。KMT可提供性能稳定，价格适中的SKJ 50 单晶生长炉，可生长多种氧化物高熔点晶体，晶体尺寸达 2-3" 。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：中频感应电源：25KW,频率 0.2 - 20 KHz 提拉速度:0.1-10mm/h 旋转速度:0-40 RPM 最高熔炼温度 : 2100oC 电源要求: 三相, AC 380V, 100A , 25KW 真空腔尺寸 : 50 cm dia. X 70 cm ，机械泵真空度可达 10-3 torr ， 扩散泵真空度（选配）可达 10-6 torr 欧陆温控仪可获得温度精度 +/-0.2 oC 电子秤 ( 下称重)在生长过程中可自动控制晶体的直径 水冷要求 水压：0.13-0.18MPa 水流量:60 L/minute 炉子尺寸: 炉体:88L× 125W× 285H cm 控制单元:68L× 54W× 170H cm 中频感应电源:110L× 50W× 150H cm 相关配件：提拉机构是永磁直流电机驱动 带水冷和机械泵的真空腔体. 控制拉速、转速、温度和电子秤的控制柜. 风冷的中频感应电源. 带水冷的感应线圈（铜管）可选配件：铱坩埚,控制晶体直径的电子秤具体信息请点击查看：

Thorlabs单晶压电陶瓷芯片和堆栈PQ91JK光学仪器特性25 °C时，整个行程中具有小于3％的迟滞单晶芯片：安装面尺寸：3.0 mm x 3.0 mm驱动电压范围：0 - 1000 V推荐负载为24 N(5 lbs)裸电极或带铜箔引脚分立式晶体堆栈：安装面尺寸：5.0 mm x 5.0 mm驱动电压范围：0 - 500 V推荐负载为64 N(14 lbs)带引线用于开环装置半球端帽和平面端板也可单独购买Thorlabs的单晶压电陶瓷芯片和晶体压电陶瓷堆栈由铅基晶体制成，此晶体显示出高度线性运动，并具有低迟滞和蠕变，因此这些装置非常适用于开环应用或没有定位控制的操作。每个晶体的顶部和底部印有电极。单晶芯片可选裸电极或预安装铜箔引脚的版本。分立式堆栈由多个单晶芯片和铜板通过环氧树脂粘合在一起组成，且堆栈的电极连接有引线。PQ91JKP3芯片和PQ9FC1堆栈带有预安装的平面陶瓷端板。当预载最大位移负载时，这些促动器可实现最大位移，下方指定了每个产品的最大位移负载。每个产品型号的最大位移实际值各不相同，必须通过实验确定；但是，最大位移始终大于自由行程位移。更多信息请查看工作标签。我们的单晶芯片的驱动电压范围为0 - 1000 V，而压电晶体堆栈的驱动电压范围为0-500 V。每个芯片上的黑点表示正极。每个单晶堆栈都具有一根连接在其正极的红色引线。为了适应各种负载条件，可以购买额外的平面陶瓷端板或半球陶瓷端帽作为这些芯片的配件。此外，Thorlabs提供锥形尾帽，可兼容直径为3.0 mm和5.0 mm的球形接触件。请查看工作标签，以获取关于给压电陶瓷促动器连接负载、特殊的操作注意事项以及在已知其工作条件时估算这些促动器寿命的数据等信息。我们还提供定制尺寸的单晶压电芯片。也可以定制兼容真空的芯片和堆栈。单晶压电陶瓷芯片晶体压电陶瓷堆栈

劳厄晶体定向仪采用劳厄法对晶体产生衍射，并通过成像板进行实时成像，从而达到快速定向。产品特点定向时间：1秒实时定向探测区域大可做晶体重量范围大适用于实验室和工厂中，大大增加研发的速度。

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。产品数据概览:材料：硅晶体晶体 1,100 mm晶体拉动长度： 长达100 mm (4″)晶体直径： 2.5 x 10-5 mbar极限真空度： 0.5 bar(g) 发电机 输出电压： 30 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 最高30 mm/min上部旋转： 最高35 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格 高度 6,280 mm宽度： 2,750 mm深度： 3,000 mm重量（总）： 约 4,900 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

产品名称：硅锗(Si-Ge)晶体基片产品简介：Al2O3（Sapphire,又称白宝石，蓝宝石）有着很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀，它耐高温，导热好，硬度高，透红外，化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料，为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的需要，科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片，将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。技术参数：单晶: Si-Ge （ wt 2%）导电类型: P type电阻: 7-8 ohm-cm抛光情况：单面抛光 产品规格：常规晶向：100；常规尺寸：dia4″x0.5mm；注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列切割机旋转涂层机

劳厄晶体衍射仪产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料，使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒， 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外，上主轴可以在X或Y方向移动。产品数据概览：材料：硅晶体晶体拉动长度 350 mm晶体直径： 最长可达 25 mm最后真空度： 2.5 x 10-5 mbar 最大过压： 2 bar(g)发电机输出电压： 15 kW频率： 2.4 MHz (FZ-14M)上轴进料速度： 最高 30 mm/min上部旋转： 最高 30 rpm下轴 拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 3,000 mm宽度： 1,020 mm深度 1,640 mm面积（总）: 1,800 mm x 4,000 mm重量（总）： 约2,500 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

激光加热基座晶体生长炉 法国Cyberstar公司生产的激光加热基座晶体生长（Laser-heated pedestal growth, LHPG）是在提拉法晶体生长基础上发展起来的、一种以激光为热源的无坩埚单晶纤维生长工艺，因局部熔化特性，亦可称其为浮区熔化晶体生长。 激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等特优势。产品特点： 系统具有多束激光，激光功率根据需要可调 温度可以达到2800℃以上 晶体提拉速度、旋转速度精密可调，提拉行程140mm 可通氩气、氧气等各种高纯气体气氛或者混合气体气氛 压力可以达到1.5Bar 真空度可以达到1X10-4mBar 全过程CCD相机实时观测，非接触红外高温计实时监测温度应用案例钛酸锶（SrTiO3，STO）是一种应用非常广泛的衬底材料，比如：多铁或压电等应变工程薄膜材料。化学计量的STO在可见光波段是透明的，尽管方法不同，但目前如果不借助晶体生长后的退火处理步骤，仍然还不可能生长完全无色的大块STO晶体。生长后的晶体颜色一般在橙黄色到蓝紫色之间，有时甚至是黑色，关于这些颜色的成因也尚存争议。Franz Kamutzki等人通过法国Cyberstar公司的LHPG（激光基座加热法单晶炉）设备系统研究了化学计量配比、Sr过量配比、不同气氛（Ar, N2, O2, H2等）等条件下的STO单晶纤维生长实验，相关实验为系统研究STO单晶生长工艺条件和晶体颜色之间的关系具有重要意义。以下为Franz Kamutzki等人在文章中列出的不同工艺条件下生长出的不同颜色的STO单晶。参考文献：The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666测试数据化学计量配比生长的STO单晶样品的吸收谱Sr过量配比生长的STO单晶样品的吸收谱参考文献The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666发表文章1. Up-conversion dynamics in GdAlO3:Er3+ single crystal fibre. Optical Materials，Volume 5, Issue 4, May 1996, Pages 233-238.2. The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666.用户单位山东大学

FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中，可以分别以高达3 bar和5 bar的超压产生氩气气体，用以培育大晶体。同时，上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中，上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择，例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。产品数据概览:材料：硅晶体晶体拉动长度： 2,700 mm晶体直径： 长达 200 mm (8")极限真空度： 2.5 x 10-5 mbar最大过压： FZ-30: 3.0 bar(g)FZ-35: 5.0 bar(g)发电机输出电压： 120 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 高达 30 mm/min上部旋转： 高达 30 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 11,550 mm宽度： 3,800 mm深度： 4,050 mm面积（总计）: 5,000 x 6,000 mm重量（总计）： 约14,000 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

超高速Omega扫描方法比Theta扫描方法快200倍自动评估三维完整的晶格方向在5秒内测定整个晶体的方位紧凑，用户友好和成本效益易于移动和轻量级的桌面设计样品处理方便，操作方便空气冷却x射线管能耗低，运行成本低(无需水冷)有效的质量控制流程用于标准研究和工业工作流程晶体方位设定及标示预编程立方晶体参数先进方便的软件精度高，例如高至(1/100)°控制切割、研磨和抛光单晶的完全晶格取向适用于各种尺寸和重量范围大的独特材料，如：2-12英寸的晶圆片和20公斤以下的晶锭特点确定单晶的完全晶格取向使用Omega扫描方法的超高速晶体定位测量立方晶体任意未知取向的测定特别设计用于点阵方向的方位设置和标记气冷式x射线管，无需水冷适合于研究和生产质量控制可测量材料的例子立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP 立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(蓝宝石)，GaPO4, La3Ga5SiO14斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3可根据客户的要求进一步选料 在5秒内一次旋转中被捕获DDCOM的应用平面方向的标记和测量Omega扫描能够在一次测量中确定完整的晶体方位。因此，平面方向可以直接识别。这是一个有用的功能，以标记在平面方向或检查方向的单位或缺口。在晶圆片的注入和光刻过程中，平面或凹槽作为定位标记。经过加工后，晶圆片携带数百个芯片，需要通过切割将其分离。晶片必须正确地对准晶圆片上易于切割的晶格面。因此，检查平台或缺口的位置是必要的。为了确定平面或缺口的位置，必须测量平面内的部件。该仪器通过旋转转盘，可以将任何平面方向转换成用户指定的特定位置。这简化了将标记应用到特定平面方向的任务，例如必须定义平面方向时。对于高吞吐量应用程序，可提供自动测量解决方案。

产品名称：氧化锆(YSZ)晶体基片产品简介：氧化锆（ZrO2）由于ZrO2单晶需掺入钇（Y）以稳定其结构， 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好，价格较低因而得以广泛应用。技术参数： 化学分子式 (Zr,Y)O2with Zr : Y = 91:9 晶体结构 立方 晶格常数 a = 5.125 ? 密度 5.8 g / cm3 纯度 99.99% 熔点 2800 oC 热膨胀系数 10.3 x10-6/ oC 介电常数 27 晶体生长方法 弧熔法产品规格：100, 110, 111公差：+/-0.5度dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛或双抛，Ra5A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

THz晶体MolTech(THz crystals)品牌: 德国MolTech关于德国Moltech公司： 德国Moltech公司位于柏林，专注于激光材料，激光介质，激光晶体，太赫兹晶体，法拉第隔离器的研发制作。Moltech公司的THz晶体广泛为中国的客户使用和好评。一、ZnGeP2晶体特点和应用 ZnGeP2(磷镓银)单晶有着最大的光学非线性系数和极高的激光损伤阈值，是用于中红外和太赫兹波段非常高效的非线性光学材料。ZGP晶体具有正双折射效应，因此它可以用于0.75-12μm波长范围的相位匹配频率转换。可以将1.06mm光与CO2激光混合，实现到近红外波段的上转换。 透过范围(μm) 0.75 – 12.0点群 42m密度(g/cm3) 4.12摩氏硬度 5.5反射系数 　2.00 μm no = 3.1490 ne = 3.18894.00 μm no = 3.1223 ne = 3.16086.00 μm no = 3.1101 ne = 3.14808.00 μm no = 3.0961 ne = 3.135010.00 μm no = 3.0788 ne = 3.118312.00 μm no = 3.0552 ne = 3.0949非线性系数(pm/V) d36 = 68.9(10.6μm处),d36 = 75.0(9.6μm处)损伤阈值(MW/cm2) 60 (10.6μm,150ns)二、GaSe晶体特点和应用： GaSe（硒化镓）具有非线性系数大，损伤阈值高和透过范围宽三重优势，是一种非常适合作中红外光二次谐波的非线性光学单晶。 GaSe可以用于CO2激光器的倍频，上转换CO和CO2激光射线到可见范围。 GaSe还可以用于太赫兹射线的产生典型参数：透过范围(μm) 0.62 – 20点群 6m2密度(g/cm3) 5.03晶格参数 a = 3.74, c = 15.89 ?摩氏硬度 2反射系数 　5.3 μm 处 no= 2.7233, ne= 2.396610.6 μm 处 no= 2.6975, ne= 2.3745非线性系数(pm/V) d22 = 54离散角 4.1°(5.3 μm)损伤阈值(MW/cm2) 28 (9.3 μm, 150 ns) 0.5 (10.6 μm, in CW mode) 30 (1.064 μm, 10 ns) 三、AgGaS2 ( AGS)晶体 AGS (硫镓银) 对于红外射线来讲,是一种非常高效的倍频晶体,尤其是10.6μm的CO2激光器, 虽然其非线性系数很低,但是它在550nm附近非常高的短波透过率在YAG泵浦的OPO有广泛应用,还可应用于中红外波段的混频系统波长范围从4.0到18.3 μm, 通过差频实现红外波段光输出。透过范围(μm) 0.47 - 13点群 4m2密度(g/cm3) 5.03晶格参数 a = 5.757, c = 10.311 ?摩氏硬度 3.0 - 3.5反射系数 　5.3 μm no = 2.4521 ne = 2.39903.0 μm no = 2.4080 ne = 2.35455.3 μm no = 2.3945 ne = 2.340810.6 μm no = 2.3472 ne = 2.293412 μm no = 2.3266 ne = 2.271610.6 μm 处 no= 2.6975, ne= 2.3745非线性系数(pm/V) d36 = 12.5离散角 0.76° at 5.3 μm四、KTiOPO4(KTP)晶体 KTP（磷酸钛氧钾）是一种优质的非线性晶体，它光学质量高，透过范围宽，二次谐波转换效率是KDP的三倍以上，损伤阈值高，离散角小。KTP是倍频Nd：YAG激光器及其它掺钕激光器最合适也是应用最广泛的晶体。应用：l 1.064μm光的二倍频发生器l 近红外波段的光参振荡器l 近红外波段的差频发生器 五、THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn 产品介绍：其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直接又具有发光能带间隙的物质了。GaP还可用于制作发光二极管，它能够发出绿光。 InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能成为光电二极管的主流产品,应用于高速通讯设备，其传输速度能达到40Gbps。InP还有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。参数：材料 InP InSb InP: Fe InP:Zn GaP GaAs:Te GaAs:Zn GaAs 多晶阻抗, omNaN 0.03 - 0.2 - 1x106 - 2x107 - - - - -直径 - - 1,011 - 1,2511 1,011 - 1,2511 - 12,511 1,511 -轴向 (100), (111) (100), (111) (100), (111) (100), (111) (100), (111) -100 - -载流子浓度, cm-3 (0.8 - 2.0) x 1015 (8 - 30) x 1013 - (0.2 - 1.0) x 1018 (4 - 6) x 1016 2 x 1017 1.0 x 1019 2 x 1015灵敏度, cm2/V.Sec 3500 - 4000 - - 50 -70 - 4500 - 5200生长技术 - 可参杂 - - 可参杂 - Cz Bridjman六、THz晶体-ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS介绍：第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1-xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线探测器,γ射线探测器的重要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大，结构紧凑，室温操作等优点。而现在工业和医疗方面产用的高纯Ge和Si的探测器，只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬X射线和γ射线的一种关键技术。天文学方面用CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源。七、碲化锌晶体（ZnTe）尺寸： 5 x 5 x 0.1 mm-20 x 20 x 10 mm各个尺寸晶向：110表面处理： 抛光、镀膜、非镀膜应用：THz探测、THz产生主要型号及尺寸列表:

我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备，是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内，并通过控制加热炉体缓慢的上升，形成一个温度梯度，炉温控制在略高于材料的熔点，在通过加热区域时，坩埚中的材料被熔融，当炉体持续上升时，坩埚底部材料低于熔点以下，并开始结晶，晶体随炉体上升而持续长大。这种方法通常拥有金属单晶双晶的生长，用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶生长等。我公司在晶生长拥有丰富的经验，其中自主研发生长的单晶有三十多种，有6种单晶生长都是全世界唯一的。我公司可以免费培训单晶生长技术，欢迎你与我公司联系洽谈！具体信息请点击查看：

产品名称：钛酸钡(BaTiO3)晶体基片产品简介：钛酸钡(BaTiO3, BTO)是最早发现的钙钛矿型铁电体，然而钛酸钡单晶仍然是当今铁电体和凝聚态物理领域内的研究热点，因为它不仅是基础研究的理想材料，具有适宜基础研究的完整结构和复杂相变过程，而且具有优良的电光与光折变性能，现今又发现能够实现可逆的大场致应变，在高应变驱动器上展现出了强烈的应用前景，同时，通过工程化畴结构的调整，其具有优良的压电性能，这使得钛酸钡单晶同时成为非线性光学器件、压电和高应变领域内的一种优秀的无铅环保型单晶材料。技术参数：晶体结构：四方(4mm): 9oC T 130.5 oCa=3.99 ?, c= 4.04 ? ,生长方法：顶部籽晶溶液法(TSSG)熔点：1600 oC密度：6.02 g/cm3介电常数：ea = 3700, ec = 135 (自由状态)ea = 2400, e c = 60 (夹持状态)折射率： 515 nm 633 nm 800 nm no 2.4921 2.4160 2.3681ne 2.4247 2.3630 2.3235透射波长范围：0.45 ~ 6.30 mm电光系数：rT 13 =11.7 ±1.9 pm/V rT 33 =112 ±10 pm/VrT 42 =1920 ±180 pm/VSPPC 反射率(0度切 )：l = 515 nm, 50 - 70 %(最高达到77%) l = 633 nm, 50 - 80 %(最高达到86.8%)二波混频耦合常数:10 - 40 cm-1吸收损耗: l: 515 nm 633 nm 800 nma: 3.392cm-1 0.268cm-1 0.005cm-1产品规格：常规晶向：100、001晶向公差：±0.5度常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况：单抛或双抛，Ra5A可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装 相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机 基片包装盒系列金刚石线切割机旋转图层机

产品名称：铝酸锶钽镧(LSAT)晶体基片产品简介：LSAT(La,Sr)(Al,Ta) O3 是一种新的无孪晶钙钛矿晶体。 LSAT与高温超导体及多种氧化物材料有完好的匹配。LSAT的熔点低，用提拉法生长，成本比较低。因此，它有望取代LaAlO3/SrTiO3作为外延氧化物薄膜单晶基片广泛用于巨磁铁电及超导器件。技术参数：化学式：(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体结构：立方： a = 3.868?生长方法：提拉法密度：6.74 g/cm3熔点：1840℃硬度：6.5 Mohs热膨胀系数：10 ×10-6/K介电常数：~ 22颜色及外观：根据退火状况由无色到浅棕色，无孪晶及可见畴 产品规格：常规尺寸：10x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia2″x0.5mm ；基底常规晶向：100、110、111、晶向公差：+/-0.5度表面粗糙度Ra:5A注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品： LSATLaAlO3 MgO NdCaAlO4NdGaO3 SrTiO3SrLaAlO4 SrLaGaO4YSZ

直拉法晶体生长系统SC 24单晶炉专为单晶硅晶体（硅锭）的工业生产而研发。该系统的模块化设计理念可根据客户的需求而进行灵活的调整。低能耗优化设计的24英寸热系统（热场）可以实现160公斤填料（无需加料器），生产直径 230 毫米 (9英寸) 的晶体。根据直径和装载量的不同，该设备可拉制的晶体最大长度为 2.9 米。拉晶速度最大可达到10毫米/分钟，晶转和埚转的转速高达35转/分钟。借助用于直径测量的摄像系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。用于工艺控制和监控的图文控制界面操作简单友好，并针对大规模生产进行了优化。 产品数据概览 : 最大晶棒直径： 最长230 毫米晶棒长度： 最长2,900 毫米 装料容量： 160公斤-220公斤热场： 24英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统CGS1218单晶炉，专为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合特殊的晶体轴配置能够达到最高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调和可重复性。CGS1218单晶炉的特点是其拥有一个组合式炉室，并允许在同样的热工条件下改变加料量。该系统可装载 32 – 36英寸热场，并配有交互式软件系统控制的单个或双摄像头。产品数据概览:最大晶棒直径： 12- 18英寸晶棒长度： 最大2,100 毫米装料容量 300公斤-450公斤热场 32 – 36英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

产品名称：氧化镁(MgO)晶体基片产品简介：氧化镁（MgO）是极好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光电薄膜和高温超导薄膜等，由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。科晶公司用一种特殊的电弧法生长出高纯度的尺寸约2”x2”x 1”的低成本的MgO单晶，采用化学机械抛光制备出高质量原子级表面的基片。技术参数：晶体结构立方晶格常数a=4.216?生长方法电弧法熔点2850℃密度3.58g/cm3莫氏硬度5.5 Mohs热膨胀系数12.8×10-6/℃介电常数9.8光学透过 90% @ 200 ~ 400 nm 98 % 500 ~ 1000 nm晶体解理面100产品规格：100, 110, 111公差：+/-0.5度dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛或双抛，（111 Ra15A，100和110 Ra5A）注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品： LSAT LaAlO3MgO NdCaAlO4 NdGaO3SrTiO3SrLaAlO4SrLaGaO4 YSZ

直拉法晶体生长系统SC28单晶炉专为200-300毫米（8-12英寸）单晶硅的工业生产而设计。该系统可灵活配置，满足客户对产品的特殊要求，例如客户要求的炉室部件的旋出方向，或将各种不同的泵组和除尘罐系统连接到真空系统等要求。该设备凭借其紧凑型设计、较小的占地面积，以及对提拉头的巧妙设计可实现超高精度的同时，满足工业大规模生产的特殊要求。可按照客户要求提供磁场的安装配套。产品数据概览：最大晶棒直径： 8- 12英寸晶棒长度： 长达3,600 毫米装料容量： 高达450公斤 热场： 28英寸 / 32英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

产品型号： SrTiO3钛酸锶单晶基片产品简介：SrTiO3 单晶与多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，它是高温超导薄膜和多种氧化物薄膜优质的衬底材料，同时还广泛应用于特殊光学窗口及高质量的溅射靶材。科晶公司拥有独立全套生产线，从高质量SrTiO3粉末，SrTiO3单晶到多种尺寸外延抛光基片，可为全球提供高质量低价位的SrTiO3单晶及基片。技术参数：晶体结构立方 晶格常数a=3.905?生长方法火焰法熔点2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度 6 Mohs热膨胀系数9.4×10-6/℃介电常数~ 300 损耗正切~5x10-4 @ 300K , ~3 x10-4 @77K颜色及外观透明（根据退火状态有时有轻微的棕色）无孪晶化学稳定性不溶于水产品规格：100, 110, 111公差：+/-0.5度dia30x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm单抛或双抛，Ra5A；可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：等离子清洗器专业清洗（详情请点击），1000级超净室，100级超净袋封装, 相关产品： SrTiO3LSATLaAlO3MgO旋转涂层机 SrLaAlO4NdCaAlO4SrTiO3YSZ基片包装盒系列