外延膜

1 产品概述：分子束外延薄膜沉积系统（Molecular Beam Epitaxy, MBE）是一种先进的薄膜生长技术，广泛应用于材料科学和半导体制造领域。该系统在超高真空环境中工作，通过精确控制分子束的喷射和沉积过程，在单晶基片上生长出高质量、均匀性好的外延薄膜。MBE系统通常由多个源炉、基片加热台、真空腔室、样品传递机构以及精密的控制系统组成。 2 设备用途：半导体材料研究：MBE系统可用于制备高质量的半导体外延层，如硅、锗及其化合物半导体等，对于研究半导体材料的物理性质、电子结构以及开发新型半导体器件具有重要意义。光电子器件制造：在光电子器件（如激光器、光电探测器等）的制造过程中，MBE系统可用于生长具有特定光学和电学性质的外延层，提高器件的性能和稳定性。微纳电子学：MBE技术还可用于制备纳米结构材料，如量子点、量子阱等，为微纳电子学的发展提供重要的材料基础。材料科学研究：MBE系统可用于研究材料生长过程中的动力学、热力学以及界面反应等机制，推动材料科学领域的发展。3. 设备特点1、超高真空环境：MBE系统工作在超高真空环境中，通常要求基础真空度达到1.0×10^(-10) Torr或更低，以确保分子束的纯净度和外延薄膜的质量。 2、精确控制：MBE系统能够精确控制分子束的喷射速率、沉积温度、沉积时间等参数，从而实现对外延薄膜厚度、成分和结构的精确控制。 3、高质量外延薄膜：由于MBE系统的工作环境和控制精度，其生长的外延薄膜具有极高的质量、均匀性和低的缺陷密度，适用于制备高性能的电子和光电子器件。4、综上所述，半自动双轴减薄机以其高精度、双轴研削单元、自动厚度测量和补偿系统、定制化工作台、操作灵活以及良好的兼容性等特点，在半导体制造、硅片加工、光学材料处理及薄膜材料制备等领域发挥着重要作用。4 设备参数： 缺陷密度≤ 50 /cm² 厚度均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%成分均匀性 （InGaAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%厚度均匀性 （AlAs/GaAs）SL （DDX）± 1.5%Si掺杂标准差均匀性 3%谐振器的FP-Dip均匀性3纳米背景载流子密度7×1014厘米-3HEMT 电子迁移率6000 平方厘米伏-1 平方@RT 120 000 平方厘米伏-1 平方尺@77K分子束外延薄膜沉积系统MBE 8000厚度均匀性 InGaAs/GaAs 在 8×6＇＇ 压板上超晶格厚度298&angst +/- 2&angst 谐振器晶圆在 8×6 英寸压板上的 Fabry-Perot 浸渍均匀性波长变化3nm电子迁移率 – 标准基氮化镓 HEMT电子迁移率 @ 77K178 000 cm² V-1 s-1

该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。分子束外延薄膜生长设备MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10^-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10^-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 极限真空 离子泵 2.0×10-8 Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。

1. 产品概述分子束外延薄膜沉积系统MBE 是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在高温的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。2. 设备特点分子束外延，是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究。12个源炉：镓、铟、铝、砷、锑、磷、铋、硅、镁、掺杂等；衬底：大4inch ；高温度：1000°C 温度均匀性：≤±3°C（4inch）；超高真空下全自动样品转移；用于过程控制和分析的所有现代现场监控功能；一个集群上多7个超高真空功能单元：装载、储存、翻转、处理、排气、生长，外部腔室；可连接其他分析设备或其他：ALD、PLD、PVD、金属化、STM。

1. 产品概述MARS iCE115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高。2. 设备用途/原理MARS iCE115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高，具备多层外延能力，气流场和加热场设计，工艺性能优异，可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好。3. 设备特点晶圆尺寸 4、6 英寸，适用材料 碳化硅 SiC，适用工艺 N&P 碳化硅外延，适用域 科研、化合物半导体。&zwnj 碳化硅外延系统的工作原理主要依赖于化学气相沉积（CVD）技术。&zwnj 这一技术通过载气将反应气体输送到反应室内，在一定的温度和压力条件下，反应气体分解并发生化学反应，形成中间化合物扩散到碳化硅衬底表面，从而生长出外延层。这种外延生长技术能够有效地控制掺杂浓度和薄膜厚度，以满足设计要求，同时减少衬底中的缺陷，提高器件良率。反应室内的气流场和温度场对碳化硅外延生长至关重要，因为它们直接影响外延层的质量和均匀性。

1 产品概述: Riber分子束外延（MBE）系统是一款在半导体及光电子域广泛应用的先进设备，以其高精度、高纯度和低温生长的特点而著称。该系统能够在超高真空环境下，通过精确控制分子束的流量和速度，实现原子层的材料沉积，从而生长出具有优异性能的薄膜材料。Riber公司作为该域的先者，其MBE系统涵盖了多种型号，如MBE 6000-Multi和4英寸中试生产系统等，以满足不同规模和需求的生产场景。2 设备用途：半导体制造：Riber MBE系统可用于生长高质量的半导体材料，如GaAs、InP、GaN等，这些材料是制造晶体管、二管、激光器等微电子器件的关键。通过MBE技术，可以精确控制材料的组分、厚度和界面结构，从而优化器件的性能。光电子器件：在光电子域，Riber MBE系统可用于制造太阳能电池、LED、光电探测器等器件。利用MBE技术生长的量子点等结构，可以显著提升这些器件的光电转换效率和性能稳定性。量子点研究：MBE系统还广泛应用于量子点的研究和生产中。量子点是一种具有独特光电特性的纳米材料，通过MBE技术可以精确控制其尺寸、形状和组分，从而制备出性能优异的量子点材料。超导金属：Riber MBE系统还可用于生长超导金属材料。超导金属具有超精确的尺寸控制和电子在其中不受干扰地流动的特性，是制造超导器件和量子计算等沿技术的重要材料。3 设备特点 高精度沉积：Riber MBE系统能够实现原子层的材料沉积控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力使得MBE系统在制造高性能微电子和光电子器件方面具有独特优势。 高真空环境：系统配备先进的真空系统，提供超高真空环境，有效减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。 低温生长：MBE技术采用低温生长方式，有效避免界面原子的互扩散和缺陷的形成，从而生长出高质量的薄膜材料。 多源端口设计：部分型号如4英寸中试生产系统可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构。4 技术参数和特点：衬底尺寸：5×3英寸、4×4英寸、150毫米、200毫米外延生长：可实现原子的表面平整度且界面陡峭的超薄层沉积，以及合金组分或掺杂原子纵向浓度梯度可调等。真空系统：提供高真空环境，减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。温度控制：生长温度低，有效避免界面原子的互扩散。 MBE 49生产系统的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：半导体器件：如晶体管、二管、激光器等。光电子器件：如太阳能电池、LED、光电探测器等。量子点：使用“量子点”，这是使用MBE创建和控制的中等体积的纯半导体合金。超导金属：超导金属可以具有超精确的尺寸（原子尺度），电子在其中不受干扰地流动。

1.产品概述：系统由真空腔室（外延室、进样室）、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。2.设备用途：脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用景。3.真空室：真空室结构:球形开门双室真空室尺寸:镀膜室尺寸：Ф450mm ；进样室尺寸：Ф150x300mm限真空度:镀膜室≤6.0E-8Pa；进样室：≤6.0E-5Pa沉积源:φ2英寸靶材，4个；或φ1英寸靶材，6个样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2.8米x1.3米x1.9米电控描述:部分电动控制特色参数 :配备高能电子衍射仪、氧等离子体发生器

1. 产品概述SES系列 8英寸多片硅外延系统为单腔多片式硅外延设备，适用于4、5、6、8英寸的硅外延工艺。SES系列反应腔室采用多片平板式的结构，配合感应加热的方式实现高质量的外延薄膜生长，适用于厚度5-150µ m范围的外延工艺，精确可调N型、P型掺杂。该设备智能化人机交互设计与高效的安全互锁保障了系统安全和稳定。2. 设备用途/原理SES系列 8英寸多片硅外延系统，适用于 5-150 微米范围的硅外延工艺，先进的感应加热和气流场技术提供了优良稳定的工艺性能，多片平板式设计，高容载量，自动化程度高、产能高、低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 4、5、6、8 英寸，适用材料 硅，适用工艺 N&P 硅外延，适用域 科研、集成电路。

1. 产品概述MARS iCE120 多片碳化硅外延系统，产能大，6 英寸运营成本低。2. 设备用途/原理MARS iCE120 多片碳化硅外延系统，产能大，6 英寸运营成本低。薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高。具备多层外延能力。气流场和加热场设计，工艺性能优异。可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好。兼容 8 英寸。3. 设备特点晶圆尺寸 6、8 英寸，适用材料 碳化硅 SiC，适用工艺 N&P 碳化硅外延，适用域 科研、化合物半导体。

1. 产品概述Hesper E230A 12英寸单片常压硅外延系统，优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能。2. 设备用途/原理Hesper E230A 12英寸单片常压硅外延系统，优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能，高效传输设计，可提高产能，单、双、四腔兼容设计，可满足不同客户需求。3. 设备特点 晶圆尺寸12 英寸适用材料 硅，适用工艺 N&P 常压硅外延，适用域 科研、集成电路。百度百科：&zwnj 常压硅外延系统的原理&zwnj 主要涉及到在单晶衬底上生长一层与衬底晶向相同的单晶层，这层新生长的单晶层可以在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，从而生长出不同厚度和不同要求的多层单晶，以提高器件设计的灵活性和器件的性能。外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初，当时为了制造高频大功率器件，需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层，以满足减小集电极串联电阻、材料能耐高压和大电流的要求。此外，外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术和大规模集成电路中改善材料质量方面。

产品名称：Si片外延AlN膜产品简介：Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长，其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片技术参数：AlN厚度：200nm ±10%, 单面镀膜正面： 2nm RMS, as-grown背面：silicon as receivedAlN晶向：(00.2) 宏缺陷密度：10/cm^2薄膜衬底：Si [111] N type, dia 4" x0.5 mm, 电阻res: 1~10 ohm-cm, 单抛 常规尺寸：dia 4" x0.5 mm,单抛；标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

1. 产品概述屡获殊荣的新型 GENxcel&trade 系统是在 GENxplor 的基础上进行的扩展，GENxplor&trade 是自 2013 年 8 月推出以来畅销的 MBE 系统，与 GENxplor 系统的 3“ 功能相比，在单个 4 英寸衬底上具有高质量的外延生长。GENxcel 系统具有易于使用的手动传输系统、12 个源端口和完全集成到单框架设计中的现代电子设备，可实现大的实验室占地面积效率。在直径达 4 英寸的衬底上实现高质量外延层独特的单帧架构提高了易用性，提供了便捷的源访问和增强的可服务性高效的一体化设计将手动系统与机载电子设备相结合，与其他 MBE 系统相比，可节省 40% 的实验室空间非常适合对各种材料进行沿研究，包括砷化镓、氮化物和氧化物Molly® 软件集成了简单的配方编写、自动生长控制和始终在线的数据记录可选的 Nova&trade 超高温基板加热器，可在 1850° 下提供经过验证的性能可直接扩展到 GEN20&trade 、GEN200® 和 GEN2000® MBE 系统

分子束外延系统MBE 可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。 分子束外延系统MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 项目 参数 极限真空 离子泵 8.0×10-9Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

1. 产品概述Esther/Eris 系列 8英寸单片常压/减压硅外延系统，传输系统和工艺模块设计可兼容多种工艺用途，友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效，具有单腔和多腔两种机型，可满足不同客户需求。2. 设备用途/原理Esther/Eris 系列 8英寸单片常压/减压硅外延系统，Esther/Eris 系列 8英寸单片常压/减压硅外延系统，传输系统和工艺模块设计可兼容多种工艺用途。友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效，具有单腔和多腔两种机型，可满足不同客户需求。 3. 设备特点晶圆尺寸 6、8 英寸，适用材料 硅，适用工艺 常压：N&P 常压硅外延，减压：埋层外延、选择性外延、多晶外延，适用域 科研、集成电路。

1. 产品概述Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸减压选择性外延系统，多区红外加热协同激光微区补偿，温场均匀可控。2. 设备用途/原理Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸减压选择性外延系统，多区红外加热协同激光微区补偿，温场均匀可控，高精度温控系统设计，工艺稳定性及重复性可控优良，主、辅助、交叉气路配合气流场设计及优良的压力控制系统，气流场均匀可控，高效传输Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸减压选择性外延系统，多区红外加热协同激光微区补偿，温场均匀可控 算法，腔室利用率 99.8%。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料 硅，适用工艺 锗硅、磷硅、硅选择性减压外延，适用域 科研、集成电路。百科：&zwnj 减压外延&zwnj 是一种在低于一个大气压下进行化学气相外延的方法，主要用于硅外延。其特点包括：&zwnj 自掺杂效应减少&zwnj ：减压外延可以减少自掺杂效应，提高外延层的纯度。&zwnj 过渡层厚度缩小&zwnj ：此方法有助于缩小过渡层的厚度，提高外延层的质量。&zwnj 外延层均匀性改善&zwnj ：能够改善外延层的厚度与电阻率的均匀性，提高材料的性能一致性。&zwnj 埋层图形漂移减轻或排除&zwnj ：可以减轻或排除埋层图形的漂移，保持材料的稳定性。&zwnj 使用要求&zwnj ：根据衬底与外延层的掺杂种类与浓度、器件的要求，使用的压力一般在(1.3&minus 26)×10&minus 7Pa(1.3&minus 26)×10 &minus 7 Pa范围内。这要求设备具有较高的技术规格，包括高频或辐射加热、气路系统及相应的自动化系统以保持相应的压力，以及需要更大的排气量的真空系统。&zwnj 应用领域&zwnj ：减压外延已用于超大规模集成电路用外延片的生产，以及选择外延等特殊工艺，显示了其在微电子领域的重要应用价值。减压外延系统的这些特点使其成为制备高质量半导体材料的重要技术之一，特别是在需要高纯度、高性能材料的先进电子器件制造中发挥着关键作用&zwnj 。

1. 产品概述Veeco 的 GEN200® MBE 系统是当市场上具成本效益和高容量的多 4 英寸生产 MBE 系统。该系统在用于泵浦激光器、VCSEL 和 HBT 等设备的生长中提供卓越的吞吐量、长时间的加工周期和出色的晶圆质量。 提供成本低的 4 x 4“ 外延片生长与同类 MBE 系统相比，模块化架构的占用空间要小得多允许多两个生长模块，从而提高产量或允许处理不相容的材料可选的隔板安装优化了洁净室空间集成了业界具创新性、可靠的系统硬件、源和组件

1 产品概述: RIBER分子束外延4 英寸中试生产系统是一款专为半导体制造领域设计的先进设备，旨在满足中试生产阶段对高质量、高精度晶体沉积的需求。该系统集成了高精度沉积技术、多源端口设计、先进的真空系统以及可定制化等特性，为半导体材料的生长和器件的制造提供了强有力的支持。2 设备用途：工艺验证与优化：该系统主要用于验证和优化在实验室小试阶段确定的工艺路线和技术参数。通过中试生产，可以进一步考察工艺的稳定性、设备的可靠性以及产品的质量，为后续的大规模工业化生产提供数据支持和技术依据。材料生长：RIBER分子束外延4 英寸中试生产系统能够在衬底上精确沉积各种材料，如GaAs、InP、GaN等，实现原子层级的控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这些材料是制造微电子器件、光电器件等的关键材料。复杂结构生长：该系统配备的多源端口设计使其能够满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构，如量子点、量子阱等，为新型半导体器件的研发提供可能。3 设备特点 高精度沉积：RIBER分子束外延4 英寸中试生产系统能够实现原子层级的材料沉积控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力对于提高器件性能和可靠性至关重要。 多源端口设计：该系统可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求。这种设计灵活性使得系统能够生长多种材料组合和复杂结构，为半导体器件的多样化提供了可能。 先进的真空系统：提供高真空环境，有效减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。高真空环境是分子束外延技术实现高质量沉积的关键因素之一。

1. 产品概述Hesper I E430R 12英寸单片减压硅外延系统，优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能。2. 设备用途/原理Hesper I E430R 12英寸单片减压硅外延系统：优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能，高效传输设计，可提高产能，单、双、四腔兼容设计，可满足不同客户需求。3. 设备特点 晶圆尺寸 12 英寸，适用材料 硅，适用工艺 埋层外延、选择性外延 、多晶外延，适用域 科研、集成电路。百科知识；&zwnj 减压硅外延系统的工作原理主要涉及在氢等离子体原位清洁过的硅衬底表面上，利用减压（200～250乇）工艺在980～1000℃的温度下生长出高质量的外延层。&zwnj 这一过程不仅优化了外延层的生长条件，还显著提高了外延层的结晶质量。具体来说，通过减压工艺，可以减小衬底-外延层界面的掺杂浓度过渡区，从常压时的1.0μm减小到0.4μm，同时电阻率和厚度的不均匀性分别小于5%和4%。

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延 超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

Jenoptik Laser GmbH公司的全资子公司Jenoptik Diode Lab.（JDL）是半导体激光器芯片生产企业，技术实力雄厚。JDL除了生产半导体激光器芯片外，还为客户提供定制化的外延片生长服务，即根据客户的设计结构为其生长外延片。主要尺寸包括2”, 3”, 4。 这些外延片可以用以制备如下器件：- 半导体激光器: 波长范围630 - 1,200 nm - 面发射器件：VCSELs 和 VECSELs- 发光二极管：RCLEDs和LEDs- Schottky二极管- 光电探测器 JDL外延片主要特征： 外延片结构主要是Al-In-Ga-As-P材料体系 高可靠性 高一致性 针对多种器件 客户定制 主要优点： 开发周期短 高的灵活性 低开发成本 交货期快 有竞争力的价格

1 产品概述: Riber分子束外延（MBE）系统是一款在半导体及光电子领域广泛应用的先进设备，以其高精度、高纯度和低温生长的特点而著称。该系统能够在超高真空环境下，通过精确控制分子束的流量和速度，实现原子层级的材料沉积，从而生长出具有优异性能的薄膜材料。Riber公司作为该领域的领先者，其MBE系统涵盖了多种型号，如MBE 6000-Multi和4英寸中试生产系统等，以满足不同规模和需求的生产场景。2 设备用途：半导体制造：Riber MBE系统可用于生长高质量的半导体材料，如GaAs、InP、GaN等，这些材料是制造晶体管、二极管、激光器等微电子器件的关键。通过MBE技术，可以精确控制材料的组分、厚度和界面结构，从而优化器件的性能。光电子器件：在光电子领域，Riber MBE系统可用于制造太阳能电池、LED、光电探测器等器件。利用MBE技术生长的量子点等结构，可以显著提升这些器件的光电转换效率和性能稳定性。量子点研究：MBE系统还广泛应用于量子点的研究和生产中。量子点是一种具有独特光电特性的纳米材料，通过MBE技术可以精确控制其尺寸、形状和组分，从而制备出性能优异的量子点材料。超导金属：Riber MBE系统还可用于生长超导金属材料。超导金属具有超精确的尺寸控制和电子在其中不受干扰地流动的特性，是制造超导器件和量子计算等前沿技术的重要材料。3 设备特点 高精度沉积：Riber MBE系统能够实现原子层级的材料沉积控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力使得MBE系统在制造高性能微电子和光电子器件方面具有独特优势。 高真空环境：系统配备先进的真空系统，提供超高真空环境，有效减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。 低温生长：MBE技术采用低温生长方式，有效避免界面原子的互扩散和缺陷的形成，从而生长出高质量的薄膜材料。 多源端口设计：部分型号如4英寸中试生产系统可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构。 4 技术参数和特点：衬底尺寸：3 英寸、4 英寸、6 英寸、200 毫米外延生长：可实现原子的表面平整度且界面陡峭的超薄层沉积，以及合金组分或掺杂原子纵向浓度梯度可调等。真空系统：提供高真空环境，减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。 温度控制：生长温度低，有效避免界面原子的互扩散。

1. 产品概述：GENxplor® R&D MBE系统获得了化合物半导体制造的CSindustry奖，采用Veeco成熟的3英寸生长室设计，并具有工艺灵活性，非常适合UV LED、高效太阳能电池和高温超导体等新兴技术的材料研究。其高效的单框架设计将所有真空硬件与机载电子设备相结合，使其比其他 MBE 系统小 40%，从而节省宝贵的实验室空间。由于手动系统集成在一个框架上，因此减少了安装时间。GENxplor的开放式架构设计还提高了易用性，提供了对积液池的便捷访问，并且与其他MBE系统相比，更容易进行维护。直径达 3 英寸的衬底上的高质量外延层电子束温度加热器（1850°C）单帧架构提高了易用性，提供了便捷的源访问和增强的可服务性高效的一体化设计将手动系统与机载电子设备相结合，与其他 MBE 系统相比，可节省 40% 的实验室空间非常适合对各种材料进行前沿研究，包括砷化镓、氮化物和氧化物Molly® 软件集成了简单的配方编写、自动生长控制和始终在线的数据记录可选的 Nova&trade 超高温基板加热器，可在 1850° 下提供经过验证的性能可直接扩展到 GEN20&trade 、GEN200® 和 GEN2000® MBE 系统

仪器简介：HALO 201 MBE 分子束外延残余气体分析四极质谱仪用于泄漏探测、趋势分析、真空诊断的过程监测和残余气体的精确分析。该分子束外延特定分析质谱仪由兼容性材料组成，并能在分子束外延环境中长期使用。 主要特点：钼铜布线增加MBE环境下系统的寿命 抗污染离子源护罩 双法拉第/ channelplate电子倍增器 技术规格：质量数范围： 1～300 amu 扫描速度： 100amu/s 最小扫描步阶：0.01amu 灵敏度： 0.1 ppm～1ppm 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5% 最小检测分压：2 x 10-13 mbar 最大工作压力：1 x 10-4 mbar Mass Spectrometers for Residual Gas Analysis - RGA (1.35 MB)

美国SVT公司MBE分子束外延系统美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商，具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统，以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。SVT公司拥有独立的应用实验室，可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。型 号应 用样 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半导体4’’35-N氮化物半导体4’’或3X2’’35-6III-V或II-VI 或其他化合物半导体4’’, 6’’或多片2’’35-G-4III-V化合物，SiGe4’’SM-6Si，Ge，金属4’’或6’’S-8Si，Ge，介质材料最大8’’可配集成腔室SVT-V化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料2’’或3’’35-D双生长腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半导体，铁磁材料3’’或4’’35-VCIGS3’’或4’’NanoFabII-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料1’’或2’’UVD-02氧化物或其他介质材料4’’, 可配有液态源PLD-02氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等4’’, 激光/电子束沉积35V14化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料14’’或多个小尺寸SVT MBE系统是模块化设计，主要包括装载室模块，预备或分析室模块，主生长室模块。可配10个源，线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离，互不影响。Model 35-6 AlGaAs（或其他半导体材料）研究和生产型设备，样品尺寸可达6英寸。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。可配普通束流源，裂解源，RF源，电子束蒸发源。Model 35-N-V 标准4' ' 衬底MBE平台，用于生长高质量的氮化物半导体材料。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。真空度 1×10-10Torr。此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。氧化物MBE还包括：26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。真空度 1×10-10Torr。可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源，或6个普通源及2个电子束蒸发源。该系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术，并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。

1 产品概述: Riber分子束外延（MBE）系统是一款在半导体及光电子领域广泛应用的先进设备，以其高精度、高纯度和低温生长的特点而著称。该系统能够在超高真空环境下，通过精确控制分子束的流量和速度，实现原子层级的材料沉积，从而生长出具有优异性能的薄膜材料。Riber公司作为该领域的领先者，其MBE系统涵盖了多种型号，如MBE 6000-Multi和4英寸中试生产系统等，以满足不同规模和需求的生产场景。2 设备用途： 半导体制造：Riber MBE系统可用于生长高质量的半导体材料，如GaAs、InP、GaN等，这些材料是制造晶体管、二极管、激光器等微电子器件的关键。通过MBE技术，可以精确控制材料的组分、厚度和界面结构，从而优化器件的性能。 光电子器件：在光电子领域，Riber MBE系统可用于制造太阳能电池、LED、光电探测器等器件。利用MBE技术生长的量子点等结构，可以显著提升这些器件的光电转换效率和性能稳定性。 量子点研究：MBE系统还广泛应用于量子点的研究和生产中。量子点是一种具有独特光电特性的纳米材料，通过MBE技术可以精确控制其尺寸、形状和组分，从而制备出性能优异的量子点材料。3 设备特点 高精度沉积：Riber MBE系统能够实现原子层级的材料沉积控制，确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力使得MBE系统在制造高性能微电子和光电子器件方面具有独特优势。 高真空环境：系统配备先进的真空系统，提供超高真空环境，有效减少杂质和污染，保证晶体沉积的纯度和质量。 低温生长：MBE技术采用低温生长方式，有效避免界面原子的互扩散和缺陷的形成，从而生长出高质量的薄膜材料。 多源端口设计：部分型号如4英寸中试生产系统可配备多个源端口，以满足不同材料的沉积需求，有助于生长复杂的半导体结构。

仪器简介：外延片PL谱扫描成像仪用于快速在线检测发光二极管外延片的质量，主要用于发光二极管外延片和芯片生产线．生成高分辨率的图谱和测定薄膜厚度等。本仪器为外延片生产工艺优化控制提供快速可靠的数据反馈．为高效高质量生产提供可靠保证。本成像仪现已成功应用于多条LED外延片生产线上。逐点扫描检测计算机分析计算外延片的积分光强，主波长，峰值波长，光谱半宽等参数以绘图形式显示分布和数据截面分布囤，显示单点光谱显示各个参数的统计结果显示选择范围的各项统计参数可进行局部扫描，并对扫描结果进行去孤立点和去边处理采用白光反射谱测量薄膜厚度并以绘图形式显示分布和数据配备离线数据处理软件本成像仪可靠。结构紧凑。全部检测和数据处理由计算机自动完成。采用用户友好的窗口界面，操作简便。用户仅需最小的培训就可使用。另外可根据不同外延片，选配不同的激光器。技术参数：1 、光致发光样品腔 10x M-Plan镜头颜色修正，波长范围：350-1800nm 工作距离：30.5mm, 20mm FL, z轴可调 系统空间分辨率：10微米(1微米选配) 镜子带孔洞作为激光束及PL信号的通道 Iris光圈用于激光束的调整 可变ND过滤器用于激光能量的控制(99% to 2%) 10毫米孔洞PL信号校准镜头 马达控制的XY台，最大速度30毫米/秒，1微米扫描分辨率 2 & 4外延晶片样品盘 包括高分辨控制器和电缆 2、IG512近红外光谱仪，900-1700nm, 512像素, InGaAs阵列 25um x 500um像素尺寸，14bits, 2.5MHz数字转换器, f/4, 40mm FL 探测范围：900nm全谱，300gr/mm, 1um blaze grating 包括SMA905, 400um多模光纤，1米长 3、EPP2000-VIS(350-1150nm)用于紫外-可见光，衍射光栅光谱仪 f/4, symX-Czerny-turner类型 分辨率：1.6nm (50um狭缝，@600gr/mm grating) 包括2048像素CCD探测器，12bit数字转换器 600gr/mm grating 接口：USB-2&平行 SMA905光纤光学输入，0.22NA，400um多模光纤，1米长主要特点：仪器特点 高品质及中等价位的PL扫描系统(高性价比)； 波长范围宽广(UV-VIS-NIR, 350nm to 2.2um)； 噪声低，高PL信号探测； 设计紧凑，易于调谐； 各种激发激光源可选； 易于发现峰及FWHM；

脉冲激光沉积、分子束外延薄膜制备系统美国BlueWave公司是半导体设备、材料生产商。BlueWave提供多种薄膜制备系统，包括脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发、反应溅射、热丝化学气相沉积(HFCVD)、热化学气相沉积系统(TCVD)。这些系统是理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2D材料。Blue Wave还提供相关系统配件，例如基片加热装置、原位监测工具。此外，BlueWave还为您提供标准的薄膜以及材料涂层，例如氧化物涂层、导电薄膜、无定型或纳米晶Si/SiC、晶体AlN-GaN、聚合物、纳米钻石、HFCVD钻石涂层以及器件加工。1、脉冲激光沉积系统产品特点：◆ 电抛光多空不锈钢超高真空腔体◆ 可集成热蒸发源或溅射源◆ 可旋转的耐氧化基片加热台◆ 流量计或针阀控制气体流量◆ 标准真空计◆ 干泵与涡轮真空泵◆ 可选配不锈钢快速进样室 ◆ 可选配基片-靶材距离自动控制系统◆ 可制备：金属氧化物、氮化物、碳化物、金属纳米薄膜、多层膜、超晶格等。 2、物理气相沉积系统（Physical Vapor Deposition Plus）产品特点◆ 超高真空不锈钢腔体◆ 电子束、热蒸发、脉冲激光沉积可集成◆ 立衬底加热，可旋转◆ 多量程气体流量控制器◆ 标准气压计◆ 机械、分子、冷凝真空泵可选不锈钢快速进样室◆ 衬底和源距离可控◆ 可用于金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜 3、热化学气相沉积系统（TCVD）产品特点◆ 高温石英管反应器设计◆ 温度范围：室温到1100℃◆ 多路气体控制◆ 标准气压计◆ 易于操作◆ 可配机械泵实现低压TCVD◆ 可用于制备金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜◆ 液体前驱体喷头◆ 2英寸超大温度均匀区4、热丝化学气相沉积系统（HFCVD）产品特点：◆ 水冷不锈钢超高真空腔◆ 热丝易安装、更换 ◆ 4个不同量程气体控制器◆ 标准气压计◆ 衬底与热丝距离可调节◆ 2英寸衬底加热、可旋转 ◆ 制备金刚石和石墨烯

产品详情脉冲激光沉积/激光分子束外延系统 产品描述：荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。荷兰Twente Solid State Technology BV（TSST）公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统（PLD），以及相关薄膜制备解决方案，公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。TSST与世界最大的纳米与微系统技术研究中心之一荷兰Twente大学MESA+ Institute保持着密切合作，开发出各种脉冲激光沉积技术中需要使用的核心技术。 脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。 激光分子束外延系统（LMBE），是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。在高氧气压力环境下实现RHEED原位监控，曾是RHEED分析的一个重要难题，TSST第一个提出差分抽气的方式实现高压环境下RHEED原位监控---TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的发明人，在系统制造和RHEED的使用，以及结果分析方面，有丰富的经验。 选件 脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金属薄膜，磁性材料等。 应用领域： 单晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）压电薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）铁电薄膜（BaTiO3，KH2PO4）热电薄膜（SrTiO3）金属和化合物薄膜电极（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）半导体薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）高K介质薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）超导薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）光波导，光学薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）超疏水薄膜（PTFE）红外探测薄膜（V2O5，PZT）

............ 用途：应用于微电子及光电子工艺电子器件：精密芯片，LED外延式芯片，LCD，BGA，精密光学仪器及光学元件，镀金铜线等；该系列产品被大量应用于在无尘净化车间电子器件及材料的安全防氧化保管。全自动氮气柜HSD系列（1%~60%RH）介绍Product Introduction 1.全自动氮气柜柜体采用1mm及1.2mm钢板制作，多处加强结构，承重性能好，重叠式结构设计，密封性能。2.表面处理采用先进的有18道工序组成的橘纹烤漆，耐腐蚀性强。 3.门镶3.2mm高强度钢化玻璃，防前倾耳式结构设计。带平面加压把手锁一体化设计,有防盗功能。底部安装可移动带刹车脚轮方便移动及固定（防静电机型脚轮为防静电）。4.LED超高亮数码显示，温湿度传感器采用品牌honeywell，温湿度独立显示，使用寿命长。湿度可设定且具有记忆功能，断电后无需再设定。5.湿度显示范围0%～99%RH,温度显示范围-9℃～99℃。显示精度:湿度±3%RH 温度±1℃6.配备氮气节约装置，当箱内湿度到达设定值时，系统会自动切断氮气供应，当超过设定值时，系统会智能打开氮气供应。相比市场其他直充氮气机型可节约70%氮气消耗量。大程度降低使用成本。7.采用多点供气系统。氮气通过30多个小孔冲入箱内，箱内氮气分布比较均匀。避免了普通单点供气而产生的死点死角现象。8.行业内一家拥有智能化控制系统的氮气柜。自动判断机器内湿度来决定工作时间，节省能源，延长产品使用寿命。产品机芯采用中外合作先进技术，使得产品性能稳定，质量大有保障。主机外壳采用高温阻燃材料，降低安全隐患。防静电机型表面处理采用先进的防静电烤漆，静电阻值为106-108欧姆，美观大方，耐腐蚀性强.,机型颜色为黑色。备注：普通不防静电柜子颜色为电脑白，防静电柜子颜色为黑褐色，型号为HSD98FD（可选配）。全自动氮气柜用途：应用于微电子及光电子工艺电子器件：精密芯片，LED外延式芯片，LCD，BGA，精密光学仪器及光学元件，镀金铜线等；该系列产品被大量应用于在无尘净化车间电子器件及材料的安全防氧化保管。 主要技术参数Specifications

德国MBE-Komponenten 分子束外延系统OCTOPLUS 400OCTOPLUS 400分子束外延是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。系统特点：● 用于研发的普适性MBE系统● 应用于III/V族， II/VI族材料外延生长● 适用于2-4英寸样品● 8个标准的CF法兰孔(根据要求可以拓展到10个)● 可以升级和选配实现系统扩展● 原位生长表征● 易于使用和方便维护可以根据所有客户的要求，提供不同种类的蒸发源，包括K-cell、电子束蒸发源、热裂解源、阀式裂解源、气体裂解源等。可以使用石英晶振，反射式高能电子衍射仪(RHEED)或者四极杆质谱仪实现样品生长的原位监测。 EpiSoft MBE软件可以精确控制所有的挡板，蒸发源源和样品台加热器温度。最大程度确保了操作的重复性。Octoplus 400的主要特点是极高的可靠性和普适性，以及其占地空间小。这些特点使得我们的系统非常适合于研发。标准的Octoplus 400有8个4.5’’(CF63)法兰口，可以根据需求拓展到10个法兰口。快速进样室(Loading Chamber)配有高精度磁力传输样品杆，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下进行快速样品传输。