太阳能发电设备

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PFA花篮花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。英特格6英寸晶圆盒晶圆运输盒（ entegris PFA carrier）6英寸PFA cassette 高帮进口PFA材质6英寸清洗花篮为最大晶圆片提供支撑和保护作用，A194-60MB 晶圆运输盒对晶圆加工中的常用化学品都是耐受的。包括酸（盐酸，硫酸，氢氟酸和硝酸），碱（氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化铵，过氧化氢），醇，酮，氯化溶剂和氟利昂。温度限制：高温晶圆高温硅片输入极限温度为290℃。连续使用极限温度120℃。晶圆容量：25片型号:A194-60MB

材料：PFA或四氟品牌：南京滨正红型号：NJ-ZH尺寸：2、3、4、5、6寸等用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花篮、太阳能硅片花篮_太阳能硅片承载器、光伏电池片花篮、光伏硅片花篮，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PFA，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片. 目前的尺寸有，6寸25片、4寸25片，2寸25片的清洗花篮，单梁双梁提手，目前花篮形式有很多种，我公司也是可以定制方形，圆形晶片清洗花篮聚四氟花篮

产品描述全钒液流电池储能系统 (Vanadium Redox Flow Battery ) 是液流电池的一种，基于钒电池的诸多优点，欧美各国以及日本、韩国及中国等，都投注大量资金开发相关技术，全钒电池主要应用为太阳能、风力发电等再生能源的储能，与现有的电池技术相比，钒电池具有相对的优势，在功率、容量以及寿命的表现上，都比传统电池更有效率。碳能科技已经开发完成VRB关键零件---多孔洞结构石墨电极(Graphite felt)，可应用在钒电池的阴极与阳极，在钒电池的硫酸电解液中性能稳定，可有效提高钒电池的运作效率。产品特性1. 优异的化学稳定性2. 压缩性佳3. 优异的导电性4. 可根据客户需求进行客制化设计主要用途钒电池的阴极与阳极，在钒电池的硫酸电解液中性能稳定，可有效提高钒电池的运作效率。

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多晶硅花篮 一、产品介绍 花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。可做：2、4、6、8寸

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光电肌电诱发电位仪S1，电极线鳄鱼夹YZ-0165，如有需要请来电联系确认。

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头戴式全自动焊工防护面焊 变光电焊面罩由上海书培实验设备有限公司提供，防护面罩主要保护眼睛不打眼/面部不脱皮、阻挡焊渣灼伤。产品介绍：太阳能自变光面罩，PP冒顶，耐高低温,防摔抗冻,轻松应对各种环境，太阳能供电，可通过太阳光和弧光进行充电，夜景变光镜片高清自动变光镜片清晰视野，一头顶调节带调节头部大小，防摔面罩-不沾焊渣,抗压防碎有效保护脸部不受伤调节阀调节面罩与面部的距离参数介绍：高敏探测头太阳能面板自动变光屏太阳能面板 高敏探测头89mm*33mm1.高敏探头:工作效率高,焊友实操证实,感应接收变光速度不会给眼睛带来任何伤害 2.夜景变光屏:当弧光产生时,变光镜片由常态瞬间变暗,弧光消失时,变光屏恢复常态 3。自动变光:面罩从亮处到暗处转换时间为0.1毫秒, 9-13级避光效果产品名称电焊面罩遮光度8级遮光帽顶材质PP帽顶面罩结构半面具结构面屏材质PC(聚碳酸酯)产品重量330g面罩尺寸31*22. 5cm使用寿命1-2年主要功能保护眼睛不打眼/面部不脱皮、阻挡焊渣灼伤主要用于：可轻松应对电焊、气保焊、氩弧焊、I =保焊、抛光打磨、切割等多种工作领域适用

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激光晶圆划片机配件是专业为太阳能电池激光加工开发的小型太阳能电池激光划片机和晶圆切割机，它具有较小的尺寸，安装操作非常简单，比较适合小型的太阳能光伏产业用户和科研用户实验室使用。激光晶圆划片机配件使用了高精度的扫描振镜，可以加工5' ' 和6' ' 的晶圆硅片，太阳能电池激光划片机机配备的软件能够精确探测晶圆边缘,控制XYZ三维的光束定位，并监控激光功率等参数，为大学或科研院所提供了一种多功能,高精度的太阳能电池晶圆的加工设备,可以广泛用于晶圆激光打标,晶圆边缘隔离，晶圆背向接触烧结（Back contact laser fireing,BCLC)已经晶圆切割。激光晶圆划片机配件原理在制造晶体硅太阳能电池过程中通常使用p型晶圆，通过磷扩散形成n型层。这种n型层形成于太阳能电池表面，被称作发射极，当然此时也形成了p-n结。在对边缘未隔离之前，边缘电流会减少太阳能电池的效率。 现在通常使用激光晶圆划片机超快激光进行边缘隔离, 使用激光对距离上表面150-300微米的区域进行激光切割。太阳能电池激光划片机,这种切割深度不得小于发射极的深度(2-10微米）。我们在这套激光晶圆划片机配件中使用高精度的扫描振镜控制激光光束进行切割，并配备了一流的机械视图功能，可以实时探测到晶圆位置以及边缘隔离的精度, 配备的软件可以让用户在“科学研究“和”工业应用“两种模式下选择使用。

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

关于精油提取分离器装置蒸馏法是萃取芳香植物精油最常用的方法，95%的芳香植物精油是由蒸馏法萃取而得。此方法是将含有挥发油的芳香植物的花朵、枝叶、木心碎屑、木根心碎屑、根皮、树脂放入蒸馏釜中,釜中加入一定比例的水，在釜底部加热或通入包和蒸汽。当炙热的蒸气充满在蒸馏釜中时会将植物内存的芳香精油成分随着水蒸气蒸发，并且随着水蒸气通过上方的冷凝管，最后引入冷凝器内。比水轻的油会浮在水面，比水重的油就会沉在水水底，经过分离取出精油后，剩下的水就是纯露。 关于高硼硅玻璃高硼硅玻璃是一种耐高温、高硬度的特殊玻璃材料，高硼硅玻璃不易碎，常常用于太阳能、化工、医药包装等行业。主要由三氧化二硼和二氧化硅为主，添加了水玻璃砂、苏打水和地面石灰。高硼硅玻璃含硼量百分之十四，含硅量百分之八十，耐急度约能达到200~300摄氏度。高硼硅玻璃的耐火性能好，物理强度高，与普遍玻璃相比，无毒副作用，其机械性能，热稳定性能，抗水、抗碱、抗酸等性能大大提高。因此，可广泛用于化工、航天、军事、家庭、医院等各个领域，可制成灯具、餐具、标盘、望远镜片、洗衣机观察孔、微波炉盘、太阳能热水器等多种产品，具有良好的推广价值和社会效益。

铜铟硫（硒），铜铟镓硫（硒），铜锌锡硫（硒）多元半导化合物对可见光的吸收系数和光电转换效率高，抗辐射能力强，吸收层材料禁带宽度可调，性能稳定，无毒等优点，是制作薄膜太阳电池的优良材料。传统方法－真空溅射沉积再进行硫化或硒化反应形成薄膜太阳能电池， 在制备过程中很难控制各个元素的蒸发速率和保持衬底温度的稳定，而且由于采用了真空的工艺环节，导致工艺复杂，总成本很高。通过对量子点烧结形成半导体薄是一种新兴的薄膜太阳能电池的制备技术，可以极大简化生产工艺，降低成本制，因此具有非常广泛的应用前景。 我们可根据客户需求，提供不同质量的CIS(Se), CIGS(Se), CZTS(Se)量子点。 由于此款产品为定制款，标价为参考价，具体价格请联系在线客服发射峰 & 吸收峰 XRD & TEM & EDS测试

关于高硼硅玻璃高硼硅玻璃是一种耐高温、高硬度的特殊玻璃材料，高硼硅玻璃不易碎，常常用于太阳能、化工、医药包装等行业。主要由三氧化二硼和二氧化硅为主，添加了水玻璃砂、苏打水和地面石灰。高硼硅玻璃含硼量百分之十四，含硅量百分之八十，耐急度约能达到200~300摄氏度。高硼硅玻璃的耐火性能好，物理强度高，与普遍玻璃相比，无毒副作用，其机械性能，热稳定性能，抗水、抗碱、抗酸等性能大大提高。因此，可广泛用于化工、航天、军事、家庭、医院等各个领域，可制成灯具、餐具、标盘、望远镜片、洗衣机观察孔、微波炉盘、太阳能热水器等多种产品，具有良好的推广价值和社会效益。

1.恒奥德仪器太阳总辐射传感器配件0.3-3μm型号:HAD-698 总辐射传感器采用光电转换感应原理，与各种辐射记录仪或辐射电流表配合使用，能够精确地测量太阳的总辐射、反射辐射、散射辐射、红外辐射、可见光、紫外辐射、长波辐射等。 用途该表用来测量光谱范围为0.3-3μm的太阳总辐射，也可用来测量入射到斜面上的太阳辐射，如感应面向下可测量反射辐射，如加遮光环可测量散射辐射。因此，它可广泛应用于太阳能利用、气象、农业、建筑材料老化及大气污染等部门做太阳辐射能量的测量。 技术参数1.灵敏度：7～14μV／w.m-22.光谱范围：0.3-3μm3.测量范围：0～2000W/m2供电方式：□ DC 5V □ DC 12V2.环境温湿度传感器线性化处理电路 型号:HAD-485 1. 概述NSD传感、变送一体化设计，适用于暖通级室内环境温湿度测量。采用温度补偿电路和线性化处理电路。供　　电 -48V DC准 确 度 温度:0.5度 湿度：±4.5%RH量程: -10-60℃工作温度 0℃～100℃长期稳定性 湿度1%RH/年 响应时间 15s（1m/s）输出信号 网络485输出负载能力 电流输出型：≤ 500Ω、继电器输出：10A/DC30V,10A/AC220V 3.温度传感器特性实验仪/温度传感器温度特性实验仪 型号HAD-TS1 由于工业生产中温度测量的范围极宽，从零下几百度到零上几千度，而各种材料做成的温度传感器只能在一定的温度范围内使用。温度传感器与被测介质的接触方式为两大类：接触式和非接触式。接触式温度传感器需要与被测介质保持热接触，便两者进行充分的热交换而达到同一温度，这一类传感器主要有电阻式、热电偶、PN结温度传感器。非接触式温度传感器无需与被测介质接触，而是通过被测介质的热辐射或对流传到温度传感器，以达到测温的目的。这一类主要是红外测温传感器，在火车的轴承测温、电气触点测温、医学监护等领域有着广泛的应用。HAD-TS1温度传感器特性实验仪通过加热温度控制器控制一个可恒温的干井（也可注入油成油浴），将干井温度设定于室温--105℃的某一温度，然后在这一温度将需研究的实验样品放入其中一定时间后测其特性。实验样品为无源器件PTC、NTC热敏电阻、PT100铂电阻；有源器件PN结和AD590集成温度传感器。加热温度控制器由集成温度传感器实时测量实验样品室温度，通过单片微机识别目标温度，确定最佳加热方案，实现实时温度达到目标温度。一、技术指标1、温度读数精度：±0.1℃ 。2、温度控制稳定度：±0.1℃/10分钟。3、温度设定范围：-5.0℃— 105℃，四位数码管显示。4、实验样品实测温度：室温—105.0℃，四位数码管显示。5、HTC-1加热温度控制仪使用条件1)输入电源：220V±10%50Hz—60Hz2)湿度：85%3)温度：0—40℃4)功耗：70W 4. 不锈钢现场显示压力传感器、压力变送器 型号：HAD503S 采用不锈钢整体构件，进口弹性体原件，高精度应变计及先进的贴片工艺，。316不锈钢全封焊接，压力传感器自带三位半LED显示，同时输出模拟信号，以便给后端控制机构采样压力信号，结构小巧、紧凑，有良好的防潮能力和优异的介质兼容性。测量介质：弱腐蚀性的液体；弱腐蚀性的气体。 主要技术参数：量 程： -0.1～0～1～150(MPa) 综合精度： 0.1%FS、0.25%FS、0.5%FS、1.0%FS输出信号： 4～20mA(二线制现场显示: LED三位半，0000 - 1999供电电压： 24DCV(9～36DCV)介质温度： -20～85～150℃环境温度： 常温(-20～85℃)零点温漂移： ≤±0.05%FS℃量程温度漂移： ≤±0.05%FS℃补偿温度： 0~70℃安全过载： 150%FS极限过载： 200%FS响应时间： 5 mS(上升到90%FS)负载电阻： 电流输出型：最大800Ω；电压输出型：大于50KΩ绝缘电阻： 大于2000MΩ (100VDC) 5.噪声传感器 声音传感器 动态范围20～140 dB 型号：HTZ-2KA 频率范围： 20HZ～20KHz动态范围： 20～140 dB （120 dB的动态范围）灵 敏 度： 50 mV/Pa极化电压： 0 V频响特性：自由场外&emsp &emsp 径： φ12.7 mm x70mm输出信号： ±10V温度范围： -20～+80 ℃相对湿度： ≤80%工作环境： 1个大气压其它事项： 测量部件不受外来冲击 6. 不锈钢微压压力传感器/变送器/负压压力传感器 型号：HPTP708 微压压力传感器采用进口感压芯片，封焊结构，适用于介质压力微弱的场合测量与控制 量 程: 0～1KPa～10KPa～100KPa～1(MPa) 综合精度: 0.2%FS、0.5%FS、1.0%FS输出信号: 4～20mA(二线制)、0～5V、1～5V、0～10V(三线制)供电电压: 24DCV(9～36DCV)介质温度: -20～85℃环境温度: 常温(-20～85℃)负载电阻: 电流输出型：最大800Ω；电压输出型：大于50KΩ绝缘电阻: 大于2000MΩ (100VDC密封等级: IP65长期稳定性能: 0.1%FS/年 6.现场显示压力传感器、316不锈钢全封焊接，压力传感器自带三位半LED显示压力变送器 型号HAD503S 采用不锈钢整体构件，进口弹性体原件，高精度应变计及先进的贴片工艺，具有灵敏度高、性能稳定、良好的抗冲击能力。316不锈钢全封焊接，压力传感器自带三位半LED显示，同时输出模拟信号，以便给后端控制机构采样压力信号，结构小巧、紧凑，有良好的防潮能力和优异的介质兼容性。测量介质：弱腐蚀性的液体；弱腐蚀性的气体。广泛用于工业设备、水利、化工、医疗、电力、空调、金刚石压机、冶金、车辆制动、楼宇供水等压力测量与控制。此类传感器通常也称为：油压传感器，油压变送器，液压传感器，液压变送器，风压传感器，风压变送器，气压传感器，气压变送器，应变式压力传感器，应变式压力变送器，压阻式压力传感器，压阻式压力变送器，正负压力传感器,正负压力变送器，管道压力传感器,管道压力变送器等。 主要技术参数：量 程： -0.1～0～1～150(MPa) 综合精度： 0.1%FS、0.25%FS、0.5%FS、1.0%FS输出信号： 4～20mA(二线制现场显示: LED三位半，0000 - 1999供电电压： 24DCV(9～36DCV)介质温度： -20～85～150℃环境温度： 常温(-20～85℃)零点温漂移： ≤±0.05%FS℃量程温度漂移： ≤±0.05%FS℃补偿温度： 0~70℃安全过载： 150%FS极限过载： 200%FS响应时间： 5 mS(上升到90%FS)负载电阻： 电流输出型大800Ω；电压输出型：大于50KΩ绝缘电阻： 大于2000MΩ (100VDC) 7. 电化学肼/联氨检测报警仪/肼/联氨检测传感器/在线式肼/联氨检测仪 型号HAD200-N2H4 一、产品描述HAD200-N2H4肼/联氨检测仪适用于各种工业环境和特殊环境中的肼/联氨浓度连续在线检测及现场声光报警，对危险现场的作业安全起到预警作用，仪器采用进口电化学传感器和微控制器技术，具有信号稳定，精度高、重复性好等优点，防爆接线方式适用于各种危险场所。仪器兼容各种控制报警器、PLC、DCS 等控制系统，可以同时实现现场报警和远程监控、报警功能。 三、技术参数：&bull 检测气体：肼/联氨（N2H4）&bull 检测原理：电化学原理，检测方式为扩散或泵吸，长期连续工作&bull 安装方式：壁挂式、管道式(螺纹尺寸:M45X1.5mm)、流通式、泵吸式可选&bull 测量范围：0～1、10、50、100、200ppm可选&bull 分 辨 率：0.001ppm（0～10ppm）；0.01ppm（0～100ppm）；0.1ppm（0～200ppm）&bull 精　　度：≤±3%（实际浓度，更高精度视具体传感器而定）&bull 重 复 性：≤±1%&bull 零点漂移：≤±1%（F.S/年）&bull 响应时间：≤20秒（T90）&bull 恢复时间：≤20秒&bull 输出信号：用户可根据实际要求而定，最远可传输2000米（单芯1mm² 屏蔽电缆）　　　　① 两线制4-20mA电流信号输出（三线制可选）　　　　② RS-485数字信号输出，配合RS232转接卡可在电脑上存储数据（选配）　　　　③ 2组继电器输出：无源触电容量220VAC 3A，24VDC 3A　　　　④ 报警信号输出：现场声光报警，报警声音： 90分贝&bull 连线方式：3/4″NPT内螺纹&bull 壳体材料：压铸铝，防爆防腐蚀&bull 防爆标志：ExdII CT6 8. 法兰安装室外光照度传感器 光照度传感器 HAD-RY-G/W HAD-RY-G/W型室外光照变送器为室外应用所开发，且对弱光也有较高灵敏度，产品最小监测量程＜100LUX，外壳采用封闭型铸铝材质压铸而成，量程宽、防水、防腐蚀，输出标准的模拟信号，HAD-RY-G/W光照度变送器广泛应用农业大棚、路灯控制、楼宇自控等领域。量 程：0-200Klux供电电压：DC24V/12V输出信号：4-20mA/0-5V精 度：±3%安装方式：法兰安装外壳材质：铸铝 9.微压压力传感器/变送器/负压压力传感器 型号：HPTP708 微压压力传感器采用进口感压芯片，全不锈钢封焊结构，具有良好的防潮能力及优异的介质兼容性，适用于介质压力微弱的场合测量与控制。 量 程: 0～1KPa～10KPa～100KPa～1(MPa) 综合精度: 0.2%FS、0.5%FS、1.0%FS输出信号: 4～20mA(二线制)、0～5V、1～5V、0～10V(三线制)供电电压: 24DCV(9～36DCV)介质温度: -20～85℃环境温度: 常温(-20～85℃)负载电阻: 电流输出型：最大800Ω；电压输出型：大于50KΩ绝缘电阻: 大于2000MΩ (100VDC密封等级: IP65长期稳定性能: 0.1%FS/年振动影响: 在机械振动频率20Hz～1000Hz内，输出变化小于0.1%FS电气接口(信号接口): 四芯屏蔽线、四芯航空接插件、紧线螺母 10.余氯电极/余氯传感器 型号:H7685 适用于饮用水、工业过程水消毒杀菌工艺的余氯浓度在线监测，也可用于游 泳池等需要测量余氯浓度的场所。 测 量 原 理 H7685型余氯电极是一种隔膜式极谱（clark）型传感器，由阴极、阳极、电解液及阴极上覆盖的一层气透性薄膜构成。被测液中余氯通过隔膜扩散至阴极上，阴极与阳极间适当的极化电压可在阴极上将余氯还原，这些化学反应产生与所测量溶液中余氯成正比的电流。 特 点： ★ 反应灵敏，准确度高，稳定性好 ★ 操作简便，维护量小 ★ 适用于各种介质，膜不易损坏、抗污染 响应时间：90%﹤2min（室温），95%﹤5min（室温）温度范围：测量时2～45℃最小流速：200～250ml/min，流通式流量不能小于30L/hpH范围：4～8.2pH耐压范围：0～1bar温度补偿：热敏电阻阻值由用户定制电极电缆：3m高阻抗低噪音屏蔽电缆线电极尺寸：直径20mm，长度70mm □ DC 24V 输出形式：□ 脉冲：脉冲信号□ 电流：4～20mA □ 电压：0～2.5V □ 电压：0～5V □ 电压：1～5V □ RS232 □ RS4854.响应时间：≤30秒(99％)5.内阻：约350Ω6.稳定性：±2％7.余弦响应：≤±5％(太阳高度角10°时)8.温度特性：±2％(-20℃～+40℃)9.非线性：±2％10.重量：2.5kg

- OPV I-V测试与太阳能效率测量.- OLED I-V-L测试.- 并行线型多器件结构.- 光发射/照射的窗口.- 顶部/底部接触方式.- 使用Pogo Pin电触点.- 使用盖子和磁铁的压力触点.- 使用切换开关的测试设备选择.联系方式：025-84615783