锶离子

产品简介：Basic系列以城市自来水为水源，可方便快速的制造RO反渗透水、DI去离子水，为使用传统蒸馏水机的用户量身定制，实现自动、快速、方便的取用高质量去离子水，可完全取代耗时、耗能、耗水效率低下的传统单蒸(电阻率约0.2 MΩ.cm)、双蒸(电阻率约1.5MΩ.cm)、三次蒸馏水机(电阻率约3-4 MΩ.cm)，是蒸馏水机的升级换代产品，是实验室用水的基础选择。日常实验室分析用纯水的基础选择，每小时产水量15-30升，电阻率13-17.5MΩ.cm，可完全取代耗时、耗能、耗水效率低下的传统蒸馏水机。性能特点：全自动微电脑控制系统背光式LCD液晶屏，全程实时显示动画式工作状态.运行状态直观易读，可实时显示冲洗、水满、制水、缺水和检修状态.2路水质监控在线式2路水质监控，实时监测原水、RO反渗透水或DI去离子水水质.全自动RO膜防垢冲洗程序具有开机、缺水复位、水满停机及累计制水2小时的4种RO膜防垢冲洗程序，延长RO膜寿命.全面的耗材管理功能实时显示预处理、RO膜和精密纯化柱耗材的剩余寿命，到期更换自动提醒，避免水质下降.系统报警功能具有开机自检、断电复位、超限工作(连续6小时)、缺水、低压、高压保护和耗材寿命终结等声光报警功能.极简式喷塑机箱人体工程学设计，水电分离结构，外形美观精致，确保机体的清洁，符合GLP规范.台上、壁挂(Q45系列及内置水箱型除外)2种安装模式标配快插式外接设备供水口，系统可升级可选内置12升压力水桶，节省实验室空间，安装维护更加方便可加配外置大容量储水桶，满足不同水量需求模块化设计，预处理、RO及后续纯化单元均为独立结构，系统维护、滤芯更换更加便捷管路、接头均获NSF认证，确保纯水品质陶氏 DOW 原装进口 RO 膜片的膜组件，实现了 RO 膜的长寿命、稳定性和高脱盐率的结合精密级纯化柱，兼顾了高品质的纯水质量与低廉的维护费用技术参数： 名称去离子纯水机产品型号Basic-Q15Basic-Q30纯水产量*15 L/hour30 L/hour去离子水产量高达2.0L/min(水箱有水时) DI去离子水指标电阻率(25℃)13-17.5MΩ.cm电导率0.077-0.055 μs/cm细菌0.1 cfu/ml选配(0.45+0.1)μm进口PES终端滤器时 颗粒物(0.1μm)1/ml选配(0.45+0.1)μm进口PES终端滤器时RO反渗透纯水指标离子截留率97%-99%（使用新RO膜时）有机物截留率99%，当MW200道尔顿颗粒和细菌截留率99%原水要求城市饮用自来水，水温5-45℃，水压1.0-4.0Kgf/cm2尺寸/重量长×宽×高：34×32×47cm/约15Kg电气要求AC100-240V、50Hz功率48W72W水质监控两路在线式TDS测定仪* IT系列为内置10压力水桶。**数值受不同温度、进水水质及进水的污染总量影响。

全新的 Agilent 6560C 离子淌度 Q-TOF LC/MS 系统将色谱、离子淌度和质谱相结合，可提供出众的分离能力与选择性。6560C Q-TOF LC/MS 还可揭示传统 LC/MS 系统无法提供的结构信息，包括通过高分辨率多重性分解 (HRdm) 分离同类异构体。该系统采用创新的电动离子漏斗技术，可显著提高灵敏度，同时保持有利的低场漂移管设计。这使您能够直接测量准确的碰撞截面 (CCS) 并保留不稳定目标物。无论您是寻求对代谢组学样品进行更全面的分析，表征复杂的聚合物混合物，还是要了解生物分子的结构变化，离子淌度质谱都能提供新的信息。 特性：能够在没有标准品的情况下实现基于第一性原理的碰撞截面准确测量。将 UHPLC、离子淌度和高分辨率质谱相结合，提供极高的分离能力。更好地分离各类复杂的同质异位物质，例如脂类和多聚糖。深入表征不同结构构象和同分异构化合物。采用低能量漂移管设计，保证气相中分子的结构保真度。多重分解可显著提高灵敏度和动态范围，提升达一个数量级。使用安捷伦高分辨率多重性分解 (HRdm 2.0) 软件进行后处理，可实现高达 200 的全谱离子淌度分辨率。用于蛋白质定量结构分析的碰撞诱导去折叠 (CIU) 技术包括诱导分子碎裂的源内活化。在不影响 UHPLC 兼容的分离度的情况下，可使用高达 5 Hz 的采集速率。利用安捷伦 VacShield 真空盾，无需放空即可取出毛细管。性能指标：MS 灵敏度S/N (RMS) 50:1. Measured with 1pg reserpine on columnMS 质量准确度（正离子）1 ppm RMSMS 采集速率50 幅谱图/秒MS/MS 质量准确度（正离子）2 ppm RMSMS/MS 采集速率30 幅谱图/秒TOF 质量分辨率 (FWHM) 在 m/z 2722 处为 42000，与采集速率无关TOF 质量范围m/z 20-20,000四极杆分离质量范围m/z 20-4000四极杆分辨率 (FWHM)1.3 Da（自动调谐）支持的附加软件MassHunter BioConfirmClassifierMassHunter VistaFluxLipid AnnotatorMass Profiler Professional无需放真空的维护VacShield 真空盾技术温度质量稳定性1 ppm / 3 °C离子淌度分辨率 (FWHM)200离子源Dual-AJSMultiMode (ESI+APCI)Dual-ESIGC/APCIAPCINanoESI谱图内动态范围5 个数量级软件平台MassHunter工作原理：安捷伦 LC/Q-TOF 系统结合 e-MSion 的 ExD 池实现 ECD 功能结合使用 e-MSion 的 ExD 池与安捷伦 LC/Q-TOF 系统，通过快速有效的电子捕获解离 (ECD) 显著改善蛋白质形式的整体表征。ECD 可以实现更出色的多聚糖和二硫键定位表征，以及不稳定翻译后修饰的鉴定。e-MSion ExD 可诱导侧链断裂，从而区分同质异位素氨基酸和影响生物药物质量的其他降解产物，而 Q-TOF 的主要功能（如传输效率、灵敏度或分辨率）保持不变。

Ulvac公司现已投产的可用于SiC元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC” 针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。 日本UlVAC爱发科，公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），“现已得到元件厂商的充分肯定，完全可用于量产”（Ulvac公司）。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”（Ulvac公司），希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。 可在真空腔中连续更换晶圆 面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发，吞吐量较低，每天仅有几枚，不适合量产。吞吐量之所以较低，是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上，因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。 此次通过给设备配备可调温的静电吸盘（Electrostatic Chuck），解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力，将晶圆吸附到晶圆座上，能够在真空腔内连续更换晶圆。另外，通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构，能够一边向一个晶圆进行离子注入，一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此，将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。 实现了支持SiC的高注入能量 此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了最大700keV，达到了量产所要求的水平。 离子注入设备SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC 搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 可实现自动连续高温处理注入• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV （Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能； （A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）• 可减轻操作员的负担• 紧凑式设计• 可大范围对应从试作到量产的各类需求 产品应用 / Product application• 对应SiC的离子注入装置。 研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500中电流离子注入装置IMX-3500为最大能量200keV、对应最大晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。 产品特性 / Product characteristics• 最大晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。• 离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。• HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。 产品应用 / Product application • 教育、研究开发等 高能对应离子注入设备SOPHI-400最大可对应至2400KeV的高能离子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 枚叶式• 可对应薄片Wafer• 平行Beam产品应用 / Product application • 功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30低加速、高浓度对应的离子注入设备。 产品特性 / Product characteristics• 枚叶式• 可对应薄片• 非质量分离机的对比优点 1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备 2)相比过去约一半的低价 3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计 产品应用 / Product application• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺 产品参数 / Product parameters • 基板尺寸：Max200mm

Ulvac公司现已投产的可用于SiC元件量产的离子注入设备 针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。 日本UlVAC爱发科，公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），“现已得到元件厂商的充分肯定，完全可用于量产”（Ulvac公司）。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”（Ulvac公司），希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。 可在真空腔中连续更换晶圆 面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发，吞吐量较低，每天仅有几枚，不适合量产。吞吐量之所以较低，是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上，因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。 此次通过给设备配备可调温的静电吸盘（Electrostatic Chuck），解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力，将晶圆吸附到晶圆座上，能够在真空腔内连续更换晶圆。另外，通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构，能够一边向一个晶圆进行离子注入，一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此，将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。 实现了支持SiC的高注入能量 此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了最大700keV，达到了量产所要求的水平。 离子注入设备SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC 搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 可实现自动连续高温处理注入• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV （Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能； （A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）• 可减轻操作员的负担• 紧凑式设计• 可大范围对应从试作到量产的各类需求产品应用 / Product application• 对应SiC的离子注入装置。

1 产品概述: SiC用高温离子注入设备，如爱发科（Ulvac）公司推出的IH-860DSIC，是专为SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火技术难题设计的专用设备。该设备搭载了高温ESC（静电吸附卡盘），能够在高温环境下实现高能粒子的连续注入，有效解决了SiC晶圆在离子注入过程中易产生结晶缺陷的问题。2 设备用途： SiC用高温离子注入设备主要用于SiC功率器件（如SiC-SBD和SiC-MOSFET）的生产工艺中，特别是在离子注入和激活退火环节。通过该设备，可以实现高温下的高能离子注入，控制注入离子的浓度和深度，从而改善SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性。这对于提升SiC功率器件的性能和可靠性至关重要。3 设备特点 高温处理能力：设备能够在500℃的高温下进行离子注入，有效控制SiC晶圆在注入过程中产生的结晶缺陷。 高能粒子注入：支持高能量的离子注入，如1价离子可注入至350keV（Option: 430keV），2价离子可注入至700keV（Option: 860keV），满足SiC晶圆对注入能量的高要求。 高吞吐量：通过采用可调温的静电吸盘和双工位系统结构，实现了晶圆在真空腔内的连续更换和高温处理，将吞吐量提升至30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），满足量产需求。 自动化与智能化：设备具备自动连续高温处理注入的功能，减轻了操作员的负担，同时提高了生产效率和一致性。 4 技术参数和特点：&bull 可实现自动连续高温处理注入&bull 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV（Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）&bull 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；（A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）&bull 可减轻操作员的负担，紧凑式设计&bull 可大范围对应从试作到量产的各类需求

等离子沉积设备SI 500 D 高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。 SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 500 D ICPECVD等离子沉积设备 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从室温到350?°C 激光终点检测 备选电极偏置

名称：三参数离子传感器 型号：WSI3 产地：意大利 介绍：WSI3是一款可同步检测水中三种离子的集成式传感器，标配的离子电极为NH4+、NO3-、Cl-，其他可选离子为K+、Na+、Ca2+、F-。它自带USB或RS485接口，可将测量数据输出至计算机、数据采集器（数采仪）、PLC系统等，如果与原厂TMF系列的数采仪配套使用，可通过GSM、GPRS、UMTS、卫星系统、有线/无线等方式进行数据通讯。WSI3三参数离子传感器适合于海洋、湖泊、水库、河流、地下水、水产养殖、自来水的长期监测，使用时是将传感器放置于开放水体或插入管道中。 设备的校准过程简单快速，可通过运行软件来设置完成。传感器部位无需特殊维护，保持表面清洁将有助于检测结果的精准性。 产品特征? 同时检测以下三种离子：NH4+、NO3-、Cl-、K+、Na+、Ca2+、F-；? 适用于清澈、半透明水体，可用于海水监测；? 自带RS485或USB接口，可连接计算机并传输数据；? 可与TMF系列数采仪配套使用；? 体积轻便、小巧；? 传感器元件易于更换；? 水深级别20米；? 简易的维护和校准过程；? 已通过CE认证 技术参数 可选离子 NH4+、NO3-、Cl-、K+、Na+、Ca2+、F- 通讯接口 RS485或USB（可选） 工作环境 -5~60℃ 操作深度 0.2~20m 材质 PVC 电源 10.8 ~16V直流电 数据输出 mV，可转换为ppm 尺寸 500mm x 42mm（长度x直径） 线缆长度 标配30米，IP68防水接头 重量 小于1.6kg 准确度 ±15%

ICP-RIE等离子刻蚀机SI 500低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH等离子体工艺设备的属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的***温度范围内提供了优良的工艺条件。SI 500为研发和生产提供电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的***SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。RIE等离子刻蚀机Etchlab 200RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。RIE等离子刻蚀机SI 591工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有***的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。

RIE反应离子刻蚀 SI 591 反应离子刻蚀机SI 591采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。主要特点: 高均匀性和优重复性的蚀刻工艺 预真空锁loadlock 电脑控制操作 SENTECH高级等离子设备操作软件 数据资料记录 穿墙式安装方式 刻蚀终点探测 系统配置:平行板式反应线圈，13.56 MHz (600 W) 喷淋头式进气 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃)，基底4"-8"直径，基底托架可支持小片材料和多晶圆。 PLC控制, PC

离子选择电极传感器是一款专门针对氨氮、硝氮在线测量的多参数离子浓度传感器。传感器采用离子电极法，因此测量时，用户只需要将传感器投入待测水样中，就可以直接读取氨氮、硝氮或更多离子浓度的数值。传感器内置温度传感器、空气清洗装置以及四个离子电极的接口，如右图所示：典型应用● 监测污水处理厂的曝气池、硝化/反硝化过程控制、活性污泥池、初沉池出水口等；● 地表水氨氮、硝氮监测；● 水产养殖过程的氨氮、硝氮在线监测；● 再生水（中水回用）用于农田灌溉以及工业过程水中的氨氮、硝氮监测；● 饮用水、地表水、工业生产用水和污水的氟离子。测量原理在线离子浓度分析仪基于离子选择性电极的检测原理，利用膜电势测定水体中离子的浓度。当电极和待测离子的水体接触时，在传感器敏感膜与水体相界面上，会产生与该离子活度直接相关的膜电势，进而得出相应的离子浓度。特点优点● 标准RS485数字接口，信号抗干扰能力强，传输距离更远；● 316L不锈钢外壳，环境适应性好，抗腐蚀性强● IP68高防护等级设计，整体密封，消除泄漏现象● 免试剂，维护简单方便，电极可拆卸清洗，膜帽更换方便● 响应速度快，数据实时监测● 功能丰富，可同时检测多种离子● 配置灵活，每种离子电极可以随意选配

Simcoion HE离子风嘴HS离子风嘴HE/HS型离子风嘴HE柱形气流&HS扇形气流离子风嘴，利用压缩空气，产生一股强大的电离气流，吹除零件及材料上的灰尘及静电。使产品保持洁净，并防止因静电再次吸附灰尘。特点及优势• 快速，有效静电中和；• 可选单独安装使用，串联或在连接在横杆上使用；• 体积小，适合各种应用；HE及HS型均为无电击离子风嘴，使用少量压缩空气，产生强大的离子气流，中和静电清洁产品。高压电源F267（230V）-7KVD257Q（230V）-7KV

RIE反应离子刻蚀 SI 591 反应离子刻蚀机SI 591采用模块化设计，可满足III/V半导体和Si加工工艺领域的的灵活应用。 SENTECH SI 591可应用于各种领域的蚀刻工艺中，能够完成多种刻蚀加工。主要特点: 高均匀性和优重复性的蚀刻工艺 预真空锁loadlock 电脑控制操作 SENTECH高级等离子设备操作软件 数据资料记录 穿墙式安装方式 刻蚀终点探测 系统配置:平行板式反应线圈，13.56 MHz (600 W) 喷淋头式进气 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 绝缘、冷却和加热电极(-25℃至80℃)，基底4"-8"直径，基底托架可支持小片材料和多晶圆。 PLC控制, PC SENTECH高级等离子设备操作软件特性: 全自动/手动过程控制 Recipe控制刻蚀过程 智能过程控制，包括跳转、循环]调用recipe。 多用户权限设置 数据资料记录 LAN网络接口 Windows NT 操作软件选项: 增加气路 PE电极 外部反应腔加热 下电极温度控制(+20oC ... +80oC) 循环冷却器(5oC ... 40oC) CS化学尾气净化 Cassette到cassette操作方式 穿墙式安装 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统 在线椭偏测量(SE 401, SE 801)

技术/销售热线 吴先生 ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。 自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。 动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 SI 500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 IRE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS SI 500-300ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片 SI 500为研发和小批量生产应用提供先进的ICP刻蚀工艺，具备高度的灵活性和模块化设计特点,可实现范围广泛的刻蚀工艺。包括刻蚀III-V化合物、II-VI化合物、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物等。 SI 500C低温ICP刻蚀机，可在-100℃左右的低温下实现深硅刻蚀。优点是刻蚀后形成非常光滑的侧壁，尤其在光学应用上非常重要。同时低温刻蚀工艺的高刻蚀速率可实现刻穿样片。 SI 591 采用模块化设计、具有高度灵活性，适用于III-V 化合物、聚合物、金属盒硅刻蚀工艺，可配置为单反反应腔系统、或带预真空室或片盒站的多腔系统。特别适用于采用氟基气体的工艺，具有很高的工艺稳定性和重复性。 型号SI 500ICP刻蚀机-30~+200℃SI 500C低温ICP刻蚀机-150~+400℃SI 500-30ICP刻蚀机带预真空室最大12寸晶圆SI 591反应离子刻蚀机带预真空室Etchlab200反应离子刻蚀机不带预真空室SI500-RIE反应离子刻蚀机带预真空室带氦气背冷却系统

超细粒子计数器 型号：8525 美国TSI8525超细粒子计数器可检测直径小于0.1 微米的粒子，并对其进行计数.一般认为，这一部分微粒常常伴随着污染物的存在，因此可以通过美国TSI8525超细粒子计数器的检测对污染源进行标识。无论是明显的污染源 (如锅炉、机动车辆)还是非明显污染源(如复印机、打印机)都很难在美国TSI8525超细粒子计数器眼前蒙混过关还是非明显污染源(如复印机、打印机)都很难在美国TSI8525超细粒子计数器眼前蒙混过关，它可以成功地鉴别有毒气体的迁移、具有污染问题的办公设施、生产车间、锅炉垫圈的泄漏等许多问题。美国TSI8525超细粒子所引起IAQ的问题 对一位室内空气质量（IAQ）监测者而言，当有人抱怨室内空气质量时，您通常怎么办？通常，需要测量室内的温度、湿度、新风量和CO2\CO 含量，然后您可能还要进行如易挥发有机物(VOC)、有毒气体、生物气溶胶及悬浮粒子浓度（TSP/RSP）等的测量。即使这样，您可您能仍找不到污染的源头。问题在哪？很多持久的空气质量问题都在某种程度上与超细粒子有关。直径小于0.1微米的粒子，通常是燃烧或其他化学反应的产物。这些极小的粒子可能在室内或室外产生，它们的源头包括机动车排放、烟囱排\放、工业过程、电池充电过滤器泄漏、吸烟、厨房、干洗店、清洗剂、办公设备等。就人类而言，不同的个体对超细粒子 解决方案 美国TSI8525超细粒子计数器应用了与TSI公司凝聚粒子计数器 (CPC) 相同的技术。后者在粒子源的检测和记录方面已具有几十年的应用历史，在全世界的科研和工业界得到了广的应用。 美国TSI8525超细粒子计数器可检测直径小于0.1 微米的粒子，并对其进行计数。一般认为，这一部分微粒常常伴随着污染物的存在，因此可以通过美国TSI8525超细粒子计数器的检测对污染源进行标识。无论是明显的污染源 (如锅炉、机动车辆) 还是非明显污染源(如复印机、打印机)都很难在美国TSI8525超细粒子计数器眼前蒙混过关，它可以成功地鉴别有毒气体的迁移、具有污染问题的办公设施、生产车间、锅炉垫圈的泄漏等许多问题。参数如下：浓度范围0～5 × 105个/cm3粒子直径范围0.02～ 大于1 微米温度范围操作温度0～38℃存储温度-40～70℃流量采样流量0.1 L/min总流量0.7 L/min电源电池类型6 节AA 电池电池寿命21℃时6 小时异丙醇需求类型100 % 试剂级异丙醇每次填充持续时间21℃时8 小时RS232 输出波特率9600存储器独立点470数据记录模式以每分钟一次的间隔可以连续记录1000时数据。独立测试编号的最 大数量141仪器尺寸270 × 140 × 140mm重量1.7 kg保修1 年

挖掘质谱潜力，拓宽应用范围CESI 8000 高效毛细管电泳分离和电喷雾离子化系统 质谱已经成为生物样品表征不可或缺的手段。如何提升质谱的灵敏度，降低离子抑制效应一直是人们关注的重点。AB SCIEX 公司推出了全新的质谱前分离和离子化系统- CESI 8000，将毛细管电泳（CE）的高效分离和超低流速的特性与电喷雾离子源（ESI）完美结合，从而显著提升灵敏度，降低离子抑制效应。为蛋白质药物表征，蛋白质组学鉴定，蛋白质翻译后修饰分析和代谢组学指纹图谱表征等领域带来了全新的分析方法。CESI-MS 的优势超低流速分离和电喷雾离子化离子抑制效应最小化离子化效率较大化增加灵敏度 - 能够发现新的分析物，并进行鉴定和定量电喷雾喷针整合于分离毛细管末端，与毛细管内径相同，无死体积，柱效和灵敏度较大化柱效高且不使用固定相，不会丢失过小和过大的肽段信息。 - 无死体积，不易堵塞 - 无交叉污染 - 结果与其他分析方法互补，或优于其他分析方法。OptiMS 卡盒，简单易用即插即用 - 和质谱连接非常简单通量更高在空毛细管中进行分离，无需耗时的柱平衡过程 - 显著减少两次分析之间的间隔时间可移动的CESI标配可移动实验台，可以电动调节高度 - LC-MS 和CESI-MS 间可以自由转换高效的质谱前分离和离子化系统提高离子化效率，降低离子抑制效应，增加整体分析灵敏度 CESI 8000 是分析技术的又一次创新，为通过质谱检测带电荷物质和极性物质提供全新的前分离解决方案。CESI-MS 可以将毛细管电泳分离和电喷雾离子化源有机结合，保持对带电荷和极性物质的高效分离，对样品区带无任何干扰和稀释。同时，可以在极低的流速下提供稳定的电喷雾离子化，显著降低离子抑制效应，提高灵敏度。

ICP-RIE等离子刻蚀机SI 500 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不 于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。SI 500： ICP等离子刻蚀机 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C: 等温ICP等离子刻蚀机 带传送腔和预真空室 衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 RUE: RIE等离子刻蚀机 背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案 电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTSA SI 500-300: ICP等离子刻蚀机 带预真空室 适用于300mm晶片

高密度等离子体SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。平行板ICP等离子体源SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。优异的沉积性能低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。动态温度控制动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。 SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。

产品详情德国 Sentech等离子沉积机 SI 500 D ： 超高密度等离子体SI 500d具有特殊的等离子体特性，如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。 平面等离子体源森泰克专利的平面三螺旋天线(PTSA)等离子体源允许高效率低功率耦合。 杰出的沉积特性低腐蚀速率、高击穿电压、低应力、基体无损伤、界面状态密度极低，沉积温度小于100℃，使沉积薄膜具有优异的性能。 动态温度控制 采用动态温度控制的基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在室温至+350℃的大范围温度范围内，提供优良的稳定工艺条件。 SI 500d代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源，反应气体分离气体入口，动态控温基片电极，全控真空系统，采用远程现场总线技术的先进森泰克控制软件，以及一个非常友好的通用用户界面来操作SI 500d。 从直径200毫米的晶圆片到负载在载体上的各种基板，都可以在SI 500 d中进行加工。 SI 500d等离子体增强沉积工具可在室温至350℃范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜。溶液可用来沉积TEOS、SiC和其他具有液体或气体前驱体的材料。s500d特别适用于有机材料在低温下沉积高效的保护屏障，以及在规定温度下无损伤沉积钝化膜。 森泰科提供不同的自动化水平，从真空盒式磁带加载到一个过程室，多达六个端口集群，具有不同的沉积和蚀刻模块，目标是高灵活性或高吞吐量。SI 500d也可以作为集群配置上的进程模块。 SI 500 DICPECVD等离子体沉积工具与真空loadlock高达200毫米晶圆衬底温度从RT到350℃激光端点检测可选的衬底偏置

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下( 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。 SI 500 D主要特点：l 适用于8寸以及以下晶片l 低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°Cl 高速率沉积 l 低损伤l 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调l 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)l SENTECH高级等离子设备操作软件 l 穿墙式安装方式

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下( 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。 SI 500 D主要特点：l 适用于8寸以及以下晶片l 低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°Cl 高速率沉积 l 低损伤l 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调l 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)l SENTECH高级等离子设备操作软件 l 穿墙式安装方式

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下( 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。 SI 500 D主要特点：l 适用于8寸以及以下晶片l 低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°Cl 高速率沉积 l 低损伤l 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调l 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)l SENTECH高级等离子设备操作软件 l 穿墙式安装方式

产品详情德国 Sentech等离子沉积机SI 500 PPD 过程的灵活性PECVD沉积工具SI 500 PPD的使用方便沉淀SiO2、SiNx、SiOxNy的标准工艺，a- si在室温到350℃之间。真空loadlock SI 500 PPD的特点是真空加载锁定和干燥. 抽油机适用于无油、高产量和沉积过程的清洁度。 SENTECH控制软件用户友好的强大软件包括模拟GUI、参数窗口、食谱编辑器、数据日志和用户管理。SI 500 PPD是一种先进的等离子体增强化学气相沉积介质薄膜的工具，硅、碳化硅和其他材料。它是基于平面电容耦合等离子体源，真空加载锁定，控温基片电极，可选配低频混频，全控无油真空系统采用先进的森泰克控制软件，采用远程现场总线技术，具有非常友好的通用用户界面用于操作SI 500 PPD的用户界面。从直径200毫米的晶圆片到装载在载体上的各种基板，都可以在SI 500 PPD等离子体沉积仪。单片【真空负荷锁定】保证了稳定的工艺条件和可以方便地切换进程。SI 500 PPD等离子体增强沉积工具被配置成在a中沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜温度范围从室温到350℃。解决方案可用于TEOS, SiC，以及其他具有液态或气态前体的物质。SI 500 PPD适用于介质的沉积用于蚀刻掩膜、薄膜、钝化膜、波导等的薄膜和非晶态硅。 SENTECH提供不同水平的自动化，从真空盒加载到一个过程室到六个端口集群，不同的沉积和蚀刻模块，以高灵活性或高吞吐量为目标。SI 500 PPD也可以作为集群配置上的进程模块。PECVD SI 500 PPDPECVD等离子体沉积工具与真空loadlock高达200毫米晶圆衬底温度从RT到350℃低应力薄膜可选低频混频TEOS和其他液体前驱体的来源干式抽油机

Simcoion Transvector离子气刀Transvector离子气刀Transvector离子气刀，综合SIMCO-ION久经考验的离子棒与气刀空气处理技术，利用压缩空气，提供清洁及静电中和。与传统的离子风棒相比，离子气刀高度聚集的帘状气流更有效地将空气子吹送到工作区域，大大提高了清洁能力，同时Transvector离子气刀利用，可显著降低噪音及减少压缩空气的使用。Transvector离子气刀还具有更高的气流放大比及更均匀的气流。特点及优势• 在中和静电的同时进行清洁，气流放大比25：1；• 有助于减少机械堵塞；• 有助于防止吸附灰尘及污垢；• 提供安全，有效的运行；• 装配离子棒的选择：-IQ Power离子棒；-IQ Power HL防爆离子棒（防爆区域）。

产品详情SENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机 SI 591特别适用于采用氟基和氯基气体的工艺，可以通过预真空室和电脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。 工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺 占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。 SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。 位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。 SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 591 compact 可配置为至多6端口传输结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体手动预真空室置片或片盒装载用于研发和高产量的多腔系统SENTECH控制软件 SI 591 cluster可配置为至多6端口传输结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体手动预真空室置片或片盒装载用于研发和高产量的多腔系统SENTECH控制软件

产品参数测量原理电位计/ ISE特点锅炉给水、蒸汽、冷凝水和离子交换器中钠离子分析仪尺寸850 x 450 x 250 mm33.5 x 17.7 x 9.8 inch设计不锈钢盘1.4301过程温度10...45°C50...113°F环境温度5...40°C41...104°F过程压力1...5 bar（绝压）14.5...72.5 psi探头处的流速10...15 l/h2.64...3.96 gal/h应用锅炉给水、废水循环系统、冷凝水和离子交换器中在线钠离子监测电源100 ...240 V AC，50/60 Hz输出0/4 ...20 mA测量范围0.1...2000 μg/l (ppb) Na耗材CA76NA钠离子电极，CA76NA pH组合电极CA76NA标液5100 ppb Na应用领域使用CA76NA钠离子分析仪保护您的水汽循环回路和离子交换器！如果高纯水给水或锅炉给水中的钠离子浓度上升，说明已有有害杂质溶解在水中。这种情况会引起严重的设备损坏，产生昂贵的维修费用。CA76NA能够高精度进行水质监测，快速检测关键事件。钠离子分析仪能够帮助您制定预维护策略，保障电厂正常运行。在电力行业和公用工程中，CA76NA钠离子分析仪监测低钠离子浓度：指示锅炉和涡轮机中的水和蒸汽纯度。实现冷凝器泄露或离子交换器故障的早期预警。控制采用淡水为水源的电厂的进水水质。优势保护在电力行业中使用的昂贵工厂设备：CA76NA钠离子分析仪监测水汽循环回路中的低钠离子浓度，检测电厂中的残留物和杂质。在线测量真空泵下游管道中的钠离子浓度，实现冷凝器泄露的早期预警。DIPA试剂和标准液的使用剂量低，降低了运营成本。精准测量：独立pH参比电极进行高精度温度补偿，优化调节pH值。优化投资成本：一台分析仪最多带六个取样通道。完美适应过程条件：选择专用取样通道，自由调节测量间隔时间。成功案例直接从波罗的海中提取循环冷却水KNG电厂选择了CUS52D浊度传感器，即使在环境严苛的海水中也能够稳定输出可靠的测量结果，降低了维护成本。汽轮机连续运转Zwickau南部火力发电公司建造了一座新生物发电厂，为Zwickau城市供电。工厂采用最先进的汽水取样系统SWAS。

Park NX10-SICM 扫描离子电导显微镜简介：NX10-SICM 扫描离子电导显微镜是目前PARK原子力显微镜中重要的一员，该仪器真正意义上实现了液下活细胞的三维非接触式测量，除活细胞成像外，可与电化学工作站与膜片钳联用，广泛用于活细胞成像，原位扫描电化学，神经科学，是生物科研工作者的分析检测工具。Park扫描离子电导显微显微镜原理介绍：Park公司研发的扫描电子显微镜技术(Park SICM)将装有电解质的纳米玻璃移液管作为离子传感器，向系统反馈其与*浸没在液体中的样品之间的相对位置。移液管通过保持离子电流恒定来与样品保持距离。相比之下，原子力显微术十分依赖探针与样品之间的作用力。纳米移液管内径约50-100纳米，材质为玻璃。与常温常压下的扫描隧道显微镜技术(STM)类似，Park SICM在成像时无需与液体中的样品接触。样品和移液管两端的电极会在周围的溶液中产生离子电流。电流会随着移液管与样品之间距离的缩小而降低，传感器被用来测量电流并可监测移液管与样品之间的距离，以获得表面形貌像。纳米尺度下稳定的移液管探针与样品距离控制通过自动刷新接近每个像素前的参考值，移液管接近样品表面的停止高度不受设定点移动影响。电流-距离(I-D)分光镜检查通过移液管接近（垂直方向移动）样品表面获取扫描离子电导显微镜电流-距离曲线，有助于阐释水性环境中不同的生物与化学现象。这项有利应用可运用到某种有趣的样品物体中，借助扫描离子电导显微镜非侵入性形貌进行识别。此外，利用“电流-距离曲线映射”功能可以让研究人员在多个位置检验并获得电流-距离曲线，从而对生物与化学反应研究的理解更上一层。 用于扫描离子电导显微镜稳定操作的法拉第笼专为Park NX10扫描离子电导显微镜平台设计，法拉第笼有效保护移液管、头部与XY轴扫描仪不受干扰，提供更稳定的扫描环境。透明导电网阻挡了电场，并屏蔽外部静电或非静电50/60 Hz的电磁场，同时仍然提供给研究人员移液管与样品清晰的视野。NX10-SICM型扫描离子电导显微镜功能：1）细胞生物学：生物活细胞非接触式成像2）分析化学： 原位微区扫描电化学3） 电生理学与神经科学：与膜片钳联用，定量测量离子通道电流，用于神经学和新药物研发。

RIE等离子刻蚀机SI 591 工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 591 compact 占地面积小的RIE等离子刻蚀 预真空室 卤素和氟基气体 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

美国TSI便携式粒子计数器型号：9110 TSI公司9110型便携式粒子计数器可精确测量到0.100微米的粒子。它所使用的氨氖激光技术可以极大程度提高信噪比。9110型完全遵从ISO-14644-1标准，是验证一级和二级洁净房间的最JIA选择。这款仪器可应用在洁净房间的监测，过程监控和过滤膜测试。 TSI9110型可以生成ISO 14644-1通过或非符合的报告。它不仅可以作为独立的粒子计数器使用，也可以与诸如FMS5等在线粒子监测系统兼容。 TSI9110型激光粒子计数器严格遵从ISO 21501-4协议。它通过标准的粒子测量方法来进行校验，即用来自美国国家标准及技术研究所的PSL小球通过TSI YI流的筛分器和凝聚核粒子计数标准。 特性和优点l 精确测量100纳米粒子l 粒径范围为0.100至10μml 最多可同时测量八个通道数据l 流量为28.3升/分钟（1CFM）l 完全遵从ISO 21501-4要求l 是测量1级和2级洁净房间的最jia选择l 使用增强的氨氖激光器l 高度可重复和可靠的测量/数据l 10000个数据存储量，999个位置l 以太网，USB和脉冲输出l 工业声光警报l 允许储存和回放具体测试l 最GAO显示三种环境参数l 不锈钢配件l 与M321-01 Manifold多点采样完美边境l 可进行符合ISO一级标准洁净房间的验证 技术参数型号9110粒径范围0.100-10μm粒径通道9110-01：0.1，0.15，0.2，0.25，0.3，0.5，1.0，5.0μm粒径分辨率在0.2μm15%（符合ISO 21501-4）计数效率0.100μm时50%，粒径大于0.15μm时100百分（符合ISO21501-4和JIS）浓度限制100000个/ft3(350000个/ft3),10%重合损失激光源增强的氨氖激光器零点5分钟小于1个（符合ISO 21501-4和JIS）流量28.3升/分钟（1CFM立方英尺）±5%（符合 ISO 21501-4和JIS）流量控制电子自动闭合回路（专利流量控制技术）检验可溯源NIST和TSI校验系统校验频率推荐至少每年一次采样模式自动，手动，蜂鸣。累计/差值；计数或浓度采样时间1秒至99小时采样频率1至9999循环或连续排气内置HEPA过滤器通过模式Modbus RTU通过以太网或USB网数据存储量10000个数据记录，包括时期，时间，八个通道，流量，ID，采样流量，通过USB传递数据或使用Trak Pro软件下载声音警告内置，1米时大于85db(可调整)状态指示低电量，流量，激光警报输出干触点，报警时关闭显示VGA 14.5-cm触摸屏语言简体中文，英文，日语，德语，法语，西班牙语和意大利语软件兼容Trakpro Lite Secure和FMS5软件打印机内置热敏打印（可选无打印机）打印输出可选所有语言环境传感器接口支持TSI探头型号：960，962，964，966（风速/温度/湿度）和其它品牌的温度湿度探头单位编号可配置IP地址安全二级密码保护本地ID至999个；每个16字符长度报告提供ISO 1466-1,EU GMP and FS209E的通过或非符合报告表面材质不锈钢体积（高x 长 x 宽）23.6 x 20.6 x 52.2cm重量11．14千克（不包括电池），12.7千克（包括）电量110至240VAC,50-60Hz普通电源电池可卸载充电锂电池，最duo可旋转4块电池电池寿命连续使用达4小时充电时间3.5小时（静态）标准ISO 21501 -4,CE,JIS B9921质保两年，提供延长保修操作范围10-35度，20%-95%非结露贮藏范围0-50度，98%-湿度非结露包含配件快速启动手册，CD-ROM操作手册，电源线，电池，采样口，等速探头，三角架，管路，打印纸，USB线和TrakPro Lite软件可选配件电子过滤扫描探头，基础过滤扫描探头，TSI风速探头，温湿度探头，备用电池，外置充电器，调零过滤器，等速采样口，采样管

Kore SurfaceSeer S在飞行时间二次离子质谱仪 （TOF-SIMS） 系列中，是一款高性价比且经久耐用的产品。它是研究样品表面化学成分的理想选择，适用于研发和工业质量控制应用。飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）是非常灵敏的表面分析手段。其凭借质谱分析、二维成像分析、深度元素分析等功能，广泛应用于医学、细胞学、地质矿物学、半导体、微电子、物理学、材料化学、纳米科学、矿物学、生命科学等领域。Kore SurfaceSeer S型号的飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）使用的是5keV Cs+离子束（可选惰 性气体Ar+），该离子束是脉冲式的，以限度地减少连续离子束可能造成的表面损伤。 在每100µ s TOF 循环中，该离子枪的脉冲时间仅为60ns，因此，主光束提供的电流比连续打开时少1000倍以上。典型的10s实验时间所产生的电流仅相当于几毫秒的连续光束电流。 要达到所谓的“静态SIMS”极限，需要在一个点上进行几分钟的分析，在这个点上，表面损伤在数据中变得清晰可见(取决于焦点和光 束电流)。尽管离子剂量较低，这款TOF分析仪还是非常高效的，这就说明了它具有较高的二次离子数据速率（即使在离子产率相对较低 的聚合物上，也通常为5000 c/s）。SurfaceSeer S 仪器特点：配备5keV Ar+/Cs+脉冲式离子束，以限度地减少连续离子束可能造成的表面损伤，实现样品“无损”分析；针对工业领域的低成本TOF-SIMS仪器；均适用于导电物体表面和绝缘物体表面的分析 ；可在1~2min内实现高速率的正负质谱分析；质量分辨率可达 2,500 m/δm (FWHM)；适用于导电物体表面和绝缘物体表面的分析。SurfaceSeerS应用领域:表面化学黏附力分层印刷适性表面改性等离子体处理痕量分析（表面ppm）催化剂同位素分析表面污染

Kore SurfaceSeer I是一款高灵敏度的TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪，具有高通量分析功能，可用于绝缘、导电表面的成像分析与化学成分分析。SurfaceSeer I 是研究表面化学的理想选择，适用于研发和工业质量控制应用。TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪主要通过离子源发射离子束溅射样品表面进行分析。离子束作为一次离子源，经过一次离子光学系统的聚焦和传输，到达样品表面。样品表面经过溅射，产生二次离子，系统将产生的二次离子提取和聚焦，并将二次离子送入离子飞行系统。在离子飞行系统中，不同种类的二次离子由于质荷比不同，飞行速度也不同，在飞行系统分离，通过检测这些离子进行相关分析。SurfaceSeer I 使用与 SurfaceSeeer S 相同的 TOF-MS 技术，但配备了高亮度、高空 间分辨率的 25kV 液态金属离子枪（LMIG）作为主要离子源。LMIG 的探头尺寸≤ 0.5µ m，可实现高分析空间分辨率。全自动计算机控制，允许在质谱采集期间扫描离子枪，从而可以收集到化学图像或图谱。另外还提供了一个二次电子探测器（SED），用 于调谐初级电子束和 SED 图像捕获。带有12.7µ m重复单元的铜格栅SurfaceSeer I 仪器特点：配备25KV液态金属离子枪（LMIG）作为主要离子源，检测能力更强，质量分辨率更高；具备表面成像和深度剖析功能；提供的SIMS材料谱库包含上千种材料的质谱数据，可识别未知的化合物和材料；可同时分析所有元素及有机物，可消除有机物和元素干扰，使谱图更清晰，检测限更低，能更有效地分析材料样品。专用数据处理软件允许分析数据和样品的化学构成信息进行全面的交互提取，其所有储存的数据都能用于溯源性分析。表面分析灵敏度高达 1x109 atoms/cm2SurfaceSeer I 应用领域:表面涂层和处理电子元件和半导体电极与传感器润滑剂催化剂粘合剂薄膜等包装材料腐蚀研究大学教学与科研