寿命衰减

SPM900 系列少子寿命成像测试仪原理说明非平衡少数载流子少数载流子的寿命是半导体材料的一个重要参数，也是评价半导体质量的一个指标。例如在光伏电池中，少子寿命决定了少子扩散长度， 决定了光吸收层、内建电场区域的厚度设计等重要的器件参数；载流子寿命也可以反映器件中杂质或者缺陷的影响，抑或是存在污染， 进行失效分析，对工艺过程进行优化。载流子的复合在一定温度下，处于热平衡状态的半导体材料，电子- 空穴对的产生和复合保持一种动态平衡，载流子浓度是一定的。然而，外界的作用会破坏这种热平衡，使其处于与热平衡相偏离的状态，随之改变的是载流子的浓度， 多于平衡值的载流子就是非平衡载流子。非平衡少数载流子也称也称少子，通常对于半导体器件的性能起到决定性的作用。当外界作用撤掉后，处于非平衡态的载流子会通过复合而产生衰减，直到载流子浓度恢复到之前的热平衡状态。载流子的复合方式可以分为三类：SRH 复合、辐射复合及俄歇复合（直接和间接）。(a) SRH 复合； (b) 辐射复合； (c) 直接俄歇复合；（d）间接俄歇复合少子寿命测试少子寿命的测量通常包括非平衡载流子的注入和检测两个方面，*常用的注入方法是光注入和电注入。对于间接带隙的半导体，常使用电注入或者微波光电导衰减的方法进行少子寿命测试，间接带隙半导体一般寿命较长， 为毫秒量级。而对于GaAs 这类的直接间隙半导体，复合的能量几乎全部以发光的形式放出，发光效率高，寿命较短（典型的寿命在10-8-10-9s），通常使用时间分辨光致发光光谱（TRPL）的方法来进行测试。激光扫描少子寿命成像测量仪SPM900当外界作用停止以后，少子的浓度（ΔC）随时间t 增长呈指数衰减的规律。由以下方程可知，少子的寿命为当少子浓度衰减到初始浓度1/e 时候所经历的时间。在辐射复合中，发光的强度与少子的浓度相关，因此可以通过检测发光的寿命来获得少子的寿命信息。当在显微镜上加载少子寿命测试模块，就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息，这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计，包含显微镜主体，激光光源，光子计数检测器，单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发，通过控制样品台的移动，可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。少子寿命成像测试应用外延ZnS 薄膜半导体本征带- 浅杂质复合半导体中施主- 受主对复合深能级复合III-V 族载流子杂质俘获过程研究非辐射中心的电子弛豫及复合机制研究半导体外延片缺陷和杂质检测测试软件控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。3D 显示功能少子寿命测试案例MicroLEDMicroLED 显示技术是指以自发光的微米量级的LED 为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED 阵列的显示技术， 在发光亮度、分辨率、对比度、稳定性、能量损耗等方面有很大优势，可以应用在AR/VR，可穿戴光电器件，柔性显示屏等领域。由于MicroLED 的尺寸在微米级别，因此需要在显微镜下进行检测。下图为使用少子寿命成像系统对直径为80 微米的MicroLED 微盘进行测试。单组分拟合，可以看到红圈中的污损位置，虽然影响发光强度，但对发光寿命没有影响钙钛矿测试钙钛矿属于直接带隙半导体材料，具有高光学吸收，高增益系数、高缺陷容忍度、带隙可调，制备成本低等优点，可以广泛应用在光子学与光电信息功能器件等领域，例如钙钛矿太阳能电池，钙钛矿量子点，钙钛矿LED 等材料的研究。对于钙钛矿中的载流子辐射复合的研究对于提供器件的光电转换性能有很大的帮助。以下示例为钙钛矿样品的少子辐射复合发光成像和寿命成像。图中可见此钙钛矿样品有两个寿命组分，且不同寿命组分的相对含量也可以从相对振幅成像图中很直观的看到。晶圆级大尺寸的少子寿命成像测试仪4、6、8 英寸晶圆样品测试，可在此基础上增加小行程电动位移台实现数百纳米至微米尺度的精细扫描显微尺度的少子寿命成像测试仪参数指标 系统性能指标：光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps寿命测量范围500ps-1ms（具体视激光器而定）小尺寸空间分辨率≤ 1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器大尺寸扫描可适用4 英寸、6 英寸、8 英寸样品配置参数：脉冲激光器375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW@50MHz405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW@50MHz450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW@50MHz488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW@50MHz510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW@50MHz635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW@50MHz660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW@50MHz670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW@50MHz其他皮秒或纳秒脉冲激光器具体视材料及激发波长而定科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门小尺寸扫描用电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），*小步进：50nm，重复定位精度＜ 1μm大尺寸扫描用电动位移台XY 轴行程200mm/250mm，单向定位精度≤ 30μm，水平负载：30Kg；光谱仪320mm焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD出口，配置三块68×68mm大面积光栅， 波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD( 可扩展PL mapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm,探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps… … 33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFlμo-FM 寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得发光衰减曲线，实时生成发光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的寿命成像数据，逐点进行多组分发光寿命拟合( 组分数小于等于4），对逐点拟合获得的发光强度、发光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统

荧光和荧光寿命分子包含多个单能态S0、S1、S2… 和三重态T1… ，每个能态都包含多个精细的能级。正常情况下，大部分电子处在*低能态即基态S0 的*低能级上，当分子被光束照射，会吸收光子能量，电子被激发到更高的能态S1 或S2 上，在S2 能态上的电子只能存在很短暂的时间，便会通过内转换过程跃迁到S1 上，而S1 能态上的电子亦会在极短时间内跃迁到S1 的*低能级上，而这些电子会存在一段时间后通过震荡弛豫辐射跃迁到基态，这个过程会释放一个光子，即荧光。此外，亦会有电子跃迁至三重态T1 上，再由T1 跃迁至基态，我们称之为磷光。荧光特性研究荧光特性时，主要在以下几方面进行分析：激发光谱，发射光谱、荧光强度、偏振荧光、荧光发光量子产率、荧光寿命等。其中荧光寿命（Fluorescence Lifetime）是指荧光分子在激发态上存在的平均时间（纳秒量级）。荧光寿命测试荧光寿命一般在几纳秒至几百纳秒之间，如今主要有两类测试方法：时域测量和频域测量时间稳定性实验测试曲线：1 时域测量由一束窄脉冲将荧光分子激发至较高能态S1，接着测量荧光的发射几率随时间的变化。其中目前广泛应用的是时间相关单光子计数，即TCSPC(Time Correlated Single Photon Counting)时间相关单光子计数(TCSPC) 实现了从百ps-ns-us 的瞬态测试，此方法对数据的获取完全依赖快速探测器和高速电路。用统计的方法计算样品受激后发出的第一个( 也是*一的一个) 光子与激发光之间的时间差，也就是下图的START( 激发时刻) 与STOP( 发光时刻) 的时间差。由于对于Stop 信号的要求，所以TCSPC 一般需要高重复频率的光源作为激发源，其重复至少要在100KHz 以上，多数的光源都会达到MHz 量级；同时，在一般情况下还要对Stop 信号做数量上的控制，做到尽量满足在一个激发周期内，样品产生且只产生一个光子的有效荧光信号，避免光子对的出现。2 频域测量对连续激发光进行振幅调制后，分子发出的荧光强度也会受到振幅调制，两个调制信号之间存在与荧光寿命相关的相位差，因此可以测量该相位差计算荧光寿命。 左图为正弦调制激发光（绿色）频域显示，发射光信号（红色）相应的相位变化频域显示。右图为对应不同寿命的调制和相位的频域显示。TM- 调制寿命，TP- 相位寿命。[1]显微荧光寿命成像技术（FLIM）显微荧光寿命成像技术（Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy，FLIM）是一种在显微尺度下展现荧光寿命空间分布的技术，由于其不受样品浓度影响，具有其他荧光成像技术无法代替的优异性能，目前在生物医学工程、光电半导体材料等领域是一种重要的表征测量手段。FLIM 一般分为宽场FLIM 和激光扫描FLIM。宽场FLIM（Wide Field FLIM,WFM）该技术是用平行光照明并由物镜聚焦样品获得荧光信号，再由一宽场相机采集荧光成像。宽场FLIM 常用于快速获取大面积样品成像。时域或是频域寿命采集都可以应用在宽场成像FLIM 上。宽场FLIM 有更高帧率和低损伤的优势。2 激光扫描FLIM（Laser Scanning FLIM,LSM）激光扫描FLIM 是针对选定区域内的样品逐点获取其荧光衰减曲线，再经过拟合最终合成荧光寿命图像。相比宽场FLIM，其在空间分辨率、信噪比方面有更大的优势。扫描方式有两种：一种是固定样品，移动激光进行扫描，一种是固定激光，电动位移台带动样品移动进行扫描。显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM应用材料科学领域宽禁带半导体如GaN、SiC 等体系的少子寿命mapping 测量量子点如CdSe@ZnS 等用作荧光寿命成像显微镜探针钙钛矿电池/LED 薄膜的组分分析、缺陷检测铜铟镓硒CIGS，铜锌锡硫CZTS 薄膜太阳能电池的组分、缺陷检测镧系上转换纳米颗粒GaAs 或GaAsP 量子阱的载流子扩散研究生命科学领域细胞体自身荧光寿命分析自身荧光相对荧光标记的有效区分活细胞内水介质的PH 值测量局部氧气浓度测量具有相同频谱性质的不同荧光标记的区分活细胞内钙浓度测量时间分辨共振能量转移（FRET）：纳米级尺度上的远差测量，环境敏感的FRET 探针定量测量代谢成像：NAD(P)H 和FAD 胞质体的荧光寿命成像显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM应用案例1 用荧光分子对海拉细胞进行染色用荧光分子转子Bodipy-C12 对海拉细胞（宫颈癌细胞的一种） 进行染色。(a) 显微荧光寿命成像图，寿命范围1ns（蓝色）到2.5ns（红色）；(b) 荧光寿命直方图，脂肪滴的短寿命约在1.6ns 附近，细胞中其他位置寿命较长，在1.8ns 附近。用荧光分子转子的时间分辨测量*大的好处在于荧光寿命具备足够清晰的标签特性，且与荧光团的浓度无关。[2]2 金属修饰荧光金属修饰荧光：(a) 荧光寿命是荧光团到金表面距离的函数；(b) 用绿色荧光蛋白（GFP）标记乳腺腺癌细胞的细胞膜的共聚焦xz 横截面，垂直比例尺：5m；(c) b 图的FLIM 图，金表面附近的GFP 荧光寿命缩短。[2]3 钙钛矿太阳能电池下图研究中，展示了一种动态热风（DHA）制备工艺来控制全无机PSC 的薄膜形态和稳定性，该工艺不含有常规的有害反溶剂，可以在大气环境中制备。同时，钙钛矿掺有钡（Ba2+） 碱金属离子（BaI2:CsPbI2Br）。这种DHA 方法有助于形成均匀的晶粒并控制结晶，从而形成稳定的全无机PSC。从而在环境条件下形成完整的黑色相。经过DHA处理的钙钛矿光伏器件，在0.09cm小面积下，效率为14.85%，在1x1cm的大面积下，具有13.78%的*高效率。DHA方法制备的器件在300h后仍然保持初始效率的92%。4 MQWs 多量子阱研究在(a) 蓝宝石和(b) GaN 上生长的MQWs 的共焦PL mapping 图像。具有较小尺寸的发光团的最高密度是观察到在GaN 上生长的MQWs。在(c) 蓝宝石和(d)GaN 上生长的MQWs 的共焦TRPL mapping 图。仅对于在GaN 上生长的MQWs，强的PL 强度区域与较长PL 衰减时间的区域很好地匹配。在(e) 蓝宝石和(f)GaN 上生长的MQWs 在A 点和B 点测量的局部PL 衰减曲线，均标记在图中。对于在GaN 上生长的MQWs，点A 和B 之间的PL 衰减时间差更高。显微荧光寿命成像系统FLIM参数配置北京卓立汉光仪器有限公司提供的显微荧光寿命成像系统是基于显微和时间相关单光子计数技术，配合高精度位移台得到微观样品表面各空间分布点的荧光衰减曲线，再经过用数据拟合，得到样品表面发光寿命表征的影像。是光电半导体材料、荧光标记常用荧光分子等类似荧光寿命大多分布在纳秒、几十、几百纳秒尺度的物质的选择。参数指标：系统性能指标光谱扫描范围200-900nm最小时间分辨率16ps荧光寿命测量范围500ps-1μs@ 皮秒脉冲激光器空间分辨率≤1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器荧光寿命检测IRF≤2ns配置参数激发源及匹配光谱范围（光源参数基于50MHz 重复频率）375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW，荧光波段：400-850nm405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW，荧光波段：430-920nm450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW，荧光波段：485-950nm488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW，荧光波段：500-950nm510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW，荧光波段：535-950nm635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW，荧光波段：670-950nm660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW，荧光波段：690-950nm670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW，荧光波段：700-950nm科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），最小步进：50nm，重复定位精度：＜ 1μm光谱仪320mm 焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD 出口，配置三块68×68mm 大面积光栅，波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD（可扩展PLmapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm, 探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，最高量子效率值95%时间相关单光子计数器（TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps… … 33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFluo-FM 荧光寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统软件界面控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。自主开发的一套时间相关单光子计数（TCSPC）荧光寿命的拟合算法，可对荧光衰减曲线中最多包含4 个时间组分的荧光过程进行拟合，获得每个组分的荧光寿命，光子数比例，计算评价函数和残差。TCSPC 荧光寿命通常并非简单的指数衰减过程，而是与光源及探测器相关的仪器响应函数（IRF）与荧光衰减过程相互卷积的结果，因此适当的拟合方法和参数选择对获得正确可靠的荧光寿命非常重要。该软件可导入实际测量的IRF 对衰减曲线进行卷积计算和拟合。但是大多数情况下， IRF 很难正确的从实验获得，针对这种情况，软件提供了两种无需实验获取IRF 的拟合方法：1.通过算法对数据上升沿进行拟合，获得时间响应函数IRF，然后对整条衰减曲线进行卷积计算和拟合得到荧光寿命。2.对于衰减时间远长于仪器响应时间的，可对衰减曲线下降沿进行直接的指数拟合。该软件经过大量测试，可以很好的满足各种场合的用户需求。MicroLED 微盘的荧光强度像（3D 显示）：

荧光和荧光寿命分子包含多个单能态S0、S1、S2…和三重态T1…，每个能态都包含多个精细的能级。正常情况下，大部分电子处在*低能态即基态S0 的*低能级上，当分子被光束照射，会吸收光子能量，电子被激发到更高的能态S1 或S2 上，在S2 能态上的电子只能存在很短暂的时间，便会通过内转换过程跃迁到S1 上，而S1 能态上的电子亦会在极短时间内跃迁到S1 的*低能级上，而这些电子会存在一段时间后通过震荡弛豫辐射跃迁到基态，这个过程会释放一个光子，即荧光。此外，亦会有电子跃迁至三重态T1 上，再由T1 跃迁至基态，我们称之为磷光。荧光特性研究荧光特性时，主要在以下几方面进行分析：激发光谱，发射光谱、荧光强度、偏振荧光、荧光发光量子产率、荧光寿命等。其中荧光寿命（Fluorescence Lifetime）是指荧光分子在激发态上存在的平均时间（纳秒量级）。荧光寿命测试荧光寿命一般在几纳秒至几百纳秒之间，如今主要有两类测试方法：时域测量和频域测量时间稳定性实验测试曲线：1 时域测量由一束窄脉冲将荧光分子激发至较高能态S1，接着测量荧光的发射几率随时间的变化。其中目前广泛应用的是时间相关单光子计数，即TCSPC(Time Correlated Single Photon Counting)时间相关单光子计数(TCSPC) 实现了从百ps-ns-us 的瞬态测试，此方法对数据的获取完全依赖快速探测器和高速电路。用统计的方法计算样品受激后发出的*一个( 也是唯一的一个) 光子与激发光之间的时间差，也就是下图的START( 激发时刻) 与STOP( 发光时刻) 的时间差。由于对于Stop 信号的要求，所以TCSPC 一般需要高重复频率的光源作为激发源，其重复至少要在100KHz 以上，多数的光源都会达到MHz 量级；同时，在一般情况下还要对Stop 信号做数量上的控制，做到尽量满足在一个激发周期内，样品产生且只产生一个光子的有效荧光信号，避免光子对的出现。2 频域测量对连续激发光进行振幅调制后，分子发出的荧光强度也会受到振幅调制，两个调制信号之间存在与荧光寿命相关的相位差，因此可以测量该相位差计算荧光寿命。 左图为正弦调制激发光（绿色）频域显示，发射光信号（红色）相应的相位变化频域显示。右图为对应不同寿命的调制和相位的频域显示。TM- 调制寿命，TP- 相位寿命。[1]显微荧光寿命成像技术（FLIM）显微荧光寿命成像技术（Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy，FLIM）是一种在显微尺度下展现荧光寿命空间分布的技术，由于其不受样品浓度影响，具有其他荧光成像技术无法代替的优异性能，目前在生物医学工程、光电半导体材料等领域是一种重要的表征测量手段。FLIM 一般分为宽场FLIM 和激光扫描FLIM。宽场FLIM（Wide Field FLIM,WFM）该技术是用平行光照明并由物镜聚焦样品获得荧光信号，再由一宽场相机采集荧光成像。宽场FLIM 常用于快速获取大面积样品成像。时域或是频域寿命采集都可以应用在宽场成像FLIM 上。宽场FLIM 有更高帧率和低损伤的优势。2 激光扫描FLIM（Laser Scanning FLIM,LSM）激光扫描FLIM 是针对选定区域内的样品逐点获取其荧光衰减曲线，再经过拟合*终合成荧光寿命图像。相比宽场FLIM，其在空间分辨率、信噪比方面有更大的优势。扫描方式有两种：一种是固定样品，移动激光进行扫描，一种是固定激光，电动位移台带动样品移动进行扫描。FLIM 应用材料科学领域宽禁带半导体如GaN、SiC 等体系的少子寿命mapping 测量量子点如CdSe@ZnS 等用作荧光寿命成像显微镜探针钙钛矿电池/LED 薄膜的组分分析、缺陷检测铜铟镓硒CIGS，铜锌锡硫CZTS 薄膜太阳能电池的组分、缺陷检测镧系上转换纳米颗粒GaAs 或GaAsP 量子阱的载流子扩散研究生命科学领域细胞体自身荧光寿命分析自身荧光相对荧光标记的有效区分活细胞内水介质的PH 值测量局部氧气浓度测量具有相同频谱性质的不同荧光标记的区分活细胞内钙浓度测量时间分辨共振能量转移（FRET）：纳米级尺度上的远差测量，环境敏感的FRET 探针定量测量代谢成像：NAD(P)H 和FAD 胞质体的荧光寿命成像OmniFluo-FLIM系列显微荧光寿命成像系统应用案例1 用荧光分子对海拉细胞进行染色用荧光分子转子Bodipy-C12 对海拉细胞（宫颈癌细胞的一种） 进行染色。(a) 显微荧光寿命成像图，寿命范围1ns（蓝色）到2.5ns（红色）；(b) 荧光寿命直方图，脂肪滴的短寿命约在1.6ns 附近，细胞中其他位置寿命较长，在1.8ns 附近。用荧光分子转子的时间分辨测量*大的好处在于荧光寿命具备足够清晰的标签特性，且与荧光团的浓度无关。[2]2 金属修饰荧光金属修饰荧光：(a) 荧光寿命是荧光团到金表面距离的函数；(b) 用绿色荧光蛋白（GFP）标记乳腺腺癌细胞的细胞膜的共聚焦xz 横截面，垂直比例尺：5 m；(c) b 图的FLIM 图，金表面附近的GFP 荧光寿命缩短。[2]3 钙钛矿太阳能电池下图研究中，展示了一种动态热风（DHA）制备工艺来控制全无机PSC 的薄膜形态和稳定性，该工艺不含有常规的有害反溶剂，可以在大气环境中制备。同时，钙钛矿掺有钡（Ba2+） 碱金属离子（BaI2:CsPbI2Br）。这种DHA 方法有助于形成均匀的晶粒并控制结晶，从而形成稳定的全无机PSC。从而在环境条件下形成完整的黑色相。经过DHA处理的钙钛矿光伏器件，在0.09cm小面积下，效率为14.85%，在1x1cm的大面积下，具有13.78%的*高效率。DHA方法制备的器件在300h后仍然保持初始效率的92%。4 MQWs 多量子阱研究在(a) 蓝宝石和(b) GaN 上生长的MQWs 的共焦PL mapping 图像。具有较小尺寸的发光团的*高密度是观察到在GaN 上生长的MQWs。在(c) 蓝宝石和(d)GaN 上生长的MQWs 的共焦TRPL mapping 图。仅对于在GaN 上生长的MQWs，强的PL 强度区域与较长PL 衰减时间的区域很好地匹配。在(e) 蓝宝石和(f)GaN 上生长的MQWs 在A 点和B 点测量的局部PL 衰减曲线，均标记在图中。对于在GaN 上生长的MQWs，点A 和B 之间的PL 衰减时间差更高。OmniFluo-FLIM系列显微荧光寿命成像系统参数配置北京卓立汉光仪器有限公司提供的显微荧光寿命成像系统是基于显微和时间相关单光子计数技术，配合高精度位移台得到微观样品表面各空间分布点的荧光衰减曲线，再经过用数据拟合，得到样品表面发光寿命表征的影像。是光电半导体材料、荧光标记常用荧光分子等类似荧光寿命大多分布在纳秒、几十、几百纳秒尺度的物质的不二选择。参数指标：系统性能指标光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps荧光寿命测量范围500ps-1μs@ 皮秒脉冲激光器空间分辨率≤1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器荧光寿命检测IRF≤2ns配置参数激发源及匹配光谱范围（光源参数基于50MHz 重复频率）375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW，荧光波段：400-850nm405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW，荧光波段：430-920nm450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW，荧光波段：485-950nm488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW，荧光波段：500-950nm510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW，荧光波段：535-950nm635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW，荧光波段：670-950nm660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW，荧光波段：690-950nm670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW，荧光波段：700-950nm科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），*小步进：50nm，重复定位精度：＜ 1μm光谱仪320mm 焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD 出口，配置三块68×68mm 大面积光栅，波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD（可扩展PLmapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm, 探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，*高量子效率值95%时间相关单光子计数器（TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFluo-FM 荧光寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统 FLIM 软件界面控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。自主开发的一套时间相关单光子计数（TCSPC）荧光寿命的拟合算法，可对荧光衰减曲线中*多包含4 个时间组分的荧光过程进行拟合，获得每个组分的荧光寿命，光子数比例，计算评价函数和残差。TCSPC 荧光寿命通常并非简单的指数衰减过程，而是与光源及探测器相关的仪器响应函数（IRF）与荧光衰减过程相互卷积的结果，因此适当的拟合方法和参数选择对获得正确可靠的荧光寿命非常重要。该软件可导入实际测量的IRF 对衰减曲线进行卷积计算和拟合。但是大多数情况下， IRF 很难正确的从实验获得，针对这种情况，软件提供了两种无需实验获取IRF 的拟合方法：NO.1 通过算法对数据上升沿进行拟合，获得时间响应函数IRF，然后对整条衰减曲线进行卷积计算和拟合得到荧光寿命。NO.2对于衰减时间远长于仪器响应时间的，可对衰减曲线下降沿进行直接的指数拟合。该软件经过大量测试，可以很好的满足各种场合的用户需求。MicroLED 微盘的荧光强度像（3D 显示）：测试案例

产品简介：LifeSpec II 是一款结构紧凑，高度集成化，高性能的荧光寿命测试光谱仪，与高频闪脉冲飞秒和皮秒激光器联用。这个系统是一个全自动化的解决方案，适合基础研究和常规实验室应用。它的零时间色散光学设置对于测量超快衰减提供了强大的技术支持。技术特点：荧光寿命范围低至5ps（依赖于检测器和光源）采用先进的时间相关单光子计数技术双光栅发射单色器相减模式设计，大限度抑制杂散光，防止脉冲展宽，到达零时间色散标配紫外可见区检测，可升级到近红外可选多种激发光源 EPL脉冲激光二极管：375~670nm可选 EPLED脉冲LED：265~360nm可选 耦合超连续激光器、耦合多种型号飞秒激光器可选检测器 蓝敏光电倍增管、红敏光电倍增管、MC-PMT、NIR PMT

产品简介：M6000 PIXX 影像式 钙钛矿LED/OLED 寿命衰减机理分析系统主要用于OLED / 钙钛矿LED / QLED / 柔性电子器件，喷墨印刷工艺开发等器件的寿命衰减机理研究，微区电致发光成像监测主要客户：香港大学，南京理工大学......

产品介绍▼MDPmap是一个紧凑的离线台式检测设备，主要被设计用于生产控制或研发、测量少子寿命、光电导率、电阻率和缺陷信息等参数。其工作状态为稳态或短脉冲激励下（μ-PCD）。MDPmap自动化的样品识别和参数设置可以使该仪器方便地适应各种不同的样品，包括从生长的晶圆到高达95%的金属化晶圆之间不同制备阶段的各种外延片和晶圆片。MDPmap主要优点是其高度的灵活性，它允许集成多达4个激光器，用于从超低注入到高注入的与注入水平相关的寿命测量，或者通过使用不同的激光波长提取深度信息。设备特点▼灵敏度：对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的较高分辨率测量速度：6英寸硅晶圆片，1mm分辨率 ，小于5分钟寿命测试范围: 20纳秒到几十毫秒沾污检测：源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染测量能力：从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品灵活性：允许外部激光通过触发器，与探测模块耦合可靠性： 模块化和紧凑台式仪器，更高可靠性，正常运行时间 99%重现性： 99.5%电阻率：无需时常校准的电阻率面扫描Lifetime map of passivated multicrystalline siliconIron contamination map of multicrystalline siliconBor oxygen map of mono siliconTrap density map of mono silicon设备参数▼样品尺寸5mm—300mm（300mm为标配，可根据需求提升至450mm）寿命范围20ns到几毫秒电阻率0.2 - 103 Ohm cm电导类型p/n材质硅晶圆，外延层，部分或完全加工晶圆，化合物半导体等测量属性少数载流子寿命、光电导性激励源可选四种不同波长（355nm—1480nm），默认值为980nm大小680 x 380 x 450 mm, 重量: 65 kg电源100-250V，50/60 Hz, 5A

仪器简介：LifeSpecII系列超快荧光寿命光谱仪专门为超快荧光寿命的测量而设计。在设计过程中，LifeSpecII系列超快荧光寿命光谱仪着重解决了传统光路的构架对待测超快信号的脉冲展宽效应，从而大幅度提高了荧光寿命测量的精度。 LifeSpecII系列超快荧光寿命光谱仪可以搭配不同的激发光源和探测器，以保证用户获得不同的荧光寿命测量范围。技术参数：主要技术指标： - 光学结构: 激发光路与发射光路垂直 - 工作原理: 时间相关单光子探测 - 寿命范围: ~5ps-50us - 光谱带宽: 1nm~40nm - 时间色散: 零（运用双减单色仪） - 光衰减器: 电脑控制连续可调衰减率 - 可选激发光源 皮秒脉冲半导体激光器 (多种波长可选) 皮秒脉冲LEDs (多种波长可选) 皮秒脉冲固体激光器 飞秒脉冲激光器 (可选配多种品牌和型号) - 可选探测器 蓝敏PMT 185~650nm 红敏PMT 185~870nm 带有微通道板PMT 200~850nm 近红外PMT 300nm-1400/1700nm主要特点：主要技术特点： - 荧光寿命测试范围5ps至ms范围（由激发光源与探测器决定） - 采用最先进的时间相关单光子计数技术（TCSPC）进行荧光寿命测量,具有最高的测量精度 - 采用大尺寸样品室，更便于对样品的操作 - 运用独特的光路设计,防止脉冲展宽并消除色散，使短寿命测试结果更加精准 - 光谱测量范围可覆盖紫外-可见-近红外 - 可以与多种高重复频率的飞秒或皮秒脉冲激光器配合使用,提高实验室已有设备的利用率 - 紧凑型一体化设计,占用空间更小 - 便于操作的荧光寿命分析软件 主要测量功能： - 荧光寿命/瞬态光谱测试 - 时间分辨荧光光谱 - 准稳态光谱测试 - 全自动时间分辨各项异性光谱测量（需要电动偏振器选件） - 温度扫描过程中的荧光寿命及时间分辨荧光光谱测量（需选择制冷机或TE制冷样品架选件）

HORIBA Scientific（Jobin Yvon光谱技术）----荧光光谱仪器的全球leader，提供全套稳态、瞬态和稳-瞬态以及各种偶联技术的解决方案。荧光寿命光谱是研究样品受激后辐射出的紫外，可见，或近红外荧光与时间的变化。可利用荧光的衰减测定皮秒到秒，或更长的寿命范围。HORIBA Scientific提供的研究级荧光寿命光谱仪有模块化或紧凑型设计，可按应用需求定制光谱仪。Fluorocube将全新的迷你化光源和检测技术与成熟的TCSPC电子系统，及自动化操作结合起来，提供 灵活和界面友好的光子计数寿命系统。主要特点：灵敏度高：单光子计数技术准确性好：计时电路无需校正灵活性强：可选多种光源，寿命响应范围宽模块化：可以根据需要定制模块配件方便性：全电脑控制，易于操作

SPM900 系列少子寿命成像测试仪原理说明非平衡少数载流子少数载流子的寿命是半导体材料的一个重要参数，也是评价半导体质量的一个指标。例如在光伏电池中，少子寿命决定了少子扩散长度， 决定了光吸收层、内建电场区域的厚度设计等重要的器件参数；载流子寿命也可以反映器件中杂质或者缺陷的影响，抑或是存在污染， 进行失效分析，对工艺过程进行优化。载流子的复合在一定温度下，处于热平衡状态的半导体材料，电子- 空穴对的产生和复合保持一种动态平衡，载流子浓度是一定的。然而，外界的作用会破坏这种热平衡，使其处于与热平衡相偏离的状态，随之改变的是载流子的浓度， 多于平衡值的载流子就是非平衡载流子。非平衡少数载流子也称也称少子，通常对于半导体器件的性能起到决定性的作用。当外界作用撤掉后，处于非平衡态的载流子会通过复合而产生衰减，直到载流子浓度恢复到之前的热平衡状态。载流子的复合方式可以分为三类：SRH 复合、辐射复合及俄歇复合（直接和间接）。(a) SRH 复合； (b) 辐射复合； (c) 直接俄歇复合；（d）间接俄歇复合少子寿命测试少子寿命的测量通常包括非平衡载流子的注入和检测两个方面，*常用的注入方法是光注入和电注入。对于间接带隙的半导体，常使用电注入或者微波光电导衰减的方法进行少子寿命测试，间接带隙半导体一般寿命较长， 为毫秒量级。而对于GaAs 这类的直接间隙半导体，复合的能量几乎全部以发光的形式放出，发光效率高，寿命较短（典型的寿命在10-8-10-9s），通常使用时间分辨光致发光光谱（TRPL）的方法来进行测试。激光扫描少子寿命成像测量仪SPM900当外界作用停止以后，少子的浓度（ΔC）随时间t 增长呈指数衰减的规律。由以下方程可知，少子的寿命为当少子浓度衰减到初始浓度1/e 时候所经历的时间。在辐射复合中，发光的强度与少子的浓度相关，因此可以通过检测发光的寿命来获得少子的寿命信息。当在显微镜上加载少子寿命测试模块，就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息，这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计，包含显微镜主体，激光光源，光子计数检测器，单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发，通过控制样品台的移动，可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。少子寿命成像测试应用外延ZnS 薄膜半导体本征带- 浅杂质复合半导体中施主- 受主对复合深能级复合III-V 族载流子杂质俘获过程研究非辐射中心的电子弛豫及复合机制研究半导体外延片缺陷和杂质检测测试软件控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。3D 显示功能少子寿命测试案例MicroLEDMicroLED 显示技术是指以自发光的微米量级的LED 为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED 阵列的显示技术， 在发光亮度、分辨率、对比度、稳定性、能量损耗等方面有很大优势，可以应用在AR/VR，可穿戴光电器件，柔性显示屏等领域。由于MicroLED 的尺寸在微米级别，因此需要在显微镜下进行检测。下图为使用少子寿命成像系统对直径为80 微米的MicroLED 微盘进行测试。单组分拟合，可以看到红圈中的污损位置，虽然影响发光强度，但对发光寿命没有影响钙钛矿测试钙钛矿属于直接带隙半导体材料，具有高光学吸收，高增益系数、高缺陷容忍度、带隙可调，制备成本低等优点，可以广泛应用在光子学与光电信息功能器件等领域，例如钙钛矿太阳能电池，钙钛矿量子点，钙钛矿LED 等材料的研究。对于钙钛矿中的载流子辐射复合的研究对于提供器件的光电转换性能有很大的帮助。以下示例为钙钛矿样品的少子辐射复合发光成像和寿命成像。图中可见此钙钛矿样品有两个寿命组分，且不同寿命组分的相对含量也可以从相对振幅成像图中很直观的看到。晶圆级大尺寸的少子寿命成像测试仪4、6、8 英寸晶圆样品测试，可在此基础上增加小行程电动位移台实现数百纳米至微米尺度的精细扫描显微尺度的少子寿命成像测试仪参数指标系统性能指标：光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps寿命测量范围500ps-1ms（具体视激光器而定）小尺寸空间分辨率≤ 1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器大尺寸扫描可适用4 英寸、6 英寸、8 英寸样品配置参数：脉冲激光器375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW@50MHz405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW@50MHz450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW@50MHz488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW@50MHz510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW@50MHz635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW@50MHz660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW@50MHz670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW@50MHz其他皮秒或纳秒脉冲激光器具体视材料及激发波长而定科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门小尺寸扫描用电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），*小步进：50nm，重复定位精度＜ 1μm大尺寸扫描用电动位移台XY 轴行程200mm/250mm，单向定位精度≤ 30μm，水平负载：30Kg；光谱仪320mm焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD出口，配置三块68×68mm大面积光栅， 波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD( 可扩展PL mapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm,探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFlμo-FM 寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得发光衰减曲线，实时生成发光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的寿命成像数据，逐点进行多组分发光寿命拟合( 组分数小于等于4），对逐点拟合获得的发光强度、发光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统

武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！FluoTime 300“ EasyTau”是一款用于稳态，寿命和磷光测量的全自动的高性能荧光光谱仪。FluoTime 300包含测量稳态光谱和荧光衰减曲线所需的完整光学和电子元件，凭借时间相关单光子计数（TCSPC）或者多通道测量（MCS）技术，有效记录稳态光谱以及几皮秒到几秒的荧光衰减。该系统光源采用皮秒脉冲二极管激光器，LED或氙灯（连续和脉冲）。多种单光子探测器选项可实现从UV到IR范围的各种系统配置。该系统极限灵敏度水拉曼信噪比为29000：1。FluoTime 300可用于研究从几皮秒到几秒的荧光和磷光衰减过程，并且拥有丰富的升级附件可选，是大多研究和分析不可或缺的标准系统。应用领域:时间分辨荧光/磷光光谱稳态荧光光谱单线态氧荧光上转换研究荧光各向异性测试量子产率测试光化学研究LED，OLED，量子点研究特点：模块化的全自动系统设计时间分辨和稳态双工作模式简单易用的向导式软件和第三方开发工具荧光寿命时间测量范围从ps-ms灵敏度可达26000：1（水拉曼信噪比）参数：光学结构l L型工作模式l 稳态、TCSPC和MCS灵敏度l 典型信噪比优于29000:1 (PMA 175探测器)，激发和发射光路中使用双单色仪，基于水拉曼光谱，激发波长350nm，光谱带宽5nm，积分时间1s荧光寿命范围l 40ps到10μs，采用PMT探测器和TCSPC模式的计数模块；l 10 ps 至 10 µ s，配有 Hybrid 检测器、TCSPC 电子元件和合适的激光器；l 10 ps 至 10 µ s，配有 MCP-PMT 检测器、TCSPC 电子元件和合适的激光器；l 大于几百ms，采用任何探测器和MCS模式的计数模块。激发光源l 皮秒脉冲二极管激光器或LED，波长从260nm-1990nm可选，重复频率高达80MHz，共用驱动单元l 高功率和紫外激光器（VisUV、VisIR）l 亚微秒脉冲氙灯l 300W CW同轴氙灯l 支持外部激光器，如钛宝石激光器、脉冲DPSS或白光激光器单色仪l Czerny-Turner结构l 聚焦长度：300mm，单出口或者双出口；双单色仪焦距长度为2 x 300 mm，单出口或双出口（发射端的+、-模式切换）；l 1200g/mm光栅，闪耀波长为500nm；600g/mm光栅，闪耀波长为1250nm；（其他光栅可选）；l 狭缝宽度在0mm至10mm之间可调（连续可调，完全电动），色散2.7 nm / mm（单单色仪，聚焦长度300mm）l 杂散光抑制比典型值1:10-5（单单色仪），1:10-8（双单色仪）。探测器l 光电倍增管PMT系列，185~920nm可选；l 微通道光电倍增管MCP-PMT系列，185~910nm可选；l 紫外/可见光-近红外PMT波长范围为200nm至1010nm；l 近红外光电倍增管NIR-PMT系列，950~1700nm可选；l 混合式光电倍增管Hybrid-PMT系列，200~900nm可选。软件l 操作简单，功能全面，基于Windows系统的分析软件；l 在工作区数据归档，数据导出功能和数据运算；l 使用向导进行标准化测量的辅助模式；l 完全控制所有硬件参数的定制模式；l 用于常规测量自动化的脚本模式；l 远程执行脚本（将自动化扩展到第三方设备）；l 荧光寿命光谱分析基于数卷积处理，高至五阶指数的衰减函数，含杂散光校正，寿命分布曲线，各向异性测试，全局分析，严密错误分析等功能。

荧光和荧光寿命分子包含多个单能态S0、S1、S2… 和三重态T1… ，每个能态都包含多个精细的能级。正常情况下，大部分电子处在*低能态即基态S0 的*低能级上，当分子被光束照射，会吸收光子能量，电子被激发到更高的能态S1 或S2 上，在S2 能态上的电子只能存在很短暂的时间，便会通过内转换过程跃迁到S1 上，而S1 能态上的电子亦会在极短时间内跃迁到S1 的*低能级上，而这些电子会存在一段时间后通过震荡弛豫辐射跃迁到基态，这个过程会释放一个光子，即荧光。此外，亦会有电子跃迁至三重态T1 上，再由T1 跃迁至基态，我们称之为磷光。荧光特性研究荧光特性时，主要在以下几方面进行分析：激发光谱，发射光谱、荧光强度、偏振荧光、荧光发光量子产率、荧光寿命等。其中荧光寿命（Fluorescence Lifetime）是指荧光分子在激发态上存在的平均时间（纳秒量级）。荧光寿命测试荧光寿命一般在几纳秒至几百纳秒之间，如今主要有两类测试方法：时域测量和频域测量时间稳定性实验测试曲线：1 时域测量由一束窄脉冲将荧光分子激发至较高能态S1，接着测量荧光的发射几率随时间的变化。其中目前广泛应用的是时间相关单光子计数，即TCSPC(Time Correlated Single Photon Counting)时间相关单光子计数(TCSPC) 实现了从百ps-ns-us 的瞬态测试，此方法对数据的获取完全依赖快速探测器和高速电路。用统计的方法计算样品受激后发出的第一个( 也是*一的一个) 光子与激发光之间的时间差，也就是下图的START( 激发时刻) 与STOP( 发光时刻) 的时间差。由于对于Stop 信号的要求，所以TCSPC 一般需要高重复频率的光源作为激发源，其重复至少要在100KHz 以上，多数的光源都会达到MHz 量级；同时，在一般情况下还要对Stop 信号做数量上的控制，做到尽量满足在一个激发周期内，样品产生且只产生一个光子的有效荧光信号，避免光子对的出现。2 频域测量对连续激发光进行振幅调制后，分子发出的荧光强度也会受到振幅调制，两个调制信号之间存在与荧光寿命相关的相位差，因此可以测量该相位差计算荧光寿命。 左图为正弦调制激发光（绿色）频域显示，发射光信号（红色）相应的相位变化频域显示。右图为对应不同寿命的调制和相位的频域显示。TM- 调制寿命，TP- 相位寿命。[1]显微荧光寿命成像技术（FLIM）显微荧光寿命成像技术（Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy，FLIM）是一种在显微尺度下展现荧光寿命空间分布的技术，由于其不受样品浓度影响，具有其他荧光成像技术无法代替的优异性能，目前在生物医学工程、光电半导体材料等领域是一种重要的表征测量手段。FLIM 一般分为宽场FLIM 和激光扫描FLIM。宽场FLIM（Wide Field FLIM,WFM）该技术是用平行光照明并由物镜聚焦样品获得荧光信号，再由一宽场相机采集荧光成像。宽场FLIM 常用于快速获取大面积样品成像。时域或是频域寿命采集都可以应用在宽场成像FLIM 上。宽场FLIM 有更高帧率和低损伤的优势。2 激光扫描FLIM（Laser Scanning FLIM,LSM）激光扫描FLIM 是针对选定区域内的样品逐点获取其荧光衰减曲线，再经过拟合最终合成荧光寿命图像。相比宽场FLIM，其在空间分辨率、信噪比方面有更大的优势。扫描方式有两种：一种是固定样品，移动激光进行扫描，一种是固定激光，电动位移台带动样品移动进行扫描。显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM应用材料科学领域宽禁带半导体如GaN、SiC 等体系的少子寿命mapping 测量量子点如CdSe@ZnS 等用作荧光寿命成像显微镜探针钙钛矿电池/LED 薄膜的组分分析、缺陷检测铜铟镓硒CIGS，铜锌锡硫CZTS 薄膜太阳能电池的组分、缺陷检测镧系上转换纳米颗粒GaAs 或GaAsP 量子阱的载流子扩散研究生命科学领域细胞体自身荧光寿命分析自身荧光相对荧光标记的有效区分活细胞内水介质的PH 值测量局部氧气浓度测量具有相同频谱性质的不同荧光标记的区分活细胞内钙浓度测量时间分辨共振能量转移（FRET）：纳米级尺度上的远差测量，环境敏感的FRET 探针定量测量代谢成像：NAD(P)H 和FAD 胞质体的荧光寿命成像显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM应用案例1 用荧光分子对海拉细胞进行染色用荧光分子转子Bodipy-C12 对海拉细胞（宫颈癌细胞的一种） 进行染色。(a) 显微荧光寿命成像图，寿命范围1ns（蓝色）到2.5ns（红色）；(b) 荧光寿命直方图，脂肪滴的短寿命约在1.6ns 附近，细胞中其他位置寿命较长，在1.8ns 附近。用荧光分子转子的时间分辨测量*大的好处在于荧光寿命具备足够清晰的标签特性，且与荧光团的浓度无关。[2]2 金属修饰荧光金属修饰荧光：(a) 荧光寿命是荧光团到金表面距离的函数；(b) 用绿色荧光蛋白（GFP）标记乳腺腺癌细胞的细胞膜的共聚焦xz 横截面，垂直比例尺：5m；(c) b 图的FLIM 图，金表面附近的GFP 荧光寿命缩短。[2]3 钙钛矿太阳能电池下图研究中，展示了一种动态热风（DHA）制备工艺来控制全无机PSC 的薄膜形态和稳定性，该工艺不含有常规的有害反溶剂，可以在大气环境中制备。同时，钙钛矿掺有钡（Ba2+） 碱金属离子（BaI2:CsPbI2Br）。这种DHA 方法有助于形成均匀的晶粒并控制结晶，从而形成稳定的全无机PSC。从而在环境条件下形成完整的黑色相。经过DHA处理的钙钛矿光伏器件，在0.09cm小面积下，效率为14.85%，在1x1cm的大面积下，具有13.78%的*高效率。DHA方法制备的器件在300h后仍然保持初始效率的92%。4 MQWs 多量子阱研究在(a) 蓝宝石和(b) GaN 上生长的MQWs 的共焦PL mapping 图像。具有较小尺寸的发光团的最高密度是观察到在GaN 上生长的MQWs。在(c) 蓝宝石和(d)GaN 上生长的MQWs 的共焦TRPL mapping 图。仅对于在GaN 上生长的MQWs，强的PL 强度区域与较长PL 衰减时间的区域很好地匹配。在(e) 蓝宝石和(f)GaN 上生长的MQWs 在A 点和B 点测量的局部PL 衰减曲线，均标记在图中。对于在GaN 上生长的MQWs，点A 和B 之间的PL 衰减时间差更高。显微荧光寿命成像系统FLIM参数配置北京卓立汉光仪器有限公司提供的显微荧光寿命成像系统是基于显微和时间相关单光子计数技术，配合高精度位移台得到微观样品表面各空间分布点的荧光衰减曲线，再经过用数据拟合，得到样品表面发光寿命表征的影像。是光电半导体材料、荧光标记常用荧光分子等类似荧光寿命大多分布在纳秒、几十、几百纳秒尺度的物质的选择。参数指标：系统性能指标光谱扫描范围200-900nm最小时间分辨率16ps荧光寿命测量范围500ps-1μs@ 皮秒脉冲激光器空间分辨率≤1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器荧光寿命检测IRF≤2ns配置参数激发源及匹配光谱范围（光源参数基于50MHz 重复频率）375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW，荧光波段：400-850nm405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW，荧光波段：430-920nm450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW，荧光波段：485-950nm488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW，荧光波段：500-950nm510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW，荧光波段：535-950nm635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW，荧光波段：670-950nm660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW，荧光波段：690-950nm670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW，荧光波段：700-950nm科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），最小步进：50nm，重复定位精度：＜ 1μm光谱仪320mm 焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD 出口，配置三块68×68mm 大面积光栅，波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD（可扩展PLmapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm, 探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，最高量子效率值95%时间相关单光子计数器（TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps… … 33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFluo-FM 荧光寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统软件界面控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。自主开发的一套时间相关单光子计数（TCSPC）荧光寿命的拟合算法，可对荧光衰减曲线中最多包含4 个时间组分的荧光过程进行拟合，获得每个组分的荧光寿命，光子数比例，计算评价函数和残差。TCSPC 荧光寿命通常并非简单的指数衰减过程，而是与光源及探测器相关的仪器响应函数（IRF）与荧光衰减过程相互卷积的结果，因此适当的拟合方法和参数选择对获得正确可靠的荧光寿命非常重要。该软件可导入实际测量的IRF 对衰减曲线进行卷积计算和拟合。但是大多数情况下， IRF 很难正确的从实验获得，针对这种情况，软件提供了两种无需实验获取IRF 的拟合方法：1.通过算法对数据上升沿进行拟合，获得时间响应函数IRF，然后对整条衰减曲线进行卷积计算和拟合得到荧光寿命。2.对于衰减时间远长于仪器响应时间的，可对衰减曲线下降沿进行直接的指数拟合。该软件经过大量测试，可以很好的满足各种场合的用户需求。MicroLED 微盘的荧光强度像（3D 显示）：

DeltaHub——DeltaFlex的关键部件 超短的死时间（10ns）：配合高重复频率的激光光源和高速检测器，可实现无损失的光子计数，达到快速采集数据和准确的分析结果。 超快寿命测试技术：真正实现了荧光寿命动力学测试，采集时间低至1ms（全球同类产品中 快），支持1ms-10,000min无间断寿命动态监测。新型脉冲半导体光源 DeltaFlex配置新型脉冲半导体光源作为荧光和磷光的激发光源（四大类型，百种可选），即插即用，无需校准，而且终身免维护。 其中DeltaDiode光源的重复频率可达100MHz，是超快寿命测试的 选择光源，同时可配置用于磷光测定的SpectraLED光源。与氙闪灯相比，SpectraLED具有265-1275nm宽波长的覆盖范围，以及实用方便、测试速度更快和信号无拖尾的优点。科研级模块化设计 在DeltaFlex系统上无需更换控制器和检测器，即可实现11个数量级（25ps-1s）范围内的荧光寿命测试。系统采用科研级模块化设计，配合全新的F-Link技术，可自动识别各类部件，软件直接接入、附件即插即用，能够无限满足升级需求。尤其是其中采用了行业优先的寿命拟合软件，没有费用开放数十种主流专业拟合功能，可单独于仪器操作。 多种光谱仪可选，配合像差校正光栅，覆盖200-1600nm宽光谱范围，完美实现时间分辨发射谱功能，支持100条发射波长动态连续监测，软件自动获得衰减相关光谱参数。 荧光寿命技术是科研中强有力的工具，可广阔用于物理、化学、材料、信息、生物和医学等领域。主要应用：FRET(Forster共振能量转移)Stern-Volmer猝灭稀土发光时间分辨和磷光各向异性分子互作，蛋白结构变化太阳能材料单线态氧测试光物理技术参数：基于滤光片或单色仪实现波长选择皮秒超快集成化PPD光子检测模块（标配）可升级NIR检测器（~1700nm）综合分析受命拟合软件，开放数十种拟合功能标准液体样品架，加载温度传感器和搅拌装置大尺寸样品仓，配置高效UV级光学部件F-Link即插即用型交互界面主要特点：超宽寿命测试范围25ps-1s 超快测试时间（低至1ms），完美实现动态反应分析超微量样品测试，低至1μL综合分析软件，5指数寿命拟合高稳定性设计，使用维护简单高度自动化，一键测量分析大尺寸样品仓设计，强劲的附件兼容能力高性能荧光、磷光寿命测试功能

EzTime-PL 同步可调制半导体激光器-------上转换荧光寿命测试仪◆ 替代OPO，提供大功率，宽波长范围激发波长选择；◆ 波长选择范围：405nm-2200nm；◆ 可实现连续输出和脉冲输出模式；◆ 输出脉宽独立可调；◆ 闪烁频率独立可调；◆ 幅值功率独立可调；☆ 上转换荧光光谱激发；☆ 上转换荧光寿命激发；☆ 微弱样品微秒寿命激发；☆ 防伪及刑侦光源；☆ 荧光标记筛选；☆ 单态氧发光光谱及寿命； ☆ 脉宽—-颜色受控样品表征；应用一：上转换荧光光谱及寿命，980nm 激光器激发；应用二：单态氧发光光谱动态及寿命，405nm 激光器激发；可以匹配已有市场的大部分型号荧光谱仪： 配合 HORIBA 荧光寿命测试系统，EDI FLS系列荧光寿命测试系统； TCPSC 系统中的 MCS 测试模式或磷光测试模式，获得荧光衰减曲线、时间分辨发射谱TRES和延迟荧光光谱；控制器部分1. 荧光寿命测试范围： 1us -10s ；2. 受控输出信号闪烁频率（0.01 -1kHz），可以实现的完全受控同步；3. 主动信号输出：0.1Hz-100kHz；带同步输出端口；4. 独立输出信号脉宽调整 ：25ns -500ms 无级可调；5. 电信号 拖尾小于1ns（外接 50 Ω电阻） ；激光器部分6. 半导体 激光器，额定功率2W，功率可调输出，1 -5W 可选7. 激光器 连续输出稳定性，＜ 2%，依赖于不同激发波长；8. 激光器 可选开放式平行光输出或线端口；可选波长：375-2200nm（请咨询 销售工程师更新列表）

荧光寿命成像FLIM入门套件昊量光电新推出的荧光寿命成像FLIM入门套件代表了一个完整的仪器解决方案，专门为追求单光子FLIM成像和荧光寿命光谱应用而设计。 荧光寿命成像FLIM入门套件核心参数：-蕞小可分辨荧光寿命50ps-激光波长:405、445、488、520、635和850nm或其-脉冲持续时间降至50ps (FWHM)- FC/PC光纤耦合单光子SPAD探测器，具有7 cps暗计数和 200ps时间抖动- SPAD传感器光谱响应从370nm到900nm，峰值灵敏度在450nm-可定制的基于FPGA的技术多达25个荧光输入通道-即插即用的USB 3.0 SuperSpeed micro-B PC接口-包括成像和光谱软件 荧光寿命成像FLIM入门套件组成模块：荧光寿命成像FLIM数据采集卡tdc我们的紧凑型，便携式，USB驱动的数据采集卡专为荧光寿命成像和光谱测量而设计。便携式和即插即用基于FPGA的可定制技术尺寸101 x139x28mmUSB供电重量轻(仅120克)USB 3.0超高速接口蕞小可分辨荧光寿命50ps蕞小时仓宽度为24或48ps定时精度(σ/√2)300ps失效时间1.5ns蕞小像素停留时间1µ s 光纤耦合皮秒脉冲激光器模块我们的单模光纤耦合皮秒脉冲激光模块可以在各种波长提供低至50ps的短光脉冲，峰值功率高达150mW。激光二极管增益开关技术可选波长:405、445、488、520、635和850nm尺寸135×110×50 mm独立模块，无需计算机连接FC/PC光纤耦合激光二极管 SPAD单光子探测器我们的USB供电的光纤耦合单光子SPAD探测器是专门为时间分辨荧光寿命成像和光谱测量而设计的。由于其便携和轻便的大小，它允许没有先例的时间标记。单光子雪崩二极管技术USB供电，便携式尺寸100 x60x30mmTE-cooled传感器FC/PC光纤耦合探测器器 荧光寿命成像FLIM软件FLIM软件旨在简化荧光寿命光谱和成像实验的数据采集、重建和分析。该环境提供了一个用户友好的界面和任何用户都可以使用的直观工具。实时成像和荧光衰减直方图数据重建实时FLIM相量图分析人工智能驱动的相量图分析技术用于数据采集和重构的软件API (Rust, C, c++， c#， Python, node.js， .NET)MATLAB, Python, HDF5， .SVG flim相量和成像数据导出云数据存储支持平台:Windows、Linux 更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

产品介绍VIPER G2 可测量360 nm至720 nm波长范围内的高光谱衰减和透射系数。光源采用5个节能LEDs，确保长期的使用寿命和稳定地测量数据。VIPER高光谱衰减仪拥有4个可选光程，不锈钢或钛外壳，适用于不同介质。VIPER 的典型应用包括水质监测，水体色度测量，饮用水质量监测。其测量范围远大于市场上一般仪器，使VIPER G2 可应用于河口海岸等高浊度水体。VIPER采用纳米涂层光学窗口以防止生物污染，必要时可通过软件安装测量额外参数。 图 ViPer G2 高光谱衰减测量仪产品特征无需采样和制备样品实时监测无需试剂纳米涂层光学窗口LED技术产品应用饮用水监测环境监测色度测量质量控制石油化学工业应用食品行业 技术参数光源5 LED 检测器高端微型光谱仪、256通道360 ~ 720 nm、2.2 nm/pixel测量原理衰减法，透射光程10 mm、50 mm、100 mm、150 mm、250 mm参数SAC436Pt-Co色度（APHA/Hazen）（390 nm、455 nm）基于DIN EN ISO 7887-C的色度（410 nm、436 nm、525 nm、620 nm）Cr-Co色度，依照GOST 3351-74（380 nm, 413 nm）测量范围0.01~2.5 AU（吸收单位）测量精度 0.2 %浊度补偿是数据存储~ 2 MBT100响应时间2 min测量间隔≥ 1 min外壳材质不锈钢（1.4571/1.4404）或钛合金（3.7035） 大小（L x ?）495 mm x 48 mm（50 mm光程）重量不锈钢：~ 2.4 kg（50 mm光程）钛：~ 1.3 kg（50 mm光程）数字接口Ethernet（TCP/IP）RS-232 或 RS-485（Modbus RTU）功耗≤ 3 W电源12~24 VDC（± 10 %）校准/维护间隔24个月系统兼容性Modbus RTU最大压力SubConn：30 bar；固定电缆：3 bar；流通池：1 bar，2~4 LPM防水等级IP68采样温度+2~+40 °C环境温度+2~+40 °C保存温度-20~+80 °C流入速度0.1~10 m/s色度测量VIPER 是一种原位测量水体色度的VIS光度计，其高光谱检测可满足各种颜色指标，实现了标准化，安全化，客观化测量。无需采样，制样，可全天自动运行。SAC436（DIN EN ISO 7887-3（2011）） SAC436指的是439nm处的光谱吸收系数，代表了波长为436nm的光穿过厚度为1m的水样时产生的衰减。黄色到棕色水体一般在436nm处衰减最大，所以通常选择此波长测定。测定SAC436时，VIPER会进行浊度补偿，为满足客户需求，可测定全波段（如SAC525、SAC620）处的色度。 Pt-Co 色度（APHA/Hazen）（DIN EN ISO 6271（2005））Pt-Co色度量程为无色（1）到淡黄色（500）。 颜色色度通过标准六氯铂酸盐来定义，并以mg / L Pt为单位。Pt-Co 颜色数值由455nm或390nm处的衰减进行浊度校正。色度VIPER 可以进行高光谱测量所有液体的颜色。这也可以区分被认为是颜色类似但组成不同的混合液体。下图为饮料行业不同饮料的高光谱图。VIPER衰减光谱存储的光谱图也可用于随后的色度计算，不同的颜色数值可同时通过一个光谱图计算得到。

AC-S是新一代测量原位高光谱水体吸收系数和衰减系数的仪器。基于上一代广受好评的AC-9，AC-S的光谱分辨率提升了一个量级，而且具备久经验证的过流系统，更小尺寸和卓越的性能。AC-S水体固有光学特性测量仪是由美国WET Labs公司生产的能同时测量水体衰减系数和吸收系数的高光谱仪器。 该仪器提供4nm的光谱分辨率，400-730nm的光谱测量范围。仪器采用双路径结合两个氩气填充的白炽灯泡，经过一个旋转扫描的线性可变滤波器来得到分散光谱。光经过10CM或25CM的水体传播后，分别由狭窄的孔径接收器与 大面积探测器来接收得到衰减系数和吸收系数。技术指标参数说明光学参数光谱范围400-730nm带通15nm/通道光程 10cm或25cm光束截面8mm直径线性度≥99% R2输出波段80±5光谱分辨率 4nm精度 400-449nm：±0.005m-1typ.，0.012m-1max @ 4Hz ±0.003m-1typ.，0.006m-1max @ 1Hz450-730nm：±0.001m-1typ.，0.003m-1max @ 4Hz ±0.0005m-1typ.，0.0015m-1max @ 1Hz准确度±0.01m-1 衰减系数测量范围0.001-10m-1电气指标输入电压10-35VDC 电流消耗0.83A@12V串行输出RS232接口类型MCBH6M采样率4scans/sec.，nominal机械指标尺寸10.4cm（直径）*77cm（长度）重量5.9kg（空气中），0.8kg（水中）最大工作水深500m产品优势专用团队研发的高级用户数据协议可输出80±5个波段，光谱范围400-730nm4nm光谱分辨率 25cm或10cm光程久经验证的过流系统

仪器简介： HORIBA Scientific（Jobin Yvon光谱技术）----荧光光谱仪器的全球，提供全套稳态、瞬态和稳-瞬态以及各种偶联技术的解决方案。 荧光寿命光谱是研究样品受激后辐射出的紫外，可见，或近红外荧光与时间的变化。可利用荧光的衰减测定皮秒到秒，或更长的寿命范围。 HORIBA Scientific提供的研究级荧光寿命光谱仪有模块化或紧凑型设计，可按应用需求定制光谱仪。 Fluorocube将新的迷你化光源和检测技术与成熟的TCSPC电子系统，及自动化操作结合起来，提供灵活和界面友好的光子计数寿命系统。 可选附件 激发/发射单色仪：Seya-Namioka型，波长可调（200~800 nm），与样品仓盖之间集成安全锁，同步手动调节狭缝宽度（1~32nm） 四位光束控制反射镜（可选） 偏振器 红外扩展 PPD 模块 (例如PPD-850C 或 PPD-900C) NIR检测器（~1700nm） 固体样品支架 低温附件 低荧光背景滤光片 技术参数： 寿命范围从皮秒至秒 基于滤光片实现波长选择(可选激发/发射单色仪) 外循环液体控温样品架 PPD 光子检测模块（标配） 检测器范围185nm-650nm，可升级至850nm（与样品仓盖之间配有安全锁） Fluorocub计时电子装置，皮秒到秒寿命范围（依赖于激发光源） 综合分析软件 可选偏振器测量自旋相关时间 NanoLED和SpectraLED二管激发光源覆盖全波长范围主要特点： 灵敏度高：单光子计数技术 准确性好：计时电路无需校正 灵活性强：可选多种光源，寿命响应范围宽 模块化：可以根据需要定制模块配件 方便性：全电脑控制，易于操作 Fluorocube产品系列： FluoroCube NL：滤光片分光系统及二管激发光源---基本的荧光寿命测量系统 FluoroCube-01-NL：发射单色器及二管激发光源---基本的荧光寿命测量系统 FluoroCube-11-NL：带有激发/发射单色器和二管激发的寿命体系 FluoroCube-10-CF：激发单色器（滤光片检测通道）和闪光灯激发的寿命系统 FluoroCube-11-CF：激发/发射单色器和闪光灯激发（5000U）的寿命系统 PhosphoCube-10-XF：激发单色器（滤光片检测通道）和微妙氙灯闪光灯激发的磷光寿命系统 PhosphoCube-11-XF：激发/发射单色器和微秒氙灯激发的磷光寿命系统注：具体配置、价格请咨询当地销售工程师

FluoTime250将用于时间分辨发光光谱学所需的全部光学元件和电子元件集成到一个紧凑的全自动设备中。PicoQuant基于丰富的脉冲激光源和时间相关单光子计数方面的经验完成了Fluotime250的基础设计。FluoTime250旨在帮助用户快速、可靠地执行常规和复杂测量，而这些性能都得益于全自动硬件组件和向导式的多功能系统软件。再借助自定义模式和集成脚本语言，高级用户可以完全控制光谱仪的各个功能。在其基本配置中，FluoTime250使用电动滤光片轮进行波长选择 。可选配UV / VIS光谱范围的单色仪，将来自PicoQuant的探测器以及各种半导体激光器或LED连接到光谱仪上，还可以通过一系列附件和易于更换的样品架进一步适应您的应用要求。虽然FluoTime 250体积小巧，但是却非常灵敏，它能准确地检测浓度低至10pMol（在coumarin样品上测量）样品的荧光衰减。特点：全自动紧凑型模块化系统基于滤光片技术的发射波长选择，及小型单色仪选项TCSPC和MCS工作模式软件具有测量向导和脚本选项可测寿命范围从皮秒到毫秒 应用领域：FluoTime 250是一款适用于常规和研究应用领域的高性能荧光寿命光谱系统。可用于研究各种样品并进行多种应用，包括：荧光/磷光衰减曲线时间分辨各向异性时间分辨发射谱（需配置单色仪）寿命动力学 产品参数：光学结构l L型工作模式l TCSPC和MCS灵敏度l 低至10pMol（测量coumarin样品，采用400nm激发，500nm探测）荧光寿命范围l 40ps到10μs，采用PMT探测器和TCSPC模式的计数模块；l 10 ps到10 µ s，采用Hybrid系列探测器、TCSPC模式的计数模块和合适的激光器；l 大于几百ms，采用任何探测器和MCS模式的计数模块。激发光源l 波长范围从250nm~1550nm的皮秒脉冲半导体激光器或者LED系列，重复频率高达80MHz，普通激光器驱动器；单色仪l Czerny-Turner，单单色仪结构l 聚焦长度： 150 mm，单出口l 杂散光抑制比典型值1:10-5（单单色仪）探测器l 光电倍增管PMT系列，185~920nm可选l 混合式光电倍增管Hybrid-PMT系列，200~900nm可选l 近红外光电倍增管NIR-PMT系列，950~1400nm可选软件l 操作简单，功能全面，具有分析功能l 在工作区数据归档，数据导出功能和数据运算l 几种典型测量方案的程序向导功能l 能进行全硬件控制的自定义测量模式l 支持远程执行的自动化脚本语言（将自动化功能扩展至第三方设备）l 荧光寿命光谱分析和基于数卷积处理，高至5阶指数的衰减函数，含杂散光校正，寿命分布曲线，各向异性测试分析，全局分析，严密错误分析等功能。

功能：微区荧光寿命衰减曲线测量；微区PL谱激发光斑：＜1um；光学相机视场：小于0.5mm荧光寿命范围达：5ps--10s，最宽的测量区间 全集成的基于PC软件系统，确保数据质量；可选：1. 高脉冲激光光源；可选266-1030nm波长光源，可接入4个激光器；2. 可选配：液氮变温控制工作台；3. 可升级选配：自动工作台, 获得FLIM功能；4. 皮秒检测器（波长和冷冻可选）；5. 时间分辨率≤1ps；6. 时间抖动 jitter time ＜10ps；7. 计时速率＞65MHz/channel 8. 同时采集信号通道≥8 channel；9. 微区光谱波长范围：360-1100nm；10. 寿命采集波长范围：400-1050nm；（可选红外二区波段）11. 分光，可以选用扫描单色仪；也可以采用滤光片；推荐理由：深紫外和红外激发波长可兼顾；微区荧光寿命；荧光寿命动力学；TCSPC 时间相关单光子计数技术；Picosecond to millisecond TCSPC (time-correlated single-photon counting) for measuring fast fluorescence decays

灵活的OEM少子寿命测试仪器，用于各种不同样品的少子寿命测量，从单晶硅砖到多晶硅砖，从生长的硅片到不同层或金属化的硅片的过程控制。标准的软件接口，便于连接到许多处理或自动化系统。在众多的少子寿命测量方法中，MDP（微波检测光电导率）采用改进的少子寿命检测技术，是微波检测光电导衰减法检测仪中常用的仪器之一，少子寿命测试仪原理从载流子输运原理出发，建立广义速率方程和偏微分方程系统。拥有先进的灵敏度和分辨率，很大程度提升在线检测的速度和质量，快速出具少子寿命测试的实验报告。 MDPlinescan被设计成一个易于集成的OEM设备，可以集成到各种自动化检测线。关键的是在传送过程中进行少子寿命扫描。样品通常由测量头下面的传送带或机器人系统携带。应用实例包括从晶砖到晶圆检测，单晶少子寿命测试、多晶少子寿命测试，每块晶圆的测量速度小于一秒。电池生产线上的来料质量检查是经典的通用案例，也用于钝化和扩散后的工艺质量检查，还有许多其他特殊的应用的可能性。易于集成，只需要以太网连接和电源。 MDPlinescan W 包括一个额外的电阻率测量选项。 优点： ◇ 在µ -PCD或稳态激励条件下线扫描少数载流子寿命和电阻率是这个小型设备的重要功能； ◇ OEM设备可以集成到多晶或单晶硅片的生产线上，在不同的制备阶段，直至器件、砖块或晶锭。 ◇ 小巧的尺寸和标准的自动化接口使其易于集成。重点是测量结果的长期可靠性和精确性。 示范性线状扫描图 细节： ◇ 允许单晶圆片调查 ◇ 不同的晶圆级有不同的配方 ◇ 监控物料、工艺质量和稳定性 技术规格: 样品多种尺寸的多晶或单晶晶片，如156mm×156mm、晶砖、电池片等样品尺寸50 x 50 mm² 以上电阻率0.2 - 10³ Ωcm电导类型P,N样品类型硅片、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多的产品可测量的特性少数载流子寿命硬件接口以太网尺寸规格体积：174 x 107 x 205mm；重量：3公斤电源24 V DC, 2 A

介子寿命测试仪实验装置 &ldquo 赶超&rdquo 的宇宙射线测量&mu 介子的寿命证明相对论时间膨胀测量本地&mu 子通量测量海平面高度&mu 子荷比来源方便，真正的随机数创建模拟&ldquo 介子&rdquo ，并测量他们的一生光电倍增信号处理研究&mu 介子是一种自然的基本粒子。它的发现在1937年由卡尔· 安德森标志着一个激进出发在物理学家的理解物质的积木。虽然这是第一次分配理论的核力量，这是不正确的地方，它现在被理解为粒子轻子家族中的重要成员。我司制成的第一个商业教学仪器的学生，以确定其物理特性。 &mu 介子是产生丰富地在地球大气层的宇宙射线和大气中的空气分子之间的相互作用，和其在海平面的磁通足以为学生的调查。我们的设备，使用常见的核物理和粒子物理实验技术可以测量&mu 介子的寿命。的停止率&mu 子，作为深度的函数，在大气中，可以用作特殊相对论的时间膨胀效应的示范。由于个别放射性粒子的衰减时间是随机分布的，它们是真正的随机数的一个方便的来源。这些可以被用来证明常见的概率分布。 仪器可实现功能：1/测量&mu 子寿命 2/测量本地&mu 子通量3/测量海平面介子电荷比 4/证明相对论时间膨胀5/方便真正的随机数源 6/无障碍学生分析的原始数据 Introduction"Catching" Cosmic RaysMeasure Muon LifetimeDemonstrate Relativistic Time DilationMeasure Local Muon FluxMeasure Sea Level Muon Charge RatioConvenient Source of Genuinely Random NumbersCreate Simulated "Muons" and Measure their LifetimeStudy Processing of Photomultiplier SignalThe muon is one of Nature&rsquo s fundamental particles. Its discovery in 1937 by Carl Anderson marked a radical departure in physicists' understanding of the building blocks of matter. Although it was first assigned a place in theory of nuclear forces which was incorrect, it is now understood to be an important member of the lepton family of particles. TeachSpin, in collaboration with Thomas Coan and Jingbo Ye of Southern Methodist University, has made the first commercial teaching instrument for students to determine some of its physical characteristics.The muon is produced copiously in Earth&rsquo s atmosphere by interactions between cosmic rays and atmospheric air molecules, and its flux at sea level is sufficient for student investigations. The muon&rsquo s lifetime can be measured with our apparatus using experimental techniques common to nuclear and particle physics. The stopping rate of muons, as a function of depth in the atmosphere, can be used as a demonstration of the time dilation effect of special relativity. Since the decay times of individual radioactive particles are randomly distributed, they are a convenient source of genuinely random numbers. These can be used to demonstrate common probability distributions.With this new TeachSpin Apparatus You Can:&bull Measure Muon Lifetime&bull Measure Local Muon flux&bull Measure Sea-level Muon Charge Ratio&bull Demonstrate Relativistic Time Dilation&bull Convenient Source of Genuinely Random Numbers&bull Raw Data Accessible for Student Analysi

荧光和荧光寿命分子包含多个单能态S0、S1、S2…和三重态T1…，每个能态都包含多个精细的能级。正常情况下，大部分电子处在*低能态即基态S0 的*低能级上，当分子被光束照射，会吸收光子能量，电子被激发到更高的能态S1 或S2 上，在S2 能态上的电子只能存在很短暂的时间，便会通过内转换过程跃迁到S1 上，而S1 能态上的电子亦会在极短时间内跃迁到S1 的*低能级上，而这些电子会存在一段时间后通过震荡弛豫辐射跃迁到基态，这个过程会释放一个光子，即荧光。此外，亦会有电子跃迁至三重态T1 上，再由T1 跃迁至基态，我们称之为磷光。荧光特性研究荧光特性时，主要在以下几方面进行分析：激发光谱，发射光谱、荧光强度、偏振荧光、荧光发光量子产率、荧光寿命等。其中荧光寿命（Fluorescence Lifetime）是指荧光分子在激发态上存在的平均时间（纳秒量级）。荧光寿命测试荧光寿命一般在几纳秒至几百纳秒之间，如今主要有两类测试方法：时域测量和频域测量时间稳定性实验测试曲线：1 时域测量由一束窄脉冲将荧光分子激发至较高能态S1，接着测量荧光的发射几率随时间的变化。其中目前广泛应用的是时间相关单光子计数，即TCSPC(Time Correlated Single Photon Counting)时间相关单光子计数(TCSPC) 实现了从百ps-ns-us 的瞬态测试，此方法对数据的获取完全依赖快速探测器和高速电路。用统计的方法计算样品受激后发出的*一个( 也是唯一的一个) 光子与激发光之间的时间差，也就是下图的START( 激发时刻) 与STOP( 发光时刻) 的时间差。由于对于Stop 信号的要求，所以TCSPC 一般需要高重复频率的光源作为激发源，其重复至少要在100KHz 以上，多数的光源都会达到MHz 量级；同时，在一般情况下还要对Stop 信号做数量上的控制，做到尽量满足在一个激发周期内，样品产生且只产生一个光子的有效荧光信号，避免光子对的出现。2 频域测量对连续激发光进行振幅调制后，分子发出的荧光强度也会受到振幅调制，两个调制信号之间存在与荧光寿命相关的相位差，因此可以测量该相位差计算荧光寿命。 左图为正弦调制激发光（绿色）频域显示，发射光信号（红色）相应的相位变化频域显示。右图为对应不同寿命的调制和相位的频域显示。TM- 调制寿命，TP- 相位寿命。[1]显微荧光寿命成像技术（FLIM）显微荧光寿命成像技术（Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy，FLIM）是一种在显微尺度下展现荧光寿命空间分布的技术，由于其不受样品浓度影响，具有其他荧光成像技术无法代替的优异性能，目前在生物医学工程、光电半导体材料等领域是一种重要的表征测量手段。FLIM 一般分为宽场FLIM 和激光扫描FLIM。宽场FLIM（Wide Field FLIM,WFM）该技术是用平行光照明并由物镜聚焦样品获得荧光信号，再由一宽场相机采集荧光成像。宽场FLIM 常用于快速获取大面积样品成像。时域或是频域寿命采集都可以应用在宽场成像FLIM 上。宽场FLIM 有更高帧率和低损伤的优势。2 激光扫描FLIM（Laser Scanning FLIM,LSM）激光扫描FLIM 是针对选定区域内的样品逐点获取其荧光衰减曲线，再经过拟合*终合成荧光寿命图像。相比宽场FLIM，其在空间分辨率、信噪比方面有更大的优势。扫描方式有两种：一种是固定样品，移动激光进行扫描，一种是固定激光，电动位移台带动样品移动进行扫描。FLIM 应用材料科学领域宽禁带半导体如GaN、SiC 等体系的少子寿命mapping 测量量子点如CdSe@ZnS 等用作荧光寿命成像显微镜探针钙钛矿电池/LED 薄膜的组分分析、缺陷检测铜铟镓硒CIGS，铜锌锡硫CZTS 薄膜太阳能电池的组分、缺陷检测镧系上转换纳米颗粒GaAs 或GaAsP 量子阱的载流子扩散研究生命科学领域细胞体自身荧光寿命分析自身荧光相对荧光标记的有效区分活细胞内水介质的PH 值测量局部氧气浓度测量具有相同频谱性质的不同荧光标记的区分活细胞内钙浓度测量时间分辨共振能量转移（FRET）：纳米级尺度上的远差测量，环境敏感的FRET 探针定量测量代谢成像：NAD(P)H 和FAD 胞质体的荧光寿命成像OmniFluo-FLIM系列显微荧光寿命成像系统应用案例1 用荧光分子对海拉细胞进行染色用荧光分子转子Bodipy-C12 对海拉细胞（宫颈癌细胞的一种） 进行染色。(a) 显微荧光寿命成像图，寿命范围1ns（蓝色）到2.5ns（红色）；(b) 荧光寿命直方图，脂肪滴的短寿命约在1.6ns 附近，细胞中其他位置寿命较长，在1.8ns 附近。用荧光分子转子的时间分辨测量*大的好处在于荧光寿命具备足够清晰的标签特性，且与荧光团的浓度无关。[2]2 金属修饰荧光金属修饰荧光：(a) 荧光寿命是荧光团到金表面距离的函数；(b) 用绿色荧光蛋白（GFP）标记乳腺腺癌细胞的细胞膜的共聚焦xz 横截面，垂直比例尺：5 m；(c) b 图的FLIM 图，金表面附近的GFP 荧光寿命缩短。[2]3 钙钛矿太阳能电池下图研究中，展示了一种动态热风（DHA）制备工艺来控制全无机PSC 的薄膜形态和稳定性，该工艺不含有常规的有害反溶剂，可以在大气环境中制备。同时，钙钛矿掺有钡（Ba2+） 碱金属离子（BaI2:CsPbI2Br）。这种DHA 方法有助于形成均匀的晶粒并控制结晶，从而形成稳定的全无机PSC。从而在环境条件下形成完整的黑色相。经过DHA处理的钙钛矿光伏器件，在0.09cm小面积下，效率为14.85%，在1x1cm的大面积下，具有13.78%的*高效率。DHA方法制备的器件在300h后仍然保持初始效率的92%。4 MQWs 多量子阱研究在(a) 蓝宝石和(b) GaN 上生长的MQWs 的共焦PL mapping 图像。具有较小尺寸的发光团的*高密度是观察到在GaN 上生长的MQWs。在(c) 蓝宝石和(d)GaN 上生长的MQWs 的共焦TRPL mapping 图。仅对于在GaN 上生长的MQWs，强的PL 强度区域与较长PL 衰减时间的区域很好地匹配。在(e) 蓝宝石和(f)GaN 上生长的MQWs 在A 点和B 点测量的局部PL 衰减曲线，均标记在图中。对于在GaN 上生长的MQWs，点A 和B 之间的PL 衰减时间差更高。OmniFluo-FLIM系列显微荧光寿命成像系统参数配置北京卓立汉光仪器有限公司提供的显微荧光寿命成像系统是基于显微和时间相关单光子计数技术，配合高精度位移台得到微观样品表面各空间分布点的荧光衰减曲线，再经过用数据拟合，得到样品表面发光寿命表征的影像。是光电半导体材料、荧光标记常用荧光分子等类似荧光寿命大多分布在纳秒、几十、几百纳秒尺度的物质的不二选择。参数指标：系统性能指标光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps荧光寿命测量范围500ps-1μs@ 皮秒脉冲激光器空间分辨率≤1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器荧光寿命检测IRF≤2ns配置参数激发源及匹配光谱范围（光源参数基于50MHz 重复频率）375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW，荧光波段：400-850nm405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW，荧光波段：430-920nm450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW，荧光波段：485-950nm488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW，荧光波段：500-950nm510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW，荧光波段：535-950nm635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW，荧光波段：670-950nm660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW，荧光波段：690-950nm670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW，荧光波段：700-950nm科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），*小步进：50nm，重复定位精度：＜ 1μm光谱仪320mm 焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD 出口，配置三块68×68mm 大面积光栅，波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD（可扩展PLmapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm, 探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，*高量子效率值95%时间相关单光子计数器（TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFluo-FM 荧光寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统 FLIM 软件界面控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。自主开发的一套时间相关单光子计数（TCSPC）荧光寿命的拟合算法，可对荧光衰减曲线中*多包含4 个时间组分的荧光过程进行拟合，获得每个组分的荧光寿命，光子数比例，计算评价函数和残差。TCSPC 荧光寿命通常并非简单的指数衰减过程，而是与光源及探测器相关的仪器响应函数（IRF）与荧光衰减过程相互卷积的结果，因此适当的拟合方法和参数选择对获得正确可靠的荧光寿命非常重要。该软件可导入实际测量的IRF 对衰减曲线进行卷积计算和拟合。但是大多数情况下， IRF 很难正确的从实验获得，针对这种情况，软件提供了两种无需实验获取IRF 的拟合方法：NO.1 通过算法对数据上升沿进行拟合，获得时间响应函数IRF，然后对整条衰减曲线进行卷积计算和拟合得到荧光寿命。NO.2对于衰减时间远长于仪器响应时间的，可对衰减曲线下降沿进行直接的指数拟合。该软件经过大量测试，可以很好的满足各种场合的用户需求。MicroLED 微盘的荧光强度像（3D 显示）：测试案例

武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！紧凑型荧光寿命光谱仪 FluoTime 100FluoTime 100 通过时间相关单光子计数来记录荧光衰减，操作简便，体积紧凑。该系统结合了高性能光源与探测器。FluoTime 100 可以分辨50ps的衰减时间，高达100MHz的重复工作频率。特点：即插式测量，设计紧凑基于TCSPC和 MCS皮秒激光器或亚纳秒LED激发高产光率与高灵敏度的滤光器先进的数据分析功能功能：时间分辨荧光光谱超灵敏的分析光化学染料研究参数：光学结构L型工作模式TCSPC 和 MCS荧光寿命范围50ps-几百ms, 取决于探测器和光源激发光源亚纳秒LED（250-600nm）；皮秒激光器（266-1990nm）分光仪高品质滤光轮式探测器制冷或非制冷PMT探测器PMT: 185nm-920nm ，软件软件界面易用简单，支持客户定制化测量，仪器所有模块都能独立控制荧光寿命光谱分析基于数值卷积处理，高至四阶指数的衰减函数，含杂散光校正，寿命分布曲线，各向异性测试，全局分析，严密错误分析等功能

一, 633/1060/1310/1550/2000nm 300mW单模/保偏衰减器二 , 633/1060/1310/1550/2000nm 300mW单模/保偏衰减器可调衰减器基于筱晓光子独te光学设计加工能力，我们的VOA具有能快递调节光衰减、尺寸小、低插损、低偏振相关损耗、高模式相关稳定性及高可靠性等特点，主要应用于多模传输网络、功率均衡、产品测试、相关仪器设备等。633/1060/1310/1550/2000nm 300mW单模/保偏衰减器,633/1060/1310/1550/2000nm 300mW单模/保偏衰减器产品特点● 工作波长范围宽 &温度范围广● 低插入损耗● 偏振相关损耗及偏振模色散小● 具有非常高的可靠性和稳定性● Telcordia GR-1221 & GR-1209产品应用● 多模产品测试● 多模传输网络● 功率均衡● 接收机保护● 相关仪器设备通用参数项目单位数值支持中心波长nm1060/1310/1550/2000nm工作带宽nm±30最大附加损耗dB0.6最大衰减度dB30Max.WDL at 23℃，最小衰减时dB0.310dB范围内衰减分辨率dB0.1Max.TDL(最小衰减时)dB0.5最小回波损耗dB50最小消光比（保偏）dB20光纤类型-SM/Panda Fiber(根据工作波长选型）Max. 抗拉伸力N5最大操作功率(CW）mW300工作温度℃0 to 70存储温度℃-40 to +85 (No Condensing)*Above specifications are for device without connector.*For devices with connectors, IL will be 0.3dB higher, RL will be 5dB lower,and ER is 2dB lower .*The PM fiber and the connector key are aligned to the slow axis.三, 多模/单模MEMS可调衰减器 1310nm/O/C/L波段多模/单模可调衰减器基于筱晓光子独te光学设计加工能力，我们的VOA具有能快递调节光衰减、尺寸小、低插损、低偏振相关损耗、高模式相关稳定性及高可靠性等特点，主要应用于多模传输网络、功率均衡、产品测试、相关仪器设备等。 插入损耗 ≤1.0 dB 光纤接头 FC/APC接头多模/单模MEMS可调衰减器 1310nm/O/C/L波段,多模/单模MEMS可调衰减器 1310nm/O/C/L波段通用参数产品特点工作波长范围宽 &温度范围广低插入损耗偏振相关损耗及偏振模色散小具有高的可靠性和稳定性Telcordia GR-1221 & GR-1209产品应用多模产品测试多模传输网络功率均衡接收机保护相关仪器设备技术参数参数单位单模多模衰减类型nm亮态或暗态波长nmO/C/L波段或1250-1650850±30nm1310±30nm衰减范围dB≥40/45≥30插入损耗（IL）dB≤0.6≤0.6回波损耗dB≥50≥30重复性dB≤0.03dB@ATT≤20dBPDL1dB≤0.2@10dBPDL2dB≤0.5@20dB工作温度℃-5~70存储温度℃-40~85开关速度ms≤3寿命Cycle≥1x109最大光功率mW≤500驱动电压V0~7V0~9V光纤和套管类型按客户要求制作光纤长度按客户要求制作连接头类型按客户要求制作 项目光学性能规格备注1衰减器类型Bright orDarkBrightBright:最小插损@0VDark:最大衰减@0V2工作波长nm多模：850±30nm1310±30nm单模：O/C/L波段或1250-16503衰减范围MindB多模：≥30单模：≥40工作电压：≤±9V，方波4插入损耗MaxdB1.05重复性@20dBMaxdB0.16模式相关损耗@20dB20MinuteMaxdB0.27回波损耗MindB308响应时间Maxms39最大可承受光功率Maxmw500电学性能规格1驱动电压（AC）MaxV单模：0-7V，多模：0-9V2功耗Maxmw10机械性能规格1光纤类型50/125um、62.5/125um，SMF-28E寿命MINCycle≥1x1092Fiber LengthMinm1.0备注：*.有所指标皆为未不含接头指标，切仅在以上波长，偏振态和温度下确保有效**.指标若有更改，恕不另行通知。 推荐应用在多模VOA后端接入一个5:95分束器，其中5%端口输出接多模PD，为监控端，95%端口直接输出，为输出端。通过监控端进行数据反算，控制输出电压，使输出端达到设定衰减值。四,电动可调衰减器 355/532/1064nm三,电动可调衰减器 355/532/1064nm筱晓光子电动衰减器通过旋转的石英 λ/2 波片分离 S 偏振和 P 偏振光束。改变波片的转动，进而改变两束光的强度比，而不会引起能量波动。这些衰减器安装高对比度的偏振片，提供优于 3000:1 的对比度 (Tp:Ts). 筱晓光子学电动衰减器具有直观的软件界面和紧凑的设计，以简化针对精zhun远程控制激光强度的系统集成.电动可调衰减器 355/532/1064nm,电动可调衰减器 355/532/1064nm产品特点● 紧凑型设计● 易于使用的软件● 专为 Nd:YAG 谐波波长设计● 与偏振激光系统配套使用产品应用● 激光雷达● 光纤激光器● 接收机保护● 相关仪器设备技术参数项目光学性能规格备注1有效孔径CA(mm)82工作波长nm1064±203尺寸mm60 x 32 x 644Attenuation Range(%):0.2-995消声系数:MaxdB0.16Resolution (arcsec/step)500:17Min. to Max. Attenuation:dB18Backlash (steps):±1/29损伤阈值MaxJ/cm210 1064nm, 10ns, 10Hz电学性能规格1Beam Dump Power LimitMaxW1 2操作系统Windows XP or newer筱晓光子电动衰减器通过旋转的石英 λ/2 波片分离 S 偏振和 P 偏振光束。改变波片的转动，进而改变两束光的强度比，而不会引起能量波动。这些衰减器安装高对比度的偏振片，提供优于 3000:1 的对比度 (Tp:Ts). 筱晓光子学电动衰减器具有直观的软件界面和紧凑的设计，以简化针对精zhun远程控制激光强度的系统集成.电动可调衰减器 355/532/1064nm,电动可调衰减器 355/532/1064nm产品特点● 紧凑型设计● 易于使用的软件● 专为 Nd:YAG 谐波波长设计● 与偏振激光系统配套使用产品应用● 激光雷达● 光纤激光器● 接收机保护● 相关仪器设备技术参数项目光学性能规格备注1有效孔径CA(mm)82工作波长nm1064±203尺寸mm60 x 32 x 644Attenuation Range(%):0.2-995消声系数:MaxdB0.16Resolution (arcsec/step)500:17Min. to Max. Attenuation:dB18Backlash (steps):±1/29损伤阈值MaxJ/cm210 1064nm, 10ns, 10Hz电学性能规格1Beam Dump Power LimitMaxW1 2操作系统Windows XP or newer五,保偏 MEMS 可调光衰减器 常开型 (VOA) 980nm FC/APC筱晓光子的保偏MEMS可调光衰减器(VOA)使用微机电MEMS芯片驱动，利用静电驱动反射镜旋转，实现输入光连续的可调衰减，有亮态和暗态两种类型。保偏 MEMS 可调光衰减器 常开型 (VOA) 980nm FC/APC,保偏 MEMS 可调光衰减器 常开型 (VOA) 980nm FC/APC产品特点低插入损耗高衰减量，连续可调重复性高、寿命长尺寸小符合GR-1209 与GR-1221 标准产品应用光放大器(EDFA)中的功率控制波分复用器(WDM)和配置网络中的功率控制通用参数参数单位值衰减类型-常开波长nm980消光比dB≥16衰减范围dB≥40插入损耗(IL)dB≤1.2回波损耗dB≥45重复性dB≤0.03dB@ATT≤20dB工作温度℃-5~70存储温度℃-40~85开关速度ms≤3寿命Cycle≥1x109Max. 光功率mW≤500驱动电压V0~7V光纤和套管类型PM980(熊猫型) / 0.9mm光纤长度1m±0.05m连接头类型FC/APC慢轴对正注: 1. 以上测试损耗(IL)是基于 23℃下测试的结果 2. 重复性数据是基于 100 cycle 重复测试的结果。尺寸 mm订购信息MEMSVOA- W□□□□ -☆-△-XXW□□□□：Wavelength980:980nm☆ ：Pigtail Length1：1m△：Loose TubeB:Bare Fiber9:900um Loose Tube20:2mm Loose TubeXX: Fiber and Connector TypePMA=PM Fiber+FC/APCPMP=PM Fiber+FC/PC

美国sinton少子寿命测试仪WCT-120，Suns-VocSinton instruments 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120硅片少子寿命测试系统 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。 主要应用：分布监控和优化制造工艺 其它应用： 检测原始硅片的性能 测试过程硅片的重金属污染状况 评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏 用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。 主要特点： 只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120 常见问题：美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。 少子寿命测试仪性能参数：1. 测量原理：QSSPC（准稳态光电导）； 2. 少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；3. 测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；4. 电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；5. 注入范围：1013-1016cm-3；6. 感测器范围：直径40-mm；7. 测量样品规格：标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；8. 硅片厚度范围：10–2000 μm；9. 外界环境温度：20°C–25°C；10. 功率要求：测试仪： 40 W ， 电脑控制器：200W ，光源：60W；11. 通用电源电压：100–240 VAC 50/60 Hz； 晶体硅硅片、规定以及工艺过程中lifetime测试技术晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 少数载流子寿命（Minority carriers life time）： （1）基本概念： 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。 对n型半导体，其中非平衡少数载流子——空穴的寿命τ，也就是空穴的平均生存时间，1/τ就是单位时间内空穴的复合几率，Δp/τ称为非平衡空穴的复合率 (即n型半导体中单位时间、单位体积内、净复合消失的电子-空穴对的数目)；非平衡载流子空穴的浓度随时间的变化率为dΔp /dt =－Δp /τp, 如果τp与Δp 无关, 则Δp 有指数衰减规律：Δp = (Δp) exp( -t/τp ) 。 实验表明, 在小注入条件 (Δp。应当注意的是，只有在小注入时非平衡载流子寿命才为常数，净复合率才可表示为－Δp/τp；并且在小注入下稳定状态的寿命才等于瞬态的寿命。 （2）决定寿命的有关因素： 不同半导体中影响少数载流子寿命长短的因素，主要是载流子的复合机理（直接复合、间接复合、表面复合、Auger复合等）及其相关的问题。对于Si、Ge等间接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶不在Brillouin区的同一点，故导带电子与价带空穴的直接复合比较困难（需要有声子等的帮助才能实现——因为要满足载流子复合的动量守恒），则决定少数载流子寿命的主要因素是通过复合中心的间接复合过程。从而，半导体中有害杂质和缺陷所造成的复合中心（种类和数量）对于这些半导体少数载流子寿命的影响极大。所以，为了增长少数载流子寿命，就应该去除有害的杂质和缺陷；相反，若要减短少数载流子寿命，就可以加入一些能够产生复合中心的杂质或缺陷（例如掺入Au、Pt，或者采用高能粒子束轰击等）。对于GaAs等直接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶都在Brillouin区的同一点，故决定少数载流子寿命的主要因素就是导带电子与价带空穴的直接复合过程。因此，这种半导体的少数载流子寿命一般都比较短。当然，有害的杂质和缺陷将有更进一步促进复合、减短寿命的作用。 （3）少数载流子寿命对半导体器件的影响： 对于主要是依靠少数载流子输运（扩散为主）来工作的双极型半导体器件，少数载流子寿命是一个直接影响到器件性能的重要参量。这时，常常采用的一个相关参量就是少数载流子扩散长度L（等于扩散系数与寿命之乘积的平方根），L即表征少数载流子一边扩散、一边复合所能够走过的平均距离。少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。 对于BJT，为了保证少数载流子在基区的复合尽量少（以获得很大的电流放大系数），则必须把基区宽度缩短到少数载流子的扩散长度以下。因此，要求基区的少数载流子寿命越长越好。 　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 简介：少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了 少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子是因电子脱离的原子,多子因电子加入而形成的原子. 少子寿命Life Time即少子形成到少子与多子结合的时间.

昊量光电新推出紧凑型，USB驱动的便携式FLIM荧光寿命测量TDC，专为荧光寿命成像和光谱测量而设计。它的尺寸小重量轻，允许极大的便携性，可以通过USB供电连接使其能够在便携式设置甚至户外使用。TDC卡上的I/O设计是可定制的，一些通道可以配置为荧光采样或成像重建信号，如像素，线和帧时钟。此外，信道可用于与其他正在使用的设备同步数据采集，如声光偏转器，压电位移台和其他一般实验室设备。此FLIM荧光寿命测量TDC还提供强大的数据重建和分析软件。 l 便携式FLIM荧光寿命测量TDC主要技术指标：l 300 ps单发精度(σ/√2)l 24或48 ps的蕞小时间bin分辨率l 1.5 ns死区l 80MHz蕞大激光同步速率l 0.5% RMS微分非线性l 传输速率高达100 M计数/秒l 每个输入通道的峰值计数率高达640 Mcounts/sl 26个通道l 11 SMA单端输入LVTTL 50Ohml 1 SMA激光触发(同步)LVTTL 50Ohm信号l 1 SMA激光触发输出(同步输出)LVTTL 50Ohm用于调制外部脉冲激光源l 13 USB-C LVDS输入/输出可配置 紧凑便携，USB供电 荧光寿命成像与光谱，同步各类外围仪器便携式FLIM荧光寿命测量TDC软件特点：l 实时成像和荧光衰减直方图数据重建l 实时FLIM相量图分析l 人工智能驱动的相量图分析技术l 用于数据采集和重构的软件API (Rust, C, c++， c#， Python, node.js， .NET)l MATLAB, Python, HDF5， .SVG flim相量和成像数据导出l 云数据存储l 通过社交媒体，即时消息，聊天和电子邮件分享结果l 支持平台:Windows、Linux 便携式FLIM荧光寿命测量TDC主要应用：荧光寿命成像——相量分析法当引入相量分析方法时，可以很容易地处理FLIM图像中包含的信息。这种方法允许寿命分布的图形表示(相量图)，使FLIM图像更快地读取。事实上，FLIM相量图的解释很简单，FLIM与相量的组合使研究人员能够轻松地在同一样本中分离不同的寿命种群。荧光相关光谱（FCS）荧光相关光谱(FCS)是一种研究和定量分子动力学的技术。顾名思义，FCS是基于荧光分子在观测量内外扩散时荧光波动的时间相关性分析。它被认为是一种单分子技术，因为荧光分子在探测体积内外的连续波动可以用来确定样品中一个或几个物种的单个性质。荧光共振能量转移（FRET）近红外光谱（NIRS） 此外，我们还提供匹配的单光子探测器，皮秒半导体激光器，CFD等系统基础组件更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

压力衰减法密封仪压力衰减测试是一种用于检测无孔、刚性或柔性包装中泄漏的定量测量方法。如果加压气体的引人导致包装壁或密封件破裂，则该测试是破坏性的。如果将气引人测试样品不会损害包装屏障，则该测试是非破坏性的。压力衰减测试旨在用测试样品的气体顶空区域的完整性检测。为了进行测试，需将干燥空气或惰性气体压力源连接到配有内部压力监测装置的测试样品上，其测试样品需被加压至预定压力，且之后需与压力源隔离。在预时间内的压力衰减将被监测。超过使用阴性对照确定的预定极限的压力衰减表明容器存有泄漏。应用范围无孔、刚性或柔性包装可被检测：1、可以测试那些不受产品(例如油、水或其他液体)阻碍的包装表面:这种方法不会检测到液体填充水平以下的小泄漏2、当暴露于测试压力条件下时，柔性包装或具有非固定组件的包装分别需要用工具来限制包装膨胀或移动。其工具可最大限度地减小柔性包装的密封强度。并在整个泄漏路径上使包装体积和压差条件保持一致。3、压力衰减可用于测试从体积几毫升大型散装储存容器的任何包装。测试需要几秒到几个小时才能完成。测试较大容量的容器需要更长的测试时间。延长测试周期可检测较小的泄漏。压力衰减测试在产品生命周期的任何阶段都很有用。测试可以在实验室环境中进行，也可以在生产环境中线下进行。允许长时间测试的实验室或线下测试设备通常能够检测较小的泄漏。在包装填充和封闭之前，可以使用更高速的线上压力衰减设备来检查开口包装中的缺陷。压力衰减测试仪器包括将测试样品与测试系统压力传感器以及压力源连接的导管。仪器包括合适的定时器、电子控制和监视器。当仪器保持在温度受控的环境中时 测试样品(特别是体积较大的样品)在测试过程中保持在受控的恒温下 使用恒温干燥加压气体时，可以获得较大测试方法的灵敏度和重现性。可选择使用单独设计的工具分别限制可移动或柔性部件的移动或膨胀，从而保持测试样品体积的恒定同时限制其密封强度。 技术参数指标 参数真空度 0--100kPa检测孔径精度 ＜3μm设备操作 自带HMI内部压力 常压测试系统 真空传感器技术真空来源 外接真空泵测试腔 根据样品定做检测原理 真空衰减法/无损检测主机尺寸 500mmX360mmX320mm（长宽高）重 量 18Kg环境温度 20℃-30℃相对湿度 80%,无凝露工作电源 220V压力衰减法密封仪此为广告

产品简介：AUTO GBM-L2 双压法微泄漏密封测试仪采用真空衰减法/压力衰减的测试原理对成品包装进行微泄漏检测，可应用于冻干粉针剂、注射剂等西林瓶组成的包装系统、安瓿瓶、预充针、滴眼剂瓶、HDPE瓶、输液瓶/袋等医药包装、食品包装、化工行业包装的泄漏检测。产品特点：1、 双压法结合，助力解决测试难点真空衰减法/压力衰减法双结合，解决了瓶内含真空的冻干粉针剂使用单一的真空衰减法易误判假阴性的难题。基于双传感器和双循环系统技术，高品质绝压传感器和差压传感器，精度达0.1% FS，可以有效检测大小泄漏，精确计算泄漏孔径，并给出合格与不合格的判断。2、仪器灵敏度低，测试重复性佳对于刚性样品，检测灵敏度低至1μm，测试重复性低至0.8%，仪器性能稳定、噪音低、重复性佳。3、 进口品牌附件，性能卓越进口品牌真空泵，抽气速率达3L/s，噪音低至50DB，极限真空度高，便捷的油标检测和更换。英国进口气体质量流量控制器，可以任意模拟微型漏孔，分辨率达0.001 mL/min，为仪器灵敏度的方法验证提供可靠的保障。4、 大尺寸平板，智能操作彩色11寸触控平板，视图清晰、触控灵敏、易于操作。根据GMP附录《计算机化系统》设计，具有审计追踪功能，用户多级权限设置，可满足医药行业对数据溯源的需求。5、 个性化定制，满足不同样品的需求针对不同的检测样品，支持定制合适的测试腔，满足不同检测的需求。针对同类型样品，支持定制嵌套模式，可实现多种规格样品共用一个测试腔。 技术参数：项目参数绝压测试范围(0~300) kPa差压测试范围(-2~2) kPa检测灵敏度1～3 μm平衡/测试时间1～3600 s真空吹扫时间1～3600 s设定流量0～3 mL/min测试系统双传感器技术/双循环测试测试腔根据样品定做适用产品西林瓶、安瓿瓶、预充针、输液瓶/袋等检测原理真空衰减法/压力衰减法主机尺寸495 mm*455 mm*280 mm环境温度20℃-30℃相对湿度最高80%，无凝露工作电源AC 220V, 50HZ测试原理：主机连接一个根据试样定制密闭的测试腔内。进行真空衰减法测试时，仪器对测试腔进行抽真空，试样内外形成压力差，在压力的作用下试样内气体/液体通过漏孔进入测试腔。主机利用绝压传感器和差压传感器监测腔体内的压力变化，判断试样是否泄漏。进行压力衰减法测试时，仪器对测试腔充入预定气压，测试腔内气体通过漏孔进入到试样，主机利用绝压传感器和差压传感器监测腔体内的压力变化，判断试样是否泄漏。执行标准：ASTM F2338-2009(2013)、 YY-T 0681.18-2020、USP1207.2、ASTM F2095

产品简介：AUTO GBM-L2 双压法微泄漏密封测试仪采用真空衰减法/压力衰减的测试原理对成品包装进行微泄漏检测，可应用于冻干粉针剂、注射剂等西林瓶组成的包装系统、安瓿瓶、预充针、滴眼剂瓶、HDPE瓶、输液瓶/袋等医药包装、食品包装、化工行业包装的泄漏检测。产品特点：1、 双压法结合，助力解决测试难点真空衰减法/压力衰减法双结合，解决了瓶内含真空的冻干粉针剂使用单一的真空衰减法易误判假阴性的难题。基于双传感器和双循环系统技术，高品质绝压传感器和差压传感器，精度达0.1% FS，可以有效检测大小泄漏，精确计算泄漏孔径，并给出合格与不合格的判断。2、仪器灵敏度低，测试重复性佳对于刚性样品，检测灵敏度低至1μm，测试重复性低至0.8%，仪器性能稳定、噪音低、重复性佳。3、 进口品牌附件，性能卓越进口品牌真空泵，抽气速率达3L/s，噪音低至50DB，极限真空度高，便捷的油标检测和更换。英国进口气体质量流量控制器，可以任意模拟微型漏孔，分辨率达0.001 mL/min，为仪器灵敏度的方法验证提供可靠的保障。4、 大尺寸平板，智能操作彩色11寸触控平板，视图清晰、触控灵敏、易于操作。根据GMP附录《计算机化系统》设计，具有审计追踪功能，用户多级权限设置，可满足医药行业对数据溯源的需求。5、 个性化定制，满足不同样品的需求针对不同的检测样品，支持定制合适的测试腔，满足不同检测的需求。针对同类型样品，支持定制嵌套模式，可实现多种规格样品共用一个测试腔。 技术参数：项目参数绝压测试范围(0~300) kPa差压测试范围(-2~2) kPa检测灵敏度1～3 μm平衡/测试时间1～3600 s真空吹扫时间1～3600 s设定流量0～3 mL/min测试系统双传感器技术/双循环测试测试腔根据样品定做适用产品西林瓶、安瓿瓶、预充针、输液瓶/袋等检测原理真空衰减法/压力衰减法主机尺寸495 mm*455 mm*280 mm环境温度20℃-30℃相对湿度最高80%，无凝露工作电源AC 220V, 50HZ测试原理：主机连接一个根据试样定制密闭的测试腔内。进行真空衰减法测试时，仪器对测试腔进行抽真空，试样内外形成压力差，在压力的作用下试样内气体/液体通过漏孔进入测试腔。主机利用绝压传感器和差压传感器监测腔体内的压力变化，判断试样是否泄漏。进行压力衰减法测试时，仪器对测试腔充入预定气压，测试腔内气体通过漏孔进入到试样，主机利用绝压传感器和差压传感器监测腔体内的压力变化，判断试样是否泄漏。执行标准：ASTM F2338-2009(2013)、 YY-T 0681.18-2020、USP1207.2、ASTM F2095

高精度的可调光衰减器是保证光通信或者光器件测试系统平稳运行的关键器件。Dimension的POA可编程可调光衰减器，可以同时提供多通道高精度的光路衰减，可灵活编程设定自动或者随机衰减值，具有衰减精度高、波长范围广、衰减范围大、转换速度快、重复性和线性度好等出色的性能，以及极好的易用性，为实验室或者要求苛刻的制造环境提供了一种测试和验证的理想解决方案。主要优势 • 高精度，衰减范围大（50dB） • 超低插入损耗(1dB)和高转换速度(25dB/s) • 高重复度和线性度 • 可编程控制，提供API，可远程控制 • 支持1~4四通道光衰减，可实现OFFSET自动补偿 • 支持全波长衰减，支持单、多模 • 平台+模块化设计，可扩展，易用性好 • 具有光闸功能，支持级联应用主要应用• 光模块BER测试 • 光有源器件测试系统• 光无源器件测试系统 • 光网络测试• 科研机构以及实验室验证 • 仪器校准或损耗模拟完全编程的解决方案，支持联网POA可调光衰减器可以通过网络或USB接口控制和查看设备参数，通过开放的API接口编程可以对设备进行自动或随机的衰减值设定，通过Dimension的通用测试平台，可以很方便的集成Dimension的光源、光功率计、光开关等其他测试模块搭建自动化的测试和生产环境，特别适合自动化产线或其他自动化测试系统。集成度高，衰减精度高，衰减范围大，支持级联功能POA系列产品衰减范围大于50dB，支持四通道同时衰减，两通道级联衰减范围高达100dB以上，最小衰减精度为0.01dB，衰减范围和衰减精度都可以满足科研机构、生产测试的要求。波长范围广，支持任意波长衰减单模1250nm~1650nm，多模830nm~1350nm波长范围内支持任意波长输入，设备已经过多波长的衰减标定，任意波长的衰减准确度高。控制形式多样Dimension POA系列衰减器支持固定衰减值和时间延迟的递减、递增及编程自动控制，满足用户的不同需求。设备采用安全可靠的工业设计，可全天候工作，不需要额外人工维护，自动快速测试系统的理想选择平台+模块化设计，扩展性强Dimension的通用光学测试平台，提供了一整套光学测试解决方案，包含双槽位ALPHA测试平台和11槽位OMEGA测试平台，可以兼容包含POA可调光衰减在内的多种功能测试模块，具有可热插拔、可编程、可扩展性强、易于维护和管理、综合成本低等显著优势。客户后续可购置其他功能模块进行功能扩展，例如可以扩展连接光开关、稳定光源、插回损仪、误码仪、高速光功率计等功能测试模块，可以实现对光器件等产品多种光学性能的一站式测试。产品参数［1］