饰面蓝宝石

孚光精仪公司联合德国,俄罗斯和立陶宛合作伙伴历时2年研发的新一代飞秒激光蓝宝石划片机和飞秒激光蓝宝石切片机成功问世，将大幅度提高智能手机蓝宝石屏的加工效果和效率，据悉，这一新技术将在10月份向全球推广。这种飞秒激光蓝宝石划片机和飞秒激光蓝宝石切片机采用全球领先的工业级飞秒激光，突破飞秒激光成本高，效率低的缺点，革命性地提高蓝宝石划片和切割效果，没有毛刺，没有熔融问题产生。经过评估，这种飞秒激光蓝宝石划片机和飞秒激光蓝宝石切片机达到了预定研发目标，具有如下优势：不仅适合蓝宝石划片切割，还适合不同玻璃的加工满足不同形状切割需求高速划片切割，划片速度高达800mm/s光滑切片，粗糙度Ra www.f-opt.cn Tel: 021-51300728, 4006-118-227

供稿 | 文军红蓝宝石，与钻石、祖母绿、金绿猫眼石被列为世界五大名贵宝石，其珍贵价值毋庸置疑。很多人认为宝石好不好主要看品质（重量、颜色、切工等），其实宝石产地也很重要。贵重宝石像红蓝宝石、祖母绿，对产地的要求都很高，那代表的是宝石的血统。比如高级的蓝宝石，公认都是克什米尔蓝宝石。克什米尔产的蓝宝石呈微带紫的靛蓝色，著名的矢车菊蓝宝石就产于此。其次是斯里兰卡的皇家蓝价值高，而斯里兰卡还有cat blue以及俗称卡兰的蓝宝石。绝世「克什米尔」蓝宝石传世「皇家蓝」蓝宝石红宝石产地质地好的是缅甸，它的鸽血红就像动脉的血色，很艳，又浓又亮，特别漂亮，但是颗粒小、杂质多，产量比较少，经常只出现在拍卖会上。莫桑比克红宝石颗粒也不是很大，但净度比较好，颜色也比较纯正。稀世「鸽血红」红宝石跨世「莫桑比克」红宝石如何鉴定红蓝宝石的产地？1追根溯源——红蓝宝石产地鉴定在天然红蓝宝石生长过程中，由于外来物种的侵入或者环境条件的变化,宝石内部会形成包裹体。红蓝宝石因外在形成环境地质条件的不同, 它的包裹体也会呈现不同特征。通过这些特征我们就可以判断某一红宝石或蓝宝石的来源，做出产地鉴定啦著名的星光红蓝宝石，就是因为含针状或纤维状金红石包裹体，而产生美丽的六射星光星光红宝石、蓝宝石斯里兰卡蓝宝石包裹体的天鹅绒效应2共焦显微拉曼技术助力红蓝宝石中包裹体鉴别常规宝石鉴别，主要利用显微镜观察其内部细小包裹体、裂隙、色带以及宝石的表面特征等，结果带有主观性，不可靠、信息量少。近年来，人们多用共焦显微拉曼来研究红蓝宝石包裹体。显微拉曼光谱仪把拉曼光谱仪和光学显微镜耦合在一起，利用显微镜观察包裹体中微小特征的同时，还可以测量观察区域（直径约1微米）的拉曼光谱信号，从而对包裹体的内含物物种做出鉴别。此外也可以利用拉曼成像技术，描绘出一定范围内的样品成分分布。Valentina Palanza等人就利用共焦显微拉曼分析了一系列不同产地蓝宝石的包裹体，以下是一些典型案例：1产自变质岩环境的蓝宝石a 是斯里兰卡出产的蓝宝石（P1标记处的圆形区域内部为其包裹体）b 是包裹体局部放大c-5 为包裹体的拉曼光谱，位于157, 335, 450, 667, 795, 1195 cm-1 处的特征峰归属于包裹体中的水铝石矿物而1285, 1387 cm-1处的特征峰归属于包裹体中的二氧化碳气体。其他几条分别是越南锐钛矿、斯里兰卡的金红石和硫、马达加斯加金红石、马达加斯加方解石。2产自岩浆岩和碱性玄武岩环境的蓝宝石其拉曼光谱结果如下图所示，分别是澳大利亚蓝宝石中的赤铁矿包裹体、坦桑尼亚的金红石和石墨、碱性玄武岩锆石。3产自坦桑尼亚的蓝宝石显微镜下可见蓝宝石表面下几个微米深处的红色包裹体，根据拉曼光谱特征峰可以确认包裹体的成分是赤铁矿(hematite, Fe2O3)。实际研究中，由于包裹体大多位于宝石表面之下一定深度，宝石本体的拉曼信号会掩盖包裹体内含物的信号。HORIBA真共焦拉曼技术，引入可以调节的共焦针孔光阑，构建出共轭光学系统，在纵向上限制了样品范围（可以达到微米量级的纵向分辨率），进行拉曼切片，从而大化了包裹体的拉曼信号，抑制了其他干扰信号，为研究宝石包裹体提供了强有力的工具。XploRA PLUS智能型全自动显微拉曼光谱仪研究这些包裹体,不仅可以帮助鉴别天然红蓝宝石的产地，区分天然宝石与人造宝石，同时还能揭示宝石形成时的物理化学条件、介质成分和性质以及后期成矿活动的特征，从而指导宝石矿的寻找及宝石的合成和优化工作。更多信息请参考：Valentina Palanza, et al. J. Raman Spectrosc. 2008 39: 1007.

11月22日，在位于铜陵的安徽江威精密制造公司，首次采用泡生法工艺生产出60公斤级蓝宝石，填补了安徽省用此项工艺技术生产蓝宝石的空白，向打造安徽省光伏及LED基础新材料产业基地迈出了坚实一步。 　　在现场看到，两个刚刚出炉的蓝宝石都是圆柱体,晶莹剔透，没有杂质，直径达230毫米至240毫米，高为350毫米，称重显示两个共计120公斤，达到60公斤级标准。60公斤级蓝宝石是国内最新生产技术，目前国内多为30公斤级产品。这两个蓝宝石可出产合格2英寸棒材3600毫米，加上边角料，现市场售价可达12万元。据了解，蓝宝石是生产LED必备的基础新材料，位于产业源头顶端。同时，还是制造导弹关键材料之一，国外对其产品及生产技术封锁十分严厉，我国民用蓝宝石90%以上依赖进口。近年来，蓝宝石还在高档手表、手机，以及精密发动机轴承等方面得到应用。蓝宝石作为人工合成新材料，其透光率好，硬度达到钻石级，而且耐高温，熔点达2050度，应用前景越来越广泛。 　　按照合同，俄罗斯专家还要为该公司生产一炉合格产品，才算完成蓝宝石生产设备的安装调试。马永新给记者算了一笔账，按合同要求，每一炉蓝宝石预计出产合格2英寸棒材1800毫米，现市场售价为每毫米3美元，一炉成材可卖近4万元人民币，边角料用途广泛，高档手机、手表均可使用，售价约为2万元人民币，成本控制得好，基本可以做到保本微利。 　　江威公司引进俄罗斯泡生法生产蓝宝石项目，计划一期投资600万元，从俄罗斯进口两台设备进行试生产，待全面掌握生产技术后，再添加设备，达到20台，计划总投资5000万元，年生产2英寸棒材蓝宝石20万毫米。

上海仪迈仪器科技有限公司于2011年五月份向中国市场推出了一款高端产品: IR180专业型台式折光仪。该产品作为中国国产第一台蓝宝石折光仪, 它不仅造型时尚，性能和技术指标均已达到国际先进水平，并且更加符合我们中国用户的使用习惯。新品上市以来，受到了很多用户的关注，刚刚购买的用户开始使用后，更加称赞这款产品广泛的适用性和操作的方便性。 IR180 的与众不同的适用性在于： • 它是目前市场上唯一的一款能同时提供水浴和半导体两种控温方式的折光仪，适用于多种样品在不同使用条件下的测量。 • 坚硬的蓝宝石棱镜，经得起反复擦拭，即便长期使用也不会损坏或变得模糊，特别适合样品分析工作量大的应用。 • 独创的智能化软件系统，自动跟踪内部测量环境的变化，并及时修正偏差，时刻确保测量的精准。 即使环境条件不尽如人意，用户也不必为测量结果的准确性而担忧。 IR180 专为中国用户打造，操作上自然特别方便于国内用户： • 中文彩色触摸屏， 友好的操作界面，特别是中文输入功能，操作IR180，就如同使用自己手中的手机一样方便。 • 内置多种标准测量方法，特别涵盖了中国国标的测量方法，直接调用方法，直接测出最终结果，简单方便；同时用户还可以自己设定方法，储存于仪表中，一劳永逸。 总而言之，IR180诠释和代表着 ‘仪迈人’ 对“本土精品”的理解。作为‘仪迈人’， 我们为它得到了用户的好评感到由衷的欣慰。感谢所有关注“仪迈科技”的朋友们； 有了你们的支持，“仪迈科技”一定会在“本土精品”的探索之路上越走越好。

激光线宽测量。图片来源：《自然光子学》美国耶鲁大学一组研究人员开发出首台芯片级掺钛蓝宝石激光器，这项突破的应用范围涵盖从原子钟到量子计算和光谱传感器。研究结果近日发表在《自然光子学》杂志上。掺钛蓝宝石激光器在20世纪80年代问世，可谓激光领域的一大进步。它成功的关键是用作放大激光能量的材料。掺钛蓝宝石被证明十分强大，因为它提供了比传统半导体激光器更宽的激光发射带宽。这一创新引领了物理学、生物学和化学领域的基础性发现和无数应用。台式掺钛蓝宝石激光器是许多学术和工业实验室的必备设备。然而，这种激光器的大带宽是以相对较高的阈值为代价的，也就是它所需的功率较高。因此，这些激光器价格昂贵，占用大量空间，在很大程度上限制了它们在实验室研究中的使用。研究人员表示，如果不克服这一限制，掺钛蓝宝石激光器仍将仅限于小众客户。将掺钛蓝宝石激光器的性能与芯片的小尺寸相结合，可驱动受功耗或空间大小限制的应用，如原子钟、便携式传感器、可见光通信设备，甚至量子计算芯片。耶鲁大学展示了世界上第一台集成了芯片级光子电路的掺钛蓝宝石激光器，它提供了芯片上迄今看到的最宽增益谱，为许多新的应用铺平了道路。新研究的关键在于激光器的低阈值。传统掺钛蓝宝石激光器的阈值超过100毫瓦，而新系统的阈值约为6.5毫瓦，通过进一步调整，研究人员相信可将阈值降低到1毫瓦。此外，新系统还与广泛用于蓝色LED和激光的氮化镓光电子器件兼容。

孚光精仪公司欧洲工厂采用全球专利一次成型技术的高纯度蓝宝石热电偶保护管成功下线，一期工程年产能力达到50万米，并被德国热电偶制造商批量订购，成为替代刚玉和陶瓷的热电偶保护套管新型材料。蓝宝石热电偶保护管和蓝宝石热电偶保护套管能够承受2000摄氏度的高温和3000bar的压力，非常适合环境恶劣的应用，比如化工，化学，石油精炼，玻璃工业等。蓝宝石热电偶保护管和蓝宝石热电偶保护套管相比于刚玉热电偶保护管和陶瓷热电偶保护管具有更好的材料稳定性，可用于重油燃烧反应器，冶金等诸多高温领域，是替代刚玉热电偶保护管的理想热电偶保护套管。详情浏览：http://www.f-opt.cn/lanbaoshi/lanbaoshiguan.html蓝宝石热电偶保护管已经取代了无法抵御金属扩散的热电偶陶瓷管，比如，铅玻璃的生产中,Pt热电偶套管会融入玻璃，导致重新生产。目前，蓝宝石热电偶保护管和蓝宝石热电偶保护套管已经成功用于如下领域：半导体制造：刚玉蓝宝石套管高达99.995%的纯度保证生产过程无污染。腐蚀环境制造：浓缩或沸腾的矿物酸，高温反应性氧化物。玻璃和陶瓷工业：替代Pt探针，保证无污染仪器制造：微波消解仪，高温反应炉，实验室测试仪器等光学应用：紫外灯，汽车灯重油反应器：石化等领域能源领域：去除NOx 等蓝宝石热电偶由外部密封刚玉保护套管和内部热电偶毛细管组成，又称为蓝宝石热电偶。由于蓝宝石套管,蓝宝石保护套管具有良好的光学透明性和单晶材料的非多孔性，这种蓝宝石套管,蓝宝石保护套管热电偶具有良好的耐高温性，并具有屏蔽环境温度对热电偶影响的能力。蓝宝石套管,蓝宝石保护套管能够承受2000摄氏度的高温和3000bar的压力，非常适合环境恶劣的应用，比如化工，化学，石油精炼，玻璃工业等。蓝宝石套管,蓝宝石保护套管保护套管相比于刚玉陶瓷管具有更好的材料稳定性，可用于重油燃烧反应器，冶金等诸多高温领域。蓝宝石套管,蓝宝石保护套管已经取代了无法抵御金属扩散的陶瓷管，比如，铅玻璃的生产中,Pt热电偶套管会融入玻璃，导致重新生产。目前，蓝宝石套管,蓝宝石保护套管已经成功用于如下领域：半导体制造：刚玉蓝宝石套管高达99.995%的纯度保证生产过程无污染。腐蚀环境制造：浓缩或沸腾的矿物酸，高温反应性氧化物。玻璃和陶瓷工业：替代Pt探针，保证无污染仪器制造：微波消解仪，高温反应炉，实验室测试仪器等光学应用：紫外灯，汽车灯重油反应器：石化等领域能源领域：去除NOx 等

2011年11月29日 14:30-15:30，海洋光学在仪器信息网上成功举办了“微型光纤光谱仪在宝石鉴定中的应用”在线语音研讨会，对此次报名关注的近100名观众，海洋光学致以最诚挚的感谢。本次研讨会主要介绍了基于海洋光学光谱仪进行反射测量的全波长光谱分析仪------GEM-3000珠宝检测仪。通过快速有效地检测数百种珠宝的光谱反射特征曲线，对比标准珠宝谱图来判定珠宝样品是否染色及真伪。相对于传统光谱法检测珠宝，GEM-3000具有检测速度快，可对任意形态任意大小样品做无损检测，长波紫外检测稳定性好的特点，特别适用于珠宝质检机构及珠宝商用于金珍珠、黑珍珠、红珊瑚、钻石、蓝宝石、翡翠等珠宝的真伪鉴定。填补了珠宝行业目前无法无损检测金珍珠和黑珍珠的空白视频回放请点击：http://www.instrument.com.cn/webinar/meeting/meetingInfo.asp?infoID=30512月海洋光学还将以开展分别以太阳能模拟器、拉曼光谱仪、膜厚测量、球\平面光学器件测试系统为主题的在线研讨会，了解最新信息请关注：http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20111202/3683816/如果您想进一步了解光纤光谱仪及其应用，如果你有更好的建议和意见希望和我们分享，请关注我们的论坛：http://bbs.instrument.com.cn/forum_653.htm 总部位于达尼丁,佛罗里达的海洋光学是世界领先的光传感和光谱技术解决方案提供商，为您提供测量和研究光与物质相互作用的先进技术。自1989年以来，已有近200,000台海洋光学的光谱仪被应用于各行各业。海洋光学拥有庞大的产品线，包括光谱仪、传感器、光纤、薄膜和光学元件等等。 更多详情，请点击www.oceanopticschina.cn

氮化镓(GaN)是一种广泛应用于发光二极管(led)等光电器件的材料。LED结构主要是通过外延生长在蓝宝石衬底上，但由于成本原因，硅成为蓝宝石的代替者。然而，硅和氮化物之间巨大的不配合和热膨胀系数的差异导致大量的位错和可能的裂纹。它们通常出现在生长过程中的冷却阶段。由于裂纹和位错对LED应用都是有害的，所以确定局部缺陷浓度和其他特征如掺杂和应变是至关重要的。 阴极发光(CL)技术是研究GaN性质的一种快速和高度相关的方法。非辐射缺陷如位错的分布可以直观地显示出来。以下的能带隙发射线的能量允许我们识别点缺陷。阴极发光高光谱图提供了应变、掺杂、生长方向和载流子浓度的空间变化信息。在实际应用中，通过限制电子束与样品相互作用体积的大小，可以大大提高空间分辨率。像TEM样品这样的薄物体的使用恰好克服了这种物理限制。它显著地将相互作用体积的横向尺寸从550 nm(束能为10 keV的GaN)降低到30 nm以下。Attolight设计了一种与TEM样品兼容的特殊低温样品架，用于低温下在Attolight阴极发光显微镜上进行测量。 然而，样品中较小的探测体积可能会显著降低采集到的信号，从而限制测量分辨率。Attolight CL系统优化后的集光系统完美地克服了这一困难。它允许在短时间内对横断面TEM样品进行高分辨率的高光谱映射(具有非常高的信噪比)。这样的测量并不局限于氮化镓，并且可以扩展到许多其他发光材料。 该方案是Attolight阴极发光显微镜在LED光电失效分析应用层面的完美体现，它做到了以下4个方面使Attolight阴极发光显微镜成为光电失效分析及LED应用方面的优先选择。1、具有良好的位错网络可视化和与样品同一区域TEM图像的相关性 2、堆叠不同组分(AlN, GaNs，量子阱等)的空间发光映射 3、通过CL谱中的能量位移估计位错和界面周围的局部应变和掺杂 4、点缺陷的识别与空间分布

德国欧司朗公司(OSRAM)光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光LED 原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明质量和效率。目前，该款LED芯片已经进入试点阶段，在实际条件下接受测试。欧司朗公司表示首批硅晶圆LED芯片有望在两年内投放市场。 　　硅晶圆基板芯片与传统材料芯片相比具有明显优点。硅在半导体行业应用广泛，可以满足较大的晶圆直径生产要求，同时硅材料具有更好的热特性和较低廉的价格，因此硅晶圆基板芯片将成为未来LED照明市场更具吸引力和价格优势的选择。此外，该款新型高性能蓝白光LED的各项技术指标也可与传统蓝宝石基板相媲美，经测试蓝光UX:3芯片在3.15V电压下，照明亮度可达634毫瓦，相当于58%的转化效率，是1平方毫米芯片350毫安电流下LED照明获得的较为出色的数值。 　　欧司朗公司该项研发活动受到了德国联邦教研部(BMBF)《硅晶圆基板上氮化镓 (GaNonSi)》 项目的资助。

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近日，安东帕发布了新一代传感器——L-Rix 5x00系列。该系列传感器不仅对客户来说更便宜，而且还能提供其他重要优势。该传感器主要用于管道或反应容器，可在生产过程中使用在线折光法直接测量样品的百分比浓度。这些被测量的物质可以是饮料、蛋黄酱、果酱、或环保型柴油添加剂等。 /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201905/uepic/5b1193fa-0bc6-424d-a6e7-0341de91c639.jpg" title=" csm_L-Rix_5X00_Pico_WEB_11d98a2858.jpg" alt=" csm_L-Rix_5X00_Pico_WEB_11d98a2858.jpg" width=" 600" height=" 400" border=" 0" vspace=" 0" style=" width: 600px height: 400px " / /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 据了解，从技术上讲，这款插入式传感器充分利用了光的折射，在装置中，有一束光束通过蓝宝石棱镜向被检测介质的方向发送，光穿透棱镜和液体样品之间的界面，有些光线是完全反射的，有些只是部分反射，有些则是不反射的，传感器通过检测反射光和反射角，从而测量样品的浓度。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 当然，听起来可能很简单，但实际测量过程中需要复杂的公式和计算步骤，最终给出由光信号、反射角和样品温度等得出的浓度值。在安东帕的新一代系列传感器中，L-Rix 5200由于集成了用于特定糖浓度的特殊公式，可以给出相对最全面的测量模型。据安东帕产品经理Zavrsnik介绍，L-Rix系列传感器相比于市面上的同类产品具有如下优势：支持10万小时以上或10年以上免维护，运行中无需调整或校准，生产过程中方便清洗。除本系列入门机型外，其他型号用户都可以自由配置，最高配置的传感器可提供高精度测量，所有传感器都配有免费的配置软件和智能配件，如蓝宝石水晶清洗系统或可选的导流装置等，后者可以安装在传感器的对面，防止粘稠样品附着在蓝宝石界面上。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " L-Rix传感器的出现，符合质量测试从实验室转移到工业过程控制的趋势。这系列传感器既可以使用折射率原理测量浓度，也可以作为密度测量补充分析选项。根据样品的不同，选择不同的测量方式。 /p

利器善工 匠心独具│EDX助力鉴赏珠宝之美导读我国是当今世界上珠宝首饰类产品的重要生产国，同时也是世界上珠宝首饰的重要消费国。参考中国珠宝玉石首饰行业协会发布的《2022中国珠宝行业发展报告》资料，2022年贵金属类市场规模约为4380亿元，珠宝玉石类市场规模约为2810亿元。珠宝首饰市场的繁荣发展，同时推动了珠宝首饰检测行业的发展。珠宝首饰检测中需要使用到多种科学仪器，其中EDX仪器具有无损性、快速性、准确性、经济环保性等特点脱颖而出，在贵金属成分检测、珠宝元素分析等方面得到广泛使用。相关法规珠宝首饰可依据材质分为珠宝玉石类和贵金属类。珠宝玉石的种类繁多，材质组成复杂，按照来源分为天然珠宝玉石和人工宝石。贵金属主要指金、银和铂族金属（钌、铑、钯、锇、铱、铂）等8种金属元素，作为商品流通的常见贵金属为金、银、铂、钯，其中黄金为流通量最大的贵金属品种。珠宝首饰的检测方法标准中，会涉及到多种科学仪器的分析方法，下面列举了相关常见标准和涉及的岛津分析仪器。表1 珠宝首饰分析鉴定相关常见标准图1 相关标准涉及的岛津仪器展示岛津利器性能卓越的EDX-7200能量色散型X射线荧光光谱仪专利技术岛津分析中心申请的中国发明专利《一种含镀层贵金属成分的X射线荧光光谱分析方法》（ZL 2019 1 0867000.4已获国家知识产权局授权），专利技术为含镀层贵金属样品成分的无损检测提供了解决方案。图2 发明专利证书方案优势该方法具有专用算法修正镀层对基体组成元素的影响、含镀层贵金属直接测试（无需打磨破坏）、一次分析可以得到镀层厚度和基材元素成分的可靠结果、分析速度快、分析成本低的优点。图3 不同方法分析误差比较（数据来源于本公司）案例分享贵金属首饰成分分析GB/T 18043-2013《首饰贵金属含量的测定 X射线荧光光谱法》是贵金属首饰成分分析的标准依据。X射线荧光光谱法由于非破坏分析的特点，被广泛应用于贵金属成分的分析，是贵金属成分检测中最常见的非破坏分析方式。在EDX-7200上建立黄金分析条件，使用黄金标样校准Au、Ag、Cu、Ni、Zn等元素的校准曲线。图4 黄金中分析元素的校准曲线使用校准的黄金分析条件，检测工厂实物黄金饰品，在EDX完成检测后，送样依据GB/T 9288-2006《金合金首饰 金含量的测定 灰吹法（火试金法）》做火试金测试， 下表列举了EDX和火试金方法的分析结果。表2 黄金饰品样检测结果（数据来源于本公司）从上表EDX和火试金的分析结果显示，EDX-7200分析黄金样品成分误差优于0.2%，适用于黄金及其制品成分的筛选检测。珠宝元素分析红宝石&蓝宝石的主要成分是Al2O3，属于刚玉的一个种类。下图为宝石实验样品，有天然红宝石、天然蓝宝石、人工合成红宝石、铅玻璃充填红宝石。图5 宝石样品将宝石样品放置在样品杯中，样品杯使用迈拉膜，EDX-7200仪器附带的CCD选择测试部位，使用宝石测试条件分析，分析结果及谱图如下。图6 宝石分析数据分析结果中Al以刚玉宝石的主要成分Al2O3表示。天然宝石中可见Al、Si、Cr、Fe、Ti、Ga等元素存在。Al为刚玉宝石的主要组成元素，Cr、Fe、Ti等为微量致色元素，Ga为天然刚玉宝石的指纹特征元素，合成红宝石中缺少Ga元素存在。天然红宝石常见含有Fe、Cr、Ga元素，天然蓝宝石则多含有Fe、Ti、Ga等杂质微量元素。铅玻璃充填的红宝石明显可见Pb的特征峰存在，Pb元素的存在为处理红宝石铅玻璃充填的特征结果。结语岛津能量色散型X射线荧光光谱仪筛选分析珠宝首饰样品，无需复杂前处理，具有分析过程简单、分析速度快、分析灵敏度高、无环境负担的优点，适合实验室和生产现场的快速筛查分析，为珠宝首饰的质量控制和科研提供科学的参考依据。撰稿人：刘建红本文内容非商业广告，仅供专业人士参考。

在刚刚结束的北京珠宝玉石首饰展览会上，李女士花13200元购买了8颗带有鉴定证书的&ldquo 天然宝石&rdquo 。可是，让她没想到的是，8颗&ldquo 天然宝石&rdquo 的复检结果竟然是合成石，&ldquo 天然宝石与合成石的价格相差很大，我是出于对展会和鉴定证书的信任才掏钱购买的，谁知竟然是这个结果!&rdquo 李女士愤怒地说。其实，李女士的遭遇并非个案，从前年开始就有很多市民反映，在各类珠宝展上买到的珠宝有真有假，这究竟是怎么回事?记者对此进行深入采访。 　　疑问：两张鉴定证书不知该信谁 　　昨天，李女士带着8颗宝石来到中国国际科技会展中心，准备向珠宝展主办方讨个说法。据李女士介绍，18日那天她在珠宝展上购买了8颗宝石，4块坦桑石、4块托帕石，8颗宝石都有中工商联珠宝检测中心出具的鉴定证书。购买这8颗宝石后，李女士又将这些宝石送到北大宝石鉴定中心复检。没想到，复检的结果让她傻了眼：复检鉴定书显示，8个&ldquo 宝贝&rdquo 并非天然宝石，而是合成宝石。 　　李女士曾经学过珠宝鉴定，昨天她特意带来了折射仪。经测量发现，这些宝石的折射率与合成宝石相符。一位宝石鉴定专家认为，虽然在宝石鉴定上测折射率只是手段之一，有些宝石折射率相近，可能得不到准确答案，但就此事而言，真品性质为非均质体，合成石则是均质体，在折射仪上数据特征非常明显。 　　虽然通过民警协调，李女士最终圆满解决了问题。然而，学过珠宝鉴定的李女士都打了眼，对于那些仅凭信任购物的消费者，恐怕更难以分辨其中的真伪。 　　昨天，李女士在与珠宝展主办方协商时，工作人员就指出，展会内到处都有消费提示，先鉴定后购买。可是，记者在展会鉴定处得知，鉴定处的鉴定能力十分有限，而李女士所购买的坦桑石、托帕石则不在鉴定范围内。 　　当记者与一位工作人员提起此事时，工作人员说，这个鉴定处无法出具鉴定证书，之所以设立这么个鉴定处，无非就是对参展商有个震慑作用，同时为消费者提出些建议，让老百姓心里有点儿底，真说要权威检测，还是得找专业机构。 　　追问：为何珠宝展上会买到假货？ 　　近年来，抱怨在各类珠宝展上买到假货的消费者越来越多。很多人说，之所以要来珠宝展上消费，首先是出于一种信任，毕竟珠宝展的主办方应该把好第一道关。记者在深入采访中发现，消费者屡屡被骗的确与监管不力和监管难有关。 　　1、监管难 　　李女士在得知8颗宝石为合成石后，曾来找过一次，但当时卖宝石的商家已经不在现场，一问才知其摊位是转租的。其实，珠宝展一般都会明确禁止转租摊位，但作为主办方很难将这条规定落到实处。一位工作人员说：&ldquo 有时候摊位上有生面孔，上去一问，人家说是来帮忙的朋友，我们也没有办法核实。&rdquo 　　2、鉴定难 　　虽然珠宝展一般都设有鉴定处，为消费者免费鉴定，但鉴定师能力参差不齐，带到现场的鉴定设备也十分有限。比如像光谱仪这样最准确的鉴定仪器，是无法带到珠宝展现场的。一位多次参展的老鉴定师告诉记者：&ldquo 在现场多项测量无法实现，我们看了东西，只能说它从某项数据来看可能是什么，谁也不敢定性，买不买还得顾客自己决定。商户很难应付，你说人家东西假了，人家找来打架，非常犯难，有时候也只能给顾客一些暗示，但不见得人人听得懂。&rdquo 这位老鉴定师还提到，现在宝石鉴定证书的管理也存在监管问题，做假证的情况时有发生，有些假证在网上还能查到，&ldquo 真不知是哪个环节出了问题，相关部门应该查一查。&rdquo 　　3、定性难 　　李女士遇到的这种情况究竟算不算造假，业内人士也有不同看法。有的鉴定师认为，这只能说是以次充好，毕竟合成石在珠宝展上是允许销售的，但合成石一旦与天然石有类似性状，就有可能出现冒充的情况。 　　&ldquo 其实，说到真正造假，有一个问题必须注意。&rdquo 一位珠宝鉴定师说，有些人工合成珠宝的方法其本意并非造假，有可能是实验室的一些研究成果，为的是替代天然宝石以节约生产成本，这些成果一旦流出，就有可能成为珠宝市场新的造假手段，实验成果的保密和监管工作也必须得到相关部门的重视。

KLA Instruments拥有如今的光学轮廓仪组合，是早先各品牌合力创新的结果：1.ADE 发布了 MicroXAM 白光干涉仪。2.Zeta&trade Instruments 开发了 ZDot&trade 和多模式光学轮廓仪。3.KLA旗下Filmetrics® 推出了新型、通用的白光干涉仪。KLA Instruments 品牌下多样化的光学轮廓仪产品都拥有各自悠久的创新历史。1999ADE Phase Shift 推出了 MicroXAM 光学轮廓仪，具有埃米级灵敏度，可用于超光滑表面的相移干涉测量，以及更大台阶高度样品的垂直扫描干涉测量。2006KLA 收购了 ADE 公司，为 KLA 的桌面式量测组合增加了 MicroXAM-100 光学轮廓仪，并推出了面向半导体市场的衬底几何形貌和缺陷检测解决方案。2010Zeta-20 是 Zeta Instruments 推出的第一款产品。Zeta-20 是使用 ZDot&trade 专利技术的光学轮廓仪，它结合了结构照明、共聚焦光学以生成高分辨率的3D表面形貌数据和表面真彩图像。该技术使用户能够轻松地聚焦在任何透明或不透明的表面上，从而实现对台阶高度和粗糙度的快速测量。多模组光学系统将 ZDot 技术与白光干涉仪、剪切干涉仪、透明薄膜反射光谱仪和自动缺陷检测功能相结合，扩展了非接触式3D 光学轮廓仪的应用场景。同年，Zeta-200 发布，带有自动化载台，并推出了发光二极管 (LED) 应用的解决方案。Zeta-200 光学轮廓仪利用高透射光学设计、背光源照明技术和专有算法来测量图形化的蓝宝石衬底 (PSS)。 该系统可以适应各种形状的 PSS 凸起，测量视场中所有 PSS 凸起的高度和间距，从而避免仅测量一小部分区域而产生错误的凸起信号或导致的结果偏差。通过多模式光学系统，还可以测量在 PSS 制造过程中薄膜厚度的变化以及样品的翘曲度。最后，通过自动缺陷检测功能，Zeta-200 可以识别不同缺陷的种类，如剥落的凸块、划痕和颗粒。2011Zeta-280 在 Zeta-200 平台的基础上增加了一个适配单个晶圆盒的桌面式机械手臂。Zeta-300 光学轮廓仪支持测量最大8寸的器件。该系统采用一体化主动或被动隔振平台，并搭配隔声罩隔离环境中的噪声。2012Zeta-20 采用 ZDot技术，为封装微流体器件等透明多表面应用场景提供了一种创新的测量解决方案。微流体器件的封装工艺通常会改变通道的尺寸和外形，从而影响器件的性能。因此，封装后的测量对客户的产品控制至关重要。Zeta-20高透射率的光学设计使得ZDot 信号在经过多膜层透射后仍能保持足够强度，从而可以实现对微流体器件玻璃盖板封装前后关键尺寸参数的测量，例如盖板的厚度、微流体通道的深度和尺寸。同年，将 Zeta-280的桌面式机械手臂与 Zeta-300 平台相结合，推出了Zeta-380自动化测量设备。2014MicroXAM-800 集成了Ambios 和 ADE 相移干涉测量技术的最佳硬件和算法，并搭配创新且易用的软件，用于台阶高度和粗糙度的自动测量。2015基于Zeta-20推出太阳能行业创新解决方案，用于绒面和丝网印刷的工艺控制。太阳能光伏的成本控制和提升转化率，推动着晶硅光伏的技术迭代。金字塔绒面的规格和表面栅线印刷的质量，对晶硅光伏的转化效率产生重要影响，因此成为产品控制的关键环节。绒面工艺控制对于控制绒面金字塔结构的高度、外形和尺寸分布至关重要，因为这会影响太阳能电池的光捕获效率。Zeta-20提供了专为绒面金字塔测量的解决方案，可实现金字塔结构的自动探测和统计。金属栅线采用丝网印刷工艺，该工艺会带来金属栅线的宽度、高度、体积、电学特性等方面的变化，从而增加器件的制造成本。Zeta-20的高动态范围测量模式（HDR）为金属栅线工艺提供了测量解决方案，可实现对反射率差异较大的材料测量。在太阳能电池制造工艺过程中，HDR模式被用于测量镀有减反膜涂层绒面表面的金属栅线3D形貌。同年，推出了Zeta-360 和第一代 Zeta-388 产品，提供了基于Zeta平台的晶圆自动化处理解决方案。 2016Profilm3D 是一款基于白光干涉原理的光学轮廓仪，可以适用于多种应用场景，包括薄膜厚度、表面粗糙度、台阶高度等表面形貌测量，是一种高性价比的三维表面形貌测量解决方案。2017Zeta Instruments 加入KLA Instruments 集团，为KLA光学轮廓仪引入 ZDot 技术和多模式测量技术，扩充KLA光学轮廓仪的产品线。Zeta系列用于3D表面形貌测量，支持研发、生产和全自动化环境。2018KLA旗下Filmetrics 推出了世界上首个专门用于3D形貌数据处理的网络应用程序ProfilmOnline® ，利用网络浏览器和强大的智能手机功能，使用户无需电脑即可分析、存储和共享3D数据，包括光学轮廓仪、扫描探针显微镜（如原子力显微镜）和其他三维成像显微镜等获取的三维形貌数据。用户可以便捷地从 Filmetrics Profilm3D 光学轮廓仪上传数据，对其进行分析，并与同事共享测量结果。ProfilmOnline® 允许用户通过跨平台的任意设备，随时随地访问数据。Profilm3D 增加了 TotalFocus&trade 功能，提供其样品表面的3D自然彩色图像。新一代Zeta-388光学轮廓仪是非接触式三维表面形貌测量系统。该系统在Zeta-300的基础上，更新了用于全自动测量的机械手臂操作系统。Zeta-388支持OCR和SECS/GEM，从而可用于全自动产线的生产制造。该系统提供了具有生产价值的工艺控制测量，如PSS上的凸块高度、粗糙度和台阶高度。Zeta-388凭借在图形化蓝宝石衬底 (PSS)工艺中的应用荣获2018年化合物半导体行业量测奖。2019Filmetrics 正式加入 KLA Instruments 集团。在薄膜厚度、材料光学特性（n、k 值）的测量方面，Filmetrics 系列薄膜测量仪扩充 KLA 桌面式量测产品线。Filmetrics Profilm3D 光学轮廓仪扩充 KLA光学轮廓仪产品线，为客户提供高性价比的表面形貌测量解决方案。2020Profilm3D-200 具有一个行程为 200mm的自动样品台，可放置200mm直径的晶圆样品。2023KLA Instruments 推出Zeta-20HR高分辨率光学轮廓仪，专为满足新型太阳能电池的结构表征和下一代生产工艺的量测需求而设计。Zeta-20HR提高了光学轮廓仪的分辨率，将对太阳能电池结构的表征能力拓展至1µ m以下。这款新型的Zeta光学轮廓仪，基于具有ZDot技术的Zeta-20设计，可配置230mm x 230mm尺寸的样品载台，并具备所有标准化且易用的多模组测量能力。Zeta光学轮廓仪是太阳能电池工艺研发和制程控制的理想量测工具。如需申请测样或产品咨询,可通过仪器信息网和我们取得联系！

中国中西部地区第八届色谱学术交流会暨仪器展览会/青海省化学与材料学会色谱专业委员会成立首届年会(第二轮通知)　　主办单位：甘肃省化学会色谱专业委员会　　中国科学院兰州资源环境科学大型仪器区域中心　　青海省化学与材料学会　　承办单位：中国科学院西北高原生物研究所公共技术中心　　青海省青藏高原特色生物资源研究重点实验室　　甘肃省分析测试技术与仪器学会　　一、会议日期　　中国中西部地区第八届色谱学术交流会暨仪器展览会/青海省化学与材料学会色谱专业委员会成立首届年会定于2022年9月24日-26日在青海省西宁市举行。　　二、会议介绍　　会议内容包括：大会报告、大会特邀报告、专题报告与讨论。会议期间还将组织相关仪器及其配件展示。　　本次会议将是我国中西部色谱工作者的又一盛会，预计与会代表 200人左右，并将邀请部分国内著名学者与会作大会特邀报告。本次盛会将为广大色谱工作者以及从事色谱仪器设计与制造的厂商提供相互交流和展示的平台。欢迎广大科技工作者积极参加，踊跃投稿。欢迎相关公司、企业利用此次契机，扩大影响，参与会展。　　三、会议重要日期　　2022年 7月29日 第二轮通知 (会议详细安排)　　2022年 8月31日 提前注册缴费及论文摘要投稿截止　　2022年 9月10日 第三轮通知(会议详细日程)　　2022年 9月24日-26日 会期　　四、征文范围　　本次会议将集中交流液相色谱、气相色谱、逆流色谱、毛细管电泳等色谱及其相关技术分离分析领域的研究、开发成就，包括多维色谱技术、色谱质谱联用技术等相关的基础、仪器、方法等：　　1、色谱基础 包括新固定相 新检测方法 样品制备 联用技术 多维分离 芯片实验室 分离机制 制备色谱 快速和超快分离 手性分离 电驱动分离 小型化、微型化色谱 痕量分析 自动化 化学计量学。　　2、色谱应用 包括基因组学/蛋白组学 代谢组学 药物代谢 生命科学、生物分析 生物技术工业中的分离科学 HPLC 柱表征 环境和有毒物分析 生物医学和药物应用 天然产物和食品分析 石油和工业应用 单细胞分析中的应用。　　凡在上述领域的基础研究、新方法新技术发展、分析应用、仪器及其部件研制等方面水平较高的论文均可应征。　　五、论文格式要求及投稿邮箱　　论文要求：内容简明扼要，能反映工作特色，含图表和参考文献不超过两页的论文详细摘要。　　论文具体格式如下：　　页面：A4 标准(宽：21厘米，长：29.7 厘米)。　　页面设置：左右上下各留空白 2.5 厘米。　　论文题目：三号黑体，居中。作者名：小四号仿宋，居中。单位名、市名、邮编、E-mail　　地址：五号宋体，加圆括号，居中，下空一行。关键词(五号宋体，自版芯左起顶格)，正文(小标题 小四号黑体 内容 五号宋体，行距固定值 16 磅)、主要参考文献(小五号宋体，自版芯左起顶格)。　　论文电子版请按格式要求排版后发送至E-mail邮箱(tanliang0206117@163.com)，并请在邮件主题上写明“色谱会议投稿”字样，同时在邮件中写明投稿者联系方式(电话，传真，e-mail及详细邮寄地址等)，方便接收后续通知。　　论文征集截稿日期：2022年8 月31日。　　六、墙报格式要求　　请需要墙报展示的参会者自行设计制作、彩色打印并携带墙报参会。　　墙报规格为竖版，90cm(宽)*120cm(高)。　　七、会议地点　　西宁蓝宝石大酒店，青海省西宁市城西区胜利路21号。　　八、会议日程　　九、会议注册、会务费标准及缴纳　　1、会议注册：　　请通过以下会议二维码和网址注册。　　https://d.eqxiu.com/s/olBJxIsY?share_level=1&from_user=20220728f9252e3d&from_id=da56d797-4&share_time=1658976423496　　2、会务费标准：　　3、会务费缴纳：　　本次会议委托青海省专利服务中心有限公司代收会务费并出具发票，汇款时请注明“会务费”。汇款信息如下：　　单位名称：青海省专利服务中心有限公司　　纳税人识别号：916300004400011034　　地址电话：青海省西宁市城西区胜利路5号10号楼0971-6132509　　开户银行账号：中国银行西宁市新宁路支行 105042705789　　十、会议住宿、用餐和交通　　1、会务组统一安排住宿，费用自理。　　(1)西宁蓝宝石大酒店，青海省西宁市城西区胜利路21号。标准间和大床房均为520元/间(含早餐)。　　(2)维也纳酒店(胜利路店)，青海省西宁市城西区胜利路22号。标准间和大床房均为280元/间(含早餐)。　　2、会议期间午、晚餐为自助餐，用餐地点：西宁蓝宝石大酒店，青海省西宁市城西区胜利路21号。　　3、本次会议不安排接送站,请代表自行选乘交通工具到达。　　十一、会议赞助事宜　　本着以会养会、促进产学研合作的原则，，会务组诚挚欢迎广大优秀色谱及相关企业为大会提供赞助，合作共赢!借此机会提升公司品牌与知名度度，推广推荐公司产品。　　具体“赞助方案”联系：李玉林 13519719519(微信同号)　　赞助费汇款请注明“色谱会议赞助费”。汇款信息如下：　　户 名：西宁启帆企业管理咨询服务有限公司　　开户行：中国银行西宁市大什字支行　　账 号：105048846645　　十二、联系方式　　会议总负责人：　　师彦平研究员，张耀南研究员，王敏研究员　　会务负责人：　　李玉林研究员，中国科学院西北高原生物研究所，13519719519，　　liyulin@nwipb.cas.cn　　邱洪灯研究员，中国科学院兰州化学物理研究所，13919143703，　　hdqiu@licp.cas.cn　　会务秘书组联络方式：　　摘要投稿及墙报：谭亮 18297117286(微信同号)，tanliang0206117@163.com　　王环15202580197，赵静13897646902，王婷13897213312　　财务相关：贺明珠15297116435，王婷13897213312　　参会回执.docx　　中国中西部地区第八届色谱学术交流会暨仪器展览会组织委员会　　中国科学院西北高原生物研究所公共技术中心(代章)　　2022年7月29日

2012年5月15日，由中国仪器仪表行业协会主办、北京朗普展览有限公司承办的“第十届中国国际科学仪器及实验室装备展览会(CISILE 2012)”在中国国际展览中心隆重召开，约超过500家国内外科学仪器及实验室装备相关展商参加了此次展会。　 此次展会展出产品涉及分析测试仪器、光学仪器及设备、实验室设备及耗材、生化仪器、生命科学仪器、材料性能试验设备、计量仪器、环境与工业仪器等。大昌华嘉商业（中国）有限公司科学仪器部在本次展会中展出了美国鲁道夫公司旋光仪，折光仪，密度计；美国麦奇克公司激光粒度分析仪，纳米粒度及Zeta电位分析仪 以及Blue Marlin博林Mini-Cycler系列PCR仪，摇床，浓缩仪等仪器，引起了现场观众的广泛关注。 大昌华嘉(Blue Marlin 博林)Mini-Cycler系列个人PCR仪器 Blue Marlin博林 Mini-Cycler系列PCR仪专为个人使用而设计，可容纳20-48个样品，紧凑小巧。仪器采用先进的Peltier技术，升温速率可达5℃/秒，并可在监视屏上改变升温速率。Mini-Cycler系列PCR仪有以下型号: Mini-Cycler，Mini-CyclerG，其中Mini-Cycler基础型PCR仪最经济并且性能最高；Mini-CyclerG大容量梯度PCR仪具有阶梯功能，可容纳48个微管，并内置梯度计算功能。 美国麦奇克纳米粒度及Zeta电位分析仪 美国麦奇克纳米粒度及Zeta电位分析仪采用最新的动态光散射技术，引入能谱概念代替传统光子相关光谱法 采用专利的“Y”型光纤光路系统，通过蓝宝石测量窗口，直接测量悬浮体系中的颗粒粒度分布，在加载电流的情况下，与膜电极对应产生微电场，测量同一体系的Zeta电位，避免样品交叉污染与浓度变化 专利的异相多谱勒频移技术，较之传统的方法，获得光信号强度高出几个数量级，提高分析结果的可靠性。同时，仪器在外形设计上也做了很大的改进，外观十分优美。

导 语在中国历史悠久的文化传统中，玉文化备受推崇，宝石类较少使用，目前还没有发现汉代及之前有开采和使用绿柱石的证据，绿柱石类的珠饰品主要经过陆上或者海上丝绸之路由海外传入。南临北部湾的广西合浦，在1988年发掘的汉代古墓中，出土了一批宝石珠饰类文物，以前缺乏检测仪器，该批宝石珠饰一直被认为是水晶。直到20多年后，使用拉曼光谱、X射线荧光光谱仪等现代科学仪器，无损检测该批文物69颗宝石珠饰，鉴定其中28颗为水晶、36颗为绿柱石（海蓝宝石、透绿宝石等）、其余为铁铝石榴石、钾硅酸盐玻璃等。合浦古墓出土文物由“水晶”正名为“绿柱石”，赋予了文物特定的历史意义，证实在2200多年之前，作为古代海上丝绸之路沿途的合浦，与海外有着繁荣的贸易往来。 图1 合浦汉代古墓出土珠饰类文物（图片来自于网络） 宝石外观的绚丽多彩性宝石种类繁多，以其绚丽多彩的外观获得人们的喜爱，如四大宝石之一的祖母绿属于绿柱石种类。绿柱石是一个色彩丰富的宝石品种，有浅蓝色的海蓝宝、绿色的祖母绿、粉色的摩根石、无色的透绿柱石等。水晶也多具有绚丽的外观和多变的色彩，包含有无色、粉色、紫色、黄色，茶色等，外观色彩与绿柱石极为相似，为绿柱石的相似宝石。其他种类和绿柱石相似的宝石还有石榴石、碧玺、尖晶石、沙弗莱、玻璃、合成宝石等。 图2 海蓝宝石珠饰 （汉代） 图3 祖母绿表 （斯图亚特王朝） 图4 摩根石（1911年马达加斯加首次发现） 图5 水晶石蝉（战汉时期） 图6 石榴石发簪（维多利亚时期） 图7 合成海蓝宝石（现代） EDX-7000揭开宝石成分的秘密宝石都具有绚丽的外观，不同宝石的组成元素等却各不相同，宝石外观色彩与其含有的微量元素有关。岛津EDX-7000能量色散型X射线荧光分析仪，可以快速无损分析宝石成分。本文以绿柱石及其相似宝石等6种样品的成分检测，重现文物珠饰等宝石的成分分析鉴定过程，揭开宝石的组成成分秘密。 图8 EDX-7000能量色散型X射线荧光分析仪 l 新型硅漂移检测器（SDD)，更高灵敏度、更高分辨率、更快分析速度；l 高清晰度COMS摄像系统，多种准直器的选择，适用于样品选择指定区域定位分析；l 完善的FP法分析软件，应用于样品的成分分析，可以对宝石成分进行无损分析；l 元素分析范围：13Al-92U（大气）、11Na-92U（真空）。 EDX分析绿柱石成分宝石中的组成元素多以氧化物存在，EDX分析结果中以氧化物形式表征组成元素。绿柱石为铍铝硅酸盐矿物，基本化学式为Be3Al2(Si2O6)3，组成物质理论含量为SiO267.07%、Al2O318.97%、BeO 13.96%。自然界出产的宝石成分可能与理论值略存在差异。天然纯净的绿柱石是无色透明的，绿柱石中的Be、Al可被不同元素所替代，替代元素的存在产生了多种不同颜色绿柱石，常见有无色、绿色、黄色、浅橙色、粉色、红色、蓝色、棕色、黑色等。绿柱石类宝石的颜色及其致色离子是宝石研究及鉴定的重要项目指标。如透绿柱石不含致色元素；祖母绿由Cr3+或者是Cr3+、V3+共同致色形成，祖母绿中含有Fe3+对颜色起到微调作用；海蓝宝主要由Fe2+和Fe3+之间价态的转换造成的；摩根石的粉色调是由于存在的Mn2+和Cs、Rb所导致。 图9 海蓝宝石 图10 祖母绿 图11 摩根石 图12 合成祖母绿 表1 EDX分析绿柱石成分 绿柱石分析结果显示主要组成元素为SiO2、Al2O3及其微量元素组成，Be不在EDX的元素检测范围内，Be元素的量依据理论值固定。天然绿柱石中多见含有Rb、Ga元素，除主要组成元素外，海蓝宝石中检出Fe等微量致色元素。天然祖母绿中含有Rb、Ga，同时检出微量Cr、V等主要致色元素。摩根石（粉色绿柱石）含有Rb、Ga，同时检出微量Cs、Mn等致色元素。合成祖母绿中缺失Rb、Ga元素，含有致色元素Cr、V，同时可见含有元素Cl、Cl在天然绿柱石中没有检出，Cl元素为水热法合成绿柱石的特征。 EDX分析铁铝榴石成分铁铝榴石通常呈暗红色至棕红色的半透明状晶体，基本化学式为Fe3Al2(SiO4)3，组成物质的理论含量为Fe2O3 43.30%、Al2O3 20.49%、SiO2 36.21%。常见的颜色以红色色调为主，包括褐红色、粉红、橙红等，其色彩与所含的Fe、Mn、Cr等金属元素有关系。铁铝榴石中Fe2O3、Al2O3、SiO2含量接近理论值（表2），铁铝榴石成分明显区别于绿柱石。 图13 石榴石 表2 EDX分析铁铝石榴石成分 EDX分析水晶石成分水晶的主要化学成份是SiO2，纯净时形成无色透明的晶体，当含微量元素Al、Fe等金属元素时可呈现粉色、紫色、黄色，茶色等。水晶石主要由SiO2元素组成（表3），水晶石成分明显区别于绿柱石。 图14 水晶石 表3 EDX分析水晶石成分 总结文物宝石纵使穿越千年，现代仪器仍能识别真身。利用岛津EDX-7000能量色散型X射线荧光光谱仪分析宝石成分，可以快速得到样品的组成结果，依据成分信息从相似宝石、合成宝石中进行筛选区分。依据组成的微量元素，宝石色彩外观，判定致色元素，初步筛选区分宝石种类。可结合宝石其他项目的检查结果，对宝石进行综合判定，适用于绿柱石等宝石分析鉴定的辅助分析。

天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室”的专利，授权公告号为CN111863702B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2020年7月30日。背景技术图形化衬底技术(Patterned Sapphire Substrates，PSS)是目前普遍采用的一种提高氮化镓(GaN)基LED器件出光效率的方法，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用电感耦合等离子体Inductively CoupledPlasma，ICP)刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。该方法可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小了有源区的非辐射复合，减小了反向漏电流，提高了LED的寿命。有源区发出的光，经由GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，从而提高了光的提取效率。现有技术中，通常采用包括托盘主体和盖板的盖板托盘组件进行PSS工艺，其中，托盘主体具有放置晶片的晶片槽，盖板底部具有压爪，压爪用于固定晶片，防止晶片由于背氦的吹里作用而发生移动。而对于圆锥形的PSS工艺，其参数指标通常要求高度为1.75～1.85um(微米)，底宽为2.7～2.85um，边缘0.5以内不黏连。但是，采用现有的托盘及PPS工艺，得到的图形在晶片压爪区域经常发生底部黏连的现象，导致底宽(底宽＝3.0um)过大，靠近压爪边缘图形对称性很差(两边分别距中线的距离相差约800nm，两段距离差越大对称性越差)，出现外延雾化现象等，从而造成了较大的边缘形貌问题。鉴于此，亟需一种新的盖板托盘组件以改善上述PSS工艺后出现的晶片边缘形貌问题。发明内容本发明提供一种盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室，包括：托盘主体、盖板及中间介质，其中：托盘主体用于承载晶片；盖板设置于托盘主体上，在盖板上设置有压合部，压合部与晶片的边缘接触；中间介质设置于托盘主体与盖板之间，且中间介质的上表面和下表面分别与盖板和托盘主体接触，用于使托盘主体与盖板之间形成一空间，以能够降低压合部与晶片之间的电势差。应用本申请，可以降低压合部上表面与晶片上表面的鞘层电势差，从而降低压合部和晶片的连接处形成的电场偏转程度，避免造成现有技术中晶片压爪区域发生底部黏连，导致底宽过大、靠近压爪边缘图形对称性差等，继而有效改善了PPS工艺过程中的边缘形貌问题。

在我们的生活中，高压科学无处不在，通过先进的高温高压装置模拟极端条件下物质原位物性表征技术，在新物质合成、新材料研发、地学研究等领域有着重要应用。中国高压科学虽然比发达国家起步晚，但发展迅速。很多领域实现了国产化突破，涌现了很多优秀的“国产高温高压装置”，湖北洛克泰克研制的多面顶大腔体压机，就是其中的代表之一。新中国成立前，国内从事高压物理研究人才非常少。随着美国GE公司首次实现人造金刚石合成的消息传开，全世界都意识到高温高压技术的重要性。在国外全面技术封锁、国内工业界缺乏制造高压科研设备经验的环境下，中国人自力更生，逐步掌握了高温高压大压机装置技术。在1965年成功研制出首台铰链式“六面顶”大压机，为国内钻石培育产业打下坚实基础。随后，掌握了6-8式二级加压技术。 站在新的时代起点，国产多面顶大腔体压机及八面体耗材在很多新兴研究领域发挥着重要应用。1、金刚石单晶制备在自然界，金刚石是一种硬度非常强的物质，广泛应用于磨削、修正、钻探等工具。随着社会发展，天然金刚石产量无法满足工业需求，人造金刚石解决了这一痛点。八面体金刚石作为一种新型的超硬材料，具有较好的晶型一致性和较高的晶面强度，锋利度高、耐磨性好，适用于高精度、高效率修正磨削领域。2、纳米材料研究纳米技术在电子领域有着重要应用，通过控制材料的形貌尺寸，制备出尖端纳米晶体管，在集成电路和纳米电子器件中实现更高的性能。通过高温高压多面顶大腔体压机及八面体技术打造的“6顶、8面、12棱”的立体体素结构，可以制备八面体微纳米晶体管、纳米光电器件、纳米传感器、纳米颗粒催化等。3、光学陶瓷技术光学陶瓷是一种特殊的光学材料，它不同于传统晶体、玻璃光学材料，光学陶瓷在光学传输、成像、激光器等方面有着独特的优势，比如高端防弹材料氮氧化铝AlON就是通过高温高压技术实现的，性能与蓝宝石相当。4、地球科学研究全球80亿人口生活在地球上，但我们对于赖以生存的家园了解并不多，研究地球演化历史、地质灾害发生机制、全球环境变化等，都离不开高温高压实验技术。通过高温高压多面顶大腔体压机及八面体装置模拟实验条件，探索地球内部物质相变行为、岩石圈动力学、地球流变机制等，探索地球奥秘，造福人类。湖北洛克泰克研制的大压机采用6-8式二级加压高温高压装置，利用碳化钨压砧，可在样品上产生＞20Gpa高压，＞2000℃高温，压机吨位可到1000、2000顿，压力误差±0.5bar，整套装置运行稳定，噪音极小，维护简便，非常适合高温高压实验应用。 湖北洛克泰克公司作为国产高温高压知名厂商，产品在中科院院所、吉林大学、北京高压科学中心等科研机构交付应用，助力中国高压技术创新。

集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石，这种材料具有卓越的绝缘性能，即使在厚度仅为1纳米时，也能有效阻止电流泄漏。相关成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》为题，8月7日发表于国际学术期刊《自然》。中国科学院上海微系统与信息技术研究所成果登上《自然》。（海报由受访团队提供）二维集成电路是一种新型芯片，用厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料构建，有望突破传统芯片的物理极限。然而，二维半导体沟道材料缺少与之匹配的高质量栅介质材料，导致二维晶体管实际性能与理论存在较大差异。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰说。狄增峰表示，传统的栅介质材料在厚度减小到纳米级别时，绝缘性能会下降，进而导致电流泄漏，增加芯片的能耗和发热量。为应对该难题，团队创新开发出原位插层氧化技术。“原位插层氧化技术的核心在于精准控制氧原子一层一层有序嵌入金属元素的晶格中。”中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员田子傲说，“传统氧化铝材料通常呈无序结构，这会导致其在极薄层面上的绝缘性能大幅下降。与非晶材料相比，单晶氧化铝栅介质材料在结构和电子性能上具有明显优势，是基于二维半导体材料晶体管的理想介质材料。其态密度降低了两个数量级，相较于传统界面有了显著改善。”&emsp &emsp 氧化铝薄膜晶圆。（受访团队供图）&emsp &emsp 狄增峰介绍，团队成功以单晶氧化铝为栅介质材料制备出低功耗的晶体管阵列，晶体管阵列具有良好的性能一致性。晶体管的击穿场强、栅漏电流、界面态密度等指标均满足国际器件与系统路线图对未来低功耗芯片的要求，有望启发业界发展新一代栅介质材料。

*以下应用说明基于 ACS Nano publication, 2021 15, 6, 9482–9494. 出版日期: May 27, 2021. 介绍 在传统的平面硅场效应晶体管（FET）中，当其横向尺寸小于晶体管厚度时，栅极可控性变弱，从而导致不利的短沟道效应，包括漏电流、沟道中载流子迁移率饱和、 沟道热载流子退化和 介质层时变击穿。因此，需要减小晶体管主体厚度以确保有效的栅极静电控制。理论研究表明，由于二维 (2D) 材料的原子厚度和表面懸鍵，特别是二维过渡金属二硫属化物 (TMD) 作为沟道材料的性能优于硅，能够实现原子级尺度，优异的静电门控，降低断电功耗，进一步扩展摩尔定律。[1-6] 表征沉积态二维材料的内在物理和电学特性的适当技术是沉积态二维材料的质量与基于二维材料的电子设备性能之间的关键联系。此联系可以帮助我们更好地了解、控制和改进基于二维材料的设备的性能。然而，在没有任何转移和图案化过程的情况下，在纳米尺度上分析沉积态二维材料的固有电学特性的技术是有限的。 在本应用说明中，扫描探针显微镜 (SPM) 用于研究沉积态二维TMD 的固有电学特性。 导电原子力显微镜 (C-AFM) 无需任何图案化，直接在生长态二维材料表面进行扫描。 C-AFM 能够将生长态二维材料的电导率与其形貌相关联，从而将二维材料的电特性与其物理特性（如层厚度等）联系起来。所有这些，C-AFM为我们提供了沉积态2D材料的全面信息，并帮助我们评估这些固有特性对基于二维材料的纳电子学的影响。实验细节 Park NX-Hivac 在高真空（~10-5Torr）下，用 C-AFM 在 Park NX-Hivac AFM 上使用 Pt/Ir 涂层的硅探针（弹簧常数 k~3N/m，共振频率 f0~75kHz，PPP-EFM）评估蓝宝石上生长态 MoS2和WS2层的固有电学特性。高真空环境有助于减少样品上始终存在的水层。[4,6] 将C-AFM测量的偏压施加到样品卡盘上，并通过线性电流放大器测量产生的电流。收集所有 C-AFM 电流图所施加的偏压均为1 V。在样品的顶部和侧面涂上银漆，以确保电接触。结果与讨论 在 C-AFM 电流图（图 1b）中，同轴切割蓝宝石上沉积的 MoS2 层在整个表面上显示出非均匀导电性，尽管图 1a 中的形貌显示了完全聚结的单层 MoS2 ，其顶部约有~37%的表面晶体（命名为1.3 ML）。通过引入离轴 1º 切割蓝宝石作为衬底，MoS2 层的电导率变得更加均匀， 与它们更均匀的表面结构一致（图 1c 和 d）。 总体而言，离轴 1º 切割蓝宝石上约~83% 的单层 MoS2 具有更高的电导率，而使用同轴上切割蓝宝石仅占 51%。 [7] 电导率较低的区域在图 1b、d 中用粉红色标记，阈值电流约为 ~0.3 μA。 因此，通过引入离轴 1º 切割蓝宝石（图 1b、d 中的 49% 到 17%） 可降低较弱导电区域的密度。图1.（a，c）分别在同轴和离轴1º切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2的C-AFM形貌图(b、 d）同时与（a，c）一起获得的 C-AFM 电流图。通过电流阈值（~0.3μA），第一单层MoS2中的非均匀和导电性较弱区域以粉红色突出显示。经许可复制图像。[7] Copyright 2021, American Chemical Society.通过跳过蓝宝石晶片的预外延处理过程，该密度可以进一步降低到约~6.5%（图 2a-b）。具有较低电导率的 MoS2 区域的形状不是随机的，而是对应于特定的下层蓝宝石阶地。离轴 1º 切割蓝宝石上具有较低 MoS2 电导率的区域对应于聚集在一起的阶地。在预外延处理和 MOCVD 过程中，台阶会分解和凝聚。台阶（变形）成型主要由预外延处理和 MOCVD 工艺中使用的高温驱动。正如对离轴 1º 切割蓝宝石所预期的那样，随着 Wterrace 变窄，阶梯聚束变得更可能发生。当单层 MoS2 沉积在离轴 1º 切割蓝宝石上而不进行任何预外延处理时，高导电区域的密度从 83%（图 1d）进一步增加到 93.5%（图 2b）。可以观察到成束台阶（具有更高的 Hterrace，图 2a 中的 5.8%）和导电性较弱的区域（图 2b 中的暗区为 6.5%）之间存在明显的相关性。从图 2c 中的地形和电流图提取的横截面轮廓进一步支持了这一观察结果。然而，在图 2b 中没有完全去除导电性较弱的区域。这应该与生长温度（在我们的工作中为 1000 °C）有关，该温度足以在沉积过程中在蓝宝石表面引入阶梯聚束。[8-10]图2. 蓝宝石上生长的MoS2的不均匀导电性. (a-b）C-AFM 形貌图，同时获得离轴1º切割蓝宝石上1.3 ML MoS2 的电流图. (c）（a-b）位置处的相应横截面高度（红色）和电流（蓝色）剖面. (d- e）形貌图，同时获得同轴切割蓝宝石上3.5 ML MoS2的电流图。经参考文献[7]许可，对图像进行了改编。 Copyright 2021, American Chemical Society.关于观察到的 MoS2 电导率分布的不均匀性，我们发现非封闭顶层中 MoS2 晶体的存在不会影响电导率。 事实上，具有较低电导率的 MoS2 区域与 MoS2 层厚度几乎保持不变，因为它们也存在于 3.5 ML MoS2 中（图 2d-e）：形貌和当前图像中黄色虚线区域的比较表明，MoS2 晶体具有非封闭顶层中方向错误的基面不会影响该区域的导电性。 此外，值得注意的是，不同电导区域的存在不仅出现在 MoS2 外延层中，也出现在蓝宝石上生长的 MOCVD WS2 层中，如图 3 所示。图3.（a-b）同轴切割蓝宝石的形貌图和同时获得的1.7 ML WS2电流图。经参考文献[7]许可，对图像进行了改编。 Copyright 2021, American Chemical Society.因此，较低的导电性主要与完全闭合的第一MoS2单层有关，而不是与非闭合的顶层有关。图4a-b显示了两个第二层MoS2晶体，其中一些区域具有较高的导电性，而另一些区域具有较低的导电性，从而进一步支持了这一点。图4.（a-b）在同轴切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2上第2-3层MoS2岛的导电性。(a）在同轴切割蓝宝石上生长的MoS2的形貌及其相应的（b）电流图。白色的晶体轮廓显示部分区域具有较高的导电性，部分区域具有较低的导电性，表明表面晶体对蓝宝石上MoS2的不均匀导电性贡献不大。(c-f）轴切割蓝宝石上生长的1.3 ML MoS2的降解。(c-d）MOCVD生长后立即收集的1.3 ML MoS2的1 V下的形貌图及其相应的电流图。(e-f）在氮气柜中储存6个月后，同一样品在1 V下的形貌图和电流图。在（c）中没有氧化区，但在（e）中MoS2被部分氧化，这总是与（f）中的较弱导电区相关。经参考文献[7]许可，对图像进行了改编。 Copyright 2021, American Chemical Society.结果表明，蓝宝石起始表面的状态是决定第一层MoS2单层物理和电学性能的关键参数之一。结论通过 C-AFM 评估二维 TMD的固有电学特性，并将其与样品形貌联系起来。我们在沉积的二维 TMD 单层中发现了非均匀导电性，这可能源于：（i）TMD 层厚度变化导致的TMD 表面粗糙度； (ii）蓝宝石表面形貌引起的 TMD 应变；(iii）由于每个蓝宝石阶地的 TMD 形核率的依赖性，TMD 晶粒内缺陷率；（iv）蓝宝石表面结构和终端引起的 TMD 界面缺陷，可能导致不同的局部掺杂效应。进一步的研究正在进行中，将 C-AFM 与先进的光谱技术（如拉曼、PL和TOFSIM）相结合，以进一步探索外延二维材料的固有特性。参考文献 (1) Liu, Y. Duan, X. Shin H.-J. Park, S. Huang, Y. Duan, X. Promises and Prospects of Two-Dimensional Transistors. Nature 2021, 591, 43–53.(2) Su, S.-K. Chuu, C.-P. Li, M.-Y. Cheng, C.-C. Wong, H.-S. P. Li, L.-J. Layered Semiconducting 2D Materials for Future Transistor Applications. Small Struct. 2021, 2, 2000103.(3) Akinwande, D. Huyghebaert, C. Wang, C.-H. Serna, M. I. Goossens, S. Li, L.-J. Wong, H.-S. P. Koppens, F. H. L. Graphene and Two-Dimensional Materials for Silicon Technology. Nature 2019, 573, 507–518.(4) Agarwal, T. Szabo, A. Bardon, M. G. Soree, B. Radu, I. Raghavan, P. Luisier, M. Dehaene, W. Heyns, M. Benchmarking of Monolithic 3D Integrated MX2 FETs with Si FinFETs. In 2017IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2017 p 5.7.1–5.7.4.(5) Smets, Q. Arutchelvan, G. Jussot, J. Verreck, D. Asselberghs, I. Nalin Mehta, A. Gaur, A. Lin, D. Kazzi, S. E. Groven, B. Caymax, M. Radu, I. Ultra-Scaled MOCVD MoS2 MOSFETs with42nm Contact Pitch and 250μA/Mm Drain Current. In 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2019 p 23.2.1–23.2.4.(6) Smets, Q. Verreck, D. Shi, Y. Arutchelvan, G. Groven, B. Wu, X. Sutar, S. Banerjee, S. Nalin Mehta, A. Lin, D. Asselberghs, I. Radu, I. Sources of variability in scaled MoS2 FETs. In 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2020 p 3.1.1–3.1.4.(7) Shi, Y. Groven, B. Serron, J. Wu, X. Nalin Mehta, A. Minj, A. Sergeant, S. Han, H. Asselberghs, I. Lin, D. Brems, S. Huyghebaert, C. Morin, P. Radu, I. Caymax, M. Engineering Wafer-Scale Epitaxial Two-Dimensional Materials through Sapphire Template Screening for Advanced High- Performance Nanoelectronics. ACS Nano 2020, DOI: 10.1021/ acsnano.0c07761.(8) Cuccureddu, F. Murphy, S. Shvets, I. V. Porcu, M. Zandbergen, H. W. Sidorov, N. S. Bozhko, S. I. Surface Morphology of C-Plane Sapphire (α-Alumina) Produced by High Temperature Anneal. Surf. Sci. 2010, 604, 12941299.(9) Curiotto, S. Chatain, D. Surface Morphology and Composition of C-, a- and m-Sapphire Surfaces in O2 and H2 Environments. Surf. Sci. 2009, 603, 2688–2697.(10) Ribič, P. R. Bratina, G. Behavior of the (0001) Surface of Sapphire upon High-Temperature Annealing. Surf. Sci. 2007, 601, 44–49.想要了解更多内容，请关注微信公众号：Park原子力显微镜，或拨打400-878-6829联系我们Park北京分公司 北京市海淀区彩和坊路8号天创科技大厦518室 Park上海实验室 上海市申长路518号虹桥绿谷C座305号 Park广州实验室 广州市天河区五山路200号天河北文创苑B座211

央视蛇年春晚已过去近一个月了,但春晚舞台上美轮美奂的LED显示屏,却还让很多人记忆犹新。而显示屏背后璀璨的数千万颗灯珠,均有一个响亮的名字——“四联造”。 　　据了解,这已经是重庆四联光电连续第二年成为央视春晚显示屏器件的独家供应商。近日,四联光电的LED道路照明系列、LED商业照明系列还获2011-2012重庆市优秀新产品一等奖。四联光电的LED产业链,正在一步步深化。与此同时,四联光电以其世界领先的技术和实力,在人造蓝宝石及其晶片等业务领域不断拓展,成为行业标杆。 　　集团发展历程 　　仪表龙头进军LED行业 　　2012年,我国照明用电约占全国用电量的13%左右。在能源日益匮乏的今天,使用一种高效绿色的照明灯具成为必然选择。据相关专家测算,若将我国全部在用白炽灯替换成节能灯,每年可节电480亿千瓦时,相当于减排二氧化碳近4800万吨,若进一步更换为LED照明产品,将带来更大的节能效果。 　　在LED灯具即将迎来照明市场的又一次革命时,拥有聪明“大脑”的“四联造”LED路灯,节能率高达75%,寿命长达8年以上,已然站在了行业的前端。实际上,自高起点切入蓝宝石及LED行业以来,四联集团不断刷新行业纪录。但作为仪表行业老大哥的四联集团为何会挺进LED照明行业? 　　在进军蓝宝石及LED产业之前,四联集团已经连续8年稳居国内仪器仪表行业龙头地位,但行业规模成为企业发展的天花板,如何依托固有资源进行相关多元化,给四联集团提出了发展的新命题。 　　蓝宝石促多元化发展 　　2008年,全球金融危机爆发,世界500强美国霍尼韦尔公司出于自身发展需要,有意出售加拿大蓝宝石工厂,橄榄枝首先抛向中国的友好城市——重庆。 　　四联集团相关负责人介绍,集团在宝石元件生长、加工方面的经验技术以及与霍尼韦尔自控技术之间的合作渊源,成为接受橄榄枝的最佳人选。集团充分“理解”此次收购的意义将非常深远,因为彼时国内没有一家企业能完整地生产出蓝宝石衬底。即使是最小的2英寸衬底,也大量依赖进口,而霍尼韦尔已经具备生产4英寸衬底的技术。如果收购成功,势必将掌握世界顶尖的蓝宝石制备技术,为四联集团实施相关多元化发展战略提供原动力。 　　通过数次谈判及重庆市政府的斡旋,2008年4月,四联集团成功收购美国霍尼韦尔蓝宝石业务,8月,成立四联加拿大蓝宝石工厂,同年底,组建重庆四联光电科技有限公司,自此,四联集团的业务版图上添上了新成员——蓝宝石及LED。 　　产业发展现状 　　高端技术助蓝宝石生长 　　这次收购开启了重庆国企海外收购的先河,也给四联集团带来空前的压力,如何消化好顶尖技术,不至造成“蛇吞象”的局面?四联集团用复制再创新解答了这道难题。 　　2008年12月,四联集团LED产业基地在两江新区蔡家同兴工业园起航,成功复制加拿大蓝宝石工厂。集团相关负责人介绍,在复制工厂的同时,集团加快高端人才的聚集,相继从美国、日本等海外和国内引进数名高端光电产业专业人才,在四联光电成立技术研发中心。仅一年多时间,通过攻克技术壁垒,成功消化蓝宝石晶体提法拉和泡生法两项蓝宝石生长技术,高端核心技术实现从“无”到“有”的跨越。 　　“在‘有’的同时,四联光电也加快‘创’的步伐。”四联集团相关负责人介绍,研发中心现已具备生长、加工和研发世界顶级品质大尺寸蓝宝石的能力,拥有85公斤级以上大尺寸高品质蓝宝石晶体的批量生产能力,成功实现30kg和60kg级蓝宝石生长设备的国产化,在极大节约生产成本的同时为快速扩充产能未雨绸缪。目前,公司大尺寸晶片制备技术世界领先,是国际半导体行业协会制订大尺寸蓝宝石衬底国际标准的重要成员,其6英寸、4英寸晶片畅销国际市场,是osram、philips等世界顶级照明制造商的首选合作伙伴和核心供应商 以蓝宝石晶片为衬底的封装产品技术已经达到国内先进水平,成功与天马微、信利、金立翔、利亚德、州明科技、史福特、阳光照明等LED应用行业龙头企业建立战略合作伙伴关系。 　　依托实力突破技术瓶颈 　　解决了产业链顶端技术的瓶颈,四联集团开始布局全产业链战略,依托蓝宝石生长加工和芯片封装技术,延伸出LED照明业务,高端技术逐渐从“幕后”走到“台前”,照亮产业发展前景。“四联造”LED智能路灯一经推出,犹如在市场上投入一颗重磅炸弹。 　　集团相关负责人介绍,多年来,国内LED路灯照明实际应用效果不尽如人意,“光衰”、“亮度”以及“雷雨天气罢工”等都是困扰行业的技术难题。做仪表出身的四联集团凭借拥有工业智能化和可靠性技术的深厚底蕴,磨砺出对细节、技术的要求更专业、准确而富有前瞻性,创新性地解答了这一难题。多年军品生产的经验以及材料、结构、热传导理论的完美结合,形成了独特的专利技术,一举攻克“散热”难关,大大延长使用寿命。 　　为达到精益求精的照明效果,四联光电突破同行“仅重视照度均匀度”的局限,采用专利二次光学技术,使照度与亮度比值更低,相同的光通量可获得更高的亮度,提高经济性,设计眩光值不超过5,不仅远低于18的行业普遍水平,更低于10的国家标准。并根据具体路面反射特性、环境及交通状况,结合光源光学与应用光学设计,综合考虑环境比,使光学诱导性实现最佳。“同时,看似平常的流线型外观,经过精心设计不仅美观,而且风阻小。”该负责人介绍说。 　　打造完善城市监控平台 　　“而在研发之初,四联集团还推出另一个更具创新性的举措,把主导产业自动化控制的优势应用到LED灯具上,智能化成果再次引起业界瞩目——城市智能LED道路照明系统。”集团相关负责人介绍,该系统既能通过接收指令完成统一或分组开关、周期性管理、智能调光等,又能将故障等“疼痛”信息通过“神经”(无线上传系统)传送到“大脑”(中央控制系统),同时,通过对终端控制器进行自动化升级,还可以实现对城市各个节点的能耗、污染、噪音、气象……进行实时采集,进而打造成一套完善的城市监控平台,与以前照明系统相比,节约能耗可达75%以上。“四联造”系列创新成果在业界树立了行业标杆。 　　创新营销模式激活市场 　　在国家大力倡导节能减排,构建环境友好型和资源节约型社会的背景下,节能环保、高效智能的“四联造”LED灯具迅速批量生产,相继推出道路照明、工矿照明、通用照明、景观亮化、特种应用等领域系列产品,顺利通过国际、国内认证,性能均优于国内同行。相关负责人介绍,为更好地服务民生,四联光电创新引入合同能源管理,该模式是一种基于市场的、全新的节能新机制,以减少的能源费用来支付节能项目全部成本的节能投资方式。高端的产品、低价的合同模式,迅速激活市场的一池春水,订单纷至沓来。2011年来,四联LED智能照明系统相继在重庆主城及区县、贵州六盘水、吉林蛟河、安徽黄山等地推广应用:全球最大城市智能LED道路照明系统重庆渝武高速北碚段 亚洲第二长高速公路隧道——甘肃麦积山隧道 总计1亿多颗LED灯珠装配的显示屏以“零失误”闪耀2012、2013年央视春晚舞台…… 　　新型工业化带动产业集群发展 　　产业的快速发展,带来战略布局的新问题,四联集团通过合资合作,投资建厂,以新型工业化集约优势资源,带动蓝宝石及LED产业集群发展。2012年7月,四联集团与重庆高速集团共同出资组建重庆四联交通科技有限公司,强强联合将本地市场需求演变为优势产业,打造我国交通领域领先的专业化智能交通节能照明、智能交通设备开发企业。2012年6月,四联集团总投资10亿元的高新技术西北产业基地落户兰州新区,LED照明装备等四大产业的生产线建成后销售收入可达26.6亿元。2011年,斥资21亿元在重庆武隆白马工业园建立蓝宝石及LED、芯片封装、照明应用等绿色环保产业链,建立LED生产基地,在保留该县得天独厚自然生态的基础上创造新的经济增长极。 　　发展目标规划 　　打造全球化LED产品供应基地 　　技术赢得尊重,市场赢得发展。短短5年间,四联光电已建成重庆市企业技术中心,拥有专利66项,蓝宝石2、3、4英寸衬底晶片被评为重庆市名牌(知名)产品,LED道路、商业照明系列获评重庆市2011-2012年度优秀新产品一等奖,参与国家863项目及相关行业标准的制订,在最新的国内LED行业排名榜上,四联光电已跃居第二位。 　　伴随四联光电的成长,国内半导体照明市场在激烈的竞争中正迎来一个黄金期。到2015年,国内60W以上普通照明用白炽灯将全部淘汰,市场占有率将降到10%以下。据统计,到2020年全球照明市场规模将超过1500亿美元,LED照明市场有望达到750亿美元,占全球照明市场份额50%。 　　面对市场的黄金期,四联集团蓄势待发。集团相关负责人介绍,到2015年,四联光电将形成年产1800万片折合2英寸蓝宝石衬底、200亿颗LED封装器件、10万千瓦LED照明灯具的生产能力,并积极吸引、整合上下游优势资源,最大限度地发挥辐射带动作用,打造绿色产业集群,集聚形成百亿级产业规模,建成面向国内及亚太市场全球化LED产品的供应基地,中国西部产业链条最完整、经营规模最大的半导体照明产业基地,为创建节能、环保社会添上浓墨重彩的一笔。

“2017中国（深圳）国际触摸屏与显示展览会”于2017年11月26日下午3点圆满结束。本次展会，量拓科技针对触摸屏&平板显示领域，包括镀膜、线性偏光膜、相位膜以及圆偏光膜的检测与监控，为客户提供了更加专业的质量监控解决方案与服务。展会聚焦触控技术，结合TFT，LTPS，OLED，AMOLED等多种光电显示技术，涵盖蓝宝石、高功能材料、金属手机外壳等周边产业生态圈。展会期间推出的偏光膜检测仪受到众多新老客户的青睐，为观众介绍产品，以及工作原理，让观众能够更了解与应用椭偏技术，更好的了解我们的产品。量拓科技即将迎来十周年庆，为此量拓科技为广大观众提供免费测样的服务，获得了新老客户的一致好评。量拓科技期待与您共同开创美好的明天！

SILICON SEMICONDUCTOR I 高真空对于电扫描探针显微镜的优势高真空对于电扫描探针显微镜的优势Advantages Of High Vacuum For Electrical Scanning Probe Microscopy 来自IMEC和比利时鲁汶大学物理与天文学系的Jonathan Ludwig，Marco Mascaro，Umberto Celano，Wilfried Vandervorst，Kristof Paredis学者们利用Park NX-Hivac原子力显微镜对MoS2在形态和电学方面进行了研究。2004年，石墨烯作为一类新材料原型的被发现，引起了人们对二维（2D）层状材料的极大兴趣。从那时起，人们合成并探索了各种各样的二维材料。 其中，过渡金属二氯代物 (TMDs) 因其固有的带隙、小的介电常数、高的迁移率和超薄的材质而引起了人们的广泛关注， 这使其有望成为将逻辑技术延伸到5 nm以上节点的候选材料。然而，在300 mm兼容的制造环境中集成此类材料仍然面临许多挑战，尤其是因为在薄片或单个晶粒中观察到的有用特性，高质量TMD层的可控生长、转移和加工仍然是一个关键障碍。 扫描探针显微镜作为一种固有的高分辨率二维技术，是研究TMDs形态和电学特性的强大工具。本技术说明以MoS2为例，利用Park NX-Hivac原子力显微镜系统的功能，探讨了高真空用于电学测量的优势。调查：材料和方法MoS2 用MOCVD在蓝宝石衬底上生长了一系列不同层厚的MoS2样品。所有的测量都是在生长的、未转移的MoS2 / 蓝宝石上进行的。相同材料制成的元件的室温迁移率高达μm~30 c㎡/Vs，较厚样品的平均迁移率更高。图1：（a-c）所研究样品的AFM形貌图。（d）用于测量蓝宝石上多层MoS2的C-AFM装置示意图。（e）显示悬臂在高摩擦区域扫描时如何扭曲的动画。（f）对应于（b）中黑线的形貌横截面，在MoS2岛边缘显示0.6 nm台阶，在蓝宝石台地上显示0.2 nm台阶。所有的图像都是用Gwydion绘制的。比例尺为500 nm。 所有被测样品的原子力显微镜（AFM）图像如图1所示。总共测量了三个样品，其层厚为1-2层，3-4层，还有一个具有金字塔结构，这里称为多层MoS2。1-2层样品由一个完全封闭的单层MoS2薄膜组成，在顶部形成额外的单层岛。这些单层岛构成了第二层生长的开始，在形貌图上可以识别为浅色区域。与此相似，3-4层样品由一个完全封闭的三层MoS2薄膜和附加的单层岛组成。图1（d）显示了3-4层样品的样品结构示例。在这里，每个绿色层代表一层MoS2。除了MoS2岛，我们还看到对角线贯穿每个样本。这些是蓝宝石衬底上的台阶，可以通过2D薄膜看到。蓝宝石阶梯与MoS2层之间可以通过台阶高度明确区分，c面蓝宝石为0.2nm，单层MoS2台阶为0.6 nm，如图1（f）横截面所示。多层样品与其他两个样品不同之处在于MoS2表面具有3D金字塔状结构。这些金字塔位于一个完全封闭的三层结构上，其形成是由于随着层厚的增加，生长机制由逐层向三维转变。增长的细节可以在参考文献12中找到。导电扫描探针显微镜 本文采用两种导电扫描探针显微镜（SPM）来表征MoS2的电子性质：导电原子力显微镜（C-AFM）和扫描隧道显微镜（STM）。在C-AFM中，悬臂梁与材料表面接触，并且同时记录形貌和电流。为了测量电流，在样品台上施加一个偏压，并通过连接到导电AFM探针的外部电流放大器来测量电流。材料的电接触是通过在材料的顶部和侧面涂上银漆来实现的。我们使用商用Pt-Ir涂层探针，如PPP-CONTSCPt或PPP-NCSTPt，其标称弹簧常数在0.2-7N/m之间。由于C-AFM是一种基于接触的AFM技术，它还能够实现其他C-AFM通道的同时一起记录侧向力。横向力显微镜（LFM）测量激光在PSD上的横向偏转，这是由于悬臂梁在扫描表面时的扭转或扭曲而引起的，如图1（e）所示。LFM图像的正向和反向的差异与物质的摩擦力成正比，后者不同于C-AFM，因为裁剪的Pt-Ir导电导线，在我们的例子中，用于测量当探针高于表面几埃时探针与样品之间的隧穿电流。STM可以通过保持高度恒定并记录电流（称为恒定高度模式）或使用反馈保持电流水平恒定并记录高度（恒流模式）来执行。在恒流模式下，高度图像包含形貌和电学信息。C-AFM 在空气中与在高真空中 为了证明二维材料表面水层的重要性，我们分别对空气和高真空（HV）中的相同MoS2样品进行了C-AFM测量，如图2（a-b）和（c-d）。虽然在空气中和在高真空环境中扫描的形貌图像非常相似，但是C-AFM图像有很大的不同。最值得注意的是，在高真空下测量的电流增加了三个数量级。在5V偏压下，空气中的平均电流水平为1.4nA，而在高真空下，平均电流水平为1.1μA。电流水平的提高是由于去除了空气中始终存在于样品表面的薄水层。该水层对MoS?尤其成问题，因为它对材料进行p-掺杂，有效地切断了它的电性。从类似的CVD生长的MoS2器件的电输运来看，在暴露于去离子水两小时后，通态电流严重退化，迁移率降低了40%。图2: 3-4 MoS2样品的C-AFM显示高真空下电流水平和灵敏度增加。(a)和(b)分别是在空气中5V偏压下的形貌图和电流图像。(c)和(d)是在0.5 V偏压下泵送至高真空后立即拍摄的形貌图和电流图像。在空气和高真空中采集的数据采用相同的参数：相同的探针，弹簧常数k为7 N/m，设定值为10 nN，扫描频率为1 Hz。比例尺为500 nm。 除了电流的增加，高真空下的C-AFM图像也显示了更多的细节。从空气中的图像来看，电流是相对均匀的。除此之外，C-AFM 在空气中针对此样品提取不出太多的信息。相比之下，从真空下扫描的电流图，我们可以清楚地看到MoS2层中的晶界。尽管C-AFM探针与材料直接接触，但施加的力很小，因此在重复扫描过程中不会去除MoS2材料。图3所示为同一样品在高压下以~30nN力进行5次扫描后的形貌图，探针的标称弹簧常数为~7N/m。图3: (a)是3-4层MoS2的最初形貌图，（b）是在0.1V设定值下连续扫描5次后的形貌图，使用弹簧常数约为7 N/m的PPP NCSTPt探针。比例尺为50nm。专为晶界分析的C-AFM和LFM 当使用低弹簧常数探针成像时，例如标称弹簧常数为0.2N/m的PPP-CONTSCPt，我们可以用C-AFM同时获得摩擦数据，从而考虑到形貌、电学和材料特性之间的相关性。图3显示了1-2层MoS2样品的高度、摩擦和电流图像。在图3(a)中，第一层和第二层区域分别标记为1Ly和2Ly。晶界处的摩擦比原始区域高，因此它们在摩擦中表现为黑线。通过比较电流和摩擦力，可以看出摩擦图像中的黑线与电流中的黑线相匹配。然而，由于衬底对2D薄膜的局部导电性的影响，电流图像显示了额外的特征。图4：(a)形貌，(b)摩擦，(c)在1-2层生长的MoS2 / 蓝宝石样品上同时获得的电流。各区域的层厚如(a)所示。比例尺为200 nm。扫描隧道显微镜观察MoS2 借助Park NX-Hivac原子力显微镜，我们还能够获得高质量的STM图像，而无需复杂的超高真空系统和特殊的样品制备/处理。图4显示了在恒流模式下成像的多层MoS2样品的500 nm扫描，Iset=0.5nA, Vbias=1V。由于STM给出了形貌与电子结构的卷积，我们在高度图像中看到了层岛和晶界。图5:多层膜的MoS2 / 蓝宝石的STM图像。裁剪的Pt-Ir导线在恒流模式下 。Iset=0.5nA, Vbias=1V。比例尺为200nm。结论 本研究利用Park NX-Hivac AFM系统，对过渡金属二氯生化合物（TMDs）家族的二维材料二硫化钼（MoS2）进行了形态和电学方面的研究。在AFM形貌图像上观察了单层和多层的差异。此外，在多层图像上确定了由逐层生长机制引起的三维金字塔状结构的细节。 利用导电SPM（C-AFM和STM）研究了MoS2在空气中和高真空条件下的电学性能。在高真空条件下，尽管存在氧化层，但测量到的电流信号清晰、均匀、较高。最后，结合C-AFM和LFM获得了晶界分析的形貌、电学和力学信息。这种方法可以在晶界上找到更具体和更详细的结构。 二维层状材料广泛应用于工业和学术的各个研究领域。二维材料电性能和力学性能的表征与探索是材料研究领域的一个重要课题。原子力显微镜是一种多功能的成像和测量工具，它允许我们使用各种成像模式从多个角度评估二维材料。本研究强调材料分析的改进策略。此外，这些结果强调了多方向和多通道分析二维材料的重要性，其中包括半导体工业高度关注的过渡金属二氯代物。References1. 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第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准）碳化硅(SiC)碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下，标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石（Al2O3） 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体，主要应用于制作LED灯的关键材料，也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶，又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中，对此，我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是，CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

研究：暴露于中子和伽马辐射的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。图片来源：RHJPhtotos 通过同时和辐照后热退火研究了集成二氧化硅和蓝宝石的辐射诱导衰减 (RIA)。研究人员发现同时辐照热退火和辐照后热退火在二氧化硅和蓝宝石的光学行为方面存在重大差异。 该研究在选择和放置用于开发光学仪器应用(例如聚变或裂变反应堆)的光学材料方面具有广阔的潜力。它还帮助研究人员了解辐射对此类光学材料的影响。 熔融石英和蓝宝石等光学材料中的辐射引起的衰减通过减少核反应堆仪器检查停机的频率，可以显着提高核反应堆的辐射安全和经济性能，从而可以在线监测关键反应堆部件。 激光诱导击穿光谱 (LIBS) 可以通过在反应堆运行时对反应堆冷却剂的化学成分进行光谱研究来识别核反应堆部件的退化。 在适当的操作设置下了解光纤和透镜等光学材料的辐射效应至关重要，因为基于 LIBS 的仪器需要通过这些光学材料传输等离子体发射和高能激光脉冲。 二氧化硅和蓝宝石等普通光学材料具有光学特性，包括衰减和折射率，当暴露于核反应堆中的离子辐射效应时，这些特性会发生变化。 已经对集成二氧化硅和蓝宝石在受到中子和伽马射线照射然后进行热退火时的辐射诱导衰减 (RIA) 和辐射效应进行了多项研究。然而，由于辐照、检查和热退火之间的时间相当长，没有关于光学材料在同时高温和辐射效应下的原位行为的数据。 当前研究中的研究人员使用高羟基含量的 Heraeus Spectrosil 2000 集成二氧化硅 (S2000)、低羟基含量的 Heraeus Infrasil 302 集成二氧化硅 (I302) 和光学类蓝宝石进行了 220 nm 至 1100 nm 的 RIA 测量。这些光学材料在高达 800 C 的后辐照和同时辐照热退火下暴露于中子和伽马辐照下，以观察它们的辐射效应。 二氧化硅和蓝宝石光学吸收的实验装置第一个测量吸收的实验装置包括一个覆盖 220-1100 nm 光谱范围的 Ocean Insight HR4000 光谱仪和一个 Ocean Insight 卤素/氘光源。 第二个实验装置包括一个安装在60 Co 池干管上方的退火炉，用于光学材料的同步和后热退火。 目前的研究在俄亥俄州立大学核反应堆实验室的核反应堆和60 Co 辐照池中进行了辐照。在包含60 个Co 伽马源的圆柱形夹具的帮助下，一个 I302 样品在宾夕法尼亚州立大学辐射科学与工程中心暴露于 10Mrad 的辐照下。 使用具有二氧化硅-氧化铝绝缘的特制碳化硅线圈炉对样品进行干燥和空气中的退火。 这些熔炉被建造成适合60 Co 池和核反应堆干管内，以同时对样品进行热退火和辐照。 在辐照后退火实验中，在每次辐照剂量后将样品加热到指定的温度。 相反，在同时退火的情况下，样品在辐照过程中被连续加热到指定的温度，直到达到列出的剂量。 光学仪器在裂变和聚变应用中的发展潜力该研究展示了同时辐照和热退火的后果以及对光学渐变蓝宝石、I302 和 S2000 的辐射效应。 该团队观察到这些光学材料在同时和辐照后热退火条件下的行为的关键区别。 在 S2000 的情况下，对 n 剂量 1 和 2 进行辐照后 600 C 的热退火将材料恢复到未辐照的形式。在 800 C 时，具有相同剂量的同时辐照热退火样品保留了紫外线范围内的辐射诱导衰减。 在 n-Dose 1 和 n-Dose 2 的同时辐照热退火下，I302 还显示出 220 nm 至 900 nm 之间的平衡辐射诱导衰减光谱，这与 I302 主要恢复的辐照后热退火情况相反退火至 800 C 后变为未辐照状态。 与等效剂量辐照后热退火情况相比，在加热到 800 C 后样品几乎退火到其未辐照状态，蓝宝石在 n-Dose 1 和 2 的同时辐照热退火中显示出可能的平衡辐射诱导衰减范围退火条件。对于该光谱，在 260 nm 处获得了残余吸收峰，而在 300 nm 处获得了增加的吸收峰。 当前研究的最初目标是在高放射性和热环境中支持基于 LIBS 的仪器，以承受显着的辐射效应。 比较作为样品的光学材料的吸收光谱表明，S2000 是实现基于 LIBS 的仪器的最理想材料，最高退火温度为 800 C，中子注量为 1.7 x 10 17 n。厘米-2。 在 532 nm 和 1064 nm 的相关 LIBS 波长下，S2000 仅显示边缘辐射引起的衰减。在同时辐照热退火下，I3O2 产生了高达 900 nm 的相当大的辐射诱导衰减，这可能会限制 532 nm 的 LIBS 激光器。 与报道的 S2000 中没有明显的辐射诱导衰减相比，蓝宝石在 532 nm 或 1064 nm 处没有表现出同时辐照热退火的辐射诱导衰减。UV 范围内的残余辐射引起的衰减峰可能会干扰 LIBS 等离子体光谱。 参考BW Morgan、MP Van Zile、CM Petrie、P. Sabharwall、M. Burger、I. Jovanovic，暴露于中子和伽马辐射下的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。2022.核材料杂志。

提高鉴定机构准入标准　　据华东理工大学宝石检测中心有关工作人员透露，自去年9月至今，已经遇到近20起因对“天价”鉴定机构出具的报告不信任而前来申请鉴定的情况。这类鉴定机构的鉴定报告制作得相当精美，但缺乏国内权威机构一般都有的计量认证资质。　　而且，市场上这类鉴定机构五花八门，收费标准不尽相同，从几千到数万不等。这类机构往往声称珠宝里面有不同的元素，只有检测出来这些元素，才能证明是真的珠宝。而按照检测的元素收费，一种元素至少收几千元，检测多种元素，最高的总价可以高达10余万。　　为何没有资质又漫天要价的“天价”鉴定机构层出不穷?　　“在代理陈先生的案子中，我们了解到，诸如文物、珠宝鉴定公司的成立门槛非常低，不需要什么资质，审批手续也很简单，而且对这类机构目前的监管也较为宽松。要整治珠宝鉴定行业的乱象，首先应加强对鉴定公司设立资质的审查和监管，提高鉴定机构的准入门槛，建立规范的市场准入机制。”原告陈先生的代理律师、上海市百良律师事务所胡嘉沁建议道。　　建立鉴定行业强制标准　　外高桥法庭副庭长、此案主审法官陆罡表示，虽然此案的双方当事人最终在法庭主持下达成调解协议，由被告赔偿原告两次鉴定费及交通损失，并且当场执行完毕，但该案件反映出的珠宝检测行业所存在的问题值得关注。特别是珠宝鉴定行业监管混乱，缺乏统一标准，给案件处理带来一定的困难，具体体现在四个方面：　　首先，不同检测机构检测方法不一。华东理工大学检测中心和国家金银制品质量监督检验中心通过检验折射率等特征，得出该宝石是海蓝宝石的结论，而文物研究院通过测试对比宝石元素含量，作出该宝石非天然海蓝宝石的结论。　　其次，不同检测机构的检测项目不同。就采用折射率的方法而言，同样是具有“CMA”认证资质的两家机构的检测项目也不尽相同。两份检测报告除常规的报告编号、样本名称、重量等常规定性检测外，其他项目的检测，如光性特征、相对密度等的有关结果均有所不同。　　再次，不同检测机构结论表述不同。文物研究院的检测报告结论表述为“非天然海蓝宝石”，但另两个机构的鉴定结果为“海蓝宝石”。对此，天然海蓝宝石与海蓝宝石是否为同一概念，非专业人士难以作出判断，尤其现今宝石优化技术运用普遍，天然与非天然的界线因人工因素变得更为模糊。　　最后，不同检测机构收费差距甚大。鉴于检测方法与项目不同，该行业又缺乏统一的收费标准，针对同样的样品，检测费用会相差15倍之多。　　一个令人担忧的现象是，目前珠宝鉴定行业普遍适用的只有较为宽松的GB类国家标准，而这一标准并非强制性标准，对鉴定机构没有约束效力。　　对此，陆罡建议，应尽快完善黄金珠宝行业相关标准规范，特别是对鉴定行业的收费、项目名称、技术手段等项目应设立全国统一的行业鉴定标准，最大限度地保障检测结果的客观公正。

3月15日上午，浙江中科院应用技术研究院与天通吉成机器技术有限公司在海宁举行光电子装备技术联合重点实验室揭牌仪式暨PSS项目技术合作签约仪式。嘉兴市和海宁市的有关领导，以及浙江中科院应用技术研究院、天通公司的主要负责人出席揭牌仪式。 　　据悉，该实验室由浙江中科院与天通吉成联合组建，以研制具有自主知识产权的用于产业化制备的高亮度LED用图形化蓝宝石衬底刻蚀设备与工艺开发应用项目为切入，以图形化蓝宝石衬底制作系统(PSS)和LED处延设备为研发方向，共同实现LED有关核心设备国产化替代和应用为目标。

国际宝石学院于2011年2月8日开设了中东地区最大的IGI钻石鉴定实验室及教育机构。实验室位于迪拜，面积达5000平方英尺，配备最新科技进行裸钻、钻石首饰和彩色宝石鉴定。 　　同时，该机构也为整个中东地区提供广泛的宝石学方面课程。 　　迪拜多种商品中心的执行主席Ahmed Bin Sulayem说，我们非常期待与IGI及300家区域性和国际性宝石企业一起努力，来创造更多贸易机遇，推动行业的整体发展。

石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常会在二维材料表面引入破损、皱褶、污染及掺杂，严重影响了二维材料的光电性质和器件性能。因此，实现晶圆级二维材料的无损、平整、洁净、少掺杂转移是二维材料面向集成光电子器件应用亟待解决的关键问题。　　针对这一难题，北京大学化学与分子工程学院彭海琳课题组与国防科技大学秦石乔、朱梦剑课题组合作，设计了一种梯度表面能调控（gradient surface energy modulation）的复合型转移媒介，可控调节转移过程中的表界面能，保证了晶圆级超平整石墨烯向目标衬底（SiO2/Si、蓝宝石）的干法贴合与无损释放，得到了晶圆级无损、洁净、少掺杂均匀的超平整石墨烯薄膜，展示了均匀的高迁移率器件输运性质，观测到室温量子霍尔效应及分数量子霍尔效应，并构筑了4英寸晶圆级石墨烯热电子发光阵列器件，在近红外波段表现出显著的辐射热效应。该转移方法具有普适性，也适用于其它晶圆级二维材料（如氮化硼）的转移。研究成果以“Integrated wafer-scale ultra-flat graphene by gradient surface energy modulation”为题，于9月15日在线发表在《自然-通讯》（Nature Communications 2022, 13, 5410）。　　文章指出，二维薄膜材料从一表面到另一表面的转移行为主要由不同表界面间的能量差异决定。衬底的表面能越大，对二维薄膜有更好的浸润性及更强的附着能，更适合作为薄膜转移时的“接受体”；反之，衬底的表面能越小，其更适合作为薄膜转移时的“释放体”。因此，作者设计制备了表面能梯度分布的转移媒介【如图1，聚二甲基硅氧烷(PDMS)/PMMA/冰片】，其中冰片小分子层吸附在石墨烯表面，有效降低了石墨烯的表面能，保证石墨烯向目标衬底贴合过程中，衬底的表面能远大于石墨烯的表面能，进而实现良好的干法贴合；另一方面，转移媒介上层的PDMS高分子膜具备最小的表面能，能够实现石墨烯的无损释放。此外，该转移方法还有以下特点：PDMS作为支撑层可以实现石墨烯向目标衬底的干法贴合，减少界面水氧掺杂；容易挥发的冰片作为小分子缓冲层能有效避免上层PMMA高分子膜对石墨烯的直接接触和残留物污染，得到洁净的石墨烯表面；高分子PMMA层的刚性使得石墨烯转移后依旧保持超平整的特性。图1 晶圆级二维材料的梯度表面能调控转移方法　　基于梯度表面能调控转移的石墨烯薄膜具备无损、洁净、少掺杂、超平整等特性，展现出非常优异的物理化学性质（如图2）。转移后4英寸石墨烯晶圆的完整度高达99.8%，电学均匀性较好，4英寸范围内面电阻的标准偏差仅为6%（655 ± 39 Ω/sq）。转移到SiO2/Si衬底上石墨烯的室温载流子迁移率能够达到10000 cm2/Vs，并且能够观测到室温量子霍尔效应以及分数量子霍尔效应（经氮化硼封装，1.7K）。基于SiO2/Si衬底上4英寸石墨烯晶圆，成功构筑了热电子发光阵列器件，在较低的电功率密度下（P = 7.7 kW/cm2）能够达到较高的石墨烯晶格温度（750K），并在近红外波段表现出显著的辐射热效应（如图3）。　　图2 梯度表面能调控转移的石墨烯晶圆。（a）无损转移到SiO2/Si衬底上高完整度4英寸石墨烯晶圆；（b）超平整石墨烯与粗糙石墨烯褶皱数目的对比（5×5 μm2范围内）及典型的原子力显微镜图片对比（内嵌图）；（c）转移后4英寸石墨烯晶圆的面电阻；（d）梯度表面能调控与传统湿法转移的石墨烯的电学转移曲线对比；（e）转移到SiO2/Si上的石墨烯在不同温度下的霍尔曲线及室温量子霍尔效应；（f）转移后石墨烯（氮化硼封装，1.7 K）的朗道扇形图，表现出分数量子霍尔效应。　　图3 晶圆级石墨烯热电子发光阵列器件。（a）石墨烯热电子发光示意图；（b）基于4英寸晶圆石墨烯的热电子发光阵列；（c）石墨烯热电子发光阵列的光学显微镜照片；（d）器件在电功率密度为3.0 kW/cm2时的红外照片；（e）器件在不同电功率密度下的辐射光谱；（f）石墨烯晶格温度随电功率密度的变化。　　此外，梯度表面能调控转移方法可作为晶圆级二维材料（石墨烯、氮化硼、二硫化钼等）向工业晶圆转移的通用方法，有望为高性能光电子器件的集成奠定技术基础。　　该论文的共同通讯作者为北京大学彭海琳教授和国防科技大学秦石乔教授、朱梦剑副研究员。共同第一作者是北京大学前沿交叉学科研究院博士研究生高欣、北京大学化学学院博士毕业生郑黎明、国防科技大学前沿交叉学科学院罗芳博士、北京大学化学学院博雅博士后钱君。其他主要合作者还包括北京大学化学学院刘忠范教授、北京大学材料学院林立特聘研究员、北京石墨烯研究院尹建波研究员和孙禄钊研究员、及长春工业大学高光辉教授等。　　该研究工作得到了国家自然科学基金委、科技部、北京分子科学国家研究中心、腾讯基金会等项目资助，并得到了北京大学化学与分子工程学院分子材料与纳米加工实验室（MMNL）仪器平台的支持。　　原文链接：https://doi.org/10.1038/s41467-022-33135-w

沈阳科晶祝贺2018中国国际光电博览会圆满召开2018年9月5-8日，2018中国国际光电博览会在深圳会展中心圆满召开，沈阳科晶派遣专业技术代表参加此次会议并在现场布置展位，沈阳科晶诚挚感谢会议期间客户们的莅临参观以及大家的支持，会议圆满成功，沈阳科晶也收获颇丰。中国国际光电博览会规模逐渐壮大，光电行业也在日益发展，技术上的突破是行业内每一家公司所不断追求的，在这样的大背景趋势下，沈阳科晶也带来了自己的突破性产品，此次会议沈阳科晶展示的设备有：STX系列金刚石线切割机 --- 切割材料涵盖晶体、金属、陶瓷、玻璃等、切割直径包含50mm、100mm、150mm、300mm、600mm、1000mm等不同设备型号，标配三维工装夹具，可实现不同角度切割要求，并可选配专用旋转、摇摆等工装夹具，大量节省切割时间，其本身柔性切割的特性能够保证切割的精度与面型，避免脆性材料的切割崩边崩口现象，此次会议也在现场为客户切割镀膜K9玻璃、蓝宝石、石英，可完全满足客户需求。SYJ系列划片切割机 --- 适用于各种晶体、陶瓷、玻璃、金属等材料的划片和切割。本机可用计算机或单片机进行控制，允许自行编制程序，进行切割。步进电机定位精度可达到0.01mm，样品工作台可进行360°旋转，并配有十字夹具（90°定位模）、真空吸盘，是实验室及生产单位理想的精密切割设备之一。 UNIPOL系列自动研磨抛光机 --- 适用于晶体、陶瓷、金属、玻璃等材料的研磨抛光制样，本系列设置了不同尺寸研磨抛光盘和多个加工工位。若配置适当的附件，可批量生产高质量的平面磨抛产品。此外可选配GPC系列精密磨抛控制仪，配有数显磨抛压力确认仪，实时观测磨抛厚度，并具有修正功能。VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪 --- 可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备。PCE-6小型等离子清洗机、VTC-200PV真空旋转涂膜机、真空干燥箱......再次感谢会议期间客户们的关注与支持，我们会认真聆听客户的每一个声音，开发更多的新产品是我们共同的愿望。科晶人将不断努力，不断前进，争取带给大家更多的惊喜，解决更多的技术难题，我们会带着我们的产品，带着我们的热情期待与各位明年再次相聚。