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闪存结构

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闪存结构相关的资讯

  • 我国科学家突破硅基闪存器件尺寸极限!
    8月13日,记者从复旦大学获悉,该校周鹏-刘春森团队从界面工程出发,在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证,并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。相关研究成果12日发表于国际期刊《自然电子学》。人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术,当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级,无法支撑应用需求。该研究团队在前期发现二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上,实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。但是,实现规模集成、走向实际应用仍具有挑战。为此,研究人员开发了超界面工程技术,在规模化二维闪存中实现了具备原子级平整度的异质界面,结合高精度的表征技术,显示集成工艺优于国际水平。研究人员通过严格的直流存储窗口、交流脉冲存储性能测试,证实了二维新机制闪存在1Kb存储规模中,在纳秒级非易失编程速度下的良率可高达98%,这一良率高于国际半导体技术路线图对闪存制造89.5%的良率要求。同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是目前国际最短沟道闪存器件,突破了硅基闪存物理尺寸极限,约15纳米。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、10万次循环寿命和多态存储性能。研究人员介绍,此项研究工作将推动超快闪存技术的产业化应用。
  • 国际首次!复旦团队实现超快闪存的规模集成和极限微缩
    据复旦大学官网消息,从界面工程出发,团队在国际上首次验证了1kb超快闪存阵列集成验证,并证明了超快特性可延伸至亚10纳米。北京时间8月12日下午5点,相关成果以《二维超快闪存的规模集成工艺》(“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”)为题发表于国际顶尖期刊《自然-电子学》(Nature Electronics)。技术困境人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度在百微秒级,无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将速度提升一千倍以上,实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存。然而,如何实现规模集成、走向实际应用极具挑战。技术突破团队开发了超界面工程技术,在规模化二维闪存中实现了具备原子级平整度的异质界面,结合原子级精度的表征技术,验证集成工艺显著优于国际水平。通过严格的直流存储窗口、交流脉冲存储性能测试,证实了二维闪存在1Kb存储规模中,纳秒级非易失编程速度下良率高达98%,这一良率已高于国际半导体技术路线图(International Technology Roadmap for Semiconductors)对闪存制造89.5%的良率要求。同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是目前最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。市场潜力这一研究成果对于推动超快颠覆性闪存技术的产业化具有重要意义。它不仅解决了高速非易失存储技术的瓶颈问题,还为未来的存储设备设计提供了新的思路和方向。预计这一技术将在数据密集型应用、高性能计算、物联网等领域产生广泛影响,为用户提供更快、更稳定、更可靠的存储解决方案。随着技术的进一步成熟和商业化进程的加速,超快闪存技术有望重塑存储市场格局,为相关行业带来前所未有的变革机遇。超快闪存集成工艺和统计性能
  • 华虹宏力“半导体结构的形成方法”专利公布
    天眼查显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体结构的形成方法”专利公布,申请公布日为2024年7月23日,申请公布号为CN118382298A。背景技术在目前的半导体产业中,集成电路产品主要可分为三大类型:模拟电路、数字电路和数/模混合电路,其中,存储器是数字电路中的一个重要类型。而在存储器中,近年来快闪存储器(Flash Memory,简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储信息,且具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点,因此,在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。快闪存储器分为两种类型:叠栅(stack gate)快闪存储器和分栅(split gate)快闪存储器。叠栅快闪存储器具有浮栅和位于浮栅的上方的控制栅。叠栅快闪存储器存在过擦除的问题。与叠栅快闪存储器不同的是,分栅快闪存储器在浮栅的一侧形成作为擦除栅极的字线。分栅快闪存储器能有效的避免过擦除效应。然而,现有的快闪存储器的性能较差。发明内容本发明提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括逻辑区和存储区,所述存储区包括字线区;在所述存储区上形成初始字线栅层;在所述初始字线栅层的顶部表面和所述逻辑区的所述衬底的表面形成初始栅氧层;对所述初始栅氧层进行热氧化处理,形成栅氧层,所述初始字线栅层表面的所述栅氧层的厚度大于所述逻辑区的所述衬底表面的所述栅氧层的厚度;在所述逻辑区的所述栅氧层的表面形成栅极层;刻蚀去除所述存储区的所述栅氧层以及所述栅氧层底部的部分所述初始字线栅层,在所述字线区的表面形成字线栅层,在形成字线栅层的过程中,栅氧层作为硬掩膜层,由于初始字线栅层表面的栅氧层的厚度变厚,从而在刻蚀的过程中能够表现出很好的阻挡性和稳定性,从而保证字线栅层的高度,提升字线栅层的高度均匀性,并且增加了字线区刻蚀的窗口,可以降低编程串扰失效,具有较广泛的使用范围。
  • 研究提出新型光电存储结构设计及实现技术
    松山湖材料实验室研究员梅增霞和博士朱锐联合其他合作者,提出了一种基于光敏介质的全新光电存储器件结构。相关成果近日发表于《自然–通讯》,并被推荐为Feature Article。光电存储器件是将光的信息转换为电信号并进行存储的一类新型器件。相比于传统的闪存器件,额外的控制端——光的加入赋予了光电存储器件新的调控维度,因此会带来一些新的、迷人的器件特性。当前光电存储器件的研究仍处于起步阶段,主要存在着编程电压高( 20 V)、编程光功率大( 1mW cm-2)和可移植性差等问题。该研究提出了一种基于光敏介质的全新光电存储器件结构。借鉴闪存的结构,在保留浮栅的同时,研究人员用传统的栅介质层取代了隧穿介质层,将光敏层放到了上面常规介质层的位置——通过光脉冲调控光敏介质层的绝缘特性和光敏特性即可实现数据的擦写和存储;另外,在该结构中只需提供一个小的栅压去明确光生载流子的运动方向即可,因此光生载流子的存储利用率也得到了极大的提高。该设计完全改变了传统闪存结构中载流子注入/离开浮栅的方式和方向,因此巧妙摆脱了器件性能对沟道层的依赖。可以看到,该创新设计可从根本原理上解决器件能耗高和移植性差等问题。光敏介质层的选择和可控制备是实现该设计的核心。研究人员基于多年的氧化物半导体材料及器件研究经验,选择了非晶氧化镓作为光敏介质层制备了最终的光电存储器件。器件的最大操作电压和光功率密度均实现了大幅度的降低(4V和160 mW cm-2),同时也实现了优异的多态存储和疲劳特性等器件性能。该研究创新的器件结构和工作机制可以移植到与光刻工艺兼容的任何晶体管上,如应用到Si基晶体管上,以实现高性能固态存储;应用到有机或二维材料基晶体管上,以实现柔性存储;还可用于同时兼顾传感和存储的多功能传感研究领域。
  • 赛默飞闪耀Analytica 2014
    ——优异实力助客户创新和提升生产效率 2014年4月8日,上海—— 科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技(以下简称赛默飞) 近日在全球实验室技术、分析和生物技术盛会Analytica 2014上推出多款新仪器、设备、耗材和软件,展现了其优异的科技实力,进一步帮助客户提升创新和生产能力。 “我们不断开发新的技术,帮助客户在实验室整体运营方面实现提高创新和生产效率的目标,”赛默飞全球总裁兼CEO,葛士柏(Marc N. Casper)表示,“我们在Analytica上展示的产品将能够让大家了解到如何通过更快速的分析,更精准的结果,还有将数据转化为知识的优异能力,为处在日新月异市场变化中的众多客户带来突出竞争优势。”本届Analytica 2014推出的新产品也已经在中国市场陆续上市,包括: 首次亮相的新款Thermo Scientific HAAKE Viscotester iQ流变仪,其“Connect Assist”功能自动检测几何形状和温度模块的测量情况,提供实时反馈,使得用户可以很容易设置样品测试程序,并使错误率降至最低。得益于一些新配件的加入,相比上一代产品,此款流变仪更具实用性和多用性。HAAKE Viscotester iQ 流变仪上装有触摸屏界面,可以作为独立仪器使用,此外,可以通过安装 USB 闪存驱动器上独特的赛默飞 HAAKE Viscotester iQ RheoApp 软件实现其扩展功能。仪器可以通过台式计算机上的软件完全控制运行。仪器的“Temperature Assist”功能联合 Peltier 温度控制系统,使用户真实准确地测量出样品温度,并减少测量时间。 其他在欧洲和中国同步上市的实验室产品和设备包括: Thermo Scientific Nunclon Sphera微孔板,一款新型非贴壁细胞培养板,能够通过对癌细胞生长建模加速癌症研究。 Thermo Scientific E1-ClipTip电动移液器,可帮助用户在不同实验室器具之间,通过单个移液器完成多个样品的移液操作。 Thermo Scientific SampleSeal热封机能够通过密封微孔板制备样品,随后可供长期存储和进行个体分析或应用使用。 Thermo Scientific实验室执行系统(LES)能够帮助质量保证/质量管理和分析实验室的客户实现对自身方法和SOP的全面控制,同时还将赛默飞优异的信息平台进一步拓展,为客户带来业界领先的无纸化实验室解决方案。如需了解本届Analytica 2014上赛默飞所有新闻和新品,敬请访问我们的线上媒体发布 www.thermofisher.com/news 关于赛默飞世尔科技赛默飞世尔科技(纽约证交所代码:TMO)是科学服务领域的世界领导者。公司年销售额170亿美元,在50个国家拥有员工约50,000人。我们的使命是帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。我们的产品和服务帮助客户加速生命科学领域的研究、解决在分析领域所遇到的复杂问题与挑战,促进医疗诊断发展、提高实验室生产力。借助于Thermo Scientific、Life Technologies、Fisher Scientific和Unity? Lab Services四个首要品牌,我们将创新技术、便捷采购方案和实验室运营管理的整体解决方案相结合,为客户、股东和员工创造价值。欲了解更多信息,请浏览公司网站:www.thermofisher.com 赛默飞世尔科技中国赛默飞世尔科技进入中国发展已有30多年,在中国的总部设于上海,并在北京、广州、香港、台湾、成都、沈阳、西安、南京、武汉等地设立了分公司,员工人数超过3800名。我们的产品主要包括分析仪器、实验室设备、试剂、耗材和软件等,提供实验室综合解决方案,为各行各业的客户服务。为了满足中国市场的需求,现有8家工厂分别在上海、北京和苏州运营。我们在全国共设立了6个应用开发中心,将世界级的前沿技术和产品带给国内客户,并提供应用开发与培训等多项服务;位于上海的中国创新中心结合国内市场的需求和国外先进技术,研发适合中国的技术和产品;我们拥有遍布全国的维修服务网点和特别成立的中国技术培训团队,在全国有超过2000名专业人员直接为客户提供服务。我们致力于帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。欲了解更多信息,请登录网站 www.thermofisher.cn
  • 世界最小尺寸闪烁氙灯开拓应用新希望
    在世界芸芸的闪烁氙灯中如今有一张十分显眼的面孔,并且因其稳定性和长寿命已经获得高度认可,那就是世界上最小的电池供电的滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列。这张世界上最小的“面孔”已经出现在滨松的闪烁氙灯阵列中,闪烁氙灯是由充满高压氙气的玻璃封装组成。这是一个具有特殊的立方形外形的2W闪烁氙灯模块,并能够在电池电源下工作。现在让我们一探这款融合了创新思维和高科技制造含量的产品吧!滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列充分利用同时可分析多种波长的优势闪烁氙灯是在极短时间内发射高强度光的脉冲放电灯。它们作为光源在工厂自动化中被用于血液分析、环境分析以及产品检查。滨松公司原有的5、10、20和60W闪烁氙灯,由于稳定性高、寿命长,都能提供世界上顶级的性能特性,但是滨松工程师发现近来LED也是潜在的光源,其具有紧凑、价位低等特性,自然成为市场上的宠儿。因此滨松公司开始了LED光源的研究,滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列的开发工程师之一山下雄一(滨松电子管部门,第4制造部,负责设计与工程) 在介绍这款产品的时候曾说道:“这项工作使我们充分了解了LED光源的优劣。简单的说,LED是单色光源。如果想要同时分析多个波长,就需要多个LED光源。另一方面,在单个闪光内,闪烁灯的输出可以从紫外光到可见光,这对于同时分析多波长是理想的。”于是项目工程师们提出设想:如果可以利用这个特殊的特性来创造能与LED竞争的闪烁灯,那么它将开启更加宽广的应用。怀揣着这种可能性,山下与另一位负责生产的滨松工程师斋藤展彰(滨松电子管部门,第4制造部)开始了评估产品外形。滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列研发工程师斋藤展彰(左)、山下雄一(右)山下认为,滨松研制的闪烁氙灯已经回应了市场需求。但是对这种2W模块,滨松现在要尝试一些新的东西,这能够使其在竞争中前进一步,所以这是一件很值得去做的事,虽然市场上已经有了2W模块的产品,但是滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列在尺寸和外形上是完全不同的,开创世界前所未有的闪烁氙灯模块使用体验。面积42平方毫米——挑战世界上最小的尺寸滨松的之前研发的5W模块的外形是水平方向较长,并有两种类型:一种是灯在较长边,另一种是灯在较短边。虽然具有两种类型更符合市场的需求,但是具有相同性能的两种不同类型可能给一些使用者造成不便。所以,如今滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列则选择了一种能够满足任意客户需求的外形,即骰子状的外形,而这种外形几乎可以在任意的结构中使用。而且,将其制成一个单独的模块也能降低生产成本。这可以为使用者带来方便和实惠的双重好处。滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列研发工程师竹内望但实现这个外形,并不是一个简单的事情。对于此,负责评估与测试的滨松工程师竹内望(滨松电子管部门,第4制造部)曾说:“外形当然是个难题,而制造比其他产品更小的尺寸也使我们面临之前从未处理过的问题。不像滨松5W闪烁氙灯模块42*42*100毫米的尺寸,滨松2W闪烁模块L12336系列的目标尺寸是42平方毫米和小于一半的体积比。基本上所有的元件和布局都必须要从草图开始进行决定,为了得到正确的组合,努力和尝试的过程是重复而又艰难的。”2w的模块体积小于之前的5w模块的1/2滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列和以前的5W型是完全不同的,这不仅仅是缩小和最小化元件尺寸的事,研发团队使用了以前完全没使用过的新的电子元件来重新设计电路。所以,尽管设备变得更小,但是也采取了措施来提高对整个新标准的可靠性评估。研发工作启动的6个月后进行了设计更改在开发过程中,滨松公司曾得到来自设备制造商的请求,他们想要能够进行室外现场测量的便携式或手持式设备。研发团队意识到,这个趋势将会蔓延到全世界的设备生产商,而他们必须制造拥有世界上最小尺寸的产品,并且该产品应使用电池供电已达到便于携带的目的。鉴于研发思维的变化,在距离研发工作开始大概半年的时候,整个滨松2W闪烁氙灯模块研发团队投入到了更改设计的工作中。而在研制产品的过程中,电池供电是最难的一个课题,但研发团队确信,电池供电这个特性是满足新的需求的要点。提供5V的电池电源要求电源供给的改变,但改变输入功率会破坏整体平衡,所以这迫使团队不得不重新选择元件来进行再次调整,以获得最优的性能。而元件之间也是有变化的,所以即使规格相同,每个产品的性能也有细微的差异。如果没有考虑到这些差异,闪烁氙灯模块将不能提供全部的性能。山下在描述这段经历的时候曾回忆:“当我们终于完成了艰难的重新选择和元件调整后,然后给竹内去评估它。但是第二天他一脸失望地出现告诉我,我们无法得到想要的性能……”,在该阶段这种问题一直反复发生,山下和竹内两人严肃地窃窃私语,这种严肃的氛围持续了很长一段时间。只要客户想要,那么就永不言弃单位时间内闪烁频率越高,测量和分析时间就可以缩短得越多,这个特性也可为客户带来更多的方便,因此发光重复规格高达1250HZ亦成为滨松2W闪烁氙灯模块研发团队的另一个需要攻克的课题。在此之前,滨松所有闪烁灯都没有达到1250HZ,并且该模块还必须使用5V的低电压,在山下的报告中,经常出现:“斋藤先生,我无法给电源充电”的话语,而且报告也有一些其他不乐观的结果。给电路充电的研发工作花费了团队最多的时间。每秒发光1250次需要大量的电能,但是没有充足的供电,光每秒只能发射1000次。为了得到1250HZ的闪烁频率,研发团队不断地评估主要元件和电路系统。在降低电源电压、电流,选择保持低电流的元件的同时,还想减小灯模块的尺寸,所以保持平衡十分必要。研发过程艰难而又坎坷,但如果说放弃使用电池,可以增大电流,但相应的产品的性能就不能为客户带去便利,所以在这个问题上团队未有屈服过,“甚至光发射速率达到了1250HZ,我们的客户也很快会要求在室外用电池供电使用这个设备,所以即使老板让我放弃,我也一直在努力。”斋藤在谈到这个问题的时候曾说到。来之不易的灯的稳定性滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列和普通成人小指的尺寸差不多,包括电极在内的每一个部分都非常小,这些连安装过程都要用新的技术和技巧。使灯保持稳定是其中最难的一个任务。山下和负责装配灯的人会面,让其做些小的调整,而自己继续修改零件、安装并评估模块,并花费了无数的时间来重复这个过程,最后终于得到了一个令人满意的零件组合方案,通过装配后,最终实现了想要的规格,这对于整个团队来说无疑是一个激动人心的时刻。可同时进行多波长分析,因为一个闪光输出包含从紫外线到红外线。如果时间是微秒级的,脉冲照明型将从直流照明型获得大约1000倍的光输出。 技术难题的解决,是通过团队重新探讨了机械与电路设计,并在之后进行了多次检查电源匹配并对零件布局和方向做精确的调整来实现的。而工程师山下的经验也起到了重要的作用。在日常生产和进行研发工作的同时,富有经验的山下始终在检查在各产品中元件体现出的微小差异,当团队遇到困难时,这便成为了一个有力的帮助。这和滨松公司提倡将研发工作和日常生产工作联系在一起的理念有很大关系。广泛应用开拓的新希望滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列的诞生,让闪烁氙灯模块有了一个新的高点,并为新型的应用提供了无限的可能性。如今,实验分析仪器已经从原来大型的分析中心或者设备发展成为紧凑的桌面仪器。鉴于市场趋势,下一阶段手持设备将越来越多地用于现场分析和测量,而滨松2W闪烁氙灯模块L12336系列便可以参与到其中。在医疗诊断领域把L12336结合在紧凑的设备中,更益于设备在病人护理现场或附近使用,例如闪烁氙灯作为宽光谱光源可以在小型生化分析设备中使用、作为激发光光源用在荧光检测领域,作为诊断设备中的光源产品,闪烁氙灯会把功耗小、小型化、长寿命、光产额高等优势发挥的淋漓尽致。在“即时检测”(即POCT)设备如火如荼发展的今天,光源、探测器等元器件的高集成化、微型化已经是一个必然的趋势,而将滨松公司2W闪烁氙灯模块L12336和滨松研制的世界上最小的光电倍增管“Micro PMT”(μPMT)结合在一起,以滨松μPMT作为光探测,滨松2W闪烁氙灯模块作为光源,使医学探测更加快速便捷,而这也有可能对新的医学治疗诊断做出真正的贡献。滨松该两类产品,均会在2015年3月的第12届中国检验医学展滨松中国展台(D区505、506展位)隆重展出,进一步向业内人士展示其在检验医学上的更多更广的应用可能。除此之外,滨松的高集成化、微型化的世界最小微型光谱仪C12666MA,以及最新多通道MPPC模块(硅光电倍增管模块)亦会出现在该展会上,共同印鉴“微”时代的到来。另外,关于滨松2W闪烁氙灯模块,滨松工程师竹内还曾谈到:“当我们首次在产品展览中展示该滨松2W闪烁氙灯模块时,客户首先对它用电池驱动感兴趣。在减小设备尺寸成为主要趋势时,产品紧凑的设计成为另一个受到高度评价的特性。我们也听到了客户的评价,他们想在测量生物活体中尝试使用这个闪烁氙灯模块。”而在环境检测方面,滨松亦在研发不同的光源来替代在紫外区域发射高强度的汞灯,而一个有效的产品就是氙灯。根据不同的原因,这款滨松2W闪烁氙灯模块被认为是十分有效的。山下也希望,能够听到更多来自客户的对这款滨松2W型号闪烁氙灯模块L12336系列的建议。 更多滨松2W闪烁氙灯模块—L12336系列产品详细信息:
  • 浙江温州油罐车爆炸事故--论闪点指标的重要意义
    6月13日16时40分许,浙江温岭市良山村附近,一辆装载着10吨液化石油气的槽罐车发生爆炸后冲出高速公路。被炸飞的槽罐车砸塌了路边的一间厂房后,发生了二次爆炸。截至2020年6月15日7时,该事故共造成了20人遇难,172人住院治疗。 这则新闻虽已过去一个月了,但现在回想起来还是十分揪心,作为专业生产石油类分析设备的厂家,我们也分析了几种可能引起此次爆炸事故的原因,总的来说,其实温岭油罐车爆炸,与天津爆炸案原理一样。石油类产品,特别是组分比较轻的石油,像液化气,汽油等,在运输中泄漏,但罐箱上都有泄压阀、安全阀等,内部压力增高会自动泄压,但为什么会爆炸呢?要想引起爆炸,必须有引燃物,这时候发动机当时运转发热出现火花,路面高温静电或者一根烟头,瞬间就会引起爆炸,说起来复杂,其实这一反应就是一瞬间。 那么今天就和大家谈一下,影响石油类产品一个非常重要的安全指标:闪点那什么是闪点呢,很简单,闪点是能够使液体闪燃的最低温度。那么什么又是闪燃呢,就是油样加热后形成可燃气体,遇到火源形成短暂的火光,发生一闪即燃的现象。因此,闪点是一个温度值。 闪火是微小的爆炸,意味着在此温度下,油品挥发产生的油蒸汽已经在空气中已经达到爆炸所需要的浓度。所以,环境的温度低于油品闪点,油是不会燃烧的。环境的温度高于油品闪点,油遇到火花就会产生燃烧。当我们不能改变环境温度的情况下,就要来提高油品的闪点来保障油品运输或者储存的安全。特别是在夏天气温高的时候。那么我们如何来准确的测试出油品的闪点呢,我们以闭口杯法为例给大家讲解一下,首先上个装置图: 看起来是不是有点复杂呢,其实测试的步骤很简单:将样品倒入试验杯中,在规定的速率下连续搅拌,并以恒定速率加热样品,在规定的温度间隔下,将火源引入到实验杯开口处,纪录下使样品蒸汽瞬间闪火的最低温度。这个温度就是闪点值了。 那么我们昌吉公司,测试闪点系列的仪器涵盖了手动,半自动,全自动等等。下面给大家一一介绍一下。闪点的测试分为开口杯法和闭口杯法:闭口杯法适用于柴油,煤油,或者闪点高于40℃的样品: SYD-261型 闭口闪点试验器(2008标准)特点:手动型,不锈钢台面,操作直观。 SYD-261-1型 闭口闪点试验器特点:自动控制升温,观测到闪点按下记录件,自动记录闪点结果。 SYD-261D 全自动闭口闪点试验器 (触摸屏)特点:整个过程全自动,放入油样自动完成闪点测试,并打印出结果。 开口杯法适用于润滑油,高于79℃的石油产品 SYD-3536型 开口闪点试验器特点:手动型,不锈钢台面,带挡风屏,操作便捷。 SYD-3536-1型 克利夫兰开口闪点试验器特点:自动控制升温,观测到闪点按下记录件,自动记录闪点结果。 SYD-3536D型 全自动开口闪点试验器 (触摸屏)特点:整个过程全自动,放入油样自动完成闪点测试,并打印出结果。以上就是本公司闪点仪的系列产品,如果您想了解更多有关油品设备,请随时我们哦!或者您也可以给我们留言,我们线上客服会在第一时间回复您。
  • 盛瀚亲近自然系列活动系列之攀爬戴家山
    2013年6月22日上午,青岛盛瀚亲近自然,攀爬戴家山活动在青岛市戴家山风景区隆重举行。戴家山位于青岛市李沧区戴家山村北,当地人叫戴家北山,也是2014年,青岛世园会用地,山岭海拔高度大约300米,俗称为&ldquo 红石壁子&rdquo ,是因为映山红开的时候,连绵数 个山头像火一样红,蔚巍壮观。 属于崂山余脉的石门山山脉,山势峭拔,林木茂密。 本次活动旨在亲近大自然,开拓视野,净化心灵。在爬山过程中,大家互相沟通感情,增进交流,养成团队协作意识。历时四个小时,途经三清洞、木鱼崮、神仙梯以及水晶洞、竹子庵等景点。一路风景,一路欢笑,幸福的投入大自然的怀抱&hellip &hellip
  • 东京电子成功开发可用于制造400层堆叠3D NAND芯片的新技术
    半导体设备巨头东京电子近日宣布,其位于东京电子宫城的开发团队(其等离子体蚀刻系统的开发和制造基地)开发了一种创新的蚀刻技术,能够在堆叠超过400层的先进3D NAND器件中生产存储沟道孔。该团队开发的新工艺首次将介电蚀刻应用于低温范围,生产出具有极高蚀刻率的系统。这项创新技术不仅可以在33分钟内实现高深宽比的10µm深蚀刻,而且与以前的技术相比,还可以将全球变暖的可能性降低84%。蚀刻结构的几何形状非常明确,如图1所示。这项技术带来的潜在创新将推动更大容量的3D NAND闪存的开发。图1.蚀刻后的存储器沟道孔图案的截面SEM图像和孔底部的FIB切割图像。图2 3D NAND闪存TEL开发这项技术的团队在6月11日至6月16日在京都举行的2023年超大规模集成电路技术与电路研讨会上提交其研究结果报告,该研讨会是最负盛名的半导体研究国际会议之一。
  • SK海力士、三星、英特尔在华晶圆厂均已获得美国出口限制豁免!
    10月12日消息,今天美国针对中国大陆的半导体制造“设施”开发、生产或使用集成电路的限制规则正式生效。这也意味着美系半导体设备厂商将无法继续向中国大陆的半导体制造商供应半导体设备、零部件及技术支持。昨天的消息也显示,美系设备厂商在大陆晶圆厂的驻场人员已经于10日开始陆续撤离。SK海力士等外资厂商在大陆的晶圆厂也接到了相关美系半导体设备厂商的通知。不过,据韩联社今天的中午的报道称,韩国存储芯片大厂SK海力士与三星电子已经于美国当地时间10月11日获得了美国商务部的许可,两家企业可以在未来1年内无需办理任何额外的手续即可获得美系半导体设备的供应。因此,这两家存储芯片厂商位于中国大陆的晶圆厂的生产都将不会受到禁令的影响。根据美国此前于当地时间10月7日出台的新禁令,所有位于中国大陆芯片制造厂商,如果要采购16nm或14nm或以下非平面晶体管结构(即FinFET或GAAFET)的逻辑芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片、以及128层或以上NAND闪存芯片制造所需的美系半导体设备,都将被“直接拒绝”,而在这个“阈值”以下的设备供应仍需要获得美国的许可。对于三星、SK海力士、英特尔等在中国大陆设有晶圆厂的外资厂商,美国则表示“跨国公司拥有的半导体制造设施将根据具体情况决定”。据悉,目前三星和SK海力士正在升级其位于中国大陆的晶圆厂,需要进口众多的设备。资料显示,截止至2020年,SK海力士已累计在中国投资超过200亿美元,在无锡拥有4000多名员工,并于2019年完成第二工厂C2F的建设。随着C2F项目的持续推进,无锡工厂将承担SK海力士DRAM存储半导体生产总量将近一半的份额。此外,在2020年10月20日,SK海力士还以90亿美元收购了包括英特尔大连NAND闪存工厂在内的英特尔NAND闪存业务。但是,英特尔仍将继续保留其特有的傲腾业务。2021年12月22日,在获得中国政府审批后,SK海力士正式完成了对于英特尔NAND闪存业务的收购。不过目前,英特尔大连厂尚未完全交割。根据约定预计,双方将在 2025年3月份最终交割时,SK 海力士将支付剩余的20亿美元从英特尔收购其余相关资产,包括 NAND 闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及中国大连工厂的员工。今年5月16日,爱思开海力士英特尔DMTM半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式。该项目将建设一座新的晶圆工厂,从事非易失性存储器3D NAND芯片产品的生产。另外,三星也正在持续推进西安高端3D NAND存储芯片项目的建设。该项目分为三期,一期项目总投资108亿美元,2014年5月竣工投产,月产能13万片;二期项目总投资150亿美元,主要制造闪存芯片。目前,二期第二阶段项目已于2021年年中建成投产。三星西安一期、二期项目存储芯片月产能各13万片。三星西安NAND存储生产基地产能占三星全球NAND Flash整体产能当中的占比高达40%。根据之前的规划,三星还将投资150亿美元建设西安三期项目,主要制造5G芯片和汽车芯片。正是因为SK海力士和三星的大陆工厂升级所需的设备较多,因此,每个案件的审批程序复杂,需要很长时间,因此,他们在与美国政府沟通后,一次性获得了所需的设备进口综合许可。这也使得此前三星和SK海力士疑虑的,需要根据个案逐案审查,可能造成的程序延迟等不确定性暂时得到了消除。SK hynix官方表示:“为了在中国大陆继续生产半导体产品,我们与美国进行了圆满的协商,今后将与政府一起与美国商务部密切协商,努力在遵守国际秩序的范围内运营中国大陆工厂。”另据芯智讯了解,英特尔位于大连的存储工厂(SK海力士收购后尚未完全交割)也获得了美国商务部的许可。一位美系设备厂商内部人员告诉芯智讯:“我们收到通知,英特尔大连厂已经获得了美国商务部的许可,我们已经可以继续向英特尔大连厂提供支持了。”不过,目前尚不清楚英特尔大连厂所获得的许可是否与SK海力士一样是为期一年的许可。另外据韩联社报道称,美国对SK海力士的许可措施似乎仅限于对现有工厂的升级,至于一年后是否会继续获得许可尚不得而知。据悉,美国政府的立场是,主要针对的不是现在进行中的项目,而更多的是针对未来的项目,后续将继续与韩方协商允许进口设备的程度。一位消息人士表示:“美国并不会无限期地给予许可,而是针对三星和SK海力士在升级中国当地工厂期间,为了避免进行复杂的逐案申请,所以给予了为期1年的许可。”另一位消息人士表示:“据我了解,此次措施是美国政府对三星和SK的具体项目给予全面许可的。”报道称,美国政府在准备出口管制措施的过程中就与韩国共享了内容,韩国政府为了不让三星和SK海力士在中国大陆工厂的运营出现问题,因此与美国方面进行了密切协商。韩方要求美方确保韩国企业在大陆正在进行升级的半导体制造项目不要出现问题。在双方的磋商过程中,美国政府也向韩国政府转达了“不会对跨国公司的半导体生产造成干扰”的立场。从美国的立场来看,如果出口管制要取得效果,自然是需要韩国这个半导体强国的协助,如果韩国企业在美国的制裁当中受到损失,韩国政府与美国政府的合作将会面临巨大压力。值得注意的是,目前美国正在积极推动与韩国、日本、中国台湾组建由美国领导的“芯片四方联盟”(Chip4)。虽然美国之前表示,该联盟旨在联合这几个在全球半导体产业链当中占据优势地位的地区,解决半导体供应链问题。但是,业界认为,美国组建Chip4的背后的意图是利用这一组织将中国大陆排除在全球半导体供应链之外。此前韩国也一直对此存有疑虑,希望避免针对中国大陆。那么为了让韩国、日本、中国台湾能够帮助美国更好的实现其围堵中国大陆的战略目标,美国自然会想办法拉拢他们,并且会避免在围堵中国大陆的过程中误伤到相关的海外企业。所以,美国在出台对华制裁新规之前就已经与韩国政府共享了内容,并第一时间给予了韩国相关企业以豁免。而在美国对华禁令的实施下,中国大陆的存储厂商发展大大受限,三星、SK海力士等存储巨头也将间接受益。
  • 屹唐半导体设备IPO获受理,台积电是其客户,细分领域全球第一
    屹唐股份科创板IPO申请近日获得上交所受理。屹唐股份是一家总部位于中国,以中国、美国、德国三地作为研发、制造基地,面向全球经营的半导体设备公司,主要从事晶圆加工设备的研发、生产和销售。2020年,屹唐股份干法去胶设备、快速热处理设备市占率分别为全球第一、第二。干法去胶设备市场份额全球第一屹唐股份的主打产品包括干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备。2018年-2020年(报告期),屹唐股份干法去胶设备和快速热处理设备的销售收入占比较大,尤其是干法去胶设备2020年实现销售收入同比增长82.12%至10.80亿元。屹唐股份主要产品已应用在多家国际知名集成电路制造商生产线,并实现大规模装机。公司干法去胶设备、快速热处理设备主要可用于90纳米到5纳米逻辑芯片、10纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造领域;干法刻蚀设备主要可用于65纳米到5纳米逻辑芯片、10纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造领域。公司服务的客户覆盖全球前十大芯片制造商和国内行业领先芯片制造商。截至2020年12月31日,公司产品全球累计装机数量超过3700台,并在相应细分领域处于全球领先地位。根据Gartner统计数据,2018年-2020年,干法去胶设备领域,屹唐股份分别处于全球第三、全球第二和全球第一的市场地位,市场占有率逐年提升。2020年,屹唐股份的市场占有率达到31.29%。2020年,存储芯片制造企业长江存储通过招投标方式采购27台去胶设备,其中24台由屹唐股份提供;逻辑电路制造企业华虹集团通过招投标方式采购11台去胶设备,其中10台由屹唐半导体提供。在快速热处理设备领域,根据Gartner统计数据,报告期内屹唐股份快速热处理设备市场占有率始终保持全球第二。屹唐股份的快速热处理设备客户覆盖台积电、三星电子、中芯国际、华虹集团、长江存储等国内外知名存储芯片、逻辑芯片、功率半导体、硅片制造厂商。干法(等离子体)刻蚀设备的壁垒相对较高。国际巨头如泛林半导体、东京电子、应用材料等拥有领先的技术工艺及客户资源,预计短期内较难被其他竞争对手超越。根据Gartner统计数据,2020年,前三大厂商泛林半导体、东京电子及应用材料合计占有全球干法刻蚀设备领域90.24%的市场份额,市场格局高度集中。屹唐股份、中微公司、北方华创等企业尚处于追赶阶段。目前,屹唐股份的刻蚀设备已被三星电子、长江存储等客户应用。向3纳米先进工艺迈进屹唐股份的核心子公司MTI成立于1988年,专注于集成电路设备研发和生产,原为美国纳斯达克证券交易所上市公司。2016年5月,屹唐股份完成对MTI的私有化收购。MTI的营业收入和利润占屹唐股份合并报表数据的比例较高。由于此次收购,屹唐股份商誉账面价值较高。截至2020年12月31日,屹唐股份合并资产负债表中商誉账面价值为8.96亿元,占报告期末净资产比例为21.29%。2018年以前,屹唐股份的生产制造基地主要位于美国、德国。为优化全球经营架构和布局、把握中国市场发展机遇,公司开始建设北京制造基地。报告期内,公司北京制造基地专用设备产量分别为4台、23台和54台。受益于半导体行业景气度提升,屹唐股份境内市场销售占比逐年提升。报告期内,公司来源于中国境内的收入分别为3.21亿元、4.94亿元、9.74亿元,复合增长率达74.27%,境内销售收入占公司营业收入比重由21.12%上升至42.12%。此外,通过组织架构调整、员工扩充等措施,屹唐股份实现了主要产品生产的本土化,形成了以中国为总部、国际化经营的业务布局及发展战略。公司于美国、德国、韩国、日本、中国香港、中国台湾等国家或地区设有控股子公司或分支机构。屹唐股份表示,随着集成电路关键尺寸缩小、芯片三维结构升级,光刻材料丰富与更新、晶圆退火时间缩短、刻蚀工艺步骤显著提升、晶圆表面处理技术进入原子层级时代等工艺发展,对于干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备等集成电路制造核心设备的性能提升需求不断增加。在干法去胶设备和快速热处理设备领域,屹唐股份根据行业领先集成电路制造厂商的需求,研发应用于3纳米及更先进逻辑芯片、先进10纳米系列DRAM芯片、176层到256层3D闪存芯片制造的干法去胶设备和工艺、快速热处理设备和工艺。在干法刻蚀设备领域,屹唐股份持续根据客户需求,研发可用于10纳米系列DRAM芯片、64层到256层3D闪存芯片的刻蚀设备和工艺。截至2021年5月31日,屹唐股份拥有发明专利309项,科研成果在全球主要半导体生产地区申请了专利保护。报告期内,公司的研发费用分别为2.54亿元、2.79亿元、3.28亿元,研发费用占营业收入比例分别达16.75%、17.75%、14.20%。亦庄国投为间接控股股东经营国际化,离不开国际化背景的高管团队。招股书显示,自屹唐股份完成对MTI的私有化收购以后,便形成了以HaoAllenLu(陆郝安)为CEO的核心管理团队,现任核心管理团队拥有应用材料、英特尔、阿斯麦、泛林半导体、东京电子等集成电路领域知名企业从业经验,兼具国际化视野和对行业的深刻理解。例如,HaoAllenLu(陆郝安)在应用材料、英特尔、SEMI均有任职经历。报告期内,屹唐股份的营业收入分别为15.18亿元、15.74亿元、23.13亿元,营业收入复合增长率达23.41%;归母净利润分别为2395.83万元、-8813.98万元、2476.16万元。对于2019年净利润为负的原因,屹唐股份解释称,主要系公司北京制造基地当年建成投产,生产效率及规模效应尚在逐步提升阶段。此外,中国区业务团队当年也在扩张以适配快速增长的国内客户需求,当年各项先行投入较大。随着公司业务拓展效果在2020年的显现,公司的盈利情况得到了恢复和改善。报告期内,屹唐股份的主营业务毛利率分别为40.09%、33.75%、32.79%。公司表示,报告期内干法去胶设备销售收入占比大幅度增加,产品结构变化导致专用设备平均单价有所降低,毛利率水平有所下降,但毛利金额占比逐年稳步提升。屹唐股份此次拟募资30亿元,投向屹唐半导体集成电路装备研发制造服务中心项目、高端集成电路装备研发项目以及发展和科技储备资金。股东结构方面,此次发行前,屹唐盛龙直接持有公司45.05%股份,为屹唐股份直接控股股东。亦庄国投通过亦庄产投和北京亦庄国际新兴产业投资中心(有限合伙)间接持有屹唐盛龙100%财产份额,并通过屹唐盛龙间接持有公司45.05%的股份,为公司间接控股股东。而北京经济技术开发区财政审计局持有亦庄国投100%股权,为屹唐股份实际控制人。此外,深创投、红杉资本、CPE投资基金均为屹唐股份的股东。
  • 鼎泰恒胜发布全自动石墨消解仪 DTI-60TⅡ新品
    一、产品独特优势及亮点1、全机身表面特氟龙防腐蚀处理,加液臂使用聚四氟材料,无任何传动部件外露,长久抵抗酸雾腐蚀;2、双臂支撑结构,保持超声波传感器水平高度长久稳定,准确定容;3、双加热温控,两个石墨体独立加热,独立控制;4、可选蠕动泵和注射泵互补、协同加液,发挥两种泵的加液优势;5、通过触屏电脑、台式机、笔记本无线操控;6、声音提醒功能,实验进度显示,试剂声音报警;7、突发断电时,实验断点闪存,接断点继续水解;8、脱离控制器仍可离线运行,继续消解二、产品特点自动消解全自动加酸、混匀、消解、赶酸、冷却、定容声音提醒实验进度提示,试剂空、管架不平行等声音性能稳定密闭封装防酸设计,仪器持久耐用放心消解脱机运行、断电闪存技术均匀加热石墨体加热批量样品均匀、立体加热消解准确定容超声波传感器准确定容0~100mL定容体积12个加液通道12种试剂选择添加、定容温控范围室温~260°C,PID程序控温实时温度显示石墨体加热至少两个石墨体加热,可适用50mL、100mL消解管,多种加热组合,独立控制,可同时或独立消解整体混匀非样品接触式机械震荡批量样品整体混匀自由选配集成式自动排风系统、平板电脑、聚四氟乙烯回流漏斗无线控制通过触屏电脑、台式机、笔记本无线操控,通过软件调用实验室方案,随时查看仪器状态,检查运行情况。存档运行日志定期拷贝,为实验室数据溯源做好存档工作外形特点外形精致,小巧轻便可选配双加液定容系统实现两个样品同时加热、定容、快速操作创新点:全机身表面特氟龙防腐蚀处理,加液臂使用聚四氟材料,无任何传动部件外露,避免酸雾直接熏蒸,持久耐用。 全自动石墨消解仪 DTI-60TⅡ
  • 华虹半导体发布二季度业绩:首达3.461亿美元 创历史新高
    华虹半导体发布了公司2021年二季度业绩。业绩报告显示,公司本季度的销售收入再创历史新高,达到3.461亿美元,同比上升53.6%,环比上升13.5%。毛利率24.8%,同比下降1.2个百分点,环比上升1.1个百分点。期内溢利3,720万美元,上年同期为130万美元,上季度为2,090万美元。华虹半导体2021第三季度指引显示,预计销售收入约4.1亿美元,毛利率25%-27%之间。公司总裁兼执行董事唐均君先生对2021年第二季度业绩评论道:“2021年第二季度对华虹半导体来说又是再创新高的一个季度,单季营收达到前所未有的3.461亿美元,同比增长53.6%,环比增长13.5%。得益于国内市场不断增长的需求、销售数量和单价的双双显著提升,MCU微控制器、射频、电源管理、标准式闪存以及超级结等市场需求仍然十分强劲,为公司持续、稳定的发展提供了坚实基础。第二季度公司8”+12”平台整体毛利率为24.8%,同比下降1.2个百分点,主要由于12英寸平台销售份额的增长及伴随着大量折旧的产生。令人可喜的是:因销售单价上升、产能利用率创新高,环比提高1.1个百分点。二季度公司出货大大增加。盈利能力也大幅提升,实现净利润3,720万美元,同比增加2,848.3%,环比增加77.7%。”“对于三条8英寸生产线来说,本季度也是有史以来最好的一个季度。8英寸平台营业收入创下2.62亿美元的历史最高。得益于平均销售价格的提高和生产线效能提升,8英寸毛利率从2021年第一季度的27.3%提高到31.6%。贡献净利润5,130万美元,占总收入的19.6%。我们将把握机遇,继续做优8英寸生产线的工艺平台,8英寸生产线效益前景仍然看好。”“华虹无锡12英寸生产线第二季度营收达到0.84亿美元,同比增长786.8%,环比增加54.0%,息税折摊前利润2,990万美元,较上季度增长208.3%。有鉴于华虹先进特色工艺的超强市场活力,嵌入式闪存、模拟电路以及功率器件等工艺平台,迅速在12英寸生产线上研发成功,客户产品快速导入,支撑了生产线产能增长。产品结构布局合理,与市场需求高度契合。截至今年5月份,12英寸生产线月产能已达到4.8万片,产能利用满载。我们加强与供应商密切合作,确保扩产上量计划稳步推进。我们将稳步实现于今年年底达到6.5万片的月生产能力。为了满足旺盛的市场需求,公司还将继续加大投入,进一步扩大产能,不断优化工艺布局,与产业链一起发展壮大。”“随着上海三条8英寸生产线的持续优化和12英寸生产线的迅速扩张,华虹半导体的发展已步入稳定、有质量的发展新阶段。作为半导体供应链中至关重要的代工生产环节,公司将继续坚定不移地执行8”+12”齐头并进、协同发力的先进‘特色IC + Power Discrete’战略,全力以赴以最优最快最稳的发展节奏支援研发创新,为客户提供全面优质的技术服务,为缓解全球半导体供应短缺作出贡献。”
  • 鼎泰生化科技携新一代消解仪、超声清洗机产品亮相BCEIA 2017
    2017年10月10日,鼎泰(湖北)生化科技设备制造有限公司(以下简称鼎泰公司)携新一代DTI系列全自动石墨消解仪、DTA系列静音型超声清洗机等产品精彩亮相BCEIA 2017盛会。鼎泰公司产品经理简要介绍了本次展出的两款重点产品以及公司未来3年发展规划。DTI系列全自动石墨消解仪  DTI系列全自动石墨消解仪是鼎泰最新一代全自动石墨消解仪,鼎泰公司产品经理重点强调了它的三大优势。  首先它外观小巧,为实验室节省空间。在市场上同样位数,同样功能以及同样处理能力的同类产品比较,该款仪器具备最小体积。  其次该款产品全身防腐设计,大大延长使用寿命。仪器内外经过特氟龙(聚四氟乙烯)处理,在高温下,即使是浓酸腐蚀,也能承受,耐腐蚀能力非常强。  再者该产品售后返修率少,因为产品质量过硬,产品稳定性强,返修率少,所以基本不会涉及售后维修等问题,这对于提升实验室工作效率益处很大。  DTI系列智能操控、性能稳定,它将电热消解、自动通风系统、自动试剂选择添加系统、非接触式机械振荡、液位传感定容、机械臂托举、PC、智能控制等部件集成,一站式完成样品消解的自动加酸、加热消解、样品混匀、赶酸、托举冷却、定容等实验操作,是无机样品前处理实验人员的得力助手,轻松高效的实现实验方案。  小编也仔细扒了一下详细资料,小小产品涵盖了很多技术亮点:  1、聚四氟乙烯全密闭封装,无传动皮带外露,长久抵抗酸雾腐蚀  2、双臂支撑结构,保持超声波传感器水平高度长久稳定,准确定容  3、双加热温控,两个石墨体独立加热,独立控制  4、可选蠕动泵和注射泵互补、协同加液,发挥两种泵的加液优势  5、通过触屏电脑、台式机、笔记本无线操控  6、声音提醒功能,实验进度提示,试剂空声音报警  7、断点闪存,突发断电时,实验断点闪存,接断点继续消解  8、离线运行,脱离控制器,继续消解DTA系列超声波清洗机——全自动注、排水程序控制 可随机变换超声功率频率 加速实验效率 DTA系列超声波清洗机是鼎泰公司新一代超声波清洗机,该仪器可满足全自动注排水,并且可随机变化频率和功率,这在市场同类产品中是一大优势,可大大加速实验效率,提高实验结果。通过仪器前面彩色触摸屏进行程序设定操作,进行全自动注排水设置,还可以类似液相梯度那样,设置在不同时间使用不同的超声功率、不同的超声频率来工作,这尤其对化工合成、化工工艺研究实验室带来更大便利,是科研研发实验室得力工具。也是国内外同类产品中,处于前沿技术的产品。  DT系列超声波清洗机不仅优化了工业级超声波阵子以提高超声稳定性,采用304不锈钢材质以提升清洗机的耐用性,而且在产品的外形和结构设计方面更是进行了全新定位,流线型ABS材质机身耐腐蚀、清洁方便,通过密合式紧密设计以降低超声时产生的噪音,实验人员使用过程中感受不到噪声的存在,更安心的投入工作。  该超声波清洗机可广泛用于精密清洗、固体溶解、颗粒分散、细胞裂解以及样品制备前处理如液体脱气、混合、均质等。  除了BCEIA现场展出的上述两款重点产品外,鼎泰公司先后在市场推出了多项前处理产品如恒温加热板、磁力搅拌器、柱温箱、真空抽滤泵等。  立足前处理领域 扩充产品线   谈及未来3年发展,鼎泰产品经理向小编透露,鼎泰将持续立足前处理领域,将现有产品做稳定,做扎实前提下,扩充更多新品类,目前更多新品现已进入研发阶段。相信鼎泰公司产品未来将具备更广泛的市场空间。
  • 上海微系统所在相变存储器研制方面取得进展
    当今,电脑系统采用层次化存储架构:缓存、内存和闪存。离CPU越近,对存储器存储速度需求越高,如内存的速度为纳秒级别,而缓存则需要皮秒级别。   作为下一代存储器的有力竞争者,相变存储器的速度决定了其应用领域,而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度(写速度)所决定。   研究表明,相变存储器的热稳定性越差,结晶速度越快,而单质锑(Sb)是目前已知热稳定性最差的相变材料,可能具有最快的操作速度。   中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠和朱敏研究团队等通过分子动力学计算,发现单质锑能够在120 ps内从非晶结构中成核并进一步完全结晶。通过制备200 nm、120 nm和60 nm T型下电级器件的单质锑相变存储器件,研究发现随着器件尺寸减小,单质锑相变存储器的速度越快。   200 nm 单质锑器件最快的写速度为359 ps(见图1),当器件尺寸微缩至60 nm时,写速度为~242 ps, 比传统Ge2Sb2Te5的快近100倍(20 ns)。通过与已报道的相变存储器的速度对比(见图2),单质Sb器件的速度明显快于传统Sb-Te、Ge-Te以及 Ge-Sb-Te基相变存储器,其~242 ps的操作速度是目前相变存储器速度的极限。此结果表明,通过选择合适的相变材料,相变存储器有望具备替代内存甚至缓存的潜力。   该成果于1月31日发表在《先进材料》(Advanced Materials)上(10.1002/adma.202208065)。该工作得到中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金等的支持。
  • 第十一届国际材联亚洲材料大会在青岛召开
    仪器信息网讯 2010年9月26日,由中国材料研究学会主办,日本材料研究学会、台湾材料研究学会协办,中国材料研究学会与青岛市政府联合承办的第十一届国际材联亚洲材料大会(IUMRS-ICA 2010)在青岛国际会展中心隆重开幕。   国际材联亚洲材料大会(IUMRS-ICA)是国际材联最重要的系列会议之一,此次会议共吸引了来自来中国、日本、韩国、新加坡、印度、中国台湾等十余个国家和地区的1800余名材料领域的专家、学者、技术人员及仪器设备厂商参加。 会议现场   大会邀请了5位世界材料研究领域的知名专家做了精彩的大会报告。   报告人:沈阳材料科学国家(联合)实验室主任 卢柯院士   报告题目:Nano-twin strengthening and nano-twinned materials   强度和导电性是金属材料两个至关重要的性能,但往往顾此失彼,不可兼得。如何才能在保证金属材料强度的同时,获得良好的导电性、延展性及韧性,卢柯院士介绍了利用脉冲电解沉积技术制备出具有纳米尺寸孪晶的纯铜,通过在纳米尺度的结构设计优化了材料的性能,其拉伸强度、电导率等性能参数和普通纯铜相比都得到了很大的提高,并同时兼顾了金属材料的导电性能和强度,这类材料将具有广阔的应用前景。   报告人:美国通用汽车公司研发中心 Mark Verbrugge博士   报告题目:Materials research and electrified vehicles   Mark Verbrugge博士介绍了通用汽车公司的电气化战略、电池技术发展轨迹,电气化在电动车雪佛兰伏特汽车中的应用,研发优质电池面临的挑战、化学降解和化学机械退化对电池寿命的影响、新型材料对电池研制可能带来的发展机遇。Mark Verbrugge博士介绍说锂离子电池具有能量密度大、使用寿命长、体积小等优点,但它未来的发展同样面临着严峻的挑战,如能否降低原材料的价格、如何提高低温环境下电池动力、为何在高温环境下电池寿命就会缩短、怎样对电池做加速寿命测试、如何延长电池使用时间等问题还有待进一步的探讨。   报告人:日本东京大学 Ryoichi YAMAMOTO教授   报告题目:Eco-materials Development and Green Growth   Ryoichi YAMAMOTO教授首先谈到目前全球的气候变得越来越恶劣,2010年世界各地发生了多起极端的气候现象,这些与人类对环境的污染是分不开的。环境问题已经得到了大家的重视,零碳经济增长是我们的目标,环保材料的开发与应用对于实现绿色增长至关重要。Ryoichi YAMAMOTO教授表示列入环保产品名录的环保材料必须符合以下六个标准:不使用稀缺资源、具有清洁和保护环境的功能、生产该类材料对环境的冲击特别低、不含任何有害物质、具有良好的性能、易于回收利用。此外,Ryoichi YAMAMOTO教授还介绍了环保产品数据库未来的信息记录规划。   报告人:韩国汉阳大学 Jea-Gun Park教授   报告题目:Future Technology Evolution for Memory Device and Materials   Jea-Gun Park教授介绍了DRAM(Dynamic Random Access Memory)与NAND闪存存在的不足之处、新型材料在存储器中的应用、目前一些新型的存储系统。DRAM是最常见的系统内存,但它具有数据保持时间短、功耗大等缺点。纳米器件自旋转移矩(Spin TransferTorque:STT)方式MRAM(Magnetic Random Access Memory)拥有高速读取写入能力及高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。PRAM相比普通的DRAM和NAND闪存,其读数速度和寿命周期都有很大的提升,还具有低能耗的特点。ReRAM能提供更低的功耗,并且成本也比较低。   报告人:国立清华大学 陈力俊教授   报告题目:In situ UHV-TEM Investigation of Dynamical Changes in Nanostructures   陈力俊教授首先简要介绍了光电子显微镜、低能量电子显微镜、透射电子显微镜、隧道扫描显微镜,主要介绍了超高真空原位透射电子显微镜对纳米结构动态变化的研究中的应用,利用超高真空原位透射电子显微镜观察铜晶界中的原子扩散,研究金属硅化物在微电子工业中的应用等。研究所用的原位透射电子显微镜样品室和前处理室真空度小于5×10-8Pa、点分辨率可达0.21nm、线分辨率可达0.14nm、加速电压200kV。   本次大会共设21个分会和一个论坛,涉及能源与环境材料、高性能结构材料、功能和电子材料、纳米与非晶材料、生物医用材料以及材料模拟和评价等六大领域。大会还设立了论文墙报展,同期举办了新材料、材料制备和测试技术大型展览会,60余家国内外相关仪器设备厂商参展,充分展示国内外材料表征与评价分析仪器的最新进展。 论文墙报展 仪器展览
  • 长江存储发布声明:日媒肆意杜撰炒作其供应链管理政策
    5月10日,长江存储在官网发布声明称,发现“日经亚洲评论”等多家网络媒体援引不可靠信源,对长江存储供应链管理政策进行了肆意杜撰,发布不实报道。对此,长江存储郑重声明如下:1. 长江存储是一家全球化运作的商业公司,致力于融入全球半导体产业链,与世界优秀的企业共同成长,并始终遵循公平公正的供应链审核制度;2. 长江存储始终以提供高品质闪存解决方案产品满足全球客户需求为目标,不以任何非法律和非市场化竞争的因素排除特定区域的合作伙伴;3. 目前长江存储与各国合作伙伴均保持着友好互信的商业往来,合作共赢仍是我们共同的追求,也诚挚欢迎各国优秀企业与长江存储合作,继续支持长江存储发展,共同推动产业不断创新、不断进步。长江存储声明 图源长江存储官网据了解,事情起源自日媒不可靠报道。相关报道称长江存储为了减少对美的依赖,开始进行了大规模审查,不管是螺钉、螺母和轴承还说是那些生产设备和化学药品等等,都是力求是本土供应商,甚至是非美供应商就行!其中某知情人表示,现在的长江存储不仅仅是在排查自己的生产线,还在排查供应商以及供应商的供货链,用“掘地三尺”来形容似乎也不足为过!比如螺母的来源、交货时间、是否存在替代品等等方面,长江存储都要严格审查!长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月,总部位于“江城”武汉,是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking® 架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月,长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070型号作为业界首款128层QLC闪存,拥有业界最高的IO速度,最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心,全球共有员工6000余人,其中资深研发工程师约2200人。通过不懈努力和技术创新,长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。日媒援引不可靠信源报道,可能对长江存储的海外设备采购造成不利影响。
  • 复旦周鹏半年六登《自然》子刊,聚焦二维材料集成电路器件研发
    融信息感知、存储、处理于一身,摒弃冗余的模块组合和数据转换传输,对运动物体的探测与识别一步到位… … 视网膜形态的一体化运动探测器件如今不再是想象。复旦大学微电子学院教授周鹏团队与中科院上海技术物理研究所胡伟达研究员合作,在智能运动探测领域取得了原创性进展,巧妙地运用新型神经网络概念打造出了动态感存算一体化、可实现人类视觉完整功能的“全在一”器件,首次得以在时间尺度上进行图像处理,实现运动探测与识别。11月8日,相关研究成果以《面向运动探测识别的全在一二维视网膜硬件器件》(All-in-one two-dimensional retinomorphic hardware device for motion detection and recognition)为题在线发表于《自然-纳米技术》(Nature Nanotechnology)。周鹏团队16年来深耕集成电路新型器件和系统研究领域,成果丰硕,仅2021年5月以来,已有六项成果接连于《自然-电子学》(Nature Electronics)、《自然-纳米技术》(Nature Nanotechnology)、《自然-通讯》(Nature Communications)等《自然》子刊发表。“风洞”实验:为“硅”探路和拓展累累硕果的背后,是长达数十年的深耕与持续探索。2005年从复旦大学博士毕业后,周鹏即留校任教,多年来潜心扎根于集成电路新材料、新器件和新工艺的研究。“科研道路上,迷茫、困顿是常态,不能心急,在经历不断的尝试、摸索后,终有开花结果的时候。”硅是目前集成电路的主要载体,然而,过于昂贵的工艺流程限制了创造性器件的设计与研发,且常规的硅器件结构及系统已无法满足智能时代产生的新需求。周鹏团队便将目光投向了物性更丰富、性质更多元的二维材料以构筑新器件,为硅找寻尝试解决当前集成密度与能耗难题的方案。“我们的二维原子晶体就像扮演了航空技术中‘风洞’的角色,为硅探路。”周鹏解释道。团队牢牢把握两条主线,即从器件基本原理出发和从材料的本质特性出发,两条线交叉融汇而得出新思路、新观点,获得一般规律,进而在硅上重现,探索引入新技术的可能性。为突破制约硅基闪存技术的原理瓶颈,周鹏团队从源头出发,首次发现了双三角隧穿势垒超快电荷存储机理,并基于此原理建立了通用器件模型,设计并制备出同时具备三大要素的范德华异质结闪存,为在硅体系中开展应用指出了原则性的研发路径。针对硅红外探测的困难,团队独辟蹊径,开创性地构筑了范德瓦尔斯单极势垒探测器得以看到“黑暗中的红光”,构建天然屏障以阻挡“有害的”噪声暗电流成分,同时又保障“有益的”信号光电流畅通无阻,在不削弱光响应的情况下有效抑制暗电流,提高探测器信噪比。在发掘材料本质、拓展功能方面,基于晶圆级二维半导体材料,团队创新地构建了可用于乘法累加运算的新型架构,具有用于低功耗和高计算力的存算融合系统的巨大潜力;在电路晶圆级集成方面,提出了一种适合学术界探索的二维半导体集成电路工艺优化路线,展示了二维材料体系未来芯片的应用前景;针对具有重大需求的类脑神经形态技术,团队利用二维原子晶体的双极性固有特征,实现了单晶体管基非线性逻辑运算,为高性能低功耗智能系统的发展提供了新的技术途径,有望构建真正意义上的“电子大脑”。传递薪火:科研书写报国情除科研工作者的身份外,身为教师,为集成电路领域培养储备人才是他的初心,他获评2021年“钟扬式”好老师。“在我看来,每位学生就像是一颗种子,教师要提供良好的土壤环境,根据学生的特质制定培养方案,也要适当‘放手’,让他们的主观能动性被充分激发。”在周鹏的悉心培育下,多名学生获国家奖学金、“复旦大学学术之星”等荣誉,多篇学生一作论文在核心刊物上发表。微电子学院2016级直博生陈华威毕业后入职华为从事新型芯片研发,对导师五年来的教诲仍印象深刻:“周老师鼓励我打破思维局限,充分尝试不同的可能性,他所展现出的严谨治学态度、逻辑思维方式让我受益匪浅。”“周老师对我的影响是巨大的。”周鹏所招收首届学生刘春森说:“周老师常提到,硅在传统技术上积累了太多技术壁垒专利,我们要聚焦前沿独辟蹊径,采用新材料去实现技术突破,使得我国在集成电路基础制造上不用受制于人。这也促使我坚持在‘卡脖子’领域的研究道路上走下去,再走下去。”如今,刘春森在复旦大学芯片与系统前沿技术研究院任青年研究员,将这份学术报国“芯”接力传承。周老师以言传身教,引导学生不断加深对“为国科研”这四个字的认识。博士生王水源说:“他指导我们,科研工作者更应该在技术最前端的黑暗中到不同方向去点燃微光,对接国家战略需求,为产业的前路铺设上温暖的灯塔和可靠的补给站。”秉持着这样的思路,他带领着团队不断拓展集成电路技术的无限空间。立足集成电路领域,复旦大学是国内最早从事研究和发展微电子技术的单位之一。2014年获批建立“国家集成电路人才国际培训(上海)基地”,2015年成为国家9所示范性微电子学院之一,2018年牵头组建的“国家集成电路创新中心”揭牌成立,2019年承担了“国家集成电路产教融合创新平台”项目,建设教育部创新大平台,2020年率先试点设立“集成电路科学与工程”一级学科… … “科研人员所要解决的,并不是渴了才去考虑用哪个杯子装水的问题,而是需要在喝完这杯水前,就着手筹谋下一杯水从哪里来。”以大平台为基石,以体制机制的升级为引擎,周鹏团队取得了一系列成果。
  • Science:仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面流体自主择向
    流体可控输运广泛存在于各种自然系统和实际工程中,在微流控、冷凝换热、抗结冰和界面减阻等领域具有广阔的应用前景。自从表/界面科学润湿性基础理论建立以来,国内外学者普遍认为,液体倾向于自发向系统能量降低的方向运动,其运动方向主要取决于表面结构特征和化学组成,与液体的性质无关。然而,液体能否决定其命运,在不改变表面结构和无能量输入的前提下实现运动方向的自主选择是长期以来困扰学者们的科学难题。近日,香港城市大学王钻开教授及其合作者借鉴南洋杉叶片多重悬臂结构特征,制备了仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面,通过建立3D固/液界面交互作用,实现流体运动方向的自主选择。该研究以“3D capillary ratchet-induced liquid directional steering”为题发表在国际顶级期刊Science上。大连理工大学冯诗乐副教授和香港城市大学朱平安助理教授为该论文共同第一作者,香港城市大学王钻开教授为该论文通讯作者。图1 南洋杉叶片及其仿生表面多悬臂结构特征。A 南洋杉叶片表面双重曲率结构特征,包括横向和纵向曲率。B仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面双重悬臂结构特征,单个锯齿厚度80 μm。要点:研究者借鉴南洋杉叶片结构特征,使用PμSL 3D打印技术(nanoArch® S140,摩方精密),设计并制备了由平行排列的具有横向和纵向曲率的双重悬臂结构的锯齿阵列组成的仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面、具有对称垂直平面叶片结构的表面、具有倾斜平面叶片结构的表面和具有平行沟槽结构的表面。3D打印技术所使用树脂为丙烯酸光敏树脂,固化紫外光波长为405 nm,能量密度、曝光时间、曝光分辨率、打印层厚分别30 mW/cm²,1 s,10 μm,10 μm。叶片间距p为750 μm,列间距w为1000 μm,叶片倾斜角度为15 – 90°,纵向和横向的曲率半径R1和R2分别为~400 μm和~650 μm。图2南洋杉叶片及仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面流体输运性能。A酒精(红色)和水(蓝色)在南洋杉叶片上的运动行为。其中,酒精沿着锯齿结构倾斜的方向运动,而水沿着相反的方向运动。B低表面能液体和高表面能液体在仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面运动行为。要点:研究者发现,乙醇沿着南洋杉叶片表面锯齿结构倾斜的方向运动,而水沿着反方向运动,这种通过调控液体性质来控制其输运方向的现象尚未报道。受此启发,研究者研究了不同表面张力流体在仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面的输运性能。研究表明,该仿生功能表面展现出和南洋杉叶片相似的流体择向性能:低表面能流体沿着锯齿结构倾斜的方向运动,而高表面能流体沿着与锯齿结构倾斜相反的方向的运动。即使在长程输运和圆形表面上,流体依然保持良好的单向输运性能。图3 仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面流体自主择向机理。A/B低表面能液体和高表面能液体在仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面的铺展行为。C横向曲率结构悬臂效应力学分析模型。D流体打破结构扎钉效应的临界状态。E纵向曲率结构悬臂效应力学分析模型。F流体自主择向现象和表面结构及流体表面张力的关系。要点:研究者观察发现,液体在仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面铺展过程中,低表面能液体固/液界面展现自下而上的铺展模式,而高表面能液体展现自上而下的铺展模式。实际上,流体沿着特定方向的自发铺展需要满足两个临界条件:第一,流体能接触到相邻的锯齿结构;第二,流体前端受到的驱动力足够克服结构的扎钉效应。3D毛细锯齿结构的亚毫米尺度双重悬臂结构特征,能够调控不同表面张力流体两个临界条件的阈值,建立3D空间上非对称固/液界面相互作用,进而选择流体的铺展模式和铺展方向,实现液体运动方向的有效控制。这是仿南洋杉3D毛细锯齿结构表面流体自主择向的本质。该论文合作者包括香港城市大学机械工程系郑焕玺、李加乾,大连理工大学机械工程学院詹海洋、陈琛、刘亚华教授,香港城市大学生物医学科学系姚希副教授和香港大学机械工程系王立秋教授。论文链接: https://www.science.org/doi/10.1126/science.abg7552
  • 中国科学家研制出首个半浮栅晶体管
    复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管(SFGT)。8月9日,美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文,标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。   据介绍,金属&mdash 氧化物&mdash 半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中最基本的器件,而我们常用的U盘等闪存器件,多采用另一种被称为浮栅晶体管的器件。此次研究人员把一个隧穿场效应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来,构成了一种全新的&ldquo 半浮栅&rdquo 结构器件,称为半浮栅晶体管。它具有高密度和低功耗的明显优势,可取代一部分静态随机存储器(SRAM),并可应用于动态随机存储器(DRAM)领域以及主动式图像传感器芯片(APS)领域。   &ldquo 在这些领域,中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。&rdquo 张卫介绍说,作为一种基础电子器件,半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模超过300亿美元。它的成功研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术,从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多话语权。   不同于实验室研究的基于碳纳米管、石墨烯等新材料的晶体管,半浮栅晶体管是一种基于标准硅CMOS工艺的微电子器件。SFGT原型器件在复旦大学的实验室中研制成功,而与标准CMOS工艺兼容的SFGT器件也已在国内生产线上被成功制造出来。   &ldquo 半浮栅晶体管兼容现有主流集成电路制造工艺,具有很好的产业化基础。&rdquo 张卫表示,不过,拥有核心专利并不等于拥有未来的广阔市场。尽管半浮栅晶体管应用市场广阔,但前提是对核心专利进行优化布局。
  • 等离子体刻蚀机、PVD和扫描电镜等创新成果亮相2024清华大学工程博士论坛!
    仪器信息网讯 2024年5月18-19日,2024清华大学国家卓越工程师学院春季工程博士论坛在北京亦庄举办。论坛围绕“先进装备”“大健康”“未来建设”“工业软件”“集成电路”“新能源”“综合交通”“大数据AI”“智能制造”九大产业集群要素开展主题沙龙。本次论坛作为又一次盛大的学术交流活动,现场展出了诸多优秀创新成果,仪器设备相关成果也位于其中,如“应用于集成电路制造的12英寸电感耦合等离子体刻蚀机和硅通孔(TSV)铜籽晶层物理气相成绩(PVD)设备”、“单束高通量扫描电镜及其跨尺度材料观测分析”。成果一:等离子体刻蚀机和硅通孔(TSV)铜籽晶层物理气相成绩(PVD)设备一、主要工程技术难点和创新性1、等离子体刻蚀机:先进脉冲射频脉冲等离子体产生和控制技术,实现多种等离子体参数的调控 先进的抗等离子体刻蚀的涂层技术实现纳米级别的颗粒环境调控,复合径向和角向联合小区域精确控温技术实现优异的整片关键尺寸均匀性,高精度终点检测技术(如光学发射光谱和光学相干光谱)识别精细刻蚀工艺过程中信号强度变化 双重/四重图形曝光工艺能力实现小线宽的图形控制等技术。2、TSV铜籽晶层物理气相沉积设备:高离化率磁控管技术、带有偏压的低温ESC技术 实现高深宽比下高台阶覆盖率沉积 实现优异的颗粒控制 二、工程应用价值和成熟程度目前研发的等离子刻蚀机,通过实现优异的双重/多重图形曝光、高介电常数介质/金属栅等刻蚀工艺形貌控制,适用于鳍式晶体管、多层3D NAND 闪存高密度DRAM内存等先进结构生成,广泛应用于国际主流逻辑、存储等芯片制造生产。TSV铜籽晶层物理气相沉积设备,已经广泛应用于逻辑,存储和先进封装芯片领域,能够实现较高深宽比的硅通孔铜籽晶层沉积,该设备已在多家客户端实现量产应用,代表国产金属薄膜沉积设备的较高水平。成果二:“单束高通量扫描电镜及其跨尺度材料观测分析”创新性的设计单束扫描电镜的电子光学系统:1、采用浸没式的电磁复合透镜保证1nA的落点电流下实现1.8nm@1keV的分辨率。2、采用位于透镜中的背散射(BSE)和二次电子(SE)探测器提高信号电子收集效率和图像信噪比,实现最短10nS/像素的驻留时间,即实现100M像素/秒的成像速度。工程博士论坛每年春季学期和秋季学期各举办一次,旨在加强工程领域的学术交流,激发工程博士生的创新思维,提高工程博士生解决复杂工程技术问题、进行工程技术创新、组织工程技术研究开发工作等能力,促进跨界交叉融合创新,不断扩大工程博士生在工程界、学术界和社会上的影响,推进产教融合,高起点、高质量地培养造就工程技术领军人才。工程博士论坛自2019年创办至今,已先后在北京、南通、深圳、成都、海盐、武汉、上海成功举办9届,经过几年不断地建设和发展,论坛活动成效和影响力不断扩大,逐渐打造成彰显清华特色的学术品牌。工程博士论坛网站:http://qhgbforum.ihaogo.com/index.htmlfor
  • 机构:2024年下半年晶圆代工厂利用率有望突破80%
    研究机构TechInsights最新报告预测,当前全球存储芯片市场表现亮眼,主要受益于高带宽存储器(HBM)的旺盛需求,以及AI数据中心对NAND闪存使用量的增长。机构预计,随着存储市场复苏,加上企业为即将到来的销售旺季积极备战,半导体制造厂的产能利用率已摆脱去年低谷,预计2024年下半年将突破80%。机构称,目前台积电5nm及以下先进制程的产能利用率已经接近饱和,同时也有消息称NAND闪存制造商也即将结束减产措施。尽管存储市场火热,但工业和汽车芯片市场情况仍不明朗,由于市场需求停滞不前,模拟芯片、分立器件等领域的制造商在2024年上半年被迫削减产量。机构认为,这一局面是暂时的,预计随着库存消化,2024年下半年这些领域需求将有所回暖,带动成熟制程晶圆厂产能利用率提升。展望未来,随着终端需求全面复苏,TechInsights预计2024年下半年全球晶圆厂产能利用率有望攀升至80%左右,并在2025年达到平均约90%的利用率。世界半导体贸易统计组织(WSTS)日前预测,2024年全球半导体行业销售额增幅将达到16.0%,有望增长至6112亿美元,再创历史记录,预计2025年将达到6874亿美元。随着人工智能(AI)需求持续攀升,晶圆厂设备制造商、半导体周边材料制造商,也将乘势实现增长。
  • 2021半导体产业大事记
    全球深陷芯片“荒”、涨价潮,美国借机勒索数据自2020年下半年以来,市场频频传出缺货潮。2021年以来,半导体行业经历了前所未有的缺货潮和涨价潮,各大厂商纷纷发布涨价函。其中,部分品种涨幅甚至超过300倍。二级市场方面,涨价潮所带来的红利早已兑现。市场普遍预期,缺货要到2022年下半年才有望缓解,届时芯片价格有可能下降。由于全球“芯片荒”迟迟未缓解,9月23日,美国商务部召开半导体高峰会。美国商务部长雷蒙多在半导体高峰会上态度十分强硬,坚称美国政府需要更多芯片供应链的信息,要求台积电、三星等晶圆代工厂交出库存量、订单、销售记录等数据,理由是“提高透明度,并确定导致短缺的根本原因”,要知道美国要求交出的这些数据被视为商业机密。10月22日,台积电表态称:将于美国规定的时间(11月8日)之前,按时上缴相关商业数据。11月8日,台积电、三星等半导体企业向美国上交机密数据后,美商务部长称“他们自愿的”。半导体行业的并购与整合NVIDIA斥资400亿美元收购ARM遇阻2020年9月14日,NVIDIA宣布将以400亿美元的价格从软银集团手中收购ARM。协议内容显示,NVIDIA将支付215亿美元的股票和120亿美元的现金,其中包括20亿美元的签约金。但截至目前,该收购案已经持续一年多时间,不仅悬而未决,反对声更此起彼伏。欧盟委员会、英国竞争与市场管理局(CMA)都开始了对该收购案的调查。AMD拟以350亿美元收购赛灵思相比NVIDIA公司400亿美元收购ARM引发的全球反对,AMD 350亿美元收购赛灵思的交易就顺利多了,美欧反垄断审核都已经获得通过,现在主要是国内反垄断审查。据报道,AMD在国内的反垄断审核中被附加了一个要求,要求AMD收购赛灵思之后,要继续为国内的客户提供赛灵思的核心产品。紫光集团破产重组7月9日,紫光集团发布重大公告,收到北京市第一中级人民法院送达的《通知书》,相关债权人徽商银行股份有限公司以其资不抵债为由,向法院申请对其进行破产重整。12月10日,紫光集团官网公布了关于紫光集团等七家企业实质合并重整战略投资者招募进展情况的公告。北京智路资产管理有限公司和北京建广资产管理有限公司作为牵头方组成的联合体成为紫光集团等七家企业实质合并重整战略投资者,依法与战略投资者推进重整投资协议签署及重整计划草案制定等相关工作。自7月9日收到破产重整通知书起,历时四个月,紫光集团的合并重整工作终于迈入了新的阶段。安世半导体全资收购英国最大晶圆厂NWF今年8月,闻泰科技旗下的安世半导体,作为国内极其稀缺的IDM企业,成功收购了英国最大的芯片制造厂NWF。不过最近,有消息称,如果英国政府以国家安全为由阻止闻泰科技旗下安世半导体收购NWF,3家英国企业愿意加入收购集团对其出手。荣芯16.66亿元买下德淮德淮半导体有限公司破产管理人于2021年8月6日10时至2021年8月7日10时止(延时除外)在京东拍卖破产强清平台对德淮半导体整体资产(包括全部动产和不动产,不含芯片成品和芯片原材料)进行公开拍卖。拍卖页面显示,标的物所在地位于江苏淮安市淮阴区长江东路599号,起拍价为16.66亿元,评估价为23.80亿元,加价幅度为1000万元及其整数倍,保证金为3.32亿元。最终,荣芯半导体通过公开竞价成功拍得该项目,成交价为16.66亿元。ADI、Maxim合并交易完成8月23日,美国半导体公司ADI(亚德诺)发表公告,称此前公布的收购Maxim(美信)公司的交易已经获中国国家市场监督管理总局反垄断许可。ADI和Maxim合并后的公司总市值将超过680亿美元,预期收入将达到82亿美元,在全球的市场份额亦将达到14%,成为仅次于TI的全球第二大模拟芯片厂商。瑞萨宣布完成收购Dialog8月31日,瑞萨电子官网宣布与Dialog Semiconductor Plc(Dialog)正式合并,完成对Dialog收购。瑞萨还推出9款专为汽车客户设计的产品组合,将Dialog模拟产品与瑞萨解决方案相结合。SK Hynix收购Intel闪存业务2020年10月,英特尔宣布将旗下的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给SK海力士。这笔交易在今年3月份通过了美国审批,5月获欧盟审批。继欧盟委员会5月正式批准SK海力士(SK hynix)收购英特尔(Intel)闪存业务交易后,中国国家市场监管总局于12月19日有条件批准该收购案。据了解,英特尔及SK海力士在国内闪存市场上都占有相当多的份额,其中Intel在大连还有3D闪存厂,SK海力士则在无锡拥有全球最大的内存芯圆厂之一。Entegris超400亿收购CMC12月15日,美国半导体材料厂商Entegris宣布,将收购竞争对手CMC Materials,交易总价值为为65亿美元(约合人民币413.88亿元)。该交易预计将于2022年下半年完成,但须满足惯例成交条件,包括监管部门和CMC Materials股东的批准。美国加码制裁,波及多家半导体企业1月14日,美国国防部在“中国军方拥有或控制的中国企业清单”中,再增列9家中企,其中包括中微半导体设备(上海)有限公司、广东高云半导体科技股份有限公司,未来美国投资人将不得投资这些企业。6月9日午间,中微公司发布公告称,美国国防部将其从中国涉军企业名单中删除。6月4日,拜登签署了一项行政命令,禁止美国实体投资数十家据称与国防或监控技术部门有联系的中国公司,其中包括中芯国际。11月24日,美国商务部将12家中企列入“军事最终用户”清单,声称其支持中国军方工作,可能危害美国的安全利益,其中包括杭州中科微电子有限公司,.国科微电子股份有限公司。6月23日,美国商务部以侵犯新疆少数民族人权为由,再度对中国祭出贸易黑名单。此次黑名单包括五家中国实体:分别是合盛硅业、新疆大全新能源、新疆东方希望有色金属、新疆协鑫新能源材料、新疆生产建设兵团等企业。11月24日,美国商务部工业与安全局宣布将27和实体和个人列入所谓“军事最终用户”(MEU)清单,其中包括杭州中科微电子有限公司、国科微电子股份有限公司、新华三半导体等公司。12月15日,美国商务部将34家中企加入“实体清单”,其中包括国产GPU龙头景嘉微、海康威视子公司海康微影等。国产芯片突破喜人今年国产芯片的战果是喜人的,很多家国内芯片设计企业都发布了首款或最新款的芯片产品。无论是车规级芯片、手机芯片还是存储类芯片,都有不同的进展。有的填补了国内的空白,有的实现了全面国产化,有的不断突破工艺制程。2月22日,中国电科38所发布了国产高性能毫米波芯片,在国际上首次实现两颗3发4收毫米波芯片及10路毫米波天线单封装集成。6月3日,兆易创新发布首款自研DRAM芯片,实现从设计、流片,到封测、验证的全面国产化,并且已经成功量产。9月6日,华为发布了麒麟990 和麒麟990 5G。麒麟990 5G 是全球首款旗舰 5G SoC 芯片,也是是业内最小的5G手机芯片方案,面积更小,功耗更低。12月13日,大疆与长光辰芯共同研发成功国产8K全画幅CMOS12月15日,驰芯半导体发布国内首款具有商用能力的 UWB 芯片,填补了国内空白。当然成果不止这些。
  • 温家宝总理一行视察武汉国家光电实验室
    2010年10月29日消息,中共中央政治局常委、国务院总理温家宝在汉调研当前经济运行状况期间,专程来到武汉光电国家实验室(筹)考察,听取光电国家实验室和学校的科技成果汇报,勉励科研人员加大自主创新步伐,为提升我国光电子产业国际竞争力提供强有力的科技支撑 并希望我校学子刻苦学习,勇于实践,成为国家需要的有用之才。   在实验室,温家宝考察了高清三维立体视盘播放机(3D-NVD)、光纤激光器、数控设备、相变存储器、LED芯片、LED封装技术、OLED技术、纳米压印技术等,听取了科研人员的研究成果汇报。   在一台3D-NVD前,谢长生教授介绍了成果的研发情况。温家宝戴上立体眼镜,仔细观看立体视频节目,称赞效果很好。当听说这项技术拥有自主知识产权时,他连声说好。   在光纤激光器演示台前,温家宝询问了该项目研究人员、“千人计划”入选者闫大鹏教授在国外的研究工作,了解了激光器的结构、材料、传输距离等情况。   在相变存储实验室,温家宝认真听取了“长江学者”特聘教授缪向水关于相变存储技术特点、取代闪存技术的优势及其产业化进展的汇报。   由实验室孵化的高新企业——武汉迪源光电科技有限公司是国内唯一量产LED芯片的企业。公司董事长吴志宏向温家宝演示了3瓦LED球泡灯与11瓦节能灯的亮度和能耗对比。温家宝称赞LED灯亮度高、节能效果好。   在LED封装技术演示台前,温家宝向“千人计划”入选者刘胜教授询问了封装技术的关键点。刘胜作了简要介绍,并汇报了他们研制的MEMS传感器在东风汽车公司大规模使用的情况。   演示现场,采用OLED技术制造的白光台灯引起了温家宝的兴趣,并听取了王磊副教授关于OLED研究进展的汇报。   在DFB激光器纳米压印实验室,温家宝听取了“长江学者”特聘教授刘文关于纳米压印技术科研成果及其产业化情况的汇报,并拿起样品观摩。   参观结束后温家宝对科研人员和正在实验室举行的大学生科技节开幕式的师生发表了讲话。他说,新中国成立以来特别是改革开放30多年来,中国发生了巨大变化。这种变化中,令世界瞩目的是中国在许多领域涌现了一大批高素质的人才。中国的未来寄托在你们身上。我们要下决心加大科技和教育投入,培养社会主义现代化建设亟需的各类人才,这样才会使我们国家永远立于不败之地。温总理希望大学生们立下志向,刻苦学习,勇于实践,将来成为国家需要的有用之才。   中央有关单位领导张平、陈德铭、谢伏瞻、丘小雄、项兆伦、苗圩、廖晓军、胡晓炼、钱学彬,湖北省、武汉市和东湖新技术开发区领导罗清泉、李鸿忠、杨松、李春明、阮成发、贾耀斌、刘传铁,校党委书记路钢、校长李培根等陪同考察,并汇报了有关工作。
  • 上海微系统所Science:单质Te新原理开关器件
    2021年12月10日,中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、朱敏研究团队在国际顶级期刊《Science》上发表了题为“Elemental Electrical Switch Enabling Phase-Segregation-Free Operation”的研究论文(图1)。中科院上海微系统所博士生沈佳斌、贾淑静为共同第一作者,宋志棠研究员、朱敏研究员为通讯作者,中科院上海微系统所为第一完成单位和唯一通信单位。图1 科院上海微系统所在Science上发表单质新原理器件文章集成电路是我国的战略性、基础性和先导性产业,其中存储芯片是集成电路的三大芯片之一,直接关系到国家的信息安全。然而,现有主流存储器-内存(DRAM)和闪存(Flash),不能兼具高速与高密度特性,难以满足指数型增长的数据存储需要,急需发展下一代海量高速存储技术。三维相变存储器(PCRAM)是目前成熟的新型存储技术,其核心是两端开关单元和存储单元,然而,商用的开关单元组分复杂,通常含有毒性元素,严重制约了三维相变存储器在纳米尺度的微缩以及存储密度的进一步提升。图2 单质Te开关器件结构与性能针对以上问题,中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、朱敏与合作者在Science (2021, 374, 1390) 上提出了一种单质新原理开关器件(图2):该器件通过单质Te与电极产生的高肖特基势垒降低了器件在关态的漏电流(亚微安量级,图3);利用单质Te晶态(半导体)到液态(类金属)纳秒级高速转变(图4),并产生类金属导通的大开态电流(亚毫安量级),驱动相变存储单元。单质Te开关器件基于晶态-液态新型开关机理与传统器件等完全不同,是一种全新的开关器件。单质Te具有原子级组分均一性,能与TiN形成完美界面,使二端器件具有一致性与稳定性,并可极度微缩,为海量三维存储芯片提供了新方案。图3 单质Te器件低漏电流物理机制:单质Te与电极形成的高肖特基势垒图4 单质Te器件新型开关机理:晶态-液态-晶态转变意大利国家研究委员会微电子和微系统所Raffaella Calarco教授同期在Science (2021, 374, 6573)上发表了评论文章,高度评价道:“沈等人取得的成果是前所未有的,为实现晶态单质开关器件提供了稳健的方法,此单质开关为3D Xpoint架构提供了新的视角”(What has been achieved by Shen et al., is unprecedented and provides a robust method to realize crystalline elemental switches that bear new perspectives for 3D Xpoint architectures)。该研究工作得到复旦大学刘琦教授、剑桥大学Stephen R. Elliott教授、日本群马大学Tamihiro Gotoh教授、德国亚琛工业大学Richard Dronskowski教授、赛默飞世尔科技中国有限公司史楠楠和葛青亲博士的大力支持。相关工作得到了国家重点研发项目(2017YFB0206101)、中科院先导B(XDB44010000)、中科院百人计划C类和上海科技启明星项目(21QA1410800)的资助。文章链接:https://www.science.org/doi/10.1126/science.abi6332评论文章链接:https://www.science.org/doi/10.1126/science.abm7316
  • 打造半导体制造薄膜沉积设备领军企业 拓荆科技助力产业链发展
    目前的科创板上市公司中,大都是各自领域的“领跑者”,即将正式登陆科创板的拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆科技”、“公司”)就是典型代表。  拓荆科技成立于2010年4月,是辽宁省及沈阳市重点培育的上市后备企业和中国半导体设备五强企业,主要从事高端半导体专用薄膜沉积设备的研发、生产以及技术服务,产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,是目前国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商。公司产品已广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,在不同种类芯片制造产线的多道工艺中得到商业化应用。同时已展开10nm及以下制程产品验证测试,在研产品已发往国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。  薄膜沉积设备技术门槛高,研发难度大。拓荆科技立足自主创新,先后承担多项国家重大科技专项课题,在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术,并达到国际先进水平。其中,公司先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术,不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题,还在保证实现薄膜工艺性能的同时,提升客户产线产能,减少客户产线的生产成本。  拓荆科技的产品已基本全面实现了我国芯片制造产业在介质薄膜沉积设备领域摆脱对海外厂商的依赖,补强了我国在集成电路产业链关键环节的实力,为我国建立芯片体系贡献力量。  公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。拓荆科技经过十多年的技术积累,已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备产品,可以适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线,满足下游集成电路制造客户对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。其中,PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序,并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺,一举打破了薄膜沉积设备长时间被欧美和日本厂商垄断的局面。凭借长期技术研发和工艺积累,拓荆科技已经成为可与国际巨头直接竞争的半导体高端设备制造厂商。  作为注册制改革的“试验田”和定位于支持“硬科技”产业的融资板块,科创板成立近三年以来,基础制度不断完善,上市条件的包容度和适应性不断提升和增强,吸引了一大批硬科技企业选择到科创板发行融资,其中不乏大量尚未盈利、存在特殊股权结构的硬科技企业。在科创板这块“试验田”支持硬科技发展的示范引领作用下,拓荆科技选择到科创板发行股票上市获得融资支持,持续加大研发投入。  拓荆科技在科创板发行上市主要是为开展配适10nm以下制程的PECVD产品研发、开发Thermal ALD和大腔室PE ALD,以及升级SACVD设备,研发12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备募集社会资金,并借助募集资金开发中国台湾市场。在加强产品技术研发的同时,拓荆科技上市后,还将逐步培育和完善国内相关产业链,通过与国内供应商的深度合作与磨合,推动设备关键部件的开发及验证,提高设备零部件的国产化率以及产品品质。同时,公司还将利用国产设备厂商的综合优势,为客户提供定向的技术开发与服务,以此助力半导体产业链发展,保障产业链的技术先进性。
  • 日媒:日美将开展半导体技术合作
    日本官房长官松野博一近期在记者会上透露,美国总统拜登将于5月22日至24日访问日本。日本首相岸田文雄计划在23日举行的日美首脑会谈上,就加强半导体研发和生产合作事宜,与拜登达成共识。届时,日美双方或将宣布数万亿日元规模的投资项目。  日本将加大对半导体工厂的投资  岸田文雄曾公开表示,日本国内的数字化、去碳化和经济安全保障等各个领域都离不开半导体。另外,其力推的《经济安全保障推进法》于5月11日在参议院审议通过。该法涉及的措施包括设立政府援助制度,通过政府补贴吸引重要厂商到日本办厂,提高半导体等重要物资在日本国内生产的能力等。  报道称,日本正在大规模建立半导体工厂,企业也开始进行巨额投资。值得关注的是,日本政府正从经济安全保障的角度出发,向半导体工厂提供补助金,以提高生产能力。  据悉,东芝持有约4成股份的半导体巨头铠侠(Kioxia)控股公司将在岩手县北上市新建一座大楼,用于生产智能手机等所需的存储用半导体“NAND型闪存”。该大楼的建筑面积约为3万1千平方米,项目的总费用约为1万亿日元规模,将于明年春天竣工。此外,铠侠控股在日本国内拥有最先进的NAND闪存工厂。目前该厂正在三重县四日市市建设新工厂大楼,部分厂房最快在2022年就能投产。  作为日本最大的半导体制造设备厂商的东电电子(Tokyo Electron)日前宣布,伴随着数字化的发展,半导体市场有望进一步扩大,因此将在宫城县大和町的工厂建设新的开发大楼,预计建设费用约为470亿日元。建设工程计划于明年春天动工,2025年春天竣工。该公司在新闻发布会上表示,随着半导体市场的发展,制造设备的市场规模也将进一步扩大。为了满足市场和对日渐多样化的最新技术的需求,将会努力加快研发和设备投资的步伐。  近期,新冠疫情导致全球半导体短缺,而半导体作为战略物资的重要性也与日俱增。报道称,日美在半导体方面的合作,将成为日美首脑会谈的一大看点。岸田文雄16日就首脑会谈表示,日美还将就量子计算机和人工智能(AI)实用化所需的“下一代半导体”的研究开发达成合作共识。
  • 广州农业局:垃圾菜土壤镉超标220%
    广州农业局公布番禺金山村菜地土壤检测结果 垃圾菜土壤镉超标220%   广州番禺金山村菜地土壤的重金属官方检测结果昨天出来了,两个样本的镉分别超标0 .59毫克/千克和0 .659毫克/千克,合百分比大约为197%和220%,此外还有一个样本的铬微超。专家表示,镉含量过高,需采取修复技术,广东省政府参事王则楚表示,每个监管环节的政府部门都需要“打屁股”。   两个样本均超标   广州市农业局昨天发布土壤的检测报告,按国家《土壤环境质量标准》二级标准评价,2份土壤样本中,一份样本镉含量超标0 .59毫克/千克 另一份镉含量超标0 .659毫克/千克,铬含量超标1毫克/千克。   根据《土壤环境质量标准》二级标准评价,镉和铬的重金属含量限值根据PH值的不同而不同。如果pH值小于7.5(广东的土壤基本在这一范围之内),镉的限值是0.30毫克/千克,铬的限值为200毫克/千克。换算成百分比,镉的两个样本分别超标197%和220%。而铬超标为0.5%。   广州市农业局表示,将加强对金山村及其周边区域的农产品和农业生产环境监测检测 着手根据农田受污染情况,制定金山村受污染农田的治理和栽种指导意见,指导农民科学调整作物结构,采取适宜的栽培方法对重金属超标的农田进行修复和治理。   警方现场维持治安   村民表示,昨天金山村一共去了四拨领导,从村一直到区,村委的领导基本就没有离开过农田。由于此前村民存在继续使用存量垃圾肥的情况,番禺区政府已要求封存和清理,加上蔬菜卖不出去,引起农民的反弹,报复爆料人。   昨天公安部门到一线维护治安,同时还有农业部门的领导以及技术人员对村民进行宣传教育,随后村民意识到垃圾肥的危害。由于舍不得这些花钱买来的垃圾肥,村民自行对垃圾肥中的废电池和玻璃瓶等进行分类。但专家认为这些垃圾肥是绝对不能再用的。   广州市农业局表示,将进一步加强对农民的指导和培训,引导农民科学合理使用肥料,加大农业投入品监管力度,维护农业生产安全,同时加强与有关部门的沟通协作,防止未经科学处理、不符合《城镇垃圾农用控制标准》的生活垃圾流入和污染农田。   追问   镉超标了怎么办?   华农专家:修复一亩地要一两万元   专长于土壤污染防治的华南农业大学教授吴启堂表示,从这个检测结果来看,镉的含量有点高,如果种水稻和苋菜等就会出现超标情况,需要采取技术手段进行修复。铬本身难以被植物吸收,加上只有微量超标,因而基本不会对农作物的安全性产生影响。吴启堂说,目前这个报告还不够详细,需要对土壤进行更全面详细的检测,看还有没有其他物质超标,如果只有镉超标则可以采取技术手段进行修复。“按照这个数值来看,一亩地可能需要一两万块钱。”   土壤镉超标 菜还能吃吗?   专家:只要蔬菜检测没超标就可以吃   土壤重金属超标,蔬菜检测没超标,那这块土地上还能种蔬菜吗?种出来的菜还能吃吗?   对此,农业部一相关单位不愿透露姓名的专家表示,客观地讲,土壤里面的重金属含量是该重金属在土壤内的总量,包括了各种形态,而很多形态是不能被植物所吸收的。植物只会吸收少量的呈离子状态的重金属,土壤内的重金属含量超过标准多少,是一个参考值,提醒污染的程度,代表风险的程度。所以,其所种植的蔬菜只要检测没有超标,就是可以安全食用的。   但也有专家对此持有不同观点,毕竟重金属还是超出了标准要求,既然超标了就不能再种,可能还有很多风险是现在的科技水平不能检测出来的,不能让人们承受食品安全的风险。   追责   王则楚:每个监管环节都要打屁股   “垃圾是农民自己买回来的,应该由农民自己负主要责任。”“这个事例有点特殊,垃圾是来自广州之外的顺德,所以监管难度会大一点。”对于责任问题,存在不同的声音,但王则楚认为,农民是受害者,每个相关的政府监管部门都要问责。   王则楚说,这不是农民自己刨来的垃圾,而是一个经营活动。首先,垃圾填埋场有没有按照规矩来处理垃圾?其次,经营者有没有资质处理和出售这些垃圾作为肥料?市场的监管体现在哪里?继而到农民在用垃圾做肥料了,监管部门又在哪里?“农业局你不下田要农业局干什么?”王则楚说,说垃圾来自广州市外,监管难度大更是胡扯。“外地来的更要严格监管啊,一个网友,一个记者下到田里就知道不行了,农业局环保局下田去看看不就懂了吗?”王则楚说,这一事件从源头一直到农田的监管,每个部门都有责任,都需要问责,都需要打屁股。   N个部门没管住一堆垃圾肥   对于垃圾堆肥问题,从国务院一直到广州市都有明文规定。发文部门涉及环保、城建、农业、科技等,甚至还有联合发文的,但城市生活垃圾却还是出现在番禺金山村的农田里。   建设部发布的《城市生活垃圾管理办法》从一开始就对城市生活垃圾有着非常严格的要求:“任何单位和个人不得任意处置城市生活垃圾。”通过审批取得许可证的企业还有控制污染和突发事件的预案。《广东省固体废物污染环境防治条例》也要求:“未经许可,不得擅自处理严控废物。”   但从目前查明的情况来看,顺德北滘垃圾填埋场将垃圾提供给了一家没有处理资质仅有工商登记的企业。   此外,从国家部委发布的文件来看,对垃圾堆肥是鼓励的。建设部、国家环境保护总局、科学技术部2000年就发布了《城市生活垃圾处理及污染防治技术政策》,表示:“鼓励在垃圾分类收集的基础上进行高温堆肥处理。”并对堆肥技术做了详细的技术指引,要求“堆肥产品应符合《城镇垃圾农用控制标准》、《城市生活垃圾堆肥处理厂技术评价指标》及《粪便无害化卫生标准》有关规定,加强堆肥产品中重金属的检测和控制。”去年,《国务院批转住房城乡建设部等部门关于进一步加强城市生活垃圾处理工作意见的通知》也表示:“加强资源利用。……生物处理等生活垃圾资源化利用方式。”   多个文件同时要求,垃圾堆肥要谨慎。《建设部关于加强城镇生活垃圾处理场站建设运营监管的意见》要求:“严格审查、慎重选择垃圾处理场站的技术、工艺和设备,防止造成二次污染。”并要求环境卫生主管部门对堆肥工艺“等关键技术应严格审查”。建设部2010年“关于印发《生活垃圾处理技术指南》的通知”要求:“对于生活垃圾混合收集的地区,应审慎采用生物处理技术。”   然而,兴顺公司还是顺利地将顺德没有经过处理的垃圾直接卖给了广州番禺的农民。根据菜农的说法,这一做法已经存在好几年。   而1989年就颁布的《城镇垃圾农用控制标准》实际上是垃圾肥的最后一道防线。其不但规定了垃圾肥的组分以及重金属含量的要求,同时也规定:“农业、环卫和环保部门,必须对城镇垃圾农用的土壤、作物进行长期定点监测,农业部门建立监测点,环卫部门提供合乎标准化的城镇垃圾,环保部门进行有效的监督。”但这最后一道防线一直没有发现垃圾肥的违规使用。
  • 9部科学仪器随“朱诺”接近木星
    北京时间7月5日11时53分,“朱诺”号探测器成功进入木星轨道,其绕木星轨道距离木星云层顶端最近处约4100千米,成为迄今人类距离木星最近的航天器。在接下来20个月的时间里,它将围绕木星运行37圈,对木星起源、内部结构、大气及磁场等相关数据进行探测。  为什么叫“朱诺”?  朱诺是罗马神话中万神之王朱庇特的妻子,朱庇特施展法力用云雾遮住自己,但是朱诺却能够穿透云雾,洞察真相。科学家们希望,“朱诺”号探测器也能够像朱诺一样看穿木星厚实的云层,洞悉其内部结构,了解这颗气态巨行星的秘密。  “朱诺”号长什么样?  “朱诺”号主体像一个六边形的盒子,前端有一个重达180公斤的钛制穹顶结构,用于保护敏感的电子设备免受辐射损伤。该装置与一辆SUV的后备箱相当,能将电子设备遭受的辐射强度减弱800倍。升空后,“朱诺”号的3根太阳能帆板会从其六边形的主体伸出,每块帆板长8.8米,宽2.8米,伸展开后就像风车的叶片一样。  “朱诺”号任务有何背景?  “朱诺”号木星探测器是美国国家航空航天局“新疆界”计划的一部分,这一计划在位于阿拉巴马州亨茨维尔的马歇尔航天飞行中心操作实施。“朱诺”号探测器由美国洛克希德马丁公司建造,美国国家航空航天局喷气推进实验室负责整个探测任务的运行。“朱诺”项目总投资大约11亿美元,包括探测器研发、科学载荷、发射服务、运行经费、科学数据处理与测控支持等相关服务费用。探测器2011年8月5日从美国佛罗里达州卡纳维拉尔角空军基地发射升空。  “朱诺”号上有哪些“乘客”?  “朱诺”号探测器上装有9部科学仪器,它们分别是重力科学载荷(Gravity Science)、磁强计(Magnetometer)、微波辐射计(MWR)、木星高能粒子探测器(JEDI)、木星极光分布实验装置(JADE)、等离子体电波装置(WAVES)、木星红外极光绘图仪(JIRAM)、紫外成像光谱仪(UVS)和朱诺相机(JunoCam)。  除此之外,还有3位只有4厘米高的特殊乘客。它们是乐高公司为NASA特制的3个乐高小人,分别是意大利天文学家伽利略、罗马神话人物朱庇特(与木星同名)还有他的妻子朱诺(与朱诺探测器同名)。  “朱诺”号为什么转着走?  “朱诺”号是一艘采用自旋稳定的太阳能飞船,自旋能增强飞船指向的稳定性并方便地面控制。项目执行期间,“朱诺”号的自转速率会不断变化:巡航阶段每分钟1圈 科学考察阶段每分钟2圈 主引擎调整姿态阶段每分钟5圈。除此之外,自转的好处还包括简化设计、减少质量,所有设备在旋转过程中都会扫过木星一次。  “朱诺”号的“硬件配置”如何?  “朱诺”号上安装有一台主发动机、一台双推进发动机,还有12台推力较小的调姿发动机。前者位于探测器的后部,主要用于较大轨道调整和减速制动,后者主要用于在飞行中精确调整姿态。  “朱诺”号的大脑采用了一颗RAD750型抗辐射处理器,可应对100万倍足以致死的辐射剂量,与“好奇号”火星车同款,自带256M闪存和128M的本地存储空间。  “朱诺”号飞了多远?  直到今天飞抵木星轨道,“朱诺”号共飞行了大约27亿公里。信号以光速从木星传回地球单程大约需要48分钟。  “朱诺”号的意义何在?  “朱诺”号将帮助我们弄清木星的组成及其内部结构 揭秘木星强大磁场的来源和神秘的极光现象 确定木星是否具备岩核和水。此外,增进人们对地球、太阳系乃至恒星形成的认识。  还有哪些探测器造访过木星?  据报道,至今已有8个探测器造访过木星及其卫星,包括“旅行者”号、以及后来的“先驱者”号、“伽利略”号、“尤利西斯”号等,最近的是2007年发射的“新视野”号木星探测器。“朱诺”号是造访木星的第9位地球来客,也是第2位“常驻”木星轨道的人造航天器。  任务何时结束,“朱诺”何去何从?  按照计划,探测任务将于2018年2月20日结束,届时“朱诺”号将受控冲入木星外层大气焚毁,以免有毒燃料污染可能存在原始生命的木星的卫星。
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