去除杂质

本文运用赛默飞iCAP TQ三重四级杆ICPMS 建立了一种直接测试高纯氧化镝中15种稀土杂质的方法。该方法简单快速，无需复杂的基体分离过程，利用iCAP TQ有效去除氧化镝基体多原子离子对165Ho和175Lu的干扰，适用于纯度为99.99%~99.9999%的高纯氧化镝中稀土杂质纯度分析。

控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。

本文所建立的 IC-ICPMS 联机测定核电级硼酸中的 10 种杂质元素的方法。通过前端色谱柱去流动相纯化，大定量环 1.0 mL 满环进样，进行金属富集，去除硼酸基质，再反向冲出在色谱柱 CG10 上进行分离，最终在 ICPMS 上进行杂质检测；固体硼酸中检出限在 0.093 到 6.6µ g/kg 之间，加标回收再 82 和 112% 之间。相比传统 ICPMS 直接测定方法提高了检出限，解决了 B 元素对 ICPMS 的系统污染。

左卡尼汀和其2个中间体杂质均为带正电荷化合物，因此我们首先选择使用CAPCELL PAK SCX色谱柱对其进行保留，并使用PDA检测器检测。由左卡尼汀杂质结构式可知，两杂质紫外吸收非常弱，因此我们使用质谱对左卡尼汀及其两杂质进行检测，并使用CAPCELL PAK CR 1:4色谱柱对其进行了保留和分离。使用CAPCELL PAK CR 1:4柱进行LC-MS分析，左卡尼汀、杂质1、杂质2间得到了较好分离结果。 在进行LC-MS分析时，由于带正电荷化合物的静电吸引作用，我们发现左卡尼丁及杂质2均有一定程度的残留。因此建议客户在分析前对进样浓度进行考察，杂质浓度建议设置为定量限浓度，左卡尼汀浓度设置为杂质浓度100倍，以避免残留的发生。

控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。

控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。

控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。

任何金属杂质的存在都将对IC器件的可靠性产生不利影响。在半导体实验室进行其他半导体材料分析时也常常会使用硝酸，因此使用的硝酸需要具有高纯度和高质量。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力，电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而，在传统的等离子体条件下，往往存在氩离子与基质成分结合产生多原子干扰的情况。使用多极和非反应气体的碰撞池已被证明可以有效减少多原子干扰。但是这种方法必须使用动能歧视去除反应产生的副产物，这将会造成灵敏度的下降。NexION 300 ICP-MS配置的通用池技术同时提供了碰撞模式、反应模式和标准模式三种测定模式，因此仪器操作人员可以根据实际测定的要求选择最适合的模式，并能在一个分析方法中进行不同模式的切换。本应用报告证明了NexION 300ICP-MS去除干扰，从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对HNO3中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。这一实验在一次测定中同时使用标准模式和反应模式可以得到最好的分析结果。

控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。

控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。

药物杂质研究对于研究者来讲是一个具有挑战性的领域。该实验使用离子阱串联飞行时间分析器对国际计量局（BIPM）分发的CCQM（国际物质量咨询委员会）样品进行了杂质的定性分析，LC-PDA-ESI-IT-TOF的结果显示该样品含有种杂质成分。根据从不同串级质谱采集的精确质量，4种杂质被分别确认为3-甲基黄嘌呤；可可碱；咖啡因和三甲基黄嘌呤，定性结果也被其他参与对比的国际实验室所证实。第5种杂质相对更加复杂并详细研究了其结构和裂解途径。

使用2D-LC-IT-TOF杂质鉴定系统由于无需将非挥发性缓冲盐转换为挥发性缓冲盐，因此，可以将药典的方法直接使用，大大节省了方法开发人员的时间，并且保证了杂质定性的准确度

药物杂质是活性药物成分 (API) 或药品制剂中不希望存在的化学成分。原料药中的杂质可能源于合成过程或原料、中间体、试剂、溶剂、催化剂以及反应副产物等其他来源。在药品开发过程中，杂质可能：• 由于原料药固有的不稳定性而形成• 由于与加入的辅料不相容而产生，或• 与包装材料和容器密封系统 (CCS) 相互作用而产生原料药中各种杂质的含量决定了最终成品药物的安全性。因此，杂质的鉴定、定量、定性和控制已成为药物开发过程的关键组成部分。很多监管机构都在关注杂质的控制：• 国际协调会议 (ICH)• 美国食品药品监督管理局 (USFDA)• 欧洲药品管理局 (EMA)• 加拿大药品与健康管理局• 日本药物和医疗器械管理局 (PMDA)• 澳大利亚卫生和老龄治疗商品管理局此外，很多官方药典（如英国药典 (BP)、美国药典 (USP)、日本药典 (JP)、欧洲药典 (EP) 和中华人民共和国药典 (ChP)）也越来越多地加入了对 API 和药品制剂中杂质限量水平的规定。这些法规以暴露限值为依据，因此必须对施用时最终剂型中的污染物浓度进行控制。在实践中，这意味着药物制造商必须进行风险评估，考虑到制造后（如包装、运输和 CCS）的污染源以及来自原料和生产过程的污染。

通常情况下，蚀刻液由硫酸和过氧化氢配制而成。由于是与其他化学物质一起使用的，任何金属杂质的引入都将会对IC器件的可靠性产生不利影响，因此需要使用的硫酸具有高纯度和高质量。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力，电感耦合等离子体质谱仪已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而，在传统的等离子体条件下，往往存在氩离子与基质成分结合产生多原子干扰的情况。动态反应池使用四级杆质量过滤器建立动态带通，是消除目标元素干扰物的一种强有力的校正技术。使用非反应气体的碰撞池技术也被证明是一种减少特定多原子干扰的简单可行的方法。本应用报告证明了NexION 300 ICP-MS去除干扰，从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对H2SO4中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。

本应用展示了 Agilent 7700s/7900 ICP-MS 在直接测定高纯度盐酸 (HCl) 中金属杂质方面的卓越分析性能与稳定性。7700s/7900 采用可有效去除多原子干扰的八极杆反应池系统 (ORS)，使受到严重氯类干扰的元素达到最终的检测限要求。例如，ORS 可去除多原子离子 40Ar35Cl+，使 As 可在质量数 75 处得到直接测量，从而准确分析未稀释浓 HCl 中的痕量 As。直接分析浓酸省略了样品前处理流程中的稀释步骤，从而大大降低样品污染的可能性。

使用2D-LC-IT-TOF杂质鉴定系统由于无需将非挥发性缓冲盐转换为挥发性缓冲盐，因此，可以将药典的方法直接使用，大大节省了方法开发人员的时间，并且保证了杂质定性的准确度

使用2D-LC-IT-TOF杂质鉴定系统由于无需将非挥发性缓冲盐转换为挥发性缓冲盐，因此，可以将药典的方法直接使用，大大节省了方法开发人员的时间，并且保证了杂质定性的准确度

使用2D-LC-IT-TOF杂质鉴定系统由于无需将非挥发性缓冲盐转换为挥发性缓冲盐，因此，可以将药典的方法直接使用，大大节省了方法开发人员的时间，并且保证了杂质定性的准确度

赛默飞的离子阱技术有效解决了药物杂质研究难题，其高灵敏度和宽广的动态范围能够采集到药物中微量杂质的有效质谱信息；离子阱的多级质谱能力可以获得杂质的“指纹图谱”-- 离子树，结合强大的结构解析软件可以对工艺杂质或降解产物的结构进行深入有效的剖析；结合高效的色谱分离、深入的多级质谱分析和智能化的解析软件，赛默飞建立了基于离子阱质谱技术的药物杂质分析解决方案。

丙烯中可能存在的烃类杂质主要包括乙烯、丁烯、丙烷、丁烷以及不饱和烃类如丙二烯、乙炔等。这些杂质可能来源于丙烯的生产过程或运输过程中的污染。

四甲基氢氧化铵（TMAH）是一种广泛用于半导体光刻工艺和液晶显示器（LCD）生产中形成酸性光阻的基本溶剂。由于其在此类高要求应用中的广泛使用，使得对TMAH纯度的检测变得越来越重要。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力，电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而，解决由基体带来的多原子干扰和由于含有碳造成的基体抑制效应是非常重要的。在直接分析有机溶剂时这些问题就显得尤为突出。本应用报告证明了NexION® 300S ICP-MS去除干扰，从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对TMAH中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。

药物杂质研究对于研究者来讲是一个具有挑战性的领域。该实验使用离子阱串联飞行时间分析器对国际计量局（BIPM）分发的CCQM（国际物质量咨询委员会）样品进行了杂质的定性分析，LC-PDA-ESI-IT-TOF的结果显示该样品含有种杂质成分。根据从不同串级质谱采集的精确质量，4种杂质被分别确认为3-甲基黄嘌呤；可可碱；咖啡因和三甲基黄嘌呤，定性结果也被其他参与对比的国际实验室所证实。第5种杂质相对更加复杂并详细研究了其结构和裂解途径。

使用2D-LC-IT-TOF杂质鉴定系统由于无需将非挥发性缓冲盐转换为挥发性缓冲盐，因此，可以将药典的方法直接使用，大大节省了方法开发人员的时间，并且保证了杂质定性的准确度

药物杂质因其可能对药品质量、安全性和有效性产生影响，目前成为国内外药品监管机构的重点关注内容之一。随着我国医药产品出口规模的扩大，了解国外法规市场的药物杂质控制要求、加强对药物杂质的分析与控制已成为国内药品生产企业共同关注的话题。任何影响药物纯度的物质统称为杂质，人用药物注册技术要求国际协调会（简称 ICH）对杂质的定义为药物中存在的，化学结构与该药物不一致的任何成分。药物中含有杂质会降低疗效，影响药物的稳定性，有的甚至对人体健康有害或产生其他毒副作用。因此，检测有关物质，控制纯度对确保用药安全有效，对保证药物质量非常重要。杂质谱分析是指研究药物中存在的已知和未知的杂质的分布情况，分析药物中杂质的来源和去向，通过杂质谱的研究，可以全面的评估药物的安全性。对于药物生产阶段，杂质谱研究可以在工艺过程中建立完整可靠的杂质分析方法，对工艺的关键步骤监控杂质的变化情况，验证杂质分析方法并转移到QA/QC，对于药物研发阶段，需要对艺研发过程中的杂质进行鉴定和表征并进一步确认杂质的来源，研发人员根据分析结果可以评价药物的安全性和与原研药的一致性，并根据杂质来源进一步优化工艺，降低或消除杂质的产生。

本册应用文集收录了近年来岛津在药品杂质分析方面的应用工作:包括有机杂质、无机杂质和溶剂残留检测三部分，共 28 篇文章，涉及杂质鉴定系统、色谱质谱联用系统、ICP-MS等特色技术。

杂质分析是要研究一组分析活性化合物，目的是对药物中的有机和无机杂质进行检测、鉴别、结构解析和定量测定。在这一过程中的首要任务，就是对所有杂质进行检测。即使采用最精密的质谱仪，也不可能对所有化合物进行完全的结构解析。需要对这些化合物进行分离和纯化，然后再用1H-和13C-NMR进行鉴定。本应用报告报导了一对不能用MS鉴定的杂质的分离和纯化。

本文采用沃特世超高效液相色谱飞行时间质谱联用（ACQUITY UPLC/Xevo G2-S QTof）技术对市售头孢地尼样品杂质进行分析，开发与质谱兼容的UPLC方法，使整个分离时间缩短至14分钟，且杂质得到有效分离；应用UNIFI软件，自动得到包含各个杂质分子量、分子式及结构信息的杂质列表，使整个杂质鉴定过程高效快速、节省人力。

赛默飞的离子阱技术有效解决了药物杂质研究难题，其高灵敏度和宽广的动态范围能够采集到药物中微量杂质的有效质谱信息；离子阱的多级质谱能力可以获得杂质的“指纹图谱”-- 离子树，结合强大的结构解析软件可以对工艺杂质或降解产物的结构进行深入有效的剖析；结合高效的色谱分离、深入的多级质谱分析和智能化的解析软件，赛默飞建立了基于离子阱质谱技术的药物杂质分析解决方案。

任何金属杂质的存在都将对IC器件的可靠性产生不利影响。在半导体实验室进行其他半导体材料分析时也常常会使用硝酸，因此使用的硝酸需要具有高纯度和高质量。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力，电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而，在传统的等离子体条件下，往往存在氩离子与基质成分结合产生多原子干扰的情况。使用多极和非反应气体的碰撞池已被证明可以有效减少多原子干扰。但是这种方法必须使用动能歧视去除反应产生的副产物，这将会造成灵敏度的下降。NexION 300 ICP-MS配置的通用池技术同时提供了碰撞模式、反应模式和标准模式三种测定模式，因此仪器操作人员可以根据实际测定的要求选择最适合的模式，并能在一个分析方法中进行不同模式的切换。本应用报告证明了NexION 300ICP-MS去除干扰，从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对HNO3中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。这一实验在一次测定中同时使用标准模式和反应模式可以得到最好的分析结果。

任何金属杂质的存在都将对IC器件的可靠性产生不利影响。在半导体实验室进行其他半导体材料分析时也常常会使用硝酸，因此使用的硝酸需要具有高纯度和高质量。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力，电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而，在传统的等离子体条件下，往往存在氩离子与基质成分结合产生多原子干扰的情况。使用多极和非反应气体的碰撞池已被证明可以有效减少多原子干扰。但是这种方法必须使用动能歧视去除反应产生的副产物，这将会造成灵敏度的下降。NexION 300 ICP-MS配置的通用池技术同时提供了碰撞模式、反应模式和标准模式三种测定模式，因此仪器操作人员可以根据实际测定的要求选择最适合的模式，并能在一个分析方法中进行不同模式的切换。本应用报告证明了NexION 300ICP-MS去除干扰，从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对HNO3中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。这一实验在一次测定中同时使用标准模式和反应模式可以得到最好的分析结果。