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强化液

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强化液相关的仪器

  • JULABO 啤酒保质期水浴 ( 啤酒强化实验仪 )温度范围:-38 ~+100℃该产品是 JULABO 专门为啤酒生产企业及质检单位设计的,主要应用为利用高低温快速冲击原理模拟啤酒变质过程,配合浊度仪或光度计测定啤酒保质期。仪器设计特点 * 加热及制冷功能兼备,温度范围 -38 至 80℃ * 快速加热,快速制冷,并在达到目标温度后快速稳定,过冲小* 温度稳定性为 ±0.05℃ 显示分辨率为 ±0.01℃ * 大的开口浴槽,长 35× 宽 41× 高 27cm* 标配不锈钢材质的啤酒瓶挂篮,一次可以放置 20 个啤酒瓶 * 各种规格酒瓶的挂篮可选 * 标配 Plexiglas 塑钢玻璃透明浴槽盖,在恒温时可实时观察内部状况 * 制冷机前挡板可拆卸,方便清洁 * 后部设计有排液口,方便排放浴液 * 配备了仪器提手和可锁死的脚轮,方便搬运和移动特点* 标配不锈钢浴槽盖和 HST * 底部福马轮设计,方便移动和固定位置 * 溢流口和排水阀设计 * 可同时安装 3 个多功能啤酒瓶挂篮技术参数订货号9 162 6389021709.33型号F38-MEDD-1001F-BF温度范围℃-38~+80 -38~+100稳定性℃±0.05±0.01 功率kW22制冷功率20℃92010000℃660850-20320320泵功率L/min11~168~27bar0.23~0.450.1~0.7v浴槽开口 / 深度WxL/D cm35X41/2735x41/30充液体积L4542~56测量位20 瓶20 瓶大容量高温型啤酒保质期水浴订货号9 352 200型号SL-200温度范围℃室温 +5~85 稳定性℃±0.05功率kW9泵功率L/min22~26bar0.4~0.7浴槽开口 / 深度WxL/D cm98X50/43充液体积L210测量位60 瓶
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  • VOHCL沃驰-VC400DHF-高速智能电火花堆焊修复机设备原理电火花沉积工艺是将电源存储的高能量电能,在金属电极与金属母材间瞬间高频释放,通过电极材料与母材间的空气电离形成通道,使母材表面产生瞬间高温、高压微区,同时离子态的电极材料在微电场的作用下融渗到母材基体,形成冶金结合。由于该工艺是瞬间的高温-冷却过程,不仅使金属表面因淬火形成马氏体,而且在狭窄的沉积过度区形成超细奥氏体组织。电火花沉积工艺不是焊接,也不是喷涂或元素渗入工艺,简单的讲,是介于其间的工艺。公 司:上海沃驰实业有限公司联系人:康军手 机:(微信同号)电 话:Q Q:网 址:地 址:上海市嘉定区外冈工业园四区373号VOHCL-VC400DHF智能高速电火花堆焊修复机设备特点:1、沃驰技术领先:采用超精密高性能处理器,双端控流技术,能量回收和斩波技术,运行更高速,输出控制超精确,智能数字化一键启动调节、操作更简单、效率更高、性能更稳定。2、焊补强度高:单次输出能量达到几十焦耳,所以焊材能完全熔融到基体,形成冶金结合,产生极强的结合力。3、焊补精度高:焊补精度可达到微米级,可直接进行车、铣、磨、钻等加工,无气孔、沙眼、色差小或无色差。即便是无余量的加工表面,也可焊补,且无变形,无咬边,无灼伤现象。4、无退火和变形:1秒内可输出五百能量束,形成能量束输入、回收的反复过程,使基体不会有过多的温升,因而无变形、咬边和残余应力,无局部退火。5、高端战略机型一机多用:适用与对质量要求较高客户,可进行金属工件缺陷焊补、金属工件及模具表面强化被覆,且焊补范围广(如黑色金属:球铁、灰铁、钢等;有色金属:铝、铜等)。尤其对有色金属,焊补效率提升明显,且焊补强度高。6、强大的存储功能:⑴固定存储功能:使用者可以快速调取机器出厂时已存储在机器中的铸钢、铸铁、铜、铝、镁、锌、被覆强化最佳参数实施工作;智能化高、操作更简单,无需要专业知识工程师(女工可操作),可几分钟立刻学会使用。⑵多组参数存储:使用者也可以将自己经常使用的参数存储,以方便快速调取使用。7、对铜、铝、镁、锌、球铁、灰铁、钢的优秀焊补效果:由于瞬间的高能量输出,有效的解决了铜铝金属等高导电率金属的焊补,克服了普通电火花堆焊结合不牢的缺点。8、环保性:工作过程中无任何污染。 9、使用性:任何人都容易使用(女工可操作),无须特种焊工操作证,难焊接的地方也可进行堆焊。 10、经济性:在现场立刻修复,提高生产效率,节省费用,性价比超高、后期全国无忧。11、适用焊材广:由于VOHCL-VC400DHF不同的控制方式,输出能量高,控制精细,所以焊材的适用性较广。除常规的电火花堆焊修复机需专用焊材外,其他焊机所用的直径在0.3-4.0mm的直条焊材多数适用,普通的电焊条去药皮后也可使用。模具表面被覆强化功能: 把超硬合金在短时间內,迅速被覆在模具表面及渗透到模具组织內部,被覆后可增加模具的耐磨性、耐腐蚀性、耐冲击性、脱模性及耐热性。VOHCL沃驰VC400DHF智能高速电火花堆焊修复机适用范围:1. 适用于耐冲击性的模具(压铸模、铸模、锻造模、塑胶模、冲压模等延长3倍寿命)2. 适用於耐高热面(如模具进料口、模芯等延长3倍寿命)3. 切削工具、刀具(銑刀、车刀、绞刀、钻头等延长5倍寿命)4. 适用於夹具、夾头之被覆,增加耐磨功能。5. 被覆的厚度及粗细度可以任意调整,标准厚度在0.01-0.1mm。 VC400DHF-智能高速电火花堆焊修复机被覆强化功能可重复、多次强化,提升模具使用寿命、增强脱模性;模具表面被覆厚度可从几微米到零点几毫米,可根据需求调节;模具被覆过程中基体无须预热,常温被覆,基体不发热,被覆区域附近金相组织不改变,无应力集中现象。即每个单元被覆过程所需热能为设备的一次智能性的输出,整个被覆过程基体及被覆区域附近始终处于常温状态,不产生热变形,不出现裂纹现象。由于整个模具被覆过程中,制件始终处于常常温状态,故在传统焊补或者表面被覆工艺中出现的不足均都得已避免,解决了模具拉模、粘模的难题,被覆后无需处理即可使用,且可多次重复被覆。 VC400DHF-智能高速电火花堆焊修复机尤其突出应用表现于压铸类模具的被覆使用,当压铸模具在使用过程中出现粘模、粘料现象,先将模具表面粘附的废料、油污、脱模剂等异物简单清理,再使用本设备对粘模、粘料部位进行被覆,被覆后无需做任何处理,即可直接上机生产,被覆部位可长时间不粘模、不粘料,若经过长时间使用后出现粘模、粘料现象,重复上述步骤即可。本设备可不限次数对模具进行被覆,从而提升模具使用寿命、增强脱模性能。VC400DHF-智能高速电火花堆焊修复机设备应用: A、汽车行业:制动盘、汽车曲轴、活塞、缸体、缸盖、进排气管、轮毂、油底壳、变数箱零部件、阀门、卡钳等铸造的缺陷修复,如砂眼、气孔、缺料、裂纹、冷隔、疏松等缺陷。 B、机械及机床工业:修正超差或磨损的工件,如修复机床导轨、床身,大型机械的轴类、齿类部件、轧钢用的冷、热轧辊、工程机械的液压杆、印刷机滚筒等各种各种零配件的焊补。 C、航空与船舶制造业:压缩机壳体、空压机壳体、不锈钢精密部件、精密轴类等。石油化工、煤炭、工程机械等诸多行业的产品修补。各种行业的有色金属件,如电力行业的SF6互感器的铝合金件,风机铝合金叶轮、铝合金散热器、铜合金的水暖阀门、管件等。D、模具行业:锌铝压铸模具的蚀痕、脱落、损伤等,以及型腔和浇道口的表面强化,延长模具的使用寿命,注塑模具、铜合金模具、铝合金模具、铁模、氮化模具等,磨损、碰伤、划痕等的焊补。VOHCL-VC400DHF-智能高速电火花堆焊修复机(表面强化被覆)产品参数型号Model:VC400DHF输入电源Input power:AC220V功率Power:1500W电压范围Voltage:20-100V频率Frequency:50-500HZ输出百分Percentage:10-100%重量 Weight:20KG外形尺寸Weight:415mmx200mmx400mm
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  • 高强化纤丝拉力试验机适用于金属或非金属(含复合材料)、橡胶塑料、胶粘剂材料的拉伸、压缩、弯曲、剪切、剥离、撕裂、保载、等项的静态力学性能测试分析研究,具有应力、应变、位移三种闭环控制方式,要求可求出大力、抗拉强度、抗剥离强度、弯曲强度、压缩强度、弹性模量、断裂延伸率、屈服强度等参数。采用计算机控制windows操作系统使试验数据曲线动态显示, 能自动求取大力、大变形、弯曲应力、弯曲强度、压缩强度、压缩力、屈服、弹性模量、伸长率等参数(根据用户要求需要哪种试验以便配备相应夹具)。 试验曲线和数据结果可以在电脑上动态显示并任意设定,对曲线操作更加简便.轻松.随时随地都可以进行曲线编缉、.叠加、分离、缩放、打印等全电子显示监控。高强化纤丝拉力试验机设备用途:该机广泛应用于建筑建材、航空航天、机械制造、电线电缆、橡胶塑料、汽车制造等行业的材料检验分析,是科研院校、大专院校、工矿企业、技术监督、商检仲裁等部门的理想测试设备。高强化纤丝拉力试验机外形更美观,操作更方便,噪音低、效率高、性能更稳定、 加工更精细、设计更新颖,品质更保障,价格优廉,由第三方下发的计量证书,非常权威性的技术与服务,值得广大客户的信赖!高强化纤丝拉力试验机技术参数Mainspecifications1、负荷Maxcapacity:5000N以内(任意选)2、荷重元精度拉力机LoadAccuracy:0.01%3、测试精度Measuringaccuracy:±0.5%4.位移示值误差:示值的±0.5%以内5、操作方式Control:全电脑控制6.测试软件:中英转换,还有一款八国语言的软件。7、操作方式Control:全电脑控制8、有效宽度Validwidth:150mm9、有效拉伸空间Stroke:800mm(根据需要可加高)10、拉力机试验速度Tetxingspeed:0.001~500mm/min(任意调),也可达到1000mm/min。11、速度精度SpeedAccuracy:±0.5%以内;12、位移测量精度StrokeAccuracy:±0.5%以内;13、变形测量精度DisplacementAccuracy:±0.5%以内14、安全装置Safetydevice:电子限位保护,紧急停止键Safeguardstroke 15. 系统:试验遥控或仪器本身的液晶显示屏控制 16.夹具配置:根据用户产品试样要求定制夹具壹付17、机台重量MainUnitWeight:约100kg  18. 电源电压: 220V 19. 主机尺寸:590*355*1640mm
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  • 酱油中铁强化剂检测仪CSY-10TQHJ酱油中铁强化剂检测仪能够快速检测酱油中的铁强化含量;根据DBS 65006-2012《食品安全地方标准 加铁酱油》规定了酱油中铁强化剂的限量标准:每100ml铁强化酱油所含的乙二胺四乙酸铁钠为21-27mg(以铁计);强化酱油是以强化营养为目的,按照标准在酱油中加入一定量的乙二胺四乙酸铁钠(NaFeEDTA)制成的营养强化调味品。它能够控制铁缺乏和缺铁性贫血,改变目前中国人群的缺铁现状。酱油中铁强化剂检测仪由光源、比色池、高灵敏度集成光电池、微处理器、全汉字大屏幕液晶屏、嵌入式微型热敏打印机、无线传输模块和集成芯片构成,可直接在大屏幕液晶屏上显示出被测样品中相关指标的含量,并打印出分析结果,还可以通过计算机接口将数据传输到“食品安全信息系统”终端数据库进行分析。该方法单次检测成本较低、操作简便快速, 方便执法人员或生产质控人员现场使用和车载使用。仪器原理:被检样品中的相关指标成分与显色剂在一定的条件下发生特异性反应,可生成不同颜色深度的产物,这些产物对不同波长可见光会产生有选择性吸收,颜色的深浅即吸光度的高低与样品中该指标成分的浓度成相关性,并在适当的浓度范围内服从朗伯—比尔定律。因此检测的吸光度值经仪器内置的标准曲线软件自动计算可得出样品中该指标成分的准确浓度及是否超标的结果。技术参数:☆精度误差:±3%☆线性误差:±5‰☆稳 定 性: ±0.001A/hr☆波长准确度:2.0nm☆吸光度范围:0.000~4.000ABS☆波长范围: 410nm±2nm☆透射比重复性:±1%☆数据储存80,00条☆样品检测时间:≤3分钟☆比色皿:10×10mm标准样品池☆外观尺寸:350X290X130(mm)★7寸彩色中文液晶触摸显示屏(可以根据客户定制尺寸)★采用新型仪器结构设计,体积小,便于携带。无机械移动部件,抗干扰、抗振动,★同时启动和单通道分别启动两种测量模式。进行多个样品测量时,客户可根据 操作熟练程度,自行选择测量模式,最大限度消除通道间的变异系数而引起的测量误差。★准确性高:采用进口特制LED光源,具有良好的波长准确度和重复性,全面提高检测结果的 准确性。★自动化程度高:仪器自动诊断系统故障、波长校准:自动校准★仪器使用寿命长:采用LED光源,自动开关节能设计,非连续工作模式。使用寿命可达10年★仪器自动存储8000条以上测量数据。内置微型热敏打印机,终身无需更换色带,可实时打 印检测结果检测报告可打印蔬菜名称,抑制率,是否合格,检测日期 ,检测单位。更能体现 检测结果的权威性,并利于公示。★配备RS-232接口和USB口无线Wifi、以太网接口等,可通过计算机进行数据处理、统计分析以及结果上传。如选配本公司食品安全监控网络软件,可根据用户要求组建省、市、地、县等各级网络。★比色通道数:5、8、10、15、16、20、25、30通道(可根据客户定制通道数)以上是CSY-10TQHJ酱油中铁强化剂检测仪技术参数,如果您想了解有关于CSY-10TQHJ酱油中铁强化剂检测仪操作说明书以及其他问题,请致电深圳市芬析仪器制造有限公司
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  • 主动式消磁器 SC24 Plus 双机强化版 世界级消磁解决方案品牌 Spicer Consulting,专注为客户提供全方位的环境磁场检测与改善办法。新一代主动式消磁器SC24 Plus intelligent system双机强化版,除拥有强大主动消除EMI磁场干扰功能外,再升级为全方位环境智能监控系统,让您享有『环境量测与改善双重需求』。【先进的主动式消磁技术及警示系统 – 双机Leve up】不需破坏设备即可有效消除环境磁场!●同时解决DC直流电与AC交流电造成的EMI干扰问题●最高可消除5000 Hz磁场频率●小于100微秒(µ s)的超高速动反应时间●可选择以特斯拉(Tesla)或高斯(Gauss)为单位●即时环境异常警报功能,维持重要设备正常运作●高弹性客制化,实验室空间建置及单一设备防护皆适用消磁实例比较消磁器开启前后影像变化/效果 【智能监控更全面 – 双机Leve up】提升敏感设备精准度、掌握最佳成像品质!●即时智能监测与分析报告,随时掌握准确的环境数据●24H智能监测功能,不间断侦测磁场变化、震动频率和相位●同时显示多种监控报表,环境轨迹数据一目了然●除了磁场侦测,增加噪音、震动、温度、湿度高达5种干扰源选择新升级主动式消磁器SC24 Plus 双机强化版 领先业界的Spicer Consulting SC24 Plus,提供全方位智能环境改善解决方案,从环境磁场消磁 → 自动回应 → 24H监控监测 → 异常警报通知 → 多款监控分析报表,一条龙服务打造最佳零干扰环境!勀杰科技也提供一站式服务,从环境改善到样品前制备,再到电子显微镜解决方案一应俱全,加上深耕服务于台湾及全东南亚地区的电镜影像解决方案经验,可以节省沟通成本、增加效率,单一窗口服务可立即提供各式电镜影像相关专人技术咨询与协助。产品规格● 型号:SC24 Plus 双机强化版● 消除磁场:AC交流磁场 & DC直流磁场● AC消除磁场范围:2.5 Hz – 5000 Hz● DC消除磁场范围:DC – 5000 Hz● 反应时间:小于100微秒(µ s)的反应时间● 监控项目:磁场(AC/DC同时监控)、震动、噪音、温度、相对湿度 (*部分选配)● 监控时间:24HR不间断监控● 报表种类:最多可同时显示14种的专业报表数据● 操作介面:触控式LCD彩色面板● 其他特点:具远端操作即时监控安装实例● 针对透射电镜、GIF或新建实验室● 其他特点:具远端操作即时监控针对电镜周围或电镜屏蔽罩内
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  • NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统:NPE-4000 计算机控制的独立式PECVD系统NRP-4000 计算机控制的独立式RIE/PECVD双系统NSP-4000 计算机控制的独立式 Sputter/PECVD双系统NPE-3500 计算制控制的紧凑型独立式PECVD系统NPE-3000 计算机控制的台式PECVD系统NPE-1000 简化型台式PECVD系统NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。根据不同的应用,可以使用射频淋浴头、中空阴极、ICP或微波等离子源进行沉积镀膜。分别通过增加ICP电感耦合等离子源升级为ICPECVD电感耦合等离子增强化学气相沉积系统,增加远程微波源升级为MPECVD微波等离子增强化学气相沉积系统。基板可以容纳8英寸晶圆,可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压,可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr(该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力)。通过不同的样品台偏压,样品台温度和等离子源的组合,NANO-MASTER那诺-马斯特的PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以满足用户非常广泛的需求应用。同时我们可以支持用户大尺寸基片的PECVD沉积或者批处理沉积的量产应用。 系统使用LabView可视化用户界面,触摸屏监控屏幕的计算机控制,可实现全自动化操作。特点:** 13"铝腔或14"不锈钢立方腔体** 可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)** 涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空** 独家直连设计,提供最佳真空传导率,8小时达到极限真空** 等离子源:根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波** 配套气体环用于前驱体和气体** 样品台:200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/Pulse DC偏压** MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀** 基于PC的全自动控制,菜单驱动** Labview可视化用户交互界面** EMO保护和安全联锁选配:** ICP源用于高密度等离子,升级为ICPECVD** 远程微波等离子源,升级为MPECVD** 基片脉冲直流偏压** 低频偏压用于薄膜应力控制** 旋转样品台用于涂覆3D元件** 单片自动上下片,或Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片镀膜或批处理能力** 样片手动或自动翻转,用于双面镀膜** 前级泵升级为干泵** 带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物** 带毒气监控气体柜用于有毒气体** 终点监测** 各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持应用:** 封装,绝缘** 硅的化合物** 光子结构** DLC类金刚石薄膜** CNT碳纳米管—储存器件** SiC薄膜** 表面钝化层—太阳能电池** 石墨烯—纳米级电子元件** 其它类型薄膜
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  • 主要功能和特点德国KNF适用于多用户的真空泵系统。- 模块化组件:泵,托盘,冷凝器,分离瓶,阀门,真空控制器及电源;- 全特氟龙材质,抗强化学化学腐蚀;- 一台真空系统满足实验室多个用户同时工作,节省空间,适合4~8个用户同时使用;- 实现实验室整套的负压工作环境;- 可实现每个工作站点独立的真空控制。 主要技术参数产品型号抽速(l/min)*真空度(mbar abs.)压力(bar g)抗腐蚀性配套泵的型号SBC 8403481抗强化学腐蚀N840.3 FT.18SBC 840.4034101抗强化学腐蚀N840.3 FT.40.18SBC 8444021抗强化学腐蚀N844.3 FT.18SBC 844.404041抗强化学腐蚀N844.3 FT.40.18SBC 8606021抗强化学腐蚀N860.3 FTESBC 860.406041抗强化学腐蚀N860.3 FT.40E* 在标准大气压下 更多产品信息和样本资料请查询沃珑仪器网:
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  • 仪器简介:德国KNF抗强化学腐蚀隔膜真空泵。实验室隔膜泵的高端产品。 全特氟龙材质,可用于抽取强酸强碱气体。 10(l/min)抽速,真空度100mbar。 另有N820和N840,抽速范围在10~34(l/min)技术参数:抽速 (l/min):10 极限真空度(mbar abs.): 100 压力(bar g):1 接口(mm):ID 10 泵头材料:PTFE 膜片材料:PTFE-coated 阀片材料:FFPM 尺寸:248x187x98主要特点:抗强化学腐蚀隔膜真空泵。实验室隔膜泵的高端产品。全特氟龙材质,可用于抽取强酸强碱气体。10(l/min)抽速,真空度100mbar。 另有N820和N840,抽速范围在10~34(l/min)安静,微振动。无油,免维护。
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  • 仪器简介:德国KNF抗强化学腐蚀隔膜真空泵,实验室隔膜泵的高端产品。全特氟龙材质,可用于抽取强酸强碱气体。双泵头,真空度可达2mbar,可用于旋转蒸发仪、真空发生器、凝胶干燥等。安静,微振动。无油,免维护,使用寿命长。技术参数:抽速 (l/min):34极限真空度(mbar abs.): 2压力(bar g):1接口(mm):ID 10泵头材料:PTFE膜片材料:PTFE-coated阀片材料:FFPM尺寸:334x226x122主要特点:抗强化学腐蚀隔膜真空泵,实验室隔膜泵的高端产品。全特氟龙材质,可用于抽取强酸强碱气体。双泵头,真空度可达2mbar,可用于旋转蒸发仪、真空发生器、凝胶干燥等。安静,微振动。无油,免维护,使用寿命长。
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  • 1. 产品概述等离子增强化学气相沉积PECVD2. 应用方向高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途;用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀3. 技术参数(1) 电阻丝加热电极,最高温度可达400°C或1200°C(2) 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺(3) 晶圆最大可达200mm,可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆(4) 高导通的径向(轴对称)抽气结构:确保提升了工艺均匀性和速率(5) 增加了500毫秒的数据记录功能:可追溯腔室和工艺条件的历史记录(6) 通过前端软件进行设备故障诊断,故障诊断速度快(7) 用干涉法进行激光终点监测:在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界(8) 用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测:监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测4. 企业简介深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项,软件著作权 14 项,是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。
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  • 福运莱FH-15C系列防腐蚀隔膜真空泵详细说明   *福雪莱抗强化学腐蚀隔膜真空泵FH-15C:防腐蚀隔膜真空泵适合于化学、制药、石化等行业对腐蚀性气体的处理,如抽滤,减压蒸馏,旋转蒸发,真空浓缩,离心浓缩,固相萃取等使用。福运莱FH-20C的防腐蚀隔膜泵具有优异的耐化学腐蚀设计,所有与气体接触部分,均为聚四氟乙烯(PTFE)材料,不仅进气口到出气口的化学腐蚀性气体有很好的耐受性,而且对冷凝液有很好的耐受性。抽气腔和驱动部件所在的腔室是密封分离的,确保机械部件的使用寿命。   * 隔膜泵为无油泵,和旋片式油泵相比,不会产生油雾污染全球环境,不会产生污染的废弃泵油,减少了大量的维护工作。   * 隔膜泵相对于水流循环气泵,真空度稳定,节约大量水资源,不存在废气缓慢溢出的风险。   福雪莱抗强化学腐蚀隔膜真空泵FH-15C技术特性   * 技术特性   * 真空稳定,易于控制   * 良好的化学耐腐蚀性和蒸汽耐受性   * 在较高真空度下仍具有非常好的性能   * 排气安静,振动极低   * 膜片寿命长,维护简单方便   * 可以持久稳定的工作   * 防护等级高,更好的适应恶劣的环境   福雪莱抗强化学腐蚀隔膜真空泵FH-15C技术参数    FH-15C   极限真空度(mbar) 2  max抽气速度(L/min) 18.3   接口规格(mm) KF25法兰   尺寸WxDxH(mm) 长570×宽260×高420   重量(kg) 34.5   噪音(dB) 50   电源规格 220-240V/50Hz   额定功率(W) 1100   通讯方式 TCP/IP(选配RS32)   福运莱售后服务承诺   免费上门安装:是   保修期:18个月   是否可延长保修期:是   保内维修承诺:非人为原因,免费维修   报修承诺:7x24h电话服务,紧急维修24h到达现场   免费仪器保养:*   免费培训:是   现场技术咨询:有
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  • 强化型CCD相机CONTOUR 400-860-5168转2255
    强化型CCD相机CONTOUR CONTOUR是一款超宽谱的高级CCD相机,其特点是包括一个红外成像转换器件和集成TFT-LCD显示屏。该相机设计用于取景和记录波长范围在350-1700nm(紫外/红外)的光线。其完美设计应用于各种领域,如近红外系统中红外光束或光学系统的对准。也可用于显微系统、远程通讯、荧光系统、发光系统和艺术修复等。 杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商,致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域,可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有:微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态(脉冲)激光波前畸变检测干涉仪(用于流场、波前等分析)、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器,量子级联激光器,微型光谱仪,光机械,Oceanoptics,Thorlabs 。。。热线电话: / 传真:+86571 8807 7926网址: /邮箱:
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  • 1. 产品概述PlasmaPro 800是一款先进的等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备,专为大批量晶圆和300mm晶圆的生产需求而设计,提供了灵活且高效的处理解决方案。它引入了紧凑的开放式装载系统,使得操作更加便捷,同时提升了生产效率,适应各种制造环境。该设备配备了460mm直径的工作台,具备处理整片300mm晶圆的能力,同时能够高效处理大批量的43 x 50mm(2”)小晶圆,通过这一设计,PlasmaPro 800能够满足不同尺寸晶圆的生产需求,为用户提供全面的量产解决方案。这种高适应性的特点让用户能够灵活应对不断变化的市场需求,特别是在大规模生产环境中表现尤为突出。此外,PlasmaPro 800以其出色的性能和可靠性赢得了市场的广泛认可,成为同类设备中的佼佼者。它支持多种材料的沉积工艺,能够应用于诸如光电设备、微电子器件、MEMS等多个领域,为客户的创新研发和产品制造提供强大动力。综合来看,PlasmaPro 800不仅在技术上实现了突破,还通过其灵活的配置和高效的操作方式,将大批量晶圆的生产推向新的高度,为半导体产业的可持续发展提供了坚实的基础。2. 特色参数高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺3. 为化合物半导体、光电子和光子学应用提供了更为灵活的工艺,PlasmaPro 800 可提供:大型电 - 低成本刻蚀终点监测 - 可靠性和可维护性俱佳通过激光干涉仪与/或发射光谱进行终点监测 - 增强刻蚀控制可选择带有4-、8-或12-条气路的气柜 - 可提供灵活的工艺和工艺气体,可以与主机分离,放置在远端服务区近距离耦合涡轮泵 - 提供优秀的泵送速度加快气体的流动速度数据记录 - 追溯腔室的历史状态以及工艺条件液体冷却和/或电加热电 - 出色的电温度控制和稳定性
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  • 8英寸等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备1. 产品概述Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)是一款先进的薄膜沉积设备,旨在满足半导体制造和相关领域对于高质量薄膜沉积的需求。该设备采用了平行电容板电场放电技术,有效地产生等离子体,这种等离子体环境使得各种薄膜材料的沉积过程更加高效和精准。在操作温度方面,Shale® A系列设备能够在400°C及以下的条件下,实现较为致密且均匀性极佳的薄膜沉积。这一特性使其成为沉积多种材料的理想选择,包括氧化硅、TEOS(四乙氧基硅烷)、BPSG(掺铝的硅玻璃),以及氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳和非晶碳化硅等多种高性能薄膜材料。此外,Shale® A系列设备在设计和制造过程中,充分考虑了国际市场的标准,采用了符合SEMI(美国半导体设备与材料国际协会)标准的通用零部件,确保设备在全球范围内的兼容性和可用性。同时,该设备经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试,验证其能够在实际生产中保持优异的性能表现,从而为用户提供了一个可信赖的沉积解决方案。这使得Shale® A系列PECVD设备不仅适用于高技术要求的半导体行业,还能够确保在各种应用场景中的稳定运行。2. 系统特性可提供基于硅烷(SiH4)体系的薄膜沉积方案,还可选正硅酸乙酯(TEOS)体系的沉积方案可提供双频设备,使氮化硅(SiNx)的应力可调,范围从压应力-1.6GPa到张应力+0.7GPa可提供n/p型掺杂,满足磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)等掺杂氧化硅工艺的需求8/6英寸兼容
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  • 【上海沃珑仪器】德国KNF抗强化学腐蚀隔膜真空泵,实验室隔膜泵的高端产品。全特氟龙材质,可用于抽取强酸强碱气体。双泵头,真空度可达8mbar,可配旋转蒸发仪、真空干燥箱等。可24小时连续运转,无须担心过热保护而中断您的实验。完全无油,100%免维护。主要应用于:- 旋转蒸发/真空干燥/减压蒸馏;- 凝胶干燥;- 替代水循环泵。 主要特点和性能- 可抗强化学腐蚀- 满足实验室通用真空需求- 安静,无油,微振动 活动日期:2014.10.15-2015.1.15参与活动型号技术规格 型号抽气速度(L/min)真空度(mbar)压力(bar g)接管口径(mm)尺寸(L/H/W)重量(kg)材料构成泵头/膜片/阀片N820.3FT.18208110312/207/1549.3PTFE/PTFE涂层/FFPMN840.3FT.18348110341/226/16612.6PTFE/PTFE涂层/FFPM
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  • 仪器简介:德国KNF抗强化学腐蚀自主干燥隔膜真空泵,实验室隔膜泵的高端产品。适用于潮湿气体,可配真空干燥箱。全特氟龙材质,可用于抽取强酸强碱气体。 可24小时连续运转,无须担心过热保护而中断您的实验。带有自我干燥功能,防止介质冷凝在泵头,不会过热保护,可干运作。 .40系列均为自主干燥真空泵,另有N840.3FT.40.18,N842.3FT.40.18和N860.3FT.40.18,抽速范围在20~60(l/min),真空度达到4mbar。 特点:主要应用:可抗强化学腐蚀KNF独有的自我干燥功能,是真空干燥箱的理想配置安静,无油,微振动旋转蒸发/真空干燥/减压蒸馏凝胶干燥替代水循环泵 订货编号型号抽气速度(L/min)真空度(mbar)压力(bar g)接管口径(mm)尺寸(L/H/W)重量(kg)材料构成泵头/膜片/阀片057512/026366N820.3FT.40.182010110312/220/1779.6PTFE/PTFE涂层/FFPM057613/026365N840.3FT.40.183410110341/239/18912.9PTFE/PTFE涂层/FFPM057699/042382N842.3FT.40.18344110341/242/18913.7PTFE/PTFE涂层/FFPM049625/049661N860.3FT.40.18604112331/278/29114.8PTFE/PTFE涂层/FFPM
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  • 泽攸科技 等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD),符合CE认证标准的三温区CVD系统,生长样品腔的管径60-120mm,它是由高温管式炉、多路高精度流量控制与供气系统、机械泵、真空密封及测量系统、尾气处理系统组成,极限真空度可达 10^-5 torr 。主要特点:1,优势在于各种薄膜材料、低维纳米材料等的制备(尤其适用于过渡金属二维半导体材料的生长与原位掺杂,以及多元二维材料的生长)2,可选配远程等离子射频发生系统,可用于各种薄膜材料、低维纳米材料等的等离子体辅助生长、刻蚀加工与材料表面修饰(尤其适用于石墨烯、氮化硼等二维材料的无催化生长,缺陷调控,以及器件制作工艺中的残胶去除)3,生长工艺设计先进,能满足任意衬底无催化生长4,应用案例(点击跳转) 设备主要技术参数温控参数单位温度1200℃功率6.5kw温控精度±1℃真空系统真空泵1 x 10-3 (7.5 x 10-4)mbar (Torr)真空泵(开气镇)1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2)mbar (Torr)真空泵(使用PEPE 油)1 x 10-2(7.5 x 10-3)mbar (Torr)腔体内真空度优于2.0*10-2Torr流量控制参数泄露率<4×10-9atm-cc/secHe分辨率全量程的0.1%响应时间气特性2s响应时间电特性500ms尾气吸收参数材质壳体铝合金、不锈钢吸气腔聚四氟乙烯等离子体系统参数功率输出5 – 300,5 – 500W信号频率13.56 ±0.005%MHz反射功率200W功率稳定度±0.1%谐波分量≤-50dbc供电电压187V – 253V —- 频率50/60HZ以上就是东莞市卓聚科技有限公司提供的等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)的介绍,了解更多直接咨询:原文: 随着微电子、纳米科技和人工智能等领域的进一步发展,精密定位不仅在实验室用途广泛,工业界的应用也越来越多。该团队在以往研究基础上,发展出一系列具有自主知识产权的超精密定位产品,填补了国产空白。一个火柴盒大小、外壳包覆金属的小方块,通过电压控制能够实现纳米级别的精密位移,可以用于对精密度要求超.高的科学实验、精密制造和半导体工业等领域。日前,在松山湖材料实验室高.端科研设备产业化团队的实验室内,团队负责人许智展示了该团队拥有核心技术的压电驱动纳米位移台。安徽泽攸科技有限公司为您提供压电旋转纳米位移台RF-5950A的参数、价格、型号、原理等信息,压电旋转纳米位移台RF-5950A产地为安徽、品牌为泽攸科技,型号为旋转纳米位移台,价格为面议,更多相关信息可来电咨询,公司客服电话7*24小时为您服务
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  • 1. 产品概述:高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积(PECVD)系统是一种先进的材料制备技术,广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态,进而在基片表面发生化学反应,沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点,能够制备出多种功能性薄膜,如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理:半导体工业:用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜,提高器件的可靠性和性能。光伏产业:在太阳能电池制造中,PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物(TCO)薄膜、减反射膜等,以提高光电转换效率。平板显示:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)等平板显示器件的制造中,PECVD系统用于制备薄膜晶体管(TFT)的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术:在微纳电子器件、纳米传感器等领域,PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料,如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点 1 高真空环境:PECVD系统通常配备有高真空泵组,以确保反应室内的真空度达到较高水平,从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强:通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体,使气体分子高度活化,降低反应温度,提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制:系统配备有精密的控制系统,可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制,从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性:PECVD系统具有广泛的应用范围,可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料,满足不同领域的需求。4 设备参数真空室结构:方形侧开门真空室尺寸:设计待定限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:设计待定 样品尺寸,温度:设计待定占地面积(长x宽x高):约6米×3米x2米(设计待定)电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性:≤±5%
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  • 1. 产品概述:高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积(PECVD)系统是一种先进的材料制备技术,广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态,进而在基片表面发生化学反应,沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点,能够制备出多种功能性薄膜,如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理:半导体工业:用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜,提高器件的可靠性和性能。光伏产业:在太阳能电池制造中,PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物(TCO)薄膜、减反射膜等,以提高光电转换效率。平板显示:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)等平板显示器件的制造中,PECVD系统用于制备薄膜晶体管(TFT)的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术:在微纳电子器件、纳米传感器等领域,PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料,如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境:PECVD系统通常配备有高真空泵组,以确保反应室内的真空度达到较高水平,从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强:通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体,使气体分子高度活化,降低反应温度,提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制:系统配备有精密的控制系统,可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制,从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性:PECVD系统具有广泛的应用范围,可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料,满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室:蝶形结构;3个沉积室:方形结构; 1个进样室:方形结构真空室尺寸:中央传输室:Φ1000×280mm ; 沉积室:260×260×280mm ;进样室:300×300×300mm限真空度:中央传输室:6.67E-4 Pa;沉积室:6.67E-6 Pa ;进样室:6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸,温度:114X114X3mm, 加热温度350度,机械手传递样品占地面积(长x宽x高):约13米x9米x2.3米(设计待定)电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体
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  • 1. 产品概述:高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积(PECVD)系统是一种先进的薄膜制备设备,它结合了化学气相沉积(CVD)与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下,通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体,使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应,从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域,用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理:半导体工业:用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等,提高器件性能。光伏产业:制备太阳能电池板中的透明导电膜(TCO)、减反射膜等,提升光电转换效率。平板显示:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示屏中制备薄膜晶体管(TFT)的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料:制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料,提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境:确保沉积过程的纯净度和薄膜质量,减少杂质污染。2 等离子体增强:提高气体分子的活化能,降低反应温度,促进化学反应速率,有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性:通过优化气体流动和等离子体分布,实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高:可根据需要调整沉积参数(如气体种类、流量、压力、温度等),制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高:集成先进的控制系统和监测设备,实现自动化操作和实时监控,提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸,温度:φ4英寸,1片,高600℃占地面积(长x宽x高):约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定
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  • 产品详情等离子体增强化学气相沉积(Oxford Plasmalab System100 PECVD) 原理:在保持一定压力的原料气体中,借助射频功率产生气体放电,使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体。在气体放电等离子体中,由于低速电子与气体原子碰撞,产生正、负离子之外,还会产生大量的活性基,从而大大增强反应气体的化学活性。这样,在相对较低的温度下,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。由于PECVD技术是通过反应气体放电来制备薄膜的,有效的利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来,采用PECVD技术制备薄膜材料时,薄膜的生长主要包含以下三个基本过程:首先,在非平衡等离子体中,电子与反应气体发生初级反应,使得反应气体发生分解,形成离子和活性基团的混合物;其二,各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散运运输运,同时发生各反应物之间的次级反应;左后,到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并于表面发生反应,同时伴随有气相分子物的再放出。PECVD的优点是:基本温度低,沉积速率快,成模质量好,针孔较少,不易龟裂。技术指标:可蒸发不同厚度的SiO2 和SiNx薄膜,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。沉积薄膜种类:SiO2,SiNx,SiONx基底温度:小于400℃薄膜均匀性:±3%(4英寸)装片:小于6英寸的任意规格的样品若干
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  • 等离子体增强化学气相沉积PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长;采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术,是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备,主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设备保护功能强,具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。3、 配置尾气处理装置。设备安全性设计1、电力系统的检测与保护2、设置真空检测与报警保护功能3、温度检测与报警保护4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护设备技术指标类型参数样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)样片加热台加热温度室温~600℃±0.1℃真空室极限真空≤7×10-5Pa工作背景真空≤8×10-4Pa设备总体漏放率停泵12小时后,真空度≤10Pa样品、电极间距5mm~50mm在线可调工作控制压强10Pa~1500Pa气体控制回路根据工艺要求配置单频电源的频率13.56MHz双频电源的频率13.56MHz/400KHz工作条件类型参数供电三相五线制 AC 380V工作环境温度10℃~40℃气体阀门供气压力0.5MPa~0.7MPa质量流量控制器输入压力0.05MPa~0.2MPa冷却水循环量0.6m3/h 水温18°C~25℃设备总功率7kW设备占地面积2.0m~2.0mPECVD及太阳能薄膜电池设备单室PECVD设备/控制系统五室PECVD设备六室太阳能薄膜电池设备PECVD+磁控溅射关于鹏城半导体 鹏城半导体技术(深圳)有限公司(简称:鹏城半导体),由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积(PVD)系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机,离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积(CVD)系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)|OLED中试设备(G1、G2.5)|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备(PECVD+磁控溅射)团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备,用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备,目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备(≥Φ6英寸)。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。
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  • AXIC基准800® ICP蚀刻和沉积经济实惠的高性能驱动器和低温等离子体处理系统AXIC公司的基准800® 电感耦合等离子体(ICP)处理系统定义了深度反应离子蚀刻(DRIE)和低温低损伤等离子体增强化学气相沉积(ICP PECVD)等离子体处理的新概念。该系统基于模块化设计,从通用腔室和机柜单元开始,具有ICP蚀刻和沉积底部电极,可轻松安装到腔室单元中。我们相信您会发现基准800® ICP的易用性,各种等离子工艺,可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和发展中,一直非常需要一种高度通用和可靠的工具。随着等离子体研究需求的不断变化,所选择的系统必须提供最广泛的工艺参数和高度的可重复性,以进行工艺验证。它还必须易于修改以适应新的工艺要求。我们相信我们的基准800® ICP蚀刻/沉积等离子体系统满足这些非常苛刻的要求。BenchMark 800® ICP工具是一种等离子体工具,可用于研究,工艺开发或小批量生产,可在直径达8″的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统还可以容纳硅片。在设计基准800-III® ICP工具时,主要指令是创建一个系统,该系统结合了专用生产导向系统的质量,可靠性和过程控制能力,同时大大降低了成本,维护和占地面积要求。BenchMark 800® ICP工具独特的机柜和电极设计使其易于安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件,模块化组件,通用腔室和电极设计,紧凑的尺寸,自动化和现场验证的工艺配方使AXIC基准800® ICP工具成为等离子工程师的“首选系统”。以上翻译结果来自有道神经网络翻译(YNMT) 通用场景
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  • AXIC基准800® 蚀刻和沉积具有成本效益的等离子体处理系统,用于反应离子蚀刻和/或等离子体增强化学气相沉积Axic公司的基准800等离子体处理系统在RIE和PECVD等离子体处理系统中定义了一个新概念。该系统基于模块化设计,从通用腔室和机柜单元开始,具有Planar, RIE和PECVD电极模块,可轻松安装到腔室单元中。我们相信您会发现基准800-II® 的易用性,各种等离子工艺,可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和发展中,一直非常需要一种高度通用和可靠的工具。随着等离子体研究需求的不断变化,所选择的系统必须提供最广泛的工艺参数,工艺验证的高度可重复性,并且必须易于修改以满足新的工艺要求。我们相信BenchMark 800® 系列干法处理系统可以满足这些非常苛刻的要求。BenchMark 800® 是一种等离子体工具,用于研究、工艺开发或小批量生产,可在直径达8英寸的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统可以在批处理或单片模式下运行。在设计基准800® 时,主要指令是创建一个系统,该系统结合了专用生产导向系统的质量,可靠性,可重复性和过程控制能力,同时大大降低了成本,维护和占地面积要求。BenchMark 800-II® 独特的机柜和电极设计可以轻松安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件、模块化子组件、通用腔室和电极设计、紧凑的尺寸、自动化和经过现场验证的工艺配方,使Axic公司的BenchMark 800® 成为等离子工程师的“首选系统”。特性单件式室结构原位电极间距(PECVD版本)可更换的气体淋浴喷头经过验证的工艺配方战地组件端点检测(选项)多种电极配置自动射频匹配下游压力控制(可选)计算机控制与Windows编程多种泵送选择:机械,机械/鼓风机,涡轮单室和双室版本
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  • 液流目视指示器 400-860-5168转1082
    仪器简介:通过玻璃观察窗可以监控管线流量。不论用户是否正在检查管路中的流体,以及流体流经那条管路,或者您是否只是需要简单的流量指示器,这种新型的工业气流目视指示器都会满足您的需求。液流指示器具有一个特氟纶叶轮,可以在管路上旋转进行指示。 是颜色对比容易分辨的不透明溶液、半透明液体以及透明溶液的理想选择。 可以用于任何具有足够液体质量用以转动叶轮的用途,可以以任何方向安装。技术参数:目录号:32779-00液流指示器,聚丙烯,1/4英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹)端口最高温度:212° F (100° C)最大压力:70° F(21° C)时为100磅/平方英寸流程:低:0.1至1.0 加仑/小时标准:0.5至5.0 加仑/小时接触部件:聚丙烯、陶瓷、聚苯硫醚、尼龙、聚砜、丁腈橡胶,玻璃强化聚丙烯目录号:32779-02液流指示器,聚丙烯,1/2英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹)端口最高温度:212° F (100° C)最大压力:70° F(21° C)时为100磅/平方英寸流程:低:1.5至12.0 加仑/小时标准:4.0至20.0 加仑/小时接触部件:黄铜、陶瓷、聚苯硫醚、尼龙、聚砜、丁腈橡胶,玻璃强化聚丙烯目录号:32779-04液流指示器,黄铜制,1/4英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹)端口最高温度:212° F (100° C)最大压力:70° F(21° C)时为200磅/平方英寸流程:低:0.1至1.0 加仑/小时标准:0.5至5.0 加仑/小时接触部件:黄铜、陶瓷、聚苯硫醚、尼龙、聚砜、特氟纶,玻璃强化聚丙烯目录号:32779-06液流指示器,黄铜制,1/2英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹)端口最高温度:212° F (100° C)最大压力:70° F(21° C)时为200磅/平方英寸流程:低:1.5至12.0加仑/小时标准:4.0至20.0加仑/小时接触部件:黄铜、陶瓷、聚苯硫醚、尼龙、聚砜、特氟纶,玻璃强化聚丙烯目录号:32779-08液流指示器,黄铜制,3/4英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹)端口最高温度:212° F (100° C)最大压力:70° F(21° C)时为200磅/平方英寸流程:3.0至30.0加仑/小时接触部件:黄铜、陶瓷、聚苯硫醚、尼龙、聚砜、特氟纶,玻璃强化聚丙烯目录号:32779-09液流指示器,黄铜制,1英寸美国标准锥管螺纹(阴螺纹)端口最高温度:212° F (100° C)最大压力:70° F(21° C)时为200磅/平方英寸流程:5.0至60.0加仑/小时接触部件:黄铜、陶瓷、聚苯硫醚、尼龙、聚砜、特氟纶,玻璃强化聚丙烯主要特点:● 在管线中提供一个窗口● 所有指示器都符合ANSI 150#技术要求● 用户可以选用具有美国标准锥管螺纹或法兰接头的液用和气用指示器
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  • Hipette全消毒手动可调式移液器大龙新一代全消毒手动移液器轻巧精 准,稳定耐用。采用新型活塞结构、金属螺杆结构、 氟橡胶复合密封圈等技术,减轻 移液阻力,可耐受高温高压灭菌,抗强化学腐蚀,有超长使用寿命,同时增加量程锁定,实现更精 准移液操作。特点优势 &bull 超轻机身:重量低于75g,减少疲劳度, 感受舒适的移液体验。&bull 移液精 准:全新活塞结构; 金属螺杆结构; 氟橡胶复合密封圈。&bull 整支全消毒:无需拆卸可整支高温高压消毒; 可紫外灭菌; 抗强化学腐蚀。使用方式正向移液:适用于水溶液类等低粘度液体,吸液时按下按钮到一停点,排液时按下按钮到二停点。反向移液:适用于高粘度液体,易起泡或者极微量样品,或对移液精度要求更高时。吸液时按下按钮到二停点,排液时按下按钮到一停点。量程选择:根据需要处理样本容量的大小选择合适的量程。订货信息70305110040.5-10ul703051100810-100ul7030511014100-1000ul70305110010.1-2.5ul70305110052-20ul703051100920-200ul703051104030-300ul
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  • 设备概述:液体冷热冲击试验机主要用于两器内部液体冷热交变循环试验。冷热冲击试验是用于考核散热器抗温度交变循环性能的强化试验,为冷却器的设计提供试验数据,也可验证冷热交变温度时非金属与金属连接部位的可靠性,对保证热交换器质量和提高其可靠性有重要作用。
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  • 多种移液模式:常规移液,多次分液,混合分液,逆向操作模式。轻触按键,降低操作者手部重复性劳损。快速吸头安装,密封性好,无需手动紧压吸头。显示屏防摔冲击设计,以强化防震功效。内置锂电池,还可进行USB快速充电。用户校正功能,允许用户自行校准,除了重量校准外还有容积校正。规格:MPA-10000容量:0.1-10ml体积:1.0ml 5.0ml 10.0ml精度:±2.5% ±1.0% ±0.5%重复性:±0.6% ±0.15% ±0.15%
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  • 1. 产品概述设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。PlasmaPro 100 PECVD 由于电温度均匀性和电中的喷淋头设计,可提供出色的保形沉积和低颗粒生成,允许射频能量产生等离子体。等离子体的高能反应性物质提供高沉积速率,以达到所需的基板厚度,同时保持低压。其双频 13.56MHz 和 100KHz 功率应用于上电,可实现应力控制和薄膜致密化.高质量的薄膜,高产量和出色的均匀性电的适用温度范围宽兼容200mm以下所有尺寸的晶圆可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆成本低且易于维护电阻丝加热电,高温度可达400°C或1200°C实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺2. 特点将反应物质输送到基材,通过腔室具有均匀的高电导路径,允许使用高气体流量,同时保持低压射频供电喷淋头,具有优化的气体输送功能,通过LF/RF开关提供均匀的等离子体处理,从而可以精确控制薄膜应力高泵送能力,提供宽的工艺压力窗口通过均匀的高导通路径连接的腔室,将反应粒子输送到衬底在维持低气压的同时,允许使用较高的气体通量高度可变的下电充分利用等离子体的三维特性,在优秀的高度条件下,衬底厚度大可达10mm电的温度范围宽(-150°C至+ 400°C),可通过液氮,液体循环制冷机或电阻丝加热可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换由再循环制冷机单元供给的液体控温的电出色的衬底温度控制射频功率加载在喷头上,同时优化气体输送提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺,可精确控制薄膜应力ICP源尺寸为65mm,180mm,300mm确保200mm晶圆的工艺均匀性高抽气能力提供了更宽的工艺气压窗口晶压盘与背氦制冷更好的晶片温度控制3. 应用范围:高质量PECVD沉积氮化硅 和 二氧化硅 用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途用于高亮度LED 生产的硬掩模沉积和刻蚀
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  • * 各种形状设计,铝制外壳,满足实验室不同需求* 适合储存液氮,干冰等低温品* 可以在实验室冷冻储存小量样品* KGW是德国专业杜瓦瓶生产厂商,其产品强度高,绝热性能好,产品规格齐全,是目前全球非常具有影响力的杜瓦瓶生产商* 特别适合与JULABO FT402、FT902数字型低温制冷仪配合,进行超低温生物化学反应技术参数:订货号型号内容积(L)开口直径(mm)内直径/内高度(mm)外直径/外高度(mm)重量(Kg)1625E0487205/325230/3603.51621E1887250/370265/4204.51622E21587310/400330/4506.5主要特点:* 强化硅玻璃内腔,几乎可以防止所有废液的腐蚀,特别适合实验室废液的储存运输* 满足德国标准:DIN12111, 12116, 52322* 内腔有可能被 氢氟酸,浓碱液腐蚀* 设备包括带螺纹的锁盖,过压安全装置,搬运手柄,红色外壳等。
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