器件半导体

天眼查显示，芯联集成电路制造股份有限公司近日取得一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，授权公告号为CN118073206B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2024年4月22日。背景技术半导体器件中的金属氧化物半导体（Metal Oxide Semiconductor，MOS）器件，因具有开关速度快、损耗小、可靠性高等优点，在诸如电源控制和驱动电路等领域得到越来越广泛的应用。例如，金属氧化物半导体器件中的横向扩散金属氧化物半导体（LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor，LDMOS）器件，具有耐高压，大电流驱动能力以及低功耗的优点，而且容易与互补金属氧化物半导体器件工艺兼容，因此常用于射频功率电路和电源控制电路，以满足耐高压以及实现功率控制等方面的要求。功率集成电路高电压、大电流的特点常常要求金属氧化物半导体器件具有高击穿电压和低比导通电阻。场板技术是一种广泛应用的用于提高金属氧化物半导体器件的击穿电压的技术，但是目前结合场板技术的金属氧化物半导体器件的制作工艺较为复杂。因此如何在较好地提升金属氧化物半导体器件的击穿电压的同时，简化制作工艺是目前亟需解决的问题。发明内容本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，属于半导体技术领域。半导体器件的制备方法包括：提供半导体材料层，半导体材料层中包括第一器件区，第一器件区中包括漂移区和体区；在部分漂移区的表面形成场氧化层；形成从场氧化层的表面延伸至漂移区的内部的至少一个第一沟槽；形成覆盖第一沟槽的内壁的第一介质层；在部分体区的表面形成栅介质层；形成填充于第一沟槽并延伸至部分场氧化层和栅介质层的表面的导电层；其中，位于第一沟槽中的导电层构成第一场板；位于第一场板和场氧化层的表面的导电层构成第二场板；位于栅介质层的表面的导电层构成栅电极层。如此，在有效提升器件击穿电压的同时使得器件的制备工艺较为简化。

9月10日，据企查查信息，深圳市志橙半导体材料有限公司（以下简称“志橙半导体”）发生工商变更，新增股东中微半导体设备（上海）股份有限公司。同时，志橙半导体的注册资本由1234.57万元人民币增加至1296.30万元人民币，增幅为5%。图片来源：企查查信息截图官网介绍称，志橙半导体成立于2017年12月26日，生产基地为全资子公司东莞市志橙半导体材料有限公司。该公司的经营范围包含电子元器件、半导体产品、化合物半导体产品、光学电子产品、太阳能产品、金属材料和金属化合物材料；半导体器件生产设备的销售、维修服务等。

天眼查显示，清纯半导体（宁波）有限公司“半导体功率器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年6月28日，申请公布号为CN118263325A。背景技术功率半导体器件是电力电子装置中电能转换与电路控制的核心元器件，随着近年来新能源汽车、光伏、轨道交通、智能电网等产业的发展，市场对功率器件的需求迅速升温。第三代半导体SiC材料在禁带宽度、导热性能、临界击穿场强、电子饱和漂移速度上的优势明显，符合未来电力电子系统小型轻量化、高效一体化、安全可靠化的发展趋势。随着平面型SiC MOSFET技术的不断迭代，其元胞尺寸的缩减能力逐渐趋近极限，相较而言，沟槽型SiC MOSFET从结构上更小的元胞尺寸、更高的沟道密度等天然优势，注定是下一代SiC功率器件的发展趋势。对于沟槽型SiC MOSFET而言，反向阻断状态下，其底部栅氧的电场集中是制约其性能及可靠性的关键问题。发明内容本发明提供一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的漂移层；位于所述漂移层中的栅极结构；阱区，分别位于所述栅极结构两侧的漂移层中；在所述漂移层中围绕所述栅极结构的底面和部分侧壁的保护单元；所述保护单元包括：第一掺杂保护层，位于所述栅极结构部分底部的漂移层中；第二掺杂保护层，位于所述栅极结构的部分侧壁和部分底部的漂移层中，所述第一掺杂保护层的导电类型和所述阱区的导电类型相同且和所述第二掺杂保护层的导电类型相反，所述第二掺杂保护层的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度，所述第二掺杂保护层和所述第一掺杂保护层构成PN结。提高了对栅介质层的保护。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准）碳化硅(SiC)碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下，标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石（Al2O3） 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体，主要应用于制作LED灯的关键材料，也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶，又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中，对此，我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是，CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

据天眼查显示，粤芯半导体技术股份有限公司近日取得一项名为“一种半导体器件中的互连金属的沉积方法”的专利，授权公告号为CN117127154B，授权公告日为2024年8月6日，申请日为2023年10月16日。背景技术在集成电路制造工艺中广泛应用互连金属进行金属薄膜沉积，以形成互连结构，从而连接前道工艺产生的不同功能区。但是，使用含有硅的金属进行金属沉积时，由于铝硅互溶且硅在铝中的溶解度较大，硅易通过扩散效应进入金属铝中，同时铝会回填到硅扩散所形成的孔隙中，因而在铝硅接触区形成“尖峰”，易导致器件短路，常通过在铝中掺入硅和铜形成铝硅铜合金(AlSiCu)以强化互连金属的可靠性、提高器件性能。由于在各个温度下硅在铝中的固溶度不同，高温下硅更加溶于铝，从而在沉积过程中为了防止硅析出而在高温情况下沉积铝硅铜，而持续的高温沉积则会增大金属沉积薄膜的晶粒尺寸，影响后续的薄膜刻蚀工艺，严重时也会造成薄膜刻蚀后的残留等问题，影响集成电路的器件性能。发明内容本申请提供了一种半导体器件中的互连金属的沉积方法，其中，该方法包括：在待沉积衬底的表面上按照第一预设沉积条件执行互连金属的第一次沉积操作，以得到在所述待沉积衬底的表面上沉积的第一沉积层，第一预设沉积条件用于限制第一沉积层的互连金属的晶粒尺寸；在所述第一沉积层的表面按照第二预设沉积条件执行互连金属的第二次沉积操作，以在所述第一沉积层的表面沉积第二沉积层，第二预设沉积条件用于限制沉积过程中互连金属的原子迁移率及沉积速率；在所述第二沉积层的表面按照第三预设沉积条件执行互连金属的第三次沉积操作，以在所述第二沉积层的表面沉积的第三沉积层，第三预设沉积条件用于限制沉积操作形成的沉积层厚度及沉积速率。

半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是本领域内的难点和重点。 　　低温下半导体器件所广泛表现出的非线性伏安(I-V)特性的具体物理原因是备受关注的话题之一。此前，多数研究将非线性I-V特性归因于电场对半导体材料中的电子跃迁速率的均匀调制效应。这一解释没有解决非线性输运的问题，反而引发了更激烈的争论。 　　中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队从理论方面提出了载流子的“集体输运效应”(collective transport)的物理机制。该理论认为外电场所导致的非均匀分布的渗流路径生长产生了collective transport效应，进而在器件尺度上导致非线性的I-V特性。在实验方面，该团队进一步在聚合物器件中，通过巧妙控制半导体的维度实现了对器件渗流阈值的控制，在此基础上通过对器件I-V非线性程度的控制直接证实了非线性输运来源于collective transport这一假设。该工作实现了关于上述话题互存争议的各种假设的统一，为发展操控半导体器件I-V特性的方法提供了理论依据。 　　相关研究成果以Collective Transport for Nonlinear Current-Voltage characteristics of Doped Conducting Polymers为题，发表在《物理评论快报》【Physical Review Letters 130, 177001 (2023)】上。a.collective transport模型，b.电场驱动渗流路径的形成，c.实验观测到维度控制的非线性输运，d.基于collective transport理论仿真维度控制的非线性输运。

“民用半导体激光器件我们已摆脱长期依赖进口的局面。现在,我们已经发明成功,工艺性能稳定,产品投入规模生产阶段。”1月10日,记者在山东浪潮华光公司采访,听着技术专家高兴地介绍着,看到那长长的流水线正“收获成熟的芯片”。如今,我们的企业真正拥有了世界顶尖的核心技术,产品价格大幅度下降,让“等面值人民币”买到“等面值美元”的产品不再是梦想。 　　民用激光显示技术能够完美地再现自然色彩,是继黑白显示、彩色显示、数字显示之后的第四代显示技术。目前,国际上激光显示技术已发展到产业化前期阶段,未来3至5年,将是全球激光显示技术产业化发展的关键时期。为加快推进光电技术研究,打破关键技术的“封锁”,我国把“新一代激光显示技术工程化开发”列为863计划重点项目,其中的“高可靠性、低成本半导体激光器材料与器件工程化开发”课题让山东浪潮华光光电子有限公司所承担。 　　浪潮华光是国内唯一一家拥有从激光器材料生长到器件制作的完整生产线的高新技术企业,自1999年建厂以来,其半导体激光二极管及大功率激光器的产销量持续稳居国内第一。为推进课题进展,浪潮华光组建精英团队,加速科研攻关。公司成立了由总经理、国务院特殊津贴专家郑铁民研究员担任组长的项目小组,调动公司所有资源,完善了科研团队建设,从半导体激光器的材料生长、管芯工艺制作、器件封装等整个制造工艺链均配备了专业人才。组建了以长江学者徐现刚教授为学术带头人的研发团队,有研究员、高级工程师和博士、硕士等80余人。强大的科研团队借助公司已有的省级半导体激光器技术实验室、山东省半导体发光材料与器件工程实验室等科研平台,开展了技术攻关。 　　期间,在徐现刚教授的引领下,技术总监夏伟博士组织浪潮华光的精英团队成员,集思广益,刻苦钻研,成功实现了三大关键技术突破:一是TM偏振808nm半导体激光器外延材料与芯片研制。围绕实现项目要求的特定偏振激光输出,项目组从理论设计激光器的材料结构开始,进行了系统的研究,有效采用了MOCVD技术制备这种特殊材料,加快了科研步伐。目前,该技术世界上只有为数不多的几个大公司掌握。通过5个月的努力,浪潮华光成功掌握了自主生长技术,满足了项目需求。二是635nm激光器外延材料与芯片研制。为了增加红光分量的亮度,激光显示项目在红光波段选择了波长最短的635nm半导体激光器。浪潮华光在650nm半导体激光器方面积累了丰富经验,形成了稳定的650nm半导体激光器产品,占据市场70%的份额。虽然635nm激光器相比650nm红光激光器只有十五纳米的波长差异,但是其带来的技术难题却成几何级数增长。目前,只有日本的几家公司掌握了635nm激光器的制作技术。浪潮华光研发团队经过上千次的试验,最终突破了635nm红光激光器材料的生长技术难点,实现了红光激光器的大功率输出和长期可靠工作。三是模组封装及集成技术。浪潮华光的封装技术人员克服时间紧任务重的困难,与863项目的用户积极配合,实现了高精度多管芯封装技术、新型热沉制作技术、微透镜整形技术等多项自主创新技术,完成了项目要求的模组封装和整形。 　　目前,针对所承担的“863”项目,浪潮华光已成功研制出满足激光显示工程化要求的808nm、635nm高可靠性、低成本半导体激光器件,并已经初步实现了规模化的生产。从目前的科研和生产进度上看,浪潮华光有望提前全面完成项目预定任务,并能实现批量提供民用激光显示用激光光源的目标,将会大大降低激光器的价格,并带动国内激光器应用市场的发展和更加广泛的应用,实现了“替代进口产品、提高我国半导体激光器的地位、实现激光器显示用核心元器件国产化”的梦想,让该公司产品在国际激光显示产业中独占鳌头。

韩国科学技术研究院（KIST）神经形态工程中心研究团队宣布开发出一种能进行高度可靠神经形态计算的人工突触半导体器件，解决了神经形态半导体器件忆阻器长期存在的模拟突触特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日发表在《自然通讯》杂志上。模仿人脑的神经拟态计算系统技术应运而生，克服了现有冯诺依曼计算方法功耗过大的局限。实现使用大脑信息传输方法的半导体器件需要一种能表达各种突触连接强度的高性能模拟人工突触装置。当神经元产生尖峰信号时，这种方法使用神经元之间传输的信号。KIST团队微调了活性电极离子的氧化还原特性，以解决阻碍现有神经形态半导体器件性能的小突触可塑性。研究团队在突触装置中掺杂和使用各种过渡金属，以控制活性电极离子的还原概率。研究发现，离子的高还原概率是开发高性能人工突触装置的关键变量。因此，研究团队将具有高离子还原概率的钛过渡金属引入现有的人工突触装置中。这保持了突触的模拟特性和生物大脑突触处的设备可塑性，大约是高电阻和低电阻之间差异的5倍。此外，他们开发了一种高性能的神经形态半导体，其效率大约提高了50倍。此外，由于掺杂钛过渡金属的高合金形成反应性，与现有的人工突触装置相比，信息保留率提高了63倍。此外，包括长期增强和长期抑郁的大脑功能可更精确地模拟。该团队使用开发的人工突触设备实现了人工神经网络学习模式，并尝试了人工智能图像识别学习。结果，与现有的人工突触装置相比，错误率降低了60%以上；此外，手写图像模式识别准确率提高了69%以上。研究团队通过这种改进的人工突触装置证实了高性能神经形态计算系统的可行性。

天眼查显示，臻驱科技（上海）有限公司近日取得一项名为“一种功率半导体器件选型方法”的专利，授权公告号为CN112946449B，授权公告日为2024年7月19日，申请日为2021年1月28日。背景技术功率半导体器件作是电力电子工业中变频/整流/逆变器等设备的核心，决定了系统的关键电气性能。因此筛选出性能优异、适合应用的功率半导体器件是器件评估、驱动设计以及系统设计的重要步骤。现有目前对功率半导体器件的评估方式大部分主要参考器件的数据手册，从而进行简单的测试应用，满足需求即可。但是各个功率半导体器件厂商的数据手册中的数据和应用中的工况是不同的，因此难以作为评判不同厂商器件优劣的证据。这带来的问题在短期内可能会影响产品整体的输出能力甚至产品失效，长期会影响器件的寿命。发明内容本申请实施例中提供了一种功率半导体器件选型方法，属于功率半导体器件评估技术领域，包括：步骤一，得到功率半导体器件的开关速度和驱动电阻的离散点；步骤二，得到开关速度和驱动电阻的相关曲线；步骤三，基于实际工况的要求获得工作开关速度值，获得功率半导体在工作开关速度值对应的匹配驱动电阻值；步骤四，基于配置匹配驱动电阻值下的功率半导体器件，获得功率半导体器件关断和/或开通时的电流变化和电压变化，判断功率半导体器件的性能。通过本申请的处理方案，解决了现有技术中对于特定工况不能准确评判功率半导体器件性能的问题。

仪器信息网整理2021年半导体领域材料与器件精彩报告回放，内容涉及半导体材料、器件、表征、应用等内容，供相关科研人士学习使用。报告题目：《氮化镓半导体电力电子器件相关进展分享与讨论》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115820.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：西安电子科技大学副教授 赵胜雷)报告题目：《半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的定量透射电子显微学研究》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115535.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：华中科技大学/武汉光电国家研究中心 李露颖)报告题目：《半导体深紫外发光与红外探测器件研究》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115819.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：华中科技大学副研究员 吴峰)报告题目：《二维半导体材料的集成电路应用探索》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115811.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：复旦大学研究员 包文中)报告题目：《半导体仿真技术在宽禁带半导体器件领域中的应用》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115821.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：河北工业大学教授 张紫辉)报告题目：《分子束外延氮化物半导体材料及器件》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115823.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：南京大学教授 王科)报告题目：《氧化物半导体气体传感器》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115817.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：吉林大学教授 刘凤敏)报告题目：《半导体离子传感器及新型可大规模集成无参比电极半导体离子传感器》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115816.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：复旦大学教授 吴东平)报告题目：《先进气体传感技术及其应用》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115815.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：重庆大学研究员 曾文)报告题目：《高效率全无机CsPbBr3钙钛矿太阳电池》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115814.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：暨南大学教授 唐群委)报告题目：《非铅钙钛矿材料的能隙调控》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115812.html 视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人：北京大学教授 肖立新)报告题目：《共聚焦拉曼和PL在第三代半导体材料中的应用》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115613.html报告人：天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室副教授 徐宗伟报告题目：《二维半导体及异质结的生长与光电性能调控》视频回放链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/video_114781.html视频选自“石墨烯检测技术及应用进展”主题网络会议(报告人：江南大学教授 肖少庆)

半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。针对于此，仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。以下为本次大会中相关仪器技术类报告合集：报告合集报告：半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond报告人：Waters -TA部门TA仪器热分析高级技术专家 苏思伟【摘要】 报告主要围绕半导体行业材料的力学及热性能评估展开。材料的玻璃化转变、热分解温度、热膨胀系数、吸湿性、模量等参数，决定了材料的稳定性和最终使用性能，报告将介绍如何使用热分析和力学表征设备得到这些重要相关参数。报告：牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用报告人：牛津仪器科技（上海）有限公司 应用科学家 王汉霄报告：如何利用牛津原子力显微镜评价化合物半导体质量报告人：牛津仪器科技（上海）有限公司 高级应用科学家 刘志文【摘要】 近几年，由于化合物半导体行业的飞速发展，其衬底以及外延薄膜质量评价越来越受到关注。如何评价高质量衬底和外延薄膜对工艺优化至关重要。原子力显微镜（AFM）是评价衬底和薄膜质量不可或缺的技术手段。在本次讲座中，主要用AFM从表面结构，力学性质和电学性质全面评价衬底和薄膜质量，涉及材料生长机制、表面不均匀性、缺陷类型、粗糙度、表面污染、力学性质、导电、表面电势、高压击穿等，从而实现对衬底和薄膜质量的全面评估。报告：海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用报告人：海洋光学 资深技术&应用专家 卢坤俊【摘要】 介绍海洋光学公司及工业客户合作模式，并分享海洋光学微型光谱仪在半导体膜厚测量， PECVD过程监控，Plasma Etching终点指示以及 Plasma Cleaning过程监控中的原理及应用。报告：布鲁克新一代能谱仪及其在半导体样品上的应用 报告人：布鲁克（北京）科技有限公司 应用工程师 陈剑锋【摘要】 随着目前工业和自动化控制的发展，促使人们在半导体行业上不断突破到更微观的结构，能谱和电子显微镜因为在纳米尺度上的分析能力和直观的结果解读使之在半导体行业以及相应的材料，结构，性能的研究，测试，表征等方面的依赖性也变得越来越高，布鲁克纳米分析部门推出第七代能谱配合EBSD和同轴TKD等技术继续在分析测试，失效分析，产品工艺改进和品质控制等领域助力新能源行业的发展，本期报告我们将主要介绍布鲁克新一代能谱仪特点应用，让新老客户对我们的产品及应用有一个更好的了解和认知。报告：聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟报告人：天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授【摘要】 聚焦离子束、飞秒激光微纳加工，由于其精度高、直写成型和灵活性高等优势，成为重要的微纳制造技术。随着纳米功能器件制造需求和制造难度的不断增加，对基于聚焦离子束和飞秒激光制造技术提出了许多新的挑战。报告结合加工工艺优化、光谱表征以及原子尺度模拟等研究手段，分享两种先进制造技术在制备微纳光学功能器件、原子尺度点缺陷色心、宽禁带半导体功能结构中的应用。报告：雷尼绍拉曼光谱技术的发展及其在半导体材料分析中的应用报告人：雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司 光谱产品部应用经理 王志芳【摘要】 半导体材料和器件的性能及稳定性往往与材料本身的性质联系在一起，包括材料应力、缺陷、杂质、载流子浓度还有温度响应等等。拉曼光谱检测可以获得以上半导体材料的性质，并且拉曼光谱还具有速度快、无需制样、无损伤等表征优势，可以同时获得静态及动态变化中的结构信息，已经成为半导体材料表征和器件测试的一个重要手段。本次报告主要介绍雷尼绍拉曼技术在半导体领域的应用方向和相关案例，同时分享适用于半导体领域的拉曼技术的发展和应用。本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia或扫描二维码报名

2021年7月22日上午，由中国半导体行业协会主办，中国半导体行业协会半导体分立器件分会、大连市科学技术局、大连市工业和信息化局、专用集成电路重点实验室、元器件封装技术创新中心、河北省新型半导体材料重点实验室、河北普兴电子科技股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所承办的“第十五届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2021年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛”在大连富丽华酒店二楼多功能厅成功召开。会议邀请了工信部电子信息司、中国半导体行业协会等领导出席指导。会议现场中国半导体行业协会半导体分立器件分会秘书长 赵小宁 主持会议中国半导体行业协会执行秘书长 靳阳葆 致辞大连市人民政府副市长 张志宏 致辞中国电子科技集团公司第十三研究所副所长 蔡树军 致辞靳阳葆秘书长代表中国半导体行业协会对出席本次活动的嘉宾和来自全国各地的代表表示热烈的欢迎，对长期以来关心和支持集成电路产业发展的各位领导专家以及业界同仁们表示衷心的感谢。半导体产业是技术密集竞争激烈的战略性产业，具有产值巨大、创新性强的突出特点，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量，也是未来全球经济的增长之路已经成为全球各国在高科技竞争的战略制高点。近年来，在行业主管部门的领导和产业界的共同努力下，集成电路产业的发展取得了长足的进步。产业政策不断完善，发现发展环境持续优化，产业规模持续增长。半导体分立器件作为半导体产业的基础和核心领域，近几年保持着稳定的增长势头，这主要得益于新能源汽车、工业机器人、通讯等前沿应用领域的快速发展，国内市场的增长势头十分强劲，并范围不断扩展，产业迸发出前所未有的活力。靳阳葆秘书长表示，本次相聚大连，希望能够搭建一个行业专家、学者、产业链上下游企业交流经验碰撞思想平台，为半导体分立器件企业的技术创新与发展注入新的动力。最后希望与会代表通过本次论坛有所收获。报告人：大连市科学技术局副局长 于晓丹 报告题目：大连市市情及科技创新情况推介大连是中国北方重要的港口、工业、金融和旅游城市，是东北之窗、京津门户，是东北亚国际航运中心、物流中心和金融中心。于晓丹表示，大连将建设国际一流科学城—大连英歌石科学城，服务国家战略、瞄准国际前沿、专注四大功能、引领科技发展，以完备高端的研发设施、创新空间、要素环境、场景供给和服务设施吸引顶尖人才团队集聚,以顶尖人才团队推进前沿性、战略性、颠覆性技术创新突破，以前沿技术落地转化培育壮大新兴产业、未来产业。报告人：中国电子科技集团公司原副总经理 赵正平报告题目：SiC电力电子学的产业化技术的创新发展以Si MOSFET\Si IGBT和二极管为代表的Si电力电子学，以其优良材料物质量、易于加工、低成本大规模生产和可靠性验证等特点，是电力电子的主导技术，虽然其仍在发展，但已经达到其材料的极限。赵正平表示，宽禁带半导体SiC\GaN已进入产业发展的高速期，6英寸SiC晶圆线将会成为主流，8英寸SiC晶圆将启动；在电力电子领域SiC MOSFET将主导，在适应SiC应用的领域降低制造成本。报告人：大连理工大学人工智能大连研究院院长 江贺报告题目：EDA软件高效测试技术研究 据介绍，大连理工大学人工智能大连研究院成立于2018年10月，是大连市政府与大连理工大学共建的新型研发机构。江贺表示，工业软件是智能制造之魂，支撑着工业企业的业务和应用，是工业生产提质增效的重要根据。报告详细介绍了各类EDA软件的测试技术与结果。报告人：西安电子科技大学教授 贾仁需报告题目：宽禁带半导体发展现状与展望随着经济不断发展，5G通信、智能物联网、智能无人平台，新能源汽车等新产业的蓬勃发展，对芯片提出了更高的要求，要求芯片能具有更高的频率、更低的功耗、更大集成度和更可靠的工作性能，因此以GaN、SiC为代表的“第三代半导体材料与芯片”快速进入产业化。贾仁需指出，宽禁带/超宽禁带半导体是全球高技术竞争的关键领域之一。我国政府高度重视，在“中国制造2025”、2035中长期科技规划、十四五计划中，均将其列为重点方向或前沿领域。报告人：电子科技大学集成电路研究中心主任 张波报告题目：功率半导体器件的国产化挑战 功率芯片是中国半导体产业崛起的突破口，但国内功率半导体行业缺乏大型(先进)的IDM企业，即使IDM企业大都缺乏先进制程的半导体工艺线，导致产品同质化严重，竞争力缺乏。谈到功率半导体器件的国产化挑战时，张波提出，功率半导体器件研制不仅要考虑器件特性，还要考虑应用环境，要根据应用去设计器件特性。报告人：大连海外华晟电子科技有限公司副总经理 刘啸报告题目：电子浆料在电子器件、基板及模块中的技术与应用 据介绍，电子材料主要为电子信息产业生产配套器件，具有品类多、质量高、用量精等特点。电子材料产品种类繁多，可应用于太阳能电池、集成电路、分立器件、LED、传感器、印刷电路板等领域。电子材料在电子信息产品的生产加工过程中发挥着重要的作用，其工艺水平的高低和产品质量好坏直接决定了元器件的性能，是世界各国为发展电子信息产业而优先开发的关键材料之。而电子浆料则是由悬浮在有机载体中的粉末状导电金属，无机或高分子粘结剂构成的固体颗粒或有机液体混合的体系。报告中，刘啸详细介绍了芯片封装银浆、MLCC电极浆料、电阻浆料、电感浆料等在电子器件、基板及模块中的技术与应用。报告人：大连华邦化学有限公司总经理 侯鹏报告题目：半导体终端气体纯化器的进展及应用氮、氢、氧、氩、氮等大宗气体广泛用于在半导体芯片生产的各个过程中，起到氛围保护、输送特气、参与反应等作用。半导体产业对气体纯度要求极高。气体中的氧、水、总烃等杂质，在生产过程中可能会以原子形态进入芯片结构中去，影响芯片质量。低浓度杂质将导致合格频率下降，高浓度杂质可能导致批量产品报废、损坏设备、引起安全事故。因此，气体纯化装置显得尤为重要。侯鹏在报告中详细介绍了该公司的气体纯化器的进展及应用。

为推动我国无损检测技术发展和行业交流，促进新理论、新方法、新技术的推广与应用，仪器信息网定于2024年9月11-12日组织召开第三届无损检测技术进展与应用网络会议，邀请领域内科研、应用等专家老师围绕无损检测理论研究、技术开发、仪器研制、相关应用等方面展开研讨。期间，岛津企业管理（中国）有限公司高级应用工程师黄军飞将作报告《NDI在半导体与元器件失效分析中的应用》，介绍岛津NDI在半导体材料与元器件失效分析中的应用案例。本次会议于线上召开，欢迎大家参会交流！关于岛津NDI事业部岛津作为一家著名的测试仪器、医疗器械及工业设备制造厂商，于1909年开发出了日本历史上第一台商用医疗X光机。随着焊接技术的发展，客户中产生了用无损的方法检测钢管焊接的需求，岛津便将其引用到工业领域。1999年，岛津成功开发出日本第一台微焦点X射线CT系统。此后，又陆续推出了一系列X-ray检查装置和测量用X射线CT系统。例如，2023年推出台式X射线CT系统XSeeker 8000，2024年推出倾斜CT和透视一体机 XslicerSMX-6000。目前，岛津NDI拥有微焦点X射线透视检查装置 、微焦点X射线CT系统 、X射线测量CT系统等系列产品。

仪器信息网讯 光电材料是目前半导体行业的研究热点之一，其包含了较多的研究方向，主要有有机光电材料和无机光电材料两方面。有机光电材料中目前热门的是有机太阳能电池，而无机光电材料中则是钙钛矿太阳能电池。前者由于设计性高，质量轻，可大面积制造等优点一直受到科研人员的广泛青睐，近年来发展也非常迅速。后者因其优异的光电转换效率可媲美硅基太阳能电池，所以一直是《Nature》、《Science》等世界顶级期刊中的常客。仪器信息网将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议，会议分设光电材料与器件研究与应用、第三代半导体研究与检测技术、传感器与半导体产业配套材料研究与检测技术三个专场。邀请半导体领域相关研究、应用与检测专家、知名仪器企业技术代表，以线上分享报告、在线与网友交流互动形式，为同行搭建公益学习互动平台，增进学术交流。为回馈线上参会网的支持，增进会议线上交流互动，会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节，欢迎大家报名参会。同时，只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》（独家首发）一本，报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期，还有部分赞助厂商将抽取幸运观众，邮寄企业周边产品。（兑奖方式见文末）本次会议免费参会，报名链接：https://insevent.instrument.com.cn/t/5ia或扫描二维码报名光电材料与器件研究与应用专场会议日程：时间报告题目演讲嘉宾专场1：光电材料与器件研究与应用（12月20日）9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond苏思伟（Waters -TA部门 TA仪器热分析高级技术专家）10:30牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用王汉霄 (牛津仪器科技（上海）有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)直播抽奖：神秘奖品+红包13:30半导体材料发展与机遇慕容素娟（大话芯片 总编）14:00GaN光电器件现有应用及未来发展方向张星星（江西兆驰半导体有限公司 芯片研发经理）14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技（中国）有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静（北京理工大学 特别副研究员）15:30低维钙钛矿发光材料与器件张晓宇（吉林大学 副教授）直播抽奖：神秘奖品+红包嘉宾介绍:北京大学教授 肖立新肖立新，日本东京大学博士毕业，现为北京大学物理学院教授，博士生导师。英国皇家化学学会会士，中国材料学会太阳能分会秘书长、 国际信息显示学会(SID) 中国北区执委会学术副主席。研究方向：有机光电子学，长期从事光电功能材料及器件方面的研究，如有机发光材料及其器件，光伏材料及其器件物理等。研究成果：主持过多次国家自然科学基金，承担973项目子课题。已发表论文150余篇及申请专利共30余件，SCI他引4500余次，入选2020全球前2%顶尖科学家“年度影响力”榜单。编著《钙钛矿太阳能电池》（第一、二版），译著《有机电致发光-从材料到器件》，参与编著《锂离子电池》。2015年度教育部自然科学一等奖（第一完成人，高效有机蓝光材料及其介观结构发光器件研究）。【摘要】铅基钙钛矿的毒性阻碍了其在光电子学中的广泛应用。由于载流子寿命长和稳定性好，无铅钙钛矿Cs2AgBiBr6被认为是一种很有前途的候选者[1-2]。然而，相对较大的1.98 eV带隙限制了其在可见光区的吸收。鉴于此，我们掺铁将Cs2AgBiBr6的吸收扩展到具有中波段的近红外区域 (≈1350 nm)的研究成果[5]。Fe2+被选为掺杂剂以合金化成Cs2AgBiBr6单晶，并导致吸收范围扩大至≈1350 nm，这是无铅钙钛矿中记录的最长近红外(NIR)响应。大约1%的Fe离子合金化到Cs2AgBiBr6晶格中，导致晶格收缩。正如三次谐波生成结果所证实的那样，Fe掺杂不会缩小其本征带隙，而是会在Cs2AgBiBr6的原始带隙内引入一个新的中间带，以强烈吸收近红外光。此外，在近红外照射下，在Fe掺杂的Cs2AgBiBr6晶体中产生了大量的光生载流子。这项工作为扩展用于近红外电探测器和中间带光伏器件的无铅钙钛矿的光学响应提供了一种新方法。TA仪器热分析高级技术专家 苏思伟北京航空航天大学材料科学与工程学院硕士，现任美国TA仪器热分析高级应用专家。负责中国南方区的热分析应用技术支持，教授热分析技术培训课程几十场，长期从事各类材料的热分析、力学性能表征及失效分析等工作。以第一作者身份发表在《Matter》的仿生材料研究被《每日科学》等多家国际媒体报道。牛津仪器科技（上海）有限公司应用科学家 王汉霄2021年获英国曼彻斯特大学博士学位，随后加入牛津仪器纳米分析部，负责EDS、EBSD、OmniProbe和WDS技术推广及应用支持。博士期间主要通过HRDIC-EBSD-ECCI联用技术研究金属材料在亚微米尺度的塑性变形行为。【摘要】 报告主要围绕半导体行业材料的力学及热性能评估展开。材料的玻璃化转变、热分解温度、热膨胀系数、吸湿性、模量等参数，决定了材料的稳定性和最终使用性能，报告将介绍如何使用热分析和力学表征设备得到这些重要相关参数。南京工业大学先进材料研究院教授 王琳南京工业大学先进材料研究院教授、博士生导师、国家海外高层次青年人才引进计划入选者。2009年在武汉大学获得学士学位， 2013年在香港科技大学获得博士学位，2014年起在瑞士日内瓦大学从事博士后工作，2017年被南京工业大学聘请为教授和博士生导师。主要研究新型低维纳米材料的生长制备、量子输运、光电特性和存储器件，探讨和发现不同种类材料中的微观电子行为及器件性能。目前已发表学术论文近50篇，以第一作者/通讯作者身份在Nature Communications, Physical Review Letters, Advanced Materials, Nano Today等发表论文20余篇。曾荣获国际先进材料学会IAAM奖章（International Association of Advanced Materials）、欧洲材料学会青年科学家奖 （Young Scientist Award）、国家青年千人、江苏特聘教授、江苏省“六大人才高峰”高层次人才A类、首届国家级江北新区“十大杰出青年”、中国青少年科技创新奖等荣誉，担任国际先进材料协会会员、欧洲先进材料大会科学顾问委员、柔性电子材料与器件工信部重点实验室学术委员会委员、中国激光杂志社青年编委、江苏省青年联合会委员、江苏省青年科技工作者协会会员等社会兼职。【摘要】 二维材料由于极限超薄厚度、超强量子效应、匹配硅基工艺等，近年来受到学术界的广泛关注。我们聚焦二维材料在异质界面工程的独特优势，利用多维界面生长新型二维材料，利用界面组合产生新奇发光特性，利用界面器件设计优越光电性能，具体包括：（1）界面生长新材料：利用一步滴涂法制备二维碘化铅纳米薄片，并利用碘化铅和有机分子形成的固气界面，实现了多种杂化钙钛矿的灵活制备和异质组装；利用杂化钙钛矿同时具有晶向明确的无机骨架和易于自组装的有机配体，实现了三维和二维钙钛矿之间的室温定向自组装，展现了独特的界面应变效应和发光特性。（2）界面衍生新物性：通过将手性和非手性钙钛矿纳米片组合成范德华异质结，实现了非手性钙钛矿圆偏振光特性的产生、调控和提升；通过研究单层WSe2与其他二维材料组成异质结构的变温荧光光谱，发现了巨大层间剪切热形变的新奇热力学特性和作用机制.（3）界面设计新器件：基于二维半导体和杂化钙钛矿的异质界面工程，制备了基于二维材料的中红外发光二极管、具有优异光电探测性能的微纳光电器件和基于极简结构的超低功耗存储器和整流存储一体化器件.大话芯片总编 慕容素娟大话芯片总编。先后出版书籍《芯人物》一册和二册、《中国智慧家庭产业创新启示录》。曾就职于华为公司；后跨界进入媒体领域，先后在《中国电子报》、《集微网》等行业媒体，专注半导体全产业链10余年。【摘要】 半导体材料的发展历程，全球半导体材料的产业格局，中国半导体材料的发展机遇江西兆驰半导体有限公司芯片研发经理 张星星毕业于北京科技大学，材料物理化学系硕士。目前担任江西兆驰半导体有限公司研发中心经理，一直从事和负责氮化镓材料及相关发光器件的光电特征研究和高亮度高效率蓝光以及白光半导体发光二极管的产品技术研发工作，在正装、倒装、垂直、Mini/Micro RGB等芯片领域有着丰富的研发经验【摘要】 GaN材料可应用于分立器件，包含光电器件、功率器件等，在光电器件领域有着广泛的应用，主要是LED发光二极管，应用于家用和商用照明、植物照明、车灯、紫外消毒、背光显示等领域，Mini和Micro显示作为LED的未来发展之路，拥有独立的三原色芯片，发光像素单元为自发光微米量级的LED，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点, 在显示方面与 LCD、OLED相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势 。安捷伦科技（中国）有限公司原子光谱应用工程师 应钰毕业于东华大学应用化学专业，有超过4年国际顶级高纯电子材料行业从业经验，主要从事电子化学品的分析工作，掌握不同类型电子化学品的分析难点，以及复杂问题的解决；加入安捷伦后，作为原子光谱应用工程师，重点专注于半导体高纯材料的无机元素分析，材料类型涵盖半导体产业链的各个环节，包括高纯度的湿化学品，硅材料以及其他种类的高纯金属材料，擅长分析过程中污染控制，干扰去除，以及降低仪器背景等环节，对于低浓度的超痕量分析测试积累了丰富的实战经验。北京理工大学特别副研究员 魏静北京理工大学，预聘副研究员，2012年于电子科技大学集成电路设计与集成系统专业获得学士学位，2017年于北京大学微电子与固体电子专业获得博士学位。2019年7月加入北京理工大学材料学院材料物理与化学系。主要从事新能源材料与器件、钙钛矿光电材料与器件等研究。以第一作者身份在Nat.Commun., Adv. Mater., Adv. Energy Mater. Nano Energy等杂志发表论文15篇，其中ESI高被引论文2篇，ESI热点论文3篇，总被引次数超过600。研究领域：新型能源材料与器件；钙钛矿光电材料与器件；微纳加工。【摘要】 钙钛矿太阳能电池（PSCs）的光电转换效率已经超过25%，但寿命依然低于工业所需的20年，严重限制了其商业应用。目前报道的多数钙钛矿电池在水分、光照、热或其他因素的干扰下都会严重失效。聚合物在钙钛矿器件中可起到界面修饰、水氧隔离等作用。本工作系统研究了钙钛矿薄膜的退化机理，采用聚合物矩阵策略，设计并优化了钙钛矿光伏器件的电子传输层，通过开发新型紫外惰性电子传输材料及低温介孔结构，来提高PSCs在潮湿环境或光照下的工作稳定性。制备了ITO/UV惰性ETL/ Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45/Sprio-MeOTAD/Au结构的太阳能电池，其光电转换效率达到22%，光稳定性得到明显改善。优化后的器件在AM1.5G（氙灯）持续光照，最大功率点电压下工作120小时后，依然保持95%以上的初始性能。在进一步的工作中，需要深入研究PSCs的复杂降解机理，在此基础上开发更具针对性的薄膜改性方法和新型器件结构。吉林大学副教授 张晓宇聚焦低维发光材料与器件，发表SCI论文80余篇，其中14篇入选ESI高被引论文，SCI他引6300余次，单篇最高他引600余次，H因子36。【摘要】 Perovskite light-emitting materials have become a very hot topic in research in recent years, mainly due to their high color purity and high electroluminescence efficiency. To address the shortcomings of low efficiency and poor stability of perovskite nanocrystal light-emitting diodes (LEDs), we have focused on the nucleation, growth, and defect formation mechanisms of perovskite nanocrystals, and the carrier transport mechanisms of corresponding LEDs. We have obtained high performance perovskite nanocrystal luminescent materials by solvent engineering, surface passivation, construction of quasi-core-shell structure and doping, and improved the performance and stability of LEDs by combining structural design, interface engineering, ligand optimization, crystallization control and other solutions.兑奖方式：1） 直播间抽奖中奖后，凭借中奖截图凭证联系直播助手领奖；2） 分享朋友圈兑奖，凭借朋友圈点赞截图，联系直播助手领取《2021年度科学仪器行业发展报告》扫码加直播助手微信

近日，第68届IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM,国际电子器件大会)在美国旧金山召开。IEEE IEDM是一个年度微电子和纳电子学术会议，是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界顶级论坛，其与ISSCC、VLSI并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器)成功被大会接收，这也是中国科大首次以第一作者单位在IEEE IEDM上发表论文。　　1.高功率氧化镓肖特基二极管 如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决，PN结相关的边缘终端结构一直是难点。该工作基于氧化镓异质PN结的前期研究基础(Weibing Hao, et.al.，in proc. ISPSD, 105，2022)，将异质结终端扩展结构(Junction Termination Extension, JTE)成功应用于氧化镓肖特基二极管。该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度，确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。优化后的器件实现了2.9 mΩcm2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压，其功率品质因数高达1.52 GW/cm2。此外，利用该优化工艺成功制备并封装了大面积的氧化镓肖特基二极管，器件正向偏压2V下电流密度达到180A/cm2，反向击穿电压高达1.3kV。研究成果以“High-Performance Vertical β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Featuring P-NiO JTE with Adjustable Conductivity”为题发表在IEDM 2022上，且获选为Top Ranked Student Paper。论文第一作者为我校微电子学院博士生郝伟兵，微电子学院龙世兵教授和徐光伟特任副研究员为论文共同通讯作者。图1结终端扩展氧化镓肖特基二极管。(a)器件结构示意图。(b)具有不同JTE区域电荷浓度的器件击穿特性比较。 (c)封装器件反向恢复特性测试电路。(d)与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。 2.氧化镓光电探测器光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用。响应度和响应速度是光电探测器的两个关键的性能参数，然而这两个指标之间存在着制约关系，此消彼长。由于缺乏成熟的材料缺陷控制技术，该问题在以氧化镓材料为代表的超宽禁带半导体探测器中尤为突出。龙世兵教授团队通过引入额外的辅助光源实现对向光栅(OPG)调控方案(图2a)，来缓解上述制约关系。该OPG方案下的Ga2O3/WSe2结型场效应晶体管探测器在目标光(深紫外)照射下表现出负向光栅效应(NPG)，器件的阈值电压往负向移动(图2b)；与之相反，辅助光源(可见光)照射使器件表现出正向光栅效应(PPG)，器件的阈值电压往正向移动；在目标光及辅助光同时照射下，器件整合了正、负对向光栅效应，但总体表现为阈值电压朝负向移动。OPG方案有效抑制器件内严重的持续光电导效应，器件的响应速度明显提升(图2c)。此外，如图(2d)所示，OPG调控方案中引入的辅助性可见光对器件的光/暗电流比和响应度等关键指标几乎不产生影响。最终，当OPG方案中的可见光常开，在仅牺牲10.4 %的响应度的情况下即实现了1200倍响应速度的提升，成功削弱了响应度和响应速度之间的制约关系。特别地，当通过反馈电路控制辅助光源仅在器件响应的下降沿触发，将在无响应度牺牲的情况下实现响应速度的数量级提升。该工作提出了一种光电探测器芯片内千万像素共享一颗辅助LED即可缓解响应度与响应速度之间的制约关系的策略，对光电探测芯片综合性能的提升有重要的参考意义。研究成果以“Alleviating the Responsivity-Speed Dilemma of Photodetectors via Opposite Photogating Engineering with an Auxiliary Light Source beyond the Chip”为题发表在IEDM 2022上。我校微电子学院龙世兵教授和赵晓龙特任副研究员为论文的共同通讯作者，微电子学院博士生邹燕妮为论文第一作者，硕士生曾妍和博士生谭鹏举为论文的共同第一作者。图2对向光栅(OPG)光电探测器概念及基本特性。上述两项研究得到了国家自然科学基金、中国科学院和科技委等的资助，也得到了中国科大微纳研究与制造中心、中国科大信息科学实验中心、富芯微电子公司等在器件制备、仿真模拟及封装方面的支持。

2023年6月25日，中科院长春分院在吉光半导体科技有限公司组织召开了由长春光机所承担的中国科学院科技服务网络计划(STS计划)吉林省区域重点项目暨院省科技合作重点任务“高端半导体激光器件及核心设备产业化”(“芯”创激光)验收会议。 　　中科院长春分院分党组书记、院长甘建国，科技合作处处长侯鹏、业务主管梁川，长春光机所所务委员孙守红、成果转化处副处长吕宝林、财务管理处副处长周舒，吉光半导体科技有限公司总经理佟存柱、项目评审专家组、项目组成员及合作企业代表参加会议，会议由甘建国主持。 　　甘建国首先介绍了STS专项基本情况和验收要求，孙守红代表中科院长春光机所对参会领导和专家的到来表示欢迎和感谢， 　　与会专家先后听取了项目组三个子课题负责人张建伟、彭航宇、何峰赟的项目验收报告，审查了项目相关材料，现场查看了成果技术研发及产业化情况，并提出了相关意见和建议，一致认为项目完成了任务书目标。 　　中科院STS重点项目“高端半导体激光器件及核心设备产业化” 针对目前我国半导体激光产业在高端半导体激光器件和设备核心部件受制于人“大而不强”的现状，围绕高端半导体激光技术产业上下游核心部件的研发、制造和服务等关键环节，以吉林省企业需求为牵引，突破高端半导体激光芯片、模组与设备核心技术，实现产业新旧动能转换，助力提升吉林省区域核心竞争力和综合实力！

据企查查信息，1月28日，九桓碳构科技（北京）有限公司（以下简称“碳构科技”）成立，注册资本为8000万元人民币，法定代表人为岂雨泽，经营范围包含电子专用材料制造；半导体器件专用设备制造等。股东信息显示，碳构科技由南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司、北京普思投资有限公司（以下简称“普思投资”）、海南自贸区伟桓企业管理咨询有限公司、海南晶衡科技合伙企业（有限合伙）等8家股东共同持股，各股东具体投资金额暂未披露。值得一提的是，普思投资由王思聪100%持股。图片来源：企查查信息截图

中国科学院上海硅酸盐研究所黄富强团队研制成功一种新型透明半导体柔性透明储能器件，综合性能优于目前报道的所有透明储能器件。随着电子产品向可穿戴、移动化、超轻薄、透明、微型化发展，轻便、柔性甚至全透明的储能器件在未来便携式设备中具有广阔的应用前景。然而，在柔性透明储能器件中，透光率和能量密度相互影响，提升单一性能往往导致另一性能的大幅下降，同时还需提高储能器件的容量，这些都带来了极大的挑战。为此，黄富强团队通过合理的晶体掺杂设计，成功制备了一系列间隙硼掺杂的介孔宽禁带半导体氧化物(氧化锡、氧化锌及氧化铟)。在这一类新型的透明半导体氧化物中，间隙硼原子不仅能够大幅度提升掺杂材料的载流子浓度，为羟基的嵌入提供丰富的结合位点，还在间隙掺杂位上引发与OH-的赝电容电化学反应，从而将赝电容惰性的氧化锡、氧化锌和氧化铟，转化为高电化学活性的超级电容器电极材料。通过控制间隙硼掺杂的浓度，这一类介孔透明半导体氧化物的体积比容量可以达到每立方米1172毫法拉，实现与其他非透明金属氧化物的赝电容性能相近。这种新型透明半导体材料与聚乙撑二氧噻吩—聚(苯乙烯磺酸盐)导电聚合物均匀共混后，通过气溶胶喷涂技术涂敷在透明聚对苯二甲酸基底上制作电极。基于这种电极构建的透明柔性超级电容器，在15000次循环后容量保持率接近100%，其面积能量密度和器件透光率可达每平方米1.36 × 10毫瓦时和 85%。该研究为设计合成具有优异电化学活性的透明半导体氧化物提供了全新的研究思路。

近年来，中国已成为带动全球半导体市场增长的主要动力，随着5G商用牌照落地并在2019年11月份正式使用，会大大推动半导体芯片产业的发展。失效分析对于提高半导体产品质量，技术开发、改进，产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义。针对半导体器件局部失效分析，可以借助XPS成像技术及微区分析进行表征，岛津XPS配备专利技术的DLD二维阵列延迟线检测器，可以同时记录光电子的信号强度及其发射位置，亦可以在数秒的时间里获取完整的XPS谱图及高能量分辨的化学状态图像。小编带您一起来看看XPS成像技术在半导体器件中的应用实例吧！ 实例一：引脚迹斑分析引脚是指从集成电路（芯片）内部电路引出与外围电路的接线，构成了芯片的接口。随着电子技术的发展，电路板上的器件引脚间距越来越小，器件排列更加密集，电场梯度更大，因此电路板对引脚的腐蚀也变得越来越敏感。如下为一故障铜引脚器件，在AXIS SUPRA仪器腔体显微镜下可看到有一处迹斑（直径~150μm），通过成像技术结合微区分析技术（见图1），可知在该区域额外出现了Cl元素，对比周围区域测试结果，推测该元素的存在是造成腐蚀的主要原因，此外O元素峰强也有所增加，说明该区域氧化现象更为显著。 图1 平行成像及选区测试结果实例二：“金手指”缺陷区域分析“金手指”是指电脑硬件如内存条上与内存插槽、显卡与显卡插槽之间等进行电信号传输的介质，金手指涂敷工艺不良或由于使用时间过长导致其表面产成了氧化层，均会导致接触不良，甚至造成器件报废。如下采用XPS分析结合平行成像技术对“金手指”区域及缺陷处进行测试，不同视场成像结果见下图2，亮度越高的区域表示Au元素含量越多。图2 不同视场下的“金手指”样品成像结果 对缺陷部位及显著存在Au元素部位分别进行小束斑选区分析，测试位置见下图3，由测试得到的全谱结果可知，两个区域均存在一定量的F元素；在图像中较亮区域测得结果中，Au元素为主要存在元素，表面C、O元素较少，而缺陷部位测试结果中则只具有少量的Au 4f信号，而C、O、N元素峰较为显著，推测该缺陷部位存在一定的有机物污染。 图3 “金手指”样品缺陷处微区分析结果 小 结选用XPS成像技术对半导体器件微区的表面元素进行分析，可以清楚地了解各元素在器件表面的分布情况，结合污染元素组成及化学状态进行有目的的原因排查，有助于对功能器件的质量控制和失效机制进行把控和解析，有效杜绝污染和器件失效发生，以达到不断对产品工艺和技术进行优化的目的。 撰稿人：崔园园 岛津/Kratos X射线光电子能谱仪AXIS SUPRA+ AXIS SUPRA+卓越的自动化技术● 无人值守自动进行样品传输和交换● 硬件自动化控制，实时监测谱仪状态和校准 AXIS SUPRA+超强的表面分析能力● 具有高性能XPS分析、快速平行化学成像分析、小束斑微区分析● 利用角分辨、高能X射线源、深度剖析可以实现从超薄到超厚的深度分析● 多种功能附件（惰性气体传输器、高温高压催化反应池等）和可拓展多种表面分析技术，如紫外光电子能谱（UPS），离子散射谱（ISS），反射电子能量损失谱（REELS），俄歇电子能谱和扫描俄歇电子显微镜（AES和SAM）等等 AXIS SUPRA+高效智能工作流程适合多用户环境● 高吞吐量、快速队列样品分析模式实现连续分析● AXIS SUPRA+采用的通用表面分析ESCApe软件系统使用户与谱仪的交互简单化和智能化，可以进行谱仪的控制、数据的采集和分析

p 　　 span style=" font-family: & quot times new roman& quot " strong 2018年6月12日，“半导体材料及器件研究与应用进展”主题网络研讨会在仪器信息网“网络讲堂”栏目成功举办。本次会议旨在为全国在半导体及器件领域或有意在本领域从事研发、教学、生产的科技人员提供一个学术与技术交流的平台，以促进我国半导体材料及器件领域的科技创新和产业发展。 /strong /span /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。近年来半导体材料迅猛发展，特别是宽禁带化合物半导体在材料生长、器件与电路设计、制造工艺及其应用等方面具有最新进展。 /span /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　本次会议邀请了来自 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(255, 0, 0) " 华进半导体、赛默飞、雷尼绍、HORIBA、牛津、华东师范大学 /span 六家机构从事半导体研究及应用的专家学者，对目前科学仪器在半导体应用领域的研究进展进行了介绍了。各项报告内容简介如下： /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/9f4a0912-662e-44eb-a670-f31943137df6.jpg" title=" 先进封装工艺与可靠性-刘海洋.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 华进半导体研发部高级工程师刘海燕介绍了数种半导体材料与部件的封装工艺及其各自特点，着重讲解了目前处于前沿领域的扇出型封装工艺，代表的类型有eWLB、INFO POP、大板级。华进半导体目前正在开发晶圆级、大板级扇出封装技术，现已制备出部分样品，并申请了相关专利。此外还补充介绍了Low k芯片封装工艺。华进公司的主要业务包括设计仿真、封装工艺、测试验证、技术转移等领域。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/460a9fdb-85d5-4566-a742-3dbbc89e87dd.jpg" title=" ICP-MS在半导体行业原材料及高纯化学品分析中的应用-朱中正.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 　赛默飞的应用工程师朱中正介绍了ICP MS(电感耦合等离子体质谱仪)在半导体行业的应用和最新进展。半导体行业中，对痕量金属元素进行常规且准确的分析是十分重要的工作。随着半导体器件尺寸的不断缩小，杂质的存在对其性能的影响逐渐增加。报告重点介绍了赛默飞公司的四级杆ICP-MS和SQ-ICP-MS的结构、工作机理、主要优势以及局限性。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/776571c0-f293-46a7-b115-c43a17856c0f.jpg" title=" 雷尼绍拉曼光谱技术在半导体领域的一些应用-王志芳.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 雷尼绍的高级应用工程师王志芳介绍了雷尼绍公司的拉曼光谱在半导体领域的一些应用工作。她首先为观众进行了拉曼光谱基础知识的讲解，拉曼光谱具有无损无创、原位检测、快速简便的使用特点，可应用于材料科学、生命科学、分析科学等多个领域。在半导体领域，拉曼光谱可对SiC、GaN、MoS sub 2 /sub 等半导体材料进行性能表征，可检测的性能特征有：晶型分布鉴定、应力表征缺陷分析、鉴定和发现污染物、电子迁移率分布、块材生长过程等。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/d979950b-1148-45f7-8de4-41a3357cc646.jpg" title=" 光谱分析在半导体材料领域的应用-孙正飞.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　 i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 　HORIBA公司仪器事业部的应用工程师孙正飞分享了光谱分析技术在半导体材料领域的应用，主要应用的分析手段有光致发光光谱、拉曼光谱、辉光放电GD、椭偏仪TF，并着重介绍了前两者的工作机理和应用方向。光致发光光谱可测定半导体材料的组分、识别其中的掺杂元素、测试材料/器件的发光效率、研究位错缺陷 拉曼光谱可分析半导体化学组成、结构、构象、形态、浓度、应力、温度、结晶度等特征。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/563d8427-33a1-40e8-ab1e-751277616320.jpg" title=" 能谱及EBSD在半导体行业中的应用-马岚.pptx.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 牛津仪器纳米分析部的应用科学家马岚介绍了EDS能谱和EBSD(电子背散射衍射Electron Backscattered Diffraction)在半导体行业的应用。SEM-EDS可对样品进行成分检测、定性分析。针对扫描电镜及有窗能谱测试结果不准确的问题，提出了建议解决办法，通过对三种不同样品图像结果的分析，得出适当降低工作电压可提高电镜和能谱的空间分辨率。鉴于有窗能谱对10nm以下尺度空间分辨率的局限性，有窗能谱Extreme应运而生，在低电压下具有优良的表现。EBSD目前在半导体相关行业的应用还处于起步阶段，但由于其技术优势，会越来越多的应用在半导体的研发当中。可用于观测样品中晶粒的取向。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/b562f762-930a-494d-bec6-5ffda980fba0.jpg" title=" 相变存储器及存储材料-成岩.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　 i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 华东师范大学电镜中心的成岩老师向观众分享了半导体存储领域的新秀—相变存储器，介绍了其发展、结构、原理、材料等研究内容。DRAM和Flash占据了存储器市场95%以上的份额，旧的存储器存在一定的性能缺陷以及存储速度和存储性能之间的矛盾，开发新型存储架构势在必行。IBM开发的SCM(Storage Class Memory)使用高速、非易失性、字节可访问、存储密度高的新型存储级内存介质构建外部大容量存储器，为计算机系统延续了数十年的内外存架构提供了新的选择，应用相变存储技术的PCRAM将高速、随机访问和非易失在同一存储介质上实现。透射电子显微镜可应用于对相变存储材料Ge sub 2 /sub Sb sub 2 /sub Te sub 5 /sub 的结构进行观测，发现其具有两级相变过程，可由非晶转变为面心立方结构，再转变为六方相结构。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/0881776f-607b-4fdd-8408-b0ca4a572b4e.jpg" title=" 赞助厂商.png" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 赞助厂商 /span /strong /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 　　每场报告结束后，观众对报告内容踊跃提问和发言，老师也对观众们提出的部分问题进行了答疑，会议为关注和研究半导体材料应用的工作者们提供了一个交流和学习的良好平台。 /span /p

p 　　为面对国际、国内新形势，国家密集出台政策措施，推动中国半导体产业高质量发展。8月，国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，明确提出鼓励半导体材料和装备产业。中国是全球第一大半导体市场、第二大半导体设备市场、第三大半导体材料市场。繁荣的市场和国家扶持政策，将促进半导体产业链转向国内, 进一步催生国内半导体行业实现自主可控的大潮，开启半导体材料国产化黄金期。中国半导体产业的发展，依赖于半导体材料(如硅和先进半导体材料、特种气体、光刻胶、封装材料等)和半导体器件的研究和发展，同样也离不开仪器设备、分析检测方法和标准的支撑。中国科学院半导体研究所、仪器信息网拟于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”，聚焦半导体材料与器件的产业热点方向，组织2天的专业学术交流。本次网络会议旨在利用互联网技术，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。 br/ /p p 　　豪华专家阵容(仅展示部分专家，排序不分先后，可点击查看)： /p p style=" text-align: center " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 295px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202009/uepic/c47b10d3-b1b9-415b-a4d3-65c83b3b35bb.jpg" title=" 专家阵容.png" alt=" 专家阵容.png" width=" 600" height=" 295" border=" 0" vspace=" 0" / /a /p p 　　赞助厂商速览（可点击查看详情）： /p p style=" text-align: center " & nbsp a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 118px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202009/uepic/57119024-8aa8-493e-b0ff-ff62e2fa560b.jpg" title=" 赞助单位.png" alt=" 赞助单位.png" width=" 600" height=" 118" border=" 0" vspace=" 0" / /a & nbsp /p p style=" text-align: left " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" 详细会议日程及【免费】报名链接： /a /p p style=" text-align: left " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/ /a /p section data-role=" outer" label=" Powered by 135editor.com" section class=" _135editor" data-tools=" 135编辑器" data-id=" 97002" section style=" width:120px margin:10px auto " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img src=" https://image2.135editor.com/cache/remote/aHR0cHM6Ly9tbWJpei5xbG9nby5jbi9tbWJpel9naWYvN1FSVHZrSzJxQzRVSDFMdUxpYkNhNUZYaWE1ZW9ZS012TGN2RHlFaWJ3ZHdTeGppYUhpY3BpY0FoU1NjTTA2M2txUm9JUTVZTTF0aGJpYXhTMjRrNGFpY3EwWWlha2cvMD93eF9mbXQ9Z2lm" data-ratio=" 0.3235294117647059" data-width=" 100%" data-w=" 544" style=" caret-color: red width: 100% display: block " / /a /section /section /section p br/ /p

新一代超高灵敏度半导体芯片失效分析热成像显微镜日前在美国问世，于2014年3月18日慕尼黑上海电子展上在大中华区发布并在中国大陆，台湾和香港同步上市，由孚光精仪公司负责该区域销售和售后服务。新一代热发射显微镜采用锁相热成型技术，可探测到1mK (0.001°C) 的器件温度变化，可探测到 100 μW 的功率变化。据悉，这种热发射显微镜可快速定位半导体器件的温度异常点，从而找到漏电等失效点位置。这种热发射显微镜不需要对器件表面处理，可对裸器件和封装器件失效分析，也可定位SMD器件的低功率位置，比如电容泄露测试。除了失效分析之外，这套热发射显微镜还具有器件的真实温度测量功能，以及结点温度，热阻和芯片黏着 Die Attach分析功能。详情浏览：http://www.f-opt.cn/rechengxiang/hongwaixianweijing.html应用领域：器件漏电分析栅极和漏极之间的电阻短路分析封装器件的复合模具短路分析Latch-up点定位金属性短路分析缺陷晶体管和二极管定位分析氧化层击穿SMD元件漏电分析特色和功能超高灵敏度失效点定位堆叠芯片的缺陷深度分析真实温度测量结点温度测量封装和裸露器件分析正面和背面分析检测芯片粘接问题

1月26日，国家发展改革委官网发布《关于深圳建设中国特色社会主义先行示范区放宽市场准入若干特别措施的意见》（以下简称“《若干特别措施》”）。《若干特别措施》提出要放宽和优化先进技术应用和产业发展领域市场准入，完善金融投资领域准入方式，创新医药健康领域市场准入机制，放宽教育文化领域准入限制，推动交通运输领域准入放宽和环境优化和放宽其他重点领域市场准入等六方面内容，共计24条措施。其中，在放宽和优化先进技术应用和产业发展领域市场准入方面，《若干特别措施》强调，创新市场准入方式建立电子元器件和集成电路交易平台。支持深圳优化同类交易场所布局，组建市场化运作的电子元器件和集成电路国际交易中心，打造电子元器件、集成电路企业和产品市场准入新平台，促进上下游供应链和产业链的集聚融合、集群发展。支持电子元器件和集成电路企业入驻交易中心，鼓励国内外用户通过交易中心采购电子元器件和各类专业化芯片，支持集成电路设计公司与用户单位通过交易中心开展合作。积极鼓励、引导全球知名基础电子元器件和芯片公司及上下游企业（含各品牌商、分销商或生产商）依托中心开展销售、采购、品牌展示、软体方案研发、应用设计、售后服务、人员培训等。支持开展电子元器件的设计、研发、制造、检测等业务，降低供应链总成本，实现电子元器件产业链生产要素自由流通、整体管理；优化海关监管与通关环境，在风险可控前提下，推动海关、金融、税务等数据协同与利用，联合海关、税务、银行等机构开展跨境业务，交易中心为入驻企业提供进出口报关、物流仓储服务，鼓励金融机构与交易中心合作，为企业提供供应链金融服务。鼓励市场主体依托中心开展采购，设立贸易联盟并按市场化运作方式提供国际贸易资金支持，汇聚企业对关键元器件的采购需求，以集中采购方式提高供应链整体谈判优势。支持设立基础电子元器件检测认证及实验平台，面向智能终端、5G、智能汽车、高端装备等重点市场，加快完善相关标准体系，加强提质增效，降低相关测试认证成本。（工业和信息化部、国家发展改革委、民政部、海关总署、商务部、人民银行、税务总局、市场监管总局、银保监会、外汇管理局等单位按职责分工会同深圳市组织实施）近年来，全球半导体产业“缺芯”情况严重，对全球产业发展业绩造成了较大的影响。自2020年下半年以来，市场就已频频传出缺货潮。2021年以来，半导体行业经历了前所未有的缺货潮和涨价潮，各大厂商纷纷发布涨价函。其中，部分品种涨幅甚至超过300倍。二级市场方面，涨价潮所带来的红利早已兑现。市场普遍预期，缺货要到2022年下半年才有望缓解。对此，工信部发言人表示，一方面，随着社会智能化程度的不断提升，芯片作为智能设备最关键的组成部分，需求在持续增长。另一方面，全球疫情蔓延，还有一些个别国家对他国企业进行无理的制裁和打压，都对全球半导体供应链造成了严重冲击。综合多种因素的叠加，也客观上造成了“缺芯”问题的出现。随着市场调节机制逐步发挥作用，以及在各级政府、汽车企业、芯片企业的共同努力下，汽车领域的芯片“缺芯”问题正在逐步缓解。但是我们也要看到，全球集成电路供应链稳定性依然面临着严峻的挑战，未来较长一段时期内，这种芯片供应将依然处于紧张状态。在“缺芯”潮下，电子元器件和集成电路产品价格暴涨严重影响了供应链，加大了下游企业的成本。面对此种情况，一方面要大力建设晶圆厂，另一方面也需要提升下游企业在供应链中的话语权。虽然此前各地政府已出台大量政策措施鼓励投资和建设晶圆厂等，但晶圆厂建设周期长，起效慢，远水解不了近渴。此次，《若干特别措施》的出台，鼓励建立电子元器件和集成电路交易平台，汇聚企业对关键元器件的采购需求，以集中采购方式提高供应链整体谈判优势。这将有助于提升供应链透明度，为下游企业提升采购效率，降低采购成本。【政策链接】：《关于深圳建设中国特色社会主义先行示范区放宽市场准入若干特别措施的意见(发改体改〔2022〕135号)》

中国科学院半导体研究所研究员刘志强等与北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作，在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性，提出了氮化物位错控制新思路，拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关成果分别以Continuous Single-Crystalline GaN Film Grown on WS2-Glass Wafer、Atomic Mechanism of Strain Alleviation and Dislocation Reduction in Highly Mismatched Remote Heteroepitaxy Using a Graphene Interlayer、Graphene-Assisted Epitaxy of High-Quality GaN Films on GaN Templates、High Power Efficiency Nitrides Thermoelectric Device为题，在线发表在Small、Nano Letters、Advanced Optical Materials、Nano Energy上。 　　实现不依赖于衬底晶格的氮化物材料外延，有望突破衬底限制，融合宽禁带半导体材料与其他半导体材料的性能优势，为器件设计提供新的自由度。研究团队于2021年利用石墨烯二维晶体作为缓冲层，借助纳米柱等底层微纳结构，实现了非晶衬底上的氮化物准单晶薄膜的异质异构外延。近期，研究团队在该领域取得进展，利用与氮化物晶格匹配的过渡金属硫化物为缓冲层，构筑人工生长界面，实现了非晶玻璃晶圆上的单晶薄膜制备，并实现了紫外发光器件的制备。该项工作以非晶衬底这一极端情况，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性。 　　刃位错是氮化物材料中的代表性缺陷类型，与另外一种典型缺陷——螺位错相比，通常情况下其浓度要高一个数量级。刃位错对氮化物发光、电子器件的性能均会产生重要影响。由于氮化物与异质衬底之间固有的晶格失配，刃位错的有效抑制手段非常有限。近期，研究团队采用远程外延，实现了氮化物外延层中刃位错的有效降低，在原子尺度上研究了应力释放和位错密度降低的物理机制。研究发现无极性的石墨烯缓冲层可以削弱源于衬底的晶格势场，使得外延层能够在晶体取向得到控制的同时，其晶格也能相对自由地生长。因此，异质外延中晶格失配引起的应力得到了释放，外延层刃位错密度降低近一个数量级。在这种低应力的GaN模板上，研究人员成功制备了高In组份的InGaN/GaN量子阱，实现了黄光波段LED器件。 　　氮化物材料由于生长方法的限制具有高密度的穿透位错，这些穿透位错会充当非辐射复合中心和漏电通道，对氮化物基光电器件和电力电子器件的性能有严重的负面影响。近期，研究团队采用二维材料石墨烯辅助外延的方法，实现了低应力、低位错密度的高质量GaN薄膜的外延生长，并揭示了石墨烯在界面处降低外延层中穿透位错密度的机制。研究发现石墨烯可以部分屏蔽衬底势场，衬底势场实现界面晶格调控的同时，其表面势场波动一定程度被削弱。因此外延层可以通过原子滑移释放部分应力，实现应力的自发驰豫。引入石墨烯二维晶体后，GaN模板中因穿透位错导致的晶格畸变在外延界面得以恢复，表现为石墨烯在界面处阻挡了穿透位错向上的扩散，因此获得了比相同衬底同质外延位错密度更低的GaN薄膜。 　　能源是社会经济发展永恒的主题，工业生产中消耗化石燃料产生能量的约70%以废热的形式被排放。热电转换技术能够可逆地将废热转换成电能，在提高能源利用效率和回收废弃能源方面具有重要的意义。与此同时，热电器件在太空等极端环境下具有重要的应用，热电发电机是旅行者2号的唯一能量来源，目前已经连续工作40余年。然而，传统的窄禁带半导体材料存在高温下少数载流子激发导致的温差电动势抑制效应，工作温度较低。以GaN为代表的III族氮化物具有较大的禁带宽度、优异的热稳定性、高的抗辐射强度，同时易实现可控调制的合金和异质结结构，在高温热电方面展现出巨大的应用潜力。由于决定热电性能的塞贝克系数S、电导率σ、热导率k之间相互耦合和制约的关系，合理设计材料结构、采取最优化方案提高ZT值，一直是热电研究的重要课题。研究团队探索了合金化和低维超晶格结构对载流子和声子输运的调控作用，实现了电子、声子输运的有效解耦，成功制备了热电器件。ZT值优于同类器件的文献报道。该工作拓展了III族氮化物在热电方面的应用，提供了一种非常有前途的高温热电器件解决方案。图1 WS2-玻璃晶圆上单晶GaN薄膜的生长图2 WS2-玻璃晶圆上的AlxGa1-xN成核及单晶GaN薄膜生长。(a) 低温AlxGa1-xN成核后WS2的拉曼光谱；(b) 拉曼测试点的示意图；(c) 成核生长后AlxGa1-xN/WS2/玻璃界面的HADDF图像；(d) AlxGa1-xN/WS2/玻璃界面的HADDF图像及对应的Ga、O、S和W元素的EDS面扫图像；(e) 薄膜生长后AlxGa1-xN/WS2/玻璃界面的高分辨TEM图像；(f) 薄膜生长后AlxGa1-xN/WS2/玻璃界面的HADDF图像；(g) 界面附近GaN的iDPC图像图3 基于石墨烯的远程异质外延与传统异质外延的界面对比。(a) AlGaN/蓝宝石界面的原子结构和GPA exx图像；(b) AlGaN/石墨烯/蓝宝石界面的原子结构和GPA exx图像；(c) 有无石墨烯时界面处氮化物与蓝宝石衬底的面内晶格失配对比；(d) 有无石墨烯时界面处氮化物与蓝宝石衬底的面外晶格失配对比；(e) 无石墨烯时氮化物在蓝宝石台阶上的原子排列；(f) 有石墨烯时氮化物在蓝宝石台阶上的原子排列；(g) 无石墨烯时靠近台阶处沿面外方向的氮化物原子偏移；(h) 有石墨烯时靠近台阶处沿面外方向的氮化物原子偏移；(i) 界面附近两个原子层面外方向原子偏移的线轮廓图4 石墨烯辅助外延中的应力驰豫和位错演化机制。石墨烯辅助外延生长和直接外延生长的GaN薄膜的(a) XRD摇摆曲线对比，(b) 刃位错和螺位错密度对比，(c) 应力对比；GaN/石墨烯/GaN界面处的(d) 暗场像图像，(e) GPA exx图像；(f) 石墨烯在界面处阻挡穿透位错向上扩散的示意图；(g) 空白GaN表面的电势场波动；(h) 石墨烯/GaN复合衬底表面的电势场波动；(i) 空白GaN表面和石墨烯/GaN复合衬底表面沿特定方向的电势波动对比图5 氮化物器件的热电性能。(a) 塞贝克测量装置示意图；(b) 不同温度梯度下的红外热成像图；(c) 开路电压随温差时间变化曲线；(d) 塞贝克系数拟合曲线

table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" tbody tr td width=" 83" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " 成果名称 /p /td td width=" 538" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" text-align: center line-height: 1.75em " strong TTE /strong strong 系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪 /strong /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 单位名称 /p /td td width=" 538" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 北京工业大学新型半导体器件可靠性物理实验室 /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 联系人 /p /td td width=" 167" p style=" line-height: 1.75em " 冯士维 /p /td td width=" 161" p style=" line-height: 1.75em " 联系邮箱 /p /td td width=" 187" p style=" line-height: 1.75em " shwfeng@bjut.edu.cn /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 成果成熟度 /p /td td width=" 535" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " □正在研发& nbsp & nbsp □已有样机& nbsp & nbsp □通过小试& nbsp & nbsp □通过中试& nbsp √可以量产 /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 合作方式 /p /td td width=" 535" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " □技术转让 & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp √技术入股 & nbsp & nbsp & nbsp √合作开发& nbsp & nbsp √其他 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " align=" center" valign=" top" p style=" line-height: 1.75em " strong 成果简介：& nbsp /strong /p p style=" text-align:center" strong img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/017b0e04-691a-4c5a-826e-5879aa1d7a7a.jpg" title=" 1.jpg.png" / /strong /p p style=" line-height: 1.75em " TTE-400 LED灯具模组热阻测试仪 & nbsp br/ /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201607/insimg/1a6e4129-15a9-479d-84c9-cb11df28231c.jpg" title=" 54c453eb-3470-4a19-9f93-e8a1b5170517.jpg" width=" 400" height=" 203" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 203px " / /p p & nbsp TTE-500 多通道瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/06a37914-c0ba-48cf-9bb6-d25fdea82661.jpg" title=" 3.png" width=" 400" height=" 146" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 146px " / /p p & nbsp & nbsp TTE-LD100 激光器用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/887237ea-942e-46c5-8591-1dea99e6c712.jpg" title=" 4.png" width=" 400" height=" 143" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 143px " / /p p TTE-M100 功率器件用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/aded4b1e-7f39-41c2-9e79-8177484f76d7.jpg" title=" 5.png" width=" 400" height=" 185" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 185px " / /p p & nbsp TTE-H100 HEMT用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/d45a2e5c-776e-4e71-9412-67d87c17f875.jpg" title=" 6.png" / /p p TTE-S200 LED热特性快速筛选仪 /p p style=" line-height: 1.75em text-indent: 0em " & nbsp & nbsp TTE系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪是用于半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热器、热管等）的先进热特性分析仪，依据国际JEDEC51的瞬态热测试方法，能够实时采集器件瞬态温度响应曲线（包括升温曲线与降温曲线），采样间隔高达1微秒，结温分辨率高达0.01℃。利用结构函数算法能方便快捷地测得器件热传导路径上每层结构的热学性能，构建等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性研究和测试的强大支持工具，具有精确、无损伤、测试便捷、测试成本低等优点。该成果已在公司和科研院所等20多家单位应用，并可定制化生产。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 应用前景： /strong br/ & nbsp & nbsp & nbsp 本产品已投入市场应用五年时间，产品型号在不断丰富以适应庞大的市场需求，技术指标国内领先地位，可替代国外同类产品，拥有独立的自主知识产权。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 应用范围：功率半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热系统、热管等）结温热阻无损测量和流水线快速筛选。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 应用情况：国内已有20多家客户的生产线或实验室使用本产品，包括军工单位、芯片厂商、封装厂商、高等院校、高科技制造企业。成果适用于开展半导体晶圆及芯片设计、生产的高校、科研院所及企业。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 预计国内市场年需求量在500台，市场规模约5亿元。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 知识产权及项目获奖情况： /strong br/ & nbsp & nbsp 拥有核心技术，国家发明专利24项，获中国发明博览会金奖1项。 br/ & nbsp & nbsp （1）专利名称：一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置（申请号：201410266126.3）； br/ & nbsp & nbsp （2）专利名称：一种LED灯具热阻构成测试装置和方法（申请号：201310000861.5）； br/ & nbsp & nbsp （3）专利名称：功率半导体LED热阻快速批量筛选装置（申请号：201120249012.X）。 /p /td /tr /tbody /table p br/ /p

近日，浙江晶诚新材料有限公司（以下简称“晶诚新材料”）成立，法定代表人为毛全林，注册资本1000万元人民币，经营范围包含电子专用材料制造；非金属矿物制品制造；半导体器件专用设备制造；新材料技术研发；石墨及碳素制品制造；石墨及碳素制品销售；新材料技术推广服务；电子专用材料研发；电子专用材料销售。股东信息显示，晶诚新材料的大股东为浙江晶盛机电股份有限公司。后者是专注于“先进材料、先进装备”的高新技术企业，围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料开发出一系列关键设备，并延伸到化合物衬底材料领域。

半导体材料与器件是现代自动化、微电子学、计算机、通讯等设备仪器研制生产的基础材料及核心部件，具有专门的生产设备、工艺和方法，在现代各方面得到大量的研究和应用。作为现代信息技术产业的基础，半导体产业已成为社会发展和国民经济的基础性、战略性和先导性产业，是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分；伴随着全球科技逐渐进步，全球范围内半导体产业规模基本都保持着持续扩张态势。为加速国内半导体材料及器件发展，促进国内半导体材料与器件领域的人员互动交流，推动我国半导体行业的高质量发展。仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题，为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台，让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、会议时间2022年12月20日-12月22日三、会议形式线上直播，直播平台：仪器信息网3i讲堂平台本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia （内容更新中）或扫描二维码报名四、会议日程1.专场安排第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议时间专场名称12月20日全天光电材料与器件12月21日全天第三代半导体材料与器件12月22日上午传感器与MEMS12月22日下午半导体产业配套材料2.详细日程（以会议官网最终日程为准）时间报告题目演讲嘉宾专场1：光电材料与器件（12月20日）9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00待定待定10:30待定待定 (牛津仪器科技（上海）有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)11:30午休午休音乐14:00GaN光电器件现有应用及未来发展方向张星星（江西兆驰半导体有限公司 芯片研发经理）14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技（中国）有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静（北京理工大学 特别副研究员）专场2：第三代半导体材料与器件（12月21日）9:00氮化镓增强型功率器件进展黄火林(大连理工大学 教授)9:30Epitaxial growth of thick GaN layers on Si substrates and the physics of carbon impurity杨学林(北京大学 正高级工程师)10:00待定待定(牛津仪器科技（上海）有限公司)10:30GaN电力电子器件研究进展赵胜雷(西安电子科技大学 副教授)14:00GaN功率器件及功率集成电路技术魏进(北京大学 研究员)14:30待定待定（布鲁克电子显微纳米分析仪器部）15:00聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授）15:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究王涛（北京大学 高级工程师）专场3：传感器与MEMS（12月22日上午）9:30硅纳米线场效应传感器的制备及其生物检测研究魏千惠（有研工程技术研究院有限公司 科研主管）10:00待定待定10:30智能传感技术在电力设备中的应用/待定周渠（西南大学 教授）专场4：半导体产业配套材料（12月22日下午）14:00半导体行业用水概述孙秀敏（工业和信息化部电子第五研究所 副部长/高级工程师）14:30待定待定（威立雅水处理技术（上海）有限公司）15:00集成电路用水标准体系解读和检测方法介绍李春华（上海市计量测试技术研究院 集成电路产业中心主任/高工）五、参会方式1. 本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia（内容更新中）或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后，直播前一天助教会统一审核，审核通过后，会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后，会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接，输入报名手机号，即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑：15733280108，kangpcinstrument.com.cn2. 会议赞助周女士，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn仪器信息网电子工业出版社2022年12月6日附：往届会议回顾1）第二届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网： https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd20212）第一届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网： https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020

半导体材料与器件是现代自动化、微电子学、计算机、通讯等设备仪器研制生产的基础材料及核心部件，具有专门的生产设备、工艺和方法，在现代各方面得到大量的研究和应用。仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会，围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题，邀请半导体领域相关研究、应用与检测专家、知名仪器企业技术代表，以线上分享报告、在线与网友交流互动形式，为同行搭建公益学习互动平台，增进学术交流。为回馈线上参会网的支持，增进会议线上交流互动，会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节，欢迎大家报名参会。同时，只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》（独家首发）一本，（兑奖方式见文末）报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期，还有部分赞助厂商将抽取幸运观众，邮寄企业周边产品。一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、会议时间2022年12月20日-12月22日三、会议形式线上直播，直播平台：仪器信息网 3i讲堂平台本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia或扫描二维码报名四、会议日程1.专场安排第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议时间专场名称12月20日全天光电材料与器件研究与应用12月21日全天第三代半导体研究与检测技术12月22日上午传感器与、半导体产业配套材料研究与检测技术2.详细日程（以会议官网最终日程为准）时间报告题目演讲嘉宾专场1：光电材料与器件研究与应用（12月20日）9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond苏思伟（Waters -TA部门 TA仪器热分析高级技术专家）10:30牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用王汉霄 (牛津仪器科技（上海）有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)直播抽奖：5张30元京东卡11:30午休午休音乐14:00半导体材料发展与机遇慕容素娟（大话芯片 总编）14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技（中国）有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静（北京理工大学 特别副研究员）15:30低维钙钛矿发光材料与器件张晓宇（吉林大学 副教授）直播抽奖：5张30元京东卡专场2：第三代半导体研究与检测技术（12月21日）9:30氮化镓增强型功率器件进展黄火林(大连理工大学 教授)10:00如何利用牛津原子力显微镜评价化合物半导体质量刘志文 (牛津仪器科技（上海）有限公司)10:30Epitaxial growth of thick GaN layers on Si substrates and the physics of carbon impurity杨学林(北京大学 正高级工程师)11:00海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用卢坤俊(海洋光学 资深技术&应用专家)11:30GaN电力电子器件研究进展赵胜雷(西安电子科技大学 副教授)直播抽奖：5张30元京东卡12:00午休午休音乐14:00GaN功率器件及功率集成电路技术魏进(北京大学 研究员)14:30布鲁克新一代能谱仪及其在半导体样品上的应用陈剑锋（布鲁克（北京）科技有限公司 应用工程师）15:00聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授）15:30雷尼绍拉曼光谱技术的发展及其在半导体材料分析中的应用王志芳（雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司 光谱产品部应用经理）16:00GaN半导体器件的仿真设计与制备研究张紫辉（河北工业大学 教授）16:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究王涛（北京大学 高级工程师）直播抽奖：5张30元京东卡专场3：传感器与MEMS研究与应用（12月22日上午）9:30硅纳米线场效应传感器的制备及其生物检测研究魏千惠（有研工程技术研究院有限公司 科研主管）10:00智能传感技术在电力设备中的应用/待定周渠（西南大学 教授）10:30半导体行业用水概述孙秀敏（工业和信息化部电子第五研究所 副部长/高级工程师）11:00水纯度对半导体研究与应用的重要性沈熹（威立雅水处理技术（上海）有限公司）威立雅赞助周边奖品抽奖11:30集成电路用水标准体系解读和检测方法介绍李春华（上海市计量测试技术研究院 集成电路产业中心主任/高工）直播抽奖：5张30元京东卡五、参会方式1. 本次会议免费参会，参会报名请点击会议官网：会议官网：https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia 或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后，直播前一天助教会统一审核，审核通过后，会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后，会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接，输入报名手机号，即可参会。六、兑奖方式：1） 直播间抽奖中奖后，凭借中奖截图凭证联系直播助手领奖；2） 分享朋友圈兑奖，凭借朋友圈点赞截图，联系主持人（微信号：15733280108）领取《2021年度科学仪器行业发展报告》七、会议联系1. 会议内容康编辑：15733280108，kangpcinstrument.com.cn2. 会议赞助周女士，19801307421，zhouhh@instrument.com.cn仪器信息网电子工业出版社2022年12月12日附：往届会议回顾1）第二届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网： https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd20212）第一届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网： https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020

近日，2021年第四届低维材料应用与标准研讨会（LDMAS2021）在北京西郊宾馆成功召开。会议吸引了低维材料与器件相关领域的400余名专家学者与企业代表出席，云端参会人数超过1万人。会议同期举办5个不同主题的分会场，仪器信息网编辑对“第2分论坛：低维半导体电子/光电子器件分论坛”进行了跟踪报道。该会场共安排了16个邀请报告和6个青年论坛报告，相继由北京大学集成电路学院研究员黄芊芊、中国科学院半导体所研究员赵德刚、中国科学院半导体研究所研究员薛春来、华中科技大学光学与电子信息学院/武汉光电国家研究中心副教授叶镭和北京化工大学教授邵晓红主持；内容精彩纷呈，得到与会观众的高度关注。以下为此分会场的部分报告集锦，以飨读者。报告题目：GaN 基材料与激光器报告人：中国科学院半导体所研究员 赵德刚氮化镓（GaN）材料被称为第三代半导体，GaN基激光器在激光显示、激光照明、激光加工等领域重要的应用价值，材料生长与器件工艺是基础和关键。在材料方面，赵德刚课题组提出了独特的MOCVD外延方法，生长出高质量的GaN材料，室温下电子迁移率超过1000 cm2/Vs，这是目前国际上公开报道的最好结果；发现并抑制了碳杂质对p-GaN材料的补偿效应，提出了少量掺氧的p型杂质激活方法，解决了p型掺杂问题；还发现了GaN材料“黄光峰”与碳杂质和刃位错紧密相关。在器件方面，利用碳杂质实现了良好的p-GaN欧姆接触特性；掌握了InGaN量子阱界面控制方和局域态调控方法，并生长出高质量的InGaN量子阱材料；研究了InGaN波导层的生长技术，有效抑制了表面V型坑缺陷的形成；提出了降低吸收损耗、抑制电子泄漏的多种激光器新结构，提高了器件性能，研究了激光器物理，发现了GaN基激光器失效机制。研制出我国第一只GaN基紫外激光器，目前连续功率输出920mW，进一步实现了366nm的GaN基紫外激光器电注入激射，并研制出室温连续激射功率6W的蓝光激光器。报告题目：基于低维硅材料的异质结构及其光电神经突触器件报告人：浙江大学教授 皮孝东由于基于传统的冯诺依曼架构的计算的发展面临着高功耗等瓶颈问题，新型计算如神经形态计算正受到人们越来越多的关注。在生物神经系统中，信号的传递都是通过神经突触实现的，因此模拟生物神经突触的神经突触器件成为了发展神经形态计算所必需的核心器件。生物神经系统中的信号主要是电信号，所以早期的研究人员主要研究电刺激-电输出的电子神经突触器件。然而，光电集成特别是硅基光电集成的发展表明，神经形态计算将来若能建立在光电集成的人工神经网络之上，其性能将比只依赖于电集成的更加卓越。这导致近年来研究人员考虑到将光信号引入神经突触器件中，制备光电神经突触器件，进而构建光电集成的人工神经网络。对于光电神经突触器件，如果它们基于硅，研究人员就有望充分利用硅成熟的器件制备和集成工艺，推动光电集成的神经形态计算的快速发展。报告中，皮孝东主要介绍近年来基于低维硅材料如硅量子点和硅纳米膜，与新型半导体材料如二维半导体材料、有机无机杂化钙钛矿、有机半导体等构建异质结构，制备光电神经突触器件，实现对一系列生物突触行为的模拟。报告题目：基于二维层状半导体的偏振光探测器报告人：中国科学院半导体研究所研究员 魏钟鸣近年来，二维材料由于其独特的光电性能而受到了广泛的关注。相比于零带隙的石墨烯，二维半导体材料如MoS2，WSe2等具有一定宽度的带隙，使其可以广泛应用于各种光电器件（包括存储器、探测器和晶体管等）。魏钟鸣课题组针对二维半导体及光电器件进行了长期的探索，围绕材料的设计、制备和器件应用已经取得一些进展，部分材料在场效应晶体管和光探测器等方面显示出较好的性能。作为一种特殊的光电器件，偏振光探测器在光通信、成像等领域有非常重要的应用，魏钟鸣在报告中主要针对新型二维半导体在偏振光探测方面的原型器件和工作机理进行汇报。发现具有二维层状堆积晶体结构和面内各向异性的GeSe与GeAs等材料表现出优异的偏振光探测性能，并且探测波段从可见区覆盖到红外区，这两种材料都在808 nm的短波近红外区获得最优性能。报告题目：高性能低维半导体器件报告人：北京大学微纳电子学系研究员 吴燕庆超薄二维材料体系具有丰富的能带结构与优异的电学特性，可用来实现高性能逻辑、射频与存储器件。其超薄体特性可在超短沟器件中有效抑制短沟道效应。基于二维材料体系的垂直范德华异质结可突破传统体材料异质结的结构限制，实现超越传统器件的功能，并大幅提升性能。纳米尺寸的短沟道器件以及与硅基工艺相兼容的二硫化钼晶体管具有优异的输出特性，其输出电流可超过1mA/µm。基于大面积生长工艺的双层二硫化钼射频晶体管的最大振荡频率峰值可达到23 GHz，基于柔性衬底的混频器也可工作在GHz频段。基于面内各向异性最佳输运方向，沟长为100 nm的黑磷晶体管室温驱动电流达到1.2 mA/ µm，20 K时进一步提高到1.6 mA/µm。室温下其弹道输运效率达到36%，在低温20 K时提高到79.4%。基于上述两种二维材料的范德华异质结可实现电压可调的可重构多值逻辑，并且在超浅垂直异质结中可实现超高整流比与开关比。因此基于范德华异质结的量子隧穿器件具有优异的特性和极大的潜力。此外，在基于超薄4nm的氧化铟锡半导体的短沟道器件中实现了开关比超越1010的超低功耗器件，最短沟长可以达到10nm，并且实现了相关的环振电路，振荡频率为氧化物半导体中最高。并实现了极高的反相器增益及射频增益。低维材料高性能电子器件可为未来后摩尔时代提供具有应用潜力的新一代电子器件。报告题目：低维半导体载流子动力学调控报告人：南京大学教授 王枫秋低维半导体是发展新一代微纳电子和光电子器件的重要技术路径。从微观层面操控低维半导体载流子及载流子激发态的基本性质（如迁移率、寿命、弛豫通道、极化率等），是提升器件宏观性能并发展新原理光电器件的关键。近年来，王枫秋课题组聚焦二维半导体、碳基材料及其异质结构，深入开展限域体系载流子弛豫机制和新型光电器件研究，主要代表成果：（1）提出系列具有普适性的载流子动力学调控策略，实现了两类重要体系载流子寿命宽谱、大范围调制，一项成果入选“2017中国光学十大进展”。（2）首创全碳异质薄膜光探测器结构，解决光电导增益和响应速度协同优化难题，率先实现“光学神经元”新概念器件。（3）发展了低维半导体超快光开关技术，突破宽波段覆盖和参数精控两大实用化技术瓶颈，多项指标保持世界纪录。报告题目：新型二维半导体在集成电路中的可行性和优势报告人：复旦大学研究员 包文中近年来作为学术界研究热点的二维材料，也逐渐引起了工业界的关注。最新的国际器件与系 统发展路线图（IRDS 2020）高度评价了二维半导体材料在未来集成电路中应用于叠层纳米片晶体管及其他新型能带调控器件的巨大潜力。在此背景下，包文中课题组在实现批量生长高质量晶圆级二维材料的基础上，系统性的发展了多个可实用的工艺新方法，包括有效的掺杂、金半接触和栅介质生长等分立工艺。在此基础上开创性的提出了二维材料工艺集成的新方法，从而开发了二维材料的集成电路成套流片工艺。结合器件紧凑模型和电路仿真优化，我们成功制作了传统的数字、模拟、存储电路；同时，还充分发挥二维材料的独特优势，提出多种开创性的器件结构。报告题目：硅/石墨烯宽光谱红外探测器报告人：浙江大学教授 徐杨徐杨课题组研究了一种用于中红外光电探测的宏观组装石墨烯（MAG）纳米膜/硅异质结。高结晶度的MAG通过氧化石墨烯的可扩展湿法组装，然后进行热退火制备，厚度可调（14-60 nm），尺寸可以达到2 英寸。MAG/Si肖特基二极管在室温下响应波段范围为1- 4 μm，具有高速响应（120-130 ns，4 mm2窗口）和高探测率（1.5 μm波长下为1011 Jones），其瞬态光电流性能优于单层石墨烯/硅光电探测器2个数量级以上。这种光电性能归功于MAG的优越优势（~ 40%的光吸收、~ 23 ps 的载流子弛豫时间、相对较低的功函数 (4.52 eV) 和高准平衡热载流子倍增增益）、原子尺度的异质结接触界面，以及来自硅的碰撞电离雪崩倍增增益（~102倍）。MAG提供了一个了解2D材料中的热载流子动力学的平台，也为探索新型室温下宽光谱碳硅融合的图像传感器提供了研究基础。报告题目：局域场调控红外探测器研究进展报告人：中科院上海技物所青年研究员 王鹏随着半导体技术的快速发展，光电探测技术取得了长足进步。其中，以Si、InGaAs、HgCdTe等为代表的传统半导体薄膜光电探测器以其成熟的集成技术与稳定的探测性能在商业化产品与国防军工等领域占据主导地位，且已广泛应用于地球观测、环境监测、目标识别、空间遥感等领域。目前，新一代光电探测技术正朝着高性能、大面阵、低噪声以及高工作温度等方向发展，对光电探测材料与器件提出了更高的要求。低维半导体材料表现出明显区别于经典体系的物性特征，载流子输运、光学跃迁等物理行为具有可控的量子特性，产生许多新颖的物理性质和效应，并以此形成的具有颠覆性意义的光电技术在性能指标上超越传统器件的理论极限，对现有红外探测体系是很好的补充。因此，不断深入和优化现有材料体系的同时，持续开展新材料、新结构的研究和开发，是光电探测器技术发展的必然要求。本次报告将围绕新一代红外探测器技术的发展需求，介绍当前研究现状，汇报我们在局域场调控红外探测器研制与新颖探测机理研究等方面进展。

半导体产业作为现代信息技术产业的基础，已成为社会发展和国民经济的基础性、战略性和先导性产业，是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分。当前，全球半导体科技和产业的竞争愈演愈烈，各国围绕提升半导体领域竞争力，相继出台了一系列政策举措。半导体行业归根结底属于设备类行业，行业内素有“一代设备，一代工艺，一代产品”的说法。SEMI在SEMICON Japan 2022上发布了《2022年度总半导体设备预测报告》。报告指出，原设备制造商的半导体制造设备全球总销售额预计将在2022年创下1085亿美元的新高，连续三年创纪录，较2021创下的1025亿美元行业纪录增长5.9％。基于此，仪器信息网联合电子工业出版社于四、五月将启动“半导体主题月”活动。活动同期，仪器信息网与电子工业出版社特组织三场“半导体材料、器件研究与检测技术系列讲座”,旨在邀请领域内专家围绕相关论坛主题分享精彩报告，依托成熟的网络会议平台，为半导体产业从事研发、教学、生产的工作人员提供一个突破时间地域限制的免费学习、交流平台，让大家足不出户便能聆听到精彩的报告。点击图片直达会议页面一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、举办时间2023年4月11-26日，每周一期三、会议日程半导体材料、器件研究与检测技术报告时间报告题目报告嘉宾单位职称4月11日：第三代半导体材料器件研究与检测技术14:00-14:40车规级功率器件标准AQG324深入解读邓二平合肥工业大学教授14:40-15:20碳化硅功率器件可靠性测试与研究进展田鸿昌陕西半导体先导技术中心有限公司副总经理/高级工程师4月18日：光电材料、器件研究与检测技术10:00-10:40热活化延迟荧光发光电化学池器件张保华广州大学教授10:40-11:20待定杨妍中国科学院微电子研究所研究员4月26日：传感器/MEMS研究与检测技术14:00-14:40MEMS无线智能温振传感器及应用王建国苏州捷研芯电子科技有限公司副总经理14:40-15:20待定刘凤敏吉林大学教授三、报告嘉宾四、参会指南1、点击会议页面链接报名；会议页面：https://insevent.instrument.com.cn/t/RUs2、报名并审核通过后，将以短信形式向报名手机号发送在线听会链接；3、本次会议不收取任何注册或报名费用；4、会议联系人：3i讲堂—材料小周（ 邮箱：zhouhh@instrument.com.cn；微信二维码如下，可加入会议交流群）会议联系人微信二维码